JP2020040182A - 研磨装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、第1実施形態による研磨装置1の構成例を示す概略図である。研磨装置1は、例えば、半導体ウェハWを研磨対象として研磨するCMP(Chemical Mechanical Polishing)装置である。尚、本実施形態は、CMP装置に限定されず、任意の材料を平坦に研磨する研磨装置に適用可能である。
図9は、第2実施形態による研磨方法の一例を示すフロー図である。上記第1実施形態では、ステップS50において、演算部60は、メンブレン23a、23b、23c、23dのエリア間の信号差と閾値とを比較している。研磨装置1は、エリア間の信号を相対的に比較して、半導体ウェハWの凹凸を閾値以内にするように制御する。
図10は、第3実施形態による研磨装置の構成例を示す概略図である。第1実施形態において、メンブレン23a等は、その内部に空洞Hを有し、振動センサ100a等は、空洞H内に設けられている。
Claims (8)
- 研磨対象を研磨する研磨部と、
前記研磨対象を保持して回転可能なホルダと、
前記ホルダに該ホルダの回転軸を中心に同心円状に設けられ、前記研磨対象を前記研磨部へ弾性的に押圧する複数の弾性部材と、
前記複数の弾性部材の内部に設けられ、前記研磨対象の研磨面からの振動を検出する複数の振動センサと、を備えた研磨装置。 - 前記複数の弾性部材は、中空の空洞を有し、該空洞に気体を供給することによって前記研磨対象を前記研磨部へ押圧し、
前記振動センサは、前記空洞内に設けられている、請求項1に記載の研磨装置。 - 前記研磨対象を研磨する際に、前記振動センサは、前記弾性部材を介して前記研磨対象に接触している、請求項1または請求項2に記載の研磨装置。
- 前記研磨対象を研磨する際に、前記振動センサは、前記弾性部材内において前記研磨対象に対して相対的に回転移動する、請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の研磨装置。
- 前記複数の振動センサで検出された振動に基づいて、前記研磨対象の研磨面の凹凸を判断する演算部と、
前記研磨対象の研磨面の凹凸に基づいて、前記複数の弾性部材のそれぞれの前記研磨対象に対する圧力を制御する制御部とをさらに備えた、請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の研磨装置。 - 前記演算部は、前記複数の振動センサ間の信号の差を用いて、前記複数の弾性部材のそれぞれの圧力を制御するか否かを判断する、請求項5に記載の研磨装置。
- 前記演算部は、前記複数の振動センサのそれぞれの信号と予め設定された基準値との差を用いて、前記複数の弾性部材のそれぞれの圧力を制御するか否かを判断する、請求項5に記載の研磨装置。
- 研磨対象を研磨する研磨部と、前記研磨対象を保持して回転可能なホルダと、前記ホルダに該ホルダの回転軸を中心に同心円状に設けられた複数の弾性部材と、前記複数の弾性部材の内部に設けられた複数の振動センサとを備えた研磨装置を用いた研磨方法であって、
前記研磨対象を前記研磨部へ弾性的に押圧し、該研磨対象を回転させ、
前記複数の振動センサにおいて前記研磨対象の研磨面からの振動を検出し、
前記複数の振動センサで検出された振動に基づいて、前記研磨対象の研磨面の凹凸を演算部で判断し、
前記研磨対象の研磨面の凹凸に基づいて、前記複数の弾性部材のそれぞれの前記研磨対象に対する圧力を制御部で制御することを具備する研磨方法。
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