JP2020031203A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
エミッタ電極90は、N形エミッタ層30の上、および、ゲート電極40の上方に設けられる。エミッタ電極90は、N形エミッタ層30に電気的に接続され、層間絶縁膜46によりゲート電極40から電気的に絶縁される。
図4(a)〜(d)は、実施形態に係る半導体装置1の製造過程を順に示す模式断面図である。
また、図5(b)に示すように、P形バリア層80は、Y方向に延在し、P形コレクタ層50の間に配置される。N形接続部75は、P形バリア層80中に設けられ、P形コレクタ層50から離間した位置に配置される。この例では、複数のN形接続部75が、Y方向に配置される。複数のN形接続部75は、Y方向において相互に離間して配置される。
Claims (5)
- 第1導電形の第1半導体層と、
前記第1半導体層上に選択的に設けられた第2導電形の第2半導体層と、
前記第2半導体層上に選択的に設けられた第1導電形の第3半導体層と、
前記第1半導体層と前記第3半導体層との間に位置する前記第2半導体層の一部を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜を介して前記第2半導体層の前記一部と向き合う制御電極と、
前記第1半導体層の下面側に設けられた第2導電形の第4半導体層と、
前記第1半導体層の下面に沿った第1方向に、前記第4半導体層と並べて配置された第1導電形の第5半導体層と、
前記第1半導体層と前記第5半導体層との間に設けられ、前記第4半導体層につながった第2導電形の第6半導体層と、
を備え、
前記第6半導体層は、第2導電形不純物の濃度から第1導電形不純物濃度を差し引いた第2導電形不純物の補償された濃度を有し、前記第2導電形不純物の補償された濃度は、前記第4半導体層における第2導電形不純物の補償された濃度よりも低く、
前記第1半導体層と前記第5半導体層との間に位置し、前記第6半導体層が介在しない接続部分であって、前記第1半導体層に前記第5半導体層を電気的に接続する接続部分を有する半導体装置。 - 前記第4半導体層と前記第5半導体層は、前記第1半導体層の下面に沿った前記第1方向に交互に配置される請求項1記載の半導体装置。
- 前記接続部分は、前記第1半導体層の下面に沿った前記第1方向において前記第4半導体層から離間した位置に設けられる請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記接続部分は、前記第1半導体層の下面に沿って、前記第1方向と交差する第2方向に並べて複数配置され、
前記第4半導体層は、前記第1半導体層の下面に沿って、前記第2方向に延び、
前記接続部分は、前記第1方向において隣接する第4半導体層間に位置する請求項2または3に記載の半導体装置。 - 前記第1半導体層と前記第4半導体層との間、および、前記第1半導体層と前記第6半導体層との間に設けられ、前記第1半導体層よりも高濃度の第1導電形不純物を含む第7半導体層をさらに備え、
前記第5半導体層は、前記接続部分を介して前記第7半導体層に接続される請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体装置。
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