JP2020134845A - アイソレータ、光源装置、光送信機、光スイッチ、光増幅器、及びデータセンター - Google Patents

アイソレータ、光源装置、光送信機、光スイッチ、光増幅器、及びデータセンター Download PDF

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Abstract

【課題】小型化されやすいアイソレータ、光源装置、光送信機、光スイッチ、光増幅器、及びデータセンターを提供する。【解決手段】アイソレータは、基板面を有する基板の上において、基板面に沿って位置し、基板から見て互いに重なる第1導波路と第2導波路とを備える。第1導波路及び第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有する。コアは、基板面の側を向く第1面と、第1面の反対側の第2面とを有する。クラッドは、コアの第1面及び第2面に接するように位置する。第1導波路は、第1端と第2端とを有し、第1端及び第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有する。第2導波路のコアは、第2導波路が延在する方向に交差する断面の少なくとも一部に非相反性部材を含み、縦横比が0.8乃至1.2である。【選択図】図1

Description

本発明は、アイソレータ、光源装置、光送信機、光スイッチ、光増幅器、及びデータセンターに関する。
電磁波の伝搬方向によって透過率が異なるアイソレータが非相反位相器を含む構成が知られている(例えば、特許文献1参照)。
特開2003−302603号公報
非相反位相器が集積化されにくいことによって、非相反位相器を含むアイソレータは、小型化されにくい。
本開示は、上述の点に鑑みてなされたものであり、小型化されやすいアイソレータ、光源装置、光送信機、光スイッチ、光増幅器、及びデータセンターを提供することを目的とする。
本開示の一実施形態に係るアイソレータは、基板面を有する基板の上において、前記基板面に沿って位置し、前記基板から見て互いに重なる第1導波路と第2導波路とを備える。前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有する。前記コアは、前記基板面の側を向く第1面と、前記第1面の反対側の第2面とを有する。前記クラッドは、前記コアの第1面及び第2面に接するように位置する。前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有する。前記第2導波路のコアは、縦横比が0.8乃至1.2であり、前記第2導波路が延在する方向に交差する断面の少なくとも一部に非相反性部材を含む。
本開示の一実施形態に係る光源装置は、光アイソレータと光源とを備える。前記光アイソレータは、基板面を有する基板の上において、前記基板面に沿って位置し、前記基板から見て互いに重なる第1導波路と第2導波路とを備える。前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有する。前記コアは、前記基板面の側を向く第1面と、前記第1面の反対側の第2面とを有する。前記クラッドは、前記コアの第1面及び第2面に接するように位置する。前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第
1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有する。前記第2導波路のコアは、縦横比が0.8乃至1.2であり、前記第2導波路が延在する方向に交差する断面の少なくとも一部に非相反性部材を含む。前記光源は、前記ポートに光学的に接続される。
本開示の一実施形態に係るアイソレータは、第1導波路と、少なくとも1つの第2導波路とを備える。前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有する。前記第2導波路は、両端を有し、前記第1導波路に沿って位置し、前記第1導波路と互いに結合する。任意の動作周波数において、前記第1導波路と前記第2導波路とは、前記第1端から入力された電磁波が前記第2端に向けて伝搬する場合の結合係数よりも、前記第2端から入力された電磁波が前記
第1端に向けて伝搬する場合の結合係数の方が大きくなるように結合する。
本開示の一実施形態に係る光源装置は、光アイソレータと、光源とを備える。前記光アイソレータは、第1導波路と、少なくとも1つの第2導波路とを備える。前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有する。前記第2導波路は、両端を有し、前記第1導波路に沿って位置し、前記第1導波路と互いに結合する。任意の動作周波数において、前記第1導波路と前記第2導波路とは、前記第1端から入力された電磁波が前記第2端に向けて伝搬する場合の
結合係数よりも、前記第2端から入力された電磁波が前記第1端に向けて伝搬する場合の結合係数の方が大きくなるように結合する。前記光源は、前記ポートに光学的に接続される。
本開示の一実施形態に係るアイソレータは、基板面を有する基板の上において、前記基板面に沿って並んで位置する第1導波路と第2導波路とを備える。前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有する。前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有する。前記第2導波路のコアは、縦横比が0.8乃至1.2であり、前記第2導波路が延在する方向に交差する断面の少なくとも一部に非相反性部材を含む。
本開示の一実施形態に係る光源装置は、光アイソレータと、光源とを備える。前記光アイソレータは、基板面を有する基板の上において、前記基板面に沿って並んで位置する第1導波路と第2導波路とを備える。前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有する。前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有する。前記第2導波路のコアは、縦横比が0.8乃至1.2であり、前記第2導波路が延在する方向に交差する断面の少なくとも一部に非相反性部材を含む。前記光源は、前記ポートに光学的に接続される。
本開示の一実施形態に係る光送信機は、光アイソレータと光源とを備える光源装置を搭載する。前記光アイソレータは、基板面を有する基板の上において、前記基板面に沿って位置し、前記基板から見て互いに重なる第1導波路と第2導波路とを備える。前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有する。前記コアは、前記基板面の側を向く第1面と、前記第1面の反対側の第2面とを有する。前記クラッドは、前記コアの第1面及び第2面に接するように位置する。前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有する。前記第2導波路のコアは、縦横比が0.8乃至1.2であり、前記第2導波路が延在する方向に交差する断面の少なくとも一部に非相反性部材を含む。前記光源は、前記ポートに光学的に接続される。前記光送信機は、光の変調機能を有する。
本開示の一実施形態に係る光送信機は、光アイソレータと光源とを備える光源装置を搭載する。前記光アイソレータは、第1導波路と、少なくとも1つの第2導波路とを備える。前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有する。前記第2導波路は、両端を有し、前記第1導波路に沿って位置し、前記第1導波路と互いに結合する。任意の動作周波数において、前記第1導波路と前記第2導波路とは、前記第1端から入力された電磁波が前記第2端に向けて伝搬する場合の結合係数よりも、前記第2端から入力された電磁波が前記第1端に向けて伝搬する場合の結合係数の方が大きくなるように結合する。前記光源は、前記ポートに光学的に接続される。前記光送信機は、光の変調機能を有する。
本開示の一実施形態に係る光送信機は、光アイソレータと光源とを備える光源装置を搭載する。前記光アイソレータは、基板面を有する基板の上において、前記基板面に沿って並んで位置する第1導波路と第2導波路とを備える。前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有する。前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有する。前記第2導波路のコアは、前記第2導波路が延在する方向に交差する断面の少なくとも一部に非
相反性部材を含む。前記光源は、前記ポートに光学的に接続される。前記光送信機は、光の変調機能を有する。
本開示の一実施形態に係る光スイッチは、光アイソレータを備える。前記光アイソレータは、基板面を有する基板の上において、前記基板面に沿って位置し、前記基板から見て互いに重なる第1導波路と第2導波路とを備える。前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有する。前記コアは、前記基板面の側を向く第1面と、前記第1面の反対側の第2面とを有する。前記クラッドは、前記コアの第1面及び第2面に接するように位置する。前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有する。前記第2導波路のコアは、縦横比が0.8乃至1.2であり、前記第2導波路が延在する方向に交差する断面の少なくとも一部に非相反性部材を含む。
本開示の一実施形態に係る光スイッチは、光アイソレータを備える。前記光アイソレータは、第1導波路と、少なくとも1つの第2導波路とを備える。前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有する。前記第2導波路は、両端を有し、前記第1導波路に沿って位置し、前記第1導波路と互いに結合する。任意の動作周波数において、前記第1導波路と前記第2導波路とは、前記第1端から入力された電磁波が前記第2端に向けて伝搬する場合の結合係数よりも、前記第2端から入力された電磁波が前記第1端に向けて伝搬する場合の結合係数の方が大きくなるように結合する。
本開示の一実施形態に係る光スイッチは、光アイソレータを備える。前記光アイソレータは、基板面を有する基板の上において、前記基板面に沿って並んで位置する第1導波路と第2導波路とを備える。前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有する。前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有する。前記第2導波路のコアは、縦横比が0.8乃至1.2であり、前記第2導波路が延在する方向に交差する断面の少なくとも一部に非相反性部材を含む。
本開示の一実施形態に係る光増幅器は、光アイソレータを備える。前記光アイソレータは、基板面を有する基板の上において、前記基板面に沿って位置し、前記基板から見て互いに重なる第1導波路と第2導波路とを備える。前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有する。前記コアは、前記基板面の側を向く第1面と、前記第1面の反対側の第2面とを有する。前記クラッドは、前記コアの第1面及び第2面に接するように位置する。前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有する。前記第2導波路のコアは、縦横比が0.8乃至1.2であり、前記第2導波路が延在する方向に交差する断面の少なくとも一部に非相反性部材を含む。
本開示の一実施形態に係る光増幅器は、光アイソレータを備える。前記光アイソレータは、第1導波路と、少なくとも1つの第2導波路とを備える。前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有する。前記第2導波路は、両端を有し、前記第1導波路に沿って位置し、前記第1導波路と互いに結合する。任意の動作周波数において、前記第1導波路と前記第2導波路とは、前記第1端から入力された電磁波が前記第2端に向けて伝搬する場合の結合係数よりも、前記第2端から入力された電磁波が前記第1端に向けて伝搬する場合の結合係数の方が大きくなるように結合する。
本開示の一実施形態に係る光増幅器は、光アイソレータを備える。前記光アイソレータは、基板面を有する基板の上において、前記基板面に沿って並んで位置する第1導波路と第2導波路とを備える。前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有する。前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有する。前記第2導波路のコアは、縦横比が0.8乃至1.2であり、前記第2導波路が延在する方向に交差する断面の少なくとも一部に非相反性部材を含む。
本開示の一実施形態に係るデータセンターは、光アイソレータを備えるデバイスによって通信する。前記光アイソレータは、基板面を有する基板の上において、前記基板面に沿って位置し、前記基板から見て互いに重なる第1導波路と第2導波路とを備える。前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有する。前記コアは、前記基板面の側を向く第1面と、前記第1面の反対側の第2面とを有する。前記クラッドは、前記コアの第1面及び第2面に接するように位置する。前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有する。前記第2導波路のコアは、縦横比が0.8乃至1.2であり、前記第2導波路が延在する方向に交差する断面の少なくとも一部に非相反性部材を含む。
本開示の一実施形態に係るデータセンターは、光アイソレータを備えるデバイスによって通信する。前記光アイソレータは、第1導波路と、少なくとも1つの第2導波路とを備える。前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有する。前記第2導波路は、両端を有し、前記第1導波路に沿って位置し、前記第1導波路と互いに結合する。任意の動作周波数において、前記第1導波路と前記第2導波路とは、前記第1端から入力された電磁波が前記第2端に向けて伝搬する場合の結合係数よりも、前記第2端から入力された電磁波が前記第1端に向けて伝搬する場合の結合係数の方が大きくなるように結合する。
本開示の一実施形態に係るデータセンターは、光アイソレータを備えるデバイスによって通信する。前記光アイソレータは、基板面を有する基板の上において、前記基板面に沿って並んで位置する第1導波路と第2導波路とを備える。前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有する。前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有する。前記第2導波路のコアは、前記第2導波路が延在する方向に交差する断面の少なくとも一部
に非相反性部材を含み、縦横比が0.8乃至1.2である。
一実施形態に係るアイソレータの構成例を示す側面図である。 図1のA−A断面図である。 非相反性部材の構成例を示す断面図である。 図3の非相反性部材における位相差の一例を示すグラフである。 非相反性部材の構成例を示す断面図である。 図5の非相反性部材における位相差の一例を示すグラフである。 非相反性部材の構成例を示す断面図である。 第1方向に進む電磁波に対する結合長の一例を示すグラフである。 第2方向に進む電磁波に対する結合長の一例を示すグラフである。 透過特性のシミュレーション結果の一例を示すグラフである。 比較例に係るアイソレータを示すブロック図である。 第2導波路の両端にアンテナを備える例を示す側面図である。 第2導波路の両端に電磁波吸収部材を備える例を示す側面図である。 複数の第2導波路を備える例を示す側面図である。 導波路に整合回路を有するアイソレータの構成例を示す側面図である。 整合回路の構成例を示す平面図である。 透過特性のシミュレーション結果の一例を示すグラフである。 磁場印加部をさらに備えるアイソレータの構成例を示す側面図である。 一実施形態に係る光源装置の構成例を示す側面図である。 接続導波路と第1導波路との接続例を示す断面図である。 接続導波路と第1導波路との接続例を示す断面図である。 他の実施形態に係るアイソレータの構成例を示す斜視図である。 他の実施形態に係るアイソレータの構成例を示す平面図である。 図23のB−B断面図である。 透過特性のシミュレーション結果の一例を示すグラフである。 コアの縦横比が1の誘電率と非相反性の大きさの関係を示すグラフである。 コア31の縦横比と非相反性の大きさの関係を示すグラフである。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
図1に示されるように、一実施形態に係るアイソレータ10は、第1導波路20と、第2導波路30とを備える。第1導波路20及び第2導波路30は、基板面50aを有する基板50の上において、基板面50aに沿って位置し、X軸方向に延在する。
基板50は、金属等の導体、シリコン等の半導体、ガラス、又は樹脂等を含んで構成されてよい。
第1導波路20及び第2導波路30のいずれか一方は、基板面50aに接する。第1導波路20が基板面50aに接する場合、第2導波路30が第1導波路20の上に位置する。第2導波路30が基板面50aに接する場合、第1導波路20が第2導波路30の上に位置する。第1導波路20と第2導波路30とは、基板50から見て互いに重なるといえる。以下、第1導波路20が基板面50aに接するものとする。この場合、第2導波路30は、第1導波路20の上に位置する。
第1導波路20は、X軸の正の方向の側及び負の方向の側それぞれに、第1端201及び第2端202を有する。第1導波路20は、第1端201及び第2端202それぞれに、電磁波が入出力される第1ポート211及び第2ポート212を備える。第1ポート211から第1導波路20に入力される電磁波は、X軸に沿って第2ポート212に向けて進む。第2ポート212から第1導波路20に入力される電磁波は、X軸に沿って第1ポート211に向けて進む。第1ポート211及び第2ポート212はそれぞれ、コア21の端面として構成されてよいし、外部装置と接続され、電磁波を伝搬可能なカプラとして構成されてもよい。
第2導波路30は、X軸の正の方向の側及び負の方向の側それぞれに、端部301及び302を有する。言い換えれば、第2導波路30は、両端を有する。第2導波路30は、第1導波路20に沿って位置し、第1導波路20と互いに結合する。第2導波路30の数は、1つに限られず、2つ以上であってよい。
第1導波路20と第2導波路30とは、延在する方向の少なくとも一部において、互いに沿って位置してよい。第1導波路20と第2導波路30とは、延在する方向の少なくとも一部において、互いに平行となるように位置してよい。第1導波路20又は第2導波路30は、直線状の構造を有してよい。第1導波路20と第2導波路30とは、これらのような簡易な構造を有することによって、基板50の上で容易に形成されうる。
互いに沿って位置する2つの導波路は、平行導波路ともいう。平行導波路において、一方の導波路に入力された電磁波は、その導波路の中で伝搬する間に他方の導波路に移りうる。つまり、第1導波路20の中で伝搬する電磁波は、第2導波路30に移りうる。第2導波路30の中で伝搬する電磁波は、第1導波路20に移りうる。
平行導波路において、一方の導波路から他方の導波路へ移る電磁波の割合を表すパラメータは、結合係数ともいう。一方の導波路から他方の導波路へ電磁波が全く移らない場合、結合係数は0であるものとする。一方の導波路から他方の導波路へ全ての電磁波が移る場合、結合係数は1であるものとする。結合係数は、0以上且つ1以下の値でありうるものとする。結合係数は、各導波路の形状、各導波路間の距離、又は、導波路が互いに沿う長さ等に基づいて決定されうる。例えば、結合係数は、各導波路の形状が近似するほど高くなりうる。各導波路間の距離について、例えば第1導波路20と第2導波路30との間の距離は、コア21とコア31との間の距離であってよい。結合係数は、電磁波が導波路の中で伝搬する距離に応じて変化しうる。つまり、平行導波路において、導波路が延在する方向に沿った位置に応じて、結合係数は異なりうる。結合係数の極大値は、各導波路の形状又は各導波路間の距離等に基づいて決定されうる。結合係数の極大値は、1以下の値でありうる。
平行導波路において、導波路が互いに沿う区間の始点における結合係数は0である。始点から、結合係数が極大値となる位置までの長さは、結合長ともいう。導波路が互いに沿う長さが結合長に等しい場合、導波路が互いに沿う区間の終点における結合係数は、極大値でありうる。結合長は、各導波路の形状又は各導波路間の距離等に基づいて決定されうる。
第2導波路30において、第1導波路20から移ってきた電磁波は、第2導波路30の中でも第1導波路20の中と同じ方向に伝搬する。第2導波路30において、電磁波が端部301又は302に到達した場合、電磁波は、端部301又は302から放射されたり、端部301又は302で反射されて逆方向に進んだりしうる。
図2に示されるように、第1導波路20は、コア21と、クラッド22及び23とを備える。コア21、並びに、クラッド22及び23は、X軸方向に延在する。クラッド22及び23は、コア21に対して、Z軸の負の方向の側及び正の方向の側に位置する。クラッド22は、コア21から見て基板50の側に位置する。クラッド23は、コア21から見て基板50の反対側に位置する。クラッド23は、コア21から見て第2導波路30の側に位置するともいえる。基板50から見て、クラッド22、コア21、及び、クラッド23が順番に積層されるともいえる。クラッド22及び23は、第1導波路20と第2導波路30とが重なる方向に沿って、コア21を挟んで位置するともいえる。クラッド22及び23は、第1導波路20と第2導波路30とが重なる方向に沿って、コア21の両側に位置するともいえる。コア21は、基板50の側に位置する第1面21aと、第1面21aの反対側に位置する第2面21bとを有してよい。クラッド22及び23はそれぞれ、第1面21a及び第2面21bに接するように位置してよい。
第2導波路30は、コア31と、非相反性部材32と、クラッド33及び34とを備える。コア31、非相反性部材32、並びに、クラッド33及び34は、X軸方向に延在する。非相反性部材32は、コア31に対して、Z軸の正の方向の側に位置してよい。非相反性部材32は、コア31に対して、Z軸の負の方向の側に位置してもよい。非相反性部材32は、コア31に対して、Y軸の正の方向又は負の方向に並んで位置してもよい。
図2に示されるように、X軸に交差する断面から見たコア31及び非相反性部材32の形状は、点対称とならないように構成される。コア31及び非相反性部材32の形状は、さらに線対称とならないように構成されてもよい。コア31と非相反性部材32とは、まとめて非対称コアともいう。非対称コアは、コア31と非相反性部材32とを含んで構成される。非対称コアは、X軸に交差する断面の少なくとも一部に非相反性部材32を有してよい。コア31は、少なくとも1種類の誘電体を含んで構成されてよい。非相反性部材32は、少なくとも1種類の誘電体の基板50の側の面、又は、その反対側の面に接してよい。
非対称コアの断面が点対称に近いか否かを表す指標として、対称度が用いられうる。対称度は、非対称コアの断面形状と、所定点を中心としてその断面形状を180度回転させて得られる断面形状との間で、一致する部分が含まれる割合によって表されてよい。対称度が高い断面形状は、点対称に近いといえる。非対称コアは、その断面形状の対称度が低くなるように構成されてよい。
非対称コアの断面において、コア31の面積は、非相反性部材32の面積よりも大きく構成されてよい。このようにすることで、電磁波の大部分がコア31の中で伝搬しうる。結果として、第2導波路30における電磁波の損失が低減されうる。
非対称コアの断面は、非対称コアの中で伝搬する電磁波の強度が最大となる部分にコア31が位置するように構成されてよい。このようにすることで、電磁波の強度が高い部分がコア31の中で伝搬しうる。結果として、第2導波路30における電磁波の損失が低減されうる。
クラッド33及び34は、非対称コアに対して、Z軸の負の方向の側及び正の方向の側に位置する。クラッド33は、非対称コアから見て基板50の側に位置する。クラッド34は、非対称コアから見て基板50の反対側に位置する。クラッド34は、非対称コアから見て第2導波路30の側に位置するともいえる。基板50から見て、クラッド33、非対称コア、及び、クラッド34が順番に積層されるともいえる。クラッド33及び34は、非対称コアを挟んで位置するともいえる。クラッド33及び34は、第1導波路20と第2導波路30とが重なる方向に沿って、非対称コアの両側に位置するともいえる。コア31は、基板50の側に位置する第1面31aと、第1面31aの反対側に位置する第2面31bとを有してよい。クラッド33及び34はそれぞれ、第1面31a及び第2面31bに接するように位置してよい。
コア21及び31、並びに、クラッド22、23、33及び34は、誘電体を含んで構成されてよい。コア21及び31は、誘電体線路ともいう。コア21の比誘電率は、クラッド22及び23それぞれの比誘電率よりも高くされてよい。コア31の比誘電率は、クラッド33及び34それぞれの比誘電率よりも高くされてよい。クラッド23とクラッド33とは、同一の誘電体材料で構成されてよい。クラッド23とクラッド33とは、一体に構成されてよい。クラッド23とクラッド33とが一体に構成される場合、アイソレータ10の形成が容易になりうる。コア21及び31、並びに、クラッド22、23、33及び34の比誘電率は、空気の比誘電率よりも高くされてよい。コア21及び31、並びに、クラッド22、23、33及び34の比誘電率が空気の比誘電率よりも高くされることで、第1導波路20及び第2導波路30からの電磁波の漏れが抑制されうる。結果として、アイソレータ10から外部に電磁波が放射されることによる損失が低減されうる。
コア21又は31は、例えば、シリコン(Si)で構成されてよい。クラッド22、23、33又は34は、例えば、石英ガラス(SiO2)で構成されてよい。シリコン及び石英ガラスの比誘電率はそれぞれ、約12及び約2である。シリコンは、約1.2μm〜約6μmの近赤外波長を有する電磁波を低損失で伝搬させうる。コア21又は31は、シリコンで構成される場合、光通信で使用される1.3μm帯又は1.55μm帯の波長を有する電磁波を低損失で伝搬させうる。
コア21とクラッド22及び23とを含んで構成される第1導波路20、並びに、非対称コアとクラッド33及び34とを含んで構成される第2導波路30は、シングルモードでの導波条件を満たしてよい。第1導波路20及び第2導波路30がシングルモードでの導波条件を満たす場合、第1導波路20及び第2導波路30を伝搬する信号の波形が崩れにくくなる。シングルモードでの導波条件を満たす第1導波路20及び第2導波路30を組み合わせたアイソレータ10は、光通信に適したものとなりうる。
コア21又は31の比誘電率は、Z軸方向に沿って一様に分布してよいし、Z軸方向に沿って変化するように分布してもよい。例えば、コア21の比誘電率は、Z軸方向の中央部で最も高くなり、クラッド22及び23に近づくにつれて低くなるように分布してよい。この場合、コア21は、グレーデッド・インデックス型光ファイバと同様の原理で電磁波を伝搬させうる。
第1ポート211を介して第1導波路20の第1端201からコア21に入力された電磁波は、X軸に沿って延在する第1導波路20のコア21の中で、第2端202に向けて伝搬する。第1端201から第2端202に向かう方向は、第1方向ともいう。コア21の中で伝搬する電磁波は、コア21の中で第1方向に伝搬した距離に基づく結合係数に応じた割合で、第2導波路30のコア31に移りうる。電磁波がコア21の中で第1方向に伝搬する場合の結合係数は、第1結合係数ともいう。
第2ポート212を介して第1導波路20の第2端202からコア21に入力された電磁波は、X軸に沿って延在する第1導波路20のコア21の中で、第1端201に向けて伝搬する。第2端202から第1端201に向かう方向は、第2方向ともいう。コア21の中で伝搬する電磁波は、コア21の中で第2方向に伝搬した距離に基づく結合係数に応じた割合で、第2導波路30のコア31に伝搬する。電磁波がコア21の中で第2方向に伝搬する場合の結合係数は、第2結合係数ともいう。
第2導波路30の非対称コアは、電磁波が第1方向に伝搬する場合と、電磁波が第2方向に伝搬する場合とで、異なる伝搬特性を有しうる。非対称コアの伝搬特性が電磁波の伝搬方向に基づいて異なる場合、第1結合係数と第2結合係数とは互いに異なりうる。つまり、非相反性部材32は、第1結合係数と第2結合係数とを異ならせうる。
非相反性部材32は、電磁波が第1方向に伝搬する場合と第2方向に伝搬する場合とにおいて、それぞれ異なる伝搬特性を有するような材料で構成されてよい。電磁波の伝搬方向によって異なる伝搬特性を有する材料は、非相反性材料ともいう。非相反性部材32は、例えば、磁性ガーネット、フェライト、鉄、コバルト等の磁性体を含んで構成されてよい。非相反性部材32の比誘電率は、式(1)のようにテンソルで表されうる。
テンソルの各要素は、複素数で表されてよい。各要素の添え字として用いられている数字は、X軸、Y軸及びZ軸に対応してよい。要素として複素数を有し、比誘電率を表すテンソルは、複素比誘電率テンソルともいう。
非相反性部材32は、非相反性材料を所定の濃度で含んでよい。所定の濃度は、X軸に交差する断面の中で変化してよい。所定の濃度は、アイソレータ10に入力される電磁波の偏光方向に沿って見た少なくとも一部において変化してよい。
第2導波路30は、X軸に交差する断面において、図3に示される形状を有してよい。第2導波路30のY軸方向の寸法は、Aで表されるものとする。コア31及び非相反性部材32それぞれのZ軸方向の寸法は、Bで表されるものとする。非相反性部材32のY軸方向の寸法は、Cで表されるものとする。非相反性部材32は、コア31とY軸に沿って並び、Y軸の負の方向の側に偏って位置するものとする。第2導波路30は、X軸方向の寸法が所定の長さとなるようにX軸方向に延在するものとする。非相反性部材32は、複素比誘電率テンソルで表される比誘電率を有するものとする。
図3に例示される第2導波路30について、第2導波路30を第1方向に伝搬する電磁波の位相と第2方向に伝搬する電磁波の位相との差がシミュレーションによって計算されうる。第1方向に伝搬する電磁波の位相と第2方向に伝搬する電磁波の位相との差は、位相差ともいう。図4のグラフに示されるように、位相差は、C/Aの値に応じて変化しうる。C/Aの値は、非対称コアをZ軸方向に見て、非相反性部材32によって占有される割合を表す。図4のグラフによれば、C/Aの値が0.5に近づく場合に、位相差が大きくなりうる。位相差は、C/Aの値を変化させることによって調整されうる。位相差が大きい場合、電磁波の減衰量の非相反性が大きくなりうる。つまり、位相差が大きいほど、電磁波が第1方向に伝搬する場合の減衰量と、第2方向に伝搬する場合の減衰量との差が大きくなりうる。第2導波路30は、C/Aの値が調整されることによって、電磁波の伝搬方向に応じて電磁波の減衰量が異なる性質を有するように構成されうる。電磁波の伝搬方向に応じて電磁波の減衰量が異なる性質は、非相反性ともいう。C/Aの値が0.5に近づく場合、非対称コアの対称度が低くなるといえる。つまり、非対称コアの対称度が低くされることによって、第2導波路30の非相反性が大きくされうる。
第2導波路30は、X軸に交差する断面において、図5に示される形状を有してよい。第2導波路30のY軸方向の寸法、及び、コア31のY軸方向の寸法は、Aで表されるものとする。コア31のZ軸方向の寸法は、Bで表されるものとする。非相反性部材32のY軸方向及びZ軸方向それぞれの寸法は、C及びDで表されるものとする。非相反性部材32は、コア31よりもZ軸の正の方向の側に位置し、第2導波路30の中でY軸の負の方向の側に偏って位置するものとする。第2導波路30は、X軸方向の寸法が所定の長さとなるようにX軸方向に延在するものとする。非相反性部材32は、複素比誘電率テンソルで表される比誘電率を有するものとする。
図5に例示される第2導波路30について、第2導波路30を第1方向に伝搬する電磁波の位相と第2方向に伝搬する電磁波の位相との差がシミュレーションによって計算されうる。図6のグラフに示されるように、位相差は、C/Aの値に応じて変化しうる。位相差とC/Aの値との関係は、D/Bの値に応じて変化しうる。図6のグラフによれば、C/Aの値が0.5に近づく場合に、位相差が大きくなりうる。位相差は、C/Aの値を変化させることによって調整されうる。図6のグラフによれば、D/Bの値が大きくなる場合に、位相差が大きくなりうる。位相差は、D/Bの値を変化させることによって調整されうる。第2導波路30は、C/Aの値及びD/Bの値が調整されることによって、非相反性を有するように構成されうる。D/Bの値が図6に例示される範囲で大きくなる場合、非対称コアの対称度が低くなるといえる。つまり、非対称コアの対称度が低くされることによって、第2導波路30の非相反性が大きくされうる。
第2導波路30は、X軸に交差する断面において、図7に示される形状を有してよい。この場合、非対称コアは点対称ではない。よって、図7に例示される第2導波路30は、非相反性を有しうる。
また、第2導波路30の非相反性は、コア31の縦横比によっても異なる。第2導波路30の構成による非相反性の大きさの違いについて、図26、図27に示す。図26にコア31の縦横比が1の場合の誘電率と非相反性の大きさの関係を示す。これより、コア31の誘電率は、動作周波数において6以上であることが望ましいと言える。図27にはコア31の縦横比と非相反性の大きさの関係を示す。これより、コア31の縦横比は0.8乃至1.2の間であることが望ましいと言える。
平行導波路の一方の導波路が非相反性を有する場合、電磁波が第1方向に伝搬する場合の結合係数の極大値は、電磁波が第2方向に伝搬する場合の結合係数の極大値と異なりうる。例えば図8に示されるように、電磁波が第1方向に伝搬する場合における第1導波路20と第2導波路30との結合係数の極大値は、0に近い値となるように構成されうる。例えば図9に示されるように、電磁波が第2方向に伝搬する場合における第1導波路20と第2導波路30との結合係数の極大値は、1に近い値となるように構成されうる。電磁波の伝搬方向ごとに結合係数の極大値が異なることによって、電磁波の伝搬方向ごとに電磁波の透過率が異なりうる。図8及び図9において、横軸及び縦軸はそれぞれ、平行導波路における電磁波の進行距離、及び、結合係数を表す。
第2導波路30が非相反性を有する場合、第1導波路20と第2導波路30との結合係数は、電磁波の伝搬方向に応じて異なりうる。つまり、第2導波路30が非相反性を有する場合、アイソレータ10の第1結合係数は、第2結合係数と異なりうる。第2導波路30の非相反性の大きさが調整されることによって、第2結合係数は、第1結合係数よりも大きくされうる。
第1ポート211から第1導波路20に入力された電磁波が第1方向に伝搬する場合、入力された電磁波のうち第2導波路30に移った電磁波の少なくとも一部が端部302に到達しうる。第2導波路30の端部302に到達した電磁波は、第1導波路20の第2ポート212から出力されず、端部302から外部に放射されたり、端部302で反射されたりしうる。第1結合係数が大きい場合、第1導波路20に入力された電磁波のうち、第2導波路30に移って、端部302に到達する電磁波の割合が大きくなりうる。この場合、第1導波路20に入力された電磁波のうち、第2ポート212から出力される電磁波の割合が小さくなりうる。つまり、第1ポート211に入力される電磁波の強度に対する、第2ポート212から出力される電磁波の強度の比が小さくなりうる。第1ポート211に入力される電磁波の強度に対する、第2ポート212から出力される電磁波の強度の比は、第1方向に伝搬する電磁波に対するアイソレータ10の透過率ともいう。第1結合係数が大きい場合、第1方向に伝搬する電磁波に対する透過率が低くなりうる。一方で、第1結合係数が小さい場合、第2導波路30に移る電磁波の割合が小さくなりうるので、第1方向に伝搬する電磁波に対する透過率が高くなりうる。
第2ポート212から第1導波路20に入力され第2方向に伝搬する電磁波は、第1方向に伝搬する電磁波がアイソレータ10から受ける作用と同一の作用を受けうる。その作用によって、第2方向に伝搬する電磁波の一部は、第2導波路30の端部301に到達しうる。第2結合係数が大きい場合、第2方向に伝搬する電磁波に対する透過率が低くなりうる。第2結合係数が小さい場合、第2方向に伝搬する電磁波に対する透過率が高くなりうる。
第1結合係数と第2結合係数とが異なる場合、第1方向に伝搬する電磁波に対する透過率と、第2方向に伝搬する電磁波に対する透過率とが異なりうる。つまり、アイソレータ10は、第1結合係数と第2結合係数とを異ならせることによって、一方向に電磁波を伝搬させやすくし、逆方向に電磁波を伝搬させにくくするように機能しうる。第2結合係数が第1結合係数よりも大きい場合、アイソレータ10は、第1方向に電磁波を伝搬させやすくし、第2方向に電磁波を伝搬させにくくするように機能しうる。第1結合係数及び第2結合係数がそれぞれ略0及び略1とされる場合、第1方向に伝搬する電磁波に対する透過率と、第2方向に伝搬する電磁波に対する透過率との差が大きくされうる。結果として、アイソレータ10の機能が向上されうる。
平行導波路の一方の導波路が非相反性を有する場合、第1方向に伝搬する電磁波に対する平行導波路の結合長は、第2方向に伝搬する電磁波に対する平行導波路の結合長と異なりうる。例えば図8に示されるように、アイソレータ10において第1方向に伝搬する電磁波に対する結合長は、L1と表されうる。例えば図9に示されるように、アイソレータ10において第2方向に伝搬する電磁波に対する結合長は、L2と表されうる。アイソレータ10は、L1とL2とが異なるように構成されてよい。
平行導波路において2つの導波路が互いに沿う長さが結合長に等しい場合、結合係数が極大値となりうる。例えば図8のグラフに示される関係を有する平行導波路において、2つの導波路が互いに沿う長さがL1である場合、結合係数が極大値となりうる。2つの導波路が互いに沿う長さが結合長の2倍に等しい場合、結合係数が極小値となりうる。例えば図8に示される関係を有する平行導波路において、2つの導波路が互いに沿う長さが2L1である場合、結合係数が極小値となりうる。
図8のグラフに示される関係は、電磁波の進行距離が長くなった領域でも繰り返されうる。つまり、2つの導波路が互いに沿う長さがL1の奇数倍である場合、結合係数が極大値となりうる。2つの導波路が互いに沿う長さがL1の偶数倍である場合、結合係数が極小値となりうる。図9に示される関係を有する平行導波路においても、2つの導波路が互いに沿う長さがL2の奇数倍である場合、及び、L2の偶数倍ある場合それぞれで、結合係数が極大値及び極小値となりうる。L1及びL2は、平行導波路における最短の結合長となりうる長さであり、単位結合長ともいう。つまり、結合長は、単位結合長の奇数倍であってよい。
第1導波路20と第2導波路30とが互いに沿う長さが調整されることによって、第1結合係数及び第2結合係数が調整されうる。第1導波路20と第2導波路30とが互いに沿う長さは、第2方向に伝搬する電磁波に対する単位結合長の奇数倍と略同一であってよい。このようにすることで、第2結合係数が大きくされうる。第1導波路20と第2導波路30とが互いに沿う長さは、第1方向に伝搬する電磁波に対する単位結合長の偶数倍と略同一であってよい。このようにすることで、第1結合係数が小さくされうる。このようにすることで、第2結合係数が第1結合係数より大きくされてよい。
アイソレータ10の一方のポートに入力される電磁波のうち、他方のポートから出力されない電磁波の量は、減衰量ともいう。電磁波の減衰量が大きい場合、その電磁波の透過率は低いといえる。アイソレータ10における第1方向及び第2方向に進む電磁波の減衰量は、有限要素法等を用いたシミュレーションによって算出されうる。図10において、第2方向に伝搬する電磁波の減衰量と電磁波の周波数との関係は、S12で表される実線のグラフで表される。第1方向に伝搬する電磁波の減衰量と電磁波の周波数との関係は、S21で表される破線のグラフで表される。グラフの横軸及び縦軸はそれぞれ、第1導波路20を伝搬する電磁波の周波数、及び、その電磁波の減衰量を表す。電磁波の減衰量は、デシベル(dB)を単位として表されるものとする。縦軸に沿って見て上方に位置するプロットは、電磁波の減衰量が少ないことを表す。縦軸に沿って見て下方に位置するプロットは、電磁波の減衰量が多いことを表す。
図10に示されるように、fb1で表される所定の周波数帯において、第2方向に伝搬する電磁波の減衰量は、第1方向に伝搬する電磁波の減衰量よりも大きくなりうる。この場合、アイソレータ10は、所定の周波数帯の電磁波を、第1ポート211から第2ポート212に向けて伝搬させやすくする一方で、第2ポート212から第1ポート211へ伝搬させにくくするように機能しうる。アイソレータ10が電磁波の伝搬方向ごとに減衰量を異ならせるように機能しうる所定の周波数帯は、アイソレータ10の動作周波数ともいう。アイソレータ10の動作周波数は、アイソレータ10の構成に基づいて、任意に決定されうる。つまり、任意の動作周波数において、第1結合係数よりも第2結合係数の方が大きくされうる。
本実施形態に係るアイソレータ10は、第1方向に伝搬する電磁波に対する透過率と第2方向に伝搬する電磁波に対する透過率とを異ならせる機能を有する。このような機能は、図11に示される比較例に係るアイソレータ90によっても実現されうる。
アイソレータ90は、入力端91と、分岐結合器92と、相反移相器93と、非相反移相器94と、分岐結合器95と、出力端96とを備える。入力端91から入力された電磁波は、分岐結合器92で分岐され、相反移相器93と非相反移相器94とに伝搬する。電磁波は、相反移相器93と非相反移相器94とでそれぞれ移相され、分岐結合器95で結合され、出力端96に伝搬する。相反移相器93と非相反移相器94とは、入力端91から入力された電磁波が出力端96から出力されるように構成されうる。一方で、出力端96から入力された電磁波は、分岐結合器95で分岐され、相反移相器93と非相反移相器94とに伝搬する。電磁波は、相反移相器93と非相反移相器94とでそれぞれ移相され、分岐結合器92で結合され、入力端91に伝搬する。相反移相器93と非相反移相器94とは、出力端96から入力された電磁波が入力端91からは出力されないように構成されうる。
比較例に係るアイソレータ90において、非相反移相器94、並びに、分岐結合器92及び95における電磁波の損失が比較的大きい。一方、本実施形態に係るアイソレータ10において、電磁波は原則としてコア31を伝搬する。結果として、本実施形態に係るアイソレータ10における電磁波の損失は、比較例に係るアイソレータ90における電磁波の損失よりも小さくなりうる。つまり、本実施形態に係るアイソレータ10は、電磁波の損失を低減しつつ、電磁波を一方向に透過しやすく、逆方向に透過しにくいように機能しうる。本実施形態に係るアイソレータ10において、第1導波路20及び第2導波路30はそれぞれ、相反線路及び非相反線路ともいう。
比較例に係るアイソレータ90において、非相反移相器94、並びに、分岐結合器92及び95は、直列に接続されるように実装され、小型化されにくい。一方、本実施形態に係るアイソレータ10は、第1導波路20と第2導波路30とが重なることで、基板50の上で小型化されやすい。結果として、本実施形態に係るアイソレータ10は、基板50の上で、集積して実装されうる。つまり、本実施形態に係るアイソレータ10は、集積化された構成によって、電磁波を一方向に透過しやすく、逆方向に透過しにくいように機能しうる。
図12に示されるように、アイソレータ10は、第2導波路30の端部301及び302に、電磁波を放射するアンテナ60をさらに備えてよい。アンテナ60は、端部301及び302に到達した電磁波を効率よく放射しうる。アンテナ60によって、端部301及び302で電磁波が反射しにくくなる。結果として、アイソレータ10の機能が向上されうる。
第2導波路30は、端部301及び302に切断面を有してよい。第2導波路30の両端の切断面は、アンテナ60として機能してよい。第2導波路30の端部301及び302における切断面の法線ベクトルは、X軸に対して傾きを有する方向を向くように構成されてよい。切断面の法線ベクトルの向きとX軸方向との間の角度は、0度より大きくてよい。言い換えれば、切断面の法線ベクトルは、第2導波路30における電磁波の伝搬方向に交差する方向の成分を有してよい。切断面の法線ベクトルの向きとX軸方向との間の角度は、90度に近い値であってよい。切断面の法線ベクトルの向きとX軸との間の角度が90度に近い場合、第2導波路30は、端部301及び302において、その厚みが緩やかに減少するテーパ形状となる。結果として、端部301及び302における電磁波の反射率が低減されうる。第2導波路30が基板50から見て第1導波路20の上に位置する場合、第2導波路30の両端の切断面は、基板50の上における加工によって形成されやすくなる。
図13に示されるように、アイソレータ10は、第2導波路30の端部301及び302の外側に、電磁波吸収部材70をさらに備えてよい。電磁波吸収部材70は、端部301及び302から放射される電磁波を吸収しうる。このようにすることで、アイソレータ10から放射される電磁波がアイソレータ10の周辺に位置する他の回路に影響を及ぼしにくくなる。
図14に示されるように、アイソレータ10は、複数の第2導波路30を備えてよい。第2導波路30の数は、2つに限られず、3つ以上であってよい。第2導波路30それぞれは、第1導波路20に直列に結合してよい。第2導波路30それぞれと第1導波路20とが互いに沿う長さは、第2方向に伝搬する電磁波に対する結合長と略同一であってよい。アイソレータ10が複数の第2導波路30を備えることによって、第2方向に伝搬する電磁波が第2導波路30から放射されやすくなり、第2端202から第1端201まで到達しにくくなる。結果として、電磁波を一方向に伝搬させやすくするとともに、逆方向に伝搬させにくくするというアイソレータ10の機能が向上されうる。
図15に示されるように、第1導波路20は、整合調整回路25を含んでよい。整合調整回路25は、第1導波路20の中で伝搬する電磁波の周波数ごとの伝搬特性を調整しうる。整合調整回路25は、例えば図16に示されるように、コア21が複数の孔部24を有する構造として設けられてよい。図16において、第2導波路30は、二点鎖線の仮想線で示される。孔部24は、Y軸方向にコア21を貫通してよい。孔部24は、コア21の第1面21aから第2面21bまで貫通してよい。孔部24は、Y軸方向にクラッド22及び23まで貫通してもよい。孔部24は、X軸方向に並んでよい。つまり、孔部24は、コア21が延在する方向に並んでよい。孔部24の数は、9個に限られない。孔部24をZ軸方向から見た形状は、矩形状に限られず、円状又は多角形状等の種々の形状であってよい。
孔部24は、X軸方向に周期的に並んでよい。コア21がX軸方向に周期的に並ぶ孔部24を有する場合、コア21を含む第1導波路20は、ブラッグ回折格子を構成しうる。第1導波路20に第1ポート211から電磁波が入力された場合、入力された電磁波のうちブラッグ反射条件を満たす波長を有する電磁波は、反射されて第1ポート211に戻りうる。一方で、その他の波長を有する電磁波は、第2ポート212に向けて伝搬しうる。つまり、孔部24を備える第1導波路20は、所定の波長を有する電磁波に対するフィルタとして機能しうる。
第1導波路20が整合調整回路25を含む場合、例えば図17に示されるように、fb2で表される所定の周波数帯において、第1方向に伝搬する電磁波の減衰量は、第2方向に伝搬する電磁波の減衰量よりも大きくなりうる。fb2は、図10のfb1で示される周波数帯と異なる周波数帯とされてよい。整合調整回路25の構成が調整されることによって、fb2は、fb1で示される周波数帯よりも、高い周波数帯とされたり、低い周波数帯とされたりしうる。図17のグラフに関して図10のグラフと共通する事項の説明は省略される。
非相反性部材32は、所定方向の磁場が印加される場合に非相反性を有するように構成されてよい。非相反性部材32は、Z軸方向の成分を有する磁場が印加される場合に非相反性を有するように構成されてよい。所定方向は、Z軸方向に限られず、種々の方向であってよい。所定方向は、非対称コアの断面形状、又は、対称度に基づいて決定されてよい。非相反性部材32は、磁場の強度又は向きの変化に応じて異なる大きさの非相反性を有するように構成されてよい。アイソレータ10がこのように構成されることで、非相反性部材32が非相反性を有するか否か、又は、非相反性部材32が有する非相反性の大きさが制御されうる。
図18に示されるように、アイソレータ10は、磁場を印加する磁場印加部80をさらに備えてよい。磁場印加部80は、第2導波路30に対してZ軸の正の方向に位置してよい。磁場印加部80は、第2導波路30に対して第1導波路20を介して基板50の側に位置してよい。磁場印加部80は、図18に例示される態様とは異なる態様で位置してもよい。磁場印加部80は、フェライト磁石又はネオジム磁石等の永久磁石であってよい。磁場印加部80は、電磁石であってもよい。
平行導波路における電磁波の伝搬モードは、偶モードと奇モードとを含みうる。偶モードは、平行導波路を構成する各導波路において、伝搬する電磁波の電場が同じ方向を向くモードである。奇モードは、平行導波路を構成する各導波路において、伝搬する電磁波の電場が反対の方向を向くモードである。電磁波は、平行導波路の実効屈折率に基づいて、平行導波路を伝搬しうる。平行導波路の実効屈折率は、平行導波路を構成する各導波路の形状、導波路を構成する材料の比誘電率、又は、電磁波の伝搬モード等に基づいて決定されうる。電磁波が偶モードで伝搬する場合の平行導波路の実効屈折率は、偶モード屈折率ともいう。電磁波が奇モードで伝搬する場合の平行導波路の実効屈折率は、奇モード屈折率ともいう。偶モード屈折率及び奇モード屈折率はそれぞれ、neven及びnoddと表されるものとする。平行導波路における結合長は、以下の式(2)で表されうる。
(L:結合長、m:奇数、λ0:真空中の波長)
アイソレータ10は、光を入力する構成と組み合わされて使用されうる。この場合、アイソレータ10は、光アイソレータともいう。図19に示されるように、光源装置100は、アイソレータ10と、光源110と、レンズ112と、光源110に電力を供給する電源114とを含む。光源110は、例えば、LD(Laser Diode)又はVCSEL(Vertical Cavity SurfaceEmitting LASER)等の半導体レーザであってよい。光源110は、基板50上に形成されてよい。
レンズ112は、光源110から出力された光を、アイソレータ10の第1導波路20の第1ポート211に集光させる。レンズ112の形状は特に限定されない。レンズ112として、小球レンズ、両凸レンズ、又は平凸レンズ等が採用されうる。レンズ112は、伝搬される光の波長に対して光透過性の材料を含んで構成されてよい。
光源110は、レンズ112を介して第1ポート211に光学的に接続されるともいえる。光源110、レンズ112、及び、第1ポート211は、位置ずれを生じないように相互の位置関係が固定されてよい。光源110、レンズ112、及び、第1ポート211は、基板50の上に一体として集積されてよい。光源110は、偏光方向がY軸方向となるような直線偏光の光を、第1ポート211に入力してよい。光源装置100は、レンズ112を有しなくてもよい。光源装置100は、レンズ112を有しない場合、光源110から出射した光を第1ポート211に直接入力してよい。
光源110から第1ポート211への光の入力方法は、光源110の光を直接又はレンズ112を介して入力する方法に限られない。光源110は、光ファイバを介して第1ポート211に結合してよい。光ファイバを伝搬する光を第1ポート211に入力する方法は、レンズ等を介して自由空間を接続する方法、光ファイバの出射面と第1ポート211とを直接突き合わせる方法、又は、接続導波路120(図20参照)を用いる方法等、種々の方法を含んでよい。
光源装置100は、光源110とアイソレータ10とを備えることによって、光源110から出力される光を、アイソレータ10を通して第1方向に向けて出力しうる。一方で、光源装置100は、アイソレータ10によって第2方向に戻る光を伝搬させにくくし、光源110の側に光が戻りにくくしうる。結果として、光が効率よく出力されうる。
光源装置100において、第1導波路20が基板面50aに接するように構成されてよい。つまり、第1導波路20が第2導波路30より基板面50aに近い側に位置してよい。このようにすることで、基板50の上に集積された光源110と第1ポート211とが容易に光学的に接続されうる。
図20に示されるように、接続導波路120は、コア121とクラッド122及び123とを有してよい。コア121の比誘電率は、第1導波路20のコア21の比誘電率と略同一であってよい。コア121は、コア21と同じ材料で形成されてよい。クラッド122及び123の比誘電率は、コア121の比誘電率よりも低くされてよい。クラッド122及び123の比誘電率は、第1導波路20のクラッド22及び23の比誘電率と略同一であってよい。クラッド122及び123は、クラッド22及び23と同じ材料で形成されてよい。コア121のX軸の正の方向の側の端面は、コア21のX軸の負の方向の側の端面に位置する第1ポート211と接するものとする。コア121のZ軸方向の厚みは、第1導波路20のコア21のZ軸方向の厚みよりも厚くてよい。コア121のZ軸方向の厚みは、第1導波路20のコア21のZ軸方向の厚みと略同一であってもよい。
コア121にX軸の負の方向の側から入力される光は、Y軸方向を偏光方向とする直線偏光であってよい。言い換えれば、コア121にX軸の負の方向の側から入力される光の偏光方向は、基板面50aに平行であってよい。基板50の上に集積された光源110が半導体レーザである場合、半導体レーザが射出する光の偏光方向は基板面50aに平行となる。半導体レーザは、基板50の上に集積しやすい。結果として、光源装置100の形成が容易になりうる。
コア121とコア21との接続部において、コア121のY軸方向の幅は、コア21のY軸方向の幅と略同一であってよい。コア121及びコア21のY軸方向の幅が、コア121とコア21との接続部で不連続に変化する場合、Y軸方向を偏光方向とする光は、接続部において放射しやすくなる。コア121とコア21との接続部において、コア121及びコア21それぞれのY軸方向の幅が略同一とされることで、放射による損失が低減されうる。
図21に示されるように、接続導波路120のコア121は、第1導波路20のコア21との接続部に近づくにつれて、Z軸方向の厚みが薄くなるテーパ形状に構成されてよい。このようにすることで、接続導波路120にY軸方向を偏光方向とする光が入力された場合に、入力された光は、コア21における光の伝搬モードに整合されうる。コア121からコア21に光が入射する際、光の伝搬モードの不整合が発生しにくくなる。結果として、コア121からコア21に光が入射する際の損失の発生が低減されうる。
図22に示されるように、他の実施形態に係るアイソレータ10は、基板50の上に、基板面50a(図1等参照)に沿って並んで位置する第1導波路20と、第2導波路30とを備える。アイソレータ10は、第1導波路20及び第2周囲に位置するクラッド40をさらに備えてよい。
図23に示されるように、第1導波路20は、X軸の正の方向の側及び負の方向の側それぞれに、第1端201及び第2端202を有する。第1導波路20は、第1端201及び第2端202それぞれに、電磁波が入出力される第1ポート211及び第2ポート212を備える。第1ポート211から第1導波路20に入力される電磁波は、X軸に沿って第2ポート212に向けて進む。第2ポート212から第1導波路20に入力される電磁波は、X軸に沿って第1ポート211に向けて進む。第1ポート211及び第2ポート212はそれぞれ、コア21(図24参照)の端面として構成されてよいし、外部装置と接続され、電磁波を伝搬可能なカプラとして構成されてもよい。
第2導波路30は、X軸の正の方向の側及び負の方向の側それぞれに、端部301及び302を有する。言い換えれば、第2導波路30は、両端を有する。第2導波路30は、第1導波路20に沿って位置し、第1導波路20と互いに結合する。第2導波路30の数は、1つに限られず、2つ以上であってよい。
第1導波路20と第2導波路30とは、延在する方向の少なくとも一部において、互いに沿って位置してよい。第1導波路20と第2導波路30とは、延在する方向の少なくとも一部において、互いに平行となるように位置してよい。第1導波路20又は第2導波路30は、直線状の構造を有してよい。第1導波路20と第2導波路30とは、これらのような簡易な構造を有することによって、基板50の上で容易に形成されうる。
第2導波路30において、第1導波路20から移ってきた電磁波は、第2導波路30の中でも第1導波路20の中と同じ方向に伝搬する。第2導波路30において、電磁波が端部301又は302に到達した場合、電磁波は、端部301又は302から放射されたり、端部301又は302で反射されて逆方向に進んだりしうる。
図24に示されるように、第1導波路20は、コア21と、クラッド22及び23とを備える。コア21、並びに、クラッド22及び23は、X軸方向に延在する。クラッド22及び23は、コア21に対して、Z軸の負の方向の側及び正の方向の側に位置する。クラッド22は、コア21から見て基板50の側に位置する。クラッド23は、コア21から見て基板50の反対側に位置する。基板50から見て、クラッド22、コア21、及び、クラッド23が順番に積層されるともいえる。コア21は、基板50の側に位置する第1面21aと、第1面21aの反対側に位置する第2面21bとを有してよい。クラッド22及び23はそれぞれ、第1面21a及び第2面21bに接するように位置してよい。
第2導波路30は、コア31と、非相反性部材32と、クラッド33及び34とを備える。コア31、非相反性部材32、並びに、クラッド33及び34は、X軸方向に延在する。非相反性部材32は、コア31に対して、Y軸の正の方向又は負の方向に並んで位置してよい。言い換えれば、コア31と非相反性部材32とは、基板面内に並んで位置してよい。非相反性部材32は、コア31に対して、Z軸の正の方向又は負の方向の側に位置してもよい。
図24に示されるように、X軸に交差する断面から見たコア31及び非相反性部材32の形状は、点対称とならないように構成される。コア31及び非相反性部材32の形状は、さらに線対称とならないように構成されてもよい。コア31と非相反性部材32とは、まとめて非対称コアともいう。非対称コアは、コア31と非相反性部材32とを含んで構成される。非対称コアは、X軸に交差する断面の少なくとも一部に非相反性部材32を有してよい。コア31は、少なくとも1種類の誘電体を含んで構成されてよい。非相反性部材32は、少なくとも1種類の誘電体の基板50の側の面、又は、その反対側の面に接してよい。
図24に示されるように、第1導波路20は、第1誘電体としてコア21を含み、第2誘電体としてクラッド40を含んでよい。第2誘電体は、第1誘電体と異なる種類の誘電体であってよい。第1誘電体と第2誘電体とは、基板面50aに平行な方向に並んでよい。第2導波路30は、第3誘電体としてコア31を含み、第4誘電体としてクラッド40を含んでよい。第4誘電体は、第3誘電体と異なる種類の誘電体であってよい。第3誘電体と第4誘電体と非相反性部材32とは、基板面50aに平行な方向に並んでよい。第3誘電体と第4誘電体と非相反性部材32とは、基板面50aの面内方向に接触していてよい。第1導波路20のクラッド22及び23の少なくとも一方は、第2導波路30のクラッド33及び34の少なくとも一方と一体であってよい。第1導波路20のクラッド22及び23の少なくとも一方は、クラッド40と一体であってよい。第2導波路30のクラッド33及び34の少なくとも一方は、クラッド40と一体であってよい。
第1導波路20と第2導波路30とが基板面50aに沿って並んでいる場合であっても、アイソレータ10は、図11に示されている比較例に係るアイソレータ90と比較して、小型化されうる。アイソレータ10が小型化されうる理由は、分岐結合器92が必要とされないことによる。
本実施形態において、図25に例示されているように、fb3で表される所定の周波数帯において、第1方向に伝搬する電磁波の減衰量は、第2方向に伝搬する電磁波の減衰量よりも大きくなりうる。fb3は、図10のfb1又は図17のfb2で示される周波数帯と異なる周波数帯とされてよい。図25のグラフに関して図10及び図17のグラフと共通する事項の説明は省略される。
図22において、第2導波路30の端部がクラッド40に囲まれている場合であっても、第2導波路30を伝搬する電磁波は、第2導波路30の端部からクラッド40に放射されうる。
本開示に係るアイソレータ10及び光源装置100は、変調機能を有する光送信機に搭載されてよい。本開示に係るアイソレータ10は、光スイッチ又は光増幅器に用いられてよい。本開示に係るアイソレータ10は、デバイスで用いられてよい。本開示に係るアイソレータ10を備えるデバイスは、データセンターにおいて通信するために用いられてよい。
本開示に係る実施形態について、諸図面及び実施例に基づき説明してきたが、当業者であれば本開示に基づき種々の変形又は修正を行うことが容易であることに注意されたい。従って、これらの変形又は修正は本開示の範囲に含まれることに留意されたい。例えば、各構成部又は各ステップなどに含まれる機能などは論理的に矛盾しないように再配置可能であり、複数の構成部又はステップなどを1つに組み合わせたり、或いは分割したりすることが可能である。本開示に係る実施形態について装置を中心に説明してきたが、本開示に係る実施形態は装置の各構成部が実行するステップを含む方法としても実現し得るものである。本開示に係る実施形態は装置が備えるプロセッサにより実行される方法、プログラム、又はプログラムを記録した記憶媒体としても実現し得るものである。本開示の範囲にはこれらも包含されるものと理解されたい。
本開示において「第1」及び「第2」等の記載は、当該構成を区別するための識別子である。本開示における「第1」及び「第2」等の記載で区別された構成は、当該構成における番号を交換することができる。例えば、第1ポートは、第2ポートと識別子である「第1」と「第2」とを交換することができる。識別子の交換は同時に行われる。識別子の交換後も当該構成は区別される。識別子は削除してよい。識別子を削除した構成は、符号で区別される。本開示における「第1」及び「第2」等の識別子の記載のみに基づいて、当該構成の順序の解釈、小さい番号の識別子が存在することの根拠に利用してはならない。
本開示において、X軸、Y軸、及びZ軸は、説明の便宜上設けられたものであり、互いに入れ替えられてよい。本開示に係る構成は、X軸、Y軸、及びZ軸によって構成される直交座標系を用いて説明されてきた。本開示に係る各構成の位置関係は、直交関係にあると限定されるものではない。
10 アイソレータ
20 第1導波路
201 第1端
202 第2端
21 コア
211 第1ポート
212 第2ポート
22、23 クラッド
24 孔部
25 整合調整回路
30 第2導波路
301、302 端部
31 コア
32 非相反性部材
33、34 クラッド
40 クラッド
50 基板
50a 基板面
60 アンテナ
70 電磁波吸収部材
80 磁場印加部
100 光源装置
110 光源
112 レンズ
114 電源
120 接続導波路
121 コア
122、123 クラッド

Claims (60)

  1. 基板面を有する基板の上において、前記基板面に沿って位置し、前記基板から見て互いに重なる第1導波路と第2導波路とを備え、前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有し、
    前記コアは、前記基板面の側を向く第1面と、前記第1面の反対側の第2面とを有し、
    前記クラッドは、前記コアの第1面及び第2面に接するように位置し、
    前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有し、
    前記第2導波路のコアは、縦横比が0.8乃至1.2であり、前記第2導波路が延在する方向に交差する断面の少なくとも一部に非相反性部材を含む、
    アイソレータ。
  2. 前記第2導波路の両端は、前記第1導波路から移ってきた電磁波を放射するアンテナとして機能する、請求項1に記載のアイソレータ。
  3. 前記基板面に交差する方向に磁場を印加する磁場印加部をさらに備える、請求項1又は2に記載のアイソレータ。
  4. 前記第1端に入力される電磁波の偏光方向は、前記基板面に平行である、請求項1乃至3のいずれか一項に記載のアイソレータ。
  5. 前記コアの誘電率は、前記クラッドの誘電率より高い、請求項1乃至4のいずれか一項に記載のアイソレータ。
  6. 前記非相反性部材は、所定の濃度の非相反性材料を含み、
    前記所定の濃度は、前記第1端に入力される電磁波の偏光方向に沿う方向に見た少なくとも一部において変化する、請求項1乃至5のいずれか一項に記載のアイソレータ。
  7. 前記第2導波路のコアは、前記非相反性部材と少なくとも1種類の誘電体とを含み、前記非相反性部材の少なくとも一部は、前記少なくとも1種類の誘電体の、前記基板面に交差する方向に接する、請求項1乃至6のいずれか一項に記載のアイソレータ。
  8. 前記第1導波路の、前記第2導波路の側に位置するクラッドは、前記第2導波路の、前記第1導波路の側に位置するクラッドと一体である、請求項1乃至7のいずれか一項に記載のアイソレータ。
  9. 前記第1導波路は、前記第2導波路より前記基板面に近い側に位置する、請求項1乃至8のいずれか一項に記載のアイソレータ。
  10. 前記第1端及び前記第2端に入力された電磁波は、シングルモードで伝搬される、請求項1乃至9のいずれか一項に記載のアイソレータ。
  11. 前記第1導波路及び前記第2導波路それぞれのコアの比誘電率は、空気の比誘電率よりも高い、請求項1乃至10のいずれか一項に記載のアイソレータ。
  12. 前記第2導波路の両端は、切断面を有する、請求項1乃至11のいずれか一項に記載のアイソレータ。
  13. 前記切断面の法線ベクトルは、前記第2導波路における電磁波の伝搬方向に交差する方向の成分を有する、請求項12に記載のアイソレータ。
  14. 前記第2導波路の長さは、前記第2端から前記第1端に伝搬する電磁波に対する、前記第1導波路と前記第2導波路との結合長の奇数倍である、請求項1乃至13のいずれか一項に記載のアイソレータ。
  15. 前記第2導波路の長さを表すLは、前記第1導波路と前記第2導波路との結合における、前記第2端から前記第1端に伝搬する電磁波に対する、偶モード屈折率を表すnevenと、奇モード屈折率を表すnoddとを含む式
    L=mλ0/2|(neven−nodd)| (m:奇数、λ0:真空中の波長)
    によって算出される、請求項1乃至13のいずれか一項に記載のアイソレータ。
  16. 前記第2導波路の長さは、前記第1端から前記第2端に伝搬する電磁波に対する、前記第1導波路と前記第2導波路との結合長の偶数倍である、請求項1乃至15のいずれか一項に記載のアイソレータ。
  17. 前記第1導波路のコアは、前記第1面から前記第2面まで貫通する複数の孔部を有し、前記複数の孔部は、前記コアが延在する方向に並ぶ、請求項1乃至16のいずれか一項に記載のアイソレータ。
  18. 前記ポートに接続する接続導波路をさらに備え、
    前記接続導波路のコアの比誘電率は、前記第1導波路のコアの少なくとも一部の比誘電率と略同一であり、
    前記基板面に沿い、且つ、前記第1導波路が延在する方向に交差する方向に見て、前記接続導波路のコアの幅は、前記第1導波路のコアの幅と略同一である、請求項1乃至17のいずれか一項に記載のアイソレータ。
  19. 基板面を有する基板の上において、前記基板面に沿って位置し、前記基板から見て互いに重なる第1導波路と第2導波路とを備える光アイソレータと、光源とを備え、
    前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有し、
    前記コアは、前記基板面の側を向く第1面と、前記第1面の反対側の第2面とを有し、
    前記クラッドは、前記コアの第1面及び第2面に接するように位置し、
    前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有し、
    前記第2導波路のコアは、縦横比が0.8乃至1.2であり、前記第2導波路が延在する方向に交差する断面の少なくとも一部に非相反性部材を含む、
    前記光源は、前記ポートに光学的に接続される、光源装置。
  20. 前記光源に電力を供給する電源をさらに備える、請求項19に記載の光源装置。
  21. 第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有する第1導波路と、
    両端を有し、前記第1導波路に沿って位置し、前記第1導波路と互いに結合する、少なくとも1つの第2導波路と
    を備え、
    任意の動作周波数において、前記第1導波路と前記第2導波路とは、前記第1端から入力された電磁波が前記第2端に向けて伝搬する場合の結合係数よりも、前記第2端から入力された電磁波が前記第1端に向けて伝搬する場合の結合係数の方が大きくなるように結合する、アイソレータ。
  22. 前記第1導波路と前記第2導波路とは、互いに平行となるように位置する、請求項21に記載のアイソレータ。
  23. 前記第2導波路は、直線状の構造を有する、請求項21又は22に
    記載のアイソレータ。
  24. 前記第1導波路と前記第2導波路とが互いに沿う長さは、前記第2端から前記第1端に向けて伝搬する電磁波に対する、前記第1導波路と前記第2導波路との間の結合長と略同一である、請求項21乃至23のいずれか一項に記載のアイソレータ。
  25. 前記第2導波路の両端は、前記第1導波路から移ってきた電磁波を放射するアンテナとして機能する、請求項21乃至24のいずれか一項に記載のアイソレータ。
  26. 前記第2導波路は、両端の外側に電磁波吸収部材を有する、請求項21乃至25のいずれか一項に記載のアイソレータ。
  27. 前記第1導波路は、前記第2導波路と結合する部分に整合調整回路を有する、請求項21乃至26のいずれか一項に記載のアイソレータ。
  28. 複数の前記第2導波路を備え、
    複数の前記第2導波路はそれぞれ、前記第1導波路に直列に結合する、請求項21乃至27のいずれか一項に記載のアイソレータ。
  29. 前記第1端及び前記第2端に入力された電磁波は、シングルモードで伝搬される、請求項21乃至28のいずれか一項に記載のアイソレータ。
  30. 前記第1導波路及び前記第2導波路それぞれの比誘電率は、空気の比誘電率よりも高い、請求項21乃至29のいずれか一項に記載のアイソレータ。
  31. 前記第1導波路と前記第2導波路とが並ぶ方向に磁場を印加する磁場印加部をさらに備える、請求項21乃至30のいずれか一項に記載のアイソレータ。
  32. 第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有する第1導波路と、
    両端を有し、前記第1導波路に沿って位置し、前記第1導波路と互いに結合する、少なくとも1つの第2導波路と
    を備える光アイソレータと、
    前記ポートに光学的に接続される光源と
    を備え、
    任意の動作周波数において、前記第1導波路と前記第2導波路とは、前記第1端から入力された電磁波が前記第2端に向けて伝搬する場合の結合係数よりも、前記第2端から入力された電磁波が前記第1端に向けて伝搬する場合の結合係数の方が大きくなるように結合する、
    光源装置。
  33. 前記光源に電力を供給する電源をさらに備える、請求項32に記載の光源装置。
  34. 基板面を有する基板の上において、前記基板面に沿って並んで位置する第1導波路と第2導波路とを備え、
    前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有し、
    前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有し、
    前記第2導波路のコアは、縦横比が0.8乃至1.2であり、前記第2導波路が延在する方向に交差する断面の少なくとも一部に非相反性部材を含む、
    アイソレータ。
  35. 前記基板面に交差する方向に磁場を印加する磁場印加部をさらに備える、請求項34に記載のアイソレータ。
  36. 前記第1端に入力される電磁波の偏光方向は、前記基板面に平行である、請求項34又は35に記載のアイソレータ。
  37. 前記コアの誘電率は、前記クラッドの誘電率より高い、請求項34乃至36のいずれか一項に記載のアイソレータ。
  38. 前記第1導波路は、前記基板面に平行な方向に並ぶ、第1誘電体と、前記第1誘電体と異なる種類の第2誘電体とを含み、
    前記第2導波路は、前記基板面に平行な方向に並ぶ、第3誘電体と、前記第3誘電体と異なる種類の第4誘電体と、前記非相反性部材とを含み、
    前記第3誘電体と前記第4誘電体と前記非相反性部材とは、前記基板面の面内方向に接触している、請求項34乃至37のいずれか一項に記載のアイソレータ。
  39. 前記第1導波路のクラッドは、前記第2導波路のクラッドと一体である、請求項34乃至38のいずれか一項に記載のアイソレータ。
  40. 前記第2導波路の両端は、前記第1導波路から移ってきた電磁波を放射するアンテナとして機能する、請求項34乃至39のいずれか一項に記載のアイソレータ。
  41. 前記第1端及び前記第2端に入力された電磁波は、シングルモードで伝搬される、請求項34乃至40のいずれか一項に記載のアイソレータ。
  42. 前記第1導波路及び前記第2導波路それぞれのコアの比誘電率は、空気の比誘電率よりも高い、請求項34乃至41のいずれか一項に記載のアイソレータ。
  43. 前記第2導波路の両端は、切断面を有する、請求項34乃至42のいずれか一項に記載のアイソレータ。
  44. 前記切断面の法線ベクトルは、前記第2導波路における電磁波の伝搬方向に交差する方向の成分を有する、請求項43に記載のアイソレータ。
  45. 前記第2導波路の長さは、前記第2端から前記第1端に伝搬する電磁波に対する、前記第1導波路と前記第2導波路との結合長の奇数倍である、請求項34乃至44のいずれか一項に記載のアイソレータ。
  46. 前記第2導波路の長さを表すLは、前記第1導波路と前記第2導波路との結合における、前記第2端から前記第1端に伝搬する電磁波に対する、偶モード屈折率を表すnevenと、奇モード屈折率を表すnoddとを含む式
    L=mλ0/2|(neven−nodd)| (m:奇数、λ0:真空中の波長)
    によって算出される、請求項34乃至44のいずれか一項に記載のアイソレータ。
  47. 基板面を有する基板の上において、前記基板面に沿って並んで位置する第1導波路と第2導波路とを備える光アイソレータと、光源とを備え、
    前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有し、
    前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有し、
    前記第2導波路のコアは、前記第2導波路が延在する方向に交差する断面の少なくとも一部に非相反性部材を含み、縦横比が0.8乃至1.2であり、
    前記光源は、前記ポートに光学的に接続される、光源装置。
  48. 前記光源に電力を供給する電源をさらに備える、請求項47に記載の光源装置。
  49. 基板面を有する基板の上において、前記基板面に沿って位置し、前記基板から見て互いに重なる第1導波路と第2導波路とを備える光アイソレータと、光源とを備え、
    前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有し、
    前記コアは、前記基板面の側を向く第1面と、前記第1面の反対側の第2面とを有し、
    前記クラッドは、前記コアの第1面及び第2面に接するように位置し、
    前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有し、
    前記第2導波路のコアは、縦横比が0.8乃至1.2であり、前記第2導波路が延在する方向に交差する断面の少なくとも一部に非相反性部材を含む、
    前記光源は、前記ポートに光学的に接続される、光源装置を搭載し、
    光の変調機能を有する光送信機。
  50. 第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有する第1導波路と、
    両端を有し、前記第1導波路に沿って位置し、前記第1導波路と互いに結合する、少なくとも1つの第2導波路と
    を備える光アイソレータと、
    前記ポートに光学的に接続される光源と
    を備え、
    任意の動作周波数において、前記第1導波路と前記第2導波路とは、前記第1端から入力された電磁波が前記第2端に向けて伝搬する場合の結合係数よりも、前記第2端から入力された電磁波が前記第1端に向けて伝搬する場合の結合係数の方が大きくなるように結合する、光源装置を搭載し、
    光の変調機能を有する光送信機。
  51. 基板面を有する基板の上において、前記基板面に沿って並んで位置する第1導波路と第2導波路とを備える光アイソレータと、光源とを備え、
    前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有し、
    前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有し、
    前記第2導波路のコアは、縦横比が0.8乃至1.2であり、前記第2導波路が延在する方向に交差する断面の少なくとも一部に非相反性部材を含む、
    前記光源は、前記ポートに光学的に接続される、光源装置を搭載し、
    光の変調機能を有する光送信機。
  52. 基板面を有する基板の上において、前記基板面に沿って位置し、前記基板から見て互いに重なる第1導波路と第2導波路とを備え、
    前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有し、
    前記コアは、前記基板面の側を向く第1面と、前記第1面の反対側の第2面とを有し、
    前記クラッドは、前記コアの第1面及び第2面に接するように位置し、
    前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有し、
    前記第2導波路のコアは、縦横比が0.8乃至1.2であり、前記第2導波路が延在する方向に交差する断面の少なくとも一部に非相反性部材を含む、光アイソレータを備える光スイッチ。
  53. 第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有する第1導波路と、
    両端を有し、前記第1導波路に沿って位置し、前記第1導波路と互いに結合する、少なくとも1つの第2導波路と
    を備え、
    任意の動作周波数において、前記第1導波路と前記第2導波路とは、前記第1端から入力された電磁波が前記第2端に向けて伝搬する場合の結合係数よりも、前記第2端から入力された電磁波が前記第1端に向けて伝搬する場合の結合係数の方が大きくなるように結合する、光アイソレータを備える光スイッチ。
  54. 基板面を有する基板の上において、前記基板面に沿って並んで位置する第1導波路と第2導波路とを備え、
    前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有し、
    前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有し、
    前記第2導波路のコアは、縦横比が0.8乃至1.2であり、前記第2導波路が延在する方向に交差する断面の少なくとも一部に非相反性部材を含む、光アイソレータを備える光スイッチ。
  55. 基板面を有する基板の上において、前記基板面に沿って位置し、前記基板から見て互いに重なる第1導波路と第2導波路とを備え、
    前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有し、
    前記コアは、前記基板面の側を向く第1面と、前記第1面の反対側の第2面とを有し、
    前記クラッドは、前記コアの第1面及び第2面に接するように位置し、
    前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有し、
    前記第2導波路のコアは、縦横比が0.8乃至1.2であり、前記第2導波路が延在する方向に交差する断面の少なくとも一部に非相反性部材を含む、光アイソレータを備える光増幅器。
  56. 第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有する第1導波路と、
    両端を有し、前記第1導波路に沿って位置し、前記第1導波路と互いに結合する、少なくとも1つの第2導波路と
    を備え、
    任意の動作周波数において、前記第1導波路と前記第2導波路とは、前記第1端から入力された電磁波が前記第2端に向けて伝搬する場合の結合係数よりも、前記第2端から入力された電磁波が前記第1端に向けて伝搬する場合の結合係数の方が大きくなるように結合する、光アイソレータを備える光増幅器。
  57. 基板面を有する基板の上において、前記基板面に沿って並んで位置する第1導波路と第2導波路とを備え、
    前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有し、
    前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有し、
    前記第2導波路のコアは、縦横比が0.8乃至1.2であり、前記第2導波路が延在する方向に交差する断面の少なくとも一部に非相反性部材を含む、光アイソレータを備える光増幅器。
  58. 基板面を有する基板の上において、前記基板面に沿って位置し、前記基板から見て互いに重なる第1導波路と第2導波路とを備え、
    前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有し、
    前記コアは、前記基板面の側を向く第1面と、前記第1面の反対側の第2面とを有し、
    前記クラッドは、前記コアの第1面及び第2面に接するように位置し、
    前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有し、
    前記第2導波路のコアは、縦横比が0.8乃至1.2であり、前記第2導波路が延在する方向に交差する断面の少なくとも一部に非相反性部材を含む、光アイソレータを備えるデバイスによって通信するデータセンター。
  59. 第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有する第1導波路と、
    両端を有し、前記第1導波路に沿って位置し、前記第1導波路と互いに結合する、少なくとも1つの第2導波路と
    を備え、
    任意の動作周波数において、前記第1導波路と前記第2導波路とは、前記第1端から入力された電磁波が前記第2端に向けて伝搬する場合の結合係数よりも、前記第2端から入力された電磁波が前記第1端に向けて伝搬する場合の結合係数の方が大きくなるように結合する、光アイソレータを備えるデバイスによって通信するデータセンター。
  60. 基板面を有する基板の上において、前記基板面に沿って並んで位置する第1導波路と第2導波路とを備え、
    前記第1導波路及び前記第2導波路はそれぞれ、コアとクラッドとを有し、
    前記第1導波路は、第1端と第2端とを有し、前記第1端及び前記第2端それぞれに電磁波が入出力されるポートを有し、
    前記第2導波路のコアは、縦横比が0.8乃至1.2であり、前記第2導波路が延在する方向に交差する断面の少なくとも一部に非相反性部材を含む、光アイソレータを備えるデバイスによって通信するデータセンター。
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