JP2020154215A

JP2020154215A - 表示装置

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Publication number: JP2020154215A
Application number: JP2019054605A
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Inventors: 弘志田畠; Hiroshi Tabata; 哲生森田; Tetsuo Morita; 康宏小川; Yasuhiro Ogawa
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Priority date: 2019-03-22
Filing date: 2019-03-22
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Abstract

【課題】薄膜トランジスタによる電流制御の差をなくすことを目的とする。【解決手段】駆動回路ＤＲＣは、保持キャパシタＣｓと、素子キャパシタＣelと、ソース及びドレインの一方と高電位配線ＨＬ及び低電位配線ＬＬの一方の間に介在する付加キャパシタＣadと、を含む。第１発光素子ＬＥ１を駆動するための駆動回路ＤＲＣは、素子キャパシタＣelとしての第１素子キャパシタＣel1と、付加キャパシタＣadとしての第１付加キャパシタＣad1と、を含む。第２発光素子ＬＥ２を駆動するための駆動回路ＤＲＣは、素子キャパシタＣelとしての第２素子キャパシタＣel2と、付加キャパシタＣadとしての第２付加キャパシタＣad2と、を含む。第１素子キャパシタＣel1の容量は、第２素子キャパシタＣel2の容量よりも大きい。第１付加キャパシタＣad1の容量は、第２付加キャパシタＣad2の容量よりも小さい。【選択図】図７

Description

本発明は、表示装置に関する。

有機エレクトロルミネセンス表示装置は、入力された画像信号に対応した電流を流すことで発光層を多階調で発光し、これにより画像を表示するようになっている（特許文献１）。電流は、薄膜トランジスタによって制御される。

特開２０１９−１６５０４号公報

薄膜トランジスタによる電流の制御には、電位の安定が重要である。そのために画素電極を一方の電極とする容量が形成されるが、発光色によって電極の大きさが異なるため、その容量は発光色ごとに異なる。容量の違いで、薄膜トランジスタによる電流制御に差が生じる。さらに、電流が流れない状態の黒表示ができないとコントラストが悪化する。

本発明は、薄膜トランジスタによる電流制御の差をなくすことを目的とする。

本発明に係る表示装置は、複数の画素のそれぞれを構成する複数の発光色の副画素にそれぞれ設けられた複数の発光素子と、前記複数の発光素子のそれぞれを駆動するための駆動回路と、を有し、前記複数の発光素子は、前記複数の発光色の１つに対応する第１発光素子と、前記複数の発光色の他の１つに対応する第２発光素子と、を含み、前記第１発光素子は、前記第２発光素子よりも、発光領域が大きく、前記駆動回路は、前記複数の発光素子の対応する１つに電流を流すための高電位配線及び低電位配線と、前記電流の流れ及び遮断を切り替える電流スイッチング素子と、前記電流スイッチング素子と直列に接続されて前記電流の量を制御する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのゲートへの映像信号の入力及び遮断を切り替える信号スイッチング素子と、前記薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方と前記ゲートとの間に介在する保持キャパシタと、前記複数の発光素子の対応する１つからなる素子キャパシタと、前記ソース及び前記ドレインの前記一方と前記高電位配線及び前記低電位配線の一方の間に介在する付加キャパシタと、を含み、前記第１発光素子を駆動するための前記駆動回路は、前記素子キャパシタとしての第１素子キャパシタと、前記付加キャパシタとしての第１付加キャパシタと、を含み、前記第２発光素子を駆動するための前記駆動回路は、前記素子キャパシタとしての第２素子キャパシタと、前記付加キャパシタとしての第２付加キャパシタと、を含み、前記第１素子キャパシタの容量は、前記第２素子キャパシタの容量よりも大きく、前記第１付加キャパシタの容量は、前記第２付加キャパシタの容量よりも小さいことを特徴とする。

本発明によれば、第１発光素子は、第２発光素子と比較して、発光領域が大きいことで第１素子キャパシタの容量が大きいが、第１付加キャパシタの容量が小さくなっている。これにより、第１発光素子及び第２発光素子の間で、電流制御の差をなくすことができる。

実施形態に係る表示装置の平面図である。表示装置の使用状態を示す概略図である。図２に示す表示装置のIII−III線断面の概略図である。図１に示す表示領域の一部を示す図である。図１に示す表示装置のＶ−Ｖ線断面図である。図１に示す表示装置のVI−VI線断面図である。駆動回路の詳細を示す図である。駆動回路ＤＲＣを駆動するための制御回路ＣＣのタイミングチャートを示す図である。図８の期間１での動作を示す図である。図８の期間２での動作を示す図である。図８の期間３での動作を示す図である。図８の期間４，５での動作を示す図である。図８の期間６での動作を示す図である。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。

さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。

図１は、実施形態に係る表示装置の平面図である。表示装置は、実際には、折り曲げて使用するので、図１は、表示装置を折り曲げる前の展開図である。図２は、表示装置の使用状態を示す概略図である。図３は、図２に示す表示装置のIII−III線断面の概略図である。

表示装置は、例えば、有機エレクトロルミネセンス表示装置である。表示装置は、ディスプレイＤＳＰを含む。屈曲の内側にはスペーサＳＰが配置されて、ディスプレイＤＳＰの曲がりすぎを防いでいる。ディスプレイＤＳＰは、可撓性を有し、画像が表示される表示領域ＤＡの外側で折り曲げられている。ディスプレイＤＳＰには、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路チップＣＰが搭載されている。ディスプレイＤＳＰには、表示領域ＤＡの外側で、フレキシブルプリント基板ＦＰが接続されている。

図４は、図１に示す表示領域の一部を示す図である。表示領域ＤＡでは、例えば、発光色が赤Ｒ、緑Ｇ及び青Ｂの複数からなる副画素ＳＰＸ（サブピクセル）を組み合わせてフルカラーの１画素ＰＸを形成し、複数の画素ＰＸによってフルカラーの画像が表示される。人の目の感度は、青Ｂに対して低いため、青Ｂの副画素ＳＰＸが最も大きくなっている。

図５は、図１に示す表示装置のＶ−Ｖ線断面図である。詳しくは、発光色が青Ｂの副画素ＳＰＸの断面図である。基板１０は、ポリイミドからなる。ただし、シートディスプレイ又はフレキシブルディスプレイを構成するために十分な可撓性を有する基材であれば他の樹脂材料を用いてもよい。

基板１０上に、バリア無機膜１２（アンダーコート層）が積層されている。バリア無機膜１２は、シリコン酸化膜１２ａ、シリコン窒化膜１２ｂ及びシリコン酸化膜１２ｃの三層積層構造である。最下層のシリコン酸化膜１２ａは、基板１０との密着性向上のため、中層のシリコン窒化膜１２ｂは、外部からの水分及び不純物のブロック膜として、最上層のシリコン酸化膜１２ｃは、シリコン窒化膜１２ｂ中に含有する水素原子が薄膜トランジスタＤＲＴの半導体層１６側に拡散しないようにするブロック膜として、それぞれ設けられるが、特にこの構造に限定するものではなく、さらに積層があってもよいし、単層あるいは二層積層であってもよい。

薄膜トランジスタＤＲＴを形成する箇所に合わせて機能膜１４を形成してもよい。機能膜１４は、チャネル裏面からの光の侵入等による薄膜トランジスタＤＲＴの特性の変化を抑制したり、導電材料で形成して所定の電位を与えることで、薄膜トランジスタＤＲＴにバックゲート効果を与えたりすることができる。ここでは、シリコン酸化膜１２ａを形成した後、薄膜トランジスタＤＲＴが形成される箇所に合わせて機能膜１４を島状に形成し、その後シリコン窒化膜１２ｂ及びシリコン酸化膜１２ｃを積層することで、バリア無機膜１２に機能膜１４を封入するように形成しているが、この限りではなく、基板１０上にまず機能膜１４を形成し、その後にバリア無機膜１２を形成してもよい。

バリア無機膜１２上に薄膜トランジスタＤＲＴが形成されている。ポリシリコン薄膜トランジスタを例に挙げて、ここではＮｃｈトランジスタのみを示しているが、Ｐｃｈトランジスタを同時に形成してもよい。薄膜トランジスタＤＲＴの半導体層１６は、チャネル領域とソース・ドレイン領域との間に、低濃度不純物領域を設けた構造を採る。ゲート絶縁膜１８としてはここではシリコン酸化膜を用いる。ゲート電極２０は、ＭｏＷから形成された第１配線層Ｗ１の一部である。第１配線層Ｗ１は、ゲート電極２０に加え、第１保持容量線ＣＬ１を有する。第１保持容量線ＣＬ１と半導体層１６（ソース・ドレイン領域）との間で、ゲート絶縁膜１８を介して、保持キャパシタＣｓの一部が形成される。

ゲート電極２０の上に、層間絶縁膜２２（シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜）が積層されている。層間絶縁膜２２の上に、ソース・ドレイン電極２４となる部分を含む第２配線層Ｗ２が形成されている。ここでは、Ｔｉ、Ａｌ及びＴｉの三層積層構造を採用する。
層間絶縁膜２２を介して、第１保持容量線ＣＬ１（第１配線層Ｗ１の一部）と第２保持容量線ＣＬ２（第２配線層Ｗ２の一部）とで、保持キャパシタＣｓの他の一部が形成される。

第２配線層Ｗ２（ソース・ドレイン電極２４）を覆って、層間絶縁膜２２の上にパッシベーション膜２６が形成されている。パッシベーション膜２６の上には平坦化有機膜２８が設けられている。平坦化有機膜２８は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等により形成される無機絶縁材料に比べ、表面の平坦性に優れることから、感光性アクリル等の樹脂が用いられる。

平坦化有機膜２８及びパッシベーション膜２６は、画素コンタクト部３０では除去されて、その上に酸化インジウムスズ（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）膜３２が形成されている。酸化インジウムスズ膜３２は、相互に分離された第１透明導電膜３２ａ及び第２透明導電膜３２ｂを含む。平坦化有機膜２８及びパッシベーション膜２６の除去により表面が露出した第２配線層Ｗ２は、第１透明導電膜３２ａにて被覆される。第１透明導電膜３２ａを被覆するように、平坦化有機膜２８の上にシリコン窒化膜３４が設けられている。シリコン窒化膜３４は、画素コンタクト部３０に開口を有し、この開口を介してソース・ドレイン電極２４に導通するように画素電極３６が積層されている。画素電極３６は、反射電極として形成され、酸化インジウム亜鉛膜、Ａｇ膜、酸化インジウム亜鉛膜の三層積層構造になっている。ここで、酸化インジウム亜鉛膜に代わって酸化インジウムスズ膜を用いてもよい。画素電極３６は、画素コンタクト部３０から側方に拡がり、薄膜トランジスタＤＲＴの上方に至る。

第２透明導電膜３２ｂは、画素コンタクト部３０に隣接して、画素電極３６の下方（さらにシリコン窒化膜３４の下方）に設けられている。第２透明導電膜３２ｂ、シリコン窒化膜３４及び画素電極３６は重なっており、これらによって第１付加キャパシタＣad1が形成される。第１付加キャパシタＣad1は、画素電極３６に対向する第１対向電極４６Ａを有する。

平坦化有機膜２８の上であって例えば画素コンタクト部３０の上方に、バンク（リブ）と呼ばれて隣同士の画素領域の隔壁となる絶縁有機膜３８が形成されている。絶縁有機膜３８としては平坦化有機膜２８と同じく感光性アクリル等が用いられる。絶縁有機膜３８は、画素電極３６の表面を発光領域として露出するように開口され、その開口端はなだらかなテーパー形状となるのが好ましい。開口端が急峻な形状になっていると、その上に形成される有機エレクトロルミネセンス層４０のカバレッジ不良を生ずる。

平坦化有機膜２８と絶縁有機膜３８は、両者間にあるシリコン窒化膜３４に設けた開口を通じて接触している。これにより、絶縁有機膜３８の形成後の熱処理等を通じて、平坦化有機膜２８から脱離する水分や脱ガスを、絶縁有機膜３８を通じて引き抜くことができる。

画素電極３６の上に、有機材料からなる有機エレクトロルミネセンス層４０が積層されている。有機エレクトロルミネセンス層４０は、単層であってもよいが、画素電極３６側から順に、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層が積層された構造であってもよい。これらの層は、蒸着によって形成してもよい。

有機エレクトロルミネセンス層４０の上に、共通電極４２が設けられている。ここでは、トップエミッション構造としているため、共通電極４２は透明である。例えば、Ｍｇ層及びＡｇ層を、有機エレクトロルミネセンス層４０からの出射光が透過する程度の薄膜として形成する。前述の有機エレクトロルミネセンス層４０の形成順序に従うと、画素電極３６が陽極となり、共通電極４２が陰極となる。複数の画素電極３６と、共通電極４２と、複数の画素電極３６のそれぞれの中央部と共通電極４２の間に介在する有機エレクトロルミネセンス層４０とで第１発光素子ＬＥ１が構成される。第１発光素子ＬＥ１は、第１素子キャパシタＣel1を構成する。

共通電極４２の上に、第１発光素子ＬＥ１を覆う封止層４８が形成されている。封止層４８は、先に形成した有機エレクトロルミネセンス層４０を、外部からの水分侵入を防止することを機能の一としており、高いガスバリア性が要求される。封止層４８は、有機膜５０及びこれを挟む第１無機膜５２及び第２無機膜５４（例えばシリコン窒化膜）の積層構造になっている。封止層４８には、樹脂層５６及び偏光板５８（例えば円偏光板）が積層されている。

図６は、図１に示す表示装置のVI−VI線断面図である。詳しくは、発光色が赤Ｒ及び緑Ｇの副画素ＳＰＸの断面図である。第２発光素子ＬＥ２は、第２素子キャパシタＣel2を構成する。図５に示す第１発光素子ＬＥ１が、図６に示す第２発光素子ＬＥ２よりも、発光領域が大きい（図４参照）。具体的には、第１発光素子ＬＥ１の画素電極３６が、第２発光素子ＬＥ２の画素電極３６よりも大きい。

図５に示す第１付加キャパシタＣad1の一方電極３６Ａである画素電極３６は、図６に示す第２付加キャパシタＣad2の一方電極３６Ｂである画素電極３６よりも大きい。第２付加キャパシタＣad2は、画素電極３６（一方電極３６Ｂ）に対向する第２対向電極４６Ｂを有する。第１付加キャパシタＣad1に含まれる第１対向電極４６Ａ（図５）は、第２付加キャパシタＣad2に含まれる第２対向電極４６Ｂ（図６）よりも小さい。その他の構成は、図５に示す内容と同じである。

図７は、駆動回路の詳細を示す図である。複数の発光素子ＬＥは、複数の発光色Ｒ，Ｇ，Ｂの１つに対応する第１発光素子ＬＥ１（図５）を含む。複数の発光素子ＬＥは、複数の発光色Ｒ，Ｇ，Ｂの他の１つに対応する第２発光素子ＬＥ２（図６）を含む。表示装置は、複数の画素ＰＸのそれぞれを構成する複数の発光色Ｒ，Ｇ，Ｂの副画素ＳＰＸにそれぞれ設けられた複数の発光素子ＬＥを有する。表示装置は、複数の発光素子ＬＥのそれぞれを駆動するための駆動回路ＤＲＣを有する。

高電位配線ＨＬ及び低電位配線ＬＬの電位差によって、複数の発光素子ＬＥのそれぞれに電流を流すことができる。その電流の流れ及び遮断は、電流スイッチング素子ＢＣＴによって切り替えられる。電流スイッチング素子ＢＣＴには、薄膜トランジスタＤＲＴが直列に接続されて電流の量を制御するようになっている。薄膜トランジスタＤＲＴのゲートへの映像信号Ｖsigの入力及び遮断は、信号スイッチング素子ＳＳＴによって切り替えられるようになっている。薄膜トランジスタＤＲＴのソース及びドレインの一方とゲートとの間に保持キャパシタＣｓが介在する。

複数の発光素子ＬＥのそれぞれは素子キャパシタＣelを構成する。素子キャパシタＣelは、発光素子ＬＥの陽極（画素電極３６）及び陰極（共通電極４２）の間に付く容量である。図５に示す第１発光素子ＬＥ１を駆動するための駆動回路ＤＲＣは、素子キャパシタＣelとしての第１素子キャパシタＣel1を含む。図６に示す第２発光素子ＬＥ２を駆動するための駆動回路ＤＲＣは、素子キャパシタＣelとしての第２素子キャパシタＣel2を含む。複数の画素電極３６のそれぞれは、素子キャパシタＣel及び付加キャパシタＣadのそれぞれの一方電極３６Ａ，３６Ｂとして共用される。一方電極３６Ａが一方電極３６Ｂよりも大きいことから、第１素子キャパシタＣel1の容量は、第２素子キャパシタＣel2の容量よりも大きい。

駆動回路ＤＲＣは、ソース及びドレインの一方と高電位配線ＨＬ及び低電位配線ＬＬの一方の間に介在する付加キャパシタＣadを含む。図５に示す第１発光素子ＬＥ１を駆動するための駆動回路ＤＲＣは、付加キャパシタＣadとしての第１付加キャパシタＣad1を含む。図６に示す第２発光素子ＬＥ２を駆動するための駆動回路ＤＲＣは、付加キャパシタＣadとしての第２付加キャパシタＣad2を含む。

第１対向電極４６Ａが第２対向電極４６Ｂよりも小さいことから、第１付加キャパシタＣad1の容量は、第２付加キャパシタＣad2の容量よりも小さい。第１素子キャパシタＣel1の容量及び第１付加キャパシタＣad1の容量の合計容量は、第２素子キャパシタＣel2の容量及び第２付加キャパシタＣad2の容量の合計容量に等しい。

本実施形態によれば、図５に示す第１発光素子ＬＥ１は、図６に示す第２発光素子ＬＥ２と比較して、発光領域が大きいことで第１素子キャパシタＣel1の容量が大きいが、第１付加キャパシタＣad1の容量が小さくなっている。これにより、第１発光素子ＬＥ１及び第２発光素子ＬＥ２の間で、電流制御の差をなくすことができる。

光制御線ＢＧＬ、補正制御線ＣＧＬ、初期化制御線ＩＧＬ、書込制御線ＳＧＬには、制御回路ＣＣから、それぞれ、信号ＢＧ，ＣＧ，ＩＧ，ＳＧが出力される。駆動回路ＤＲＣには、電流スイッチング素子ＢＣＴ、補正トランジスタＣＣＴ、初期化トランジスタＩＳＴ、信号スイッチング素子ＳＳＴ、薄膜トランジスタＤＲＴが設けられる。これらのトランジスタの少なくとも１つは、隣接する駆動回路ＤＲＣ間で共有されても良い。薄膜トランジスタＤＲＴのゲート・ソース間には保持キャパシタＣｓが設けられている。

電流スイッチング素子ＢＣＴ、補正トランジスタＣＣＴ、初期化トランジスタＩＳＴ、信号スイッチング素子ＳＳＴは、２ノード間の導通、非導通を選択するスイッチング素子として機能する。薄膜トランジスタＤＲＴは、そのゲート・ソース間電圧に応じて、発光素子ＬＥに流れる電流値を制御する電流制御素子として機能する。使用されるトランジスタは、Ｎ型トランジスタであってもよいし、Ｐ型トランジスタであってもよい。Ｐ型トランジスタを用いる場合は、適宜電源電位や保持容量の接続を適合させるとよい。

発光素子ＬＥの陽極は、電流スイッチング素子ＢＣＴ、補正トランジスタＣＣＴ、薄膜トランジスタＤＲＴを介して、高電位（電源電圧Ｖdd）の高電位配線ＨＬに接続される。陰極は、低電位（電源電圧Ｖss）の低電位配線ＬＬに接続される。

図８は、駆動回路ＤＲＣを駆動するための制御回路ＣＣのタイミングチャートを示す図である。本実施形態では、信号ＲＧ，ＢＧ，ＣＧ，ＩＧは、それぞれ、２行に並ぶ駆動回路ＤＲＣ群に同時に入力され、符号ＲＧ，ＢＧ，ＣＧ，ＩＧの後ろに付けた２桁の数字は、それぞれの信号が入力される行番号を示す。符号ＳＧの後ろに付けた１桁の数字は、その信号が入力される行番号を示す。符号Ｇ１〜Ｇ４で示される各区間が１水平期間であり、以後省略するが最終行まで、同様のタイミング関係が継続する。図８中、期間０〜６について、以下詳細に説明する。

［前フレームでの発光］
図８において、あるフレーム期間での処理が開始されるまでの間（期間０）では、発光素子ＬＥは、前フレームの発光状態を継続している。

［薄膜トランジスタＤＲＴのソース初期化］
図９は、図８の期間１での動作を示す図である。この期間ではまず信号ＢＧがＬレベル、信号ＣＧがＨレベル、信号ＲＧがＨレベルとなり、電流スイッチング素子ＢＣＴがオフし、補正トランジスタＣＣＴがオンする。信号ＲＧがＨレベルとなり、リセット駆動線ＲＤＬを介してリセットトランジスタＲＳＴがオンする。リセットトランジスタＲＳＴは、表示領域ＤＡの外側に、例えば各行に１つ設けられる。電源電圧Ｖddからの電流は電流スイッチング素子ＢＣＴによって遮断されて、発光素子ＬＥの発光が停止する。発光素子ＬＥの陽極側に残留していた電荷が、リセット制御線ＲＧＬを介して、リセットトランジスタＲＳＴを通じて、リセット電位線ＲＶＬに引き抜かれる。これにより、薄膜トランジスタＤＲＴのソースがリセット電位Ｖrstに固定される。リセット電位Ｖrstは、電源電圧Ｖssに対して、発光素子ＬＥの発光開始電圧よりも低い電位に設定されている。

［薄膜トランジスタＤＲＴのゲート初期化］
図１０は、図８の期間２での動作を示す図である。この期間では、信号ＩＧがＨレベルとなり、初期化トランジスタＩＳＴがオンする。これにより、初期化電位線ＩＶＬを介して薄膜トランジスタＤＲＴのゲートが初期化電位Ｖiniに固定される。初期化電位Ｖiniは、リセット電位Ｖrstに対して薄膜トランジスタＤＲＴのしきい値Ｖthよりも大きい電位に設定されている。つまり、この操作によって、薄膜トランジスタＤＲＴはオン状態となる。ただし、電流スイッチング素子ＢＣＴがオフしているので、薄膜トランジスタＤＲＴにはまだ電流は流れない。

［オフセットキャンセル］
図１１は、図８の期間３での動作を示す図である。この期間では、信号ＢＧがＨレベル、信号ＲＧがＬレベルとなり、電流スイッチング素子ＢＣＴがオンし、リセットトランジスタＲＳＴがオフする。薄膜トランジスタＤＲＴは前動作によってオン状態であるから、電流スイッチング素子ＢＣＴ、補正トランジスタＣＣＴを通じて電源電圧Ｖddから薄膜トランジスタＤＲＴに電流が供給される。

この段階では、発光素子ＬＥの陽極・陰極間の電圧は発光開始電圧を上回っていないので、電流が流れない。従って、電源電圧Ｖddから供給された電流によって、薄膜トランジスタＤＲＴのソースが充電され、その電位が上昇する。このとき、薄膜トランジスタＤＲＴのゲート電位は初期化電位Ｖiniとなっているので、薄膜トランジスタＤＲＴのソース電位が（Ｖini−Ｖth）となった段階で薄膜トランジスタＤＲＴがオフし、ソース電位の上昇が停止する。

薄膜トランジスタＤＲＴのしきい値電圧Ｖthは、駆動回路ＤＲＣによってばらつきがあるため、電位の上昇が停止したときの薄膜トランジスタＤＲＴのソースの電位は駆動回路ＤＲＣによって異なる。つまり、本動作によって、各駆動回路ＤＲＣで薄膜トランジスタＤＲＴのしきい値電圧Ｖthに相当する電圧が、ソース・ゲート間に取得される。

このとき、発光素子ＬＥの陽極・陰極間には、｛（Ｖini−Ｖth）−Ｖss｝の電圧Ｖleが印加されているが、この電圧は依然発光開始電圧を上回っていないので、発光素子ＬＥには電流が流れない。

なお、図８のタイミングチャートによると、薄膜トランジスタＤＲＴのソース初期化（期間１）からオフセットキャンセル（期間３）までの動作は、２行分の駆動回路ＤＲＣ群に対して並行して実施されているが、この限りではない。１行ごとに順次実施されても良いし、３行以上を並行して実施しても良い。

［映像信号書込み］
図１２は、図８の期間４，５での動作を示す図である。この期間では、信号ＣＧがＬレベル、信号ＩＧがＬレベル、信号ＳＧがＨレベルとなり、補正トランジスタＣＣＴがオフし、初期化トランジスタＩＳＴがオフし、信号スイッチング素子ＳＳＴがオンする。これにより、映像信号Ｖsigが薄膜トランジスタＤＲＴのゲートに入力され、薄膜トランジスタＤＲＴのゲート電位は初期化電位Ｖiniから映像信号Ｖsigに変化する。つまり、映像信号Ｖsigが薄膜トランジスタＤＲＴのゲートに書き込まれる。

このとき、先のオフセットキャンセル（期間３）を通じて、薄膜トランジスタＤＲＴのソース電位は、しきい値電圧Ｖthの値に応じた電位（Ｖini−Ｖth）となっている。そのため、同じ映像信号Ｖsigを書き込んでも、薄膜トランジスタＤＲＴのゲート・ソース間電圧Ｖ_GSは、しきい値電圧Ｖthのばらつきを反映して｛Ｖsig−（Ｖini−Ｖth）｝となる。つまり、駆動回路ＤＲＣ間のしきい値電圧Ｖthにばらつきがあっても、それに対応して補正した書き込みが可能になる。

期間４では１行目の書き込みを行い、期間５では２行目の書き込みを行う。同様に、奇数行の書込みが終わった後に偶数行の書込みを行う。偶数行の書込み中は、奇数行では信号スイッチング素子ＳＳＴがオフして「待ち」状態になる。映像信号Ｖsigを共有する映像信号線ＳＬは、同列に属する複数行の駆動回路ＤＲＣで共通であるから、映像信号書込み動作は、１行ごとに順次実施される。

［発光］
図１３は、図８の期間６での動作を示す図である。この期間では、信号ＣＧがＨレベル、信号ＳＧがＬレベルとなり、補正トランジスタＣＣＴがオンし、信号スイッチング素子ＳＳＴがオフする。電流スイッチング素子ＢＣＴ、補正トランジスタＣＣＴを通じて電源電圧Ｖddから薄膜トランジスタＤＲＴに電流が供給される。

薄膜トランジスタＤＲＴは、前段階までで設定されたゲート・ソース間電圧Ｖ_GSに応じた電流を発光素子ＬＥに流し、発光素子ＬＥがその電流に応じた輝度で発光する。このときの発光素子ＬＥの陽極・陰極間電圧は、その電流に応じた電圧となるため、陽極側の電位が上昇し、保持キャパシタＣｓによって薄膜トランジスタＤＲＴのゲート・ソース間電圧が保持される。保持キャパシタＣｓのカップリングによって薄膜トランジスタＤＲＴのゲート電位も上昇する。

実際には、薄膜トランジスタＤＲＴのゲートに対しては、保持キャパシタＣｓのみならず付加キャパシタＣadや、その他の寄生容量が付いているため、陽極側の電位上昇よりも、薄膜トランジスタＤＲＴのゲート電位の上昇はわずかに小さくなる。この値は既知であるから、最終的な薄膜トランジスタＤＲＴのゲート・ソース間電圧において所望の電流値となるように、映像信号Ｖsigの電位を決定すれば良い。

以上により、一連の動作が完了する。当該動作を１行目から最終行まで完了すると、１フレーム期間内での１画面の表示となる。以後、当該動作を繰り返して映像の表示が行われる。

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。

１０基板、１２バリア無機膜、１２ａシリコン酸化膜、１２ｂシリコン窒化膜、１２ｃ及びシリコン酸化膜、１４機能膜、１６半導体層、１８ゲート絶縁膜、２０ゲート電極、２２層間絶縁膜、２４ドレイン電極、２６パッシベーション膜、２８平坦化有機膜、３０画素コンタクト部、３２酸化インジウムスズ膜、３２ａ第１透明導電膜、３２ｂ第２透明導電膜、３４シリコン窒化膜、３６画素電極、３６Ａ一方電極、３６Ｂ一方電極、３８絶縁有機膜、４０有機エレクトロルミネセンス層、４２共通電極、４６Ａ第１対向電極、４６Ｂ第２対向電極、４８封止層、５０有機膜、５２第１無機膜、５４第２無機膜、５６樹脂層、５８偏光板、Ｂ青、ＢＣＴ電流スイッチング素子、ＢＧ信号、ＢＧＬ光制御線、Ｃel 素子キャパシタ、Ｃel1 第１素子キャパシタ、Ｃel2 第２素子キャパシタ、Ｃad 付加キャパシタ、Ｃad1 第１付加キャパシタ、Ｃad2 第２付加キャパシタ、ＣＣ制御回路、ＣＣＴ補正トランジスタ、ＣＧ信号、ＣＧＬ補正制御線、ＣＬ１第１保持容量線、ＣＬ２第２保持容量線、ＣＰ集積回路チップ、Ｃｓ保持キャパシタ、ＤＡ表示領域、ＤＲＣ駆動回路、ＤＲＴ薄膜トランジスタ、ＤＳＰディスプレイ、ＦＰフレキシブルプリント基板、Ｇ緑、ＨＬ高電位配線、ＩＧ信号、ＩＧＬ初期化制御線、ＩＳＴ初期化トランジスタ、ＩＶＬ初期化電位線、ＬＥ発光素子、ＬＥ１第１発光素子、ＬＥ２第２発光素子、ＬＬ低電位配線、ＰＸ画素、Ｒ赤、ＲＤＬリセット駆動線、ＲＧ信号、ＲＧＬリセット制御線、ＲＳＴリセットトランジスタ、ＲＶＬリセット電位線、ＳＧ信号、ＳＧ符号、ＳＧＬ書込制御線、ＳＬ映像信号線、ＳＰスペーサ、ＳＰＸ副画素、ＳＳＴ信号スイッチング素子、Ｖini 初期化電位、Ｖsig 映像信号、Ｖ_GS ゲート・ソース間電圧、Ｖrst リセット電位、Ｖth しきい値電圧、Ｖdd 電源電圧、Ｖss 電源電圧、Ｗ１第１配線層、Ｗ２第２配線層。

Claims

複数の画素のそれぞれを構成する複数の発光色の副画素にそれぞれ設けられた複数の発光素子と、
前記複数の発光素子のそれぞれを駆動するための駆動回路と、
を有し、
前記複数の発光素子は、前記複数の発光色の１つに対応する第１発光素子と、前記複数の発光色の他の１つに対応する第２発光素子と、を含み、
前記第１発光素子は、前記第２発光素子よりも、発光領域が大きく、
前記駆動回路は、
前記複数の発光素子の対応する１つに電流を流すための高電位配線及び低電位配線と、
前記電流の流れ及び遮断を切り替える電流スイッチング素子と、
前記電流スイッチング素子と直列に接続されて前記電流の量を制御する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタのゲートへの映像信号の入力及び遮断を切り替える信号スイッチング素子と、
前記薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方と前記ゲートとの間に介在する保持キャパシタと、
前記複数の発光素子の対応する１つからなる素子キャパシタと、
前記ソース及び前記ドレインの前記一方と前記高電位配線及び前記低電位配線の一方の間に介在する付加キャパシタと、
を含み、
前記第１発光素子を駆動するための前記駆動回路は、前記素子キャパシタとしての第１素子キャパシタと、前記付加キャパシタとしての第１付加キャパシタと、を含み、
前記第２発光素子を駆動するための前記駆動回路は、前記素子キャパシタとしての第２素子キャパシタと、前記付加キャパシタとしての第２付加キャパシタと、を含み、
前記第１素子キャパシタの容量は、前記第２素子キャパシタの容量よりも大きく、
前記第１付加キャパシタの容量は、前記第２付加キャパシタの容量よりも小さいことを特徴とする表示装置。
請求項１に記載された表示装置において、
前記第１素子キャパシタの前記容量及び前記第１付加キャパシタの前記容量の合計容量は、前記第２素子キャパシタの前記容量及び前記第２付加キャパシタの前記容量の合計容量に等しいことを特徴とする表示装置。
請求項１又は２に記載された表示装置において、
前記複数の発光素子は、複数の画素電極を含み、
前記複数の画素電極のそれぞれは、前記素子キャパシタ及び前記付加キャパシタのそれぞれの一方電極として共用され、
前記付加キャパシタは、前記一方電極に対向する対向電極を有することを特徴とする表示装置。
請求項３に記載された表示装置において、
前記第１付加キャパシタに含まれる前記一方電極は、前記第２付加キャパシタに含まれる前記一方電極よりも大きいことを特徴とする表示装置。
請求項３又は４に記載された表示装置において、
前記第１付加キャパシタに含まれる前記対向電極は、前記第２付加キャパシタに含まれる前記対向電極よりも小さいことを特徴とする表示装置。