JP2020038969A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の一実施形態に係る半導体装置について、図1(a)〜図5および図13を用いて説明すれば以下の通りである。
本実施形態の半導体装置10のパッケージ18では、以上のように、リード11a,11bを挟み込むように成形された第1樹脂成形体12および第2樹脂成形体13の相対的な位置ずれを容易に確認することができるように、第1樹脂成形体12の外形が中心軸C−Cを中心に左右対称になり、第2樹脂成形体13の外形が中心軸C−Cを中心に左右非対称になるように成形される。
本実施形態の半導体装置10の製造方法では、図5に示すフローチャートに従って、上述した半導体装置10を製造する。
本発明の他の実施形態に係る半導体装置30について、図6(a)〜図7(b)を用いて説明すれば以下の通りである。
本実施形態の半導体装置30では、以上のように、リード31a,31b(製造過程におけるリードフレーム31)1を挟み込むように配置された第1樹脂成形体32および第2樹脂成形体33の相対的な位置ずれを容易に確認することができるように、第1樹脂成形体32の外形が中心軸C’−C’を中心に左右対称になり、第2樹脂成形体33の外形が中心軸C’−C’を中心に左右非対称になるように成形される。
本発明のさらに他の実施形態に係る半導体装置40について、図8(a)〜図9(b)を用いて説明すれば以下の通りである。
本実施形態の半導体装置40では、以上のように、リード41a,41b(製造過程におけるリードフレーム41)を挟み込むように配置された第1樹脂成形体42および第2樹脂成形体43の相対的な位置ずれを容易に確認することができるように、第1樹脂成形体42の外形が中心軸C’−C’を中心に左右対称になり、第2樹脂成形体43の外形が中心軸C’−C’を中心に左右非対称になるように成形される。
本発明のさらに他の実施形態に係る半導体装置50について、図10(a)〜図11(b)を用いて説明すれば以下の通りである。
本実施形態の半導体装置50では、以上のように、リード51a,51b(製造過程におけるリードフレーム51)を挟み込むように配置された第1樹脂成形体52および第2樹脂成形体53の相対的な位置ずれを容易に確認することができるように、第1樹脂成形体52の外形が中心軸C’−C’を中心に左右対称になり、第2樹脂成形体53の外形が中心軸C’−C’を中心に左右非対称になるように成形される。
本実施形態の半導体装置50の製造方法では、図12に示すフローチャートに従って、上述したトランスファーモールドタイプの半導体装置50を製造する。
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
上記実施形態では、第1樹脂成形体と第2樹脂成形体との相対的な位置ずれを検出するために、左右非対称な第2樹脂成形体に2つの判定部(第1判定部,第2判定部)を設けた例を挙げて説明した。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。
上記実施形態では、基準となる適正な位置において、第1判定部が見えており、第2判定部が見えていない状態とすることで、第1樹脂成形体と第2樹脂成形体との位置ずれの方向まで特定可能とした例を挙げて説明した。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。
上記実施形態では、中心軸を中心に左右非対称に成形される第2樹脂成形体側に、半導体素子が載置される半導体装置を例として挙げて説明した。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。
上記実施形態では、中心軸を中心に左右対称に成形される第1樹脂成形体側に、樹脂を注入するゲート痕が設けられた半導体装置を例として挙げて説明した。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。
上記実施形態では、リード11a,11b等を折り曲げて端子部として利用する半導体装置の構成を例として挙げて説明した。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。
上記実施形態では、本発明を適用する半導体装置として、LED等の発光装置を例として挙げて説明した。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。
11 リードフレーム(金属板)
11a,11b リード(端子部)
11c,11d ハンガーリード
12 第1樹脂成形体
12a ゲート痕
13 第2樹脂成形体
13a 第1判定部
13b 第2判定部
14 凹部
15 半導体素子
16 穴部
17 樹脂成形体
18 パッケージ
20 成形用金型
21 下部金型
21a ゲート
22 上部金型
30 半導体装置
31 リードフレーム(金属板)
31a,31b リード(端子部)
31c,31d ハンガーリード
32 第1樹脂成形体
32a ゲート痕
33 第2樹脂成形体
33a 第1判定部
33b 第2判定部
34 凹部
35 半導体素子
36 穴部
37 樹脂成形体
38 パッケージ
40 半導体装置
41 リードフレーム(金属板)
41a,41b リード(端子部)
41c,41d ハンガーリード
42 第1樹脂成形体
42a ゲート痕
43 第2樹脂成形体
43a 第1判定部
43b 第2判定部
44 凹部
45 半導体素子
46 穴部
47 樹脂成形体
48 パッケージ
50 半導体装置
51 リードフレーム(金属板)
51a,51b リード(端子部)
52 第1樹脂成形体
53 第2樹脂成形体
53a 第1判定部
53b 第2判定部
54 レンズ
55 半導体素子
57 樹脂成形体
58 パッケージ
Claims (8)
- 半導体素子と、
第1面と、前記第1面とは反対側の第2面とを有し、端子部として機能部分を含む金属製の薄板であって、前記半導体素子を支持固定するリードと、
前記リードの前記第1面に設けられており、中心軸を中心に、その外形が左右対称に形成された第1樹脂成形体と、
前記第1樹脂成形体とともに前記リードを挟み込むように、前記リードの前記第2面に設けられており、中心軸を中心に、その外形が左右非対称に形成された第2樹脂成形体と、
を備えた半導体装置。 - 前記第1樹脂成形体は、成形時に樹脂が注入されるゲート側に配置される、
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第2樹脂成形体は、前記半導体素子が載置される凹部を有している、
請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記凹部は、前記第2樹脂成形体の側面に形成されている、
請求項3に記載の半導体装置。 - 前記凹部は、前記第2樹脂成形体の上面に形成されている、
請求項3に記載の半導体装置。 - 前記リードは、外部配線と接続される端子部を、さらに有している、
請求項1から5のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 請求項1から6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、
リードフレームを成形用金型へセットするステップと、
前記成形用金型から樹脂を注入するステップと、
前記樹脂を硬化させて前記第1樹脂成形体と前記第2樹脂成形体とを成形するステップと、
を備えた半導体装置の製造方法。 - 前記第1樹脂成形体および前記第2樹脂成形体は、射出成形またはトランスファー成形によって成形される、
請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
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