JP2020097779A - 成膜装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ワークの冷却効率に優れた成膜装置の提供。【解決手段】ワークをチャンバ２の内部に出し入れする搬入搬出部と、チャンバ２の内部に配置され、ワークを搭載したサセプタを、回転により搬送する回転体３と、回転体３の回転軸を中心とする円周に沿って配置され、チャンバ２内に連通した開口ОＰを有し、開口ОＰから導入されたワークを処理する複数の処理部ＰＲと、ワークが回転体から離脱して、開口ОＰから処理部内に導入される方向に、サセプタを付勢するプッシャ５００とを有し、複数の処理部ＰＲは、ワークを加熱する加熱部と、ワークＷに対して成膜する成膜部と、ワークを冷却する冷却部４００を含み、回転体３には、回転体３が搬送しているサセプタを保持し、プッシャ５００により付勢されることでサセプタを開放する保持部３３が設けられ、プッシャには、処理部ＰＲにワークを導入するとともに開口ОＰを封止する封止部５２０が設けられている。【選択図】図７

Description

本発明は、成膜装置に関する。

基板などのワークの表面に成膜を行う装置として、スパッタリングによる成膜装置が広く用いられている。スパッタリングは、チャンバ内に導入したガスをプラズマ化させることにより発生するイオンが、成膜材料であるターゲットの平面に衝突することにより、成膜材料が飛んでワークに付着することを利用した技術である。

ワークの表面に成膜を行う前には、あらかじめワークに含まれる水分や大気を排除しておく脱ガス処理を行う場合がある。これは、例えば、ワークとして大気や水分を含み易いセラミック基板を用いる場合、また、銅、チタン、タングステンなどの金属膜のように、酸化しやすい材料を用いる場合に、酸化防止のために有効である。

脱ガス処理は、ワークの温度を３００度程度まで昇温させることで行われる。但し、脱ガス処理後、例えば、複数の成膜材料によって複数の層からなる多層膜を成膜する間に、温度条件が変化してしまうと、多層膜の内部応力の変動を引き起こしてしまう。そこで、各層の成膜はできるだけ同じ温度条件で行い、脱ガス処理後は、温度条件を変化させないようにする必要がある。

ワークは、間欠回転する回転テーブルの上に載置されたサセプタに、受け板を介して載置されて搬送される。つまり、間欠回転する回転テーブルの停止ポジションに、脱ガス処理を行う加熱室、各成膜材料による成膜を行う成膜室が配置されている。そして、ワークは、回転テーブルの間欠回転によって、加熱室に来て脱ガス処理が行われた後、成膜室で順次成膜処理が行われる。

これらの加熱室、成膜室等の処理室は、真空チャンバ内に設けられており、処理室間は、真空中で搬送される。このため、脱ガス処理の際に３００℃程度まで昇温されたワークとサセプタは冷却されず、３００℃程度を保っている。すると、成膜処理が終了した後、そのまま大気空間に搬出すると、高温のワークに成膜した膜が酸化してしまう。そのため、大気に搬送する前にワークの冷却を行う必要がある。例えば、３００℃程度まで昇温したワークを、大気空間に搬出するために必要な温度である６０℃程度までに降温させる。

ワークを冷却する冷却機構としては、冷却室内にワークを収容して封止し、冷却室内に冷却媒体を流通させることによって、冷却する機構がある（特許文献１参照）。このような機構では、サセプタが回転テーブルに載置されて搬送され、処理室に対応する停止ポジションにおいて、プッシャを有する押し上げ機構によって、サセプタが押し上げられ、サセプタによって処理室が封止される。

冷却機構を備えた冷却室においても、上蓋に冷却媒体が循環する冷却プレートが設けられ、プッシャでサセプタとともに押し上げられたワークを冷却プレートに対向させ、サセプタによって封止された冷却室内に、冷却媒体を導入することにより、基板の冷却を行っている。

特許第４６５３４１８号公報

ここで、３００℃程度まで昇温した基板を、大気に搬出するために必要な６０℃程度までに降温させるには、約２４０℃という大幅な降温を行う冷却が必要とされる。しかし、例えば、１タクトあたり２４０秒程度で一連の処理を行うように連続搬送を行う場合、これよりも冷却時間が長くなると、冷却処理が律速する処理となり、スループットが左右される。

しかしながら、冷却は真空中で行われるため、上記の冷却プレートだけの冷却だけでは足りず、冷却効率を高めるために、冷却室内に冷却ガスを供給する必要がある。冷却ガスを導入すると、冷却室内の圧力が高くなる。

一方、回転テーブルが設けられているチャンバは真空を保っている。すると、冷却室とチャンバとの空間を仕切るサセプタは、チャンバと冷却室との圧力差に耐えられる程度の強度とする必要がある。例えば、サセプタは、銅等の金属による厚いプレートで形成される。このため、サセプタの熱容量が大きくなる。このようなサセプタは、ワークに追随して加熱され続けるため、冷却室でワークを冷却する際にも、熱容量の大きなサセプタも冷却する必要があり、冷却効率が良くなかった。

本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決するために提案されたものであり、その目的は、ワークの冷却効率に優れた成膜装置を提供することにある。

上記の目的を達成するため、実施形態の成膜装置は、排気により内部を真空とすることが可能なチャンバと、前記チャンバの内部に配置され、前記ワークを搭載したサセプタを、回転により搬送する回転体と、前記回転体の回転軸を中心とする円周に沿って配置され、前記チャンバ内に連通した開口を有し、前記開口から導入された前記ワークを処理する複数の処理部と、前記ワークが前記回転体から離脱して、前記開口から前記処理部内に導入される方向に、前記サセプタを付勢するプッシャと、を有し、前記複数の処理部は、前記ワークを加熱する加熱部と、前記ワークに対して成膜する成膜部と、前記ワークを冷却する冷却部を含み、前記回転体には、前記回転体が搬送している前記サセプタを保持し、前記プッシャにより付勢されることで前記サセプタを解放する保持部が設けられ、前記プッシャには、前記処理部に前記ワークを導入するとともに前記開口を封止する封止部が設けられている。

本発明によれば、ワークの冷却効率に優れた成膜装置を提供することができる。

実施形態を示す簡略化された透視平面図である。 図１の封止部による開口の封止時（Ａ）、開放時（Ｂ）を示すＡ−Ａ線断面図である。 実施形態に用いられるサセプタを示す平面図（Ａ）、側面図（Ｂ）、底面図（Ｃ）である。 実施形態の回転体を示す平面図である。 保持部のサセプタ保持状態を示す平面図（Ａ）、正面図（Ｂ）、サセプタ解放状態を示す平面図（Ｃ）、正面図（Ｄ）である。 実施形態の封止部を示す斜視図である。 実施形態の冷却部における開口の開放時を示す一部断面図である。 実施形態の冷却部における封止部の動作途中を示す一部断面図である。 実施形態の冷却部における開口の封止時を示す一部断面図である。 図１の封止部による開口の封止時（Ａ）、開放時（Ｂ）を示すＢ−Ｂ線断面図である。 図１の封止部による開口の封止時（Ａ）、開放時（Ｂ）を示すＣ−Ｃ線断面図である。 実施形態の制御装置を示すブロック図である。

本発明の実施の形態（以下、本実施形態と呼ぶ）について、図面を参照して具体的に説明する。
［概要］
図１の平面図及び図２（図１のＡ−Ａ線断面図）に示すように、本実施形態の成膜装置１は、個々のワークＷに、プラズマを利用して成膜を行う装置である。成膜装置１は、チャンバ２を有し、このチャンバ２の内部に配置され、サセプタＳに搭載されたワークＷを搬送する回転体３を有する。チャンバ２には、回転体３の回転軸を中心とする円周に沿って配置され、チャンバ２内に連通した開口ОＰを有し、開口ОＰから導入されたワークＷを処理する複数の処理部ＰＲが設けられている。複数の処理部ＰＲは、ワークＷを加熱する加熱部２００と、ワークＷに対して成膜する成膜部３００Ａ、３００Ｂ、３００Ｃ、ワークＷを冷却する冷却部４００を含む。

また、チャンバ２には、ワークＷが開口ОＰを介して処理部ＰＲに導入される方向に、サセプタＳを付勢するプッシャ５００が設けられている。回転体３には、回転体３が搬送しているサセプタＳを保持し、プッシャ５００により付勢されることでサセプタＳを開放する保持部３３が設けられている。プッシャ５００には、各処理部ＰＲにワークＷを収容するとともに、開口ОＰを封止する封止部５２０が設けられている。つまり、サセプタＳによって各処理部ＰＲを封止するのではなく、プッシャ５００とともに移動する封止部５２０によって、各処理部ＰＲが気密に封止される。

［ワーク］
本実施形態では、成膜対象であるワークＷの例として、平板状のセラミック基板を用いる。成膜装置１は、セラミック基板上に、半導体、配線を含む回路を成膜により形成する。但し、ワークＷの種類、形状及び材料は特定のものに限定されない。例えば、ワークＷとして、中心に凹部あるいは凸部を有する湾曲した基板を用いても良い。また、金属、カーボン等の導電性材料を含むもの、ガラスやゴム等の絶縁物を含むもの、シリコン等の半導体を含むものを、ワークＷとして用いても良い。

［サセプタ］
サセプタＳは、ワークＷを搭載して、回転体３により搬送される部材である。本実施形態のサセプタＳは、図３（Ａ）の平面図、図３（Ｂ）の側面図、図３（Ｃ）の底面図に示すように、円形の薄板である。サセプタＳの表面には、収容部Ｓａが形成され、収容部Ｓａに複数のワークＷが並べて搭載される。収容部Ｓａは、複数のワークＷを重なりなく位置決めすることができる窪みである。サセプタＳに搭載されるワークＷの数が、各成膜部３００において同時に成膜することができる数である。本実施形態においては、収容部Ｓａが、ワークＷを３行３列で載置することができるので、合計９枚のワークＷを同時に成膜できる。但し、この数は、特定の数には限定されない。サセプタＳの裏面には、リング状に突出した脚部Ｓｂが形成されている。なお、サセプタＳは、封止された処理部ＰＲ内とチャンバ２内との気圧差に耐え得る強度を有していない。

［チャンバ］
チャンバ２は、図１及び図２に示すように、内部を真空とすることが可能な容器である。本実施形態のチャンバ２は、直方体形状であり、設置面側が箱形の収容体２１、反対側が収容体２１の開口を封止する平板状の蓋体２２となっている。チャンバ２には、チャンバ排気部２３が設けられている。本実施形態のチャンバ排気部２３は、収容体２１に形成された開口に接続された配管を有する。チャンバ排気部２３は、図示しない空気圧回路を含み構成され、排気処理によるチャンバ２内の減圧を可能としている。

［回転体］
回転体３は、図４に示すように、ワークＷを搭載したサセプタＳを保持して、所定の角度ずつ間欠回転する回転テーブルである。本実施形態の回転体３は、円形の板状体である。回転体３は、図示しない駆動源によって、シャフト３１を中心に間欠回転する（図２参照）。回転体３には、封止部５２０が回転平面に交差する方向に通過する空隙部３２が設けられている。空隙部３２は、回転体３の縁部を、円周等配位置で部分円形状に切り欠いた部分である。空隙部３２は、図１に示すように、複数の処理部ＰＲ、すなわち搬入搬出部１００、加熱部２００、成膜部３００Ａ、成膜部３００Ｂ、成膜部３００Ｃ、冷却部４００に対応して、６０°間隔で６つ設けられている。空隙部３２は、その内縁の大きさが、封止部５２０が通過可能となるように形成されている。例えば、回転平面に平行な部分円の径が、封止部５２０の径よりも大きい。

［保持部］
保持部３３は、図５に示すように、封止部５２０が空隙部３２を通過する過程で、サセプタＳを保持する保持状態と、サセプタＳを解放する解放状態とで切り替わる。一対の保持部３３が、空隙部３２における搬送方向に対向する位置に配置されている。保持部３３は、基台３３１、変換部３３２、アーム３３３、付勢部材３３４を有する。

基台３３１は、空隙部３２の内縁に取り付けられた板状の部材である。変換部３３２は、基台３３１に回動可能に取り付けられた一対の部材であり、封止部５２０の動作を、回転体３の回転平面に平行な方向の回転に変換する。一対の変換部３３２は、回転体３の回転方向に直交する方向に並設されている。変換部３３２には、封止部５２０に設けられた後述する突出部５２３によって、サセプタＳの縁部から離れる方向に付勢されるローラ３３２ａが設けられている。一対の変換部３３２のローラ３３２ａは、突出部５２３に付勢されることにより、軸３３２ｂを回動軸として、それぞれの変換部３３２を相反する方向に回動させる。

アーム３３３は、一対の細長のプレートであり、一端が変換部３３２に固定されている。アーム３３３の他端は、サセプタＳの縁部に延びている。アーム３３３の他端には、サセプタＳの縁部に接することによりサセプタＳを把持し、サセプタＳの縁部から離れることによりサセプタＳを開放する把持部３３３ａが設けられている。把持部３３３ａは、サセプタＳを把持したときサセプタＳの端面が当接する当接面３３３ｂと、サセプタＳの裏面に接触してサセプタＳをアーム３３３に載置するための保持面３３３ｃを有している。一対のアーム３３３は、把持部３３３ａがサセプタＳの縁部を把持する保持位置と、把持部３３３ａがサセプタＳを開放する退避位置との間を、変換部３３２とともに回動可能に設けられる。把持部３３３ａが保持位置にある状態が保持状態であり、把持部３３３ａが退避位置にある状態が解放状態である。

付勢部材３３４は、把持部３３３ａがサセプタＳの縁部に接する方向に、変換部３３２を付勢する部材である。付勢部材３３４は、基台３３１と変換部３３２との間に設けられたばねとすることができる。例えば、本実施形態では、付勢部材３３４として引張コイルばねを用いる。付勢部材３３４は、基台３３１に固定された板材３３４ａと、基台３３１から浮動して変換部３３２に固定された板材３３４ｂの間に架け渡される。

一対のアーム３３３は、付勢部材３３４の付勢力によって、把持部３３３ａがサセプタＳの縁部を把持する保持位置に保持される。処理部ＰＲに対応する各停止ポジションにおいて、突出部５２３によってローラ３３２ａが付勢され、変換部３３２とともにアーム３３３が回動することにより、把持部３３３ａがサセプタＳを開放する退避位置に移動する。突出部５２３によるローラ３３２ａの付勢が解除されると、付勢部材３３４の付勢力によって、アーム３３３は、把持部３３３ａがサセプタＳの縁部を把持する保持位置に復帰する。アーム３３３が退避位置にあるときには、封止部５２０が通過可能となる。つまり、退避位置にあるアーム３３３の把持部３３３ａは、突出部５２３を含む封止部５２０の最大径よりも、径の大きな仮想円に接する位置となる。

［プッシャ］
図２、図９及び図１０（図１のＢ−Ｂ線断面図）に示すように、搬入搬出部１００、加熱部２００、成膜部３００Ａ、成膜部３００Ｂ、成膜部３００Ｃ、冷却部４００に対応して、それぞれプッシャ５００Ａ〜５００Ｆが設けられている。以下、プッシャ５００Ａ〜５００Ｆを区別しない場合には、プッシャ５００として説明する。

プッシャ５００は、シャフト５１０、封止部５２０を有する。シャフト５１０は、図２に示すように、円柱形状の部材であり、図示しない駆動源によって軸に沿って移動する。駆動源としては、例えば、エアシリンダやモータ等を用いることができる。

封止部５２０は、シャフト５１０の先端に設けられ、開口ＯＰに接離する部材である。封止部５２０は、図６に示すように、シャフト５１０と同軸の円柱形状の部材である。封止部５２０は、載置台５２１、封止体５２２及び突出部５２３を有する。載置台５２１は、回転体３に向かう側に設けられ、サセプタＳを開口ＯＰ側に付勢する円柱形状の部分である。載置台５２１のサセプタＳに向かう面は、サセプタＳの脚部Ｓｂの内側に嵌るように、脚部Ｓｂの内径と同等か、僅かに小さな径を有する載置面５２１ａである。封止体５２２は、シャフト５１０に同軸に支持され、載置台５２１よりも拡径された円柱形状の部分である。封止体５２２の回転体３に向かう面は、載置台５２１の周囲に環状に形成された封止面５２２ａとなっている。封止面５２２ａには、Ｏリング等の封止材５２２ｂが設けられている。

図９に示すように、封止体５２２の封止面５２２ａが、開口ОＰの端部に接することにより、各処理部ＰＲを封止する。載置台５２１は、サセプタＳを載置して処理部ＰＲ内に収容されるため、開口ОＰよりも小さな径を有している。封止体５２２の封止面５２２ａは、空隙部３２を通過するために、空隙部３２よりも小さな径であるが、開口ОＰを封止するために、開口ОＰよりも大きな径を有している。

本実施形態では、突出部５２３は、封止体５２２の外周から膨出し、シャフト５１０の軸方向に延びた直方体形状の部分である。突出部５２３の封止面５２２ａ側の端面は、傾斜面５２３ａとなっている。傾斜面５２３ａは、封止体５２２の外周から外方に向かうに従って、突出部５２３の軸方向の長さが短くなるように傾いた平坦面である。突出部５２３の外周面５２３ｂは、傾斜面５２３ａに連続し、軸方向に延びた平坦面である。この傾斜面５２３ａ及び外周面５２３ｂは、図５に示すように、封止部５２０の移動に従って保持部３３のローラ３３２ａに接離して、アーム３３３を回動させる。このため、傾斜面５２３ａ及び外周面５２３ｂを主動カム、ローラ３３２ａを従動カムとするカム機構が構成される。

図７及び図８に示すように、封止部５２０が開口ＯＰに向かって移動して、傾斜面５２３ａがローラ３３２ａを付勢すると、上記のように、アーム３３３が退避位置に回動するので、サセプタＳが開放される。また、サセプタＳの脚部Ｓｂの内側に、載置台５２１の載置面５２１ａが入る。封止部５２０が空隙部３２を通過すると、図９に示すように、封止面５２２ａが、封止材５２２ｂを介して開口ОＰの端部に接して封止する。つまり、プッシャ５００の移動に従って、処理部ＰＲの開口ＯＰを封止部５２０が開閉する。なお、図７〜図１１の保持部３３は、付勢部材など、一部の部材を省略して図示しているが、図５と同様の構成を有している。

プッシャ５００Ａ〜５００Ｆの封止部５２０は、それぞれ搬入搬出部１００、加熱部２００、成膜部３００Ａ〜３００Ｃ及び冷却部４００の各室の開口ＯＰを封止する。ここで、後述する搬入搬出部１００に構成されるロードロック室１２１は、真空であるチャンバ２内と外部の大気圧との圧力差が大きくなる。また、冷却部４００を構成する冷却室４１０は、冷却ガス導入時に大気圧にほぼ近い、１０００Ｐａ〜大気圧未満の圧力になり、真空であるチャンバ２内との圧力差が大きくなる。このため、封止部５２０は、このような圧力差に耐え得る強度となっている。

［搬入搬出部］
搬入搬出部１００は、図２に示すように、搬送部１１０、ロードロック室１２１を介して、チャンバ２の内部の真空を維持した状態で、外部から未処理のワークＷをチャンバ２の内部に搬入し、処理済みのワークＷをチャンバ２の外部へ搬出する。

搬送部１１０は、図１及び図２に示すように、前工程から後工程へと、ワークＷを搭載したサセプタＳを搬送するコンベア等の搬送機構ＴＲから、未処理のワークＷをピックアップして、後述するロードロック室１２１に渡す。また、搬送部１１０は、処理済のワークＷをロードロック室１２１から受け取って、搬送機構ＴＲに渡す。

搬送部１１０は、アーム１１１、保持体１１２を有する。アーム１１１は、搬送機構ＴＲとチャンバ２との間に、回転体３の平面と平行な方向に設けられた長尺の部材である。アーム１１１は、図示しない駆動機構によって、回転体３の回転軸と平行な軸を中心に１８０°ずつ間欠的に回動可能に、且つこの軸に沿って移動可能に設けられている。

保持体１１２は、アーム１１１の両端に設けられ、ワークＷを保持する部材である。保持体１１２は、真空チャック、静電チャック、メカチャック等の保持機構によって、ワークＷを保持する。保持体１１２は、ロードロック室１２１を開閉する蓋体としても機能する。つまり、保持体１１２には、ロードロック室１２１を封止するためのОリング等の封止材が設けられている。なお、搬送機構ＴＲには、図示しない駆動機構によって移動することにより、ワークＷを搭載したサセプタＳを、搬送機構ＴＲと保持体１１２との間で移動させるプッシャが設けられている。

ロードロック室１２１は、チャンバ２内の真空を維持した状態で、サセプタＳの搬入搬出を可能とする。ロードロック室１２１は、チャンバ２の蓋体２２に形成された貫通孔の内側面に囲まれ、保持体１１２が保持したワークＷを収容して密閉可能な空間である。ロードロック室１２１において、チャンバ２の外部側の端部は開口１２１ａを有し、保持体１１２によって封止される。また、ロードロック室１２１において、チャンバ２の内部側の端部は開口１２１ｂである。この開口１２１ｂは、封止部５２０によって封止される開口ＯＰに相当する。

なお、ロードロック室１２１には、図示はしないが、空気圧回路に接続され、封止されたロードロック室１２１を減圧するための経路である排気ライン、弁等に接続され、ロードロック室１２１の真空破壊を行うためのベントラインが設けられている。

［加熱部］
加熱部２００は、図１０（図１のＢ−Ｂ線断面図）に示すように、加熱によりワークＷに含まれる水分や大気を排出させる脱ガス処理を行う。加熱部２００は、加熱室２１０、ヒータ２２０を有する。加熱室２１０は、チャンバ２内部に向かう開口２１０ａを有する容器の内部空間である。上記のように、封止体５２２の封止面５２２ａによって、開口２１０ａの端部が封止され、サセプタＳに載置されたワークＷが加熱室２１０に収容される（図１０（Ｂ）の状態）。この開口２１０ａは、封止部５２０によって封止される開口ＯＰに相当する。

ヒータ２２０は、加熱室２１０の内部に、回転体３の回転平面と平行な方向に配置された円板形状の部材に、通電により発熱する発熱体を内蔵した装置である。ヒータ２２０の径は、ワークＷを均一に加熱するために、ワークＷと同等かやや大きいことが好ましい。ヒータ２２０は、加熱室２１０に収容されたワークＷと非接触で対向する。なお、図示はしないが、ヒータ２２０の発熱体には、電力を印加することにより発熱させる電源が接続されている。ワークＷがセラミック基板であることを考慮すると、脱ガス処理を効果的に行うには、ヒータ２２０による加熱温度は、３００℃程度とすることが好ましいが、これには限定されない。

［成膜部］
成膜部３００Ａ、３００Ｂ、３００Ｃは、スパッタリングによりワークＷに対して成膜を行う。以下の説明では、成膜部３００Ａ、３００Ｂ、３００Ｃを区別しない場合には、成膜部３００として説明する。成膜部３００は、図２、図１０及び図１１（図１のＣ−Ｃ線断面図）に示すように、成膜室３１０、ターゲット３２０を有する。成膜室３１０は、チャンバ２内部に向かう開口３１０ａを有する容器の内部空間であり、上記のように、封止体５２２の封止面５２２ａによって、開口３１０ａの端部が封止され、サセプタＳに載置されたワークＷが成膜室３１０内に収容される（図１０（Ｂ）の状態）。

ターゲット３２０は、スパッタリングによりワークＷに堆積されて、膜となる成膜材料によって形成された部材である。ターゲット３２０は、図示しないバッキングプレートに保持され、電極を介して電源に接続されている。成膜材料としては、例えば、シリコン、ニオブ、タンタル、チタン、アルミニウムなどを使用する。但し、スパッタリングにより成膜される材料であれば、種々の材料を適用可能である。本実施形態では、成膜部３００Ａ、３００Ｂ、３００Ｃにおいて、異なる成膜材料のターゲット３２０を用いるが、共通の成膜材料のターゲット３２０を用いてもよい。

また、図示はしないが、成膜部３００には、成膜室３１０内にスパッタガスを導入するスパッタガス導入部、スパッタガスを排出する排気部が設けられている。スパッタガスとしては、例えば、アルゴンガス等の不活性ガスを用いることができる。スパッタガス導入部は、ガス供給回路を含み構成され、供給源からのスパッタガスを成膜室３１０内に導入することを可能とする。排気部は、空気圧回路を含み構成され、排気処理による成膜室３１０内の減圧を可能としている。成膜部３００においては、電源によってターゲット３２０に電力を印加することにより、成膜室３１０に導入されたスパッタガスをプラズマ化させ、成膜材料をワークＷに堆積させることができる。

［冷却部］
冷却部４００は、大気中に排出される前のワークＷを、大気中で膜が酸化されることを防止できる温度まで冷却する。図７、図１１に示すように、冷却部４００は、冷却室４１０、第１の冷却機構４２０を有する。冷却室４１０は、チャンバ２内部に向かう開口４１０ａを有する容器の内部空間である。上記のように、封止体５２２の封止面５２２ａによって、開口４１０ａの端部が封止され、サセプタＳに載置されたワークＷが冷却室４１０に収容される。この開口４１０ａは、封止部５２０によって封止される開口ＯＰに相当する。

第１の冷却機構４２０は、冷却器４２１、冷却ガス導入部４２２を有する。冷却器４２１は、冷却室４１０の内部に、回転体３の回転平面と平行な方向に配置された円柱形状の部材に、冷却液循環路４２３を内蔵した装置である。冷却液循環路４２３は、冷却器４２１の内部に、冷却器４２１と同軸のらせん状部分を含み形成され、冷却液が循環可能な通路である。冷却液循環路４２３は、図示しない冷却液供給源に接続され、冷却液を冷却液流路内に循環供給する配管に接続されている。

冷却ガス導入部４２２は、冷却ガスＧを導入する配管を有する。例えば、窒素等の不活性ガスを、冷却ガスＧとして用いることができる。特に水分を含まない高純度の窒素とすれば、成膜された膜の酸化を防止することができる。冷却ガス導入部４２２は、図示しないガス供給回路を含み構成され、供給源からの冷却ガスＧを、冷却室４１０内に導入することを可能とする。

また、冷却部４００に対応するプッシャ５００Ｆに設けられた封止部５２０は、第２の冷却機構４３０として機能する。第２の冷却機構４３０は、冷却液循環路４３１、冷却液供給部４３２を有する。冷却液循環路４３１は、封止部５２０の内部に、封止部５２０と同軸のらせん状部分を含み形成され、冷却液が循環可能な通路である。冷却液供給部４３２は、冷却液を導入する配管を有する。冷却液供給部４３２は、図示しない冷却液供給源に接続され、冷却液を冷却液循環路４３１内に循環供給する。

上記のように、大気空間に搬出されたときに、成膜した膜が酸化されることを防止する温度とするためには、冷却器４２１及び冷却ガスＧによる冷却温度は、６０℃程度となるように設定することが好ましいが、これには限定されない。

さらに、冷却部４００は、冷却室４１０の内圧を調整する冷却室排気部４２４を有する。本実施形態の冷却室排気部４２４は、冷却室４１０に形成された開口に接続された配管を有する。冷却室排気部４２４は、図示しない空気圧回路を含み構成され、排気処理による冷却室４１０内の減圧を可能としている。また、冷却部４００には、冷却室４１０の内圧を検出する図示しない圧力センサと、冷却室４１０内の温度を検出する図示しない温度センサが設けられている。圧力センサは、後述する制御装置７０、出力装置７９とともに、冷却室４１０の内圧を監視する圧力モニタを構成する。温度センサは、制御装置７０、出力装置７９とともに、冷却室４１０内の温度を監視する温度モニタを構成する。

［制御装置］
制御装置７０は、図１２に示すように、成膜装置１の各部を制御する装置である。この制御装置７０は、例えば、専用の電子回路若しくは所定のプログラムで動作するコンピュータ等によって構成できる。搬入搬出部１００、加熱部２００、成膜部３００Ａ〜３００Ｃ、冷却部４００の制御内容がプログラムされており、ＰＬＣやＣＰＵなどの処理装置により実行される。

制御装置７０は、上記のようなプログラムにより、図１２のブロック図に示すように機能する。すなわち、制御装置７０は、機構制御部７１、加熱制御部７２、成膜制御部７３、冷却制御部７４、記憶部７５、設定部７６、入出力制御部７７を有する。

機構制御部７１は、各部の駆動源、弁、電源等を制御する。加熱制御部７２は、ヒータ２２０の電源を制御することにより、加熱温度を制御する。成膜制御部７３は、ターゲット３２０への印加電力、スパッタガスの導入量を制御することにより、成膜量を制御する。冷却制御部７４は、第１の冷却機構４２０、第２の冷却機構４３０の冷却液の温度、冷却ガスＧの供給量を制御することにより、冷却温度を制御する。記憶部７５は、本実施形態の制御に必要な情報を記憶する。設定部７６は、外部から入力された情報を、記憶部７５に設定する。例えば、設定部７６は、加熱のための目標温度に対応する加熱部２００の加熱温度、冷却のための目標温度に対応する冷却部４００の冷却温度、冷却室４１０の排気を制御するための所定の温度、所定の圧力、所定の時間等を設定する。

入出力制御部７７は、制御対象となる各部との間での信号の変換や入出力を制御するインタフェースである。さらに、制御装置７０には、入力装置７８、出力装置７９が接続されている。入力装置７８は、オペレータが、制御装置７０を介して成膜装置１を操作するためのスイッチ、タッチパネル、キーボード、マウス等の入力手段である。

出力装置７９は、装置の状態を確認するための情報を、オペレータが視認可能な状態とするディスプレイ、ランプ、メータ等の出力手段である。例えば、出力装置７９は、入力装置７８からの情報の入力画面を表示することができる。例えば、冷却室４１０の内部の圧力、温度を表示させて、オペレータが監視することができる。

［動作］
以上のような本実施形態による成膜装置１によって、ワークＷに成膜する処理を、上記の図面を参照して説明する。なお、成膜装置１における各処理部ＰＲは、複数のサセプタＳを同時に搬送しながら、各ワークＷに対する処理を並行して行うことができるが、以下の説明では、一つのサセプタＳに載置されたワークＷに着目して説明する。

（ワークの搬入）
まず、搬入搬出部１００によって、成膜処理すべきワークＷを、チャンバ２内に搬入する動作を説明する。図２（Ａ）に示すように、回転体３の空隙部３２は、搬入搬出部１００の開口１２１ｂに対向する位置に位置決めされていて、プッシャ５００Ａにより付勢された封止部５２０の封止体５２２によって、開口１２１ｂが封止されている。また、チャンバ２内は、空気圧回路の排気処理により真空とされてている。

この状態で、図１に示すように、搬送機構ＴＲにより搬送されている未処理のワークＷを搭載したサセプタＳが、図示しないプッシャによって付勢されて、搬送部１１０の保持体１１２に保持される。アーム１１１が回動することにより、未処理のワークＷを搭載したサセプタＳが、開口１２１ａに対向する位置に来る。アーム１１１が開口１２１ａに接近する方向に移動して、保持体１１２が開口１２１ｂを封止することにより、ロードロック室１２１を密閉する。

空気圧回路によって、排気ラインから排気することにより、ロードロック室１２１をチャンバ２内と同等となるまで減圧する。保持体１１２が、ワークＷの保持を解除することにより、ロードロック室１２１を封止している封止部５２０の載置面５２１ａに、ワークＷが載置される。このとき、図５（Ｃ）、（Ｄ）に示すように、突出部５２３によってローラ３３２ａが付勢されて把持部３３３ａが退避位置にある。そして、図２（Ｂ）、図５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、プッシャ５００Ａが、回転体３の空隙部３２を通過することにより、ローラ３３２ａが突出部５２３から離れる。すると、アーム３３３が回動して、把持部３３３ａが、ワークＷが搭載されたサセプタＳを把持する。

（ワークの加熱）
次に、チャンバ２内に搬入されたワークＷを加熱する処理を説明する。加熱部２００においては、あらかじめヒータ２２０が設定温度に加熱されているものとする。図１０（Ａ）に示すように、回転体３が間欠回転することにより、加熱部２００の加熱室２１０の開口２１０ａの直下に、サセプタＳが移動する。そして、プッシャ５００Ｂを開口２１０ａに接近する方向に移動させる。すると、プッシャ５００Ｂが、回転体３の空隙部３２を通過することにより、ローラ３３２ａが突出部５２３により付勢されて、アーム３３３が回動して把持部３３３ａがサセプタＳから退避するとともに、サセプタＳが載置面５２１ａに載置される。さらに、プッシャ５００Ｂが開口２１０ａに接近する方向に移動すると、封止体５２２の封止面５２２ａが、開口２１０ａの端面を気密に封止する。これにより、図１０（Ｂ）に示すように、サセプタＳとともにワークＷが加熱室２１０内に収容される。

ワークＷは、ヒータ２２０に近接した位置で対向するので、加熱されたヒータ２２０によって、ワークＷが設定温度まで加熱される。ワークＷが加熱された後、プッシャ５００Ｂを開口２１０ａから離れる方向に移動させることにより、開口２１０ａが開放されるとともに、載置面５２１ａのサセプタＳに搭載されたワークＷが、加熱室２１０から排出される。プッシャ５００Ｂが回転体３の空隙部３２を通過する過程で、上記のように、保持部３３のアーム３３３が回動して、把持部３３３ａがサセプタＳを把持するとともに、サセプタＳから載置面５２１ａが離れる。

（成膜処理）
以上のように、加熱処理がなされたワークＷに対して、成膜部３００Ａ、成膜部３００Ｂ、成膜部３００Ｃにおいて成膜する処理を説明する。なお、成膜部３００Ａ、成膜部３００Ｂ、成膜部３００Ｃにおける処理は共通であるため、主として成膜部３００Ａにおける処理を説明する。

図１１（Ａ）に示すように、回転体３を間欠回転させることにより、成膜部３００Ａの開口３１０ａに対向する位置に、ワークＷを移動させる。そして、上記と同様に、プッシャ５００Ｃを開口３１０ａに接近する方向に移動させることにより、サセプタＳとともにワークＷが成膜室３１０内に移動する。すると、図１１（Ｂ）に示すように、封止体５２２の封止面５２２ａが、開口３１０ａの端部を気密に封止する。これにより、成膜室３１０が密閉される。

この状態で、スパッタガスを成膜室３１０内に導入し、電源によりターゲット３２０に電力を印加する。すると、スパッタガスがプラズマ化して発生するイオンが、ターゲット３２０に衝突する。ターゲット３２０を構成する成膜材料は、イオンにより叩き出されて、ワークＷに堆積する。

ワークＷに成膜材料が堆積した後、スパッタガスを成膜室３１０から排出して、成膜室３１０の圧力をチャンバ２と同等とする。そして、プッシャ５００を開口３１０ａから離れる方向に移動させると、上記のように、成膜室３１０の開口３１０ａが開放され、サセプタＳとともにワークＷが成膜室３１０から排出される。さらに、プッシャ５００が移動すると、サセプタＳが保持部３３に保持されるとともに、サセプタＳから載置面５２１ａが離れる。

回転体３を間欠回転させることにより、図２（Ｂ）に示すように、サセプタＳとともに、成膜部３００Ｂの開口３１０ａの直下に、ワークＷを移動させる。そして、上記と同様の成膜処理を、成膜部３００Ｂにおいても行う。成膜部３００Ｂにおける成膜後に、回転体３を間欠回転させることにより、図１０に示すように、サセプタＳとともに、成膜部３００Ｃの開口３１０ａの直下に、ワークＷを移動させる。そして、上記と同様の成膜処理を、成膜部３００Ｃにおいても行う。

（ワークの冷却）
以上のように、成膜処理がなされたワークＷを冷却する処理を説明する。なお、あらかじめ第１の冷却機構４２０の冷却器４２１には、冷却液が循環しており、設定温度に冷却されている。また、第２の冷却機構４３０の冷却液循環路４３１にも、冷却液が循環しており、設定温度に冷却されている。

図７及び図１１（Ａ）に示すように、サセプタＳとともに、冷却部４００の冷却室４１０の開口４１０ａの直下に、成膜済みのワークＷを移動させる。上記と同様に、図８に示すように、プッシャ５００Ｆを開口４１０ａに接近する方向に移動させて、図９及び図１１（Ｂ）に示すように、サセプタＳとともにワークＷを冷却室４１０内に収容し、封止体５２２の封止面５２２ａによって、開口４１０ａの端部を気密に封止する。これにより、冷却室４１０が密閉される。

この状態で、冷却ガス導入部４２２によって、冷却ガスＧを成膜室３１０内に導入する。このとき、冷却室４１０の内圧は大気圧にほぼ近い、１０００Ｐａ〜大気圧未満の圧力まで到達する。すると、第１の冷却機構４２０の冷却器４２１及び冷却ガスＧ、第２の冷却機構４３０によって、サセプタＳに載置されたワークＷが高速に冷却される。温度センサによって検出される冷却室４１０の温度が所定の温度に到達すると、冷却室排気部４２４によって冷却室４１０内の雰囲気を排気する。圧力センサによって検出される冷却室４１０の内圧がチャンバ２と同程度の圧力となると、冷却室排気部４２４による排気を停止する。このような排気動作により、密閉した冷却室４１０に冷却ガスＧを導入することで上がった冷却室４１０の内圧が、チャンバ２と同程度の圧力まで戻る。

その後、プッシャ５００Ｆを開口４１０ａから離れる方向に移動させると、上記のように、冷却室４１０の開口４１０ａが開放され、ワークＷが冷却室４１０から排出されるとともに、サセプタＳが保持部３３に保持されることにより、サセプタＳから載置面５２１ａが離れる。

（ワークの搬出）
さらに、搬入搬出部１００によって、成膜後、冷却されたワークＷを、チャンバ２外に搬出する動作を説明する。回転体３を間欠回転させることにより、図２（Ｂ）に示すように、サセプタＳとともに、ロードロック室１２１の開口１２１ｂの直下に、ワークＷを移動させる。

図２（Ａ）に示すように、プッシャ５００Ａを開口１２１ｂに接近する方向に移動させることにより、サセプタＳとともにワークＷがロードロック室１２１内に移動する。すると、封止体５２２の封止面５２２ａが、開口１２１ｂの端部を気密に封止する。これにより、ロードロック室１２１が密閉される。ロードロック室１２１の開口１２１ａを封止している保持体１１２によって、処理済みのワークＷを載置したサセプタＳを保持する。そして、ベントラインを介して、ベントガスを供給することでロードロック室１２１内の真空破壊をする。アーム１１１を開口１２１ａから離れる方向に移動させることにより、保持体１１２を移動させて、ロードロック室１２１を開放する。

図１に示すように、アーム１１１が回動することにより、サセプタＳを保持した保持体１１２が、搬送機構ＴＲに対向する位置に来て、保持体１１２に接近する方向に移動したプッシャがサセプタＳを支持するとともに、保持体１１２がサセプタＳの保持を解除する。そして、プッシャが、サセプタＳを搬送機構ＴＲに載置して退避した後、搬送機構ＴＲが処理済みのワークＷを後工程へ搬送する。

［効果］
本実施形態の成膜装置１は、排気により内部を真空とすることが可能なチャンバ２と、チャンバ２内の真空を維持した状態で、ワークＷをチャンバ２の内部に出し入れする搬入搬出部１００と、チャンバ２の内部に配置され、ワークＷを搭載したサセプタＳを、回転により搬送する回転体３と、回転体３の回転軸を中心とする円周に沿って配置され、チャンバ２内に連通した開口ОＰを有し、開口ОＰから導入されたワークＷを処理する複数の処理部ＰＲと、ワークＷが回転体３から離脱して、開口ОＰから処理部ＰＲ内に導入される方向に、サセプタＳを付勢するプッシャ５００と、を有する。そして、複数の処理部ＰＲは、ワークＷを加熱する加熱部２００と、ワークＷに対して成膜する成膜部３００と、ワークＷを冷却する冷却部４００を含み、回転体３には、回転体３が搬送しているサセプタＳを保持し、プッシャ５００により付勢されることでサセプタＳを開放する保持部３３が設けられ、プッシャ５００には、処理部ＰＲにワークＷを導入するとともに開口ОＰを封止する封止部５２０が設けられている。

本実施形態では、開口ОＰを封止する封止部５２０が、ワークＷとともに移動し、加熱室２１０や成膜室３１０で加熱され続けるサセプタＳとは別体となっているので、封止部５２０が加熱され続けて高温となることがない。また、サセプタＳは、冷却部４００の内部との圧力差に耐え得る強度は要求されず、厚みと材料を選択することができるので熱容量を小さくすることができる。このため、冷却部４００におけるワークＷの冷却を短時間で効率良く行うことができる。従って、冷却処理に律速されることがなく、スループットが向上する。

封止部５２０は、ワークＷを冷却する第２の冷却機構４３０を有する。このため、冷却部４００で冷却するとともに、封止部５２０の第２の冷却機構４３０により、ワークＷを表面と裏面の両面から冷却することができるので、高速に冷却できる。封止部５２０は、回転体３によってワークＷとともに搬送されるわけではないため、回転体３によるサセプタＳの搬送機構とは分離した簡易な構造で第２の冷却機構４３０を設けることができる。

回転体３は、円形の板状体であり、回転体３には、回転体３の回転平面に交差する方向に封止部５２０が通過する空隙部３２が設けられ、空隙部３２を通過する過程で、サセプタＳを保持する保持状態と、サセプタＳを解放する解放状態とで切り替わる保持部３３を有する。このため、プッシャ５００に固定された封止部５２０を、回転体３の開口ОＰ側とその反対側との間で移動させて、開口ОＰの封止と開放、保持部３３によるサセプタＳの保持と解放を切り替えることができる。すなわち、封止部５２０の封止・開放動作と機械的に同期させて簡便にサセプタＳの保持・解放動作を行うことができる。

ワークＷは、セラミック基板であり、加熱部２００においては、加熱によりセラミック基板に対して脱ガス処理が行われ、成膜部３００は複数設けられ、複数の成膜部３００により、スパッタリングにより異なる材料による多層膜を形成する。このため、加熱部２００よる加熱後に、複数の成膜部３００によって加熱され続けられる場合であっても、冷却部４００によってサセプタＳ及びワークＷを高速に冷却できる。

［変形例］
本実施形態は、上記の態様には限定されず、以下のような変形例も含む。
（１）サセプタＳには、ワークＷとの間に介在する面に、サセプタＳの熱容量以下の熱容量の伝導部材が配置されていてもよい。これにより、冷却部４００において、ワークＷの熱を、サセプタＳを介して逃がし易くすることができる。例えば、サセプタＳ及び伝導部材としては、銅などの金属とすることが適しているが、これには限定されない。

（２）処理部ＰＲとしては、成膜部３００とともに、改質部を含めてもよい。改質部は、プロセスガスをプラズマ化させることにより発生する電子、イオン、ラジカルなどの活性種を、ワークＷに衝突させることにより、ワークＷの表面を改質させて、膜の密着性を向上させる処理部ＰＲである。

（３）ロードロック室１２１には、ロードロック室１２１を介してチャンバ２内から搬出されるサセプタＳ及びワークＷを冷却する冷却装置を設けてもよい。例えば、ロードロック室１２１に対応する封止部５２０に、冷却部４００と同様の冷却機構を設ける。これにより、サセプタＳ及びワークＷの排出前の冷却を促進できる。この場合、冷却室４１０における冷却は、大気中で膜が酸化されることを防止できる温度である目標温度に到達する前に停止し、残りの冷却をロードロック室１２１において行ってもよい。これにより、ワークＷを目標温度とするための冷却時間を、冷却室４１０における冷却時間と、ロードロック室１２１における冷却時間とに分散することができる。そのため、冷却室４１０に長時間ワークＷを留めておくことなく、処理律速を少なくすることができ、スループットが向上する。例えば、図１のように、回転体３に、ワークＷが搭載された複数のサセプタＳを順次投入して、間欠回転させて各処理部ＰＲに搬送して処理を行う場合、一つの処理部ＰＲで長時間ワークＷを留めておくと、その搬送下流に位置する別のサセプタＳに搭載されたワークＷが次の処理部ＰＲに移動できず、処理待ち時間が発生する。冷却時間を分散させ、冷却室４１０における冷却時間を少なくすることで、別のサセプタＳに搭載されたワークＷの処理待ち時間を少なくすることができ、スループットが向上する。

（４）成膜部３００の数は、３つには限定されず、２つ以下又は４つ以上であってもよい。成膜部３００の数を増やすことによって、成膜レートを向上させることができる。なお、成膜部３００は、ターゲット３２０を用いるスパッタリング装置であればよい。但し、成膜部３００、改質部においてプラズマを発生させる構成は特定の種類には限定されない。

（５）回転体３の空隙部３２は、円形の板状体に形成された貫通孔であってもよい。また、回転体３は回転テーブルには限定されない。回転中心から放射状に延びたアームに支持部やワークＷを保持して回転する回転体３であってもよい。回転体３によって搬送されて同時に処理されるワークＷの数、これを保持する保持部３３の数も、上記の態様で示した数には限定されない。保持部３３も、封止部５２０が空隙部３２を通過する過程で、サセプタＳを保持する保持状態と、サセプタＳを解放する解放状態とで切り替わる構成であればよく、上記の態様には限定されない。

（６）処理部ＰＲは、チャンバ２の設置面側にあっても、これと反対側にあっても、側面側にあってもよい。ワークＷを処理部ＰＲに出し入れする方向も、処理部ＰＲの設置面側からでも、これと反対側からでもよく、側面からでもよい。重力に従う側を下、抗する側を上とした場合に、上記の態様では、回転体３の上に各処理部ＰＲが配置されていたが、回転体３の下に各処理部ＰＲが配置されていてもよい。また、回転体３は、水平に限らず垂直の配置でも傾斜した配置でもよい。さらに、成膜装置１の設置面は、床面であっても、天井であっても、側壁面であってもよい。サセプタＳに対するワークＷの搭載は、機械的な保持、接着、吸着等により行われてもよい。つまり、サセプタＳにワークＷが搭載されているとは、水平なサセプタＳの上にワークＷが載っている場合には限定されず、サセプタＳがどのような角度かにかかわらず、ワークＷとともに移動可能な状態となっていることをいう。

（７）冷却室４１０に設ける圧力センサや温度センサは、適宜省略することもできる。温度センサを省略する場合、冷却室４１０における冷却後の排気の開始は、冷却開始から予め求められた所定の冷却時間が経過した時点に行われることになる。また、圧力センサを省略する場合、排気の停止は排気開始から予め求められた所定の時間が経過した時に行われることになる。

（８）冷却ガス導入部４２２は、図７、図１１に示した例では、冷却室４１０における冷却されるワークＷと対向する面から冷却ガスＧを導入しているが、冷却ガスＧの導入方向はこれに限るものではない。例えば、冷却室４１０の側壁に開口を設け、冷却ガス導入部４２２のワークＷに沿う方向に冷却ガスＧを導入することもできる。

（９）以上、本発明の実施形態及び各部の変形例を説明したが、この実施形態や各部の変形例は、一例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。上述したこれら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明に含まれる。

１ 成膜装置
２ チャンバ
３ 回転体
２１ 収容体
２２ 蓋体
２３ チャンバ排気部
３１ シャフト
３２ 空隙部
３３ 保持部
７０ 制御装置
７１ 機構制御部
７２ 加熱制御部
７３ 成膜制御部
７４ 冷却制御部
７５ 記憶部
７６ 設定部
７７ 入出力制御部
７８ 入力装置
７９ 出力装置
１００ 搬入搬出部
１１０ 搬送部
１１１ アーム
１１２ 保持体
１２１ ロードロック室
１２１ａ 開口
１２１ｂ 開口
２００ 加熱部
２１０ 加熱室
２１０ａ 開口
２２０ ヒータ
３００、３００Ａ〜３００Ｃ 成膜部
３１０ 成膜室
３１０ａ 開口
３２０ ターゲット
３３１ 基台
３３２ 変換部
３３２ａ ローラ
３３２ｂ 軸
３３３ アーム
３３３ａ 把持部
３３３ｂ 当接面
３３３ｃ 保持面
３３４ 付勢部材
３３４ａ、３３４ｂ 板材
４００ 冷却部
４１０ 冷却室
４１０ａ 開口
４２０ 第１の冷却機構
４２１ 冷却器
４２２ 冷却ガス導入部
４２３ 冷却液循環路
４２４ 冷却室排気部
４３０ 第２の冷却機構
４３１ 冷却液循環路
４３２ 冷却液供給部
５００、５００Ａ〜５００Ｆ プッシャ
５１０ シャフト
５２０ 封止部
５２１ 載置台
５２１ａ 載置面
５２２ 封止体
５２２ａ 封止面
５２２ｂ 封止材
５２３ 突出部
５２３ａ 傾斜面
５２３ｂ 外周面
Ｇ 冷却ガス
ＯＰ 開口
ＰＲ 処理部
Ｓ サセプタ
ＴＲ 搬送機構
Ｓａ 収容部
Ｓｂ 脚部
Ｗ ワーク

Claims (6)

1. 排気により内部を真空とすることが可能なチャンバと、
   前記チャンバの内部に配置され、ワークを搭載したサセプタを、回転により搬送する回転体と、
   前記回転体の回転軸を中心とする円周に沿って配置され、前記チャンバ内に連通した開口を有し、前記開口から導入された前記ワークを処理する複数の処理部と、
   前記ワークが前記回転体から離脱して、前記開口から前記処理部内に導入される方向に、前記サセプタを付勢するプッシャと、
   を有し、
   前記複数の処理部は、前記ワークを加熱する加熱部と、前記ワークに対して成膜する成膜部と、前記ワークを冷却する冷却部を含み、
   前記回転体には、前記回転体が搬送している前記サセプタを保持し、前記プッシャにより付勢されることで前記サセプタを解放する保持部が設けられ、
   前記プッシャには、前記処理部に前記ワークを導入するとともに前記開口を封止する封止部が設けられていることを特徴とする成膜装置。
2. 前記封止部は、前記ワークを冷却する冷却機構を有することを特徴とする請求項１記載の成膜装置。
3. 前記回転体は円形の板状体であり、
   前記回転体には、前記回転体の回転平面に交差する方向に前記封止部が通過する空隙部が設けられ、
   前記保持部は、前記封止部が前記空隙部を通過する過程で、前記サセプタを保持する保持状態と、前記サセプタを解放する解放状態とで切り替わることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の成膜装置。
4. 前記サセプタにおいて、前記ワークとの間に介在する面に、前記サセプタの熱容量以下の熱容量の伝導部材が配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の成膜装置。
5. 前記チャンバ内の真空を維持した状態で、前記サセプタ及び前記ワークの搬入搬出を可能とするロードロック室を有し、
   前記ロードロック室には、前記ロードロック室を介して前記チャンバ内から搬出される前記サセプタ及び前記ワークを冷却する冷却装置が設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の成膜装置。
6. 前記ワークは、セラミック基板であり、
   前記加熱部においては、加熱により前記セラミック基板に対して脱ガス処理が行われ、
   前記成膜部は複数設けられ、
   複数の前記成膜部により、スパッタリングにより異なる材料による多層膜を形成することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の成膜装置。

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