JP2020107932A - 固体撮像素子および撮像装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】画素毎にAD変換を行う固体撮像素子において、電力を無駄に消費すること無く、解像度を低下させる際の画質低下を抑制する。【解決手段】固体撮像素子は、複数の画素を具備する。複数の画素のそれぞれには、比較部と、加算回路と、データ記憶部とが設けられる。比較部は、所定座標が割り当てられたアナログの画素信号と所定の参照信号との差分を増幅した差分信号を生成する。加算回路は、差分信号と、その所定座標に隣接する他の座標に係る差分信号とをアナログ加算して加算信号を生成する。データ記憶部は、加算信号に応じた比較部の出力信号が反転したときの時刻を示すデジタル信号を保持する。【選択図】図11

Description

本技術は、固体撮像素子および撮像装置に関する。詳しくは、アナログ信号をデジタル信号に変換する固体撮像素子および撮像装置に関する。
従来より、撮像装置などにおいては、AD(Analog to Digital)変換の速度を速くする目的で、画素毎にアナログ信号をデジタル信号に変換する固体撮像素子が用いられている。例えば、アナログの画素信号を生成する画素回路と、画素信号と参照信号とを比較する比較部と、差動入力回路が反転したときのデジタルの時刻コードを保持するデータ記憶部とを画素毎に配置した固体撮像素子が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。これらの比較部およびデータ記憶部により、画素毎にアナログの画素信号がデジタルの時刻コードに変換される。
国際公開第2016/136448号
上述の従来技術では、画素毎にAD変換を行うため、カラムごとにAD変換を行う場合と比較してAD変換の速度が向上する。しかしながら、上述の固体撮像素子では、出力先の装置により要求された出力形式に合わせるなどの目的で、画素信号を間引くことにより解像度を低下させると、間引く画素数が多いほど、画像の画質が低下してしまう。これに対し、画素信号を間引かずに、デジタル信号同士の加算により解像度を低下させる方法を用いれば、画質の低下を抑制することができるが、間引く場合と比較して消費電力が増大し、消費電力を十分に抑制することができなくなるため好ましくない。このように、上述の固体撮像素子では、解像度を低下させる際の画像の画質低下と消費電力とを同時に抑制することが困難であるという問題がある。
本技術はこのような状況に鑑みて生み出されたものであり、画素毎にAD変換を行う固体撮像素子において、電力を無駄に消費すること無く、解像度を低下させる際の画質低下を抑制することを目的とする。
本技術は、上述の問題点を解消するためになされたものであり、その第1の側面は、所定座標が割り当てられたアナログの画素信号と所定の参照信号との差分を増幅した差分信号を生成する比較部と、上記差分信号と上記所定座標に隣接する他の座標に係る差分信号とをアナログ加算して加算信号を生成する加算回路と、上記加算信号に応じた信号が反転したときの時刻を示すデジタル信号を保持するデータ記憶部とを各々に設けた複数の画素を具備する固体撮像素子である。これにより、画素信号および参照信号の差分を増幅した差分信号がアナログ加算されるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記比較部は、上記差分信号を生成して所定の内部ノードに出力し、上記加算回路は、上記複数の画素のうち加算対象の画素のそれぞれの上記内部ノードの接続により上記差分信号をアナログ加算してもよい。これにより、内部ノードの接続により差分信号がアナログ加算されるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記加算対象の画素は、一対の画素であり、上記加算回路は、上記一対の画素の一方の上記内部ノードと他方の上記内部ノードとの間の経路を開閉する接続トランジスタを備えてもよい。これにより、一対の画素の差分信号がアナログ加算されるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記加算対象の画素は、第1画素、第2画素および第3画素であり、上記第2画素の上記加算回路は、上記第1画素と上記第2画素の上記内部ノードとの間の経路を開閉する第1画素側接続トランジスタと、上記第2画素の上記内部ノードと上記第3画素との間の経路を開閉する第3画素側接続トランジスタとを備えてもよい。これにより、3画素の差分信号がアナログ加算されるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、2画素を加算する2画素加算モードが設定された場合には上記第1画素側接続トランジスタおよび上記第3画素側接続トランジスタの一方が開状態に移行するとともに他方が閉状態に移行し、3画素を加算する3画素加算モードが設定された場合には上記第1画素側接続トランジスタおよび上記第3画素側接続トランジスタの両方が上記閉状態に移行してもよい。これにより、2画素の加算と、3画素の加算とのいずれかに切り替えられるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記第1画素および上記第2画素のそれぞれの上記加算回路は、上記第1画素の上記内部ノードと上記第2画素との間の経路を開閉する第2画素側接続トランジスタを備え、上記2画素加算モードが設定された場合には上記第1画素および上記第2画素の一方の上記第2画素側接続トランジスタが上記開状態に移行するとともに他方の上記第2画素側接続トランジスタが上記閉状態に移行し、上記3画素加算モードが設定された場合には上記第1画素および上記第2画素の両方の上記第2画素側接続トランジスタが上記閉状態に移行してもよい。これにより、2画素の加算と、3画素の加算とのいずれかに切り替えられるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記複数の画素は、二次元格子状に配列され、上記加算回路は、上記複数の画素のうち所定方向に配列された所定数の画素のそれぞれの上記差分信号をアナログ加算してもよい。これにより、所定方向に配列された所定数の画素がアナログ加算されるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記複数の画素のそれぞれには、上記デジタル信号を転送するリピータが設けられ、上記リピータは、所定の水平方向に垂直な垂直方向に配列され、上記加算回路は、上記垂直方向に配列された上記所定数の画素のそれぞれの上記差分信号をアナログ加算してもよい。これにより、水平方向に配列された所定数の画素がアナログ加算されるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記複数の画素のそれぞれには、上記デジタル信号を転送するリピータが設けられ、上記リピータは、所定の水平方向に垂直な垂直方向に配列され、上記加算回路は、上記複数の画素のうち上記水平方向に配列された上記所定数の画素のそれぞれの上記差分信号をアナログ加算してもよい。これにより、垂直方向に配列された所定数の画素がアナログ加算されるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記比較部の一部は、所定の受光チップに配置され、上記比較部の残りと上記加算回路および上記データ記憶部とは、所定の回路チップに配置されてもよい。これにより、積層構造の固体撮像素子において画素加算が行われるという作用をもたらす。
また、本技術の第2の側面は、所定座標が割り当てられたアナログの画素信号と所定の参照信号との差分を増幅した差分信号を生成する比較部と、上記差分信号と上記所定座標に隣接する他の座標に係る差分信号とをアナログ加算して加算信号を生成する加算回路と、上記加算信号に応じた信号が反転したときの時刻を示すデジタル信号を保持するデータ記憶部とを各々に設けた複数の画素と、上記デジタル信号を処理するロジック回路とを具備する撮像装置である。これにより、アナログ加算された差分信号に応じたアナログ信号がデジタル信号に変換されるという作用をもたらす。
本技術の第1の実施の形態における撮像装置の一構成例を示すブロック図である。 本技術の第1の実施の形態における固体撮像素子の積層構造の一例を示す図である。 本技術の第1の実施の形態における受光チップの一構成例を示すブロック図である。 本技術の第1の実施の形態における回路チップの一構成例を示すブロック図である。 本技術の第1の実施の形態におけるクラスタの一構成例を示すブロック図である。 本技術の第1の実施の形態における画素回路とクラスタ内の回路との接続関係の一例を示す斜視図である。 本技術の第1の実施の形態における画素同士の接続関係の一例を示す図である。 本技術の第1の実施の形態におけるクラスタ内の回路の接続関係の一例を示す図である。 本技術の第1の実施の形態における画素の一構成例を示すブロック図である。 本技術の第1の実施の形態における画素の一構成例を示す回路図である。 本技術の第1の実施の形態における比較部の接続関係の一例を示す図である。 本技術の第1の実施の形態における画素信号、参照信号および出力信号の変動の一例を示すグラフである。 本技術の第1の実施の形態における固体撮像素子の動作の一例を示すフローチャートである。 本技術の第1の実施の形態の変形例における画素同士の接続関係の一例を示す図である。 本技術の第2の実施の形態における画素同士の接続関係の一例を示す図である。 本技術の第2の実施の形態におけるクラスタ内の回路の接続関係の一例を示す図である。 本技術の第2の実施の形態における比較部の接続関係の一例を示す図である。 本技術の第2の実施の形態における画素内の素子のレイアウトの一例を示す図である。 本技術の第2の実施の形態における画素内の制御線の配線の一例を示す図である。 本技術の第3の実施の形態における比較部の接続関係の一例を示す図である。 本技術の第3の実施の形態におけるモードごとの制御の一例を示す図である。 本技術の第3の実施の形態における画素内の制御線の配線の一例を示す図である。 車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。 撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。
以下、本技術を実施するための形態(以下、実施の形態と称する)について説明する。説明は以下の順序により行う。
1.第1の実施の形態(差分信号をアナログ加算する例)
2.第2の実施の形態(3画素の差分信号をアナログ加算する例)
3.第3の実施の形態(加算する画素数を切り替えて差分信号をアナログ加算する例)
4.移動体への応用例
<1.第1の実施の形態>
[撮像装置の構成例]
図1は、本技術の第1の実施の形態における撮像装置100の一構成例を示すブロック図である。この撮像装置100は、画像データを撮像するための装置であり、光学部110、固体撮像素子200およびDSP(Digital Signal Processing)回路120を備える。さらに撮像装置100は、表示部130、操作部140、バス150、フレームメモリ160、記憶部170および電源部180を備える。撮像装置100としては、例えば、デジタルスチルカメラなどのデジタルカメラの他、撮像機能を持つスマートフォンやパーソナルコンピュータ、車載カメラ等が想定される。
光学部110は、被写体からの光を集光して固体撮像素子200に導くものである。固体撮像素子200は、垂直同期信号VSYNCに同期して、光電変換により画像データを生成するものである。ここで、垂直同期信号VSYNCは、撮像のタイミングを示す所定周波数の周期信号である。固体撮像素子200は、生成した画像データをDSP回路120に信号線209を介して供給する。
DSP回路120は、固体撮像素子200からの画像データに対して所定の信号処理を実行するものである。このDSP回路120は、処理後の画像データをバス150を介してフレームメモリ160などに出力する。
表示部130は、画像データを表示するものである。表示部130としては、例えば、液晶パネルや有機EL(Electro Luminescence)パネルが想定される。操作部140は、ユーザの操作に従って操作信号を生成するものである。
バス150は、光学部110、固体撮像素子200、DSP回路120、表示部130、操作部140、フレームメモリ160、記憶部170および電源部180が互いにデータをやりとりするための共通の経路である。
フレームメモリ160は、画像データを保持するものである。記憶部170は、画像データなどの様々なデータを記憶するものである。電源部180は、固体撮像素子200、DSP回路120や表示部130などに電源を供給するものである。
[固体撮像素子の構成例]
図2は、本技術の第1の実施の形態における固体撮像素子200の積層構造の一例を示す図である。この固体撮像素子200は、回路チップ202と、その回路チップ202に積層された受光チップ201とを備える。これらの基板は、ビアなどの接続部を介して電気的に接続される。なお、ビアの他、Cu−Cu接合やバンプ、TCI(ThruChip Interface)などの誘導結合通信技術により接続することもできる。
[受光チップの構成例]
図3は、本技術の第1の実施の形態における受光チップ201の一構成例を示す平面図である。この受光チップ201には、画素領域210と、Vドライバ231および232と、Hドライバ233と、DAC(Digital to Analog Converter)234とが配置される。また、画素領域210には、複数の画素ブロック211が二次元格子状に配列される。それぞれの画素ブロック211には、複数の画素回路220が配列される。例えば、画素ブロック211には、1行×6列の6個の画素回路220が配列される。また、画素ブロック211には、画素回路220ごとに、後述する比較部の一部が配置される。なお、画素ブロック211内の画素回路220の個数は6個に限定されない。
画素回路220は、光電変換によりアナログの画素信号を生成するものである。
Vドライバ231および232は、読み出す対象の行の画素回路220を駆動し、画素信号を出力させるものである。例えば、Vドライバ231は、奇数行を駆動し、Vドライバ232は、偶数行を駆動する。また、Hドライバ233は、列単位で画素回路220を駆動する。なお、Vドライバ231および232のそれぞれが駆動する行を必ずしも偶数行、奇数行などに分ける必要は無い。例えば、セトリングを速くする目的で、Vドライバ231および232が同じ行を駆動することもできる。
DAC234は、DA(Digital to Analog)変換により、スロープ状に変化するアナログのランプ信号を参照信号として生成するものである。このDAC234は、生成した参照信号を画素領域210に供給する。
[回路チップの構成例]
図4は、本技術の第1の実施の形態における回路チップ202の一構成例を示すブロック図である。この回路チップ202には、AD変換回路領域250と、Vドライバ261および262と、Hドライバ263と、ロジック回路264とが配置される。AD変換回路領域250には、複数のクラスタ300が二次元格子状に配列される。クラスタ300は、画素ブロック211ごとに設けられ、画素ブロック211の個数をN(Nは、整数)個とすると、クラスタ300もN個設けられる。画素ブロック211とクラスタ300とは、1対1で接続される。
クラスタ300は、対応する画素ブロック211からのアナログ信号を画素毎にデジタル信号に変換し、ロジック回路264に画素データとして供給するものである。
Vドライバ261および262は、クラスタ300内の回路を駆動してデジタル信号を生成させるものである。例えば、Vドライバ261は、奇数行に対応する回路を駆動し、Vドライバ262は、偶数行に対応する回路を駆動する。あるいは、Vドライバ261および262は、同じ行の回路を駆動する。また、Hドライバ263は、生成されたデジタル信号をクラスタ300からロジック回路264へ画素データとして転送させるものである。
ロジック回路264は、転送された画素データに対して画素毎にCDS(Correlated Double Sampling)処理などの各種の信号処理を行うものである。このロジック回路264は、処理後の画素データからなる画像データをDSP回路120に供給する。
[クラスタの構成例]
図5は、本技術の第1の実施の形態におけるクラスタ300の一構成例を示すブロック図である。クラスタ300には、画素ブロック211内の画素回路220毎に、比較部310およびデータ記憶部360が配置される。画素ブロック211内の画素回路220が6個である場合には、比較部310およびデータ記憶部360は、それぞれ6個ずつ配置される。なお、同図において、図9で後述する接続トランジスタは省略されている。また、比較部310内の差動入力回路の一部は、後述する図10に例示するように受光チップ201に配置されている。
また、AD変換回路領域250において、クラスタ300の列ごとに、時刻コード転送部370が配置される。クラスタ300の列数がM(Mは、整数)である場合、時刻コード転送部370もM個配置される。
また、6個の比較部310のそれぞれは、クラスタ300に対応する画素ブロック211内の6個の画素回路220と1対1で接続される。
時刻コード転送部370は、時刻コードを生成するカウンタ(不図示)からクラスタ300へ時刻コードを転送し、クラスタ300からロジック回路264に時刻コードを転送するものである。この時刻コードは、参照信号がスロープ状に変化する期間内の時刻を示すデジタル信号である。
比較部310は、対応する画素回路220からの画素信号と参照信号とを比較するものである。この比較部310は、比較結果をデータ記憶部360に出力する。
データ記憶部360は、比較結果が反転したときに時刻コード(すなわち、デジタル信号)を画素データとして保持するものである。そして、データ記憶部360は、保持した画素データを時刻コード転送部370を介してロジック回路264に出力する。これにより、アナログの画素信号は、デジタルの画素データに変換される。
図6は、本技術の第1の実施の形態における画素回路220とクラスタ300内の回路との接続関係の一例を示す斜視図である。
画素ブロック211内のm(mは、整数)行、n(nは、整数)列の画素回路220の座標を(m、n)とする。左側の座標(0、0)、(0、1)および(0、2)の画素回路220は、クラスタ300内の左側の3個の比較部310に接続される。また、右側の座標(0、3)、(0、4)および(0、5)の画素回路220は、クラスタ300内の右側の3個の比較部310に接続される。なお、同図において、「CM」は、比較部310を示し、「MEM」は、データ記憶部360を示す。
1つの画素回路220と、その回路に接続された比較部310およびデータ記憶部360とを含む回路は、固体撮像素子200内の1つの画素を構成する。画素ブロック211内には、6個の画素回路220が配列されるため、画素ブロック211ごとの画素数は、6画素である。
図7は、本技術の第1の実施の形態における画素同士の接続関係の一例を示す図である。固体撮像素子200内には、R(Red)画素、G(Green)画素およびB(Blue)画素などの複数の画素400がベイヤー配列などにより二次元格子状に配列される。G画素は、水平方向においてR画素に隣接するGr画素と、B画素に隣接するGb画素とを含む。なお、画素400の配列方法は、ベイヤー配列に限定されない。
垂直方向において隣接する同色の一対の画素(画素400および401など)が互いに接続される。同図において画素間の実線は、画素同士を接続する配線を示す。例えば、座標(0,0)のRの画素400と、座標(2,0)のRの画素401とが接続され、座標(0,2)のR画素と、座標(2,2)のR画素とが接続される。また、座標(0,4)のR画素と、座標(2,4)のR画素とが接続される。3行以降においても同様に、2画素単位でR画素が接続される。G画素およびB画素についても同様に、垂直方向において隣接する2画素が接続される。なお、G画素およびB画素の接続関係は、同図において省略されている。
接続された2画素は、画素加算モードにおいてアナログの画素加算を行い、非加算モードにおいて、画素加算せずに個々に画素データを生成する。ここで、画素加算モードは、画素加算を行って画像データを生成するモードであり、非加算モードは、画素加算せずに画像データを生成するモードである。
図8は、本技術の第1の実施の形態におけるクラスタ300内の回路の接続関係の一例を示す図である。垂直方向において配列されたクラスタ300、301および302に着目する。クラスタ300には、比較部310およびデータ記憶部360が画素毎に設けられ、さらにリピータ371が配置される。クラスタ301および302についても同様である。垂直方向に配列されたリピータ371の集合は、図5の時刻コード転送部370に該当する。
クラスタ300には、座標(0,0)、(0,1)、(0,2)、(0,3)、(0,4)および(0,5)の6画素に対応する回路が配置される。クラスタ301には、座標(1,0)、(1,1)、(1,2)、(1,3)、(1,4)および(1,5)の6画素に対応する回路が配置される。クラスタ302には、座標(2,0)、(2,1)、(2,2)、(2,3)、(2,4)および(2,5)の6画素に対応する回路が配置される。
座標(0,0)に対応する比較部310と、座標(2,0)に対応する比較部310とは、ベイヤー配列において隣接するR画素の回路である。このため、これらの比較部310が接続される。同図において、一対の比較部310の間の実線は、それらの回路同士を接続する配線を示す。同様に、座標(0,2)に対応する比較部310と、座標(2,2)に対応する比較部310とが接続される。また、座標(0,4)に対応する比較部310と、座標(2,4)に対応する比較部310とが接続される。なお、同図において、G画素に対応する回路と、B画素に対応する回路との接続関係は、省略されている。
[画素の構成例]
図9は、本技術の第1の実施の形態における画素400の一構成例を示す回路図である。この画素400は、画素回路220、比較部310、接続トランジスタ324およびデータ記憶部360を備える。比較部310は、差動入力回路320、電圧変換回路330および正帰還回路340を備える。
画素回路220は、前述したように、光電変換によりアナログの画素信号SIGを生成する。差動入力回路320は、画素回路220からの画素信号SIGと、DAC234からの参照信号RMPとの差分を増幅するものである。電圧変換回路330は、差動入力回路320からの信号の電圧を変換するものである。正帰還回路340は、出力の一部を入力に加算するものである。データ記憶部360は、前述したように、比較部310の比較結果を示す出力信号Voutが反転したときに時刻コードを画素データとして保持する。
接続トランジスタ324は、制御信号に従って、画素400内の内部ノードと、その画素400に隣接する画素401内の内部ノードとを接続するものである。内部ノードの位置の詳細については図10で後述する。
図10は、本技術の第1の実施の形態における画素400の一構成例を示す回路図である。この画素400は、画素回路220、差動入力回路320、接続トランジスタ324、電圧変換回路330、正帰還回路340およびデータ記憶部360を備える。なお、データ記憶部360は、同図において省略されている。
画素回路220は、例えば、リセットトランジスタ221、浮遊拡散層222、転送トランジスタ223、フォトダイオード224および排出トランジスタ225を備える。リセットトランジスタ221、転送トランジスタ223、フォトダイオード224および排出トランジスタ225として、例えば、N型のMOS(Metal-Oxide-Semiconductor)トランジスタが用いられる。
フォトダイオード224は、光電変換により電荷を生成するものである。排出トランジスタ225は、ドライバ(Vドライバ231など)からの駆動信号OFGにより排出が指示されるとフォトダイオード224から電荷を排出するものである。
転送トランジスタ223は、ドライバからの転送信号TXにより転送が指示されると、露光終了時にフォトダイオード224から浮遊拡散層222へ電荷を転送するものである。
浮遊拡散層222は、転送された電荷を蓄積し、電荷量に応じたレベルのアナログの画素信号SIGを生成するものである。
リセットトランジスタ221は、ドライバからのリセット信号AZにより初期化が指示されると、浮遊拡散層222を初期化するものである。
差動入力回路320は、P型トランジスタ321、322および323と、差動トランジスタ226および227と、電流源トランジスタ228とを備える。P型トランジスタ321、322および323として、例えば、MOSトランジスタが用いられる。差動トランジスタ226、差動トランジスタ227および電流源トランジスタ228として、例えば、N型のMOSトランジスタが用いられる。
また、差動トランジスタ226および227と、電流源トランジスタ228と、画素回路220とは、受光チップ201に配置される。P型トランジスタ321、322および323と、その後段の回路(電圧変換回路330等)とは、回路チップ202に配置される。なお、受光チップ201および回路チップ202のそれぞれに配置する回路や素子は、同図に例示したものに限定されない。
差動トランジスタ226および227のそれぞれのソースは、電流源トランジスタ228に共通に接続される。また、差動トランジスタ227のゲートは、浮遊拡散層222に接続され、差動トランジスタ226のゲートは、DAC234に接続される。
電流源トランジスタ228のゲートには、所定のバイアス電圧Vbが印加され、ソースは接地される。
P型トランジスタ321、322および323は、電源電圧VDDHの端子に並列に接続される。また、P型トランジスタ321のゲートは、自身のドレインとP型トランジスタ322のゲートとに接続される。また、P型トランジスタ321のドレインは、差動トランジスタ226のドレインに接続され、P型トランジスタ322のドレインは、差動トランジスタ227のドレインに接続される。また、P型トランジスタ323のゲートは、P型トランジスタ322のドレインに接続され、P型トランジスタ323のドレインは電圧変換回路330に接続される。P型トランジスタ323のゲートと、P型トランジスタ322のドレインとの接続ノードを以下、「内部ノードCN」と称する。
内部ノードCNには、画素回路220からの画素信号SIGと、DAC234からの参照信号RMPとの差分を増幅した差分信号DIF1が入力される。
接続トランジスタ324は、制御線M0からの制御信号に従って、画素400内の内部ノードCNと、その画素400に隣接する画素401内の内部ノードCNとを接続する。Vドライバ261等のドライバは、制御線M0を介して制御信号を供給する。接続トランジスタ324としてP型トランジスタを用いる場合、画素加算モードにおいてドライバは、ローレベルの制御信号を供給し、非加算モードにおいてハイレベルの制御信号を供給する。
これにより、画素加算モードにおいて、接続トランジスタ324は閉状態に移行し、非加算モードにおいて開状態に移行する。接続トランジスタ324が閉状態に移行すると、画素400および画素401のそれぞれの内部ノードCNが接続される。この結果、画素400内の差分信号DIF1と、画素401内の差分信号DIF2とがアナログ加算され、その加算信号に応じた信号が差分信号DIFoutとして出力される。なお、接続トランジスタ324は、特許請求の範囲に記載の加算回路の一例である。
電圧変換回路330は、N型トランジスタ331を備える。N型トランジスタ331として、例えば、MOSトランジスタが用いられる。このN型トランジスタ331は、差動入力回路320と正帰還回路340との間に挿入され、そのゲートには、電源電圧VDDHより低い電源電圧VDDLが印加される。
正帰還回路340は、P型トランジスタ341、342、344および345と、N型トランジスタ343、346および347とを備える。これらのトランジスタとして、例えば、MOSトランジスタが用いられる。
P型トランジスタ341、P型トランジスタ342およびN型トランジスタ343は、電源電圧VDDLの端子と接地端子との間において直列に接続される。P型トランジスタ341のゲートには、Vドライバ261などのドライバからの駆動信号INI2が入力され、N型トランジスタ343には、Vドライバ261などのドライバからの駆動信号INI1が入力される。P型トランジスタ342およびN型トランジスタ343の接続点には、電圧変換回路330からの信号が入力される。
P型トランジスタ344および345は、電源電圧VDDLの端子に直列に接続される。また、N型トランジスタ346および347は、P型トランジスタ345と接地端子との間において並列に接続される。
P型トランジスタ344およびN型トランジスタ346のゲートは、P型トランジスタ342およびN型トランジスタ343の接続点に接続される。P型トランジスタ345およびN型トランジスタ346の接続点からは、出力信号Voutがデータ記憶部360へ出力され、正帰還信号PFBがP型トランジスタ342のゲートに出力される。また、P型トランジスタ345およびN型トランジスタ347のゲートには、ドライバからの駆動信号TRSTVCOが入力される。
上述の構成により、比較部310は、画素信号SIGと、参照信号RMPとの差分を増幅した差分信号DIF1を生成して内部ノードCNに出力する。そして、比較部310は、その内部ノードCNの信号に応じた出力信号Voutをデータ記憶部360に出力する。
図11は、本技術の第1の実施の形態における比較部310の接続関係の一例を示す図である。垂直方向において隣接する同色(Rなど)の画素400および401に着目する。画素400および401のそれぞれには、画素回路220、比較部310、接続トランジスタ324およびデータ記憶部360が配置される。
画素400内の接続トランジスタ324のゲートは制御線M0に接続される。一方、画素401内の接続トランジスタ324のゲートは、電源線VDDに接続される。これにより、画素400内の接続トランジスタ324は、制御信号に従ってオンオフする一方で、画素401内の接続トランジスタ324は、常にオフ状態である。
画素400内の比較部310は、アナログの画素信号SIG1と参照信号RMPとの差分を増幅した差分信号DIF1を内部生成する。一方、画素401内の比較部310は、画素信号SIG2と参照信号RMPとの差分を増幅した差分信号DIF2を内部生成する。
画素加算モードにおいて画素400内の接続トランジスタ324は、制御信号に従ってオンし、閉状態に移行する。これにより、所定座標が割り当てられた画素400内の画素信号と参照信号との差分を増幅した差分信号DIF1と、その座標に隣接する他の座標に係る差分信号DIF2とがアナログ加算される。そして、画素400および401の一方のデータ記憶部360は、加算信号に応じた出力信号Voutが反転したときの時刻コードを画素データとして保持し、他方のデータ記憶部360は、動作を停止する。この結果、垂直方向において画素データ数が半分となる。
また、非加算モードにおいて画素400内の接続トランジスタ324は、制御信号に従ってオフする。これにより、画素400内のデータ記憶部360は、差分信号DIF1に応じた出力信号Vout1が反転したときの時刻コードを画素データとして保持する。また、画素401のデータ記憶部360は、差分信号DIF2に応じた出力信号Vout2が反転したときの時刻コードを画素データとして保持する。
なお、画素401内の接続トランジスタ324を常にオフ状態にしているが、この構成に限定されない。画素401内の接続トランジスタ324のゲートを制御線M0と別の制御線に接続することもできる。この場合には、画素加算モードにおいて画素400内の接続トランジスタ324と、画素401内の接続トランジスタ324との一方がオン状態に、他方がオフ状態に制御される。
画素加算により、画素信号を間引く場合と比較して、画質の低下を抑制することができる。また、差分信号同士をアナログ加算することにより、デジタル加算する場合と比較して、AD変換の回数が低下するため、消費電力を削減することができる。また、画素毎にAD変換する固体撮像素子200において画素加算することにより、垂直方向および水平方向に配列された複数の画素を加算対象とすることができる。これに対して、カラムごとにAD変換する固体撮像素子において画素加算する場合には、水平方向に配列された複数の画素を加算対象とすることができるが、垂直方向に配列された複数の画素を加算対象とすることができない。
図12は、本技術の第1の実施の形態における画素信号、参照信号および出力信号の変動の一例を示すグラフである。同図におけるaは、非加算モードにおける画素信号および参照信号の変動の一例を示すグラフである。同図におけるaの横軸は時間を示し、縦軸は、画素信号および参照信号の電圧を示す。また、実線は、参照信号RMPの変動を示し、一点鎖線は、画素400の画素信号SIG1の変動を示す。太い点線は、画素401の画素信号SIG2の変動を示す。同図におけるbは、非加算モードにおける比較部310の出力信号の変動の一例を示し、同図におけるcは、画素加算モードにおける出力信号の変動の一例を示す。同図におけるbおよびcの横軸は時間を示し、縦軸は、比較部310の出力信号Voutの電圧を示す。また、一点鎖線は、画素400の出力信号Vout1の変動を示す。太い点線は、画素401の出力信号Vout2の変動を示す。実線は、加算モードの出力信号Voutの変動を示す。
同図におけるaに例示するように参照信号RMPは、スロープ状に変動する。一方、画素400および401が初期化されると、画素400の画素回路220は、リセットレベルの画素信号SIG1rを出力し、画素401の画素回路220は、リセットレベルの画素信号SIG2rを出力する。そして、タイミングT0において、画素信号SIG1rおよびSIG2rが参照信号RMPより高くなり、画素400および401の比較部310は、比較結果を示す出力信号Voutを反転させる。
そして、非加算モードにおいて画素400の画素回路220は、露光終了時に信号レベルの画素信号SIG1sを出力し、画素401の画素回路220は、信号レベルの画素信号SIG2sを出力する。これらの信号レベルは互いに異なるものとする。このため、例えば、タイミングT1において、画素信号SIG1sが参照信号RMPより高くなり、その後のタイミングT3において画素信号SIG2sが参照信号RMPより高くなる。これにより、同図におけるbに例示するように画素400の比較部310は、タイミングT1において出力信号Vout1を反転させ、画素401の比較部310は、タイミングT3において出力信号Vout2を反転させる。この結果、画素毎に画素データが生成される。
一方、同図におけるcに例示するように画素加算モードにおいて画素400または画素401の比較部310は、加算信号に応じた出力信号Voutを出力する。この出力信号Voutは、画素400および401のそれぞれの信号をアナログ加算したものであるため、タイミングT1とT3との間のタイミングT2で反転する。この結果、垂直方向において解像度が低下する。
[固体撮像素子の動作例]
図13は、本技術の第1の実施の形態における固体撮像素子200の動作の一例を示すフローチャートである。この動作は、例えば、画像を撮像するための所定のアプリケーションが実行されたときに開始される。固体撮像素子200は、現在のモードが画素加算モードであるか否かを判断する(ステップS901)。
画素加算モードである場合に(ステップS901:Yes)、固体撮像素子200内の接続トランジスタ324はオン状態に移行し、隣接する2画素のそれぞれの内部ノードCNを接続する(ステップS902)。これにより、それらの画素の差分信号がアナログ加算される。
一方、非加算モードである場合に(ステップS901:No)、固体撮像素子200内の接続トランジスタ324はオフ状態に移行し、隣接する2画素のそれぞれの内部ノードCNを切り離す(ステップS903)。そして、ステップS902またはS903の後に固体撮像素子200内の画素のそれぞれは、AD変換を行う(ステップS904)。ステップS904の後に固体撮像素子200は、撮像のための動作を終了する。
なお、複数の画像データを連続して撮像する場合には、垂直同期信号に同期してステップS901乃至S904が繰り返し実行される。
このように、本技術の第1の実施の形態によれば、接続トランジスタ324が、隣接する2画素のそれぞれの差分信号をアナログ加算するため、画素信号を間引く場合と比較して画像データの画質を向上させることができる。また、デジタル加算する場合と比較してAD変換の回数が少ないため、消費電力を削減することができる。
[変形例]
上述の第1の実施の形態では、固体撮像素子200は、垂直方向において隣接する同色の2画素を画素加算して垂直方向における解像度を低下させていたが、この構成では、水平方向において解像度を低下させることができない。この第1の実施の形態の変形例の固体撮像素子200は、水平方向において隣接する同色の2画素を画素加算する点において第1の実施の形態と異なる。
図14は、本技術の第1の実施の形態の変形例における画素同士の接続関係の一例を示す図である。この第1の実施の形態の変形例における固体撮像素子200は、水平方向において隣接する同色の一対の画素(例えば、画素400および401)が接続される点において第1の実施の形態と異なる。同図において画素間の実線は、画素同士を接続する配線を示す。
例えば、座標(0,0)のRの画素400と、座標(0,2)のRの画素401とが接続され、座標(2,0)のR画素と、座標(2,2)のR画素とが接続される。G画素およびB画素についても同様に、水平方向において隣接する2画素が接続される。接続トランジスタ324は、接続された2画素のそれぞれの差分信号をアナログ加算する。なお、G画素およびB画素の接続関係は、同図において省略されている。
このように、本技術の第1の実施の形態の変形例によれば、接続トランジスタ324が、水平方向において隣接する2画素のそれぞれの差分信号をアナログ加算するため、水平方向において画素データ数を削減することができる。
<2.第2の実施の形態>
上述の第1の実施の形態では、垂直方向において隣接する2画素を加算して垂直方向において画素データ数を削減していたが、2画素を加算する場合、画素データの半分を削減することしかできない。この第2の実施の形態の固体撮像素子200は、垂直方向において隣接する3画素を加算する点において第1の実施の形態と異なる。
図15は、本技術の第2の実施の形態における画素同士の接続関係の一例を示す図である。垂直方向において隣接する同色の3画素(画素400、401および402など)が互いに接続される。同図において画素間の実線は、画素同士を接続する配線を示す。例えば、座標(0,0)のRの画素400と、座標(2,0)のRの画素401と、座標(4,0)のRの画素402とが接続される。また、座標(0,2)のR画素と、座標(2,2)のR画素と、座標(4,2)のR画素とが接続され、座標(0,4)のR画素と、座標(2,4)のR画素と、座標(4,4)のR画素とが接続される。5行目以降においても同様に3画素単位でR画素が接続される。G画素およびB画素についても同様に、垂直方向において隣接する3画素が接続される。なお、G画素およびB画素の接続関係は、同図において省略されている。
図16は、本技術の第2の実施の形態におけるクラスタ内の回路の接続関係の一例を示す図である。垂直方向において配列されたクラスタ300、301、302、303および304に着目する。
クラスタ300、301および302に、配置される回路は、第1の実施の形態と同様である。クラスタ303には、座標(3,0)、(3,1)、(3,2)、(3,3)、(3,4)および(3,5)の6画素に対応する回路が配置される。クラスタ304には、座標(4,0)、(4,1)、(4,2)、(4,3)、(4,4)および(4,5)の6画素に対応する回路が配置される。
座標(0,0)に対応する比較部310と、座標(2,0)に対応する比較部310と、座標(4,0)に対応する比較部310とは、ベイヤー配列において隣接するR画素の回路である。このため、これらの比較部310が接続される。同図において、3つの比較部310の間の実線は、それらの回路同士を接続する配線を示す。同様に、座標(0,2)に対応する比較部310と、座標(2,2)に対応する比較部310と、座標(4,2)に対応する比較部310とが接続される。また、座標(0,4)に対応する比較部310と、座標(2,4)に対応する比較部310と、座標(4,4)に対応する比較部310とが接続される。なお、同図において、G画素に対応する回路と、B画素に対応する回路との接続関係は、省略されている。
図17は、本技術の第2の実施の形態における比較部310の接続関係の一例を示す図である。垂直方向において隣接する同色(Rなど)の画素400、401および402に着目する。画素400、401および402のそれぞれには接続トランジスタ325がさらに配置される。接続トランジスタ325として、例えば、P型のMOSトランジスタが用いられる。これらの接続トランジスタ325は、レイアウトに対称性を持たせる観点から、追加されている。
画素400内の接続トランジスタ324のゲートは電源線VDDに接続され、接続トランジスタ325のゲートは、制御線M0に接続される。また、画素401内の接続トランジスタ324および325の両方のゲートは、制御線M0に接続される。画素402内の接続トランジスタ324のゲートは制御線M0に接続され、接続トランジスタ325のゲートは、電源線VDDに接続される。これにより、画素400内の接続トランジスタ325と、画素401内の接続トランジスタ324および325と、画素402内の接続トランジスタ324とは、制御信号に従ってオンオフする。一方、画素400内の接続トランジスタ324と、画素402内の接続トランジスタ325とは、常にオフ状態である。
画素400内の比較部310は、差分信号DIF1を内部生成する。画素401内の比較部310は、差分信号DIF2を内部生成し、画素402内の比較部310は、差分信号DIF3を内部生成する。
画素加算モードにおいて画素400内の接続トランジスタ325と、画素401内の接続トランジスタ324および325と、画素402内の接続トランジスタ324とは、制御信号に従ってオンする。これにより、所定座標の画素400の差分信号DIF1と、その座標に隣接する座標の画素400および401の差分信号DIF2およびDIF3とが加算される。そして、画素400、401および402のいずれかのデータ記憶部360は、加算信号に応じた出力信号Voutが反転したときの時刻コードを保持し、残りの画素内のデータ記憶部360は、動作を停止する。
また、非加算モードにおいて画素400内の接続トランジスタ325と、画素401内の接続トランジスタ324および325と、画素402内の接続トランジスタ324とは制御信号に従ってオフする。これにより、画素400内のデータ記憶部360は、差分信号DIF1に応じた出力信号Vout1が反転したときの時刻コードを保持する。また、画素401内のデータ記憶部360は、差分信号DIF2に応じた出力信号Vout2が反転したときの時刻コードを保持し、画素402内のデータ記憶部360は、差分信号DIF3に応じた出力信号Vout3が反転したときの時刻コードを保持する。
なお、画素400内の接続トランジスタ324と、画素402内の接続トランジスタ325とを常にオフ状態にしているが、この構成に限定されない。これらの接続トランジスタのゲートを制御線M0と別の制御線に接続してオンオフすることもできる。
図18は、本技術の第2の実施の形態における画素401内の素子のレイアウトの一例を示す図である。垂直方向において隣接する同色の画素400、401および402に着目する。
画素400内には、P型トランジスタ321および322と、接続トランジスタ324および325と、P型トランジスタ323と、N型トランジスタ331とを含む各種の素子が配置される。同図において、これら以外の素子(N型トランジスタ331など)は省略されている。画素401および402についても同様である。
接続トランジスタ324および325は、例えば、P型トランジスタ322とP型トランジスタ323との間に配置される。
画素400において、接続トランジスタ324のドレインは、P型トランジスタ322のドレインとP型トランジスタ323のゲートとに接続される。また、接続トランジスタ325のソースは、P型トランジスタ322のドレインとP型トランジスタ323のゲートとに接続される。画素400内の接続トランジスタ325のドレインは、画素401内の接続トランジスタ324のソースに接続される。同図において、接続トランジスタ324および325のソースおよびドレインに接続される信号線以外の配線は省略されている。
画素401において、接続トランジスタ324のドレインは、P型トランジスタ322のドレインとP型トランジスタ323のゲートとに接続される。また、接続トランジスタ325のソースは、P型トランジスタ322のドレインとP型トランジスタ323のゲートとに接続される。画素401内の接続トランジスタ325のドレインは、画素402内の接続トランジスタ324のソースに接続される。画素402以降についても同様である。
図19は、本技術の第2の実施の形態における画素内の制御線M0の配線の一例を示す図である。同図に例示するように制御線M0は、垂直方向に配線される。画素400内の接続トランジスタ325と、画素401内の接続トランジスタ324および325と、画素402内の接続トランジスタ324とのそれぞれのゲートが制御線M0に接続される。
なお、固体撮像素子200は、3画素を加算しているが、加算する画素数は3画素に限定されず、4画素以上を加算することもできる。また、固体撮像素子200は、垂直方向において隣接する同色の複数の画素を加算しているが、水平方向において隣接する同色の複数の画素を加算することもできる。
このように、本技術の第2の実施の形態によれば、接続トランジスタ324および325が、垂直方向において隣接する3画素のそれぞれの差分信号をアナログ加算するため、2画素を加算する場合よりも多くの画素データを削減することができる。
<3.第3の実施の形態>
上述の第2の実施の形態では、垂直方向において隣接する3画素を加算していたが、加算する画素数を切り替えることができない。この第3の実施の形態の固体撮像素子200は、加算する画素数を切り替える点において第2の実施の形態と異なる。
図20は、本技術の第3の実施の形態における比較部310の接続関係の一例を示す図である。垂直方向において隣接する同色(Rなど)の画素400、401、402、403、404および405に着目する。第3の実施の形態の画素400乃至405のそれぞれには第2の実施の形態と同様に接続トランジスタ324および325が配置される。なお、同図において、画素回路220およびデータ記憶部360は省略されている。
画素400内の接続トランジスタ324のゲートは電源線VDDに接続され、接続トランジスタ325のゲートは、制御線M3に接続される。また、画素401内の接続トランジスタ324のゲートは、制御線M3に接続され、接続トランジスタ325のゲートは制御線M2に接続される。画素402内の接続トランジスタ324のゲートは制御線M2に接続され、接続トランジスタ325のゲートは、制御線M1に接続される。
画素403内の接続トランジスタ324のゲートは制御線M1に接続され、接続トランジスタ325のゲートは、制御線M2に接続される。また、画素404内の接続トランジスタ324のゲートは、制御線M2に接続され、接続トランジスタ325のゲートは制御線M3に接続される。画素405内の接続トランジスタ324のゲートは制御線M3に接続され、接続トランジスタ325のゲートは、電源線VDDに接続される。
上述した接続構成により、画素400内の接続トランジスタ325と、画素401乃至403内の接続トランジスタ324および325と、画素405内の接続トランジスタ324とは、制御信号に従ってオンオフする。一方、画素400内の接続トランジスタ324と、画素405内の接続トランジスタ325とは、常にオフ状態である。
また、第3の実施の形態において、画素加算モードは、2画素加算モードと3画素加算モードとを含む。2画素加算モードにおいて、画素400内の接続トランジスタ325と、画素401内の接続トランジスタ324と、画素402内の接続トランジスタ325と、画素403内の接続トランジスタ324とがオンする。また、画素404内の接続トランジスタ325と、画素405内の接続トランジスタ324も制御信号に従ってオンする。他の接続トランジスタは、オフ状態に制御される。これにより、画素400および401とが画素加算される。また、画素402および403が画素加算され、画素404および405が画素加算される。
一方、3画素加算モードにおいて、画素400内の接続トランジスタ325と、画素401内の接続トランジスタ324および325と、画素402内の接続トランジスタ324とがオンする。また、画素403内の接続トランジスタ325と、画素404内の接続トランジスタ324および325と、画素405内の接続トランジスタ324とがオンする。これにより、画素400、401および402が画素加算される。また、画素403、404および405が画素加算される。
また、非加算モードにおいて全ての接続トランジスタ324および325はオフ状態に制御される。
なお、画素400および403は、特許請求の範囲に記載の第1画素の一例であり、画素401および404は、特許請求の範囲に記載の第2画素の一例である。画素402および405は、特許請求の範囲に記載の第3画素の一例である。また、画素400の接続トランジスタ325は、特許請求の範囲に記載の第2画素側接続トランジスタの一例である。画素401の接続トランジスタ324は、特許請求の範囲に記載の第1画素側接続トランジスタの一例であり、画素401の接続トランジスタ325は、特許請求の範囲に記載の第3画素側接続トランジスタの一例である。画素402の接続トランジスタ324は、特許請求の範囲に記載の第2画素側接続トランジスタの一例である。
なお、画素400内の接続トランジスタ324と、画素405内の接続トランジスタ325とを常にオフ状態にしているが、この構成に限定されない。これらの接続トランジスタのゲートを制御線に接続することもできる。
図21は、本技術の第3の実施の形態におけるモードごとの制御の一例を示す図である。2画素加算モードにおいて、Vドライバ261等のドライバは、制御線M1およびM3を介してローレベルの制御信号を供給し、制御線M2を介してハイレベルの制御信号を供給する。接続トランジスタ324および325としてP型のMOSトランジスタを用いる場合、この制御により、制御線M1およびM3に接続されたトランジスタがオンし、制御線M2に接続されたトランジスタがオフする。この結果、画素400および401などの隣接する2画素が加算される。
また、3画素加算モードにおいて、ドライバは、制御線M1を介してハイレベルの制御信号を供給し、制御線M2およびM3を介してローレベルの制御信号を供給する。この制御により、制御線M1に接続されたトランジスタがオフし、制御線M2およびM3に接続されたトランジスタがオンする。この結果、画素400、401および403などの隣接する3画素が加算される。
図22は、本技術の第3の実施の形態における画素内の制御線M1、M2およびM3の配線の一例を示す図である。同図に例示するように制御線M1、M2およびM3は、垂直方向に配線される。画素400内の接続トランジスタ325と、画素401内の接続トランジスタ324とのそれぞれのゲートが制御線M3に接続される。画素401内の接続トランジスタ324と、画素402内の接続トランジスタ324とのそれぞれのゲートが制御線M2に接続される。画素402内の接続トランジスタ325のゲートが制御線M1に接続される。同図において画素403乃至405のレイアウトは、省略されている。また、第3の実施の形態における接続トランジスタ324および325のソースおよびドレインの接続構成は、図18に例示した第2の実施の形態と同様である。
なお、固体撮像素子200は、2画素加算モードと3画素加算モードとを切り替えているが、この構成に限定されない。制御内容の変更により、3画素加算モードと4画素加算モードとを切り替えるなど、切り替える加算モードの組合せを変えることもできる。また、固体撮像素子200は、垂直方向において隣接する同色の複数の画素を加算しているが、水平方向において隣接する同色の複数の画素を加算することもできる。
このように、本技術の第3の実施の形態によれば、接続トランジスタ324および325は、隣接する2画素の加算と、隣接する3画素の加算とのいずれかを行うため、画素加算後の画素データ数を加算前の1/2と1/3とのいずれかに制御することができる。
<4.移動体への応用例>
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
図23は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。
車両制御システム12000は、通信ネットワーク12001を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図23に示した例では、車両制御システム12000は、駆動系制御ユニット12010、ボディ系制御ユニット12020、車外情報検出ユニット12030、車内情報検出ユニット12040、及び統合制御ユニット12050を備える。また、統合制御ユニット12050の機能構成として、マイクロコンピュータ12051、音声画像出力部12052、及び車載ネットワークI/F(interface)12053が図示されている。
駆動系制御ユニット12010は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット12010は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。
ボディ系制御ユニット12020は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット12020は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット12020には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット12020は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
車外情報検出ユニット12030は、車両制御システム12000を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット12030には、撮像部12031が接続される。車外情報検出ユニット12030は、撮像部12031に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット12030は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。
撮像部12031は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部12031は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部12031が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。
車内情報検出ユニット12040は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット12040には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部12041が接続される。運転者状態検出部12041は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット12040は、運転者状態検出部12041から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。
マイクロコンピュータ12051は、車外情報検出ユニット12030又は車内情報検出ユニット12040で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット12010に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ12051は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むADAS(Advanced Driver Assistance System)の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。
また、マイクロコンピュータ12051は、車外情報検出ユニット12030又は車内情報検出ユニット12040で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
また、マイクロコンピュータ12051は、車外情報検出ユニット12030で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット12020に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ12051は、車外情報検出ユニット12030で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。
音声画像出力部12052は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図23の例では、出力装置として、オーディオスピーカ12061、表示部12062及びインストルメントパネル12063が例示されている。表示部12062は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。
図24は、撮像部12031の設置位置の例を示す図である。
図24では、撮像部12031として、撮像部12101,12102,12103,12104,12105を有する。
撮像部12101,12102,12103,12104,12105は、例えば、車両12100のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部12101及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部12105は、主として車両12100の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部12102,12103は、主として車両12100の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部12104は、主として車両12100の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部12105は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
なお、図24には、撮像部12101ないし12104の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲12111は、フロントノーズに設けられた撮像部12101の撮像範囲を示し、撮像範囲12112,12113は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部12102,12103の撮像範囲を示し、撮像範囲12114は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部12104の撮像範囲を示す。例えば、撮像部12101ないし12104で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両12100を上方から見た俯瞰画像が得られる。
撮像部12101ないし12104の少なくとも1つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部12101ないし12104の少なくとも1つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。
例えば、マイクロコンピュータ12051は、撮像部12101ないし12104から得られた距離情報を基に、撮像範囲12111ないし12114内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化(車両12100に対する相対速度)を求めることにより、特に車両12100の進行路上にある最も近い立体物で、車両12100と略同じ方向に所定の速度(例えば、0km/h以上)で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ12051は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御(追従停止制御も含む)や自動加速制御(追従発進制御も含む)等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
例えば、マイクロコンピュータ12051は、撮像部12101ないし12104から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、2輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ12051は、車両12100の周辺の障害物を、車両12100のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ12051は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ12061や表示部12062を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット12010を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。
撮像部12101ないし12104の少なくとも1つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ12051は、撮像部12101ないし12104の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部12101ないし12104の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ12051が、撮像部12101ないし12104の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部12052は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部12062を制御する。また、音声画像出力部12052は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部12062を制御してもよい。
以上、本開示に係る技術が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、撮像部12031に適用され得る。具体的には、例えば、図1の撮像装置100は、撮像部12031に適用することができる。撮像部12031に本開示に係る技術を適用することにより、画素加算時に、より見やすい撮影画像を得ることができるため、ドライバの疲労を軽減することが可能になる。
なお、上述の実施の形態は本技術を具現化するための一例を示したものであり、実施の形態における事項と、特許請求の範囲における発明特定事項とはそれぞれ対応関係を有する。同様に、特許請求の範囲における発明特定事項と、これと同一名称を付した本技術の実施の形態における事項とはそれぞれ対応関係を有する。ただし、本技術は実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において実施の形態に種々の変形を施すことにより具現化することができる。
また、上述の実施の形態において説明した処理手順は、これら一連の手順を有する方法として捉えてもよく、また、これら一連の手順をコンピュータに実行させるためのプログラム乃至そのプログラムを記憶する記録媒体として捉えてもよい。この記録媒体として、例えば、CD(Compact Disc)、MD(MiniDisc)、DVD(Digital Versatile Disc)、メモリカード、ブルーレイディスク(Blu-ray(登録商標)Disc)等を用いることができる。
なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって、限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。
なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
(1)所定座標が割り当てられたアナログの画素信号と所定の参照信号との差分を増幅した差分信号を生成する比較部と、
前記差分信号と前記所定座標に隣接する他の座標に係る差分信号とをアナログ加算して加算信号を生成する加算回路と、
前記加算信号に応じた信号が反転したときの時刻を示すデジタル信号を保持するデータ記憶部と
を各々に設けた複数の画素を具備する固体撮像素子。
(2)前記比較部は、前記差分信号を生成して所定の内部ノードに出力し、
前記加算回路は、前記複数の画素のうち加算対象の画素のそれぞれの前記内部ノードの接続により前記差分信号をアナログ加算する
前記(1)記載の固体撮像素子。
(3)前記加算対象の画素は、一対の画素であり、
前記加算回路は、前記一対の画素の一方の前記内部ノードと他方の前記内部ノードとの間の経路を開閉する接続トランジスタを備える
前記(2)記載の固体撮像素子。
(4)前記加算対象の画素は、第1画素、第2画素および第3画素であり、
前記第2画素の前記加算回路は、
前記第1画素と前記第2画素の前記内部ノードとの間の経路を開閉する第1画素側接続トランジスタと、
前記第2画素の前記内部ノードと前記第3画素との間の経路を開閉する第3画素側接続トランジスタと
を備える前記(2)記載の固体撮像素子。
(5)2画素を加算する2画素加算モードが設定された場合には前記第1画素側接続トランジスタおよび前記第3画素側接続トランジスタの一方が開状態に移行するとともに他方が閉状態に移行し、3画素を加算する3画素加算モードが設定された場合には前記第1画素側接続トランジスタおよび前記第3画素側接続トランジスタの両方が前記閉状態に移行する
前記(4)記載の固体撮像素子。
(6)前記第1画素および前記第2画素のそれぞれの前記加算回路は、前記第1画素の前記内部ノードと前記第2画素との間の経路を開閉する第2画素側接続トランジスタを備え、
前記2画素加算モードが設定された場合には前記第1画素および前記第2画素の一方の前記第2画素側接続トランジスタが前記開状態に移行するとともに他方の前記第2画素側接続トランジスタが前記閉状態に移行し、前記3画素加算モードが設定された場合には前記第1画素および前記第2画素の両方の前記第2画素側接続トランジスタが前記閉状態に移行する
前記(5)記載の固体撮像素子。
(7)前記複数の画素は、二次元格子状に配列され、
前記加算回路は、前記複数の画素のうち所定方向に配列された所定数の画素のそれぞれの前記差分信号をアナログ加算する
前記(1)から(6)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(8)前記複数の画素のそれぞれには、前記デジタル信号を転送するリピータが設けられ、
前記リピータは、所定の水平方向に垂直な垂直方向に配列され、
前記加算回路は、前記垂直方向に配列された前記所定数の画素のそれぞれの前記差分信号をアナログ加算する
前記(7)記載の固体撮像素子。
(9)前記複数の画素のそれぞれには、前記デジタル信号を転送するリピータが設けられ、
前記リピータは、所定の水平方向に垂直な垂直方向に配列され、
前記加算回路は、前記複数の画素のうち前記水平方向に配列された前記所定数の画素のそれぞれの前記差分信号をアナログ加算する
前記(7)記載の固体撮像素子。
(10)前記比較部の一部は、所定の受光チップに配置され、
前記比較部の残りと前記加算回路および前記データ記憶部とは、所定の回路チップに配置される
前記(1)から(9)のいずれかに記載の固体撮像素子。
(11)所定座標が割り当てられたアナログの画素信号と所定の参照信号との差分を増幅した差分信号を生成する比較部と、前記差分信号と前記所定座標に隣接する他の座標に係る差分信号とをアナログ加算して加算信号を生成する加算回路と、前記加算信号に応じた信号が反転したときの時刻を示すデジタル信号を保持するデータ記憶部とを各々に設けた複数の画素と、
前記デジタル信号を処理するロジック回路と
を具備する撮像装置。
100 撮像装置
110 光学部
120 DSP回路
130 表示部
140 操作部
150 バス
160 フレームメモリ
170 記憶部
180 電源部
200 固体撮像素子
201 受光チップ
202 回路チップ
210 画素領域
211 画素ブロック
220 画素回路
221 リセットトランジスタ
222 浮遊拡散層
223 転送トランジスタ
224 フォトダイオード
225 排出トランジスタ
226、227 差動トランジスタ
228 電流源トランジスタ
231、232、261、262 Vドライバ
233、263 Hドライバ
234 DAC
250 AD変換回路領域
264 ロジック回路
300〜304 クラスタ
310 比較部
320 差動入力回路
321、322、323、341、342、344、345 P型トランジスタ
324、325 接続トランジスタ
330 電圧変換回路
331、343、346、347 N型トランジスタ
340 正帰還回路
360 データ記憶部
370 時刻コード転送部
371 リピータ
400〜405 画素
12031 撮像部

Claims (11)

  1. 所定座標が割り当てられたアナログの画素信号と所定の参照信号との差分を増幅した差分信号を生成する比較部と、
    前記差分信号と前記所定座標に隣接する他の座標に係る差分信号とをアナログ加算して加算信号を生成する加算回路と、
    前記加算信号に応じた信号が反転したときの時刻を示すデジタル信号を保持するデータ記憶部と
    を各々に設けた複数の画素を具備する固体撮像素子。
  2. 前記比較部は、前記差分信号を生成して所定の内部ノードに出力し、
    前記加算回路は、前記複数の画素のうち加算対象の画素のそれぞれの前記内部ノードの接続により前記差分信号をアナログ加算する
    請求項1記載の固体撮像素子。
  3. 前記加算対象の画素は、一対の画素であり、
    前記加算回路は、前記一対の画素の一方の前記内部ノードと他方の前記内部ノードとの間の経路を開閉する接続トランジスタを備える
    請求項2記載の固体撮像素子。
  4. 前記加算対象の画素は、第1画素、第2画素および第3画素であり、
    前記第2画素の前記加算回路は、
    前記第1画素と前記第2画素の前記内部ノードとの間の経路を開閉する第1画素側接続トランジスタと、
    前記第2画素の前記内部ノードと前記第3画素との間の経路を開閉する第3画素側接続トランジスタと
    を備える請求項2記載の固体撮像素子。
  5. 2画素を加算する2画素加算モードが設定された場合には前記第1画素側接続トランジスタおよび前記第3画素側接続トランジスタの一方が開状態に移行するとともに他方が閉状態に移行し、3画素を加算する3画素加算モードが設定された場合には前記第1画素側接続トランジスタおよび前記第3画素側接続トランジスタの両方が前記閉状態に移行する
    請求項4記載の固体撮像素子。
  6. 前記第1画素および前記第2画素のそれぞれの前記加算回路は、前記第1画素の前記内部ノードと前記第2画素との間の経路を開閉する第2画素側接続トランジスタを備え、
    前記2画素加算モードが設定された場合には前記第1画素および前記第2画素の一方の前記第2画素側接続トランジスタが前記開状態に移行するとともに他方の前記第2画素側接続トランジスタが前記閉状態に移行し、前記3画素加算モードが設定された場合には前記第1画素および前記第2画素の両方の前記第2画素側接続トランジスタが前記閉状態に移行する
    請求項5記載の固体撮像素子。
  7. 前記複数の画素は、二次元格子状に配列され、
    前記加算回路は、前記複数の画素のうち所定方向に配列された所定数の画素のそれぞれの前記差分信号をアナログ加算する
    請求項1記載の固体撮像素子。
  8. 前記複数の画素のそれぞれには、前記デジタル信号を転送するリピータが設けられ、
    前記リピータは、所定の水平方向に垂直な垂直方向に配列され、
    前記加算回路は、前記垂直方向に配列された前記所定数の画素のそれぞれの前記差分信号をアナログ加算する
    請求項7記載の固体撮像素子。
  9. 前記複数の画素のそれぞれには、前記デジタル信号を転送するリピータが設けられ、
    前記リピータは、所定の水平方向に垂直な垂直方向に配列され、
    前記加算回路は、前記複数の画素のうち前記水平方向に配列された前記所定数の画素のそれぞれの前記差分信号をアナログ加算する
    請求項7記載の固体撮像素子。
  10. 前記比較部の一部は、所定の受光チップに配置され、
    前記比較部の残りと前記加算回路および前記データ記憶部とは、所定の回路チップに配置される
    請求項1記載の固体撮像素子。
  11. 所定座標が割り当てられたアナログの画素信号と所定の参照信号との差分を増幅した差分信号を生成する比較部と、前記差分信号と前記所定座標に隣接する他の座標に係る差分信号とをアナログ加算して加算信号を生成する加算回路と、前記加算信号に応じた信号が反転したときの時刻を示すデジタル信号を保持するデータ記憶部とを各々に設けた複数の画素と、
    前記デジタル信号を処理するロジック回路と
    を具備する撮像装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6398021B1 (ja) * 2018-01-09 2018-09-26 株式会社フローディア 固体撮像装置及びカメラシステム

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4403435B2 (ja) * 2007-11-16 2010-01-27 ソニー株式会社 固体撮像装置、駆動制御方法、および撮像装置
JP5787137B2 (ja) * 2011-04-19 2015-09-30 ソニー株式会社 固体撮像デバイスおよび撮像装置
EP2940992A4 (en) * 2012-12-25 2016-06-08 Sony Corp SEMICONDUCTOR IMAGE DETECTION ELEMENT, ITS CONTROL METHOD AND ELECTRONIC DEVICE
JP6166562B2 (ja) 2013-03-21 2017-07-19 キヤノン株式会社 撮像素子及びその駆動方法、及び撮像装置
CN111432146B (zh) 2015-02-23 2022-10-18 索尼公司 成像装置
JP6135797B2 (ja) 2016-05-09 2017-05-31 ソニー株式会社 固体撮像装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022270109A1 (ja) * 2021-06-21 2022-12-29 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置及び電子機器

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