JP2020088597A - 高周波スイッチ - Google Patents
高周波スイッチ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020088597A JP2020088597A JP2018220253A JP2018220253A JP2020088597A JP 2020088597 A JP2020088597 A JP 2020088597A JP 2018220253 A JP2018220253 A JP 2018220253A JP 2018220253 A JP2018220253 A JP 2018220253A JP 2020088597 A JP2020088597 A JP 2020088597A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- port
- high frequency
- switch
- terminals
- frequency switch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 30
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 30
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 30
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 18
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 7
- 238000004092 self-diagnosis Methods 0.000 claims description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 47
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 32
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 26
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 14
- 230000006870 function Effects 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 11
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 3
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 3
- 101000927268 Hyas araneus Arasin 1 Proteins 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920000729 poly(L-lysine) polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
- H03K17/041—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0412—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/04123—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
- H01P1/15—Auxiliary devices for switching or interrupting by semiconductor devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/693—Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
- H04B1/44—Transmit/receive switching
- H04B1/48—Transmit/receive switching in circuits for connecting transmitter and receiver to a common transmission path, e.g. by energy of transmitter
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Radar Systems Or Details Thereof (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
Abstract
【解決手段】高周波スイッチ3は、第3ポートP3を構成する一対のポール端子T3a,T3bと、第1ポートP1,第2ポートP2を構成する複数の一対のスロー端子T1a,T1b,T2a,T2bと、を備えている。複数の一対のスロー端子T1a,T1b,T2a,T2bには、それぞれ、一対のそれぞれのスロー端子T1a,T1b,T2a,T2bとグランドノードGとの間にそれぞれ並列接続されるインダクタL1a,L1b,L2a,L2bと、複数の一対のスロー端子T1a−T1b、T2b−T2b間にそれぞれ接続された並列接続スイッチS1、S2と、複数の一対のスロー端子T1a,T1b,T2a,T2bからそれぞれ一対のポール端子T3a,T3bまでの間に介在して直列接続された直列接続スイッチS1a,S1b,S2a,S2bと、を備える。
【選択図】図3
Description
図1から図6Fに、第1実施形態の説明図を示す。図1に示すミリ波レーダシステム1は、例えば車両前方に79GHz帯の変調された電波を発射し、対象物から反射された反射波を測定することで、対象物との距離や相対速度を測るものである。以下、ミリ波レーダシステム1を構成する集積回路2a、2bに高周波スイッチ3a、3bを組み込んだ形態を説明する。
集積回路2bも同様に、デジタル部9b、インタフェース9db、送信部10b、受信部11b、PLL12b、局部発振信号分配増幅器13b、周波数ダブラー14b、及び、高周波スイッチ3bを備える。デジタル部9bは、回路制御レジスタ9ab、不揮発性メモリ9bb、及び制御部9cbを備えて構成され、インタフェース9dbを介して制御器4との間で通信可能である。
また、集積回路2aは、外部に局部発振信号を出力するための局部発振信号出力ポート15aと、外部から局部発振信号を入力するための局部発振信号入力ポート16aとを備える。集積回路2bもまた、他の集積回路2aと同一の局部発振信号を共有するための局部発振信号入力ポート16bを備える。集積回路2bは同一の局部発振信号を外部に出力するための局部発振信号出力ポート15bも備える。
デジタル部9bの制御部9cbは、回路制御レジスタ9abのフラグを参照し、局部発振信号入力ポート16bと局部発振信号分配増幅器13bとを接続するようにスレーブ集積回路2bの高周波スイッチ3bの経路を切替える。これにより、マスタ集積回路2aのPLL12aにて生成された信号は、局部発振信号分配増幅器13aを通じて内部の送信部10a及び受信部11aに伝達されるとともに、局部発振信号出力ポート15aと局部発振信号入力ポート16bとを介して、集積回路2bの送信部10b及び受信部11bにも伝達される。
図1に示した例では、高周波スイッチ3a、3bは、それぞれ2入力且つ1出力の機能を備えるスイッチとして使用されるが、高周波スイッチ3自体は入力と出力を入れ替えて動作させることも可能である。即ち、高周波スイッチ3は、1入力且つ2出力で動作させることも可能である。
MOSFET_M1のソース及びドレイン間に印加される高周波の電圧振幅が高くなるときには、図4Bに示すように、複数段のMOSFET_M11…M1kで構成されたスイッチSWbを用いても良い。図4Bに示すスイッチSWbは、図4Aに示すスイッチSWaを単位スイッチとした場合に当該単位スイッチをk段多段化して構成されている。図4Bに示すスイッチSWbは、MOSFET_M11…M1kのドレイン/ソースを隣接するもの同士で接続して構成されている。また図4Bには、図4Aに示すゲート抵抗Rgとバックゲート抵抗Rbに対応する抵抗Rg、Rbにそれぞれ添え字1…kを付し、ゲート抵抗Rg1…Rgk、バックゲート抵抗Rb1…Rbkとして示している。このとき、印加される電圧を複数のMOSFET_M11…M1kにより分圧でき、スイッチSWbの耐圧を向上できる。
他方、図示はしていないが、高周波スイッチ3の直列接続スイッチS1a、S1bがオフ、直列接続スイッチS2a、S2bがオン、並列接続スイッチS1がオン、並列接続スイッチS2がオフしており、第2ポートP2と第3ポートP3とが導通状態とされている場合の周波数特性は、並列接続スイッチS2のオフ容量Coffと直列接続スイッチS1a、S1bのオフ容量Coffとの合成容量、及びインダクタL2a、L2bのインダクタンス、に基づいて決定される共振周波数により定まる。共振周波数はミリ波レーダシステム1にて使用される所定の動作周波数帯に含まれる。
このため、前述したように、スイッチS1a、S1b、S2a、S2bを構成するMOSFET_M1;M11…M1kのゲート幅、ゲート長、スイッチS1、S2を構成するMOSFET_M1;M11…M1kのゲート幅、ゲート長が同一となるように構成されており、さらに、インダクタL1a、L1b、L2a、L2bのインダクタンス値が同一となるように構成されていれば、第1ポートP1と第2ポートP2の間のアイソレーションS21と第2ポートP2と第3ポートP3との間のアイソレーションS32の周波数特性を近似させることができる。
同様に、第1ポートP1と第2ポートP2とにおけるリターンロスS11、S22の周波数特性を近似させることができる。なお、直列接続スイッチS1a、S1b、S2a、S2b、並列接続スイッチS1、S2およびインダクタL1a、L1b、L2a、L2b以外の伝送線路やグランド線路における寄生成分を考慮に入れて各種設計パラメータを設定することがさらに望ましい。
ローカル配線32は、ビアLV1〜LVnを通じて互いに接続される複数のローカル配線層LL1〜LLnを備える。同様にグローバル配線33も、ビアGVa〜GVbを通じて互いに接続される複数のグローバル配線層GLa〜GLcから構成される。以下では、これらのローカル配線32及びグローバル配線33を構成するビアLV1〜LVn及びGVa〜GVbの一部又は全部を必要に応じて「ビアV」と称する。また、図5Aには、これらのビアV1〜LVn及びGVa〜GVbの一部を「V」と表記している。グローバル配線33は、ローカル配線32に比較して金属配線の膜厚を厚く、また配線幅を広く構成できるので、Q値などの高周波特性が良い伝送線路や、各種インダクタなどの受動素子を集積回路内にて構成するのに適している。
また最上層のグローバル配線層GLcはアルミニウムにより構成される。これに対し、グローバル配線層GLcの下のグローバル配線層GLbは銅により構成される。このため、グローバル配線層GLbは、単位長あたりの抵抗値が低く、高周波特性が良い。このため、グローバル配線層GLbは、受動素子(例えば、インダクタL1a、L1b、L2a、L2b)や伝送線路の信号線(詳しくは下記参照)を構成するのに適している。
図5Bには、ローカル配線32及びグローバル配線33の断面構造例を示したが、このようなレイヤの構造に限定されるものではない。例えば、異なる半導体プロセスを用いて構成すると、ローカル配線層LL1〜LLn、グローバル配線層GLa〜GLcの数や膜厚等が異なる場合があるが、このような場合においても、設計パラメータやレイアウトを調整することで適用可能である。
図5Cは、第1ポートP1側に構成されるコプレーナ導波路150について、図5AのVC−VC線に沿って切断した断面図を示している。コプレーナ導波路150は、差動信号線を構成する2本の信号線41a、41bと3本の接地線41c、41d、41eとを互い違いに間隔をおいて構成されている。このとき、信号線41a、41b及び接地線41c、41d、41eは、図5Cに示すように、最上層のグローバル配線層GLcよりも下のグローバル配線層GLbにて構成されることが望ましい。これは、前述したように高周波特性が良いためである。
なお断面図は省略するが、第2ポートP2側においても、コプレーナ導波路150は、差動信号線を構成する2本の信号線42a、42bと3本の接地線42c、42d、42eとを互い違いに間隔をおいて構成されている。また第3ポートP3においても、コプレーナ導波路150は、差動信号線を構成する2本の信号線43a、43bと3本の接地線43c、43d、43eとを互い違いに間隔をおいて構成されている。
グローバル配線層GLaには接続線451aが第1の接地線41cを潜って配線されており、グローバル配線層GLbに構成されたインダクタL1aの配線と接続線451aとがビアVを用いてコンタクトしている。インダクタL1aの外周は、第1の接地線41cにより囲われており、これにより、グランド電位を強化でき、さらに高周波スイッチ3の周囲に配置される他のブロックの素子に対するアイソレーションを向上できる。
特に、グローバル配線層GLaには、接続線451bが第3の接地線41eを潜って配線されており、グローバル配線層GLbに構成されたインダクタL1bの配線と接続線451bとがビアVを用いてコンタクトしている。このインダクタL1bもまたその外周が、第3の接地線41eにより囲われており、これにより、グランド電位を強化でき、高周波スイッチ3の周囲に配置される他のブロックの素子に対するアイソレーションを向上できる。
グローバル配線層GLaには、接続線452aが第1の接地線42cを潜って配線されており、グローバル配線層GLbに構成されたインダクタL2aの配線と接続線452aとがビアVを用いてコンタクトしている。このインダクタL2aの外周は、第1の接地線42cにより囲われており、これにより、グランド電位を強化でき、高周波スイッチ3の周囲に配置される他のブロックの素子に対するアイソレーションを向上できる。
特に、グローバル配線層GLaには、接続線452bが第3の接地線42eを潜って配線されており、グローバル配線層GLbに構成されたインダクタL2bの配線と接続線452bとがビアVを用いてコンタクトしている。このインダクタL2bの外周もまた、第3の接地線42eにより囲われており、これによりグランド電位の強化及びに高周波スイッチ3の周囲に配置されている他のブロックの素子に対するアイソレーションを向上させている。
図7に、第2実施形態の説明図を示す。第1実施形態の図1の構成においては、3ポートの高周波スイッチ3の例を挙げたが、図7に示すように4ポートの高周波スイッチ103にも適用できる。
第4ポートP4に係る直列接続スイッチS4a,S4b、並列接続スイッチS4、及びインダクタL4a,L4bの接続関係は、第1ポートP1又は第2ポートP2に係る直列接続スイッチS1a,S1b,S2a,S2b、並列接続スイッチS1,S2、及びインダクタL1a,L1b,L2a,L2bの接続関係に準じているため、その説明を省略する。
また、T字分岐路LT1、LT2に代えて十字分岐路を設けても良い。図5Aのレイアウトを参照して説明すると、この十字分岐路は、第1の信号線41a及び42a等の延伸方向に対し第3ポートP3側とは逆方向に結合ノードN3a,N3bから屈曲した線路を備えるように構成される。
図8から図9Cに、第3実施形態の説明図を示す。この第3実施形態では、第2ポートP2と第3ポートP3とが導通状態のときに発生する第1ポートP1の正相信号線Li1aと逆相信号線Li1bとの間における振幅差及び位相差を補正する形態を示す。
他方、第2ポートP2から第3ポートP3に至る逆相信号線Li2b−Li3bは、図5Aのレイアウト構成上では、第2の信号線42bから配線46bのノードN3bを経由して第2の信号線43bに達する。このとき、第3ポートP3は、図5A中の下側に配置されているため、第1の信号線42aから第1の信号線43aに至る経路長が、第2の信号線42bから第2の信号線43bに至る経路長に対して長くなる。これにより、高周波信号の振幅及び位相に差が発生する。
この場合、電圧振幅が高い側のトランジスタに対する負荷が大きくなる。このトランジスタがMOSFETなどにより構成されている場合には、TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)やHCI(Hot Carrier Injection)などの信頼性に影響する。また、後段の局部発振信号分配増幅器13a、13bなどが最大電力供給の条件である複素共役によりインピーダンス整合を取る場合は、トランジスタの正相、逆相でインピーダンスが異なり最適な条件を満たすことが難しくなる。
図9Bは、T字分岐路LTを構成する配線146a、146bの経路の変形例を模式的に示している。図9Bに示すレイアウト構成では、配線146aが接続線147の上を跨いで図9B中の上下方向に延伸されている。接続線147はグローバル配線層GLaに構成されており、グローバル配線層GLbに構成された配線146aの下側を潜ってビアVを用いて逆相信号線Li1b-Li2bを連結している。
図10には、図9A又は図9Bの構造に代わる、結合ノードN3a,N3bの付近におけるT字分岐路LT2の具体的なレイアウト構造を示す。図10に示すように、T字分岐路LT2は、結合ノードN3a,N3bにおける正相/逆相の信号線Li1a-Li1b間の線路間隔W1が、正相/逆相の信号線Li1a-Li1bの伸び始めの線路間隔W2よりも狭く構成されている。結合ノードN3a,N3bにおける正相/逆相の信号線Li2a-Li2b間の線路間隔W1が、正相/逆相の信号線Li1a-Li1bの伸び始めの線路間隔W3よりも狭く構成されている。
このとき、前述実施形態で示した可変容量Ca,Cbをさらに設けても良いし設けなくても良い。また、第1ポートP1における線路間隔W2と、第2ポートP2における線路間隔W3、及び第3ポートP3における線路間隔W5は、各ポートP1〜P3における特性インピーダンスZ0を等しくするため通常は等しいものの、各ポートP1〜P3における必要な特性インピーダンスZ0に応じて異なっていても構わない。同様に、線路間隔W1と線路間隔W4についても同様の観点から通常等しいものの、これらの線路間隔W1及びW4は互いに異なっていても構わない。
図11に、第5実施形態における高周波スイッチ403の回路図を示す。図11に示すように、第5実施形態においては、差動構成のインダクタL1c,L2cが、第1ポートP1及び第2ポートP2の各スロー端子T1a−T1b間、T2a−T2b間にそれぞれ接続される。
図12に、第6実施形態における高周波スイッチ503の回路図を示す。第6実施形態では、第2のインダクタL3a,L3bが、第3ポートP3のポール端子T3a,T3bの信号線Li3a,Li3bに直列接続されている。
図13に、第7実施形態の構成図を示す。図13に示すように、集積回路2の内部の局部発振信号を受信器21aに入力する経路を設けることで、高周波回路用のBIST(Built-In-Self Test)機能が設けることができる。このBIST機能は、出荷時や出荷後の高周波試験に要するコストを低減するために設けられ、内部で生成された高周波信号を各回路ブロックに入力することで回路動作の検証を行う。
高周波スイッチ603の一方の出力ポートは第1ポートP1として構成され、外部への局部発振信号出力ポート15aに接続されている。高周波スイッチ603の他方の出力ポートは、第2ポートP2として構成され、周波数ダブラー614を介してカプラ6151…615mに接続されている。このカプラ6151…615mは、内部のPLL12aにて生成された局部発振信号を受信器21aの各受信チャンネルRX1ch〜RXmchにテスト信号として入力する機能を持つ。
図14に示す高周波スイッチ703は、第1実施形態におけるインダクタL1a,L1b,L2a,L2bに代えてスタブSt1a,St1b,St2a,St2bを用いることで構成されている。なお、図5Aと同様の部分には同一構造を示して符号も省略している。
図15から図20に、第1実施形態における図5Cに示したコプレーナ導波路150に代わる伝送線路250、350、450、550、650、750の構成例を示す。
本発明は、前述した実施形態に限定されるものではなく、種々変形して実施することができ、その要旨を逸脱しない範囲で種々の実施形態に適用可能である。
Claims (13)
- 集積回路に構成された差動信号の経路を切替える高周波スイッチ(3,3a,3b;103;203;403;503;603;703)であり、
一つのポートを構成する一対のポール端子(T3a,T3b)と、
複数のポートを構成する前記複数の一対のスロー端子(T1a,T1b、T2a,T2b;T1a,T1b、T2a,T2b、T4a,T4b)と、を備え、
前記複数の一対のスロー端子には、それぞれ、
前記一対のそれぞれのスロー端子とグランドノード(G)との間、又は、前記一対のスロー端子の間にそれぞれ並列接続されるインダクタ(L1a,L1b,L2a,L2b;L1c,L2c;L4a,L4b;St1a, St1b, St2a, St2b)と、
前記複数の一対のスロー端子の間にそれぞれ接続された並列接続スイッチ(S1,S2)と、
前記複数の一対のスロー端子からそれぞれ前記一対のポール端子までの間に介在して直列接続された直列接続スイッチ(S1a,S1b,S2a,S2b;S1a,S1b,S2a,S2b,S4a,S4b)と、
を備える高周波スイッチ。 - 前記一対のスロー端子(S1a,S1b,S2a,S2b)を2つ備えたSPDT(Single Pole Double Throw)スイッチとして構成される請求項1記載の高周波スイッチ。
- 前記並列接続スイッチ及び前記直列接続スイッチはそれぞれ単一又は複数段のMOSFET(M1;M11…M1k)を用いて構成され、
前記並列接続スイッチ及び前記直列接続スイッチの前記MOSFETのゲート幅が同一で、且つ、前記スロー端子にそれぞれ接続される前記インダクタが互いに同一構造である請求項1または2記載の高周波スイッチ。 - 前記並列接続スイッチ及び前記直列接続スイッチはそれぞれ単一又は複数段のMOSFET(M1;M11…M1k)を用いて構成され、
前記直列接続スイッチを構成する前記MOSFETのゲート幅、及び前記各スロー端子にそれぞれ接続される前記インダクタのサイズ、が正相/逆相の位相差に応じて設定されている請求項1または2記載の高周波スイッチ。 - 前記並列接続スイッチ及び前記直列接続スイッチを構成する前記MOSFETのオフ容量、並びに前記インダクタのインダクタンスにより共振周波数が所定の動作周波数帯に含まれる請求項4記載の高周波スイッチ。
- 前記複数のスロー端子と前記ポール端子とを信号線により結合する結合ノード(N3a,N3b)に可変容量(Ca,Cb)を接続して構成される請求項1から5の何れか一項に記載の高周波スイッチ。
- 前記複数のスロー端子と前記ポール端子とを信号線により結合する結合ノード(N3a,N3b)を備え、
前記複数のスロー端子から前記結合ノードに至るときの前記結合ノードにおける正相/逆相の間の線路間隔(W1)は、各スロー端子から前記結合ノードへの伸び始めの線路間隔(W2,W3)よりも狭く、
前記ポール端子から前記結合ノードに至るときの前記結合ノードにおける正相/逆相の間の線路間隔(W4)は、前記ポール端子から前記結合ノードへの伸び始めの線路間隔(W5)よりも狭く設定されている請求項1から6の何れか一項に記載の高周波スイッチ。 - 前記並列接続スイッチは、複数段に直列接続されたトランジスタ(M1)を用いて構成されている請求項1から7の何れか一項に記載の高周波スイッチ。
- 前記直列接続スイッチは、単一又は複数段に接続されたトランジスタ(M1;M11…M1k)を用いて構成され、
前記並列接続スイッチは、その構成段数が前記直列接続スイッチのトランジスタの段数よりも多くなるように構成されている請求項8記載の高周波スイッチ。 - 前記インダクタ(L1c,L2c)は、前記一対のスロー端子が接続される正相信号線と逆相信号線との間に接続されている請求項1記載の高周波スイッチ。
- 前記ポール端子に直列接続される第2のインダクタ(L3a,L3b)をさらに備える請求項1から10の何れか一項に記載の高周波スイッチ。
- 前記集積回路(2a)の内部に構成されたPLL(12a)の出力を前記集積回路の内部又は外部に切替えるために用いられる請求項1から11の何れか一項に記載の高周波スイッチ。
- 受信器(11a)が受信する受信信号に代えて、自己診断テスト時に高周波信号を前記受信器に入力するために用いられる請求項1から11の何れか一項に記載の高周波スイッチ。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018220253A JP6879287B2 (ja) | 2018-11-26 | 2018-11-26 | 高周波スイッチ |
PCT/JP2019/042362 WO2020110559A1 (ja) | 2018-11-26 | 2019-10-29 | 高周波スイッチ |
CN201980077159.4A CN113196560B (zh) | 2018-11-26 | 2019-10-29 | 高频开关 |
US17/326,792 US11469758B2 (en) | 2018-11-26 | 2021-05-21 | High frequency switch |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018220253A JP6879287B2 (ja) | 2018-11-26 | 2018-11-26 | 高周波スイッチ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020088597A true JP2020088597A (ja) | 2020-06-04 |
JP6879287B2 JP6879287B2 (ja) | 2021-06-02 |
Family
ID=70854271
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018220253A Active JP6879287B2 (ja) | 2018-11-26 | 2018-11-26 | 高周波スイッチ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11469758B2 (ja) |
JP (1) | JP6879287B2 (ja) |
CN (1) | CN113196560B (ja) |
WO (1) | WO2020110559A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021255809A1 (ja) * | 2020-06-16 | 2021-12-23 | 三菱電機株式会社 | マルチプレクサ |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002164704A (ja) * | 2000-11-28 | 2002-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バランス信号を扱う高周波スイッチ、スパイラルインダクタ及び分配器 |
JP2003101304A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波スイッチ回路およびそれを用いた電子装置 |
US20120007658A1 (en) * | 2010-07-08 | 2012-01-12 | Triquint Semiconductor, Inc. | Balanced switch |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2075801C1 (ru) * | 1993-06-08 | 1997-03-20 | Новосибирский электротехнический институт связи им.Н.Д.Псурцева | Универсальное устройство объединения некогерентных сигналов |
DE19715214C1 (de) | 1997-04-11 | 1998-07-02 | Siemens Ag | Bildsensor mit einer Vielzahl von Bildpunkt-Sensorbereichen |
US6009314A (en) * | 1997-11-17 | 1999-12-28 | Telefonaktiebolaget L/M Ericsson | Monolithic high frequency antenna switch |
US6731184B1 (en) * | 1999-07-29 | 2004-05-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High frequency switching component |
WO2001095075A1 (fr) | 2000-06-02 | 2001-12-13 | Hitachi,Ltd | Circuit integre a semi-conducteur et circuit de distribution du signal d'horloge |
US6819201B2 (en) * | 2002-07-19 | 2004-11-16 | M/A-Com | Balanced high isolation fast state transitioning switch apparatus |
KR20060048619A (ko) * | 2004-06-30 | 2006-05-18 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 고주파 스위치 회로장치 |
US7162375B2 (en) * | 2005-02-04 | 2007-01-09 | Tektronix, Inc. | Differential termination and attenuator network for a measurement probe having an automated common mode termination voltage generator |
CN103219566B (zh) * | 2012-01-19 | 2016-08-03 | 三星电机株式会社 | 高频开关 |
JP6183461B2 (ja) * | 2013-08-06 | 2017-08-23 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
US11901243B2 (en) * | 2013-11-12 | 2024-02-13 | Skyworks Solutions, Inc. | Methods related to radio-frequency switching devices having improved voltage handling capability |
JP2015119319A (ja) * | 2013-12-18 | 2015-06-25 | Tdk株式会社 | 高周波回路 |
EP2899803B1 (en) * | 2014-01-24 | 2020-06-24 | Ampleon Netherlands B.V. | Circuit comprising balun and impedance transforming elements |
US10148265B2 (en) * | 2015-01-30 | 2018-12-04 | Psemi Corporation | Radio frequency switching circuit with distributed switches |
CN104966863A (zh) * | 2015-06-29 | 2015-10-07 | 南京理工大学 | 开关型平衡滤波功分器 |
US10361697B2 (en) * | 2016-12-23 | 2019-07-23 | Skyworks Solutions, Inc. | Switch linearization by compensation of a field-effect transistor |
US10686440B2 (en) * | 2017-12-21 | 2020-06-16 | Integrated Device Technology, Inc. | RF switch with digital gate threshold voltage |
US10778206B2 (en) * | 2018-03-20 | 2020-09-15 | Analog Devices Global Unlimited Company | Biasing of radio frequency switches for fast switching |
-
2018
- 2018-11-26 JP JP2018220253A patent/JP6879287B2/ja active Active
-
2019
- 2019-10-29 WO PCT/JP2019/042362 patent/WO2020110559A1/ja active Application Filing
- 2019-10-29 CN CN201980077159.4A patent/CN113196560B/zh active Active
-
2021
- 2021-05-21 US US17/326,792 patent/US11469758B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002164704A (ja) * | 2000-11-28 | 2002-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バランス信号を扱う高周波スイッチ、スパイラルインダクタ及び分配器 |
JP2003101304A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波スイッチ回路およびそれを用いた電子装置 |
US20120007658A1 (en) * | 2010-07-08 | 2012-01-12 | Triquint Semiconductor, Inc. | Balanced switch |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021255809A1 (ja) * | 2020-06-16 | 2021-12-23 | 三菱電機株式会社 | マルチプレクサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113196560B (zh) | 2022-04-19 |
WO2020110559A1 (ja) | 2020-06-04 |
US20210281261A1 (en) | 2021-09-09 |
US11469758B2 (en) | 2022-10-11 |
JP6879287B2 (ja) | 2021-06-02 |
CN113196560A (zh) | 2021-07-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8248302B2 (en) | Reflection-type phase shifter having reflection loads implemented using transmission lines and phased-array receiver/transmitter utilizing the same | |
CN106026952B (zh) | 用于针对毫米波功率应用的共源共栅放大器拓扑结构的设备和方法 | |
KR101084591B1 (ko) | 방향성 결합기 | |
TWI473340B (zh) | 功率結合器或分配器 | |
US9577847B2 (en) | Non-reciprocal components with balanced distributedly modulated capacitors (DMC) | |
US7639102B2 (en) | Reconfigurable duplexing couplers | |
US9413050B2 (en) | Distributedly modulated capacitors for non-reciprocal components | |
CN112151964A (zh) | 使用基于开关的馈线功分器的移相器 | |
US8754722B2 (en) | Planar integrated switching device | |
WO2020110559A1 (ja) | 高周波スイッチ | |
JP5689841B2 (ja) | 方向性結合型ミキサー回路 | |
KR101214589B1 (ko) | 구동회로용 고집적 다운컨버터 | |
US10666231B2 (en) | Balun arrangement | |
Lee et al. | A Ka-band bi-directional reconfigurable switched beam-forming network based on 4× 4 Butler matrix in 28-nm CMOS | |
JP2002164704A (ja) | バランス信号を扱う高周波スイッチ、スパイラルインダクタ及び分配器 | |
US20220109220A1 (en) | Power splitter-combiner circuits in 5g mm-wave beamformer architectures | |
EP3847747B1 (en) | Cascaded transmit and receive local oscillator distribution network | |
EP2869466B1 (en) | Amplifier circuit | |
CN114982076A (zh) | 一种集成电路 | |
KR101731563B1 (ko) | 모터 드라이버의 반사파 노이즈 제거를 위한 임피던스 매칭 장치 | |
Kadry | Autonomous, CMOS-Compatible, Spatiotemporally Modulated Magnetless Circulators for Next Generation Full-Duplex Communication Systems | |
RU2436202C1 (ru) | Широкополосный 180-градусный фазовращатель свч | |
Lai et al. | Applications to Heterogeneous Integrated Phased Arrays | |
JP2007201596A (ja) | 電力分配回路 | |
JPH10313265A (ja) | マイクロ波送受信モジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200911 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201110 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201210 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210330 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210412 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6879287 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |