JP2020094883A5 - - Google Patents
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Description
上方から見たときに、第４のコイル７２Ｂの内周の内側の中空部は、第４の部分領域Ａ２２よりも基準座標系におけるＸ方向に長く、且つ第４の部分領域Ａ２２に対して基準座標系における−Ｙ方向の先に位置している。
磁束密度の成分Ｂｘは、磁界のＸ方向に平行な方向の成分に対応する。磁束密度の成分Ｂｙは、磁界のＹ方向に平行な方向の成分に対応する。表１および表２に示した結果から、第１の磁界発生器７１によって第１の付加的磁界が発生されたとき、第１の磁気センサ１０と第２の磁気センサ２０のいずれにおいても、第１の付加的磁界の、Ｘ方向に平行な方向の成分である第１の付加的磁界成分が印加され、第１の付加的磁界の、Ｙ方向に平行な方向の成分は全くまたはほとんど印加されないことが分かる。また、表１および表２に示した結果から、電流Ｉｘａ，Ｉｘｂの大きさがある値であるとき、ＭＦ１ａ，ＭＦ１ｂの各々の強度は、ＭＦ１ｃ，ＭＦ１ｄの各々の強度よりも大きくなることが分かる。
表３および表４に示した結果から、第２の磁界発生器７２によって第２の付加的磁界が発生されたとき、第１の磁気センサ１０と第２の磁気センサ２０のいずれにおいても、第２の付加的磁界の、Ｙ方向に平行な方向の成分である第２の付加的磁界成分が印加され、第２の付加的磁界の、Ｘ方向に平行な方向の成分は全くまたはほとんど印加されないことが分かる。また、表３および表４に示した結果から、電流Ｉｙａ，Ｉｙｂの大きさがある値であるとき、ＭＦ２ｃ，ＭＦ２ｄの各々の強度は、ＭＦ２ａ，ＭＦ２ｂの各々の強度よりも大きくなることが分かる。
本実施の形態において、基準座標系は、複合チップ部品３を基準にして設定されている。また、複合チップ部品３と第１ないし第３の磁界発生器７１，７２，７３は、一体化されている。本実施の形態では特に、第１ないし第３の磁界発生器７１，７２，７３は、複合チップ部品３に含まれている。従って、基準座標系に対する第１ないし第３の磁界発生器７１，７２，７３の位置ずれは生じない。従って、第１ないし第３の付加的磁界成分のそれぞれの方向は、基準座標系において精度よく規定される。そのため、本実施の形態によれば、第１ないし第３の主軸感度と前述の４つの他軸感度を精度よく測定することが可能になる。
なお、第３の磁気センサ３０に第３の付加的磁界成分を印加する場合には、第１および第２の磁気センサ１０，２０にも、第３の付加的磁界の一部が印加される。図３４には、第３の磁気センサ３０に、基準座標系における−Ｚ方向の第３の付加的磁界成分が印加されたときの、第３の付加的磁界の、基準座標系におけるＸＹ平面に平行な方向の成分ＭＦ３ａ，ＭＦ３ｂ，ＭＦ３ｃ，ＭＦ３ｄを示している。成分ＭＦ３ａは、第１の磁気センサ１０の第１の部分１１に印加される成分である。成分ＭＦ３ｂは、第１の磁気センサ１０の第２の部分１２に印加される成分である。成分ＭＦ３ｃは、第２の磁気センサ２０の第１の部分２１に印加される成分である。成分ＭＦ３ｄは、第２の磁気センサ２０の第２の部分２２に印加される成分である。
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