JP2020088367A - 電子基板の製造方法、複合シート、および電子基板 - Google Patents

Abstract

【課題】樹脂材料を用いて電子部品と基板とのはんだ接合部を効率よく確実に補強できる手段を提供する。【解決手段】電子基板の製造方法は、はんだ部および樹脂部を含む複合層を有する複合シートを準備する工程と、前記複合層を基板上に載置する工程と、第１電子部品を前記複合層上に載置する工程と、リフロー炉内で前記複合層の前記はんだ部が溶融する温度まで加熱する工程と、を有する。【選択図】図３Ａ

Description

本発明は、電子基板の製造方法、複合シート、および電子基板に関する。

従来から、下記特許文献１に示されるように、はんだを用いて電子部品を基板に実装することが行われている。また、電子部品と基板やプリント配線基板とのはんだ接合部を補強するため、樹脂材料を電子部品と基板との間に充填したり（アンダーフィル／エンキャップ）、樹脂材料を電子部品の角部等へ部分的に塗布したり（コーナーボンド／コーナーフィル）することが行われている。

特開２００７−５９６００号公報

従来の方法では、樹脂材料を用いて電子部品と基板とのはんだ接合部を効率よく確実に補強できないおそれがある。

本発明はこのような事情を考慮してなされ、樹脂材料を用いて電子部品と基板とのはんだ接合部を効率よく確実に補強できる手段を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明の第１態様に係る電子基板の製造方法は、はんだ部および樹脂部を含む複合層を有する複合シートを準備する工程と、前記複合層を基板上に載置する工程と、第１電子部品を前記複合層上に載置する工程と、リフロー炉内で前記複合層の前記はんだ部が溶融する温度まで加熱する工程と、を有する。

また、本発明の第２態様に係る複合シートは、電子部品の基板への実装に用いられる複合シートであって、樹脂部およびはんだ部を含む複合層を備える。

また、本発明の第３態様に係る電子基板は、基板と、前記基板にリフローはんだ付で実装された第１電子部品と、前記基板にリフローはんだ付で実装された第２電子部品と、少なくとも前記第１電子部品と前記基板との間に充填されたアンダーフィルと、を備え、前記第２電子部品と前記基板とを接合するはんだ合金の融点Ｔ２は、前記第１電子部品と前記基板とを接合するはんだ合金の融点Ｔ１よりも高い。

本発明の上記態様によれば、樹脂材料を用いて電子部品と基板とのはんだ接合部を効率よく確実に補強できる。

第１実施形態に係る電子基板の製造方法により得られる電子基板の模式図である。 第１実施形態に係る複合シートの平面図である。 図２ＡのＩＩ−ＩＩ断面矢視図である。 第１実施形態に係る電子基板の製造方法を説明する図である。 図３Ａに続く工程を説明する図である。 図３Ｂに続く工程を説明する図である。 図３Ｃに続く工程を説明する図である。 第２実施形態に係る電子基板の製造方法を説明する図である。 図４Ａに続く工程を説明する図である。 図４Ｂに続く工程を説明する図である。 図４Ｃに続く工程を説明する図である。 第３実施形態に係る複合シートの平面図である。 図５ＡのＶ−Ｖ断面矢視図である。 第１実施形態の第１の変形例に係る複合シートの断面図である。 第１実施形態の第２の変形例に係る複合シートの断面図である。 第１実施形態の第３の変形例に係る複合シートの断面図である。 第１実施形態の第４の変形例に係る電子基板の製造方法を説明する図である。 第１実施形態の第５の変形例に係る電子基板の製造方法を説明する図である。 第１実施形態の第６の変形例に係る電子基板の製造方法を説明する図である。

（第１実施形態）
以下、第１実施形態の電子基板（実装基板）の製造方法、および当該製造方法に用いる複合シートについて、図面に基づいて説明する。

本実施形態の電子基板の製造方法は、例えば図１に示すような電子基板Ｓを製造することができる。電子基板Ｓは、基板２と、基板２上に実装された第１電子部品３および第２電子部品４と、を備えている。基板２は、絶縁体により形成された基板本体２ａと、導電体により形成された電極２ｂと、を有している（図３Ａ参照）。第１電子部品３および第２電子部品４は、電極２ｂに電気的に接続されたインタフェースを有している。

第１電子部品３および第２電子部品４としては、ＬＳＩ（Large Scale Integration）やＳＳＩ（Small Scale Integration）などのＩＣ（Integrated Circuit）チップを用いることができる。特に、ＣＰＵ（Central Processing Unit），ＧＰＵ（Graphic Processing Unit），メモリー、ＳＳＤ（Solid State Drive）などの比較的高価な部品を第１電子部品３として用い、その他の部品を第２電子部品４として用いてもよい。その理由については後述する。

第１電子部品３および第２電子部品４は、リフローはんだ付けによって、基板２に実装される。本明細書において、はんだ合金組成に関する「％」は、特に指定しない限り「質量％」である。
なお、電子基板Ｓは第２電子部品４を備えていなくてもよい。あるいは、電子基板Ｓが複数の第１電子部品３または複数の第２電子部品４を備えていてもよい。

図２Ａ、図２Ｂは、本実施形態の電子基板の製造方法に用いられる複合シート１Ａの一例を示している。複合シート１Ａは、樹脂部１１およびはんだ部１２を含む複合層１０と、複合層１０の上面を覆う第１カバーフィルム２０と、複合層１０の下面を覆う第２カバーフィルム３０と、を備えている。

（方向定義）
本実施形態では、複合層１０の厚さ方向を上下方向Ｚという。上下方向Ｚに直交する一方向を左右方向Ｘといい、上下方向Ｚおよび左右方向Ｘの双方に直交する方向を前後方向Ｙという。上下方向Ｚに沿って、基板２側を下方といい、第１電子部品３側を上方という。また、上下方向Ｚから見ることを平面視という。

樹脂部１１は、電子基板Ｓにおいて、第１電子部品３のアンダーフィルとなる部分である。樹脂部１１としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコン樹脂などを含む樹脂材料（コンポジットレジン）を用いることができる。樹脂部１１の樹脂材料には耐久性、耐熱性など各種耐性を向上させるためにガラス等のフィラーが添加されていても良い。樹脂部１１は、粘着性を有していてもよい。ただし、樹脂部１１の具体的な材質、組成、性質は上記に限定されず、適宜変更可能である。

樹脂部１１は、図２Ａに示すように、平面視において正方形状に形成されている。樹脂部１１の外形は適宜変更可能であるが、第１電子部品３の本体部３ａ（図３Ａ参照）に合わせた形状とすることが好ましい。つまり、平面視において、第１電子部品３の本体部３ａが正方形状であれば、図２Ａに示すように樹脂部１１を正方形状とするとよい。あるいは、平面視において、第１電子部品３の本体部３ａが長方形状であれば、樹脂部１１を長方形状とするとよい。

複合層１０には、複数のはんだ部１２が含まれている。複数のはんだ部１２は、樹脂部１１に対して、島状に分散して配置されている。図２Ａ、２Ｂの例では、各はんだ部１２は上下方向に延びる円柱状に形成され、左右方向Ｘおよび前後方向Ｙに間隔を空けて配置されている。換言すると、はんだ部１２は格子状に配置されている。
はんだ部１２の上面および下面は、樹脂部１１によって覆われていない。換言すると、はんだ部１２は樹脂部１１に設けられる複数の貫通孔の内部にそれぞれ形成されており、複合層１０の上面および下面に露出している。

はんだ部１２の配置は適宜変更可能であるが、第１電子部品３のインタフェース３ｂの位置に合わせた配置とすることが好ましい。例えば図３Ａは、第１電子部品３がＢＧＡ（Ball Grid Array）であり、本体部３ａの下面に、インタフェース３ｂとして半球状のはんだボール（バンプ）が格子状に並べて配置された場合を示している。はんだボールの直径は、適宜変更可能であるが、例えば１００〜１０００μｍ程度である。第１電子部品３が図３Ａに示すようなＢＧＡである場合には、図２Ａに示すようなはんだ部１２の配置を採用することができる。なお、第１電子部品３にはんだボールを配置せず、第１電子部品３の下面に電極端子が剥き出しであってもよい。その場合、剥き出しになった第１電子部品３の電極端子がインタフェース３ｂとなり、複合層１０のはんだ部１２のみによって基板２の電極２ｂと第１電子部品３の電極端子とが電気的に接続される。

また、図示は省略するが、第１電子部品３のインタフェース３ｂは、本体部３ａから左右方向Ｘまたは前後方向Ｙに延びた後、下方に折れ曲がるリードフレーム（電極）であってもよい。この場合、リードフレームの基板２への載置位置に合わせて、複合層１０におけるはんだ部１２の配置を決定するとよい。例えば平面視において、はんだ部１２は、第１電子部品３の本体部３ａの外形に沿って間欠的に配置されていてもよい。

はんだ部１２は、はんだ合金を含んでいる。はんだ部１２の材質としては、例えばはんだペーストやカットされた糸はんだを用いることができる。特に、第１電子部品３のインタフェース３ｂがはんだボールである場合は、当該はんだボールよりも融点の低いはんだ合金が、はんだ部１２の材質として適している。はんだ部１２には、フラックスなどのはんだ付け促進剤が含まれていてもよい。
カバーフィルム２０、３０としては、樹脂シートなどを用いることができる。カバーフィルム２０、３０の具体的な材質としては、ＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）などが挙げられる。

はんだ部１２に含まれるはんだ合金の融点（後述のＴ１）は、例えば１５０℃以下の低融点であることが好ましい。低融点のはんだ合金（低融点はんだ）を用いれば、後述の複合シートリフロー工程において加熱温度を低く抑えることができ、基板２、第１電子部品３、およびはんだ合金の熱膨張率の差による影響が低減する。したがって、複合シートリフロー工程後の冷却工程時の接合部Ｍへの応力集中を抑制することが可能となる。融点が１５０℃以下のはんだ合金としては、Ｓｎ−Ｂｉ系はんだ合金が挙げられる。Ｓｎ−Ｂｉ系はんだ合金の具体例としては、Ｓｎ−Ｂｉはんだ合金、Ｓｎ−Ｂｉ−Ｃｕはんだ合金、Ｓｎ−Ｂｉ−Ｎｉはんだ合金、Ｓｎ−Ｂｉ−Ｃｕ−Ｎｉはんだ合金、Ｓｎ−Ｂｉ−Ａｇはんだ合金、Ｓｎ−Ｂｉ−Ｓｂはんだ合金が挙げられる。はんだ部１２には、上記したはんだ合金が１つまたは２つ以上含まれていてもよいし、他の組成のはんだ合金が含まれていてもよい。

Ｓｎ−Ｂｉはんだ合金にＣｕやＮｉを添加する場合、Ｃｕ：０．１〜１．０％、Ｎｉ：０．０１〜０．１％であることが望ましい。また、上記した合金組成において、Ｂｉ含有量は３０〜８０％であることが望ましい。Ｂｉ含有量を上記範囲内にすると、融点を例えば１３８℃で一定とすることができる。このようなＢｉ含有量を有する合金をはんだ部１２に用いることで、後述する複合シートリフロー工程において、第１電子部品３の自重によりインタフェース３ｂがはんだ部１２を押圧しながら、接合部Ｍ（はんだ継手ともいう。図３Ｄ参照）を形成することができる。また、はんだ部１２のはんだ合金の融点をより低くすることで、複合シートリフロー工程における加熱温度を下げ、第１電子部品３や基板２への熱的損傷をより低減することができる。はんだ部１２のはんだ合金の融点を充分に低くする観点から、Ｂｉ含有量は、３５〜７０％であることがより望ましく、５３〜６１％であることが更に望ましい。

なお、第１電子部品３のインタフェース３ｂがはんだボールである場合、当該はんだボールの材質としては、例えばＳｎ−Ｃｕはんだ合金、Ｓｎ−Ａｇはんだ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｎｉはんだ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｓｂはんだ合金、およびＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｂはんだ合金などを用いることができる。これらのはんだ合金は、後述する複合シートリフロー工程の際に溶融しないような融点を示すことが好ましく、例えば融点が２００℃以上の高融点はんだであってもよい。

上記したはんだ部１２およびインタフェース３ｂのはんだ合金の組成は一例であり、適宜変更可能である。また、はんだ部１２のはんだ合金として説明した組成（低融点はんだ）を、インタフェース３ｂのはんだ合金に用いてもよい。また、インタフェース３ｂおよびはんだ部１２の両者を低融点はんだで形成してもよいし、両者を高融点はんだで形成してもよい。また、第１電子部品３にはんだを設けず、はんだ部１２を低融点はんだまたは高融点はんだで形成してもよい。

次に、以上のように構成された複合シート１Ａを用いた電子基板の製造方法について説明する。本実施形態の電子基板の製造方法は、シート準備工程と、シート載置工程と、電子部品載置工程と、複合シートリフロー工程と、を含んでいる。以下、各工程を具体的に説明する。

（シート準備工程）
シート準備工程では、はんだ部１２および樹脂部１１含む複合層１０を有する複合シート１Ａを準備する。複合シート１Ａは、図２Ｂに示すようなカバーフィルム２０、３０を備えていてもよいし、備えていなくてもよい。
複合シート１Ａがカバーフィルム２０、３０を備えている場合には、シート載置工程および電子部品載置工程の前に予めカバーフィルム２０、３０を除去し、複合層１０の上面および下面を露出させる。そして、図３Ａに示すように、基板２と複合層１０の下面、または第１電子部品３と複合層１０の上面を、上下方向Ｚで対向させる。

（シート載置工程）
シート載置工程は、シート準備工程の後に行われる。図３Ｂに示すように、シート載置工程では、複合層１０を基板２上に載置する。このとき、はんだ部１２の位置が基板２の電極２ｂの位置に合うように、複合層１０と基板２との位置を合わせる。位置合わせは、画像制御などを用いても良いし、位置決めピンなどを用いてもよい。樹脂部１１が粘着性を有している場合、基板２に複合層１０が接することで、複合層１０と基板２とが接着される。したがって、以降の工程ではんだ部１２と電極２ｂとの相対位置がずれることを抑制できる。
なお、シート載置工程を行う前に、基板２の電極２ｂの表面に、補助的にはんだペーストを設けてもよい。

（電子部品載置工程）
電子部品載置工程は、シート準備工程の後に行われる。電子部品載置工程は、シート載置工程の後に行われてもよいし、前に行われてもよい。図３Ｃに示すように、電子部品載置工程では、第１電子部品３を複合層１０上に載置する。このとき、第１電子部品３のインタフェース３ｂの位置がはんだ部１２の位置に合うように、第１電子部品３と複合層１０との位置を合わせる。位置合わせは、画像制御などを用いてもよいし、位置決めピンなどを用いてもよい。インタフェース３ｂがはんだボールである場合には、当該はんだボールがはんだ部１２の上面に接した状態とする。インタフェース３ｂがリードフレームである場合には、リードフレームがはんだ部１２の上面に接した状態としてもよいし、リードフレームの一部がはんだ部１２内に挿入された状態としてもよい。インタフェース３ｂが、第１電子部品３の本体部３ａの下面に剥き出しになった電極端子である場合には、電極端子がはんだ部１２の上面に接した状態とする。
なお、電子部品載置工程を行う前に、第１電子部品３のインタフェース３ｂの表面に、補助的にはんだペーストを設けてもよい。

（複合シートリフロー工程）
複合シートリフロー工程は、シート載置工程および電子部品載置工程の後に行われる。なお、複合シートリフロー工程を行う前に、例えば５０〜１００℃程度の予備過熱を行い、はんだ部１２に含まれる溶剤を除去してもよい。複合シートリフロー工程では、第１電子部品３と基板２とで複合層１０が挟まれた状態で、基板２をリフロー炉に入れて加熱する。これにより、複合層１０のはんだ部１２を溶融させて、図３Ｄに示すように、インタフェース３ｂとはんだ部１２との接合部Ｍ（はんだ継手）を形成する。本明細書では、複合シートリフロー工程における最高温度をＴｒと表す。Ｔｒは、例えば１５０〜１８０℃である。なお、図３Ｄではインタフェース３ｂの形状が変化しているが、インタフェース３ｂがリードフレームである場合にはインタフェース３ｂの形状が変化しなくてもよい。
なお、図３Ａ〜図３Ｄでは第１電子部品３の実装工程を示しているが第２電子部品４についても同様のシート載置工程及び電子部品載置工程を実施し、複合シートリフロー工程については第１電子部品３と同時に行えばよい。

また、複合シートリフロー工程では、樹脂部１１も加熱されて、ある程度流動可能な状態となる。このため、接合部Ｍを取り囲むように樹脂部１１の形状も変化する。
複合シートリフロー工程の後で冷却工程を行うことで、接合部Ｍおよび樹脂部１１が硬化され、各々の形状が安定する。このとき、樹脂部１１がアンダーフィルとなり、樹脂部１１によって第１電子部品３と基板２とが接着固定されて、電子基板Ｓが得られる。

以上説明したように、本実施形態の電子基板の製造方法は、はんだ部１２および樹脂部１１を含む複合層１０を有する複合シート１Ａを準備するシート準備工程と、複合層１０を基板２上に載置するシート載置工程と、第１電子部品３を複合層１０に載置する電子部品載置工程と、複合層１０のはんだ部１２が溶融する温度まで加熱する複合シートリフロー工程と、を有している。そして、複合シートリフロー工程では、はんだ部１２と第１電子部品３のインタフェース３ｂとが接合して接合部Ｍが形成されるとともに、樹脂部１１によって第１電子部品３の本体部３ａと基板２とが接着される。したがって、接合部Ｍとアンダーフィルとを別々の工程で形成する必要がなくなり、電子部品３と基板２との接合強度を高めた電子基板Ｓを、より効率よく製造することができる。
また本実施形態を用いれば、複合シート１Ａの複合層１０の厚みやはんだ部１２のはんだの量を最適化することで接合部Ｍを隙間なく覆うことができ、確実に接合部Ｍを補強することができる。

また、本実施形態の複合シート１Ａは、樹脂部１１およびはんだ部１２を含む複合層１０を備えている。この複合シート１Ａを用いることで、上記した電子基板の製造方法を実行することができる。
また、複合シート１Ａは、複合層１０の上面を覆う第１カバーフィルム２０と、複合層１０の下面を覆う第２カバーフィルム３０と、を備えていてもよい。この構成により、樹脂部１１が粘着性を有していたとしても、複合シート１Ａを容易に流通、保管することができる。あるいは、はんだ部１２に揮発性の物質（フラックスなど）が含まれていたとしても、複合シート１Ａを流通、保管している際に、当該揮発性の物質が揮発することを抑制できる。この観点では、カバーフィルム２０、３０は、通気性の低い材質により形成されていることが好ましい。

（第２実施形態）
次に、本発明に係る第２実施形態について説明するが、第２第１実施形態と基本的な構成は同様である。このため、同様の構成には同一の符号を付してその説明は省略し、異なる点についてのみ説明する。

本実施形態は、シート載置工程および電子部品載置工程の前に、以下に説明する予備実装工程を含む点で第１実施形態と異なる。

（予備実装工程）
予備実装工程では、シート載置工程および電子部品載置工程の前に、第２電子部品４を基板２上にあらかじめ実装する。このため、図４Ａに示すように、第１電子部品３を実装する前に基板２上に第２電子部品４が実装された状態となる。第２電子部品４は、接合部Ｍ（はんだ継手）によって、基板２の電極２ｂに電気的に接続されている。予備実装工程においては、第２電子部品４はリフローはんだ付で基板２に実装されることが好ましい。また第２電子部品４をリフローはんだ付で基板２に実装する方法としては、上記第１実施形態に示した方法を用いてもよいし、はんだペーストを基板２の電極２ｂ上に塗布してリフローするなどの既存の方法を用いてもよい。

本実施形態では、図４Ａ〜４Ｄに示すように、基板２に第２電子部品４が予め実装された状態で、第１電子部品３を実装するための各工程が行われる。
第１電子部品３を実装するためのシート準備工程、シート載置工程、電子部品載置工程、及び複合シートリフロー工程については、第１実施形態と同様である。

本実施形態は、例えば第１電子部品３が比較的高価又は入手が比較的困難であり、第２電子部品４が比較的安価又は入手が比較的容易である場合に好適である。比較的安価又は入手が比較的容易な第２電子部品４を予め基板２に実装しておき、電子基板Sの需要に合わせて、第１電子部品３を実装することが可能となるためである。また、第２電子部品４と基板２との間にアンダーフィルを設ける必要がない場合や、当該アンダーフィルの信頼性が、第１電子部品３と基板２との間のアンダーフィルの信頼性より低くてもよい場合にも好適である。

本実施形態では、複合層１０のはんだ部１２のはんだ合金の融点をＴ１、第２電子部品４のリフローはんだ付に用いられるはんだ合金の融点をＴ２とすると、Ｔ２はＴ１よりも高い（Ｔ２＞Ｔ１）ことが好ましい。例えば、複合シート１Ａのはんだ部１２に、第１実施形態で説明したようなＴ１が１５０℃以下の低融点はんだ合金を用いる場合、Ｔ２は１８０℃程度であることが好ましい。第２電子部品４のリフローはんだ付に用いられるはんだ合金として、Ｔ１よりも融点が高いはんだ合金を選択することで、複合シートリフロー工程で第２電子部品４の接合部Ｍ（はんだ継手）が再溶融することを防ぐことができる。

さらにその場合、複合シートリフロー工程における最高温度ＴｒはＴ１＜Ｔｒ＜Ｔ２の関係を満たし、複合シートリフロー工程中に第２電子部品４の接合部Ｍが溶融しない温度であることが望ましい。Ｔｒがこの温度域であれば、複合シートリフロー工程中に第２電子部品４のはんだ接合が不安定となることを抑制できる。
なお、予備実装工程に含まれるリフロー工程における最高温度をＴｐと表すと、予備実装工程に含まれるリフロー工程の最高温度ＴｐはＴ２以上であり、例えばＴｐは１９０℃以上であることが挙げられる。整理すると、Ｔ１＜Ｔｒ＜Ｔ２＜Ｔｐであることが好ましい。

以上説明したように、本実施形態の電子基板の製造方法は、基板２にあらかじめリフローはんだ付けによって第２電子部品４を実装し、第２電子部品４と基板２とを接合するはんだ合金の融点Ｔ２は、複合シート１Ａのはんだ部１２のはんだ合金の融点Ｔ１よりも高い。この構成により、上述のように、第１電子部品３および第２電子部品４を別々の工程で基板２に実装したとしても、電子基板Sの信頼性を確保することができる。

また、本実施形態によれば、基板２と、基板２にリフローはんだ付で実装された第１電子部品３と、基板２にリフローはんだ付で実装された第２電子部品４と、少なくとも第１電子部品３と基板２との間に充填されたアンダーフィルと、を備えた電子基板Ｓが得られる。そして、第２電子部品４と基板２とを接合するはんだ合金の融点Ｔ２が、第１電子部品３と基板２とを接合するはんだ合金の融点Ｔ１よりも高いことで、上述の通り複合シートリフロー工程で第２電子部品４の接合部Ｍ（はんだ継手）が再溶融することを抑制した電子基板Ｓが得られる。

（第３実施形態）
次に、本発明に係る第３実施形態について説明するが、第１実施形態と基本的な構成は同様である。このため、同様の構成には同一の符号を付してその説明は省略し、異なる点についてのみ説明する。

図５Ａ、５Ｂに示すように、本実施形態の複合シート１Ｂでは、樹脂部１１に空隙１１ａおよび接続部１１ｂが形成されている。空隙１１ａは、複合層１０の上面から下方に向けて窪む凹部であり、平面視で十字形に形成されている。接続部１１ｂは空隙１１ａの下方に設けられている。換言すると、接続部１１ｂは空隙１１ａの下方を閉塞している。接続部１１ｂは、一部のはんだ部１２の下端部を保持している。

本実施形態の複合シート１Ｂも、第１実施形態の複合シート１Ａと同様に用いることができる。また、複合シート１Ｂを用いた場合には、電子部品３の本体部３ａの角部に選択的にアンダーフィルを設ける（いわゆるコーナーボンドを施す）ことが、簡易な製造方法で実現できる。さらに、第１電子部品３がＢＧＡである場合に、コーナーボンドを施しつつ、第１電子部品３の中央部のインタフェース３ｂも基板２の電極２ｂに接続することができる。

第１〜第３実施形態は、樹脂部１１が、平面視で少なくとも第１電子部品３の４つの角部に対応する基板２上の位置を覆う形状となっている点で共通している。
ただし、第３実施形態では、樹脂部１１が平面視で第１電子部品３の４つの角部に対応する基板２上の位置以外の部分に空隙１１ａを有している点で、第１、第２実施形態と異なっている。

なお、図５Ａでは、複合層１０の４つの角部に、樹脂部１１およびはんだ部１２により構成された略正方形の領域（空隙１１ａを除く部分）が設けられている。しかしながら、４つの角部に設けられる領域の形状は適宜変更可能であり、例えば三角形状などであってもよい。この場合、空隙１１ａは平面視で十字形であるとは限らない。

なお、本発明の技術的範囲は前記実施の形態に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。

例えば、前記第１〜第３実施形態でははんだ部１２が円柱状であったが、はんだ部１２の形状を適宜変更してもよい。
例えば図６Ａに示す複合シート１Ｃのように、はんだ部１２の幅または断面積が、下方に向かうに従って漸次小さくなっていてもよい。あるいは、はんだ部１２の幅または断面積が、上方に向かうに従って漸次小さくなっていてもよい。
また、例えば図６Ｂに示す複合シート１Ｄのように、はんだ部１２の上部の幅または断面積が下方に向かうに従って漸次小さくなり、はんだ部１２の下部の幅または断面積が下方に向かうに従って漸次大きくなっていてもよい。

また、例えば図６Ｃに示す複合シート１Ｅのように、はんだ部１２の上部の幅または断面積が、はんだ部１２の下部の幅または断面積よりも大きくてもよい。あるいは、はんだ部１２の上部の幅または断面積が、はんだ部１２の下部の幅または断面積よりも小さくてもよい。
また、１つの複合層１０に含まれる複数のはんだ部１２同士の形状を互いに異ならせて、図６Ａ〜６Ｃに示す形態を組み合わせてもよい。
これらのように、複合層１０の厚さ方向（上下方向Ｚ）に沿う断面視において、はんだ部１２の幅または断面積を厚さ方向に沿って変化させることで、複合層１０におけるはんだ部１２と樹脂部１１との体積比を容易に調整することができる。

また、前記第３実施形態では、１つの複合シート１Ｂに空隙１１ａを形成することで、第１電子部品３にコーナーボンドを施した。しかしながら、第１電子部品３の本体部３ａよりも面積の小さい４枚の複合シート１Ａを用いて、コーナーボンドを施しても良い。この場合、シート準備工程では、本体部３ａよりも平面視における面積の小さい４枚の複合シート１Ａを用意する。シート載置工程では、図７Ａに示すように、基板２における本体部３ａの４つの角部に対応する位置に、４枚の複合シート１Ａの各複合層１０を載置する。そして電子部品載置工程では、第１電子部品３の４つの角部を、各複合層１０上にそれぞれ載置する。

また、図７Ｂに示すように、第１電子部品３の角部だけでなく、各辺の中央付近に対応する位置に複合層１０を配置してもよい。この場合、複合シート１Ａを用いた樹脂部１１の充填箇所は８か所になる。
なお、図７Ｂでは第１電子部品３の全ての辺の中央部に対応する位置に複合層１０を配置したが、一部の辺の中央部に対応する位置にのみ複合層１０を配置してもよい。また、第１電子部品３の１つの辺に対応する位置に、複数の複合層１０を並べて配置してもよい。つまり、複合層１０の数は４箇所（図７Ａ）または８箇所（図７Ｂ）に限られず、５〜７箇所あるいは９箇所以上であってもよい。

つまり、少なくとも４つの独立した複合層１０を有するように複合シート１Ａを準備し、第１電子部品３の４つの角部に対応する基板２上の位置に、各複合層１０を載置してもよい。このような方法でも、第１電子部品３にコーナーボンドを施すことができる。なお、図７Ａ、図７Ｂではシート載置工程の後に電子部品載置工程を行っているが、この順番を逆にしてもよい。つまり、複数の複合層１０を第１電子部品３の下面に設けてから、当該第１電子部品３を基板２上に載置してもよい。

また、複合層１０の形状を適宜変更してもよい。例えば図７Ｃに示すように、三角形状の複合層１０を、第１電子部品３の４つの角部に対応する位置に配置してもよい。また、複合層１０を四角形または三角形以外の形状としてもよい。

その他、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、上記した実施の形態における構成要素を周知の構成要素に置き換えることは適宜可能であり、また、上記した実施形態や変形例を適宜組み合わせてもよい。

１Ａ〜１Ｆ…複合シート ２…基板 ３…第１電子部品 ４…第２電子部品 １０…複合層 １１…樹脂部 １１ａ…空隙 １２…はんだ部 ２０…第１カバーフィルム ３０…第２カバーフィルム

Claims (11)

1. はんだ部および樹脂部を含む複合層を有する複合シートを準備する工程と、
   前記複合層を基板上に載置する工程と、
   第１電子部品を前記複合層上に載置する工程と、
   リフロー炉内で前記複合層の前記はんだ部が溶融する温度まで加熱する工程と、を有する、
   電子基板の製造方法。
2. 前記基板には、あらかじめリフローはんだ付けによって第２電子部品が実装されており、
   前記第２電子部品と前記基板とを接合するはんだ合金の融点Ｔ２は、前記はんだ部のはんだ合金の融点Ｔ１よりも高い、請求項１に記載の電子基板の製造方法。
3. 前記複合層のはんだ部を溶融させる際の最高温度Ｔｒは前記Ｔ１よりも高く前記Ｔ２よりも低い、請求項２に記載の電子基板の製造方法。
4. 前記樹脂部が平面視で少なくとも前記第１電子部品の４つの角部に対応する前記基板上の位置を覆う形状である、請求項１から３のいずれか１項に記載の電子基板の製造方法。
5. 前記樹脂部が平面視で前記４つの角部に対応する前記基板上の位置以外の部分に空隙を有する、請求項４に記載の電子基板の製造方法。
6. 少なくとも４つの独立した前記複合層を有するように前記複合シートが準備され、
   前記第１電子部品の４つの角部に対応する前記基板上の位置に前記各複合層を載置する、請求項４に記載の電子基板の製造方法。
7. 電子部品の基板への実装に用いられる複合シートであって、
   樹脂部およびはんだ部を含む複合層を備える、複合シート。
8. 前記複合層の上面を覆う第１カバーフィルムと、
   前記複合層の下面を覆う第２カバーフィルムと、を備える、請求項７に記載の複合シート。
9. 前記複合層の厚さ方向に沿う断面視において、
   前記はんだ部の幅が、前記厚さ方向に沿って変化している、請求項７または８に記載の複合シート。
10. 前記はんだ部が、前記複合層の上面および下面に露出している、請求項７から９のいずれか１項に記載の複合シート。
11. 基板と、
    前記基板にリフローはんだ付で実装された第１電子部品と、
    前記基板にリフローはんだ付で実装された第２電子部品と、
    少なくとも前記第１電子部品と前記基板との間に充填されたアンダーフィルと、を備え、
    前記第２電子部品と前記基板とを接合するはんだ合金の融点Ｔ２は、前記第１電子部品と前記基板とを接合するはんだ合金の融点Ｔ１よりも高い、電子基板。

Images