JP2020029595A - 磁気ディスク用アルミニウム合金ブランク及びその製造方法、ならびに、当該磁気ディスク用アルミニウム合金ブランクを用いた磁気ディスク及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】めっき表面が平滑な磁気ディスク用アルミニウム合金ブランク及びその製造方法、ならびに、磁気ディスク及びその製造方法を提供する。【解決手段】Ｍｇ：３．０〜８．０ｍａｓｓ％（以下、「％」）、Ｃｕ：０．００３〜０．１５０％、Ｚｎ：０．０５〜０．６０％、Ｃｒ：０．０１０〜０．３００％、Ｍｎ：０．００１〜０．５００％、Ｆｅ：０．００１〜０．０３０％、Ｓｉ：０．００１〜０．０３０％、Ｂｅ：０．００００１〜０．００２００％、を含有し、残部Ａｌ及び不可避的不純物からなるアルミニウム合金からなり、加圧焼鈍後の剥離から１６８時間以内において、３００℃×１時間の加熱処理前後の平坦度の差が２．０μｍ以下である磁気ディスク用アルミニウム合金ブランク及びその製造方法、ならびに、当該アルミニウム合金ブランクを用いた磁気ディスク。【選択図】図１

Description

本発明は、めっき表面が平滑である磁気ディスク用アルミニウム合金ブランク及びその製造方法、ならびに、当該磁気ディスク用アルミニウム合金ブランクを用いた磁気ディスク及びその製造方法に関する。

コンピュータの記憶装置に用いられるアルミニウム合金製磁気ディスクは、良好なめっき性を有するとともに機械的特性や加工性が優れる基板を用いて製造される。例えば、ＪＩＳ５０８６（Ｍｇ：３．５〜４．５ｍａｓｓ％、Ｆｅ≦０．５０ｍａｓｓ％、Ｓｉ≦０．４０ｍａｓｓ％、Ｍｎ：０．２０〜０．７０ｍａｓｓ％、Ｃｒ：０．０５〜０．２５ｍａｓｓ％、Ｃｕ≦０．１０ｍａｓｓ％、Ｔｉ≦０．１５ｍａｓｓ％、Ｚｎ≦０．２５ｍａｓｓ％、残部Ａｌ及び不可避的不純物からなる）を用いたアルミニウム合金基板、また、ＪＩＳ５０８６中の不純物であるＦｅ、Ｓｉ等の含有量を制限してマトリックス中の金属間化合物のサイズを小さくしたアルミニウム合金基板、或いは、ＣｕやＺｎを添加してめっき性を改善したアルミニウム合金基板等から製造されている。

一般的なアルミニウム合金製磁気ディスクは、まず、円環状アルミニウム合金基板を作製し、この円環状アルミニウム合金基板にめっきを施し、次いで、この円環状アルミニウム合金基板表面に磁性体を付着させることにより製造される。

例えば前記ＪＩＳ５０８６合金によるアルミニウム合金製磁気ディスクは、以下の工程により製造される。まず、所定の合金成分としたアルミニウム合金を鋳造し、その鋳塊を熱間圧延し、次いで冷間圧延を施す。なお、必要に応じて焼鈍を施して圧延材を作製する。次に、この圧延材を円環状に打抜き、円環状アルミニウム合金板を積層する。更に、積層体の上下から加圧しつつ焼鈍を施して平坦化する加圧焼鈍を行うことにより、円環状アルミニウム合金基板（ブランク）が作製される。

このようにして作製されたブランクに、前処理として切削加工、研削加工、脱脂処理、エッチング処理、ジンケート処理（Ｚｎ置換処理）を施し、次いで、下地処理として硬質非磁性金属であるＮｉ−Ｐを無電解めっきし、このめっき表面にポリッシングを施した後に、Ｎｉ−Ｐを無電解めっき表面に磁性体をスパッタリングしてアルミニウム合金製磁気ディスクが製造される。

ところで、近年、磁気ディスクには、マルチメディア等のニーズから大容量化及び高密度化が求められており、近い将来には、面記録密度２Ｔｂ／ｉｎ^２が達成されようとしている。そして、磁気ディスクの記録密度の向上には、データ読み取り時にエラーの原因となる磁気ディスク表面のめっきピット（孔）をより少なくすることが必要とされ、めっき表面に高い平滑性が要求されている。

めっきピットの発生原因としては、アルミニウム合金基板表面に存在する大きな窪みが一因として知られており、この大きな窪みは、基板表面に存在する粗大な非金属介在物や金属間化合物などの異物が研削加工やめっき前処理時に脱落して、発生することが判明している。

このような実情から、近年ではアルミニウム合金基板に存在する異物の低減が強く望まれ、検討がなされている。特許文献１には、鋳造における凝固時の冷却速度を高めてＡｌ−Ｆｅ−Ｍｎ系金属間化合物等の異物を微細化する方法が記載されている。

特許文献２には、アルミニウム溶湯の不純物であるＴｉ、Ｖ及びＺｒを偏析精製に先立って、Ｂとの反応を有効に利用して低減させる方法が記載されている。この方法で製造した高純度地金を磁気ディスク基板用アルミニウム合金板の原料として使用することで、ＴｉＢ_２、ＶＢ_２、ＺｒＢ_２等の異物の生成を抑制している。

特開昭５６−１０５８４６号公報 特開２００２−１７３７１８号公報

しかしながら、特許文献１に記載の方法では、Ａｌ−Ｆｅ−Ｍｎ系金属間化合物を微細にすることでめっきピットの低減は可能であるが、化合物以外の原因で発生するめっきピットの低減までには至らず、目標とする高平滑性が得られないという問題が残った。

また、特許文献２に記載の方法では、複数回の精錬の実施により高純度とすることで粗大な介在物は低減するが、通常の精錬よりも工程数が多いためコストが増加するという問題が残った。更に、介在物を減らしても目標とする高平滑性が得られないという問題も残った。

本発明は、上記問題点を解決すべくなされたもので、高平滑性のめっき表面を有する磁気ディスク用アルミニウム合金ブランク、ならびに、当該アルミニウム合金ブランクを用いた磁気ディスクの提供を目的とする。

本発明者らは上記問題点の解決のために、ブランクの平坦度に注目し、この平坦度変化とめっき表面の平滑性の関係、ならびに、この平坦度変化と製造条件の関係について鋭意調査研究した。その結果、剥離後のブランクの加熱処理前後の平坦度変化が、ブランク剥離工程以降の基板の平坦度とめっき表面の平滑性に大きな影響を与えることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明は請求項１において、Ｍｇ：３．０〜８．０ｍａｓｓ％、Ｃｕ：０．００３〜０．１５０ｍａｓｓ％、Ｚｎ：０．０５〜０．６０ｍａｓｓ％、Ｃｒ：０．０１０〜０．３００ｍａｓｓ％、Ｍｎ：０．００１〜０．５００ｍａｓｓ％、Ｆｅ：０．００１〜０．０３０ｍａｓｓ％、Ｓｉ：０．００１〜０．０３０ｍａｓｓ％及びＢｅ：０．００００１〜０．００２００ｍａｓｓ％を含有し、残部Ａｌ及び不可避的不純物からなるアルミニウム合金からなり、加圧焼鈍後の剥離から１６８時間以内において、３００℃×１時間の加熱処理前後の平坦度の差が２．０μｍ以下であることを特徴とする磁気ディスク用アルミニウム合金ブランクとした。

更に本発明は請求項２では、請求項１に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金ブランクを用いたアルミニウム合金基板の表面に、無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理層とその上の磁性体層が設けられていることを特徴とする磁気ディスクとした。

更に本発明は請求項３では、請求項１に記載される磁気ディスク用アルミニウム合金ブランクの製造方法であって、前記アルミニウム合金を用いて鋳塊を鋳造する鋳造工程と、鋳塊を熱間圧延する熱間圧延工程と、熱間圧延板を冷間圧延する冷間圧延工程と、冷間圧延板を円環状に打ち抜くディスクブランク打抜き工程と、打ち抜いたディスクブランクを加圧焼鈍する加圧焼鈍工程と、加圧焼鈍したディスクブランクを剥離するブランク剥離工程とを含み、前記冷間圧延工程から加圧焼鈍工程において、冷間圧延が完了してから加圧焼鈍が終了するまでの時間を２４〜６７２時間とし、前記加圧焼鈍工程において、ディスクブランクを２２０℃以上の温度範囲で０．５時間以上保持することを特徴とする磁気ディスク用アルミニウム合金ブランクの製造方法とした。

本発明は請求項４では請求項３において、前記鋳造工程と熱間圧延工程との間に、鋳塊を４８０〜５６０℃で１時間以上加熱処理する均質化熱処理工程を更に含むものとした。

本発明は請求項５では請求項３又は４において、前記冷間圧延の前又は途中において、熱間圧延板又は冷間圧延板を、３００〜４５０℃で０．１〜１０時間バッチ焼鈍し、又は、４００〜５００℃で０〜６０秒連続焼鈍する焼鈍工程を更に含むものとした。

本発明は請求項６では、請求項１に記載される磁気ディスク用アルミニウム合金ブランクに切削加工と研削加工を施す切削・研削工程と、切削加工と研削加工を施したアルミニウム合金ブランクに脱脂処理とエッチング処理を施す加工処理工程と、加工処理したアルミニウム合金ブランク基板をジンケート処理するジンケート処理工程と、ジンケート処理したアルミニウム合金ブランクを下地めっき処理する下地めっき処理工程とによってアルミニウム合金基板とし、当該アルミニウム合金基板の表面に磁性体を付着する工程によって磁気ディスクとする磁気ディスクの製造方法とした。

本発明に係る磁気ディスク用アルミニウム合金基ブランクでは、優れためっき表面の平滑性が得られるため、大容量化及び高密度化が可能となる。更に、このようなアルミニウム合金ブランクを用いることにより、大容量及び高密度の磁気ディスクを提供することができる。

本発明に係る磁気ディスク用アルミニウム合金ブランクの製造工程から磁気ディスクの製造に至る工程のフロー図である。

１．本発明に係る磁気ディスク用アルミニウム合金ブランク、ならびに、磁気ディスク
以下、本発明を詳細に説明する。
先ず、本発明に係る磁気ディスク用アルミニウム合金ブランク（以下、「本発明に係るアルミニウム合金ブランク」又は。単に「アルミニウム合金ブランク」と略記する）は、アルミニウム合金板を加工することによって製造される。図１において、ステップ１〜５はアルミニウム合金板の製造工程である。次いで、アルミニウム合金ブランクは、ステップ６〜８の製造工程によって製造される。更に、アルミニウム合金ブランクを加工することによってアルミニウム合金基板が製造される。アルミニウム合金基板は、ステップ９〜１２の製造工程によって製造される。最終的に、ステップ１３によって磁気ディスクが製造される。

１−１．製造工程
以下に、各製造ステップを詳細に説明する。
（１）ステップ１：アルミニウム合金溶湯の調製工程である。溶解炉で所望組成のアルミニウム合金に配合した（例えば、後述の表１に示す組成に配合した）溶湯を保持炉に転湯する。更に、保持炉において、溶湯を所定温度で所定時間保持する。
（２）ステップ２：アルミニウム合金の鋳造工程である。ステップ１で配合したアルミニウム合金溶湯を鋳造する。
（３）ステップ３：鋳造した鋳塊の均質化熱処理工程である。ステップ２で鋳造した鋳塊を面削し、均質化熱処理を施す。なお、均質化熱処理工程は任意工程である。
（４）ステップ４：鋳塊の熱間圧延工程である。ステップ２又は３の鋳塊を熱間圧延して圧延板とする。熱間圧延後の板厚は、３．０ｍｍ程度とする。
（５）ステップ５：熱間圧延板を冷間圧延する冷間圧延工程である。ステップ４で熱間圧延した圧延板を冷間圧延してアルミニウム合金板とする。なお、冷間圧延の前又は途中において、任意工程の焼鈍工程を設けてもよい。
（６）ステップ６：ディスクブランクの打抜き工程である。ステップ５で作製したアルミニウム合金板を円環状に打ち抜き、ディスクブランクを作製する。
（７）ステップ７：ディスクブランクの加圧焼鈍工程である。ステップ６で打抜いたディスクブランクを加圧焼鈍により平坦化し、アルミニウム合金ブランクとする。
（８）ステップ８：ディスクブランクの剥離工程である。ステップ７で加圧焼鈍したディスクブランクをそれぞれ剥離する。
（９）ステップ９：ディスクブランクの切削・研削工程である。ステップ８で剥離したディスクブランクに切削加工、研削加工を施す。
（１０）ステップ１０：ディスクブランクの加工処理工程である。切削加工、研削加工を施したディスクブランクに、脱脂処理とエッチング処理を施す。
（１１）ステップ１１：ディスクブランクのジンケート処理工程である。加工処理した処置したディスクブランクにジンケート処理（Ｚｎ置換処理）を施す。
（１２）ステップ１２：ディスクブランクの下地処理めっき処理工程である。ジンケート処理したディスクブランクに下地処理めっき処理としてＮｉ−Ｐめっきを施し、アルミニウム合金基板とする。
（１３）ステップ１３：磁性体の付着工程である。下地めっき処理したアルミニウム合金基板の表面にスパッタリングで磁性体を付着させて磁気ディスクとする。

１−２．アルミニウム合金組成
まず、ステップ１のアルミニウム合金の各組成の配合について詳細に説明する。アルミニウム合金の成分組成限定理由は次の通りである。

Ｍｇ：３．０〜８．０ｍａｓｓ％
Ｍｇは、主としてアルミニウム合金板の強度を向上させる効果を有する元素である。また、ジンケート処理時のジンケート皮膜を均一に、薄く、かつ、緻密に付着させるので、ジンケート処理工程の次工程である下地めっき処理工程において、Ｎｉ−Ｐからなるめっき表面の平滑性が向上する。Ｍｇの含有量を３．０〜８．０ｍａｓｓ％（以下、単に「％」と略記する）に規定する理由は、３．０％未満では上記効果が十分に得られないためである。一方、８．０％を超えると粗大なＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物が生成して、エッチング時、ジンケート処理時、切削や研削の加工時において、金属間化合物が脱落して大きな窪みが発生し、めっき表面の平滑性を低下させるためである。好ましいＭｇ含有量は、３．５〜７．０％である。

Ｃｕ：０．００３〜０．１５０％
Ｃｕはジンケート処理時においてＡｌ溶解量を減少させ、また、ジンケート皮膜を均一に、薄く、かつ、緻密に付着させる効果を有する元素である。このような効果により、ジンケート処理工程の次工程である下地めっき処理工程において、Ｎｉ−Ｐからなるめっき表面の平滑性が向上する。Ｃｕの含有量を０．００３〜０．１５０％に規定する理由は、０．００５％未満では上記効果が十分に得られないためである。一方、０．１５０％を超えると粗大なＡｌ−Ｃｕ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物が生成して、エッチング時、ジンケート処理時、切削や研削の加工時において、金属間化合物が脱落して大きな窪みが発生し、めっき表面の平滑性を低下させるためである。更に、０．１５０％を超える場合には、材料自体の耐食性を低下させるため、ジンケート処理により生成するジンケート皮膜が不均一となり、めっきの密着性や平滑性が低下するためである。好ましいＣｕ含有量は、０．００５〜０．１００％である。

Ｚｎ：０．０５〜０．６０％
ＺｎはＣｕと同様に、ジンケート処理時のＡｌ溶解量を減少させ、また、ジンケート皮膜を均一に、薄く、かつ、緻密に付着させるので、ジンケート処理工程の次工程である下地めっき処理工程において、Ｎｉ−Ｐからなるめっき表面の平滑性が向上する。Ｚｎの含有量を０．０５〜０．６０％に規定する理由は、０．０５％未満では上記効果が十分に得られないためである。一方、０．６０％を超えると粗大なＡｌ−Ｃｕ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物が生成して、エッチング時、ジンケート処理時、切削や研削の加工時において、金属間化合物が脱落して大きな窪みが発生し、めっき表面の平滑性を低下させるためである。更に、０．６０％を超える場合には、材料自体の加工性や耐食性を低下させるため、ジンケート処理により生成するジンケート皮膜が不均一となり、めっきの密着性や平滑性が低下するためである。好ましいＺｎ含有量は、０．０５〜０．５０％である。

Ｃｒ：０．０１０〜０．３００％
Ｃｒは鋳造時に微細な金属間化合物を生成するが、一部はマトリックスに固溶して強度向上に寄与する元素である。また、切削性と研削性を高め、更に再結晶組織を微細にしてめっき層の密着性を向上させ、めっきピットの発生を抑制する効果を有する。Ｃｒの含有量を０．０１０〜０．３００％に規定する理由は、０．０１０％未満では上記効果が十分に得られないためである。一方、０．３００％を超えると粗大なＡｌ−Ｃｒ系金属間化合物が生成して、エッチング時、ジンケート処理時、切削や研削の加工時において、金属間化合物が脱落して大きな窪みが発生し、めっき表面の平滑性を低下させるためである。好ましいＣｒ含有量は、０．０３０〜０．１００％である。

Ｍｎ：０．００１〜０．５００％
Ｍｎは鋳造時に微細な金属間化合物を生成するが、一部はマトリックスに固溶して強度向上に寄与する元素である。また、切削性と研削性を高め、更に再結晶組織を微細にしてめっき層の密着性を向上させ、めっきピットの発生を抑制する効果を有する。Ｍｎの含有量を０．００１〜０．５００％に規定する理由は、０．００１％未満では上記効果が十分に得られないためである。一方、０．５００％を超えると粗大なＡｌ−Ｍｎ系金属間化合物が生成して、エッチング時、ジンケート処理時、切削や研削の加工時において、金属間化合物が脱落して大きな窪みが発生し、めっき表面の平滑性を低下させるためである。好ましいＭｎ含有量は、０．０１０〜０．１００％である。

Ｆｅ：０．００１〜０．０３０％
Ｆｅはアルミニウム母材中には殆ど固溶せず、Ａｌ−Ｆｅ系金属間化合物としてアルミニウム地金中に存在する。このＡｌ−Ｆｅ系金属間化合物は研削面において欠陥となるため、アルミニウム合金中にＦｅが含有されることは好ましくない。しかしながら、Ｆｅを０．００１％未満まで取り除くのは、アルミニウム地金を高純度に精錬することになりコスト高を招く。Ｆｅの含有量が０．０３０％を超えると粗大なＡｌ−Ｆｅ系金属間化合物が生成して、エッチング時、ジンケート処理時、切削や研削の加工時において、金属間化合物が脱落して大きな窪みが発生し、めっき表面の平滑性を低下させる。以上により、Ｆｅの含有量を０．００１〜０．０３０％と規定する。好ましいＦｅ含有量は、０．００５〜０．０２５％である。

Ｓｉ：０．００１〜０．０３０％
Ｓｉは本発明のアルミニウム合金板の必須元素であるＭｇと結合し、研削面において欠陥となるＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物を生成するため、アルミニウム合金中にＳｉが含有されることは好ましくない。しかしながら、Ｓｉはアルミニウム地金に不可避的不純物として存在する。図１のステップ１におけるアルミニウム合金の調製には純度の高い、例えば純度９９．９％以上のアルミニウム地金を用いるが、このような地金にもＳｉが含有されている。アルミニウム地金からＳｉを０．００１％未満まで取り除くのは、アルミニウム地金を高純度に精錬することとなりコスト高を招く。Ｓｉの含有量が０．０３０％を超えると粗大なＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物が生成して、エッチング時、ジンケート処理時、切削や研削の加工時において、金属間化合物が脱落して大きな窪みが発生し、めっき表面の平滑性を低下させる。以上により、Ｓｉの含有量を０．００１〜０．０３０％と規定する。好ましいＳｉ含有量は、０．００５〜０．０２５％である。

Ｂｅ：０．００００１〜０．００２００％
Ｍｇを含有するアルミニウム合金は、一般にその鋳造時において、Ｍｇの溶湯酸化を抑制するため微量のＢｅが添加される。また、Ｂｅを添加することで材料自体の耐食性が高まり、ジンケート処理により生成するジンケート皮膜が均一となり、下地めっき処理後のピット発生をより一層抑制することができる。Ｂｅの含有量を０．００００１〜０．００２００％に規定する理由は、０．００００１％未満では上記効果が十分に得られないためである。一方、０．００２００％を超えると研削後の加熱時に膜厚の厚いＡｌ−Ｍｇ−Ｂｅ系酸化物が形成され、下地めっき処理時にピットが発生し、めっき表面の平滑性を低下させるためである。好ましいＢｅ含有量は、０．０００１０〜０．００１８０％である。

上記各元素の他は、Ａｌ及び不可避的不純物である。ここで言う不可避的不純物とは上記のＭｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｂｅを除く元素であり、例えばＧａ等が挙げられる。これらの不可避的不純物は、各々が０．０５％以下で、かつ、合計が０．１５％以下であれば、本発明に係るアルミニウム合金ブランク及び磁気ディスクの特性を損なうことはない。

１−３．アルミニウム合金ブランクの平坦度変化
本発明においては、複数のディスクブランクを重ねて加圧焼鈍した後に、各ディスクブランクを剥離して用いる。ここで、加圧焼鈍後の剥離から１６８時間以内のディスクブランクにおいて、３００℃×１時間の加熱処理前後の平坦度の差が２．０μｍ以下に規定する。

加圧焼鈍後の剥離からの経過時間が１６８時間以内のディスクブランクにおいて、３００℃×１時間の加熱処理前後の平坦度の差が２．０μｍ以下であれば、ディスクブランクの剥離工程以降の工程においてブランクの平坦度変化が抑制されるため、下地めっき処理後の研磨時等に削り残しなく、研磨することが可能となり、平滑なめっき表面を得ることができる。

通常、加圧焼鈍を行うことで、平坦度変化の原因となる残留応力の大部分を除去することは可能である。しかしながら、残留応力の分布によっては、ディスクブランクの剥離工程以降の熱処理工程等において平坦度が変化するため、ディスクブランク剥離後の３００℃×１時間の加熱処理前後の平坦度の差を２．０μｍ以下とすることが重要である。３００℃×１時間の加熱処理前後の平坦度の差が２．０μｍを超える場合には、ディスクブランク剥離工程以降の熱処理工程等において平坦度が変化し、下地めっき処理後の研磨時等に削り残しが発生してめっき表面の平滑性が低下する。従って、３００℃×１時間の加熱処理前後の平坦度の差を２．０μｍ以下に規定する。この平坦度の差は、好ましくは１．５μｍ以下である。なお、加熱処理前後の平坦度の差とは、（加熱処理後の平坦度−加熱処理前の平坦度）の絶対値であり、加熱処理後の平坦度が加熱処理前の平坦度よりも大きい場合もあれば、その逆の場合もある。

なお、剥離から３００℃×１時間の加熱処理までの時間を１６８時間以下としたのは、残留応力の分布が不均一な場合には、剥離後１６８時間を超えると平坦度が変化し、残留応力の不均一が解消される。その結果、３００℃×１時間の加熱処理を行っても、平坦度が変化しないためである。この場合、３００℃×１時間の加熱処理で平坦度は変化しないが、加熱処理前に平坦度が変化しているため、研削加工等で削り残しが発生し、めっき表面の平滑性が低下してしまう。以上のことから、剥離から３００℃×１時間の加熱処理までの時間を１６８時間以下と規定するものである。なお、この時間は、好ましくは２４時間以下であり、０時間であってもよい。

２．アルミニウム合金ブランクの製造方法
２−１．鋳造工程
次に、本発明に係るアルミニウム合金ブランクの製造方法について詳細に説明する。前記ステップ１において本発明の合金組成範囲に調製されたアルミニウム合金溶湯を、鋳造されるまでに冷えて固化しないように保持炉で加熱・保持する。その後、半連続鋳造（ＤＣ鋳造）法や連続鋳造（ＣＣ鋳造）法等の常法に従って鋳造し（ステップ２）、得られた鋳塊に任意の均質化熱処理（ステップ３）、熱間圧延（ステップ４、ＣＣ鋳造では任意工程）、冷間圧延（ステップ５）を施しアルミニウム合金板を製造する。

ＤＣ鋳造法においては、スパウトを通して注がれた溶湯が、ボトムブロックと、水冷されたモールドの壁、ならびに、インゴット（鋳塊）の外周部に直接吐出される冷却水で熱を奪われ、凝固して鋳塊として下方に引き出される。

ＤＣ鋳造法に代えてＣＣ鋳造法を用いてもよく、ＣＣ鋳造法では一対のロール（又は、ベルトキャスタ、ブロックキャスタ）の間に鋳造ノズルを通して溶湯を供給し、ロールからの抜熱で薄板を直接鋳造する。

ＤＣ鋳造法とＣＣ鋳造法の大きな相違点は、鋳造時の冷却速度にある。冷却速度が大きいＣＣ鋳造法では、第二相粒子のサイズがＤＣ鋳造に比べ小さいのが特徴である。

２−２．均質化熱処理工程
次に、ＤＣ鋳造法によって鋳造されたアルミニウム合金の鋳塊、或いは、ＣＣ鋳造法によって鋳造されたアルミニウム合金の鋳造板に、必要に応じて均質化熱処理工程を設けてもよい。均質化熱処理を行なう場合には、４８０〜５６０℃で１時間以上、好ましくは５００〜５５０℃で２時間以上の条件で加熱処理を行う。処理温度が４８０℃未満の場合や、処理時間が１時間未満の場合には、十分な均質化効果が得られない虞がある。５６０℃を超える処理温度では、材料が溶解する虞がある。なお、均質化熱処理時間の上限は、特に限定されるものではないが、本発明では５０時間とするのが好ましい。５０時間を超えても均質化熱処理効果が飽和し、それ以上の顕著な均質化効果が得られないからである。

２−３．熱間圧延工程
次に、鋳造したアルミニウム合金の鋳塊、或いは、均質化処理を実施した場合には均質化処理したアルミニウム合金の鋳塊に、熱間圧延を実施してアルミニウム合金板材とする。熱間圧延の条件は特に限定されるものではないが、熱間圧延の開始温度を３００〜５００℃、好ましくは３２０〜４８０℃とする。また、熱間圧延の終了温度を、２６０〜４００℃、好ましくは２８０〜３８０℃とする。熱間圧延の開始温度が３００℃未満では熱間圧延加工性が確保できず、５００℃を超えると結晶粒が粗大化し、めっきの密着性が低下したり、めっきにムラが生じたりする場合がある。熱間圧延の終了温度が２６０℃未満では熱間圧延加工性が確保できず、４００℃を超えると結晶粒が粗大化し、めっきの密着性が低下する場合がある。なお、熱間圧延では、通常、鋳塊を熱間圧延開始温度で０．５〜１０．０時間加熱保持後に熱間圧延を行なう。均質化熱処理を実施する場合には、前記加熱保持を均質化処理で代替してもよい。

このような熱間圧延は、ＤＣ鋳造で鋳造された鋳塊に対して行なわれる。これに対してＣＣ鋳造で鋳造された鋳造板は既に圧延された状態にあるため、熱間圧延が省略される。

２−４．冷間圧延工程
次に、熱間圧延を行なった熱間圧延板、或いは、熱間圧延を行なわない鋳造板を冷間圧延することによって、厚さが０．４〜２．０ｍｍ、好ましくは０．６〜２．０ｍｍのアルミニウム合金板とする。すなわち、熱間圧延板又は鋳造板を、冷間圧延によって所要の製品板厚に仕上げるものである。冷間圧延の条件は特に限定されるものではなく、必要な製品板強度や板厚に応じて定めればよく、全圧延率を２０〜９０％とするのが好ましく、３０〜８０％とするのがより好ましい。この全圧延率が２０％未満では加圧平坦化焼鈍で結晶粒が粗大化し、めっきの密着性が低下したり、めっきにムラが生じたりする場合がある。一方、この全圧延率が９０％を超えると、製造時間が長くなり生産性の低下を招く。

２−５．焼鈍工程
良好な冷間圧延加工性を確保するために、冷間圧延の前又は冷間圧延の途中において、焼鈍処理を施してもよい。焼鈍処理を実施する場合には、例えばバッチ式の焼鈍では、３００〜４５０℃で０．１〜１０時間の条件で行うのが好ましく、３００〜３８０℃で１〜５時間の条件で行うのがより好ましい。焼鈍温度が３００℃未満の場合や焼鈍時間が０．１時間未満の場合には、十分な焼鈍効果が得られないことがある。また、焼鈍温度が４５０℃を超える場合には、結晶粒が粗大化し、めっきの密着性が低下したり、めっきにムラが生じたりする場合があり、焼鈍時間が１０時間を超える場合は生産性の低下を招く。

一方、連続式の焼鈍では、４００〜５００℃で０〜６０秒間保持の条件で行うのが好ましく、４５０〜５００℃で０〜３０秒間保持の条件で行うのがより好ましい。焼鈍温度が４００℃未満の場合には、十分な焼鈍効果が得られないことがある。また、焼鈍温度が５００℃を超える場合には、結晶粒が粗大化し、めっきの密着性が低下する場合がある。また、焼鈍時間が６０秒を超える場合には、結晶粒が粗大化し、めっきの密着性が低下する場合がある。なお、保持時間が０秒とは、所望の焼鈍温度に達した後、直ちに冷却することを意味する。

２−６．その他の工程
以上のようにして製造したアルミニウム合金板をアルミニウム合金ブランクとして加工するには、このアルミニウム合金板を円環状に打ち抜き（ステップ６）、大気中にて加圧焼鈍（ステップ７）を行う。加圧焼鈍は、複数のディスクブランクを重ねて実施されるので、最後に、各ディスクブランクが剥離される（ステップ８）。

以上のいずれの工程も平坦度に影響を与えるが、特に、ステップ５の冷間圧延工程からステップ７の加圧焼鈍工程までの時間、ならびに、加圧焼鈍における保持時間と温度が重要である。

２−７．冷間圧延工程から加圧焼鈍工程において、冷間圧延が完了してから加圧焼鈍が終了するまでの時間：２４〜６７２時間
冷間圧延工程から加圧焼鈍工程において、冷間圧延が完了してから加圧焼鈍が終了するまでの時間を２４〜６７２時間とすることで平坦度変化を抑制することが出来る。
冷間圧延工程から加圧焼鈍工程において、冷間圧延が完了してから加圧焼鈍が終了するまでの時間が２４時間未満の場合は、残留応力が非常に高く、加圧焼鈍を行っても残留応力が一部残存する。そのため、ブランク剥離工程以降の熱処理工程等で、平坦度が変化し、下地めっき処理後の研磨時等に削り残しが発生し、めっき表面の平滑性が低下する。
一方、冷間圧延工程から加圧焼鈍工程において、冷間圧延が完了してから加圧焼鈍が終了するまでの時間が６７２時間を超える場合は、残留応力は冷間圧延直後に比べて低くなるが、β相が多く析出し、残留応力の原因と考えられる転位が固着され、加圧焼鈍を行っても残留応力が一部残存する。そのため、ブランク剥離工程以降の熱処理工程等で、平坦度が変化し、下地めっき処理後の研磨時等に削り残しが発生し、めっき表面の平滑性が低下する。

従って、冷間圧延工程から加圧焼鈍工程において、冷間圧延が完了してから加圧焼鈍が終了するまでの時間を２４〜６７２時間と規定する。冷間圧延工程から加圧焼鈍工程において、冷間圧延が完了してから加圧焼鈍が終了するまでの好ましい時間は、３６〜５０４時間である。なお、加圧焼鈍の終了は、ブランクを所定の温度で保持した後に冷却し、ブランクの温度が７０℃以下になったところを加圧焼鈍終了とする。

２−８．加圧焼鈍工程における保持の温度と時間：２２０℃以上の温度範囲で０．５時間以上保持
加圧焼鈍工程において、ディスクブランクを２２０℃以上の温度範囲で０．５時間以上保持することで平坦度変化を抑制することが出来る。保持温度が２２０℃未満又は保持時間が０．５時間未満の場合には、残留応力の除去が不十分で、ブランク剥離工程以降の熱処理工程等で、平坦度が変化する。その結果、下地めっき処理後の研磨時等に削り残しが発生し、めっき表面の平滑性が低下する。従って、加圧焼鈍工程において、２２０℃以上の温度範囲で０．５時間以上保持する。好ましい、保持時間は１．０時間以上である。なお、保持温度の上限は特に限定されるものではないが、４５０℃を超えると結晶粒径が粗大化し、強度が低下するため、４５０℃以下が好ましい。また、保持時間の上限は特に限定されるものではないが、３０時間を超えても効果は飽和するため、３０ｈ以下が好ましい。

３．アルミニウム合金基板の製造方法
更に、このアルミニウム合金ブランクをアルミニウム合金基板に加工するには、以下の処理を行なう。まず、平坦化したブランクに切削加工と研削加工を施す（ステップ９）。なお、図１には示していないが、切削・研削工程後のアルミニウム合金ブランクに、２５０〜２９０℃の温度で５〜１５分の歪取り加熱処理を行なうのが好ましい。次いで、切削・研削工程後又は歪取り加熱処理後のアルミニウム合金ブランクに、脱脂処理とエッチング処理の加工処理工程を施し（ステップ１０）、更に、ジンケート処理（ステップ１１）、下地めっき処理（ステップ１２）を施す。このようにして、アルミニウム合金基板が得られる。最後に、アルミニウム合金基板に、スパッタリングによる磁性体を付着させ（ステップ１３）磁気ディスクとする。

３−１．加工処理工程
脱脂処理は市販のＡＤ−６８Ｆ（上村工業製）脱脂液等を用い、温度４０〜７０℃、処理時間３〜１０分、濃度２００〜８００ｍＬ／Ｌの条件で脱脂を行うことが好ましい。続く酸エッチング処理は、市販のＡＤ−１０７Ｆ（上村工業製）エッチング液等を用い、温度５０〜７５℃、処理時間０．５〜５分、濃度２０〜１００ｍＬ／Ｌの条件で酸エッチングを行うことが好ましい。酸エッチング処理の後、通常のデスマット処理として、ＨＮＯ_３を用い、温度１５〜４０℃、処理時間１０〜１２０秒、濃度：１０〜６０％の条件でデスマット処理を行うことが好ましい。

３−２．ジンケート処理工程
１ｓｔジンケート処理段階は市販のＡＤ−３０１Ｆ−３Ｘ（上村工業製）のジンケート処理液等を用い、温度１０〜３５℃、処理時間０．１〜５分、濃度１００〜５００ｍＬ／Ｌの条件で行うことが好ましい。１ｓｔジンケート処理段階の後、ＨＮＯ_３を用い、温度１５〜４０℃、処理時間１０〜１２０秒、濃度：１０〜６０％の条件でＺｎ剥離処理を行うことが好ましい。その後、１ｓｔジンケート処理と同じ条件で２ｎｄジンケート処理段階を実施する。

３−３．下地めっき処理工程
２ｎｄジンケート処理したアルミニウム合金板材表面に、下地めっき処理として無電解でのＮｉ−Ｐめっき処理が施される。無電解でのＮｉ−Ｐめっき処理は、市販のニムデンＨＤＸ（上村工業製）めっき液等を用い、温度８０〜９５℃、処理時間３０〜１８０分、Ｎｉ濃度３〜１０ｇ／Ｌの条件でめっき処理を行うことが好ましい。このような無電解でのＮｉ−Ｐめっき処理によって、下地めっき処理した後に、表面を研磨により平滑にして、磁気ディスク用のアルミニウム合金基板が得られる。

４．磁気ディスクの製造方法
最後に、上記のようにして作製した磁気ディスク用のアルミニウム合金基板の表面に、下地層、磁性層、保護膜及び潤滑層等からなる磁性媒体をスパッタリングにより付着させることによって磁気ディスクとする。

以下に、本発明を実施例により詳細に説明する。まず、図１の各ステップについて説明する。

（１）ステップ１：表１に示す成分組成のアルミニウム合金溶湯を溶製した。そして、この溶湯を保持炉において保持した。
（２）ステップ２：アルミニウム合金溶湯をＤＣ鋳造法により厚さ２００ｍｍの鋳塊に鋳造し、両面１５ｍｍの面削を行った。
（３）ステップ３：表１の合金Ｎｏ．Ａ６以外は、５１０℃で６時間の均質化処理を施した。
（４）ステップ４：開始温度４６０℃、終了温度３４０℃で熱間圧延を行ない、板厚３．０ｍｍの熱間圧延板とした。
（５）ステップ５：表１の合金Ｎｏ．Ａ７以外の熱間圧延板は、中間焼鈍を行なわずに冷間圧延（圧延率８０％）により最終板厚の０．６ｍｍまで圧延し、アルミニウム合金板とした。
合金Ｎｏ．Ａ７の熱間圧延板は、まず第１の冷間圧延（圧延率５０％）を施した後、バッチ式焼鈍炉を用いて、３００℃で２時間の条件で中間焼鈍を行なった。次いで、第２の冷間圧延（圧延率６０％）により最終板厚の０．６ｍｍまで圧延し、アルミニウム合金板とした。
（６）ステップ６：前記アルミニウム合金板から外径９６ｍｍ、内径２４ｍｍの円環状ディスクブランクを打抜いた。
（７）ステップ７：表２に示す条件で、ディスクブランクの加圧焼鈍を実施した。なお、冷間圧延が完了してから加圧焼鈍が終了するまでの時間も表２に示す。
（８）ステップ８：加圧焼鈍後における、重ねられた複数のディスクブランクから各ディスクブランクを剥離した。
（９）ステップ９：端面加工によって外径９５ｍｍ、内径２５ｍｍにディスクブランク切削し、次いで、グラインディング加工（表面１０μｍ研削）を行なった。更に、ディスクブランクに２８０℃で１０分間の歪取り加熱処理を施した。
（１０）ステップ１０：その後、ＡＤ−６８Ｆ（上村工業製）により６０℃で５分の脱脂を行った後、ＡＤ−１０７Ｆ（上村工業製）により６５℃で１分のエッチングを行い、更に３０％ＨＮＯ_３水溶液（室温）で２０秒間デスマットした。
（１１）ステップ１１：ステップ１０において表面状態を整えた後に、ディスクブランクをＡＤ−３０１Ｆ−３Ｘ（商品名、上村工業製）の２０℃のジンケート処理液に０．５分間浸漬して表面にジンケート処理を施した。なお、ジンケート処理は合計２回行い、ジンケート処理の間に室温の３０％ＨＮＯ３水溶液に２０秒間浸漬して表面を剥離処理した。
（１２）ステップ１２：ジンケート処理した表面に無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理液（ニムデンＨＤＸ（上村工業製））を用いて、下地めっき処理として９０℃にてＮｉ−Ｐを１２．２μｍ厚さに無電解めっきした後に、羽布により仕上げ研磨（研磨量片側１．１μｍ））を行った。
なお、表１における「−」は、含有量の検出限界未満を示す。

前記加圧焼鈍（ステップ７）後のディスクブランク、ならびに、前記めっき下地処理（及び研磨）（ステップ１２）後のアルミニウム合金基板について以下の評価を行った。なお、めっき処理（及び研磨）後のアルミニウム合金基板は、平坦度差を評価したディスクブランクとは別のディスクブランクを用いて作製した。

〔３００℃×１時間の加熱処理前後の平坦度の差〕
加圧焼鈍後にブランクを剥離し、表３に示す時間の経過後に、保持温度３００℃で保持時間１時間の加熱処理を行い、加熱処理前後のブランクの平坦度をＺｙＧＯ非接触フラットネス測定機にて測定した。評価結果を表３に示す。

〔めっき表面の平滑性〕
めっき処理（及び研磨）工程後のアルミニウム合金基板表面におけるピットの個数を測定した。ＳＥＭにより１０００倍の倍率で観察し、最長径２．５μｍ以上５．０μｍ未満の大きさのピットの個数を計測した。観察は、合計が１．０ｍｍ^２となる複数の観察視野について行い、各視野における個数を合計して単位面積当たりの個数（個数密度：個／ｍｍ^２）とした。

ここで、ピットの最長径とは、ＳＥＭで観測されるピットの平面画像において、まず、輪郭線上における一点と輪郭線上の他の点との距離の最大値を計測し、次に、この最大値を輪郭線上における全ての点について計測し、最後に、これら全最大値のうちから選択される最も大きなものをいう。なお、最長径が２．５μｍ未満のものは観察されなかったので対象外とした。また、観察視野中にピットの全体が存在している場合は勿論、ピットの一部のみが観察されたものも一個として数えた。評価基準としては、ピットの個数密度が０個／ｍｍ^２の場合をＡ（優）とし、１〜２個／ｍｍ^２の場合をＢ（良）とし、３〜７個／ｍｍ^２の場合をＣ（可）とし、８個／ｍｍ^２以上の場合をＤ（劣）とした。評価結果を表３に示す。

表３に示すように、本発明例１〜１６では、３００℃×１時間の加熱処理前後の平坦度の差が本発明で規定する範囲を満たしており、めっき表面の平滑性が優、良又は可であった。

これに対して比較例１〜２１では何れも、本発明で規定する特徴を満たしていないので、めっき表面の平滑性が劣った。

比較例１では、Ｍｇ含有量が多過ぎたために粗大なＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物が多く生成され、この金属間化合物がめっき前処理で脱落してアルミニウム合金基板表面に大きな窪みが発生した。その結果、めっき表面にピットが多数発生し、めっき表面の平滑性が不良となった。

比較例２では、Ｃｕ含有量が多過ぎたために粗大なＡｌ−Ｃｕ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物が多く生成され、この金属間化合物がめっき前処理で脱落してアルミニウム合金基板表面に大きな窪みが発生した。その結果、めっき表面にピットが多数発生し、めっき表面の平滑性が不良となった。

比較例３では、Ｚｎ含有量が多過ぎたために粗大なＡｌ−Ｃｕ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物が多く生成され、この金属間化合物がめっき前処理で脱落してアルミニウム合金基板表面に大きな窪みが発生した。その結果、めっき表面にピットが多数発生し、めっき表面の平滑性が不良となった。

比較例４では、Ｆｅ含有量が多過ぎたために粗大なＡｌ−Ｆｅ系金属間化合物が多く生成し、この金属間化合物がめっき前処理で脱落してアルミニウム合金基板表面に大きな窪みが発生した。その結果、めっき表面にピットが多数発生し、めっき表面の平滑性が不良となった。

比較例５では、Ｓｉ含有量が多過ぎたために粗大なＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物が多く生成し、この金属間化合物がめっき前処理で脱落してアルミニウム合金基板表面に大きな窪みが発生した。その結果、めっき表面にピットが多数発生し、めっき表面の平滑性が不良となった。

比較例６では、Ｂｅ含有量が多過ぎたために厚いＡｌ−Ｍｇ−Ｂｅ系酸化物が形成され、この酸化物を起点としてめっき処理時にアルミニウム合金基板表面に大きな窪みが発生した。その結果、めっき表面にピットが多数発生し、めっき表面の平滑性が不良となった。

比較例７では、Ｃｒ含有量が多過ぎたために粗大なＡｌ−Ｃｒ系金属間化合物が多く生成し、この金属間化合物がめっき前処理で脱落してアルミニウム合金基板表面に大きな窪みが発生した。その結果、めっき表面にピットが多数発生し、めっき表面の平滑性が不良となった。

比較例８では、Ｍｎ含有量が多過ぎたために粗大なＡｌ−Ｍｎ系金属間化合物が多く生成し、この金属間化合物がめっき前処理で脱落してアルミニウム合金基板表面に大きな窪みが発生した。その結果、めっき表面にピットが多数発生し、めっき表面の平滑性が不良となった。

比較例９では、Ｍｇ含有量が少な過ぎたためにジンケート皮膜が不均一となった。その結果、めっき表面にピットが多数発生し、めっき表面の平滑性が不良となった。

比較例１０では、Ｃｕ含有量が少な過ぎたためにジンケート皮膜が不均一となった。その結果、めっき表面にピットが多数発生し、めっき表面の平滑性が不良となった。

比較例１１では、Ｚｎ含有量が少な過ぎたためにジンケート皮膜が不均一となった。その結果、めっき表面にピットが多数発生し、めっき表面の平滑性が不良となった。

比較例１２では、Ｂｅが含有されていなかったためにジンケート皮膜が不均一となった。その結果、めっき表面にピットが多数発生し、めっき表面の平滑性が不良となった。

比較例１３では、Ｃｒが含有されていなかったために結晶組織が粗大になった。その結果、めっき表面にピットが多数発生し、めっき表面の平滑性が不良となった。

比較例１４では、Ｍｎが含有されていなかったために結晶組織が粗大になった。その結果、めっき表面にピットが多数発生し、めっき表面の平滑性が不良となった。

比較例１５、１６では、冷間圧延が完了してから加圧焼鈍が終了するまでの時間が短過ぎたために３００℃×１時間の加熱処理前後の平坦度の差が大きくなった。その結果、ブランク剥離工程以降の焼鈍やめっき処理等で、平坦度が変化し、めっき処理後の研磨時等に削り残しが発生し、ピットが多数残存した。その結果、めっき表面の平滑性が不良となった。

比較例１７、１８では、冷間圧延が完了してから加圧焼鈍が終了するまでの時間が長過ぎたために３００℃×１時間の加熱処理前後の平坦度の差が大きくなった。その結果、ブランク剥離工程以降の焼鈍やめっき処理等で、平坦度が変化し、めっき処理後の研磨時等に削り残しが発生し、ピットが多数残存した。その結果、めっき表面の平滑性が不良となった。

比較例１９では、加圧焼鈍時の保持温度が低過ぎたために３００℃×１時間の加熱処理前後の平坦度の差が大きくなった。その結果、ブランク剥離工程以降の焼鈍やめっき処理等で、平坦度が変化し、めっき処理後の研磨時等に削り残しが発生し、ピットが多数残存した。その結果、めっき表面の平滑性が不良となった。

比較例２０、２１では、加圧焼鈍時の保持時間が短過ぎたために３００℃×１時間の加熱処理前後の平坦度の差が大きくなった。その結果、ブランク剥離工程以降の焼鈍やめっき処理等で、平坦度が変化し、めっき処理後の研磨時等に削り残しが発生し、ピットが多数残存した。その結果、めっき表面の平滑性が不良となった。

上述のように、本発明に係る磁気ディスク用アルミニウム合金ブランクは、優れためっき表面平滑性を示す。また、このようなアルミニウム合金板を用いることにより、大容量及び高密度の磁気ディスクが得られる。

Claims (6)

1. Ｍｇ：３．０〜８．０ｍａｓｓ％、Ｃｕ：０．００３〜０．１５０ｍａｓｓ％、Ｚｎ：０．０５〜０．６０ｍａｓｓ％、Ｃｒ：０．０１０〜０．３００ｍａｓｓ％、Ｍｎ：０．００１〜０．５００ｍａｓｓ％、Ｆｅ：０．００１〜０．０３０ｍａｓｓ％、Ｓｉ：０．００１〜０．０３０ｍａｓｓ％及びＢｅ：０．００００１〜０．００２００ｍａｓｓ％を含有し、残部Ａｌ及び不可避的不純物からなるアルミニウム合金からなり、加圧焼鈍後の剥離から１６８時間以内において、３００℃×１時間の加熱処理前後の平坦度の差が２．０μｍ以下であることを特徴とする磁気ディスク用アルミニウム合金ブランク。
2. 請求項１に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金ブランクを用いたアルミニウム合金基板の表面に、無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理層とその上の磁性体層が設けられていることを特徴とする磁気ディスク。
3. 請求項１に記載される磁気ディスク用アルミニウム合金ブランクの製造方法であって、前記アルミニウム合金を用いて鋳塊を鋳造する鋳造工程と、鋳塊を熱間圧延する熱間圧延工程と、熱間圧延板を冷間圧延する冷間圧延工程と、冷間圧延板を円環状に打ち抜くディスクブランク打抜き工程と、打ち抜いたディスクブランクを加圧焼鈍する加圧焼鈍工程と、加圧焼鈍したディスクブランクを剥離するブランク剥離工程とを含み、前記冷間圧延工程から加圧焼鈍工程において、冷間圧延が完了してから加圧焼鈍が終了するまでの時間を２４〜６７２時間とし、前記加圧焼鈍工程において、ディスクブランクを２２０℃以上の温度範囲で０．５時間以上保持することを特徴とする磁気ディスク用アルミニウム合金ブランクの製造方法。
4. 前記鋳造工程と熱間圧延工程との間に、鋳塊を４８０〜５６０℃で１時間以上加熱処理する均質化熱処理工程を更に含む、請求項３に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金ブランクの製造方法。
5. 前記冷間圧延の前又は途中において、熱間圧延板又は冷間圧延板を、３００〜４５０℃で０．１〜１０時間バッチ焼鈍し、又は、４００〜５００℃で０〜６０秒連続焼鈍する焼鈍工程を更に含む、請求項３又は４に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金ブランクの製造方法。
6. 請求項１に記載される磁気ディスク用アルミニウム合金ブランクに切削加工と研削加工を施す切削・研削工程と、切削加工と研削加工を施したアルミニウム合金ブランクに脱脂処理とエッチング処理を施す加工処理工程と、加工処理したアルミニウム合金ブランクをジンケート処理するジンケート処理工程と、ジンケート処理したアルミニウム合金ブランクを下地めっき処理する下地めっき処理工程とによってアルミニウム合金基板とし、当該アルミニウム合金基板の表面に磁性体を付着する工程によって磁気ディスクとする磁気ディスクの製造方法。

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