JP2020064105A - 半導体装置、アクチュエータ検査装置、およびカメラモジュールの検査方法 - Google Patents

Abstract

【課題】カメラモジュールの検査工程に要する時間を短縮する。【解決手段】半導体装置５０は、光学式手振れ補正用の補正レンズ４１を移動させるアクチュエータ４２を駆動制御する。半導体装置５０において、ドライバ５４は、第１および第２の出力ノードＯＵＴ＿Ａ，ＯＵＴ＿Ｂを介してアクチュエータ４２に供給する駆動電流を、制御電圧に基づいて生成する。電圧検出回路５５は、第１および第２の出力ノード間の電圧を検出する。ＤＡ変換器５３は、制御コードをＤＡ変換することによって制御電圧を生成する。信号処理回路５１は、検査工程において、制御コードを基準値に設定したときに電圧検出回路５５によって検出された電圧に基づいて、駆動電流を補正するための補正係数を算出する。【選択図】図４

Description

この開示は、半導体装置、アクチュエータ検査装置、およびカメラモジュールの検査方法に関し、たとえば、光学式手振れ補正を実装したカメラモジュールに関連するものである。

スマートフォンなどの携帯端末に搭載されたカメラモジュールでは、一般に、手振れの影響を抑制するために、光学式手振れ補正（ＯＩＳ：Optical Image Stabilizer）が実装されている。ＯＩＳとは、ジャイロセンサなどによって検出された手振れ情報に基づいて、補正レンズの位置を制御し、これによって手振れの影響を除去するものである。補正レンズを駆動するためのアクチュエータとして、たとえば、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ：Voice Coil Motor）が用いられる。

ＯＩＳ用の補正レンズの位置制御の方法として、クローズドループ（Closed Loop）制御とオープンループ（Open Loop）とがある（たとえば、特開２０１８−１２４５８２号公報（特許文献１）の背景技術を参照）。

クローズドループ制御では、補正レンズの位置を検出する位置検出器（たとえば、ホールセンサ）が設けられており、位置検出器による検出結果に基づいてアクチュエータが駆動される。これによって、補正レンズの位置がフィードバック制御される。一方、オープンループ制御では、補正レンズの位置を検出することなく、ジャイロセンサの出力に応じてアクチュエータが駆動される。小型化および低コスト化の目的のために、携帯端末に搭載されるカメラモジュールではオープンループ制御を採用する例が増えてきている。

特開２０１８−１２４５８２号公報

オープンループ制御では、一般に、アクチュエータは定電流駆動される。この場合、補正レンズの位置制御の精度を高めるために、ドライバからアクチュエータに出力される電流の絶対的な値の精度を保証しなければならない。

ところが、ドライバおよびアクチュエータの個体差に起因した特性ばらつきのために必然的にドライバの出力電流もばらつくので、ドライバ出力電流の絶対的な値を保証するのは困難であった。その結果、従来技術ではＯＩＳの性能保証のために、カメラモジュールの検査工程において手振れに対するＯＩＳの補正感度を個別に調整しており、その調整に時間を要していた。

その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

一実施形態による半導体装置は、光学式手振れ補正用の補正レンズを移動させるアクチュエータと接続され、このアクチュエータに駆動電流を供給するドライバと、ドライバの出力電圧を検出する電圧検出回路とを備える。検査工程において、基準入力に対して検出されたドライバの出力電圧に基づいて駆動電流の補正係数が算出される。

上記の実施形態によれば、カメラモジュールの検査工程に要する時間を短縮することができる。

カメラモジュールが搭載された携帯端末のうち、ＯＩＳに関係する部分を模式的に示すブロック図である。 図１の変形例としてのカメラモジュールおよび携帯端末の構成を示すブロック図である。 図１の他の変形例としてのカメラモジュールおよび携帯端末の構成を示すブロック図である。 図１のＯＩＳ−ＩＣの構成の一例を模式的に示すブロック図である。 図４のＯＩＳ−ＩＣを構成するドライバおよび出力電圧検出回路の詳細な構成例を示す回路図である。 ドライバのプリアンプの構成の一例を模式的に示す回路図である。 図４のＯＩＳ−ＩＣの電流ゲインの補正手順を示すフローチャートである。 アクチュエータ検査装置の構成の一例を示すブロック図である。 アクチュエータおよびカメラモジュールの検査手順を示すフローチャートである。 加振装置を用いた手振れ補正性能の検査方法を説明するための模式図である。 第２の実施形態のＯＩＳ−ＩＣの構成を示す回路図である。 ＤＡＣの設定値とドライバの出力電圧との関係を示す図である。 ＶＣＭのコイルがオープンであることを検出する手順を示すフローチャートである。 ＶＣＭのコイルがショートであることを検出する手順を示すフローチャートである。

以下、各実施形態について図面を参照して詳しく説明する。以下では、携帯端末に搭載されたカメラモジュールを例に挙げて説明するが、この開示の技術は携帯端末に限らず、カメラモジュールを実装した他の携帯型電子機器に適用可能であるし、カメラ専用機にも適用可能である。また、以下では、アクチュエータとしてスプリングリターン方式のＶＣＭを例に挙げて説明するが、この開示の技術は、電流駆動によってオープンループ制御が可能な他の方式のアクチュエータにも適用可能である。

なお、以下の説明において、同一または相当する部分には同一の参照符号を付して、その説明を繰り返さない場合がある。

＜第１の実施形態＞
［携帯端末の全体構成］
図１は、カメラモジュールが搭載された携帯端末のうち、ＯＩＳに関係する部分を模式的に示すブロック図である。図１では、携帯端末３０のうちＯＩＳに関係しない部分については図示を省略している。

図１を参照して、携帯端末３０は、カメラモジュール４０と、メイン基板３１上に実装されたアプリケーションプロセッサ３２とを含む。アプリケーションプロセッサ３２は、携帯端末３０において、通信および通話以外の処理を行う。アプリケーションプロセッサ３２は、イメージシグナルプロセッサとしての機能を含む。

たとえば、アプリケーションプロセッサ３２は、ＭＩＰＩ（Mobile Industry Processor Interface）規格に従う高速バスを介して、カメラモジュール４０からイメージ信号を取り込み、種々の画像処理を行う。また、アプリケーションプロセッサ３２は、Ｉ２Ｃバスを介してカメラモジュール４０に制御信号を出力することにより、カメラモジュール４０の動作を制御する。制御信号は、たとえば、イネーブル信号、ディスエイブル信号、レジスタの設定データなどを含む。

カメラモジュール４０は、補正レンズ４１を含む光学系と、イメージセンサ４３と、アクチュエータ４２とを含む。これらは筐体４８の内部に実装されている。

光学系は、複数の光学レンズ（不図示）を含み、これらの光学レンズによって被写体をイメージセンサ４３の上に結像させる。光学系は、さらに補正レンズ４１を含む。補正レンズ４１は、光軸にほぼ垂直な面内で２方向に移動可能である。この明細書では、概ね上下方向の回転方向をピッチ方向といい、概ね左右方向の回転方向をヨー方向という。以下の説明では、誤解のない限り、上下方向に代えてピッチ方向と称し、左右方向に代えてヨー方向と称する場合がある。

イメージセンサ４３は、被写体の光学像を電気信号に変換する。イメージセンサ４３は、たとえば、ＣＭＯＳイメージセンサ（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Image Sensor）を含む。イメージセンサ４３は、ＣＣＤ（Charge-Coupled Device）など他の種類のイメージセンサであってもよい。

アクチュエータ４２は、補正レンズ４１をピッチ方向およびヨー方向に駆動する。具体的に、アクチュエータ４２は、後述するジャイロセンサ４６によって検出された手振れを打ち消す方向に補正レンズ４１を駆動する。アクチュエータ４２として、制御対象である補正レンズの位置をオープンループ制御可能な電流駆動方式のものが使用される。具体的に本実施形態では、アクチュエータ４２として、スプリングリターン方式のＶＣＭが用いられる。ＶＣＭの詳細については後述する。

さらに、カメラモジュール４０は、制御用のプリント基板４５を含む。プリント基板４５上には、ジャイロセンサ４６と、不揮発性メモリ４７と、ＯＩＳ用のコントローラＩＣ（Integrated Circuit）５０とが実装されている。

ジャイロセンサ４６は、角速度センサとも称し、手振れを検出するために設けられている。ジャイロセンサ４６は、少なくともピッチ方向およびヨー方向の２方向の角速度を検出可能である。

不揮発性メモリ４７は、カメラモジュール４０の制御に必要な各種のパラメータを格納する。たとえば、不揮発性メモリ４７は、オートフォーカスの実行に必要なパラメータ、ＯＩＳの実行に必要なパラメータなどを格納する。不揮発性メモリ４７として、たとえば、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）またはフラッシュメモリまたはＭＲＡＭ（Magnetoresistive Random Access Memory）などが利用される。なお、不揮発性メモリ４７は、カメラモジュール４０の筐体４８の内部に設けられていてもよい。

コントローラＩＣ５０は、ＯＩＳ全般の制御のために設けられている。たとえば、コントローラＩＣ５０は、ジャイロセンサ４６の出力に基づいて、アクチュエータ４２に供給する駆動電流を制御する。以下では、コントローラＩＣをＯＩＳ−ＩＣとも記載する。ＯＩＳ−ＩＣ５０の詳細な構成は、図４〜図６で説明する。

図２は、図１の変形例としてのカメラモジュールおよび携帯端末の構成を示すブロック図である。

図２を参照して、最近のスマートフォンなどの携帯端末３０Ａでは、３軸加速度センサと３軸のジャイロセンサとを組み合わせたモーションセンサ３３と呼ばれるセンサが、メインボード上に実装される場合が多い。モーションセンサ３３によってあらゆる方向への移動、回転、および傾きなどを検知することができる。

このような構成の携帯端末３０Ａでは、カメラモジュール４０にジャイロセンサ４６を設ける必要がない。カメラモジュール４０のＯＩＳ−ＩＣ５０は、モーションセンサ３３に含まれるジャイロセンサ４６の出力信号をＩ２Ｃバスを介して受信し、受信したジャイロセンサ４６の出力信号に基づいて補正レンズ４１の位置制御を行う。

図２のその他の構成は図１の場合と同様であるので、同一または相当する部分には同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。

図３は、図１の他の変形例としてのカメラモジュールおよび携帯端末の構成を示すブロック図である。

図３の携帯端末３０Ｂは、メイン基板３１にモーションセンサ３３とＯＩＳ−ＩＣ５０とが設けられており、カメラモジュール４０のプリント基板４５にはジャイロセンサ４６およびＯＩＳ−ＩＣ５０が設けられていない点で、図１の携帯端末３０と異なる。この構成の場合、図３に示すように、不揮発性メモリ４７を筐体４８の内部に取り込むことによって、カメラモジュール４０をよりコンパクトかつ低価格に構成することができる。

メイン基板３１に設けられたＯＩＳ−ＩＣ５０は、Ｉ２Ｃバスを介してカメラモジュール４０のアクチュエータ４２と接続される。

ＯＩＳ−ＩＣ５０は、モーションセンサ３３に含まれるジャイロセンサ４６の出力信号に基づいて、アクチュエータ４２を動作させるための制御信号を生成し、生成した信号をＩ２Ｃバスを介してアクチュエータ４２に出力する。アクチュエータ４２は、ＯＩＳ−ＩＣ５０から受信した制御信号に基づいて、補正レンズ４１の位置を制御する。

図３のその他の構成は図１の場合と同様であるので、同一または相当する部分には同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。

［ＯＩＳ−ＩＣの構成］
図４は、図１のＯＩＳ−ＩＣの構成の一例を模式的に示すブロック図である。図４では、ＯＩＳ−ＩＣ５０との接続関係を明確にするために、図１のカメラモジュール４０に含まれる他の構成要素およびアプリケーションプロセッサ３２も示されている。前述のように、アプリケーションプロセッサ３２は、カメラモジュール４０とＩ２Ｃバス５２を介して接続される。

なお、図２および図３の携帯端末３０Ａ，３０ＢにおけるＯＩＳ−ＩＣ５０の構成も、図４と同様である。前述のように、図２の携帯端末３０Ａの場合には、ジャイロセンサ４６は、カメラモジュール４０の内部ではなく、メイン基板３１に設けられている。図３の携帯端末３０Ｂの場合には、ＯＩＳ−ＩＣ５０も、カメラモジュール４０の内部ではなく、メイン基板３１に設けられている。

図４を参照して、アクチュエータ４２は、スプリングリターン機構付きのムービングマグネット型のボイスコイルモータ（ＶＣＭ）として構成される。具体的に、アクチュエータ４２は、補正レンズ４１に取り付けられた永久磁石７１と、永久磁石７１を直線方向に動かすための磁界を発生するコイル７０およびヨーク（不図示）と、永久磁石７１を原点（メカセンターとも称する）の位置に戻すためのスプリングとを含む。この構成によれば、コイル７０に流す電流の方向に応じて、原点（すなわち、メカセンター）を中心に両方向に永久磁石７１を動かすことできる。そして、コイル電流による電磁力とスプリングによる力学的な力が釣り合った位置に永久磁石７１（すなわち、補正レンズ４１）の位置を制御することができる。

アクチュエータ４２を構成するＶＣＭのコイル７０の両端は、ＯＩＳ−ＩＣ５０の出力ノードＯＵＴ＿Ａ，ＯＵＴ＿Ｂにそれぞれ接続される。ＯＩＳ−ＩＣ５０から出力ノードＯＵＴ＿Ａ，ＯＵＴ＿Ｂを介してコイル７０に電流が供給されることによって磁界が発生し、これによって補正レンズ４１が移動する。

なお、アクチュエータ４２は、ムービングコイル型のボイスコイルモータとして構成することも可能であるし、電流駆動型の他の方式のアクチュエータとして構成されていてもよい。

ＯＩＳ−ＩＣ５０は、ＤＡ変換器（ＤＡＣ：Digital to Analog Converter）５３と、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ：Digital Signal Processor）５１と、ドライバ５４と、出力ノードＯＵＴ＿Ａ，ＯＵＴ＿Ｂと、出力電圧検出回路５５とを含む。

ＤＡＣ５３は、ＤＳＰ５１から入力されたデジタル値に比例したアナログ電圧を出力する。たとえば、ＤＡＣ５３に入力されるデジタル値が最小値（＝０）のときＤＡＣ５３から出力されるアナログ電圧は０［Ｖ］であり、ＤＡＣ５３に入力されるデジタル値が最大値（＝Ｎｍａｘ）のときＤＡＣ５３から出力されるアナログ電圧は電源電圧ＶＤＤである。

以下、ＤＡＣ５３に入力されるデジタル値を「コード」または「ＤＡＣコード」または「制御コード」と称する。ＤＡＣ５３から出力されるアナログ電圧を「ＤＡＣ電圧」または「制御電圧」と称する。

ＤＳＰ５１は、ＯＩＳに関する種々の信号処理をリアルタイムで行うための専用のマイクロプロセッサである。ＤＳＰ５１は、Ｉ２Ｃバス５２を介して、アプリケーションプロセッサ３２および不揮発性メモリ４７と接続される。

さらに、ＤＳＰ５１は、ジャイロセンサ４６の出力信号および出力電圧検出回路５５の出力信号を受ける。さらに、ＤＳＰ５１は、ＤＡＣ５３からのアナログ出力電圧値に対応するデジタル値を出力する。

具体的に、ＤＳＰ５１は、ジャイロセンサ４６から出力された手振れ量に関する信号を取り込んで、補正レンズ４１の位置の補正量を算出する。ＤＳＰ５１は、算出した補正量に応じた値のＤＡＣコードを、ＤＡＣ５３に出力する。このＤＡＣコードの値に応じて、アクチュエータ４２のコイル７０に流れるコイル電流の値を決まる。

なお、後述するように、ＤＳＰ５１から出力されるＤＡＣコードの値は、アクチュエータ４２の電流ゲインの補正係数の値に応じて調整される。この補正係数は、カメラモジュール４０を検査工程において、出力電圧検出回路５５によって検出された電圧値に基づいて算出される。

ドライバ５４は、ＤＡＣ電圧の値に応じた大きさのコイル電流Ｉｃを、出力ノードＯＵＴ＿Ａ，ＯＵＴ＿Ｂを介してＶＣＭのコイル７０に供給する。このとき、ドライバ５４は、センス抵抗に生じる電圧に基づいてコイル電流Ｉｃが一定になるようにフィードバック制御している。

たとえば、ＤＡＣコードが最大値（＝Ｎｍａｘ）のとき、ＤＡＣ電圧は電源電圧ＶＤＤであり、このときのコイル電流Ｉｃを＋Ｉｍａｘ［Ａ］とする。ＤＡＣコードが最小値（＝０）のとき、ＤＡＣ電圧は０［Ｖ］であり、このときのコイル電流Ｉｃは−Ｉｍａｘ［Ａ］である。ＤＡＣコードが中間値（＝Ｎ０）のとき、ＤＡＣ電圧はＶＤＤ／２であり、このときのコイル電流Ｉｃは０［Ａ］である。たとえば、ＤＡＣコードの最大値Ｎｍａｘを２０４７とすれば、中間値Ｎ０は１０２３である。

本開示において、ＤＡＣコードＮと中間値Ｎ０との差分（Ｎ−Ｎ０）に対するコイル電流Ｉｃの倍率を電流ゲインＫと称する。すなわち、コイル電流Ｉｃは、Ｋ×（Ｎ−Ｎ０）で計算することができる。

出力電圧検出回路５５は、出力ノードＯＵＴ＿Ａと出力ノードＯＵＴ＿Ｂとの間の電位差、すなわち、ドライバ５４の出力電圧を検出する。検出したドライバ５４の出力電圧の値は、ＤＳＰ５１に出力される。出力電圧検出回路５５によって検出された電圧は、アクチュエータ４２の検査工程において、上述の電流ゲインの補正係数を算出するために用いられる。電流ゲインの補正係数の算出方法の詳細については、図７〜図９を参照して後述する。

なお、図４では、図解を容易にするために、補正レンズ４１を駆動するためのアクチュエータ４２が１個のみ示されている。しかし、実際には、図５に示すように、ピッチ方向用のアクチュエータ（図５の４２Ｐ）とヨー方向用のアクチュエータ（図５の４２Ｙ）との２個が設けられている。さらに、２個のアクチュエータ４２Ｐ，４２Ｙにそれぞれ対応して、ＤＡＣ５３、ドライバ５４、および出力電圧検出回路５５も２個ずつ設けられる。

図５は、図４のＯＩＳ−ＩＣを構成するドライバおよび出力電圧検出回路の詳細な構成例を示す回路図である。

なお、図５では、ピッチ方向に補正レンズ４１を移動させるためのアクチュエータ４２Ｐと、ヨー方向に補正レンズ４１を移動させるためのアクチュエータ４２Ｙとの両方が示されている点に注意されたい。

したがって、図５では、ピッチ方向用のアクチュエータ４２Ｐを駆動するためのドライバ５４ＰおよびＤＡＣ５３Ｐと、ヨー方向用のアクチュエータ４２Ｙを駆動するためのドライバ５４ＹおよびＤＡＣ５３Ｙとが示されている。さらに、ドライバ５４Ｐの出力電圧を検出するための出力電圧検出回路５５Ｐと、ドライバ５４Ｙの出力電圧を検出するための出力電圧検出回路５５Ｙとが示されている。このように、この明細書では、ピッチ方向用のアクチュエータ４２Ｐに関係する場合には参照符号の末尾にＰを付し、ヨー方向用のアクチュエータ４２Ｐに関係する場合には参照符号の末尾にＹを付して区別する。

また、以下の説明では、記載を簡潔にするために、電源電圧ＶＤＤを与えるノードを電源ノードＶＤＤと記載し、接地電圧ＧＮＤを与えるノードを接地ノードＧＮＤと記載する場合がある。

図５を参照して、ドライバ５４Ｐは、Ｈブリッジ回路９０Ｐと、プリアンプ９１Ｐとを含む。

Ｈブリッジ回路９０Ｐは、ＰＭＯＳ（P-channel Metal Oxide Semiconductor）トランジスタＭ１，Ｍ２と、ＮＭＯＳ（N-channel Metal Oxide Semiconductor）トランジスタＭ３，Ｍ４とを含む。

ＰＭＯＳトランジスタＭ１とＮＭＯＳトランジスタＭ３とは、この順番で電源ノードＶＤＤと接地ノードＧＮＤとの間に直列に接続される。ＰＭＯＳトランジスタＭ１とＮＭＯＳトランジスタＭ３との接続ノードは、出力ノードＯＵＴ＿ＡＰと接続される。さらに、トランジスタＭ１およびＭ３の接続ノードと出力ノードＯＵＴ＿ＡＰとの間には、電流センス抵抗器Ｒ１が接続されている。

なお、電流センス抵抗器Ｒ１は、ＰＭＯＳトランジスタＭ１およびＰＭＯＳトランジスタＭ２の各ソースが共通に接続されるノードと電源ノードＶＤＤとの間に接続されていてもよい。もしくは、電流センス抵抗器Ｒ１は、ＮＭＯＳトランジスタＭ３およびＮＭＯＳトランジスタＭ４の各ソースが共通に接続されるノードと接地ノードＧＮＤとの間に接続されていてもよい。

ＰＭＯＳトランジスタＭ２とＮＭＯＳトランジスタＭ４とは、この順番で電源ノードＶＤＤと接地ノードＧＮＤとの間に直列に、かつ、ＰＭＯＳトランジスタＭ１およびＮＭＯＳトランジスタＭ３の直列接続と並列に接続される。ＰＭＯＳトランジスタＭ２とＮＭＯＳトランジスタＭ４との接続ノードは、出力ノードＯＵＴ＿ＢＰと接続される。

アクチュエータ４２Ｐを構成するＶＣＭのコイル７０Ｐは、上記の出力ノードＯＵＴ＿ＡＰと出力ノードＯＵＴ＿ＢＰとの間に接続される。すなわち、コイル７０Ｐは、ＰＭＯＳトランジスタＭ１とＮＭＯＳトランジスタＭ３との接続ノードと、ＰＭＯＳトランジスタＭ２とＮＭＯＳトランジスタＭ４の接続ノードとの間に接続される。

プリアンプ９１Ｐは、電流センス抵抗器Ｒ１によって検出されたコイル電流ＩｃがＤＡＣ５３Ｐから入力されたＤＡＣ電圧Ｖｄａｃに応じた大きさとなるように、トランジスタＭ１〜Ｍ４のゲート電圧を制御する。プリアンプ９１Ｐの構成の一例を次図６を参照して説明する。

図６は、ドライバのプリアンプの構成の一例を模式的に示す回路図である。図６には、プリアンプ９１と接続されるＨブリッジ回路９０、ＤＡＣ５３、および抵抗分圧回路９２なども示されている。なお、ピッチ方向制御用のドライバ５４Ｐの回路構成とヨー方向制御用のドライバ５４Ｙの回路構成とは同じであるので、図６では参照符号の末尾のＰ，Ｙを記載せずに、両者に共通するドライバ５４の構成として示している。

図６を参照して、プリアンプ９１は、差動アンプ（ＡＭＰ：Amplifier）１１０と、加算回路１１１と、フィードバック制御器１１２と、ボルテッジフォロワとして機能するバッファ１１３とを含む。

差動アンプ１１０は、電流センス抵抗器Ｒ１に生じた電圧を増幅する。言い替えると、差動アンプ１１０は、コイル電流Ｉｃに比例する電圧ｋ・Ｉｃ（ｋは比例係数）を出力する。

加算回路１１１は、差動アンプ１１０の出力電圧（すなわち、ｋ・Ｉｃ）に中間電圧Ｖｍｉｄを加算する。なお、中間電圧Ｖｍｉｄは、抵抗分圧回路９２から出力される電圧であり、電源電圧ＶＤＤと接地電圧ＧＮＤとの間の中間電圧である。

フィードバック制御器１１２は、ＤＡＣ５３から出力されたＤＡＣ電圧Ｖｄａｃと、加算回路１１１の加算結果（すなわち、Ｖｍｉｄ＋ｋ・Ｉｃ）とが等しくなるようなゲート電圧を生成し、ＰＭＯＳトランジスタＭ１，Ｍ２のゲートおよびＮＭＯＳトランジスタＭ３，Ｍ４のゲートに出力する。

具体的に、ＤＡＣ電圧ＶｄａｃがＶｍｉｄ＋ｋ・Ｉｃよりも大きい場合には、ＰＭＯＳトランジスタＭ１のゲート電圧およびＮＭＯＳトランジスタＭ３のゲート電圧が減少し、ＰＭＯＳトランジスタＭ２のゲート電圧およびＮＭＯＳトランジスタＭ４のゲート電圧が増加する。これによって、電源ノードＶＤＤから接地ノードＧＮＤの方向のコイル電流Ｉｃは増加する。

ＤＡＣ電圧ＶｄａｃがＶｍｉｄ＋ｋ・Ｉｃよりも小さい場合には、ＰＭＯＳトランジスタＭ１のゲート電圧およびＮＭＯＳトランジスタＭ３のゲート電圧が増加し、ＰＭＯＳトランジスタＭ２のゲート電圧およびＮＭＯＳトランジスタＭ４のゲート電圧が減少する。これによって、電源ノードＶＤＤから接地ノードＧＮＤの方向のコイル電流Ｉｃは減少する。結果として、コイル電流Ｉｃは、ＤＡＣ電圧Ｖｄａｃと中間電圧Ｖｍｉｄとの差分電圧（すなわち、Ｖｄａｃ−Ｖｍｉｄ）に応じた値になるように制御される。ＤＡＣ電圧Ｖｄａｃが中間電圧Ｖｍｉｄに等しいとき、コイル電流Ｉｃは０［Ａ］になり、補正レンズ４１はスプリングによって原点位置に戻る。

抵抗分圧回路９２は、直列接続された複数の抵抗器を備え、電源電圧ＶＤＤと接地電圧ＧＮＤとの間の中間電圧Ｖｍｉｄを生成する。抵抗分圧回路９２は、生成した中間電圧Ｖｍｉｄを、加算回路１１１に供給する。なお、複数の抵抗器に代えて複数のキャパシタによって分圧回路が構成されていてもよい。

以上の回路構成によれば、ＤＡＣ電圧Ｖｄａｃが中間電圧Ｖｍｉｄより大きい場合には、コイル電流Ｉｃは正となり、出力ノードＯＵＴ＿Ａから出力ノードＯＵＴ＿Ｂの方向にコイル電流Ｉｃが流れる。この場合、ＰＭＯＳトランジスタＭ１およびＮＭＯＳトランジスタＭ３によって構成されるドライバが電流ソースとなり、ＰＭＯＳトランジスタＭ２およびＮＭＯＳトランジスタＭ４によって構成されるドライバが電流シンクとなる。

一方、ＤＡＣ電圧Ｖｄａｃが中間電圧Ｖｍｉｄより小さい場合には、コイル電流Ｉｃは負となり、出力ノードＯＵＴ＿Ｂから出力ノードＯＵＴ＿Ａの方向にコイル電流Ｉｃが流れる。この場合、ＰＭＯＳトランジスタＭ１およびＮＭＯＳトランジスタＭ３によって構成されるドライバが電流シンクとなり、ＰＭＯＳトランジスタＭ２およびＮＭＯＳトランジスタＭ４によって構成されるドライバが電流ソースとなる。

また、上記の回路構成では、トランジスタＭ１，Ｍ３によって構成されるドライバの出力信号と、トランジスタＭ２，Ｍ４によって構成されるドライバの出力信号とは互いに位相が反転しており、負荷であるＶＣＭのコイル７０がこれらのドライバをブリッジしていることになる。このようなドライバの接続は、ＢＴＬ（Bridged Tied Load、または、Bridged Transformer Less、または、Balanced Transformer Lessの略）と呼ばれる。

再び図５を参照して、出力電圧検出回路５５Ｐは、比較器９３Ｐ，９４Ｐと、比較器９３Ｐ，９４Ｐの判定結果に基づくフラグをそれぞれ保持するためのレジスタ９５Ｙ，９６Ｙとを含む。比較器９３Ｐ，９４Ｐを総称して、比較回路９８Ｐと称する。レジスタ９５Ｙ，９６Ｙは、第３の実施形態で利用されるものであるので、ここでは詳しい説明をしない。

比較器９３Ｐの正側入力端子は出力ノードＯＵＴ＿ＡＰに接続され、比較器９３Ｐの負側入力端子はヨー方向のアクチュエータ４２Ｙを制御するためのＤＡＣ５３Ｙの出力ノードに接続される。比較器９４Ｐの負側入力端子は出力ノードＯＵＴ＿ＢＰに接続され、比較器９４Ｐの正側入力端子はヨー方向のアクチュエータ４２Ｙを制御するためのＤＡＣ５３Ｙの出力ノードに接続される。

ここで、ピッチ方向のアクチュエータ４２Ｐおよびドライバ５４Ｐの検査工程のとき、ヨー方向のアクチュエータ４２Ｙは使用されない。この場合、ＤＡＣ５３Ｙは、ヨー方向のアクチュエータ４２Ｙを制御するために用いる必要がない。そこで、本実施の形態では、ピッチ方向のアクチュエータ４２Ｐおよびドライバ５４Ｐの検査工程のときには、ヨー方向制御用のＤＡＣ５３Ｙを、比較器９３Ｐ，９４Ｐに入力される参照電圧ＶｒｅｆＰを生成するために使用する。

このように、ＤＡＣと比較器のみを用いて出力電圧検出回路５５を構成することによって、出力電圧検出回路５５の回路構成を簡単化することができる。

具体的に、比較器９３Ｐは、出力ノードＯＵＴ＿ＡＰの電圧とＤＡＣ５３Ｙから出力される参照電圧ＶｒｅｆＰとを比較する。ＤＳＰ５１は、ＤＡＣ５３Ｙの入力コードを順次変更することによって参照電圧ＶｒｅｆＰを順次変化させ、このときの比較器９３Ｐの比較結果に基づいて、出力ノードＯＵＴ＿ＡＰの電圧を検知することができる。同様に、比較器９４Ｐは、出力ノードＯＵＴ＿ＢＰの電圧とＤＡＣ５３Ｙから出力される参照電圧ＶｒｅｆＰとを比較する。ＤＳＰ５１は、ＤＡＣ５３Ｙの入力コードを順次変更することによって参照電圧ＶｒｅｆＰを順次変化させ、このときの比較器９４Ｐの比較結果に基づいて、出力ノードＯＵＴ＿ＢＰの電圧を検知することができる。

以上までで、図５のピッチ方向用のアクチュエータ４２Ｐを制御するためのドライバ５４Ｐおよび出力電圧検出回路５５Ｐの構成および動作について説明した。図５のヨー方向用のアクチュエータ４２Ｙを制御するためのドライバ５４Ｙおよび出力電圧検出回路５５Ｙの構成および動作も、上記の場合と同様である。具体的には上記の説明において、参照符号の末尾のＰとＹとを入れ替えればよい。したがって、ヨー方向の制御用のドライバ５４Ｙおよび出力電圧検出回路５５Ｙに関して詳しい説明を繰り返さない。

［従来のオープンループ制御の問題点］
従来のオープンループ制御方式のＯＩＳ−ＩＣは、図４および図５で説明した出力電圧検出回路５５（５５Ｙ，５５Ｐ）が設けられていない。以下では、従来のオープンループ制御方式のＯＩＳ−ＩＣの問題点について説明する。続いて、出力電圧検出回路５５（５５Ｙ，５５Ｐ）を用いた電流ゲインの補正係数の算出方法について説明する。電流ゲインを補正することによって従来の問題点を解決することができる。

まず、オープンループ制御とクローズドループ制御とを比較する。クローズドループ制御の場合には、通常、補正レンズ４１の位置（具体的には、アクチュエータ４２を構成する永久磁石７１の位置）を検出するためのホールセンサが設けられている。したがって、クローズドループ制御の場合には、出力電流の絶対的な値を保証できない電圧制御のドライバを用いたとしても、ホールセンサの検出信号に基づいたフィードバック制御によって補正レンズ４１の位置を高精度に制御することができる。

一方、オープンループ制御の場合には、補正レンズ４１の位置を検出するためのホールセンサが設けられていない。したがって、補正レンズ４１の位置を高精度に制御するためには、アクチュエータ４２を構成するＶＣＭのコイル７０を流れるコイル電流の絶対的な値の精度を保証する必要があり、このためにはアクチュエータ４２としてのＶＣＭを定電流制御することが必須になる。なぜなら、ＶＣＭのコイル７０によって発生する磁界はコイル電流に比例するからである。

ところが、アクチュエータ４２としてのＶＣＭを構成するコイル７０の抵抗値には個体差によるばらつきがあり、コイル電流を生成するドライバ５４の電流ゲインにも個体差によるばらつきがある。具体的に、コイル７０は、導線を巻回したものであるので、導線の太さおよび長さは製造上の誤差を含んでいる。また、図６などで説明したように、定電流制御のドライバ５４は、電流センス抵抗器Ｒ１を含んでおり、電流センス抵抗器Ｒ１に生じた電圧を増幅し、増幅後の電圧をＤＡＣ電圧Ｖｄａｃと比較することによって定電流制御を実現している。この場合、電流センス抵抗器Ｒ１の抵抗値は製造上の誤差を含んでいる。

上記のように、アクチュエータ４２およびドライバ５４の個体差に起因した特性ばらつきのせいで、同じコードをＤＡＣ５３に入力したとしても、ドライバ５４から出力されるコイル電流は、アクチュエータ４２ごとおよびドライバ５４ごとに異なる。すなわち、ドライバ５４の電流ゲインは、アクチュエータ４２およびドライバ５４の個体差に起因したばらつきを有している。

従来のオープンループ制御のＯＩＳ−ＩＣの場合には、このようなドライバ５４の電流ゲインのばらつきを補正する手段がなかった。このため、カメラモジュールの性能検査の際に、手振れ補正の補正能力を個別に調整する必要があった。具体的には、加振装置を用いて個々のカメラモジュールを振動させながら、撮像されたイメージにブレが生じないようにカメラモジュールの制御パラメータが個別に調整される。この場合、調整すべき制御パラメータは、たとえば、手振れ量の検出値に応じた補正レンズ４１の位置補正量などである。この制御パラメータの調整には数十秒から数分程度の時間がかかる点が問題であり、さらに加振装置が高コストである点が問題であった。

［電流ゲインの補正係数の算出手順］
本実施形態のＯＩＳ−ＩＣ５０では、上記の電流ゲインのばらつきの補正のために、出力電圧検出回路５５が設けられている。以下、出力電圧検出回路５５を用いた電流ゲインのばらつきの補正手順の概要を説明する。

図７は、図４のＯＩＳ−ＩＣの電流ゲインの補正手順を示すフローチャートである。図７の補正手順は、アクチュエータ４２の検査工程およびカメラモジュール４０の検査工程において実行される。

なお、電流ゲインの補正手順は、リファンレンス用のアクチュエータおよびリファレンス用のＯＩＳ−ＩＣとの比較に基づいている。したがって、以下の説明において、リファンレンス用のアクチュエータおよびリファレンス用のＯＩＳ−ＩＣを示す場合には、参照符号の末尾にＡを付すことによって、検査対象の製品と区別する。

図４および図７を参照して、電流ゲインの補正手順は、準備段階（ステップＳ１００）、第１段階（ステップＳ１０１）、および第２段階（ステップＳ１０２）の３つの電圧測定ステップと、電圧測定結果に基づいて電流ゲインを補正するステップＳ１０４とを含む。ステップＳ１００の準備段階は、リファレンス用のドライバ５４Ａの電流ゲインを校正するためのものであり、最初の１回のみ実行される。その後のステップＳ１０１〜Ｓ１０３は、カメラモジュール製品ごとに実行される。

まず、ステップＳ１００の準備段階において、リファレンス用のアクチュエータ４２Ａとリファレンス用のＯＩＳ−ＩＣ５０Ａのドライバ５４Ａとが接続される。リファレンス用のアクチュエータ４２Ａを構成するＶＣＭのコイル７０Ａの抵抗値Ｒ０は既知であるとする。

このように接続した状態で、ＯＩＳ−ＩＣ５０Ａに設けられたＤＳＰ５１ＡはＤＡＣ５３Ａに基準となるコードＮを出力し、ＤＡＣ５３Ａは基準コードＮに対応するアナログのＤＡＣ電圧Ｖｄａｃをドライバ５４Ａに出力する。ドライバ５４Ａは入力されたＤＡＣ電圧Ｖｄａｃに応じた値の基準コイル電流Ｉｃ０を生成して、リファレンスＶＣＭのコイル７０Ａに出力する。このとき、ドライバ５４Ａは、コイル７０Ａを流れる基準コイル電流Ｉｃ０が基準コードＮに応じた一定の値になるように制御する。ＯＩＳ−ＩＣ５０Ａの出力電圧検出回路５５Ａは、コイル７０Ａの両端間の電圧Ｖｃ０を測定し、測定結果をＤＳＰ５１Ａに出力する。

上記の測定結果から、リファレンス用のドライバ５４Ａにおいて、基準コードＮに対応する基準コイル電流Ｉｃ０は、
Ｉｃ０＝Ｖｃ０／Ｒ０ …(A1)
と表される。したがって、コイル電流Ｉｃ＝０［Ａ］に対応するＤＡＣコードの中間値をＮ０とすれば、基準となる電流ゲインＫ０は、
Ｋ０＝Ｉｃ０／（Ｎ−Ｎ０）＝Ｖｃ０／（Ｒ０×（Ｎ−Ｎ０）） …(A2)
と表される。ＤＳＰ５１Ａは、上式（Ａ２）に従って基準の電流ゲインＫ０を計算する。

次のステップＳ１０１ではカメラモジュール製品の第１段階の調整として、カメラモジュール製品のうちアクチュエータ４２における特性ばらつきが検出される。この目的のため、検査対象のアクチュエータ４２とリファレンス用のＯＩＳ−ＩＣ５０Ａのドライバ５４Ａとが接続される。ここで、検査対象のアクチュエータ４２を構成するＶＣＭのコイル７０の抵抗値Ｒ１は未知である。

このように接続した状態で、リファレンス用のＯＩＳ−ＩＣ５０Ａに設けられたＤＳＰ５１ＡはＤＡＣ５３Ａに、ステップＳ１００の場合と同じ基準コードＮを出力し、ＤＡＣ５３Ａは基準コードＮに対応するＤＡＣ電圧Ｖｄａｃをドライバ５４Ａに出力する。ドライバ５４Ａは入力されたＤＡＣ電圧Ｖｄａｃに基づいて、前述の基準コイル電流Ｉｃ０を検査対象のＶＣＭのコイル７０に流す。ＯＩＳ−ＩＣ５０Ａの出力電圧検出回路５５Ａは、コイル７０の両端間の電圧Ｖｃ１を測定し、測定結果をＤＳＰ５１Ａに出力する。

測定されたコイル７０の両端間の電圧Ｖｃ１は、基準コイル電流Ｉｃ０および検査対象のコイル７０の未知の抵抗値Ｒ１を用いて、
Ｖｃ１＝Ｉｃ０×Ｒ１ …(A3)
と表される。したがって、検査対象のＶＣＭのコイル７０の抵抗値Ｒ１は、
Ｒ１＝Ｖｃ１／Ｉｃ０ …(A4)
と表される。ＤＳＰ５１Ａは、測定されたコイルの両端間の電圧Ｖｃ１を、たとえば、不揮発性メモリ４７に格納する。

その次のステップＳ１０２ではカメラモジュール製品の第２段階の調整として、第１段階で検査されたアクチュエータ４２を含めたカメラモジュール製品全体の特性ばらつきが検出される。したがって、アクチュエータ４２を構成するＶＣＭのコイル７０は、カメラモジュール製品のＯＩＳ−ＩＣ５０のドライバ５４に接続される。アクチュエータ４２の抵抗値Ｒ１は第１段階（ステップＳ１０１）の測定結果に基づいて既知である。ドライバ５４の電流ゲインＫ１は未知である。

この接続状態で、検査対象のＯＩＳ−ＩＣ５０に設けられたＤＳＰ５１は、ステップＳ１００およびＳ１０１の場合と同じ基準コードＮをＤＡＣ５３に出力し、ＤＡＣ５３は基準コードＮに対応するＤＡＣ電圧Ｖｄａｃをドライバ５４に出力する。ドライバ５４は入力されたＤＡＣ電圧Ｖｄａｃに応じた未知のコイル電流Ｉｃ１を検査対象のＶＣＭのコイル７０に流す。ＯＩＳ−ＩＣ５０の出力電圧検出回路５５は、コイル７０の両端間の電圧Ｖｃ２を測定し、測定結果をＤＳＰ５１に出力する。

測定されたコイル７０の両端間の電圧Ｖｃ２は、未知のコイル電流Ｉｃ１とコイル７０の既知の抵抗値Ｒ１を用いて、
Ｖｃ２＝Ｉｃ１×Ｒ１＝Ｉｃ１×（Ｖｃ１／Ｉｃ０） …(A5)
と表される。上式（Ａ５）を書き直すと、
Ｖｃ２／Ｖｃ１＝Ｉｃ１／Ｉｃ０ …(A6)
が得られる。上式（Ａ６）すなわち、第１段階および第２段階でそれぞれ測定されたコイル７０の両端間電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２の比Ｖｃ２／Ｖｃ１は、電流ゲインＫ０の補正係数Ｃｃに相当する。

その次のステップＳ１０３において、ＤＳＰ５１は、リファレンスのドライバ５４Ａの既知の電流ゲインＫ０に補正係数Ｃｃを乗算することによって、検査対象のドライバ５４の電流ゲインＫ１を計算する。具体的に、ドライバ５４の電流ゲインＫ１は、
Ｋ１＝Ｋ０×（Ｉｃ１／Ｉｃ０）＝Ｋ０×（Ｖｃ２／Ｖｃ１） …(A7)
で与えられる。

［アクチュエータおよびカメラモジュールの検査手順］
次に、カメラモジュール製品の検査手順について説明する。以下で説明する検査手順は、図７で説明したドライバ５４の電流ゲインの補正係数の計算手順を含むものである。カメラモジュールの検査では、第１段階でカメラモジュールに含まれるアクチュエータ４２が検査され、第２段階でアクチュエータ４２を含むカメラモジュール４０全体が検査される。第１段階のアクチュエータ４２の検査では、次の図８に示すようなアクチュエータ検査装置が用いられる。

図８は、アクチュエータ検査装置の構成の一例を示すブロック図である。図８を参照して、アクチュエータ検査装置８０は、検査ボード８３と称するプリント配線板と、リファレンスＯＩＳ−ＩＣ５０Ａと、ホストＭＣＵ（Micro Controller Unit）８１と、ホールセンサ８２Ｐ，８２Ｙとを含む。リファレンスＯＩＳ−ＩＣ５０Ａ、ホストＭＣＵ８１、およびホールセンサ８２Ｐ，８２Ｙは、検査ボード８３上に実装される。

検査ボード８３上の定められた位置には、検査対象のアクチュエータ４２（４２Ｐ，４２Ｙ）が取り付け可能になっている。実際上は、図１〜図３で説明したように、補正レンズ４１を含む光学系、アクチュエータ４２Ｐ，４２Ｙ（コイル７０Ｐ，７０Ｙ、永久磁石７１Ｐ，７１Ｙ）、および不揮発性メモリ４７が、筐体４８に内蔵されており、この筐体４８が検査ボード８３に取り付け可能になっている。

ホールセンサ８２Ｐ，８２Ｙは、アクチュエータ４２Ｐ，４２Ｙを構成する永久磁石７１Ｐ，７１Ｙによって発生する磁界が検知可能な位置に配置されている。これによって、アクチュエータ４２Ｐ，４２Ｙの可動部の変位量が検出可能になっている。

リファレンスＯＩＳ−ＩＣ５０Ａは、図４〜図６で説明した製品で用いられるＯＩＳ−ＩＣ５０と同一設計であってもよく、同様の機能を有している。図５、図６で説明したのと同様に、リファレンスＯＩＳ−ＩＣ５０Ａは、ドライバ５４Ｐ，５４Ｙと、ＤＡＣ５３Ｐ，５３Ｙと、出力電圧検出回路５５Ｐ，５５Ｙと、ＤＳＰ５１とを含む。出力電圧検出回路５５Ｐは、ピッチ方向用のアクチュエータ４２Ｐを構成するＶＣＭのコイル７０Ｐと接続される。出力電圧検出回路５５Ｙは、ヨー方向用のアクチュエータ４２Ｙを構成するＶＣＭのコイル７０Ｙと接続される。

ホストＭＣＵ８１は、Ｉ２Ｃバスを介して、筐体４８に内蔵された不揮発性メモリ４７と接続され、さらにリファレンスＯＩＳ−ＩＣ５０ＡのＤＳＰ５１と接続される。また、ホストＭＣＵ８１は、ホールセンサ８２Ｐ，８２Ｙと接続され、ホールセンサ８２Ｐ，８２Ｙの検出結果を読み込む。ホストＭＣＵ８１は、検査プログラムに従って、アクチュエータ４２Ｐ，４２Ｙの検査を実行する。

図９は、アクチュエータおよびカメラモジュールの検査手順を示すフローチャートである。ステップＳ２０１〜Ｓ２０５において、図８のアクチュエータ検査装置８０を利用してアクチュエータ４２Ｐ，４２Ｙの検査が実行される。ステップＳ２０６〜Ｓ２０８においてカメラモジュール４０全体の検査が実行される。以下、図５、図８、図９を参照して順に説明する。

まず、検査対象のアクチュエータ４２Ｐ，４２Ｙを含む筐体４８が、図８の検査ボード８３の定められた位置に装着された状態で、ステップＳ２０１〜Ｓ２０５が実行される。

最初のステップＳ２０１において、ホストＭＣＵ８１からの命令に従って、リファレンスＯＩＳ−ＩＣ５０ＡのＤＳＰ５１は、アクチュエータ４２Ｐ，４２Ｙを構成するＶＣＭのコイル７０Ｐ，７０Ｙの抵抗値の測定を行う。具体的に、ピッチ方向用のアクチュエータ４２Ｐの抵抗値の測定手順は次のとおりである。なお、ステップＳ２０１と次のステップＳ２０２とは、図７のステップＳ１０１に対応している。

（１）リファレンスＯＩＳ−ＩＣ５０ＡのＤＳＰ５１からＤＡＣ５３Ｐに基準コードＮが出力されることにより、ドライバ５４Ｐは、ピッチ方向用のアクチュエータ４２Ｐのコイル７０Ｐに基準コイル電流Ｉｃ０を流す。

（２）出力電圧検出回路５５Ｐは、ＤＳＰ５１の指令に従ってＤＡＣ５３Ｙから出力される参照電圧ＶｒｅｆＰと比較することによって、コイル７０Ｐの両端間の電圧Ｖｃ１を測定する。

（３）ＤＳＰ５１は、測定したコイル７０Ｐの両端間の電圧Ｖｃ１と基準コイル電流Ｉｃ０とから、コイル７０Ｐの抵抗値（＝Ｖｃ１／Ｉｃ０）を計算する。

ＤＳＰ５１Ｐは、計算した抵抗値をホストＭＣＵ８１に送信する。ホストＭＣＵ８１は、受信したコイル７０Ｐの抵抗値の測定結果が、設計値に基づいた適切な範囲に収まっているか否かを判定する。コイル７０Ｐの抵抗値の異常によって、コイル７０Ｐが断線または短絡しているかを検知することができる。

ヨー方向用のアクチュエータ４２Ｙについても、上記と同様の手順によって、ＶＣＭのコイル７０Ｙの抵抗値が測定され、測定された抵抗値が適正な範囲にあるか否かが判定される。

次のステップＳ２０２において、ＤＳＰ５１は、ピッチ方向用のアクチュエータ４２Ｐを構成するコイル７０Ｐの両端間の電圧の測定値と、ヨー方向用のアクチュエータ４２Ｙを構成するコイル７０Ｙの両端間の電圧の測定値とを、不揮発性メモリ４７に書き込む。これらの電圧測定値は、ステップＳ２０７において使用される。

その次のステップＳ２０３において、アクチュエータ４２Ｐ，４２Ｙの各々を構成するＶＣＭの感度、すなわち、コイル電流Ｉｃに対する可動部の移動量が検査される。具体的に、ホストＭＣＵ８１からの指令に基づいて、ＤＳＰ５１は、ＤＡＣ５３Ｐ，５３Ｙの各々に出力するＤＡＣコードＮを徐々に変化させる。ホストＭＣＵ８１は、このときのアクチュエータ４２Ｐ，４２Ｙの可動部の移動量を、ホールセンサ８２Ｐ，８２Ｙを用いてそれぞれ検出する。検出結果に基づいて、ホストＭＣＵ８１は、ＶＣＭの感度が設計値に基づく定められた範囲にあるか否かを判定する。

その次のステップＳ２０４において、アクチュエータ４２Ｐ，４２Ｙの各々のストローク、すなわち、可動レンジが検査される。具体的に、ホストＭＣＵ８１からの指令に基づいて、ＤＳＰ５１は、ＤＡＣ５３Ｐ，５３Ｙの各々に出力するＤＡＣコードＮを最小値（＝０）および最大値（＝Ｎｍａｘ）の各々に設定する。ホストＭＣＵ８１は、このときのアクチュエータ４２Ｐ，４２Ｙの可動部の位置を、ホールセンサ８２Ｐ，８２Ｙを用いてそれぞれ検出する。検出結果に基づいて、ホストＭＣＵ８１は、アクチュエータ４２Ｐ，４２Ｙの各々のストロークが設計値に基づく定められた範囲にあるか否かを判定する。

その次のステップＳ２０５において、アクチュエータ４２Ｐ，４２Ｙを構成するＶＣＭのヒステリシスが検査される。具体的に、ホストＭＣＵ８１からの指令に基づいて、ＤＳＰ５１は、ＤＡＣ５３Ｐ，５３Ｙの各々に出力するＤＡＣコードＮを（ｉ）最小値０から最大値Ｎｍａｘに徐々に変化させ、次に（ｉｉ）最大値Ｎｍａｘから最小値０に徐々に変化させる。ホストＭＣＵ８１は、上記（ｉ），（ｉｉ）の各々の場合について、ＤＡＣコードに対応するアクチュエータ４２Ｐ，４２Ｙの可動部の位置を、ホールセンサ８２Ｐ，８２Ｙを用いてそれぞれ検出する。ホストＭＣＵ８１は、上記（ｉ）および（ｉｉ）の場合のホールセンサ８２Ｐ，８２Ｙの検出結果を比較することによって、ＶＣＭのヒステリシスを検知することができる。

ステップＳ２０５の検査が完了すると、アクチュエータ４２Ｐ，４２Ｙを含む筐体４８は、アクチュエータ検査装置８０から取り外され、製品のＯＩＳ−ＩＣ５０と接続されることにより、カメラモジュール製品として組み立てられる。そして、組み立て後のカメラモジュール製品に対して、ステップＳ２０６〜Ｓ２０８の検査が実行される。

まず、ステップＳ２０６において、ＤＳＰ５１は、ジャイロセンサ４６の出力信号のオフセットが０になるように調整する。このステップＳ２０６は、図１で説明したようにジャイロセンサ４６がカメラモジュール４０に含まれる構成の場合に行われる。

次のステップＳ２０７において、ドライバ５４Ｐ，５４Ｙの各々について、基準となる電流ゲインを補正するための補正係数が算出される。図７で説明したように、基準となる電流ゲインは、リファレンスＶＣＭとリファレンスＯＩＳ−ＩＣとを用いて予め求められた値である。具体的に、ピッチ方向用のアクチュエータ４２Ｐに対応するドライバ５４Ｐについて、電流ゲインの補正係数の算出手順は以下のとおりである。なお、ステップＳ２０７は、図７のステップＳ１０２に対応するものである。

（１）ＤＳＰ５１は、ＤＡＣ５３Ｐに出力するＤＡＣコードを基準コイル電流に対応するＮに設定することにより、ドライバ５４ＰからＶＣＭのコイル７０Ｐにコイル電流Ｉｃ１が流れる。

（２）出力電圧検出回路５５Ｐは、ＤＳＰ５１の指令に従ってＤＡＣ５３Ｙから出力される参照電圧ＶｒｅｆＰと比較することによって、コイル７０Ｐの両端間の電圧Ｖｃ２を測定する。

（３）ＤＳＰ５１は、前述のステップＳ２０１で測定したコイル７０Ｐの両端間の電圧Ｖｃ１を、不揮発性メモリ４７から読み出す。

（４）ＤＳＰ５１は、電圧Ｖｃ２を電圧Ｖｃ１で除することによって、ピッチ方向用のドライバ５４Ｐの電流ゲインの補正係数Ｃｃ（Ｃｃ＝Ｖｃ２／Ｖｃ１）を計算する。補正後の電流ゲインＫ１は、Ｋ０×Ｃｃで計算することができる。

ヨー方向用のアクチュエータ４２Ｙに対応するドライバ５４Ｙについても、上記の同様の手順によって、電流ゲインの補正係数および補正後の電流ゲインを計算することができる。

前述のように、従来技術では、アクチュエータ４２およびドライバ５４の個体差のせいで電流ゲインにばらつきが生じたとしてもそれを補正する手段がなかった。したがって、ドライバ５４からアクチュエータ４２に出力される電流の絶対的な値の精度を保証することができなかった。結果として、従来技術では、加振装置を用いて個々のカメラモジュールを振動させながら、撮像されたイメージにブレが生じないようにカメラモジュールの制御パラメータを個別に調整しなければならなかった。

本開示のカメラモジュール４０では、上述のように、ＯＩＳ−ＩＣ５０に設けた出力電圧検出回路５５を利用することによって、アクチュエータ４２およびドライバ５４の個体差に起因して生じた電流ゲインのばらつき補正することができる。このため、加振装置を用いて手振れ補正性能を調整することは基本的に不要である。

次のステップＳ２０８において、手振れ補正に関する抑圧比の検査が実行される。具体的には次の図１０に示すように、加振装置１００を用いて手振れ補正性能が検査される。このステップＳ２０８は、手振れ補正性能の確認のために実行されるものであり、ステップＳ２０７で電流ゲインが精度良く補正されていれば、このステップＳ２０８を省略しても問題にならない。

図１０は、加振装置を用いた手振れ補正性能の検査方法を説明するための模式図である。

図１０を参照して、カメラモジュール４０は加振装置１００の上に載置される。カメラモジュール４０は、図１のアプリケーションプロセッサ３２に対応するイメージシグナルプロセッサを備えた画像解析装置１０２と、Ｉ２ＣバスおよびＭＩＰＩバスなどを介して接続される。これによって、カメラモジュール４０によって撮像された画像の表示が可能になる。

加振装置１００によってヨー方向およびピッチ方向の少なくとも一方の振動がカメラモジュール４０に与えられ、この状態で円形のチャート図（１０１）がカメラモジュール４０によって撮像される。撮像された画像１０３は、リアルタイムで画像解析装置１０２によって解析され、円形の被写体の画像に歪みが生じているか否かが検査される。画像の歪みは、たとえば、撮像された円形画像の縦横比（「抑圧比」と称する）などによって評価することができる。これによって、手振れ補正性能が検証される。

［第１の実施形態の効果］
以上のとおり、第１の実施形態によれば、アクチュエータ検査装置に実装されたリファレンスＯＩＳ−ＩＣを用いてアクチュエータの検査を行うことによって、カメラモジュールの検査に要する時間を短縮することができる。これによって、カメラモジュールおよび携帯端末の検査コストと検査時間を削減することができる。たとえば、加振装置を用いたテストを省略することも可能になる。

製品のＯＩＳ−ＩＣおよびリファレンスＯＩＳ−ＩＣには、ドライバの出力電圧を検出する出力電圧検出回路が設けられる。リファレンスＯＩＳ−ＩＣに設けられた出力電圧検出回路によって検出されたドライバの出力電圧は、アクチュエータに設けられた不揮発性メモリに格納される。この不揮発性メモリに格納された出力電圧検出回路の検出結果を読み出して用いることにより、製品のＯＩＳ−ＩＣに設けられたドライバの電流ゲインを容易に補正することができる。これにより、加振装置を用いたテストを行わなくても高精度の手ぶれ補正性能を保証することが可能になる。

＜第２の実施形態＞
第１の実施形態では、ピッチ方向制御用のドライバ５４Ｐの出力電圧を出力電圧検出回路５５Ｐで測定する場合、参照電圧ＶｒｅｆＰとして、ヨー方向制御用のＤＡＣ５３Ｙの出力電圧を利用していた。同様に、ヨー方向制御用のドライバ５４Ｙの出力電圧を出力電圧検出回路５５Ｙで測定する場合、参照電圧ＶｒｅｆＹとして、ピッチ方向制御用のＤＡＣ５３Ｐの出力電圧を利用していた。

第２の実施形態では、出力電圧検出回路５５Ｐ，５５Ｙが、自ら、参照電圧を生成するための抵抗分圧回路９７Ｐ，９７Ｙをそれぞれ含んでいる。このため、出力電圧検出回路５５Ｐは参照電圧ＶｒｅｆＰとしてＤＡＣ５３Ｙの出力電圧の入力を受ける必要がなく、出力電圧検出回路５５Ｙは参照電圧ＶｒｅｆＹとしてＤＡＣ５３Ｐの出力電圧の入力を受ける必要がない。出力電圧検出回路５５Ｐ，５５Ｙは、抵抗分圧回路９７Ｐ，９７Ｙでそれぞれ生成された分圧電圧を参照電圧として使用する。以下、図面を参照してさらに詳しく説明する。

図１１は、第２の実施形態のＯＩＳ−ＩＣの構成を示す回路図である。図１１を参照して、ピッチ方向用のアクチュエータ４２Ｐと接続された出力電圧検出回路５５Ｐは、第１の実施形態で説明した比較器９３Ｐ，９４Ｐおよびレジスタ９５Ｐ，９６Ｐに加えて、抵抗分圧回路９７Ｐと、セレクタＳＬ１Ｐ，ＳＬ２Ｐとをさらに含む。

抵抗分圧回路９７Ｐは、電源ノードＶＤＤと接地ノードＧＮＤとの間に直列に接続された複数の抵抗器を含む。隣接する抵抗器の接続ノード（「分圧ノード」と称する）から電源電圧ＶＤＤを分圧した分圧電圧が出力される。複数の抵抗器に代えて複数のキャパシタによって分圧回路を構成してもよい。

比較器９３Ｐの正側入力端子は出力ノードＯＵＴ＿ＡＰに接続される。一方、比較器９３Ｐの負側入力端子はセレクタＳＬ１Ｐの出力と接続される。セレクタＳＬ１Ｐは、ＤＳＰ５１から受けた選択信号に基づいて、抵抗分圧回路９７Ｐの複数の分圧ノードのうちの１つを選択し、選択した分圧ノードの電圧を参照電圧ＶｒｅｆＰ１として比較器９３Ｐの負側入力端子に出力する。

比較器９４Ｐの負側入力端子は出力ノードＯＵＴ＿ＢＰに接続される。一方、比較器９４Ｐの正側入力端子はセレクタＳＬ２Ｐの出力と接続される。セレクタＳＬ２Ｐは、ＤＳＰ５１から受けた選択信号に基づいて、抵抗分圧回路９７Ｐの複数の分圧ノードのうちの１つを選択し、選択した分圧ノードの電圧を参照電圧ＶｒｅｆＰ２として比較器９４Ｐの正側入力端子に出力する。

同様に、ヨー方向用のアクチュエータ４２Ｙと接続された出力電圧検出回路５５Ｙは、第１の実施形態で説明した比較器９３Ｙ，９４Ｙおよびレジスタ９５Ｙ，９６Ｙに加えて、抵抗分圧回路９７Ｙと、セレクタＳＬ１Ｙ，ＳＬ２Ｙとをさらに含む。

比較器９３Ｙの正側入力端子は出力ノードＯＵＴ＿ＡＹに接続される。一方、比較器９３Ｙの負側入力端子はセレクタＳＬ１Ｙの出力と接続される。セレクタＳＬ１Ｙは、ＤＳＹ５１から受けた選択信号に基づいて、抵抗分圧回路９７Ｙの複数の分圧ノードのうちの１つを選択し、選択した分圧ノードの電圧を参照電圧ＶｒｅｆＹ１として比較器９３Ｙの負側入力端子に出力する。

比較器９４Ｙの負側入力端子は出力ノードＯＵＴ＿ＢＹに接続される。一方、比較器９４Ｙの正側入力端子はセレクタＳＬ２Ｙの出力と接続される。セレクタＳＬ２Ｙは、ＤＳＹ５１から受けた選択信号に基づいて、抵抗分圧回路９７Ｙの複数の分圧ノードのうちの１つを選択し、選択した分圧ノードの電圧を参照電圧ＶｒｅｆＹ２として比較器９４Ｙの正側入力端子に出力する。

上記のように、比較器９３，９４と抵抗分圧回路９７とを用いて、出力電圧検出回路５５を構成することによって、出力電圧検出回路５５の構成を簡単化することができる。図１１のその他の点は図５の場合と同様であるので、同一または相当する部分には同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、図１１のＯＩＳ−ＩＣ５０の動作も第１の実施形態で説明したものとほぼ同じである。したがって、上述した第２の実施形態のＯＩＳ−ＩＣ５０は、第１の実施形態のＯＩＳ−ＩＣ５０と同様の作用効果を奏する。

＜第３の実施形態＞
カメラモジュール４０が実装された携帯端末をユーザが使用しているときに、アクチュエータ４２が故障する場合がある。たとえば、ＶＣＭを構成するコイル７０の断線（オープン）または短絡（ショート）などが起こり得る。このようなＶＣＭのコイルが断線または短絡しているときにＯＩＳ機能が有効なままだと、ＯＩＳ−ＩＣ５０のドライバ５４が異常発振するためにカメラ機能自体が使えなくなる場合がある。したがって、携帯端末の使用開始後に、アクチュエータ４２の異常（すなわち、オープンまたはショート）を検知できることが望ましく、アクチュエータ４２の異常を検知した場合には、直ちにＯＩＳの機能をオフするのが望ましい。

第３の実施形態のカメラモジュールは、アクチュエータ４２の異常（すなわち、オープンまたはショート）を簡単に検知する機能を備えたものである。カメラモジュール４０のハードウェア構成自体は、第１および第２の実施形態で説明した構成をそのまま用いることができる。

［アクチュエータの異常検出の原理］
第３の実施形態のＯＩＳ−ＩＣ５０によるアクチュエータ４２の異常の検出原理について説明する。図５および図１１で説明したいずれのＯＩＳ−ＩＣ５０も本実施形態の目的のために使用することができる。以下、ドライバ５４Ｐ，５４Ｙの部分をより詳しく記載した図６の回路図を参照して説明する。ピッチ方向制御用のドライバ５４Ｐの回路構成とヨー方向制御用のドライバ５４Ｙの回路構成とは同じであるので、図６では参照符号の末尾のＰ，Ｙを記載せずに、両者に共通するドライバ５４の構成として示している。

図１２は、ＤＡＣの設定値とドライバの出力電圧との関係を示す図である。図１２（Ａ）にはアクチュエータ４２のコイル７０がノーマル状態の場合が示され、図１２（Ｂ）にはアクチュエータ４２のコイル７０がオープンの場合が示され、図１２（Ｃ）にはアクチュエータ４２のコイル７０がショートの場合が示される。

また、図１２（Ａ）〜（Ｃ）において、横軸にはＤＡＣ５３に入力されるＤＡＣコード（ｃｏｄｅ）ＮとＤＡＣ５３から出力されるＤＡＣ電圧Ｖｄａｃとが示されている。縦軸には、出力ノードＯＵＴ＿Ａおよび出力ノードＯＵＴ＿Ｂの各々出力電圧が示されている。

なお、図１２に示す数値例は、理解を容易にするための一例にすぎず、この数値に限定することを意図したものではない。

（１．ノーマル状態）
図６および図１２（Ａ）を参照して、アクチュエータ４２がノーマル状態の場合について説明する。図１２（Ａ）では、出力ノードＯＵＴ＿Ａの電圧が太い実線で示され、出力ノードＯＵＴ＿Ｂの電圧が太い破線で示されている。

図１２（Ａ）に示すように、ＤＡＣコードＮは最小値の０から最大値Ｎｍａｘ＝２０４７まで変化する。ＤＡＣコードＮ＝０に対応するＤＡＣ電圧は接地電圧ＧＮＤ（＝０［Ｖ］）である。ＤＡＣコードＮ＝２０４７に対応するＤＡＣ電圧は、電源電圧ＶＤＤ（＝２．８［Ｖ］）である。また、中間値Ｎ０＝１０２３のＤＡＣコードに対応するＤＡＣ電圧は１．４［Ｖ］である。

ＤＡＣコードが最大値（Ｎｍａｘ＝２０４７）のとき、ＰＭＯＳトランジスタＭ１およびＮＭＯＳトランジスタＭ４が完全にオン状態になり、ＰＭＯＳトランジスタＭ２およびＮＭＯＳトランジスタＭ３は完全にオフ状態になる。したがって、出力ノードＯＵＴ＿Ａの電圧は電源電圧ＶＤＤ（＝２．８Ｖ）に等しくなり、出力ノードＯＵＴ＿Ｂの電圧は接地電圧ＧＮＤ（＝０Ｖ）に等しくなる。

逆に、ＤＡＣコードが最小値（＝０）のとき、ＰＭＯＳトランジスタＭ１およびＮＭＯＳトランジスタＭ４が完全にオフ状態になり、ＰＭＯＳトランジスタＭ２およびＮＭＯＳトランジスタＭ３は完全にオン状態になる。したがって、出力ノードＯＵＴ＿Ａの電圧は接地電圧ＧＮＤ（＝０Ｖ）に等しくなり、出力ノードＯＵＴ＿Ｂの電圧は電源電圧ＶＤＤ（＝２．８Ｖ）に等しくなる。

ＤＡＣコードが最小値（＝０）と最大値（Ｎｍａｘ＝２０４７）との間のとき、出力ノードＯＵＴ＿Ａの電圧はＤＡＣコードに比例して変化する。出力ノードＯＵＴ＿Ｂの電圧は、出力ノードＯＵＴ＿Ａの電圧とは逆の傾きで直線的に変化する。

また、ＤＡＣコードが中間値Ｎ０（＝１０２３）のとき、ＤＡＣ電圧は中間電圧（Ｖｍｉｄ＝１．４Ｖ）に等しくなり、出力ノードＯＵＴ＿Ａの電圧および出力ノードＯＵＴ＿Ｂの電圧もほぼ中間電圧Ｖｍｉｄになる。

（２．オープン）
次に、図６および図１２（Ｂ）を参照して、アクチュエータ４２のコイル７０がオープンの場合について説明する。図１２（Ｂ）では、コイル７０がオープンのときの出力ノードＯＵＴ＿Ａの電圧が太い実線で示され、出力ノードＯＵＴ＿Ｂの電圧が太い破線で示されている。また、対比のために、アクチュエータ４２がノーマル状態のときの出力ノードＯＵＴ＿Ａの電圧が細い実線で示され、出力ノードＯＵＴ＿Ｂの電圧が細い破線で示されている。

コイル７０がオープンの場合には、図６の電流センス抵抗器Ｒ１で検出される電圧は常に０である。したがって、ＤＡＣ電圧Ｖｄａｃが中間電圧Ｖｍｉｄ（＝１．４Ｖ）よりも大きい場合には、フィードバック制御器１１２は、ＰＭＯＳトランジスタＭ１およびＮＭＯＳトランジスタＭ３のゲート電圧を減少させ、ＰＭＯＳトランジスタＭ２およびＮＭＯＳトランジスタＭ４のゲート電圧を増加させる。結果として、出力ノードＯＵＴ＿Ａの電圧は電源電圧（ＶＤＤ＝２．８Ｖ）に飽和し、出力ノードＯＵＴ＿Ｂの電圧は接地電圧（０［Ｖ］）になる。

逆に、ＤＡＣ電圧Ｖｄａｃが中間電圧Ｖｍｉｄ（＝１．４Ｖ）よりも小さい場合には、フィードバック制御器１１２は、ＰＭＯＳトランジスタＭ１およびＮＭＯＳトランジスタＭ３のゲート電圧を増加させ、ＰＭＯＳトランジスタＭ２およびＮＭＯＳトランジスタＭ４のゲート電圧を減少させる。結果として、出力ノードＯＵＴ＿Ａの電圧は接地電圧（０［Ｖ］）になり、出力ノードＯＵＴ＿Ｂの電圧は電源電圧（ＶＤＤ＝２．８Ｖ）に飽和する。上記のように、ＤＡＣ電圧Ｖｄａｃ＝１．４Ｖ（中間電圧Ｖｍｉｄ）付近で、出力ノードＯＵＴ＿Ａの電圧と出力ノードＯＵＴ＿Ｂの電圧とが反転する。

図１１の比較器９３Ｐを用いてコイル７０Ｐのオープンを検出する場合、たとえば、出力ノードＯＵＴ＿ＡＰの電圧（「ＶｏｕｔＡＰ」と記載する）が参照電圧ＶｒｅｆＰ１より大きい（ＶｏｕｔＡＰ＞ＶｒｅｆＰ１）という条件をオープン検出条件とする。この場合、アクチュエータ４２Ｐがノーマル状態のときにオープンと誤検出しないように、ＤＡＣ電圧Ｖｄａｃの設定値は、オープン状態で出力ノードＯＵＴ＿ＡＰの電圧が電源電圧（ＶＤＤ＝２．８Ｖ）に飽和する下限値である１．５［Ｖ］以上にする必要ある。その上で、ノーマル状態の場合とオープン状態の場合とで出力ノードＯＵＴ＿Ａの電圧の差がある程度あったほうが望ましい。そこで、ＤＡＣ電圧Ｖｄａｃの設定値を１．５〜１．７［Ｖ］の中間の値の１．６Ｖに設定する。また、参照電圧ＶｒｅｆＰ１の値は、電源電圧（ＶＤＤ＝２．８［Ｖ］）未満でできるだけ２．８Ｖに近いほうが望ましい。そこで、抵抗分圧回路９７Ｐの分圧電圧の設計も考慮して、たとえば参照電圧ＶｒｅｆＰ１を２．３［Ｖ］に設定する。

なお、図１１の比較器９４Ｐを用いてコイル７０Ｐのオープンを検出することも可能である。たとえば、出力ノードＯＵＴ＿ＢＰの電圧（「ＶｏｕｔＢＰ」と記載する）の電圧が参照電圧ＶｒｅｆＰ２よりも小さい（ＶｏｕｔＢＰ＜ＶｒｅｆＰ２）という条件をオープン検出条件とする。この場合、一例として、ＤＡＣ電圧Ｖｄａｃの設定値を１．５〜１．７［Ｖ］の中間の値の１．６Ｖに設定し、参照電圧ＶｒｅｆＰ２の値を０．５［Ｖ］に設定する。

さらに、オープン検出条件の不等号を上記の例と逆にすることも可能である。たとえば、比較器９３Ｐを用いて、出力ノードＯＵＴ＿ＡＰの電圧（ＶｏｕｔＡＰ）が参照電圧ＶｒｅｆＰ１より小さい（ＶｏｕｔＡＰ＜ＶｒｅｆＰ１）という条件をオープン検出条件としてもよい。この場合、一例として、ＤＡＣ電圧Ｖｄａｃの設定値を１．１〜１．３［Ｖ］の中間の値の１．２Ｖに設定し、参照電圧ＶｒｅｆＰ１の値を０．５［Ｖ］に設定する。

（３．ショート）
次に、図６および図１２（Ｃ）を参照して、アクチュエータ４２のコイル７０がショートの場合について説明する。図１２（Ｃ）では、コイル７０がショートのときの出力ノードＯＵＴ＿Ａの電圧が太い実線で示され、出力ノードＯＵＴ＿Ｂの電圧が太い破線で示されている。また、対比のために、アクチュエータ４２がノーマル状態のときの出力ノードＯＵＴ＿Ａの電圧が細い実線で示され、出力ノードＯＵＴ＿Ｂの電圧が細い破線で示されている。

コイル７０がショートの場合には、コイル７０の抵抗値はほとんど０であるので、電流センス抵抗器Ｒ１で検出される電圧は、ノーマル状態の場合に比べて大きくなる。このため、ＤＡＣ電圧Ｖｄａｃを変化させても、フィードバック制御器１１２が出力されるゲート電圧は、ＤＡＣ電圧Ｖｄａｃが中間電圧Ｖｍｉｄの場合とほとんど変わらなくなる。この結果、出力ノードＯＵＴ＿Ａの電圧および出力ノードＯＵＴ＿Ｂの電圧は、ＤＡＣ電圧Ｖｄａｃに変化とは関係なく、中間電圧Ｖｍｉｄである１．４Ｖ程度に固定される。

図１１の比較器９４Ｐを用いてコイル７０Ｐのショートを検出する場合、出力ノードＯＵＴ＿ＢＰの電圧（ＶｏｕｔＢＰ）が参照電圧ＶｒｅｆＰ２よりも小さい（ＶｏｕｔＢＰ＜ＶｒｅｆＰ２）という条件をショート検出条件とする。この場合、アクチュエータ４２Ｐがノーマル状態のときにショートと誤検出しないように、ＤＡＣ電圧Ｖｄａｃの設定値は、ノーマル状態の場合に出力ノードＯＵＴ＿Ｂの電圧が中間電圧Ｖｍｉｄよりも大きくなる１．４［Ｖ］より小さくする必要がある。その上で、ノーマル状態の場合とショートの場合とで出力ノードＯＵＴ＿Ｂの電圧の差がある程度あったほうが望ましい。そこで、ＤＡＣ電圧Ｖｄａｃの設定値を、たとえば、０．４〜１．２［Ｖ］の中間の値として０．８Ｖに設定する。また、参照電圧ＶｒｅｆＰ２の電圧は、１．４Ｖより大きく、ノーマル状態のＯＵＴ＿Ｂの電圧よりも小さくする設定する。抵抗分圧回路９７Ｐの分圧電圧の設計も考慮して、たとえば、参照電圧ＶｒｅｆＰ２を１．５３Ｖに設定する。

なお、図１１の比較器９３Ｐを用いて７０Ｐのショートを検出することも可能である。たとえば、出力ノードＯＵＴ＿ＡＰの電圧（ＶｏｕｔＡＰ）が参照電圧ＶｒｅｆＰ１より大きい（ＶｏｕｔＡＰ＞ＶｒｅｆＰ１）という条件をショート検出条件とする。この場合、一例として、ＤＡＣ電圧Ｖｄａｃの設定値を０．４〜１．２［Ｖ］の中間の値である０．８［Ｖ］に設定し、参照電圧ＶｒｅｆＰ１の値を１．２７［Ｖ］に設定する。

さらに、ショート検出条件の不等号を上記の例と逆にすることも可能である。たとえば、比較器９４Ｐを用いて、出力ノードＯＵＴ＿ＢＰの電圧（ＶｏｕｔＢＰ）が参照電圧ＶｒｅｆＰ２よりも大きい（ＶｏｕｔＢＰ＞ＶｒｅｆＰ２）という条件をショート検出条件としてもよい。この場合、一例として、ＤＡＣ電圧Ｖｄａｃの設定値を１．６〜２．４［Ｖ］の中間の値である２．０［Ｖ］に設定し、参照電圧ＶｒｅｆＰ２の値を１．２７［Ｖ］に設定する。

より一般的には以下のようになる。アクチュエータ４２がオープンおよびショートのいずれでもない場合に、制御コードを設定値Ｓ１に設定したとき、出力電圧検出回路５５によって検出された出力ノードＯＵＴ＿ＡとＯＵＴ＿Ｂとの間の電圧は、接地電圧ＧＮＤと電源電圧ＶＤＤとの中間値である中間電圧Ｖｍｉｄより大きくかつ電源電圧ＶＤＤより小さい出力電圧Ｖ１になったとする。この場合、出力電圧Ｖ１より大きくかつ電源電圧ＶＤＤよりも小さな値に閾値電圧Ｖｔｈ１が設定され、出力電圧Ｖ１より小さくかつ中間電圧Ｖｍｉｄよりも大きな値に閾値電圧Ｖｔｈ２が設定される。そして、ＤＳＰ５１は、制御コードを設定値Ｓ１に設定したとき、出力電圧検出回路５５によって検出された電圧が、閾値電圧Ｖｔｈ１よりも大きい場合に、アクチュエータ４２はオープンであると判定し、閾値電圧Ｖｔｈ２よりも小さい場合に、アクチュエータ４２はショートであると判定する。

また、アクチュエータ４２がオープンおよびショートのいずれでもない場合に、制御コードを設定値Ｓ２に設定したとき、出力電圧検出回路５５によって検出された出力ノードＯＵＴ＿ＡとＯＵＴ＿Ｂとの間の電圧は、中間電圧Ｖｍｉｄより小さくかつ接地電圧ＧＮＤより大きい出力電圧Ｖ２になったとする。この場合、出力電圧Ｖ２より小さくかつ接地電圧ＧＮＤよりも大きな値に閾値電圧Ｖｔｈ３が設定され、出力電圧Ｖ２より大きくかつ中間電圧Ｖｍｉｄよりも小さな値に閾値電圧Ｖｔｈ４が設定される。そして、ＤＳＰ５１は、制御コードを設定値Ｓ２に設定したとき、出力電圧検出回路５５によって検出された電圧が、閾値電圧Ｖｔｈ３よりも小さい場合に、アクチュエータ４２はオープンであると判定し、閾値電圧Ｖｔｈ４よりも大きい場合に、アクチュエータ４２はショートであると判定する。

［ＶＣＭのオープンおよびショートの検出手順］
図１３は、ＶＣＭのコイルがオープンであることを検出する手順を示すフローチャートである。図１４は、ＶＣＭのコイルがショートであることを検出する手順を示すフローチャートである。以下、これまでの説明を総括して、ＶＣＭのオープンおよびショートの検出手順について図１１、図１３、および図１４を主として参照して説明する。

なお、便宜上、ＶＣＭのオープンの検出には図１１の比較器９３（９３Ｐ，９３Ｙ）を用い、ＶＣＭのショートの検出には図１１の比較器９４（９４Ｐ，９４Ｙ）を用いるものとする。さらに、オープンが検出されたときに比較器９３の出力がハイレベルになり、ショートが検出されたときに比較器９４の出力がハイレベルになるように、オープン検出条件およびショート検出条件を設定するものとする。

図１３のオープン検出手順および図１４のショート検出手順は、たとえば、図１〜図３で説明した携帯端末３０，３０Ａ，３０Ｂのアプリケーションプロセッサ３２からの指令に基づいて、カメラモジュール４０の起動時になどにおいて実行される。

（１．オープン検出手順）
まず、図１１および図１３を参照してオープン検出手順について説明する。なお、以下の数値例は、図１２の例を用いたものであって、以下の値に限定することを意図したものではない。

ステップＳ３０１において、ＤＳＰ５１は、セレクタＳＬ１Ｐによって抵抗分圧回路９７Ｐの分圧電圧を選択することによって、参照電圧ＶｒｅｆＰ１をたとえば２．３Ｖに設定する。また、ＤＳＰ５１は、セレクタＳＬ１Ｙによって抵抗分圧回路９７Ｙの分圧電圧を選択することによって、参照電圧ＶｒｅｆＹ１をたとえば２．３Ｖに設定する。

次のステップＳ３０２において、ＤＳＰ５１は、ＤＡＣ５３Ｐにコードを入力することによって、ＤＡＣ５３Ｐから出力されるＤＡＣ電圧Ｖｄａｃをたとえば１．６Ｖに設定する。また、ＤＳＰ５１は、ＤＡＣ５３Ｙにコードを入力することによって、ＤＡＣ５３Ｙから出力されるＤＡＣ電圧Ｖｄａｃをたとえば１．６Ｖに設定する。１．６Ｖは中間電圧Ｖｍｉｄ（＝１．４Ｖ）よりも高い値である。

その次のステップＳ３０３において、ＤＳＰ５１は、ドライバ５４Ｐ，５４Ｙを動作させる。これによって、出力ノードＯＵＴ＿ＡＰ，ＯＵＴ＿ＢＰに電圧が発生し、出力ノードＯＵＴ＿ＡＹ，ＯＵＴ＿ＢＹに電圧が発生する。もし、コイル７０Ｐがオープンの場合、出力ノードＯＵＴ＿ＡＰの電圧値は飽和して電源電圧（ＶＤＤ＝２．８Ｖ）に達する。同様に、もし、コイル７０Ｙがオープンの場合、出力ノードＯＵＴ＿ＡＹの電圧値は飽和して電源電圧（ＶＤＤ＝２．８Ｖ）に達する。

その次のステップＳ３０４において、出力電圧検出回路５５Ｐの比較器９３Ｐは、出力ノードＯＵＴ＿ＡＰの電圧値と参照電圧ＶｒｅｆＰ１とを比較する。この結果、出力ノードＯＵＴ＿ＡＰの電圧値が参照電圧ＶｒｅｆＰ１よりも大きければ（ステップＳ３０５でＹＥＳ）、比較器９３Ｐはハイレベル（論理値“１”）を出力する。このハイレベルの出力信号を比較器９３Ｐから受けて、レジスタ９５Ｐに、オープンエラーフラグとして論理値“１”がセットされる。

さらに、ステップＳ３０４では、出力電圧検出回路５５Ｙの比較器９３Ｙは、出力ノードＯＵＴ＿ＡＹの電圧値と参照電圧ＶｒｅｆＹ１とを比較する。この結果、出力ノードＯＵＴ＿ＡＹの電圧値が参照電圧ＶｒｅｆＹ１よりも大きければ（ステップＳ３０５でＹＥＳ）、比較器９３Ｙはハイレベル（論理値“１”）を出力する。このハイレベルの出力信号を比較器９３Ｙから受けて、レジスタ９５Ｙに、オープンエラーフラグとして論理値“１”がセットされる。以上により、オープン検出手順が完了する。

（２．ショート検出手順）
次に、図１１および図１４を参照してショート検出手順について説明する。なお、以下の数値例は、図１２の例を用いたものであって、以下の値に限定することを意図したものではない。

ステップＳ４０１において、ＤＳＰ５１は、セレクタＳＬ２Ｐによって抵抗分圧回路９７Ｐの分圧電圧を選択することによって、参照電圧ＶｒｅｆＰ２をたとえば１．５３Ｖに設定する。また、ＤＳＰ５１は、セレクタＳＬ２Ｙによって抵抗分圧回路９７Ｙの分圧電圧を選択することによって、参照電圧ＶｒｅｆＹ２をたとえば１．５３Ｖに設定する。

次のステップＳ４０２において、ＤＳＰ５１は、ＤＡＣ５３Ｐにコードを入力することによって、ＤＡＣ５３Ｐから出力されるＤＡＣ電圧Ｖｄａｃをたとえば０．８Ｖに設定する。また、ＤＳＰ５１は、ＤＡＣ５３Ｙにコードを入力することによって、ＤＡＣ５３Ｙから出力されるＤＡＣ電圧Ｖｄａｃをたとえば０．８Ｖに設定する。０．８Ｖは中間電圧Ｖｍｉｄ（＝１．４Ｖ）よりも低い値である。

その次のステップＳ４０３において、ＤＳＰ５１は、ドライバ５４Ｐ，５４Ｙを動作させる。これによって、出力ノードＯＵＴ＿ＡＰ，ＯＵＴ＿ＢＰに電圧が発生し、出力ノードＯＵＴ＿ＡＹ，ＯＵＴ＿ＢＹに電圧が発生する。もし、コイル７０Ｐがショートの場合、出力ノードＯＵＴ＿ＢＰの電圧値はほぼ中間電圧Ｖｍｉｄ（＝１．４［Ｖ］）に等しくなる。同様に、もし、コイル７０Ｙがショートの場合、出力ノードＯＵＴ＿ＢＹの電圧値はほぼ中間電圧Ｖｍｉｄ（＝１．４［Ｖ］）に等しくなる。

その次のステップＳ４０４において、出力電圧検出回路５５Ｐの比較器９４Ｐは、出力ノードＯＵＴ＿ＢＰの電圧値と参照電圧ＶｒｅｆＰ２とを比較する。この結果、出力ノードＯＵＴ＿ＢＰの電圧値が参照電圧ＶｒｅｆＰ２よりも小さければ（ステップＳ４０５でＹＥＳ）、比較器９４Ｐはハイレベル（論理値“１”）を出力する。このハイレベルの出力信号を比較器９４Ｐから受けて、レジスタ９６Ｐに、ショートエラーフラグとして論理値“１”がセットされる。

さらに、ステップＳ４０４では、出力電圧検出回路５５Ｙの比較器９４Ｙは、出力ノードＯＵＴ＿ＢＹの電圧値と参照電圧ＶｒｅｆＹ２とを比較する。この結果、出力ノードＯＵＴ＿ＢＹの電圧値が参照電圧ＶｒｅｆＹ２よりも小さければ（ステップＳ４０５でＹＥＳ）、比較器９４Ｙはハイレベル（論理値“１”）を出力する。このハイレベルの出力信号を比較器９４Ｙから受けて、レジスタ９６Ｙに、ショートエラーフラグとして論理値“１”がセットされる。以上により、ショート検出手順が完了する。

［第３の実施形態の効果］
以上のとおり、第３の実施形態によれば、第１および第２の実施形態で説明した電流ゲインの補正が可能なＯＩＳ−ＩＣ５０と全く同じ回路構成によって、携帯端末の使用開始後において、アクチュエータを構成するＶＣＭのコイルのオープン異常およびショート異常を容易に検出することができる。これによって、ＯＩＳ用のアクチュエータが異常な場合には、ＯＩＳの機能を停止することによって、カメラモジュールのカメラ機能を継続使用することができる。

＜付記＞
以下、上記の各実施形態の特徴の一部を示す。

（付記１）
光学式手振れ補正用の補正レンズを含む光学系と、
前記光学系によって結像された被写体の像を電気信号に変換するイメージセンサと、
前記補正レンズを第１の方向に移動させる第１のアクチュエータと、
コントロール回路とを含み、
前記コントロール回路は、
前記第１のアクチュエータが接続される第１の出力ノードおよび第２の出力ノードと、
前記第１および第２の出力ノードを介して前記第１のアクチュエータに供給する第１の駆動電流を、第１の制御電圧に基づいて生成する第１のドライバと、
前記第１および第２の出力ノード間の電圧を検出する第１の電圧検出回路と、
第１の制御コードをＤＡ変換することによって前記第１の制御電圧を生成する第１のＤＡ変換器と、
信号処理回路とを備え、
前記信号処理回路は、第１の検査工程において、前記第１の制御コードを第１の基準値に設定したときに前記第１の電圧検出回路によって検出された電圧に基づいて、前記第１の駆動電流を補正するための第１の補正係数を算出する、カメラモジュール。

（付記２）
前記信号処理回路は、通常動作時に、手振れ検出センサの検出値と前記第１の補正係数とに基づいて前記第１の制御コードの値を設定する、付記１に記載のカメラモジュール。

（付記３）
前記第１のドライバは、センス抵抗器を含み、
前記第１のドライバは、前記第１の駆動電流によって前記センス抵抗器に生じた電圧が前記第１の制御電圧に応じた一定の値になるように、前記第１の駆動電流を生成する、付記１に記載のカメラモジュール。

（付記４）
前記第１の電圧検出回路は、前記第１および第２の出力ノード間の電圧と第１の参照電圧とを比較する第１の比較回路を含み、
前記信号処理回路は、前記第１の検査工程において、前記第１の制御コードを前記第１の基準値に設定し、かつ、前記第１の参照電圧を変更しながら前記第１の比較回路による比較結果を取得し、前記第１の比較回路の比較結果に基づいて前記第１および第２の出力ノード間の電圧を決定する、付記１に記載のカメラモジュール。

（付記５）
前記第１の電圧検出回路は、さらに、
電源電圧を分圧することによって複数の分圧電圧を生成する分圧回路と、
前記複数の分圧電圧のうちの１つを前記第１の参照電圧として選択する選択回路とを含む、付記４に記載のカメラモジュール。

（付記６）
前記カメラモジュールは、さらに、
前記補正レンズを第２の方向に移動させる第２のアクチュエータが接続される第３の出力ノードおよび第４の出力ノードと、
前記第３および第４の出力ノードを介して前記第２のアクチュエータに供給する第２の駆動電流を、第２の制御電圧に基づいて生成する第２のドライバと、
前記第３および第４の出力ノード間の電圧を検出する第２の電圧検出回路と、
第２の制御コードをＤＡ変換することによって前記第２の制御電圧を生成する第２のＤＡ変換器とを備え、
前記信号処理回路は、前記第１の検査工程において、前記第２の制御コードを第２の基準値に設定したときに前記第２の電圧検出回路によって検出された電圧に基づいて、前記第２の駆動電流を補正するための第２の補正係数を算出する、付記１に記載のカメラモジュール。

（付記７）
前記第１の電圧検出回路は、前記第１および第２の出力ノード間の電圧と前記第２のＤＡ変換器の出力とを比較する第１の比較回路を含み、
前記第２の電圧検出回路は、前記第３および第４の出力ノード間の電圧と前記第１のＤＡ変換器の出力とを比較する第２の比較回路とを含み、
前記信号処理回路は、前記第１の検査工程において、前記第１の制御コードを前記第１の基準値に設定し、かつ、前記第２の制御コードを変更しながら前記第１の比較回路による比較結果を取得し、前記第１の比較回路の比較結果に基づいて前記第１および第２の出力ノード間の電圧を決定し、
前記信号処理回路は、前記第１の検査工程において、前記第２の制御コードを前記第２の基準値に設定し、かつ、前記第１の制御コードを変更しながら前記第２の比較回路による比較結果を取得し、前記第２の比較回路の比較結果に基づいて前記第３および第４の出力ノード間の電圧を決定する、付記６に記載のカメラモジュール。

（付記８）
前記第１のドライバは、さらに、
Ｈブリッジ回路と、
プリアンプ回路とを含み、
前記Ｈブリッジ回路は、
電源電圧が与えられる電源ノードと、
接地電圧が与えられる接地ノードと、
前記第１の出力ノードと前記電源ノードとの間に接続された第１のトランジスタと、
前記第２の出力ノードと前記電源ノードとの間に接続された第２のトランジスタと、
前記第１の出力ノードと前記接地ノードとの間に接続された第３のトランジスタと、
前記第２の出力ノードと前記接地ノードとの間に接続された第４のトランジスタとを含み、
前記プリアンプ回路は、前記センス抵抗器に生じた電圧が前記第１の制御電圧に応じた一定の値になるように、前記第１〜第４のトランジスタの各々の制御電極に供給する電圧を制御する、付記３に記載のカメラモジュール。

（付記９）
前記第１のアクチュエータがオープンおよびショートのいずれでもない場合に、前記第１の制御コードを第３の基準値に設定したとき、前記第１の電圧検出回路によって検出された前記第１および第２の出力ノード間の電圧は、前記接地電圧と前記電源電圧との中間値である中間電圧より大きくかつ前記電源電圧より小さい第１の出力電圧になり、
前記信号処理回路は、第２の検査工程において、前記第１の制御コードを前記第３の基準値に設定したとき、前記第１の電圧検出回路によって検出された電圧が、前記第１の出力電圧よりも大きくかつ前記電源電圧よりも小さい値である第１の閾値電圧よりも大きい場合に、前記第１のアクチュエータはオープンであると判定し、
前記信号処理回路は、前記第２の検査工程において、前記第１の制御コードを前記第３の基準値に設定したとき、前記第１の電圧検出回路によって検出された電圧が、前記第１の出力電圧よりも小さくかつ前記中間電圧よりも大きい値である第２の閾値電圧よりも小さい場合に、前記第１のアクチュエータはショートであると判定する、付記８に記載のカメラモジュール。

（付記１０）
前記第１のアクチュエータがオープンおよびショートのいずれでもない場合に、前記第１の制御コードを第４の基準値に設定したとき、前記第１の電圧検出回路によって検出された前記第１および第２の出力ノード間の電圧は、前記接地電圧と前記電源電圧との中間値である中間電圧より小さくかつ前記接地電圧より小さい第２の出力電圧になり、
前記信号処理回路は、第２の検査工程において、前記第１の制御コードを前記第４の基準値に設定したとき、前記第１の電圧検出回路によって検出された電圧が、前記第２の出力電圧よりも小さくかつ前記接地電圧よりも大きい値である第３の閾値電圧よりも小さい場合に、前記第１のアクチュエータはオープンであると判定し、
前記信号処理回路は、前記第２の検査工程において、前記第１の制御コードを前記第４の基準値に設定したとき、前記第１の電圧検出回路によって検出された電圧が、前記第２の出力電圧よりも大きくかつ前記中間電圧よりも小さい値である第４の閾値電圧よりも大きい場合に、前記第１のアクチュエータはショートであると判定する、付記８に記載のカメラモジュール。

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

３０，３０Ａ，３０Ｂ 携帯端末、３１ メイン基板、３２ アプリケーションプロセッサ、４０ カメラモジュール、４１ 補正レンズ、４２ アクチュエータ、４３ イメージセンサ、４５ プリント基板、４６ ジャイロセンサ、４７ 不揮発性メモリ、４８ 筐体、５０ ＯＩＳ−ＩＣ（コントローラＩＣ）、５１ ＤＳＰ、５２ バス、５４ ドライバ、５５ 出力電圧検出回路、７０ コイル、７１ 永久磁石、８０ アクチュエータ検査装置、８１ ホストＭＣＵ、８２ ホールセンサ、８３ 検査ボード、９０ ブリッジ回路、９１ プリアンプ、９２，９７ 抵抗分圧回路、９３，９４ 比較器、９５，９６ レジスタ、９８ 比較回路、１００ 加振装置、１１０ 差動アンプ、１１１ 加算回路、１１２ フィードバック制御器、１１３ バッファ、ＧＮＤ 接地電圧（接地ノード）、Ｉｃ コイル電流、ＶｒｅｆＰ，ＶｒｅｆＹ 参照電圧、Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４ トランジスタ、ＯＵＴ＿Ａ，ＯＵＴ＿Ｂ＿Ｂ 出力ノード、Ｒ１ 電流センス抵抗器、ＳＬ１，ＳＬ２ セレクタ、ＶＤＤ 電源電圧（電源ノード）、Ｖｍｉｄ 中間電圧。

Claims (16)

1. 光学式手振れ補正用の補正レンズを第１の方向に移動させる第１のアクチュエータが接続される第１の出力ノードおよび第２の出力ノードと、
   前記第１および第２の出力ノードを介して前記第１のアクチュエータに供給する第１の駆動電流を、第１の制御電圧に基づいて生成する第１のドライバと、
   前記第１および第２の出力ノード間の電圧を検出する第１の電圧検出回路と、
   第１の制御コードをＤＡ（Digital-to-Analog）変換することによって前記第１の制御電圧を生成する第１のＤＡ変換器と、
   信号処理回路とを備え、
   前記信号処理回路は、第１の検査工程において、前記第１の制御コードを第１の基準値に設定したときに前記第１の電圧検出回路によって検出された電圧に基づいて、前記第１の駆動電流を補正するための第１の補正係数を算出する、半導体装置。
2. 前記信号処理回路は、通常動作時に、手振れ検出センサの検出値と前記第１の補正係数とに基づいて前記第１の制御コードの値を設定する、請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記第１のドライバは、センス抵抗器を含み、
   前記第１のドライバは、前記第１の駆動電流によって前記センス抵抗器に生じた電圧が前記第１の制御電圧に応じた一定の値になるように、前記第１の駆動電流を生成する、請求項１に記載の半導体装置。
4. 前記第１の電圧検出回路は、前記第１および第２の出力ノード間の電圧と第１の参照電圧とを比較する第１の比較回路を含み、
   前記信号処理回路は、前記第１の検査工程において、前記第１の制御コードを前記第１の基準値に設定し、かつ、前記第１の参照電圧を変更しながら前記第１の比較回路による比較結果を取得し、前記第１の比較回路の比較結果に基づいて前記第１および第２の出力ノード間の電圧を決定する、請求項１に記載の半導体装置。
5. 前記第１の電圧検出回路は、さらに、
   電源電圧を分圧することによって複数の分圧電圧を生成する分圧回路と、
   前記複数の分圧電圧のうちの１つを前記第１の参照電圧として選択する選択回路とを含む、請求項４に記載の半導体装置。
6. 前記半導体装置は、さらに、
   前記補正レンズを第２の方向に移動させる第２のアクチュエータが接続される第３の出力ノードおよび第４の出力ノードと、
   前記第３および第４の出力ノードを介して前記第２のアクチュエータに供給する第２の駆動電流を、第２の制御電圧に基づいて生成する第２のドライバと、
   前記第３および第４の出力ノード間の電圧を検出する第２の電圧検出回路と、
   第２の制御コードをＤＡ変換することによって前記第２の制御電圧を生成する第２のＤＡ変換器とを備え、
   前記信号処理回路は、前記第１の検査工程において、前記第２の制御コードを第２の基準値に設定したときに前記第２の電圧検出回路によって検出された電圧に基づいて、前記第２の駆動電流を補正するための第２の補正係数を算出する、請求項１に記載の半導体装置。
7. 前記第１の電圧検出回路は、前記第１および第２の出力ノード間の電圧と前記第２のＤＡ変換器の出力とを比較する第１の比較回路を含み、
   前記第２の電圧検出回路は、前記第３および第４の出力ノード間の電圧と前記第１のＤＡ変換器の出力とを比較する第２の比較回路とを含み、
   前記信号処理回路は、前記第１の検査工程において、前記第１の制御コードを前記第１の基準値に設定し、かつ、前記第２の制御コードを変更しながら前記第１の比較回路による比較結果を取得し、前記第１の比較回路の比較結果に基づいて前記第１および第２の出力ノード間の電圧を決定し、
   前記信号処理回路は、前記第１の検査工程において、前記第２の制御コードを前記第２の基準値に設定し、かつ、前記第１の制御コードを変更しながら前記第２の比較回路による比較結果を取得し、前記第２の比較回路の比較結果に基づいて前記第３および第４の出力ノード間の電圧を決定する、請求項６に記載の半導体装置。
8. 前記第１のドライバは、さらに、
   Ｈブリッジ回路と、
   プリアンプ回路とを含み、
   前記Ｈブリッジ回路は、
   電源電圧が与えられる電源ノードと、
   接地電圧が与えられる接地ノードと、
   前記第１の出力ノードと前記電源ノードとの間に接続された第１のトランジスタと、
   前記第２の出力ノードと前記電源ノードとの間に接続された第２のトランジスタと、
   前記第１の出力ノードと前記接地ノードとの間に接続された第３のトランジスタと、
   前記第２の出力ノードと前記接地ノードとの間に接続された第４のトランジスタとを含み、
   前記プリアンプ回路は、前記センス抵抗器に生じた電圧が前記第１の制御電圧に応じた一定の値になるように、前記第１〜第４のトランジスタの各々の制御電極に供給する電圧を制御する、請求項３に記載の半導体装置。
9. 前記第１のアクチュエータがオープンおよびショートのいずれでもない場合に、前記第１の制御コードを第３の基準値に設定したとき、前記第１の電圧検出回路によって検出された前記第１および第２の出力ノード間の電圧は、前記接地電圧と前記電源電圧との中間値である中間電圧より大きくかつ前記電源電圧より小さい第１の出力電圧になり、
   前記信号処理回路は、第２の検査工程において、前記第１の制御コードを前記第３の基準値に設定したとき、前記第１の電圧検出回路によって検出された電圧が、前記第１の出力電圧よりも大きくかつ前記電源電圧よりも小さい値である第１の閾値電圧よりも大きい場合に、前記第１のアクチュエータはオープンであると判定し、
   前記信号処理回路は、前記第２の検査工程において、前記第１の制御コードを前記第３の基準値に設定したとき、前記第１の電圧検出回路によって検出された電圧が、前記第１の出力電圧よりも小さくかつ前記中間電圧よりも大きい値である第２の閾値電圧よりも小さい場合に、前記第１のアクチュエータはショートであると判定する、請求項８に記載の半導体装置。
10. 前記第１のアクチュエータがオープンおよびショートのいずれでもない場合に、前記第１の制御コードを第４の基準値に設定したとき、前記第１の電圧検出回路によって検出された前記第１および第２の出力ノード間の電圧は、前記接地電圧と前記電源電圧との中間値である中間電圧より小さくかつ前記接地電圧より小さい第２の出力電圧になり、
    前記信号処理回路は、第２の検査工程において、前記第１の制御コードを前記第４の基準値に設定したとき、前記第１の電圧検出回路によって検出された電圧が、前記第２の出力電圧よりも小さくかつ前記接地電圧よりも大きい値である第３の閾値電圧よりも小さい場合に、前記第１のアクチュエータはオープンであると判定し、
    前記信号処理回路は、前記第２の検査工程において、前記第１の制御コードを前記第４の基準値に設定したとき、前記第１の電圧検出回路によって検出された電圧が、前記第２の出力電圧よりも大きくかつ前記中間電圧よりも小さい値である第４の閾値電圧よりも大きい場合に、前記第１のアクチュエータはショートであると判定する、請求項８に記載の半導体装置。
11. 検査対象のアクチュエータを取り付け可能なプリント基板と、
    前記プリント基板に実装されたコントロール回路とを備え、
    前記コントロール回路は、
    前記アクチュエータが接続される第１の出力ノードおよび第２の出力ノードと、
    前記第１および第２の出力ノードを介して前記アクチュエータに供給する駆動電流を、制御電圧に基づいて生成するドライバと、
    前記第１および第２の出力ノード間の電圧を検出する電圧検出回路と、
    制御コードをＤＡ変換することによって前記制御電圧を生成するＤＡ変換器と、
    前記制御コードを設定する信号処理回路とを含み、
    前記信号処理回路は、前記アクチュエータの検査工程において、前記制御コードを基準値に設定したときに、前記電圧検出回路によって検出された電圧を取得する、アクチュエータ検査装置。
12. 前記アクチュエータは筐体に内蔵され、
    前記筐体は不揮発性メモリを内蔵し、
    前記信号処理回路は、前記アクチュエータの検査工程において、前記制御コードを前記基準値に設定したときに、前記電圧検出回路によって検出された電圧を前記不揮発性メモリに記憶させる、請求項１１に記載のアクチュエータ検査装置。
13. 前記プリント基板上に実装され、前記アクチュエータの可動部の位置を検出する位置センサをさらに備える、請求項１１に記載のアクチュエータ検査装置。
14. 前記アクチュエータは、光学式手振れ補正用の補正レンズを移動させるために、前記補正レンズとともにカメラモジュールに内蔵されるものであり、
    前記カメラモジュールは、前記アクチュエータ検査装置に備えられた前記コントロール回路と同一設計のコントロール回路を前記アクチュエータを駆動するために内蔵する、請求項１１に記載のアクチュエータ検査装置。
15. カメラモジュールの検査方法であって、
    前記カメラモジュールは、
    光学式手振れ補正用の補正レンズを含む光学系と、
    前記光学系によって結像された被写体の像を電気信号に変換するイメージセンサと、
    前記補正レンズを移動させるためのアクチュエータと、
    コントロール回路とを含み、
    前記コントロール回路は、
    前記アクチュエータと接続される第１および第２の出力ノードと、
    前記第１および第２の出力ノードを介して前記アクチュエータに供給する駆動電流を、制御電圧に基づいて生成するドライバと、
    前記第１および第２の出力ノード間の電圧を検出する電圧検出回路と、
    制御コードをＤＡ変換することによって前記制御電圧を生成するＤＡ変換器とを含み、
    前記検査方法は、
    製品に用いられる前記コントロール回路と同一設計のリファレンス用のコントロール回路を準備するステップと、
    製品に用いられる前記アクチュエータと前記リファレンス用のコントロール回路とを接続した状態で前記制御コードを基準値に設定したときに、前記第１および第２の出力ノード間に生じる第１の電圧を前記電圧検出回路によって検出するステップと、
    製品に用いられる前記アクチュエータと製品に用いられる前記コントロール回路とを接続した状態で前記制御コードを前記基準値に設定したときに、前記第１および第２の出力ノード間に生じる第２の電圧を前記電圧検出回路によって検出するステップと、
    前記第１の電圧と前記第２の電圧との比を補正係数として計算するステップとを備え、
    前記補正係数は、前手振れ検出センサの検出値に応じて前記補正レンズを移動させる際に、前記制御コードの補正に用いられる、カメラモジュールの検査方法。
16. 製品に用いられる前記アクチュエータと同一設計のリファレンス用のアクチュエータを準備するステップと、
    前記リファレンス用のアクチュエータと前記リファレンス用のコントロール回路とを接続した状態で前記制御コードを基準値に設定したときに、前記第１および第２の出力ノード間に生じる第３の電圧を前記電圧検出回路によって検出するステップと、
    前記第３の電圧に基づいて、前記制御コードに対する前記駆動電流の倍率である電流ゲインを算出するステップと、
    前記算出した電流ゲインに前記補正係数を乗算することによって、製品に用いられる前記コントロール回路における電流ゲインを算出するステップとを備える、請求項１５に記載のカメラモジュールの検査方法。

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