JP2020113633A - 炭化珪素半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
実施の形態1にかかる炭化珪素半導体装置の構造について説明する。図1,2は、実施の形態1にかかる炭化珪素半導体装置を半導体基板のおもて面側から見たレイアウトを示す平面図である。図2には、トレンチ側壁SBD20およびPiNダイオード30(図2にはそれぞれ「SBD」および「PiN」と図示)の各形成領域のレイアウトを示す。また、図2には、図1の半導体基板(半導体チップ)10に図示された活性領域41、エッジ終端領域42、つなぎ領域43およびゲートパッド領域44のレイアウトを破線で示す。
次に、実施の形態2にかかる炭化珪素半導体装置の構造について説明する。図6は、実施の形態2にかかる炭化珪素半導体装置を半導体基板のおもて面側から見たレイアウトを示す平面図である。図6には、図1,2の矩形枠Aで囲む領域を拡大して示す。活性領域41、エッジ終端領域42、つなぎ領域43およびゲートパッド領域44のレイアウトや、トレンチ側壁SBD20およびPiNダイオード30の各形成領域のレイアウトは実施の形態1と同様である(図1,2参照)。ゲートランナー34の凸部34aの平面形状は実施の形態1と同様である(図4参照)。図7は、図6の切断線D1−D2における断面構造を示す断面図である。
次に、実施の形態3にかかる炭化珪素半導体装置の構造について説明する。図8は、実施の形態3にかかる炭化珪素半導体装置を半導体基板のおもて面側から見たレイアウトを示す平面図である。図8には、図1,2の矩形枠Aで囲む領域を拡大して示す。活性領域41、エッジ終端領域42、つなぎ領域43およびゲートパッド領域44のレイアウトや、トレンチ側壁SBD20およびPiNダイオード30の各形成領域のレイアウトは実施の形態1と同様である(図1,2参照)。ゲートランナー34の凸部34aの平面形状は実施の形態1と同様である(図4参照)。図9は、図8の切断線E1−E2における断面構造を示す断面図である。
次に、実施の形態4にかかる炭化珪素半導体装置の構造について説明する。図10は、実施の形態4にかかる炭化珪素半導体装置を半導体基板のおもて面側から見たレイアウトを示す平面図である。図10には、図1,2の矩形枠Aで囲む領域を拡大して示す。活性領域41、エッジ終端領域42、つなぎ領域43およびゲートパッド領域44のレイアウトや、トレンチ側壁SBD20およびPiNダイオード30の各形成領域のレイアウトは実施の形態1と同様である(図1,2参照)。ゲートランナー34の凸部34aの平面形状は実施の形態1と同様である(図4参照)。図11は、図10の切断線F1−F2における断面構造を示す断面図である。
次に、実施の形態5にかかる炭化珪素半導体装置の構造について説明する。図12は、実施の形態5にかかる炭化珪素半導体装置を半導体基板のおもて面側から見たレイアウトを示す平面図である。図12には、図1,2の矩形枠Aで囲む領域を拡大して示す。活性領域41、エッジ終端領域42、つなぎ領域43およびゲートパッド領域44のレイアウトや、トレンチ側壁SBD20およびPiNダイオード30の各形成領域のレイアウトは実施の形態1と同様である(図1,2参照)。図12の切断線G1−G2における断面構造は実施の形態1と同様である(図5参照)。図13は、図12のつなぎ領域を拡大して示す平面図である。
2 n-型ドリフト領域
3 n型電流拡散領域
4 p型ベース領域
5 n+型ソース領域
6 p+型コンタクト領域
7,7a MSOFETのゲートトレンチ(第1トレンチ)
7b 連結トレンチ
8 ゲート絶縁膜
9 ゲート電極
10 半導体基板
11 層間絶縁膜
11a,11b,11b' ソースコンタクトホール
12 ソース電極
13 バリアメタル
14 ソースパッド
15 ドレイン電極
16,31,32 p+型領域
20 トレンチ側壁SBD
20' 平面SBD
21,21a,21b トレンチ側壁SBDのトレンチ(第2トレンチ)
22 導電層
23 n型領域
30 PiNダイオード
33 フィールド酸化膜
34 ゲートランナー
34a,34a' ゲートランナーの凸部
34b ゲートランナーの凸部の凹部
34c ゲートランナーの凸部の角部
35 ゲートパッド
40,50,60,70,80 炭化珪素半導体装置
41 活性領域
41a 活性領域の凹部
42 エッジ終端領域
43 つなぎ領域
43a つなぎ領域の凸部
44 ゲートパッド領域
52 つなぎ領域の凸部に近い位置
61 n-型炭化珪素層
62 p型炭化珪素層
X 半導体基板のおもて面に平行な方向(第1方向)
Y 半導体基板のおもて面に平行な方向で、第1方向と直交する方向(第2方向)
Z 深さ方向
w1,w2 ソースコンタクトホールの幅
Claims (8)
- 炭化珪素からなる第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板のおもて面を構成する第2導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域の内部に選択的に設けられた第1導電型の第2半導体領域と、
前記第1半導体領域の内部に選択的に設けられた、前記第1半導体領域よりも不純物濃度の高い第2導電型の第3半導体領域と、
前記半導体基板の前記第1半導体領域を除く部分であり、前記半導体基板の裏面を構成する第1導電型の第4半導体領域と、
前記第2半導体領域および前記第1半導体領域を貫通して前記第4半導体領域に達する第1トレンチと、
前記第1トレンチの内部にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
前記第2半導体領域および前記第3半導体領域に電気的に接続された第1電極と、
前記半導体基板の裏面に設けられた第2電極と、を有するトランジスタと、
前記第4半導体領域と、前記第4半導体領域にショットキー接触し、かつ前記第1電極に電気的に接続された導電層と、からなるショットキーバリアダイオードと、
前記トランジスタおよび前記ショットキーバリアダイオードが配置された活性領域と、
前記活性領域の周囲を囲み、一部を内側へ突出させた凸部を有する平面形状をなすつなぎ領域と、
前記つなぎ領域に延在する前記第3半導体領域および前記第1半導体領域と前記第4半導体領域とのpn接合で形成された寄生ダイオードと、
前記つなぎ領域における前記半導体基板のおもて面上に酸化膜を介して設けられ、前記活性領域の周囲を囲み、一部を前記つなぎ領域の凸部において内側へ突出させた凸部を有する平面形状をなすゲートランナーと、
前記ゲートランナーの凸部の上に層間絶縁膜を介して設けられ、前記ゲートランナーを介して前記ゲート電極が電気的に接続されたゲートパッドと、
を備え、
前記第1トレンチは、前記半導体基板のおもて面に平行な第1方向に延在するストライプ状に複数配置され、
前記ショットキーバリアダイオードは、前記半導体基板のおもて面に平行でかつ前記第1方向と直交する第2方向に、前記第1トレンチと交互に繰り返し配置され、
前記第2方向において最も前記ゲートランナーの凸部寄りの前記ショットキーバリアダイオードは、前記第2方向に前記第1トレンチよりも前記ゲートランナーの凸部に近い位置で前記ゲートランナーの凸部に対向することを特徴とする半導体装置。 - 前記ゲートランナーの凸部に一部を内側に凹ませた凹部が設けられており、
前記第2方向に最も前記ゲートランナーの凸部寄りの前記ショットキーバリアダイオードは、前記ゲートランナーの凸部の前記凹部に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記層間絶縁膜は、
前記半導体基板のおもて面に設けられ、前記ゲート電極および前記ゲートランナーを覆い、
前記第2半導体領域、前記第3半導体領域および前記導電層を露出する第1コンタクトホールと、
前記ゲートランナーの凸部の前記凹部に設けられ、前記第3半導体領域および前記導電層を露出する第2コンタクトホールと、を有し、
前記第1電極は、前記層間絶縁膜の前記第1コンタクトホールおよび前記第2コンタクトホールを介して、前記第2半導体領域、前記第3半導体領域および前記導電層に電気的に接続されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 前記第2コンタクトホールの幅は、前記第1コンタクトホールの幅よりも広いことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記ショットキーバリアダイオードは、
前記第3半導体領域および前記第1半導体領域を貫通して前記第4半導体領域に達する第2トレンチと、
前記第2トレンチの内部に埋め込まれ、前記第2トレンチの側壁で前記第4半導体領域にショットキー接触する前記導電層と、からなることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の半導体装置。 - 前記ショットキーバリアダイオードは、前記半導体基板のおもて面で前記第4半導体領域にショットキー接触する前記導電層からなることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記第2方向に前記ゲートランナーの凸部の角部を挟んで隣り合う前記第1トレンチは、端部同士が連結されてU字状の平面形状をなし、かつ前記第2方向に前記ゲートランナーの凸部の前記角部のみに対向し、
端部同士が連結された前記第1トレンチを挟んで前記第2方向に最も前記ゲートランナーの凸部寄りの前記ショットキーバリアダイオードは、前記第2方向に前記ゲートランナーの凸部の前記角部以外の部分に対向することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記層間絶縁膜は、
前記半導体基板のおもて面に設けられ、前記ゲート電極および前記ゲートランナーを覆い、
前記第2半導体領域、前記第3半導体領域および前記導電層を露出する第1コンタクトホールと、
前記第2方向に、前記第1コンタクトホールよりも前記ゲートランナーの凸部に近い位置で、前記ゲートランナーの凸部に対向し、前記第3半導体領域および前記導電層を露出する第2コンタクトホールと、を有し、
前記第1電極は、前記層間絶縁膜の前記第1コンタクトホールおよび前記第2コンタクトホールを介して、前記第2半導体領域、前記第3半導体領域および前記導電層に電気的に接続されていることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022124042A1 (ja) * | 2020-12-08 | 2022-06-16 | 株式会社日立パワーデバイス | 半導体装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012001837A1 (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-05 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
JP2012059841A (ja) * | 2010-09-07 | 2012-03-22 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2014157896A (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-28 | Toyota Central R&D Labs Inc | 半導体装置とその製造方法 |
JP2015065420A (ja) * | 2013-08-28 | 2015-04-09 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JP2017079251A (ja) * | 2015-10-20 | 2017-04-27 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2018060984A (ja) * | 2016-10-07 | 2018-04-12 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
JP2018107168A (ja) * | 2016-12-22 | 2018-07-05 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2018182235A (ja) * | 2017-04-20 | 2018-11-15 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2018182234A (ja) * | 2017-04-20 | 2018-11-15 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
-
2019
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012001837A1 (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-05 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
JP2012059841A (ja) * | 2010-09-07 | 2012-03-22 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2014157896A (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-28 | Toyota Central R&D Labs Inc | 半導体装置とその製造方法 |
JP2015065420A (ja) * | 2013-08-28 | 2015-04-09 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JP2017079251A (ja) * | 2015-10-20 | 2017-04-27 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2018060984A (ja) * | 2016-10-07 | 2018-04-12 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
JP2018107168A (ja) * | 2016-12-22 | 2018-07-05 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2018182235A (ja) * | 2017-04-20 | 2018-11-15 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2018182234A (ja) * | 2017-04-20 | 2018-11-15 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022124042A1 (ja) * | 2020-12-08 | 2022-06-16 | 株式会社日立パワーデバイス | 半導体装置 |
JP2022090921A (ja) * | 2020-12-08 | 2022-06-20 | 株式会社 日立パワーデバイス | 半導体装置 |
JP7291679B2 (ja) | 2020-12-08 | 2023-06-15 | 株式会社 日立パワーデバイス | 半導体装置 |
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