JP2020136399A - 配線基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】配線部と絶縁材料層が十分な密着性を有するとともに十分な絶縁信頼性を有する配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の配線基板の製造方法は、（Ａ）支持基板上に第１絶縁材料層を形成する工程と、（Ｂ）第１絶縁材料層に第１開口部を形成する工程と、（Ｃ）第１絶縁材料層上にシード層を形成する工程と、（Ｄ）シード層の表面上にレジストパターンを設ける工程と、（Ｅ）パッドと配線とを含む配線部を形成する工程と、（Ｆ）レジストパターンを除去する工程と、（Ｇ）シード層を除去する工程と、（Ｈ）パッドの表面に対して第１表面処理を施す工程と、（Ｉ）第２絶縁材料層を形成する工程と、（Ｊ）第２絶縁材料層に第２開口部を形成する工程と、（Ｋ）パッドの表面に対して第２表面処理を施す工程と、（Ｌ）第２絶縁材料層のガラス転移温度以上の温度に第２絶縁材料層を加熱する工程とを含む。【選択図】図４
Description
本発明は配線基板の製造方法に関する。
半導体パッケージの高密度化及び高性能化を目的に、異なる性能のチップを一つのパッケージに混載する実装形態が提案されており、コスト面に優れたチップ間の高密度インターコネクト技術が重要になっている（例えば特許文献１参照）。
パッケージ上に異なるパッケージをフリップチップ実装によって積層することで接続するパッケージ・オン・パッケージがスマートフォン及びタブレット端末に広く採用されている（例えば非特許文献１，２参照）。更に高密度で実装するための形態として、高密度配線を有する有機基板を用いたパッケージ技術（有機インターポーザ）、スルーモールドビア（ＴＭＶ）を有するファンアウト型のパッケージ技術（ＦＯ−ＷＬＰ）、シリコン又はガラスインターポーザを用いたパッケージ技術、シリコン貫通電極（ＴＳＶ）を用いたパッケージ技術、基板に埋め込まれたチップをチップ間伝送に用いるパッケージ技術等が提案されている。特に、有機インターポーザ及びＦＯ−ＷＬＰでは、半導体チップ同士を並列して搭載する場合には、高密度で導通させるために微細配線層が必要となる（例えば特許文献２参照）。
Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｍｏｌｄ Ｖｉａ（ＴＭＶ） ａｓ ＰｏＰ Ｂａｓｅ Ｐａｃｋａｇｅ， Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ（ＥＣＴＣ），２００８
Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｌｏｗ Ｐｒｏｆｉｌｅ ＰｏＰ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｗｉｔｈ Ｅｍｂｅｄｄｅｄ Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ ＰｏＰ（ｅＷＬＢ−ＰｏＰ）Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ＥＣＴＣ，２０１２
上記特許文献１に記載の技術では、デスミア処理後、無電解めっき、レジストパターニング、電解めっき、レジストはく離、シードエッチング及び絶縁材料形成の工程を経て配線が形成される。配線と絶縁材料との密着を確保するためには、配線表面をエッチング等で適度に粗い状態とし、アンカー効果により絶縁材料を配線に強固に固定する必要がある。
ところで、近年、配線基板は高周波帯における伝送損失の低減が求められている。上記のように、配線表面を粗くすると、表皮効果により伝送損失が大きくなる。しかし、配線基板の製造方法において、配線表面を粗くする工程を経ずに絶縁材料層を形成した場合、配線表面との密着性が悪くなることで電気絶縁性が悪化するという別の課題が生じる。したがって、配線と絶縁材料との密着性を担保しつつ、優れた電気絶縁性を示す配線基板を製造することが課題である。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、配線部と絶縁材料層が十分な密着性を有するとともに十分な絶縁信頼性を有する配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
本発明に係る配線基板の製造方法は以下の工程を含む。
（Ａ）支持基板上に第１絶縁材料層を形成する工程
（Ｂ）第１絶縁材料層に第１開口部を形成する工程
（Ｃ）第１絶縁材料層の表面上に無電解めっきによってシード層を形成する工程
（Ｄ）シード層の表面上に配線部形成用のレジストパターンを設ける工程
（Ｅ）シード層の表面であってレジストパターンから露出している領域に、パッドと配線とを含む配線部を電解めっきによって形成する工程
（Ｆ）レジストパターンを除去する工程
（Ｇ）レジストパターンの除去によって露出したシード層を除去する工程
（Ｈ）配線部の表面に対して第１表面処理を施す工程
（Ｉ）配線部を覆うように、第２絶縁材料層を形成する工程
（Ｊ）第２絶縁材料層における、パッドに対応する位置に第２開口部を形成する工程
（Ｋ）パッドの表面に対して第２表面処理を施す工程
（Ｌ）第２絶縁材料層のガラス転移温度以上の温度に第２絶縁材料層を加熱する工程
（Ａ）支持基板上に第１絶縁材料層を形成する工程
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（Ｈ）配線部の表面に対して第１表面処理を施す工程
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（Ｋ）パッドの表面に対して第２表面処理を施す工程
（Ｌ）第２絶縁材料層のガラス転移温度以上の温度に第２絶縁材料層を加熱する工程
上記工程（Ｈ）において、配線部の表面に対して第２絶縁材料層との密着性が向上する処理（第１表面処理）を施すことで、配線部と第２絶縁材料層の密着性を向上できる。第１表面処理の具体例として、金属材料からなる配線部と第２絶縁材料層との密着性を向上する有機成分を含む表面処理剤を使用した処理が挙げられる。第１表面処理が施された配線部の表面の平均粗さＲａは、例えば、４０〜８０ｎｍである。配線部の表面に対して第１表面処理を施すことで、配線部の表面を過度に粗くしなくても配線部と第２絶縁材料層との密着性を十分に高くできる。工程（Ｊ）後において、配線に対する第２絶縁材料層のピール強度は、例えば、０．２〜０．７ｋＮ／ｍである。また、配線部の表面が過度に粗くないことで伝送損失を十分に小さくできる。第１絶縁層上に微細な配線パターンを形成する場合、上記工程（Ｄ）において、例えば、ライン幅０．５〜２０μｍの溝状の開口を有するレジストパターンを形成すればよい。
本発明によれば、上記工程（Ｋ）においてパッドの表面に対して第２表面処理を施すことでパッドの優れた導電性が得られる。すなわち、上記工程（Ｈ）の第１表面処理によってパッドの表面に表面処理層が形成され、仮にこの層がパッドの導電性を低下させるものであったとしても、例えば、上記工程（Ｋ）においてこの層を除去する処理を施すことで、パッドの導電性を回復させることができる。また、本発明によれば、上記工程（Ｈ）及び上記工程（Ｌ）の両方を実施することで、配線部Ｃと第２絶縁材料層２の密着性をより一層向上でき、絶縁信頼性に優れた配線基板を製造することができる。
上記製造方法は、工程（Ｂ）と工程（Ｃ）との間に、第１絶縁材料層上及び／又は第１開口部内の残渣を除去する工程を更に含んでもよい。残渣を除去する処理はデスミア処理と称されることがある。第１絶縁材料層及び第２絶縁材料層の少なくとも一方は感光性樹脂を含むものであってもよい。絶縁材料層が感光性樹脂を含む場合、例えば、フォトリソグラフィープロセスによって開口部を形成することができる。
上記第２開口部はパッドに対応する位置に形成されていることが好ましい。この場合、上記製造方法は、第２開口部内におけるパッドの表面に対して第２表面処理を施す工程を更に含んでもよい。第１表面処理を施す工程において、上述のような有機成分を含む表面処理剤を使用した場合、第２表面処理によってパッドの表面から当該表面処理剤を除去することができる。第２表面処理は、例えば、酸素プラズマ処理、アルゴンプラズマ処理及びデスミア処理からなる群から選ばれる少なくとも一種である。
本発明によれば、配線部と絶縁材料層が十分な密着性を有するとともに十分な絶縁信頼性を有する配線基板の製造方法が提供される。
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明する。以下の説明では、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。
本明細書の記載及び請求項において「左」、「右」、「正面」、「裏面」、「上」、「下」、「上方」、「下方」等の用語が利用されている場合、これらは、説明を意図したものであり、必ずしも永久にこの相対位置である、という意味ではない。また、「層」との語は、平面図として観察したときに、全面に形成されている形状の構造に加え、一部に形成されている形状の構造も包含される。
図面を参照しながら、本発明の実施形態に係る配線基板の製造方法について説明する。本実施形態に係る配線基板の製造方法は少なくとも以下の工程を含む。
（Ａ）支持基板Ｓ上に第１絶縁材料層１を形成する工程
（Ｂ）第１絶縁材料層１に第１開口部Ｈ１を形成する工程
（Ｃ）第１絶縁材料層１の表面上に無電解めっきによってシード層Ｔを形成する工程
（Ｄ）シード層Ｔの表面上に配線部形成用のレジストパターンＲを設ける工程
（Ｅ）シード層Ｔの表面であってレジストパターンＲから露出している領域に、パッドＣ１と配線Ｃ２とを含む配線部Ｃを電解めっきによって形成する工程
（Ｆ）レジストパターンＲを除去する工程
（Ｇ）レジストパターンＲの除去によって露出したシード層Ｔを除去する工程
（Ｈ）パッドＣ１及び配線Ｃ２の表面に対して第１表面処理を施す工程
（Ｉ）パッドＣ１及び配線Ｃ２を覆うように、第２絶縁材料層２を形成する工程
（Ｊ）第２絶縁材料層２に第２開口部Ｈ２を形成する工程
（Ｋ）第２開口部Ｈ２内におけるパッドＣ１の表面に対して第２表面処理を施す工程
（Ｌ）第２絶縁材料層２のガラス転移温度以上の温度に第２絶縁材料層２を加熱する工程
（Ａ）支持基板Ｓ上に第１絶縁材料層１を形成する工程
（Ｂ）第１絶縁材料層１に第１開口部Ｈ１を形成する工程
（Ｃ）第１絶縁材料層１の表面上に無電解めっきによってシード層Ｔを形成する工程
（Ｄ）シード層Ｔの表面上に配線部形成用のレジストパターンＲを設ける工程
（Ｅ）シード層Ｔの表面であってレジストパターンＲから露出している領域に、パッドＣ１と配線Ｃ２とを含む配線部Ｃを電解めっきによって形成する工程
（Ｆ）レジストパターンＲを除去する工程
（Ｇ）レジストパターンＲの除去によって露出したシード層Ｔを除去する工程
（Ｈ）パッドＣ１及び配線Ｃ２の表面に対して第１表面処理を施す工程
（Ｉ）パッドＣ１及び配線Ｃ２を覆うように、第２絶縁材料層２を形成する工程
（Ｊ）第２絶縁材料層２に第２開口部Ｈ２を形成する工程
（Ｋ）第２開口部Ｈ２内におけるパッドＣ１の表面に対して第２表面処理を施す工程
（Ｌ）第２絶縁材料層２のガラス転移温度以上の温度に第２絶縁材料層２を加熱する工程
本実施形態に係る配線基板は、微細化及び多ピン化が必要とされる形態において好適であり、特に、異種チップを混載するためのインターポーザが必要なパッケージ形態において好適である。より具体的には、本実施形態に係る製造方法は、ピンの間隔が２００μｍ以下（より微細な場合には例えば３０〜１００μｍ）であり且つピンの本数が５００本以上（より微細な場合には例えば１０００〜１００００本）のパッケージ形態において好適である。以下、各工程について説明する。
＜支持基板上に第１絶縁材料層を形成する工程＞
支持基板Ｓ上に第１絶縁材料層１を形成する（図１（ａ））。支持基板Ｓは、特に限定されないが、シリコン板、ガラス板、ＳＵＳ板、ガラスクロス入り基板、半導体素子入り封止樹脂等であり、高剛性からなる基板が好適である。図１（ａ）に示したとおり、支持基板Ｓは絶縁材料層を形成する側の表面に導電層Ｓａが形成されたものであってもよい。支持基板Ｓは、導電層Ｓａの代わりに配線及び／又はパッドを表面に有するものであってもよい。
支持基板Ｓ上に第１絶縁材料層１を形成する（図１（ａ））。支持基板Ｓは、特に限定されないが、シリコン板、ガラス板、ＳＵＳ板、ガラスクロス入り基板、半導体素子入り封止樹脂等であり、高剛性からなる基板が好適である。図１（ａ）に示したとおり、支持基板Ｓは絶縁材料層を形成する側の表面に導電層Ｓａが形成されたものであってもよい。支持基板Ｓは、導電層Ｓａの代わりに配線及び／又はパッドを表面に有するものであってもよい。
支持基板Ｓの厚さは０．２ｍｍから２．０ｍｍの範囲であることが好ましい。０．２ｍｍより薄い場合はハンドリングが困難になる一方、２．０ｍｍより厚い場合は材料費が高くなる傾向にある。支持基板Ｓはウェハ状でもパネル状でも構わない。サイズは特に限定されないが、直径２００ｍｍ、直径３００ｍｍ又は直径４５０ｍｍのウェハ、あるいは、一辺が３００〜７００ｍｍの矩形パネルが好ましく用いられる。
第１絶縁材料層１を構成する材料として感光性樹脂材料を採用することが好ましい。感光性絶縁材料としては、液状又はフィルム状のものが挙げられ、膜厚平坦性とコストの観点からフィルム状の感光性絶縁材料が好ましい。また、微細な配線を形成できる点で、感光性絶縁材料は平均粒径５００ｎｍ以下（より好ましくは５０〜２００ｎｍ）のフィラ（充填材）を含有することが好ましい。感光性絶縁材料のフィラ含有量は、フィラを除く感光性絶縁材料の質量１００質量部に対して０〜７０質量部が好ましく、１０〜５０質量部がより好ましい。
フィルム状の感光性絶縁材料を使用する場合、そのラミネート工程はなるべく低温で実施することが好ましく、４０℃〜１２０℃でラミネート可能な感光性絶縁フィルムを採用することが好ましい。ラミネート可能な温度が４０℃を下回る感光性絶縁フィルムは常温（約２５℃）でのタックが強く取り扱い性に悪化する傾向があり、１２０℃を上回る感光性絶縁フィルムはラミネート後に反りが大きくなる傾向がある。
第１絶縁材料層１の硬化後の熱膨張係数は、反り抑制の観点から８０×１０−６／Ｋ以下であることが好ましく、高信頼性が得られる点で７０×１０−６／Ｋ以下であることがより好ましい。また、絶縁材料の応力緩和性、高精細なパターンが得られる点で２０×１０−６／Ｋ以上であることが好ましい。
第１絶縁材料層１の厚さは、１０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であることがより好ましく、３μｍ以下であることが更に好ましい。絶縁信頼性の観点から第１絶縁材料層１の厚さが上記範囲内であることが好ましい。
＜第１絶縁材料層の表面に第１開口部を形成する工程＞
第１絶縁材料層１の表面に支持基板Ｓ又は導電層Ｓａにまで至る第１開口部Ｈ１を形成する（図１（ｂ））。本実施形態において、第１開口部Ｈ１は、第１絶縁材料層１をその厚さ方向に貫通するように形成されており、底面（導電層Ｓａの表面）と側面（絶縁材料層１）とによって構成されている。第１絶縁材料層１が感光性樹脂材料で形成されている場合、フォトリソグラフィープロセス（露光及び現像）によって第１開口部Ｈ１を形成することができる。
第１絶縁材料層１の表面に支持基板Ｓ又は導電層Ｓａにまで至る第１開口部Ｈ１を形成する（図１（ｂ））。本実施形態において、第１開口部Ｈ１は、第１絶縁材料層１をその厚さ方向に貫通するように形成されており、底面（導電層Ｓａの表面）と側面（絶縁材料層１）とによって構成されている。第１絶縁材料層１が感光性樹脂材料で形成されている場合、フォトリソグラフィープロセス（露光及び現像）によって第１開口部Ｈ１を形成することができる。
感光性樹脂材料の露光方法としては、通常の投影露光方式、コンタクト露光方式、直描露光方式等を用いることができる。現像方法としては炭酸ナトリウム又はＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）のアルカリ水溶液を用いることが好ましい。第１開口部Ｈ１を形成した後、第１絶縁材料層１を更に加熱硬化させてもよい。例えば、加熱温度は１００℃〜２００℃、加熱時間は３０分〜３時間の間で実施される。
フォトリソグラフィープロセス以外の方法（例えば、レーザーアブレーション、サンドブラスト、ウォーターブラスト、インプリント）によって第１絶縁材料層１に第１開口部Ｈ１を形成してもよい。例えば、第１絶縁材料層１が熱硬化性樹脂材料で形成されている場合、第１開口部Ｈ１を形成可能な点から、レーザーアブレーションが好ましい。レーザーアブレーションによる開口方法としては、ＣＯ２レーザー、ＵＶ−ＹＡＧレーザーなどにより形成できるが、コストの観点から、ＣＯ２レーザーを用いた開口方法が好ましい。第１開口部Ｈ１から露出した導電層Ｓａの表面の樹脂残渣をデスミア処理で取り除いてもよい。このデスミア処理によって第１絶縁材料層１の表面を粗面化してもよい。図１（ｃ）に示す表面Ｆはデスミア処理が施された表面を示したものである。
＜第１絶縁材料層の表面にシード層を形成する工程＞
第１絶縁材料層１の表面に、無電解めっきによりシード層Ｔを形成する（図１（ｄ））。本実施形態においては、まず、無電解銅めっきの触媒となるパラジウムを第１絶縁材料層１の表面に吸着させるため、第１絶縁材料層１の表面を前処理液で洗浄する。前処理液は水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムを含む市販のアルカリ性前処理液でよい。水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムの濃度は１％〜３０％の間で実施される。前処理液への浸漬時間は１分〜６０分の間で実施される。前処理液への浸漬温度は２５℃〜８０℃の間で実施される。前処理した後、余分な前処理液を除去するため、市水、純水、超純水又は有機溶剤で洗浄してもよい。なお、第１絶縁材料層１の表面にシード層Ｔを形成する前に、第１絶縁材料層１の表面を紫外線照射、電子線照射、オゾン水処理、コロナ放電処理、プラズマ処理等の方法で改質してもよい。
第１絶縁材料層１の表面に、無電解めっきによりシード層Ｔを形成する（図１（ｄ））。本実施形態においては、まず、無電解銅めっきの触媒となるパラジウムを第１絶縁材料層１の表面に吸着させるため、第１絶縁材料層１の表面を前処理液で洗浄する。前処理液は水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムを含む市販のアルカリ性前処理液でよい。水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムの濃度は１％〜３０％の間で実施される。前処理液への浸漬時間は１分〜６０分の間で実施される。前処理液への浸漬温度は２５℃〜８０℃の間で実施される。前処理した後、余分な前処理液を除去するため、市水、純水、超純水又は有機溶剤で洗浄してもよい。なお、第１絶縁材料層１の表面にシード層Ｔを形成する前に、第１絶縁材料層１の表面を紫外線照射、電子線照射、オゾン水処理、コロナ放電処理、プラズマ処理等の方法で改質してもよい。
前処理液除去後、第１絶縁材料層１の表面からアルカリイオンを除去するために、酸性水溶液で浸漬洗浄する。酸性水溶液は硫酸水溶液でよく、濃度は１％〜２０％、浸漬時間は１分〜６０分の間で実施される。酸性水溶液を除去するため、市水、純水、超純水又は有機溶剤で洗浄してもよい。
続いて、酸性水溶液で浸漬洗浄がなされた後の第１絶縁材料層１の表面にパラジウムを付着させる。パラジウムは、市販のパラジウム-スズコロイド溶液、パラジウムイオンを含む水溶液、パラジウムイオン懸濁液等でよいが、改質層に効果的に吸着するパラジウムイオンを含む水溶液が好ましい。
パラジウムイオンを含む水溶液に浸漬する際、パラジウムイオンを含む水溶液の温度は、２５℃〜８０℃、吸着させるための浸漬時間は１分〜６０分の間で実施される。パラジウムイオンを吸着させた後、余分なパラジウムイオンを除去するため、市水、純水、超純水又は有機溶剤で洗浄してもよい。
パラジウムイオン吸着後、パラジウムイオンを触媒として作用させるための活性化を行う。パラジウムイオンを活性化させる試薬は市販の活性化剤（活性化処理液）でよい。パラジウムイオンを活性化させるために浸漬する活性化剤の温度は、２５℃〜８０℃、活性化させるために浸漬する時間は１分〜６０分の間で実施される。パラジウムイオンの活性化後、余分な活性化剤を除去するため、市水、純水、超純水又は有機溶剤で洗浄してもよい。
続いて、第１絶縁材料層１の表面に無電解銅めっきし、シード層Ｔを形成する。このシード層Ｔは、電解めっきのための給電層となる。無電解銅めっきとしては、無電解純銅めっき（純度９９質量％以上）、無電解銅ニッケルリンめっき（ニッケル含有率：１質量％〜１０質量％、リン含有量：１質量％〜１３質量％）等が挙げられるが、密着性の観点から、無電解銅ニッケルリンめっきが好ましい。無電解銅ニッケルリンめっき液は市販のめっき液でよく、例えば、無電解銅ニッケルリンめっき液（株式会社ＪＣＵ製、商品名「ＡＩＳＬ−５７０」）を用いることができる。無電解銅ニッケルリンめっきは、６０℃〜９０℃の無電解銅ニッケルリンめっき液中で実施される。シード層Ｔの厚さは、２０ｎｍ〜２００ｎｍが好ましく、４０ｎｍ〜２００ｎｍがより好ましく、６０ｎｍ〜２００ｎｍが更に好ましい。
無電解銅めっき後、余分なめっき液を除去するため、市水、純水、超純水又は有機溶剤で洗浄してもよい。また、無電解銅めっき後、シード層Ｔと第１絶縁材料層１との密着力を高めるため、熱硬化（アニーリング：加熱による時効硬化処理）を行ってもよい。熱硬化温度は、８０℃〜２００℃で加熱することが好ましい。より反応性を早めるために１２０℃〜２００℃がより好ましく、１２０℃〜１８０℃で加熱することが更に好ましい。熱硬化時間は５分〜６０分が好ましく、１０分〜６０分がより好ましく、２０分〜６０分が更に好ましい。
＜配線部形成用レジストパターンの形成する工程＞
シード層Ｔ上に配線部形成用のレジストパターンＲを形成する（図２（ａ））。レジストパターンＲは市販のレジストでよく、例えば、ネガ型フィルム状の感光性レジスト（日立化成株式会社製、Ｐｈｏｔｅｃ ＲＹ−５１０７ＵＴ）を用いることができる。レジストパターンＲは、図２（ａ）に示すとおり、開口部Ｒ１，Ｒ２を有する。開口部Ｒ１は第１絶縁材料層１の開口部Ｈ１に対応する位置に設けられており、パッドＣ１を形成するためのものである。第１開口部Ｈ１と開口部Ｒ１とによって開口Ｈが構成されている。開口部Ｒ２は、例えば、ライン幅０．５〜２０μｍの溝状の開口であり、配線Ｃ２を形成するためのものである。
シード層Ｔ上に配線部形成用のレジストパターンＲを形成する（図２（ａ））。レジストパターンＲは市販のレジストでよく、例えば、ネガ型フィルム状の感光性レジスト（日立化成株式会社製、Ｐｈｏｔｅｃ ＲＹ−５１０７ＵＴ）を用いることができる。レジストパターンＲは、図２（ａ）に示すとおり、開口部Ｒ１，Ｒ２を有する。開口部Ｒ１は第１絶縁材料層１の開口部Ｈ１に対応する位置に設けられており、パッドＣ１を形成するためのものである。第１開口部Ｈ１と開口部Ｒ１とによって開口Ｈが構成されている。開口部Ｒ２は、例えば、ライン幅０．５〜２０μｍの溝状の開口であり、配線Ｃ２を形成するためのものである。
レジストパターンＲは以下の工程を経て形成することができる。まず、ロールラミネータを用いてレジストを成膜し、次いで、パターンを形成したフォトツールを密着させ、露光機を使用して露光を行い、次いで、炭酸ナトリウム水溶液で、スプレー現像を行うことによって形成することができる。なお、ネガ型の代わりにポジ型の感光性レジストを用いてもよい。
＜配線部を形成する工程＞
シード層Ｔを給電層として、例えば、電解銅めっきを実施し、パッドＣ１と配線Ｃ２とを含む配線部Ｃを形成する（図２（ｂ））。配線部Ｃの厚さは１〜１０μｍが好ましく、３〜１０μｍがより好ましく、５〜１０μｍが更に好ましい。なお、配線部Ｃは電解銅めっき以外の電解めっきによって形成してもよい。
シード層Ｔを給電層として、例えば、電解銅めっきを実施し、パッドＣ１と配線Ｃ２とを含む配線部Ｃを形成する（図２（ｂ））。配線部Ｃの厚さは１〜１０μｍが好ましく、３〜１０μｍがより好ましく、５〜１０μｍが更に好ましい。なお、配線部Ｃは電解銅めっき以外の電解めっきによって形成してもよい。
＜レジストパターンを除去する工程＞
電解銅めっき後、レジストパターンＲを除去する（図２（ｃ））。レジストパターンＲのはく離は、市販のはく離液を使用して行えばよい。
電解銅めっき後、レジストパターンＲを除去する（図２（ｃ））。レジストパターンＲのはく離は、市販のはく離液を使用して行えばよい。
＜シード層を除去する工程＞
レジストパターンＲを除去した後、シード層Ｔを除去する（図２（ｄ））。シード層Ｔの除去とともに、シード層Ｔの下に残存しているパラジムを除去してもよい。これらの除去は、市販の除去液（エッチング液）を使用して行えばよく、具体例として、酸性のエッチング液（株式会社ＪＣＵ製、ＢＢ−２０、ＰＪ−１０、ＳＡＣ−７００Ｗ３Ｃ）が挙げられる。
レジストパターンＲを除去した後、シード層Ｔを除去する（図２（ｄ））。シード層Ｔの除去とともに、シード層Ｔの下に残存しているパラジムを除去してもよい。これらの除去は、市販の除去液（エッチング液）を使用して行えばよく、具体例として、酸性のエッチング液（株式会社ＪＣＵ製、ＢＢ−２０、ＰＪ−１０、ＳＡＣ−７００Ｗ３Ｃ）が挙げられる。
＜パッドＣ１及び配線Ｃ２の表面に対して第１表面処理を施す工程＞
パッドＣ１及び配線Ｃ２の表面に対して第１表面処理を施すことによって、これらの表面に表面処理層５を形成する（図３（ａ））。第１表面処理は、市販の表面処理液を用いて実施することができる。表面処理液としては、例えば、配線部Ｃと、後の工程で形成される第２絶縁材料層２との密着性を向上する有機成分を含む液（例えば、四国化成工業株式会社製、商品名「ＧｌｉＣＡＰ」）、あるいは、配線部Ｃの表面を微細にエッチングするとともに、配線部Ｃと第２絶縁材料層２との密着性を向上する有機成分を含む液（例えば、アトテックジャパン株式会社製、商品名「ノバボンド」及びメック株式会社製、商品名「ＣＺ８４０１」「ＣＺ−８４０２」）を用いることができる。
パッドＣ１及び配線Ｃ２の表面に対して第１表面処理を施すことによって、これらの表面に表面処理層５を形成する（図３（ａ））。第１表面処理は、市販の表面処理液を用いて実施することができる。表面処理液としては、例えば、配線部Ｃと、後の工程で形成される第２絶縁材料層２との密着性を向上する有機成分を含む液（例えば、四国化成工業株式会社製、商品名「ＧｌｉＣＡＰ」）、あるいは、配線部Ｃの表面を微細にエッチングするとともに、配線部Ｃと第２絶縁材料層２との密着性を向上する有機成分を含む液（例えば、アトテックジャパン株式会社製、商品名「ノバボンド」及びメック株式会社製、商品名「ＣＺ８４０１」「ＣＺ−８４０２」）を用いることができる。
第１表面処理が施された後の配線部Ｃ（パッドＣ１及び配線Ｃ２）の表面の平均粗さＲａは、例えば、４０〜８０ｎｍであり、５０〜８０ｎｍ又は６０〜８０ｎｍであってもよい。配線部Ｃの表面の平均粗さＲａが４０ｎｍ以上であることで、配線部Ｃと第２絶縁材料層２との密着性を十分に確保でき、他方、８０ｎｍ以下であることで、配線基板の伝送損失を十分に小さくできる。
＜第２絶縁材料層を形成する工程＞
配線部Ｃを覆うように第２絶縁材料層２を形成する。第２絶縁材料層２を構成する材料は第１絶縁材料層１と同じでもよいし、異なっていてもよい。
配線部Ｃを覆うように第２絶縁材料層２を形成する。第２絶縁材料層２を構成する材料は第１絶縁材料層１と同じでもよいし、異なっていてもよい。
＜第２絶縁材料層に第２開口部を形成する工程＞
第２絶縁材料層２に第２開口部Ｈ２を形成する（図３（ｂ））。第２開口部Ｈ２はパッドＣ１に対応する位置に設けられている。第２開口部Ｈ２を形成する方法は、第１開口部Ｈ１を形成する方法と同じでもよいし、異なっていてもよい。この工程後において、配線Ｃ２に対する第２絶縁材料層２のピール強度は、例えば、０．２〜０．７ｋＮ／ｍであり、０．４〜０．６５ｋＮ／ｍ又は０．５〜０．６ｋＮ／ｍであってもよい。ここでいうピール強度は、ピール角度９０°及びピール速度１０ｍｍ／分の条件で測定される値を意味する。これらの工程を経ることで、図３（ｂ）に示す配線基板１０が得られる。配線基板１０は、支持基板Ｓと、第１絶縁材料層１及び第２絶縁材料層２を貫通するように設けられたパッドＣ１と、第２絶縁材料層２内に埋設された配線Ｃ２を有する配線層８Ａとを備える。
第２絶縁材料層２に第２開口部Ｈ２を形成する（図３（ｂ））。第２開口部Ｈ２はパッドＣ１に対応する位置に設けられている。第２開口部Ｈ２を形成する方法は、第１開口部Ｈ１を形成する方法と同じでもよいし、異なっていてもよい。この工程後において、配線Ｃ２に対する第２絶縁材料層２のピール強度は、例えば、０．２〜０．７ｋＮ／ｍであり、０．４〜０．６５ｋＮ／ｍ又は０．５〜０．６ｋＮ／ｍであってもよい。ここでいうピール強度は、ピール角度９０°及びピール速度１０ｍｍ／分の条件で測定される値を意味する。これらの工程を経ることで、図３（ｂ）に示す配線基板１０が得られる。配線基板１０は、支持基板Ｓと、第１絶縁材料層１及び第２絶縁材料層２を貫通するように設けられたパッドＣ１と、第２絶縁材料層２内に埋設された配線Ｃ２を有する配線層８Ａとを備える。
＜パッドの表面に対して第２表面処理を施す工程＞
第２開口部Ｈ２内におけるパッドＣ１の表面に対して第２表面処理を施すことによって表面処理層５を除去する（図３（ｃ））。上述のとおり、表面処理層５は、例えば、有機成分を含有しており、パッドＣ１の導電性を阻害し得る。表面処理層５の少なくとも一部を除去することで、すなわち、図３（ｃ）に示すように、パッドＣ１の表面に表面処理剤除去部６を設けることで、表面処理層５によるパッドＣ１の導電性低下を改善し得る。表面処理層５を除去する処理として、例えば、プラズマ処理及びデスミア処理（アルカリ溶液を使用した処理）が挙げられる。プラズマ処理で用いるガスの種類は、例えば、酸素、アルゴン、窒素及びこれらの混合ガスである。この工程を経て図３（ｃ）に示される構成の配線基板２０が得られる。配線基板２０は、パッドＣ１の表面に表面処理剤除去部６が設けられている点において、図３（ｂ）に示される配線基板１０と相違する。
第２開口部Ｈ２内におけるパッドＣ１の表面に対して第２表面処理を施すことによって表面処理層５を除去する（図３（ｃ））。上述のとおり、表面処理層５は、例えば、有機成分を含有しており、パッドＣ１の導電性を阻害し得る。表面処理層５の少なくとも一部を除去することで、すなわち、図３（ｃ）に示すように、パッドＣ１の表面に表面処理剤除去部６を設けることで、表面処理層５によるパッドＣ１の導電性低下を改善し得る。表面処理層５を除去する処理として、例えば、プラズマ処理及びデスミア処理（アルカリ溶液を使用した処理）が挙げられる。プラズマ処理で用いるガスの種類は、例えば、酸素、アルゴン、窒素及びこれらの混合ガスである。この工程を経て図３（ｃ）に示される構成の配線基板２０が得られる。配線基板２０は、パッドＣ１の表面に表面処理剤除去部６が設けられている点において、図３（ｂ）に示される配線基板１０と相違する。
＜第２絶縁材料層を加熱する工程＞
第２絶縁材料層２を第２絶縁材料層２のガラス転移温度（Ｔｇ）以上に加熱することによって、配線部Ｃと第２絶縁材料層２の界面に焼成層７を形成する（図４）。これにより、配線部Ｃと第２絶縁材料層２の密着性がより一層向上する。焼成層７は、例えば、表面処理層５に含まれる表面処理剤が第２絶縁材料層２との反応によって変質することによって形成される層である。加熱温度は第２絶縁材料層２のガラス転移温度（Ｔｇ）以上であり、例えば、２５０℃以下である。加熱時間は、３０分〜３時間であることが好ましい。加熱温度がＴｇ以上であり且つ加熱時間が３０分以上であることで、配線部Ｃと第２絶縁材料層２の密着性の向上効果が十分に発揮される。他方、加熱温度が２５０℃以下であり且つ３時間以下であることで、配線部Ｃと第２絶縁材料層２との間に残存する表面処理剤が分解することが抑制され、配線部Ｃと第２絶縁材料層２の優れた密着性を維持できる。また、加熱温度が２５０℃以下であることで配線基板の反りを抑制できる。この工程を経て図４に示される構成の配線基板３０が得られる。配線基板３０は、配線部Ｃと第２絶縁材料層２との界面に焼成層７が形成されている点において、図３（ｃ）に示される配線基板２０と相違する。
第２絶縁材料層２を第２絶縁材料層２のガラス転移温度（Ｔｇ）以上に加熱することによって、配線部Ｃと第２絶縁材料層２の界面に焼成層７を形成する（図４）。これにより、配線部Ｃと第２絶縁材料層２の密着性がより一層向上する。焼成層７は、例えば、表面処理層５に含まれる表面処理剤が第２絶縁材料層２との反応によって変質することによって形成される層である。加熱温度は第２絶縁材料層２のガラス転移温度（Ｔｇ）以上であり、例えば、２５０℃以下である。加熱時間は、３０分〜３時間であることが好ましい。加熱温度がＴｇ以上であり且つ加熱時間が３０分以上であることで、配線部Ｃと第２絶縁材料層２の密着性の向上効果が十分に発揮される。他方、加熱温度が２５０℃以下であり且つ３時間以下であることで、配線部Ｃと第２絶縁材料層２との間に残存する表面処理剤が分解することが抑制され、配線部Ｃと第２絶縁材料層２の優れた密着性を維持できる。また、加熱温度が２５０℃以下であることで配線基板の反りを抑制できる。この工程を経て図４に示される構成の配線基板３０が得られる。配線基板３０は、配線部Ｃと第２絶縁材料層２との界面に焼成層７が形成されている点において、図３（ｃ）に示される配線基板２０と相違する。
なお、ここでいう第２絶縁材料層のガラス転移温度は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ、例えば（株）リガク製「Ｔｈｅｒｍｏ Ｐｌｕｓ ２」）を用いて硬化後の第２絶縁材料層を測定したときの中間点ガラス転移温度値である。具体的には、上記ガラス転移温度は、昇温速度１０℃／分、測定温度：３０〜２５０℃の条件で熱量変化を測定し、ＪＩＳ Ｋ ７１２１：１９８７に準拠した方法によって算出した中間点ガラス転移温度である。
以上、配線基板の製造方法の一実施形態について説明したが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を行ってもよい。例えば、上記実施形態においては、一層の配線層８Ａを有する配線基板の製造方法について例示したが、多層化された配線層を有する配線基板を製造してもよい。図５に示す多層配線基板４０は、配線基板３０の構成の他に、第３絶縁材料層３と、この第３絶縁材料層３内に埋設された配線Ｃ２とによって構成される配線層８Ｂとを備える。多層配線基板４０のパッドＣ１は、第１絶縁材料層１、第２絶縁材料層２及び第３絶縁材料層３を貫通するように設けられている。
本発明を以下の実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。
［実施例１］
＜感光性樹脂フィルムの作製＞
絶縁材料層の形成に使用する感光性樹脂組成物を以下の成分を使用して調製した。
・カルボキシル基とエチレン性不飽和基とを含有する光反応性樹脂：酸変性したクレゾールノボラック型エポキシアクリレート（ＣＣＲ−１２１９Ｈ、日本化薬株式会社製、商品名） ５０質量部
・光重合開始剤成分：２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−フォスフィンオキサイド（ダロキュアＴＰＯ、ＢＡＳＦジャパン株式会社製、商品名）及びエタノン，１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−，１−（ｏ−アセチルオキシム）（イルガキュアＯＸＥ−０２、ＢＡＳＦジャパン株式会社製、商品名） ５質量部
・熱硬化剤成分：ビフェノール型エポキシ樹脂（ＹＸ−４０００、三菱ケミカル株式会社製、商品名） １０質量部
・無機フィラ成分：（平均粒径：５０ｎｍ、ビニルシランでシランカップリング処理したもの）
＜感光性樹脂フィルムの作製＞
絶縁材料層の形成に使用する感光性樹脂組成物を以下の成分を使用して調製した。
・カルボキシル基とエチレン性不飽和基とを含有する光反応性樹脂：酸変性したクレゾールノボラック型エポキシアクリレート（ＣＣＲ−１２１９Ｈ、日本化薬株式会社製、商品名） ５０質量部
・光重合開始剤成分：２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−フォスフィンオキサイド（ダロキュアＴＰＯ、ＢＡＳＦジャパン株式会社製、商品名）及びエタノン，１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−，１−（ｏ−アセチルオキシム）（イルガキュアＯＸＥ−０２、ＢＡＳＦジャパン株式会社製、商品名） ５質量部
・熱硬化剤成分：ビフェノール型エポキシ樹脂（ＹＸ−４０００、三菱ケミカル株式会社製、商品名） １０質量部
・無機フィラ成分：（平均粒径：５０ｎｍ、ビニルシランでシランカップリング処理したもの）
無機フィラ成分は、樹脂分１００体積部に対し、１０体積部になるように配合した。なお、動的光散乱式ナノトラック粒度分布計「ＵＰＡ−ＥＸ１５０」（日機装株式会社製）及びレーザー回折散乱式マイクロトラック粒度分布計「ＭＴ−３１００」（日機装株式会社製）を用いて粒度分布を測定し、最大粒径が１μｍ以下となっていることを確認した。
上記組成の感光性樹脂組成物の溶液をポリエチレンテレフタレートフィルム（Ｇ２−１６、帝人株式会社製、商品名、厚さ：１６μｍ）の表面上に塗布した。それを熱風対流式乾燥機を用いて１００℃で約１０分間乾燥した。これにより形成された感光性樹脂フィルムの厚さは１０μｍであった。
＜微細配線を有する配線層の形成＞
支持基板として、ガラスクロス入り配線基板（サイズ：２００ｍｍ角、厚さ１．５ｍｍ）を準備した。この配線基板の表面には銅層が形成されており、その厚さは２０μｍであった。
支持基板として、ガラスクロス入り配線基板（サイズ：２００ｍｍ角、厚さ１．５ｍｍ）を準備した。この配線基板の表面には銅層が形成されており、その厚さは２０μｍであった。
・工程（Ａ）
上記配線基板の銅層の表面に、上記感光性樹脂フィルム（第１絶縁材料層）をラミネートした。詳細には、まず、配線基板の銅層の表面に感光性樹脂フィルムを載置した。次いで、プレス式真空ラミネータ（ＭＶＬＰ−５００、株式会社名機製作所製）を用いてプレスした。プレス条件は、プレス熱板温度８０℃、真空引き時間２０秒、ラミネートプレス時間６０秒、気圧４ｋＰａ以下、圧着圧力０．４ＭＰａとした。
上記配線基板の銅層の表面に、上記感光性樹脂フィルム（第１絶縁材料層）をラミネートした。詳細には、まず、配線基板の銅層の表面に感光性樹脂フィルムを載置した。次いで、プレス式真空ラミネータ（ＭＶＬＰ−５００、株式会社名機製作所製）を用いてプレスした。プレス条件は、プレス熱板温度８０℃、真空引き時間２０秒、ラミネートプレス時間６０秒、気圧４ｋＰａ以下、圧着圧力０．４ＭＰａとした。
・工程（Ｂ）
プレス後の絶縁材料層に露光処理及び現像処理を施すことによって、配線基板の銅層にまで至る開口部（第１開口部）を第１絶縁材料層に設けた。露光は絶縁材料層の上にパターンを形成したフォトツールを密着させ、i線ステッパー露光機（製品名：Ｓ６ＣＫ型露光機、レンズ：ＡＳＣ３（Ｃｋ）、サ−マプレシジョン社製）を使用して、３０ｍＪ／ｃｍ２のエネルギー量で露光した。次いで、３０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液で、４５秒間スプレー現像を行い、開口部を設けた。次いで、現像後の絶縁材料層表面にマスク露光機（ＥＸＭ−１２０１型露光機、株式会社オーク製作所製）を使用して、２０００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギー量でポストＵＶ露光した。次いで、クリーンオーブンで１７０℃、１時間の熱硬化を行った。
プレス後の絶縁材料層に露光処理及び現像処理を施すことによって、配線基板の銅層にまで至る開口部（第１開口部）を第１絶縁材料層に設けた。露光は絶縁材料層の上にパターンを形成したフォトツールを密着させ、i線ステッパー露光機（製品名：Ｓ６ＣＫ型露光機、レンズ：ＡＳＣ３（Ｃｋ）、サ−マプレシジョン社製）を使用して、３０ｍＪ／ｃｍ２のエネルギー量で露光した。次いで、３０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液で、４５秒間スプレー現像を行い、開口部を設けた。次いで、現像後の絶縁材料層表面にマスク露光機（ＥＸＭ−１２０１型露光機、株式会社オーク製作所製）を使用して、２０００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギー量でポストＵＶ露光した。次いで、クリーンオーブンで１７０℃、１時間の熱硬化を行った。
・工程（Ｃ）
無電解銅めっきにより、絶縁材料層の表面にシード層を形成した。すなわち、まず、アルカリクリーニングとして、アルカリクリーナー（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＥＣ−Ｂ）の１１０ｍＬ／Ｌ水溶液に５０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、コンディショナとして、コンディショニング液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ−２００）とＥＣ−Ｂの混合液（ＰＢ−２００濃度：７０ｍＬ／Ｌ、ＥＣ−Ｂ濃度：２ｍＬ／Ｌ）に５０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、ソフトエッチングとして、ソフトエッチング液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ−２２８）と９８％硫酸の混合液（ＰＢ−２２８濃度：１００ｇ／Ｌ、硫酸濃度：５０ｍＬ／Ｌ）３０℃で２分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、デスマットとして、１０％硫酸に室温で１分間浸漬した。次に、キャタライザとして、キャタライズ用試薬１（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＣ−ＢＡ）とキャタライズ用試薬２（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ−３３３）とＥＣ−Ｂの混合液（ＰＣ−ＢＡ濃度：５ｇ／Ｌ、ＰＢ−３３３濃度：４０ｍＬ／Ｌ、ＥＣ−Ｂ濃度：９ｍＬ／Ｌ）６０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、アクセラレータとして、アクセラレータ用試薬（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＣ−６６Ｈ）とＰＣ−ＢＡの混合液（ＰＣ−６６Ｈ濃度：１０ｍＬ／Ｌ、ＰＣ−ＢＡ濃度：５ｇ／Ｌ）に３０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、無電解銅めっきとして、無電解銅めっき液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＡＩＳＬ−５７０Ｂ、ＡＩＳＬ−５７０Ｃ、ＡＩＳＬ−５７０ＭＵ）とＰＣ−ＢＡの混合液（ＡＩＳＬ−５７０Ｂ濃度：７０ｍＬ／Ｌ、ＡＩＳＬ−５７０Ｃ濃度：２４ｍＬ／Ｌ、ＡＩＳＬ−５７０ＭＵ濃度：５０ｍＬ／Ｌ、ＰＣ−ＢＡ濃度：１３ｇ／Ｌ）に６０℃で７分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。その後、８５℃のホットプレートで５分間乾燥させた。次に、１８０℃のオーブンで１時間、熱アニーリングした。
無電解銅めっきにより、絶縁材料層の表面にシード層を形成した。すなわち、まず、アルカリクリーニングとして、アルカリクリーナー（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＥＣ−Ｂ）の１１０ｍＬ／Ｌ水溶液に５０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、コンディショナとして、コンディショニング液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ−２００）とＥＣ−Ｂの混合液（ＰＢ−２００濃度：７０ｍＬ／Ｌ、ＥＣ−Ｂ濃度：２ｍＬ／Ｌ）に５０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、ソフトエッチングとして、ソフトエッチング液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ−２２８）と９８％硫酸の混合液（ＰＢ−２２８濃度：１００ｇ／Ｌ、硫酸濃度：５０ｍＬ／Ｌ）３０℃で２分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、デスマットとして、１０％硫酸に室温で１分間浸漬した。次に、キャタライザとして、キャタライズ用試薬１（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＣ−ＢＡ）とキャタライズ用試薬２（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＢ−３３３）とＥＣ−Ｂの混合液（ＰＣ−ＢＡ濃度：５ｇ／Ｌ、ＰＢ−３３３濃度：４０ｍＬ／Ｌ、ＥＣ−Ｂ濃度：９ｍＬ／Ｌ）６０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、アクセラレータとして、アクセラレータ用試薬（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＰＣ−６６Ｈ）とＰＣ−ＢＡの混合液（ＰＣ−６６Ｈ濃度：１０ｍＬ／Ｌ、ＰＣ−ＢＡ濃度：５ｇ／Ｌ）に３０℃で５分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。次に、無電解銅めっきとして、無電解銅めっき液（株式会社ＪＣＵ製、商品名：ＡＩＳＬ−５７０Ｂ、ＡＩＳＬ−５７０Ｃ、ＡＩＳＬ−５７０ＭＵ）とＰＣ−ＢＡの混合液（ＡＩＳＬ−５７０Ｂ濃度：７０ｍＬ／Ｌ、ＡＩＳＬ−５７０Ｃ濃度：２４ｍＬ／Ｌ、ＡＩＳＬ−５７０ＭＵ濃度：５０ｍＬ／Ｌ、ＰＣ−ＢＡ濃度：１３ｇ／Ｌ）に６０℃で７分間浸漬し、その後純水に１分間浸漬した。その後、８５℃のホットプレートで５分間乾燥させた。次に、１８０℃のオーブンで１時間、熱アニーリングした。
・工程（Ｄ）
真空ラミネータ（ニチゴー・モートン株式会社製、Ｖ−１６０）を用いて、無電解銅が成膜された２００ｍｍ□の基板の上に、配線形成用レジスト（日立化成株式会社製、ＲＹ−５１０７ＵＴ）を真空ラミネートした。ラミネート温度は１１０℃、ラミネート時間は６０秒、ラミネート圧力は０．５ＭＰａとした。
真空ラミネータ（ニチゴー・モートン株式会社製、Ｖ−１６０）を用いて、無電解銅が成膜された２００ｍｍ□の基板の上に、配線形成用レジスト（日立化成株式会社製、ＲＹ−５１０７ＵＴ）を真空ラミネートした。ラミネート温度は１１０℃、ラミネート時間は６０秒、ラミネート圧力は０．５ＭＰａとした。
真空ラミネート後、１日放置し、i線ステッパー露光機（製品名：Ｓ６ＣＫ型露光機、レンズ：ＡＳＣ３（Ｃｋ）、株式会社サ−マプレシジョン製）を用いて、配線形成用レジストを露光した。露光量は１４０ｍＪ／ｃｍ２、フォーカスは−１５μｍとした。露光後、１日放置し、配線形成用レジストの保護フィルムをはく離し、スプレー現像機（ミカサ株式会社製、ＡＤ−３０００）を用いて現像した。現像液は１．０％炭酸ナトリウム水溶液、現像温度は３０℃、スプレー圧は０．１４ＭＰａとした。これにより、以下のＬ／Ｓ（ライン／スペース）の配線を形成するためのレジストパターンをシード層上に形成した。
・Ｌ／Ｓ＝１０μｍ／１０μｍ（配線の数：１０本）
・Ｌ／Ｓ＝７μｍ／７μｍ（配線の数：１０本）
・Ｌ／Ｓ＝５μｍ／５μｍ（配線の数：１０本）
・Ｌ／Ｓ＝３μｍ／３μｍ（配線の数：１０本）
・Ｌ／Ｓ＝２μｍ／２μｍ（配線の数：１０本）
・Ｌ／Ｓ＝１０μｍ／１０μｍ（配線の数：１０本）
・Ｌ／Ｓ＝７μｍ／７μｍ（配線の数：１０本）
・Ｌ／Ｓ＝５μｍ／５μｍ（配線の数：１０本）
・Ｌ／Ｓ＝３μｍ／３μｍ（配線の数：１０本）
・Ｌ／Ｓ＝２μｍ／２μｍ（配線の数：１０本）
・工程（Ｅ）
クリーナーとして（奥野製薬工業株式会社製、商品名：ＩＣＰクリーンＳ−１３５）の１００ｍＬ／Ｌ水溶液に５０℃で１分間浸漬し、純水に５０℃で１分間浸漬、純水に２５℃で１分間浸漬し、１０％硫酸水溶液に２５℃で１分間浸漬した。次に、硫酸銅５水和物の１２０ｇ／Ｌ、９６％硫酸２２０ｇ／Ｌの水溶液７．３Ｌに、塩酸を０．２５ｍＬ、奥野製薬工業株式会社製の商品名：トップルチナＧＴ−３を１０ｍＬ、奥野製薬工業株式会社製の商品名：トップルチナＧＴ−２を１ｍＬ加えた水溶液に、２５℃で電流密度を１．５Ａ／ｄｍ２で１０分間の条件で電解めっきを施した。その後、純水に２５℃で５分間浸漬し、８０℃のホットプレートで５分間乾燥させた。
クリーナーとして（奥野製薬工業株式会社製、商品名：ＩＣＰクリーンＳ−１３５）の１００ｍＬ／Ｌ水溶液に５０℃で１分間浸漬し、純水に５０℃で１分間浸漬、純水に２５℃で１分間浸漬し、１０％硫酸水溶液に２５℃で１分間浸漬した。次に、硫酸銅５水和物の１２０ｇ／Ｌ、９６％硫酸２２０ｇ／Ｌの水溶液７．３Ｌに、塩酸を０．２５ｍＬ、奥野製薬工業株式会社製の商品名：トップルチナＧＴ−３を１０ｍＬ、奥野製薬工業株式会社製の商品名：トップルチナＧＴ−２を１ｍＬ加えた水溶液に、２５℃で電流密度を１．５Ａ／ｄｍ２で１０分間の条件で電解めっきを施した。その後、純水に２５℃で５分間浸漬し、８０℃のホットプレートで５分間乾燥させた。
・工程（Ｆ）
スプレー現像機（ミカサ社製、ＡＤ−３０００）を用いて、配線形成用レジストをはく離した。はく離液は２．３８％ＴＭＡＨ水溶液、はく離温度は４０℃、スプレー圧力は０．２ＭＰａとした。
スプレー現像機（ミカサ社製、ＡＤ−３０００）を用いて、配線形成用レジストをはく離した。はく離液は２．３８％ＴＭＡＨ水溶液、はく離温度は４０℃、スプレー圧力は０．２ＭＰａとした。
・工程（Ｇ）
シード層である無電解銅及びパラジウム触媒を除去した。無電解Ｃｕのエッチングとして、エッチング液（株式会社ＪＣＵ製、ＳＡＣ−７００Ｗ３Ｃ）と９８％硫酸と３５％過酸化水素水と硫酸銅・５水和物の水溶液（ＳＡＣ−７００Ｗ３Ｃ濃度：５容量％、硫酸濃度：４容量％、過酸化水素濃度：５容量％、硫酸銅・５水和物濃度：３０ｇ／Ｌ）に３５℃で１分間浸漬した。次に、パラジウム触媒の除去としてＦＬ水溶液（株式会社ＪＣＵ製、ＦＬ−Ａ５００ｍＬ／Ｌ、ＦＬ−Ｂ ４０ｍＬ／Ｌ）に５０℃で１分間浸漬した。その後、純水に２５℃で５分間浸漬し、８０℃のホットプレートで５分間乾燥させた。
シード層である無電解銅及びパラジウム触媒を除去した。無電解Ｃｕのエッチングとして、エッチング液（株式会社ＪＣＵ製、ＳＡＣ−７００Ｗ３Ｃ）と９８％硫酸と３５％過酸化水素水と硫酸銅・５水和物の水溶液（ＳＡＣ−７００Ｗ３Ｃ濃度：５容量％、硫酸濃度：４容量％、過酸化水素濃度：５容量％、硫酸銅・５水和物濃度：３０ｇ／Ｌ）に３５℃で１分間浸漬した。次に、パラジウム触媒の除去としてＦＬ水溶液（株式会社ＪＣＵ製、ＦＬ−Ａ５００ｍＬ／Ｌ、ＦＬ−Ｂ ４０ｍＬ／Ｌ）に５０℃で１分間浸漬した。その後、純水に２５℃で５分間浸漬し、８０℃のホットプレートで５分間乾燥させた。
・工程（Ｈ）
パッド及び配線の表面をＧｌｉＣＡＰ（四国化成工業株式会社製）により表面処理（第１表面処理）した。酸洗浄として、３．５％塩酸水溶液に２５℃で１分間浸漬した。次に、純水により２５℃で１分間流水洗浄した。次に、ソフトエッチング液（四国化成工業社製、ＧＢ−１０００）に３０℃で１分間浸漬した。次に、純水により２５℃で１分間流水洗浄した。次に、表面処理剤（四国化成工業社製、ＧｌｉＣＡＰ）に３０℃で１５分間浸漬した。次に、純水により２５℃で１分間流水洗浄した。その後、１００℃のホットプレートで５分間乾燥させた。
パッド及び配線の表面をＧｌｉＣＡＰ（四国化成工業株式会社製）により表面処理（第１表面処理）した。酸洗浄として、３．５％塩酸水溶液に２５℃で１分間浸漬した。次に、純水により２５℃で１分間流水洗浄した。次に、ソフトエッチング液（四国化成工業社製、ＧＢ−１０００）に３０℃で１分間浸漬した。次に、純水により２５℃で１分間流水洗浄した。次に、表面処理剤（四国化成工業社製、ＧｌｉＣＡＰ）に３０℃で１５分間浸漬した。次に、純水により２５℃で１分間流水洗浄した。その後、１００℃のホットプレートで５分間乾燥させた。
・工程（Ｉ）
工程（Ｈ）を経て表面処理されたパッド及び配線を覆うように、感光性樹脂フィルム（第２絶縁材料層）をラミネートした。詳細には、まず、パッド及び配線を覆うように第１絶縁材料層上に感光性樹脂フィルムを載置した。次いで、プレス式真空ラミネータ（ＭＶＬＰ−５００、株式会社名機製作所製）を用いてプレスした。プレス条件は、プレス熱板温度８０℃、真空引き時間２０秒、ラミネートプレス時間６０秒、気圧４ｋＰａ以下、圧着圧力０．４ＭＰａとした。
工程（Ｈ）を経て表面処理されたパッド及び配線を覆うように、感光性樹脂フィルム（第２絶縁材料層）をラミネートした。詳細には、まず、パッド及び配線を覆うように第１絶縁材料層上に感光性樹脂フィルムを載置した。次いで、プレス式真空ラミネータ（ＭＶＬＰ−５００、株式会社名機製作所製）を用いてプレスした。プレス条件は、プレス熱板温度８０℃、真空引き時間２０秒、ラミネートプレス時間６０秒、気圧４ｋＰａ以下、圧着圧力０．４ＭＰａとした。
・工程（Ｊ）
プレス後の絶縁材料層に露光処理及び現像処理を施すことによって、パッドにまで至る開口部（第２開口部）を第２絶縁材料層に設けた。露光は絶縁材料層の上にパターンを形成したフォトツールを密着させ、i線ステッパー露光機（製品名：Ｓ６ＣＫ型露光機、レンズ：ＡＳＣ３（Ｃｋ）、サ−マプレシジョン社製）を使用して、３０ｍＪ／ｃｍ２のエネルギー量で露光した。次いで、３０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液で、４５秒間スプレー現像を行い、開口部を設けた。次いで、現像後の絶縁材料層表面にマスク露光機（ＥＸＭ−１２０１型露光機、株式会社オーク製作所製）を使用して、２０００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギー量でポストＵＶ露光した。次いで、クリーンオーブンで１７０℃、１時間の熱硬化を行った。硬化後の第２絶縁材料層のガラス転移温度（Ｔｇ）は１６０℃であった。
プレス後の絶縁材料層に露光処理及び現像処理を施すことによって、パッドにまで至る開口部（第２開口部）を第２絶縁材料層に設けた。露光は絶縁材料層の上にパターンを形成したフォトツールを密着させ、i線ステッパー露光機（製品名：Ｓ６ＣＫ型露光機、レンズ：ＡＳＣ３（Ｃｋ）、サ−マプレシジョン社製）を使用して、３０ｍＪ／ｃｍ２のエネルギー量で露光した。次いで、３０℃の１質量％炭酸ナトリウム水溶液で、４５秒間スプレー現像を行い、開口部を設けた。次いで、現像後の絶縁材料層表面にマスク露光機（ＥＸＭ−１２０１型露光機、株式会社オーク製作所製）を使用して、２０００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギー量でポストＵＶ露光した。次いで、クリーンオーブンで１７０℃、１時間の熱硬化を行った。硬化後の第２絶縁材料層のガラス転移温度（Ｔｇ）は１６０℃であった。
［実施例２］
工程（Ｈ）において、ＧｌｉＣＡＰの代わりにノバボンド（アトテックジャパン株式会社製）を用いて表面処理したことの他は実施例１と同様にして配線基板を得た。すなわち、まず、ノバボンドＩＴスタビライザー（アトテックジャパン株式会社製）の水溶液１５ｍＬ／Ｌに５０℃で１分間浸漬した。次に、純水により２５℃で１分間流水洗浄した。次に、ノバボンドＩＴ（アトテックジャパン株式会社製）の水溶液３０ｍＬ／Ｌに５０℃で１分間浸漬した。次に、純水により２５℃で１分間流水洗浄した。次に、ノバボンドＩＴリデューサー（アトテックジャパン株式会社製）の水溶液２０ｍＬ／Ｌに３０℃で５分間浸漬した。次に、純水により２５℃で１分間流水洗浄した。次に、ノバボンドＩＴプロテクターＭＫ（アトテックジャパン株式会社製）の水溶液１０ｍＬ／Ｌに３５℃で１分間浸漬した。次に、純水により２５℃で１分間流水洗浄した。その後、１００℃のホットプレートで５分間乾燥させた。
［実施例３］
工程（Ｈ）において、ＧｌｉＣＡＰの代わりにＣＺ８４０１（メック株式会社製）を用いて表面処理したことの他は実施例１と同様にして配線基板を得た。すなわち、まず、酸洗浄として、５％塩酸水溶液により２５℃で３０秒間０．２ＭＰａの水圧でスプレー洗浄した。次に、純水により２５℃で１分間流水洗浄した。次に、ＣＺ８４０１処理液により２５℃で１分間０．２ＭＰａの水圧でスプレー処理した。次に、純水により２５℃で１分間流水洗浄した。次に、１０％硫酸水溶液により２５℃で２０秒間０．１ＭＰａの水圧でスプレー処理した。次に、純水により２５℃で１分間流水洗浄した。その後、１００℃のホットプレートで５分間乾燥させた。
［実施例４］
工程（Ｈ）において、ＧｌｉＣＡＰの代わりにＣＺ８４０２（メック株式会社製）を用いて表面処理したことの他は実施例１と同様にして配線基板を得た。すなわち、まず、酸洗浄として、５％塩酸水溶液により２５℃で３０秒間０．２ＭＰａの水圧でスプレー洗浄した。次に、純水により２５℃で１分間流水洗浄した。次に、ＣＺ８４０２処理液により２５℃で１分間０．２ＭＰａの水圧でスプレー処理した。次に、純水により２５℃で１分間流水洗浄した。次に、１０％硫酸水溶液により２５℃で２０秒間０．１ＭＰａの水圧でスプレー処理した。次に、純水により２５℃で１分間流水洗浄した。その後、１００℃のホットプレートで５分間乾燥させた。
工程（Ｈ）において、ＧｌｉＣＡＰの代わりにＣＺ８４０２（メック株式会社製）を用いて表面処理したことの他は実施例１と同様にして配線基板を得た。すなわち、まず、酸洗浄として、５％塩酸水溶液により２５℃で３０秒間０．２ＭＰａの水圧でスプレー洗浄した。次に、純水により２５℃で１分間流水洗浄した。次に、ＣＺ８４０２処理液により２５℃で１分間０．２ＭＰａの水圧でスプレー処理した。次に、純水により２５℃で１分間流水洗浄した。次に、１０％硫酸水溶液により２５℃で２０秒間０．１ＭＰａの水圧でスプレー処理した。次に、純水により２５℃で１分間流水洗浄した。その後、１００℃のホットプレートで５分間乾燥させた。
［比較例１］
工程（Ｈ）において、表面処理剤を用いなかったことの他は実施例１と同様にして配線基板を得た。すなわち、まず、酸洗浄として、５％塩酸水溶液により２５℃で３０秒間０．２ＭＰａの水圧でスプレー洗浄した。次に、純水により２５℃で１分間流水洗浄した。その後、１００℃のホットプレートで５分間乾燥させた。
［比較例２］
工程（Ｈ）において、ＧｌｉＣＡＰの代わりにＣＺ８１０１（メック株式会社製）を用いて表面処理したことの他は実施例１と同様にして配線基板を得た。すなわち、まず、酸洗浄として、５％塩酸水溶液により２５℃で３０秒間０．２ＭＰａの水圧でスプレー洗浄した。次に、純水により２５℃で１分間流水洗浄した。次に、ＣＺ８１０１処理液により２５℃で１分間０．２ＭＰａの水圧でスプレー処理した。次に、純水により２５℃で１分間流水洗浄した。次に、１０％硫酸水溶液により２５℃で２０秒間０．１ＭＰａの水圧でスプレー処理した。次に、純水により２５℃で１分間流水洗浄した。次に、防錆処理として、ＣＬ−８３００（メック株式会社製）処理液により２５℃で３０秒間浸漬処理した。次に、純水により２５℃で１分間流水洗浄した。その後、１００℃のホットプレートで５分間乾燥させた。
工程（Ｈ）において、ＧｌｉＣＡＰの代わりにＣＺ８１０１（メック株式会社製）を用いて表面処理したことの他は実施例１と同様にして配線基板を得た。すなわち、まず、酸洗浄として、５％塩酸水溶液により２５℃で３０秒間０．２ＭＰａの水圧でスプレー洗浄した。次に、純水により２５℃で１分間流水洗浄した。次に、ＣＺ８１０１処理液により２５℃で１分間０．２ＭＰａの水圧でスプレー処理した。次に、純水により２５℃で１分間流水洗浄した。次に、１０％硫酸水溶液により２５℃で２０秒間０．１ＭＰａの水圧でスプレー処理した。次に、純水により２５℃で１分間流水洗浄した。次に、防錆処理として、ＣＬ−８３００（メック株式会社製）処理液により２５℃で３０秒間浸漬処理した。次に、純水により２５℃で１分間流水洗浄した。その後、１００℃のホットプレートで５分間乾燥させた。
＜銅層表面の平均粗さＲａの測定＞
実施例１（Ｇｌｉｃａｐによる表面処理）、実施例２（ノバボンドによる表面処理）、実施例３（ＣＺ−８４０１による表面処理）、実施例４（ＣＺ−８４０２による表面処理）、比較例１（表面処理剤なし）、比較例２（ＣＺ−８１０１）に係る銅層表面の平均粗さＲａを表面粗さ計（オリンパス株式会社製、ＯＬＳ−４０００）を用いて測定した。表１に結果を示す。
実施例１（Ｇｌｉｃａｐによる表面処理）、実施例２（ノバボンドによる表面処理）、実施例３（ＣＺ−８４０１による表面処理）、実施例４（ＣＺ−８４０２による表面処理）、比較例１（表面処理剤なし）、比較例２（ＣＺ−８１０１）に係る銅層表面の平均粗さＲａを表面粗さ計（オリンパス株式会社製、ＯＬＳ−４０００）を用いて測定した。表１に結果を示す。
＜銅層と絶縁材料層界面のピール強度測定＞
実施例１（Ｇｌｉｃａｐによる表面処理）、実施例２（ノバボンドによる表面処理）、実施例３（ＣＺ−８４０１による表面処理）、実施例４（ＣＺ−８４０２による表面処理）、比較例１（表面処理剤なし）、比較例２（ＣＺ−８１０１）に係る銅層と絶縁材料層の界面のピール強度をピール強度測定装置（株式会社島津製作所製、ＥＳ−Ｚ）を用いて測定した。測定条件は、ピール角度９０°及びピール速度１０ｍｍ／分とした。表１に結果を示す。
実施例１（Ｇｌｉｃａｐによる表面処理）、実施例２（ノバボンドによる表面処理）、実施例３（ＣＺ−８４０１による表面処理）、実施例４（ＣＺ−８４０２による表面処理）、比較例１（表面処理剤なし）、比較例２（ＣＺ−８１０１）に係る銅層と絶縁材料層の界面のピール強度をピール強度測定装置（株式会社島津製作所製、ＥＳ−Ｚ）を用いて測定した。測定条件は、ピール角度９０°及びピール速度１０ｍｍ／分とした。表１に結果を示す。
＜配線形成性の評価＞
Ｌ／Ｓが１０μｍ／１０μｍ、７μｍ／７μｍ、５μｍ／５μｍ、３μｍ／３μｍ及び２μｍ／２μｍの配線形成性について、１０個の配線のうち、配線倒れ又は配線はく離または配線断線が発生しているものが０個の場合を「Ａ」とし、１〜２個の場合を「Ｂ」とし、３個以上の場合を「Ｃ」とした。表１に結果を示す。
Ｌ／Ｓが１０μｍ／１０μｍ、７μｍ／７μｍ、５μｍ／５μｍ、３μｍ／３μｍ及び２μｍ／２μｍの配線形成性について、１０個の配線のうち、配線倒れ又は配線はく離または配線断線が発生しているものが０個の場合を「Ａ」とし、１〜２個の場合を「Ｂ」とし、３個以上の場合を「Ｃ」とした。表１に結果を示す。
・工程（Ｋ）
実施例１〜４及び比較例１，２に係る配線基板のパッド表面に対してデスミア処理（第２表面処理）を施した。すなわち、まず、膨潤処理のため、スウェラ（Ａｔｏｔｅｃｈ社製、クリーナーセキュリガント９０２）４０ｍＬ／Ｌに７０℃で５分間浸漬した。その後純水に１分間浸漬した。次いで、表面処理剤除去のため、デスミア液（Ａｔｏｔｅｃｈ社製、コンパクトＣＰ）４０ｍＬ／Ｌに７０℃で浸漬した。浸漬時間は３分間とした。次に、純水に１分間浸漬した。その後、８０℃のホットプレートで５分間乾燥させた。
実施例１〜４及び比較例１，２に係る配線基板のパッド表面に対してデスミア処理（第２表面処理）を施した。すなわち、まず、膨潤処理のため、スウェラ（Ａｔｏｔｅｃｈ社製、クリーナーセキュリガント９０２）４０ｍＬ／Ｌに７０℃で５分間浸漬した。その後純水に１分間浸漬した。次いで、表面処理剤除去のため、デスミア液（Ａｔｏｔｅｃｈ社製、コンパクトＣＰ）４０ｍＬ／Ｌに７０℃で浸漬した。浸漬時間は３分間とした。次に、純水に１分間浸漬した。その後、８０℃のホットプレートで５分間乾燥させた。
＜表面処理剤除去性の評価＞
実施例１〜４及び比較例１，２に係る表面処理剤除去性を評価した。Φ１００μｍ、Φ５０μｍ、Φ３０μｍ、Φ２０μｍ、Φ１０μｍの開口部について、露出した銅表面を顕微ラマン装置（製品名：ＤＸＲ２ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製）を用いて９００ｃｍ−１のピークの有無を調べ、１０個のパッドの内、ピークがあるもの（残渣があるもの）が０個の場合を「Ａ」とし、１〜２個の場合を「Ｂ」とし、３個以上の場合を「Ｃ」とした。表２に結果を示す。
実施例１〜４及び比較例１，２に係る表面処理剤除去性を評価した。Φ１００μｍ、Φ５０μｍ、Φ３０μｍ、Φ２０μｍ、Φ１０μｍの開口部について、露出した銅表面を顕微ラマン装置（製品名：ＤＸＲ２ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製）を用いて９００ｃｍ−１のピークの有無を調べ、１０個のパッドの内、ピークがあるもの（残渣があるもの）が０個の場合を「Ａ」とし、１〜２個の場合を「Ｂ」とし、３個以上の場合を「Ｃ」とした。表２に結果を示す。
［実施例１ａ〜４ｄ及び比較例１ａ〜２ｄ］
・工程（Ｌ）
実施例１〜４及び比較例１，２に係る配線基板を複数準備し、表３に示すとおり、２００℃又は２５０℃で３０分又は３時間にわたってそれぞれ加熱した。
・工程（Ｌ）
実施例１〜４及び比較例１，２に係る配線基板を複数準備し、表３に示すとおり、２００℃又は２５０℃で３０分又は３時間にわたってそれぞれ加熱した。
＜電気絶縁性の評価＞
実施例１ａ〜４ｄ及び比較例１ａ〜２ｄに係る配線基板の電気絶縁性を評価した。Ｌ／Ｓが１０μｍ／１０μｍ、７μｍ／７μｍ、５μｍ／５μｍの配線について、ＨＡＳＴチャンバー（ＥＨＳ−２２２ＭＤ、ＥＳＰＥＣ社製）及びイオンマイグレーション評価システム（ＡＭ−１５０−Ｕ−５、ＥＳＰＥＣ社製）を用いて、電気絶縁性１３０℃、相対湿度８５％、印加電圧３．３Ｖの条件で試験した。１０個の配線の内、電気抵抗値が１×１０６Ωで絶縁保持時間が２００時間以上となる配線が１０個のとき「Ａ」、７個以上のとき「Ｂ」、５個以上のとき「Ｃ」とした。表３に結果を示す。
実施例１ａ〜４ｄ及び比較例１ａ〜２ｄに係る配線基板の電気絶縁性を評価した。Ｌ／Ｓが１０μｍ／１０μｍ、７μｍ／７μｍ、５μｍ／５μｍの配線について、ＨＡＳＴチャンバー（ＥＨＳ−２２２ＭＤ、ＥＳＰＥＣ社製）及びイオンマイグレーション評価システム（ＡＭ−１５０−Ｕ−５、ＥＳＰＥＣ社製）を用いて、電気絶縁性１３０℃、相対湿度８５％、印加電圧３．３Ｖの条件で試験した。１０個の配線の内、電気抵抗値が１×１０６Ωで絶縁保持時間が２００時間以上となる配線が１０個のとき「Ａ」、７個以上のとき「Ｂ」、５個以上のとき「Ｃ」とした。表３に結果を示す。
１…第１絶縁材料層、２…第２絶縁材料層、３…第３絶縁材料層、５…表面処理層、６…表面処理剤除去部、７…焼成層、８Ａ,８Ｂ…配線層、１０，２０，３０…配線基板、４０…多層配線基板、Ｃ…配線部、Ｃ１…パッド、Ｃ２…配線、Ｆ…デスミア処理された表面、Ｈ…開口、Ｈ１…第１開口部、Ｈ２…第２開口部、Ｒ…レジストパターン、Ｒ１，Ｒ２…開口部、Ｓ…支持基板、Ｓａ…導電層、Ｔ…シード層
Claims (9)
- （Ａ）支持基板上に第１絶縁材料層を形成する工程と、
（Ｂ）前記第１絶縁材料層に第１開口部を形成する工程と、
（Ｃ）前記第１絶縁材料層の表面上に無電解めっきによってシード層を形成する工程と、
（Ｄ）前記シード層の表面上に配線部形成用のレジストパターンを設ける工程と、
（Ｅ）前記シード層の表面であって前記レジストパターンから露出している領域に、パッドと配線とを含む配線部を電解めっきによって形成する工程と、
（Ｆ）前記レジストパターンを除去する工程と、
（Ｇ）前記レジストパターンの除去によって露出した前記シード層を除去する工程と、
（Ｈ）前記パッドの表面に対して第１表面処理を施す工程と、
（Ｉ）前記配線部を覆うように、第２絶縁材料層を形成する工程と、
（Ｊ）前記第２絶縁材料層における、前記パッドに対応する位置に第２開口部を形成する工程と、
（Ｋ）前記パッドの表面に対して第２表面処理を施す工程と、
（Ｌ）前記第２絶縁材料層のガラス転移温度以上の温度に前記第２絶縁材料層を加熱する工程と、
を含む、配線基板の製造方法。 - 前記第１表面処理を施す工程において表面処理剤を使用し、前記第２表面処理を施す工程において前記パッドの表面から前記表面処理剤を除去する、請求項１に記載の配線基板の製造方法。
- 前記第１表面処理に使用される前記表面処理剤が前記配線部と前記第２絶縁材料層との密着性を向上する有機成分を含む、請求項２に記載の配線基板の製造方法。
- 前記第２表面処理が酸素プラズマ処理、アルゴンプラズマ処理及びデスミア処理からなる群から選ばれる少なくとも一種である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
- 前記第１表面処理が施された前記配線部の表面の平均粗さＲａが４０〜８０ｎｍである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
- 工程（Ｊ）後において、前記配線に対する前記第２絶縁材料層のピール強度が０．２〜０．７ｋＮ／ｍである、請求項１〜５のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
- 工程（Ｂ）と工程（Ｃ）との間に、前記第１絶縁材料層上及び／又は前記第１開口部内の残渣を除去する工程を更に含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
- 前記第１絶縁材料層及び前記第２絶縁材料層の少なくとも一方が感光性樹脂を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
- 前記レジストパターンがライン幅０．５〜２０μｍの溝状の開口を有する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
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