JP2020027270A - Electro-optical device and electronic apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、例えば電気光学装置および電子機器に関する。 The present invention relates to, for example, an electro-optical device and an electronic apparatus.
近年、有機発光ダイオード(Organic Light Emitting Diode、以下「OLED」という)や、液晶素子などの電気光学素子を用いた電気光学装置が各種提案されている。この電気光学装置では、走査線とデータ線との交差に対応して単位回路が設けられる構成が一般的である。単位回路は、1以上トランジスターや容量などを含み、走査線が選択されたときに、データ線に供給されたデータ信号の電圧を保持し、走査線が非選択されたときでも、当該保持電圧に応じた電流をOLEDに流し続ける、または、当該保持電圧に応じた電圧を液晶素子に印加し続ける構成となっている。 2. Description of the Related Art In recent years, various types of electro-optical devices using an electro-optical element such as an organic light emitting diode (hereinafter, referred to as an “OLED”) and a liquid crystal element have been proposed. This electro-optical device generally has a configuration in which unit circuits are provided corresponding to intersections of scanning lines and data lines. The unit circuit includes one or more transistors and capacitors, and holds the voltage of the data signal supplied to the data line when the scanning line is selected, and maintains the voltage of the data signal even when the scanning line is not selected. The configuration is such that the corresponding current is continuously supplied to the OLED or the voltage corresponding to the holding voltage is continuously applied to the liquid crystal element.
このような構成において、ある単位回路に不良や欠陥等が生じた場合に、当該単位回路で駆動される電気光学素子は常時点灯状態(輝点)となったり、常時非点灯状態(暗点)となったりするので、表示品位が損なわれる。
そこで、電気光学素子を駆動する単位回路に対応して、電気光学素子を駆動可能および接続可能な予備(冗長)回路を持たせる一方、単位回路に欠陥等が生じた場合に、電気光学素子への接続を当該単位回路から予備回路に切り換えて、当該欠陥等を修復する技術が提案されている(例えば特許文献1参照)。
In such a configuration, when a defect, a defect, or the like occurs in a certain unit circuit, the electro-optical element driven by the unit circuit is always turned on (bright point) or constantly turned off (dark point). , Display quality is impaired.
Therefore, a spare (redundant) circuit capable of driving and connecting the electro-optical element is provided corresponding to the unit circuit for driving the electro-optical element, and if a defect or the like occurs in the unit circuit, the electro-optical element is replaced with a spare (redundant) circuit. A technique has been proposed in which the connection is switched from the unit circuit to the spare circuit to repair the defect or the like (for example, see Patent Document 1).
しかしながら、欠陥等に係る単位回路に対応する走査線またはデータ線に異常電流が流れるなどによって、当該走査線または当該データ線に断線等が生じる場合がある。このような場合に上記技術では、当該走査線を共用する1行分の単位回路、または、当該データ線を共用する1列分の単位回路を予備回路にそれぞれ切り換えても、欠陥等を修復することができない、という問題があった。 However, disconnection or the like may occur in the scan line or the data line due to an abnormal current flowing in the scan line or the data line corresponding to the unit circuit related to the defect or the like. In such a case, in the above technique, even if the unit circuits for one row sharing the scanning line or the unit circuits for one column sharing the data line are respectively switched to the spare circuit, the defect or the like is repaired. There was a problem that it was not possible.
上記課題の一つを解決するために、本発明の一態様に係る電気光学装置は、第1走査線および第2走査線と、第1データ線および第2データ線と、前記第1走査線と前記第1データ線の交差に対応して設けられた第1単位回路と、前記第1走査線と前記第2データ線との交差、前記第2走査線と前記第1データ線との交差、または、前記第2走査線と前記第2データ線との交差のいずれか1つに対応して設けられた第2単位回路と、電気光学素子と、を備え、前記第1単位回路は、前記第1電気光学素子を駆動し、前記第2単位回路は、前記第1単位回路に代わって前記電気光学素子を駆動可能に構成される。 In order to solve one of the above problems, an electro-optical device according to one embodiment of the present invention includes a first scanning line and a second scanning line, a first data line and a second data line, and the first scanning line. And a first unit circuit provided corresponding to an intersection of the first data line and an intersection of the first scanning line and the second data line, and an intersection of the second scanning line and the first data line. Or a second unit circuit provided corresponding to any one of intersections of the second scanning line and the second data line, and an electro-optical element, wherein the first unit circuit includes: The first electro-optical element is driven, and the second unit circuit is configured to be able to drive the electro-optical element instead of the first unit circuit.
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.
<第1実施形態>
図1は、第1実施形態に係る電気光学装置10の構成を示す斜視図である。
この電気光学装置10は、例えばヘッドマウント・ディスプレイ(HMD)などにおいてカラー画像を表示するマイクロ・ディスプレイである。電気光学装置10の詳細については後述するが、複数の単位回路や当該単位回路によって駆動される電気光学素子などが例えば半導体シリコン基板に形成され、電気光学素子としてOLEDが用いられる。
<First embodiment>
FIG. 1 is a perspective view illustrating a configuration of the electro-
The electro-
電気光学装置10の表示部100は、画像表示領域で開口する枠状のケース72に収納される。FPC(Flexible Printed Circuits)基板74の一端は、ケース72に収容された基板に接続され、FPC基板74の他端には、複数の端子76が設けられて、図示省略された上位回路に接続される。FPC基板74には、半導体チップの制御回路5が、COF(Chip On Film)技術によって実装されるとともに、当該上位回路から複数の端子76を介して画像データが同期信号に同期して供給される。なお、同期信号には、垂直同期信号や、水平同期信号が含まれる。また、画像データは、表示すべき画像の画素の階調をRGB毎に例えば8ビットで指定する。詳細には、本実施形態では、画素の階調は、RGB毎に、最も暗い0レベル、すなわち黒表示にさせるレベルから、最も明るい255レベルまでの範囲で段階的に指定する。
制御回路5は、上位回路から供給される同期信号にしたがって表示部100を垂直走査および水平走査するための各種の制御信号を生成するとともに、上記階調を、RGBの各サブ画素に分け、表示部100の垂直走査および水平走査に合わせて、または、加工して出力する。なお、制御回路5は、電気光学装置10の電源回路としても機能し、各電位(電圧)を生成する。
The
The
図2は、実施形態に係る電気光学装置10の電気的な構成を示す図である。この図に示されるように、電気光学装置10は、制御回路5と、走査線駆動回路20と、複数のYセレクター22と、データ線駆動回路40と、複数のXセレクター42と、表示部100とに大別される。
このうち、表示部100には、サブ画素130がマトリクス状に配列されている。詳細には、本実施形態では表示部100において、3本毎にグループ化された(3M)本の走査線12が図において横方向に延在して設けられ、3本毎にグループ化された(3N)本のデータ線14が図において縦方向に延在して設けられ、グループ化された3本の走査線と3本のデータ線との交差に対応してサブ画素130が配列する。
FIG. 2 is a diagram illustrating an electrical configuration of the electro-
In the
M、Nはそれぞれ2以上の整数である。便宜的に、走査線12が延在する方向を行(ロウ)とし、データ線14が延在する方向を列(カラム)とした場合、サブ画素130は、M行N列で配列することになる。
また、本実施形態において、サブ画素130は、赤(R)、緑(G)または青(B)のいずかの色に対応し、表示部100において例えばストライプ配列となっている。具体的には、同色のサブ画素130が列方向に直線的に、行方向にRGBの順で配列している。
なお、1個のサブ画素130は1個のOLEDを含み、当該OLEDはサブ画素130に対応する色で発光して、3原色の1つを表現する。すなわち、サブ画素130は、OLEDの発光によって表現され、RGBの3つのサブ画素130によって、表示するカラー画像の1画素が表現される。また、RGBの3つのサブ画素130が1画素を構成したが、他のサブ画素を含んでいてもよいし、4つ以上のサブ画素130が1画素を構成してもよい。
本実施形態において1個のOLEDは、9個の単位回路のうち1個の単位回路によって駆動されるが、OLEDと単位回路との関係については後述する。
M and N are each an integer of 2 or more. For convenience, if the direction in which the
In the present embodiment, the
Note that one
In the present embodiment, one OLED is driven by one of the nine unit circuits, and the relationship between the OLED and the unit circuit will be described later.
制御回路5は、上位回路から供給された画像データや同期信号に基づいて、各種信号を出力する。主な信号について説明すれば、制御回路5は、走査線駆動回路20を制御するための制御信号Ctryと、データ線駆動回路40を制御するための制御信号Ctrxと、サブ画素130の階調を指定する階調レベルVdとを出力する。なお、図2では複雑化を避けるために省略されているが、制御回路5からは、Yセレクター22に、いずれの走査線12をイネーブルとするか、ディスイネーブルとの情報が供給され、Xセレクター42に、いずれのデータ線14をイネーブルとするか、ディスイネーブルとの情報が供給される。
The
走査線駆動回路20は、M行N列で配列するサブ画素130を1フレームの期間にわたって順番に走査するための走査信号を、制御信号Ctryにしたがって生成する。ここで、1、2、3、…、(M−1)、M行目のサブ画素130を走査するための走査信号が、それぞれG(1)、G(2)、G(3)、…、G(M-1)、G(M)と表記されている。
なお、M行N列で配列するサブ画素130の行、および、3本毎にグループ化された走査線12の行を一般的に説明するために、1≦i≦Mを満たす整数のiを用い、i行目と表記され、i行目のサブ画素130を走査するための走査信号がG(i)と表記される。
また、1フレームの期間とは、電気光学装置10が1カット(コマ)分の画像を表示するのに要する期間をいい、例えば同期信号に含まれる垂直同期信号の周波数が60Hzであって、等倍速であれば、その1周期分の16.7ミリ秒の期間である。
The scanning
In order to generally describe the rows of the sub-pixels 130 arranged in M rows and N columns and the rows of the
In addition, the period of one frame refers to a period required for the electro-
Yセレクター22は、グループ化された3本の走査線12に対応して設けられる。このため、Yセレクター22は、本実施形態ではM個設けられる。
M個のYセレクター22の各々は、それぞれ制御回路5の指示によって3本の走査線12のうち1本をイネーブルとし、他の2本をディスイネーブルとする。具体的には、Yセレクター22は、イネーブルされた1本の走査線12には、走査線駆動回路20からの走査信号をそのまま供給する一方、ディスイネーブルされた2本の走査線12には、それぞれ非選択信号を供給する。
走査線12についてのイネーブルとは、垂直走査の際に、走査の対象となった場合には、単位回路において走査線12にゲートノードが接続された後述のトランジスターをオンさせる選択信号が供給され、走査の対象となっていない場合には当該トランジスターをオフにさせる非選択信号が供給される状態をいう。また、走査線12についてのディスイネーブルとは、垂直走査の際に、走査の対象となっているか、いないかにかかわらず、非選択信号に固定される状態をいう。
なお、各Yセレクター22は、初期状態においては、3本のうち、例えば図において一番上の1本の走査線12をイネーブルとする。
The Y selector 22 is provided corresponding to the three
Each of the M Y selectors 22 enables one of the three
The enable for the
In the initial state, each of the Y selectors 22 enables, for example, one of the three
データ線駆動回路40は、走査線駆動回路20によって選択された1行分のサブ画素130に向けてそれぞれデータ信号を供給する。M行N列で配列するサブ画素130の列、および、3本毎にグループ化されたデータ線14の列を一般的に説明するために、1≦j≦Nを満たす整数のjを用いる。ここで、i行目が選択される場合に、データ線駆動回路40は、i行1列のサブ画素130に向けてデータ信号S(1)を、i行2列のサブ画素130に向けてデータ信号S(2)を、i行3列のサブ画素130に向けてデータ信号S(3)を、それぞれ出力し、i行j列のサブ画素130に向けてデータ信号S(j)を出力する。
データ線駆動回路40の一例について説明すると、データ線駆動回路40では、ラッチ回路402、D/A変換回路404および増幅回路406のセットが、グループ毎に、すなわち、3本のデータ線14毎に設けられる。
ここで、ラッチ回路402、D/A変換回路404および増幅回路406について、j番目のグループで代表して説明する。
j番目のグループにおいて、ラッチ回路402は、i行目が選択されるときに、制御回路5から供給されるi行j列のサブ画素130に対応する階調レベルVdをラッチする。D/A変換回路404は、ラッチ回路402でラッチされた階調レベルVdをアナログ信号に変換し、増幅回路406は、D/A変換回路404によって変換されたアナログ信号を増幅して、データ信号Sd(j)として出力する。ここでは、ラッチ回路402、D/A変換回路404および増幅回路406についてj番目のグループで説明したが、j番目以外のラッチ回路402、D/A変換回路404および増幅回路406についても、j番目のグループと同時並行的に動作する。
なお、データ信号の電位関係については、階調レベルが0レベルに相当する電位V_0から、階調レベルが255レベルに相当する電位V_255までの範囲で段階的に取り得る。ここで、OLEDへの電流を制御する駆動トランジスターをPチャネル型とした場合、階調レベルで明るく指定されるほど、データ信号の電位は、最高の電位V_0から最低の電位V_255まで低下する。
The data line driving
An example of the data line driving
Here, the latch circuit 402, the D / A conversion circuit 404, and the amplification circuit 406 will be described using the j-th group as a representative.
In the j-th group, when the i-th row is selected, the latch circuit 402 latches the gradation level Vd corresponding to the i-th row and j-
Note that the potential relationship of the data signal can be taken stepwise in a range from a potential V_0 corresponding to a gray level of 0 to a potential V_255 corresponding to a gray level of 255. Here, when the driving transistor for controlling the current to the OLED is a P-channel type, the higher the gradation level is specified, the lower the potential of the data signal is from the highest potential V_0 to the lowest potential V_255.
Xセレクター42は、グループ化された3本のデータ線14に対応して設けられる。このため、Xセレクター42は、本実施形態ではN個設けられる。
N個のXセレクター42の各々は、それぞれ制御回路5の指示によって3本のデータ線14のうち1本をイネーブルとし、他の2本をディスイネーブルとする。
具体的には、Xセレクター42は、イネーブルされた1本のデータ線14には、データ線駆動回路40からのデータ信号をそのまま供給する一方、ディスイネーブルされた2本のデータ線14には、階調レベルが0レベル、すなわち黒表示に相当する電位V_0の信号をそれぞれ供給する。
なお、各Xセレクター42は、初期状態においては、3本のうち、例えば図において一番左の1本のデータ線14をイネーブルとする。
データ線14についてのイネーブルとは、データ線駆動回路40からデータ信号が供給される状態をいう。また、データ線14についてのディスイネーブルとは、データ線駆動回路40からのデータ信号ではなく、黒表示にさせる電位V_0の信号が供給される状態をいう。
また、制御回路5、走査線駆動回路20、複数のYセレクター22、データ線駆動回路40および複数のXセレクター42は、駆動回路の一例である。
The
Each of the
Specifically, the
In the initial state, each of the
The enabling of the
The
次に、サブ画素130と単位回路との関係について説明する。 Next, the relationship between the sub-pixel 130 and the unit circuit will be described.
図3は、電気光学装置10における単位回路1000の配置を示す図である。この図は、i行j列のサブ画素130、i行(j+1)列のサブ画素130、および、i行(j+2)列のサブ画素130のそれぞれに対応する単位回路1000の配列を示している。
この図に示されるように、単位回路1000は、1本の走査線12と1本のデータ線14との交差に対応して設けられる。したがって、グループ化された3本の走査線と3本のデータ線との交差に設けられたサブ画素130には、9個の単位回路1000が対応する。
FIG. 3 is a diagram illustrating an arrangement of the
As shown in this figure, the
なお、図3では、Yセレクター22によって、i行目のサブ画素130に対応する3本の走査線12に供給される信号が、それぞれG(i)_a、G(i)_b、G(i)_cと表記されている。
同様に、Xセレクター42によって、j列目のサブ画素130に対応する3本のデータ線14に供給される信号が、それぞれS(j)_a、S(j)_b、S(j)_cと表記され、(j+1列目のサブ画素130に対応する3本のデータ線14に供給される信号が、それぞれS(j+1)_a、S(j+1)_b、S(j+1)_cと表記され、(j+2)列目のサブ画素130に対応する3本のデータ線14に供給される信号が、それぞれS(j+2)_a、S(j+2)_b、S(j+2)_cと表記されている。
In FIG. 3, the signals supplied to the three
Similarly, the signals supplied to the three
図4は、1個のサブ画素130の電気的な構成を示す図である。本実施形態では、1個のサブ画素130に、1個のOLED150と、9個の単位回路1000とが設けられる。なお、図4は、単位回路1000などの等価回路を示すに留まり、実際の回路レイアウトを反映させた図ではない。
FIG. 4 is a diagram illustrating an electrical configuration of one
この図に示されるように、サブ画素130に対応する3本の走査線12と3本のデータ線14との各交差に対応して単位回路1000が計9個設けられている。
1個の単位回路1000は、Pチャネル型のトランジスター121、122と、容量Cpixとを含む。
トランジスター122のゲートノードが走査線12に接続され、ドレインまたはソースノードの一方がデータ線14に接続され、他方がトランジスター121におけるゲートノードと、容量Cpixの一端とにそれぞれ接続されている。駆動トランジスターの一例であるトランジスター121にあっては、ソースノードが給電線116に接続されている。給電線116には、OLED150の電源高位側となる電位Velが給電される。
なお、容量Cpixの他端は、本実施形態では給電線116に接続されているが、定電位に保たれていれば、別の電位の給電線に接続されてもよい。
As shown in this figure, a total of nine
One
The gate node of the
The other end of the capacitor Cpix is connected to the
なお、9個の単位回路1000については電気的にみれば互いに同一構成である。9個の単位回路1000におけるトランジスター121のドレインノードは、互いにOLED150のアノードに共通接続されている。OLED150のカソードは、給電線118に接続されている。給電線118には、OLED150の電源低位側となる電位Vctが給電される。
The nine
図5のタイミングチャートを参照して電気光学装置10の動作について説明する。
この図に示されるように、1フレーム(F)の期間にわたって走査信号G(1)〜G(M)が順次Lレベルに切り替えられて、1〜M行目のサブ画素130が1水平走査期間(H)毎に順番に走査される。
初期状態においてM個のYセレクター22は、3本のうち、一番上の1本の走査線12のみをイネーブルとする。このため、i行目でいえば、Yセレクター22は、当該i行目に対応する3本の走査線12に供給される信号G(i)_a、G(i)_b、G(i)_cのうち、信号G(i)_aを、走査線駆動回路20から出力された走査信号G(i)とし、信号G(i)_b、信号G(i)_cを非選択信号のHレベルとする。なお、ここではi行目について説明しているが、他の行についても同様である。
The operation of the electro-
As shown in this figure, the scanning signals G (1) to G (M) are sequentially switched to the L level over the period of one frame (F), and the sub-pixels 130 in the 1st to Mth rows are switched for one horizontal scanning period. Scanning is performed in order for each (H).
In the initial state, the M Y selectors 22 enable only the uppermost one of the three
また、初期状態においてN個のXセレクター42は、3本のうち、一番左の1本のデータ線14のみをイネーブルとする。このため、j列目でいえば、Xセレクター42は、当該j列目に対応する3本のデータ線14に供給される信号S(j)_a、S(j)_b、S(j)_cのうち、信号S(j)_aをデータ線駆動回路40から出力されるデータ信号S(j)とし、信号S(j)_b、S(j)_を電位V_0とする。
なお、ここではj列目について説明しているが、他の列についても同様である。
In the initial state, the
Here, the j-th column is described, but the same applies to other columns.
ここで、i行目の選択に応じて、走査信号G(i)がLレベルとなったとき、j列目のデータ信号S(j)は、i行j列の階調レベル(i、j)に応じた電圧となる。
走査信号G(i)がLレベルとなると、i行j列のサブ画素130に対応する9個の単位回路のうち、一番上の走査線12に対応する3個の単位回路1000ではトランジスター122がオンするが、中央および一番下の走査線12に対応する6個の単位回路1000ではトランジスター122がオフする。
Here, when the scanning signal G (i) becomes L level in accordance with the selection of the i-th row, the data signal S (j) of the j-th column becomes the gradation level (i, j) of the i-th row and j-th column. ).
When the scanning signal G (i) becomes L level, the
このため、i行j列のサブ画素130に対応する9個の単位回路1000のうち、一番上の走査線12に対応する3個の単位回路1000では、一番左に位置する単位回路1000の容量Cpixに信号S(j)の電圧が保持される一方、中央および一番右に位置する単位回路1000の容量Cpixには電位V_0がそれぞれ保持される。
当該3個の単位回路のうち、一番左に位置する単位回路1000では、信号G(i)_aがLレベルからHレベルになっても、トランジスター121のゲートノードが容量Cpixによって信号S(j)の電圧に保持されるので、トランジスター121は当該電圧に応じた電流をOLED150に向けて流し続ける。
当該3個の単位回路のうち、中央および一番右に位置する単位回路1000では、信号G(i)_aがLレベルからHレベルになっても、トランジスター121のゲートノードが容量Cpixによって電位V_0に保持されるので、トランジスター121は電流をOLED150に向けて流すことはない。
Therefore, out of the nine
Of the three unit circuits, in the
In the
なお、i行j列のOLED150に対応する9個の単位回路のうち、中央および一番下の走査線12に対応する6個の単位回路1000においては、トランジスター121がオンすることがないので、容量Cpixにはデータ線14を介した信号が保持されない。詳細には容量Cpixの一端、すなわち、トランジスター121のゲートノードは、リークによってほぼ電位Velとなっている。このため、当該6個の単位回路1000では、トランジスター121が電流をOLED150に向けて流すことはない。
Note that among the nine unit circuits corresponding to the
したがって、i行j列のサブ画素130に対応する9個の単位回路1000のうち、OLED150に向けて電流を流すのは、3本の走査線12のうち、イネーブルされた一番上の走査線12、および、3本のデータ線14のうち、イネーブルされた一番左のデータ線14に対応する単位回路1000のみとなり、i行j列のサブ画素130におけるOLED150が、当該電流に応じて発光することになる。
なお、ここでは、i行j列のサブ画素130について説明したが、他のサブ画素130についても同様であり、3本の走査線のうち一番上の走査線12および3本のデータ線14のうち一番左のデータ線14に対応する単位回路1000のみが、対応するOLED150に容量Cpixの保持電圧に応じた電流を流すことになる。
Therefore, among the nine
Here, the sub-pixel 130 on the i-th row and the j-th column has been described. However, the same applies to the
ところで、初期状態において、各Yセレクター22によってイネーブルされる走査線12および各Xセレクター42によってイネーブルされるデータ線14に対応する単位回路1000がすべて正常であれば、表示品位が低下することはない。
しかしながら、上述したように、走査線12を単位とした1行分の単位回路1000、または、データ線14を単位とした1列分の単位回路1000で欠陥が初期状態の後に生じる場合がある。
In the initial state, if the
However, as described above, a defect may occur after the initial state in the
初期状態後において、例えばi行目が表示欠陥となっている場合、当該i行目のサブ画素130に対応する3本の走査線12のうち、イネーブルとなっている一番上の走査線12、または、該走査線12に対応する単位回路1000が不良となっている可能性が高い。
そこで、本実施形態では、この場合に、制御回路5は、当該i行目のサブ画素130に対応する3本の走査線12のうち、イネーブルとさせる走査線12を、一番上以外の例えば中央の走査線12に切り換えるように、当該i行目のYセレクター22に指示する。
After the initial state, for example, when the i-th row has a display defect, of the three
Therefore, in this embodiment, in this case, the
この指示により、i行目に対応するYセレクター22は、走査線駆動回路20からの走査信号G(i)を、i行目のサブ画素130に対応する3本の走査線12のうち、イネーブルとさせた中央の走査線12に供給し、一番上および一番下の走査線12に非選択信号を供給する。
In response to this instruction, the Y selector 22 corresponding to the i-th row enables the scanning signal G (i) from the scanning
ここで、図6に示されるように、走査信号G(i)がLレベルになったとき、信号G(i)_bもLレベルになるが、信号G(i)_a、G(i)_cは非選択信号のHレベルとなる。
したがって、i行j列でいえば、当該サブ画素130に対応する9個の単位回路のうち、中央の走査線12に対応する3個の単位回路1000ではトランジスター122がオンするが、一番上および一番下の走査線12に対応する6個の単位回路1000ではトランジスター122がオフすることになる。
一方、信号G(i)_bがLレベルになったとき、j列に対応する3本のデータ線14のうち、一番左のデータ線14には、i行j列のLED150に向けた階調レベルの信号S(j)が供給される一方、他の2本のデータ線14には電位V_0が供給される点は初期状態と同様である。
Here, as shown in FIG. 6, when the scanning signal G (i) becomes L level, the signal G (i) _b also becomes L level, but the signals G (i) _a and G (i) _c Becomes the H level of the non-selection signal.
Therefore, in the i-th row and the j-th column, among the nine unit circuits corresponding to the sub-pixel 130, the
On the other hand, when the signal G (i) _b becomes L level, of the three
このため、i行j列のサブ画素130に対応する9個の単位回路1000のうち、OLED150に向けて電流を流すのは、3本の走査線12のうち、イネーブルされた中央の走査線12、および、3本のデータ線14のうち、イネーブルされた一番左のデータ線14に対応する単位回路1000のみとなり、i行j列のOLED150が、当該電流に応じて発光することになる。
なお、ここでは、i行j列のサブ画素130について説明したが、i行であって他の列のサブ画素130についても同様であり、3本の走査線のうち中央の走査線12および3本のデータ線14のうち一番左のデータ線14に対応する単位回路1000のみが、対応するサブ画素130におけるOLED150に容量Cpixの保持電圧に応じた電流を流すことになる。
したがって、i行目に対応する3本の走査線12のうち、一番上の走査線12、または、該走査線12に対応する単位回路1000が不良となって、i行目が表示欠陥となった場合であっても、当該表示欠陥を修復することができる。
Therefore, of the nine
Here, the sub-pixels 130 in the i-th row and the j-th column have been described, but the same applies to the sub-pixels 130 in the i-th row and other columns. Only the
Therefore, out of the three
なお、仮に、i行目に対応する3本の走査線12のうち、一番上または中央の走査線12をイネーブルしても表示欠陥が生じるのであれば、一番下の走査線12をイネーブルとさせればよい。
If a display defect occurs even if the uppermost or
一方、初期状態後において、表示欠陥が、行方向ではなく、列方向に沿って生じている場合、例えばj列目が表示欠陥となっている場合、制御回路5は、当該j列目のサブ画素130に対応する3本のデータ線14のうち、イネーブルとさせるデータ線14を、一番左以外の例えば中央のデータ線14に切り換えるように、当該j列目のXセレクター42に指示する。
On the other hand, if the display defect occurs not in the row direction but in the column direction after the initial state, for example, when the j-th column is a display defect, the
この指示により、j列目に対応するXセレクター42は、図7に示されるように、データ線駆動回路40からのデータ信号S(j)を、j列目のOLED150に対応する3本のデータ14線のうち、イネーブルとさせた中央のデータ線14に信号S(j)_bとして供給し、一番左のデータ線14に信号S(j)_aとして電位V_0の信号を、一番右のデータ線14に信号S(j)_cとして電位V_0の信号を、それぞれ供給する。
このため、i行j列のサブ画素130に対応する9個の単位回路1000のうち、OLED150に向けて電流を流すのは、3本のデータ線14のうち、イネーブルされた一番上の走査線12および3本のデータ線14のうち、イネーブルされた中央のデータ線14に対応する単位回路1000のみとなり、i行j列のOLED150が、当該電流に応じて発光することになる。
なお、ここでは、i行j列のサブ画素130について説明したが、他の行であって、j列のサブ画素130についても同様であり、3本の走査線のうち一番上の走査線12および3本のデータ線14のうち中央一番左のデータ線14に対応する単位回路1000のみとなり、i行j列のOLED150が、当該電流に応じて発光することになる。
したがって、j列目に対応する3本のデータ線14のうち、一番左の走査線12、または、該データ線14に対応する単位回路1000が不良となって、j列目が表示欠陥となった場合であっても、当該表示欠陥を修復することができる。
なお、仮に、j列目に対応する3本のデータ線14のうち、一番左、中央のデータ線14をイネーブルしても表示欠陥が生じるのであれば、一番右のデータ線14をイネーブルとさせればよい。
In response to this instruction, the
For this reason, among the nine
Here, the sub-pixel 130 in the i-th row and the j-th column has been described. However, the same applies to the sub-pixel 130 in the other row and the j-th column. Of the twelve and three
Therefore, of the three
If a display defect occurs even if the leftmost and center data line 14 among the three
このように本実施形態によれば、行方向または列方向に沿って事後的に発生した表示欠陥を容易に修復することができる。 As described above, according to the present embodiment, it is possible to easily repair a display defect that has occurred afterward along the row direction or the column direction.
第1実施形態では、1個のサブ画素130に対応する3本の走査線12のうち、いずれか1本をイネーブルとし、他の2本をディスイネーブルとすることによって、3行のうち、いずれかの1行を使用する。また、1個のサブ画素130に対応する3本のデータ線14のうち、いずれか1本をイネーブルとし、他の2本をディスイネーブルとすることによって、3列のうち、いずれかの1列を使用する。そして、イネーブルされた走査線12とイネーブルされたデータ線14との交差に対応する1個の単位回路1000を使用してOLED150に電流を流し、他の8個の単位回路1000を非使用とする構成である。すなわち、3行のうち、1行の走査線12のみをイネーブルとし、3列のうち、1列のデータ線14のみをイネーブルとすることによって、1個のOLED150に電流を流す単位回路1000が決定される構成である。
そして、決定された1個の単位回路1000がOLED150を駆動し、他の8個の単位回路1000のいずれかは、1個の単位回路0100に代わって、イネーブルする走査線12またはデータ線14の変更によって、OLED150を駆動することができる。
なお、OLED150に電流を流す単位回路1000については、次のように決定される構成としてもよい。
例えば、図8に示されるように、各単位回路1000においてトランジスター121と、OLED150との間に、それぞれ発光制御トランジスターの一例であるトランジスター123を設ける構成としてもよい。
この構成における単位回路1000では、トランジスター123がオフであれば、容量Cpixの保持電圧にかかわらず、トランジスター121がOLED150に向けて電流を流すことはない。
このため、トランジスター123のゲートノードに行または列方向で揃えた制御信号を供給することにより、OLED150の駆動に使用する単位回路1000の行または列を選択することができる。
なお、トランジスター123の制御信号については、例えば行方向で揃えるのであれば、制御回路5の指示によってYセレクター22が、3行のうち1行に当該トランジスター123をオンさせる信号を供給し、列方向で揃えるのであれば、制御回路5の指示によってXセレクター42が、3列のうち1列に当該トランジスター123をオンさせる信号を供給する構成とすればよい。
また、列方向で揃える場合に、Xセレクター42を廃して、データ線駆動回路40が、直接データ線14のそれぞれに信号を供給する構成としてもよい。この構成において、データ線駆動回路140は、イネーブルまたはディセーブルとするデータ線14の情報を制御回路5から受信するとともに、当該情報に応じて、データ線14の各々についてイネーブルまたはディセーブルとしてもよい。すなわち、この構成において、データ線駆動回路140は、イネーブルとするデータ線14には、階調レベルに応じたデータ信号を供給し、ディスイネーブルとするデータ線14には、黒表示に相当する電位V_0の信号を供給する。
トランジスター123については、各単位回路1000において、トランジスター121およびOLED150に対して直列であればよいので、図8に示されるようにトランジスター121とOLED150との間に限られず、給電線116とトランジスター121との間に設けてもよい。
In the first embodiment, one of the three
Then, the determined one
Note that the
For example, as shown in FIG. 8, a
In the
Therefore, by supplying a control signal aligned in the row or column direction to the gate node of the
For the control signals of the
Further, when aligning in the column direction, the
Since the
単位回路1000において、トランジスター121、122のチャネル型の変更などにより、電位関係が入れ替わる場合がある。電位関係が変わる場合に、ドレインノードとして説明したノードがソースノードとなり、ソースノードとして説明したノードがドレインノードとなることもあり得る。例えば、トランジスター121のソースノードおよびドレインノードのいずれか一方が給電線116に電気的に接続され、いずれか他方がトランジスター121を介してOLED150のアノードに電気的に接続されることもあり得る。
また、単位回路1000は、図4または図8において簡易的に示されおり、図4または図8に示された構成以外でもよい。例えばトランジスター121のしきい値特性を補償するために、当該トランジスター121をダイオード接続させるトランジスターや、OLED150のアノードを所定の電位にセットするためのトランジスターなどを設けてもよい。
In the
The
また、第1実施形態では、1個のOLED150を9個の単位回路1000のいずれかにより駆動したが、2個以上の単位回路1000のいずれかで駆動する構成であればよい。この場合、2個以上の単位回路1000においては、走査線12またはデータ線14の一方について非共用とすればよい。具体的には、1個のOLEDを、一の走査線と一のデータ線との交差に対応して設けられた一の単位回路と、当該一の単位回路に代えて、一の走査線と他のデータ線との交差、他の走査線と前記一のデータ線との交差、または、前記他の走査線と前記他のデータ線との交差に対応して設けられた他の単位回路とのいずれかによって駆動すればよい。
より詳細にはOLED150がM行N列で配列するのであれば、単位回路1000は、M行よりも多いm行であって、N列よりも多いn列で配列すればよい。なお、m行n列で単位回路1000が配列する場合、走査線12の本数はmであり、データ線14の本数はnである。
In the first embodiment, one
More specifically, if the
上述した第1実施形態では、1個のOLED150を2個以上の単位回路1000のうち、いずれか1個の単位回路1000によって駆動し、当該一の単位回路1000に代えて、当該OLED150を他の1個の単位回路1000が駆動可能とする構成としたが、このような構成については、表示部100の全部ではなく、一部とする構成としてもよい。
そこで次に、表示部100の一部について、1個のOLED150を2個以上の単位回路1000のいずれかによって駆動する構成とした実施形態について説明することにする。
In the above-described first embodiment, one
Accordingly, an embodiment in which one
<第2実施形態>
図9は、第2実施形態に係る電気光学装置10の表示部100を示す図であり、図10は、電気光学装置10の単位回路1000およびサブ画素130の配列を簡易的に示す図である。
図10に示されるように、第2実施形態では、表示部100のうち、左半分の領域におけるサブ画素130の大きさが、右半分の領域におけるサブ画素130の大きさよりも、行および列方向にわたって1.5倍となっている。このため、左領域におけるサブ画素130の密度は、右領域におけるサブ画素130の密度よりも疎になるので、図9では、左領域が(1)低精細領域と表記され、右領域が(2)高精細領域と表記されている。
なお、左領域の低精細領域が第1領域の一例であり、右領域の高精細領域が第2領域の一例である。
一方で、単位回路1000の配列する密度は、右領域と左領域とで同じである。このため、表示部100のうち、右領域において単位回路1000とサブ画素130とが一対一に対応する場合に、左領域では、サブ画素130に対して単位回路1000が過剰となる。そこで、第2実施形態では、左領域において過剰となった単位回路1000を、欠陥が生じた場合に使用する構成となっている。
具体的には、左領域におけるサブ画素130との対応関係について、図10を参照して説明する。
<Second embodiment>
FIG. 9 is a diagram illustrating the
As shown in FIG. 10, in the second embodiment, in the
The low definition area in the left area is an example of the first area, and the high definition area in the right area is an example of the second area.
On the other hand, the arrangement density of the
Specifically, the correspondence relationship with the sub-pixel 130 in the left area will be described with reference to FIG.
図10において表示部100の左側における「→」という表記は、走査線12の位置を示し、表示部100の下側における「↑」という表記は、データ線14の位置を示している。したがって、「→」の表記と「↑」の表記とに対応して単位回路1000が配列する。
In FIG. 10, the notation “→” on the left side of the
左領域においてサブ画素130の1列目は、「R」および「↑」のデータ線14に対応する1列目の単位回路1000を使用する。左領域においてサブ画素130の2列目は、無印(空白)の「↑」のデータ線14に対応する2列目の単位回路1000を予備とし、「G」および「↑」のデータ線14に対応する3列目の単位回路1000を使用する。左領域においてサブ画素130の3列目は、「B」および「↑」のデータ線14に対応する4列目の単位回路1000を使用し、無印の「↑」のデータ線14に対応する5列目の単位回路1000を予備とする。
また、左領域においてサブ画素130の1行目は、1行目の単位回路1000を使用する。1行目の単位回路1000は、左領域の(1)低精細領域だけでなく、右領域の(2)高精細領域でも使用されることから、1行目の走査線12の位置を示す「→」の表記には(1)(2)が付加されている。
なお、2行目の単位回路1000は、左領域の(1)低精細領域では使用されず、右領域の(2)高精細領域のみで使用されることから、2行目の走査線12の位置を示す「→」の表記には(2)のみが付加されている。
In the left region, the first column of the sub-pixels 130 uses the
In the left area, the first row of the sub-pixels 130 uses the
The
図11は、図10において黒丸印が付された5個の単位回路1000と3個のサブ画素130との電気的な構成を示す図である。なお、図11は、電気的な構成を説明するための図に過ぎず、配列を示す図10とはサブ画素130のピッチが異なっている。
図11に示されるように、当該行において、1列目(左端)のRのサブ画素130は、1列目の単位回路1000のみに対応し、当該単位回路1000がRのOLED150に電流を流す。2列目のGのサブ画素130は、2列目および3列目の単位回路1000に対応し、いずれかの単位回路1000がGのOLED150に電流を流す。3列目のBのサブ画素130は、4列目および5列目の単位回路1000に対応し、いずれかの単位回路1000がBのOLED150に電流を流す。
このうち、2列目および5列目の単位回路1000は予備であるので、初期状態では、2列目および5列目のデータ14がディスイネーブルとされ、1列目、3列目および4列目のデータ線14がイネーブルとされる。
初期状態において、3列目または4列目において表示欠陥が生じたならば、2列目または5列目のデータ線14をイネーブルとすることによって、該表示欠陥を修復することができる。
なお、図11では省略したが、図10に示されるように、8列目の単位回路1000も予備である。このため、初期状態において、7列目において表示欠陥が生じたならば、8列目のデータ線14をイネーブルとすることによって、該表示欠陥を修復することができる。
FIG. 11 is a diagram showing an electrical configuration of five
As shown in FIG. 11, in the row, the
Of these, since the
If a display defect occurs in the third or fourth column in the initial state, the display defect can be repaired by enabling the
Although omitted in FIG. 11, the
なお、第2実施形態では、表示部100の左領域を低精細領域とし、右領域を高精細領域としたが、逆としてもよい。また、表示部100を左右に等分割したが、左右異なる割合で分割してもよい。
In the second embodiment, the left area of the
<第3実施形態>
図12は、第3実施形態に係る電気光学装置10の表示部100を示す図であり、図13は、電気光学装置10の単位回路1000およびサブ画素130の配列を簡易的に示す図である。
図13に示されるように、第3実施形態では、表示部100のうち、上半分の領域におけるサブ画素130の大きさが、下半分の領域におけるサブ画素130の大きさよりも、行および列方向にわたって1.5倍となっている。このため、上領域におけるサブ画素130の密度は、下領域におけるサブ画素130の密度よりも疎になるので、図12では、上領域が(1)低精細領域と表記され、下領域が(2)高精細領域と表記されている。
なお、上領域の低精細領域が第1領域の一例であり、下領域の高精細領域が第2領域の一例である。
一方で、単位回路1000の配列する密度は、上領域と下領域とで同じである。このため、表示部100のうち、下領域において、単位回路1000とサブ画素130とが一対一に対応する場合に、上領域では、サブ画素130に対して単位回路1000が過剰となる。そこで、第3実施形態では、上領域において過剰となった単位回路1000を、欠陥が生じた場合に使用する構成となっている。
具体的には、上領域におけるサブ画素130との対応関係について、図13を参照して説明する。
<Third embodiment>
FIG. 12 is a diagram illustrating the
As shown in FIG. 13, in the third embodiment, in the
The low definition area in the upper area is an example of the first area, and the high definition area in the lower area is an example of the second area.
On the other hand, the arrangement density of the
Specifically, the correspondence relationship with the sub-pixel 130 in the upper region will be described with reference to FIG.
具体的には、1行目のサブ画素130は、1行目の単位回路1000を使用し、2行目の単位回路1000を予備とする。このため、1行目の走査線12の位置を示す「→」という表記には、(1)低精細領域で使用されるという意味で(1)が付加され、2行目の走査線12の位置を示す「→」という表記は、予備という意味で無印(空白)が付加されている。
なお、2行目のサブ画素130は、3行目の単位回路1000を使用する。このため、3行目の走査線12の位置を示す「→」の表記には、(1)が付加されている。
Specifically, the sub-pixels 130 in the first row use the
Note that the sub-pixels 130 in the second row use the
上領域の1列目のサブ画素130(R)および下領域の1列目のサブ画素130(R)は、1列目の単位回路1000を使用する。このため、1列目のデータ線14の位置を示す「↑」の表記には「R」「R」が付加されている。なお、「R」「R」の先頭、すなわち図13では上側の「R」は、表示部100のうち上領域ではサブ画素130(R)で使用されることを意味し、「R」「R」の後尾、すなわち図13では下側の「R」は、表示部100のうち下領域ではサブ画素130(R)で使用されることを意味する。
上領域において2列目のサブ画素130(G)は、2列目の単位回路1000を予備とし、3列目の単位回路1000を使用する。一方、下領域におい2列目のサブ画素130(G)は、2列目の単位回路1000を使用する。このため、2列目のデータ線14の位置を示す「↑」の表記には、「無印(空白)」「G」が付加されている。
なお、上領域において2列目のサブ画素130(G)は、3列目の単位回路1000を使用し、下領域において3列目のサブ画素130(B)は、3列目の単位回路1000を使用する。このため、3列目のデータ線14の位置を示す「↑」の表記には「G」「B」が付加されている。
上領域において3列目のサブ画素130(B)は、3列目の単位回路1000を使用し、4列目の単位回路1000を予備とする。一方、下領域において4列目のサブ画素130(R)は、4列目の単位回路1000を使用する。このため、4列目のデータ線14の位置を示す「↑」の表記には「B」「R」が付加されている。
なお、上領域において4列目のサブ画素130(B)は、5列目の単位回路1000を予備とし、6列目の単位回路1000を使用する。一方、下領域において5列目のサブ画素130(G)は、5列目の単位回路1000を使用する。このため、5列目のデータ線14の位置を示す「↑」の表記には、「無印(空白)」「G」が付加されている。
The first sub-pixel 130 (R) in the upper region and the first sub-pixel 130 (R) in the lower region use the
In the upper region, the sub-pixel 130 (G) in the second column uses the
In the upper region, the sub-pixels 130 (G) in the second column use the
In the upper region, the sub-pixel 130 (B) in the third column uses the
In the upper region, the sub-pixel 130 (B) in the fourth column uses the
初期状態において、1行目に表示欠陥が生じたならば、2行目の走査線12をイネーブルとすることによって、該表示欠陥を修復することができる。
In the initial state, if a display defect occurs in the first row, the display defect can be repaired by enabling the
なお、第3実施形態では、表示部100の上領域を低精細領域とし、下領域を高精細領域としたが、逆としてもよい。また、表示部100を上下に等分割したが、上下異なる割合で分割してもよい。
In the third embodiment, the upper region of the
<第4実施形態>
図14は、第4実施形態に係る電気光学装置10の表示部100を示す図であり、図15は、電気光学装置10の単位回路1000およびサブ画素130の配列を簡易的に示す図である。
なお、この例は、表示部100を上領域、中領域および下領域に分けるとともに、上領域を(1)低精細領域とし、中領域を(2)高精細領域とし、下領域を上領域と同様な(3)低精細領域としたものである。
第4実施形態は、第3実施形態の延長線上にあるため、特段の説明を要しないであろう。
<Fourth embodiment>
FIG. 14 is a diagram illustrating the
In this example, the
Since the fourth embodiment is an extension of the third embodiment, no special description will be required.
第4実施形態において、初期状態において、1行目または6行目に表示欠陥が生じたならば、2行目または7行目の走査線12をイネーブルとすることによって、該表示欠陥を修復することができる。
In the fourth embodiment, if a display defect occurs in the first or sixth row in the initial state, the display defect is repaired by enabling the
なお、第4実施形態では、表示部100を上領域、中領域および下領域の上下3分割した構成で説明したが、左領域、中領域および右領域の左右3分割した構成でもよい。左右3分割した構成についても、第2実施形態の延長線上にあるため、特段の説明を要しないであろう。
分割数については、「3」に限られない。
いずれにしても、中領域から周辺領域に向かってサブ画素130の配列密度が疎となる構成が好ましい。人間の視感度は、中心に向かうほど敏感であり、周辺に向かうほど鈍感ろなるからある。
なお、第2乃至第4実施形態によれば、低精細領域となる分、電気光学装置10に供給する画像データを削減することができる。
In the fourth embodiment, the
The number of divisions is not limited to “3”.
In any case, it is preferable that the arrangement density of the sub-pixels 130 becomes lower from the middle region toward the peripheral region. This is because human luminosity becomes more sensitive toward the center and becomes less sensitive toward the periphery.
According to the second to fourth embodiments, the image data to be supplied to the electro-
また、第1乃至第4実施形態では、電気光学素子の一例としてOLED150を挙げて説明したが、無機発光ダイオードやLED(Light Emitting Diode)であってもよいし、液晶素子であってもよい。要は、電気エネルギーの供給(電界の印加や電流の供給)に応じて光学特性が変化する素子を電気光学素子として適用することができる。
本明細書で説明した各態様/実施形態は単独で用いてもよいし、組み合わせて用いてもよい。また、「接続された(connected)」という用語、または、この用語のあらゆる変形は、2またはそれ以上の要素間の直接的または間接的なあらゆる接続または結合を意味し、互いに「接続」された2つの要素間に1またはそれ以上の中間要素が存在することを含む。要素間の結合または接続は、物理的なものであっても、論理的なものであっても、或いはこれらの組み合わせであってもよい。
In the first to fourth embodiments, the
Each aspect / embodiment described herein may be used alone or in combination. Also, the term "connected," or any variation of the term, means any direct or indirect connection or coupling between two or more elements that is "connected" to each other. Including the presence of one or more intermediate elements between the two elements. The coupling or connection between the elements may be physical, logical, or a combination thereof.
<電子機器>
次に、実施形態等に係る電気光学装置10を適用した電子機器について説明する。電気光学装置10は、画素が小サイズで高精細な表示な用途に向いている。そこで、電子機器として、ヘッドマウント・ディスプレイを例に挙げて説明する。
<Electronic equipment>
Next, electronic equipment to which the electro-
図16は、ヘッドマウント・ディスプレイの外観を示す図であり、図17は、その光学的な構成を示す図である。
まず、図16に示されるように、ヘッドマウント・ディスプレイ300は、外観的には、一般的な眼鏡と同様にテンプル310や、ブリッジ320、レンズ301L、301Rを有する。また、ヘッドマウント・ディスプレイ300は、図17に示されるように、ブリッジ320近傍であってレンズ301L、301Rの奥側(図において下側)には、左眼用の電気光学装置10Lと右眼用の電気光学装置10Rとが設けられる。
電気光学装置10Lの画像表示面は、図17において左側となるように配置している。これによって電気光学装置10Lによる表示画像は、光学レンズ302Lを介して図において9時の方向に出射する。ハーフミラー303Lは、電気光学装置10Lによる表示画像を6時の方向に反射させる一方で、12時の方向から入射した光を透過させる。
電気光学装置10Rの画像表示面は、電気光学装置10Lとは反対の右側となるように配置している。これによって電気光学装置10Rによる表示画像は、光学レンズ302Rを介して図において3時の方向に出射する。ハーフミラー303Rは、電気光学装置10Rによる表示画像を6時方向に反射させる一方で、12時の方向から入射した光を透過させる。
FIG. 16 is a diagram showing an appearance of a head mounted display, and FIG. 17 is a diagram showing an optical configuration thereof.
First, as shown in FIG. 16, the head-mounted
The image display surface of the electro-
The image display surface of the electro-
この構成において、ヘッドマウント・ディスプレイ300の装着者は、電気光学装置10L、10Rによる表示画像を、外の様子と重ね合わせたシースルー状態で観察することができる。
また、このヘッドマウント・ディスプレイ300において、視差を伴う両眼画像のうち、左眼用画像を電気光学装置10Lに表示させ、右眼用画像を電気光学装置10Rに表示させると、装着者に対し、表示された画像があたかも奥行きや立体感を持つかのように知覚させることができる。
In this configuration, the wearer of the head-mounted
Further, in the head-mounted
なお、電気光学装置10については、ヘッドマウント・ディスプレイ300のほかにも、ビデオカメラやレンズ交換式のデジタルカメラなどにおける電子式ビューファインダーにも適用可能である。
The electro-
10…電気光学装置、12…走査線、14…データ線、20…走査線駆動回路、22…Yセレクター、40…データ線駆動回路、42…Xセレクター、100…表示部、121、122、123…トランジスター、150…OLED、1000…単位回路。 Reference Signs List 10: electro-optical device, 12: scanning line, 14: data line, 20: scanning line drive circuit, 22: Y selector, 40: data line drive circuit, 42: X selector, 100: display unit, 121, 122, 123 ... Transistor, 150 OLED, 1000 unit circuit.
上記課題の一つを解決するために、本発明の一態様に係る電気光学装置は、第1走査線および第2走査線と、第1データ線および第2データ線と、前記第1走査線と前記第1データ線の交差に対応して設けられた第1単位回路と、前記第1走査線と前記第2データ線との交差、前記第2走査線と前記第1データ線との交差、または、前記第2走査線と前記第2データ線との交差のいずれか1つに対応して設けられた第2単位回路と、電気光学素子と、を備え、前記第1単位回路は、前記電気光学素子を駆動し、前記第2単位回路は、前記第1単位回路に代わって前記電気光学素子を駆動可能に構成される。 In order to solve one of the above problems, an electro-optical device according to one embodiment of the present invention includes a first scanning line and a second scanning line, a first data line and a second data line, and the first scanning line. And a first unit circuit provided corresponding to an intersection of the first data line and an intersection of the first scanning line and the second data line, and an intersection of the second scanning line and the first data line. Or a second unit circuit provided corresponding to any one of intersections of the second scanning line and the second data line, and an electro-optical element, wherein the first unit circuit includes: driving the electric optical element, the second unit circuit, the drive configured to allow the electro-optical device in place of the first unit circuit.
制御回路5は、上位回路から供給された画像データや同期信号に基づいて、各種信号を出力する。主な信号について説明すれば、制御回路5は、走査線駆動回路20を制御するための制御信号Ctryと、データ線駆動回路40を制御するための制御信号Ctrxと、サブ画素130の階調を指定する階調レベルVdとを出力する。なお、図2では複雑化を避けるために省略されているが、制御回路5からは、Yセレクター22に、いずれの走査線12をイネーブルとするか、いずれの走査線12をディスイネーブルとするかに関する情報が供給され、Xセレクター42に、いずれのデータ線14をイネーブルとするか、ディスイネーブルとの情報が供給される。
The
走査線駆動回路20は、M行N列で配列するサブ画素130を1フレームの期間にわたって順番に走査するための走査信号を、制御信号Ctryにしたがって生成する。ここで、1、2、3、…、(M−1)、M行目のサブ画素130を走査するための走査信号が、それぞれG(1)、G(2)、G(3)、…、G(M-1)、G(M)と表記されている。
なお、M行N列で配列するサブ画素130の行、および、3本毎にグループ化された走査線12の行を一般的に説明するために、1≦i≦Mを満たす整数のiを用い、i行目と表記され、i行目のサブ画素130を走査するための走査信号がG(i)と表記される。
また、1フレームの期間とは、電気光学装置10が1カット(コマ)分の画像を表示するのに要する期間をいい、例えば同期信号に含まれる垂直同期信号の周波数が60Hzであって、画像表示が垂直同期信号の等倍速であれば、その信号の1周期分の16.7ミリ秒の期間である。
The scanning
In order to generally describe the rows of the sub-pixels 130 arranged in M rows and N columns and the rows of the
Further, 1 and the frame period of the electro-
なお、図3では、Yセレクター22によって、i行目のサブ画素130に対応する3本の走査線12に供給される信号が、それぞれG(i)_a、G(i)_b、G(i)_cと表記されている。
同様に、Xセレクター42によって、j列目のサブ画素130に対応する3本のデータ線14に供給される信号が、それぞれS(j)_a、S(j)_b、S(j)_cと表記され、(j+1)列目のサブ画素130に対応する3本のデータ線14に供給される信号が、それぞれS(j+1)_a、S(j+1)_b、S(j+1)_cと表記され、(j+2)列目のサブ画素130に対応する3本のデータ線14に供給される信号が、それぞれS(j+2)_a、S(j+2)_b、S(j+2)_cと表記されている。
In FIG. 3, the signals supplied to the three
Similarly, the signals supplied to the three
また、初期状態においてN個のXセレクター42は、3本のうち、一番左の1本のデータ線14のみをイネーブルとする。このため、j列目でいえば、Xセレクター42は、当該j列目に対応する3本のデータ線14に供給される信号S(j)_a、S(j)_b、S(j)_cのうち、信号S(j)_aをデータ線駆動回路40から出力されるデータ信号S(j)とし、信号S(j)_b、S(j)_cを電位V_0とする。
なお、ここではj列目について説明しているが、他の列についても同様である。
In the initial state, the
Here, the j-th column is described, but the same applies to other columns.
ここで、図6に示されるように、走査信号G(i)がLレベルになったとき、信号G(i)_bもLレベルになるが、信号G(i)_a、G(i)_cは非選択信号のHレベルとなる。
したがって、i行j列でいえば、当該サブ画素130に対応する9個の単位回路のうち、中央の走査線12に対応する3個の単位回路1000ではトランジスター122がオンするが、一番上および一番下の走査線12に対応する6個の単位回路1000ではトランジスター122がオフすることになる。
一方、信号G(i)_bがLレベルになったとき、j列に対応する3本のデータ線14のうち、一番左のデータ線14には、i行j列のOLED150に向けた階調レベルの信号S(j)が供給される一方、他の2本のデータ線14には電位V_0が供給される点は初期状態と同様である。
Here, as shown in FIG. 6, when the scanning signal G (i) becomes L level, the signal G (i) _b also becomes L level, but the signals G (i) _a and G (i) _c Becomes the H level of the non-selection signal.
Therefore, in the i-th row and the j-th column, among the nine unit circuits corresponding to the sub-pixel 130, the
On the other hand, when the signal G (i) _b becomes L level, the leftmost one of the three
このため、i行j列のサブ画素130に対応する9個の単位回路1000のうち、OLED150に向けて電流を流すのは、3本の走査線12のうち、イネーブルされた中央の走査線12、および、3本のデータ線14のうち、イネーブルされた一番左のデータ線14に対応する単位回路1000のみとなり、i行j列のOLED150が、当該電流に応じて発光することになる。
なお、ここでは、i行j列のサブ画素130について説明したが、i行であって他の列のサブ画素130についても同様であり、3本の走査線のうち中央の走査線12および3本のデータ線14のうち一番左のデータ線14に対応する単位回路1000のみが、対応するサブ画素130におけるOLED150に容量Cpixの保持電圧に応じた電流を流すことになる。
したがって、i行目に対応する3本の走査線12のうち、一番上の走査線12、または、一番上の走査線12に対応する単位回路1000が不良となって、i行目が表示欠陥となった場合であっても、当該表示欠陥を修復することができる。
Therefore, of the nine
Here, the sub-pixels 130 in the i-th row and the j-th column have been described, but the same applies to the sub-pixels 130 in the i-th row and other columns. Only the
Therefore, of the three
この指示により、j列目に対応するXセレクター42は、図7に示されるように、データ線駆動回路40からのデータ信号S(j)を、j列目のOLED150に対応する3本のデータ線14のうち、イネーブルとさせた中央のデータ線14に信号S(j)_bとして供給し、一番左のデータ線14に信号S(j)_aとして電位V_0の信号を、一番右のデータ線14に信号S(j)_cとして電位V_0の信号を、それぞれ供給する。
このため、i行j列のサブ画素130に対応する9個の単位回路1000のうち、OLED150に向けて電流を流すのは、3本の走査線12のうち、イネーブルされた一番上の走査線12および3本のデータ線14のうち、イネーブルされた中央のデータ線14に対応する単位回路1000のみとなり、i行j列のOLED150が、当該電流に応じて発光することになる。
なお、ここでは、i行j列のサブ画素130について説明したが、他の行であって、j列のサブ画素130についても同様であり、3本の走査線12のうち一番上の走査線12および3本のデータ線14のうち中央のデータ線14に対応する単位回路1000のみとなり、i行j列のOLED150が、当該電流に応じて発光することになる。
したがって、j列目に対応する3本のデータ線14のうち、一番左のデータ線14、または、一番左のデータ線14に対応する単位回路1000が不良となって、j列目が表示欠陥となった場合であっても、当該表示欠陥を修復することができる。
なお、仮に、j列目に対応する3本のデータ線14のうち、一番左、中央のデータ線14をイネーブルしても表示欠陥が生じるのであれば、一番右のデータ線14をイネーブルとさせればよい。
In response to this instruction, the
Therefore, in the nine
Here, although described
Therefore, out of the three
If a display defect occurs even if the leftmost and center data line 14 among the three
第1実施形態では、1個のサブ画素130に対応する3本の走査線12のうち、いずれか1本をイネーブルとし、他の2本をディスイネーブルとすることによって、3行のうち、いずれかの1行を使用する。また、1個のサブ画素130に対応する3本のデータ線14のうち、いずれか1本をイネーブルとし、他の2本をディスイネーブルとすることによって、3列のうち、いずれかの1列を使用する。そして、イネーブルされた走査線12とイネーブルされたデータ線14との交差に対応する1個の単位回路1000を使用してOLED150に電流を流し、他の8個の単位回路1000を非使用とする構成である。すなわち、3行のうち、1行の走査線12のみをイネーブルとし、3列のうち、1列のデータ線14のみをイネーブルとすることによって、1個のOLED150に電流を流す単位回路1000が決定される構成である。
そして、決定された1個の単位回路1000がOLED150を駆動し、他の8個の単位回路1000のいずれかは、1個の単位回路1000に代わって、イネーブルする走査線12またはデータ線14の変更によって、OLED150を駆動することができる。
なお、OLED150に電流を流す単位回路1000については、次のように決定される構成としてもよい。
例えば、図8に示されるように、各単位回路1000においてトランジスター121と、OLED150との間に、それぞれ発光制御トランジスターの一例であるトランジスター123を設ける構成としてもよい。
この構成における単位回路1000では、トランジスター123がオフであれば、容量Cpixの保持電圧にかかわらず、トランジスター121がOLED150に向けて電流を流すことはない。
このため、トランジスター123のゲートノードに行または列方向で揃えた制御信号を供給することにより、OLED150の駆動に使用する単位回路1000の行または列を選択することができる。
なお、トランジスター123の制御信号については、例えば行方向で揃えるのであれば、制御回路5の指示によってYセレクター22が、3行のうち1行に当該トランジスター123をオンさせる信号を供給し、列方向で揃えるのであれば、制御回路5の指示によってXセレクター42が、3列のうち1列に当該トランジスター123をオンさせる信号を供給する構成とすればよい。
また、列方向で揃える場合に、Xセレクター42を廃して、データ線駆動回路40が、直接データ線14のそれぞれに信号を供給する構成としてもよい。この構成において、データ線駆動回路140は、イネーブルまたはディセーブルとするデータ線14の情報を制御回路5から受信するとともに、当該情報に応じて、データ線14の各々についてイネーブルまたはディセーブルとしてもよい。すなわち、この構成において、データ線駆動回路140は、イネーブルとするデータ線14には、階調レベルに応じたデータ信号を供給し、ディスイネーブルとするデータ線14には、黒表示に相当する電位V_0の信号を供給する。
トランジスター123については、各単位回路1000において、トランジスター121およびOLED150に対して直列であればよいので、図8に示されるようにトランジスター121とOLED150との間に限られず、給電線116とトランジスター121との間に設けてもよい。
In the first embodiment, one of the three
Then, the determined one
Note that the
For example, as shown in FIG. 8, a
In the
Therefore, by supplying a control signal aligned in the row or column direction to the gate node of the
For the control signals of the
Further, when aligning in the column direction, the
Since the
図11は、図10において黒丸印が付された5個の単位回路1000と3個のサブ画素130との電気的な構成を示す図である。なお、図11は、電気的な構成を説明するための図に過ぎず、配列を示す図10とはサブ画素130のピッチが異なっている。
図11に示されるように、当該行において、1列目(左端)のRのサブ画素130は、1列目の単位回路1000のみに対応し、当該単位回路1000がRのOLED150に電流を流す。2列目のGのサブ画素130は、2列目および3列目の単位回路1000に対応し、いずれかの単位回路1000がGのOLED150に電流を流す。3列目のBのサブ画素130は、4列目および5列目の単位回路1000に対応し、いずれかの単位回路1000がBのOLED150に電流を流す。
このうち、2列目および5列目の単位回路1000は予備であるので、初期状態では、2列目および5列目のデータ線14がディスイネーブルとされ、1列目、3列目および4列目のデータ線14がイネーブルとされる。
初期状態において、3列目または4列目において表示欠陥が生じたならば、2列目または5列目のデータ線14をイネーブルとすることによって、該表示欠陥を修復することができる。
なお、図11では省略したが、図10に示されるように、8列目の単位回路1000も予備である。このため、初期状態において、7列目において表示欠陥が生じたならば、8列目のデータ線14をイネーブルとすることによって、該表示欠陥を修復することができる。
FIG. 11 is a diagram showing an electrical configuration of five
As shown in FIG. 11, in the row, the
Of these, since the
If a display defect occurs in the third or fourth column in the initial state, the display defect can be repaired by enabling the
Although omitted in FIG. 11, the
具体的には、1行目のサブ画素130は、1行目の単位回路1000を使用し、2行目の単位回路1000を予備とする。このため、1行目の走査線12の位置を示す「→」という表記には、1行目の単位回路1000は低精細領域で使用されるという意味で(1)が付加され、2行目の走査線12の位置を示す「→」という表記は、2行目の単位回路1000は予備とするという意味で無印(空白)が付加されている。
なお、2行目のサブ画素130は、3行目の単位回路1000を使用する。このため、3行目の走査線12の位置を示す「→」の表記には、(1)が付加されている。
Specifically, the sub-pixels 130 in the first row use the
Note that the sub-pixels 130 in the second row use the
Claims (15)
第1データ線および第2データ線と、
前記第1走査線と前記第1データ線の交差に対応して設けられた第1単位回路と、
前記第1走査線と前記第2データ線との交差、前記第2走査線と前記第1データ線との交差、または、前記第2走査線と前記第2データ線との交差のいずれか1つに対応して設けられた第2単位回路と、
電気光学素子と、
を備え、
前記第1単位回路は、前記第1電気光学素子を駆動し、前記第2単位回路は、前記第1単位回路に代わって前記電気光学素子を駆動可能に構成された
電気光学装置。 A first scanning line and a second scanning line;
A first data line and a second data line;
A first unit circuit provided corresponding to the intersection of the first scanning line and the first data line;
One of an intersection between the first scanning line and the second data line, an intersection between the second scanning line and the first data line, or an intersection between the second scanning line and the second data line. A second unit circuit provided for each of the
An electro-optic element,
With
An electro-optical device, wherein the first unit circuit drives the first electro-optical element, and the second unit circuit can drive the electro-optical element in place of the first unit circuit.
前記第2単位回路は、前記第1走査線と前記第2データ線との交差に対応して設けられており、
前記駆動回路は、前記第1データ線または前記第2データ線の一方をイネーブルとし、前記第1データ線または前記第2データ線の他方をディスイネーブルとする
請求項1に記載の電気光学装置。 Further comprising a drive circuit,
The second unit circuit is provided corresponding to an intersection between the first scanning line and the second data line,
The electro-optical device according to claim 1, wherein the drive circuit enables one of the first data line or the second data line and disables the other of the first data line or the second data line.
請求項2に記載の電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 2, wherein the drive circuit supplies a signal of a level that causes the electro-optical element to perform black display to the other of the first data line or the second data line.
前記第2単位回路は、前記第2走査線と前記第1データ線との交差に対応して設けられた
請求項1に記載の電気光学装置。 Further comprising a drive circuit,
The electro-optical device according to claim 1, wherein the second unit circuit is provided corresponding to an intersection between the second scanning line and the first data line.
請求項4に記載の電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 4, wherein the drive circuit enables one of the first scan line or the second scan line and disables the other of the first scan line or the second scan line.
前記第1駆動トランジスターは、前記電気光学素子に流れる電流を制御可能であり、
前記第1発光制御トランジスターは、前記第1駆動トランジスターおよび前記電気光学素子に対して直列に接続され、
前記第2単位回路は、第2駆動トランジスターおよび第2発光制御トランジスターを含み、
前記第2駆動トランジスターは、前記電気光学素子に流れる電流を制御可能であり、
前記第2発光制御トランジスターは、前記第2駆動トランジスターおよび前記第1電気光学素子に対して直列に接続され、
前記駆動回路は、前記第1発光制御トランジスターまたは前記第2発光制御トランジスターの一方をオンさせ、前記第1発光制御トランジスターまたは前記第2発光制御トランジスターの他方をオフさせる
請求項4に記載の電気光学装置。 The first unit circuit includes a first driving transistor and a first light emission control transistor,
The first driving transistor is capable of controlling a current flowing through the electro-optical element,
The first light emission control transistor is connected in series to the first drive transistor and the electro-optical element,
The second unit circuit includes a second driving transistor and a second light emission control transistor,
The second drive transistor is capable of controlling a current flowing through the electro-optical element,
The second emission control transistor is connected in series to the second drive transistor and the first electro-optical element,
The electro-optical device according to claim 4, wherein the drive circuit turns on one of the first light emission control transistor and the second light emission control transistor, and turns off the other of the first light emission control transistor and the second light emission control transistor. apparatus.
前記第2走査線と前記第2データ線との交差に対応して設けられた第4単位回路と、
をさらに含み、
前記駆動回路は、
前記第1走査線または前記第2走査線の一方と、前記第1データ線または前記第2データ線の一方とをイネーブルとし、
前記第1走査線または前記第2走査線の他方と、前記第1データ線または前記第2データ線の他方とをディスイネーブルとし、
前記第1単位回路、前記第2単位回路、前記第3単位回路、または、前記第4単位回路のいずれか1つによって前記電気光学素子を駆動する
請求項4に記載の電気光学装置。 A third unit circuit provided corresponding to the intersection of the first scanning line and the second data line;
A fourth unit circuit provided corresponding to the intersection of the second scanning line and the second data line;
Further comprising
The driving circuit includes:
Enabling one of the first scan line or the second scan line and one of the first data line or the second data line,
Disabling the other of the first scan line or the second scan line and the other of the first data line or the second data line,
The electro-optical device according to claim 4, wherein the electro-optical element is driven by any one of the first unit circuit, the second unit circuit, the third unit circuit, or the fourth unit circuit.
第1データ線および第2データ線を含む複数のデータ線と、
第1単位回路および第2単位回路を含み、前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられた複数の単位回路と、
第1電気光学素子を含む複数の電気光学素子と、
を有し、
前記第1単位回路は、前記第1走査線と前記第1データ線との交差に対応して設けられ、
前記第2単位回路は、前記第1走査線と前記第2データ線との交差、前記第2走査線と前記第1データ線との交差、または、前記第2走査線と前記第2データ線との交差のいずれか1つに対応して設けられ、
前記第1単位回路は、前記第1電気光学素子を駆動し、前記第2単位回路は、前記第1単位回路に代わって前記第1電気光学素子を駆動可能に構成された
電気光学装置。 A plurality of scanning lines including a first scanning line and a second scanning line;
A plurality of data lines including a first data line and a second data line;
A plurality of unit circuits including a first unit circuit and a second unit circuit, provided in correspondence with intersections of the plurality of scanning lines and the plurality of data lines;
A plurality of electro-optical elements including a first electro-optical element;
Has,
The first unit circuit is provided corresponding to an intersection between the first scanning line and the first data line,
The second unit circuit includes an intersection between the first scanning line and the second data line, an intersection between the second scanning line and the first data line, or an intersection between the second scanning line and the second data line. Provided corresponding to one of the intersections with
An electro-optical device, wherein the first unit circuit drives the first electro-optical element, and the second unit circuit can drive the first electro-optical element in place of the first unit circuit.
前記複数のデータ線は、n(nは3以上の整数)本であり、
前記複数の単位回路は、前記m本の走査線と前記n本のデータ線との交差に対応してm行n列で配列し、
前記複数の電気光学素子は、M(Mは、M<mを満たす2以上の整数)行N(Nは、N<nを満たす2以上の整数)列で配列する
請求項8に記載の電気光学装置。 The plurality of scanning lines are m (m is an integer of 3 or more) lines,
The plurality of data lines are n (n is an integer of 3 or more),
The plurality of unit circuits are arranged in m rows and n columns corresponding to intersections of the m scanning lines and the n data lines,
The electric device according to claim 8, wherein the plurality of electro-optical elements are arranged in M (M is an integer of 2 or more satisfying M <m) rows N (N is an integer of 2 or more satisfying N <n) columns. Optical device.
第1領域に配列する前記電気光学素子の密度は、第2領域に配列する前記電気光学素子の密度よりも低い
請求項8または9に記載の電気光学装置。 Among the plurality of electro-optical elements,
The electro-optical device according to claim 8, wherein the density of the electro-optical elements arranged in the first area is lower than the density of the electro-optical elements arranged in the second area.
第1データ線および第2データ線と、
前記第1走査線と前記第1データ線との交差に対応して設けられた第1単位回路と、
前記第1走査線と前記第2データ線との交差、前記第2走査線と前記第1データ線との交差、または、前記第2走査線と前記第2データ線との交差のいずれか1つに対応して設けられた第2単位回路と、
電気光学素子と、
を有し、
前記電気光学素子は、前記第1単位回路または前記第2単位回路のいずれか1つにより駆動される
電気光学装置。 A first scanning line and a second scanning line;
A first data line and a second data line;
A first unit circuit provided corresponding to an intersection of the first scanning line and the first data line;
One of an intersection between the first scanning line and the second data line, an intersection between the second scanning line and the first data line, or an intersection between the second scanning line and the second data line. A second unit circuit provided for each of the
An electro-optic element,
Has,
The electro-optical device is configured such that the electro-optical element is driven by one of the first unit circuit and the second unit circuit.
前記第1走査線と前記第2データ線との交差、または、前記第2走査線と前記第2データ線との交差に対応して設けられ、
前記第1データ線に欠陥がある場合、前記電気光学素子は、前記第2単位回路によって駆動され、
当該第1データ線には、前記電気光学素子を黒表示にさせるレベルの信号が供給される
請求項11に記載の電気光学装置。 The second unit circuit includes:
Provided corresponding to the intersection of the first scanning line and the second data line, or the intersection of the second scanning line and the second data line;
When the first data line has a defect, the electro-optical element is driven by the second unit circuit,
The electro-optical device according to claim 11, wherein a signal of a level that causes the electro-optical element to perform black display is supplied to the first data line.
前記第2走査線と前記第1データ線との交差、または、前記第2走査線と前記第2データ線との交差に対応して設けられ、
前記第1単位回路または前記第2単位回路のうち、前記第1単位回路を使用し、前記第2単位回路を非使用とする場合、
前記第1走査線はイネーブルとされ、前記第2走査線はディスイネーブルとされる
請求項11に記載の電気光学装置。 The second unit circuit includes:
Provided corresponding to the intersection of the second scanning line and the first data line, or the intersection of the second scanning line and the second data line;
When the first unit circuit is used and the second unit circuit is not used, of the first unit circuit or the second unit circuit,
The electro-optical device according to claim 11, wherein the first scanning line is enabled, and the second scanning line is disabled.
前記第1駆動トランジスターは、前記電気光学素子に流れる電流を制御可能であり、
前記第1発光制御トランジスターは、前記第1駆動トランジスターおよび前記第1電気光学素子に対して直列に接続され、
前記第2単位回路は、第2駆動トランジスターおよび第2発光制御トランジスターを含み、
前記第2駆動トランジスターは、前記電気光学素子に流れる電流を制御可能であり、
前記第2発光制御トランジスターは、前記第2駆動トランジスターおよび前記第1電気光学素子に対して直列に接続され、
前記第1発光制御トランジスターまたは前記第2発光制御トランジスターの一方がオンし、前記第1発光制御トランジスターまたは前記第2発光制御トランジスターの他方がオフして、
前記第1単位回路または前記第2単位回路のいずれか1つで前記電気光学素子が駆動される
請求項11に記載の電気光学装置。 The first unit circuit includes a first driving transistor and a first light emission control transistor,
The first driving transistor is capable of controlling a current flowing through the electro-optical element,
The first light emission control transistor is connected in series to the first drive transistor and the first electro-optical element,
The second unit circuit includes a second driving transistor and a second light emission control transistor,
The second drive transistor is capable of controlling a current flowing through the electro-optical element,
The second emission control transistor is connected in series to the second drive transistor and the first electro-optical element,
One of the first light emission control transistor or the second light emission control transistor is turned on, and the other of the first light emission control transistor or the second light emission control transistor is turned off,
The electro-optical device according to claim 11, wherein the electro-optical element is driven by any one of the first unit circuit and the second unit circuit.
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