JP2020102701A - デジタルバイアス回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】簡易な回路構成を有するデジタルバイアス回路を提供する。【解決手段】デジタルバイアス回路は、複数の第1CMOSインバータがリング状に接続された第1リングオシレータを備える。デジタルバイアス回路は、第1ソース端子が所定電圧部位に接続されており、第1ドレイン端子が複数の第1CMOSインバータに接続されており、第1ゲート端子が第1ドレイン端子に接続されている第1MOSトランジスタを備える。デジタルバイアス回路は、第2ソース端子が所定電圧部位に接続されており、第2ドレイン端子がデジタル信号を出力するデジタル出力回路に接続されており、第2ゲート端子が第1MOSトランジスタの第1ゲート端子に接続されている第2MOSトランジスタを備える。【選択図】図1
Description
本明細書で開示される技術は、デジタルバイアス回路等に関する。
発振回路や遅延回路などのデジタル出力回路において、電圧調整回路(例:ダイオードやMOSトランジスタ)を電源電圧とデジタル出力回路の間の電源供給経路に挿入すると、電圧調整回路での電圧降下分だけデジタル出力回路の出力電圧の振幅が小さくなってしまう。そこでレベル変換回路によって、小さくなった振幅を大きくすることが行われている。このような技術を開示している文献として、例えば特許文献1、2が挙げられる。
レベル変換回路は、通常の論理しきい値よりも小さな論理しきい値を設定するなどの、特殊な設計が必要となってしまう。
本明細書で開示されるデジタルバイアス回路は、複数の第1CMOSインバータがリング状に接続された第1リングオシレータを備える。第1ソース端子が所定電圧部位に接続されており、第1ドレイン端子が複数の第1CMOSインバータに接続されており、第1ゲート端子が第1ドレイン端子に接続されている第1MOSトランジスタを備える。第2ソース端子が所定電圧部位に接続されており、第2ドレイン端子がデジタル信号を出力するデジタル出力回路に接続されており、第2ゲート端子が第1MOSトランジスタの第1ゲート端子に接続されている第2MOSトランジスタを備える。
上記デジタルバイアス回路では、第1リングオシレータを構成している複数の第1CMOSインバータに、第1MOSトランジスタが接続されている。複数の第1CMOSインバータの各々では、出力反転時にしか電流が流れない。しかし、第1リングオシレータを構成することで、複数の第1CMOSインバータに順番に流れる電流を第1MOSトランジスタで束ねることができる。第1MOSトランジスタで一定のバイアス電圧を生成することが可能となる。そして、生成したバイアス電圧で第2MOSトランジスタを駆動することができるため、特定回路の出力振幅をフルスイングすることが可能となる。レベル変換回路を不要にすることができる。
第1MOSトランジスタは、複数の第1CMOSインバータに対して1つ備えられていてもよい。複数の第1CMOSインバータが第1MOSトランジスタの第1ドレイン端子に共通に接続されていてもい。効果の詳細は実施例で説明する。
第1MOSトランジスタは、複数の第1CMOSインバータの各々に対応して複数備えられていてもよい。複数の第1CMOSインバータが複数の第1MOSトランジスタの第1ドレイン端子の各々に接続されていてもよい。複数の第1MOSトランジスタの第1ゲート端子の各々が第2MOSトランジスタの第2ゲート端子に共通に接続されていてもよい。効果の詳細は実施例で説明する。
デジタル出力回路は、第1ブロックと、第1ブロックに接続されデジタル信号を出力する第2ブロックとを備えていてもよい。第1ブロックには第2MOSトランジスタの第2ドレイン端子が接続されていてもよい。第2ブロックには第2MOSトランジスタの第2ドレイン端子が接続されていなくてもよい。
デジタル出力回路は、複数の第2CMOSインバータがリング状に接続された第2リングオシレータを備えていてもよい。第2MOSトランジスタの第2ドレイン端子が複数の第2CMOSインバータに接続されていてもよい。効果の詳細は実施例で説明する。
デジタル出力回路は、複数の第3CMOSインバータがチェーン状に接続された遅延回路を備えていてもよい。第2MOSトランジスタの第2ドレイン端子が複数の第3CMOSインバータに接続されていてもよい。効果の詳細は実施例で説明する。
本明細書で開示されるデジタル回路は、デジタルバイアス回路と、発振回路と、遅延回路と、遅延時間計測回路と、を備える。デジタルバイアス回路は、複数の第1CMOSインバータがリング状に接続された第1リングオシレータを備える。デジタルバイアス回路は、第1ソース端子が所定電圧部位に接続されており、第1ドレイン端子が複数の第1CMOSインバータに接続されており、第1ゲート端子が第1ドレイン端子に接続されている第1MOSトランジスタを備える。デジタルバイアス回路は、第2ソース端子が所定電圧部位に接続されており、第2ドレイン端子が発振回路および遅延回路に接続されており、第2ゲート端子が第1MOSトランジスタの第1ゲート端子に接続されている第2MOSトランジスタを備える。発振回路は、複数の第2CMOSインバータがリング状に接続された第2リングオシレータを備えている。第2MOSトランジスタの第2ドレイン端子が複数の第2CMOSインバータに接続されている。遅延回路は、チェーン状に接続された複数の第3CMOSインバータを備えている。第2MOSトランジスタの第2ドレイン端子が複数の第3CMOSインバータに接続されている。遅延時間計測回路は、遅延回路から出力される遅延信号の遅延時間を、発振回路から出力されるクロック信号に基づいて計測する。効果の詳細は実施例で説明する。
複数の第2CMOSインバータに接続されている第2MOSトランジスタと、複数の第3CMOSインバータに接続されている第2MOSトランジスタとは別体のトランジスタであってもよい。複数の第2CMOSインバータに接続されている第2MOSトランジスタのサイズは、複数の第3CMOSインバータに接続されている第2MOSトランジスタのサイズよりも大きくてもよい。効果の詳細は実施例で説明する。
(温度センサ回路1の構成)
図1に、本実施形態に係る温度センサ回路1を示す。温度センサ回路1は1チップ化された回路であり、デジタルバイアス回路10、パルス生成回路20、発振回路30、遅延回路40、遅延時間計測回路50を備えている。
図1に、本実施形態に係る温度センサ回路1を示す。温度センサ回路1は1チップ化された回路であり、デジタルバイアス回路10、パルス生成回路20、発振回路30、遅延回路40、遅延時間計測回路50を備えている。
デジタルバイアス回路10は、一定電圧であるバイアス電圧VBBを生成および供給する回路である。デジタルバイアス回路10は、リングオシレータ11、第1MOSトランジスタM11、第2MOSトランジスタM21およびM22を備える。リングオシレータ11は、奇数段のCMOSインバータINV1がリング状に接続された構成を備えている。第1MOSトランジスタM11のソース端子は電源電圧部位VDDに接続されている。第1MOSトランジスタM11は、複数のCMOSインバータINV1に対して1つ備えられている。複数のCMOSインバータINV1の電源電圧端子が、第1MOSトランジスタM11のドレイン端子に共通に接続されている。複数のCMOSインバータINV1の各々の基準電圧端子は、基準電圧部位GNDに接続されている。第1MOSトランジスタM11のゲート端子は、ドレイン端子に接続されており、いわゆるダイオード接続が構成されている。第1MOSトランジスタM11のドレイン端子からは、バイアス電圧VBBが出力される。
第2MOSトランジスタM21のソース端子は電源電圧部位VDDに接続されており、ドレイン端子は発振回路30に接続されている。第2MOSトランジスタM21のゲート端子は、第1MOSトランジスタM11のゲート端子に接続されている。第2MOSトランジスタM22のソース端子は電源電圧部位VDDに接続されており、ドレイン端子は遅延回路40に接続されている。第2MOSトランジスタM22のゲート端子は、第1MOSトランジスタM11のゲート端子に接続されている。発振回路30に接続されている第2MOSトランジスタM21のサイズは、遅延回路40に接続されている第2MOSトランジスタM22のサイズよりも大きい。
パルス生成回路20は、低周波信号S1を生成する回路である。低周波信号S1は、クロック信号CLKよりも十分に低周波な信号である。低周波信号S1は、例えば、クロック信号CLKの周波数を1/1024倍又は1/2048倍に低周波化することで生成してもよい。
発振回路30は、クロック信号CLKを生成する回路である。クロック信号CLKは、例えばデューティー比が50%の矩形波である。発振回路30は、CMOSインバータINV2の奇数段がリング状に接続されたリングオシレータで構成されている。第2MOSトランジスタM21は、複数のCMOSインバータINV2に対して1つ備えられている。第2MOSトランジスタM21のドレイン端子が、複数のCMOSインバータINV2の電源電圧端子に共通に接続されている。複数のCMOSインバータINV2の各々の基準電圧端子は、基準電圧部位GNDに接続されている。
遅延回路40は、低周波信号S1を遅延させた遅延信号S2を生成する回路である。遅延回路40は、CMOSインバータINV3の複数個が直列に接続されたインバータチェーンで構成されている。第2MOSトランジスタM22は、複数のCMOSインバータINV3に対して1つ備えられている。第2MOSトランジスタM22のドレイン端子が、複数のCMOSインバータINV3の電源電圧端子に共通に接続されている。複数のCMOSインバータINV3の各々の基準電圧端子は、基準電圧部位GNDに接続されている。
遅延時間計測回路50は、低周波信号S1と遅延信号S2の時間差(遅延信号S2の遅延時間に相当する)をクロック信号CLKのクロック数に基づいて計測する回路である。また、遅延時間計測回路50は、その計測されたクロック数をデジタルの温度情報Doutに変換して出力するように構成されている。
図2の波形図を用いて、遅延時間計測回路50の動作を具体的に説明する。図2は、遅延時間計測回路50に入力される各種信号の波形図である。時刻t1において、低周波信号S1の立ち上がりエッジが検出されると、クロック信号CLKのカウントが開始される。時刻t2において、遅延信号S2の立ち上がりエッジが検出されると、クロック信号CLKのカウントが終了する。低周波信号S1と遅延信号S2との間の遅延時間DTは、温度に依存して変化する特性を有している。一方、クロック信号CLKは、低周波信号S1および遅延信号S2に比して温度依存性が低い。従って、クロック信号CLKを用いて遅延時間DTの変動を計測することで、温度情報を得ることができる。
(デジタルバイアス回路10の動作)
デジタルバイアス回路10から出力されるバイアス電圧VBBの波形図の一例を図3に示す。図3は、電源電圧部位VDDが1.8Vである場合を説明している。図3に示すように、バイアス電圧VBBは、電圧VGSだけ電圧降下した一定電圧値となる。電圧VGSは、図1に示すように、第1MOSトランジスタM11で発生した電圧降下である。
デジタルバイアス回路10から出力されるバイアス電圧VBBの波形図の一例を図3に示す。図3は、電源電圧部位VDDが1.8Vである場合を説明している。図3に示すように、バイアス電圧VBBは、電圧VGSだけ電圧降下した一定電圧値となる。電圧VGSは、図1に示すように、第1MOSトランジスタM11で発生した電圧降下である。
バイアス電圧VBBがパルス波形とはならずに一定値となる理由を説明する。CMOSインバータINV1の各々は、CMOS回路であるため、出力反転時にしか電流が流れない。しかし複数のCMOSインバータINV1でリングオシレータ11を構成している。従って、反転出力が順番にCMOSインバータINV1を伝搬していくため、リングオシレータ11の全体でみると、常に何れかのCMOSインバータINV1が出力反転動作している状態を実現することができる。そして、第1MOSトランジスタM11のドレイン端子が、複数のCMOSインバータINV1に共通に接続されているため、複数の第1CMOSインバータに順番に流れる電流を束ねることができる。その結果、第1MOSトランジスタで常に電圧降下を発生させることができるため、一定のバイアス電圧VBBを生成することができる。
(解決課題)
解決課題を、図4の比較例の温度センサ回路100を用いて説明する。比較例の温度センサ回路100は、本実施形態の温度センサ回路1に比して、デジタルバイアス回路10を備えていない。なお、両回路で同一の構成には同一の符号を付すことで、説明を省略する。温度センサ回路100では、電圧調整回路(ダイオード接続されたPMOSトランジスタM121)が、電源電圧部位VDDと発振回路130との間に挿入されている。また、電圧調整回路(ダイオード接続されたPMOSトランジスタM122)が、電源電圧部位VDDと遅延回路140との間に挿入されている。
解決課題を、図4の比較例の温度センサ回路100を用いて説明する。比較例の温度センサ回路100は、本実施形態の温度センサ回路1に比して、デジタルバイアス回路10を備えていない。なお、両回路で同一の構成には同一の符号を付すことで、説明を省略する。温度センサ回路100では、電圧調整回路(ダイオード接続されたPMOSトランジスタM121)が、電源電圧部位VDDと発振回路130との間に挿入されている。また、電圧調整回路(ダイオード接続されたPMOSトランジスタM122)が、電源電圧部位VDDと遅延回路140との間に挿入されている。
電圧調整回路の作用を説明する。CMOSインバータINV2やINV3を構成しているMOSトランジスタには、寄生ダイオードが存在する。寄生ダイオードは、高温範囲でリーク電流が流れる。このリーク電流に起因して、発振回路130が生成するクロック信号CLKaの温度依存特性及び遅延回路140が生成する遅延信号S2aの温度依存特性については、高温範囲でその線形性が崩れることがある。そこで例えば、発振回路130を構成するCMOSインバータINV2の遅延時間の変化率が高温範囲で増加する場合、電圧調整回路(PMOSトランジスタM121)は、高温範囲の電圧降下が低温範囲の電圧降下よりも小さくなるように動作する。これにより、発振回路130の電源電圧端子に供給される電圧は、低温範囲よりも高温範囲で大きくなる。CMOSインバータINV2の動作電流が高温範囲で補償され、CMOSインバータINV2の温度に対する遅延時間の変化率が低温範囲から高温範囲まで一定とすることができる。
しかし、電圧調整回路(PMOSトランジスタM121およびM122)を配置すると、電圧調整回路において電圧VGSだけ電圧降下が発生してしまう。従って図5の波形図に示すように、発振回路130から出力されるクロック信号CLKaや、遅延回路140から出力される遅延信号S2aの振幅は、振幅A1に比して小さな振幅A2となってしまう。振幅A1は、基準電圧部位GNDから電源電圧部位VDDまでのフルスイングの振幅である。振幅A2は、基準電圧部位GNDから、電源電圧部位VDDから電圧VGSだけ低下した電圧までの振幅である。次段の遅延時間計測回路50に、この小さくなった振幅A2が入力されると、遅延時間計測回路50で論理データを正しく取り扱うことができなくなってしまう場合がある。よって、発振回路130と遅延時間計測回路50の接続経路間や、遅延回路140と遅延時間計測回路50の接続経路間に、信号の振幅を振幅A2から振幅A1へ変換するためのレベル変換回路が必要になってしまう。レベル変換回路は、通常の論理しきい値よりも小さな論理しきい値とするような特殊な設計が必要となってしまう。
(効果)
本実施形態に係る温度センサ回路1では、デジタルバイアス回路10で生成した一定のバイアス電圧VBB(図3参照)によって、第2MOSトランジスタM21およびM22を駆動することができる。バイアス電圧VBBは、電源電圧部位VDDの電圧から電圧VGSだけ低下した電圧であるため、第2MOSトランジスタM21およびM22を飽和領域で使用することができる。第2MOSトランジスタM21およびM22では、十分に小さなオン抵抗による電圧降下しか発生しないため、電圧降下は無視することが可能となる。その結果、図6の波形図に示すように、発振回路30から出力されるクロック信号CLKや、遅延回路40から出力される遅延信号S2の振幅は、基準電圧部位GNDから電源電圧部位VDDまでのフルスイングの振幅A1にすることができる。信号の振幅をフルスイングに変換するためのレベル変換回路を、発振回路30と遅延時間計測回路50の接続経路間や、遅延回路40と遅延時間計測回路50の接続経路間に配置する必要がない。特別な論理しきい値の設定が不要になるため、回路設計を容易にすることが可能になる。
本実施形態に係る温度センサ回路1では、デジタルバイアス回路10で生成した一定のバイアス電圧VBB(図3参照)によって、第2MOSトランジスタM21およびM22を駆動することができる。バイアス電圧VBBは、電源電圧部位VDDの電圧から電圧VGSだけ低下した電圧であるため、第2MOSトランジスタM21およびM22を飽和領域で使用することができる。第2MOSトランジスタM21およびM22では、十分に小さなオン抵抗による電圧降下しか発生しないため、電圧降下は無視することが可能となる。その結果、図6の波形図に示すように、発振回路30から出力されるクロック信号CLKや、遅延回路40から出力される遅延信号S2の振幅は、基準電圧部位GNDから電源電圧部位VDDまでのフルスイングの振幅A1にすることができる。信号の振幅をフルスイングに変換するためのレベル変換回路を、発振回路30と遅延時間計測回路50の接続経路間や、遅延回路40と遅延時間計測回路50の接続経路間に配置する必要がない。特別な論理しきい値の設定が不要になるため、回路設計を容易にすることが可能になる。
デジタルバイアス回路10では、CMOS回路を動作し続けるための最も簡易な回路の一つであるリングオシレータを用いて、複数の第1CMOSインバータに順番に電流が流れる状態を形成することができる。順番に流れる電流を第1MOSトランジスタM11で束ねることで、第1MOSトランジスタM11に定電流が流れている状態を生成することができる。そして、第1MOSトランジスタM11に流れる一定電流を、第2MOSトランジスタM21およびM22にミラーすることができる。これにより、抵抗器などによる定電流源を用いて電流をミラーする場合に比して、消費電力を低減することが可能となる。
発振回路30に接続されている第2MOSトランジスタM21のサイズは、遅延回路40に接続されている第2MOSトランジスタM22のサイズよりも大きい。これにより、発振回路30に供給される電流量を、遅延回路40に供給される電流量よりも、トランジスタのサイズ比に応じて増大させることができる。発振回路30のクロック周波数を高めることができるため、温度センサの分解能を高めることが可能となる。
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
(デジタルバイアス回路10の第1変形例)
デジタルバイアス回路10の回路構成は、図1の形態に限られず、各種の構成であってよい。図7に、変形例のデジタルバイアス回路10bの一例を示す。第1MOSトランジスタM11bは、複数のCMOSインバータINV1の各々に対応して複数備えられている。複数のCMOSインバータINV1の電源電圧端子が、複数の第1MOSトランジスタM11bのドレイン端子の各々に接続されている。複数の第1MOSトランジスタM11bのゲート端子の各々が、第2MOSトランジスタM21やM22(図1参照)のゲート端子に共通に接続されている。変形例のデジタルバイアス回路10bと図1のデジタルバイアス回路10では、等価回路では等価である。図中のMOSトランジスタのサイズがすべて同一の場合には、第1MOSトランジスタM11(図1)のn個の並列接続が、第1MOSトランジスタM11b(図7)に相当する。効果を説明する。図7の変形例のように、n個の第1MOSトランジスタM11bを並列接続することでトランジスタのサイズを大きくすることで、第1MOSトランジスタM11bで発生する電圧降下を小さくすることができる。その結果、バイアス電圧VBBの値を、第1MOSトランジスタM11(図1)よりも第1MOSトランジスタM11b(図7)の方を高くすることができる。すなわち、デジタルバイアス回路から出力されるバイアス電圧VBBの値を、第1MOSトランジスタのサイズによって調整することが可能となる。
デジタルバイアス回路10の回路構成は、図1の形態に限られず、各種の構成であってよい。図7に、変形例のデジタルバイアス回路10bの一例を示す。第1MOSトランジスタM11bは、複数のCMOSインバータINV1の各々に対応して複数備えられている。複数のCMOSインバータINV1の電源電圧端子が、複数の第1MOSトランジスタM11bのドレイン端子の各々に接続されている。複数の第1MOSトランジスタM11bのゲート端子の各々が、第2MOSトランジスタM21やM22(図1参照)のゲート端子に共通に接続されている。変形例のデジタルバイアス回路10bと図1のデジタルバイアス回路10では、等価回路では等価である。図中のMOSトランジスタのサイズがすべて同一の場合には、第1MOSトランジスタM11(図1)のn個の並列接続が、第1MOSトランジスタM11b(図7)に相当する。効果を説明する。図7の変形例のように、n個の第1MOSトランジスタM11bを並列接続することでトランジスタのサイズを大きくすることで、第1MOSトランジスタM11bで発生する電圧降下を小さくすることができる。その結果、バイアス電圧VBBの値を、第1MOSトランジスタM11(図1)よりも第1MOSトランジスタM11b(図7)の方を高くすることができる。すなわち、デジタルバイアス回路から出力されるバイアス電圧VBBの値を、第1MOSトランジスタのサイズによって調整することが可能となる。
(デジタルバイアス回路10の第2変形例)
図8に、変形例のデジタルバイアス回路10cの一例を示す。第1MOSトランジスタM11bは、複数のCMOSインバータINV1の各々に対応して複数備えられている。複数のCMOSインバータINV1の電源電圧端子が、複数の第1MOSトランジスタM11bのドレイン端子の各々に接続されている。複数の第1MOSトランジスタM11bのゲート端子の各々から、バイアス電圧VBBが並列に出力されている。並列に出力されているバイアス電圧VBBの各々は、バッファ回路等を介して、第2MOSトランジスタM21やM22(図1参照)のゲート端子に入力されてもよい。この構成によっても、本実施形態のデジタルバイアス回路10(図1)と同様の効果を得ることができる。
図8に、変形例のデジタルバイアス回路10cの一例を示す。第1MOSトランジスタM11bは、複数のCMOSインバータINV1の各々に対応して複数備えられている。複数のCMOSインバータINV1の電源電圧端子が、複数の第1MOSトランジスタM11bのドレイン端子の各々に接続されている。複数の第1MOSトランジスタM11bのゲート端子の各々から、バイアス電圧VBBが並列に出力されている。並列に出力されているバイアス電圧VBBの各々は、バッファ回路等を介して、第2MOSトランジスタM21やM22(図1参照)のゲート端子に入力されてもよい。この構成によっても、本実施形態のデジタルバイアス回路10(図1)と同様の効果を得ることができる。
(デジタルバイアス回路10のその他の変形例)
複数のCMOSインバータINV1に接続される、バイアス電圧VBBを出力する素子は、図1に示すような第1MOSトランジスタM11に限られない。電圧降下を発生させることができる素子であれば、何れの素子であってもよい。例えば第1MOSトランジスタM11に代えて、ダイオードを用いてもよい。アノードは電源電圧部位VDDに接続され、カソードは複数のCMOSインバータINV1の電源電圧端子に共通接続される。また例えば、第1MOSトランジスタM11に代えて、抵抗器を用いてもよい。抵抗器の一端は電源電圧部位VDDに接続され、他端は複数のCMOSインバータINV1の電源電圧端子に共通接続される。
複数のCMOSインバータINV1に接続される、バイアス電圧VBBを出力する素子は、図1に示すような第1MOSトランジスタM11に限られない。電圧降下を発生させることができる素子であれば、何れの素子であってもよい。例えば第1MOSトランジスタM11に代えて、ダイオードを用いてもよい。アノードは電源電圧部位VDDに接続され、カソードは複数のCMOSインバータINV1の電源電圧端子に共通接続される。また例えば、第1MOSトランジスタM11に代えて、抵抗器を用いてもよい。抵抗器の一端は電源電圧部位VDDに接続され、他端は複数のCMOSインバータINV1の電源電圧端子に共通接続される。
(発振回路30、遅延回路40の第1変形例)
発振回路30および遅延回路40の回路構成は、図1の形態に限られず、各種の構成であってよい。図9に、変形例の発振回路30cの一例を示す。第2MOSトランジスタM21cは、複数のCMOSインバータINV2の各々に対応して複数備えられている。複数のCMOSインバータINV2の電源電圧端子が、複数の第2MOSトランジスタM21cのドレイン端子の各々に接続されている。複数の第2MOSトランジスタM21cのゲート端子の各々が、第1MOSトランジスタM11(図1参照)のゲート端子に共通に接続されている。効果を説明する。図9の変形例のように、複数の第2MOSトランジスタM21cを並列接続することでトランジスタのサイズを大きくすることで、発振回路30cにミラーされる電流を増大させることができる。その結果、発振回路30cの発振周波数を高くすることが可能になる。なお、遅延回路40についても同様の変形例を実現可能である。すなわち、第2MOSトランジスタM21cをM22cに読み替え、CMOSインバータINV2をINV3に読み替えればよい。
発振回路30および遅延回路40の回路構成は、図1の形態に限られず、各種の構成であってよい。図9に、変形例の発振回路30cの一例を示す。第2MOSトランジスタM21cは、複数のCMOSインバータINV2の各々に対応して複数備えられている。複数のCMOSインバータINV2の電源電圧端子が、複数の第2MOSトランジスタM21cのドレイン端子の各々に接続されている。複数の第2MOSトランジスタM21cのゲート端子の各々が、第1MOSトランジスタM11(図1参照)のゲート端子に共通に接続されている。効果を説明する。図9の変形例のように、複数の第2MOSトランジスタM21cを並列接続することでトランジスタのサイズを大きくすることで、発振回路30cにミラーされる電流を増大させることができる。その結果、発振回路30cの発振周波数を高くすることが可能になる。なお、遅延回路40についても同様の変形例を実現可能である。すなわち、第2MOSトランジスタM21cをM22cに読み替え、CMOSインバータINV2をINV3に読み替えればよい。
(発振回路30、遅延回路40の第2変形例)
図10に、変形例の発振回路30dの一例を示す。発振回路30dは、第1ブロックB1と、第2ブロックB2とを備えている。第1ブロックB1は、入力段側の複数のCMOSインバータINV2によって構成されている。第2ブロックB2は、最終段を含む少なくとも1つのCMOSインバータINV2によって構成されている。第2MOSトランジスタM21dは、第1ブロックB1を構成する複数のCMOSインバータINV2の各々に対応して複数備えられている。一方、第2ブロックB2を構成する少なくとも1つのCMOSインバータINV2に対しては、第2MOSトランジスタM21dは備えられていない。複数の第2MOSトランジスタM21dのゲート端子の各々が、第1MOSトランジスタM11(図1参照)のゲート端子に共通に接続されている。効果を説明する。第2ブロックB2に含まれている、クロック信号CLKを出力する最終段のCMOSインバータINV2は、電源電圧端子には電源電圧部位VDDが接続され、基準電圧端子には基準電圧部位GNDが接続されている。これにより、クロック信号CLKの振幅を、基準電圧部位GNDから電源電圧部位VDDまでのフルスイングの振幅にすることができる。なお、遅延回路40についても同様の変形例を実現可能である。すなわち、第2MOSトランジスタM21dをM22dに読み替え、CMOSインバータINV2をINV3に読み替えればよい。
図10に、変形例の発振回路30dの一例を示す。発振回路30dは、第1ブロックB1と、第2ブロックB2とを備えている。第1ブロックB1は、入力段側の複数のCMOSインバータINV2によって構成されている。第2ブロックB2は、最終段を含む少なくとも1つのCMOSインバータINV2によって構成されている。第2MOSトランジスタM21dは、第1ブロックB1を構成する複数のCMOSインバータINV2の各々に対応して複数備えられている。一方、第2ブロックB2を構成する少なくとも1つのCMOSインバータINV2に対しては、第2MOSトランジスタM21dは備えられていない。複数の第2MOSトランジスタM21dのゲート端子の各々が、第1MOSトランジスタM11(図1参照)のゲート端子に共通に接続されている。効果を説明する。第2ブロックB2に含まれている、クロック信号CLKを出力する最終段のCMOSインバータINV2は、電源電圧端子には電源電圧部位VDDが接続され、基準電圧端子には基準電圧部位GNDが接続されている。これにより、クロック信号CLKの振幅を、基準電圧部位GNDから電源電圧部位VDDまでのフルスイングの振幅にすることができる。なお、遅延回路40についても同様の変形例を実現可能である。すなわち、第2MOSトランジスタM21dをM22dに読み替え、CMOSインバータINV2をINV3に読み替えればよい。
(その他の変形例)
本実施形態では、第1MOSトランジスタM11、第2MOSトランジスタM21およびM22がP型である場合を説明したが、N型であってもよい。この場合、デジタルバイアス回路10のN型の第1MOSトランジスタM11のソース端子は、基準電圧部位GNDに接続される。複数のCMOSインバータINV1の基準電圧端子が、N型の第1MOSトランジスタM11のドレイン端子に共通に接続される。複数のCMOSインバータINV1の電源電圧端子が、電源電圧部位VDDに接続される。発振回路30のN型の第2MOSトランジスタM21、および遅延回路40のN型の第2MOSトランジスタM22についても、同様の接続関係となる。
本実施形態では、第1MOSトランジスタM11、第2MOSトランジスタM21およびM22がP型である場合を説明したが、N型であってもよい。この場合、デジタルバイアス回路10のN型の第1MOSトランジスタM11のソース端子は、基準電圧部位GNDに接続される。複数のCMOSインバータINV1の基準電圧端子が、N型の第1MOSトランジスタM11のドレイン端子に共通に接続される。複数のCMOSインバータINV1の電源電圧端子が、電源電圧部位VDDに接続される。発振回路30のN型の第2MOSトランジスタM21、および遅延回路40のN型の第2MOSトランジスタM22についても、同様の接続関係となる。
本実施形態のCMOSインバータは、「CMOSインバータとして機能する回路」を含む概念である。例えば、NAND回路やNOR回路などの各種ロジック回路をNOT回路として機能させた回路も、CMOSインバータに含まれる。NAND回路をCMOSインバータとして機能させる場合には、入力端子Aにイネーブル信号を入力し、入力端子Bに入力信号を入力すればよい。イネーブル信号がハイレベルの場合に、NAND回路は、入力端子Bに入力された入力信号を反転して出力する。NOR回路をCMOSインバータとして機能させる場合には、複数の入力端子を共通接続すればよい。
1:温度センサ回路 10:デジタルバイアス回路 11:リングオシレータ 20:パルス生成回路 30:発振回路 40:遅延回路 50:遅延時間計測回路 M11:第1MOSトランジスタ M21、M22:第2MOSトランジスタ INV1、INV2、INV3:CMOSインバータ
Claims (8)
- 複数の第1CMOSインバータがリング状に接続された第1リングオシレータと、
第1ソース端子が所定電圧部位に接続されており、第1ドレイン端子が前記複数の第1CMOSインバータに接続されており、第1ゲート端子が前記第1ドレイン端子に接続されている第1MOSトランジスタと、
第2ソース端子が前記所定電圧部位に接続されており、第2ドレイン端子がデジタル信号を出力するデジタル出力回路に接続されており、第2ゲート端子が前記第1MOSトランジスタの前記第1ゲート端子に接続されている第2MOSトランジスタと、
を備えたデジタルバイアス回路。 - 前記第1MOSトランジスタは、前記複数の第1CMOSインバータに対して1つ備えられており、
前記複数の第1CMOSインバータが前記第1MOSトランジスタの前記第1ドレイン端子に共通に接続されている、請求項1に記載のデジタルバイアス回路。 - 前記第1MOSトランジスタは、前記複数の第1CMOSインバータの各々に対応して複数備えられており、
前記複数の第1CMOSインバータが前記複数の第1MOSトランジスタの前記第1ドレイン端子の各々に接続されており、
前記複数の第1MOSトランジスタの第1ゲート端子の各々が前記第2MOSトランジスタの前記第2ゲート端子に共通に接続されている、請求項1に記載のデジタルバイアス回路。 - 前記デジタル出力回路は、第1ブロックと、前記第1ブロックに接続され前記デジタル信号を出力する第2ブロックとを備えており、
前記第1ブロックには前記第2MOSトランジスタの前記第2ドレイン端子が接続されており、
前記第2ブロックには前記第2MOSトランジスタの前記第2ドレイン端子が接続されていない、請求項1〜3の何れか1項に記載のデジタルバイアス回路。 - 前記デジタル出力回路は、複数の第2CMOSインバータがリング状に接続された第2リングオシレータを備えており、
前記第2MOSトランジスタの前記第2ドレイン端子が前記複数の第2CMOSインバータに接続されている、請求項1〜4の何れか1項に記載のデジタルバイアス回路。 - 前記デジタル出力回路は、複数の第3CMOSインバータがチェーン状に接続された遅延回路を備えており、
前記第2MOSトランジスタの前記第2ドレイン端子が前記複数の第3CMOSインバータに接続されている、請求項1〜5の何れか1項に記載のデジタルバイアス回路。 - デジタルバイアス回路と、発振回路と、遅延回路と、遅延時間計測回路と、を備えたデジタル回路であって、
前記デジタルバイアス回路は、
複数の第1CMOSインバータがリング状に接続された第1リングオシレータと、
第1ソース端子が所定電圧部位に接続されており、第1ドレイン端子が前記複数の第1CMOSインバータに接続されており、第1ゲート端子が前記第1ドレイン端子に接続されている第1MOSトランジスタと、
第2ソース端子が前記所定電圧部位に接続されており、第2ドレイン端子が前記発振回路および前記遅延回路に接続されており、第2ゲート端子が前記第1MOSトランジスタの前記第1ゲート端子に接続されている第2MOSトランジスタと、
を備えており、
前記発振回路は、複数の第2CMOSインバータがリング状に接続された第2リングオシレータを備えており、
前記第2MOSトランジスタの前記第2ドレイン端子が前記複数の第2CMOSインバータに接続されており、
前記遅延回路は、チェーン状に接続された複数の第3CMOSインバータを備えており、
前記第2MOSトランジスタの前記第2ドレイン端子が前記複数の第3CMOSインバータに接続されており、
前記遅延時間計測回路は、前記遅延回路から出力される遅延信号の遅延時間を、前記発振回路から出力されるクロック信号に基づいて計測する、デジタル回路。 - 前記複数の第2CMOSインバータに接続されている第2MOSトランジスタと、前記複数の第3CMOSインバータに接続されている第2MOSトランジスタとは別体のトランジスタであり、
前記複数の第2CMOSインバータに接続されている前記第2MOSトランジスタのサイズは、前記複数の第3CMOSインバータに接続されている前記第2MOSトランジスタのサイズよりも大きい、請求項7に記載のデジタル回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018238516A JP2020102701A (ja) | 2018-12-20 | 2018-12-20 | デジタルバイアス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2018238516A JP2020102701A (ja) | 2018-12-20 | 2018-12-20 | デジタルバイアス回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2020102701A true JP2020102701A (ja) | 2020-07-02 |
Family
ID=71139961
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2018238516A Pending JP2020102701A (ja) | 2018-12-20 | 2018-12-20 | デジタルバイアス回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2020102701A (ja) |
-
2018
- 2018-12-20 JP JP2018238516A patent/JP2020102701A/ja active Pending
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