JP2020099086A - 撮像素子、計測装置および計測方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の第2の態様によると、計測装置は、第1の態様の撮像素子を備える。
本発明の第3の態様によると、計測方法は、撮像素子の第1基板に設けられた受光部であって、それぞれが異なる偏光を光電変換する複数の第1光電変換部を有する受光部により、状態が異なる複数の光が照射された対象物からの光を光電変換することと、前記撮像素子において前記第1基板に積層された第2基板に設けられた弁別部により、前記複数の第1光電変換部からそれぞれ出力される信号が前記複数の光のいずれに由来する信号かを弁別することとを含む。
なお、カラー画素からの画素信号に基づいて、適宜計算処理により、対象物の表面または内部の特定の生体構造を含んで表示する画像が生成される構成にしてもよい。この場合の照射光としては、関心のある生体構造において強く吸収または散乱される狭帯域の波長域の光が好適に用いられる。特に好適には、毛細血管および深部血管を表示するため、照射光としてヘモグロビンにより吸収されるように狭帯域化された青色および緑色の光が用いられる。また、カラー画素(単色で構成される場合も含む)は、可視光以外にも対象物の形状検出が可能な電磁波を光電変換する構成にしてもよい。この場合、モノクロや疑似カラーにより対象物の画像が生成されうる。撮像素子100については、後に詳述する。
なお、偏光状態の検出と同様に、強度変調と復調とを組み合わせてカラー画素からの画素信号を弁別してもよい。この場合、カラー画素からの画素信号は、撮像部12から弁別部13に送られ弁別された後、カラー画像作成処理部41に送られる構成としてもよい(図1破線矢印)。
対象物の偏光特性を示すミュラー行列Mは、i行j列の成分mijをもつ以下の4×4の行列で表現される(式(1))。
…(1)
光源照射部11から照射された0度、45度、90度、右円偏光の各偏光状態の光は、以下の式(2)のS1〜S4(以下、数式中ではベクトルを表す矢印を付記する)のストークスベクトルに対応する。
…(2)
上記のストークスベクトルで表される各偏光状態の光は、対象物により散乱され、対象物のミュラー行列との積で計算される以下のストークスベクトルMS1〜MS4に変換される(式(3))。
…(3)
一方で、一般に、偏光計測によりストークスベクトルSは以下の式(4)で得られる。I0、I45、I90、I135、IR、ILはそれぞれ、0度、45度、90度、135度、右円偏光、左回り円偏光(以下、左円偏光と呼ぶ)の光強度に相当する値であり、各偏光状態の光の振幅から計算できる。I0、I45、I90、I135、IR、ILはすべてが独立ではなく、一部について相互に計算可能である。
…(4)
従って、弁別部13で得られた各偏光状態の光の偏光特性信号から振幅を計算し、ストークスベクトルMS1〜MS4を求めれば、以下の式(5)から4×4のミュラー行列の各成分mijが算出できる。
…(5)
なお、本実施形態での「白色光」とは、後述する赤色光、緑色光および青色光が含まれそれぞれカラー画素により検出可能な光とするが、発明の内容を限定するものではなく、様々な波長域の光を含む光を用いて適宜構成することができる。たとえば、白色光には、可視帯域の波長ごとに連続して強度を有する光が含まれ、さらに、近赤外帯域などの可視外帯域の波長ごとに連続して強度を有する光なども含みうる。
なお、以上では光源部51から出射した白色光を光源分離部52で分離する構成としたが、それぞれの光の振幅等のデータが定量的に比較可能であれば、別々の光源を用いて複数の光を生成してもよい。
なお、光学特性変換部54は、右円偏光の代わりに、左円偏光や、135度の偏光状態の光を生成してもよい。135度の偏光状態の光を用いると、ストークスベクトルの第3成分S3(数2)を精度よく測定することができる(数4の数式参照)。特に、円偏光の計測を省き、4つの偏光状態の光を用いて3×3のミュラー行列を精度よく測定したい場合に有用である。
なお、伝送部55は、光源照射部11の各機能ブロック間に適宜設けることができる。
なお、補償データ取得部56および補償データ取得部56へと光をスプリットするビームスプリッター等の光学素子は、伝送部55よりも照射系対物部57側に配置してもよい。これにより、特に、弁別部13が光源部51よりも照射系対物部57に近接して配置されている場合は、補償データやリファレンス信号の通信距離を短くでき、装置をコンパクトな構成にすることができる。また、リファレンス信号は、補償データ取得部56から出力するのではなく、強度変調部53から出力してもよい。この場合、強度変調部53で変調した周波数を示す信号がリファレンス信号となる。
なお、以上の説明では、光源分離部52からの光を強度変調してから、光学特性の変換を行ったが、光源分離部52からの光を偏光状態の変換等の光学特性の変換を行った後、強度変調する構成にしてもよい。
撮像部12が備える積層型撮像素子100について説明する。なお、この積層型撮像素子100は、本願出願人が先に出願して公開されたWO13/164915号に記載されているものである。図3は、積層型撮像素子100の断面図である。撮像素子100は、入射光に対応した画素信号を出力する裏面照射型撮像チップ113と、画素信号を処理する信号処理チップ111と、画素信号を記憶するメモリチップ112とを備える。これら撮像チップ113、信号処理チップ111およびメモリチップ112は積層されており、Cu等の導電性を有するバンプ109により互いに電気的に接続される。
なお、上記ではホモダイン検波について記載したが、強度変調された周波数の成分を取り出すことができるのであれば検波方法は特に限定されない。
なお、以上の説明では撮像素子100において検波を行う構成にしたが、撮像素子100の外部で2位相ロックインアンプ等の同等の検波機能を有する機器により検波を行ってもよい。また、A/D変換した後、得られたデジタル信号をフーリエ変換等を利用して周波数分離してもよい。
なお、図4中のフィルタリング部65以降の処理を撮像素子100の外部で行う構成にすることもできる。これにより、光源照射部11と撮像素子100が近接している場合に、リファレンス信号の伝送距離を短くする等、適宜装置を効率的に構成することができる。
好ましくは、補正行列は、ミュラー行列の左側から乗算して補正する行列と、ミュラー行列の右側から乗算して補正する行列とを含む。この場合、左側から乗算する行列に、偏光パターニングの不均一等の検出側に起因する誤差を補正する行列を設定し、右側から乗算する行列に光源側に起因する誤差を補正する行列を設定することができる。左側から乗算する行列の役割と、右側から乗算する行列の役割とを逆にして設定してもよい。
なお、画素単位ブロック毎ではなく、画素毎にミュラー行列の一部の要素について補正する構成にしてもよい。また、本実施形態では補正パラメータとして行列の乗算を用いたが、その他の演算処理により補正してもよい。さらに、ミュラー行列演算処理部21および偏光素子特性補正処理部22の一部または全部は、撮像素子100に配置してもよく、好ましくは、撮像素子100の内部の信号処理チップ111、メモリチップ112(図3)、またはこれらの下方の層もしくは層間に機能を積層してもよい。
なお、それぞれのカラー画素は、解析の結果カラー画像で用いる色を再現できるのであれば、任意の波長域の光を選択的に受光する画素の任意の組み合わせを用いることができる。
なお、画素単位ブロックは、撮像面200にある全ての画素を含んで構成されれば、その設定の態様は限定されない。一例として、図8中の破線による矩形81aで示される縦4画素×横2画素とする設定の他、破線による矩形81bで示されるように縦2画素×横4画素に設定してもよい。以下の各実施形態で示される撮像面200における画素配置は、限定的なものではなく、各実施形態の検出側で必要な全ての偏光状態の偏光検出画素およびカラー画素が、対象物5の計測部位を所望の解像度で解析可能に配置されていればよい。
なお、以下の各実施形態で示される対物部510における照射口および撮像面の配置や数は、限定的なものではなく、各実施形態の照射光に必要な全ての偏光状態の光が対象物に照射され、その散乱光が撮像面で検出可能であればよい。
(1)本実施形態の偏光特性画像計測装置10は、偏光状態の異なる複数の光をそれぞれ異なる周波数で強度変調して対象物5に照射する光源照射部11と、光源照射部11から対象物5に照射され対象物5によって散乱された光を、異なる偏光状態ごとにそれぞれ光電変換する複数の偏光検出画素201〜204が配置された撮像素子100と、複数の偏光検出画素201〜204からそれぞれ出力される信号を上記異なる周波数で検波し、いずれの上記偏光状態の異なる光由来の信号かを弁別して出力する弁別部13とを備える。これにより、偏光特性画像計測装置10は、偏光状態の異なる光について、複数の照射部から同時に照射された複数の光、または多重化されて照射された複数の光を、それぞれ分離して解析することができる。
(変形例1)
上述の実施形態では、偏光特性画像計測装置10の光源照射部11において、光学特性変換部54を通過した複数の光をそれぞれ異なる光ファイバーにより伝送し、異なる照射口501〜504、508からそれぞれ照射したが、1本の光ファイバーに偏波多重し、複数の照射口501〜504、508から照射してもよい。これにより、伝送部55をより細い管で構成することができ、偏光特性画像計測装置10をよりコンパクトにすることができる。
第2の実施形態に係る偏光特性画像計測装置20は、第1の実施形態に係る偏光特性画像計測装置10と同様の構成を有しているが、カラー画像作成の方法が、第1の実施の形態とは異なっている。第1の実施形態との同一部分については第1の実施形態と同一の符号で参照し、場合に応じ説明を省略する。
(1)本実施形態の偏光特性画像計測装置20は、波長帯域の異なる複数のカラー光源から出射される光のそれぞれを、偏光計測用の光のそれぞれ異なる周波数に対してさらに異なる複数の可視画像用周波数で強度変調して対象物に照射する光源照射部11を備える。これにより、1種類のカラー画素からの画素信号により、カラー画像を作成することができる。
(変形例1)
上述の実施形態では、偏光特性画像計測装置20の光源照射部11において、単一の光源から偏光特性画像作成用の照射光とカラー画像作成用の照射光とをスプリットして生成したが、カラー画像用の照射光は複数の単色LED等を用いて複数の光源を用いてもよい。これにより、各照射光、特に偏光特性画像作成用の照射光とカラー画像作成用の照射光とを今までより独立して制御でき、より適切な撮像条件を設定できる。
第3の実施形態に係る偏光特性画像計測装置30は、第1の実施形態に係る偏光特性画像計測装置10とほぼ同じ構成を有している。しかし、第1の実施形態より多くの種類の画素を、2つの撮像面に配置し、視差を利用して偏光特性画像およびカラー画像を作成する点が第1の実施形態とは異なっている。第1の実施形態との同一部分については第1の実施形態と同一の符号で参照し、場合に応じ説明を省略する。
なお、視差ずれ補間部90は、カラー画素からの画素情報から、撮像面200aと撮像面200bとの視差によるずれを求めてもよい。また、視差ずれ補間部90は、一旦それぞれの画素情報から暫定的な偏光特性画像を作成し、視差によるずれを求めてもよい。この場合の暫定的な画像作成においては、視差によるずれが算出できれば表示調整等は省略してもよい。
ストークスベクトルの第4成分S4(数2の数式参照)は、左円偏光の光と右円偏光の光との光強度の差から導出される。左円偏光の偏光状態についての情報は、0度、90度および右円偏光の偏光状態の光についての偏光計測から求めることができる(数4の数式参照)が、直接左円偏光の光を測定することにより、より正確なデータが得られる。
視差ずれ補間部90は、得られたミュラー行列算出のためのデータをミュラー行列演算処理部21に出力する。
なお、所望のミュラー行列、またはストークスベクトルが算出可能ならば、それぞれの偏光状態についての画素を適宜配置可能である。
(1)本実施形態の偏光特性画像計測装置30は、撮像面200aと撮像面200bとの対応する偏光特性画素間の視差に基づいて偏光特性画像および/または合成画像を生成し、対象物5の同じ位置からの光を光電変換する、撮像面200aと撮像面200bとで対応する偏光特性画素201〜204,209〜210の少なくとも一部は、前記光電変換する光の偏光状態が異なる。これにより、両撮像面の視差を利用して対象物5の奥行き情報が得られる一方、直接計測した多くの偏光状態の光の情報を利用することにより、より正確なミュラー行列の計測をすることができる。
(変形例1)
上述の実施形態では、偏光特性画像計測装置30の視差ずれ補間部90は、偏光特性画素201〜204,209〜210からの信号を弁別した信号から各成分の光の振幅を取り出し、撮像面200aから得られた画素情報と撮像面200bから得られた画素情報との視差によるずれを算出した。しかし、視差ずれ補間部90は、カラー画素からの画素信号を解析し、撮像面200aから得られた画素情報と撮像面200bから得られた画素情報との視差によるずれを算出してもよい。また、視差ずれ補間部90は、一旦それぞれの画素情報から暫定的なカラー画像を作成し、視差によるずれを求めてもよい。これにより、カラー画素間の視差に基づいて3次元カラー画像を作成し、偏光特性画像の視認性を高めることができる。
第4の実施形態に係る偏光特性画像計測装置40は、第1の実施形態に係る偏光特性画像計測装置10と同様の構成を有しているが、光源照射部11から近赤外光を照射する点、および、撮像面200に近赤外光を選択的に受光する画素(以下、IR画素と呼ぶ)が配置され、IR画素から出力される信号に基づいて動画を作成する点が異なっている。第1の実施形態との同一部分については第1の実施形態と同一の符号で参照し、場合に応じ説明を省略する。
なお、近赤外光源から出射した光は、適宜、光源分離部52で複数の光に分けたり、強度変調部53で強度変調をかけたり、光学特性変換部54で波長帯域を調節したりする構成にしてもよい。また、近赤外光を、光源から直接対象物5に対して照射する等、適宜設定してもよい。近赤外光に強度変調をかける場合は、近赤外光を光電変換した信号を弁別部13で復調する構成にすることができる(一点鎖線矢印)。
なお、近赤外合成画像処理部48は、得られた近赤外画像を表示部31に送り、適宜表示する構成にしてもよい。
なお、照射する近赤外光についても強度変調と検波処理とを行って画素信号を分離してもよい。このとき、各偏光状態の光についての検波処理と、近赤外光についての検波処理とについて必ずしも同期をとる必要はなく、各フレーム間の時間間隔より短い時間のずれしか生じない、所望のフレームレートの動画を実現することができればよい。
(1)本実施形態の偏光特性画像計測装置40は、対象物5に近赤外光を照射し、対象物5において散乱した近赤外光を光電変換した信号から、近赤外画像と偏光特性画像との合成画像、および合成動画を作成する。これにより、高い生体組織透過性を有する近赤外光を用いて対象物5をイメージングしつつ、対象物5の偏光特性を表示することができる。
(変形例1)
上述の実施形態では、偏光特性画像計測装置40の各偏光状態の光の照射口501〜504は、対物部510にそれぞれ1か所ずつ設けられている。しかし、各偏光状態の光の照射口501〜504は、対物部510上の複数の位置に設け、各偏光状態の光を分割してそれぞれの照射口501〜504から照射してもよい。これにより、1つの照射口からの強い光による鏡面反射を防ぎ、画素信号の飽和を防ぐことができる。
本実施形態の変形例1の偏光特性画像計測装置40においては、各偏光状態の光を分割し、複数の照射口501〜504から照射することで鏡面反射を防ぐ構成にした。しかし、偏光特性画像計測装置40が、対象画素の画素信号の強度と、撮像面200の他の一部または全部の画素の画素信号の強度とを比較して、露光時間を調整、設定する露光時間設定部を備える構成にしてもよい。これにより、鏡面反射が顕著な場合でも、画素信号の飽和を防ぐことができる。露光時間設定部は、撮像素子100に積層された、画素毎の処理回路に好適に配置され、対象画素の画素信号の強度と、所定の範囲の周辺の画素の画素信号の平均的な強度を示す値との差に基づいて、露光時間を設定する。
なお、露光時間設定部は、撮像面200の複数の画素の画素信号の強度の最大値、最小値、またはダイナミックレンジ等に基づいて、露光時間を調整してもよい。
なお、露光時間設定部68は、適宜対象画素の外部に配置することもできる。
本実施形態の偏光特性画像計測装置40において、R画素205、G画素206、B画素207およびIR画素211では、偏光検出画素に関連した信号調節部63、混合部64、フィルタリング部65、サンプリング部66、読み出し部67等の強度変調された成分を周波数弁別する処理を担う回路及び積層部分を省略することできる。そこで、隣接する偏光検出画素201〜204の信号調節部63と、混合部64と、フィルタリング部65と、サンプリング部66と、読み出し部67の処理を担う回路及び積層部分をR画素205、G画素206、B画素207およびIR画素211の空いた積層部分に積層してもよい。これにより処理回路の集積率が向上するとともにカラー画素に積層した処理回路を用いて、効率的に偏光状態の弁別を行うことができる。
なお、以上の説明では、4種類の照射光に対応する弁別処理のうち2種類を当該偏光特性画素内で行ったが、各弁別処理をいずれの画素の処理回路で行うかは適宜調整することができる。例えば、1つの弁別処理を当該偏光特性画素内で行い、2つの弁別処理を隣接するR画素で行い、残りの1つの弁別処理を当該偏光特性画素に隣接するG画素で行う構成にしてもよい。また、IR画素の処理回路でも同様に隣接する偏光特性画素の弁別処理を行うように構成することができる。
本実施形態の偏光特性画像計測装置40の光源照射部11では、光源51から出射した光を分離した後に強度変調をかける構成としたが、LEDから直接、強度変調した光を発振する構成としてもよい。
なお、信号伝送部59を光源駆動回路部51a−1と発振部51a−2の間に配置してもよい。
第5の実施形態に係る偏光特性画像計測装置20は、第1の実施形態に係る偏光特性画像計測装置10と同様の構成を有しているが、強度変調部53と光学特性変換部54の間に位相変調部53’を有している点が、第1の実施の形態とは異なっている。第1の実施形態との同一部分については第1の実施形態と同一の符号で参照し、場合に応じ説明を省略する。
…(6)
なお、Iは光の強度、Eは光の電界ベクトル、Ωは強度変調部53で強度変調する周波数に対応する角速度を示す。強度変調された複数の光は、光学特性変換部54によってそれぞれ偏光状態が変換され、光源照射部11から同時に照射される。
日本国特許出願2015年第242559号(2015年12月11日出願)
国際公開第2013/164915号
Claims (19)
- 第1基板に設けられ、状態が異なる複数の光が照射された対象物からの光を受光する受光部であって、それぞれが異なる偏光を光電変換する複数の第1光電変換部を有する受光部と、
前記第1基板に積層された第2基板に設けられ、前記複数の第1光電変換部からそれぞれ出力される信号が前記複数の光のいずれに由来する信号かを弁別する弁別部と
を備える撮像素子。 - 請求項1に記載の撮像素子において、
前記複数の光をそれぞれ異なる周波数で強度変調して前記対象物に照射する第1照射部をさらに備え、
前記複数の第1光電変換部は、前記対象物からの光を異なる偏光状態ごとに光電変換し、
前記弁別部は、複数の異なる偏光状態のそれぞれに対応する前記複数の第1光電変換部のそれぞれから出力される個別の信号を複数の前記異なる周波数で検波し、前記複数の光のいずれに由来する信号かを弁別する撮像素子。 - 請求項2に記載の撮像素子において、
前記複数の第1光電変換部から出力される信号を記憶するように構成され、前記撮像素子の内部に積層されたメモリチップをさらに備える撮像素子。 - 請求項3に記載の撮像素子において、
前記第1基板、前記第2基板および前記メモリチップの少なくとも一つに、表面および裏面のそれぞれに設けられた回路を互いに接続する貫通電極が設けられている撮像素子。 - 請求項1に記載の撮像素子において、
前記受光部は、それぞれが異なる偏光を光電変換する複数の前記第1光電変換部を有する画素ブロックを複数備え、
前記画素ブロックごとに、前記対象物の偏光特性信号を出力する撮像素子。 - 請求項2に記載の撮像素子において、
前記第1照射部は、偏光状態の異なる前記複数の光を同時に照射し、
前記弁別部は、前記複数の第1光電変換部からそれぞれ出力される信号に対する検波を並行して行う撮像素子。 - 請求項1に記載の撮像素子において、
前記受光部は、前記対象物からの可視光を光電変換する複数の第2光電変換部を有し、
前記撮像素子は、前記複数の第2光電変換部からそれぞれ出力される信号を基に前記対象物の画像を作成する可視画像作成部をさらに備える撮像素子。 - 請求項7に記載の撮像素子において、
白色光を前記対象物に照射する第2照射部をさらに備え、
前記受光部は、それぞれの前記第2光電変換部の入射側に配設したカラーフィルターをさらに備え、
前記可視画像作成部は、前記複数の第2光電変換部からそれぞれ出力される信号を基に前記対象物のカラー画像を作成する撮像素子。 - 請求項1に記載の撮像素子において、
前記受光部は、前記対象物からの近赤外光を光電変換する複数の第3光電変換部をさらに備えと、
前記撮像素子は、前記複数の第3光電変換部からそれぞれ出力される信号を基に前記対象物の画像を作成する近赤外光画像作成部をさらに備える撮像素子。 - 請求項1に記載の撮像素子において、
前記弁別部で弁別された信号に基づいて前記対象物の物性を表す偏光特性表示画像を作成する偏光特性表示画像作成部をさらに備える撮像素子。 - 請求項10に記載の撮像素子において、
複数の前記偏光特性表示画像を含む動画を作成する偏光特性動画作成部をさらに備える撮像素子。 - 請求項2に記載の撮像素子において、
前記受光部は、前記対象物からの光をそれぞれ異なる入射角で受光する第1の画素ブロックと第2の画素ブロックとを備え、
前記撮像素子は、
前記第1の画素ブロックと前記第2の画素ブロックとの対応する前記第1光電変換部の間の視差に基づいて偏光特性表示画像を作成する偏光特性表示画像作成部を備える撮像素子。 - 請求項8に記載の撮像素子において、
前記受光部は、前記第2照射部から光が照射された前記対象物からの光をそれぞれ異なる入射角で受光する第1のカラー画素ブロックと第2のカラー画素ブロックとを備え、
前記可視画像作成部は、
前記第1のカラー画素ブロックと前記第2のカラー画素ブロックとの対応する前記第2光電変換部の間の視差に基づいて3次元カラー画像を作成する撮像素子。 - 請求項1に記載の撮像素子において、
前記受光部は、前記受光部のそれぞれの画素毎に、出力される信号に対する処理回路を有し、前記処理回路は、前記複数の第1光電変換部のそれぞれに対応して、前記第1基板に積層された基板に配置される撮像素子。 - 請求項1に記載の撮像素子を備える計測装置。
- 請求項15に記載の計測装置において、
前記弁別部から出力された信号に基づいてミュラー行列を算出する演算部を備える計測装置。 - 撮像素子の第1基板に設けられた受光部であって、それぞれが異なる偏光を光電変換する複数の第1光電変換部を有する受光部により、状態が異なる複数の光が照射された対象物からの光を光電変換することと、
前記撮像素子において前記第1基板に積層された第2基板に設けられた弁別部により、前記複数の第1光電変換部からそれぞれ出力される信号が前記複数の光のいずれに由来する信号かを弁別することと
を含む計測方法。 - 請求項17に記載の計測方法において、
前記弁別部から出力された信号に基づいてミュラー行列を算出することをさらに含む、計測方法。 - 請求項1に記載の撮像素子において、
偏光状態の異なる前記複数の光をそれぞれ異なる位相で強度変調して前記対象物に照射する第1照射部をさらに備え、
前記複数の第1光電変換部は、前記第1照射部から前記複数の光が照射された前記対象物からの光を、異なる前記偏光状態ごとに光電変換し、
前記弁別部は、複数の異なる偏光状態のそれぞれに対応する前記複数の第1光電変換部のそれぞれから出力される個別の信号を複数の前記異なる位相で検波し 、前記複数の光のいずれに由来する信号かを弁別する撮像素子。
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