JP2020060670A - 液晶装置、および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】液晶材料に付すプレチルト角を適正な範囲に制御することのできる液晶装置、および電子機器を提供すること。【解決手段】液晶装置１００において、共通電極２１を構成するＩＴＯ膜のシート抵抗を１９Ω／□以上、かつ、４４Ω／□以下とし、ＩＴＯ膜の表面粗さを管理する。従って、液晶材料８５のプレチルト角θｐを４．３±０．６°に設定することができ、動画ドメインの抑制やコントラストの向上を図ることができる。また、ＩＴＯ膜の比抵抗を２７４０ｎｍ・Ω／□以上、かつ、６７４０ｎｍ・Ω／□以下に設定することが好ましい。また、ＩＴＯ膜のＸ線回折結果において、結晶面方位（２２２）の強度Ｉａ、および結晶面方位（４４０）の強度Ｉｂが以下の関係を満たすようにする。０．８５≦（Ｉａ／（Ｉａ＋Ｉｂ））≦０．９２【選択図】図３

Description

本発明は、液晶装置および電子機器に関するものである。

液晶表示装置は、画素電極および第１配向膜が一方面側に設けられた第１基板と、共通電極および第２配向膜が設けられた第２基板との間に液晶層が設けられている。近年、高速駆動や高コントラストを実現するため、液晶層に負の誘電率異方性を備えた液晶材料を用い、液晶材料を垂直配向させたＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶装置が提案されている。また、第１配向膜および第２配向膜によって、液晶材料の長軸方向を第１基板および第２基板の法線方向に対して斜めに傾いたプレチルトを液晶材料に付すことによって、電圧を印加した際に液晶材料が倒れる方向を制御する技術も提案されている。

かかる液晶装置において、第１配向膜および第２配向膜の膜質は、下地である画素電極および共通電極の表面粗さの影響を受けるため、液晶材料に付すプレチルトの角度がばらつきやすいという問題点がある。従って、共通電極等を構成するＩＴＯ膜（インジウム錫酸化物膜）を成膜した後、ＩＴＯ膜の表面粗さを管理することが好ましいが、ＩＴＯ膜の表面粗さはナノオーダーである。このため、ＩＴＯ膜の表面粗さについては、原子間力顕微鏡を用いて測定する必要があるが、原子間力顕微鏡では、カンチレバーの劣化やカンチレバーの個体差によって、表面粗さの測定値が変動しやすいという問題点がある。

一方、ＩＴＯ膜の膜質を管理する技術として、ＩＴＯ膜のＸ線回折によって得られる結晶面方位（２２２）、（４００）、（４４０）の強度の割合によって、ＩＴＯ膜のシート抵抗、透過率および光吸収率を管理する技術が提案されている（特許文献１参照）。

特表２０１６−５０６０１５公報

しかしながら、特許文献１に開示の技術は、ＩＴＯ膜のシート抵抗や透過率および光吸収率を管理するものであり、ＩＴＯ膜の表面粗さや、液晶材料に付すプレチルトの角度を管理する技術ではない。それ故、従来技術では、液晶材料に付すプレチルト角を適正な範囲に制御できないという課題がある。

上記課題を解決するために、本発明に係る液晶装置は、画素電極と、共通電極と、前記画素電極を覆う第１配向膜と、前記共通電極を覆う第２配向膜と、前記第１配向膜と前記第２配向膜との間に配置され、液晶材料を含む液晶層と、を備え、前記画素電極および前記共通電極のうち、少なくとも共通電極は、シート抵抗が１９Ω／□以上、かつ、４４Ω／□以下のＩＴＯ膜を含み、前記液晶層の厚さ方向に対する前記液晶材料の傾き角であるプレチルト角が３．７°以上、かつ、４．９°以下であることを特徴とする。なお、Ω／□は、ｏｈｍｓ ｐｅｒ ｓｑｕａｒｅである。

本発明に係る液晶装置は、投射型表示装置等の各種電子機器に用いられる。

本発明を適用した液晶装置の一態様を示す平面図。 図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ′断面図。 図２に示す液晶層に用いた液晶材料等の説明図。 図３に示す第１配向膜および第２配向膜の形成方法等の説明図。 図３に示すプレチルト角の適正範囲を示す説明図。 図３に示すＩＴＯ膜のシート抵抗とプレチルト角との関係を示すグラフ。 図３に示すＩＴＯ膜の比抵抗とプレチルト角との関係を示すグラフ。 図３に示すＩＴＯ膜のＸ線回折結果を示す説明図。 図８に示す各結晶面方位の強度とプレチルト角との関係を示す説明図。 図９に示す強度の比率とプレチルト角との関係を示す説明図。 図１０に示すＩａ／（Ｉａ＋Ｉｂ）を三次関数に近似した結果を示すグラフ。 透過型の液晶装置を用いた投射型表示装置の説明図。

図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
（液晶装置の構成）
図１は、本発明を適用した液晶装置１００の一態様を示す平面図であり、液晶装置１００を第２基板２０側からみた様子を示してある。図２は、図１に示す液晶装置１００のＨ−Ｈ′断面図である。

図１および図２に示すように、液晶装置１００は、透光性の第１基板１０と透光性の第２基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされた液晶パネル１００ｐを有している。シール材１０７は第２基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられており、第１基板１０と第２基板２０との間でシール材１０７によって囲まれた領域に液晶層８０が配置されている。液晶装置１００を電子機器に用いる際、例えば、第２基板２０に対して第１基板１０とは反対側に第１偏光素子が配置され、第１基板１０に対して第２基板２０とは反対側に第２偏光素子が配置される。第１偏光素子と第２偏光素子とは、互いの偏光軸が直交するようにクロスニコルに配置される。

第１基板１０および第２基板２０はいずれも四角形であり、液晶装置１００の略中央において、表示領域１０ａは、時計の３時−９時方向の寸法が０時−６時方向の寸法より長い長方形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略長方形に設けられ、シール材１０７の内周縁と表示領域１０ａの外周縁との間には、矩形枠状の周辺領域１０ｂが設けられている。

第１基板１０は、石英やガラス等からなる。第１基板１０の第２基板２０側の面（一方面１０ｓ）側において、表示領域１０ａの外側には、第１基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。端子１０２には、フレキシブル配線基板１０５が接続されており、第１基板１０には、フレキシブル配線基板１０５を介して各種電位や各種信号が入力される。

第１基板１０の一方面１０ｓ側において、表示領域１０ａには、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜等からなる透光性の複数の画素電極９ａ、および複数の画素電極９ａの各々に電気的に接続するトランジスター（図示せず）がマトリクス状に形成されている。画素電極９ａに対して第２基板２０側には第１配向膜１６が形成されており、画素電極９ａは第１配向膜１６によって覆われている。

第２基板２０は、石英やガラス等からなる。第２基板２０の第１基板１０側の面（一方面２０ｓ）の側には、ＩＴＯ膜からなる透光性の共通電極２１が形成されており、共通電極２１に対して第１基板１０側には第２配向膜２６が形成されている。従って、共通電極２１は第２配向膜２６によって覆われている。共通電極２１は、第２基板２０の略全面に形成されている。

共通電極２１と第２基板２０との間には、画素電極９ａに対して重なるレンズ２４が形成されている。レンズ２４は、第１基板１０の開口領域に光を導く。レンズ２４を形成するにあたって、第２基板２０の一方面２０ｓには、複数の画素電極９ａの各々と一対一で重なる位置に凹曲面２０１が形成されている。また、第２基板２０には、複数の凹曲面２０１の各々の内部を埋めるレンズ層２８が設けられており、レンズ層２８の第２基板２０とは反対側の面２８０は平面になっている。レンズ層２８の第２基板２０とは反対側の面２８０には、透光層２９が形成されており、透光層２９の第２基板２０とは反対側の面２９０に共通電極２１が形成されている。

レンズ層２８は、第２基板２０と屈折率が相違している。このため、凹曲面２０１によって、レンズ２４のレンズ面２４０が構成されている。本実施形態において、レンズ層２８は、第２基板２０より屈折率が大きい。このため、レンズ２４は、正のパワーを有している。本実施形態において、第２基板２０はガラス基板や石英基板（波長５５０ｎｍ付近の屈折率＝１．４８）からなり、レンズ層２８は酸窒化シリコン（波長５５０ｎｍ付近の屈折率＝１．５８〜１．６８）からなる。透光層２９は酸化シリコン（波長５５０ｎｍ付近の屈折率＝１．４８）からなる。

レンズ層２８と透光層２９との間には、金属または金属化合物等からなる遮光性の遮光層２７が形成されている。遮光層２７は、例えば、表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁状の見切り２７ａとして形成されている。また、遮光層２７は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた領域と平面視で重なる領域にブラックマトリクスとして形成されることもある。本形態において、第１基板１０の周辺領域１０ｂのうち、見切り２７ａと平面視で重なる領域には、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。

第１配向膜１６および第２配向膜２６はＳｉＯ_ｘ（ｘ＜２）等からなる無機配向膜であり、液晶層８０に用いた負の誘電率異方性を備えた液晶材料を略垂直配向させている。このようにして、液晶装置１００は、ＶＡモードの液晶装置として構成されている。

第１基板１０には、シール材１０７より外側において第２基板２０の角部分と重なる領域に、第１基板１０と第２基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極１０９が形成されている。基板間導通用電極１０９には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９ａが配置されており、第２基板２０の共通電極２１は、基板間導通材１０９ａおよび基板間導通用電極１０９を介して、第１基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、第１基板１０の側から共通電位が印加されている。

本形態の液晶装置１００は透過型液晶装置として構成されている。かかる液晶装置１００では、第１基板１０および第２基板２０のうち、一方側の基板から入射した光が他方側の基板を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。本形態では、矢印Ｌで示すように、第２基板２０の側から入射した光が第１基板１０を透過して出射される間に液晶層８０によって画素毎に変調され、画像を表示する。液晶装置１００は、反射型液晶装置として構成されることもある。

（液晶層８０等の構成）
図３は、図２に示す液晶層８０に用いた液晶材料８５等の説明図である。図４は、図３に示す第１配向膜１６および第２配向膜２６の形成方法等の説明図である。

本実施形態において、図２に示す第１配向膜１６および第２配向膜２６は、ＳｉＯ_ｘ（ｘ＜２）、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、ＭｇＯ、Ａｌ_２Ｏ_３等の斜方蒸着膜（無機配向膜）である。本実施形態において、第１配向膜１６および第２配向膜２６は、ＳｉＯ_ｘの斜方蒸着膜である。従って、図４に示すように、第１配向膜１６および第２配向膜２６は、カラムと称せられる柱状体１６ａ、２６ａが第１基板１０および第２基板２０に対して斜めに形成された柱状構造体からなる。それ故、第１配向膜１６および第２配向膜２６は、液晶層８０に用いた負の誘電率異方性を備えた液晶材料８５を第１基板１０および第２基板２０に対して斜め傾斜配向させ、液晶材料８５にプレチルトを付している。画素電極９ａと共通電極２１との間に電圧を印加しない状態で、第１基板１０および第２基板２０に対する法線Ｐ方向と液晶材料８５の長軸方向８５ａ（配向方向）とがなす角度がプレチルト角θｐである。本実施形態においては、液晶材料８５が柱状体１６ａ、２６ａの傾きと同一方向の傾いた正チルトが付されている。

液晶材料８５のプレチルトの方位Ｄｐは、液晶材料８５の長軸方向８５ａの第１基板１０側の端部８５１に対して第２基板２０側の端部８５２が位置する方位である。かかる液晶装置１００では、画素電極９ａと共通電極２１との間に駆動電圧を印加すると、液晶材料８５がプレチルトの方位Ｄｐに倒れる。

液晶パネル１００ｐは、クロスニコルに配置された一対の偏光素子の間において、一対の偏光素子の透過軸または吸収軸に対して、プレチルトの方位Ｄｐが４５°の角度を成すように配置される。本実施形態では、例えば、図１に示すように、第１配向膜１６を形成する際の蒸着方向の方位Ｄ１０は、例えば、時計の７時３０分から１時３０分に向かう方位であり、その際に、柱状体１６ａが成長する方向は、時計の１時３０分から７時３０分に向かう方位である。第２配向膜２６を形成する際の蒸着方向の方位Ｄ２０は、時計の１時３０分から７時３０分に向かう方位であり、その際に、柱状体２６ａが成長する方向は、時計の７時３０分から１時３０分に向かう方位である。従って、液晶材料８５のプレチルトの方位Ｄｐは、時計の１時３０分から７時３０分に向かう方位であり、プレチルトの方位Ｄｐは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙの各々に４５°の角度で交差している。

図４に示すように、第１配向膜１６を形成するには、方位Ｄ１０から蒸着を行う。その際、第１基板１０に対する法線Ｐ方向に対して角度θｄを成す斜め方向から蒸着を行う。その結果、第１配向膜１６では、第１基板１０に対する法線Ｐ方向に対して角度θｃ（カラム角度）を成す方向に柱状体１６ａが形成される。その際、柱状体１６ａの角度θｃは、蒸着の角度θｄと同一とは限らないが、柱状体１６ａの角度θｃは、蒸着の角度θｄによって制御される。

また、液晶材料８５は、第１配向膜１６の配向規制力によってプレチルトが付される。その際、プレチルト角θｐは、柱状体１６ａの角度θｃと同一とは限らないが、プレチルト角θｐは、柱状体１６ａの角度θｃによって制御される。従って、プレチルト角θｐは、蒸着の角度θｄによって制御される。本形態は、角度θｄを４５°に設定して、第１配向膜１６を成膜する。

なお、第２配向膜２６は、第１配向膜１６と同一の構成であるため、対応する符号を図４に括弧内に示し、それらの説明を省略する。但し、第２配向膜２６を形成する際の平面的な蒸着方向は、第２配向膜２６を形成する際の蒸着方向に対して１８０°逆向きとなっている。

（プレチルト角θｐの範囲）
図５は、図３に示すプレチルト角θｐの適正範囲を示す説明図であり、図５には、画像の品位として、動画ドメイン、およびコントラストの評価結果を示してある。評価結果については、優れている場合には丸（○）を付し、劣っている場合にはバツ（×）を付し、中間の場合には三角（△）を付してある。なお、図５には、コントラストとして、液晶層８０に５Ｖを印加した際の輝度と、液晶層８０に０Ｖを印加した際の輝度との比を示してある。また、動画ドメインについては、動画を表示した際に発生する帯状の残像の程度により評価した。

図３において、液晶装置１００では、液晶材料８５のプレチルト角θｐが小さい程、オン―オフ間でのコントラスト比が大きくなる一方、液晶材料８５に対する配向規制力が小さくなるので、動画ドメインが発生しやすくなる。逆に、液晶材料８５のプレチルト角θｐが大きい程、動画ドメインの発生を抑制できる一方、コントラスト比が小さくなる。それ故、プレチルト角θｐには適正な範囲が存在する。

図５に示す結果によれば、動画ドメインに関しては、プレチルト角θｐが３．７°以上であることが好ましく、コントラストに関しては、プレチルト角θｐが４．９°以下であることが好ましい。従って、本形態では、プレチルト角θｐの設計上の狙い値を、例えば４．３°に設定し、ばらつきが発生しても、プレチルト角θｐを４．３±０．６°の範囲内（３．７°以上、かつ、４．９°以下）とする。

かかる構成を実現するには、第１配向膜１６および第２配向膜２６を適正に形成する必要があり、それには、下地である画素電極９ａおよび共通電極２１を構成するＩＴＯ膜の表面粗さ等を適正に管理する必要がある。特に、共通電極２１を構成するＩＴＯ膜の表面粗さ等を制御する必要がある。本形態では、ＩＴＯ膜の表面粗さを直接、管理することが困難であるため、以下に説明するように、ＩＴＯ膜のシート抵抗等や、ＩＴＯ膜のＸ線回折によって得られる結晶面方位の強度の割合を管理し、プレチルト角θｐを制御する。

かかる管理は、画素電極９ａおよび共通電極２１のうち、少なくとも共通電極２１を構成するＩＴＯ膜に対して行われる。但し、画素電極９ａを構成するＩＴＯ膜、および共通電極２１を構成するＩＴＯ膜の双方に行ってもよい。

（ＩＴＯ膜のシート抵抗）
図６は、図３に示すＩＴＯ膜のシート抵抗とプレチルト角θｐとの関係を示すグラフである。図７は、図３に示すＩＴＯ膜の比抵抗とプレチルト角θｐとの関係を示すグラフである。また、図６には、最小二乗法によって、ＩＴＯ膜のシート抵抗とプレチルト角θｐとの関係を一次関数に近似した結果も示してある。図７には、最小二乗法によって、ＩＴＯ膜の比抵抗とプレチルト角θｐとの関係を一次関数に近似した結果も示してある。

図６に示すように、ＩＴＯ膜のシート抵抗とプレチルト角θｐとは正の相関関係を有しており、ＩＴＯ膜のシート抵抗が高くなると、プレチルト角θｐが大きくなる。その場合の近似式は下式であり、相関係数Ｒの二乗は０．９４６４である。
ｙ＝０．０４５８ｘ＋２．８６３４
ｘ：シート抵抗（Ω／□）
ｙ：プレチルト角θｐ（°）

本形態では、上記の近似式に基づいて、ＩＴＯ膜のシート抵抗を１９Ω／□以上、かつ、４４Ω／□以下に設定し、４．３±０．６°のプレチルト角θｐを実現する。なお、ＩＴＯ膜のシート抵抗の下限については、近似式から求めた値の小数点以下を切り上げて１９Ω／□とし、ＩＴＯ膜のシート抵抗の上限については、近似式から求めた値の小数点以下を切り捨てて４４Ω／□に設定してある。

また、図７に示すように、ＩＴＯ膜の比抵抗とプレチルト角θｐとは正の相関関係を有しており、ＩＴＯ膜の比抵抗が高くなると、プレチルト角θｐが大きくなる。その場合の近似式は下式であり、相関係数Ｒの二乗は０．９６９である。
ｙ＝０．０００３ｘ＋２．８７８
ｘ：比抵抗（ｎｍ・Ω／□）
ｙ：プレチルト角θｐ（°）

本形態では、上記の近似式に基づいて、ＩＴＯ膜の比抵抗を２７４０ｎｍ・Ω／□以上、かつ、６７４０ｎｍ・Ω／□以下に設定し、４．３±０．６°のプレチルト角θｐをより確実に実現する。

（ＩＴＯ膜のＸ線回折結果）
図８は、図３に示すＩＴＯ膜のＸ線回折結果を示す説明図である。図９は、図８に示す各結晶面方位の強度とプレチルト角θｐとの関係を示す説明図であり、結晶面方位（６２２）、（４４０）、（４００）、（２１１）、（２２２）の強度とプレチルト角θｐとの関係を示してある。また、図９には、結晶面方位（２２２）の強度Ｉａを一次関数に近似した結果、および結晶面方位（４４０）の強度Ｉｂを一次関数に近似した結果も示してある。図１０は、図９に示す強度Ｉａ、Ｉｂの比率とプレチルト角θｐとの関係を示す説明図であり、図１０には、Ｉａ／（Ｉａ＋Ｉｂ）の値、およびＩｂ／（Ｉａ＋Ｉｂ）の値と、プレチルト角θｐとの関係を示してある。図１１には、図１０に示すＩａ／（Ｉａ＋Ｉｂ）を三次関数に近似した結果を示すグラフである。なお、本形態における「強度」とは、該当するピークの積分強度である。

図８に示すように、成膜時の圧力等の成膜条件を変えて成膜したＩＴＯ膜をＸ線回折すると、結晶面方位（６２２）、（４４０）、（４００）、（２１１）、（２２２）等に対応するピークが得られ、成膜条件によって、結晶面方位（６２２）、（４４０）、（４００）、（２１１）、（２２２）等の相対強度が変化する。

また、成膜時の圧力等の成膜条件を変えて成膜したＩＴＯ膜を第２配向膜２６として用いた場合、結晶面方位（６２２）、（４４０）、（４００）、（２１１）、（２２２）の強度とプレチルト角θｐとの関係は、図９に示す通りである。図９から分かるように、結晶面方位（２２２）の強度Ｉａ、および結晶面方位（４４０）の強度Ｉｂは、プレチルト角θｐと高い相関性が存在する。

例えば、結晶面方位（２２２）の強度Ｉａとプレチルト角θｐとの関係を一次関数に近似したときの近似式は、以下の通りであり、相関係数Ｒの二乗は０．９９８３である。
ｙ＝０．２１１２ｘ＋０．０７３２
ｘ：プレチルト角θｐ（°）
ｙ：結晶面方位（２２２）の強度Ｉａ

結晶面方位（４４０）の強度Ｉｂとプレチルト角θｐとの関係を一次関数に近似したときの近似式は、以下の通りであり、相関係数Ｒの二乗は０．９５５８である。
ｙ＝−０．１３０８ｘ＋０．５５６７
ｘ：プレチルト角θｐ（°）
ｙ：結晶面方位（４４０）の強度Ｉｂ

また、Ｉａ／（Ｉａ＋Ｉｂ）の値、およびＩｂ／（Ｉａ＋Ｉｂ）の値と、プレチルト角θｐとの関係は、図１０に示す通りであり、Ｉａ／（Ｉａ＋Ｉｂ）の値、およびＩｂ／（Ｉａ＋Ｉｂ）の値は、プレチルト角θｐと高い相関性が存在する。

例えば、Ｉａ／（Ｉａ＋Ｉｂ）の値とプレチルト角θｐとの関係を一次関数に近似したときの近似式は、以下の通りであり、相関係数Ｒの二乗は０．９７０６である。
ｙ＝０．１４４ｘ＋０．２８９４
ｘ：プレチルト角θｐ（°）
ｙ：Ｉａ／（Ｉａ＋Ｉｂ）

また、Ｉｂ／（Ｉａ＋Ｉｂ）の値とプレチルト角θｐとの関係を一次関数に近似したときの近似式は、以下の通りであり、相関係数Ｒの二乗は０．９７０６である。
ｙ＝−０．１４４ｘ＋０．７１
ｘ：プレチルト角θｐ（°）
ｙ：Ｉｂ／（Ｉａ＋Ｉｂ）

本形態では、Ｉａ／（Ｉａ＋Ｉｂ）の値とプレチルト角θｐとの関係を三次関数に近似し、かかる近似式に基づいて、Ｉａ／（Ｉａ＋Ｉｂ）の範囲を設定する。より具体的には、図１１に示すように、Ｉａ／（Ｉａ＋Ｉｂ）の値とプレチルト角θｐとの関係を三次関数に近似した場合の近似式は、以下の通りであり、相関係数Ｒの二乗は０．９６６９である。
ｙ＝０．０２５ｘ^３＋０．３７９３ｘ^２＋１．９３０３ｘ−２．３６７６
ｘ：プレチルト角θｐ（°）
ｙ：Ｉａ／（Ｉａ＋Ｉｂ）

図１１に示す結果によれば、結晶面方位（２２２）の強度Ｉａ、および結晶面方位（４４０）の強度Ｉｂが以下の関係を満たせば、４．３±０．６°のプレチルト角θｐをより確実に実現することができる。
０．８５≦（Ｉａ／（Ｉａ＋Ｉｂ））≦０．９２

なお、Ｉａ／（Ｉａ＋Ｉｂ）の下限については、近似式から求めた値の小数点第３位を切り上げて０．８５とし、Ｉａ／（Ｉａ＋Ｉｂ）の上限については、近似式から求めた値の小数点第３位を切り捨てて０．９２に設定してある。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、第２配向膜２６に用いるＩＴＯ膜のシート抵抗等や、ＩＴＯ膜のＸ線回折によって得られる結晶面方位の強度の割合を管理することによって、４．３±０．６°のプレチルト角θｐを実現する。このため、ＩＴＯ膜の表面粗さを計測しなくても、動画ドメイン、およびコントラストの面で優れた液晶装置１００を実現することができる。

より具体的には、共通電極２１は、シート抵抗が１９Ω／□以上、かつ、４４Ω／□以下のＩＴＯ膜を含むため、プレチルト角θｐを４．３±０．６°とすることができる。

また、共通電極２１に用いたＩＴＯ膜のシート抵抗と膜厚との積である比抵抗を、２７４０ｎｍ・Ω／□以上、かつ、６７４０ｎｍ・Ω／□以下としたため、ＩＴＯ膜の膜厚を変えた場合でも、ＩＴＯ膜を適正に管理でき、プレチルト角θｐを４．３±０．６°とすることができる。

さらに、共通電極２１に用いたＩＴＯ膜のＸ線回折結果において、結晶面方位（２２２）の強度Ｉａ、および結晶面方位（４４０）の強度Ｉｂが以下の関係を満たすため、プレチルト角θｐをより適正に制御でき、プレチルト角θｐを４．３±０．６°とすることができる。
０．８５≦（Ｉａ／（Ｉａ＋Ｉｂ））≦０．９２

［他の実施形態］
上記実施形態では、液晶装置１００がノーマリーブラックモードである場合を説明したが、液晶装置１００がノーマリーホワイトモードである場合に本発明を適用してもよい。

上記実施形態では、共通電極２１を構成するＩＴＯの管理を中心に説明したが、画素電極９ａを構成するＩＴＯ膜。および共通電極２１を構成するＩＴＯの双方に上記実施形態で説明した管理を行ってもよい。

［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る液晶装置１００を用いた電子機器の一例として、投射型表示装置（液晶プロジェクター）を説明する。図１２は、透過型の液晶装置を用いた投射型表示装置の説明図である。図１２に示す投射型表示装置２１００では、本発明を適用した液晶装置１００と、液晶装置１００に供給される光を出射する光源部と、液晶装置１００によって変調された光を投射する投射光学系とが設けられている。

投射型表示装置２１００には、ハロゲンランプ等の白色光源を有するランプユニット２１０２（光源部）が設けられている。ランプユニット２１０２から射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイックミラー２１０８によってＲ（赤）色、Ｇ（緑）色、Ｂ（青）色の３原色に分離される。分離された投射光は、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにそれぞれ導かれ、変調される。なお、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４を有するリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。ここで、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂは各々、液晶装置１００に対して入射側で重なる入射側偏光分離素子１１１と、液晶装置１００に対して出射側で重なる出射側偏光分離素子１１２とを有している。

ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、ダイクロイックプリズム２１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に反射し、Ｇ色の光は透過する。したがって、各原色の画像が合成された後、スクリーン２１２０には、投射レンズ群２１１４（投射光学系）によってカラー画像が投射される。

（他の投射型表示装置）
投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別のライトバルブに供給するように構成してもよい。

（他の電子機器）
本発明を適用した液晶装置１００を備えた電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置２１００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ等の電子機器に用いてもよい。

９ａ…画素電極、９ｂ…ダミー画素電極、１０…第１基板、１０ａ…表示領域、１６…第１配向膜、２０…第２基板、２１…共通電極、２６…第２配向膜、８０…液晶層、８５…液晶材料、１００…液晶装置、１００Ｂ，１００Ｇ，１００Ｒ…ライトバルブ、１００ｐ…液晶パネル、２１００…投射型表示装置、２１０２…ランプユニット（光源部）、２１１４…投射レンズ群（投射光学系）。

Claims (6)

1. 画素電極と、
   共通電極と、
   前記画素電極を覆う第１配向膜と、
   前記共通電極を覆う第２配向膜と、
   前記第１配向膜と前記第２配向膜との間に配置され、液晶材料を含む液晶層と、
   を備え、
   前記画素電極および前記共通電極のうち、少なくとも共通電極は、シート抵抗が１９Ω／□以上、かつ、４４Ω／□以下のＩＴＯ膜を含み、前記液晶層の厚さ方向に対する前記液晶材料の傾き角であるプレチルト角が３．７°以上、かつ、４．９°以下であることを特徴とする液晶装置。
2. 請求項１に記載の液晶装置において、
   前記ＩＴＯ膜は、シート抵抗と膜厚との積である比抵抗が、２７４０ｎｍ・Ω／□以上、かつ、６７４０ｎｍ・Ω／□以下であることを特徴とする液晶装置。
3. 請求項１または２に記載の液晶装置において、
   前記ＩＴＯ膜は、Ｘ線回折結果において、結晶面方位（２２２）の強度Ｉａ、および結晶面方位（４４０）の強度Ｉｂが以下の関係
   ０．８５≦（Ｉａ／（Ｉａ＋Ｉｂ））≦０．９２
   を満たすことを特徴とする液晶装置。
4. 請求項１から３までの何れか一項に記載の液晶装置において、
   前記画素電極および前記共通電極の双方が前記ＩＴＯ膜を含むことを特徴とする液晶装置。
5. 請求項１から４までの何れか一項に記載の液晶装置において、
   前記第１配向膜および前記第２配向膜は、前記液晶層の厚さ方向に対して斜めに傾いた柱状体を備えた柱状構造体からなることを特徴とする液晶装置。
6. 請求項１から５までの何れか一項に記載の液晶装置を備えていることを特徴とする電子機器。