JP2020043229A - 光源装置、センシングモジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部を備える光源装置について、温度上昇の抑制を図る。【解決手段】本技術に係る光源装置は、垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部と、前記発光部における複数の発光素子を発光させる駆動部と、を備え、前記駆動部における駆動素子を有する領域の少なくとも一部が前記発光部と重ならないように配置されている。【選択図】図13
Description
本技術は、垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部を備えた光源装置と、前記発光部より発せられ被写体によって反射された光を受光して撮像するイメージセンサを備えたセンシングモジュールとに関する。
レーザ光を発する発光素子として、例えば下記特許文献1や引用文献2に示すようなVCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting LASER:垂直共振器面発光レーザ)としての発光素子が知られている。
VCSELとしての発光素子は、共振器が半導体の基板面に対して垂直方向に形成されて、レーザ光を垂直方向に出射するように構成され、近年においては、例えばSTL(Structured Light:構造化光)方式やToF(Time of Flight:光飛行時間)方式による被写体の測距を行う際の光源として広く用いられる。
VCSELとしての発光素子は、共振器が半導体の基板面に対して垂直方向に形成されて、レーザ光を垂直方向に出射するように構成され、近年においては、例えばSTL(Structured Light:構造化光)方式やToF(Time of Flight:光飛行時間)方式による被写体の測距を行う際の光源として広く用いられる。
ここで、被写体の測距としてSTL方式やToF方式による測距を行う場合は、VCSELとしての発光素子を二次元に複数配列した光源が用いられる。具体的には、それら複数の発光素子を発光させて得られる光を被写体に照射し、被写体からの反射光を受光して得られる画像に基づいて被写体の測距が行われる。
上記のような測距を行うにあたり複数の発光素子を発光させることになるが、発光素子を発光させるための駆動回路等の発熱により発光素子が形成されたチップの温度が上昇し易くなり、発光素子の発光効率の低下を招来するといった、熱による不具合を誘発する虞がある。また、発光素子の温度が発光により上昇し、その発生した熱により発光素子を駆動する駆動回路の回路特性悪化を招来する虞もある。
本技術は上記の事情に鑑み為されたものであり、垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部を備える光源装置について、温度上昇の抑制を図ることを目的とする。
本技術に係る光源装置は、垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部と、前記発光部における複数の発光素子を発光させる駆動部と、を備え、前記駆動部における駆動素子を有する領域の少なくとも一部が前記発光部と重ならないように配置されているものである。
これにより、発光素子に伝わる駆動素子から発生した熱が軽減される。また、駆動部の駆動回路に伝わる発光素子から発生した熱も軽減される。
上記した本技術に係る光源装置においては、前記発光部が形成されたチップは前記駆動部が形成されたチップに装着され、前記駆動部の駆動素子を有する領域の少なくとも一部が前記発光部の発光素子と重ならないように配置されていることが望ましい。
これにより、発光部と駆動部を接続する配線が短くなり配線抵抗の増加を緩和することができる。また、駆動素子を有する領域について発熱する発光素子との距離を設けることができる。
上記した本技術に係る光源装置においては、前記駆動部は、駆動素子と発光素子とを電気的に接続するための配線が形成されている配線層を複数有することが望ましい。
これにより、配線の断面積の大きさを保ちつつ配線を配置することができ、配線抵抗の増加が緩和される。
上記した本技術に係る光源装置においては、前記配線層が下層になるに従って、互いに接続される前記駆動素子と前記発光素子との距離が長くなるように前記配線が形成されていることが望ましい。
これにより、下層から上層に向けて配線を導出する際に、上層の配線が下層の配線の導出を遮ることを回避することができる。
上記した本技術に係る光源装置においては、前記駆動部において前記駆動素子を有する領域が複数設けられていることが望ましい。
駆動素子を有する領域を複数に分割することで、駆動素子と発光素子とを接続する配線の長さを短くすることができる。
上記した本技術に係る光源装置においては、前記配線の長さが長くなるに従って、前記配線内に前記配線の進行方向と垂直な面で切断した際の断面積が大きくなる部分が形成されることが望ましい。
駆動素子から発光素子に至るまでの距離が長くなることで配線が長くなるため、配線抵抗は大きくなる。そのため、配線の断面積を大きくすることで、配線抵抗の増加が緩和される。
上記した本技術に係る光源装置においては、前記配線の前記部分では、前記配線層の厚み方向における幅が広げられていることが望ましい。
配線層の厚み方向における幅が広がることで配線の断面積が大きくなり、配線抵抗の増加が緩和される。
上記した本技術に係る光源装置においては、前記配線の前記部分では、前記配線層の平面方向における幅が広げられていることが望ましい。
配線層の平面方向における幅が広がることで配線の断面積が大きくなり、配線抵抗の増加が緩和される。
上記した本技術に係る光源装置においては、前記配線層に設けられた前記配線は、前記配線層が下層になるに従って前記断面積が大きくなることが望ましい。
配線層が下層になるに従って駆動素子から発光素子に至るまでの距離が長くなり、そのため配線が長くなる。これにより、配線抵抗は下層に設けられた配線ほど大きくなる。そのため、多層の配線の断面積を大きくすることで、配線抵抗の増加が緩和される。
上記した本技術に係る光源装置においては、前記駆動部は、複数の前記発光素子の所定単位毎の発光動作を個別に駆動可能な構成とされていることが望ましい。
所定単位とは、1つの発光素子の単位であったり、ブロック化された複数の発光素子の単位などである。
例えば発光素子の1つ1つ個別に、もしくは複数の発光素子群としてのブロック単位で、発光をオン/オフさせたり、発光駆動電流を設定することが可能な構成とする。
例えば発光素子の1つ1つ個別に、もしくは複数の発光素子群としてのブロック単位で、発光をオン/オフさせたり、発光駆動電流を設定することが可能な構成とする。
上記した本技術に係る光源装置においては、前記発光部は、前記発光部より発せられ被写体で反射された光を受光するイメージセンサのフレーム期間と同期した発光を行うことが望ましい。
これにより、発光部が発した光を被写体に照射しイメージセンサで受光して測距を行う場合に対応して、発光素子をイメージセンサのフレーム周期に応じた適切なタイミングで発光させることが可能とされる。
また、本技術に係るセンシングモジュールは、垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部と、前記発光部における複数の発光素子を発光させる駆動部と、を備え、前記駆動部における駆動素子を有する領域の少なくとも一部が前記発光部と重ならないように配置されている光源装置と、前記発光部より発せられ被写体によって反射された光を受光して撮像するイメージセンサと、を備えるものである。
このような駆動方法やセンシングモジュールによっても、上記した本技術に係る光源装置と同様の作用が得られる。
本技術によれば、垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部を備える光源装置について、温度上昇の抑制を図ることができる。
なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
以下、添付図面を参照し、本技術に係る実施形態を次の順序で説明する。
<1.測距装置の構成>
<2.測距手法について>
<3.発光駆動に係る回路構成について>
<4.基板構成のバリエーション>
<5.VCSELの構造例>
<6.発光素子と駆動トランジスタの配置関係>
<7.発光素子と駆動トランジスタを接続する配線>
<8.実施形態のまとめ及び変形例>
<9.本技術>
<1.測距装置の構成>
<2.測距手法について>
<3.発光駆動に係る回路構成について>
<4.基板構成のバリエーション>
<5.VCSELの構造例>
<6.発光素子と駆動トランジスタの配置関係>
<7.発光素子と駆動トランジスタを接続する配線>
<8.実施形態のまとめ及び変形例>
<9.本技術>
<1.測距装置の構成>
図1は、本技術に係る光源装置の一実施形態としての測距装置1の構成例を示している。
図示のように測距装置1は、発光部2、駆動部3、電源回路4、発光側光学系5、撮像側光学系6、イメージセンサ7、画像処理部8、制御部9、及び温度検出部10を備えている。
発光部2は、複数の光源により光を発する。後述するように、本例の発光部2は、各光源としてVCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting LASER:垂直共振器面発光レーザ)による発光素子2aを有しており、それら発光素子2aが例えばマトリクス状等の所定態様により配列されて構成されている。
図1は、本技術に係る光源装置の一実施形態としての測距装置1の構成例を示している。
図示のように測距装置1は、発光部2、駆動部3、電源回路4、発光側光学系5、撮像側光学系6、イメージセンサ7、画像処理部8、制御部9、及び温度検出部10を備えている。
発光部2は、複数の光源により光を発する。後述するように、本例の発光部2は、各光源としてVCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting LASER:垂直共振器面発光レーザ)による発光素子2aを有しており、それら発光素子2aが例えばマトリクス状等の所定態様により配列されて構成されている。
駆動部3は、発光部2を駆動するための電気回路を有して構成される。
電源回路4は、例えば測距装置1に設けられた不図示のバッテリ等からの入力電圧(後述する入力電圧Vin)に基づき、駆動部3の電源電圧(後述する駆動電圧Vd)を生成する。駆動部3は、該電源電圧に基づいて発光部2を駆動する。
電源回路4は、例えば測距装置1に設けられた不図示のバッテリ等からの入力電圧(後述する入力電圧Vin)に基づき、駆動部3の電源電圧(後述する駆動電圧Vd)を生成する。駆動部3は、該電源電圧に基づいて発光部2を駆動する。
発光部2より発せられた光は、発光側光学系5を介して測距対象としての被写体Sに照射される。そして、このように照射された光の被写体Sからの反射光は、撮像側光学系6を介してイメージセンサ7の撮像面に入射する。
イメージセンサ7は、例えばCCD(Charge Coupled Device)センサやCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)センサ等の撮像素子とされ、上記のように撮像側光学系6を介して入射する被写体Sからの反射光を受光し、電気信号に変換して出力する。
イメージセンサ7は、受光した光を光電変換して得た電気信号について、例えばCDS(Correlated Double Sampling)処理、AGC(Automatic Gain Control)処理などを実行し、さらにA/D(Analog/Digital)変換処理を行う。そしてデジタルデータとしての画像信号を、後段の画像処理部8に出力する。
また、本例のイメージセンサ7は、フレーム同期信号Fsを駆動部3に出力する。これにより駆動部3は、発光部2における発光素子2aをイメージセンサ7のフレーム周期に応じたタイミングで発光させることが可能とされる。
イメージセンサ7は、受光した光を光電変換して得た電気信号について、例えばCDS(Correlated Double Sampling)処理、AGC(Automatic Gain Control)処理などを実行し、さらにA/D(Analog/Digital)変換処理を行う。そしてデジタルデータとしての画像信号を、後段の画像処理部8に出力する。
また、本例のイメージセンサ7は、フレーム同期信号Fsを駆動部3に出力する。これにより駆動部3は、発光部2における発光素子2aをイメージセンサ7のフレーム周期に応じたタイミングで発光させることが可能とされる。
画像処理部8は、例えばDSP(Digital Signal Processor)等により画像処理プロセッサとして構成される。画像処理部8は、イメージセンサ7から入力されるデジタル信号(画像信号)に対して、各種の画像信号処理を施す。
制御部9は、例えばCPU(Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)等を有するマイクロコンピュータ、或いはDSP等の情報処理装置を備えて構成され、発光部2による発光動作を制御するための駆動部3の制御や、イメージセンサ7による撮像動作に係る制御を行う。
制御部9は、測距部9aとしての機能を有する。測距部9aは、画像処理部8を介して入力される画像信号(つまり被写体Sからの反射光を受光して得られる画像信号)に基づき、被写体Sまでの距離を測定する。本例の測距部9aは、被写体Sの三次元形状の特定を可能とするために、被写体Sの各部について距離の測定を行う
ここで、測距装置1における具体的な測距の手法については後に改めて説明する。
ここで、測距装置1における具体的な測距の手法については後に改めて説明する。
温度検出部10は、発光部2の温度を検出する。温度検出部10としては、例えばダイオードを用いて温度検出を行う構成を採ることができる。
本例では、温度検出部10により検出された温度の情報は駆動部3に供給され、これにより駆動部3は該温度の情報に基づいて発光部2の駆動を行うことが可能とされる。
本例では、温度検出部10により検出された温度の情報は駆動部3に供給され、これにより駆動部3は該温度の情報に基づいて発光部2の駆動を行うことが可能とされる。
<2.測距手法について>
測距装置1における測距手法としては、例えばSTL(Structured Light:構造化光)方式やToF(Time of Flight:光飛行時間)方式による測距手法を採用することができる。
STL方式は、例えばドットパターンや格子パターン等の所定の明/暗パターンを有する光を照射された被写体Sを撮像して得られる画像に基づいて距離を測定する方式である。
図2は、STL方式の説明図である。
STL方式では、例えば図2Aに示すようなドットパターンによるパターン光Lpを被写体Sに照射する。パターン光Lpは、複数のブロックBLに分割されており、各ブロックBLにはそれぞれ異なるドットパターンが割当てられている(ブロックBL間でドットパターンが重複しないようにされている)。
図2Bは、STL方式の測距原理についての説明図である。
ここでは、壁Wとその前に配置された箱BXとが被写体Sとされ、該被写体Sに対してパターン光Lpが照射された例としている。図中の「G」はイメージセンサ7による画角を模式的に表している。
また、図中の「BLn」はパターン光Lpにおける或るブロックBLの光を意味し、「dn」はイメージセンサ7による撮像画像に映し出されるブロックBLnのドットパターンを意味している。
ここで、壁Wの前の箱BXが存在しない場合、撮像画像においてブロックBLnのドットパターンは図中の「dn’」の位置に映し出される。すなわち、箱BXが存在する場合と箱BXが存在しない場合とで、撮像画像においてブロックBLnのパターンが映し出される位置が異なるものであり、具体的には、パターンの歪みが生じる。
測距装置1における測距手法としては、例えばSTL(Structured Light:構造化光)方式やToF(Time of Flight:光飛行時間)方式による測距手法を採用することができる。
STL方式は、例えばドットパターンや格子パターン等の所定の明/暗パターンを有する光を照射された被写体Sを撮像して得られる画像に基づいて距離を測定する方式である。
図2は、STL方式の説明図である。
STL方式では、例えば図2Aに示すようなドットパターンによるパターン光Lpを被写体Sに照射する。パターン光Lpは、複数のブロックBLに分割されており、各ブロックBLにはそれぞれ異なるドットパターンが割当てられている(ブロックBL間でドットパターンが重複しないようにされている)。
図2Bは、STL方式の測距原理についての説明図である。
ここでは、壁Wとその前に配置された箱BXとが被写体Sとされ、該被写体Sに対してパターン光Lpが照射された例としている。図中の「G」はイメージセンサ7による画角を模式的に表している。
また、図中の「BLn」はパターン光Lpにおける或るブロックBLの光を意味し、「dn」はイメージセンサ7による撮像画像に映し出されるブロックBLnのドットパターンを意味している。
ここで、壁Wの前の箱BXが存在しない場合、撮像画像においてブロックBLnのドットパターンは図中の「dn’」の位置に映し出される。すなわち、箱BXが存在する場合と箱BXが存在しない場合とで、撮像画像においてブロックBLnのパターンが映し出される位置が異なるものであり、具体的には、パターンの歪みが生じる。
STL方式は、このように照射したパターンが被写体Sの物体形状によって歪むことを利用して被写体Sの形状や奥行きを求める方式となる。具体的には、パターンの歪み方から被写体Sの形状や奥行きを求める方式である。
STL方式を採用する場合、イメージセンサ7としては、例えばグローバルシャッタ方式によるIR(Infrared:赤外線)イメージセンサが用いられる。そして、STL方式の場合、測距部9aは、発光部2がパターン光を発光するように駆動部3を制御すると共に、画像処理部8を介して得られる画像信号についてパターンの歪みを検出し、パターンの歪み方に基づいて距離を計算する。
続いて、ToF方式は、発光部2より発された光が対象物で反射されてイメージセンサ7に到達するまでの光の飛行時間(時間差)を検出することで、対象物までの距離を測定する方式である。
ToF方式として、いわゆるダイレクトToF方式を採用する場合、イメージセンサ7としてはSPAD(Single Photon Avalanche Diode)を用い、また発光部2はパルス駆動する。この場合、測距部9aは、画像処理部8を介して入力される画像信号に基づき、発光部2より発せられイメージセンサ7により受光される光について発光から受光までの時間差を計算し、該時間差と光の速度とに基づいて被写体Sの各部の距離を計算する。
なお、ToF方式として、いわゆるインダイレクトToF方式(位相差法)を採用する場合、イメージセンサ7としては例えばIRイメージセンサが用いられる。
ToF方式として、いわゆるダイレクトToF方式を採用する場合、イメージセンサ7としてはSPAD(Single Photon Avalanche Diode)を用い、また発光部2はパルス駆動する。この場合、測距部9aは、画像処理部8を介して入力される画像信号に基づき、発光部2より発せられイメージセンサ7により受光される光について発光から受光までの時間差を計算し、該時間差と光の速度とに基づいて被写体Sの各部の距離を計算する。
なお、ToF方式として、いわゆるインダイレクトToF方式(位相差法)を採用する場合、イメージセンサ7としては例えばIRイメージセンサが用いられる。
<3.発光駆動に係る回路構成について>
図3は、図1に示した発光部2と駆動部3と電源回路4とを有して構成された光源装置100の回路構成例を示している。なお、図3では光源装置100の回路構成例と共に、図1に示したイメージセンサ7と制御部9を併せて示している。
本例では、発光部2と駆動部3と電源回路4は共通の基板(後述する基板B)上に形成されている。ここでは、少なくとも発光部2を含み、発光部2と共通の基板上に形成される構成単位を光源装置100と呼んでいる。
図3は、図1に示した発光部2と駆動部3と電源回路4とを有して構成された光源装置100の回路構成例を示している。なお、図3では光源装置100の回路構成例と共に、図1に示したイメージセンサ7と制御部9を併せて示している。
本例では、発光部2と駆動部3と電源回路4は共通の基板(後述する基板B)上に形成されている。ここでは、少なくとも発光部2を含み、発光部2と共通の基板上に形成される構成単位を光源装置100と呼んでいる。
図示のように光源装置100は、発光部2と駆動部3と電源回路4と共に温度検出部10を備えている。
発光部2は、前述したようにVCSELとしての発光素子2aを複数備えている。図3では図示の都合から発光素子2aの数を「4」としているが、発光部2における発光素子2aの数はこれに限らず、少なくとも2以上とされればよい。
発光部2は、前述したようにVCSELとしての発光素子2aを複数備えている。図3では図示の都合から発光素子2aの数を「4」としているが、発光部2における発光素子2aの数はこれに限らず、少なくとも2以上とされればよい。
電源回路4は、DC/DCコンバータ40を備え、直流電圧による入力電圧Vinに基づき、駆動部3が発光部2の駆動に用いる駆動電圧Vd(直流電圧)を生成する。
駆動部3は、駆動回路30と駆動制御部31とを備えている。
駆動回路30は、発光素子2aごとに駆動トランジスタQ1及びスイッチSWを有すると共に、トランジスタQ2と定電流源30aとを有している。
駆動トランジスタQ1及びトランジスタQ2にはFET(field-effect transistor)が用いられ、本例ではPチャンネル型のMOSFET(MOS:metal-oxide-semiconductor)が用いられている。
駆動回路30は、発光素子2aごとに駆動トランジスタQ1及びスイッチSWを有すると共に、トランジスタQ2と定電流源30aとを有している。
駆動トランジスタQ1及びトランジスタQ2にはFET(field-effect transistor)が用いられ、本例ではPチャンネル型のMOSFET(MOS:metal-oxide-semiconductor)が用いられている。
各駆動トランジスタQ1は、DC/DCコンバータ40の出力ライン、すなわち駆動電圧Vdの供給ラインに対して並列の関係に接続され、トランジスタQ2は、駆動トランジスタQ1に対して並列接続されている。
具体的に、各駆動トランジスタQ1及びトランジスタQ2は、ソースがDC/DCコンバータ40の出力ラインに接続されている。各駆動トランジスタQ1のドレインは、発光部2における発光素子2aのうちそれぞれ対応する一つの発光素子2aのアノードと接続されている。
図示のように各発光素子2aのカソードはグランド(GND)に接続されている。
具体的に、各駆動トランジスタQ1及びトランジスタQ2は、ソースがDC/DCコンバータ40の出力ラインに接続されている。各駆動トランジスタQ1のドレインは、発光部2における発光素子2aのうちそれぞれ対応する一つの発光素子2aのアノードと接続されている。
図示のように各発光素子2aのカソードはグランド(GND)に接続されている。
トランジスタQ2は、ドレインが定電流源30aを介してグランドに接続され、ゲートがドレインと定電流源30aとの接続点に接続されている。
各駆動トランジスタQ1のゲートは、それぞれ対応する一つのスイッチSWを介してトランジスタQ2のゲートに接続されている。
各駆動トランジスタQ1のゲートは、それぞれ対応する一つのスイッチSWを介してトランジスタQ2のゲートに接続されている。
上記構成による駆動回路30においては、スイッチSWがONとされた駆動トランジスタQ1が導通し、導通した駆動トランジスタQ1に接続された発光素子2aに駆動電圧Vdが印加され、該発光素子2aが発光する。
このとき、発光素子2aには駆動電流Idが流れるが、上記構成による駆動回路30においては駆動トランジスタQ1とトランジスタQ2がカレントミラー回路を構成しており、駆動電流Idの電流値は定電流源30aの電流値に応じた値とされる。
駆動制御部31は、駆動回路30におけるスイッチSWのON/OFF制御を行うことで、発光素子2aのON/OFFを制御する。
駆動制御部31にはイメージセンサ7よりフレーム同期信号Fsが供給されており、これにより駆動制御部31は発光素子2aのONタイミングやOFFタイミングをイメージセンサ7のフレーム周期に同期させることが可能とされている。
また、駆動制御部31は、発光素子2aのON/OFF制御を制御部9からの指示に基づき行うことが可能に構成されている。
駆動制御部31にはイメージセンサ7よりフレーム同期信号Fsが供給されており、これにより駆動制御部31は発光素子2aのONタイミングやOFFタイミングをイメージセンサ7のフレーム周期に同期させることが可能とされている。
また、駆動制御部31は、発光素子2aのON/OFF制御を制御部9からの指示に基づき行うことが可能に構成されている。
また、本例の駆動制御部31は、温度検出部10により検出された発光部2の温度に基づき発光素子2aのON/OFF制御を行う。
ここで、図3では、駆動トランジスタQ1を発光素子2aのアノード側に設けた構成を例示したが、図4に示す駆動回路30Aのように、駆動トランジスタQ1を発光素子2aのカソード側に設けた構成とすることもできる。
この場合、発光部2における各発光素子2aは、アノードがDC/DCコンバータ40の出力ラインに接続されている。
カレントミラー回路を構成する駆動トランジスタQ1及びトランジスタQ2には、Nチャンネル型のMOSFETが用いられる。トランジスタQ2は、ドレイン及びゲートが定電流源30aを介してDC/DCコンバータ40の出力ラインに接続され、ソースはグランドに接続される。
各駆動トランジスタQ1は、ドレインが対応する発光素子2aのカソードに接続され、ソースがグランドに接続される。各駆動トランジスタQ1のゲートは、それぞれ対応するスイッチSWを介してトランジスタQ2のゲートとドレインに接続される。
この場合、発光部2における各発光素子2aは、アノードがDC/DCコンバータ40の出力ラインに接続されている。
カレントミラー回路を構成する駆動トランジスタQ1及びトランジスタQ2には、Nチャンネル型のMOSFETが用いられる。トランジスタQ2は、ドレイン及びゲートが定電流源30aを介してDC/DCコンバータ40の出力ラインに接続され、ソースはグランドに接続される。
各駆動トランジスタQ1は、ドレインが対応する発光素子2aのカソードに接続され、ソースがグランドに接続される。各駆動トランジスタQ1のゲートは、それぞれ対応するスイッチSWを介してトランジスタQ2のゲートとドレインに接続される。
この場合も駆動制御部31がスイッチSWのON/OFF制御を行うことで、発光素子2aをON/OFFさせることができる。
図5は、変形例としての光源装置100Aの構成例を示している。
光源装置100Aは、電源回路4に代えて電源回路4Aが設けられ、また駆動部3に代えて駆動部3Aが設けられている。
電源回路4Aは、複数のDC/DCコンバータ40を有する(図の例では二つ)。一方のDC/DCコンバータ40には入力電圧Vin1が、他方のDC/DCコンバータ40には入力電圧Vin2が供給される。駆動部3Aは、それぞれが異なるDC/DCコンバータ40から駆動電圧Vdを入力する複数の駆動回路30を備えている。図示のように各駆動回路30においては、定電流源30aに代えて可変電流源30bが設けられている。可変電流源30bは、電流値が可変の電流源とされる。
この場合、発光部2における発光素子2aは、それぞれON/OFF制御される駆動回路30が異なる複数の発光素子群に分けられる。
この場合の駆動制御部31は、各駆動回路30におけるスイッチSWのON/OFF制御を行う。
光源装置100Aは、電源回路4に代えて電源回路4Aが設けられ、また駆動部3に代えて駆動部3Aが設けられている。
電源回路4Aは、複数のDC/DCコンバータ40を有する(図の例では二つ)。一方のDC/DCコンバータ40には入力電圧Vin1が、他方のDC/DCコンバータ40には入力電圧Vin2が供給される。駆動部3Aは、それぞれが異なるDC/DCコンバータ40から駆動電圧Vdを入力する複数の駆動回路30を備えている。図示のように各駆動回路30においては、定電流源30aに代えて可変電流源30bが設けられている。可変電流源30bは、電流値が可変の電流源とされる。
この場合、発光部2における発光素子2aは、それぞれON/OFF制御される駆動回路30が異なる複数の発光素子群に分けられる。
この場合の駆動制御部31は、各駆動回路30におけるスイッチSWのON/OFF制御を行う。
この光源装置100Aのように、少なくともDC/DCコンバータ40と駆動回路30の組を複数系統に分けた構成とすることで、系統ごとに発光素子2aの駆動電流Idを異なる値とすることができる。例えば、系統ごとに駆動電圧Vdの電圧値、及び可変電流源30bの電流値を異ならせることで、系統ごとに駆動電流Idの値を異ならせることができる。また、DC/DCコンバータ40が駆動電流Idについて定電流制御を行う構成であれば、各DC/DCコンバータ40間でそれぞれ定電流制御の目標値を異ならせることで、系統ごとに駆動電流Idの値を異ならせることもできる。
図5のような構成を採る場合には、発光部2における発光強度分布や温度分布等に応じて系統ごとに駆動電圧Vdや駆動電流Idの値を異ならせることが考えられる。例えば、発光部2における温度が高い箇所に対応した系統について駆動電流Idを増やし且つ駆動電圧Vdを上げる等が考えられる。
<4.基板構成のバリエーション>
ここで、光源装置100としては、図6乃至図8に示す構成とすることができる。
光源装置100としては、図6Aに示すように、発光部2としての回路が形成されたチップCh2と、駆動部3としての回路が形成されたチップCh3と、電源回路4が形成されたチップCh4とを同一の基板B上に形成した構成とすることができる。
また、駆動部3と電源回路4は、同一のチップCh34に形成することもでき、その場合、光源装置100は、図6Bに示すようにチップCh2とチップCh34とを同一の基板B上に形成した構成とすることもできる。
ここで、光源装置100としては、図6乃至図8に示す構成とすることができる。
光源装置100としては、図6Aに示すように、発光部2としての回路が形成されたチップCh2と、駆動部3としての回路が形成されたチップCh3と、電源回路4が形成されたチップCh4とを同一の基板B上に形成した構成とすることができる。
また、駆動部3と電源回路4は、同一のチップCh34に形成することもでき、その場合、光源装置100は、図6Bに示すようにチップCh2とチップCh34とを同一の基板B上に形成した構成とすることもできる。
また、チップChに対して他のチップChを搭載した構成とすることもできる。
その場合、光源装置100としては、例えば図7Aのように、チップCh2を搭載したチップCh3とチップCh4とを基板B上に形成した構成や、図7BのようにチップCh2とチップCh4とを搭載したチップCh3を基板B上に形成した構成、或いは、図7CのようにチップCh2を搭載したチップCh34を基板B上に形成した構成とすることができる。
その場合、光源装置100としては、例えば図7Aのように、チップCh2を搭載したチップCh3とチップCh4とを基板B上に形成した構成や、図7BのようにチップCh2とチップCh4とを搭載したチップCh3を基板B上に形成した構成、或いは、図7CのようにチップCh2を搭載したチップCh34を基板B上に形成した構成とすることができる。
また、光源装置100は、イメージセンサ7を含む構成とすることもできる。
例えば、図8Aでは、チップCh2、チップCh3、チップCh4と共に、イメージセンサ7としての回路が形成されたチップCh7を同一の基板B上に形成した光源装置100の構成を例示している。
また、図8Bでは、チップCh2を搭載したチップCh34とチップCh7とを同一の基板B上に形成した光源装置100の構成を例示している。
例えば、図8Aでは、チップCh2、チップCh3、チップCh4と共に、イメージセンサ7としての回路が形成されたチップCh7を同一の基板B上に形成した光源装置100の構成を例示している。
また、図8Bでは、チップCh2を搭載したチップCh34とチップCh7とを同一の基板B上に形成した光源装置100の構成を例示している。
なお、前述した光源装置100Aについても、図6乃至図8で説明したものと同様の構成を採ることが可能である。
ここで、温度検出部10について、ダイオード等の温度検出素子は、例えば図6A、図6B、図8AのようにチップCh2が基板B上に形成されている場合には、基板BにおけるチップCh2の近傍位置(例えば基板B上におけるチップCh2の側方位置等)に形成すればよい。
また、図7A乃至図7Cや図8BのようにチップCh2が他のチップChに搭載された構成においては、温度検出素子は該他のチップChにおけるチップCh2の近傍位置(例えばチップCh2の真下となる位置等)に形成すればよい。
また、図7A乃至図7Cや図8BのようにチップCh2が他のチップChに搭載された構成においては、温度検出素子は該他のチップChにおけるチップCh2の近傍位置(例えばチップCh2の真下となる位置等)に形成すればよい。
温度検出部10は、ダイオード等の温度検出素子を有する温度センサ10aを複数有する構成とすることもできる。
図9は、温度検出部10が複数の温度センサ10aを有する場合における各温度センサ10aの配置例を示している。
この図9の例では、複数の温度センサ10aを一箇所に集中して位置させず、発光素子2aが配列される面に平行な面内において離散的に配置している。具体的に、複数の温度センサ10aは、例えば縦2×横2=4個等の所定個数の発光素子2aで成る発光ブロックごとに一つずつ配置することができる。このとき、各温度センサ10aは、発光素子2aが配列される面に平行な面内において等間隔に配置することもできる。
なお、図9では、9個の発光素子2aに対し4個の温度センサ10aを配置した例を示しているが、発光素子2a、温度センサ10aの配置数はこれに限定されるものではない。
図9は、温度検出部10が複数の温度センサ10aを有する場合における各温度センサ10aの配置例を示している。
この図9の例では、複数の温度センサ10aを一箇所に集中して位置させず、発光素子2aが配列される面に平行な面内において離散的に配置している。具体的に、複数の温度センサ10aは、例えば縦2×横2=4個等の所定個数の発光素子2aで成る発光ブロックごとに一つずつ配置することができる。このとき、各温度センサ10aは、発光素子2aが配列される面に平行な面内において等間隔に配置することもできる。
なお、図9では、9個の発光素子2aに対し4個の温度センサ10aを配置した例を示しているが、発光素子2a、温度センサ10aの配置数はこれに限定されるものではない。
図9の例のように複数の温度センサ10aを離散的に配置することで、発光部2の面内温度分布を検出することが可能となる。また、発光面におけるエリアごとの温度を検出し分けることができ、さらには、温度センサ10aの配置数を増やすことで発光素子2aごとの温度を検出し分けることも可能である。
<5.VCSELの構造例>
続いて、発光部2が形成されたチップCh2の構造例について図10及び図11を参照して説明しておく。
図10は、図6A、図6B、図8Aのように基板B上に形成される場合のチップCh2の構造例を示し、図11は、図7A乃至図7Cや図8Bのように他のチップCh上に搭載される場合のチップCh2の構造例を示している。
なお、図10、図11では一例として、駆動回路30が発光素子2aのアノード側に挿入された場合(図3参照)に対応した構造例を示す。
続いて、発光部2が形成されたチップCh2の構造例について図10及び図11を参照して説明しておく。
図10は、図6A、図6B、図8Aのように基板B上に形成される場合のチップCh2の構造例を示し、図11は、図7A乃至図7Cや図8Bのように他のチップCh上に搭載される場合のチップCh2の構造例を示している。
なお、図10、図11では一例として、駆動回路30が発光素子2aのアノード側に挿入された場合(図3参照)に対応した構造例を示す。
図10に示すように、チップCh2は、各発光素子2aに対応する部分がメサMとして形成されている。
チップCh2は、その基板として半導体基板20が用いられ、半導体基板20の下層側にはカソード電極Tcが形成されている。半導体基板20には、例えばGaAs(ヒ化ガリウム)基板が用いられる。
チップCh2は、その基板として半導体基板20が用いられ、半導体基板20の下層側にはカソード電極Tcが形成されている。半導体基板20には、例えばGaAs(ヒ化ガリウム)基板が用いられる。
半導体基板20上において、各メサMには、下層側から上層側にかけて順に第一多層膜反射鏡層21、活性層22、第二多層膜反射鏡層25、コンタクト層26、及びアノード電極Taが形成されている。
第二多層膜反射鏡層25の一部(具体的には下端部)には、電流狭窄層24が形成されている。また、活性層22を含み、第一多層膜反射鏡層21と第二多層膜反射鏡層25とに挟まれた部分が共振器23とされる。
第二多層膜反射鏡層25の一部(具体的には下端部)には、電流狭窄層24が形成されている。また、活性層22を含み、第一多層膜反射鏡層21と第二多層膜反射鏡層25とに挟まれた部分が共振器23とされる。
第一多層膜反射鏡層21は、N型導電性を示す化合物半導体で形成され、第二多層膜反射鏡層25はP型導電性を示す化合物半導体で形成されている。
活性層22は、レーザ光を発生させるための層とされ、電流狭窄層24は、活性層22に効率よく電流を注入し、レンズ効果をもたらす層とされる。
電流狭窄層24は、メサMを形成後に、酸化されていない状態で選択酸化が行われ、中心部の酸化領域(又は選択酸化領域という)24aと、酸化領域24aの周囲の酸化されていない未酸化領域24bとを有する。電流狭窄層24においては、これら酸化領域24aと未酸化領域24bとにより電流狭窄構造が形成され、未酸化領域24bとしての電流狭窄領域に電流が導電する。
コンタクト層26は、アノード電極Taとのオーミック接触を確実にするために設けられている。
アノード電極Taは、コンタクト層26上において、基板Bを平面視した際に例えば環状(リング状)等の中央部が開口された形状により形成されている。コンタクト層26において、上部にアノード電極Taが形成されてない部分は開口部26aとされている。
活性層22で発生した光は、共振器23内を往復した後、開口部26aを介して外部に出射される。
アノード電極Taは、コンタクト層26上において、基板Bを平面視した際に例えば環状(リング状)等の中央部が開口された形状により形成されている。コンタクト層26において、上部にアノード電極Taが形成されてない部分は開口部26aとされている。
活性層22で発生した光は、共振器23内を往復した後、開口部26aを介して外部に出射される。
ここで、チップCh2におけるカソード電極Tcは、基板Bにおける配線層に形成されたグランド配線Lgを介してグランドに接続される。
また、図中において、パッドPaは、基板B上に形成されたアノード電極用のパッドを表している。このパッドPaは、基板Bの配線層に形成された配線Ldを介して、駆動回路30が有する何れか一つの駆動トランジスタQ1のドレインと接続されている。
また、図中において、パッドPaは、基板B上に形成されたアノード電極用のパッドを表している。このパッドPaは、基板Bの配線層に形成された配線Ldを介して、駆動回路30が有する何れか一つの駆動トランジスタQ1のドレインと接続されている。
図中では、一つの発光素子2aのみについて、アノード電極Taが、チップCh2上に形成されたアノード配線La及びボンディングワイヤBWを介して一つのパッドPaに接続されることを示しているが、基板Bには発光素子2aごとのパッドPa及び配線Ldが形成され、またチップCh2上には発光素子2aごとのアノード配線Laがそれぞれ形成されており、個々の発光素子2aのアノード電極Taは、それぞれ対応するアノード配線La及びボンディングワイヤBWを介して対応するパッドPaに接続される。
続いて、図11の場合、チップCh2としては裏面照射型のチップCh2を用いる。すなわち、図10の例のように半導体基板20の上層側方向(表面方向)に光を出射するのではなく、半導体基板20の裏面方向に光を出射するタイプのチップCh2を用いる。
この場合、アノード電極Taには、光出射用の開口は形成されず、コンタクト層26に開口部26aは形成されない。
この場合、アノード電極Taには、光出射用の開口は形成されず、コンタクト層26に開口部26aは形成されない。
駆動部3(駆動回路30)が形成されたチップCh3(又はチップCh34:以下、図11の説明において同様)においては、発光素子2aごとに、アノード電極Taとの電気的接続を行うためのパッドPaが形成されている。チップCh3の配線層には、パッドPaごとに配線Ldが形成されている。図示は省略したが、これら配線Ldにより、各パッドPaは、チップCh3内に形成された駆動回路30における対応する一つの駆動トランジスタQ1のドレインと接続される。
また、チップCh2において、カソード電極Tcは、それぞれ配線Lc1、配線Lc2を介して電極Tc1、電極Tc2と接続されている。電極Tc1、電極Tc2は、それぞれチップCh3に形成されたパッドPc1、パッドPc2と接続するための電極とされる。
チップCh3の配線層には、パッドPc1と接続されたグランド配線Lg1、パッドPc2と接続されたグランド配線Lg2が形成されている。図示は省略したが、これらグランド配線Lg1、Lg2はグランドに接続されている。
チップCh3の配線層には、パッドPc1と接続されたグランド配線Lg1、パッドPc2と接続されたグランド配線Lg2が形成されている。図示は省略したが、これらグランド配線Lg1、Lg2はグランドに接続されている。
チップCh2における各アノード電極TaとチップCh3における各パッドPaとの接続、及びチップCh2における電極Tc1、電極Tc2とチップCh3におけるパッドPc1、パッドPc2との接続はそれぞれ半田バンプHbを介して行われている。
つまり、この場合におけるチップCh2のチップCh3に対する実装は、いわゆるフリップチップ実装により行われている。
つまり、この場合におけるチップCh2のチップCh3に対する実装は、いわゆるフリップチップ実装により行われている。
<6.発光素子と駆動トランジスタの配置関係>
次に光源装置100において、図7A乃至図7C、図8Bに示すようなチップCh3(又はチップCh34:以下の説明において同じ)上にチップCh2が搭載される場合における、発光部2と駆動回路30との配置関係について、図12乃至図15を用いて説明する。
次に光源装置100において、図7A乃至図7C、図8Bに示すようなチップCh3(又はチップCh34:以下の説明において同じ)上にチップCh2が搭載される場合における、発光部2と駆動回路30との配置関係について、図12乃至図15を用いて説明する。
本実施の形態では一例として、図11に示すような裏面照射型のチップCh2が用いられている。この例では、図3で示すような駆動回路30が発光素子2aのアノード側に挿入された場合に対応した構造が採用されている。
なお、チップCh2は裏面照射型に限定されることはなく、図10に示すような構造を採用することもできる。また、図4に示す駆動回路30Aのように、駆動トランジスタQ1を発光素子2aのカソード側に設けた構成とすることもできる。
なお、チップCh2は裏面照射型に限定されることはなく、図10に示すような構造を採用することもできる。また、図4に示す駆動回路30Aのように、駆動トランジスタQ1を発光素子2aのカソード側に設けた構成とすることもできる。
図3の駆動部3の駆動回路30においては、スイッチSWがONとされた駆動トランジスタQ1が導通し、導通した駆動トランジスタQ1に接続された発光部2の発光素子2aに駆動電圧Vdが印加され、該発光素子2aが発光する。
上記により説明した測距装置1のようにVCSELとしての発光素子2aが複数配列された発光部2を発光させて測距を行う際には、複数の発光素子2aを同時に又は時分割的に発光させる。
このような発光の際には、チップCh3の駆動回路30における駆動トランジスタQ1が発熱することで、発光素子2aが形成されたチップCh2の温度が上昇し易くなり、環境温度によっては、発光素子2aの発光効率の低下を招来する等、熱による不具合を誘発する虞がある。
また、発光素子2aの温度が発光により上昇し、発生した熱により発光素子2aを駆動する駆動回路30の回路特性悪化を招来する虞もある。
このような発光の際には、チップCh3の駆動回路30における駆動トランジスタQ1が発熱することで、発光素子2aが形成されたチップCh2の温度が上昇し易くなり、環境温度によっては、発光素子2aの発光効率の低下を招来する等、熱による不具合を誘発する虞がある。
また、発光素子2aの温度が発光により上昇し、発生した熱により発光素子2aを駆動する駆動回路30の回路特性悪化を招来する虞もある。
そこで、互いの熱による干渉を避けるための発光部2(チップCh2)と駆動部3(チップCh3)の配置関係について、図12を用いて説明する。図12Aは、基板B上に設けられたチップCh2とチップCh3との配置関係を模式的に示す図であり、図12Bは、チップCh2を装着したチップCh3の内部構造の断面を模式的に示す図である。
図12Aで示すように、チップCh3に対してチップCh2が搭載された状態において、チップCh3には、各発光素子2aを発光させるための駆動トランジスタQ1を有する領域(以下、駆動トランジスタ配置領域arとも表記する。)が3つ設けられている。図12Bに示すように、各駆動トランジスタ配置領域arには駆動回路30における複数の駆動トランジスタQ1が設けられている。本図では、チップCh2の平面と重なる位置に全ての駆動トランジスタ配置領域arが設けられている。
なお、図示の都合上、ここでは駆動トランジスタ配置領域arが3つ設けられている例として説明するが、駆動トランジスタ配置領域arは3つに限られることなく、1又は複数の駆動トランジスタ配置領域arとして設けることが可能である(以下の説明においても同様である)。
なお、図示の都合上、ここでは駆動トランジスタ配置領域arが3つ設けられている例として説明するが、駆動トランジスタ配置領域arは3つに限られることなく、1又は複数の駆動トランジスタ配置領域arとして設けることが可能である(以下の説明においても同様である)。
このような構成においては、複数の発光素子2aを同時に又は時分割的に発光させる場合に、対応する駆動トランジスタ配置領域arが発熱する。従って、当該発熱に伴い、駆動トランジスタ配置領域arに接するチップCh2の温度が上昇する。
また、発光部2に設けられた複数の発光素子2aが同時に又は時分割的に発光することで熱が発生し、その熱により駆動トランジスタ配置領域arとしての駆動回路30の温度が上昇する。
また、発光部2に設けられた複数の発光素子2aが同時に又は時分割的に発光することで熱が発生し、その熱により駆動トランジスタ配置領域arとしての駆動回路30の温度が上昇する。
そこで、本実施の形態では、発光素子2aを有するチップCh2と重ならない位置に駆動トランジスタ配置領域arを配置する。
図13に配置の一例を示す。図13AはチップCh2とチップCh3との配置関係を模式的に示す図であり、図13Bは、チップCh2を装着したチップCh3の内部構造の断面を模式的に示す図である。
図13に配置の一例を示す。図13AはチップCh2とチップCh3との配置関係を模式的に示す図であり、図13Bは、チップCh2を装着したチップCh3の内部構造の断面を模式的に示す図である。
図13A及び図13Bに示すように、チップCh3には2つの駆動トランジスタ配置領域arが設けられ、各駆動トランジスタ配置領域arは、チップCh2を挟んで対向する位置に配置されている。このとき各駆動トランジスタ配置領域arは、当該チップCh2(発光部2)の平面に重ならないように配置されている。
このように、駆動トランジスタ配置領域arがチップCh2の底面以外の位置に配置されることで、駆動トランジスタ配置領域arの駆動トランジスタQ1とチップCh2との距離が離れることになり、駆動トランジスタQ1の発熱により発生した熱による発光部2への影響を軽減することができる。また、発光部2に設けられた発光素子2aが発光する際に生じた熱による、駆動トランジスタ配置領域arの駆動回路30への影響を軽減することができる。
このように、駆動トランジスタ配置領域arがチップCh2の底面以外の位置に配置されることで、駆動トランジスタ配置領域arの駆動トランジスタQ1とチップCh2との距離が離れることになり、駆動トランジスタQ1の発熱により発生した熱による発光部2への影響を軽減することができる。また、発光部2に設けられた発光素子2aが発光する際に生じた熱による、駆動トランジスタ配置領域arの駆動回路30への影響を軽減することができる。
このように、発熱する発光部2の発光素子2aから駆動トランジスタ配置領域arを離れた位置に配置することで熱による影響を軽減できるため、発光素子2aが駆動トランジスタ配置領域arに重ならないように配置されてさえいれば、発光部2(チップCh2)の一部を駆動トランジスタ配置領域arが重なるように駆動部3(チップCh3)に装着することも可能である。
また同様に、発熱する駆動トランジスタ配置領域arの駆動トランジスタQ1から発光部2が離れた位置に配置されていれば熱による影響を軽減できるため、駆動トランジスタQ1さえ発光部2に重ならないように配置されていれば、発光部2(チップCh2)を駆動トランジスタ配置領域arの一部が重なるように駆動部3(チップCh3)に装着することも可能である。
さらに、熱が一箇所に集中することを避けるため、発光部2(チップCh2)を駆動部3(チップCh3)に装着する際には、発光素子2aと駆動トランジスタQ1とが重ならないように配置することが望ましい。
また同様に、発熱する駆動トランジスタ配置領域arの駆動トランジスタQ1から発光部2が離れた位置に配置されていれば熱による影響を軽減できるため、駆動トランジスタQ1さえ発光部2に重ならないように配置されていれば、発光部2(チップCh2)を駆動トランジスタ配置領域arの一部が重なるように駆動部3(チップCh3)に装着することも可能である。
さらに、熱が一箇所に集中することを避けるため、発光部2(チップCh2)を駆動部3(チップCh3)に装着する際には、発光素子2aと駆動トランジスタQ1とが重ならないように配置することが望ましい。
また、図13Aのように、駆動トランジスタ配置領域arをチップCh2を挟んで対向する位置に配置するといったように、配置駆動トランジスタ配置領域arを複数に分散して配置することで、各駆動トランジスタ配置領域arの放熱性が向上し、駆動トランジスタQ1の温度上昇を緩和することができる。これにより、駆動トランジスタQ1の発熱によるチップCh2への熱による影響を軽減することができる。
なお、チップCh3における駆動トランジスタ配置領域arの位置は、上記に限られず様々な態様が考えられる。図14は、チップCh3における駆動トランジスタ配置領域arの配置の一例を示している。
例えば図14Aに示すように、チップCh2と重ならない位置にチップCh3における駆動トランジスタ配置領域arを1つにまとめて配置してもよい。
また図14Bに示すように、チップCh2の一辺及び当該一辺と隣接する辺に沿って駆動トランジスタ配置領域arを配置してもよい。
さらに図14Cに示すように、チップCh2の周囲にそれぞれ駆動トランジスタ配置領域arを配置することも考えられる。
例えば図14Aに示すように、チップCh2と重ならない位置にチップCh3における駆動トランジスタ配置領域arを1つにまとめて配置してもよい。
また図14Bに示すように、チップCh2の一辺及び当該一辺と隣接する辺に沿って駆動トランジスタ配置領域arを配置してもよい。
さらに図14Cに示すように、チップCh2の周囲にそれぞれ駆動トランジスタ配置領域arを配置することも考えられる。
また、必ずしも全ての駆動トランジスタ配置領域arにおける駆動トランジスタQ1が、チップCh2に重ならないように設けられている必要はない。即ち、チップCh2の上昇温度が、不具合を生じさせるような値を超えない限りにおいては、チップCh2に重なるように駆動トランジスタ配置領域arを設けることとしてもよい。
例えば図15A及び図15Bに示すように、チップCh3には3つの駆動トランジスタ配置領域arが設けられている場合、そのうちの2つの駆動トランジスタ配置領域arをチップCh2を挟んで互いに対向する位置に設け、残りの1つの駆動トランジスタ配置領域arがチップCh2(発光部2)に重なるように設けることとしてもよい。この場合、チップCh2に重なる位置に一部の駆動トランジスタQ1が配置されることとなる。
例えば図15A及び図15Bに示すように、チップCh3には3つの駆動トランジスタ配置領域arが設けられている場合、そのうちの2つの駆動トランジスタ配置領域arをチップCh2を挟んで互いに対向する位置に設け、残りの1つの駆動トランジスタ配置領域arがチップCh2(発光部2)に重なるように設けることとしてもよい。この場合、チップCh2に重なる位置に一部の駆動トランジスタQ1が配置されることとなる。
<7.発光素子と駆動トランジスタを接続する配線>
次に、発光素子2aと駆動トランジスタQ1を電気的に接続する配線Ltの構造について図16及び図17を用いて説明する。配線Ltとしては例えばCu等のメタル配線が用いられる。
配線Ltの配線抵抗の値が上昇すると、信号パルスの立ち上がり時間が伸び、抵抗損によって消費電力の増加やそれに伴う温度上昇等が発生する虞がある。そのため、配線Ltの配線抵抗の増加を緩和するような配線を形成することが望まれている。
次に、発光素子2aと駆動トランジスタQ1を電気的に接続する配線Ltの構造について図16及び図17を用いて説明する。配線Ltとしては例えばCu等のメタル配線が用いられる。
配線Ltの配線抵抗の値が上昇すると、信号パルスの立ち上がり時間が伸び、抵抗損によって消費電力の増加やそれに伴う温度上昇等が発生する虞がある。そのため、配線Ltの配線抵抗の増加を緩和するような配線を形成することが望まれている。
図16はチップCh2を搭載したチップCh3の断面を模式的に示す図である。
図16Aに示すように、チップCh3は積層構造により形成され、複数の配線層Ly1,Ly2,Ly3・・・を有している。チップCh3は単層構造とすることも可能であるが、積層構造とすることが望ましい。なお、以下においては、図面の煩雑化を防ぐため絶縁層等については図示を省略し、駆動トランジスタQ1については模式的に図示するものとする。
チップCh3を積層構造としているのは、発光部2には数百の発光素子2aが設けられているので、それらの発光素子2aと駆動トランジスタQ1とを接続するための配線Ltを設けようとすると、単層構造の場合は一本あたりの配線Ltの配線断面積SA(以下、単に断面積SAとも表記する。)が小さくなってしまい、各配線Ltの配線抵抗の増加を緩和させるための面積を確保することが困難となるためである。
ここで配線断面積とは、配線の進行方向と垂直な面で切断した際の断面積のことをいう。進行方向とは、配線Ltが駆動トランジスタQ1から発光素子2aまでに至る方向をいい、例えば配線Ltの長手方向を指す。
本実施の形態のチップCh3は、図示しないが7層の配線層Lyを有している。
図16Aに示すように、チップCh3は積層構造により形成され、複数の配線層Ly1,Ly2,Ly3・・・を有している。チップCh3は単層構造とすることも可能であるが、積層構造とすることが望ましい。なお、以下においては、図面の煩雑化を防ぐため絶縁層等については図示を省略し、駆動トランジスタQ1については模式的に図示するものとする。
チップCh3を積層構造としているのは、発光部2には数百の発光素子2aが設けられているので、それらの発光素子2aと駆動トランジスタQ1とを接続するための配線Ltを設けようとすると、単層構造の場合は一本あたりの配線Ltの配線断面積SA(以下、単に断面積SAとも表記する。)が小さくなってしまい、各配線Ltの配線抵抗の増加を緩和させるための面積を確保することが困難となるためである。
ここで配線断面積とは、配線の進行方向と垂直な面で切断した際の断面積のことをいう。進行方向とは、配線Ltが駆動トランジスタQ1から発光素子2aまでに至る方向をいい、例えば配線Ltの長手方向を指す。
本実施の形態のチップCh3は、図示しないが7層の配線層Lyを有している。
チップCh3の駆動トランジスタ配置領域arにおいては、配線層Lyごとに駆動トランジスタQ1が設けられており、駆動トランジスタQ1のドレインは、発光部2における発光素子2aのうちそれぞれ対応する一つの発光素子2aのアノードと配線Ltを介して接続されている。
最上層の配線層Ly1に設けられた駆動トランジスタQ1は、チップCh2の外縁付近に位置する所定の発光素子2a(即ち、当該駆動トランジスタQ1と距離の近い発光素子2a)と配線Lt1を介して接続されている。
また、配線層Ly1の下層である配線層Ly2に設けられた駆動トランジスタQ1は、配線層Ly1において接続された発光素子2aよりも内側に位置する所定の発光素子2aと、配線Lt2を介して接続される。
さらに、配線層Ly2の下層である配線層Ly3に設けられた駆動トランジスタQ1は、配線層Ly2において接続された発光素子2aよりも内側に位置する所定の発光素子2aと、配線Lt3を介して接続される。
従って、配線層Lyが下層に向かうに従って、駆動トランジスタQ1から発光素子2aに至るまでの距離は長くなり、それに伴い駆動トランジスタQ1と発光素子2aを接続する配線Ltの長さも長くなる。具体的には、配線層Ly1に設けられた配線Lt1、配線層Ly2に設けられた配線Lt2、配線層Ly3に設けられた配線Lt3を比較すると、配線Lt2は配線Lt1よりも長く、配線Lt3は配線Lt2よりも長く設けられている。
また、配線層Ly1の下層である配線層Ly2に設けられた駆動トランジスタQ1は、配線層Ly1において接続された発光素子2aよりも内側に位置する所定の発光素子2aと、配線Lt2を介して接続される。
さらに、配線層Ly2の下層である配線層Ly3に設けられた駆動トランジスタQ1は、配線層Ly2において接続された発光素子2aよりも内側に位置する所定の発光素子2aと、配線Lt3を介して接続される。
従って、配線層Lyが下層に向かうに従って、駆動トランジスタQ1から発光素子2aに至るまでの距離は長くなり、それに伴い駆動トランジスタQ1と発光素子2aを接続する配線Ltの長さも長くなる。具体的には、配線層Ly1に設けられた配線Lt1、配線層Ly2に設けられた配線Lt2、配線層Ly3に設けられた配線Lt3を比較すると、配線Lt2は配線Lt1よりも長く、配線Lt3は配線Lt2よりも長く設けられている。
このように、上層の駆動トランジスタQ1から順に距離の近い発光素子2aと接続することで、配線Lt同士を交差させないようなレイアウトを構成することが容易となる。従って、配線Ltの交差をさけるために配線長が必要以上に長くなってしまうことを防止することができ、その結果、配線Ltの配線抵抗の増加を緩和することができる。
また、下層に向かうに従って配線Ltの長さが長くなると、発光素子2aと駆動トランジスタQ1を接続する配線Ltの配線抵抗は大きくなる。これにより、発光素子2aを発光させるにあたって消費電力の増加やそれに伴う温度上昇等が発生する虞がある。
そこで本実施の形態では、配線長に応じて配線Ltの配線断面積SAを大きくし、配線断面積SAを大きくすることで、配線Ltの配線抵抗の増加を緩和している。図16Aには、配線Lt1〜Lt3の任意の位置ついての断面積SA1〜SA6が示されている。
例えば配線Lt2では、配線長が長くなるにつれて配線の配線断面積SAが断面積SA2,SA3と変化する。
このとき、断面積SA3は、配線層Lyの上下方向(厚み方向)の配線幅を断面積SA2の配線幅よりも大きくすることで、断面積SA2よりも配線断面積が大きくなるように形成されている。
また同様に、配線Lt3の配線断面積SAも配線長に応じて断面積SA4,SA5,SA6と進むにつれ、配線層Lyの上下方向(厚み方向)の配線幅を大きくすることで配線断面積が大きくなるように形成されている。
また、上記により下層の配線層Lyに設けられた配線Ltほど配線長が長くなり、その結果、配線Ltの配線断面積SAが大きく形成することになる。例えば、配線層Ly2に設けられた配線Lt2において最も大きい断面積SA3よりも、下層の配線層Ly3に設けられた配線Lt3において最も大きい断面積SA6の方が、面積が大きくなる。
例えば配線Lt2では、配線長が長くなるにつれて配線の配線断面積SAが断面積SA2,SA3と変化する。
このとき、断面積SA3は、配線層Lyの上下方向(厚み方向)の配線幅を断面積SA2の配線幅よりも大きくすることで、断面積SA2よりも配線断面積が大きくなるように形成されている。
また同様に、配線Lt3の配線断面積SAも配線長に応じて断面積SA4,SA5,SA6と進むにつれ、配線層Lyの上下方向(厚み方向)の配線幅を大きくすることで配線断面積が大きくなるように形成されている。
また、上記により下層の配線層Lyに設けられた配線Ltほど配線長が長くなり、その結果、配線Ltの配線断面積SAが大きく形成することになる。例えば、配線層Ly2に設けられた配線Lt2において最も大きい断面積SA3よりも、下層の配線層Ly3に設けられた配線Lt3において最も大きい断面積SA6の方が、面積が大きくなる。
このとき、配線Ltの配線断面積SAを大きくするために、複数の配線層に跨がるように配線Ltを設けることも考えられる。例えば図16Aに示す配線層Ly2に設けられた配線Lt2の断面積SA2を断面積SA3まで大きくする際に、配線層Ly1の余剰領域を用いることができる。即ち、配線Lt2を配線層Ly2と配線層Ly1に跨がるように形成することで、断面積SA3を断面積SA2よりも大きくすることができる。
同様に、配線層Ly3に設けられた配線Lt3の断面積SA4を断面積SA5まで大きくする際に、配線層Ly3に加えて配線層Ly2の余剰領域を用いることができる。また、配線層Ly3と配線層Ly2に跨がるように形成された配線Lt3の断面積SA5を断面積SA6まで大きくする際に、配線層Ly3及び配線層Ly2に加えて、さらに配線層Ly1の余剰領域を用いて配線Ltを形成することができる。
このように、配線層Lyの余剰領域を有効活用して配線断面積SAを大きくすることで、配線Ltの配線抵抗の増加を緩和することができる。
同様に、配線層Ly3に設けられた配線Lt3の断面積SA4を断面積SA5まで大きくする際に、配線層Ly3に加えて配線層Ly2の余剰領域を用いることができる。また、配線層Ly3と配線層Ly2に跨がるように形成された配線Lt3の断面積SA5を断面積SA6まで大きくする際に、配線層Ly3及び配線層Ly2に加えて、さらに配線層Ly1の余剰領域を用いて配線Ltを形成することができる。
このように、配線層Lyの余剰領域を有効活用して配線断面積SAを大きくすることで、配線Ltの配線抵抗の増加を緩和することができる。
なお、例えば図16Bに示すように、下層である配線層Ly3に設けていた配線Lt3を途中から配線層Ly1に配置することも可能である。
図17は、チップCh2を搭載したチップCh3を模式的に示す図である。上述と同じように、チップCh3の駆動トランジスタ配置領域arに駆動トランジスタQ1が設けられ、駆動トランジスタQ1のドレインは、発光部2における発光素子2aのうちそれぞれ対応する一つの発光素子2aのアノードと配線Ltを介して接続されている。
なお、本来チップCh3は積層構造により形成されるが、本図では図面の煩雑化を防ぐため、複数の配線層Lyのうち配線層Ly1のみを示している。また発光素子2aについても、実際は発光部2は複数の発光素子2aを有しているが、ここでは一例として3つの発光素子2aのみを図示するものとする。
なお、本来チップCh3は積層構造により形成されるが、本図では図面の煩雑化を防ぐため、複数の配線層Lyのうち配線層Ly1のみを示している。また発光素子2aについても、実際は発光部2は複数の発光素子2aを有しているが、ここでは一例として3つの発光素子2aのみを図示するものとする。
まず、配線層Ly1において、所定の駆動トランジスタQ1は、チップCh2の外縁付近に位置する所定の発光素子2a(即ち、当該駆動トランジスタQ1と距離の近い発光素子2a)と配線Lt4を介して接続されている。
そして、同じ配線層Ly1に設けられた次の駆動トランジスタQ1は、配線Lt4により接続された発光素子2aよりも内側に位置する所定の発光素子2aと、配線Lt5を介して接続されている。
さらに、同じ配線層Ly1に設けられた次の駆動トランジスタQ1は、配線Lt5により接続された発光素子2aよりも内側に位置する所定の発光素子2aと、配線Lt6を介して接続される。
そして、同じ配線層Ly1に設けられた次の駆動トランジスタQ1は、配線Lt4により接続された発光素子2aよりも内側に位置する所定の発光素子2aと、配線Lt5を介して接続されている。
さらに、同じ配線層Ly1に設けられた次の駆動トランジスタQ1は、配線Lt5により接続された発光素子2aよりも内側に位置する所定の発光素子2aと、配線Lt6を介して接続される。
従って、順次駆動トランジスタQ1と発光素子2aを配線Ltで接続していくにあたり、次第に駆動トランジスタQ1から発光素子2aに至るまでの距離は長くなるので、駆動トランジスタQ1と発光素子2aを接続する配線Ltの長さは、次第に長くなる。具体的には、配線Lt4、配線Lt5、配線Lt6を比較すると、配線Lt5は配線Lt4よりも長く、配線Lt6は配線Lt5(配線Lt4)よりも長くなる。
図17には、配線Lt4〜Lt6の任意の位置ついての断面積SA7〜SA11が示されている。
例えば配線Lt5では、配線長が長くなるにつれて配線の配線断面積SAが断面積SA8,SA9と変化する。
このとき、断面積SA9は、配線層Lyの上下方向(厚み方向)と垂直の面方向(平面方向)の配線幅を断面積SA8の配線幅よりも大きくすることで、断面積SA8よりも配線断面積が大きくなるように形成されている。
また同様に、配線Lt6の配線断面積SAも配線長に応じて断面積SA10,SA11と進むにつれ、配線層Lyの平面方向の配線幅を大きくすることで配線断面積が大きくなるように形成されている。
このように、配線長が長くなる程、配線Ltの配線断面積SAは大きくなる。例えば、配線Lt5において最も大きい断面積SA9よりも、配線Lt5よりも配線長の長い配線Lt6において最も大きい断面積SA11の方が、配線断面積は大きくなる。
これにより、配線層Lyの平面方向の配線幅を大きくすることによっても配線抵抗の増加を緩和させることが可能である。
なお、上述では配線層Lyの平面方向の配線幅と、配線層Lyの厚み方向の配線幅とを分けて説明したが、配線層Lyの平面方向の配線幅と、配線層Lyの厚み方向の配線幅との両方の配線幅を大きくすることで、配線断面積を大きくしてもよい。これによっても配線抵抗の増加の緩和が図られる。
例えば配線Lt5では、配線長が長くなるにつれて配線の配線断面積SAが断面積SA8,SA9と変化する。
このとき、断面積SA9は、配線層Lyの上下方向(厚み方向)と垂直の面方向(平面方向)の配線幅を断面積SA8の配線幅よりも大きくすることで、断面積SA8よりも配線断面積が大きくなるように形成されている。
また同様に、配線Lt6の配線断面積SAも配線長に応じて断面積SA10,SA11と進むにつれ、配線層Lyの平面方向の配線幅を大きくすることで配線断面積が大きくなるように形成されている。
このように、配線長が長くなる程、配線Ltの配線断面積SAは大きくなる。例えば、配線Lt5において最も大きい断面積SA9よりも、配線Lt5よりも配線長の長い配線Lt6において最も大きい断面積SA11の方が、配線断面積は大きくなる。
これにより、配線層Lyの平面方向の配線幅を大きくすることによっても配線抵抗の増加を緩和させることが可能である。
なお、上述では配線層Lyの平面方向の配線幅と、配線層Lyの厚み方向の配線幅とを分けて説明したが、配線層Lyの平面方向の配線幅と、配線層Lyの厚み方向の配線幅との両方の配線幅を大きくすることで、配線断面積を大きくしてもよい。これによっても配線抵抗の増加の緩和が図られる。
次に、発光素子2aと駆動トランジスタQ1を電気的に接続する配線Ltの一例について、図18を用いて説明する。
まず、図14Aに示すように、チップCh2に対して、駆動トランジスタQ1が配置された駆動トランジスタ配置領域arが1箇所に設けられている場合、チップCh2の駆動トランジスタ配置領域ar側と反対側に設けられた発光素子2aについてまで、駆動トランジスタQ1と接続することになる(図18における距離X1)。そのため、配線Ltが長くなることで配線抵抗が大きくなり、当該配線抵抗の増加を緩和するために配線Ltの配線断面積SAを大きくした結果、配線Ltを設けるために必要なスペースが増加することになる。
まず、図14Aに示すように、チップCh2に対して、駆動トランジスタQ1が配置された駆動トランジスタ配置領域arが1箇所に設けられている場合、チップCh2の駆動トランジスタ配置領域ar側と反対側に設けられた発光素子2aについてまで、駆動トランジスタQ1と接続することになる(図18における距離X1)。そのため、配線Ltが長くなることで配線抵抗が大きくなり、当該配線抵抗の増加を緩和するために配線Ltの配線断面積SAを大きくした結果、配線Ltを設けるために必要なスペースが増加することになる。
そこで図13A及び図18に示すように、チップCh3にチップCh2を挟んで対向する位置に駆動トランジスタ配置領域ar(ar1,ar2)を配置することが考えられる。
図18は、チップCh2を搭載したチップCh3の断面を模式的に示している。
ここでは説明の都合上、発光部2に発光素子2aが6つ(2a−1〜2a−6)設けられている例として説明する。設けられている各発光素子2a−1〜2a−6は、1つに限られることはなく、例えばそれぞれ複数の発光素子2aとして形成されている。
図18は、チップCh2を搭載したチップCh3の断面を模式的に示している。
ここでは説明の都合上、発光部2に発光素子2aが6つ(2a−1〜2a−6)設けられている例として説明する。設けられている各発光素子2a−1〜2a−6は、1つに限られることはなく、例えばそれぞれ複数の発光素子2aとして形成されている。
本例では、駆動トランジスタ配置領域ar1の最上層の配線層Ly1に設けられた駆動トランジスタQ1は、駆動トランジスタ配置領域ar1側のチップCh2の外縁付近に配置された所定の発光素子2a−1と配線Lt1を介して接続されている。そして、配線層Ly2,Ly3・・・と下層に向かうにつれ、各駆動トランジスタQ1は、上層の配線Ltと接続された発光素子2aよりも内側の所定の発光素子2a−2,2a−3・・・と、配線Lt2,Lt3・・・を介して順次接続される。
ここで例えば、駆動トランジスタ配置領域arが駆動トランジスタ配置領域ar1の1箇所しかないとすると、例えば図示しない配線層Ly4,Ly5,Ly6等の新たな駆動トランジスタQ1を設け、それに応じて図示しない配線Lt4,Lt5,Lt6により、発光素子2a−4,2a−5,2a−6と接続することになる。この場合、駆動トランジスタ配置領域ar1から最も遠い発光素子2a−6を駆動トランジスタQ1と結ぶ配線Lt6の距離は距離X1となる。
しかしながら本例においては、駆動トランジスタ配置領域ar1の他に駆動トランジスタ配置領域ar2が設けられており、駆動トランジスタ配置領域ar1と同様に、駆動トランジスタQ1は、配線層Lyaにより発光素子2a−6と、配線層Lybにより発光素子2a−5と、配線層Lycにより発光素子2a−4と順次接続されている。
この場合、駆動トランジスタ配置領域arごとの駆動トランジスタQ1と接続する発光素子2aの数が減るため、駆動トランジスタ配置領域ar1から最も遠い発光素子2a−3を駆動トランジスタQ1と結ぶ配線Lt3の距離は距離X2となり、駆動トランジスタ配置領域arが1箇所しかない場合の距離X1よりも短くなる。従って、設けるべき配線Ltの最大の長さを短くすることができる。
これにより、配線Ltの配線抵抗の増加を緩和させることが可能となる。また配線Ltの配線断面積SAが必要以上に大きくなることを回避することができるため、配線層Lyの配線設計上好適である。
この場合、駆動トランジスタ配置領域arごとの駆動トランジスタQ1と接続する発光素子2aの数が減るため、駆動トランジスタ配置領域ar1から最も遠い発光素子2a−3を駆動トランジスタQ1と結ぶ配線Lt3の距離は距離X2となり、駆動トランジスタ配置領域arが1箇所しかない場合の距離X1よりも短くなる。従って、設けるべき配線Ltの最大の長さを短くすることができる。
これにより、配線Ltの配線抵抗の増加を緩和させることが可能となる。また配線Ltの配線断面積SAが必要以上に大きくなることを回避することができるため、配線層Lyの配線設計上好適である。
<8.実施形態のまとめ及び変形例>
上記のように実施形態としての光源装置(測距装置1)は、垂直共振器面発光レーザによる発光素子2aが複数配列された発光部2と、発光部2における発光されるべき複数の発光素子2aを発光させる駆動部3と、を備え、駆動部3における駆動素子(駆動トランジスタQ1)を有する領域(駆動トランジスタ配置領域ar)の少なくとも一部が発光部2と重ならないように配置されているものである(図7、図8B、図13等)。
これにより、発光素子2aに伝わる駆動トランジスタQ1から発生した熱が軽減される。また、駆動部3の駆動回路30に伝わる発光素子2aから発生した熱も軽減される。
従って、発光素子2aが形成されたチップCh2(発光部2)の温度が、発光素子2aを発光させるための駆動回路30(30A)等の発熱により上昇し易くなり、発光素子2aの発光効率の低下を招来するといった、熱による不具合を防止することができる。
また、発光素子2aの発光で発生した熱により、発光素子2aを駆動する駆動回路30(30A)の回路特性悪化等の不具合も防止することができる。
上記のように実施形態としての光源装置(測距装置1)は、垂直共振器面発光レーザによる発光素子2aが複数配列された発光部2と、発光部2における発光されるべき複数の発光素子2aを発光させる駆動部3と、を備え、駆動部3における駆動素子(駆動トランジスタQ1)を有する領域(駆動トランジスタ配置領域ar)の少なくとも一部が発光部2と重ならないように配置されているものである(図7、図8B、図13等)。
これにより、発光素子2aに伝わる駆動トランジスタQ1から発生した熱が軽減される。また、駆動部3の駆動回路30に伝わる発光素子2aから発生した熱も軽減される。
従って、発光素子2aが形成されたチップCh2(発光部2)の温度が、発光素子2aを発光させるための駆動回路30(30A)等の発熱により上昇し易くなり、発光素子2aの発光効率の低下を招来するといった、熱による不具合を防止することができる。
また、発光素子2aの発光で発生した熱により、発光素子2aを駆動する駆動回路30(30A)の回路特性悪化等の不具合も防止することができる。
また、実施形態としての光源装置(測距装置1)においては、発光部2が形成されたチップCh2は駆動部3が形成されたチップCh3に装着され、駆動部3の駆動素子(駆動トランジスタQ1)を有する領域(駆動トランジスタ配置領域ar)の少なくとも一部が発光部2の発光素子2aと重ならないように配置されている(図13、図15等)。
これにより、発光部2と駆動部3を接続する配線Ltが短くなり配線Ltの配線抵抗の増加を緩和することができる。また、駆動トランジスタ配置領域arについて発熱する発光素子2aとの距離を設けることができる。
従って、発光素子2aを発光させるにあたり、消費電力の増加やそれに伴う温度上昇等の発生を防止することができる。また、発光部2が駆動部3に載置されているので、発光素子2aと駆動トランジスタQ1との距離が近くなりやすい。そのような状況下においては、駆動トランジスタQ1を発光素子2aに重ねて配置しないことは、熱による不具合を防止するためにより一層重要となる。
これにより、発光部2と駆動部3を接続する配線Ltが短くなり配線Ltの配線抵抗の増加を緩和することができる。また、駆動トランジスタ配置領域arについて発熱する発光素子2aとの距離を設けることができる。
従って、発光素子2aを発光させるにあたり、消費電力の増加やそれに伴う温度上昇等の発生を防止することができる。また、発光部2が駆動部3に載置されているので、発光素子2aと駆動トランジスタQ1との距離が近くなりやすい。そのような状況下においては、駆動トランジスタQ1を発光素子2aに重ねて配置しないことは、熱による不具合を防止するためにより一層重要となる。
さらに、実施形態としての光源装置(測距装置1)においては、駆動部3は複数の配線層Lyを有し、配線層Lyには駆動素子(駆動トランジスタQ1)と発光素子2aとを電気的に接続するための配線Ltが形成されている(図16A、図18等)。
これにより、配線Ltの配線断面積SAの大きさを保ちつつ配線Ltを配置することができ、配線Ltの配線抵抗の増加が緩和される。
チップCh2(発光部2)に設けられた数百の発光素子2aと駆動トランジスタQ1とを接続するための配線Ltの全てを1つの配線層Lyに設けようとすると、一本あたりの配線Ltの断面積SAを小さくする必要が生じてしまい、各配線Ltの配線抵抗の増加を緩和させるため断面積SAを確保することが困難となる。
従って、上記構成を採ることにより、一本あたりの配線Ltの断面積SAの大きさを十分確保することができるため、配線Ltの断面積SAの大きさが確保できないことにより生じる消費電力の増加やそれに伴う温度上昇等の発生を防止することができる。
これにより、配線Ltの配線断面積SAの大きさを保ちつつ配線Ltを配置することができ、配線Ltの配線抵抗の増加が緩和される。
チップCh2(発光部2)に設けられた数百の発光素子2aと駆動トランジスタQ1とを接続するための配線Ltの全てを1つの配線層Lyに設けようとすると、一本あたりの配線Ltの断面積SAを小さくする必要が生じてしまい、各配線Ltの配線抵抗の増加を緩和させるため断面積SAを確保することが困難となる。
従って、上記構成を採ることにより、一本あたりの配線Ltの断面積SAの大きさを十分確保することができるため、配線Ltの断面積SAの大きさが確保できないことにより生じる消費電力の増加やそれに伴う温度上昇等の発生を防止することができる。
さらにまた、実施形態としての光源装置(測距装置1)においては、配線層Lyが下層になるに従って、互いに接続される駆動素子(駆動トランジスタQ1)と発光素子2aとの距離が長くなるように配線Ltが形成されている(図16A、図18等)。
これにより、下層から上層に向けて配線Ltを導出する際に、上層の配線Ltが下層の配線Ltの導出を遮ることを回避することができる。
従って、配線Ltの配置が複雑にならず、一本あたりの配線Ltの長さの短縮化を図ることができる。そのため、配線Ltの配線抵抗の増加が緩和され、消費電力の増加やそれに伴う温度上昇等の発生を防止することができる。
これにより、下層から上層に向けて配線Ltを導出する際に、上層の配線Ltが下層の配線Ltの導出を遮ることを回避することができる。
従って、配線Ltの配置が複雑にならず、一本あたりの配線Ltの長さの短縮化を図ることができる。そのため、配線Ltの配線抵抗の増加が緩和され、消費電力の増加やそれに伴う温度上昇等の発生を防止することができる。
また、実施形態としての光源装置(測距装置1)においては、駆動部3において駆動素子(駆動トランジスタQ1)を有する領域(駆動トランジスタ配置領域ar)が複数設けられている(図13、図14、図18等)。
このように駆動トランジスタ配置領域arを複数に分割することで、駆動トランジスタQ1と発光素子2aとを接続する配線Ltの長さを短くすることができる。そのため、配線Ltの配線抵抗の増加が緩和され、消費電力の増加やそれに伴う温度上昇等の発生を防止することができる。
このように駆動トランジスタ配置領域arを複数に分割することで、駆動トランジスタQ1と発光素子2aとを接続する配線Ltの長さを短くすることができる。そのため、配線Ltの配線抵抗の増加が緩和され、消費電力の増加やそれに伴う温度上昇等の発生を防止することができる。
さらに、実施形態としての光源装置(測距装置1)においては、配線Ltの長さが長くなるに従って、配線Lt内に配線Ltの進行方向と垂直な面で切断した際の断面積(配線断面積SA)が大きくなる部分(図16のSA3.SA5,SA6、図17のSA9,SA11等)が形成される。
駆動トランジスタQ1と発光素子2aとの距離が長くなるに従って配線Ltが長くなるため、配線Ltの配線抵抗は大きくなる。そのため、配線Ltの断面積SAを大きくすることで、配線Ltの配線抵抗の増加が緩和される。従って、消費電力の増加やそれに伴う温度上昇等の発生を防止することができる。
駆動トランジスタQ1と発光素子2aとの距離が長くなるに従って配線Ltが長くなるため、配線Ltの配線抵抗は大きくなる。そのため、配線Ltの断面積SAを大きくすることで、配線Ltの配線抵抗の増加が緩和される。従って、消費電力の増加やそれに伴う温度上昇等の発生を防止することができる。
また、実施形態としての光源装置(測距装置1)においては、配線Ltの部分(図16のSA3,SA5,SA6等)では、配線層Lyの厚み方向における幅が広げられている。
これにより、配線層Lyの厚み方向における幅が広がることで配線の断面積SAが大きくなり、配線抵抗の増加が緩和される。また、配線層Lyの厚み方向における幅を広げて配線抵抗の増加を緩和させることで、配線層Lyの平面方向において、余裕を持った配線設計が可能となる。
これにより、配線層Lyの厚み方向における幅が広がることで配線の断面積SAが大きくなり、配線抵抗の増加が緩和される。また、配線層Lyの厚み方向における幅を広げて配線抵抗の増加を緩和させることで、配線層Lyの平面方向において、余裕を持った配線設計が可能となる。
また、実施形態としての光源装置(測距装置1)においては、配線Ltの部分(図17のSA9,SA11等)では、配線層Ltの平面方向における幅が広げられている。
これにより、配線層Lyの平面方向における幅が広がることで配線の断面積SAが大きくなり、配線抵抗の増加が緩和される。また、配線層Lyの平面方向における幅を広げて配線抵抗の増加を緩和させることで、他の配線層Lyについて余裕を持った配線設計が可能となる。
これにより、配線層Lyの平面方向における幅が広がることで配線の断面積SAが大きくなり、配線抵抗の増加が緩和される。また、配線層Lyの平面方向における幅を広げて配線抵抗の増加を緩和させることで、他の配線層Lyについて余裕を持った配線設計が可能となる。
さらにまた、実施形態としての光源装置(測距装置1)においては、配線層Lyに設けられた配線Ltは、配線層Lyが下層になるに従って断面積(配線断面積SA)が大きくなる。
配線層Lyが下層になるに従って駆動トランジスタQ1と発光素子2aとの距離が長くなり、そのため配線Ltが長くなる。これにより、配線Ltの配線抵抗は大きくなる。そのため、配線Ltの断面積SAを大きくすることで、配線Ltの配線抵抗の増加が緩和される。従って、消費電力の増加やそれに伴う温度上昇等の発生を防止することができる。
配線層Lyが下層になるに従って駆動トランジスタQ1と発光素子2aとの距離が長くなり、そのため配線Ltが長くなる。これにより、配線Ltの配線抵抗は大きくなる。そのため、配線Ltの断面積SAを大きくすることで、配線Ltの配線抵抗の増加が緩和される。従って、消費電力の増加やそれに伴う温度上昇等の発生を防止することができる。
また、実施形態としての光源装置(測距装置1)においては、駆動部3は、複数の発光素子2aの所定単位毎の発光動作を個別に駆動可能な構成とされている(図3参照)。
例えば発光素子の1つ1つ個別に、もしくは複数の発光素子群としてのブロック単位で、発光をオン/オフさせたり、発光駆動電流を設定することが可能な構成である。
これにより各温度センサ10aの温度検出値として把握される所定単位毎に、温度状況に応じた制御が可能な構成となる。
また発光部2の面内温度分布に応じた駆動制御も可能となる。
測距センサ1としては、発光素子2aが所定単位毎に制御されることで、均一な発光、光量エネルギーでの露光が可能となり、イメージセンサ7で撮像される画像上に写る対象物(被写体S)による反射光の像の輝度が、一様に近づくようにすることもできる。これにより測距センシング精度も向上される。
例えば発光素子の1つ1つ個別に、もしくは複数の発光素子群としてのブロック単位で、発光をオン/オフさせたり、発光駆動電流を設定することが可能な構成である。
これにより各温度センサ10aの温度検出値として把握される所定単位毎に、温度状況に応じた制御が可能な構成となる。
また発光部2の面内温度分布に応じた駆動制御も可能となる。
測距センサ1としては、発光素子2aが所定単位毎に制御されることで、均一な発光、光量エネルギーでの露光が可能となり、イメージセンサ7で撮像される画像上に写る対象物(被写体S)による反射光の像の輝度が、一様に近づくようにすることもできる。これにより測距センシング精度も向上される。
また、実施形態としての光源装置(測距装置1)においては、発光部2は、発光部2より発せられ被写体で反射された光を受光するイメージセンサ7のフレーム期間と同期して発光する例を述べた。
これにより、発光部が発した光を被写体に照射しイメージセンサで受光して測距を行う場合に対応して、発光素子をイメージセンサのフレーム周期に応じた適切なタイミングで発光させることが可能とされる。
従って、測距精度の向上を図ることができる。また、光源装置が被写体の測距用の光源として用いられる場合に対応して温度上昇の抑制を図ることができる。
これにより、発光部が発した光を被写体に照射しイメージセンサで受光して測距を行う場合に対応して、発光素子をイメージセンサのフレーム周期に応じた適切なタイミングで発光させることが可能とされる。
従って、測距精度の向上を図ることができる。また、光源装置が被写体の測距用の光源として用いられる場合に対応して温度上昇の抑制を図ることができる。
このような実施形態としてのセンシングモジュールによっても、上記した実施形態としての光源装置と同様の作用及び効果を得ることができる。
なお、上記では、発光素子2aごとにスイッチSWを設けて、発光素子2aごとの個別駆動を可能とする構成を例示したが、本技術において、発光素子2aごとの個別駆動を可能に構成することは必須ではなく、少なくとも同時発光組ごとの個別駆動が可能とされていればよい。
また、上記では本技術が測距装置に適用される例を挙げたが、本技術は測距用の光源への適用に限定されるものではない。
なお、本明細書に記載された効果はあくまでも例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。
<9.本技術>
なお本技術は以下のような構成も採ることができる。
(1)
垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部と、
前記発光部における複数の発光素子を発光させる駆動部と、を備え、
前記駆動部における駆動素子を有する領域の少なくとも一部が前記発光部と重ならないように配置されている
光源装置。
(2)
前記発光部が形成されたチップは前記駆動部が形成されたチップに装着され、前記駆動部の駆動素子を有する領域の少なくとも一部が前記発光部の発光素子と重ならないように配置されている
(1)に記載の光源装置。
(3)
前記駆動部は、駆動素子と発光素子とを電気的に接続するための配線が形成されている配線層を複数有する
(1)又は(2)に記載の光源装置。
(4)
前記配線層が下層になるに従って、互いに接続される前記駆動素子と前記発光素子との距離が長くなるように前記配線が形成されている
(3)に記載の光源装置。
(5)
前記駆動部において前記駆動素子を有する領域が複数設けられている
(4)に記載の光源装置。
(6)
前記配線の長さが長くなるに従って、前記配線内に前記配線の進行方向と垂直な面で切断した際の断面積が大きくなる部分が形成される
(3)乃至(5)の何れかに記載の光源装置。
(7)
前記配線の前記部分では、前記配線層の厚み方向における幅が広げられている
(6)に記載の光源装置。
(8)
前記配線の前記部分では、前記配線層の平面方向における幅が広げられている
(6)又は(7)に記載の光源装置。
(9)
前記配線層に設けられた前記配線は、前記配線層が下層になるに従って前記断面積が大きくなる
(6)乃至(8)の何れかに記載の光源装置。
(10)
前記駆動部は、複数の発光素子の所定単位毎の発光動作を個別に駆動可能な構成とされている
(1)乃至(9)の何れかに記載の光源装置。
(11)
前記発光部は、前記発光部より発せられ被写体で反射された光を受光するイメージセンサのフレーム期間と同期した発光を行う
(1)乃至(10)の何れかに記載の光源装置。
(12)
垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部と、前記発光部における発光されるべき複数の前記発光素子を発光させる駆動部と、を備え、前記駆動部におけるスイッチング素子を有する領域の少なくとも一部が前記発光部と重ならないように配置されている光源装置と、
前記発光部より発せられ被写体によって反射された光を受光して撮像するイメージセンサと、を備える
センシングモジュール。
なお本技術は以下のような構成も採ることができる。
(1)
垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部と、
前記発光部における複数の発光素子を発光させる駆動部と、を備え、
前記駆動部における駆動素子を有する領域の少なくとも一部が前記発光部と重ならないように配置されている
光源装置。
(2)
前記発光部が形成されたチップは前記駆動部が形成されたチップに装着され、前記駆動部の駆動素子を有する領域の少なくとも一部が前記発光部の発光素子と重ならないように配置されている
(1)に記載の光源装置。
(3)
前記駆動部は、駆動素子と発光素子とを電気的に接続するための配線が形成されている配線層を複数有する
(1)又は(2)に記載の光源装置。
(4)
前記配線層が下層になるに従って、互いに接続される前記駆動素子と前記発光素子との距離が長くなるように前記配線が形成されている
(3)に記載の光源装置。
(5)
前記駆動部において前記駆動素子を有する領域が複数設けられている
(4)に記載の光源装置。
(6)
前記配線の長さが長くなるに従って、前記配線内に前記配線の進行方向と垂直な面で切断した際の断面積が大きくなる部分が形成される
(3)乃至(5)の何れかに記載の光源装置。
(7)
前記配線の前記部分では、前記配線層の厚み方向における幅が広げられている
(6)に記載の光源装置。
(8)
前記配線の前記部分では、前記配線層の平面方向における幅が広げられている
(6)又は(7)に記載の光源装置。
(9)
前記配線層に設けられた前記配線は、前記配線層が下層になるに従って前記断面積が大きくなる
(6)乃至(8)の何れかに記載の光源装置。
(10)
前記駆動部は、複数の発光素子の所定単位毎の発光動作を個別に駆動可能な構成とされている
(1)乃至(9)の何れかに記載の光源装置。
(11)
前記発光部は、前記発光部より発せられ被写体で反射された光を受光するイメージセンサのフレーム期間と同期した発光を行う
(1)乃至(10)の何れかに記載の光源装置。
(12)
垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部と、前記発光部における発光されるべき複数の前記発光素子を発光させる駆動部と、を備え、前記駆動部におけるスイッチング素子を有する領域の少なくとも一部が前記発光部と重ならないように配置されている光源装置と、
前記発光部より発せられ被写体によって反射された光を受光して撮像するイメージセンサと、を備える
センシングモジュール。
1 測距装置、2 発光部、2a 発光素子、3,3A 駆動部、7 イメージセンサ、10 温度検出部、S 被写体、B 基板、Ch2、Ch3、Ch4、Ch34、Ch7 チップ、30、30A 駆動回路、31 駆動制御部、Q1,Q2 スイッチング素子、SW スイッチ、100,100A 光源装置
Claims (12)
- 垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部と、
前記発光部における複数の発光素子を発光させる駆動部と、を備え、
前記駆動部における駆動素子を有する領域の少なくとも一部が前記発光部と重ならないように配置されている
光源装置。 - 前記発光部が形成されたチップは前記駆動部が形成されたチップに装着され、前記駆動部の駆動素子を有する領域の少なくとも一部が前記発光部の発光素子と重ならないように配置されている
請求項1に記載の光源装置。 - 前記駆動部は、駆動素子と発光素子とを電気的に接続するための配線が形成されている配線層を複数有する
請求項1に記載の光源装置。 - 前記配線層が下層になるに従って、互いに接続される前記駆動素子と前記発光素子との距離が長くなるように前記配線が形成されている
請求項3に記載の光源装置。 - 前記駆動部において前記駆動素子を有する領域が複数設けられている
請求項4に記載の光源装置。 - 前記配線の長さが長くなるに従って、前記配線内に前記配線の進行方向と垂直な面で切断した際の断面積が大きくなる部分が形成される
請求項3に記載の光源装置。 - 前記配線の前記部分では、前記配線層の厚み方向における幅が広げられている
請求項6に記載の光源装置。 - 前記配線の前記部分では、前記配線層の平面方向における幅が広げられている
請求項6に記載の光源装置。 - 前記配線層に設けられた前記配線は、前記配線層が下層になるに従って前記断面積が大きくなる
請求項6に記載の光源装置。 - 前記駆動部は、複数の発光素子の所定単位毎の発光動作を個別に駆動可能な構成とされている
請求項1に記載の光源装置。 - 前記発光部は、前記発光部より発せられ被写体で反射された光を受光するイメージセンサのフレーム期間と同期した発光を行う
請求項1に記載の光源装置。 - 垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部と、前記発光部における複数の発光素子を発光させる駆動部と、を備え、前記駆動部における駆動素子を有する領域の少なくとも一部が前記発光部と重ならないように配置されている光源装置と、
前記発光部より発せられ被写体によって反射された光を受光して撮像するイメージセンサと、を備える
センシングモジュール。
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