JP2020043323A - コイル部品 - Google Patents

Abstract

【課題】漏洩磁束を低減しながらも、部品の特性を実質的に維持することができるコイル部品を提供する。【解決手段】コイル部品１０００は、金属磁性粉末を含む本体１００と、本体１００に埋設され、少なくとも一つのターンを形成するコイル部と、本体１００の一面に互いに離隔配置され、コイル部と連結される第１及び第２外部電極と、第１及び第２外部電極と離隔するように本体１００の一面に配置されたパッド部５２０、及び本体の複数の壁面のうち、互いに向かい合う両側面の少なくとも一つに配置された側面部を含む第３外部電極と、本体１００の他面及び本体１００の複数の壁面を覆い、側面部を露出させる開口部Ｏが形成された絶縁層６００と、絶縁層６００に形成され、本体１００の他面上に配置されたキャップ部７１５、及び本体１００の複数の壁面に配置され、開口部Ｏを介して側面部５１０と連結される側壁部７１３、７１４を含む遮蔽層７１０と、を含む。【選択図】図４

Description

本発明はコイル部品に関する。

コイル部品の一つであるインダクタ（ｉｎｄｕｃｔｏｒ）は、抵抗（Ｒｅｓｉｓｔｏｒ）及びキャパシタ（Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）と共に電子機器に用いられる代表的な受動電子部品である。

電子機器が次第に高性能化し、小さくなるにつれて、電子機器に用いられる電子部品はその数が増加し、小型化している。

上述の理由により、電子部品のＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）のようなノイズ発生源を除去することに対する要求がますます増加している。

現在の一般的なＥＭＩシールド技術では、電子部品を基板に実装した後、シールド缶（Ｓｈｉｅｌｄ Ｃａｎ）で電子部品と基板を同時に囲んでいる。

特開２００５−３１０８６３号公報（２００５年１１月０４日公開）

本発明の目的は、漏洩磁束を低減することができるコイル部品を提供することにある。

また、漏洩磁束を低減しながらも、部品特性を実質的に維持することができるコイル部品を提供することにある。

本発明の一側面によると、一方向に互いに向かい合う一面と他面、及びそれぞれ上記本体の一面と他面とを連結する複数の壁面を有し、金属磁性粉末を含む本体と、上記本体に埋設され、少なくとも一つのターン（ｔｕｒｎ）を形成するコイル部と、上記本体の一面に互いに離隔配置され、上記コイル部と連結される第１及び第２外部電極と、上記第１及び第２外部電極と離隔するように上記本体の一面に配置されたパッド部、及び上記本体の複数の壁面のうち、互いに向かい合う両側面の少なくとも一つに配置された側面部を含む第３外部電極と、上記本体の他面及び上記本体の複数の壁面を覆い、上記側面部を露出させる開口部が形成された絶縁層と、上記絶縁層に形成され、上記本体の他面上に配置されたキャップ部、及び上記本体の複数の壁面に配置され、上記開口部を介して上記側面部と連結される側壁部を含む遮蔽層と、を含む、コイル部品が提供される。

本発明によると、コイル部品の漏洩磁束を低減することができる。

また、コイル部品の漏洩磁束を低減しながらも、部品特性を実質的に維持することができる。

本発明の第１実施形態によるコイル部品を概略的に示す図である。 図１において一部構成を除いた様子を示す図である。 図１のＩ−Ｉ'線に沿った断面を示す図である。 図１のＩＩ−ＩＩ'線に沿った断面を示す図である。 本発明の第２実施形態によるコイル部品を概略的に示す図面である。 図５のＩＩＩ−ＩＩＩ'線に沿った断面を示す図である。 図５のＩＶ−ＩＶ'線に沿った断面を示す図である。 本発明の第３実施形態によるコイル部品を概略的に示す図面である。 図８のＶ−Ｖ'線に沿った断面を示す図である。 本発明の第４実施形態によるコイル部品の断面を示す図であり、図１のＩ−Ｉ'線に沿った断面に対応する図である。 本発明の第４実施形態によるコイル部品の断面を示す図であり、図１のＩＩ−ＩＩ'線に沿った断面に対応する図である。 本発明の第５実施形態によるコイル部品の断面を示す図であり、図１のＩ−Ｉ'線に沿った断面に対応する図である。 本発明の第６実施形態によるコイル部品の断面を示す図であり、図１のＩ−Ｉ'線に沿った断面に対応する図である。

本願で用いられた用語は、ただ特定の実施例形態を説明するために用いられたものであり、本発明を限定しようとする意図ではない。単数の表現は文脈上明確に異なる意味でない限り、複数の表現を含む。本願において、「含む」または「有する」などの用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものの存在を指定するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものなどの存在または付加可能性を予め排除するものではないことを理解しなくてはならない。また、明細書の全般にわたって、「上に」とは、対象部分の上または下に位置することを意味し、必ずしも重力方向を基準にして上側に位置することを意味するものではない。

また、「結合」とは、各構成要素間の接触関係において、各構成要素間に物理的に直接接触する場合のみを意味するものではなく、他の構成が各構成要素の間に介在され、その他の構成に構成要素がそれぞれ接触している場合まで包括する概念として使用する。

図面に示されている各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜のために任意に示したものであり、本発明は、必ずしも図示のものに限定されない。

図面において、Ｌ方向は第１方向又は長さ方向、Ｗ方向は第２方向又は幅方向、Ｔ方向は第３方向又は厚さ方向と定義することができる。

以下、本発明の実施形態によるコイル部品を添付図面を参照して詳細に説明し、添付図面を参照して説明するにあたって、同一又は対応する構成要素は、同一の図面番号を付与し、これに対して重複する説明は省略する。

電子機器には、様々な種類の電子部品が用いられる。このような電子部品の間にはノイズ除去などのために、様々な種類のコイル部品が適切に用いられることができる。

即ち、電子機器においてコイル部品は、パワーインダクタ（Ｐｏｗｅｒ Ｉｎｄｕｃｔｏｒ）、高周波インダクタ（ＨＦ Ｉｎｄｕｃｔｏｒ）、通常のビーズ（Ｇｅｎｅｒａｌ Ｂｅａｄ）、高周波用ビーズ（ＧＨｚ Ｂｅａｄ）、コモンモードフィルタ（Ｃｏｍｍｏｎ Ｍｏｄｅ Ｆｉｌｔｅｒ）などに用いられることができる。

（第１実施形態）
図１は本発明の第１実施形態によるコイル部品を概略的に示す図である。図２は図１において一部構成を除いた様子を示す図である。図３は図１のＩ−Ｉ'線に沿った断面を示す図である。図４は図１のＩＩ−ＩＩ'線に沿った断面を示す図である。

図１〜図４を参照すると、本発明の一実施形態によるコイル部品１０００は、本体１００、コイル部２００、外部電極３００、４００、５００、絶縁層６００、及び遮蔽層７１０を含み、カバー層８００、内部絶縁層ＩＬ、及び絶縁膜ＩＦをさらに含むことができる。

本体１００は、本実施形態によるコイル部品１０００の外観をなし、内部にはコイル部２００が埋設される。

本体１００は、全体的に六面体状に形成されることができる。

本体１００は、図１及び図２を基準に、長さ方向Ｌに互いに向かい合う第１面１０１と第２面１０２、幅方向Ｗに互いに向かい合う第３面１０３と第４面１０４、厚さ方向Ｔに互いに向かい合う第５面１０５及び第６面１０６を含む。本体１００の第１〜第４面１０１、１０２、１０３、１０４はそれぞれ、本体１００の第５面１０５と第６面１０６とを連結する本体１００の壁面に該当する。以下、本体の両端面は、本体の第１面１０１及び第２面１０２を意味し、本体の両側面は、本体の第３面１０３及び第４面１０４を意味することができる。

本体１００は、例示的に、後述する外部電極３００、４００、５００、絶縁層６００、遮蔽層７１０、及びカバー層８００が形成された本実施形態によるコイル部品１０００が２．０ｍｍの長さ、１．２ｍｍの幅、及び０．６５ｍｍの厚さを有するように形成されることができるが、これに制限されるものではない。上記寸法は、工程上の誤差を除いたものであり、上記寸法と異なるが、工程上の誤差を考慮したときに上記寸法と実質的に同一である場合であれば、本発明の範囲に属するものとする。

本体１００は、磁性物質と樹脂を含むことができる。具体的に、本体１００は、樹脂及び樹脂に分散された磁性物質を含む磁性複合シートを一層以上積層して形成されることができる。但し、本体１００は、磁性物質が樹脂に分散された構造以外に、他の構造を有することもできる。例えば、本体１００は、フェライトのような磁性物質からなることもできる。

磁性物質は、フェライト又は金属磁性粉末であることができる。

フェライトは、例えば、Ｍｇ−Ｚｎ系、Ｍｎ−Ｚｎ系、Ｍｎ−Ｍｇ系、Ｃｕ−Ｚｎ系、Ｍｇ−Ｍｎ−Ｓｒ系、Ｎｉ−Ｚｎ系などのスピネル型フェライト、Ｂａ−Ｚｎ系、Ｂａ−Ｍｇ系、Ｂａ−Ｎｉ系、Ｂａ−Ｃｏ系、Ｂａ−Ｎｉ−Ｃｏ系などの六方晶型フェライト類、Ｙ系などのガーネット型フェライト、及びＬｉ系フェライトの少なくとも一つ以上であることができる。

金属磁性粉末は、鉄（Ｆｅ）、シリコン（Ｓｉ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニオブ（Ｎｂ）、銅（Ｃｕ）、及びニッケル（Ｎｉ）からなる群から選択されたいずれか一つ以上を含むことができる。例えば、金属磁性粉末は、純鉄粉末、Ｆｅ−Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ−Ｃｕ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｏ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｕ−Ｎｂ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系合金粉末の少なくとも一つ以上であることができる。

金属磁性粉末は、非晶質又は結晶質であることができる。例えば、金属磁性粉末は、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｃｒ系非晶質合金粉末であることができるが、必ずしもこれに制限されるものではない。

フェライト及び金属磁性粉末はそれぞれ、平均直径が約０．１μｍ〜３０μｍであることができるが、これに制限されるものではない。

本体１００は、樹脂に分散された２種類以上の磁性物質を含むことができる。ここで、磁性物質が異なる種類とは、樹脂に分散された磁性物質が平均直径、組成、結晶性、及び形状のいずれか一つによって互いに区別されることを意味する。

樹脂は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、液晶ポリマー（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒ）などを単独又は混合して含むことができるが、これに限定されるものではない。

本体１００は、後述するコイル部２００を貫通するコア１１０を含む。コア１１０は、磁性複合シートがコイル部２００の貫通孔に充填されることにより形成されることができるが、これに制限されるものではない。

内部絶縁層ＩＬは本体１００に埋設される。本実施形態の場合、内部絶縁層ＩＬは、後述するコイル部２００を支持する。

内部絶縁層ＩＬは、エポキシ樹脂のような熱硬化性絶縁樹脂、ポリイミドのような熱可塑性絶縁樹脂又は感光性絶縁樹脂を含む絶縁材料で形成されるか、又はかかる絶縁樹脂にガラス繊維又は無機フィラーのような補強材が含浸された絶縁材料で形成されることができる。例えば、内部絶縁層ＩＬは、プリプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ）、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ Ｆｉｌｍ）、ＦＲ−４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ Ｔｒｉａｚｉｎｅ）樹脂、ＰＩＤ（Ｐｈｏｔｏ Ｉｍａｇａｂｌｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）などの絶縁材料で形成されることができるが、これに制限されるものではない。

無機フィラーとしては、シリカ（ＳｉＯ_２）、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ_４）、タルク、泥、雲母粉、水酸化アルミニウム（ＡｌＯＨ_３）、水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）_２）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ_３）、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ_３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、ホウ酸アルミニウム（ＡｌＢＯ_３）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）、及びジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ_３）からなる群から選択された少なくとも一つ以上が用いられることができる。

内部絶縁層ＩＬが補強材を含む絶縁材料で形成される場合、内部絶縁層ＩＬは、より優れた剛性を提供することができる。内部絶縁層ＩＬがガラス繊維を含まない絶縁材料で形成される場合、内部絶縁層ＩＬは、コイル部２００の全厚さを薄型化するのに有利である。内部絶縁層ＩＬが感光性絶縁樹脂を含む絶縁材料で形成される場合、コイル部２００を形成するための工程数が減少して生産費の節減に有利であり、後述するビアを微細に形成することができる。

コイル部２００は、第１コイルパターン２１１、第２コイルパターン２１２、及びビア２２０を含む。

第１コイルパターン２１１、内部絶縁層ＩＬ、及び第２コイルパターン２１２は、図１に示されている本体１００の厚さ方向Ｔに沿って順次積層された形態で形成されることができる。

第１コイルパターン２１１と第２コイルパターン２１２はそれぞれ、平面螺旋状に形成されることができる。例えば、第１コイルパターン２１１は、内部絶縁層ＩＬの一面で本体１００の厚さ方向Ｔを軸に少なくとも一つのターン（ｔｕｒｎ）を形成することができる。

ビア２２０は、第１コイルパターン２１１と第２コイルパターン２１２とを電気的に連結するように内部絶縁層ＩＬを貫通する。その結果、本実施形態に適用されるコイル部２００は、本体１００の厚さ方向Ｔに磁場を発生させる一つのコイルとして形成されることができる。

第１コイルパターン２１１、第２コイルパターン２１２、及びビア２２０の少なくとも一つは、少なくとも一つ以上の導電層を含むことができる。

例えば、第２コイルパターン２１２とビア２２０をめっきで形成する場合、第２コイルパターン２１２とビア２２０はそれぞれ、無電解めっき層のシード層と電解めっき層を含むことができる。ここで、電解めっき層は、単層構造であってもよく、多層構造であってもよい。多層構造の電解めっき層は、いずれか一つの電解めっき層を他の一つの電解めっき層がカバーするコンフォーマル（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ）な膜構造で形成されることもでき、いずれか一つの電解めっき層の上面にのみ他の一つの電解めっき層が配置された形状に形成されることもできる。第２コイルパターン２１２のシード層とビア２２０のシード層は、一体に形成されて相互間に境界が形成されないが、これに制限されるものではない。第２コイルパターン２１２の電解めっき層とビア２２０の電解めっき層は、一体に形成されて相互間に境界が形成されないが、これに制限されるものではない。

他の例として、第１コイルパターン２１１と第２コイルパターン２１２をそれぞれ別に形成した後、内部絶縁層ＩＬに一括積層してコイル部２００を形成する場合、ビア２２０は、高融点金属層と、高融点金属層の溶融点よりも低い溶融点を有する低融点金属層と、を含むことができる。ここで、低融点金属層は、鉛（Ｐｂ）及び／又は錫（Ｓｎ）を含む半田で形成されることができる。低融点金属層は、一括積層時の圧力及び温度によって少なくとも一部が溶融して、低融点金属層と第２コイルパターン２１２との間の境界には、金属間化合物層（Ｉｎｔｅｒ Ｍｅｔａｌｌｉｃ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ Ｌａｙｅｒ、ＩＭＣ Ｌａｙｅｒ）が形成されることができる。

第１コイルパターン２１１と第２コイルパターン２１２は、例えば、図３の上部と下部を基準に、それぞれ内部絶縁層ＩＬの下面及び上面に突出形成されることができる。他の例として、第１コイルパターン２１１は内部絶縁層ＩＬの下面に埋め込まれて、下面が内部絶縁層ＩＬの下面に露出し、第２コイルパターン２１２は内部絶縁層ＩＬの上面に突出形成されることができる。この場合、第１コイルパターン２１１の下面には凹部が形成され、内部絶縁層ＩＬの下面と第１コイルパターン２１１の下面は同一平面上に位置しない。さらに他の例として、第１コイルパターン２１１は、内部絶縁層ＩＬの下面に埋め込まれて、下面が内部絶縁層ＩＬの下面に露出し、第２コイルパターン２１２は内部絶縁層ＩＬの上面に埋め込まれて、上面が内部絶縁層ＩＬの上面に露出することができる。

第１コイルパターン２１１と第２コイルパターン２１２のそれぞれの端部は、本体１００の第１面及び第２面に露出することができる。本明細書上において、第１及び第２コイルパターン２１１、２１２の端部はそれぞれ、第１及び第２引出部２３１、２３２と称されることがある。第１コイルパターン２１１は、本体１００の第１面に露出した端部２３１が後述する第１外部電極３００と接触することにより、第１外部電極３００と電気的に連結される。第２コイルパターン２１２は、本体１００の第２面に露出した端部２３２が後述する第２外部電極４００と接触することにより、第２外部電極４００と電気的に連結される。

第１コイルパターン２１１、第２コイルパターン２１２、及びビア２２０はそれぞれ、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、又はこれらの合金などの導電性物質で形成されることができるが、これに限定されるものではない。

外部電極３００、４００、５００は、本体１００の第６面１０６に互いに離隔配置される。第１外部電極３００と第２外部電極４００は、コイル部２００と電気的に連結される。第３外部電極５００は、第１外部電極３００、第２外部電極４００、及びコイル部２００と電気的に連結されない。

本実施形態の場合、第１及び第２外部電極３００、４００は、第１及び第２コイルパターン２１１、２１２と連結されるように、本体１００の第１及び第２面１０１、１０２に形成された連結部３１０、４１０、及び連結部３１０、４１０から本体１００の第６面１０６に延長された延長部３２０、４２０をそれぞれ含む。具体的に、第１外部電極３００は、本体１００の第１面１０１に配置され、第１コイルパターン２１１の第１引出部２３１と接触連結される第１連結部３１０と、第１連結部３１０から本体１００の第６面１０６に延長された第１延長部３２０と、を含む。第２外部電極４００は、本体１００の第２面１０２に配置され、第２コイルパターン２１２の第２引出部２３２と接触連結される第２連結部４１０と、第２連結部４１０から本体１００の第６面１０６に延長された第２延長部４２０と、を含む。

第３外部電極５００は、第１及び第２外部電極３００、４００と離隔するように本体１００の第６面１０６に配置されたパッド部５２０と、本体１００の両側面１０３、１０４の少なくとも一つに配置された側面部５１０と、を含む。

側面部５１０は、本体１００の第３面１０３及び／又は第４面１０４に形成されることができる。例えば、側面部５１０は、図１及び図２に示されているように、本体１００の第３面１０３と第４面１０４にそれぞれ形成されることができる。例えば、側面部５１０は、図１及び図２に示されているように、本体１００の第３面１０３と第４面１０４において本体１００の厚さ方向Ｔに沿った長さに対応する長さに形成されることができる。例えば、側面部５１０は、図１及び図２に示されているように、本体１００の第３面１０３と第４面１０４において本体１００の長さ方向Ｌに沿った長さよりも小さく形成されることができる。但し、本発明の範囲が上述の内容に制限されるものではない。

外部電極３００、４００、５００はそれぞれ、一体に形成されることができる。即ち、第１連結部３１０と第１延長部３２０は同一工程で共に形成されて、第１外部電極３００が一体に形成されることができ、第２連結部４１０と第２延長部４２０は同一工程で共に形成されて、第２外部電極４００が一体に形成されることができる。また、側面部５１０とパッド部５２０は同一工程で共に形成されて、第３外部電極５００が一体に形成されることができる。外部電極３００、４００、５００は、スパッタリングなどの薄膜工程、電解めっきなどのめっき工程又は導電性ペースト工程などを介して形成されることができる。

外部電極３００、４００、５００は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、又はこれらの合金などの導電性物質で形成されることできるが、これに限定されるものではない。外部電極３００、４００、５００は、単層又は複数層の構造で形成されることができる。例えば、外部電極３００、４００、５００はそれぞれ、延長部３２０、４２０とパッド部５２０にそれぞれめっきで形成されためっき層をさらに含むことができる。ここで、めっき層は、複数の層であってもよく、単層であってもよい。

第１及び第２外部電極３００、４００はそれぞれ、信号電極であることができ、第３外部電極５００は、接地電極であることができる。即ち、本実施形態によるコイル部品がプリント回路基板に実装された場合、第３外部電極５００は、プリント回路基板などのグランドと電気的に連結されることができる。したがって、第３外部電極５００は、後述する遮蔽層７１０に累積された電気エネルギーをプリント回路基板などに伝達することができる。

絶縁層６００は、本体の第１〜第５面１０１、１０２、１０３、１０４、１０５を覆う。また、絶縁層６００には、側面部５１０の少なくとも一部を露出させる開口部Ｏが形成される。本実施形態の場合、第１〜第３外部電極３００、４００、５００は、連結部３１０、４１０と側面部５１０を含むため、絶縁層６００は、連結部３１０、４１０と側面部５１０を覆うように形成される。

絶縁層６００は、ポリスチレン系、酢酸ビニル系、ポリエステル系、ポリエチレン系、ポリプロピレン系、ポリアミド系、ゴム系、アクリル系などの熱可塑性樹脂、フェノール系、エポキシ系、ウレタン系、メラミン系、アルキド系などの熱硬化性樹脂、感光性樹脂、パリレン、ＳｉＯ_ｘ又はＳｉＮ_ｘを含むことができる。

絶縁層６００は、液状の絶縁樹脂を本体１００の表面上に塗布するか、又はドライフィルム（ＤＦ）のような絶縁フィルムを本体１００の表面上に積層するか、又は気相蒸着などの薄膜工程を介して形成されることができる。絶縁フィルムの場合、感光性絶縁樹脂を含まないＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ Ｆｉｌｍ）又はポリイミドフィルムなどを用いてもよい。

絶縁層６００は、１０ｎｍ〜１００μｍの厚さ範囲で形成されることができる。絶縁層６００の厚さが１０ｎｍ未満の場合には、Ｑ値（Ｑ ｆａｃｔｏｒ）などコイル部品の特性が低下することがあり、絶縁層６００の厚さが１００μｍを超える場合には、コイル部品の総長さ、幅、及び厚さが増加して薄型化に不利である。

開口部Ｏは、側面部５１０の少なくとも一部を露出させるように絶縁層６００に形成される。後述する遮蔽層７１０は絶縁層６００に形成されるが、絶縁層６００に形成された開口部Ｏを介して露出した側面部５１０と接触して第３外部電極５００と連結される。

開口部Ｏは、例えば、レーザードリル、フォトリソグラフィ又はエッチングなどにより、絶縁層６００に形成されることができる。

一方、図２には、開口部Ｏが四角形に形成されている様子が示されているが、これは例示的なものに過ぎず、開口部Ｏは、円形、楕円形、及び四角形以外の多角形などに様々に変形されることができる。また、図２には、開口部Ｏが本体１００の第３及び第４面１０３、１０４にそれぞれ一つずつ形成されることが示されているが、これは例示的なものに過ぎず、開口部Ｏは、例えば、本体１００の第３面１０３側に複数形成されることもできる。

遮蔽層７１０は、本体１００の第５面１０５上に配置されたキャップ部７１５と、キャップ部７１５と連結され、本体１００の第１〜第４面１０１、１０２、１０３、１０４上に配置された第１〜第４側壁部７１１、７１２、７１３、７１４と、を含む。即ち、本実施形態に適用される遮蔽層７１０は、本実施形態によるコイル部品１０００の実装面である本体１００の第６面を除いた本体１００のすべての表面に配置される。

遮蔽層７１０は、開口部Ｏを充填することができる。具体的に、図１及び図２に示されているように、第３外部電極５００の側面部５１０が本体１００の第３及び第４面１０３、１０４の両方に形成されて、開口部Ｏが本体１００の第３及び第４面１０３、１０４の両方に形成されている場合であれば、遮蔽層７１０の第３及び第４側壁部７１３、７１４が開口部Ｏを充填する形態で形成される。

第１〜第４側壁部７１１、７１２、７１３、７１４は、互いに一体に形成されることができる。即ち、第１〜第４側壁部７１１、７１２、７１３、７１４は、同一の工程で形成されて相互間に境界が形成されない。例えば、本体１００の第１〜第４面１０１、１０２、１０３、１０４にスパッタリングなどの気相蒸着又はめっきで遮蔽層７１０を形成することにより、第１〜第４側壁部７１１、７１２、７１３、７１４は一体に形成されることができる。

キャップ部７１５と側壁部７１１、７１２、７１３、７１４は、一体に形成されることができる。即ち、キャップ部７１５と側壁部７１１、７１２、７１３、７１４は、同一の工程で形成されて相互間に境界が形成されない。例えば、キャップ部７１５と側壁部７１１、７１２、７１３、７１４は、本体１００の第１〜第５面にスパッタリングのような気相蒸着又はめっきで遮蔽層７１０を形成することにより、一体に形成されることができる。

遮蔽層７１０は、導電体及び磁性体の少なくとも一つを含むことができる。例えば、導電体は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）、ケイ素（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、クロム（Ｃｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、及びニッケル（Ｎｉ）からなる群から選択されたいずれか一つ以上を含む金属又は合金であることができ、Ｆｅ−Ｓｉ又はＦｅ−Ｎｉであることができる。また、遮蔽層７１０は、フェライト、パーマロイ、非晶質リボンからなる群から選択されたいずれか一つ以上を含むことができる。遮蔽層７１０は、導電体を含む層と磁性体を含む層の二重層構造であることができるが、導電体及び／又は磁性体を含む単一層構造で形成されることもできる。

遮蔽層７１０は、互いに分離された２以上の微細構造を含むことができる。例えば、キャップ部７１５と側壁部７１１、７１２、７１３、７１４をそれぞれ、複数個の小片に分離形成された非晶質リボンシートで形成する場合、キャップ部７１５と側壁部７１１、７１２、７１３、７１４はそれぞれ、互いに分離された複数の微細構造を含むことができる。

遮蔽層７１０は、１０ｎｍ〜１００μｍの厚さで形成されることができる。遮蔽層７１０の厚さが１０ｎｍ未満の場合は、ＥＭＩシールド効果が殆どなく、遮蔽層７１０の厚さが１００μｍを超える場合は、コイル部品の総長さ、幅、及び厚さが増加するため、薄型化に不利である。

カバー層８００は遮蔽層７１０をカバーする。ここで、カバー層８００は、遮蔽層７１０の第１〜第４側壁部７１１、７１２、７１３、７１４のそれぞれの他端に延長されて絶縁層６００と接触することにより、絶縁層６００と共に遮蔽層７１０をカバーすることができる。即ち、カバー層８００は、絶縁層６００と共に遮蔽層７１０を内部に埋設することができる。したがって、カバー層８００は、絶縁層６００と同様に、本体１００の第１〜第５面１０１、１０２、１０３、１０４、１０５上に配置される。カバー層８００は、遮蔽層７１０が外部の他の電子部品と電気的に連結されることを防止する。

カバー層８００は、ポリスチレン系、酢酸ビニル系、ポリエステル系、ポリエチレン系、ポリプロピレン系、ポリアミド系、ゴム系、アクリル系などの熱可塑性樹脂、フェノール系、エポキシ系、ウレタン系、メラミン系、アルキド系などの熱硬化性樹脂、感光性絶縁樹脂、パリレン、ＳｉＯ_ｘ又はＳｉＮ_ｘの少なくとも一つを含むことができる。

カバー層８００は、遮蔽層７１０が形成された本体１００にドライフィルム（ＤＦ）のようなカバーフィルムを積層して形成されることができる。又は、カバー層８００は、遮蔽層７１０が形成された本体１００に絶縁物質を化学気相蒸着（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＣＶＤ）などの気相蒸着で形成することにより形成されることができる。

カバー層８００は、１０ｎｍ〜１００μｍの厚さ範囲で形成されることができる。カバー層８００の厚さが１０ｎｍ未満の場合には、絶縁特性が弱くて遮蔽層７１０と外部の他の電子部品との間に電気的短絡（Ｓｈｏｒｔ）が発生することがあり、カバー層８００の厚さが１００μｍを超える場合には、コイル部品の総長さ、幅、及び厚さが増加して薄型化に不利である。

絶縁層６００、遮蔽層７１０、及びカバー層８００の厚さの和は、３０ｎｍ超過１００μｍ以下であることができる。絶縁層６００、遮蔽層７１０、及びカバー層８００の厚さの和が３０ｎｍ未満の場合は、電気的短絡（Ｓｈｏｒｔ）の問題、Ｑ値（Ｑ ｆａｃｔｏｒ）のようなコイル部品の特性低下の問題などが発生することがあり、絶縁層６００、遮蔽層７１０、及びカバー層８００の厚さの和が１００μｍを超える場合には、コイル部品の総長さ、幅、及び厚さが増加して薄型化に不利である。

絶縁膜ＩＦは、コイルパターン２１１、２１２及び内部絶縁層ＩＬの表面に沿って形成されることができる。絶縁膜ＩＦは、コイルパターン２１１、２１２を保護し、本体１００から絶縁させるためのものであって、パリレンなどの公知の絶縁物質を含むことができる。絶縁膜ＩＦに含まれる絶縁物質は、どのようなものであっても使用可能であり、特別な制限はない。絶縁膜ＩＦは、気相蒸着などの方法で形成されることができるが、これに制限されるものではなく、絶縁フィルムを内部絶縁層ＩＬの両面に積層することによって形成されることもできる。

本発明の絶縁層６００及びカバー層８００は、コイル部品自体に配置されるものであるため、コイル部品をプリント回路基板に実装する段階でコイル部品とプリント回路基板をモールディングするモールディング材とは区別される。例えば、本発明の絶縁層６００及びカバー層８００は、モールディング材とは異なり、プリント回路基板と直接的に接触しない。また、絶縁層６００及びカバー層８００は、モールディング材とは異なり、プリント回路基板によって支持又は固定されるものではない。また、コイル部品とプリント回路基板とを連結する半田ボールなどの連結部材を囲むモールディング材とは異なり、本発明の絶縁層６００及びカバー層８００は、連結部材を囲む形態で形成されない。また、本発明の絶縁層６００及びカバー層８００は、ＥＭＣ（Ｅｐｏｘｙ Ｍｏｌｄｉｎｇ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）などを加熱してプリント回路基板上に流動させ、硬化させて形成するモールディング材ではないため、モールディング材を形成する際に発生するボイド及びモールディング材とプリント回路基板との間の熱膨張係数の差によってプリント回路基板に発生する反りなどを考慮する必要がない。

また、本発明の遮蔽層７１０は、コイル部品自体に配置されるものであるため、コイル部品をプリント回路基板に実装した後、ＥＭＩなどの遮蔽のためにプリント回路基板に結合されるシールド缶と区別される。例えば、本発明の遮蔽層７１０は、コイル部品自体に形成されるため、コイル部品が半田などによってプリント回路基板と結合されると、遮蔽層７１０も自然にプリント回路基板に固定されることができるが、シールド缶の場合は、コイル部品とは別にプリント回路基板に固定しなければならない。

上記のことから、本実施形態によるコイル部品１０００は、部品自体に遮蔽層７１０を形成することにより、コイル部品で発生する漏洩磁束をより効率的に遮断することができる。即ち、電子機器が薄型化し、高性能化するにつれて電子機器に含まれる電子部品の数が増加し、これに伴って、隣接する電子部品間の距離が減少するが、各コイル部品自体を遮蔽することにより、各コイル部品で発生する漏洩磁束をより効率的に遮断して、電子機器の薄型化及び高性能化により有利となる。さらに、本実施形態によるコイル部品１０００は、シールド缶を用いる場合と比較して、遮蔽領域内の実効磁性体の量が増加するため、コイル部品の特性を向上させることができる。

（第２実施形態）
図５は本発明の第２実施形態によるコイル部品を概略的に示す図である。図６は図５のＩＩＩ−ＩＩＩ'線に沿った断面を示す図である。図７は図５のＩＶ−ＩＶ'線に沿った断面を示す図である。

図１〜図７を参照すると、本実施形態によるコイル部品２０００は、本発明の第１実施形態によるコイル部品１０００と比較して、遮蔽層７１０、７２０が異なる。したがって、本実施形態を説明するにあたっては、第１実施形態と異なる遮蔽層７１０、７２０についてのみ説明する。本実施形態の残りの構成は、本発明の第１実施形態における説明がそのまま適用されることができる。

図５〜図７を参照すると、本実施形態における遮蔽層７１０、７２０は、第１遮蔽層７１０と第２遮蔽層７２０を含む。第１遮蔽層７１０は導電体を含み、絶縁層６００に配置されて開口部Ｏを充填することができる。第２遮蔽層７２０は磁性体を含み、第１遮蔽層７１０に配置される。即ち、本実施形態の場合、遮蔽層７１０、７２０は複数の層で形成されることができる。

第２遮蔽層７２０は、第１遮蔽層７１０に接触するため、第２遮蔽層７２０に蓄積された電気エネルギーは、第１遮蔽層７１０、側面部５１０、及びパッド部５２０を介してプリント回路基板などのグランドに排出されることができる。

一方、図６及び図７には、第１及び第２遮蔽層７１０、７２０がそれぞれ単層であることが示されているが、これは例示的なものであって、第１及び第２遮蔽層７１０、７２０の少なくとも一つは複数で形成されることができる。

本実施形態の場合、導電体を含む第１遮蔽層７１０による反射遮蔽効果と、磁性体を含む第２遮蔽層７２０による吸収遮蔽効果をすべて有することができる。即ち、１ＭＨｚ以下の低周波数帯域では、第２遮蔽層７２０で漏洩磁束を吸収遮蔽し、１ＭＨｚを超える高周波帯域では、第１遮蔽層７１０で漏洩磁束を反射遮蔽することができる。したがって、本実施形態によるコイル部品２０００は、相対的に広い周波数帯域で漏洩磁束を遮蔽することができる。

（第３実施形態）
図８は本発明の第３実施形態によるコイル部品を概略的に示す図である。図９は図８のＶ−Ｖ'線に沿った断面を示す図である。

図１〜図９を参照すると、本実施形態によるコイル部品３０００は、本発明の第１及び第２実施形態によるコイル部品１０００、２０００と比較して、遮蔽層７１０が異なる。したがって、本実施形態を説明するにあたっては、第１及び第２実施形態と異なる遮蔽層７１０についてのみ説明する。本実施形態の残りの構成は、本発明の第１実施形態又は第２実施形態における説明がそのまま適用されることができる。

図８及び図９を参照すると、本実施形態に適用される遮蔽層７１０は、開口部Ｏの内壁と開口部Ｏに露出した側面部５１０に沿って形成されることができる。これにより、遮蔽層７１０には、開口部Ｏに対応する溝が形成されることができる。

具体的に、本実施形態に適用される遮蔽層７１０の第３及び第４側壁部７１３、７１４は、開口部Ｏが形成された絶縁層６００の形状に対応する形状を有するコンフォーマル（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ）な膜で形成されることができる。

（第４実施形態）
図１０は本発明の第４実施形態によるコイル部品の断面を示す図であり、図１のＩ−Ｉ'線に沿った断面に対応する図である。図１１は本発明の第４実施形態によるコイル部品の断面を示す図であり、図１のＩＩ−ＩＩ'線に沿った断面に対応する図である。

図１〜図１１を参照すると、本実施形態によるコイル部品４０００は、本発明の第１〜第３実施形態によるコイル部品１０００、２０００、３０００と比較して、遮蔽層７１０、７２０が異なる。したがって、本実施形態を説明するにあたっては、第１〜第３実施形態と異なる遮蔽層７１０、７２０についてのみ説明する。本実施形態の残りの構成は、本発明の第１実施形態〜第３実施形態における説明がそのまま適用されることができる。

図１０及び図１１を参照すると、本実施形態における遮蔽層７１０、７２０は、第１遮蔽層７１０と第２遮蔽層７２０を含む。第１遮蔽層７１０は導電体を含み、絶縁層６００に配置されて開口部Ｏを充填することができる。第２遮蔽層７２０は磁性体を含む。

一方、本発明の第２実施形態とは異なり、本実施形態に適用される第２遮蔽層７２０は、本体１００の第５面１０５上にのみ配置され、且つ第１遮蔽層７１０の内側に配置される。即ち、本実施形態の場合、第２遮蔽層７２０は、本体１００の第５面１０５上で絶縁層６００と第１遮蔽層７１０との間に介在される。

第２遮蔽層７２０は、第１遮蔽層７１０に接触するため、第２遮蔽層７２０に蓄積された電気エネルギーは、第１遮蔽層７１０、側面部５１０、及びパッド部５２０を介してプリント回路基板などのグランドに排出されることができる。

本実施形態の場合、磁性体を含む第２遮蔽層７２０を本体１００の第５面１０５上にのみ配置することにより、コイル部２００の配置形態による磁場の方向を考慮して比較的簡易且つ低コストで漏洩磁束を効率的に遮断することができる。

（第５及び第６実施形態）
図１２は本発明の第５実施形態によるコイル部品の断面を示す図であり、図１のＩ−Ｉ'線に沿った断面に対応する図である。図１３は本発明の第６実施形態によるコイル部品の断面を示す図であり、図１のＩ−Ｉ'線に沿った断面に対応する図である。

図１〜図１３を参照すると、本発明の第５及び第６実施形態によるコイル部品５０００、６０００は、本発明の第１〜第４実施形態によるコイル部品１０００、２０００、３０００、４０００と比較して、キャップ部７１５と側壁部７１１、７１２、７１３、７１４が異なる。したがって、本実施形態を説明するにあたっては、本発明の第１〜第４実施形態と異なるキャップ部７１５と側壁部７１１、７１２、７１３、７１４についてのみ説明する。本実施形態の残りの構成は、本発明の第１〜第４実施形態における説明がそのまま適用されることができる。

図１２を参照すると、本発明の第５実施形態におけるキャップ部７１５は、中央部の厚さＴ_１が外側部の厚さＴ_２よりも厚く形成される。これに対して具体的に説明する。

本実施形態のコイル部２００を構成する各コイルパターン２１１、２１２は、内部絶縁層ＩＬの両面において、それぞれ内部絶縁層ＩＬの中央から内部絶縁層ＩＬの外側に複数のターンを形成し、各コイルパターン２１１、２１２は、本体１００の厚さ方向Ｔに積層されてビア２２０によって連結される。その結果、本実施形態によるコイル部品５０００は、本体１００の厚さ方向Ｔに垂直な本体１００の長さ方向Ｌ−幅方向Ｗの平面の中央部における磁束密度が最も高い。したがって、本実施形態の場合、本体１００の長さ方向Ｌ−幅方向Ｗの平面と実質的に平行な本体１００の第５面に配置されたキャップ部７１５を形成するにあたって、本体１００の長さ方向Ｌ−幅方向Ｗの平面における磁束密度分布を考慮して、キャップ部７１５の中央部の厚さＴ_１を外側部の厚さＴ_２よりも厚く形成する。

図１３を参照すると、本発明の第６実施形態におけるキャップ部７１５の厚さＴ_３は、側壁部７１１、７１２、７１３、７１４の厚さＴ_４よりも厚く形成されることができる。即ち、上述の本体１００の長さ方向Ｌ−幅方向Ｗの平面における磁束密度を考慮して、側壁部７１１、７１２、７１３、７１４の厚さＴ_４をキャップ部７１５の厚さＴ_３よりも薄く形成する。

これにより、本発明の第５及び第６実施形態によるコイル部品５０００、６０００は、コイル部２００が形成する磁束の方向を考慮して効率的に漏洩磁束を低減することができる。

以上、本発明の一実施形態について説明したが、当該技術分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された本発明の思想から逸脱しない範囲内で、構成要素の付加、変更、又は削除などにより本発明を多様に修正及び変更させることができ、これも本発明の権利範囲内に含まれるといえる。

１００ 本体
１１０ コア
２００ コイル部
２１１、２１２ コイルパターン
２２０ ビア
２３１、２３２ 引出部
３００、４００、５００ 外部電極
３１０、４１０ 連結部
３２０、４２０ 延長部
５１０ 側面部
５２０ パッド部
６００ 絶縁層
７１０、７２０ 遮蔽層
７１５ キャップ部
７１１、７１２、７１３、７１４ 側壁部
８００ カバー層
ＩＬ 内部絶縁層
ＩＦ 絶縁膜
Ｏ 開口部
１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、６０００ コイル部品

Claims (15)

1. 一方向に互いに向かい合う一面と他面、及びそれぞれ本体の前記一面と他面とを連結する複数の壁面を有し、金属磁性粉末を含む本体と、
   前記本体に埋設され、少なくとも一つのターン（ｔｕｒｎ）を形成するコイル部と、
   前記本体の一面に互いに離隔配置され、前記コイル部と連結される第１外部電極及び第２外部電極と、
   前記第１外部電極及び前記第２外部電極と離隔するように前記本体の一面に配置されたパッド部、及び前記本体の複数の壁面のうち、互いに向かい合う両側面の少なくとも一つに配置された側面部を含む第３外部電極と、
   前記本体の他面及び前記本体の複数の壁面を覆い、前記側面部を露出させる開口部が形成された絶縁層と、
   前記絶縁層に形成され、前記本体の他面上に配置されたキャップ部、及び前記本体の複数の壁面に配置され、前記開口部を介して前記側面部と連結される側壁部を含む遮蔽層と、を含む、コイル部品。
2. 前記側面部は、前記本体の両側面に形成され、
   前記遮蔽層は、前記本体の両側面に配置された前記側面部とそれぞれ連結される、請求項１に記載のコイル部品。
3. 前記パッド部及び前記側面部は、互いに一体に形成される、請求項１または２に記載のコイル部品。
4. 前記コイル部を支持するように前記本体に埋設された内部絶縁層をさらに含み、
   前記コイル部は、
   前記内部絶縁層の両面にそれぞれ配置された第１コイルパターン及び第２コイルパターンと、
   前記第１コイルパターン及び前記第２コイルパターンを互いに連結するように前記内部絶縁層を貫通するビアと、をさらに含む、請求項１から３のいずれか一項に記載のコイル部品。
5. 前記第１コイルパターン及び前記第２コイルパターンのそれぞれの端部は、
   前記本体の互いに向かい合う複数の壁面のうち前記本体の両側面を連結し、互いに向かい合う両端面に露出する、請求項４に記載のコイル部品。
6. 前記第１外部電極及び前記第２外部電極は、
   前記第１コイルパターン及び前記第２コイルパターンと連結されるように前記本体の両端面に形成された連結部と、
   前記連結部から前記本体の一面に延長された延長部と、をそれぞれ含む、請求項５に記載のコイル部品。
7. 前記絶縁層は、前記連結部及び前記側面部を覆う、請求項６に記載のコイル部品。
8. 前記遮蔽層は、導電体及び磁性体のうちの少なくとも一つを含む、請求項１から７のいずれか一項に記載のコイル部品。
9. 前記遮蔽層は、前記開口部を充填する、請求項１から８のいずれか一項に記載のコイル部品。
10. 前記遮蔽層は、
    前記開口部の内壁及び前記側面部に沿って形成され、前記開口部に対応する溝が形成される、請求項１から９のいずれか一項に記載のコイル部品。
11. 前記遮蔽層は、
    導電体を含み、前記絶縁層及び前記開口部に配置された第１遮蔽層と、
    磁性体を含み、前記第１遮蔽層に配置された第２遮蔽層と、を含む、請求項１から１０のいずれか一項に記載のコイル部品。
12. 前記第１遮蔽層は、前記開口部を充填する、請求項１１に記載のコイル部品。
13. 前記キャップ部の厚さは、
    前記本体の他面外側部における厚さよりも前記本体の他面中央部における厚さが厚い、請求項１から１２のいずれか一項に記載のコイル部品。
14. 前記キャップ部の厚さは、前記側壁部の厚さよりも厚い、請求項１から１３のいずれか一項に記載のコイル部品。
15. 絶縁樹脂及び前記絶縁樹脂に分散された金属磁性粉末を含み、一方向に互いに向かい合う一面と他面、前記一面と他面とを連結し、互いに向かい合う両側面、及び前記両側面を互いに連結し、互いに向かい合う両端面を有する本体と、
    前記本体に埋設された内部絶縁層と、
    前記内部絶縁層に配置されたコイル部と、
    前記本体の一面に離隔配置された第１外部電極及び第２外部電極と、
    前記本体の一面に前記第１外部電極及び前記第２外部電極と離隔するように配置され、前記本体の両側面の少なくとも一部に延長された第３外部電極と、
    前記本体の他面、前記本体の両側面、及び前記本体の両端面を覆い、前記第３外部電極のうち、前記本体の両側面の少なくとも一部に延長された領域を露出させる開口部が形成された絶縁層と、
    前記絶縁層に形成され、前記本体の他面、前記本体の両側面、及び前記本体の両端面を覆い、前記第３外部電極の延長された領域と連結される遮蔽層と、
    を含む、コイル部品。