JP2017058671A - Display unit - Google Patents
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Images
Landscapes
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Abstract
Description
本開示は、表示装置に関する。 The present disclosure relates to a display device.
近年、携帯電話及び電子ペーパー等のモバイル電子機器向け等の表示装置の需要が高くなっている。表示装置では、1つの画素が複数の副画素を備え、当該複数の副画素がそれぞれ異なる色の光を出力し、当該副画素の表示のオン及びオフを切り換えることで、1つの画素で種々の色を表示させている。この表示装置において、従来の赤、緑、青の副画素に第4の副画素である白画素を加える技術がある(例えば、特許文献1)。この技術は、白画素を加えることにより、画質を向上させることができる。 In recent years, there has been a growing demand for display devices for mobile electronic devices such as mobile phones and electronic paper. In a display device, one pixel includes a plurality of sub-pixels, each of the plurality of sub-pixels outputs light of a different color, and the display of the sub-pixel is switched on and off, so that one pixel can perform various operations. The color is displayed. In this display device, there is a technique of adding a white pixel as a fourth subpixel to a conventional red, green, and blue subpixel (for example, Patent Document 1). This technique can improve image quality by adding white pixels.
また、例えば特許文献1には、赤、緑、青の副画素からなる領域と、赤、緑、青、及び白の副画素からなる領域とに分けて、画質を向上させつつ設計費用を最小化させる液晶表示装置が記載されている。
Further, for example, in
しかし、赤、緑、青、及び白の副画素からなる領域は、各副画素を駆動させるための配線等が、赤、緑、青の副画素からなる領域よりも多くなる。例えば特許文献1では、バックライトから光を照射して、画像を表示している。従って、赤、緑、青、及び白の副画素からなる領域の開口率は、配線の分だけ、赤、緑、青の副画素からなる領域よりも小さくなる。そのため、この場合、領域毎に画像の明るさが異なり、画質が劣化するおそれがある。さらに、画質劣化が進みやすくなると、表示装置の寿命が短くなる恐れが生じる。また、赤、緑、青、及び白の4種の副画素からなる表示装置は、各種回路が配置されている画像表示面の周囲の領域が、3種の副画素からなる表示装置に比べて広くなる場合がある。
However, an area composed of red, green, blue, and white subpixels has more wiring for driving each subpixel than an area composed of red, green, and blue subpixels. For example, in
本発明は、上記課題を解決するために、画質の劣化を抑制し、表示装置の寿命の短縮を抑制し、さらに、画像表示面の周囲の領域が広くなることを抑制する表示装置を提供することを目的とする。 In order to solve the above-described problems, the present invention provides a display device that suppresses deterioration of image quality, suppresses shortening of the lifetime of the display device, and further suppresses an increase in the area around the image display surface. For the purpose.
本発明の表示装置は、自発光層を有する副画素を複数有する画素が2次元マトリクス状に配列され、第1の数の前記副画素を有する画素である低密度画素を有する低密度領域と、前記第1の数よりも大きい第2の数の前記副画素を有する高密度画素を有する高密度領域と、前記自発光層を点灯させる点灯駆動回路と、を有する。 The display device of the present invention includes a low-density region having low-density pixels in which pixels having a plurality of sub-pixels each having a self-light-emitting layer are arranged in a two-dimensional matrix and having a first number of the sub-pixels; A high-density region having high-density pixels having a second number of sub-pixels greater than the first number, and a lighting drive circuit for lighting the self-light-emitting layer.
以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. It should be noted that the disclosure is merely an example, and those skilled in the art can easily conceive of appropriate modifications while maintaining the gist of the invention are naturally included in the scope of the present invention. In addition, the drawings may be schematically represented with respect to the width, thickness, shape, and the like of each part in comparison with actual aspects for the sake of clarity of explanation, but are merely examples, and the interpretation of the present invention is not limited. It is not limited. In addition, in the present specification and each drawing, elements similar to those described above with reference to the previous drawings are denoted by the same reference numerals, and detailed description may be omitted as appropriate.
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係る表示装置の構成の一例を示すブロック図である。図1に示すように、第1実施形態の表示装置10は、信号処理部20と、信号出力回路31と、走査回路32と、電源回路33と、画像表示パネル40とを有する。信号出力回路31と、走査回路32と、電源回路33とは、画像表示パネル駆動部30を構成する。信号処理部20と、画像表示パネル駆動部30とは、画像表示パネル40の内部に組み込まれている。信号処理部20は、制御装置11の画像出力部12からの入力信号が入力され、入力信号に所定のデータ処理を加えて生成した信号を表示装置10の各部に送る。画像表示パネル駆動部30は、信号処理部20からの信号に基づいて画像表示パネル40の駆動を制御する。画像表示パネル40は、画像表示パネル駆動部30からの信号に基づいて画素の自発光体を点灯させて画像を表示する自発光型の画像表示パネルである。
(First embodiment)
FIG. 1 is a block diagram illustrating an example of the configuration of the display device according to the first embodiment. As illustrated in FIG. 1, the
(画像表示パネル駆動部の構成)
画像表示パネル駆動部30は、画像表示パネル40の制御装置であって、上述のように、信号出力回路31、走査回路32及び電源回路33を備えている。信号出力回路31は、信号線DTLによって画像表示パネル40内の各画素48が有する副画素49と電気的に接続されている。信号出力回路31は、入力された画像出力信号を保持し、順次、画像表示パネル40の各副画素49に出力する。走査回路32は、走査線SCLによって画像表示パネル40の各副画素49と電気的に接続されている。走査回路32は、画像表示パネル40における各副画素49を選択し、副画素49の動作(発光強度)を制御するためのスイッチング素子(例えば、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:TFT))のオン及びオフを制御する。電源回路33は、電源線PCLを介して、後述する各点灯駆動回路45へ、各副画素49を発光させるための電力を供給する。
(Configuration of image display panel driver)
The image display
図2は、走査回路の構成を説明するブロック図である。より具体的には、走査回路32は、図2に示すように、シフトレジスタ部34とラインバッファ部35とを有している。シフトレジスタ部34は、走査出力線SCLXに走査信号を出力する回路であり、所定の走査出力線SCLXに出力された走査信号を、順次次の行の走査出力線SCLXに転送する。ラインバッファ部35は、走査出力線SCLXを介してシフトレジスタ部34に接続されており、走査線SCLを介して各行の副画素49に接続されている。ラインバッファ部35は、シフトレジスタ部34から出力された走査信号を増幅して、各行の副画素49に出力する。ラインバッファ部35は、例えば、複数のトランジスタを有し、それぞれのトランジスタが、各行の走査出力線SCLXに接続される。シフトレジスタ部34から行ごとに順次出力されてくる走査信号は、このラインバッファ部35のトランジスタで順次増幅され、各行の副画素49に順次出力される。このように、走査回路32は、シフトレジスタ部34及びラインバッファ部35により、行方向(Y方向)に沿って順番に副画素49を選択する。
FIG. 2 is a block diagram illustrating the configuration of the scanning circuit. More specifically, the
(画像表示パネルの構成)
図1に示すように、画像表示パネル40は、X方向(行方向)が短くY方向(列方向)が長い矩形状である。ただし、画像表示パネル40の形状はこれに限られず任意である。画像表示パネル40は、枠部41、42と、画像表示面50とを有する。枠部41、42は、画素48を有さず画像を表示しない箇所である。枠部41、42は、例えば画像表示パネル40の表面と異なる材料によって覆われていてもよいし、画像表示パネル40の表面と同じ材料であって、ブラックマトリックスで遮光されていてもよい。画像表示面50は、画素48が配置されて画像を表示する面である。画像表示面50は、X方向に沿って、画像表示パネル40の全域を占めている。また、画像表示面50は、Y方向の両端でそれぞれ枠部41、42と隣接している。
(Image display panel configuration)
As shown in FIG. 1, the
枠部42の内部には、信号処理部20及び信号出力回路31が組み込まれている。ただし、信号処理部20及び信号出力回路31の少なくともいずれか1つは、枠部41に組み込まれていてもよい。
The
画像表示面50は、画素48が、P0×Q0個(行方向にP0個、列方向にQ0個)、2次元のマトリクス状(行列状)に配列されている。図1に示すように、画像表示面50は、高密度領域52と、低密度領域54A、54Bとに区分されている。高密度領域52は、X方向における画像表示面50の中央に位置している。低密度領域54A、54Bは、それぞれ高密度領域52のX方向における両端部に位置し、高密度領域52に隣接している。具体的には、高密度領域52は矩形である。低密度領域54Aは、高密度領域52のX方向側の一方の辺に、その一方の辺の一方の端部から他方の端部まで、Y方向に沿って隣接している。低密度領域54Bは、高密度領域52のX方向側の他方の辺に、その他方の辺の一方の端部から他方の端部まで、Y方向に沿って隣接している。高密度領域52と、低密度領域54A、54Bとは、画素48が有する副画素49の数が異なるが、詳しくは後述する。以下、低密度領域54A、54Bを区別しない場合は、低密度領域54と記載する。
On the
図3は、第1実施形態に係る画像表示パネルの画素が含む副画素の点灯駆動回路を示す図である。画素48は、複数の副画素49を含み、図3に示す副画素49の点灯駆動回路45が2次元のマトリクス状(行列状)に配列されている。図3に示すように、点灯駆動回路45は、制御用トランジスタTr1と、駆動用トランジスタTr2と、電荷保持用コンデンサC1とを含む。制御用トランジスタTr1のゲートが走査線SCLに接続され、ソースが信号線DTLに接続され、ドレインが駆動用トランジスタTr2のゲートに接続されている。電荷保持用コンデンサC1の一端が駆動用トランジスタTr2のゲートに接続され、他端が駆動用トランジスタTr2のソースに接続されている。駆動用トランジスタTr2のソースが、電源線PCLと接続されており、駆動用トランジスタTr2のドレインが、自発光体である有機発光ダイオードE1のアノードに接続されている。有機発光ダイオードE1のカソードは、例えば基準電位(例えばアース)に接続されている。なお図3では制御用トランジスタTr1がnチャネル型トランジスタ、駆動用トランジスタTr2がpチャネル型トランジスタの例を示しているが、それぞれのトランジスタの極性はこれに限定されない。必要に応じて、制御用トランジスタTr1及び駆動用トランジスタTr2それぞれの極性を決めればよい。
FIG. 3 is a diagram illustrating a lighting drive circuit for sub-pixels included in the pixels of the image display panel according to the first embodiment. The pixel 48 includes a plurality of sub-pixels 49, and the
次に、画素48内における副画素49の配列について説明する。図4Aは、高密度画素の副画素の配列を示す図である。図4Bは、低密度画素の副画素の配列を示す図である。高密度領域52中の画素48である高密度画素48Aは、副画素49の数が、低密度領域54中の画素48である低密度画素48Bより多い。すなわち、高密度画素48Aが有する副画素49の数(第2の数とする)は、低密度画素48Bが有する副画素49の数(第1の数とする)より多い。言い換えれば、高密度領域52は、低密度領域54よりも、同一の面積内における副画素49の数が多い。図4Aに示すように、高密度画素48Aは、第1副画素49Rと、第2副画素49Gと、第3副画素49Bと、第4副画素49Wとを有する。第1副画素49Rは、第1色としての原色の赤色を表示する。第2副画素49Gは、第2色としての原色の緑色を表示する。第3副画素49Bは、第3色としての原色の青色を表示する。第4副画素49Wは、第1色、第2色及び第3色とは異なる第4色としての白色を表示する。ただし、第1色、第2色、第3色、第4色は、それぞれ赤色、緑色、青色、白色に限られず、補色などの任意の色を選択することができる。なお、第1副画素49Rと、第2副画素49Gと、第3副画素49Bと、第4副画素49Wとをそれぞれ区別する必要がない場合、副画素49という。
Next, the arrangement of the sub-pixels 49 in the pixel 48 will be described. FIG. 4A is a diagram illustrating an arrangement of sub-pixels of high-density pixels. FIG. 4B is a diagram illustrating an arrangement of sub-pixels of low-density pixels. The high-density pixel 48 </ b> A that is the pixel 48 in the high-
図4Aに示すように、高密度画素48Aは、第1副画素49Rと、第2副画素49Gと、第3副画素49Bと、第4副画素49Wとが、2行2列で配列している。高密度画素48Aは、1行目の1列目に第1副画素49Rを有し、1行目の2列目に第2副画素49Gを有し、2行目の1列目に第4副画素49Wを有し、2行目の2列目に第3副画素49Bを有する。言い換えれば、高密度画素48Aは、第1副画素49Rが、第2副画素49Gに行方向(X方向)で隣接し、第4副画素49Wに列方向(Y方向)で隣接している。また、第2副画素49Gは、第3副画素49Bに列方向(Y方向)で隣接している。また、第4副画素49Wは、第3副画素49Bに行方向(X方向)で隣接している。
As shown in FIG. 4A, the high-
図4Bに示すように、低密度画素48Bは、第1副画素49Rと、第2副画素49Gと、第3副画素49Bとを有する。低密度画素48Bは、第1副画素49Rと、第2副画素49Gと、第3副画素49Bとが、X方向に沿ってストライプ状に配列している。なお、低密度画素48Bの面積は、高密度画素48Aの面積と略同一に形成されている。従って、低密度画素48Bが有する各副画素49の面積は、高密度画素48Aが有する各副画素49の面積よりも大きい。なお、略同一とは、一般的な公差範囲でのずれを許容した同一の範囲である。
As illustrated in FIG. 4B, the
高密度画素48A及び低密度画素48Bの副画素配列は、以上のような構成であるが、高密度画素48A及び低密度画素48Bの副画素配列は、高密度画素48Aが有する副画素49の数が、低密度画素48Bが有する副画素49の数より大きいものであれば、以上に説明したものに限られない。
The sub-pixel arrangement of the high-
また、高密度領域52は、高密度画素48Aを有して低密度画素48Bを有さないものであれば、その面積及び形状は任意である。また、低密度領域54は、低密度画素48Bを有して高密度画素48Bを有さないものであれば、その面積及び形状は任意である。また、高密度領域52中の高密度画素48Aの数と、低密度領域54中の低密度画素48Bの数とは、それぞれ複数であることが好ましいが、数はそれぞれ任意である。また、高密度領域52の面積は、低密度領域54の面積より大きいことが好ましい。言い換えれば、画像表示パネル40が有する高密度画素48Aの数は、低密度画素48Bの数より多いことが好ましい。
Further, the area and shape of the high-
低密度領域54は、さらに、画像表示パネル40の駆動を制御するための駆動制御回路60を有する。本実施形態における駆動制御回路60は、走査回路32及び電源回路33である。ただし、駆動制御回路60は、点灯駆動回路45の動作を制御するための回路であればよく、例えば走査回路32のみを有していてもよい。例えば、駆動制御回路60は、どの点灯駆動回路45を動作させるかを選択したり、点灯駆動回路45が副画素49に印加する電力量を制御したりする。以下、低密度領域54における駆動制御回路60の配置を説明する。
The
図5は、低密度領域及び高密度領域における回路の配線を模式的に説明する説明図である。図5に示すように、画像表示パネル40は、Y方向に沿って複数の信号線DTLが配列している。信号線DTLは、信号出力回路31と接続されており、信号出力回路31から、副画素49に所定の色を表示させるための画像出力信号が入力される。また、信号線DTLは、同じ列に配列する各副画素49と接続されている。
FIG. 5 is an explanatory diagram schematically illustrating circuit wiring in a low density region and a high density region. As shown in FIG. 5, the
画像表示パネル40は、X方向に沿って複数の走査線SCL(SCL1、SCL2、SCL3、SCL4、・・・)が配列している。走査線SCLは、駆動制御回路60(走査回路32)からX方向に沿って延在している。駆動制御回路60は、駆動制御回路60は、各走査線SCLにY方向に沿って走査信号を順番に出力する。なお、図5では、電源線PCLの記載は省略している。
In the
走査線SCLは、点灯駆動回路45を介して、副画素49に接続される。具体的には、走査線SCL1は、同じ行に配列する低密度画素48Bの第1副画素49R、第2副画素49G、第3副画素49Bと、同じ行に配列する高密度画素48Aの第1副画素49R、第2副画素49Gとに接続されている。走査線SCL2は、同じ行に配列する高密度画素48Aの第4副画素49W及び第3副画素49Bに接続されている。走査線SCL3は、同じ行に配列する低密度画素48Bの第1副画素49R、第2副画素49G、第3副画素49Bと、同じ行に配列する高密度画素48Aの第1副画素49R、第2副画素49Gとに接続されている。走査線SCL4は、同じ行に配列する高密度画素48Aの第4副画素49W及び第3副画素49Bに接続されている。駆動制御回路60は、各副画素49に対応する点灯駆動回路45を介して、各行の副画素49にY方向に沿って順番に走査信号を出力する。すなわち、駆動制御回路60は、各行の副画素49をY方向に沿って順番に選択する。
The scanning line SCL is connected to the sub-pixel 49 via the
なお、点灯駆動回路45は、副画素49毎に1つずつ設けられている。以下、第1副画素49Rの点灯駆動回路45を、点灯駆動回路45Rとし、第2副画素49Gの点灯駆動回路45を、点灯駆動回路45Gとし、第3副画素49Bの点灯駆動回路45を、点灯駆動回路45Bとし、第4副画素49Wの点灯駆動回路45を、点灯駆動回路45Wとする。
One
ここで、各副画素49は、副画素49を駆動するための信号が流れる各配線(走査線SCL及び信号線DTL)、点灯駆動回路45、及び駆動制御回路60よりも画像表示面50に対して上方に設けられている。言い換えれば、各配線(走査線SCL及び信号線DTL)及び点灯駆動回路45は、各副画素49よりも画像表示面50に対して下方に設けられている。駆動制御回路60は、低密度領域54において、低密度画素48Bの各副画素49よりも画像表示面50に対して下方に設けられている。以下、図6A、図6Bを用いて具体的に説明する。
Here, each sub-pixel 49 is connected to the
図6Aは、高密度領域での画像表示パネルの断面構造を模式的に示す図である。図6Bは、低密度領域での画像表示パネルの断面構造を模式的に示す図である。図6Aは、図5に示す断面Aにおける断面図である。図6Bは、図5に示す断面Bにおける断面図である。図6A及び図6Bに示すように、画像表示パネル40は、基板71と、絶縁層72、73と、反射層74と、下部電極75と、自発光体としての自発光層76と、上部電極77と、絶縁層78と、絶縁層79と、色変換層としてのカラーフィルタ81と、遮光層としてのブラックマトリクス82と、基板70とを備えている。基板71は、シリコンなどの半導体基板、ガラス基板、樹脂基板などであって、上述した点灯駆動回路45などを形成又は保持している。絶縁層72は、上述した点灯駆動回路45などを保護する保護膜であり、シリコン酸化物、シリコン窒化物などを用いることができる。下部電極75は、第1副画素49Rと、第2副画素49Gと、第3副画素49Bと、第4副画素49Wとにそれぞれ設けられており、上述した有機発光ダイオードE1のアノード(陽極)となる導電体である。下部電極75は、インジウム錫酸化物(Indium Tin Oxide:ITO)等の透光性導電材料(透光性導電酸化物)で形成される透光性電極である。絶縁層73は、バンクと呼ばれ、第1副画素49Rと、第2副画素49Gと、第3副画素49Bと、第4副画素49Wとを区画する絶縁層である。反射層74は、自発光層76からの光を反射する金属光沢のある材料、例えば銀、アルミニウム、金などで形成されている。
FIG. 6A is a diagram schematically showing a cross-sectional structure of the image display panel in a high-density region. FIG. 6B is a diagram schematically showing a cross-sectional structure of the image display panel in the low density region. 6A is a cross-sectional view taken along a cross-section A shown in FIG. 6B is a cross-sectional view taken along a cross-section B shown in FIG. As shown in FIGS. 6A and 6B, the
上部電極77は、インジウム錫酸化物(Indium Tin Oxide:ITO)等の透光性導電材料(透光性導電酸化物)で形成される透光性電極である。なお本実施形態では、透光性導電材料の例としてITOを挙げたが、これに限定されない。透光性導電材料として、インジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide:IZO)等の別の組成を有する導電材料を用いてもよい。上部電極77は、有機発光ダイオードE1のカソード(陰極)になる。絶縁層78は、上述した上部電極77を封止する封止層であり、シリコン酸化物、シリコン窒化物などを用いることができる。絶縁層79は、バンクにより生じる段差を抑制する平坦化層であり、シリコン酸化物、シリコン窒化物などを用いることができる。基板70は、画像表示パネル40全体を保護する透光性の基板であり、例えば、ガラス基板を用いることができる。なお、図5においては、下部電極75がアノード(陽極)、上部電極77がカソード(陰極)の例を示しているが、これに限定されない。下部電極75がカソード及び上部電極77がアノードであってもよく、その場合は、下部電極75に電気的に接続されている駆動用トランジスタTr2の極性を適宜変えることも可能であり、また、キャリア注入層(ホール注入層及び電子注入層)、キャリア輸送層(ホール輸送層及び電子輸送層)、発光層の積層順を適宜変えることも可能である。
The
画像表示パネル40は、カラー表示パネルであり、自発光層76の発光成分のうち、副画素49と画像観察者との間に、副画素49の色に応じた色の光を通過させるカラーフィルタ81が配置されている。画像表示パネル40は、赤色、緑色、青色、及び白色に対応する色の光を発光することができる。なお、白色に対応する第4副画素49Wと画像観察者との間にカラーフィルタ81が配置されていないようにしてもよい。また、画像表示パネル40は、自発光層76の発光成分がカラーフィルタ81などの色変換層を介さず、第1副画素49R、第2副画素49G、第3副画素49B、第4副画素49Wの各々の色を発光することもできる。例えば画像表示パネル40は、第4副画素49Wには、色調整用のカラーフィルタ81の代わりに透明な樹脂層が備えられていてもよい。このように画像表示パネル40は、透明な樹脂層を設けることで、第4副画素49Wに大きな段差が生じることを抑制することができる。
The
なお、本実施形態において、各副画素49は、下部電極75と、自発光層76と、上部電極77と、カラーフィルタ81とを有する。点灯駆動回路45は、副画素49の自発光層76に点灯させるための回路であり、副画素49には含まれない。また、副画素49の面積とは、カラーフィルタ81のブラックマトリクス82よりも内側の領域のことをいう。ただし、カラーフィルタ81を有さない場合は、副画素49の面積とは、下部電極75の面積であるということができる。
In the present embodiment, each sub-pixel 49 includes a
高密度領域52においては、第1副画素49R、第2副画素49G、第3副画素49B、第4副画素49Wが配置されている。そして、高密度領域52においては、絶縁層72に、点灯駆動回路45R、45G、45B、45Wが設けられている。また、絶縁層72には、副画素49を駆動するための信号が流れる不図示の各配線(走査線SCL、信号線DTL及び電源線PCL)が設けられている。高密度領域52には、駆動制御回路60が設けられていない。点灯駆動回路45は、対応する副画素49の下部電極75と電気的に接続されている。点灯駆動回路45R、45G、45B、45W、及び各配線は、高密度画素48Aの各副画素49(より詳しくは自発光層76)よりも下方に設けられている。なお、点灯駆動回路45R、45G、45B、45W、及び各配線は、高密度画素48Aの各副画素49(より詳しくは自発光層76)よりも下方に設けられていれば、絶縁層72に設けられていることに限られない。なお、図6Aは、第1副画素49R及び第4副画素49Wのみを記載しているが、他の副画素49の断面も同じ形状である。
In the
低密度領域54においては、第1副画素49R、第2副画素49G、及び第3副画素49Bが配置されており、第4副画素49Wは配置されていない。そして、低密度領域54においては、絶縁層72に、点灯駆動回路45R、45G、45Bと、駆動制御回路60と、副画素49を駆動するための信号が流れる不図示の各配線(走査線SCL、信号線DTL及び電源線PCL)が設けられている。点灯駆動回路45は、対応する副画素49の下部電極75と電気的に接続されている。また、本実施形態においては、駆動制御回路60は、各点灯駆動回路45に配線を介して電気的に接続されている。
In the
点灯駆動回路45R、45G、45B、各配線、及び駆動制御回路60は、低密度画素48Bの各副画素49(より詳しくは自発光層76)よりも下方に設けられている。より詳しくは、駆動制御回路60は、点灯駆動回路45R、45G、45B及び各配線と同層に設けられている。ただし、駆動制御回路60は、点灯駆動回路45R、45G、45B及び各配線と別の層に設けられていてもよい。点灯駆動回路45R、45G、45B、駆動制御回路60、及び各配線は、低密度画素48Bの各副画素49(より詳しくは自発光層76)よりも下方に設けられていれば、絶縁層72に設けられていることに限られない。なお、図6Bは、第1副画素49Rのみを記載しているが、他の副画素49の断面も同じ形状である。
The
また、上述のように、低密度画素48Bの面積は、高密度画素48Aの面積と同一であるが、低密度領域54は、点灯駆動回路45Wが設けられていない。従って、低密度領域54は、点灯駆動回路45Wの分だけ、高密度領域52よりもスペースに余裕がある。駆動制御回路60は、低密度領域54中の、点灯駆動回路45Wが配置されずにスペースに余裕がある箇所に設けられる。
Further, as described above, the area of the
以上が、駆動制御回路60の配置である。なお、上述の自発光層76は、有機材料を含み、不図示のホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を含む。
The above is the arrangement of the
(ホール輸送層)
正孔を発生する層としては、例えば、芳香族アミン化合物と、その化合物に対して電子受容性を示す物質とを含む層を用いることが好ましい。ここで、芳香族アミン化合物とは、アリールアミン骨格を有する物質である。芳香族アミン化合物の中でも特に、トリフェニルアミンを骨格に含み、400以上の分子量を有するものが好ましい。また、トリフェニルアミンを骨格に有する芳香族アミン化合物の中でも特にナフチル基のような縮合芳香環を骨格に含むものが好ましい。トリフェニルアミンと縮合芳香環とを骨格に含む芳香族アミン化合物を用いることによって、発光素子の耐熱性が良くなる。芳香族アミン化合物の具体例としては、例えば、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:α−NPD)、4,4’−ビス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:TPD)、4,4’,4’’−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(略称:TDATA)、4,4’,4’’−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:MTDATA)、4,4’−ビス[N−{4−(N,N−ジ−m−トリルアミノ)フェニル}−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DNTPD)、1,3,5−トリス[N,N−ジ(m−トリル)アミノ]ベンゼン(略称:m−MTDAB)、4,4’,4’’−トリス(N−カルバゾリル)トリフェニルアミン(略称:TCTA)、2,3−ビス(4−ジフェニルアミノフェニル)キノキサリン(略称:TPAQn)、2,2’,3,3’−テトラキス(4−ジフェニルアミノフェニル)−6,6’−ビスキノキサリン(略称:D−TriPhAQn)、2,3−ビス{4−[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]フェニル}−ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:NPADiBzQn)等が挙げられる。また、芳香族アミン化合物に対して電子受容性を示す物質について特に限定はなく、例えば、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン(略称:TCNQ)、2,3,5,6−テトラフルオロ−7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン(略称:F4−TCNQ)等を用いることができる。
(Hall transport layer)
As the layer that generates holes, for example, a layer including an aromatic amine compound and a substance that exhibits an electron accepting property with respect to the compound is preferably used. Here, the aromatic amine compound is a substance having an arylamine skeleton. Among aromatic amine compounds, those containing triphenylamine in the skeleton and having a molecular weight of 400 or more are preferable. Among aromatic amine compounds having triphenylamine in the skeleton, those containing a condensed aromatic ring such as a naphthyl group in the skeleton are particularly preferable. By using an aromatic amine compound containing triphenylamine and a condensed aromatic ring in the skeleton, the heat resistance of the light-emitting element is improved. Specific examples of the aromatic amine compound include 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (abbreviation: α-NPD), 4,4′-bis [N— (3-methylphenyl) -N-phenylamino] biphenyl (abbreviation: TPD), 4,4 ′, 4 ″ -tris (N, N-diphenylamino) triphenylamine (abbreviation: TDATA), 4,4 ′ , 4 ″ -tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine (abbreviation: MTDATA), 4,4′-bis [N- {4- (N, N-di-m) -Tolylamino) phenyl} -N-phenylamino] biphenyl (abbreviation: DNTPD), 1,3,5-tris [N, N-di (m-tolyl) amino] benzene (abbreviation: m-MTDAB), 4,4 ', 4''-Tris (N-carbazoli ) Triphenylamine (abbreviation: TCTA), 2,3-bis (4-diphenylaminophenyl) quinoxaline (abbreviation: TPAQn), 2,2 ′, 3,3′-tetrakis (4-diphenylaminophenyl) -6, 6′-biskinoxaline (abbreviation: D-TriPhAQn), 2,3-bis {4- [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] phenyl} -dibenzo [f, h] quinoxaline (abbreviation: NPDiBzQn) Etc. There are no particular limitations on the substance that exhibits an electron accepting property with respect to the aromatic amine compound. For example, molybdenum oxide, vanadium oxide, 7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (abbreviation: TCNQ), 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane (abbreviation: F4-TCNQ) or the like can be used.
(電子注入層、電子輸送層)
電子輸送性物質について特に限定はなく、例えば、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq3)、トリス(4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Almq3)、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]−キノリナト)ベリリウム(略称:BeBq2)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)−4−フェニルフェノラト−アルミニウム(略称:BAlq)、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾオキサゾラト]亜鉛(略称:Zn(BOX)2)、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]亜鉛(略称:Zn(BTZ)2)等の金属錯体の他、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)、1,3−ビス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン(略称:OXD−7)、3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−フェニル−5−(4−ビフェニリル)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−(4−エチルフェニル)−5−(4−ビフェニリル)−1,2,4−トリアゾール(略称:p−EtTAZ)、バソフェナントロリン(略称:BPhen)、バソキュプロイン(略称:BCP)等を用いることができる。また、電子輸送性物質に対して電子供与性を示す物質について特に限定はなく、例えば、リチウム、セシウム等のアルカリ金属、マグネシウム、カルシウム等のアルカリ土類金属、エルビウム、イッテルビウム等の希土類金属等を用いることができる。また、リチウム酸化物(Li2O)、カルシウム酸化物(CaO)、ナトリウム酸化物(Na2O)、カリウム酸化物(K2O)、マグネシウム酸化物(MgO)等、アルカリ金属酸化物およびアルカリ土類金属酸化物の中から選ばれた物質を、電子輸送性物質に対して電子供与性を示す物質として用いても構わない。
(Electron injection layer, electron transport layer)
There is no particular limitation on the electron-transporting substance, and for example, tris (8-quinolinolato) aluminum (abbreviation: Alq 3 ), tris (4-methyl-8-quinolinolato) aluminum (abbreviation: Almq 3 ), bis (10-hydroxybenzo) [H] -quinolinato) beryllium (abbreviation: BeBq 2 ), bis (2-methyl-8-quinolinolato) -4-phenylphenolato-aluminum (abbreviation: BAlq), bis [2- (2-hydroxyphenyl) benzoxa Zolato] zinc (abbreviation: Zn (BOX) 2 ), bis [2- (2-hydroxyphenyl) benzothiazolate] zinc (abbreviation: Zn (BTZ) 2 ) and other metal complexes, as well as 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole (abbreviation: PBD), 1,3-bi [5- (p-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazol-2-yl] benzene (abbreviation: OXD-7), 3- (4-tert-butylphenyl) -4-phenyl -5- (4-biphenylyl) -1,2,4-triazole (abbreviation: TAZ), 3- (4-tert-butylphenyl) -4- (4-ethylphenyl) -5- (4-biphenylyl)- 1,2,4-triazole (abbreviation: p-EtTAZ), bathophenanthroline (abbreviation: BPhen), bathocuproine (abbreviation: BCP), or the like can be used. In addition, there is no particular limitation on a substance that exhibits an electron donating property with respect to an electron transporting substance. For example, alkaline metals such as lithium and cesium, alkaline earth metals such as magnesium and calcium, rare earth metals such as erbium and ytterbium, and the like Can be used. Further, lithium oxide (Li 2 O), calcium oxide (CaO), sodium oxide (Na 2 O), potassium oxide (K 2 O), magnesium oxide (MgO), alkali metal oxides and alkalis A substance selected from earth metal oxides may be used as a substance that exhibits an electron donating property with respect to an electron transporting substance.
(発光層)
例えば、赤色系の発光を得たいときには、4−ジシアノメチレン−2−イソプロピル−6−[2−(1,1,7,7−テトラメチルジュロリジン−9−イル)エテニル]−4H−ピラン(略称:DCJTI)、4−ジシアノメチレン−2−メチル−6−[2−(1,1,7,7−テトラメチルジュロリジン−9−イル)エテニル]−4H−ピラン(略称:DCJT)、4−ジシアノメチレン−2−tert−ブチル−6−[2−(1,1,7,7−テトラメチルジュロリジン−9−イル)エテニル]−4H−ピラン(略称:DCJTB)やペリフランテン、2,5−ジシアノ−1,4−ビス[2−(10−メトキシ−1,1,7,7−テトラメチルジュロリジン−9−イル)エテニル]ベンゼン等、600nmから680nmに発光スペクトルのピークを有する発光を呈する物質を用いることができる。また緑色系の発光を得たいときは、N,N’−ジメチルキナクリドン(略称:DMQd)、クマリン6やクマリン545T、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq3)等、500nmから550nmに発光スペクトルのピークを有する発光を呈する物質を用いることができる。また、青色系の発光を得たいときは、9,10−ビス(2−ナフチル)−tert−ブチルアントラセン(略称:t−BuDNA)、9,9’−ビアントリル、9,10−ジフェニルアントラセン(略称:DPA)、9,10−ビス(2−ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)−4−フェニルフェノラト−ガリウム(略称:BGaq)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)−4−フェニルフェノラト−アルミニウム(略称:BAlq)等、420nmから500nmに発光スペクトルのピークを有する発光を呈する物質を用いることができる。以上のように、蛍光を発光する物質の他、ビス[2−(3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)ピコリナート(略称:Ir(CF3ppy)2(pic))、ビス[2−(4,6−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:FIr(acac))、ビス[2−(4,6−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)ピコリナート(FIr(pic))、トリス(2−フェニルピリジナト−N,C2’)イリジウム(略称:Ir(ppy)3)等の燐光を発光する物質も発光物質として用いることができる。
(Light emitting layer)
For example, to obtain red light emission, 4-dicyanomethylene-2-isopropyl-6- [2- (1,1,7,7-tetramethyljulolidin-9-yl) ethenyl] -4H-pyran ( Abbreviation: DCJTI), 4-dicyanomethylene-2-methyl-6- [2- (1,1,7,7-tetramethyljulolidin-9-yl) ethenyl] -4H-pyran (abbreviation: DCJT), 4 -Dicyanomethylene-2-tert-butyl-6- [2- (1,1,7,7-tetramethyljulolidin-9-yl) ethenyl] -4H-pyran (abbreviation: DCJTB), periflanthene, 2,5 -Dicyano-1,4-bis [2- (10-methoxy-1,1,7,7-tetramethyljulolidin-9-yl) ethenyl] benzene, etc., emission spectrum from 600 nm to 680 nm It can be used and a substance which exhibits emission with a peak. When green light emission is desired, N, N′-dimethylquinacridone (abbreviation: DMQd), coumarin 6, coumarin 545T, tris (8-quinolinolato) aluminum (abbreviation: Alq3), etc., emission spectrum from 500 nm to 550 nm A substance exhibiting light emission having the following peak can be used. When blue light emission is desired, 9,10-bis (2-naphthyl) -tert-butylanthracene (abbreviation: t-BuDNA), 9,9′-bianthryl, 9,10-diphenylanthracene (abbreviation) : DPA), 9,10-bis (2-naphthyl) anthracene (abbreviation: DNA), bis (2-methyl-8-quinolinolato) -4-phenylphenolato-gallium (abbreviation: BGaq), bis (2-methyl) A substance exhibiting light emission having a peak of an emission spectrum from 420 nm to 500 nm, such as -8-quinolinolato) -4-phenylphenolato-aluminum (abbreviation: BAlq), can be used. As described above, in addition to a substance that emits fluorescence, bis [2- (3,5-bis (trifluoromethyl) phenyl) pyridinato-N, C2 ′] iridium (III) picolinate (abbreviation: Ir (CF3ppy) 2 (Pic)), bis [2- (4,6-difluorophenyl) pyridinato-N, C2 ′] iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: FIr (acac)), bis [2- (4,6-difluoro Phosphorescence such as phenyl) pyridinato-N, C2 ′] iridium (III) picolinate (FIr (pic)), tris (2-phenylpyridinato-N, C2 ′) iridium (abbreviation: Ir (ppy) 3 ), etc. The substance to be used can also be used as a luminescent substance.
(信号処理部の構成)
次に、信号処理部20の構成について説明する。信号処理部20は、制御装置11から入力される入力信号を処理して出力信号を生成する。信号処理部20は、赤色(第1色)、緑色(第2色)、青色(第3色)の色を組み合わせて表示させる入力信号の入力値を、赤色(第1色)、緑色(第2色)、青色(第3色)及び白色(第4色)で再現される拡大色空間(第1実施形態ではHSV色空間)の再現値(出力信号)に変換して生成する。そして、信号処理部20は、生成した出力信号を画像表示パネル駆動部30に出力する。拡大色空間については後述する。なお、第1実施形態において、拡大色空間はHSV色空間であるが、これに限られずXYZ色空間、YUV空間その他の座標系でもよい。
(Configuration of signal processor)
Next, the configuration of the
図7は、第1実施形態に係る信号処理部の構成を説明するブロック図である。図7に示すように、信号処理部20は、領域情報取得部21と、出力信号生成部22とを有する。領域情報取得部21は、画像表示パネル40中の全画素48のうち、どの画素48が高密度画素48Aであるかを記憶している。出力信号生成部22は、制御装置11から入力信号を取得し、領域情報取得部21からどの画素48が高密度画素48Aであるかの情報を取得する。出力信号生成部22は、高密度画素48Aの各副画素49に対応する入力信号について伸長処理を行って、出力信号を生成する。また、出力信号生成部22は、低密度画素48Bの各副画素49に対応する入力信号について通常処理を行って(伸長処理を行わず)、出力信号を生成する。出力信号の生成処理は、後述する。なお、領域情報取得部21は、どの画素48が低密度画素48Bであるかを記憶してもよい。
FIG. 7 is a block diagram illustrating the configuration of the signal processing unit according to the first embodiment. As illustrated in FIG. 7, the
(表示装置の処理動作)
次に、信号処理部20による処理動作について説明する。信号処理部20は、表示する画像の情報である入力信号が制御装置11から入力される。入力信号は、各画素に対して、その位置で表示する画像(色)の情報を入力信号として含んでいる。具体的には、第(p,q)番目の画素(但し、1≦p≦I,1≦q≦Q0)に対して、信号値がx1−(p,q)の第1副画素の入力信号、信号値がx2−(p,q)の第2副画素の入力信号、及び、信号値がx3−(p,q)の第3副画素の入力信号が含まれる信号が信号処理部20に入力される。最初に、信号処理部20は、領域情報取得部21が記憶している情報に基づき、高密度画素48Aに伸長処理を行い、低密度画素48Bに通常処理を行うことを決定する。
(Processing of display device)
Next, the processing operation by the
信号処理部20は、入力信号を処理することで、第1副画素49Rの表示階調を決定するための第1副画素の出力信号(信号値X1−(p,q))、第2副画素49Gの表示階調を決定するための第2副画素の出力信号(信号値X2−(p,q))、第3副画素49Bの表示階調を決定するための第3副画素の出力信号(信号値X3−(p,q))を生成し、画像表示パネル駆動部30に出力する。また、信号処理部20は、入力信号を処理することで、高密度画素48Aの第4副画素49Wの表示階調を決定するための第4副画素の出力信号(信号値X4−(p,q))を生成し、画像表示パネル駆動部30に出力する。以下、高密度画素48Aに対する出力信号の生成処理(伸長処理)を具体的に説明する。
The
図8Aは、本実施形態の表示装置で再現可能な再現HSV色空間の概念図である。図8Bは、再現HSV色空間の色相と彩度との関係を示す概念図である。表示装置10は、高密度画素48Aに第4色(白色)を出力する第4副画素49Wを備えることで、図8Aに示すように、再現される色空間(第1実施形態では、HSV色空間)における明度のダイナミックレンジが広げられている。つまり、図8Aに示すように、表示装置10が再現する拡大色空間は、第1副画素49R、第2副画素49G及び第3副画素49Bで表示できる円柱形状の色空間の上に、彩度が高くなるほど明度の最大値が低くなる、彩度軸と明度軸とを含む断面における形状が、斜辺が曲線となる略台形形状となる立体が載っている形状となる。第4色(白色)を加えることで拡大された拡大色空間(第1実施形態では、HSV色空間)における彩度Sを変数とした明度の最大値Vmax(S)が、信号処理部20に記憶されている。つまり、信号処理部20は、図8Aに示す拡大色空間の立体形状について、彩度と色相の座標(値)毎に明度の最大値Vmax(S)の値を記憶している。ここで、入力信号は、第1副画素49R、第2副画素49G及び第3副画素49Bの入力信号で構成されているため、入力信号の色空間は、円柱形状、つまり、拡大色空間の円柱形状部分と同じ形状となる。
FIG. 8A is a conceptual diagram of a reproduction HSV color space that can be reproduced by the display device of the present embodiment. FIG. 8B is a conceptual diagram showing the relationship between hue and saturation in the reproduction HSV color space. The
最初に、信号処理部20は、出力信号生成部22により、高密度画素48Aにおける副画素49の入力信号値に基づき、高密度画素48Aにおける彩度S及び明度V(S)を求め、伸長係数αを算出する。伸長係数αは、高密度画素48A毎に設定される。
First, the
ここで、彩度S及び明度V(S)は、S=(Max−Min)/Max及びV(S)=Maxで表される。彩度Sは0から1までの値をとることができ、明度V(S)は0から(2n−1)までの値をとることができ、nは表示階調ビット数である。また、Maxは、画素への第1副画素49Rの入力信号値、第2副画素49Gの入力信号値及び第3副画素49Bの入力信号値の3つの副画素の入力信号値の最大値である。Minは、画素への第1副画素49Rの入力信号値、第2副画素49Gの入力信号値及び第3副画素49Bの入力信号値の3つの副画素の入力信号値の最小値である。
Here, the saturation S and the lightness V (S) are represented by S = (Max−Min) / Max and V (S) = Max. The saturation S can take a value from 0 to 1, the lightness V (S) can take a value from 0 to (2 n −1), and n is the number of display gradation bits. In addition, Max is the maximum value of the input signal values of the three subpixels, that is, the input signal value of the
一般に、第(p,q)番目の画素において、円柱のHSV色空間における入力色の彩度(Saturation)S(p,q)、明度(Value)V(S)(p,q)は、第1副画素の入力信号(信号値x1−(p,q))、第2副画素の入力信号(信号値x2−(p,q))及び第3副画素の入力信号(信号値x3−(p,q))に基づき、次の式(1)及び式(2)より求めることができる。 In general, in the (p, q) -th pixel, the saturation (Saturation) S (p, q) and the lightness (Value) V (S) (p, q) of the input color in the cylindrical HSV color space are The input signal (signal value x 1- (p, q) ) of one subpixel, the input signal of the second subpixel (signal value x 2− (p, q) ), and the input signal (signal value x) of the third subpixel 3- (p, q) ) can be obtained from the following equations (1) and (2).
S(p,q)=(Max(p,q)−Min(p,q))/Max(p,q)・・・(1)
V(S)(p,q)=Max(p,q)・・・(2)
S (p, q) = (Max (p, q) −Min (p, q) ) / Max (p, q) (1)
V (S) (p, q) = Max (p, q) (2)
ここで、Max(p,q)は、(x1−(p,q)、x2−(p,q)、x3−(p,q))の3個の副画素49の入力信号値の最大値であり、Min(p,q)は、(x1−(p,q)、x2−(p,q)、x3−(p,q))の3個の副画素49の入力信号値の最小値である。 Here, Max (p, q) is an input signal value of three sub-pixels 49 of (x 1-(p, q) , x 2-(p, q) , x 3-(p, q) ). Min (p, q) is the value of three sub-pixels 49 of (x 1-(p, q) , x 2-(p, q) , x 3-(p, q) ). This is the minimum value of the input signal value.
出力信号生成部22は、高密度画素48Aについて、それぞれ伸長係数αを算出する。伸長係数αは、高密度画素48A毎に設定される。出力信号生成部22は、伸長係数αを、入力色の彩度Sに応じて値が変化するように算出する。より詳しくは、出力信号生成部22は、伸長係数αを、入力色の彩度Sが大きくなるに従って小さくなるように算出する。図8Cは、彩度と伸長係数との関係を示すグラフである。図8Cの横軸は、入力色の彩度Sであり、縦軸は伸長係数αである。出力信号生成部22は、図8Cの線分α1に示すように、彩度Sがゼロである場合に伸長係数αを2とし、彩度Sが大きくなるに従って伸長係数αを小さくし、彩度Sが1である場合に伸長係数αを1とする。また、図8Cの線分α1に示すように、伸長係数αは、彩度が大きくなるに従って、直線的に小さくなる。ただし、出力信号生成部22は、線分α1に従って伸長係数αを算出することに限られず、伸長係数αを、入力色の彩度Sが大きくなるに従って小さくなるように算出するものであればよい。例えば、出力信号生成部22は、図8Cの線分α2に示すように、彩度が大きくなるに従って、伸長係数αを二次曲線的に小さくするものであってもよい。また、彩度Sがゼロである場合の伸長係数αは、2に限られず、例えば第4副画素49Wの輝度に基づいた設定等により、任意に設定することができる。さらに、出力信号生成部22は、伸長係数αを、入力色の彩度によらず一定としてもよい。
The output signal generator 22 calculates the expansion coefficient α for each of the high-
伸長係数αを算出した後、出力信号生成部22は、第4副画素最小値Wを算出する。本実施形態では、出力信号生成部22は、第1副画素の入力信号(信号値x1−(p,q))、第2副画素の入力信号(信号値x2−(p,q))、及び第3副画素の入力信号(信号値x3−(p,q))と、伸長係数αと、補正値WR、WG、WBとに基づき、第4副画素最小値Wを算出する。補正値WR、WG、WBは、ターゲットとなるホワイトポイント(白色)を表示するための補正値である。ターゲットとなるホワイトポイントは、色温度D65、D93等を基準に予め設定されており、補正値WR、WG、WBも、予め設定される値である。より具体的には、出力信号生成部22は、次の式(3)に基づき、第4副画素最小値Wを算出する。 After calculating the expansion coefficient α, the output signal generation unit 22 calculates the fourth subpixel minimum value W. In the present embodiment, the output signal generation unit 22 includes an input signal (signal value x 1- (p, q) ) of the first subpixel and an input signal (signal value x 2− (p, q) ) of the second subpixel. ) And the third subpixel input signal (signal value x 3-(p, q) ), the expansion coefficient α, and the correction values W R , W G , and W B , the fourth sub pixel minimum value W Is calculated. Correction value W R, W G, W B is a correction value for displaying the white point as a target (white). White point as the target color temperature D65, etc. are previously set based on D93, the correction value W R, W G, also W B, which is preset values. More specifically, the output signal generation unit 22 calculates the fourth subpixel minimum value W based on the following equation (3).
W=Min(WR・x1−(p,q),WG・x2−(p,q),WB・x3−(p,q))・α ・・・(3) W = Min (W R · x 1- (p, q), W G · x 2- (p, q), W B · x 3- (p, q)) · α ··· (3)
すなわち、出力信号生成部22は、第1副画素の入力信号値x1−(p,q)と補正値WRとの積と、第2副画素の入力信号値x2−(p,q)と補正値WGとの積と、第3副画素の入力信号値x3−(p,q)と補正値WBとの積と、の内の最小値を算出し、その最小値と伸長係数αとの積を、第4副画素最小値Wとする。 That is, the output signal generation unit 22, the input signal value x 1- (p, q) of the first sub-pixel and the correction value W and the product of the R, the input signal value x 2-(p of the second subpixel, q ) and the product of the correction value W G, calculated and a third product of the input signal value x 3- (p subpixels, q) and the correction value W B, the minimum value of the minimum value The product of the expansion coefficient α is set as the fourth subpixel minimum value W.
次に、出力信号生成部22は、第4副画素最小値Wの値に基づき、第4副画素の出力信号値X4−(p,q)を算出する。具体的には、所定値βを以下の式(4)に示す値とするとき、出力信号生成部22は、第4副画素最小値Wが所定値β以上の値である場合、第4副画素の出力信号値X4−(p,q)を式(5A)に基づき算出する。 Next, the output signal generation unit 22 calculates the output signal value X 4− (p, q) of the fourth subpixel based on the value of the fourth subpixel minimum value W. Specifically, when the predetermined value β is a value represented by the following expression (4), the output signal generation unit 22 determines that the fourth subpixel minimum value W is equal to or greater than the predetermined value β. The pixel output signal value X 4- (p, q) is calculated based on the equation (5A).
β=Min(WR,WG・,WB)・χ ・・・(4)
X4−(p,q)=2n−1 ・・・(5A)
β = Min (W R, W G ·, W B) · χ ··· (4)
X 4− (p, q) = 2 n −1 (5A)
ここで、χは表示装置10に依存した定数である。白色を表示する第4副画素49Wには、カラーフィルタが配置されていない。第4色を表示する第4副画素49Wは、同じ光源点灯量で照射された場合、第1色を表示する第1副画素49R、第2色を表示する第2副画素49G、第3色を表示する第3副画素49Bよりも明るい。第1副画素49Rに第1副画素49Rの出力信号の最大信号値に相当する値を有する信号が入力され、第2副画素49Gに第2副画素49Gの出力信号の最大信号値に相当する値を有する信号が入力され、第3副画素49Bに第3副画素49Bの出力信号の最大信号値に相当する値を有する信号が入力されたときの、画素48又は画素48の群が備える第1副画素49R、第2副画素49G及び第3副画素49Bの集合体の輝度をBN1−3とする。また、画素48又は画素48の群が備える第4副画素49Wに、第4副画素49Wの出力信号の最大信号値に相当する値を有する信号が入力されたときの第4副画素49Wの輝度をBN4としたときを想定する。すなわち、第1副画素49R、第2副画素49G及び第3副画素49Bの集合体によって最大輝度の白色が表示され、この白色の輝度がBN1−3で表される。すると、χを表示装置10に依存した定数としたとき、定数χは、χ=BN4/BN1−3で表される。
Here, χ is a constant depending on the
具体的には、第1副画素49R、第2副画素49G及び第3副画素49Bの集合体に、次の表示階調の値を有する入力信号として、信号値x1−(p,q)=255、信号値x2−(p,q)=255、信号値x3−(p,q)=255が入力されたときにおける白色の輝度BN1−3に対して、第4副画素49Wに表示階調の値255を有する入力信号が入力されたと仮定したときの輝度BN4は、例えば、1.5倍である。すなわち、第1実施形態にあっては、χ=1.5である。
Specifically, a signal value x 1− (p, q) is input to an aggregate of the
また、第1実施形態ではn=8である。すなわち、表示階調ビット数を8ビット(表示階調の値を0から255の256階調)とした。 In the first embodiment, n = 8. That is, the number of display gradation bits is 8 bits (the display gradation value is 256 gradations from 0 to 255).
上述の式(4)に示すように、所定値βは、補正値WR、WG、WBの内の最小値とχとの積である。上述の式(5A)に示すように、出力信号生成部22は、第4副画素最小値Wが所定値β以上の値である場合、第4副画素の出力信号値X4−(p,q)を、最大階調値(本実施形態では255)とする。 As shown in the above equation (4), the predetermined value beta, the correction value W R, W G, the minimum value and the product of the χ of the W B. As shown in the above equation (5A), when the fourth subpixel minimum value W is equal to or larger than the predetermined value β, the output signal generation unit 22 outputs the output signal value X 4- (p, q) is the maximum gradation value (255 in this embodiment).
出力信号生成部22は、第4副画素最小値Wが所定値βより小さい値である場合、次の式(5B)に基づき第4副画素の出力信号値X4−(p,q)を算出する。 When the fourth subpixel minimum value W is smaller than the predetermined value β, the output signal generation unit 22 calculates the output signal value X 4- (p, q) of the fourth subpixel based on the following equation (5B). calculate.
X4−(p,q)=W/χ ・・・(5B) X 4- (p, q) = W / χ (5B)
出力信号生成部22は、以上のように、第4副画素の出力信号値X4−(p,q)を算出する。第4副画素の出力信号値X4−(p,q)を算出した後、出力信号生成部22は、少なくとも第1副画素の入力信号(信号値x1−(p,q))及び自身の高密度画素48Aの伸長係数αに基づいて、第1副画素の出力信号(信号値X1−(p,q))を算出する。また、出力信号生成部22は、少なくとも第2副画素の入力信号(信号値x2−(p,q))及び自身の高密度画素48Aの伸長係数αに基づいて第2副画素の出力信号(信号値X2−(p,q))を算出する。また、出力信号生成部22は、少なくとも第3副画素の入力信号(信号値x3−(p,q))及び自身の高密度画素48Aの伸長係数αに基づいて第3副画素の出力信号(信号値X3−(p,q))を算出する。
As described above, the output signal generation unit 22 calculates the output signal value X 4- (p, q) of the fourth subpixel. After calculating the output signal value X 4- (p, q) of the fourth subpixel, the output signal generation unit 22 outputs at least the input signal (signal value x 1- (p, q) ) of the first subpixel and itself. The output signal (signal value X 1- (p, q) ) of the first sub-pixel is calculated based on the expansion coefficient α of the high-
具体的には、出力信号生成部22は、第4副画素最小値Wが所定値β以上の値である場合、次の式(6A)、(7A)、(8A)に基づき、第1副画素の出力信号値X1−(p,q)、第2副画素の出力信号値X2−(p,q)及び第3副画素の出力信号値X3−(p,q)を算出する。 Specifically, when the fourth subpixel minimum value W is a value equal to or greater than the predetermined value β, the output signal generation unit 22 determines the first subpixel based on the following equations (6A), (7A), and (8A). The pixel output signal value X1- (p, q) , the second subpixel output signal value X2- (p, q), and the third subpixel output signal value X3- (p, q) are calculated. .
X1−(p,q)=(α・x1−(p,q)・WR−β)/WR・・・(6A)
X2−(p,q)=(α・x2−(p,q)・WG−β)/WG・・・(7A)
X3−(p,q)=(α・x3−(p,q)・WB−β)/WB・・・(8A)
X 1− (p, q) = (α · x 1− (p, q) · W R −β) / W R (6A)
X 2- (p, q) = (α · x 2- (p, q) · W G -β) / W G ··· (7A)
X 3- (p, q) = (α · x 3- (p, q) · W B -β) / W B ··· (8A)
また、出力信号生成部22は、第4副画素最小値Wが所定値βより小さい値である場合、次の式(6B)、(7B)、(8B)に基づき、第1副画素の出力信号値X1−(p,q)、第2副画素の出力信号値X2−(p,q)及び第3副画素の出力信号値X3−(p,q)を算出する。 When the fourth subpixel minimum value W is smaller than the predetermined value β, the output signal generation unit 22 outputs the first subpixel based on the following equations (6B), (7B), and (8B). signal value X 1- (p, q), the output signal value X 2- (p, q) of the second sub-pixel and the third output signal value X 3- (p, q) of the subpixel is calculated.
X1−(p,q)=(α・x1−(p,q)・WR−W)/WR・・・(6B)
X2−(p,q)=(α・x2−(p,q)・WG−W)/WG・・・(7B)
X3−(p,q)=(α・x3−(p,q)・WB−W)/WB・・・(8B)
X 1− (p, q) = (α · x 1− (p, q) · W R −W) / W R (6B)
X 2- (p, q) = (α · x 2- (p, q) · W G -W) / W G ··· (7B)
X 3- (p, q) = (α · x 3- (p, q) · W B -W) / W B ··· (8B)
このように、信号処理部20は、以上説明した伸長処理により、高密度画素48Aの各副画素49の出力信号を生成する。次に、第(p,q)番目の高密度画素48Aにおける出力信号である信号値X1−(p,q)、X2−(p,q)、X3−(p,q)、X4−(p,q)の求め方(伸長処理)のまとめを説明する。次の処理は、(第1副画素49R+第4副画素49W)によって表示される第1原色の輝度、(第2副画素49G+第4副画素49W)によって表示される第2原色の輝度、(第3副画素49B+第4副画素49W)によって表示される第3原色の輝度の比を保つように行われる。しかも、色調を保持(維持)するように行われる。さらには、階調−輝度特性(ガンマ特性、γ特性)を保持(維持)するように行われる。また、いずれかの画素48又は画素48の群において、入力信号値のすべてが0である場合又は小さい場合、このような画素48又は画素48の群を含めることなく、伸長係数αを求めればよい。
As described above, the
(第1工程)
まず、信号処理部20は、複数の高密度画素48Aにおける副画素49の入力信号値に基づき、これらの複数の高密度画素48Aにおける彩度S及び明度Vを求め、高密度画素48A毎に伸長係数αを算出する。
(First step)
First, the
(第2工程)
次いで、信号処理部20は、上述の式(3)に基づき、第4副画素最小値Wを算出する。
(Second step)
Next, the
(第3工程)
信号処理部20は、第4副画素最小値Wの値に基づき、第4副画素の出力信号値X4−(p,q)を算出する。具体的には、信号処理部20は、第4副画素最小値Wが所定値β以上の値である場合、式(5A)に示すように、出力信号値X4−(p,q)を最大階調値(ここでは255)とする。また、信号処理部20は、第4副画素最小値Wが所定値βより小さい値である場合、式(5B)に示すように、出力信号値X4−(p,q)をW/χとする。
(Third step)
The
(第4工程)
その後、信号処理部20は、第4副画素最小値Wが所定値β以上の値である場合、式(6A)、(7A)、(8A)に基づき、第1副画素の出力信号値X1−(p,q)、第2副画素の出力信号値X2−(p,q)及び第3副画素の出力信号値X3−(p,q)を算出する。また、信号処理部20は、第4副画素最小値Wが所定値βより小さい値である場合、式(6B)、(7B)、(8B)に基づき、第1副画素の出力信号値X1−(p,q)、第2副画素の出力信号値X2−(p,q)及び第3副画素の出力信号値X3−(p,q)を算出する。
(4th process)
Thereafter, when the fourth subpixel minimum value W is a value equal to or greater than the predetermined value β, the
信号処理部20は、以上の工程で伸長処理を行い、高密度画素48Aの各副画素49の出力信号を生成する。
The
次に、通常処理による低密度画素48Bの出力信号の生成について説明する。通常処理は、低密度画素48Bの第1副画素49R、第2副画素49G及び第3副画素49Bの入力信号値を、そのまま第1副画素49R、第2副画素49G及び第3副画素49Bの出力信号値とする処理である。すなわち、通常処理では、第1副画素49Rの出力信号値X1−(p,q)の値は、第1副画素49Rの入力信号値x1−(p,q)の値のままであり、第2副画素49Gの出力信号値X2−(p,q)の値は、第2副画素49Gの入力信号値x2−(p,q)の値のままであり、第3副画素49Bの出力信号値X3−(p,q)の値は、第3副画素49Bの入力信号値x3−(p,q)の値のままである。
Next, generation of an output signal of the
以上説明したように、第1実施形態に係る表示装置10は、自発光層76を有する副画素49を複数有する画素48が2次元マトリクス状に配列されている。すなわち、表示装置10は、自発光型の表示装置である。そして、表示装置10は、低密度画素48Bを有する低密度領域54と、高密度画素48Aを有する高密度領域52と、自発光層76を点灯させる点灯駆動回路45と、を有する。高密度画素48Aは、副画素49の数が低密度画素48Bより多い。
As described above, in the
高密度画素48Aは、低密度画素48Bよりも、副画素49の数が多い。従って、高密度領域52の配線数は、低密度領域54よりも多くなる。一方、この表示装置10は、自発光型のディスプレイであるため、背面から光を照射することなく、副画素自身が発光することにより、画像を表示する。そのため、この表示装置10は、配線により光が遮断されないため、高密度領域52の開口率の低下を抑制し、高密度領域52と低密度領域54との開口率の差を小さくすることができる。さらに詳しく説明すると、ここでの開口率とは、1つの副画素48の開口面積ということができる。従って、例えばバックライト型の液晶表示装置の場合、配線数の多い高密度画素48A内の副画素49は、配線によって遮断される面積が大きくなり、低密度画素48B内の副画素49よりも、開口面積が低下する。また、上述のように、高密度画素48A内の副画素49の面積は、低密度画素48B内の副画素49の面積より小さい。従って、高密度画素48A内と低密度画素48Bとの副画素49同士の開口面積の差は、さらに大きくなる場合がある。しかし、この表示装置10は、配線により光が遮断されないため、配線数の多い高密度画素48Aと低密度画素48Bとの副画素49同士の開口面積(開口率)の差が大きくなることを抑制することができる。従って、この表示装置10は、領域毎に画像の明るさが異なることを抑制し、画質の劣化を抑制する。また、この表示装置10は、自発光型のディスプレイであるため、画質の劣化の抑制に伴い、寿命の短縮も抑制することができる。また、この表示装置10は、低密度画素48Bを含むため、全ての画素48が高密度画素48Aである表示装置10に比べて、配線数を少なくして画像表示面の周囲の領域が広くなることを抑制することができる。
The
また、副画素49は、副画素49を駆動するための信号が配線(走査線SCL、信号線DTL及び電源線PCL)を介して入力される。この配線は、画像表示面50に対して、自発光層76よりも下方に設けられている。従って、この表示装置10は、自発光層76から外部へ向かう光は、配線に向かわない。そのため、この表示装置10は、配線により光が遮断されることをより好適に抑制し、画質の劣化をより好適に抑制する。
Further, the sub-pixel 49 receives signals for driving the sub-pixel 49 via wiring (scanning line SCL, signal line DTL, and power supply line PCL). The wiring is provided below the self-
また、低密度領域54には、点灯駆動回路45の駆動を制御するための駆動制御回路60が設けられている。そして、高密度領域52には、駆動制御回路60が設けられていない。低密度画素48Bは、副画素49の数が高密度画素48Aよりも少ない。従って、低密度領域54は、副画素49を駆動させるための配線や点灯駆動回路等が、高密度領域52よりも少ない。言い換えれば、低密度領域54は、高密度領域52によりもスペースに余裕がある。本実施形態に係る表示装置10は、従来画像表示面50に配置できなかった駆動制御回路60を、画像表示が可能な低密度領域54に配置する。従って、本実施形態に係る表示装置10は、画像表示パネル40のなかで、画像表示面50が占める割合を大きくすることができ、相対的に画像表示面50を大きくすることができる。
The
また、駆動制御回路60は、画像表示面50に対して、自発光層76よりも下方に設けられている。従って、表示装置10は、駆動制御回路60により光が遮断されることを抑制し、画質の劣化を抑制しつつ、相対的に画像表示面50を大きくすることができる。また、本実施形態において、駆動制御回路60は、自発光層76を点灯させるために副画素49を順番に選択する走査回路32を有している。この表示装置は、走査回路32を低密度領域54に配置させることができるため、相対的に画像表示面50を大きくすることができる。なお、本実施形態では、駆動制御回路60は走査回路32及び電源回路33であったが、駆動制御回路60は、点灯駆動回路45とは別の回路であり、かつ画像表示パネル40の駆動を制御するものであれば、任意に選択することができる。
The
また、高密度領域52は、画像表示面50の中央に設けられており、低密度領域54は、画像表示面50内であって、高密度領域52の両端部に設けられている。低密度領域54は、高密度領域52の両端部に設けられているので、表示装置10は、低密度領域54に設けられた駆動制御回路60により、高密度領域52及び低密度領域54中の副画素49を適切に制御することができる。なお、低密度領域54の位置は、これに限られず任意である。例えば低密度領域54は、高密度領域52の一方の端部にのみ設けられていてもよい。すなわち、低密度領域54は、例えば、低密度領域54Aのみで、低密度領域54Bを有さなくてもよい。
The
また、画像表示面50は、X方向(所定の方向)に沿って、画像表示パネル40の全域を占める。すなわち、画像表示パネル40は、X方向の両端が画像表示面50であり、X方向の両端に画像を表示しない枠部を有さない。画像表示面50は、この表示装置10は、例えば複数の画像表示パネル40を並べて1つの画像を表示するタイルドディスプレイにおいて、X方向における画像の境界が認識されることを抑制し、視認性を向上させることができる。なお、本実施形態では、X方向は行方向でY方向は列方向であったが、X方向及びY方向は任意な方向であってよく、例えば、X方向が列方向でY方向が行方向であってもよい。
The
(第2実施形態)
次に、第2実施形態について説明する。第2実施形態に係る表示装置10aは、画像表示面がX方向において画像表示パネル40の全域を占めていない点で、第1実施形態とは異なる。第2実施形態の第1実施形態と共通する箇所については、説明を省略する。
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment will be described. The
図9は、第2実施形態に係る画像表示パネルの構成を模式的に示す模式図である。図9に示すように、表示装置10aの有する画像表示パネル40aは、画像表示面50aと、枠部43A、43Bを有する。画像表示面50aは、X方向において、画像表示パネル40aの中央に位置しており、枠部43A、43Bは、それぞれX方向における画像表示面50aの両端部に隣接して設けられている。画像表示面50aは、第1実施形態と同様に、高密度領域52aと、低密度領域54Aa、54Baとを有する。
FIG. 9 is a schematic diagram schematically showing the configuration of the image display panel according to the second embodiment. As shown in FIG. 9, the image display panel 40a included in the
枠部43A、43Bは、画素48を有さず画像を表示しない箇所である。枠部43A、43Bは、例えば画像表示パネル40の表面と異なる材料によって覆われていてもよいし、画像表示パネル40の表面と同じ材料であって、ブラックマトリックスで遮光されていてもよい。枠部43A、43Bの内部には、走査回路32a及び電源回路33が組み込まれている。ここで、走査回路32aは、第1実施形態に係る走査回路32から、ラインバッファ部35を除いた回路である。すなわち、走査回路32aは、シフトレジスタ部34を有する。
The
低密度領域54aは、駆動制御回路60として、ラインバッファ部35を有する。駆動制御回路60としてのラインバッファ部35の配置は、第1実施形態と同様であり、低密度画素48Bの各副画素49(より詳しくは自発光層76)よりも下方に設けられている。なお、低密度領域54aは、画像表示パネル40の駆動を制御するものであれば、ラインバッファ部35以外の任意の回路を有していてもよい。
The low density region 54 a includes a
以上第2実施形態で示したように、画像表示面50aは、X方向において画像表示パネル40の全域を占めていなくてもよい。また、低密度領域54a(低密度領域54Aa、54Ba)は、例えば走査回路32の一部であるラインバッファ部35を有するなど、画像表示パネル40の駆動を制御するものであれば任意の回路を有していてもよい。
As described above in the second embodiment, the image display surface 50a may not occupy the entire area of the
(第3実施形態)
次に、第3実施形態について説明する。第3実施形態に係る表示装置10bは、低密度領域の位置、及び低密度領域に回路を有していない点で、第2実施形態とは異なる。第3実施形態の第2実施形態と共通する箇所については、説明を省略する。
(Third embodiment)
Next, a third embodiment will be described. The
図10は、第3実施形態に係る画像表示パネルの構成を模式的に示す模式図である。図10に示すように、表示装置10bの有する画像表示パネル40bは、画像表示面50bと、枠部43Ab、43Bbとを有する。画像表示面50bは、X方向において、画像表示パネル40bの中央に位置しており、枠部43Ab、43Bbは、それぞれX方向における画像表示面50bの両端部に隣接して設けられている。
FIG. 10 is a schematic diagram schematically showing the configuration of the image display panel according to the third embodiment. As shown in FIG. 10, the image display panel 40b included in the
枠部43Ab、43Bbの内部には、走査回路32及び電源回路33が組み込まれている。すなわち、第3実施形態に係る枠部43Ab、43Bbは、第2実施形態とは異なり、ラインバッファ部35も有している。
A
画像表示面50bは、高密度領域52bと、低密度領域54Ab、54Bbとに区分されている。高密度領域52bは、X方向及びY方向における画像表示面50の中央に位置している。低密度領域54Ab、54Bbは、それぞれ高密度領域52bのY方向における両端部に位置し、高密度領域52bに隣接している。具体的には、高密度領域52bは矩形である。低密度領域54Abは、高密度領域52bのY方向側の一方の辺に、その一方の辺の一方の端部から他方の端部まで、X方向に沿って隣接している。低密度領域54Bbは、高密度領域52のY方向側の他方の辺に、その他方の辺の一方の端部から他方の端部まで、X方向に沿って隣接している。低密度領域54b(低密度領域54Ab、54Bb)は、第2実施形態とは異なり、駆動制御回路60を有していない。
The
図11は、第3実施形態における低密度領域及び高密度領域における回路の配線を模式的に説明する説明図である。図11に示すように、低密度領域54bは、各配線(信号線DTL、走査線SCL)及び低密度画素48Bを有する。低密度領域54bには、駆動制御回路60は配置されていない。また、高密度領域52bは、各配線(信号線DTL、走査線SCL)及び高密度画素48Aを有する。
FIG. 11 is an explanatory diagram schematically illustrating circuit wiring in the low density region and the high density region in the third embodiment. As illustrated in FIG. 11, the
このように、低密度領域54bは、低密度画素48Bを有するものであれば、駆動制御回路60を有していなくてもよい。このような場合においても、表示装置10bは、配線により光が遮断されないため、高密度領域52bの開口率の低下を抑制し、画質の劣化を抑制することができる。表示装置10bは、例えばスマートフォンに適用されることが好ましい。例えばスマートフォンにおいて、画像表示面50bにおける低密度領域54bは、時刻や電池消費量を示すステータスバー等が表示される。これらの表示は、一般的に、固定されたパターンやアイコンを長時間表示するものである。従って、このような固定された表示がなされる低密度領域54bでは、一定値の電流が流れ続けるなどの理由により、画素の劣化が進みやすく、画素の寿命が短くなるおそれがある。ここで、高開口率の低密度画素48Bは、同じ輝度で照射する場合の駆動時の消費電流を、低開口率の画素よりも低く抑えることができる。従って、高開口率の低密度画素48Bは、消費電流を少なくすることができ、高寿命であるということができる。表示装置10bは、画素の寿命が短くなる低密度領域54bに、高寿命の低密度画素48Bを適用している。そのため、表示装置10bは、寿命の低下を抑制することが可能となる。
Thus, the
なお、本実施形態においては、低密度領域54bは、Y方向における両端部に位置しているが、さらに、X方向における両端部にも配置されていてもよい。この場合、X方向における両端部に配置された低密度領域54bには、第1実施形態と同様に、駆動制御回路60が設置される。このような構成によると、Y方向における両端部に位置した低密度領域54bにより、上述のように寿命の低下を抑制しつつ、X方向における両端部に配置された低密度領域54bにより、相対的に画像表示面50を大きくする(画像表示面の周囲の領域が広くなることを抑制する)ことが可能となる。
In the present embodiment, the
(第4実施形態)
次に、第4実施形態について説明する。第4実施形態に係る表示装置10cは、低密度領域の配置、及び低密度領域にセンサが配置されている点で、第3実施形態とは異なる。第4実施形態の第3実施形態と共通する箇所については、説明を省略する。
(Fourth embodiment)
Next, a fourth embodiment will be described. The
図12は、第4実施形態に係る画像表示パネルの構成を模式的に示す模式図である。図12に示すように、表示装置10cが有する画像表示パネル40cは、枠部41、42、43Ab、43Bb、及び画像表示面50cを有する。画像表示面50cの配置は、第3実施形態の画像表示面50bと同じである。
FIG. 12 is a schematic diagram schematically showing the configuration of the image display panel according to the fourth embodiment. As shown in FIG. 12, the
図12に示すように、画像表示パネル40cは、高密度領域52cと、低密度領域54cとを有する。低密度領域54cは、高密度領域52c内に配置されている。さらに詳しくは、高密度領域52cは、画像表示面50cの全域にわたって配置されており、枠部41、42、43Ab、43Bbと隣接する。低密度領域54cは、高密度領域52c中に所定の距離をおいて複数設けられており、高密度領域52c中を点在している。ただし、低密度領域54cは、高密度領域52c内に配置されているものであれば、その領域の形状、面積及び個数は任意である。
As shown in FIG. 12, the
図13は、第4実施形態に係る低密度画素の副画素配列を示す図である。低密度領域54cが有する低密度画素48Bcは、副画素49の配列が第3実施形態とは異なる。図13に示すように、第4実施形態に係る低密度画素48Bcは、第1行目に、第1副画素49Rと第3副画素49Bとが隣接して配置されている。また、低密度画素48Bcは、第2行目に、第2副画素49Gが配置されている。第2副画素49Gは、第1副画素49R及び第3副画素49Bよりも面積が大きく、列方向(Y方向)において第1副画素49R及び第3副画素49Bに隣接している。低密度画素48Bcの副画素49の配列は、この配列に限られず、任意である。例えば、低密度画素48Bcは、第1実施形態に係る低密度画素48Bと同じ副画素配列であってもよい。
FIG. 13 is a diagram illustrating a sub-pixel arrangement of low-density pixels according to the fourth embodiment. The low density pixel 48Bc included in the
低密度領域54cは、それぞれが駆動制御回路60cを有する。図14は、第4実施形態における低密度領域及び高密度領域における回路の配線を模式的に説明する説明図である。図14は、低密度領域54cが、1つの低密度画素48Bcを有している例を示している。図14に示すように、高密度領域52cは、各配線(信号線DTL、走査線SCL)及び高密度画素48Aを有する。また、低密度領域54cは、低密度画素48Bcと、駆動制御回路60cとを有する。駆動制御回路60cは、配線SL1、SL2と、センサ62とを有する。駆動制御回路60c(配線SL1、SL2と、センサ62)は、第1実施形態に係る駆動制御回路60と同様に配置されており、低密度画素48Bcの各副画素49(より詳しくは自発光層76)よりも下方に設けられている。
Each of the
図15は、本実施形態に係る駆動制御回路の構成を模式的に示す回路図である。駆動制御回路60cは、センサ62により、周囲の副画素49の自発光層76の劣化を検出する回路である。図15に示すように、本実施形態において、センサ62は、副画素49の有機発光ダイオードE1の発光を検出するフォトダイオードである。センサ62は、発光ダイオードE1の発光量に応じた大きさの電流を発生させる。配線SL1は、信号処理部20cが有するセンサ情報取得部24と接続されている。配線SL2は、配線SL1に設けられたスイッチのオンとオフとを切り替える。なお、図14では、配線SL1は、信号線DTLに沿って設けられており、配線SL2は、走査線SCLに沿って設けられているが、配線SL1、SL2の取り回しは任意である。
FIG. 15 is a circuit diagram schematically showing the configuration of the drive control circuit according to the present embodiment. The
センサ62からの電流は、配線SL1を介してセンサ情報取得部24に出力される。信号処理部20cは、センサ情報取得部24に入力されたセンサ62からの電流量に基づき、センサ62の周囲の副画素49の有機発光ダイオードE1の劣化度合いを算出する。信号処理部20cは、有機発光ダイオードE1の劣化度合いの算出結果から、例えば出力信号の信号値を大きくするなどの補正処理を行って、出力信号を生成する。以下、この処理を具体的に説明する。
The current from the
図16は、第4実施形態に係る信号処理部の構成を模式的に説明するブロック図である。図16に示すように、信号処理部20cは、出力信号生成部22cと、センサ情報取得部24と、センサ情報解析部25とを有する。センサ情報取得部24は、センサ62から、発光ダイオードE1の発光量に応じた大きさの電流を取得する。センサ情報解析部25は、センサ情報取得部24が取得した電流値を解析して、センサ62の周囲の副画素49の有機発光ダイオードE1の劣化度合いを算出する。例えば、センサ情報解析部25は、電流値の積算値を算出し、その積算値から有機発光ダイオードE1の劣化度合いを算出する。出力信号生成部22cは、センサ情報解析部25から有機発光ダイオードE1の劣化度合いの情報を取得する。出力信号生成部22cは、有機発光ダイオードE1の劣化度合いの情報に基づき、出力信号に補正処理を行って、画像表示パネル駆動部30に出力する。例えば、出力信号生成部22cは、有機発光ダイオードE1の劣化度合いに応じて出力信号を大きくする補正処理を行う。これにより、表示装置10cは、例えば有機発光ダイオードE1の劣化に起因した焼き付き現象を抑制し、画質の劣化を抑制することができる。
FIG. 16 is a block diagram schematically illustrating the configuration of the signal processing unit according to the fourth embodiment. As illustrated in FIG. 16, the
以上説明したように、第4実施形態に係る表示装置10cは、低密度領域54cが、高密度領域52内に点在して設けられている。また、低密度領域54c中の駆動制御回路60cは、周囲の副画素49の有機発光ダイオードE1の劣化を検出するセンサ62を有する。表示装置10cは、このセンサ62によって有機発光ダイオードE1の劣化度合いを検出することにより、例えば有機発光ダイオードE1の劣化に起因した焼き付き現象を抑制し、画質の劣化を抑制することができる。
As described above, in the
なお、駆動制御回路60cは、有機発光ダイオードE1の劣化度合いを検出するものであれば、以上説明した構成に限られず、例えば図17に示すような構成であってもよい。図17は、本実施形態の他の例に係る駆動制御回路の構成を模式的に示す回路図である。図17に示すように、本実施形態の他の例に係る駆動制御回路60cは、有機発光ダイオードE1に入力される電圧を検出し、その電圧値により、有機発光ダイオードE1の劣化度合いを検出するものである。図17に示すように、センサ62は、トランジスタであり、ソースが駆動用トランジスタTr2のドレインと接続されている。また、センサ62のドレインは、配線SL1に接続されている。センサ62のゲートは、配線SL2に接続されている。センサ62は、駆動用トランジスタTr2から有機発光ダイオードE1に出力される電圧を増幅し、配線SL1を介してセンサ情報取得部24に出力する。センサ情報解析部25は、電圧値の積算値を算出し、その積算値から有機発光ダイオードE1の劣化度合いを算出する。
The
また、駆動制御回路60cは、画像表示パネルの駆動を制御するためのセンサを有していれば、有機発光ダイオードE1の劣化を検出するセンサ62を有していなくてもよい。駆動制御回路60cは、センサ62の代わりに、例えば、タッチ検出センサまたは物体近接検出センサであってもよく、この場合、表示装置10cは、いわゆるインセルタイプ(タッチ検出装置が組み込まれた)の表示装置となる。また、駆動制御回路60cは、例えば外光強度を検出するセンサを有していてもよく、この場合、検出した外光強度に基づき、出力信号の信号値を補正することができる。例えば、表示装置10cは、外光強度が所定の値以上である場合に出力信号を所定値だけ大きくし、さらに外光強度が所定の値から大きくなるにつれて、出力信号の上昇率を大きくする。また、駆動制御回路60cは、センサ62の代わりに、副画素49の画像出力信号を一時記憶するピクセルメモリを有していてもよい。この場合、表示装置10cは、ピクセルメモリにより、静止画像の表示に対する消費電力を削減することができる。
The
また、第4実施形態に係る表示装置10cは、低密度領域54cが、高密度領域52c中に所定の距離をおいて複数設けられており、高密度領域52c中を点在している。ただし、低密度領域54cは、高密度領域52c中に配置されるものであれば、その配置は任意である。図18は、第4実施形態の他の例に係る画像表示パネルの構成を模式的に示す模式図である。図18に示すように、低密度領域54cは、X方向に沿って延在する帯状の領域55cがY方向に複数配列し、Y方向に沿って延在する帯状の領域56cがX方向に複数延在し、領域55cと領域56cとが互いに交差する形状の領域であってもよい。
In the
また、第4実施形態において、センサ62は、低密度画素48Bcの各副画素49(より詳しくは自発光層76)よりも下方に設けられているが、例えば、センサ62は、低密度画素48Bcの各副画素49と同じ層、又は上方に設けられていてもよい。図19は、第4実施形態の他の例に係る低密度領域及び高密度領域における回路の配線を模式的に説明する説明図である。図19に示すように、この例では、センサ62は、低密度画素48Bcの各副画素49と同じ層に設けられているが、他の位置関係は、図14と同様である。
In the fourth embodiment, the
センサ62が低密度画素48Bcの各副画素49と同じ層に設けられている場合、低密度画素48Bcの副画素配列は、図13に示したものと異なる。図20は、第4実施形態の他の例に係る低密度画素の副画素配列を示す図である。図20は、センサ62が低密度画素48Bcの各副画素49と同じ層に設けられている場合の低密度画素48Bcの副画素配列を示している。図20に示すように、この場合、低密度画素48Bcは、第1行目に、第1副画素49Rと第3副画素49Bとが隣接して配置されている。また、低密度画素48Bcは、第2行目に、第2副画素49Gが配置されている。第2副画素49Gは、第1副画素49R及び第3副画素49Bと略同一の面積であり、列方向(Y方向)において第1副画素49Rに隣接している。第2副画素49Gは、第3副画素49Bには隣接していない。センサ62は、第2副画素49GとX方向において隣接して設けられている。また、センサ62は、第3副画素49BとY方向に隣接して設けられている。ただし、センサ62が低密度画素48Bcの各副画素49と同じ層に設けられている場合の低密度画素48Bcの副画素配列は、この例に限られず任意である。
When the
センサ62が低密度画素48Bcの各副画素49より下方に設けられる構成の場合、センサ62は、例えば図15及び図17で示した有機発光ダイオードE1の劣化を検出するセンサ、又はフォトセンサ等であることが好ましい。また、センサ62の代わりに、例えばピクセルメモリを設けてもよい。すなわち、センサ62が低密度画素48Bcの各副画素49より下方に設けられる構成の場合、センサ62は、上方が非透明部材で覆われていても、機能に影響がないものであることが好ましい。
In the case where the
センサ62が低密度画素48Bcの各副画素49と同層に設けられる構成の場合、センサ62は、タッチ検出センサ、物体近接検出センサ、又は外光強度検出センサであることが好ましい。すなわち、センサ62が低密度画素48Bcの各副画素49と同層の場合、センサ62が外部に対して露出している(上方が電極などの非透明部材で覆われておらず、例えばITOなどの透明部材で覆われている)ので、これらのセンサ62は、適切に外部からの入力を検出することができる。
In the case where the
(第1変形例)
次に、第1実施形態の第1変形例について説明する。第1変形例の表示装置10dは、低密度画素の副画素の配列が、第1実施形態とは異なる。第1変形例の第1実施形態と共通する箇所については、説明を省略する。
(First modification)
Next, a first modification of the first embodiment will be described. The
図21Aは、第1変形例に係る高密度画素の副画素配列を示す図である。図21Aに示すように、第1変形例に係る高密度画素48Aの副画素配列は、第1実施形態(図4A参照)と同様である。以下の説明のため、高密度画素48Aが2行2列で配列した4つの高密度画素48Aの画素群を、高密度画素群47Aとする。
FIG. 21A is a diagram showing a sub-pixel arrangement of high-density pixels according to the first modification. As shown in FIG. 21A, the sub-pixel arrangement of the high-
図21Bは、第1変形例に係る低密度画素の副画素配列を示す図である。図21Bに示すように、第1変形例に係る低密度領域54dは、低密度画素48B1dと低密度画素48B2dとが2行2列で配列した低密度画素群47Bdが、2次元マトリクス状に配列している。低密度画素群47Bdは、第1行の第1列に低密度画素48B1dを有し、第1行の第2列に低密度画素48B2dを有し、第2行の第1列に低密度画素48B2dを有し、第2行の第2列に低密度画素48B1dを有する。
FIG. 21B is a diagram showing a sub-pixel arrangement of low density pixels according to the first modification. As shown in FIG. 21B, in the
低密度画素48B1dは、第1副画素49Rと第2副画素49GとがX方向に沿ってストライプ状に配列している。低密度画素48B2dは、第3副画素49Bと第2副画素49GとがX方向に沿ってストライプ状に配列している。第1変形例において、低密度画素が有する副画素の数は、第1実施形態よりも少ないため、第1変形例の低密度画素の各副画素49の面積は、第1実施形態に係る低密度画素の各副画素49(図4B参照)の面積より大きい。
In the low density pixel 48B1d, the
ここで、第1変形例の各低密度画素は、第1副画素49R又は第3副画素49Bを間引かれている。そのため、低密度画素群47Bdは、第1副画素49R及び第3副画素49Bの数が高密度画素群47Aよりも少ない。従って、第1変形例においては、低密度領域54dにおける解像度が、高密度領域52よりも低下する(画質が荒くなる)。この場合、低密度領域54dと高密度領域52との境界が視認され、画質の劣化が視認されるおそれがある。第1変形例に係る表示装置10dは、信号処理部20dにより、低密度領域54dにおける解像度を疑似的に高密度領域52に近づけるため、サブピクセルレンダリング処理(以下、レンダリング処理と記載する)及びスムージング処理を実行する。以下具体的に説明する。
Here, each low-density pixel of the first modification is thinned out of the
図22は、第1変形例に係る信号処理部の構成を示すブロック図である。図22に示すように、信号処理部20dは、領域情報取得部21dと、出力信号生成部22dと、処理決定部26と、レンダリング処理部27と、スムージング処理部28とを有する。
FIG. 22 is a block diagram illustrating a configuration of a signal processing unit according to the first modification. As illustrated in FIG. 22, the signal processing unit 20 d includes a region
領域情報取得部21dは、どの画素48が高密度画素48Aであるかの情報に加え、どの画素48が境界領域57に含まれる画素であるかの情報を記憶している。図23は、第1変形例に係る画像表示パネルの構成を模式的に示す模式図である。境界領域57は、高密度領域52dの一部の領域であって、低密度領域54dに隣接する領域である。具体的には、図23に示すように、境界領域57Aは、高密度領域52dの一部の領域であって、低密度領域54Adに隣接する領域である。境界領域57Bは、高密度領域52dの一部の領域であって、低密度領域54Bdに隣接する領域である。高密度領域52dは、境界領域57Aと境界領域57Bとの間に、領域58を有する。境界領域57A、57Bの面積及び形状と、含まれる高密度画素48Aの数は任意であるが、予め領域情報取得部21dに記憶されている。なお、境界領域57A、57Bは、領域58より面積が小さいことが好ましい。
The area
処理決定部26は、領域情報取得部21dから、どの画素48が高密度画素48Aであるかの情報と、どの画素48が境界領域57に含まれる画素であるかの情報とを取得し、画像表示パネル40dの全ての画素48を、低密度画素48Bdであるか、境界領域57中の高密度画素48Aであるか、領域58中の高密度画素48Aであるかを分類し、それぞれの画素に対する入力信号に、異なる処理を実行して出力信号を生成することを決定する。具体的には、処理決定部26は、低密度画素48Bdにレンダリング処理を行い、境界領域57中の高密度画素48Aにスムージング処理を行い、領域58中の高密度画素48Aに伸長処理を行うことを決定する。処理決定部26は、レンダリング処理を行う低密度画素48Bdの情報(座標の情報)を、レンダリング処理部27に出力する。処理決定部26は、スムージング処理を行う高密度画素48Aの情報(座標の情報)を、スムージング処理部28に出力する。処理決定部26は、伸長処理を行う高密度画素48Aの情報(座標の情報)を、出力信号生成部22dに出力する。出力信号生成部22dは、第1実施形態と同様の伸長処理により、出力信号を生成する。
The process determination unit 26 acquires information on which pixels 48 are high-
レンダリング処理部27は、処理決定部26からの情報に基づき、低密度画素48Bdが有する各副画素49の入力信号にレンダリング処理を行って、低密度画素48Bdの各副画素49に出力するための出力信号を生成する。レンダリング処理とは、低密度画素48Bdの各副画素49の入力信号を、自画素内の副画素49のみならず、自画素の周囲の同じ色の副画素にも重畳させて印加するという画像処理方法であり、低密度画素48Bdの解像度を疑似的に高密度画素48Aに近づけることができる。例えば、レンダリング処理部27は、所定位置の低密度画素48Bd(p,q)の第1副画素49Rの出力信号値X1−(p,q)を、第1副画素49Rの入力信号値x1−(p,q)と、その周囲の画素48の第1副画素49Rの入力信号値とを平均することにより算出する。レンダリング処理部27は、第2副画素49Gの出力信号値X2−(p,q)、及び第3副画素49Bの出力信号値X3−(p,q)も、同様の方法で算出する。以下、レンダリング処理の一例を説明する。
The
図24は、レンダリング処理の一例を説明するための説明図である。図24の上方に記載された低密度領域54dxは、低密度画素48Bdが3つの副画素(第1副画素49R、第2副画素49G、第3副画素49B)から構成されると仮定した場合の副画素配列を示している。図24の下方に記載された低密度領域54dは、低密度画素48Bdが第1変形例で説明した副画素配列となっている。ここで、図24の低密度領域54d中の低密度画素48Bd(a+1,b+1)の第1副画素49Rに対してのレンダリング処理の一例について説明する。レンダリング処理部27は、低密度画素48Bd(a+1,b+1)の第1副画素49Rの出力信号値X1−(a+1,b+1)を、低密度画素48Bd(a,b)、48Bd(a+1,b)、48Bd(a+2,b)、48Bd(a,b+1)、48Bd(a+1,b+1)、48Bd(a+2,b+1)、48Bd(a,b+2)、48Bd(a+1,b+2)、48Bd(a+2,b+2)の第1副画素49Rの入力信号値に基づき算出する。低密度画素48Bd(a,b)、48Bd(a+1,b)、48Bd(a+2,b)、48Bd(a,b+1)、48Bd(a+2,b+1)、48Bd(a,b+2)、48Bd(a+1,b+2)、48Bd(a+2,b+2)は、図24の低密度領域54dxに示すように、低密度画素48Bd(a+1,b+1)の周囲の低密度画素である。具体的には、レンダリング処理部27は、低密度画素48Bd(a+1,b+1)の第1副画素49Rの出力信号値X1−(a+1,b+1)を、次の式(9)から算出する。
FIG. 24 is an explanatory diagram for explaining an example of rendering processing. In the low density region 54dx described in the upper part of FIG. 24, it is assumed that the low density pixel 48Bd is composed of three subpixels (
X1−(a+1,b+1)=0.0625・{(−1)・x1−(a,b)+2・x1−(a+1,b)+(−1)・x1−(a+2,b)+2・x1−(a,b+1)+12・x1−(a+1,b+1)+2・x1−(a+2,b+1)+(−1)・x1−(a,b+2)+2・x1−(a+1,b+2)+(−1)・x1−(a+2,b+2)} ・・・(9) X 1- (a + 1, b + 1) = 0.0625 · {(− 1) · x 1- (a, b) + 2 · x 1- (a + 1, b) + (− 1) · x 1- (a + 2, b ) + 2 · x 1- (a, b + 1) + 12 · x 1- (a + 1, b + 1) + 2 · x 1- (a + 2, b + 1) + (− 1) · x 1- (a, b + 2) + 2 · x 1− (A + 1, b + 2) + (− 1) · x 1− (a + 2, b + 2) } (9)
式(9)に示すように、第1副画素49Rの出力信号値X1−(a+1,b+1)を、周囲の副画素の入力信号との平均から算出するが、平均処理において、低密度画素48Bd(a+1,b+1)の入力信号値x1−(a+1,b+1)にかけられる係数(式(9)では12)が、周囲の画素の入力信号値にかけられる係数より大きい。これは、平均処理における重みづけがなされていることを意味しており、自身の画素の入力信号値に対する重みづけが、周囲の画素の入力信号値に対する重みづけより大きくなっていることを意味する。同様に、低密度画素48Bd(a+1,b+1)にX方向又はY方向で隣接する低密度画素48Bd(a+1,b)、48Bd(a,b+1)、48Bd(a+2,b+1)、48Bd(a+1,b+2)の入力信号に対する重みづけは、低密度画素48Bd(a+1,b+1)の斜め方向に位置する低密度画素48Bd(a,b)、48Bd(a+2,b)、48Bd(a,b+2)、48Bd(a+2,b+2)よりも大きくなっている。レンダリング処理部27は、図24に示す第3副画素49Bについても同じ方法でレンダリング処理を行うが、図24に示す第2副画素49Gについては、間引きされていないため、レンダリング処理を行わない。以上説明したレンダリング処理は、一例であり、例えば各入力信号値にかけられる係数も、任意に設定することができる。
As shown in Expression (9), the output signal value X 1− (a + 1, b + 1) of the
スムージング処理部28は、処理決定部26からの情報に基づき、境界領域57中の高密度画素48Aが有する各副画素49の入力信号に、上述の伸長処理を行って出力信号を生成したあと、スムージング処理(ディザリング処理)を実行する。スムージング処理は、点灯する副画素49の数を、低密度領域54dに向かうに従って徐々に減らす処理である。以下、スムージング処理の具体例について説明する。
Based on the information from the processing determination unit 26, the smoothing
図25は、スムージング処理を説明するための説明図である。図25は、低密度領域54Ad、高密度領域52d(境界領域57A及び領域58)の各第1副画素49Rを全て点灯させる入力信号が入力された場合において、境界領域57Aにスムージング処理を実行した場合における副画素49の点灯状態を示している。図25に示すように、低密度領域54Adにおいては、全ての第1副画素49Rが点灯している。また、スムージング処理をしない領域58でも、全ての第1副画素49Rが点灯している。上述のように、低密度領域54Adの低密度画素群47Bdは、第1副画素49Rの数が領域58の高密度画素群47Aよりも少ない。従って、低密度領域54Adの第1副画素49Rの点灯数は、領域58の第1副画素49Rの点灯数よりも少ない。
FIG. 25 is an explanatory diagram for explaining the smoothing process. In FIG. 25, when an input signal for lighting all the first sub-pixels 49R in the low density area 54Ad and the
ここで、低密度領域54Adと領域58との間の境界領域57Aでは、スムージング処理が行われている。境界領域57A中の画素は高密度画素48Aであるため、副画素49の点灯数は領域58と同じであるが、実際の境界領域57A中の第1副画素49Rの点灯数は、スムージング処理により、低密度領域54dに向かうに従って徐々に減少している。具体的には、境界領域57A中の第1副画素49Rの点灯数は、領域58との境界において、領域58の第1副画素49Rの点灯数と同じであり、低密度領域54Adに向かうに従って、徐々に減少する。そして、境界領域57A中の第1副画素49Rの点灯数は、低密度領域54Adとの境界において、低密度領域54Adの第1副画素49Rの点灯数と同じとなる。
Here, the smoothing process is performed in the
スムージング処理を行わない場合、低密度領域54Adと高密度領域52dとの境界が視認され、画質の劣化が視認されるおそれがあるが、表示装置10dは、このスムージング処理により、低密度領域54Adと高密度領域52dとの境界が視認されることを抑制することができる。
When the smoothing process is not performed, the boundary between the low-density area 54Ad and the high-
以下、信号処理部20dによる出力信号の生成処理の工程をフローチャートにより説明する。図26は、第1変形例の信号処理部による出力信号の生成処理の工程を説明するフローチャートである。図26に示すように、信号処理部20dは、領域情報取得部21dにより、領域情報を取得する(ステップS10)。領域情報とは、どの画素48が高密度画素48Aであるかの情報と、どの画素48が境界領域57に含まれる画素であるかの情報である。
Hereinafter, the process of generating an output signal by the signal processing unit 20d will be described with reference to a flowchart. FIG. 26 is a flowchart illustrating a process of generating an output signal by the signal processing unit according to the first modification. As illustrated in FIG. 26, the signal processing unit 20d acquires region information by the region
信号処理部20dは、領域情報を取得した後、処理決定部26により、画素48が低密度領域54d中の低密度画素48Bdであるかを判断する(ステップS12)。信号処理部20dは、画素48が低密度領域54d中の低密度画素48Bdである場合(ステップS12でYes)、レンダリング処理部27により、その画素48にレンダリング処理を実行する(ステップS14)。また、信号処理部20dは、画素48が低密度領域54d中の低密度画素48Bdでない場合(ステップS12でNo)、その画素48が境界領域57中の画素48であるかを判断する(ステップS16)。信号処理部20dは、画素48が境界領域57中の画素48である場合(ステップS16でYes)、スムージング処理部28により、その画素48にスムージング処理を実行する(ステップS18)。信号処理部20dは、画素48が境界領域57中の画素48でない場合(ステップS16でNo)、領域58の画素であると判断し、出力信号生成部22dにより、その画素48に伸長処理を実行する(ステップS20)。これにより、本処理は終了する。
After acquiring the region information, the signal processing unit 20d determines whether the pixel 48 is the low density pixel 48Bd in the
以上説明したように、第1変形例に係る信号処理部20dは、低密度画素48Bdに出力するための出力信号を、解像度を疑似的に高密度画素48Aに近づけるためのサブピクセルレンダリング処理を行うことにより生成する。これにより、低密度画素群47Bdが有する副画素49の数が、高密度画素群47Aが有する同じ色の副画素49の数より少ない場合であっても、低密度領域54dにおける解像度を疑似的に向上させて、低密度領域54dと高密度領域52との境界が視認されることを抑制する。
As described above, the signal processing unit 20d according to the first modification performs the sub-pixel rendering process for causing the output signal to be output to the low density pixel 48Bd to approximate the resolution to the
また、信号処理部20dは、境界領域57中の高密度画素48Aについて、点灯する副画素49の数を、低密度領域54dに向かうに従って徐々に減らすスムージング処理を行う。これにより、低密度画素群47Bdが有する副画素49の数が、高密度画素群47Aが有する同じ色の副画素49の数より少ない場合であっても、境界領域57で点灯数を徐々に変化させるため、低密度領域54dと高密度領域52との境界が視認されることを抑制することができる。
In addition, the signal processing unit 20d performs a smoothing process on the high-
なお、図24に示す低密度領域54d、54dxは、両方とも高密度領域58よりも副画素の密度が小さいため、駆動制御回路60を設置できるスペースが高密度領域58よりも広い。また、低密度領域54dは、低密度領域54dxよりも副画素の密度が小さいため、駆動制御回路60を設置できるスペースが低密度領域54dxよりもさらに広くなる。従って、駆動制御回路60の規模が大きく、駆動制御回路60を低密度領域54dxの領域内へ配置することが困難な場合は、低密度領域54dの副画素配列を採用して、低密度領域54dに駆動制御回路60を設置することが好ましい。そして、駆動制御回路60が低密度領域54dxの領域内への配置可能な程度の大きさである場合は、低密度領域54dxの副画素配列を採用して、低密度領域54dx内に駆動制御回路60を設置することが好ましい。なお、低密度領域54dの副画素配列を採用する場合、高密度領域52における副画素配列を、低密度領域54dxの副画素配列、すなわち第4副画素49Wを含まない配列としてもよい。
24 has a smaller density of subpixels than the high-
なお、サブピクセルレンダリング処理及びスムージング処理は、低密度画素群47Bdが有する第1副画素49R及び第3副画素49Bの数が、高密度画素群47Aと同じである場合は、実行しなくてもよい。例えば、第1実施形態に係る副画素配列の場合、サブピクセルレンダリング処理及びスムージング処理は実行しなくてもよい。図27は、高密度画素の副画素配列の他の例を示す図である。また、第1変形例に係る低密度画素群47Bdの副画素配列であって、図27に係る高密度画素群47Aeの副画素配列である場合も、サブピクセルレンダリング処理及びスムージング処理は、実行しなくてもよい。
The sub-pixel rendering process and the smoothing process may not be executed when the number of the first sub-pixels 49R and the third sub-pixels 49B included in the low-density pixel group 47Bd is the same as that of the high-
図27に示すように、この例において、高密度画素48A1eと高密度画素48A2eとが2行2列で配列したで配列した高密度画素群47Aeが、高密度領域52e内で2次元マトリクス状に配列している。高密度画素群47Aeは、第1行の第1列に高密度画素48A1eを有し、第1行の第2列に高密度画素48A2eを有し、第2行の第1列に高密度画素48A2eを有し、第2行の第2列に高密度画素48A1eを有する。
As shown in FIG. 27, in this example, a high-density pixel group 47Ae in which high-density pixels 48A1e and high-density pixels 48A2e are arranged in two rows and two columns is arranged in a two-dimensional matrix within the high-
高密度画素48A1eは、第1実施形態に係る高密度画素48Aと同じ副画素配列である。一方、高密度画素48A2eは、第5副画素49Cと、第6副画素49Mと、第7副画素49Yと、第4副画素49Wとを有する。第5副画素49Cは、第5色としてのシアンを表示する。第6副画素49Mは、第6色としてのマゼンダを表示する。第7副画素49Yは、第7色としての黄色を表示する。ただし、第5色、第6色、第7色、それぞれシアン、マゼンダ、黄色に限られず、第1色、第2色、第3色と異なる色であれば、任意に選択することができる。
The high-density pixel 48A1e has the same sub-pixel arrangement as the high-
図27に示すように、高密度画素48A1eは、第5副画素49Cと、第6副画素49Mと、第7副画素49Yと、第4副画素49Wとが、2行2列で配列している。高密度画素48A1eは、1行目の1列目に第6副画素49Mを有し、1行目の2列目に第7副画素49Yを有し、2行目の1列目に第4副画素49Wを有し、2行目の2列目に第5副画素49Cを有する。言い換えれば、高密度画素48A1eは、第6副画素49Mが、第7副画素49Yに行方向(X方向)で隣接し、第4副画素49Wに列方向(Y方向)で隣接している。また、第7副画素49Yは、第5副画素49Cに列方向(Y方向)で隣接している。また、第4副画素49Wは、第5副画素49Cに行方向(X方向)で隣接している。
As shown in FIG. 27, the high-density pixel 48A1e includes a
高密度画素群47Aeは、第1副画素49R及び第3副画素49Bの数が、低密度画素群47Bd(図21B参照)と同じである。そのため、上述のように、この場合はサブピクセルレンダリング処理及びスムージング処理を行わなくてもよい。 The high-density pixel group 47Ae has the same number of first sub-pixels 49R and third sub-pixels 49B as the low-density pixel group 47Bd (see FIG. 21B). Therefore, as described above, in this case, the sub-pixel rendering process and the smoothing process need not be performed.
(第2変形例)
次に、第1実施形態の第2変形例について説明する。第2変形例の表示装置10eは、反射型の液晶表示装置である点で、第1実施形態とは異なる。第2変形例において、第1実施形態と構成が共通する箇所は、説明を省略する。
(Second modification)
Next, a second modification of the first embodiment will be described. The
図28は、第2変形例に係る表示装置の構成の一例を示すブロック図である。図28に示すように、第2変形例の表示装置10eは、信号処理部20と、信号出力回路31と、走査回路32と、画像表示パネル40eと、光源部100と、を有する。画像表示パネル40eは、液晶表示パネルである。光源部100は、画像表示パネル40eの枠部42の内部に組み込まれている。光源部100は、画像表示パネル40eの側面から光を照射する光源である。表示装置10eは、外光を画像表示パネル40eで反射させることにより、画像を表示する。さらに、表示装置10eは、外光が十分でない屋外での夜間使用や暗所での使用の場合等には、光源部100から発光される光を画像表示パネル40eで反射させることによっても、画像を表示することができる。
FIG. 28 is a block diagram illustrating an example of a configuration of a display device according to a second modification. As illustrated in FIG. 28, the
図29は、第2変形例に係る画像表示パネルの画素が含む副画素の駆動回路を示す図である。第2変形例における副画素49は、駆動回路45eによって駆動される。駆動回路45eは、第1実施形態に係る点灯回路45と同様に、2次元のマトリクス状(行列状)に配列されている。図29に示すように、駆動回路45eは、トランジスタTr3と、液晶容量C2と、保持容量C3と、を含む。トランジスタTr3は、例えば、TFTを用いて形成されたスイッチである。トランジスタTr3は、ゲート電極が複数の走査線SCLのうち1つに接続され、ソース電極が複数の信号線DTLのうち1つに接続されている。
FIG. 29 is a diagram illustrating a sub-pixel drive circuit included in the pixel of the image display panel according to the second modification. The sub-pixel 49 in the second modification is driven by the
液晶容量C2は、後述する画素電極108と対向電極110との間で発生する液晶素子の容量成分をさす。画素電極108は、トランジスタTr3のドレイン電極に接続されている。保持容量C3は、一方の電極が画素電極108に、他方の電極が対向電極110にそれぞれ接続されている。
The liquid crystal capacitance C2 indicates a capacitance component of a liquid crystal element generated between a
次に、第2変形例における画像表示パネル40eの構造を説明する。図30Aは、第2変形例における高密度領域での画像表示パネルの断面構造を模式的に示す図である。図30Bは、第2変形例における低密度領域での画像表示パネルの断面構造を模式的に示す図である。図30Aは、第1実施形態の図6Aと同じ箇所での断面図であり、図30Bは、第1実施形態の図6Bと同じ箇所での断面図である。図30A及び図30Bに示すように、画像表示パネル40eは、駆動回路45eと、基板71と、絶縁層72と、カラーフィルタ81と、対向基板104と、液晶層106と、画素電極108と、対向電極110と、導光板112と、を有する。ここで、画像表示パネル40eの画像を表示する面を前面40e1とし、前面40e1と反対側の面を背面40e2とする。基板71は、画像表示パネル40eの背面40e2側に設けられる。基板71は、シリコンなどの半導体基板、ガラス基板、樹脂基板などであって、駆動回路45eを形成又は保持する。駆動回路45eは、第1実施形態の点灯駆動回路45と同様に、副画素49毎に設けられている。駆動回路45eの回路構成は後述する。絶縁層72は、基板71よりも前面40e1側に設けられ、上述した駆動回路45eなどを保護する保護膜であり、シリコン酸化物、シリコン窒化物などを用いることができる。
Next, the structure of the
対向基板104は、絶縁層72よりも前面40e1側に設けられる基板である。対向基板104は、例えばガラスなどの透明性を有する基板である。液晶層106は、絶縁層72と対向基板104との間に設けられ、内部に液晶素子が封入されている。
The
画素電極108は、絶縁層72よりも前面40e1側、すなわち液晶層106側に設けられている。画素電極108は、後述するスイッチング素子(トランジスタTr3)を介して信号線DTLに接続されており、映像信号としての画像出力信号が印加される。画素電極108は、例えばアルミニウム又は銀製の反射性を有する部材であり、外光又は光源部100からの光を反射する。すなわち、画素電極108は、反射部を構成する。画素電極108、すなわち反射部は、画像表示パネル40eの前面40e1(画像を表示する側の面)から入射された光を反射して、画像を表示させる。
The
カラーフィルタ81は、対向基板104の背面40e1側の面、すなわち液晶層106側の面に設けられている。対向電極110は、液晶層106に設けられており、カラーフィルタ81よりも背面40e2側に設けられている。また、図30Bに示すように、カラーフィルタ81同士の間には、遮光するブラックマトリックス114が設けられている。対向電極110は、例えばITO、又はIZO等の透明性を有する導電性材料である。画素電極108と対向電極110とは対向して設けられているため、画素電極108と対向電極110との間に画像出力信号による電圧が印加されると、画素電極108と対向電極110とは、液晶層106内に電界を生じさせる。表示装置10eは、液晶層106内に生じた電界により複屈折率が変化し、画像表示パネル40eから反射される光量を調整する。画像表示パネル40eは、いわゆる縦電界方式であるが、画像表示パネル40eの表示面に平行な方向に電界を発生させる横電界方式であってもよい。
The
カラーフィルタ81は、画素電極108に対応して複数設けられる。画素電極108と、対向電極110と、カラーフィルタ81とは、それぞれ副画素49を構成する。駆動回路45eは、副画素49を駆動させるための回路であり、副画素49には含まれない。導光板112は、対向基板104の前面40e1側の面に設けられている。導光板112は、例えば、アクリル樹脂、ポリカーボネート(PC)樹脂、メタクリル酸メチル−スチレン共重合体(MS樹脂)等の透明性を有する板状部材である。導光板112は、前面40e1側の面である上面に、プリズム加工がなされている。
A plurality of
図30Aに示すように、高密度領域52において、駆動回路45e、及び各配線は、高密度画素48Aの各副画素49(より詳しくは画素電極108)よりも下方(背面40e2側)に設けられている。図30Bに示すように、低密度領域54において、駆動回路45e、各配線、及び駆動制御回路60は、低密度画素48Bの各副画素49(より詳しくは画素電極108)よりも下方(背面40e2側)に設けられている。
As shown in FIG. 30A, in the
光源部100は、発光ダイオード(LED)を有する。光源部100は、副画素49、より詳しくは画素電極108よりも前面40e1側に設けられている。すなわち、表示装置10eは、画素電極108(反射部)よりも背面40e2側には、光源部100を有していない。より詳しくは、光源部100は、導光板112の側面に沿って設けられている。光源部100は、導光板112を介して、画像表示パネル40の前面40e1から光を照射する。光源部100は、画像観察者の操作、又は表示装置10eに取付けられて外光を計測する外光センサ等によって、オン(点灯)とオフ(消灯)とが切り替えられる。光源部100は、オンの場合に光を照射し、オフの場合に光を照射しない。例えば、画像観察者が、画像が暗いと感じた場合は、画像観察者は、光源部100をオンにして、光源部100から画像表示パネル40eに光を照射させ、画像を明るくする。また、外光センサが、外光強度が所定の値より小さいと判断した場合には、例えば信号処理部20は、光源部100をオンにして、光源部100から画像表示パネル40eに光を照射させ、画像を明るくする。
The
次に、画像表示パネル40eによる光の反射について説明する。図30A及び図30Bに示すように、画像表示パネル40eには、前面40e1側から、外光LO1が入射される。外光LO1は、導光板112内を通って画素電極108に入射される。画素電極108に入射された外光LO1は、画素電極108に反射され、光LO2として、導光板112内を通って、外部に出射される。また、光源部100をオンにした場合、光源部100からの光LI1は、導光板112の側面から導光板112内に入射する。導光板112内に入射された光LI1は、導光板112の上面で散乱して反射され、一部が光LI2として、画素電極108に照射される。画素電極108に照射された光LI2は、画素電極108により反射され、光LI3として導光板112を通って外部に出射する。また、導光板112の上面で散乱した光の他の一部は、光LI4として反射され、導光板112内で反射を繰り返す。
Next, the reflection of light by the
すなわち、画素電極108は、画像表示パネル40eの前面40e1から画像表示パネル40eに入射される外光LO1又は光LI2を外部に反射する。外部に反射された光LO2及びLI3は、液晶層43及びカラーフィルタ46を通る。そのため、表示装置10eは、外部に反射される光LO2,LI3により、画像を表示することができる。このように、表示装置10eは、サイドライト型の光源部100を有する反射型の液晶表示装置である。なお、表示装置10eは、光源部100及び導光板112を有さなくてもよい。この場合、表示装置10eは、外光LO1を反射した光LO2によって、画像を表示することができる。
That is, the
以上説明したように、第2変形例に係る表示装置10eは、副画素49を複数有する画素48が2次元マトリクス状に配列される画像表示パネル40eを有する表示装置である。第2変形例における副画素49は、画像表示パネル40eの前面40e1からの光を反射する画素電極108、すなわち反射部を有する。画像表示パネル40eは、画素電極108が反射した前面40e1からの光により画像を表示する。そして、画像表示パネル40eは、低密度画素48Bを有する低密度領域54と、高密度画素48Aを有する高密度領域52と、を有する。画像表示パネル40eは、画素電極108よりも背面40e2側に、光を照射する光源部100を有さない。
As described above, the
表示装置10eは、画素電極108よりも背面40e2側に光源部100を有さず、画素電極108よりも前面40e1側からの光を反射することで、画像を表示する。従って、この表示装置10eも、第1実施形態と同様に、配線により光が遮断されないため、高密度領域52の開口率の低下を抑制し、高密度領域52と低密度領域54との開口率の差を小さくすることができる。従って、この表示装置10は、領域毎に画像の明るさが異なることを抑制し、画質の劣化を抑制する。
The
また、副画素49は、副画素49を駆動するための信号が配線(走査線SCL、信号線DTL)を介して入力される。この配線は、画像表示面50に対して、画素電極108よりも下方(背面40e2側)に設けられている。従って、この表示装置10は、画素電極108から外部へ向かう光が、配線に向かわない。そのため、この表示装置10eは、配線により光が遮断されることをより好適に抑制し、画質の劣化をより好適に抑制する。
In addition, a signal for driving the sub-pixel 49 is input to the sub-pixel 49 via wiring (scanning line SCL, signal line DTL). The wiring is provided below the pixel electrode 108 (on the back surface 40e2 side) with respect to the
また、第2変形例で説明した反射型の液晶表示装置は、第1実施形態以外の実施形態及び変形例にも適用可能である。すなわち、本開示に係る表示装置は、自発光型の表示装置の代わりに、反射型の液晶表示装置であってもよい。ただし、この場合、光源部100は、画素電極108よりも背面40e2側に設けられていない。
The reflective liquid crystal display device described in the second modification can also be applied to embodiments and modifications other than the first embodiment. That is, the display device according to the present disclosure may be a reflective liquid crystal display device instead of the self-luminous display device. However, in this case, the
(適用例)
次に、図31及び図32を参照して、実施形態1で説明した表示装置10の適用例について説明する。図31及び図32は、実施形態1に係る表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。実施形態1に係る表示装置10は、図31に示すカーナビゲーションシステム、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、図32に示す携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、実施形態1に係る表示装置10は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。電子機器は、表示装置に映像信号を供給し、表示装置の動作を制御する制御装置11(図1参照)を備える。なお、本適用例は、実施形態1に係る表示装置10以外でも、以上説明した他の実施形態及び変形例に係る表示装置にも適用できる。
(Application example)
Next, an application example of the
図31に示す電子機器は、実施形態1に係る表示装置10が適用されるカーナビゲーション装置である。表示装置10は、自動車の車内のダッシュボード300に設置される。具体的にはダッシュボード300の運転席311と助手席312の間に設置される。カーナビゲーション装置の表示装置10は、ナビゲーション表示、音楽操作画面の表示、又は、映画再生表示等に利用される。
The electronic apparatus shown in FIG. 31 is a car navigation device to which the
図32に示す電子機器は、実施形態1に係る表示装置10が適用される携帯型コンピュータ、多機能な携帯電話、音声通話可能な携帯コンピュータまたは通信可能な携帯コンピュータとして動作し、いわゆるスマートフォン、タブレット端末と呼ばれることもある、情報携帯端末である。この情報携帯端末は、例えば筐体562の表面に表示部561を有している。この表示部561は、実施形態1に係る表示装置10と外部近接物体を検出可能なタッチ検出(いわゆるタッチパネル)機能とを備えている。
The electronic apparatus illustrated in FIG. 32 operates as a portable computer to which the
以上、本発明の実施形態を説明したが、これらの実施形態の内容によりこれらの実施形態が限定されるものではない。また、前述した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、前述した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。さらに、前述した実施形態の要旨を逸脱しない範囲で構成要素の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。 As mentioned above, although embodiment of this invention was described, these embodiment is not limited by the content of these embodiment. In addition, the above-described constituent elements include those that can be easily assumed by those skilled in the art, those that are substantially the same, and those in a so-called equivalent range. Furthermore, the above-described components can be appropriately combined. Furthermore, various omissions, substitutions, or changes of the components can be made without departing from the spirit of the above-described embodiment.
本開示は、次のような構成を採用することができる。 The present disclosure can employ the following configurations.
(1)自発光層を有する副画素を複数有する画素が2次元マトリクス状に配列され、
第1の数の前記副画素を有する画素である低密度画素を有する低密度領域と、前記第1の数よりも大きい第2の数の前記副画素を有する高密度画素を有する高密度領域と、前記自発光層を点灯させる点灯駆動回路と、を有する、表示装置。
(1) Pixels having a plurality of sub-pixels having a self-luminous layer are arranged in a two-dimensional matrix,
A low density region having low density pixels that are pixels having a first number of subpixels, and a high density region having high density pixels having a second number of subpixels greater than the first number; And a lighting drive circuit for lighting the self-light-emitting layer.
(2)前記副画素は、前記副画素を駆動するための信号が配線を介して入力され、
前記配線は、画像表示面に対して、前記自発光層よりも下方に設けられている、前記表示装置。
(2) A signal for driving the sub-pixel is input to the sub-pixel via a wiring.
The display device, wherein the wiring is provided below the self-luminous layer with respect to the image display surface.
(3)前記低密度領域は、さらに、前記点灯駆動回路の駆動を制御するための駆動制御回路を有し、前記高密度領域は、前記駆動制御回路を有さない、前記表示装置。 (3) The display device, wherein the low density region further includes a drive control circuit for controlling driving of the lighting drive circuit, and the high density region does not include the drive control circuit.
(4)前記駆動制御回路は、前記画像表示面に対して、前記自発光層よりも下方に設けられている、前記表示装置。 (4) The display device, wherein the drive control circuit is provided below the self-luminous layer with respect to the image display surface.
(5)前記点灯駆動回路は、前記駆動制御回路と同層に設けられている、前記表示装置。 (5) The display device, wherein the lighting drive circuit is provided in the same layer as the drive control circuit.
(6)前記高密度領域は、前記画像表示面の中央に設けられており、
前記低密度領域は、前記画像表示面内であって、前記高密度領域の両端部に設けられている、前記表示装置。
(6) The high-density region is provided in the center of the image display surface,
The display device, wherein the low density region is provided at both ends of the high density region in the image display surface.
(7)前記画像表示面は、所定の方向に沿って、前記画像表示パネルの全域を占める、前記表示装置。 (7) The display device, wherein the image display surface occupies the entire area of the image display panel along a predetermined direction.
(8)前記駆動制御回路は、前記自発光層を点灯させるために前記副画素を順番に選択する走査回路である、前記表示装置。 (8) The display device, wherein the drive control circuit is a scanning circuit that sequentially selects the sub-pixels to light the self-light-emitting layer.
(9)前記低密度領域は、前記高密度領域内に点在して設けられている、前記表示装置。 (9) The display device, wherein the low density regions are provided in a scattered manner in the high density region.
(10)前記駆動制御回路は、前記画像表示パネルの駆動を制御するためのセンサを有する、前記表示装置。 (10) The display device, wherein the drive control circuit includes a sensor for controlling driving of the image display panel.
(11)前記低密度画素の副画素の面積は、前記高密度画素の副画素の面積よりも大きい、前記表示装置。 (11) The display device, wherein an area of a sub-pixel of the low-density pixel is larger than an area of a sub-pixel of the high-density pixel.
(12)前記低密度画素に出力するための出力信号を、サブピクセルレンダリング処理を行うことにより生成する信号処理部を更に有する、前記表示装置。 (12) The display device further including a signal processing unit that generates an output signal to be output to the low-density pixels by performing a sub-pixel rendering process.
(13)前記信号処理部は、前記高密度領域内の一部分の領域であって、前記低密度領域に隣接する所定の範囲の領域である境界領域内の前記高密度画素について、点灯する副画素の数を、前記低密度領域に向かうに従って徐々に減らすスムージング処理を行う、前記表示装置。 (13) The signal processing unit is a sub-pixel that is lit for the high-density pixel in a boundary region that is a partial region in the high-density region and is in a predetermined range adjacent to the low-density region. The display device is configured to perform a smoothing process that gradually decreases the number of the light sources toward the low density region.
(14)副画素を複数有する画素が2次元マトリクス状に配列される画像表示パネルを有する表示装置であって、
前記副画素は、前記画像表示パネルの前面からの光を反射する反射部を有し、
前記画像表示パネルは、前記反射部が反射した前記前面からの光により画像を表示し、第1の数の前記副画素を有する画素である低密度画素を有する低密度領域と、前記第1の数よりも大きい第2の数の前記副画素を有する高密度画素を有する高密度領域と、を有し、前記反射部よりも前記前面と反対側である背面側に、光を照射する光源部を有さない、表示装置。
(14) A display device having an image display panel in which pixels having a plurality of subpixels are arranged in a two-dimensional matrix,
The sub-pixel has a reflection part that reflects light from the front surface of the image display panel,
The image display panel displays an image by light from the front surface reflected by the reflection unit, and includes a low-density region having low-density pixels that are pixels having a first number of the sub-pixels, and the first A high-density region having a high-density pixel having a second number of the sub-pixels greater than the number, and a light source unit that irradiates light on the back side opposite to the front side of the reflection unit Without a display device.
(15)前記副画素は、前記副画素を駆動するための信号が配線を介して入力され、
前記配線は、画像表示面に対して、前記反射部よりも下方に設けられている、表示装置。
(15) The sub-pixel receives a signal for driving the sub-pixel via a wiring,
The display device, wherein the wiring is provided below the reflection unit with respect to the image display surface.
10 表示装置
20 信号処理部
30 画像表示パネル駆動部
40 画像表示パネル
48 画素
48A 高密度画素
48B 低密度画素
52 高密度領域
54 低密度領域
49R 第1副画素
49G 第2副画素
49B 第3副画素
49W 第4副画素
DESCRIPTION OF
Claims (15)
第1の数の前記副画素を有する画素である低密度画素を有する低密度領域と、前記第1の数よりも大きい第2の数の前記副画素を有する高密度画素を有する高密度領域と、前記自発光層を点灯させる点灯駆動回路と、を有する、表示装置。 Pixels having a plurality of sub-pixels having a self-luminous layer are arranged in a two-dimensional matrix,
A low density region having low density pixels that are pixels having a first number of subpixels, and a high density region having high density pixels having a second number of subpixels greater than the first number; And a lighting drive circuit for lighting the self-light-emitting layer.
前記配線は、画像表示面に対して、前記自発光層よりも下方に設けられている、請求項1に記載の表示装置。 The sub-pixel receives a signal for driving the sub-pixel via a wiring,
The display device according to claim 1, wherein the wiring is provided below the self-luminous layer with respect to the image display surface.
前記低密度領域は、前記画像表示面内であって、前記高密度領域の両端部に設けられている、請求項4又は請求項5に記載の表示装置。 The high-density region is provided in the center of the image display surface,
The display device according to claim 4, wherein the low density region is provided at both ends of the high density region in the image display surface.
前記副画素は、前記画像表示パネルの前面からの光を反射する反射部を有し、
前記画像表示パネルは、前記反射部が反射した前記前面からの光により画像を表示し、第1の数の前記副画素を有する画素である低密度画素を有する低密度領域と、前記第1の数よりも大きい第2の数の前記副画素を有する高密度画素を有する高密度領域と、を有し、前記反射部よりも前記前面と反対側である背面側に、光を照射する光源部を有さない、表示装置。 A display device having an image display panel in which pixels having a plurality of sub-pixels are arranged in a two-dimensional matrix,
The sub-pixel has a reflection part that reflects light from the front surface of the image display panel,
The image display panel displays an image by light from the front surface reflected by the reflection unit, and includes a low-density region having low-density pixels that are pixels having a first number of the sub-pixels, and the first A high-density region having a high-density pixel having a second number of the sub-pixels greater than the number, and a light source unit that irradiates light on the back side opposite to the front side of the reflection unit Without a display device.
前記配線は、画像表示面に対して、前記反射部よりも下方に設けられている、請求項14に記載の表示装置。 The sub-pixel receives a signal for driving the sub-pixel via a wiring,
The display device according to claim 14, wherein the wiring is provided below the reflection unit with respect to the image display surface.
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