JP2020084310A - 薄膜製造方法、対向ターゲット式スパッタリング装置 - Google Patents
薄膜製造方法、対向ターゲット式スパッタリング装置 Download PDFInfo
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Description
アノード電極を工夫した発明は下記の公報に記載されている。
また、本発明は、前記スパッタ空間に導入されるスパッタリングガスには、酸素ガスと窒素ガスのうちのいずれか一方のガスから成り又は両方のガスから成る添加ガスと希ガスとを含有させ、前記第一、第二のターゲットのスパッタリングを開始して、前記第一、第二のターゲットの表面に露出する金属原子と前記添加ガスとの反応生成物の薄膜を前記基板の表面に前記所定膜厚に成長させる薄膜製造方法である。
また、本発明は、前記第一、第二のターゲットは同じ材料であり、前記第一、第二のターゲットは酸化アルミニウムと金属アルミニウムのうちのいずれか一方を用い、形成される前記薄膜は酸化アルミニウム薄膜であり、形成される前記酸化アルミニウム薄膜が4nm以上6nm以下の厚みに形成された後、前記アノード電極と接地電位との間を、前記高インピーダンス値で接続する薄膜製造方法である。
また、本発明は、離間して互いに対向配置された第一、第二のターゲットと、前記第一、第二のターゲットに交流電圧であるスパッタリング電圧を印加する交流電源と、前記第一、第二のターゲットの間のスパッタ空間が内部に配置され、二個の開口を有する筒形形状を前記第一、第二のターゲットと共に構成するスパッタ槽と、前記スパッタ空間の側方であって、二個の前記開口のうちの一方の前記開口と対面する位置の成膜空間が配置される成膜槽と、前記スパッタ空間の側方であって、他方の開口と対面する位置に配置されたアノード電極と、前記アノード電極を接地電位に電気的に接続する切替装置と、を有し、前記切替装置は、前記スパッタリング電圧の周波数において、前記アノード電極と前記接地電位との間を低インピーダンスで接続する低インピーダンス装置と高インピーダンスで接続する高インピーダンス装置とを有し、前記第一、第二のターゲットをスパッタリングして前記成膜槽内に配置された基板に薄膜を形成するスパッタリング装置である。
また、本発明は、前記低インピーダンス装置は、リアクタンス値を変更可能で、前記リアクタンス値を変更することで共振周波数の値を変更可能なLC直列接続回路であり、前記LC直列接続回路のリアクタンス値を制御する制御装置を有するスパッタリング装置である。
また、本発明は、第一のインダクタンス素子と、前記制御装置によってキャパシタンス値が変更される第一のキャパシタンス素子とを有し、前記第一のインダクタンス素子と前記第一のキャパシタンス素子とが直列接続されて前記LC直列接続回路が構成され、前記第一のキャパシタンス素子の変更可能なキャパシタンス値には、前記スパッタリング電圧の周波数において前記LC直列接続回路を直列共振させる値が含まれるスパッタリング装置である。
また、本発明は、前記第一のインダクタンス素子に並列接続された第二のキャパシタンス素子を有し、前記高インピーダンス装置は前記第二のキャパシタンス素子と前記第一のインダクタンス素子とが並列接続された第一のLC並列接続回路であり、前記第二のキャパシタンス素子は前記制御装置によってキャパシタンス値が変更可能であり、前記第二のキャパシタンス素子の変更可能なキャパシタンス値の範囲には、前記スパッタリング電圧の周波数において前記第一のLC並列接続回路を並列共振させる値が含まれているスパッタリング装置である。
また、本発明は、前記第一のインダクタンス素子に並列接続された第二のキャパシタンス素子を有し、前記高インピーダンス装置は前記第二のキャパシタンス素子と前記第一のインダクタンス素子とが並列接続された第一のLC並列接続回路であり、前記第一のLC並列接続回路は前記スパッタリング電圧の周波数において並列共振にされたスパッタリング装置。
また、本発明は、前記一のキャパシタンス素子に並列接続された第二のインダクタンス素子を有し、前記高インピーダンス装置は前記第一のキャパシタンス素子と前記第二のインダクタンス素子とが並列接続された第二のLC並列接続回路であり、前記第一のキャパシタンス素子の変更可能なキャパシタンス値の範囲には、前記第二のLC並列接続回路を並列共振させる値が含まれているスパッタリング装置である。
また、本発明は、前記第一、第二のターゲットは同じ材料であり、酸化アルミニウムと金属アルミニウムのうちのいずれか一方であり、スパッタリングガス中には酸素が含有され、形成される前記薄膜は酸化アルミニウム薄膜であるスパッタリング装置である。
図1の符号2は本発明のスパッタリング装置であり、スパッタ槽14と成膜槽17とを有している。
成膜槽17は、槽間絶縁部材46を介してスパッタ槽14に取り付けられており、アノード電極15は、ターゲット側絶縁部材12a、12bを介して第一、第二のバッキングプレート42a、42bに取り付けられている。
スパッタ槽14または成膜槽17の一方又は両方にはガス源52が接続されており、また、スパッタ槽14または成膜槽17の一方又は両方には真空排気装置53が接続されている。真空排気装置53を動作させ、スパッタ槽14の内部と成膜槽17の内部とを真空排気して真空雰囲気を形成した後、真空雰囲気を維持しながら基板10を成膜槽17の内部に搬入し、スパッタ空間18と対面させる。ここでは基板10は基板ホルダ45に配置され静止されているが、上述したように移動させても良い。
アノード電極15とスパッタ槽14とを電気的に接続させないこともできる。
5a……第一のターゲット
5b……第二のターゲット
15……アノード電極
18……スパッタ空間
19……成膜空間
20……切替装置
211、212……LC並列接続回路
22……LC直列接続回路
31……スパッタ電源
34,35……開口
C1……第一のキャパシタンス素子
C2……第二のキャパシタンス素子
L1……第一のインダクタンス素子
L2……第二のインダクタンス素子
Claims (10)
- 離間して互いに対向配置された第一、第二のターゲットに交流電圧であるスパッタリング電圧をそれぞれ印加し、前記第一、第二のターゲットの間の空間であるスパッタ空間の側方に位置する基板表面に薄膜を形成する薄膜製造方法であって、
前記基板とは反対側の前記スパッタ空間の側方に配置されたアノード電極と接地電位の間を低インピーダンス値で接続して、前記第一、第二のターゲットのスパッタリングを開始して前記基板の表面に薄膜を成長させ、
前記薄膜が所定膜厚に形成された後、前記アノード電極と接地電位との間を、前記低インピーダンス値よりも大きな高インピーダンス値で接続し、前記第一、第二のターゲットをスパッタリングして前記薄膜を成長させる薄膜製造方法。 - 前記スパッタ空間に導入されるスパッタリングガスには、酸素ガスと窒素ガスのうちのいずれか一方のガスから成り又は両方のガスから成る添加ガスと希ガスとを含有させ、
前記第一、第二のターゲットのスパッタリングを開始して、前記第一、第二のターゲットの表面に露出する金属原子と前記添加ガスとの反応生成物の薄膜を前記基板の表面に前記所定膜厚に成長させる請求項1記載の薄膜製造方法。 - 前記第一、第二のターゲットは同じ材料であり、
前記第一、第二のターゲットは酸化アルミニウムと金属アルミニウムのうちのいずれか一方を用い、
形成される前記薄膜は酸化アルミニウム薄膜であり、
形成される前記酸化アルミニウム薄膜が4nm以上6nm以下の厚みに形成された後、前記アノード電極と接地電位との間を、前記高インピーダンス値で接続する請求項2記載の薄膜製造方法。 - 離間して互いに対向配置された第一、第二のターゲットと、
前記第一、第二のターゲットに交流電圧であるスパッタリング電圧を印加する交流電源と、
前記第一、第二のターゲットの間のスパッタ空間が内部に配置され、二個の開口を有する筒形形状を前記第一、第二のターゲットと共に構成するスパッタ槽と、
前記スパッタ空間の側方であって、二個の前記開口のうちの一方の前記開口と対面する位置の成膜空間が配置される成膜槽と、
前記スパッタ空間の側方であって、他方の開口と対面する位置に配置されたアノード電極と、
前記アノード電極を接地電位に電気的に接続する切替装置と、を有し、
前記切替装置は、前記スパッタリング電圧の周波数において、前記アノード電極と前記接地電位との間を低インピーダンスで接続する低インピーダンス装置と高インピーダンスで接続する高インピーダンス装置とを有し、前記第一、第二のターゲットをスパッタリングして前記成膜槽内に配置された基板に薄膜を形成するスパッタリング装置。 - 前記低インピーダンス装置は、リアクタンス値を変更可能で、前記リアクタンス値を変更することで共振周波数の値を変更可能なLC直列接続回路であり、
前記LC直列接続回路のリアクタンス値を制御する制御装置を有する請求項4記載のスパッタリング装置。 - 第一のインダクタンス素子と、前記制御装置によってキャパシタンス値が変更される第一のキャパシタンス素子とを有し、
前記第一のインダクタンス素子と前記第一のキャパシタンス素子とが直列接続されて前記LC直列接続回路が構成され、
前記第一のキャパシタンス素子の変更可能なキャパシタンス値には、前記スパッタリング電圧の周波数において前記LC直列接続回路を直列共振させる値が含まれる請求項5記載のスパッタリング装置。 - 前記第一のインダクタンス素子に並列接続された第二のキャパシタンス素子を有し、
前記高インピーダンス装置は前記第二のキャパシタンス素子と前記第一のインダクタンス素子とが並列接続された第一のLC並列接続回路であり、
前記第二のキャパシタンス素子は前記制御装置によってキャパシタンス値が変更可能であり、前記第二のキャパシタンス素子の変更可能なキャパシタンス値の範囲には、前記スパッタリング電圧の周波数において前記第一のLC並列接続回路を並列共振させる値が含まれている請求項6記載のスパッタリング装置。 - 前記第一のインダクタンス素子に並列接続された第二のキャパシタンス素子を有し、
前記高インピーダンス装置は前記第二のキャパシタンス素子と前記第一のインダクタンス素子とが並列接続された第一のLC並列接続回路であり、
前記第一のLC並列接続回路は前記スパッタリング電圧の周波数において並列共振にされた請求項6記載のスパッタリング装置。 - 前記一のキャパシタンス素子に並列接続された第二のインダクタンス素子を有し、
前記高インピーダンス装置は前記第一のキャパシタンス素子と前記第二のインダクタンス素子とが並列接続された第二のLC並列接続回路であり、前記第一のキャパシタンス素子の変更可能なキャパシタンス値の範囲には、前記第二のLC並列接続回路を並列共振させる値が含まれている請求項6記載のスパッタリング装置。 - 前記第一、第二のターゲットは同じ材料であり、酸化アルミニウムと金属アルミニウムのうちのいずれか一方であり、
スパッタリングガス中には酸素が含有され、
形成される前記薄膜は酸化アルミニウム薄膜である請求項4乃至請求項9のいずれか1項記載のスパッタリング装置。
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