JP2020136437A - Electromagnetic wave shield film and circuit board - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電磁波シールドフィルム、及び回路基板に関する。 The present invention relates to an electromagnetic wave shielding film and a circuit board.
プリント配線板から発生する電磁波ノイズや外部からの電磁波ノイズを遮蔽するために、絶縁樹脂層と、該絶縁樹脂層に隣接する導電層とからなる電磁波シールドフィルムを、絶縁フィルム(カバーレイフィルム)を介してプリント配線板の表面に設けることがある(例えば、特許文献1参照)。 In order to shield electromagnetic noise generated from a printed wiring board and electromagnetic noise from the outside, an insulating resin layer and an electromagnetic shielding film composed of a conductive layer adjacent to the insulating resin layer are provided with an insulating film (coverlay film). It may be provided on the surface of the printed wiring board via (see, for example, Patent Document 1).
従来の電磁波シールドフィルムにおいて、電磁波遮蔽性を高めるために金属層を厚くすると、電磁波シールドフィルムを備えた回路基板に電子部品を実装する際の耐熱性(半田耐熱性)が低下する問題がある。逆に、電磁波シールドフィルムの金属層の厚さを薄くすると半田耐熱性は向上するが、電磁波遮蔽性が低下する問題がある。 In the conventional electromagnetic wave shielding film, if the metal layer is thickened in order to enhance the electromagnetic wave shielding property, there is a problem that the heat resistance (solder heat resistance) when mounting the electronic component on the circuit board provided with the electromagnetic wave shielding film is lowered. On the contrary, if the thickness of the metal layer of the electromagnetic wave shielding film is reduced, the solder heat resistance is improved, but there is a problem that the electromagnetic wave shielding property is lowered.
本発明は、電磁波遮蔽性および半田耐熱性の両方に優れた電磁波シールドフィルムと、その電磁波シールドフィルムを備えた回路基板を提供する。 The present invention provides an electromagnetic wave shielding film having excellent both electromagnetic wave shielding properties and solder heat resistance, and a circuit board provided with the electromagnetic wave shielding film.
[1] 絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層に隣接するシールド層と、前記シールド層の前記絶縁樹脂層とは反対側に設けられた導電性接着剤層と、を備えた電磁波シールドフィルムであって、前記シールド層は、複数の厚さ1μm以下の金属層と、前記複数の金属層の間に介在する非金属層と、を備える、電磁波シールドフィルム。
[2] 前記非金属層が、絶縁樹脂からなる絶縁層であるか、或いは、導電性粒子又は導電性ポリマーを含む導電層である、[1]に記載の電磁波シールドフィルム。
[3] 前記複数の金属層のうち少なくとも1層が、Ag、Cu、Al及びNiから選択される1種以上の金属からなる金属層である、[1]又は[2]に記載の電磁波シールドフィルム。
[4] 前記複数の金属層のうち少なくとも1層が、物理蒸着層である、[1]〜[3]の何れか一項に記載の電磁波シールドフィルム。
[5] 前記非金属層の厚みが0.01μm以上5μm以下である、[1]〜[4]の何れか一項に記載の電磁波シールドフィルム。
[6] 基板の少なくとも一方の面に回路が設けられた回路基板本体と、前記一方の面に隣接する絶縁フィルムと、前記絶縁フィルムの前記回路基板本体とは反対側に隣接する[1]〜[5]のいずれか一項に記載の電磁波シールドフィルムと、を備え、前記電磁波シールドフィルムにおける前記導電性接着剤層が、前記絶縁フィルムに接着している、回路基板。
[1] An electromagnetic wave shielding film comprising an insulating resin layer, a shield layer adjacent to the insulating resin layer, and a conductive adhesive layer provided on the opposite side of the shield layer to the insulating resin layer. The shield layer is an electromagnetic wave shielding film including a plurality of metal layers having a thickness of 1 μm or less and a non-metal layer interposed between the plurality of metal layers.
[2] The electromagnetic wave shielding film according to [1], wherein the non-metal layer is an insulating layer made of an insulating resin, or a conductive layer containing conductive particles or a conductive polymer.
[3] The electromagnetic wave shield according to [1] or [2], wherein at least one of the plurality of metal layers is a metal layer made of one or more metals selected from Ag, Cu, Al and Ni. the film.
[4] The electromagnetic wave shielding film according to any one of [1] to [3], wherein at least one of the plurality of metal layers is a physical vapor deposition layer.
[5] The electromagnetic wave shielding film according to any one of [1] to [4], wherein the thickness of the non-metal layer is 0.01 μm or more and 5 μm or less.
[6] A circuit board main body in which a circuit is provided on at least one surface of the substrate, an insulating film adjacent to the one surface, and an insulating film adjacent to the circuit board main body on the opposite side [1] to A circuit board comprising the electromagnetic wave shielding film according to any one of [5], wherein the conductive adhesive layer in the electromagnetic wave shielding film is adhered to the insulating film.
本発明の電磁波シールドフィルム及び回路基板は、電磁波遮蔽性および半田耐熱性の両方に優れる。 The electromagnetic wave shielding film and circuit board of the present invention are excellent in both electromagnetic wave shielding property and solder heat resistance.
以下の用語の定義は、本明細書及び特許請求の範囲にわたって適用される。
「等方導電性接着剤層」とは、厚さ方向および面方向に導電性を有する導電性接着剤層を意味する。
「異方導電性接着剤層」とは、厚さ方向に導電性を有し、面方向に導電性を有しない導電性接着剤層を意味する。
「面方向に導電性を有しない導電性接着剤層」とは、表面抵抗が1×104Ω/sq.以上である導電性接着剤層を意味する。
導電性粒子の平均粒子径は、粒子の顕微鏡像から30個の粒子を無作為に選び、それぞれの粒子について、最小径および最大径を測定し、最小径と最大径との中央値を一粒子の粒子径とし、測定した30個の粒子の粒子径を算術平均して得た値である。
導電性粒子の10%圧縮強度は、微小圧縮試験機を用いた測定結果から、下記式(α)によって求める。
C(x)=2.48P/πd2 ・・・(α)
ただし、C(x)は10%圧縮強度(MPa)であり、Pは粒子径の10%変位時の試験力(N)であり、dは粒子径(mm)である。
フィルム(キャリアフィルム、保護フィルム等)、電磁波シールドフィルムの各層の厚さは、デジタル測長機(ミツトヨ社製、ライトマチックVL−50−B)を用いて無作為に選ばれた5箇所の厚さを測定し、平均した値である。
金属層の厚さは、渦電流式膜厚計を用いて無作為に選ばれた5箇所の厚さを測定し、平均した値である。
貯蔵弾性率は、測定対象に与えた応力と検出したひずみから算出され、温度または時間の関数として出力する動的粘弾性測定装置を用いて、粘弾性特性の一つとして測定される。
表面抵抗は、106Ω/□未満の場合は、低抵抗抵抗率計(例えば、三菱ケミカル社製、ロレスタGP、ASPプローブ)を用い、四端子法(JIS K 7194:1994およびJIS R 1637:1998に準拠する方法)で測定される表面抵抗率であり、106Ω/□以上の場合は、高抵抗抵抗率計(例えば、三菱ケミカル社製、ハイレスタUP、URSプローブ)を用い、二重リング法(JIS K 6911:2006に準拠する方法)で測定される表面抵抗率である。
図1〜図7における寸法比は、説明の便宜上、実際のものとは異なったものである。
The definitions of the following terms apply throughout the specification and claims.
The "isotropic conductive adhesive layer" means a conductive adhesive layer having conductivity in the thickness direction and the surface direction.
The "anisotropic adhesive layer" means a conductive adhesive layer that has conductivity in the thickness direction and does not have conductivity in the plane direction.
The “conductive adhesive layer having no conductivity in the plane direction” means that the surface resistance is 1 × 10 4 Ω / sq. It means the above-mentioned conductive adhesive layer.
For the average particle size of the conductive particles, 30 particles are randomly selected from the microscopic image of the particles, the minimum and maximum diameters of each particle are measured, and the median value between the minimum and maximum diameters is one particle. It is a value obtained by arithmetically averaging the particle diameters of the 30 measured particles.
The 10% compressive strength of the conductive particles is determined by the following formula (α) from the measurement results using a microcompression tester.
C (x) = 2.48P / πd 2 ... (α)
However, C (x) is the 10% compression strength (MPa), P is the test force (N) when the particle size is displaced by 10%, and d is the particle size (mm).
The thickness of each layer of the film (carrier film, protective film, etc.) and electromagnetic wave shielding film is the thickness of 5 places randomly selected using a digital length measuring machine (Mitutoyo, Lightmatic VL-50-B). It is the value measured and averaged.
The thickness of the metal layer is a value obtained by measuring the thicknesses of five randomly selected points using an eddy current film thickness meter and averaging them.
The storage elastic modulus is calculated from the stress applied to the measurement target and the detected strain, and is measured as one of the viscoelastic properties by using a dynamic viscoelastic measuring device that outputs as a function of temperature or time.
Surface resistance, if it is less than 10 6 Ω / □, low resistivity resistivity meter (e.g., Mitsubishi Chemical Co., Loresta GP, ASP probe) using a four-terminal method (JIS K 7194: 1994 and JIS R 1637: a surface resistivity as measured by the method) that conforms to 1998, in the case of 10 6 Ω / □ or more, high resistance resistivity meter (e.g., Mitsubishi Chemical Co., Hiresta UP, a URS probe) using double The surface resistivity measured by the ring method (a method conforming to JIS K 6911: 2006).
The dimensional ratios in FIGS. 1 to 7 are different from the actual ones for convenience of explanation.
≪電磁波シールドフィルム≫
本発明の第一態様は、絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層に隣接するシールド層と、前記シールド層の前記絶縁樹脂層とは反対側に設けられた導電性接着剤層と、を備えた電磁波シールドフィルムである。前記シールド層は、複数の厚さ1μm以下の金属層と、前記複数の金属層の間に介在する非金属層と、を備える。
≪Electromagnetic wave shield film≫
The first aspect of the present invention includes an insulating resin layer, a shield layer adjacent to the insulating resin layer, and a conductive adhesive layer provided on the opposite side of the shield layer from the insulating resin layer. It is an electromagnetic wave shielding film. The shield layer includes a plurality of metal layers having a thickness of 1 μm or less and a non-metal layer interposed between the plurality of metal layers.
図1は、第一実施形態の電磁波シールドフィルム1を示す断面図である。
第一実施形態の電磁波シールドフィルム1は、絶縁樹脂層10と、絶縁樹脂層10に隣接するシールド層20とを備えている。
シールド層20は、複数の厚さ1μm以下の金属層として、第一金属層21、第二金属層23、第三金属層25を有し、これら複数の金属層の間に介在する非金属層として、第一非金属層22、第二非金属層24を有する。
導電性接着剤層26は、シールド層20の絶縁樹脂層10とは反対側に設けられ、第三金属層25に接している。
また、保護フィルム40が導電性接着剤層26の第三金属層25と反対の面に貼付されている。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing the electromagnetic
The electromagnetic
The
The conductive
Further, the
<絶縁樹脂層>
絶縁樹脂層10は、シールド層20の保護層として機能する。
絶縁樹脂層10としては、光硬化性樹脂と光ラジカル重合開始剤とを含む塗料を塗布し、半硬化または硬化させて形成された塗膜(塗布膜);熱硬化性樹脂と硬化剤とを含む塗料を塗布し、半硬化または硬化させて形成された塗膜;熱可塑性樹脂を含む塗料を塗布し、乾燥させて形成された塗膜;熱可塑性樹脂を含む組成物を溶融成形したフィルムからなる層等が挙げられる。はんだリフロー工程に供される際の耐熱性(半田耐熱性)の点から、光硬化性樹脂と光ラジカル重合開始剤とを含む塗料を塗布し、半硬化または硬化させて形成された塗膜、または熱硬化性樹脂と硬化剤とを含む塗料を塗布し、半硬化または硬化させて形成された塗膜が好ましい。
絶縁樹脂層10がシールド層20に対して塗布することにより形成された塗布膜であると、絶縁樹脂層10のシールド層20に対する接着性が向上するので好ましい。
<Insulation resin layer>
The
As the
A coating film formed by applying the
光硬化性樹脂としては、(メタ)アクリロイル基を有する化合物等が挙げられる。
光ラジカル重合開始剤としては、光硬化性樹脂の種類に応じた公知の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。
熱硬化性樹脂としては、アミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、アルキッド樹脂、ウレタン樹脂、合成ゴム、紫外線硬化アクリレート樹脂等が挙げられる。
熱硬化性樹脂としては、耐熱性に優れる点から、アミド樹脂、エポキシ樹脂が好ましい。
硬化剤としては、熱硬化性樹脂の種類に応じた公知の硬化剤が挙げられる。
熱可塑性樹脂としては、芳香族ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリフェニレンサルホン、ポリフェニレンサルフィド、ポリフェニレンサルフィドサルホン、ポリフェニレンサルフィドケトン等が挙げられる。
Examples of the photocurable resin include compounds having a (meth) acryloyl group.
Examples of the photoradical polymerization initiator include known photoradical polymerization initiators depending on the type of photocurable resin.
Examples of the thermosetting resin include amide resin, epoxy resin, phenol resin, amino resin, alkyd resin, urethane resin, synthetic rubber, and ultraviolet curable acrylate resin.
As the thermosetting resin, an amide resin and an epoxy resin are preferable from the viewpoint of excellent heat resistance.
Examples of the curing agent include known curing agents depending on the type of thermosetting resin.
Examples of the thermoplastic resin include aromatic polyetherketone, polyimide, polyamideimide, polyamide, polysulfone, polyethersulfone, polyphenylene sulfide, polyphenylene sulfide, polyphenylene sulfide sulfone, and polyphenylene sulfide ketone.
絶縁樹脂層10は、回路基板の回路を隠蔽したり、電磁波シールドフィルム付き回路基板に意匠性を付与したりするために、着色剤(顔料、染料等)およびフィラーのいずれか一方または両方を含んでいてもよい。
着色剤およびフィラーのいずれか一方または両方としては、耐候性、耐熱性、隠蔽性の点から、顔料またはフィラーが好ましく、回路の隠蔽性、意匠性の点から、黒色顔料、または黒色顔料と他の顔料もしくはフィラーとの組み合わせがより好ましい。
絶縁樹脂層10は、難燃剤を含んでいてもよい。絶縁樹脂層10は、本発明の効果を損なわない範囲において、必要に応じて他の成分を含んでいてもよい。
The insulating
As one or both of the colorant and the filler, a pigment or a filler is preferable from the viewpoint of weather resistance, heat resistance and hiding property, and a black pigment or a black pigment and the like are used from the viewpoint of circuit hiding property and design property. The combination with the pigment or filler of is more preferable.
The insulating
絶縁樹脂層10の表面抵抗は、電気的絶縁性の点から、1×106Ω/□以上が好ましい。絶縁樹脂層10の表面抵抗は、実用上の点から、1×1019Ω/□以下が好ましい。
絶縁樹脂層10の厚さは、0.1μm以上30μm以下が好ましく、0.5μm以上20μm以下がより好ましい。絶縁樹脂層10の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、絶縁樹脂層10が保護層としての機能を十分に発揮できる。絶縁樹脂層10の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム1を薄くできる。
The surface resistance of the insulating
The thickness of the insulating
<シールド層>
シールド層20は、第一金属層21、第一非金属層22、第二金属層23、第二非金属層24、第三金属層25の順に積層された積層体である。第一金属層21の第一非金属層22と反対の面には絶縁樹脂層10が接して積層されている。
<Shield layer>
The
(金属層)
シールド層20が有する金属層の数は、本実施形態で例示した3層に制限されず、2層以上であればよく、例えば、2〜10層が好ましく、2〜6層がより好ましく、2〜4層がより好ましい。複数の金属層を有することにより、1層の金属層を備える場合よりも電磁波の反射界面が多くなり、各金属層の厚みが薄いにも関わらず、電磁波遮蔽性が優れる。
(Metal layer)
The number of metal layers included in the
シールド層20が有する金属層の厚さは、全て1μm以下であり、厚さの下限は特に制限されず、例えば、それぞれ独立に、0.01μm以上1μm以下が好ましく、0.05μm以上0.6μm以下がより好ましく、0.1μm以上0.4μm以下がさらに好ましい。各金属層の厚さは同じでもよいし、異なっていてもよい。
各金属層の厚さが上記範囲の上限値以下であると、各金属層におけるガス透過性が高まり、はんだリフロー処理時に発生したガス(例えば、導電性接着剤層26から発生したガス)が透過し易くなるので、ガスの滞留による層間剥離や膨れを防止することができる。
各金属層の厚さが上記範囲の下限値以上であると、各金属層の界面における電磁波遮蔽性が向上する。
The thickness of all the metal layers of the
When the thickness of each metal layer is not more than the upper limit of the above range, the gas permeability in each metal layer is increased, and the gas generated during the solder reflow treatment (for example, the gas generated from the conductive adhesive layer 26) is permeated. It is possible to prevent delamination and swelling due to the retention of gas.
When the thickness of each metal layer is at least the lower limit of the above range, the electromagnetic wave shielding property at the interface of each metal layer is improved.
シールド層20が有する複数の金属層の合計の厚さは、例えば、0.1μm以上5μm以下が好ましく、0.2μm以上2μm以下がより好ましく、0.3μm以上1.2μm以下がさらに好ましく、0.5μm以上1μm以下が最も好ましい。
前記合計の厚さが上記範囲の下限値以上であると、シールド層20におけるガス透過性が高まり、はんだリフロー処理時に発生したガス(例えば、導電性接着剤層から発生したガス)が透過し易くなるので、ガスの滞留による層間剥離や膨れを防止することができる。
前記合計の厚さが上記範囲の上限値以下であると、電磁波シールドフィルムを薄型化することができる。
The total thickness of the plurality of metal layers included in the
When the total thickness is not more than the lower limit of the above range, the gas permeability in the
When the total thickness is not more than the upper limit of the above range, the electromagnetic wave shielding film can be made thinner.
前記金属層は、金属の薄膜であり、面方向に広がるように形成されていることから、面方向に導電性を有し、電磁波をシールドする層として機能する。 Since the metal layer is a thin film of metal and is formed so as to spread in the plane direction, it has conductivity in the plane direction and functions as a layer that shields electromagnetic waves.
前記金属層としては、物理蒸着(真空蒸着、スパッタリング、イオンビーム蒸着、電子ビーム蒸着等)又は化学蒸着によって形成された蒸着膜、めっきによって形成されためっき膜、金属箔等が挙げられる。面方向の導電性に優れる点では、前記金属層は、蒸着膜、めっき膜が好ましい。前記金属層を薄くでき、かつ厚さが薄くても面方向の導電性に優れ、ドライプロセスにて簡便に形成できる点では、前記金属層は蒸着膜であることがより好ましく、物理蒸着による蒸着膜であることがさらに好ましい。物理蒸着膜は、ガス透過性を高める目的で金属層の密度を低くすることが容易である点も好ましい。 Examples of the metal layer include a vapor deposition film formed by physical vapor deposition (vacuum vapor deposition, sputtering, ion beam deposition, electron beam deposition, etc.) or chemical vapor deposition, a plating film formed by plating, a metal foil, and the like. The metal layer is preferably a vapor-deposited film or a plated film in terms of excellent surface conductivity. The metal layer is more preferably a thin-film vapor deposition film, and is vapor-deposited by physical vapor deposition in that the metal layer can be made thin, has excellent conductivity in the plane direction even if the thickness is thin, and can be easily formed by a dry process. It is more preferably a membrane. It is also preferable that the physical vapor deposition film can easily reduce the density of the metal layer for the purpose of increasing gas permeability.
金属層を構成する金属としては、例えば、銀、銅、アルミニウム、ニッケル及び金から選択される1種以上が挙げられ、電気伝導度の点からは、銀又は銅が好ましい。
金属層のなかでも、電磁波遮蔽性が高く、しかもガス透過性に優れる金属層を容易に形成しやすいことから、物理蒸着層が好ましく、銀蒸着層又は銅蒸着層がより好ましい。
Examples of the metal constituting the metal layer include one or more selected from silver, copper, aluminum, nickel and gold, and silver or copper is preferable from the viewpoint of electrical conductivity.
Among the metal layers, a physical vapor deposition layer is preferable, and a silver vapor deposition layer or a copper vapor deposition layer is more preferable, because a metal layer having high electromagnetic wave shielding property and excellent gas permeability can be easily formed.
金属層の表面抵抗は、0.001Ω以上1Ω以下が好ましく、0.001Ω以上0.5Ω以下がより好ましい。前記範囲の下限値以上であれば、金属層を十分に薄くできる。前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールド層として十分に機能できる。 The surface resistance of the metal layer is preferably 0.001Ω or more and 1Ω or less, and more preferably 0.001Ω or more and 0.5Ω or less. When it is at least the lower limit of the above range, the metal layer can be sufficiently thinned. If it is not more than the upper limit of the above range, it can sufficiently function as an electromagnetic wave shield layer.
シールド層20を構成する各金属層の厚さ、構成材料、物性等は、互いに同じであってもよいし、異なっていてもよい。
The thickness, constituent materials, physical properties, and the like of each metal layer constituting the
(非金属層)
シールド層20において、各金属層の間には非金属層が必ず介在している。換言すれば、非金属層が介在せずに一纏まりの金属層が多層化している場合(例えば、金属層Aの上に金属層Bが蒸着等により積層されている場合)、この一纏まりの金属層は1層の金属層であるとみなす。
(Non-metal layer)
In the
本実施形態において、シールド層20の一方の表面は第一金属層21によって形成され、シールド層20の他方の面は第三金属層25によって形成されている。シールド層20はこの例に制限されず、絶縁樹脂層10と第一金属層21の間に、図示しない非金属層が設けられていてもよく、第三金属層25と導電性接着剤層26の間に、図示しない非金属層が設けられていてもよい。
In this embodiment, one surface of the
シールド層20の金属層は金属のみからなる層である。これに対して、各金属層の間に介在する非金属層は、金属のみからなる層ではなく、少なくとも樹脂を含む層である。非金属層としては、例えば、絶縁樹脂(電気的に絶縁性である樹脂)からなる絶縁層、導電性粒子又は導電性ポリマーを含む導電層が挙げられる。
The metal layer of the
非金属層の厚みは、0.01μm以上5μm以下が好ましく、1μm以上4μm以下がより好ましく、2μm以上3μm以下がさらに好ましい。
非金属層の厚みが上記範囲の下限値以上であると、隣接する金属層に対する接着力が高まり、上記範囲の上限値以下であると、非金属層におけるガス透過性が高まり、結果として半田耐熱性が向上するので好ましい。
The thickness of the non-metal layer is preferably 0.01 μm or more and 5 μm or less, more preferably 1 μm or more and 4 μm or less, and further preferably 2 μm or more and 3 μm or less.
When the thickness of the non-metal layer is not less than the lower limit of the above range, the adhesive force to the adjacent metal layer is increased, and when it is not more than the upper limit of the above range, the gas permeability of the non-metal layer is increased, and as a result, the solder heat resistance It is preferable because it improves the properties.
前記絶縁層を構成する絶縁樹脂としては、例えば、公知の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂が挙げられ、耐熱性の点から、熱硬化性樹脂が好ましい。非金属層を構成する熱硬化性樹脂は、未硬化状態、Bステージ化された状態、及び硬化された状態のうち、何れの状態であってもよい。
前記絶縁層は、必要に応じて絶縁樹脂以外の他の成分を含んでいてもよい。
Examples of the insulating resin constituting the insulating layer include known thermosetting resins and thermoplastic resins, and thermosetting resins are preferable from the viewpoint of heat resistance. The thermosetting resin constituting the non-metal layer may be in any of an uncured state, a B-staged state, and a cured state.
The insulating layer may contain components other than the insulating resin, if necessary.
前記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、イミド樹脂、ウレタン樹脂、縮合硬化型シリコーン、付加硬化型シリコーン、熱硬化性アクリル樹脂等が挙げられる。なかでも、耐熱性に優れる点から、エポキシ樹脂が好ましい。
前記絶縁樹脂には、熱硬化性樹脂の硬化剤が含まれていてもよい。硬化剤としては、例えば、イソシアネート基を2つ以上有するイソシアネート化合物、エポキシ基を2つ以上有するエポキシ化合物等が挙げられ、熱硬化性樹脂の種類に応じて適宜選択される。
Examples of the thermosetting resin include epoxy resin, phenol resin, imide resin, urethane resin, condensation curable silicone, addition curable silicone, thermosetting acrylic resin and the like. Of these, epoxy resin is preferable because it has excellent heat resistance.
The insulating resin may contain a curing agent of a thermosetting resin. Examples of the curing agent include an isocyanate compound having two or more isocyanate groups, an epoxy compound having two or more epoxy groups, and the like, which are appropriately selected depending on the type of the thermosetting resin.
前記熱可塑性樹脂としては、例えば、熱可塑性アクリル樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、クロロプレン、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体またはその水素添加物、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体またはその水素添加物等が挙げられる。 Examples of the thermoplastic resin include a thermoplastic acrylic resin, an ethylene-vinyl acetate copolymer, an ethylene-acrylic copolymer, a polyvinyl chloride, a polyvinyl acetate, a polyamide, a chloroprene, a styrene-butadiene copolymer, and a styrene-. Examples thereof include a butadiene-styrene block copolymer or a hydrogenated product thereof, a styrene-isoprene-styrene block copolymer or a hydrogenated product thereof, and the like.
前記導電層に含まれる樹脂としては、例えば、上述の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂が挙げられ、耐熱性の点から、熱硬化性樹脂が好ましい。また、前記導電層に導電性を付与する点で、導電性ポリマーも好適である。 Examples of the resin contained in the conductive layer include the above-mentioned thermosetting resin and thermoplastic resin, and a thermosetting resin is preferable from the viewpoint of heat resistance. Further, a conductive polymer is also suitable in that it imparts conductivity to the conductive layer.
前記導電層が導電性粒子及び絶縁樹脂を含む場合、当該導電性接着剤層の好ましい実施形態として、後述する導電性接着剤層として例示する、異方導電性接着剤層、等方導電性接着剤層が挙げられる。
以下、前記導電層の特に好ましい実施形態を例示する。
When the conductive layer contains conductive particles and an insulating resin, a preferred embodiment of the conductive adhesive layer is an isotropic conductive adhesive layer or isotropic conductive adhesive, which is exemplified as a conductive adhesive layer described later. The agent layer can be mentioned.
Hereinafter, particularly preferable embodiments of the conductive layer will be illustrated.
前記導電層に含まれる前記導電性粒子の平均粒子径は、0.2μm以上10μm以下が好ましく、0.5μm以上8μm以下がより好ましく、0.8μm以上5μm以下がさらに好ましい。前記範囲の下限値以上であれば、前記導電層の厚さを維持することができる。前記範囲の上限値以下であれば、金属層間の接着強度を高めることができる。 The average particle size of the conductive particles contained in the conductive layer is preferably 0.2 μm or more and 10 μm or less, more preferably 0.5 μm or more and 8 μm or less, and further preferably 0.8 μm or more and 5 μm or less. The thickness of the conductive layer can be maintained as long as it is equal to or higher than the lower limit of the above range. When it is not more than the upper limit of the above range, the adhesive strength between the metal layers can be increased.
前記導電層における前記導電性粒子の割合は、前記導電層の100体積%のうち、1体積%以上30体積%以下が好ましく、2体積%以上15体積%以下がより好ましい。前記範囲の下限値以上であれば、導電層の導電性が良好になる。前記範囲の上限値以下であれば、導電層の接着性が良好になる。また、電磁波シールドフィルム1の可とう性が良好になる。
The proportion of the conductive particles in the conductive layer is preferably 1% by volume or more and 30% by volume or less, more preferably 2% by volume or more and 15% by volume or less, out of 100% by volume of the conductive layer. When it is at least the lower limit value in the above range, the conductivity of the conductive layer becomes good. When it is not more than the upper limit value of the above range, the adhesiveness of the conductive layer becomes good. In addition, the flexibility of the electromagnetic
前記導電性粒子を含む前記導電性の厚さは、0.2μm以上10μm以下が好ましく、0.5μm以上8μm以下がより好ましく、0.8μm以上5μm以下がさらに好ましい。前記範囲の下限値以上であれば、金属層間の接着強度を高めることができる。前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム1を薄くすることができる。また、電磁波シールドフィルム1の可とう性が良好になる。
The conductive thickness including the conductive particles is preferably 0.2 μm or more and 10 μm or less, more preferably 0.5 μm or more and 8 μm or less, and further preferably 0.8 μm or more and 5 μm or less. When it is at least the lower limit of the above range, the adhesive strength between the metal layers can be increased. If it is not more than the upper limit of the above range, the electromagnetic
前記導電層が導電性ポリマーを含む場合、前記導電層には導電性ポリマー以外の樹脂が含まれてもよいし、含まれなくてもよい。導電性ポリマー以外の樹脂として、前記熱硬化性樹脂、前記熱可塑性樹脂が挙げられる。前記導電層には、導電性ポリマーに加えて前記導電性粒子が含まれていてもよい。 When the conductive layer contains a conductive polymer, the conductive layer may or may not contain a resin other than the conductive polymer. Examples of the resin other than the conductive polymer include the thermosetting resin and the thermoplastic resin. The conductive layer may contain the conductive particles in addition to the conductive polymer.
前記導電性ポリマーとしては、例えば、公知のπ共役系導電性高分子及びポリアニオンを含む導電性複合体が挙げられる。 Examples of the conductive polymer include a conductive composite containing a known π-conjugated conductive polymer and polyanion.
π共役系導電性高分子としては、主鎖がπ共役系で構成されている有機高分子であれば特に制限されず、例えば、ポリピロール系導電性高分子、ポリチオフェン系導電性高分子、ポリアセチレン系導電性高分子、ポリフェニレン系導電性高分子、ポリフェニレンビニレン系導電性高分子、ポリアニリン系導電性高分子、ポリアセン系導電性高分子、ポリチオフェンビニレン系導電性高分子、及びこれらの共重合体等が挙げられる。空気中での安定性の点からは、ポリピロール系導電性高分子、ポリチオフェン系導電性高分子及びポリアニリン系導電性高分子が好ましく、ポリチオフェン系導電性高分子がより好ましい。 The π-conjugated conductive polymer is not particularly limited as long as it is an organic polymer whose main chain is composed of a π-conjugated system. For example, a polypyrrole-based conductive polymer, a polythiophene-based conductive polymer, or a polyacetylene-based polymer is used. Conductive polymer, polyphenylene-based conductive polymer, polyphenylene vinylene-based conductive polymer, polyaniline-based conductive polymer, polyacene-based conductive polymer, polythiophene vinylene-based conductive polymer, and copolymers thereof, etc. Can be mentioned. From the viewpoint of stability in air, polypyrrole-based conductive polymer, polythiophene-based conductive polymer, and polyaniline-based conductive polymer are preferable, and polythiophene-based conductive polymer is more preferable.
ポリチオフェン系導電性高分子としては、例えば、ポリチオフェン、ポリ(3−メチルチオフェン)、ポリ(3−エチルチオフェン)、ポリ(3−プロピルチオフェン)、ポリ(3−ブチルチオフェン)、ポリ(3−ヘキシルチオフェン)、ポリ(3−ヘプチルチオフェン)、ポリ(3−オクチルチオフェン)、ポリ(3−デシルチオフェン)、ポリ(3−ドデシルチオフェン)、ポリ(3−オクタデシルチオフェン)、ポリ(3−ブロモチオフェン)、ポリ(3−クロロチオフェン)、ポリ(3−ヨードチオフェン)、ポリ(3−シアノチオフェン)、ポリ(3−フェニルチオフェン)、ポリ(3,4−ジメチルチオフェン)、ポリ(3,4−ジブチルチオフェン)、ポリ(3−ヒドロキシチオフェン)、ポリ(3−メトキシチオフェン)、ポリ(3−エトキシチオフェン)、ポリ(3−ブトキシチオフェン)、ポリ(3−ヘキシルオキシチオフェン)、ポリ(3−ヘプチルオキシチオフェン)、ポリ(3−オクチルオキシチオフェン)、ポリ(3−デシルオキシチオフェン)、ポリ(3−ドデシルオキシチオフェン)、ポリ(3−オクタデシルオキシチオフェン)、ポリ(3,4−ジヒドロキシチオフェン)、ポリ(3,4−ジメトキシチオフェン)、ポリ(3,4−ジエトキシチオフェン)、ポリ(3,4−ジプロポキシチオフェン)、ポリ(3,4−ジブトキシチオフェン)、ポリ(3,4−ジヘキシルオキシチオフェン)、ポリ(3,4−ジヘプチルオキシチオフェン)、ポリ(3,4−ジオクチルオキシチオフェン)、ポリ(3,4−ジデシルオキシチオフェン)、ポリ(3,4−ジドデシルオキシチオフェン)、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)、ポリ(3,4−プロピレンジオキシチオフェン)、ポリ(3,4−ブチレンジオキシチオフェン)、ポリ(3−メチル−4−メトキシチオフェン)、ポリ(3−メチル−4−エトキシチオフェン)、ポリ(3−カルボキシチオフェン)、ポリ(3−メチル−4−カルボキシチオフェン)、ポリ(3−メチル−4−カルボキシエチルチオフェン)、ポリ(3−メチル−4−カルボキシブチルチオフェン)が挙げられる。 Examples of the polythiophene-based conductive polymer include polythiophene, poly (3-methylthiophene), poly (3-ethylthiophene), poly (3-propylthiophene), poly (3-butylthiophene), and poly (3-hexyl). Thiophene), poly (3-heptylthiophene), poly (3-octylthiophene), poly (3-decylthiophene), poly (3-dodecylthiophene), poly (3-octadecylthiophene), poly (3-bromothiophene) , Poly (3-chlorothiophene), poly (3-iodothiophene), poly (3-cyanothiophene), poly (3-phenylthiophene), poly (3,4-dimethylthiophene), poly (3,4-dibutyl) Thiophene), poly (3-hydroxythiophene), poly (3-methoxythiophene), poly (3-ethoxythiophene), poly (3-butoxythiophene), poly (3-hexyloxythiophene), poly (3-heptyloxy) Thiophene), poly (3-octyloxythiophene), poly (3-decyloxythiophene), poly (3-dodecyloxythiophene), poly (3-octadecyloxythiophene), poly (3,4-dihydroxythiophene), poly (3,4-dimethoxythiophene), poly (3,4-diethoxythiophene), poly (3,4-dipropoxythiophene), poly (3,4-dibutoxythiophene), poly (3,4-dihexyloxy) Thiophene), poly (3,4-diheptyloxythiophene), poly (3,4-dioctyloxythiophene), poly (3,4-didecyloxythiophene), poly (3,4-didodecyloxythiophene), Poly (3,4-ethylenedioxythiophene), poly (3,4-propylenedioxythiophene), poly (3,4-butylenedioxythiophene), poly (3-methyl-4-methoxythiophene), poly (3-methyl-4-methoxythiophene) 3-Methyl-4-ethoxythiophene), poly (3-carboxythiophene), poly (3-methyl-4-carboxythiophene), poly (3-methyl-4-carboxyethylthiophene), poly (3-methyl-4) -Carboxybutylthiophene).
ポリピロール系導電性高分子としては、例えば、ポリピロール、ポリ(N−メチルピロール)、ポリ(3−メチルピロール)、ポリ(3−エチルピロール)、ポリ(3−n−プロピルピロール)、ポリ(3−ブチルピロール)、ポリ(3−オクチルピロール)、ポリ(3−デシルピロール)、ポリ(3−ドデシルピロール)、ポリ(3,4−ジメチルピロール)、ポリ(3,4−ジブチルピロール)、ポリ(3−カルボキシピロール)、ポリ(3−メチル−4−カルボキシピロール)、ポリ(3−メチル−4−カルボキシエチルピロール)、ポリ(3−メチル−4−カルボキシブチルピロール)、ポリ(3−ヒドロキシピロール)、ポリ(3−メトキシピロール)、ポリ(3−エトキシピロール)、ポリ(3−ブトキシピロール)、ポリ(3−ヘキシルオキシピロール)、ポリ(3−メチル−4−ヘキシルオキシピロール)が挙げられる。 Examples of the polypyrrole-based conductive polymer include polypyrrole, poly (N-methylpyrrole), poly (3-methylpyrrole), poly (3-ethylpyrrole), poly (3-n-propylpyrrole), and poly (3). -Butylpyrrole), poly (3-octylpyrrole), poly (3-decylpyrrole), poly (3-dodecylpyrrole), poly (3,4-dimethylpyrrole), poly (3,4-dibutylpyrrole), poly (3-carboxypyrrole), poly (3-methyl-4-carboxypyrrole), poly (3-methyl-4-carboxyethylpyrrole), poly (3-methyl-4-carboxybutylpyrrole), poly (3-hydroxy) Pyrrole), poly (3-methoxypyrrole), poly (3-ethoxypyrrole), poly (3-butoxypyrrole), poly (3-hexyloxypyrrole), poly (3-methyl-4-hexyloxypyrrole). Be done.
ポリアニリン系導電性高分子としては、例えば、ポリアニリン、ポリ(2−メチルアニリン)、ポリ(3−イソブチルアニリン)、ポリ(2−アニリンスルホン酸)、ポリ(3−アニリンスルホン酸)が挙げられる。
以上で例示したπ共役系導電性高分子の中でも、導電性、耐熱性の点から、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)が特に好ましい。
π共役系導電性高分子は1種を単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
Examples of the polyaniline-based conductive polymer include polyaniline, poly (2-methylaniline), poly (3-isobutylaniline), poly (2-aniline sulfonic acid), and poly (3-aniline sulfonic acid).
Among the π-conjugated conductive polymers exemplified above, poly (3,4-ethylenedioxythiophene) is particularly preferable from the viewpoint of conductivity and heat resistance.
One type of π-conjugated conductive polymer may be used alone, or two or more types may be used in combination.
ポリアニオンとは、アニオン基を有するモノマー単位を、分子内に2つ以上有する重合体である。このポリアニオンのアニオン基は、π共役系導電性高分子に対するドーパントとして機能して、π共役系導電性高分子の導電性を向上させることができる。
ポリアニオンのアニオン基は、スルホン酸基またはカルボキシ基であることが好ましい。
ポリアニオンの具体例としては、ポリスチレンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリアクリル酸エステルのエステル部位にスルホン酸基が結合したもの、ポリメタクリル酸エステルのエステル部位にスルホン酸基が結合したもの(例えば、ポリスルホエチルメタクリレート、ポリ(4−スルホブチルメタクリレート)、ポリメタクリルオキシベンゼンスルホン酸)、ポリ(2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸)、ポリイソプレンスルホン酸等のスルホン酸基を有する高分子や、ポリビニルカルボン酸、ポリスチレンカルボン酸、ポリアリルカルボン酸、ポリアクリルカルボン酸、ポリメタクリルカルボン酸、ポリ(2−アクリルアミド−2−メチルプロパンカルボン酸)、ポリイソプレンカルボン酸、ポリアクリル酸等のカルボン酸基を有する高分子が挙げられる。これらの単独重合体であってもよいし、2種以上の共重合体であってもよい。
これらのポリアニオンのなかでも、導電性をより高くできることから、スルホン酸基を有する高分子が好ましく、ポリスチレンスルホン酸がより好ましい。
ポリアニオンは1種を単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
ポリアニオンの質量平均分子量は2万以上100万以下であることが好ましく、10万以上50万以下であることがより好ましい。
本明細書における質量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィで測定し、標準物質をポリスチレンとして求めた値である。
The polyanion is a polymer having two or more monomer units having an anionic group in the molecule. The anionic group of this polyanion functions as a dopant for the π-conjugated conductive polymer, and can improve the conductivity of the π-conjugated conductive polymer.
The anionic group of the polyanion is preferably a sulfonic acid group or a carboxy group.
Specific examples of the polyanion include a sulfonic acid group bonded to the ester moiety of polystyrene sulfonic acid, polyvinyl sulfonic acid, polyallyl sulfonic acid, and polyacrylic acid ester, and a sulfonic acid group bonded to the ester moiety of polymethacrylic acid ester. (For example, polysulfoethyl methacrylate, poly (4-sulfobutyl methacrylate), polymethacryloxybenzene sulfonic acid), poly (2-acrylamide-2-methylpropane sulfonic acid), polyisoprene sulfonic acid and other sulfonic acid groups. Polymers, polyvinyl carboxylic acid, polystyrene carboxylic acid, polyallyl carboxylic acid, polyacrylic carboxylic acid, polymethacrylcarboxylic acid, poly (2-acrylamide-2-methylpropanecarboxylic acid), polyisoprenecarboxylic acid, polyacrylic acid Examples thereof include polymers having a carboxylic acid group such as. These homopolymers may be used, or two or more kinds of copolymers may be used.
Among these polyanions, a polymer having a sulfonic acid group is preferable, and polystyrene sulfonic acid is more preferable, because the conductivity can be made higher.
One type of polyanion may be used alone, or two or more types may be used in combination.
The mass average molecular weight of the polyanion is preferably 20,000 or more and 1 million or less, and more preferably 100,000 or more and 500,000 or less.
The mass average molecular weight in the present specification is a value obtained by measuring by gel permeation chromatography and using polystyrene as a standard substance.
導電性複合体中の、ポリアニオンの含有割合は、π共役系導電性高分子100質量部に対して、1質量部以上1000質量部以下の範囲であることが好ましく、10質量部以上700質量部以下の範囲であることがより好ましく、100質量部以上500質量部以下の範囲であることがさらに好ましい。ポリアニオンの含有割合が前記下限値以上であると、π共役系導電性高分子へのドーピング効果が強くなる傾向にあり、充分な導電性が得られ易く、さらに導電性高分子分散液における導電性複合体の分散性が高くなる。また、ポリアニオンの含有量が前記上限値以下であると、π共役系導電性高分子の相対的な含有量が多くなり、充分な導電性が得られ易い。 The content ratio of the polyanion in the conductive composite is preferably in the range of 1 part by mass or more and 1000 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the π-conjugated conductive polymer, and is 10 parts by mass or more and 700 parts by mass. It is more preferably in the following range, and further preferably in the range of 100 parts by mass or more and 500 parts by mass or less. When the content ratio of the polyanion is at least the above lower limit value, the doping effect on the π-conjugated conductive polymer tends to be strong, sufficient conductivity can be easily obtained, and the conductivity in the conductive polymer dispersion is further increased. The dispersibility of the complex is increased. Further, when the content of the polyanion is not more than the upper limit value, the relative content of the π-conjugated conductive polymer increases, and sufficient conductivity can be easily obtained.
ポリアニオンがπ共役系導電性高分子に配位してドープすることによって導電性複合体が形成される。導電性複合体の導電性及び分散性の向上の観点から、全てのアニオン基がπ共役系導電性高分子にドープするよりも、ドープに寄与しない余剰のアニオン基を有することが好ましい。 A conductive composite is formed by coordinating and doping a π-conjugated conductive polymer with a polyanion. From the viewpoint of improving the conductivity and dispersibility of the conductive composite, it is preferable that all the anion groups have a surplus anion group that does not contribute to the doping, rather than doping the π-conjugated conductive polymer.
余剰のアニオン基の少なくとも一部に、アミン化合物及びエポキシ化合物の少なくとも一方が反応して、配位又は結合していることが好ましい。つまり、前記ポリアニオンは、自身が有するアニオン基の一部にアミン化合物又はエポキシ化合物が反応した生成物であることが好ましい。前記ポリアニオンの余剰のアニオン基にアミン化合物及びエポキシ化合物の少なくとも一方が配位又は結合すれば、導電性複合体を疎水化することができる。 It is preferable that at least one of the amine compound and the epoxy compound reacts with at least a part of the surplus anionic group to coordinate or bond. That is, the polyanion is preferably a product obtained by reacting a part of its own anion group with an amine compound or an epoxy compound. If at least one of the amine compound and the epoxy compound is coordinated or bonded to the excess anion group of the polyanion, the conductive complex can be made hydrophobic.
前記アミン化合物は、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンよりなる群から選ばれる少なくとも1種である。アミン化合物は1種を単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
第一級アミンとしては、例えば、アニリン、トルイジン、ベンジルアミン、エタノールアミン等が挙げられる。
第二級アミンとしては、例えば、ジエタノールアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジフェニルアミン、ジベンジルアミン、ジナフチルアミン等が挙げられる。
第三級アミンとしては、例えば、トリエタノールアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリヘキシルアミン、トリオクチルアミン、トリフェニルアミン、トリベンジルアミン、トリナフチルアミン等が挙げられる。
前記アミン化合物のうち、導電性複合体を容易に疎水化できることから、第三級アミンが好ましく、トリブチルアミン及びトリオクチルアミンの少なくとも一方がより好ましい。
The amine compound is at least one selected from the group consisting of primary amines, secondary amines and tertiary amines. One type of amine compound may be used alone, or two or more types may be used in combination.
Examples of the primary amine include aniline, toluidine, benzylamine, ethanolamine and the like.
Examples of the secondary amine include diethanolamine, dimethylamine, diethylamine, dipropylamine, diphenylamine, dibenzylamine, dinaphthylamine and the like.
Examples of the tertiary amine include triethanolamine, trimethylamine, triethylamine, tripropylamine, tributylamine, trihexylamine, trioctylamine, triphenylamine, tribenzylamine, trinaphthylamine and the like.
Among the amine compounds, a tertiary amine is preferable, and at least one of tributylamine and trioctylamine is more preferable because the conductive complex can be easily hydrophobized.
前記エポキシ化合物としては、1分子中にエポキシ基を1つ以上有する化合物が挙げられる。前記エポキシ化合物は、前記ポリアニオンの余剰のアニオン基と反応して、疎水性置換基を形成すると考えられる。例えばアニオン基がスルホン酸基の場合は、スルホン酸エステルを形成すると考えられる。 Examples of the epoxy compound include compounds having one or more epoxy groups in one molecule. It is believed that the epoxy compound reacts with the excess anionic group of the polyanion to form a hydrophobic substituent. For example, when the anionic group is a sulfonic acid group, it is considered to form a sulfonic acid ester.
前記導電層が導電性ポリマーを含む場合、当該導電層は、導電性ポリマーを含む導電性高分子含有液を塗工し、乾燥させることによって、形成することができる。 When the conductive layer contains a conductive polymer, the conductive layer can be formed by applying a conductive polymer-containing liquid containing the conductive polymer and drying it.
前記導電性ポリマーを含む前記導電層にはさらに添加剤が含まれていてもよい。添加剤としては、例えば、導電性向上剤、バインダー成分、界面活性剤、無機導電剤、消泡剤、カップリング剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、導電性粒子などが挙げられる。 The conductive layer containing the conductive polymer may further contain an additive. Examples of the additive include a conductivity improver, a binder component, a surfactant, an inorganic conductive agent, a defoamer, a coupling agent, an antioxidant, an ultraviolet absorber, and conductive particles.
導電性向上剤としては、アクリル化合物、窒素含有芳香族性環式化合物、2個以上のヒドロキシル基を有する化合物、2個以上のカルボキシル基を有する化合物、1個以上のヒドロキシル基および1個以上のカルボキシ基を有する化合物、アミド基を有する化合物、イミド基を有する化合物、ラクタム化合物、グリシジル基を有する化合物、水溶性有機溶剤からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物が挙げられる。
これら化合物の具体例は、例えば、特開2010−87401号公報に記載されている。
The conductivity improver includes an acrylic compound, a nitrogen-containing aromatic cyclic compound, a compound having two or more hydroxyl groups, a compound having two or more carboxyl groups, one or more hydroxyl groups, and one or more hydroxyl groups. Examples thereof include at least one compound selected from the group consisting of a compound having a carboxy group, a compound having an amide group, a compound having an imide group, a lactam compound, a compound having a glycidyl group, and a water-soluble organic solvent.
Specific examples of these compounds are described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-87401.
バインダー成分としては、π共役系導電性高分子及びポリアニオン以外の重合体又は重合体を形成する化合物が使用される。具体的なバインダー成分としては、樹脂、熱硬化性化合物、活性エネルギー線硬化性化合物が挙げられる。導電性高分子含有液に熱硬化性化合物が含有される場合には、熱重合開始剤も含有されることが好ましく、活性エネルギー線硬化性化合物が含有される場合には、光重合開始剤も含有されることが好ましい。
バインダー成分として使用できる樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂、酢酸ビニル樹脂等が挙げられる。
熱硬化性化合物及び活性エネルギー線硬化性化合物としては、ビニル基を有する化合物、エポキシ基を有する化合物、オキセタン基を有する化合物等が挙げられる。これらは、モノマーでもよいし、オリゴマーでもよい。
As the binder component, a polymer other than the π-conjugated conductive polymer and the polyanion or a compound forming the polymer is used. Specific examples of the binder component include resins, thermosetting compounds, and active energy ray-curable compounds. When the conductive polymer-containing liquid contains a thermosetting compound, it is preferable that a thermosetting initiator is also contained, and when an active energy ray-curable compound is contained, a photopolymerization initiator is also contained. It is preferably contained.
Examples of the resin that can be used as the binder component include acrylic resin, polyester resin, epoxy resin, oxetane resin, polyurethane resin, polyimide resin, melamine resin, silicone resin, vinyl acetate resin and the like.
Examples of the thermosetting compound and the active energy ray-curable compound include a compound having a vinyl group, a compound having an epoxy group, and a compound having an oxetane group. These may be monomers or oligomers.
界面活性剤としては、ノニオン系、アニオン系、カチオン系の界面活性剤が挙げられるが、保存安定性の面からノニオン系が好ましい。また、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドンなどのポリマー系界面活性剤を添加してもよい。
無機導電剤としては、金属イオン類、導電性カーボン等が挙げられる。金属イオンは、金属塩を水に溶解させることにより生成させることができる。
消泡剤としては、シリコーン樹脂、ポリジメチルシロキサン、シリコーンオイル等が挙げられる。
カップリング剤としては、ビニル基、アミノ基、エポキシ基等を有するシランカップリング剤等が挙げられる。
酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤、糖類等が挙げられる。
紫外線吸収剤としては、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、サリシレート系紫外線吸収剤、シアノアクリレート系紫外線吸収剤、オキサニリド系紫外線吸収剤、ヒンダードアミン系紫外線吸収剤、ベンゾエート系紫外線吸収剤等が挙げられる。
Examples of the surfactant include nonionic, anionic and cationic surfactants, and nonionic surfactants are preferable from the viewpoint of storage stability. Further, a polymer-based surfactant such as polyvinyl alcohol or polyvinylpyrrolidone may be added.
Examples of the inorganic conductive agent include metal ions and conductive carbon. Metal ions can be generated by dissolving a metal salt in water.
Examples of the defoaming agent include silicone resin, polydimethylsiloxane, silicone oil and the like.
Examples of the coupling agent include a silane coupling agent having a vinyl group, an amino group, an epoxy group and the like.
Examples of the antioxidant include phenol-based antioxidants, amine-based antioxidants, phosphorus-based antioxidants, sulfur-based antioxidants, sugars and the like.
Examples of UV absorbers include benzotriazole-based UV absorbers, benzophenone-based UV absorbers, salicylate-based UV absorbers, cyanoacrylate-based UV absorbers, oxanilide-based UV absorbers, hindered amine-based UV absorbers, benzoate-based UV absorbers, etc. Can be mentioned.
前記導電性ポリマーを含む前記導電層の総質量に対する前記導電性ポリマーの含有量は特に制限されず、例えば、5質量%以上40質量%以下が好ましく、10質量%以上30質量%以下がより好ましく、15質量%以上25質量%以下がさらに好ましい。 The content of the conductive polymer with respect to the total mass of the conductive layer containing the conductive polymer is not particularly limited, and is preferably 5% by mass or more and 40% by mass or less, and more preferably 10% by mass or more and 30% by mass or less. , 15% by mass or more and 25% by mass or less is more preferable.
前記導電性ポリマーを含む前記導電層の厚さは、0.1μm以上10μm以下が好ましく、0.5μm以上8μm以下がより好ましく、0.8μm以上5μm以下がさらに好ましい。前記範囲の下限値以上であれば、金属層間の接着を強めるとともに、金属層間の電気的な接続性を向上できる。前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム2の可とう性を高め、厚さを薄くすることができる。
The thickness of the conductive layer containing the conductive polymer is preferably 0.1 μm or more and 10 μm or less, more preferably 0.5 μm or more and 8 μm or less, and further preferably 0.8 μm or more and 5 μm or less. When it is at least the lower limit of the above range, the adhesion between the metal layers can be strengthened and the electrical connectivity between the metal layers can be improved. If it is equal to or less than the upper limit of the above range, the flexibility of the electromagnetic
シールド層20を構成する非金属層が複数である場合、各非金属層の厚さ、構成材料、物性等は、互いに同じであってもよいし、異なっていてもよい。
When there are a plurality of non-metal layers constituting the
<導電性接着剤層>
電磁波シールドフィルム1は、シールド層20における第三金属層25の第二非金属層24と反対の面に接して積層された、導電性接着剤層26を備える。
導電性接着剤層26は、電磁波シールドフィルム1における必須の層であり、シールド層20における非金属層として任意に設けられる導電性接着剤層とは区別される。
導電性接着剤層26は、図2に示すような異方導電性接着剤層であってもよいし、図3に示すような等方導電性接着剤層であってもよい。
<Conductive adhesive layer>
The electromagnetic
The conductive
The conductive
(異方導電性接着剤層)
異方導電性接着剤層は、厚さ方向に導電性を有し、面方向には導電性を有さず、かつ、接着性を有する。
異方導電性接着剤層は、導電性接着剤層を容易に薄くでき、後述する導電性粒子の量を少なくでき、その結果、電磁波シールドフィルムを薄くでき、電磁波シールドフィルムの可とう性が高くなる利点を有する。
(Iteroconductive adhesive layer)
The anisotropic conductive adhesive layer has conductivity in the thickness direction, does not have conductivity in the surface direction, and has adhesiveness.
In the anisotropic conductive adhesive layer, the conductive adhesive layer can be easily thinned, the amount of conductive particles described later can be reduced, and as a result, the electromagnetic wave shielding film can be thinned, and the electromagnetic wave shielding film has high flexibility. Has the advantage of
異方導電性接着剤層としては、硬化後に耐熱性を発揮できる点から、熱硬化性の導電性接着剤層が好ましい。熱硬化性の異方導電性接着剤層は、未硬化の状態であってもよく、Bステージ化された状態であってもよい。
熱硬化性の異方導電性接着剤層は、例えば、図2に示すように、熱硬化性接着剤26aと導電性粒子26bとを含む。熱硬化性の異方導電性接着剤層26は、必要に応じて難燃剤を含んでいてもよい。
As the anisotropic conductive adhesive layer, a thermosetting conductive adhesive layer is preferable because it can exhibit heat resistance after curing. The thermosetting anisotropic conductive adhesive layer may be in an uncured state or in a B-staged state.
The thermosetting anisotropic conductive adhesive layer contains, for example, a
熱硬化性接着剤26aとしては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、アルキッド樹脂、ウレタン樹脂、合成ゴム、紫外線硬化アクリレート樹脂等が挙げられる。耐熱性に優れる点から、エポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂は、可とう性付与のためのゴム成分(カルボキシ変性ニトリルゴム、アクリルゴム等)、粘着付与剤等を含んでいてもよい。
熱硬化性接着剤26aは、異方導電性接着剤層26の強度を高め、打ち抜き特性を向上させるために、セルロース樹脂、ミクロフィブリル(ガラス繊維等)を含んでいてもよい。熱硬化性接着剤26aは、本発明の効果を損なわない範囲において、必要に応じて他の成分(硬化剤等)を含んでいてもよい。
Examples of the
The
導電性粒子26bとしては、金属(銀、白金、金、銅、ニッケル、パラジウム、アルミニウム、ハンダ等)の粒子、黒鉛粉、焼成カーボン粒子、めっきされた焼成カーボン粒子等が挙げられる。導電性粒子26bとしては、異方導電性接着剤層26がさらに適度の硬さを有するようになり、熱プレスの際の異方導電性接着剤層26における圧力損失をさらに低減できる点からは、金属粒子が好ましく、銅粒子がより好ましい。
Examples of the
導電性粒子26bの10%圧縮強度は、30MPa以上200MPa以下が好ましく、50MPa以上150MPa以下がより好ましく、70MPa以上100MPa以下がさらに好ましい。導電性粒子26bの10%圧縮強度が前記範囲の下限値以上であれば、熱プレスの際に金属薄膜層にかけられた圧力を大きく損失することなく、異方導電性接着剤層26が絶縁フィルムの貫通孔を通ってプリント配線板のプリント回路により確実に電気的に接続される。導電性粒子26bの10%圧縮強度が前記範囲の上限値以下であれば、金属薄膜層との接触がよくなり、電気的接続が確実になる。
The 10% compressive strength of the
異方導電性接着剤層26における導電性粒子26bの平均粒子径は、0.2μm以上10μm以下が好ましく、0.5μm以上8μm以下がより好ましい。導電性粒子26bの平均粒子径が前記範囲の下限値以上であれば、異方導電性接着剤層26の厚さを確保することができ、十分な接着強度を得ることができる。導電性粒子26bの平均粒子径が前記範囲の上限値以下であれば、異方導電性接着剤層26の流動性を確保でき、後述するように異方導電性接着剤層26を絶縁フィルムの貫通孔に押し込んだ際に絶縁フィルムの貫通孔内を導電性接着剤で十分に埋めることができる。
The average particle diameter of the
異方導電性接着剤層26における導電性粒子26bの割合は、異方導電性接着剤層26の100体積%のうち、1体積%以上30体積%以下が好ましく、2体積%以上15体積%以下がより好ましい。導電性粒子26bの割合が前記範囲の下限値以上であれば、異方導電性接着剤層26の導電性が良好になる。導電性粒子26bの割合が前記範囲の上限値以下であれば、異方導電性接着剤層26の接着性、流動性(絶縁フィルムの貫通孔の形状への追随性)が良好になる。また、電磁波シールドフィルム1の可とう性が良好なる。
The proportion of the
異方導電性接着剤層26の180℃における貯蔵弾性率は、1×103Pa以上5×107Pa以下が好ましく、5×103Pa以上1×107Pa以下がより好ましい。異方導電性接着剤層26の180℃における貯蔵弾性率が前記範囲の下限値以上であれば、異方導電性接着剤層26がさらに適度な硬さを有するようになり、熱プレスの際の異方導電性接着剤層26における圧力損失を低減できる。その結果、異方導電性接着剤層26とプリント配線板のプリント回路とが十分に接着され、異方導電性接着剤層26が絶縁フィルムの貫通孔を通ってプリント配線板のプリント回路により確実に電気的に接続される。異方導電性接着剤層26の180℃における貯蔵弾性率が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム1の可とう性がよくなる。その結果、電磁波シールドフィルム1が絶縁フィルムの貫通孔内に沈み込みやすくなり、異方導電性接着剤層26が絶縁フィルムの貫通孔を通ってプリント配線板のプリント回路により確実に電気的に接続される。
The storage elastic modulus of the anisotropic conductive
異方導電性接着剤層26の表面抵抗は、1×104Ω/sq.以上1×1016Ω/sq.以下が好ましく、1×106Ω/sq.以上1×1014Ω/sq.以下がより好ましい。異方導電性接着剤層26の表面抵抗が前記範囲の下限値以上であれば、導電性粒子26bの含有量が低く抑えられる。異方導電性接着剤層26の表面抵抗が前記範囲の上限値以下であれば、実用上、異方性に問題がない。
The surface resistance of the anisotropic conductive
異方導電性接着剤層26の厚さは、0.2μm以上10μm以下が好ましく、0.5μm以上8μm以下がより好ましい。異方導電性接着剤層26の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、異方導電性接着剤層26の流動性(絶縁フィルムの貫通孔の形状への追随性)を確保でき、絶縁フィルムの貫通孔内を導電性接着剤で十分に埋めることができる。異方導電性接着剤層26の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルムを薄くできる。また、電磁波シールドフィルムの可とう性が良好になる。
The thickness of the anisotropic conductive
(等方導電性接着剤層)
等方導電性接着剤層は、厚さ方向および面方向に導電性を有し、かつ、接着性を有する。
等方導電性接着剤層は、電磁波シールドフィルムの電磁波遮蔽性をより高くできる利点を有する。
(Isotropic conductive adhesive layer)
The isotropic conductive adhesive layer has conductivity in the thickness direction and the surface direction, and has adhesiveness.
The isotropic conductive adhesive layer has an advantage that the electromagnetic wave shielding property of the electromagnetic wave shielding film can be improved.
等方導電性接着剤層としては、硬化後に耐熱性を発揮できる点から、熱硬化性の導電性接着剤層が好ましい。熱硬化性の等方導電性接着剤層は、未硬化の状態であってもよく、Bステージ化された状態であってもよい。
熱硬化性の等方導電性接着剤層は、例えば、図3に示すように、熱硬化性接着剤26aと導電性粒子26cとを含む。熱硬化性の等方導電性接着剤層26は、必要に応じて難燃剤を含んでいてもよい。
等方導電性接着剤層26に含まれる熱硬化性接着剤26aの成分および導電性粒子26cの材質は、異方導電性接着剤層26に含まれる熱硬化性接着剤26aの成分および導電性粒子26cの材質と同様である。
As the isotropic conductive adhesive layer, a thermosetting conductive adhesive layer is preferable because it can exhibit heat resistance after curing. The thermosetting isotropic conductive adhesive layer may be in an uncured state or in a B-staged state.
The thermosetting isotropic conductive adhesive layer contains, for example, a
The component of the
等方導電性接着剤層26における導電性粒子26cの平均粒子径は、0.1μm以上5μm以下が好ましく、0.2μm以上1μm以下がより好ましい。導電性粒子26cの平均粒子径が前記範囲の下限値以上であれば、導電性粒子26cの接触点数が増えることになり、3次元方向の導通性を安定的に高めることができる。導電性粒子26cの平均粒子径が前記範囲の上限値以下であれば、等方導電性接着剤層26の流動性(絶縁フィルムの貫通孔の形状への追随性)を確保でき、絶縁フィルムの貫通孔内を導電性接着剤で十分に埋めることができる。
The average particle diameter of the
等方導電性接着剤層26における導電性粒子26cの割合は、等方導電性接着剤層26の100体積%のうち、50体積%以上80体積%以下が好ましく、60体積%以上70体積%以下がより好ましい。導電性粒子26cの割合が前記範囲の下限値以上であれば、等方導電性接着剤層26の導電性が良好になる。導電性粒子26cの割合が前記範囲の上限値以下であれば、等方導電性接着剤層26の接着性、流動性(絶縁フィルムの貫通孔の形状への追随性)が良好になる。また、電磁波シールドフィルム1の可とう性がよくなる。
The proportion of the
等方導電性接着剤層26の180℃における貯蔵弾性率は、1×103Pa以上5×107Pa以下が好ましく、5×103Pa以上1×107Pa以下がより好ましい。前記範囲が好ましい理由は、異方導電性接着剤層26と同様である。
The storage elastic modulus of the isotropic conductive
等方導電性接着剤層26の表面抵抗は、0.05Ω/sq.以上2.0Ω/sq.以下が好ましく、0.1Ω/sq.以上1.0Ω/sq.以下がより好ましい。等方導電性接着剤層26の表面抵抗が前記範囲の下限値以上であれば、導電性粒子26cの含有量が低く抑えられ、導電性接着剤の粘度が高くなりすぎず、塗布性がさらに良好となる。また、等方導電性接着剤層26の流動性(絶縁フィルムの貫通孔の形状への追随性)をさらに確保できる。等方導電性接着剤層26の表面抵抗が前記範囲の上限値以下であれば、等方導電性接着剤層26の全面が均一な導電性を有するものとなる。
The surface resistance of the isotropic conductive
等方導電性接着剤層26の厚さは、0.2μm以上10μm以下が好ましく、0.5μm以上8μm以下がより好ましい。等方導電性接着剤層26の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、等方導電性接着剤層26の導電性が良好になり、電磁波シールド層として十分に機能できる。また、等方導電性接着剤層26の流動性(絶縁フィルムの貫通孔の形状への追随性)を確保でき、絶縁フィルムの貫通孔内を導電性接着剤で十分に埋めることができ、耐折性も確保でき繰り返し折り曲げても等方導電性接着剤層26が断裂することはない。等方導電性接着剤層26の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルムを薄くできる。また、電磁波シールドフィルムの可とう性が良好になる。
The thickness of the isotropic conductive
<キャリアフィルム>
電磁波シールドフィルム1において、絶縁樹脂層10のシールド層20と反対の面には、キャリアフィルムが設けられていてもよい(不図示)。
キャリアフィルムは、絶縁樹脂層10及びシールド層20を補強及び保護する支持体であり、電磁波シールドフィルム1のハンドリング性を良好にする。特に、絶縁樹脂層10として、薄いフィルム、具体的には厚さ1μm以上10μm以下のフィルムを用いた場合には、キャリアフィルムを有することによって、絶縁樹脂層10の破断を防ぐことができる。
キャリアフィルムは、電磁波シールドフィルム1をプリント配線板等に貼り付けた後には、絶縁樹脂層10から剥離される。
<Carrier film>
In the electromagnetic
The carrier film is a support that reinforces and protects the insulating
The carrier film is peeled off from the insulating
本実施形態において使用されるキャリアフィルムは、キャリアフィルム本体と、キャリアフィルム本体の絶縁樹脂層10側の表面に設けられた粘着剤層とを有する。
The carrier film used in the present embodiment has a carrier film main body and an adhesive layer provided on the surface of the carrier film main body on the insulating
キャリアフィルム本体の樹脂材料としては、ポリエチレンテレフタレート(以下、「PET」ということもある。)、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンイソフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン、ポリアセテート、ポリカーボネート、ポリフェニレンサルファイド、ポリアミド、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、合成ゴム、液晶ポリマー等が挙げられる。樹脂材料としては、電磁波シールドフィルム1を製造する際の耐熱性(寸法安定性)及び価格の点から、PETが好ましい。
As the resin material of the carrier film body, polyethylene terephthalate (hereinafter, also referred to as "PET"), polyethylene naphthalate, polyethylene isophthalate, polybutylene terephthalate, polyolefin, polyacetate, polycarbonate, polyphenylene sulfide, polyamide, ethylene- Examples thereof include vinyl acetate copolymers, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, synthetic rubbers, and liquid crystal polymers. As the resin material, PET is preferable from the viewpoint of heat resistance (dimensional stability) and price when manufacturing the electromagnetic
キャリアフィルム本体は、着色剤(顔料、染料等)及びフィラーのいずれか一方又は両方を含んでいてもよい。
着色剤及びフィラーのいずれか一方又は両方としては、絶縁樹脂層10と明確に区別でき、熱プレスした後にキャリアフィルムの剥がし残しに気が付きやすい点から、絶縁樹脂層10とは異なる色のものが好ましく、白色顔料、フィラー、又は白色顔料と他の顔料もしくはフィラーとの組み合わせがより好ましい。
The carrier film body may contain one or both of a colorant (pigment, dye, etc.) and a filler.
As one or both of the colorant and the filler, those having a color different from that of the insulating
キャリアフィルム本体の180℃における貯蔵弾性率は、8×107Pa以上5×109Paが好ましく、1×108Pa以上8×108Paがより好ましい。キャリアフィルム本体の180℃における貯蔵弾性率が前記範囲の下限値以上であれば、キャリアフィルムが適度の硬さを有するようになり、熱プレスの際のキャリアフィルムにおける圧力損失を低減できる。キャリアフィルム本体の180℃における貯蔵弾性率が前記範囲の上限値以下であれば、キャリアフィルムの柔軟性が良好となる。 The storage elastic modulus of the carrier film body at 180 ° C. is preferably 8 × 10 7 Pa or more and 5 × 10 9 Pa, and more preferably 1 × 10 8 Pa or more and 8 × 10 8 Pa. When the storage elastic modulus of the carrier film body at 180 ° C. is equal to or higher than the lower limit of the above range, the carrier film has an appropriate hardness, and the pressure loss in the carrier film during hot pressing can be reduced. When the storage elastic modulus of the carrier film body at 180 ° C. is not more than the upper limit of the above range, the flexibility of the carrier film is good.
キャリアフィルム本体の厚さは、3μm以上75μm以下が好ましく、12μm以上50μm以下がより好ましい。キャリアフィルム本体の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、電磁波シールドフィルム1のハンドリング性が良好となる。キャリアフィルム本体の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、プリント配線板50に電磁波シールドフィルム1を熱プレスする際に導電性接着剤層に熱が伝わりやすい。
The thickness of the carrier film body is preferably 3 μm or more and 75 μm or less, and more preferably 12 μm or more and 50 μm or less. When the thickness of the carrier film body is at least the lower limit of the above range, the handleability of the electromagnetic
粘着剤層は、例えば、キャリアフィルム本体の表面に粘着剤を含む粘着剤組成物を塗布して形成される。キャリアフィルムが粘着剤層を有することによって、電磁波シールドフィルム1を取り扱う際に、キャリアフィルムが絶縁樹脂層10から意図せずに剥離することが抑えられる。結果、キャリアフィルムが保護フィルムとしての役割を十分に果たすことができる。
The pressure-sensitive adhesive layer is formed, for example, by applying a pressure-sensitive adhesive composition containing a pressure-sensitive adhesive to the surface of a carrier film body. By having the adhesive layer on the carrier film, it is possible to prevent the carrier film from being unintentionally peeled from the insulating
粘着剤は、熱プレス前にはキャリアフィルムが絶縁樹脂層10から容易に剥離することなく、熱プレス後にはキャリアフィルムを絶縁樹脂層10から剥離できる程度の適度な粘着性を粘着剤層に付与するものであることが好ましい。
粘着剤としては、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ゴム系粘着剤等が挙げられる。
粘着剤のガラス転移温度は、−100℃以上60℃以下が好ましく、−60℃以上40℃以下がより好ましい。
The pressure-sensitive adhesive imparts an appropriate degree of adhesiveness to the pressure-sensitive adhesive layer so that the carrier film does not easily peel off from the insulating
Examples of the adhesive include acrylic adhesives, urethane adhesives, rubber adhesives and the like.
The glass transition temperature of the pressure-sensitive adhesive is preferably −100 ° C. or higher and 60 ° C. or lower, and more preferably −60 ° C. or higher and 40 ° C. or lower.
キャリアフィルムの厚さは、25μm以上125μm以下が好ましく、38μm以上100μm以下がより好ましい。キャリアフィルムの厚さが前記範囲の下限値以上であれば、電磁波シールドフィルム1のハンドリング性が良好となる。キャリアフィルムの厚さが前記範囲の上限値以下であれば、プリント配線板に電磁波シールドフィルム1を熱プレスする際に導電性接着剤層26に熱が伝わりやすい。
The thickness of the carrier film is preferably 25 μm or more and 125 μm or less, and more preferably 38 μm or more and 100 μm or less. When the thickness of the carrier film is at least the lower limit of the above range, the handleability of the electromagnetic
(保護フィルム)
保護フィルム40は、導電性接着剤層26を保護するものであり、電磁波シールドフィルム1のハンドリング性を良好にする。保護フィルム40は、電磁波シールドフィルム1をプリント配線板等に貼り付ける前に、導電性接着剤層26から剥離される。
(Protective film)
The
保護フィルム40は、例えば、保護フィルム本体42と、保護フィルム本体42の導電性接着剤層26側の表面に設けられた粘着剤層41とを有する。
The
保護フィルム本体42の樹脂材料としては、キャリアフィルム本体の樹脂材料と同様なものが挙げられる。
保護フィルム本体42は、着色剤、フィラー等を含んでいてもよい。
保護フィルム本体42の厚さは、5μm以上500μm以下が好ましく、10μm以上150μm以下がより好ましく、25μm以上100μm以下がさらに好ましい。
Examples of the resin material of the protective film
The
The thickness of the
粘着剤層41は、保護フィルム本体42の表面を粘着剤で処理して形成される。保護フィルム40が粘着剤層41を有することによって、保護フィルム40を導電性接着剤層26から剥離する際に、保護フィルム40を剥離しやすく、導電性接着剤層26が破断しにくくなる。
粘着剤としては、公知の粘着剤を用いればよい。
The pressure-
As the pressure-sensitive adhesive, a known pressure-sensitive adhesive may be used.
粘着剤層41の厚さは、0.05μm以上30μm以下が好ましく、0.1μm以上20μm以下がより好ましい。粘着剤層41の厚さが前記範囲内であれば、保護フィルム40をさらに剥離しやすくなる。
The thickness of the pressure-
<電磁波シールドフィルムの厚さ>
電磁波シールドフィルム1の厚さ(キャリアフィルム及び保護フィルム40を除く)は、3μm以上50μm以下が好ましく、5μm以上30μm以下がより好ましい。
前記厚さが前記範囲の下限値以上であれば、キャリアフィルムや保護フィルム40を剥離する際に破断しにくい。前記厚さが前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルムを取り付けた回路基板を薄くできる。
<Thickness of electromagnetic wave shield film>
The thickness of the electromagnetic wave shielding film 1 (excluding the carrier film and the protective film 40) is preferably 3 μm or more and 50 μm or less, and more preferably 5 μm or more and 30 μm or less.
When the thickness is at least the lower limit of the above range, it is unlikely to break when the carrier film or the
(作用効果)
以上説明した電磁波シールドフィルム1にあっては、シールド層20における金属層が複数であることにより、1層の金属層を備える場合よりも電磁波の反射界面が多くなり、各金属層の厚みが1μm以下という薄さにも関わらず、電磁波遮蔽性が優れる。
さらに、シールド層20が有する各金属層の厚みが1μm以下であることにより、各金属層のガス透過性が良好であり、はんだリフロー処理等の加熱によって導電性接着剤層26等から発生したガスが透過し易くなるので、金属層間にガスが滞留することが少なく、層間剥離や膨れを防止することができる。
このように、本発明の電磁波シールドフィルムは、電磁波遮蔽性および半田耐熱性の両方に優れる。
(Action effect)
In the electromagnetic
Further, since the thickness of each metal layer of the
As described above, the electromagnetic wave shielding film of the present invention is excellent in both electromagnetic wave shielding property and solder heat resistance.
(他の実施形態)
本発明の電磁波シールドフィルムは、図示例だけに限定されない。
電磁波シールドフィルムの絶縁樹脂層10を保護するために、絶縁樹脂層10の表面にキャリアフィルムを設けてもよい。キャリアフィルムは、キャリアフィルム本体が自己粘着性を有するフィルムである場合には、粘着剤層を有しなくてもよい。キャリアフィルムは、粘着剤層の代わりに離型剤層を有していてもよい。
電磁波シールドフィルムの導電性接着剤層26の表面を保護する必要性が少ない場合には、保護フィルム40を省略してもよい。保護フィルム40は、保護フィルム本体42のみで十分な粘着性を有する場合は、粘着剤層41を有しなくてもよい。
(Other embodiments)
The electromagnetic wave shielding film of the present invention is not limited to the illustrated examples.
In order to protect the insulating
When it is less necessary to protect the surface of the conductive
<電磁波シールドフィルムの製造方法>
本発明の電磁波シールドフィルムは、積層フィルムを形成する公知方法を適用することにより製造することができる。容易に歩留まり良く均質な電磁波シールドフィルムを製造する観点から、例えば、次の好適な製造方法が挙げられる。
<Manufacturing method of electromagnetic wave shield film>
The electromagnetic wave shielding film of the present invention can be produced by applying a known method for forming a laminated film. From the viewpoint of easily producing a uniform electromagnetic wave shielding film with a good yield, for example, the following suitable production method can be mentioned.
以下、図1の電磁波シールドフィルム1を製造方法の一例を示す。
第一金属層21として、市販の金属薄膜を適用することができる。例えば、基材フィルムの一方の面に蒸着された金属蒸着膜が挙げられる。この金属蒸着膜の基材フィルムと反対の面に、絶縁樹脂層10を形成する樹脂組成物を塗工し、乾燥して硬化させることにより、絶縁樹脂層10/第一金属層21/基材フィルムの順に積層された積層体Aが得られる。必要に応じて、絶縁樹脂層10の第一金属層21と反対の面にキャリアフィルムを貼付した後、基材フィルムを剥離することにより、キャリアフィルム/絶縁樹脂層10/第一金属層21の順に積層された積層体Bが得られる。
積層体Bの第一金属層21の絶縁樹脂層10と反対の面に、第一非金属層22、第二金属層23、第二非金属層24、第三金属層25を順次積層することにより、キャリアフィルム/絶縁樹脂層10/第一金属層21/第一非金属層22/第二金属層23/第二非金属層24/第三金属層25の順に積層された積層体Cが得られる。各金属層は公知の金属薄膜の形成方法により形成することができ、簡便に膜厚を調整できることから物理蒸着法が好適である。各非金属層は基本的に樹脂を含む層であるから、公知の樹脂層の形成方法、例えば樹脂組成物を塗工し、乾燥して硬化させることにより、形成することができる。積層体Cにおいて交互に積層された金属層及び非金属層の数を増減させることにより、所望の層数のシールド層20を形成することができる。
積層体Cの第三金属層25の第二非金属層24と反対の面に、導電性接着剤層26を形成し、さらに保護フィルム40を貼付することにより、目的の電磁波シールドフィルム1が得られる。導電性接着剤層26を構成する異方導電性接着剤層または等方導電性接着剤層は、例えば、前述の特許文献1等を参照して、公知方法により形成することができる。
Hereinafter, an example of a method for manufacturing the electromagnetic
A commercially available metal thin film can be applied as the
The
A target electromagnetic
以上で説明した電磁波シールドフィルム1の製造方法の他に、次の製造方法も挙げられる。
まず、キャリアフィルムの粘着剤層の表面に、絶縁樹脂層10を形成し、絶縁樹脂層10のキャリアフィルムとは反対側の面に、第一金属層21/第一非金属層22/第二金属層23/第二非金属層24/第三金属層25の順に積層した、第1の積層体を得る。次に、保護フィルム40の粘着剤層41の表面に、導電性接着剤層26を積層し、第2の積層体を得る。続いて、第1の積層体の第三金属層25の第二非金属層24と反対の面に、第2の積層体の導電性接着剤層26を接して貼り付けることにより、電磁波シールドフィルム1が得られる。
In addition to the method for manufacturing the electromagnetic
First, the insulating
以上で説明した電磁波シールドフィルム1の製造方法の他に、次の製造方法も挙げられる。
キャリアフィルムの表面に、絶縁樹脂層10を形成し、絶縁樹脂層10のキャリアフィルムとは反対側の面に、第一金属層21/第一非金属層22/第二金属層23/第二非金属層24/第三金属層25の順にシールド層20を積層し、さらに第三金属層25に接するように導電性接着剤層26を積層した後、保護フィルム40を貼り付けることにより、電磁波シールドフィルム1が得られる。
In addition to the method for manufacturing the electromagnetic
The insulating
(作用効果)
以上説明した電磁波シールドフィルムの製造方法にあっては、複数の薄い金属層を有する電磁波シールドフィルムを容易に製造できる。
(Action effect)
In the method for producing an electromagnetic wave shielding film described above, an electromagnetic wave shielding film having a plurality of thin metal layers can be easily produced.
<回路基板>
本発明の第二態様は、基板の少なくとも一方の面に回路が設けられた回路基板本体と、前記一方の面に隣接する絶縁フィルムと、前記絶縁フィルムの前記回路基板本体とは反対側に隣接する第一態様の電磁波シールドフィルムと、を備えた回路基板である。前記回路基板において、前記電磁波シールドフィルムにおける前記シールド層の前記絶縁樹脂層とは反対側に設けられた導電性接着剤層が、前記絶縁フィルムに接着している。
<Circuit board>
In the second aspect of the present invention, a circuit board main body in which a circuit is provided on at least one surface of the substrate, an insulating film adjacent to the one surface, and the insulating film adjacent to the circuit board main body on the opposite side. It is a circuit board provided with the electromagnetic wave shielding film of the first aspect. In the circuit board, a conductive adhesive layer provided on the side of the shield layer of the electromagnetic wave shielding film opposite to the insulating resin layer is adhered to the insulating film.
図4は、本態様の回路基板の一実施形態を示す断面図である。
回路基板4は、回路基板本体の一例であるフレキシブルプリント配線板50と、電磁波シールドフィルム3とを備える。
フレキシブルプリント配線板50は、ベースフィルム52の少なくとも片面にプリント回路54が設けられたものである。
絶縁フィルム60は、フレキシブルプリント配線板50のプリント回路54が設けられた側の表面に設けられる。
電磁波シールドフィルム3の導電性接着剤層26は、絶縁フィルム60の表面に接着され、かつ硬化されている。また、導電性接着剤層26は、絶縁フィルム60に形成された貫通孔(図示略)を通ってプリント回路54に電気的に接続されている。
電磁波シールドフィルム付きプリント配線板4においては、キャリアフィルムおよび離型フィルムは、電磁波シールドフィルム3から剥離されている。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing an embodiment of the circuit board of this embodiment.
The circuit board 4 includes a flexible printed
The flexible printed
The insulating
The conductive
In the printed wiring board 4 with the electromagnetic wave shielding film, the carrier film and the release film are peeled off from the electromagnetic wave shielding film 3.
貫通孔のある部分を除くプリント回路54(信号回路、グランド回路、グランド層等)の近傍には、電磁波シールドフィルム3のシールド層20が、絶縁フィルム60および導電性接着剤層26を介して離間して対向配置される。
貫通孔のある部分を除くプリント回路54とシールド層20との離間距離は、絶縁フィルム60の厚さと導電性接着剤層26の厚さの総和とほぼ等しい。離間距離は、30μm以上200μm以下が好ましく、60μm以上200μm以下がより好ましい。離間距離が30μmより小さいと、信号回路のインピーダンスが低くなるため、100Ω等の特性インピーダンスを有するためには、信号回路の線幅を小さくしなければならず、線幅のバラツキが特性インピーダンスのバラツキとなって、インピーダンスのミスマッチによる反射共鳴ノイズが電気信号に乗りやすくなる。離間距離が200μmより大きいと、電磁波シールドフィルム付きプリント配線板2が厚くなり、可とう性が不足する。
In the vicinity of the printed circuit 54 (signal circuit, ground circuit, ground layer, etc.) excluding the portion having the through hole, the
The separation distance between the printed
(回路基板本体)
回路基板本体の一例であるフレキシブルプリント配線板50は、銅張積層板の銅箔を公知のエッチング法により所望のパターンに加工してプリント回路54としたものである。
銅張積層板としては、ベースフィルム52の片面または両面に接着剤層(図示略)を介して銅箔を貼り付けたもの;銅箔の表面にベースフィルム52を形成する樹脂溶液等をキャストしたもの等が挙げられる。
接着剤層の材料としては、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂等が挙げられる。
接着剤層の厚さは、0.5μm以上30μm以下が好ましい。
(Circuit board body)
The flexible printed
As the copper-clad laminate, a copper foil is attached to one side or both sides of the
Examples of the material of the adhesive layer include epoxy resin, polyester, polyimide, polyamide-imide, polyamide, phenol resin, urethane resin, acrylic resin, melamine resin and the like.
The thickness of the adhesive layer is preferably 0.5 μm or more and 30 μm or less.
ベースフィルム52としては、耐熱性を有するフィルムが好ましく、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、液晶ポリマーフィルムがより好ましく、ポリイミドフィルムがさらに好ましい。
ベースフィルム52の表面抵抗は、電気的絶縁性の点から、1×106Ω/sq.以上が好ましい。ベースフィルム52の表面抵抗は、実用上の点から、1×1019Ω/sq.以下が好ましい。
ベースフィルム52の厚さは、5μm以上200μm以下が好ましく、屈曲性の点から、6μm以上50μm以下がより好ましく、10μm以上25μm以下がより好ましい。
As the
The surface resistance of the
The thickness of the
プリント回路54を構成する銅箔としては、圧延銅箔、電解銅箔等が挙げられ、屈曲性の点から、圧延銅箔が好ましい。プリント回路54は、信号回路、グランド回路、グランド層等として使用される。
銅箔の厚さは、1μm以上50μm以下が好ましく、18μm以上35μm以下がより好ましい。
プリント回路54の長さ方向の端部(端子)は、ハンダ接続、コネクター接続、部品搭載等のため、絶縁フィルム60や電磁波シールドフィルム1に覆われず、露出している。
Examples of the copper foil constituting the printed
The thickness of the copper foil is preferably 1 μm or more and 50 μm or less, and more preferably 18 μm or more and 35 μm or less.
The end (terminal) of the
(絶縁フィルム)
絶縁フィルム60(カバーレイフィルム)は、絶縁フィルム本体(図示略)の片面に、接着剤の塗布、接着剤シートの貼り付け等によって接着剤層(図示略)を形成したものである。
絶縁フィルム本体の表面抵抗は、電気的絶縁性の点から、1×106Ω/sq.以上が好ましい。絶縁フィルム本体の表面抵抗は、実用上の点から、1×1019Ω/sq.以下が好ましい。
絶縁フィルム本体としては、耐熱性を有するフィルムが好ましく、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、液晶ポリマーフィルムがより好ましく、ポリイミドフィルムがさらに好ましい。
絶縁フィルム本体の厚さは、1μm以上100μm以下が好ましく、可とう性の点から、3μm以上25μm以下がより好ましい。
接着剤層の材料としては、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ポリスチレン、ポリオレフィン等が挙げられる。エポキシ樹脂は、可とう性付与のためのゴム成分(カルボキシ変性ニトリルゴム等)を含んでいてもよい。
接着剤層の厚さは、1μm以上100μm以下が好ましく、1.5μm以上60μm以下がより好ましい。
(Insulation film)
The insulating film 60 (coverlay film) is formed by forming an adhesive layer (not shown) on one side of an insulating film main body (not shown) by applying an adhesive, attaching an adhesive sheet, or the like.
The surface resistance of the insulating film body is 1 × 10 6 Ω / sq. From the viewpoint of electrical insulation. The above is preferable. The surface resistance of the insulating film body is 1 × 10 19 Ω / sq. From a practical point of view. The following is preferable.
As the insulating film main body, a film having heat resistance is preferable, a polyimide film, a polyetherimide film, a polyphenylene sulfide film, and a liquid crystal polymer film are more preferable, and a polyimide film is further preferable.
The thickness of the insulating film body is preferably 1 μm or more and 100 μm or less, and more preferably 3 μm or more and 25 μm or less from the viewpoint of flexibility.
Examples of the material of the adhesive layer include epoxy resin, polyester, polyimide, polyamide-imide, polyamide, phenol resin, urethane resin, acrylic resin, melamine resin, polystyrene, polyolefin and the like. The epoxy resin may contain a rubber component (carboxy-modified nitrile rubber, etc.) for imparting flexibility.
The thickness of the adhesive layer is preferably 1 μm or more and 100 μm or less, and more preferably 1.5 μm or more and 60 μm or less.
絶縁フィルム60に形成される貫通孔の開口部の形状は、特に限定されない。貫通孔の開口部の形状としては、円形、楕円形、四角形等が挙げられる。
The shape of the opening of the through hole formed in the insulating
(電磁波シールドフィルム付きプリント配線板の製造方法)
電磁波シールドフィルム付きプリント配線板4は、例えば、下記の工程(g)〜(j)を有する方法によって製造できる(図5参照)。
工程(g):フレキシブルプリント配線板50のプリント回路54が設けられた側の表面に、プリント回路54に対応する位置に貫通孔62が形成された絶縁フィルム60を設け、絶縁フィルム付きプリント配線板を得る工程。
工程(h):工程(g)の後、絶縁フィルム付きプリント配線板と、保護フィルム40を剥離した電磁波シールドフィルム2とを、絶縁フィルム60の表面に導電性接着剤層26が接触するように重ね、これらを圧着する工程。
工程(i):工程(h)の後、キャリアフィルム30が不要になった際にキャリアフィルム30を剥離する工程。
工程(j):必要に応じて、工程(g)と工程(h)との間、または工程(i)の後に導電性接着剤層26を本硬化させる工程。
以下、各工程について、図5を参照しながら詳細に説明する。図5において、第二非金属層24及び第三金属層25は図示を省略している。
(Manufacturing method of printed wiring board with electromagnetic wave shield film)
The printed wiring board 4 with an electromagnetic wave shielding film can be manufactured, for example, by a method having the following steps (g) to (j) (see FIG. 5).
Step (g): An insulating
Step (h): After the step (g), the printed wiring board with the insulating film and the electromagnetic
Step (i): A step of peeling the
Step (j): A step of main curing the conductive
Hereinafter, each step will be described in detail with reference to FIG. In FIG. 5, the
工程(g):
工程(g)は、フレキシブルプリント配線板50に絶縁フィルム60を積層して、絶縁フィルム付きプリント配線板を得る工程である。
具体的には、まず、フレキシブルプリント配線板50に、プリント回路54に対応する位置に貫通孔62が形成された絶縁フィルム60を重ねる。次いで、フレキシブルプリント配線板50の表面に絶縁フィルム60の接着剤層(図示略)を接着し、接着剤層を硬化させることによって、絶縁フィルム付きプリント配線板を得る。フレキシブルプリント配線板50の表面に絶縁フィルム60の接着剤層を仮接着し、工程(j)にて接着剤層を本硬化させてもよい。
接着剤層の接着および硬化は、例えば、プレス機(図示略)等による熱プレスによって行う。
Step (g):
The step (g) is a step of laminating the insulating
Specifically, first, an insulating
Adhesion and curing of the adhesive layer are performed, for example, by hot pressing with a press machine (not shown) or the like.
工程(h):
工程(h)は、絶縁フィルム付きプリント配線板に電磁波シールドフィルム2を圧着する工程である。
具体的には、絶縁フィルム付きプリント配線板に、保護フィルム40を剥離した電磁波シールドフィルム2を重ね、熱プレス等により圧着する。これにより、絶縁フィルム60の表面に導電性接着剤層26を接着するとともに、導電性接着剤層26を貫通孔62内に押し込み、貫通孔62内を埋めてプリント回路54に電気的に接続する。これにより、電磁波シールドフィルム付きプリント配線板を得る。
Step (h):
The step (h) is a step of crimping the electromagnetic
Specifically, the electromagnetic
導電性接着剤層26の接着および硬化は、例えば、プレス機(図示略)等による熱プレスによって行う。
熱プレスの時間は、20秒以上60分以下が好ましく、30秒以上30分以下がより好ましい。熱プレスの時間が前記範囲の下限値以上であれば、絶縁フィルム60の表面に導電性接着剤層26を容易に接着できる。熱プレスの時間が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム付きプリント配線板の製造時間を短縮できる。
Adhesion and curing of the conductive
The heat pressing time is preferably 20 seconds or more and 60 minutes or less, and more preferably 30 seconds or more and 30 minutes or less. When the heat pressing time is equal to or greater than the lower limit of the above range, the conductive
熱プレスの温度(プレス機の熱盤の温度)は、140℃以上190℃以下が好ましく、150℃以上175℃以下がより好ましい。熱プレスの温度が前記範囲の下限値以上であれば、絶縁フィルム60の表面に導電性接着剤層26を容易に接着できる。また、熱プレスの時間を短縮できる。熱プレスの温度が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム2、フレキシブルプリント配線板50等の劣化等を容易に抑えることができる。
The temperature of the hot press (the temperature of the hot plate of the press machine) is preferably 140 ° C. or higher and 190 ° C. or lower, and more preferably 150 ° C. or higher and 175 ° C. or lower. When the temperature of the hot press is equal to or higher than the lower limit of the above range, the conductive
熱プレスの圧力は、0.5MPa以上20MPa以下が好ましく、1MPa以上16MPa以下がより好ましい。熱プレスの圧力が前記範囲の下限値以上であれば、絶縁フィルム60の表面に導電性接着剤層26が容易に接着される。また、熱プレスの時間を短縮できる。熱プレスの圧力が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム2、フレキシブルプリント配線板50等の破損等を抑えることができる。
The pressure of the hot press is preferably 0.5 MPa or more and 20 MPa or less, and more preferably 1 MPa or more and 16 MPa or less. When the pressure of the hot press is equal to or higher than the lower limit of the above range, the conductive
工程(i):
工程(i)は、キャリアフィルム30を剥離する工程である。
具体的には、キャリアフィルムが不要になった際に、絶縁樹脂層10からキャリアフィルム30を剥離する。
Step (i):
The step (i) is a step of peeling off the
Specifically, when the carrier film is no longer needed, the
工程(j):
工程(j)は、導電性接着剤層26を本硬化させる工程である。
工程(h)における熱プレスの時間が20秒以上10分以下の短時間である場合、工程(h)と工程(i)との間、または工程(i)の後に導電性接着剤層26の本硬化を行うことが好ましい。シールド層20に熱硬化性樹脂が含まれる場合には、導電性接着剤層26の本硬化とともに、シールド層20を構成する熱硬化性樹脂の本硬化を行うことができる。
導電性接着剤層26の本硬化は、例えば、オーブン等の加熱装置を用いて行う。
加熱時間は、15分以上120分以下であり、30分以上60分以下がより好ましい。
加熱時間が前記範囲の下限値以上であれば、導電性接着剤層26を十分に硬化できる。加熱時間が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム付きプリント配線板の製造時間を短縮できる。
加熱温度(オーブン中の雰囲気温度)は、120℃以上180℃以下が好ましく、120℃以上150℃以下がより好ましい。加熱温度が前記範囲の下限値以上であれば、加熱時間を短縮できる。加熱温度が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム2、フレキシブルプリント配線板50等の劣化等を抑えることができる。
Step (j):
The step (j) is a step of main curing the conductive
When the heat pressing time in the step (h) is as short as 20 seconds or more and 10 minutes or less, the conductive
The main curing of the conductive
The heating time is 15 minutes or more and 120 minutes or less, more preferably 30 minutes or more and 60 minutes or less.
When the heating time is at least the lower limit of the above range, the conductive
The heating temperature (atmospheric temperature in the oven) is preferably 120 ° C. or higher and 180 ° C. or lower, and more preferably 120 ° C. or higher and 150 ° C. or lower. When the heating temperature is equal to or higher than the lower limit of the above range, the heating time can be shortened. When the heating temperature is not more than the upper limit of the above range, deterioration of the electromagnetic
(作用効果)
以上説明した電磁波シールドフィルム付きプリント配線板にあっては、電磁波シールドフィルム2がシールド層20を有するため、電磁波シールドフィルム2において電磁波遮蔽性及び半田耐熱性に優れる。
(Action effect)
In the printed wiring board with the electromagnetic wave shield film described above, since the electromagnetic
(他の実施形態)
本態様の回路基板は、基板の少なくとも片面に回路が設けられた回路基板本体と、回路基板本体の回路が設けられた側の面に隣接する絶縁フィルムと、絶縁フィルムの回路基板本体とは反対側に隣接し、導電性接着剤層が絶縁フィルムに接する本発明の第一態様の電磁波シールドフィルムとを有するものであればよく、図示例の実施形態に限定されない。
例えば、例示したフレキシブルプリント配線板50は、裏面側にグランド層を有するものであってもよい。また、フレキシブルプリント配線板50は、両面にプリント回路54を有し、両面に絶縁フィルム60および電磁波シールドフィルムが貼り付けられたものであってもよい。
また、フレキシブルプリント配線板50の代わりに、柔軟性のないリジッドプリント基板を用いてもよい。
(Other embodiments)
The circuit board of this embodiment is opposite to the circuit board main body in which the circuit is provided on at least one side of the board, the insulating film adjacent to the surface of the circuit board main body on which the circuit is provided, and the circuit board main body of the insulating film. It is not limited to the embodiment of the illustrated example as long as it has the electromagnetic wave shielding film of the first aspect of the present invention which is adjacent to the side and the conductive adhesive layer is in contact with the insulating film.
For example, the illustrated flexible printed
Further, an inflexible rigid printed circuit board may be used instead of the flexible printed
<材料>
以下、図1〜3に例示した電磁波シールドフィルムの符号を用いて説明する。
キャリアフィルムとして、ポリエチレンテレフタレートフィルム(東洋紡製、CN100、厚み50μm)を用意した。
絶縁樹脂層10の形成用塗料として、(メタ)アクリロイル基を有する化合物の溶液(亜細亜工業社製、EXCELATE RUA−054、アクリルポリマーアクリレート、固形分:73質量%、溶剤:酢酸ブチル、メチルイソブチルケトン)の100gに、光ラジカル重合開始剤(BASF社製、イルガキュア(登録商標)184)の1.71g、黒色染料(オリエント化学工業社製、ORIPACS(登録商標)B−20、アゾ化合物クロム錯体)を添加したものを用意した。
非金属層22,24を構成する「絶縁層」の形成用塗料として、熱硬化性接着剤(エポキシ樹脂(DIC社製、EXA−4816)の100質量部と硬化剤(味の素ファインテクノ社製、PN−23)の20質量部とを混合してなる潜在硬化性エポキシ樹脂)と、溶剤(メチルエチルケトン)の200質量部と、を混合した塗料を用意した。
非金属層22,24を構成する「導電性接着剤層」の形成用塗料として、熱硬化性接着剤(エポキシ樹脂(DIC社製、EXA−4816)の100質量部と硬化剤(味の素ファインテクノ社製、PN−23)の20質量部とを混合してなる潜在硬化性エポキシ樹脂)と、導電性粒子(平均粒子径5μmの銅粒子)の40質量部と、溶剤(メチルエチルケトン)の200質量部と、を混合した塗料を用意した。
導電性接着剤層26の形成用塗料として、熱硬化性接着剤(エポキシ樹脂(DIC社製、EXA−4816)の100質量部と硬化剤(味の素ファインテクノ社製、PN−23)の20質量部とを混合してなる潜在硬化性エポキシ樹脂)と、導電性粒子(平均粒子径5μmの銅粒子)の40質量部と、溶剤(メチルエチルケトン)の200質量部と、を混合した塗料を用意した。
保護フィルム40として、粘着フィルム(パナック社製、パナプロテクト(登録商標)ET、粘着力:0.08N/cm、PETフィルム厚さ:50μm)を用意した。
回路基板として厚さ50μmのポリイミドフィルム上に厚さ15μmのエポキシ系接着剤を介して厚さ18μmの銅箔をラミネートし、更に厚さ15μmのエポキシ系接着剤を介して厚さ25μmのポリイミドフィルム(絶縁フィルム)を形成した回路基板(信越化学工業製)を用意した。
<Material>
Hereinafter, description will be made using the reference numerals of the electromagnetic wave shielding films illustrated in FIGS.
As a carrier film, a polyethylene terephthalate film (manufactured by Toyobo, CN100,
As a coating material for forming the insulating
As a coating material for forming the "insulating layer" constituting the
As a paint for forming the "conductive adhesive layer" constituting the
As a paint for forming the conductive
As the
As a circuit board, a copper foil having a thickness of 18 μm is laminated on a polyimide film having a thickness of 50 μm via an epoxy adhesive having a thickness of 15 μm, and a polyimide film having a thickness of 25 μm is further laminated through an epoxy adhesive having a thickness of 15 μm. A circuit board (manufactured by Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd.) on which (insulating film) was formed was prepared.
[実施例1]
キャリアフィルムの表面に、絶縁樹脂層10の形成用塗工液を#4のバーコーターを用いて塗布した。塗膜を100℃で1分間乾燥した後、400mJの紫外線を照射して、絶縁樹脂層10(厚さ:10μm、表面抵抗:1.0×1012Ω/□以上)を設けた。
次いで、絶縁樹脂層10の表面に電子ビーム蒸着法にて銅を物理的に蒸着させ、第一金属層21である銅蒸着膜(厚み:0.1μm)を形成した。
次いで、銅蒸着膜の絶縁樹脂層10と反対側の面に、前記「絶縁層」の形成用塗料を、ダイコーターを用いて塗布し、溶剤を揮発させてBステージ化することによって、第一非金属層22である絶縁層(厚み:2μm)を形成した。
続いて、第一非金属層22である絶縁層の銅蒸着膜と反対の面に、電子ビーム蒸着法にて銅を物理的に蒸着させ、第二金属層23である銅蒸着膜(厚み:0.1μm)を形成した。
最後に、第二金属層23である銅蒸着膜の第一非金属層22と反対の面に、前記導電性接着剤層26の形成用塗料を、ダイコーターを用いて塗布し、溶剤を揮発させてBステージ化することによって、異方導電性接着剤層(厚み:4.5μm、銅粒子:18.3体積%、表面抵抗:10−1Ω/sq.)を形成した。
異方導電性接着剤層の表面に保護フィルムを貼り付けて、図2に示すような電磁波シールドフィルム2を得た。
[Example 1]
The coating liquid for forming the insulating
Next, copper was physically vapor-deposited on the surface of the insulating
Next, the coating material for forming the "insulating layer" is applied to the surface of the copper vapor deposition film opposite to the insulating
Subsequently, copper is physically vapor-deposited on the surface of the insulating layer, which is the
Finally, the coating material for forming the conductive
A protective film was attached to the surface of the anisotropic conductive adhesive layer to obtain an electromagnetic
前記回路基板の絶縁フィルムに、保護フィルムを剥離した電磁波シールドフィルムを重ね、前記回路基板の絶縁フィルムに異方導電性接着剤層が接した状態で、ホットプレス装置(折原製作所社製、G−12)を用い、熱盤温度:170℃、圧力:15MPaで120秒間熱プレスした。これにより、回路基板の絶縁フィルムの表面に異方導電性接着剤層を仮接着した、電磁波シールドフィルム付き回路基板を得た。
電磁波シールドフィルム付き絶縁フィルムを、高温恒温器(楠本化成社製、HT210)に入れて、温度:150℃で1時間加熱することによって、電磁波シールドフィルム中の異方導電性接着剤層を本硬化させた。
電磁波シールドフィルム付き回路基板を所定のサイズにカットして測定試料を作製し、電磁波遮蔽性および半田耐熱性を評価した。結果を表1に示す。
A hot press device (manufactured by Orihara Seisakusho Co., Ltd., G- Using 12), hot pressing was performed at a hot plate temperature: 170 ° C. and a pressure: 15 MPa for 120 seconds. As a result, a circuit board with an electromagnetic wave shielding film was obtained by temporarily adhering an anisotropic conductive adhesive layer to the surface of the insulating film of the circuit board.
The anisotropic conductive adhesive layer in the electromagnetic wave shielding film is finally cured by putting the insulating film with the electromagnetic wave shielding film in a high temperature incubator (manufactured by Kusumoto Kasei Co., Ltd., HT210) and heating at a temperature of 150 ° C. for 1 hour. I let you.
A circuit board with an electromagnetic wave shielding film was cut to a predetermined size to prepare a measurement sample, and the electromagnetic wave shielding property and solder heat resistance were evaluated. The results are shown in Table 1.
[実施例2]
第一非金属層22である絶縁層の厚みを5μmとし、第二金属層23である銅蒸着膜の厚みを1μmとしたこと以外は、実施例1と同様にして、電磁波シールドフィルム付き回路基板を作製し、電磁波遮蔽性および半田耐熱性を評価した。結果を表1に示す。
[Example 2]
Circuit board with electromagnetic wave shielding film in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the insulating layer which is the
[実施例3]
キャリアフィルムの表面に、絶縁樹脂層10の形成用塗工液を#4のバーコーターを用いて塗布した。塗膜を100℃で1分間乾燥した後、400mJの紫外線を照射して、絶縁樹脂層10(厚さ:10μm、表面抵抗:1.0×1012Ω/□以上)を設けた。
次いで、絶縁樹脂層10の表面に電子ビーム蒸着法にて銅を物理的に蒸着させ、第一金属層21である銅蒸着膜(厚み:0.1μm)を形成した。
次に、銅蒸着膜の絶縁樹脂層10と反対側の面に、前記「絶縁層」の形成用塗料を、ダイコーターを用いて塗布し、溶剤を揮発させてBステージ化することによって、第一非金属層22である絶縁層(厚み:2μm)を形成した。
次に、第一非金属層22である絶縁層の銅蒸着膜と反対の面に、電子ビーム蒸着法にて銅を物理的に蒸着させ、第二金属層23である銅蒸着膜(厚み:0.1μm)を形成した。
次に、第二金属層23である銅蒸着膜の第一非金属層2と反対の面に、前記「絶縁層」の形成用塗料を、ダイコーターを用いて塗布し、溶剤を揮発させてBステージ化することによって、第二非金属層24である絶縁層(厚み:2μm)を形成した。
続いて、第二非金属層24である絶縁層の銅蒸着膜と反対の面に、電子ビーム蒸着法にて銅を物理的に蒸着させ、第三金属層25である銅蒸着膜(厚み:0.1μm)を形成した。
最後に、第三金属層25である銅蒸着膜の第二非金属層24と反対の面に、前記導電性接着剤層26の形成用塗料を、ダイコーターを用いて塗布し、溶剤を揮発させてBステージ化することによって、異方導電性接着剤層(厚み:4.5μm、銅粒子:18.3体積%、表面抵抗:10−1Ω/sq.)を形成した。
異方導電性接着剤層の表面に保護フィルムを貼り付けて、図2に示すような電磁波シールドフィルム2を得た。
得られた電磁波シールドフィルム2の異方導電性接着剤層に、実施例1と同様にして回路基板を接着し、電磁波シールドフィルム付き回路基板を作製し、電磁波遮蔽性および半田耐熱性を評価した。結果を表1に示す。
[Example 3]
The coating liquid for forming the insulating
Next, copper was physically vapor-deposited on the surface of the insulating
Next, the coating material for forming the "insulating layer" is applied to the surface of the copper vapor deposition film on the side opposite to the insulating
Next, copper is physically vapor-deposited on the surface of the insulating layer, which is the
Next, the coating material for forming the "insulating layer" is applied to the surface of the copper vapor deposition film, which is the
Subsequently, copper is physically vapor-deposited on the surface of the insulating layer, which is the
Finally, the coating material for forming the conductive
A protective film was attached to the surface of the anisotropic conductive adhesive layer to obtain an electromagnetic
A circuit board was bonded to the obtained anisotropic conductive adhesive layer of the electromagnetic
[実施例4]
第一金属層21である銅蒸着膜の厚みを0.3μmとし、第一非金属層22である絶縁層の厚みを1μmとし、第二金属層23である銅蒸着膜の厚みを0.7μmとしたこと以外は、実施例1と同様にして、電磁波シールドフィルム付き回路基板を作製し、電磁波遮蔽性および半田耐熱性を評価した。結果を表1に示す。
[Example 4]
The thickness of the copper vapor deposition film of the
[実施例5]
キャリアフィルムの表面に、絶縁樹脂層10の形成用塗工液を#4のバーコーターを用いて塗布した。塗膜を100℃で1分間乾燥した後、400mJの紫外線を照射して、絶縁樹脂層10(厚さ:10μm、表面抵抗:1.0×1012Ω/□以上)を設けた。
次いで、絶縁樹脂層10の表面に電子ビーム蒸着法にて銅を物理的に蒸着させ、第一金属層21である銅蒸着膜(厚み:0.1μm)を形成した。
次いで、銅蒸着膜の絶縁樹脂層10と反対側の面に、前記「導電性接着剤層」の形成用塗料を、ダイコーターを用いて塗布し、溶剤を揮発させてBステージ化することによって、第一非金属層22である異方導電性接着剤層(厚み:3μm、銅粒子:18.3体積%)を形成した。
続いて、第一非金属層22である絶縁層の銅蒸着膜と反対の面に、電子ビーム蒸着法にて銅を物理的に蒸着させ、第二金属層23である銅蒸着膜(厚み:0.8μm)を形成した。
最後に、第二金属層23である銅蒸着膜の第一非金属層22と反対の面に、前記導電性接着剤層26の形成用塗料を、ダイコーターを用いて塗布し、溶剤を揮発させてBステージ化することによって、異方導電性接着剤層(厚み:4.5μm、銅粒子:18.3体積%、表面抵抗:10−1Ω/sq.)を形成した。
異方導電性接着剤層の表面に保護フィルムを貼り付けて、図2に示すような電磁波シールドフィルム2を得た。
得られた電磁波シールドフィルム2の異方導電性接着剤層に、実施例1と同様にして回路基板を接着し、電磁波シールドフィルム付き回路基板を作製し、電磁波遮蔽性および半田耐熱性を評価した。結果を表1に示す。
[Example 5]
The coating liquid for forming the insulating
Next, copper was physically vapor-deposited on the surface of the insulating
Next, the coating material for forming the "conductive adhesive layer" is applied to the surface of the copper vapor deposition film opposite to the insulating
Subsequently, copper is physically vapor-deposited on the surface of the insulating layer, which is the
Finally, the coating material for forming the conductive
A protective film was attached to the surface of the anisotropic conductive adhesive layer to obtain an electromagnetic
A circuit board was bonded to the obtained anisotropic conductive adhesive layer of the electromagnetic
[比較例1]
基材フィルム付き銅箔(三井金属鉱山社製、銅箔厚み:5μm)を用意し、銅箔の前記基材フィルムと反対の面に、前記導電性接着剤層26の形成用塗料を、ダイコーターを用いて塗布し、溶剤を揮発させてBステージ化することによって、異方導電性接着剤層(厚み:4.5μm、銅粒子:18.3体積%、表面抵抗:10−1Ω/sq.)を形成した。
異方導電性接着剤層の表面に保護フィルムを貼り付けて、比較例1の電磁波シールドフィルムとした。
前記回路基板の絶縁フィルムに、基材フィルム及び保護フィルムを剥離した電磁波シールドフィルムを重ね、前記回路基板の絶縁フィルムに異方導電性接着剤層が接した状態で、ホットプレス装置(折原製作所社製、G−12)を用い、熱盤温度:170℃、圧力:15MPaで120秒間熱プレスした。これにより、回路基板の表面に異方導電性接着剤層を仮接着した、電磁波シールドフィルム付き回路基板を得た。
電磁波シールドフィルム付き回路基板を、高温恒温器(楠本化成社製、HT210)に入れて、温度:150℃で1時間加熱することによって、電磁波シールドフィルム中の異方導電性接着剤層を本硬化させた。
電磁波シールドフィルム付き回路基板を所定のサイズにカットして測定試料を作製し、電磁波遮蔽性および半田耐熱性を評価した。結果を表1に示す。
[Comparative Example 1]
A copper foil with a base film (manufactured by Mitsui Metal Mining Co., Ltd., copper foil thickness: 5 μm) was prepared, and a coating material for forming the conductive
A protective film was attached to the surface of the anisotropic conductive adhesive layer to obtain an electromagnetic wave shielding film of Comparative Example 1.
A hot press device (Orihara Seisakusho Co., Ltd.) in which an electromagnetic wave shielding film from which the base film and the protective film have been peeled off is overlaid on the insulating film of the circuit board, and the anisotropic conductive adhesive layer is in contact with the insulating film of the circuit board. The film was hot-pressed at a hot plate temperature: 170 ° C. and a pressure of 15 MPa for 120 seconds using G-12). As a result, a circuit board with an electromagnetic wave shielding film was obtained by temporarily adhering an anisotropic conductive adhesive layer to the surface of the circuit board.
A circuit board with an electromagnetic wave shielding film is placed in a high-temperature incubator (manufactured by Kusumoto Kasei Co., Ltd., HT210) and heated at a temperature of 150 ° C. for 1 hour to cure the anisotropic conductive adhesive layer in the electromagnetic wave shielding film. I let you.
A circuit board with an electromagnetic wave shielding film was cut to a predetermined size to prepare a measurement sample, and the electromagnetic wave shielding property and solder heat resistance were evaluated. The results are shown in Table 1.
[比較例2]
第一非金属層22と第二金属層23を設けなかったこと以外は実施例1と同様にして、比較例2の電磁波シールドフィルム付き回路基板を得た。
比較例2の電磁波シールドフィルム付き回路基板を所定のサイズにカットして測定試料を作製し、電磁波遮蔽性および半田耐熱性を評価した。結果を表1に示す。
[Comparative Example 2]
A circuit board with an electromagnetic wave shielding film of Comparative Example 2 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the
The circuit board with the electromagnetic wave shielding film of Comparative Example 2 was cut to a predetermined size to prepare a measurement sample, and the electromagnetic wave shielding property and the solder heat resistance were evaluated. The results are shown in Table 1.
<評価>
各例の電磁波シールドフィルム付き回路基板について、下記の方法により、電磁波遮蔽性および半田耐熱性を評価した。
<Evaluation>
The electromagnetic wave shielding property and solder heat resistance of the circuit boards with the electromagnetic wave shielding film of each example were evaluated by the following methods.
(電磁波遮蔽性)
図6に示すKEC法の測定システム(テクノサイエンスジャパン社製、KEC法シールド特性測定システム)および図7に示すKEC法の測定冶具を用い、測定試料(たて×よこ=10cm×11cm)の電磁波遮蔽性を評価した。KEC法は関西電子工業振興センターで開発された公知方法である。
図7に示すように、KEC法冶具104は送信用冶具(送信アンテナ107を備える側)と、受信用冶具(受信アンテナ109を備える側)とに分かれており、その間に測定試料108を入れるようになっている。KEC法では、KEC法冶具を用いて、受信側でどれだけ信号が減衰するかを評価する方法である。
まず、図6に示すように、信号発生器102から出力した信号を、アッテネータ103を通して、KEC法冶具104の送信アンテナ107に入力した。受信側では、受信アンテナ109に到達した信号をプリアンプ105で増幅してから、スペクトラムアナライザ106により信号レベルを測定した。以上の操作をパソコン101で制御した。
以下の評価基準で、測定試料の電磁波遮蔽性を評価した。
◎:1GHz時の電波減衰量が70dB以上。
○:1GHz時の電波減衰量が60dB以上70dB未満。
×:1GHz時の電波減衰量が60dB未満。
(Electromagnetic wave shielding property)
Using the KEC method measurement system shown in FIG. 6 (KEC method shield characteristic measurement system manufactured by Technoscience Japan) and the KEC method measurement jig shown in FIG. 7, the electromagnetic wave of the measurement sample (vertical x horizontal = 10 cm x 11 cm). The shielding property was evaluated. The KEC method is a known method developed at the Kansai Electronics Industry Promotion Center.
As shown in FIG. 7, the
First, as shown in FIG. 6, the signal output from the
The electromagnetic wave shielding property of the measurement sample was evaluated according to the following evaluation criteria.
⊚: The amount of radio wave attenuation at 1 GHz is 70 dB or more.
◯: The amount of radio wave attenuation at 1 GHz is 60 dB or more and less than 70 dB.
X: The amount of radio wave attenuation at 1 GHz is less than 60 dB.
(半田耐熱性)
JIS C 6481に準拠して、25mm各の測定試料を22℃、90%RHの雰囲気下で24時間調湿した後、260℃半田浴上に30秒間浮かべ、各例で作製した電磁波シールドフィルム付き回路基板において、各層間の剥がれと膨れの発生を下記の基準にて評価した。
〇:剥がれや膨れの発生が全くない。
×:剥がれや膨れが発生した。
(Solder heat resistance)
According to JIS C 6481, each measurement sample of 25 mm was humidity-controlled for 24 hours in an atmosphere of 22 ° C and 90% RH, and then floated on a 260 ° C solder bath for 30 seconds with the electromagnetic wave shield film prepared in each example. In the circuit board, the occurrence of peeling and swelling between each layer was evaluated according to the following criteria.
〇: No peeling or swelling occurs.
X: Peeling or swelling occurred.
<評価結果の考察>
実施例1〜5の電磁波シールドフィルムは、複数の金属層を有するので、1層の金属層を備える場合よりも電磁波の反射界面が多くなっており、各金属層の厚みが薄いにも関わらず、電磁波遮蔽性が優れる。また、各金属層の厚みが1μm以下であることにより、導電性接着剤層から発生したガスが各金属層間で滞留することがなく、膨れが防止されているので、半田耐熱性も優れている。
実施例1と比べて、実施例2〜5は、各金属層の合計の厚み(総厚み)が厚くなっていることにより、実施例1よりも優れた電磁波遮蔽性を示している。
比較例1の電磁波シールドフィルムは、実施例1〜5に比べて格段に厚いので、優れた電磁波遮蔽性を示すが、半田耐熱性試験結果が悪いことから、回路基板に貼付された後で電子部品を実装する際のはんだリフロー処理によって劣化し、絶縁フィルムに対する接着性が損なわれることが明らかである。
比較例2の電磁波シールドフィルムは、実施例1〜5に比べて金属層の総厚みが薄く、電磁波の反射界面も少ないので、電磁波遮蔽性が劣っている。
<Discussion of evaluation results>
Since the electromagnetic wave shield films of Examples 1 to 5 have a plurality of metal layers, the electromagnetic wave reflection interfaces are larger than those of the case where one metal layer is provided, and the thickness of each metal layer is thin. , Excellent electromagnetic wave shielding property. Further, since the thickness of each metal layer is 1 μm or less, the gas generated from the conductive adhesive layer does not stay between the metal layers and swelling is prevented, so that the solder heat resistance is also excellent. ..
Compared with Example 1, Examples 2 to 5 show better electromagnetic wave shielding properties than Example 1 because the total thickness (total thickness) of each metal layer is thicker.
Since the electromagnetic wave shielding film of Comparative Example 1 is much thicker than that of Examples 1 to 5, it exhibits excellent electromagnetic wave shielding property, but since the solder heat resistance test result is poor, it is electron after being attached to the circuit board. It is clear that the solder reflow treatment at the time of mounting the component deteriorates and the adhesiveness to the insulating film is impaired.
The electromagnetic wave shielding film of Comparative Example 2 is inferior in electromagnetic wave shielding property because the total thickness of the metal layer is thinner and the reflection interface of electromagnetic waves is smaller than that of Examples 1 to 5.
以上から、複数の金属層を有するシールド層を備えた本発明にかかる電磁波シールドフィルムにあっては、1層の金属層を有する従来の電磁波シールドフィルムが両立し得なかった、電磁波遮蔽性および半田耐熱性の両方に優れることが明らかである。 From the above, in the electromagnetic wave shield film according to the present invention having a shield layer having a plurality of metal layers, the conventional electromagnetic wave shield film having one metal layer cannot be compatible with the electromagnetic wave shielding property and solder. It is clear that it is excellent in both heat resistance.
1 電磁波シールドフィルム
2 電磁波シールドフィルム
3 電磁波シールドフィルム
4 回路基板
10 絶縁樹脂層
20 シールド層
21、23、25 金属層
22、24 非金属層
26 導電性接着剤層
40 保護フィルム
41 粘着剤層
42 保護フィルム本体
50 フレキシブルプリント配線板
52 ベースフィルム
54 プリント回路
60 絶縁フィルム
62 貫通孔
100 KEC法の測定システム
101 パソコン
102 信号発生器
103 アッテネータ
104 KEC法冶具
105 プリアンプ
106 スペクトラムアナライザ
107 送信アンテナ
108 測定試料
109 受信アンテナ
1 Electromagnetic
Claims (6)
前記シールド層は、複数の厚さ1μm以下の金属層と、前記複数の金属層の間に介在する非金属層と、を備える、電磁波シールドフィルム。 An electromagnetic wave shielding film comprising an insulating resin layer, a shield layer adjacent to the insulating resin layer, and a conductive adhesive layer provided on the opposite side of the shield layer from the insulating resin layer.
The shield layer is an electromagnetic wave shielding film including a plurality of metal layers having a thickness of 1 μm or less and a non-metal layer interposed between the plurality of metal layers.
前記一方の面に隣接する絶縁フィルムと、
前記絶縁フィルムの前記回路基板本体とは反対側に隣接する請求項1〜5のいずれか一項に記載の電磁波シールドフィルムと、を備え、
前記電磁波シールドフィルムにおける前記導電性接着剤層が、前記絶縁フィルムに接着している、回路基板。 A circuit board body with circuits on at least one side of the board,
With an insulating film adjacent to one of the surfaces,
The electromagnetic wave shielding film according to any one of claims 1 to 5, which is adjacent to the side of the insulating film opposite to the circuit board main body, is provided.
A circuit board in which the conductive adhesive layer of the electromagnetic wave shielding film is adhered to the insulating film.
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003115691A (en) * | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Tdk Corp | Film-like emi filter |
WO2014192494A1 (en) * | 2013-05-29 | 2014-12-04 | タツタ電線株式会社 | Electromagnetic wave shielding film, printed wire board using same, and rolled copper foil |
US9035199B2 (en) * | 2010-05-19 | 2015-05-19 | Molex Incorporated | EMI shielding member, particularly suitable for shielding of module cages |
JP2019016782A (en) * | 2017-07-03 | 2019-01-31 | 信越ポリマー株式会社 | Electromagnetic wave shielding film and method of producing the same, and printed wiring board with electromagnetic wave shielding film and method of manufacturing the same |
JP2019021837A (en) * | 2017-07-20 | 2019-02-07 | 信越ポリマー株式会社 | Electromagnetic wave shield film, method for manufacturing the same, electromagnetic wave shield film-attached printed wiring board and method for manufacturing the same |
-
2019
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003115691A (en) * | 2001-10-04 | 2003-04-18 | Tdk Corp | Film-like emi filter |
US9035199B2 (en) * | 2010-05-19 | 2015-05-19 | Molex Incorporated | EMI shielding member, particularly suitable for shielding of module cages |
WO2014192494A1 (en) * | 2013-05-29 | 2014-12-04 | タツタ電線株式会社 | Electromagnetic wave shielding film, printed wire board using same, and rolled copper foil |
JP2019016782A (en) * | 2017-07-03 | 2019-01-31 | 信越ポリマー株式会社 | Electromagnetic wave shielding film and method of producing the same, and printed wiring board with electromagnetic wave shielding film and method of manufacturing the same |
JP2019021837A (en) * | 2017-07-20 | 2019-02-07 | 信越ポリマー株式会社 | Electromagnetic wave shield film, method for manufacturing the same, electromagnetic wave shield film-attached printed wiring board and method for manufacturing the same |
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