JP2020061485A - マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents

マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 Download PDF

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Abstract

【課題】処理データ量を削減し、描画処理のスループットを向上させる。【解決手段】一実施形態に係るマルチ荷電粒子ビーム描画装置は、基板の描画領域を複数のブロックに仮想分割し、少なくとも１つの図形を含むセルを、基板の撓みにより位置誤差を補正するための補正データに基づいて配置位置を移動させて、前記複数のブロックに振り分けるセルデータ振り分け部と、前記ブロックをメッシュ状に仮想分割し、各メッシュ領域に照射量を割り当てたビットマップデータを生成する複数のビットマップデータ生成部と、前記ビットマップデータを用いてショットデータを生成し、該ショットデータをブランキングプレートへ転送するショットデータ生成部と、を備える。前記複数のビットマップデータ生成部は、前記描画領域が描画進行方向と異なる方向で仮想分割された複数の分割領域のうち、それぞれが分担する前記分割領域のビットマップデータを生成する。【選択図】図１

Description

本発明は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法に関する。
ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、縮小投影型露光装置を用いて、石英上に形成された高精度の原画パターン（マスク、或いは特にステッパやスキャナで用いられるものはレチクルともいう。）をウェーハ上に縮小転写する手法が採用されている。高精度の原画パターンは、電子ビーム描画装置によって描画され、所謂、電子ビームリソグラフィ技術が用いられている。
マルチビームを使った描画装置は、１本の電子ビームで描画する場合に比べて、一度に多くのビームを照射できるので、スループットを大幅に向上させることができる。マルチビーム描画装置の一形態であるブランキングプレートを使ったマルチビーム描画装置では、例えば、１つの電子銃から放出された電子ビームを複数の開口を持った成形アパーチャアレイに通してマルチビーム（複数の電子ビーム）を形成する。マルチビームは、ブランキングプレートのそれぞれ対応するブランカ内を通過する。各ブランカは、通過する電子ビームのブランキング偏向を行う。ブランカによって偏向された電子ビームは遮蔽され、偏向されなかった電子ビームは試料上に照射される。
マルチビーム描画装置では、描画領域をブロック状に仮想分割し、各ブロックにセル階層の描画データを振り分ける。そして、各ブロックをメッシュ状にさらに仮想分割し、セル階層の描画データから展開した図形をメッシュ領域に割り当てる。各メッシュ領域に配置される図形の面積密度から、メッシュ領域毎の照射量を決定し、各メッシュ領域に照射量を割り当てたビットマップデータを生成する。マルチビーム描画装置は、並列化した複数の計算機で各ブロックの処理を行い、ビットマップデータを生成する。
ステージ上に載置された描画対象の基板の撓み等によって、描画位置の誤差が生じる。この誤差の補正に伴うセルの移動量を考慮し、各計算機がビットマップデータを生成する領域は、ブロック領域よりも大きかった。そのため、隣接するブロックに対応するビットマップデータ生成領域同士で重なる部分があった。
例えば、図７（ａ）に示すブロックＢ１〜Ｂ４のビットマップデータの生成を第１〜第４計算機が行う場合を考える。第１計算機は、図７（ｂ）に示すように、ブロックＢ１を含む領域Ｒ１のビットマップデータを生成する。第２計算機は、図７（ｃ）に示すように、ブロックＢ２を含む領域Ｒ２のビットマップデータを生成する。第３計算機は、図７（ｄ）に示すように、ブロックＢ３を含む領域Ｒ３のビットマップデータを生成する。
第１計算機によるビットマップデータ生成領域Ｒ１と、第２計算機によるビットマップデータ生成領域Ｒ２とには、図７（ｅ）の斜線部分で示される重なり領域Ｄ１がある。重なり領域Ｄ１では、第１計算機と第２計算機とで、ビットマップデータ生成の計算が重複して行われる。
第１計算機によるビットマップデータ生成領域Ｒ１と、第３計算機によるビットマップデータ生成領域Ｒ３とには、図７（ｆ）の斜線部分で示される重なり領域Ｄ２がある。重なり領域Ｄ２では、第１計算機と第３計算機とで、ビットマップデータ生成の計算が重複して行われる。図７（ｅ）（ｆ）に示すように、第１計算機によるビットマップデータ生成領域Ｒ１は、ｘ方向及びｙ方向のそれぞれに、他の計算機によるビットマップデータ生成領域との重なりを含む。
このような複数の計算機の間でのビットマップデータ生成演算の重複は、処理データ量の削減の妨げとなっていた。
特開２０１６−２２５３５７号公報 特開２０１３−２１９０８５号公報 特開２０１１−１７１５１０号公報 特開２０１５−２０１５７６号公報 特開２０１８−６６０４号公報
本発明は、処理データ量を削減し、描画処理のスループットを向上できるマルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法を提供することを課題とする。
本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビーム描画装置は、描画対象の基板を載置する移動可能なステージと、荷電粒子ビームを放出する放出部と、複数の開口部が形成され、前記複数の開口部を前記荷電粒子ビームが通過することでマルチビームを形成する成形アパーチャ部材と、前記マルチビームの各ビームのブランキング偏向を行う複数のブランカを有するブランキングプレートと、描画する図形の図形種及び配置座標を含む描画データを記憶する第１記憶部と、前記基板の撓みを含む要因による描画位置の誤差を補正するための補正データを記憶する第２記憶部と、前記基板の描画領域を複数のブロックに仮想分割し、前記描画データを読み出し、少なくとも１つの図形を含むセルを、前記複数のブロックに振り分けるセルデータ振り分け部と、前記ブロックをメッシュ状に仮想分割し、各メッシュ領域に配置される図形の面積密度からメッシュ領域毎の照射量を算出し、各メッシュ領域に照射量を割り当てたビットマップデータを生成する複数のビットマップデータ生成部と、前記複数のビットマップデータ生成部により生成された前記ビットマップデータを用いて、各ビームの照射時間を規定したショットデータを生成し、該ショットデータを前記ブランキングプレートへ転送するショットデータ生成部と、を備え、前記セルデータ振り分け部は、前記補正データを読み出し、前記補正データに基づいて前記セルを前記複数のブロックに振り分け、前記描画領域は、描画進行方向と異なる方向で複数の分割領域に仮想分割され、前記複数のビットマップデータ生成部は、それぞれ異なる前記分割領域を分担し、前記分割領域のビットマップデータを生成するものである。
本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビーム描画装置は、前記描画領域を、前記ビットマップデータ生成部と同数の前記分割領域に仮想分割する。
本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビーム描画装置において、第１ビットマップデータ生成部がビットマップデータを生成する第１分割領域と、第２ビットマップデータ生成部がビットマップデータを生成する第２分割領域とは、描画進行方向の端部が、前記セルのサイズに基づく幅で重なっている。
本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビーム描画装置において、前記セルデータ振り分け部は、前記補正データに基づいて前記ブロックを移動し、移動後のブロックにセルを振り分ける。
本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビーム描画装置において、前記セルデータ振り分け部は、前記補正データに基づいて前記セルの配置位置を移動し、前記ブロックにセルを振り分ける。
本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビーム描画方法は、荷電粒子ビームによるマルチビームを基板に照射して描画を行うマルチ荷電粒子ビーム描画方法であって、第１記憶部から、描画する図形の図形種及び配置座標を含む描画データを読み出し、第２記憶部から、前記基板の撓みを含む要因による描画位置の誤差を補正するための補正データを読み出す工程と、前記基板の描画領域を複数のブロックに仮想分割し、少なくとも１つの前記図形を含むセルを、前記複数のブロックに振り分ける工程と、複数のビットマップデータ生成部を用いて、前記ブロックをメッシュ状に仮想分割し、各メッシュ領域に配置される図形の面積密度からメッシュ領域毎の照射量を算出し、各メッシュ領域に照射量を割り当てたビットマップデータを生成する工程と、前記複数のビットマップデータ生成部により生成された前記ビットマップデータを用いて、各ビームの照射時間を規定したショットデータを生成する工程と、前記マルチビームの各ビームに対応する複数のブランカを有するブランキングプレートへ前記ショットデータを転送する工程と、前記複数のブランカが、前記ショットデータに基づいて、対応するビームのブランキング偏向を行う工程と、を備え、前記セルを、前記補正データに基づいて前記複数のブロックに振り分け、前記描画領域を、描画進行方向と異なる方向で複数の分割領域に仮想分割し、前記複数のビットマップデータ生成部が、それぞれ異なる分割領域を分担し、前記分割領域のビットマップデータを生成するものである。
本発明によれば、処理データ量を削減し、描画処理のスループットを向上できる。
本発明の実施形態による描画装置の概略図である。 描画動作の例を説明する図である。 描画領域をブロック状に仮想分割する例を示す図である。 各ビットマップデータ生成部のデータ処理領域を説明する図である。 セルがブロックからはみ出す例を示す図である。 （ａ）（ｂ）はビットマップデータ生成領域の例を示す図である。 （ａ）〜（ｆ）は比較例によるデータ処理を説明する図である。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは電子ビームに限るものでなく、イオンビーム等でもよい。
図１は、本実施形態による描画装置の概略構成図である。描画装置は、制御部１と描画部２とを備えている。描画装置は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の一例である。描画部２は、電子鏡筒２０と描画室３０を備えている。電子鏡筒２０内には、電子銃２１、照明レンズ２２、成形アパーチャアレイ２３、ブランキングアパーチャアレイ（ブランキングプレート）２４、縮小レンズ２５、制限アパーチャ部材２６、対物レンズ２７、及び偏向器２８が配置されている。縮小レンズ２５及び対物レンズ２７は共に電磁レンズで構成され、縮小レンズ２５及び対物レンズ２７によって縮小光学系が構成される。
描画室３０内には、ＸＹステージ３２が配置される。ＸＹステージ３２上には、描画対象の基板４０が載置される。基板４０は、半導体装置を製造する際の露光用マスク、半導体装置が製造される半導体基板（シリコンウェハ）、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクス等である。
制御部１は、磁気ディスク装置等の記憶装置１０、１１、セルデータ振り分け部１２、複数のビットマップデータ生成部１３（１３＿１〜１３＿Ｍ）、及びショットデータ生成部１４を備える。複数のビットマップデータ生成部１３は、セルデータ振り分け部１２とショットデータ生成部１４との間に並列に設けられている。セルデータ振り分け部１２、複数のビットマップデータ生成部１３、及びショットデータ生成部１４は、それぞれ、電気回路を含む計算機（コンピュータ）等の別個のハードウェアで構成されている。例えば、ビットマップデータ生成部１３＿１〜１３＿Ｍは、それぞれ１つのＣＰＵを含む。セルデータ振り分け部１２と、各ビットマップデータ生成部１３とがバス又はネットワークを介して接続されている。また、各ビットマップデータ生成部１３とショットデータ生成部１４とがバス又はネットワークを介して接続されている。
図１では、本実施形態を説明する上で必要な構成を記載している。描画装置の動作に必要なその他の公知の構成は図示を省略している。
成形アパーチャアレイ２３には、ｍ行ｎ列（ｍ，ｎ≧２）の穴（開口部）が所定の配列ピッチでマトリクス状に形成されている。各穴は、共に同じ寸法形状の矩形又は円形で形成される。
電子銃２１から放出された電子ビームＢは、照明レンズ２２によりほぼ垂直に成形アパーチャアレイ２３全体を照明する。電子ビームＢがアパーチャ部材２３の複数の穴を通過することによって、ｍ行ｎ列の電子ビーム（マルチビーム）ＭＢが形成される。
ブランキングアパーチャアレイ２４には、成形アパーチャアレイ２３の各穴の配置位置に合わせて通過孔が形成されている。各通過孔には、対となる２つの電極の組（ブランカ：ブランキング偏向器）が、それぞれ配置される。各ビーム用の２つの電極の一方には、電圧を印加するアンプが配置され、他方は接地される。各通過孔を通過する電子ビームは、それぞれ独立に、対となる２つの電極に印加される電圧によって偏向される。この電子ビームの偏向によって、各ビームがブランキング制御される。
ブランキングアパーチャアレイ２４を通過したマルチビームＭＢは、縮小レンズ２５によって縮小され、制限アパーチャ部材２６に形成された中心の穴に向かって進む。ブランキングアパーチャアレイ２４のブランカによって偏向された電子ビームは、制限アパーチャ部材２６の中心の穴から位置がはずれ、制限アパーチャ部材２６によって遮蔽される。一方、ブランカによって偏向されなかった電子ビームは、制限アパーチャ部材２６の中心の穴を通過する。
このように、制限アパーチャ部材２６は、ブランカによってビームＯＦＦの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽する。そして、ビームＯＮになってからビームＯＦＦになるまでに形成された、制限アパーチャ部材２６を通過したビームにより１回分のショットのビームが形成される。
制限アパーチャ部材２６を通過したマルチビームＭＢは、対物レンズ２７により焦点が合わされ、所望の縮小率のパターン像となり、偏向器２８によってまとめて偏向され、基板４０に照射される。例えば、ＸＹステージ３２が連続移動している時、ビームの照射位置がＸＹステージ３２の移動に追従するように偏向器２８によって制御される。
一度に照射されるマルチビームＭＢは、理想的には成形アパーチャアレイ２３の複数の穴の配列ピッチに上述した所望の縮小率を乗じたピッチで並ぶことになる。描画装置は、ショットビームを連続して順に照射していくラスタースキャン方式で描画動作を行い、所望のパターンを描画する際、パターンに応じて必要なビームがブランキング制御によりビームＯＮに制御される。
図２に示すように、基板４０の描画領域５０は、例えば、ｙ方向に向かって所定の幅で短冊状の複数のストライプ領域５２に仮想分割される。各ストライプ領域５２は、描画単位領域となる。例えば、ＸＹステージ３２を移動させて、第１番目のストライプ領域５２の左端に、一回のマルチビームＭＢの照射で照射可能な照射領域が位置するように調整し、描画が開始される。ＸＹステージ３２を−ｘ方向に移動させることにより、相対的にｘ方向へと描画を進めることができる。
第１番目のストライプ領域５２の描画終了後、ステージ位置を−ｙ方向に移動させて、第２番目のストライプ領域５２の右端に照射領域が位置するように調整し、描画が開始される。そして、ＸＹステージ３２を例えばｘ方向に移動させることにより、−ｘ方向に向かって描画を行う。
第３番目のストライプ領域５２では、ｘ方向に向かって描画し、第４番目のストライプ領域５２では、−ｘ方向に向かって描画するといったように、交互に向きを変えながら描画することで描画時間を短縮できる。但し、交互に向きを変えながら描画する場合に限らず、各ストライプ領域５２を描画する際、同じ方向に向かって描画を進めるようにしても構わない。
マルチビーム描画では、描画領域５０を、ビームサイズでメッシュ状に仮想分割する。そして、図形パターンの存在するメッシュにはビームを照射し、存在しないメッシュにはビームを照射しないことによってパターンが描画される。但し、メッシュ内に図形パターンの端部が位置する場合などは、照射量を調整することで図形パターンの端部の位置を制御する。
照射量はマルチビームの各ビームの照射時間によって制御される。照射するビームの照射位置、照射時間及び順番を規定するビーム制御データであるショットデータがショットデータ生成部１４により生成され、ブランキングアパーチャアレイ２４に与えられる。ブランキングアパーチャアレイ２４の各ブランカは、ショットデータに基づいて各ビームのブランキング制御を行い、照射量（照射時間）を調整する。
次に、ショットデータの生成方法について説明する。
記憶装置１０には描画データが格納されている。描画データは、例えば、図形パターンの配置座標、図形種、及び図形サイズ等が定義されている。描画データは階層化されており、例えば、図形階層、及び少なくとも１つの図形を含むセル階層を含む。
記憶装置１１には、基板４０の撓みを含む要因による描画位置の誤差を補正するための補正データが格納されている。補正データは、基板４０の面内の位置誤差を近似する多項式データと、多項式では補正しきれない残留エラーを補正するためのマップデータとを含む。
セルデータ振り分け部１２は、描画領域５０をブロック状に仮想分割する。例えば、図３に示すように、ｘ方向（描画進行方向）にＭ個、ｘ方向に直交するｙ方向にＮ個のブロックが並ぶように仮想分割する（Ｍ、Ｎ≧２）。例えば、描画領域５０をｙ方向に上述のストライプ領域５２の幅で仮想分割し、各ストライプ領域をｘ方向に所定の幅で仮想分割して、複数のブロックを得る。
セルデータ振り分け部１２は、例えば、ｘ方向に沿ってビットマップデータ生成部１３の数と同数のブロックが並ぶように描画領域５０を仮想分割する。この場合、ｘ方向のブロック数Ｍは、ビットマップデータ生成部１３の数となる。
セルデータ振り分け部１２は、記憶装置１０から描画データを読み出し、セル（セル階層の描画データ）をブロックに振り分ける。ここで、セルデータ振り分け部１２は、記憶装置１１から補正データを読み出し、多項式補正及びマップ補正による移動量（位置補正量）をセル配置座標に加えて、セルをブロックに振り分ける。
セルデータ振り分け部１２は、ブロックに振り分けられたセル情報を、そのブロックに対応したビットマップデータ生成部１３へ転送する。
例えば、図４に示すように、描画領域をｘ方向にＭ個、ｙ方向にＮ個のブロックＢ１〜ＢＮＭに仮想分割した場合を考える。セルデータ振り分け部１２は、ブロックＢ１、ＢＭ＋１、Ｂ２Ｍ＋１、・・・Ｂ（Ｎ−１）Ｍ＋１のうち、描画対象のストライプに含まれるブロックに対応する領域のセル情報をビットマップデータ生成部１３＿１へ転送する。セルデータ振り分け部１２は、ブロックＢ２、ＢＭ＋２、Ｂ２Ｍ＋２、・・・Ｂ（Ｎ−１）Ｍ＋２のうち、描画対象のストライプに含まれるブロックに対応する領域のセル情報をビットマップデータ生成部１３＿２へ転送する。同様に、セルデータ振り分け部１２は、ブロックＢＭ、Ｂ２Ｍ、Ｂ３Ｍ、・・・ＢＮＭのうち、描画対象のストライプに含まれるブロックに対応する領域のセル情報をビットマップデータ生成部１３＿Ｍへ転送する。
ビットマップデータ生成部１３は、各ブロックをメッシュ状にさらに仮想分割し、セルデータから展開した図形をメッシュ領域に割り当てる。ビットマップデータ生成部１３は、各メッシュ領域に配置される図形の面積密度から、メッシュ領域毎の照射量を決定し、各メッシュ領域に照射量を割り当てたビットマップデータを生成する。
図５に示すように、セルの基準点がブロックの端部に位置する場合、セルの一部がブロックからはみ出す。そのため、１つのビットマップデータ生成部１３がビットマップデータを生成する領域の幅は、ブロックの幅に、セルサイズによるはみ出し範囲を加えたものとする。
図６（ａ）（ｂ）に、ビットマップデータ生成部１３＿１、１３＿２によるビットマップデータ生成領域（分割領域）の例を示す。ビットマップデータ生成部１３＿１によるビットマップデータ生成領域の＋ｘ側の端部は、ビットマップデータ生成部１３＿２によるビットマップデータ生成領域の−ｘ側の端部と重なる。しかし、ｙ方向には他の計算機によるビットマップデータ生成領域との重なりは無く、ビットマップデータ生成部１３間で重複する処理データ量を削減できる。
また、図７（ｂ）〜（ｄ）に示すビットマップデータ生成領域Ｒ１〜Ｒ３は、基板の撓みによる描画位置の誤差を補正する際のセル移動量を加味しているため、ｘ方向の幅が大きい。一方、本実施形態では、多項式補正及びマップ補正による移動量（位置補正量）をセル配置座標に加えて、セルをブロックに振り分けるため、セルサイズによるはみ出し範囲のみ考慮すればよく、１つのビットマップデータ生成部１３が処理するビットマップデータ生成領域のｘ方向の幅を小さくできる。そのため、ｘ方向におけるビットマップデータ生成部１３間のビットマップデータ生成領域の重なりを削減し、ビットマップデータ生成部１３間で重複する処理データ量を削減できる。
複数のビットマップデータ生成部１３（１３＿１〜１３＿Ｍ）は、生成したビットマップデータをショットデータ生成部１４へ転送する。ショットデータ生成部１４は、ビットマップデータを用いて、ショットデータを生成し、ショットデータをブランキングアパーチャアレイ２４へ転送する。
上述したように、本実施形態では、描画領域５０を、描画進行方向（ｘ方向）と直交する方向で複数の分割領域に仮想分割し、１つの分割領域を１つのビットマップデータ生成部１３で処理するため、異なるビットマップデータ生成部１３間で、ビットマップデータ生成領域がｙ方向では重ならず、処理データ量を削減できる。
また、多項式補正及びマップ補正による移動量（位置補正量）をセル配置座標に加えて、セルをブロックに振り分けるため、ｘ方向におけるビットマップデータ生成部１３間のビットマップデータ生成領域の重なりを削減し、ビットマップデータ生成部１３間で重複する処理データ量を削減できる。
これにより、計算データを保持するバッファメモリの容量や、ビットマップデータ生成部１３とショットデータ生成部１４との間のデータ転送量を低減し、描画処理のスループットを向上させることができる。
セルデータ振り分け部１２は、補正データの多項式（例えば３次関数や４次関数）のうち０次項及び１次項に相当する移動（平行移動、回転）量を算出してブロック領域を移動してから、セルを振り分けてもよい。これにより、チップを覆うブロックの範囲を小さくし、処理データ量をさらに削減できる。
上記実施形態では、描画領域５０を、描画進行方向（ｘ方向）と直交する方向で複数の分割領域に仮想分割する例について限定したが、直交方向に限定されず、描画進行方向と異なる方向で複数の分割領域に仮想分割することができる。
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
１ 制御部
２ 描画部
１０，１１ 記憶装置
１２ セルデータ振り分け部
１３ ビットマップデータ生成部
１４ ショットデータ生成部

Claims (6)

  1. 描画対象の基板を載置する移動可能なステージと、
    荷電粒子ビームを放出する放出部と、
    複数の開口部が形成され、前記複数の開口部を前記荷電粒子ビームが通過することでマルチビームを形成する成形アパーチャ部材と、
    前記マルチビームの各ビームのブランキング偏向を行う複数のブランカを有するブランキングプレートと、
    描画する図形の図形種及び配置座標を含む描画データを記憶する第１記憶部と、
    前記基板の撓みを含む要因による描画位置の誤差を補正するための補正データを記憶する第２記憶部と、
    前記基板の描画領域を複数のブロックに仮想分割し、前記描画データを読み出し、少なくとも１つの図形を含むセルを、前記複数のブロックに振り分けるセルデータ振り分け部と、
    前記ブロックをメッシュ状に仮想分割し、各メッシュ領域に配置される図形の面積密度からメッシュ領域毎の照射量を算出し、各メッシュ領域に照射量を割り当てたビットマップデータを生成する複数のビットマップデータ生成部と、
    前記複数のビットマップデータ生成部により生成された前記ビットマップデータを用いて、各ビームの照射時間を規定したショットデータを生成し、該ショットデータを前記ブランキングプレートへ転送するショットデータ生成部と、
    を備え、
    前記セルデータ振り分け部は、前記補正データを読み出し、前記補正データに基づいて前記セルを前記複数のブロックに振り分け、
    前記描画領域は、描画進行方向と異なる方向で複数の分割領域に仮想分割され、前記複数のビットマップデータ生成部は、それぞれ異なる前記分割領域を分担し、前記分割領域のビットマップデータを生成することを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
  2. 前記描画領域を、前記ビットマップデータ生成部と同数の前記分割領域に仮想分割することを特徴とする請求項１に記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
  3. 第１ビットマップデータ生成部がビットマップデータを生成する第１分割領域と、第２ビットマップデータ生成部がビットマップデータを生成する第２分割領域とは、描画進行方向の端部が、前記セルのサイズに基づく幅で重なっていることを特徴とする請求項１又は２に記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
  4. 前記セルデータ振り分け部は、前記補正データに基づいて前記ブロックを移動し、移動後のブロックにセルを振り分けることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
  5. 前記セルデータ振り分け部は、前記補正データに基づいて前記セルの配置位置を移動し、前記ブロックにセルを振り分けることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
  6. 荷電粒子ビームによるマルチビームを基板に照射して描画を行うマルチ荷電粒子ビーム描画方法であって、
    第１記憶部から、描画する図形の図形種及び配置座標を含む描画データを読み出し、第２記憶部から、前記基板の撓みを含む要因による描画位置の誤差を補正するための補正データを読み出す工程と、
    前記基板の描画領域を複数のブロックに仮想分割し、少なくとも１つの前記図形を含むセルを、前記複数のブロックに振り分ける工程と、
    複数のビットマップデータ生成部を用いて、前記ブロックをメッシュ状に仮想分割し、各メッシュ領域に配置される図形の面積密度からメッシュ領域毎の照射量を算出し、各メッシュ領域に照射量を割り当てたビットマップデータを生成する工程と、
    前記複数のビットマップデータ生成部により生成された前記ビットマップデータを用いて、各ビームの照射時間を規定したショットデータを生成する工程と、
    前記マルチビームの各ビームに対応する複数のブランカを有するブランキングプレートへ前記ショットデータを転送する工程と、
    前記複数のブランカが、前記ショットデータに基づいて、対応するビームのブランキング偏向を行う工程と、
    を備え、
    前記セルを、前記補正データに基づいて前記複数のブロックに振り分け、
    前記描画領域を、描画進行方向と異なる方向で複数の分割領域に仮想分割し、
    前記複数のビットマップデータ生成部が、それぞれ異なる分割領域を分担し、前記分割領域のビットマップデータを生成することを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
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