JP6492447B2 - Electro-optical device, electronic apparatus, and driving method of electro-optical device - Google Patents

Electro-optical device, electronic apparatus, and driving method of electro-optical device Download PDF

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Description

本発明は、電気光学装置、電子機器、及び電気光学装置の駆動方法に関する。   The present invention relates to an electro-optical device, an electronic apparatus, and a driving method of the electro-optical device.

近年、有機発光ダイオード(以下、OLED(Organic Light Emitting Diode)という)素子などの発光素子を用いた電気光学装置が各種提案されている。この電気光学装置の一般的な構成では、走査線とデータ線との交差に対応して、発光素子やトランジスターなどを含む画素回路が、表示すべき画像の画素に対応して設けられる。
このような構成において、画素の階調レベルに応じた電位のデータ信号が当該トランジスターのゲートに印加されると、当該トランジスターは、ゲート・ソース間の電圧に応じた電流を発光素子に供給する。これにより、当該発光素子は、階調レベルに応じた輝度で発光する。
In recent years, various electro-optical devices using light-emitting elements such as organic light-emitting diode (hereinafter referred to as OLED (Organic Light Emitting Diode)) elements have been proposed. In a general configuration of this electro-optical device, a pixel circuit including a light emitting element, a transistor, and the like is provided corresponding to a pixel of an image to be displayed, corresponding to the intersection of a scanning line and a data line.
In such a configuration, when a data signal having a potential corresponding to the gray level of the pixel is applied to the gate of the transistor, the transistor supplies a current corresponding to the voltage between the gate and the source to the light emitting element. Accordingly, the light emitting element emits light with luminance according to the gradation level.

トランジスターを発光強度の調節に用いる駆動方式では、各画素に設けられたトランジスターの閾値電圧がばらつくと、発光素子に流れる電流がばらつくため、表示画像の画質が低下してしまう。従って、画質の低下を防ぐためには、トランジスターの閾値電圧のばらつきを補償する必要がある。この補償に係る動作(以下、補償動作という)を実行する期間を補償期間といい、補償期間においては、当該トランジスターのドレイン及びゲートを、列ごとに設けられたデータ信号の供給線に接続し、その電位を当該トランジスターの閾値電圧に応じた値に設定する(例えば特許文献1参照)。   In the driving method in which a transistor is used for adjusting the light emission intensity, if the threshold voltage of the transistor provided in each pixel varies, the current flowing through the light emitting element varies, so that the image quality of the display image is degraded. Therefore, in order to prevent deterioration in image quality, it is necessary to compensate for variations in threshold voltage of transistors. A period in which the operation related to this compensation (hereinafter referred to as compensation operation) is performed is called a compensation period. In the compensation period, the drain and gate of the transistor are connected to a data signal supply line provided for each column, The potential is set to a value corresponding to the threshold voltage of the transistor (see, for example, Patent Document 1).

特開2013−88611号公報JP2013-88611A

ところで、データ信号の供給線には寄生容量が付随しているため、補償動作を実行する際には当該寄生容量への充電又は放電も行われてしまう。そして、この寄生容量への充電又は放電に要する時間分だけ、補償期間が長くなってしまう。また、当該供給線に付随する寄生容量への充電又は放電に要する時間を考慮せずに補償期間を設定すると、当該補償期間での補償が不充分になってしまう。
本発明は上述した事情に鑑みてなされたものであり、その目的のひとつは、発光強度の調節に用いるトランジスターの閾値電圧のばらつきを補償する補償動作の高速化を実現することである。
By the way, since a parasitic capacitance is attached to the data signal supply line, the parasitic capacitance is also charged or discharged when the compensation operation is executed. Then, the compensation period becomes longer by the time required for charging or discharging the parasitic capacitance. Moreover, if the compensation period is set without considering the time required for charging or discharging the parasitic capacitance associated with the supply line, the compensation in the compensation period becomes insufficient.
The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and one of its purposes is to realize a high-speed compensation operation that compensates for variations in the threshold voltage of a transistor used for adjusting light emission intensity.

上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る電気光学装置は、走査線と、前記走査線と交差するデータ転送線と、前記走査線と前記データ転送線との交差に対応して設けられた画素回路と、前記画素回路を駆動する駆動回路と、を有し、前記画素回路は、前記データ転送線に接続された第1電極と、第2電極とを含む第1容量と、前記第2電極と、前記データ転送線にリセット電位を供給するリセット電位供給線との間に接続された第1トランジスターと、ゲート電極、第1電流端、及び第2電流端を備える駆動トランジスターと、前記第1容量の前記第2電極と、前記駆動トランジスターの前記ゲート電極との間に接続された第2トランジスターと、前記駆動トランジスターの前記第1電流端と、前記駆動トランジスターの前記ゲート電極とを導通させるための第3トランジスターと、前記駆動トランジスターを介して供給される電流の大きさに応じた輝度で発光する発光素子と、を含み、前記駆動回路は、第1期間に、前記第1トランジスターをオンさせるとともに、前記第2トランジスター及び前記第3トランジスターをオフさせ、前記データ転送線に初期電位を供給し、前記第1期間に続く第2期間に、前記第1トランジスターをオフさせるとともに、前記第2トランジスター及び前記第3トランジスターをオンさせて、前記駆動トランジスターの前記第1電流端と、前記駆動トランジスターの前記ゲート電極とを導通させると共に、前記第1容量の前記第1電極の電位を一定の変化率で経時的に低下又は上昇させる、ことを特徴とする。   In order to achieve the above object, an electro-optical device according to one embodiment of the present invention corresponds to a scan line, a data transfer line that intersects the scan line, and an intersection of the scan line and the data transfer line. A first capacitor including a pixel circuit provided and a drive circuit for driving the pixel circuit, the pixel circuit including a first electrode connected to the data transfer line, and a second electrode; A first transistor connected between the second electrode and a reset potential supply line for supplying a reset potential to the data transfer line; a drive transistor including a gate electrode, a first current end, and a second current end; , A second transistor connected between the second electrode of the first capacitor and the gate electrode of the drive transistor, the first current terminal of the drive transistor, and the gate of the drive transistor. A third transistor for conducting the electrode, and a light emitting element that emits light with a luminance corresponding to a magnitude of a current supplied through the driving transistor. The first transistor is turned on, the second transistor and the third transistor are turned off, an initial potential is supplied to the data transfer line, and the first transistor is turned off in a second period following the first period. At the same time, the second transistor and the third transistor are turned on to make the first current terminal of the driving transistor and the gate electrode of the driving transistor conductive, and the first electrode of the first capacitor The electric potential is decreased or increased with time at a constant rate of change.

この態様によれば、第2期間(補償期間)では、駆動トランジスターを所謂ダイオード接続した状態で、第1容量の第1電極の電位を、一定の変化率で経時的に変化(例えば低下)させる。これにより、補償動作中に初期電位を一定に維持する構成(第1容量の第1電極の電位を一定に維持する構成)と比較して、当該補償期間に要する時間が短縮される。つまり、補償動作の高速化が実現する。これは、第1容量の第1電極に印加する電位を一定の変化率で経時的に例えば低下させることで、第1電極の電荷を強制的に移動させ、結果として駆動トランジスターのゲート電極の電位が、第1電極の電位の変化率に応じた一定の電流が流れる電位に、迅速に変化するからである。   According to this aspect, in the second period (compensation period), the potential of the first electrode of the first capacitor is changed (for example, decreased) with time at a constant change rate in a state where the driving transistor is connected in a so-called diode. . As a result, the time required for the compensation period is shortened compared to a configuration in which the initial potential is kept constant during the compensation operation (a configuration in which the potential of the first electrode of the first capacitor is kept constant). That is, speeding up of the compensation operation is realized. This is because, for example, the potential applied to the first electrode of the first capacitor is decreased over time at a constant rate of change, for example, the charge of the first electrode is forcibly moved, and as a result, the potential of the gate electrode of the drive transistor This is because the potential rapidly changes to a potential at which a constant current flows according to the change rate of the potential of the first electrode.

本発明の他の態様に係る電気光学装置は、前記一態様に係る電気光学装置であって、前記駆動回路は、前記第2期間に、一定の変化率で低下する電圧を生成し、前記データ転送線を介して前記第1容量の前記第1電極に印加する電圧生成回路を含む、ことを特徴とする。この態様によれば、一定の変化率で低下する電圧を第1容量の第1電極に印加することで、当該第1電極の電位を一定の変化率で経時的に低下させることができる。   An electro-optical device according to another aspect of the invention is the electro-optical device according to the one aspect, in which the driving circuit generates a voltage that decreases at a constant change rate in the second period, and the data It includes a voltage generation circuit that is applied to the first electrode of the first capacitor via a transfer line. According to this aspect, by applying a voltage that decreases at a constant rate of change to the first electrode of the first capacitor, the potential of the first electrode can be decreased over time at a constant rate of change.

本発明の他の態様に係る電気光学装置は、前記一態様に係る電気光学装置であって、前記駆動回路は、前記第2期間に、前記データ転送線を介して、前記第1容量の前記第1電極から定電流を引き込む定電流源を含む、ことを特徴とする。この態様によれば、第1容量の第1電極から定電流を引き込むことで、当該第1電極の電位を一定の変化率で経時的に低下させることができる。   An electro-optical device according to another aspect of the present invention is the electro-optical device according to the one aspect, in which the driving circuit includes the first capacitor of the first capacitor via the data transfer line in the second period. It includes a constant current source that draws a constant current from the first electrode. According to this aspect, by drawing a constant current from the first electrode of the first capacitor, the potential of the first electrode can be decreased over time at a constant rate of change.

本発明の他の態様に係る電気光学装置は、前記一態様に係る電気光学装置であって、前記駆動トランジスターの前記第1電流端と、前記発光素子との間に接続された第4トランジスターを含む、ことを特徴とする。この態様によれば、第4トランジスターが、駆動トランジスターと発光素子との間の電気的な接続を制御するスイッチングトランジスターとして機能する。   An electro-optical device according to another aspect of the present invention is the electro-optical device according to the one aspect, and includes a fourth transistor connected between the first current terminal of the driving transistor and the light-emitting element. Including. According to this aspect, the fourth transistor functions as a switching transistor that controls electrical connection between the drive transistor and the light emitting element.

本発明の他の態様に係る電気光学装置は、前記一態様に係る電気光学装置であって、前記発光素子にリセット電位を供給するリセット電位供給線と、前記発光素子との間に接続された第5トランジスターを含む、ことを特徴とする。この態様によれば、第5トランジスターが、リセット電位供給線と発光素子との間の電気的な接続を制御するスイッチングトランジスターとして機能する。   An electro-optical device according to another aspect of the invention is the electro-optical device according to the one aspect, and is connected between a reset potential supply line that supplies a reset potential to the light-emitting element and the light-emitting element. A fifth transistor is included. According to this aspect, the fifth transistor functions as a switching transistor that controls electrical connection between the reset potential supply line and the light emitting element.

本発明の他の態様に係る電気光学装置は、前記一態様に係る電気光学装置であって、前記駆動回路は、前記第2期間に続く第3期間において、前記第1トランジスター及び第3トランジスターをオフさせ、且つ、第2トランジスターをオンさせるとともに、指定階調に応じたデータ信号を保持する第2容量を前記データ転送線に接続する、ことを特徴とする。この態様によれば、第3期間(書込期間)において、各画素の指定階調に応じたデータ信号がデータ転送線を介して画素回路に供給される。   An electro-optical device according to another aspect of the present invention is the electro-optical device according to the one aspect, in which the driving circuit includes the first transistor and the third transistor in a third period following the second period. The second transistor is turned off and the second transistor is turned on, and a second capacitor for holding a data signal corresponding to a specified gradation is connected to the data transfer line. According to this aspect, in the third period (writing period), a data signal corresponding to the designated gradation of each pixel is supplied to the pixel circuit via the data transfer line.

本発明の他の態様に係る電気光学装置は、データ転送線と、前記データ転送線に接続された第1電極と、第2電極とを含む第1容量と、駆動トランジスターと、前記駆動トランジスターの電気特性に応じた電位を前記第2電極に出力する補償部と、前記補償部が前記駆動トランジスターの電気特性に応じた電位を前記第2電極に出力する期間において、前記第1容量の前記第1電極の電位を一定の変化率で経時的に低下又は上昇させる電圧生成回路と、前記データ転送線及び前記第1電極の電位の変化量が階調レベルに応じた値となるように、前記データ転送線及び前記第1電極の電位を切り替えるデータ転送線駆動回路と、前記駆動トランジスターの電気特性に応じた電位から前記変化量分に応じてシフトさせた電位に基づいて供給される電流の大きさに応じた輝度で発光する発光素子と、含むことを特徴とする。   An electro-optical device according to another aspect of the invention includes a data transfer line, a first capacitor connected to the data transfer line, a first capacitor including a second electrode, a drive transistor, and the drive transistor. A compensation unit that outputs a potential according to the electrical characteristics to the second electrode, and a period during which the compensation unit outputs a potential according to the electrical characteristics of the drive transistor to the second electrode. A voltage generation circuit for decreasing or increasing the potential of one electrode over time at a constant rate of change, and the amount of change in potential of the data transfer line and the first electrode to a value corresponding to a gradation level; A data transfer line driving circuit for switching the potentials of the data transfer line and the first electrode, and a potential supplied based on a potential shifted from the potential corresponding to the electrical characteristics of the driving transistor according to the change amount A light emitting element that emits light at luminance corresponding to the magnitude of the flow, characterized in that it contains.

この態様によれば、補償部が駆動トランジスターの電気特性に応じた電位を第2電極に出力する期間(補償期間)では、駆動トランジスターを所謂ダイオード接続した状態で、第1容量の第1電極の電位を、一定の変化率で経時的に変化(例えば低下)させる。これにより、補償動作中に初期電位を一定に維持する構成(第1容量の第1電極の電位を一定に維持する構成)と比較して、当該補償期間に要する時間が短縮される。つまり、補償動作の高速化が実現する。これは、第1容量の第1電極に印加する電位を一定の変化率で経時的に例えば低下させることで、第1電極の電荷を強制的に移動させ、結果として駆動トランジスターのゲート電極の電位が、第1電極の電位の変化率に応じた一定の電流が流れる電位に、迅速に変化するからである。   According to this aspect, in a period (compensation period) in which the compensation unit outputs a potential corresponding to the electrical characteristics of the driving transistor to the second electrode (compensation period), the driving transistor is connected to the first electrode of the first capacitor in a so-called diode-connected state. The potential is changed (eg, decreased) with time at a constant rate of change. As a result, the time required for the compensation period is shortened compared to a configuration in which the initial potential is kept constant during the compensation operation (a configuration in which the potential of the first electrode of the first capacitor is kept constant). That is, speeding up of the compensation operation is realized. This is because, for example, the potential applied to the first electrode of the first capacitor is decreased over time at a constant rate of change, for example, the charge of the first electrode is forcibly moved, and as a result, the potential of the gate electrode of the drive transistor This is because the potential rapidly changes to a potential at which a constant current flows according to the change rate of the potential of the first electrode.

上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る電子機器は、前記各態様のいずれかに係る電気光学装置を備えることを特徴とする。この態様によれば、前記各態様のいずれかに係る電気光学装置を備える電子機器が提供される。   In order to achieve the above object, an electronic apparatus according to an aspect of the present invention includes the electro-optical device according to any one of the above aspects. According to this aspect, an electronic apparatus including the electro-optical device according to any one of the above aspects is provided.

上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る電気光学装置の駆動方法は、走査線と、前記走査線と交差するデータ転送線と、前記走査線と前記データ転送線との交差に対応して設けられた画素回路と、を有し、前記画素回路は、前記データ転送線に接続された第1電極と、第2電極とを含む第1容量と、前記第2電極と、前記データ転送線にリセット電位を供給するリセット電位供給線との間に接続された第1トランジスターと、ゲート電極、第1電流端、及び第2電流端を備える駆動トランジスターと、前記第1容量の前記第2電極と、前記駆動トランジスターの前記ゲート電極との間に接続された第2トランジスターと、前記駆動トランジスターの前記第1電流端と、前記駆動トランジスターの前記ゲート電極とを導通させるための第3トランジスターと、前記駆動トランジスターを介して供給される電流の大きさに応じた輝度で発光する発光素子と、を含む電気光学装置の駆動方法であって、第1期間に、前記第1トランジスターをオンさせるとともに、前記第2トランジスター及び前記第3トランジスターをオフさせ、前記データ転送線に初期電位を供給し、前記第1期間に続く第2期間に、前記第1トランジスターをオフさせるとともに、前記第2トランジスター及び前記第3トランジスターをオンさせて、前記駆動トランジスターの前記第1電流端と、前記駆動トランジスターの前記ゲート電極とを導通させると共に、前記第1容量の前記第1電極の電位を一定の変化率で経時的に低下又は上昇させる、ことを特徴とする。   In order to achieve the above object, a driving method of an electro-optical device according to an aspect of the present invention includes a scan line, a data transfer line that intersects the scan line, and an intersection of the scan line and the data transfer line. A corresponding pixel circuit, the pixel circuit including a first capacitor connected to the data transfer line, a first capacitor including a second electrode, the second electrode, A first transistor connected between a reset potential supply line for supplying a reset potential to the data transfer line, a drive transistor including a gate electrode, a first current terminal, and a second current terminal; Conducting the second transistor connected between the second electrode and the gate electrode of the driving transistor, the first current terminal of the driving transistor, and the gate electrode of the driving transistor. An electro-optical device driving method comprising: a third transistor; and a light emitting element that emits light with a luminance corresponding to a magnitude of a current supplied through the driving transistor, wherein the first transistor is in a first period. And turning off the second transistor and the third transistor, supplying an initial potential to the data transfer line, turning off the first transistor in a second period following the first period, and The second transistor and the third transistor are turned on to electrically connect the first current terminal of the driving transistor and the gate electrode of the driving transistor, and the potential of the first electrode of the first capacitor is constant. It is characterized by decreasing or increasing over time at a rate of change of.

この態様によれば、第2期間(補償期間)では、駆動トランジスターを所謂ダイオード接続した状態で、第1容量の第1電極の電位を、一定の変化率で経時的に変化(例えば低下)させる。これにより、補償動作中に初期電位を一定に維持する構成(第1容量の第1電極の電位を一定に維持する構成)と比較して、当該補償期間に要する時間が短縮される。つまり、補償動作の高速化が実現する。これは、第1容量の第1電極に印加する電位を一定の変化率で経時的に例えば低下させることで、第1電極の電荷を強制的に移動させ、結果として駆動トランジスターのゲート電極の電位が、第1電極の電位の変化率に応じた一定の電流が流れる電位に、迅速に変化するからである。   According to this aspect, in the second period (compensation period), the potential of the first electrode of the first capacitor is changed (for example, decreased) with time at a constant change rate in a state where the driving transistor is connected in a so-called diode. . As a result, the time required for the compensation period is shortened compared to a configuration in which the initial potential is kept constant during the compensation operation (a configuration in which the potential of the first electrode of the first capacitor is kept constant). That is, speeding up of the compensation operation is realized. This is because, for example, the potential applied to the first electrode of the first capacitor is decreased over time at a constant rate of change, for example, the charge of the first electrode is forcibly moved, and as a result, the potential of the gate electrode of the drive transistor This is because the potential rapidly changes to a potential at which a constant current flows according to the change rate of the potential of the first electrode.

上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る電気光学装置の駆動方法は、データ転送線と、前記データ転送線に接続された第1電極と、第2電極とを含む第1容量と、駆動トランジスターと、前記駆動トランジスターの電気特性に応じた電位を前記第2電極に出力する補償部と、前記駆動トランジスターを介して供給される電流の大きさに応じた輝度で発光する発光素子と、を含む電気光学装置の駆動方法であって、前記第1容量の前記第1電極の電位を一定の変化率で経時的に低下又は上昇させるとともに、前記補償部により前記駆動トランジスターの電気特性に応じた電位を前記第2電極に出力し、前記データ転送線及び前記第1電極の電位の変化量が階調レベルに応じた値となるように、前記データ転送線及び前記第1電極の電位を切り替え、前記駆動トランジスターの電気特性に応じた電位から前記変化量分に応じてシフトさせた電位に基づいて、発光素子に電流を供給することを特徴とする   To achieve the above object, a method for driving an electro-optical device according to one aspect of the present invention includes a data transfer line, a first electrode connected to the data transfer line, and a first capacitor including a second electrode. A driving transistor, a compensation unit that outputs a potential corresponding to the electrical characteristics of the driving transistor to the second electrode, and a light emitting element that emits light with a luminance corresponding to the magnitude of a current supplied through the driving transistor A method of driving an electro-optical device including: reducing or increasing the potential of the first electrode of the first capacitor at a constant rate of change over time; Is output to the second electrode, and the amount of change in the potential of the data transfer line and the first electrode becomes a value corresponding to the gray level. Electric Switching, on the basis of a potential according to the electric characteristics of the drive transistor to the potential of shifting in accordance with the change amount, and supplying a current to the light emitting element

この態様によれば、補償部が駆動トランジスターの電気特性に応じた電位を第2電極に出力する期間(補償期間)では、駆動トランジスターを所謂ダイオード接続した状態で、第1容量の第1電極の電位を、一定の変化率で経時的に変化(例えば低下)させる。これにより、補償動作中に初期電位を一定に維持する構成(第1容量の第1電極の電位を一定に維持する構成)と比較して、当該補償期間に要する時間が短縮される。つまり、補償動作の高速化が実現する。これは、第1容量の第1電極に印加する電位を一定の変化率で経時的に例えば低下させることで、第1電極の電荷を強制的に移動させ、結果として駆動トランジスターのゲート電極の電位が、第1電極の電位の変化率に応じた一定の電流が流れる電位に、迅速に変化するからである。   According to this aspect, in a period (compensation period) in which the compensation unit outputs a potential corresponding to the electrical characteristics of the driving transistor to the second electrode (compensation period), the driving transistor is connected to the first electrode of the first capacitor in a so-called diode connection state. The potential is changed (eg, decreased) with time at a constant rate of change. As a result, the time required for the compensation period is shortened compared to a configuration in which the initial potential is kept constant during the compensation operation (a configuration in which the potential of the first electrode of the first capacitor is kept constant). That is, speeding up of the compensation operation is realized. This is because, for example, the potential applied to the first electrode of the first capacitor is decreased over time at a constant rate of change, for example, the charge of the first electrode is forcibly moved, and as a result, the potential of the gate electrode of the drive transistor This is because the potential rapidly changes to a potential at which a constant current flows according to the change rate of the potential of the first electrode.

本発明の実施形態に係る電気光学装置の構成を示す斜視図である。1 is a perspective view illustrating a configuration of an electro-optical device according to an embodiment of the invention. 同電気光学装置の構成を示すブロック図である。2 is a block diagram illustrating a configuration of the electro-optical device. FIG. 同電気光学装置のデマルチプレクサとレベルシフト回路との構成を説明するための回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram for explaining a configuration of a demultiplexer and a level shift circuit of the same electro-optical device. 同電気光学装置の画素回路の構成を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram illustrating a configuration of a pixel circuit of the electro-optical device. 同電気光学装置の動作を示すタイミングチャートである。6 is a timing chart showing the operation of the electro-optical device. 同電気光学装置の動作説明図である。FIG. 6 is an operation explanatory diagram of the same electro-optical device. 同電気光学装置の動作説明図である。FIG. 6 is an operation explanatory diagram of the same electro-optical device. 同電気光学装置の動作説明図である。FIG. 6 is an operation explanatory diagram of the same electro-optical device. 同電気光学装置の補償期間を説明するグラフを示す図である。It is a figure which shows the graph explaining the compensation period of the same electro-optical apparatus. 同電気光学装置の動作説明図である。FIG. 6 is an operation explanatory diagram of the same electro-optical device. 変形例に係る画素回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the pixel circuit which concerns on a modification. HMDの外観構成を示す図である。It is a figure which shows the external appearance structure of HMD. HMDの光学構成を示す図である。It is a figure which shows the optical structure of HMD.

図1は、本発明の実施形態に係る電気光学装置1の構成を示す斜視図である。電気光学装置1は、例えばヘッドマウント・ディスプレイにおいて画像を表示するマイクロ・ディスプレイである。
図1に示すように、電気光学装置1は、表示パネル2と、表示パネル2の動作を制御する制御回路3とを備える。表示パネル2は、複数の画素回路と、当該画素回路を駆動する駆動回路とを備える。本実施形態において、表示パネル2が備える複数の画素回路及び駆動回路は、シリコン基板に形成され、画素回路には、発光素子の一例であるOLEDが用いられる。また、表示パネル2は、例えば、表示部で開口する枠状のケース82に収納されるとともに、FPC(Flexible Printed Circuits)基板84の一端が接続される。
FPC基板84には、半導体チップの制御回路3が、COF(Chip On Film)技術によって実装されるとともに、複数の端子86が設けられて、図示省略された上位回路に接続される。
FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of an electro-optical device 1 according to an embodiment of the present invention. The electro-optical device 1 is a micro display that displays an image on a head-mounted display, for example.
As shown in FIG. 1, the electro-optical device 1 includes a display panel 2 and a control circuit 3 that controls the operation of the display panel 2. The display panel 2 includes a plurality of pixel circuits and a drive circuit that drives the pixel circuits. In the present embodiment, a plurality of pixel circuits and drive circuits included in the display panel 2 are formed on a silicon substrate, and an OLED which is an example of a light emitting element is used for the pixel circuits. The display panel 2 is housed in, for example, a frame-shaped case 82 that opens at the display unit, and one end of an FPC (Flexible Printed Circuits) substrate 84 is connected.
On the FPC board 84, the control circuit 3 of the semiconductor chip is mounted by COF (Chip On Film) technology, and a plurality of terminals 86 are provided, and are connected to an upper circuit (not shown).

図2は、実施形態に係る電気光学装置1の構成を示すブロック図である。上述のとおり、電気光学装置1は、表示パネル2と、制御回路3とを備える。
制御回路3には、図示省略された上位回路よりデジタルの画像データVideoが同期信号に同期して供給される。ここで、画像データVideoとは、表示パネル2(厳密には、後述する表示部100)で表示すべき画像の画素の階調レベルを例えば8ビットで規定するデータである。また、同期信号とは、垂直同期信号、水平同期信号、及び、ドットクロック信号を含む信号である。
FIG. 2 is a block diagram illustrating a configuration of the electro-optical device 1 according to the embodiment. As described above, the electro-optical device 1 includes the display panel 2 and the control circuit 3.
Digital image data Video is supplied to the control circuit 3 from an upper circuit (not shown) in synchronization with a synchronization signal. Here, the image data Video is data that defines, for example, the 8-bit pixel gradation level of an image to be displayed on the display panel 2 (strictly speaking, the display unit 100 described later). The synchronization signal is a signal including a vertical synchronization signal, a horizontal synchronization signal, and a dot clock signal.

制御回路3は、同期信号に基づいて、各種制御信号を生成し、これを表示パネル2に対して供給する。具体的には、制御回路3は、表示パネル2に対して、制御信号Ctrと、正論理の制御信号Giniと、これと論理反転の関係にある負論理の制御信号/Giniと、正論理の制御信号Gcplと、これと論理反転の関係にある負論理の制御信号/Gcplと、制御信号Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)と、これらの信号に対して論理反転の関係にある制御信号/Sel(1)、/Sel(2)、/Sel(3)と、を供給する。
ここで、制御信号Ctrとは、パルス信号や、クロック信号、イネーブル信号など、複数の信号を含む信号である。
なお、制御信号Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)を、制御信号Selと総称し、制御信号/Sel(1)、/Sel(2)、/Sel(3)を、制御信号/Selと総称する場合がある。
また、制御回路3は電圧生成回路31を含む。電圧生成回路31は、表示パネル2に対して、各種電位を供給する。具体的には、制御回路3は、表示パネル2に対してリセット電位Vorst及び初期電位Vini等を供給する。
The control circuit 3 generates various control signals based on the synchronization signal and supplies them to the display panel 2. Specifically, the control circuit 3 controls the display panel 2 with a control signal Ctr, a positive logic control signal Gini, a negative logic control signal / Gini having a logic inversion relationship therewith, and a positive logic signal. Control signal Gcpl, negative logic control signal / Gcpl in a logic inversion relationship with this, control signals Sel (1), Sel (2), Sel (3), and logic inversion relationship with these signals Control signals / Sel (1), / Sel (2), and / Sel (3).
Here, the control signal Ctr is a signal including a plurality of signals such as a pulse signal, a clock signal, and an enable signal.
The control signals Sel (1), Sel (2), and Sel (3) are collectively referred to as the control signal Sel, and the control signals / Sel (1), / Sel (2), and / Sel (3) / Sel may be collectively called.
The control circuit 3 includes a voltage generation circuit 31. The voltage generation circuit 31 supplies various potentials to the display panel 2. Specifically, the control circuit 3 supplies the display panel 2 with a reset potential Vorst, an initial potential Vini, and the like.

さらに、制御回路3は、画像データVideoに基づいて、アナログの画像信号Vidを生成する。具体的には、制御回路3には、画像信号Vidの示す電位、及び、表示パネル2が備える発光素子(後述するOLED130)の輝度を対応付けて記憶したルックアップテーブルが設けられる。そして、制御回路3は、当該ルックアップテーブルを参照することで、画像データVideoに規定される発光素子の輝度に対応した電位を示す画像信号Vidを生成し、これを表示パネル2に対して供給する。   Further, the control circuit 3 generates an analog image signal Vid based on the image data Video. Specifically, the control circuit 3 is provided with a lookup table that stores the potential indicated by the image signal Vid and the luminance of a light emitting element (an OLED 130 described later) included in the display panel 2 in association with each other. Then, the control circuit 3 refers to the lookup table to generate an image signal Vid indicating a potential corresponding to the luminance of the light emitting element specified in the image data Video, and supplies this to the display panel 2. To do.

図2に示すように、表示パネル2は、表示部100と、これを駆動する駆動回路(データ転送線駆動回路10及び走査線駆動回路20)とを備える。
表示部100には、表示すべき画像の画素に対応した画素回路110がマトリクス状に配列されている。詳細には、表示部100において、M行の走査線12が図において横方向(X方向)に延在して設けられ、また、3列毎にグループ化された(3N)列のデータ転送線14が図において縦方向(Y方向)に延在し、かつ、各走査線12と互いに電気的な絶縁を保って設けられている。そして、M行の走査線12と(3N)列のデータ転送線14との交差部に対応して画素回路110が設けられている。このため、本実施形態において画素回路110は、縦M行×横(3N)列でマトリクス状に配列されている。
As shown in FIG. 2, the display panel 2 includes a display unit 100 and drive circuits (the data transfer line drive circuit 10 and the scanning line drive circuit 20) that drive the display unit 100.
In the display unit 100, pixel circuits 110 corresponding to pixels of an image to be displayed are arranged in a matrix. More specifically, in the display unit 100, M rows of scanning lines 12 are provided extending in the horizontal direction (X direction) in the drawing, and (3N) columns of data transfer lines are grouped every three columns. 14 extends in the vertical direction (Y direction) in the figure, and is provided so as to be electrically insulated from each scanning line 12. A pixel circuit 110 is provided corresponding to the intersection of the M rows of scanning lines 12 and the (3N) columns of data transfer lines 14. Therefore, in the present embodiment, the pixel circuits 110 are arranged in a matrix with vertical M rows × horizontal (3N) columns.

ここで、M、Nは、いずれも自然数である。走査線12及び画素回路110のマトリクスのうち、行(ロウ)を区別するために、図において上から順に1、2、3、…、(M−1)、M行と呼ぶ場合がある。同様にデータ転送線14及び画素回路110のマトリクスの列(カラム)を区別するために、図において左から順に1、2、3、…、(3N−1)、(3N)列と呼ぶ場合がある。
ここで、データ転送線14のグループを一般化して説明するために、1以上の任意の整数をnと表すと、左から数えてn番目のグループには、(3n−2)列目、(3n−1)列目及び(3n)列目のデータ転送線14が属している、ということになる。
Here, M and N are both natural numbers. In order to distinguish rows (rows) in the matrix of the scanning lines 12 and the pixel circuits 110, they may be referred to as 1, 2, 3,... (M-1), M rows in order from the top in the drawing. Similarly, in order to distinguish the columns of the matrix of the data transfer line 14 and the pixel circuit 110, they may be referred to as 1, 2, 3,..., (3N-1), (3N) columns in order from the left in the figure. is there.
Here, in order to generalize and describe the group of data transfer lines 14, when an arbitrary integer of 1 or more is expressed as n, the n-th group from the left includes the (3n−2) -th column, ( This means that the data transfer lines 14 of the 3n-1) th column and the (3n) th column belong.

なお、同一行の走査線12と同一グループに属する3列のデータ転送線14との交差に対応した3つの画素回路110は、それぞれR(赤)、G(緑)、B(青)の画素に対応して、これらの3画素が表示すべきカラー画像の1ドットを表現する。すなわち、本実施形態では、RGBに対応したOLEDの発光によって1ドットのカラーを加法混色で表現する構成となっている。   The three pixel circuits 110 corresponding to the intersections of the scanning lines 12 in the same row and the three columns of data transfer lines 14 belonging to the same group have R (red), G (green), and B (blue) pixels, respectively. Corresponding to the above, one dot of a color image to be displayed by these three pixels is expressed. That is, in the present embodiment, one dot color is expressed by additive color mixing by light emission of an OLED corresponding to RGB.

また、図2に示すように、表示部100において、(3N)列の給電線(リセット電位供給線)16が、縦方向に延在し、かつ、各走査線12と互いに電気的な絶縁を保って設けられる。各給電線16には、所定のリセット電位Vorstが共通に給電されている。ここで、給電線16の列を区別するために、図において左から順に1、2、3、…、(3N)列目の給電線16と呼ぶ場合がある。1列目〜(3N)列目の給電線16の各々は、1列目〜(3N)列目のデータ転送線14の各々に対応して設けられる。   As shown in FIG. 2, in the display unit 100, (3N) rows of power supply lines (reset potential supply lines) 16 extend in the vertical direction and are electrically insulated from each scanning line 12. Provided. A predetermined reset potential Vorst is commonly supplied to the power supply lines 16. Here, in order to distinguish the columns of the feeder lines 16, they may be referred to as the feeder lines 16 in the first, second, third,. Each of the first to (3N) th column feeder lines 16 is provided corresponding to each of the first to (3N) th column data transfer lines 14.

走査線駆動回路20は、1個のフレームの期間内にM本の走査線12を1行毎に順番に走査するための走査信号Gwrを、制御信号Ctrに従って生成する。ここで、1、2、3、…、M行目の走査線12に供給される走査信号Gwrを、それぞれGwr(1)、Gwr(2)、Gwr(3)、…、Gwr(M-1)、Gwr(M)と表記している。
なお、走査線駆動回路20は、走査信号Gwr(1)〜Gwr(M)のほかにも、当該走査信号Gwrに同期した各種制御信号を行毎に生成して表示部100に供給するが、図2においては図示を省略している。また、フレームの期間とは、電気光学装置1が1カット(コマ)分の画像を表示するのに要する期間をいい、例えば同期信号に含まれる垂直同期信号の周波数が120Hzであれば、その1周期分の8.3ミリ秒の期間である。
The scanning line driving circuit 20 generates a scanning signal Gwr for sequentially scanning the M scanning lines 12 for each row within one frame period in accordance with the control signal Ctr. Here, the scanning signals Gwr supplied to the scanning lines 12 in the 1, 2, 3,..., M rows are respectively Gwr (1), Gwr (2), Gwr (3),. ) And Gwr (M).
In addition to the scanning signals Gwr (1) to Gwr (M), the scanning line driving circuit 20 generates various control signals synchronized with the scanning signal Gwr for each row and supplies them to the display unit 100. Illustration is omitted in FIG. The frame period is a period required for the electro-optical device 1 to display an image for one cut (frame). For example, if the frequency of the vertical synchronization signal included in the synchronization signal is 120 Hz, the first period is 1. This is a period of 8.3 milliseconds corresponding to the period.

データ転送線駆動回路10は、(3N)列のデータ転送線14の各々と1対1に対応して設けられる(3N)個のレベルシフト回路LS、各グループを構成する3列のデータ転送線14毎に設けられるN個のデマルチプレクサDM、及び、データ信号供給回路70を備える。   The data transfer line driving circuit 10 includes (3N) level shift circuits LS provided in a one-to-one correspondence with each of the (3N) columns of data transfer lines 14, and the three columns of data transfer lines constituting each group. N demultiplexers DM provided for every 14 and a data signal supply circuit 70 are provided.

データ信号供給回路70は、制御回路3より供給される画像信号Vidと制御信号Ctrとに基づいて、データ信号Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(N)を生成する。すなわち、データ信号供給回路70は、データ信号Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(N)を時分割多重した画像信号Vidに基づいて、データ信号Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(N)を生成する。そして、データ信号供給回路70は、データ信号Vd(1)、Vd(2)、…、Vd(N)を、1、2、…、N番目のグループに対応するデマルチプレクサDMに対して、それぞれ供給する。   The data signal supply circuit 70 generates data signals Vd (1), Vd (2),..., Vd (N) based on the image signal Vid and the control signal Ctr supplied from the control circuit 3. That is, the data signal supply circuit 70 uses the data signals Vd (1), Vd (2),..., Vd (N) based on the image signal Vid obtained by time division multiplexing. ..., Vd (N) is generated. The data signal supply circuit 70 applies the data signals Vd (1), Vd (2),..., Vd (N) to the demultiplexers DM corresponding to the 1, 2,. Supply.

図3は、デマルチプレクサDMとレベルシフト回路LSとの構成を説明するための回路図である。なお、図3は、n番目のグループに属するデマルチプレクサDMと、当該デマルチプレクサDMに接続された3個のレベルシフト回路LSとを、代表的に表している。なお、以下では、n番目のグループに属するデマルチプレクサDMを、DM(n)と表記する場合がある。   FIG. 3 is a circuit diagram for explaining the configuration of the demultiplexer DM and the level shift circuit LS. FIG. 3 representatively shows a demultiplexer DM belonging to the nth group and three level shift circuits LS connected to the demultiplexer DM. Hereinafter, the demultiplexer DM belonging to the nth group may be referred to as DM (n).

以下では、図2に加えて図3を参照しながら、デマルチプレクサDM及びレベルシフト回路LSの構成について説明する。
図3に示すように、デマルチプレクサDMは、列毎に設けられたトランスミッションゲート34の集合体であり、各グループを構成する3列に、データ信号を順番に供給するものである。ここで、n番目のグループに属する(3n−2)、(3n−1)、(3n)列に対応したトランスミッションゲート34の入力端は互いに共通接続されて、その共通端子にそれぞれデータ信号Vd(n)が供給される。n番目のグループにおいて左端列である(3n−2)列に設けられたトランスミッションゲート34は、制御信号Sel(1)がHレベルであるとき(制御信号/Sel(1)がLレベルであるとき)にオン(導通)する。同様に、n番目のグループにおいて中央列である(3n−1)列に設けられたトランスミッションゲート34は、制御信号Sel(2)がHレベルであるとき(制御信号/Sel(2)がLレベルであるとき)にオンし、n番目のグループにおいて右端列である(3n)列に設けられたトランスミッションゲート34は、制御信号Sel(3)がHレベルであるとき(制御信号/Sel(3)がLレベルであるとき)にオンする。
Hereinafter, the configuration of the demultiplexer DM and the level shift circuit LS will be described with reference to FIG. 3 in addition to FIG.
As shown in FIG. 3, the demultiplexer DM is an aggregate of transmission gates 34 provided for each column, and sequentially supplies data signals to three columns constituting each group. Here, the input ends of the transmission gates 34 corresponding to the (3n-2), (3n-1), and (3n) columns belonging to the nth group are commonly connected to each other, and the data signal Vd ( n) is supplied. The transmission gate 34 provided in the (3n-2) column which is the leftmost column in the nth group is when the control signal Sel (1) is at the H level (when the control signal / Sel (1) is at the L level) ) Is turned on (conductive). Similarly, in the nth group, the transmission gates 34 provided in the (3n-1) column, which is the central column, have the control signal Sel (2) at the H level (the control signal / Sel (2) is at the L level. The transmission gate 34 provided in the (3n) column, which is the rightmost column in the nth group, when the control signal Sel (3) is at the H level (control signal / Sel (3) Is on).

レベルシフト回路LSは、保持容量(第2容量)41、トランスミッションゲート45、及び、トランスミッションゲート42の組を列毎に有し、各列のトランスミッションゲート34の出力端から出力されるデータ信号の電位をシフトするものである。   The level shift circuit LS has a set of a storage capacitor (second capacitor) 41, a transmission gate 45, and a transmission gate 42 for each column, and the potential of the data signal output from the output terminal of the transmission gate 34 in each column. Is to shift.

各列のトランスミッションゲート45のソース又はドレインは、データ転送線14に電気的に接続される。また、制御回路3は、各列のトランスミッションゲート45のゲートに対して、制御信号/Giniを共通に供給する。トランスミッションゲート45は、データ転送線14と、初期電位Viniの供給線とを、制御信号/GiniがLレベルのときに電気的に接続し、制御信号/GiniがHレベルのときに電気的に非接続とする。なお、初期電位Viniの供給線61には、制御回路3から所定の初期電位Viniが供給される。   The source or drain of the transmission gate 45 in each column is electrically connected to the data transfer line 14. The control circuit 3 supplies the control signal / Gini in common to the gates of the transmission gates 45 in each column. The transmission gate 45 electrically connects the data transfer line 14 and the supply line of the initial potential Vini when the control signal / Gini is at L level, and is electrically disconnected when the control signal / Gini is at H level. Connect. A predetermined initial potential Vini is supplied from the control circuit 3 to the supply line 61 for the initial potential Vini.

保持容量41は2つの電極を有する。保持容量41の一方の電極は、ノードhを介してトランスミッションゲート42の入力端に電気的に接続される。また、トランスミッションゲート42の出力端は、データ転送線14に電気的に接続される。
制御回路3は、各列のトランスミッションゲート42に対して、制御信号Gcpl及び制御信号/Gcplを共通に供給する。このため、各列のトランスミッションゲート42は、制御信号GcplがHレベルであるとき(制御信号/GcplがLレベルであるとき)に一斉にオンする。
The storage capacitor 41 has two electrodes. One electrode of the storage capacitor 41 is electrically connected to the input terminal of the transmission gate 42 via the node h. The output terminal of the transmission gate 42 is electrically connected to the data transfer line 14.
The control circuit 3 supplies the control signal Gcpl and the control signal / Gcpl in common to the transmission gates 42 in each column. For this reason, the transmission gates 42 in each column are simultaneously turned on when the control signal Gcpl is at the H level (when the control signal / Gcpl is at the L level).

各列の保持容量41の一方の電極は、ノードhを介して、トランスミッションゲート34の出力端、及び、トランスミッションゲート42の入力端に電気的に接続される。そして、トランスミッションゲート34がオンした際、保持容量41の一方の電極には、トランスミッションゲート34の出力端を介してデータ信号Vd(n)が供給される。すなわち、保持容量41は、一方の電極にデータ信号Vd(n)が供給される。
また、各列の保持容量41の他方の電極は、固定電位である電位Vssが供給される給電線に共通に接続される。ここで、電位Vssは、論理信号である走査信号や制御信号のLレベルに相当するものであってもよい。なお、保持容量41の容量値をCrfとする。
One electrode of the storage capacitor 41 in each column is electrically connected to the output end of the transmission gate 34 and the input end of the transmission gate 42 via the node h. When the transmission gate 34 is turned on, the data signal Vd (n) is supplied to one electrode of the storage capacitor 41 via the output terminal of the transmission gate 34. That is, in the storage capacitor 41, the data signal Vd (n) is supplied to one electrode.
The other electrode of the storage capacitor 41 in each column is connected in common to a power supply line to which a potential Vss that is a fixed potential is supplied. Here, the potential Vss may correspond to an L level of a scanning signal or a control signal that is a logic signal. Note that the capacitance value of the storage capacitor 41 is Crf.

図4を参照して画素回路110について説明する。画素回路110が配列する行を一般的に示すために、1以上M以下の任意の整数をmと表す。
各画素回路110については電気的にみれば互いに同一構成なので、ここでは、m行目に位置し、且つ、n番目のグループのうち左端列の(3n−2)列目に位置する、m行(3n−2)列の画素回路110を例にとって説明する。
The pixel circuit 110 will be described with reference to FIG. In order to generally indicate a row in which the pixel circuit 110 is arranged, an arbitrary integer of 1 to M is represented as m.
Since each pixel circuit 110 has the same configuration when viewed electrically, it is here positioned in the m-th row and is located in the (3n-2) -th column of the leftmost column in the n-th group. The description will be made taking the pixel circuit 110 in the (3n-2) column as an example.

図4に示されるように、画素回路110は、PチャネルMOS型のトランジスター121〜126と、OLED130と、画素容量132と、データ転送容量(第1容量)133を含む。この画素回路110には、走査信号Gwr(m)、制御信号Gcmp(m)、Gel(m)、Gorst(m)、Gfix(m)が供給される。ここで、走査信号Gwr(m)、制御信号Gcmp(m)、Gel(m)、Gorst(m) 、Gfix(m)は、それぞれm行目に対応して走査線駆動回路20によって供給されるものである。   As shown in FIG. 4, the pixel circuit 110 includes P-channel MOS transistors 121 to 126, an OLED 130, a pixel capacitor 132, and a data transfer capacitor (first capacitor) 133. The pixel circuit 110 is supplied with a scanning signal Gwr (m), control signals Gcmp (m), Gel (m), Gorst (m), and Gfix (m). Here, the scanning signal Gwr (m), the control signals Gcmp (m), Gel (m), Gorst (m), and Gfix (m) are supplied by the scanning line driving circuit 20 corresponding to the m-th row. Is.

なお、図2では図示省略したが、表示パネル2(表示部100)には、図2において横方向(X方向)に延在するm行の制御線143(第1制御線)、横方向に延在するm行の制御線144(第2制御線)、横方向に延在するm行の制御線145(第3制御線)、及び、横方向に延在するm行の制御線146(第4制御線)が設けられる。   Although not shown in FIG. 2, the display panel 2 (display unit 100) includes m rows of control lines 143 (first control lines) extending in the horizontal direction (X direction) in FIG. M rows of control lines 144 (second control lines), m rows of control lines 145 (third control lines), and m rows of control lines 146 (laterally extending) A fourth control line) is provided.

そして、走査線駆動回路20は、1、2、3、…、m行目の制御線143に対して、それぞれ、制御信号Gcmp(1)、Gcmp(2)、Gcmp(3)、…、Gcmp(m)を供給し、1、2、3、…、m行目の制御線144に対して、それぞれ、制御信号Gel(1)、Gel(2)、Gel(3)、…、Gel(m)を供給し、1、2、3、…、m行目の制御線145に対して、それぞれ、制御信号Gorst(1)、Gorst(2)、Gorst(3)、…、Gorst(m)を供給し、1、2、3、…、m行目の制御線146に対して、それぞれ、制御信号Gfix(1)、Gfix(2)、Gfix(3)、…、Gfix(m)を供給する。
すなわち、走査線駆動回路20は、m行目に位置する(3n)個の画素回路に対して、走査信号Gwr(m)、制御信号Gel(m)、Gcmp(m)、Gorst(m)、Gfix(m)を、それぞれ、m行目の走査線12、制御線143、144、145、146を介して、共通に供給する。
以下では、走査線12、制御線143、制御線144、制御線145、及び制御線146を、「制御線」と総称する場合がある。すなわち、本実施形態に係る表示パネル2には、各行に、走査線12を含む5本の制御線が設けられる。
The scanning line driving circuit 20 applies control signals Gcmp (1), Gcmp (2), Gcmp (3),..., Gcmp to the control lines 143 in the 1, 2, 3,. (m) is supplied, and control signals Gel (1), Gel (2), Gel (3),..., Gel (m ) And control signals Gorst (1), Gorst (2), Gorst (3),..., Gorst (m) to the control lines 145 in the 1, 2, 3,. , And supply control signals Gfix (1), Gfix (2), Gfix (3),..., Gfix (m) to the control lines 146 in the 1, 2, 3,. .
That is, the scanning line driving circuit 20 applies the scanning signal Gwr (m), the control signals Gel (m), Gcmp (m), Gorst (m), (3n) pixel circuits positioned in the m-th row. Gfix (m) is supplied in common through the m-th scanning line 12 and control lines 143, 144, 145, and 146, respectively.
Hereinafter, the scanning line 12, the control line 143, the control line 144, the control line 145, and the control line 146 may be collectively referred to as “control line”. That is, the display panel 2 according to the present embodiment is provided with five control lines including the scanning lines 12 in each row.

画素容量132及びデータ転送容量133は、それぞれ2つの電極を有する。データ転送容量133は、第1電極133−1と第2電極133−2とを含む静電容量である。   Each of the pixel capacitor 132 and the data transfer capacitor 133 has two electrodes. The data transfer capacitor 133 is a capacitance that includes the first electrode 133-1 and the second electrode 133-2.

第2トランジスター122は、ゲートがm行目の走査線12に電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が、データ転送容量133の一方の電極(第2電極133−2)に電気的に接続されている。また、第2トランジスター122は、ソースまたはドレインの他方が、駆動トランジスター121のゲートと、画素容量132の一方の電極とに、それぞれ電気的に接続されている。すなわち、第2トランジスター122は駆動トランジスター121のゲートと保持容量133の第2電極133−2との間に電気的に接続され、駆動トランジスター121のゲートと、(3n−2)列目のデータ転送線14に接続されたデータ転送容量133の第2電極133−2との間の電気的な接続を制御するトランジスターとして機能する。   The second transistor 122 has a gate electrically connected to the scanning line 12 in the m-th row, and one of a source and a drain is electrically connected to one electrode (second electrode 133-2) of the data transfer capacitor 133. Has been. In the second transistor 122, the other of the source and the drain is electrically connected to the gate of the driving transistor 121 and one electrode of the pixel capacitor 132. In other words, the second transistor 122 is electrically connected between the gate of the driving transistor 121 and the second electrode 133-2 of the storage capacitor 133, and the gate of the driving transistor 121 and the data transfer in the (3n-2) th column. It functions as a transistor that controls the electrical connection between the second electrode 133-2 of the data transfer capacitor 133 connected to the line 14.

駆動トランジスター121は、ソースが給電線116に電気的に接続され、ドレインが第3トランジスター123のソースまたはドレインの他方と、第4トランジスター124のソースとにそれぞれ電気的に接続されている。
ここで、給電線116には、画素回路110において電源の高位側となる電位Velが給電される。この駆動トランジスター121は、駆動トランジスター121のゲート及びソース間の電圧に応じた電流を流す駆動トランジスターとして機能する。
第3トランジスター123は、ゲートが制御線143に電気的に接続され、制御信号Gcmp(m)が供給される。この第3トランジスター123は、駆動トランジスター121のゲート及びドレインの間の電気的な接続を制御する、スイッチングトランジスターとして機能する。よって、第3トランジスター123は、第2トランジスター122を介して駆動トランジスター121のゲート及びドレインの間を導通させるためのトランジスターである。なお、第3トランジスター123のソース及びドレインの一方と駆動トランジスター121のゲートとの間には第2トランジスター122が接続されているが、第3トランジスター123のソース及びドレインの一方は、駆動トランジスター121のゲートに電気的に接続されているとも解釈され得る。
The drive transistor 121 has a source electrically connected to the power supply line 116, and a drain electrically connected to the source or the other of the third transistor 123 and the source of the fourth transistor 124.
Here, the power supply line 116 is supplied with a potential Vel that is higher in the power supply in the pixel circuit 110. The drive transistor 121 functions as a drive transistor that passes a current according to the voltage between the gate and the source of the drive transistor 121.
The third transistor 123 has a gate electrically connected to the control line 143 and is supplied with a control signal Gcmp (m). The third transistor 123 functions as a switching transistor that controls electrical connection between the gate and drain of the driving transistor 121. Therefore, the third transistor 123 is a transistor for conducting between the gate and the drain of the driving transistor 121 through the second transistor 122. The second transistor 122 is connected between one of the source and drain of the third transistor 123 and the gate of the driving transistor 121, but one of the source and drain of the third transistor 123 is connected to the driving transistor 121. It can also be interpreted as being electrically connected to the gate.

第4トランジスター124は、ゲートが制御線144に電気的に接続され、制御信号Gel(m)が供給される。また、第4トランジスター124は、ドレインが第5トランジスター125のソースとOLED130のアノード130aとにそれぞれ電気的に接続されている。この第4トランジスター124は、駆動トランジスター121のドレインと、OLED130のアノードとの間の電気的な接続を制御する、スイッチングトランジスターとして機能する。さらに、駆動トランジスター121のドレインとOLED130のアノードとの間には第4トランジスター124が接続されているが、駆動トランジスター121のドレインは、OLED130のアノードに電気的に接続されているとも解釈され得る。
第5トランジスター125は、ゲートが制御線145に電気的に接続され、制御信号Gorst(m)が供給される。また、第5トランジスター125のドレインは(3n−2)列目の給電線16に電気的に接続されてリセット電位Vorstに保たれている。この第5トランジスター125は、給電線16と、OLED130のアノード130aとの間の電気的な接続を制御するスイッチングトランジスターとして機能する。
The fourth transistor 124 has a gate electrically connected to the control line 144 and is supplied with a control signal Gel (m). The drain of the fourth transistor 124 is electrically connected to the source of the fifth transistor 125 and the anode 130a of the OLED 130, respectively. The fourth transistor 124 functions as a switching transistor that controls electrical connection between the drain of the driving transistor 121 and the anode of the OLED 130. Furthermore, although the fourth transistor 124 is connected between the drain of the driving transistor 121 and the anode of the OLED 130, the drain of the driving transistor 121 can be interpreted as being electrically connected to the anode of the OLED 130.
The fifth transistor 125 has a gate electrically connected to the control line 145 and is supplied with a control signal Gorst (m). The drain of the fifth transistor 125 is electrically connected to the feeder line 16 in the (3n-2) th column and is kept at the reset potential Vorst. The fifth transistor 125 functions as a switching transistor that controls electrical connection between the power supply line 16 and the anode 130 a of the OLED 130.

第1トランジスター126は、ゲートが制御線146に電気的に接続され、制御信号Gfix(m)が供給される。また、第1トランジスター126のソース又はドレインの一方は、(3n−2)列目の給電線16に電気的に接続されてリセット電位Vorstに保たれている。また、第1トランジスター126は、ソース又はドレインの他方がデータ転送容量133の第2電極133−2と、第3トランジスター123のソース又はドレインの一方とに電気的に接続されている。この第1トランジスター126は、主として、給電線16と、データ転送容量133の第2電極133−2との間の電気的な接続を制御するスイッチングトランジスターとして機能する。   The first transistor 126 has a gate electrically connected to the control line 146 and is supplied with a control signal Gfix (m). One of the source and the drain of the first transistor 126 is electrically connected to the power supply line 16 in the (3n-2) th column and is kept at the reset potential Vorst. The first transistor 126 has the other of the source and the drain electrically connected to the second electrode 133-2 of the data transfer capacitor 133 and one of the source and the drain of the third transistor 123. The first transistor 126 mainly functions as a switching transistor that controls electrical connection between the power supply line 16 and the second electrode 133-2 of the data transfer capacitor 133.

なお、本実施形態において表示パネル2はシリコン基板に形成されるので、トランジスター121〜126の基板電位については電位Velとしている。また、上記におけるトランジスター121〜126のソース、ドレインは、トランジスター121〜126のチャネル型、電位の関係に応じて入れ替わってもよい。また、トランジスターは薄膜トランジスターであっても電界効果トランジスターであってもよい。   In the present embodiment, since the display panel 2 is formed on a silicon substrate, the substrate potentials of the transistors 121 to 126 are set to the potential Vel. In addition, the sources and drains of the transistors 121 to 126 in the above may be switched depending on the channel type and potential relationship of the transistors 121 to 126. The transistor may be a thin film transistor or a field effect transistor.

画素容量132は、一方の電極が駆動トランジスター121のゲートに電気的に接続され、他方の電極が給電線116に電気的に接続される。このため、画素容量132は、駆動トランジスター121のゲート・ソース間の電圧を保持する保持容量として機能する。なお、画素容量132の容量値をCpixと表記する。
なお、画素容量132としては、駆動トランジスター121のゲートgに寄生する容量を用いても良いし、シリコン基板において互いに異なる導電層で絶縁層を挟持することによって形成される容量を用いても良い。
In the pixel capacitor 132, one electrode is electrically connected to the gate of the driving transistor 121, and the other electrode is electrically connected to the power supply line 116. Therefore, the pixel capacitor 132 functions as a storage capacitor that holds a voltage between the gate and the source of the driving transistor 121. The capacitance value of the pixel capacitor 132 is expressed as Cpix.
As the pixel capacitor 132, a capacitor parasitic to the gate g of the driving transistor 121 may be used, or a capacitor formed by sandwiching an insulating layer between different conductive layers in a silicon substrate may be used.

OLED130のアノード130aは、画素回路110毎に個別に設けられる画素電極である。これに対して、OLED130のカソードは、画素回路110のすべてにわたって共通に設けられる共通電極118であり、画素回路110において電源の低位側となる電位Vctに保たれている。OLED130は、上記シリコン基板において、アノード130aと光透過性を有するカソードとで白色有機EL層を挟持した素子である。そして、OLED130の出射側(カソード側)にはRGBのいずれかに対応したカラーフィルターが重ねられる。   The anode 130 a of the OLED 130 is a pixel electrode provided individually for each pixel circuit 110. On the other hand, the cathode of the OLED 130 is a common electrode 118 provided in common throughout the pixel circuit 110, and is maintained at the potential Vct that is the lower side of the power supply in the pixel circuit 110. The OLED 130 is an element in which a white organic EL layer is sandwiched between an anode 130a and a light-transmitting cathode in the silicon substrate. A color filter corresponding to any of RGB is superimposed on the emission side (cathode side) of the OLED 130.

このようなOLED130において、アノード130aからカソードに電流が流れると、アノード130aから注入された正孔とカソードから注入された電子とが有機EL層で再結合して励起子が生成され、白色光が発生する。このときに発生した白色光は、シリコン基板(アノード130a)とは反対側のカソードを透過し、カラーフィルターによる着色を経て、観察者側に視認される構成となっている。なお、白色有機EL層を挟んで配置される2つの反射層間の光学距離を調整してキャビティ構造を形成し、OLED130から発せられる光の波長を設定してもよい。この場合、カラーフィルターを有していてもよいし、なくてもよい。   In such an OLED 130, when a current flows from the anode 130a to the cathode, holes injected from the anode 130a and electrons injected from the cathode are recombined in the organic EL layer to generate excitons, and white light is generated. Occur. The white light generated at this time is transmitted through the cathode on the opposite side to the silicon substrate (anode 130a), and is colored by a color filter so as to be visually recognized by the viewer. Note that the wavelength of light emitted from the OLED 130 may be set by adjusting the optical distance between two reflective layers arranged with the white organic EL layer interposed therebetween to form a cavity structure. In this case, a color filter may or may not be provided.

図5を参照して電気光学装置1の動作について説明する。図5は、電気光学装置1における各部の動作を説明するためのタイミングチャートである。この図に示されるように、走査線駆動回路20は、走査信号Gwr(1)〜Gwr(M)を順次Lレベルに切り替えて、1フレームの期間において1〜M行目の走査線12を1水平走査期間(H)毎に順番に走査する。
1水平走査期間(H)での動作は、各行の画素回路110にわたって共通である。そこで以下については、m行目が水平走査される水平走査期間において、特にm行(3n−2)列の画素回路110について着目して動作を説明する。
The operation of the electro-optical device 1 will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a timing chart for explaining the operation of each part in the electro-optical device 1. As shown in this figure, the scanning line driving circuit 20 sequentially switches the scanning signals Gwr (1) to Gwr (M) to the L level, and sets the scanning lines 12 of the 1st to Mth rows to 1 in the period of one frame. Scan in order for each horizontal scanning period (H).
The operation in one horizontal scanning period (H) is common to the pixel circuits 110 in each row. Therefore, in the following, the operation will be described focusing on the pixel circuit 110 in the m-th row (3n-2) column in the horizontal scanning period in which the m-th row is horizontally scanned.

本実施形態ではm行目の水平走査期間は、大別すると、図5において(b)で示される初期化期間と、(c)で示される補償期間と、(d)で示される書込期間とに分けられる。また、水平走査期間以外の期間は、(a)で示される発光期間である。そして、(d)の書込期間の後、再び、(a)で示される発光期間となり、1フレームの期間経過後に再びm行目の水平走査期間に至る。このため、時間の順でいえば、発光期間→初期化期間→補償期間→書込期間→発光期間というサイクルの繰り返しとなる。   In the present embodiment, the horizontal scanning period of the m-th row is roughly divided into an initialization period indicated by (b) in FIG. 5, a compensation period indicated by (c), and a writing period indicated by (d). And divided. The period other than the horizontal scanning period is a light emission period shown in (a). Then, after the writing period of (d), the light emission period shown in (a) is reached again, and after the elapse of one frame period, the horizontal scanning period of the m-th row is reached again. For this reason, in the order of time, a cycle of light emission period → initialization period → compensation period → writing period → light emission period is repeated.

以下、説明の便宜上、初期化期間の前提となる発光期間から説明する。図6は、発光期間における画素回路110などの動作を説明する図である。なお、図6においては、動作説明で重要となる電流経路を太線で示し、オフ状態のトランジスター又はトランスミッションゲート上には太線で「X」印を付している(以下の図7、図8、及び図10においても同様である)。   Hereinafter, for convenience of explanation, the light emission period which is a premise of the initialization period will be described. FIG. 6 is a diagram illustrating the operation of the pixel circuit 110 and the like during the light emission period. In FIG. 6, the current path that is important in the explanation of the operation is indicated by a bold line, and an “X” is indicated by a bold line on the transistor or transmission gate in the off state (see FIGS. 7 and 8 below). The same applies to FIG. 10).

<発光期間>
図5に示されるように、m行目の発光期間では、走査信号Gwr(m)がHレベルであり、制御信号Gel(m)はLレベルであり、制御信号Gcmp(m)はHレベルであり、制御信号Gfix(m)はHレベルである。
このため、図6に示されるようにm行(3n−2)列の画素回路110においては、トランジスター124がオンする一方、トランジスター122、123,125,126がオフする。これにより、駆動トランジスター121は、画素容量132によって保持された電圧、すなわちゲート・ソース間の電圧Vgsに応じた駆動電流Idsを、OLED130に供給する。つまり、OLED130は、駆動トランジスター121によって各画素の指定階調に応じた階調電位に応じた電流が供給され、当該電流に応じた輝度で発光する。
<Light emission period>
As shown in FIG. 5, in the light emission period of the m-th row, the scanning signal Gwr (m) is at the H level, the control signal Gel (m) is at the L level, and the control signal Gcmp (m) is at the H level. Yes, the control signal Gfix (m) is at the H level.
Therefore, as shown in FIG. 6, in the pixel circuit 110 of m rows (3n-2) columns, the transistor 124 is turned on, while the transistors 122, 123, 125, and 126 are turned off. As a result, the drive transistor 121 supplies the OLED 130 with a drive current Ids corresponding to the voltage held by the pixel capacitor 132, that is, the gate-source voltage Vgs. That is, the OLED 130 is supplied with a current corresponding to the gradation potential corresponding to the designated gradation of each pixel by the driving transistor 121 and emits light with a luminance corresponding to the current.

ここで、発光期間においてレベルシフト回路LSでは、図6に示されるように、制御信号/GiniがHレベルになるのでトランスミッションゲート45がオフし、制御信号GcplがLレベルになるので、トランスミッションゲート42がオフする。また、発光期間のデマルチプレクサDM(n)においては、制御信号Sel(1)がLレベルになるので、トランスミッションゲート34がオフする。   Here, in the light emission period, in the level shift circuit LS, as shown in FIG. 6, since the control signal / Gini becomes H level, the transmission gate 45 is turned off and the control signal Gcpl becomes L level. Turns off. Further, in the demultiplexer DM (n) during the light emission period, the control signal Sel (1) is at the L level, so that the transmission gate 34 is turned off.

なお、m行目の発光期間は、m行目以外が水平走査される期間であるから、トランスミッションゲート34、トランスミッションゲート42、トランスミッションゲート45はこれらの行の動作に合わせてオン又はオフし、データ転送線14の電位は適宜変動する。ただし、m行目の画素回路110においては、第2トランジスター122がオフしているので、ここでは、データ転送線14の電位変動を考慮していない。   Since the light emission period of the m-th row is a period during which horizontal scanning is performed except for the m-th row, the transmission gate 34, the transmission gate 42, and the transmission gate 45 are turned on or off according to the operation of these rows, and the data The potential of the transfer line 14 varies as appropriate. However, in the pixel circuit 110 in the m-th row, since the second transistor 122 is off, the potential fluctuation of the data transfer line 14 is not considered here.

<初期化期間>
次にm行目の水平走査期間に至ると、まず、(b)の初期化期間が開始する。図5に示されるように、m行目の初期化期間では、走査信号Gwr(m)がLレベルであり、制御信号Gel(m)はHレベルであり、制御信号Gcmp(m)はHレベルであり、制御信号Gfix(m)はLレベルである。
このため、図7に示されるように、m行(3n−2)列の画素回路110においてはトランジスター122、125,126がオンする一方、トランジスター123、124がオフする。これにより、OLED130に供給される電流の経路が遮断されるので、OLED130は、オフ(非発光)状態となる。また、データ転送容量133の第2電極133−2は、給電線16と電気的に接続され、リセット電位Vorstに設定される。また、第5トランジスター125がオンすることによって、OLED130のアノード130aと給電線16とが電気的に接続され、アノード130aの電位がリセット電位Vorstに設定される。
<Initialization period>
Next, when the horizontal scanning period of the m-th row is reached, first, the initialization period of (b) starts. As shown in FIG. 5, in the initialization period of the m-th row, the scanning signal Gwr (m) is L level, the control signal Gel (m) is H level, and the control signal Gcmp (m) is H level. The control signal Gfix (m) is at L level.
For this reason, as shown in FIG. 7, in the pixel circuit 110 of m rows (3n-2) columns, the transistors 122, 125, and 126 are turned on, while the transistors 123 and 124 are turned off. As a result, the path of the current supplied to the OLED 130 is interrupted, so that the OLED 130 enters an off (non-light emitting) state. The second electrode 133-2 of the data transfer capacitor 133 is electrically connected to the power supply line 16 and set to the reset potential Vorst. Further, when the fifth transistor 125 is turned on, the anode 130a of the OLED 130 and the power supply line 16 are electrically connected, and the potential of the anode 130a is set to the reset potential Vorst.

ここで、初期化期間においてレベルシフト回路LSでは、図7に示されるように、制御信号/GiniがLレベルになるのでトランスミッションゲート45がオンし、制御信号GcplがLレベルになるので、トランスミッションゲート42がオフする。このため、図7に示されるようにデータ転送容量133の第1電極133−1に接続されたデータ転送線14は初期電位Viniに設定される。   Here, in the initialization period, in the level shift circuit LS, as shown in FIG. 7, since the control signal / Gini becomes L level, the transmission gate 45 is turned on and the control signal Gcpl becomes L level. 42 turns off. Therefore, as shown in FIG. 7, the data transfer line 14 connected to the first electrode 133-1 of the data transfer capacitor 133 is set to the initial potential Vini.

また、初期化期間においては、制御信号Sel(1)がHレベルになるので、デマルチプレクサDM(n)においては、図7に示されるようにトランスミッションゲート34がオンする。これにより、容量値Crfの保持容量41に階調電位が書き込まれる。
また、図7に示されるように、m行(3n−2)列の画素回路110では第2トランジスター122及び第1トランジスター126がオンするので、ゲートgが給電線16に電気的に接続された状態になる。したがって、ゲートgもリセット電位Vorstになるので、画素容量132の保持電圧は、発光期間において保持していた電圧から、(Vel−Vorst)に初期化される。
In the initialization period, since the control signal Sel (1) is at the H level, the transmission gate 34 is turned on in the demultiplexer DM (n) as shown in FIG. As a result, the gradation potential is written in the storage capacitor 41 having the capacitance value Crf.
Further, as shown in FIG. 7, in the pixel circuit 110 of m rows (3n−2) columns, the second transistor 122 and the first transistor 126 are turned on, so that the gate g is electrically connected to the power supply line 16. It becomes a state. Therefore, since the gate g is also at the reset potential Vorst, the holding voltage of the pixel capacitor 132 is initialized to (Vel−Vorst) from the voltage held during the light emission period.

<補償期間>
m行目の水平走査期間では、上述した(b)の初期化期間を終えると、(c)の補償期間が開始する。m行目の補償期間では、走査信号Gwr(m)がLレベルであり、制御信号Gel(m)はHレベルであり、制御信号Gcmp(m)はLレベルであり、制御信号Gfix(m)はHレベルである。
このため、図8に示されるように、m行(3n−2)列の画素回路110においてはトランジスター122、123、125がオンする一方、第4トランジスター124、126がオフする。このとき、駆動トランジスター121のゲートgは、トランジスター122とトランジスター123とを介して自身のドレインに接続(ダイオード接続)され、駆動トランジスター121がオンしてドレイン電流が流れてゲートgを充電する。また、駆動トランジスター121のドレインは、給電線16と電気的に非接続であり、且つ、データ転送容量133の第2電極133−2と駆動トランジスター121のゲートと電気的に接続される。
つまり、第2トランジスター122及び第3トランジスター123を介して、駆動トランジスター121のドレインとゲートとがデータ転送容量133の第2電極133−2に接続される。第2トランジスター122及び第3トランジスター123は、駆動トランジスター121の電気特性に応じた電位を第2電極133−2に出力する補償部として機能する。
<Compensation period>
In the horizontal scanning period of the m-th row, when the initialization period (b) described above is completed, the compensation period (c) starts. In the m-th compensation period, the scanning signal Gwr (m) is at the L level, the control signal Gel (m) is at the H level, the control signal Gcmp (m) is at the L level, and the control signal Gfix (m) Is at the H level.
Therefore, as shown in FIG. 8, in the pixel circuit 110 of m rows (3n-2) columns, the transistors 122, 123, 125 are turned on, while the fourth transistors 124, 126 are turned off. At this time, the gate g of the driving transistor 121 is connected (diode-connected) to its own drain via the transistor 122 and the transistor 123, the driving transistor 121 is turned on, and a drain current flows to charge the gate g. The drain of the driving transistor 121 is not electrically connected to the power supply line 16 and is electrically connected to the second electrode 133-2 of the data transfer capacitor 133 and the gate of the driving transistor 121.
That is, the drain and gate of the driving transistor 121 are connected to the second electrode 133-2 of the data transfer capacitor 133 through the second transistor 122 and the third transistor 123. The second transistor 122 and the third transistor 123 function as a compensation unit that outputs a potential corresponding to the electrical characteristics of the driving transistor 121 to the second electrode 133-2.

ここで、補償期間のレベルシフト回路LSにおいては、図8に示されるように、制御信号/GiniがLレベルになるのでトランスミッションゲート45がオンし、制御信号GcplがLレベルになるので、トランスミッションゲート42がオフする。このため、図7に示されるようにデータ転送容量133の第1電極133−1及びデータ転送線14には初期電位Viniが印加される。
また、補償期間においては、制御信号Sel(1)がHレベルになるので、デマルチプレクサDM(n)においては、図7に示されるようにトランスミッションゲート34がオンする。これにより、容量値Crfの保持容量41に階調電位が書き込まれる。
Here, in the level shift circuit LS in the compensation period, as shown in FIG. 8, since the control signal / Gini becomes L level, the transmission gate 45 is turned on, and the control signal Gcpl becomes L level. 42 turns off. Therefore, as shown in FIG. 7, the initial potential Vini is applied to the first electrode 133-1 and the data transfer line 14 of the data transfer capacitor 133.
Further, since the control signal Sel (1) is at the H level during the compensation period, the transmission gate 34 is turned on in the demultiplexer DM (n) as shown in FIG. As a result, the gradation potential is written in the storage capacitor 41 having the capacitance value Crf.

図9は、補償期間における初期電位Vini及びゲートgの電位Vgの時間変化のグラフ、及び、駆動トランジスター121に流れる駆動電流Idsの時間変化のグラフを示す図である。
図9に示されるように、補償期間においては、データ転送容量133の第1電極133−1及びデータ転送線14には、初期電位Viniとして、一定の変化率α(単位時間当たりの電位の変動量)で経時的に低下するランプ波形の電位が供給される。これにより、駆動トランジスター121のドレインからゲートgへ、データ転送容量133の第1電極133−1の電位(初期電位Vini)の変化に応じた電流が流れ、図9に示すようにゲートノードの電位Vgは当該電流に応じた電位に設定される。
FIG. 9 is a graph showing a time change graph of the initial potential Vini and the potential Vg of the gate g and a time change graph of the drive current Ids flowing through the drive transistor 121 in the compensation period.
As shown in FIG. 9, during the compensation period, the first electrode 133-1 and the data transfer line 14 of the data transfer capacitor 133 have a constant change rate α (the potential change per unit time) as the initial potential Vini. A potential of a ramp waveform that decreases with time. As a result, a current corresponding to a change in the potential (initial potential Vini) of the first electrode 133-1 of the data transfer capacitor 133 flows from the drain of the driving transistor 121 to the gate g, and the potential of the gate node as shown in FIG. Vg is set to a potential corresponding to the current.

但し、駆動トランジスター121のドレインからゲートgへ流れる駆動電流Idsは、ゲートgの電位Vgが電位Velに近づくにつれて流れにくくなるので、ゲートgの電位Vgは、補償期間の終了に至るまでに、図9に示すように電位Velに向かって経時的に増加する。
このようにして設定されたゲートノードの電位Vgは、駆動トランジスター121の移動度や閾値電圧Vthなどの電気特性に応じた電位である。これにより、各画素回路110における駆動トランジスター121の電気特性のばらつきが補償される。
However, since the drive current Ids flowing from the drain of the drive transistor 121 to the gate g becomes difficult to flow as the potential Vg of the gate g approaches the potential Vel, the potential Vg of the gate g does not reach the end of the compensation period. As shown in FIG. 9, the voltage increases with time toward the potential Vel.
The potential Vg of the gate node set in this way is a potential according to electrical characteristics such as the mobility of the driving transistor 121 and the threshold voltage Vth. As a result, variations in the electrical characteristics of the drive transistor 121 in each pixel circuit 110 are compensated.

具体的には下記の動作により、各画素回路110における駆動トランジスター121の電気特性のばらつきが補償される。
すなわち、駆動トランジスター121、第2トランジスター122、及び第3トランジスター123がオンすることで、データ転送容量133の第2電極133−2には、駆動トランジスター121のソース-ドレインと第3トランジスター123とを経由して、給電線116から電位Velが供給され、電荷が供給(充電)される。
他方、第1電極133−1では、印加される初期電位Viniの低下によって、当該第1電極133−1の電荷がデータ転送線14を経由して放電される。
Specifically, the variation in the electrical characteristics of the drive transistor 121 in each pixel circuit 110 is compensated by the following operation.
That is, when the driving transistor 121, the second transistor 122, and the third transistor 123 are turned on, the source-drain of the driving transistor 121 and the third transistor 123 are connected to the second electrode 133-2 of the data transfer capacitor 133. Via, the potential Vel is supplied from the power supply line 116, and electric charge is supplied (charged).
On the other hand, in the first electrode 133-1, the charge of the first electrode 133-1 is discharged via the data transfer line 14 due to the decrease in the applied initial potential Vini.

従って、データ転送容量133においては、第2電極133−2に対する電荷の供給(駆動トランジスター121を経由して流れる電流)は、駆動トランジスター121のゲートgの電位Vgを上昇させるように作用する一方、第1電極133−1からの電荷の放出は電位Vgを低下させるように作用する。   Accordingly, in the data transfer capacitor 133, supply of electric charge to the second electrode 133-2 (current flowing through the drive transistor 121) acts to increase the potential Vg of the gate g of the drive transistor 121, while The discharge of charge from the first electrode 133-1 acts to lower the potential Vg.

いま、第1電極133−1からの電荷の放出により電位Vgが低下すると、駆動トランジスター121のゲート-ソース間の電圧Vgsは上昇するため、駆動電流Idsが増加する。これは、電位Vgを増加させるように作用する。
すなわち、第1電極133−1からの電荷の放出に由来する電位Vgの低下と、第2電極133−2に対する電荷の供給に由来する電位Vgの上昇とが、相互に平衡するように駆動トランジスターの駆動電流Idsが調整される。ここで駆動電流Idsは、初期電位Viniの変化率α(第1電極133−1の電荷量の時間変化)に応じた一定値の電流である。
Now, when the potential Vg decreases due to the discharge of charge from the first electrode 133-1, the gate-source voltage Vgs of the driving transistor 121 increases, and the driving current Ids increases. This acts to increase the potential Vg.
That is, the drive transistor is configured such that the decrease in the potential Vg resulting from the discharge of the charge from the first electrode 133-1 and the increase in the potential Vg resulting from the supply of the charge to the second electrode 133-2 are balanced with each other. The drive current Ids is adjusted. Here, the drive current Ids is a constant current according to the rate of change α of the initial potential Vini (time change in the charge amount of the first electrode 133-1).

以上の説明から理解される通り、補償動作では、駆動トランジスター121の閾値電圧Vthの値に関わらず、初期電位Viniの変化率αに応じた一定の駆動電流Idsが、駆動トランジスター121のソース-ドレイン間に流れるように、駆動トランジスター121のゲートの電位Vgが調整される。
すなわち、補償動作により、駆動トランジスター121のゲートgの電位Vgは、駆動トランジスター121の移動度や閾値電圧Vth等の電気特性を反映した電位に設定される。換言すれば、駆動トランジスター121のゲートgの電位Vgは、個々の駆動トランジスター121間で相違し得る閾値電圧Vthや移動度のもとで、一定の駆動電流Idsが流れるような電位に設定される。
以上説明したように、第2トランジスター122及び第3トランジスター123は、駆動トランジスター121の電気特性に応じた電位を第2電極133−2に出力する補償部として機能する。
As understood from the above description, in the compensation operation, regardless of the value of the threshold voltage Vth of the driving transistor 121, a constant driving current Ids corresponding to the change rate α of the initial potential Vini is a source-drain of the driving transistor 121. The potential Vg of the gate of the driving transistor 121 is adjusted so as to flow between them.
That is, by the compensation operation, the potential Vg of the gate g of the driving transistor 121 is set to a potential reflecting electrical characteristics such as the mobility of the driving transistor 121 and the threshold voltage Vth. In other words, the potential Vg of the gate g of the drive transistor 121 is set to a potential at which a constant drive current Ids flows under the threshold voltage Vth and mobility that may be different among the individual drive transistors 121. .
As described above, the second transistor 122 and the third transistor 123 function as a compensation unit that outputs a potential corresponding to the electrical characteristics of the driving transistor 121 to the second electrode 133-2.

本実施形態の補償期間では、上述したように駆動トランジスター121をダイオード接続した状態で、データ転送容量133の第1電極133−1の電位を一定の変化率αで経時的に低下させる。
これにより、補償動作中に初期電位Viniを一定に維持する構成と比較して、当該補償期間に要する時間が短縮される。つまり、補償動作の高速化が実現する。これは、初期電位Viniを一定の変化率αで経時的に変化させることで、第1電極133−1の電荷を強制的に移動させ、結果として駆動トランジスター121のゲートgの電位Vgが、変化率αに応じた一定の電流Idsが流れる電位に迅速に変化するからである。
In the compensation period of the present embodiment, as described above, the potential of the first electrode 133-1 of the data transfer capacitor 133 is decreased with time at a constant change rate α in a state where the driving transistor 121 is diode-connected.
As a result, the time required for the compensation period is shortened compared to a configuration in which the initial potential Vini is kept constant during the compensation operation. That is, speeding up of the compensation operation is realized. This is because the electric potential of the first electrode 133-1 is forcibly moved by changing the initial potential Vini over time at a constant change rate α, and as a result, the potential Vg of the gate g of the driving transistor 121 changes. This is because a constant current Ids corresponding to the rate α quickly changes to a potential flowing therethrough.

なお、第4トランジスター124はオフしているため、駆動トランジスター121のドレインはOLED130と電気的に非接続である。また、初期化期間と同様、第5トランジスター125がオンすることによって、OLED130のアノード130aと給電線16とが電気的に接続され、アノード130aの電位がリセット電位Vorstに設定される。   Note that since the fourth transistor 124 is off, the drain of the driving transistor 121 is not electrically connected to the OLED 130. Similarly to the initialization period, when the fifth transistor 125 is turned on, the anode 130a of the OLED 130 and the power supply line 16 are electrically connected, and the potential of the anode 130a is set to the reset potential Vorst.

<書込期間>
m行目の水平走査期間では、上述した(c)の補償期間を終えると、(d)の書込期間が開始する。m行目の書込期間では、走査信号Gwr(m)がLレベルであり、制御信号Gel(m)はHレベルであり、制御信号Gcmp(m)はHレベルであり、制御信号Gfix(m)はHレベルである。
このため、図10に示されるように、m行(3n−2)列の画素回路110においてはトランジスター122、125がオンする一方、トランジスター123、124、126がオフする。
<Writing period>
In the horizontal scanning period of the m-th row, when the above-described compensation period (c) is completed, the writing period (d) starts. In the writing period of the m-th row, the scanning signal Gwr (m) is at the L level, the control signal Gel (m) is at the H level, the control signal Gcmp (m) is at the H level, and the control signal Gfix (m ) Is H level.
Therefore, as shown in FIG. 10, in the pixel circuit 110 with m rows (3n-2) columns, the transistors 122 and 125 are turned on, while the transistors 123, 124, and 126 are turned off.

ここで、書込期間のレベルシフト回路LSにおいては、図10に示されるように、制御信号/GiniがHレベルになるのでトランスミッションゲート45がオフし、制御信号GcplがHレベルになるので、トランスミッションゲート42がオンする。このため、データ転送容量133の第1電極133−1及びデータ転送線14への、初期電位Viniの供給が解除されると共に、データ転送容量133の第1電極133−1及びデータ転送線14に対して容量値Crfの保持容量41の一方の電極が接続され、データ転送容量133の第1電極133−1に階調電位が供給される。そして、階調電位がレベルシフトされた信号が、駆動トランジスター121のゲートに供給され、画素容量Cpixに書き込まれる。
なお、書込期間においては、制御信号Sel(1)がLレベルになるので、デマルチプレクサDM(n)においては、図10に示されるようにトランスミッションゲート34がオフする。
Here, in the level shift circuit LS in the writing period, as shown in FIG. 10, since the control signal / Gini becomes H level, the transmission gate 45 is turned off and the control signal Gcpl becomes H level. The gate 42 is turned on. For this reason, the supply of the initial potential Vini to the first electrode 133-1 and the data transfer line 14 of the data transfer capacitor 133 is canceled, and the first electrode 133-1 and the data transfer line 14 of the data transfer capacitor 133 are also connected. On the other hand, one electrode of the storage capacitor 41 having the capacitance value Crf is connected, and the gradation potential is supplied to the first electrode 133-1 of the data transfer capacitor 133. Then, a signal whose grayscale potential is level-shifted is supplied to the gate of the driving transistor 121 and written to the pixel capacitor Cpix.
In the writing period, since the control signal Sel (1) is at the L level, the transmission gate 34 is turned off in the demultiplexer DM (n) as shown in FIG.

なお、第4トランジスター124はオフしているため、駆動トランジスター121のドレインはOLED130と電気的に非接続である。また、初期化期間と同様、第5トランジスター125がオンすることによって、OLED130のアノード130aと給電線16とが電気的に接続され、アノード130aの電位がリセット電位Vorstに初期化される。   Note that since the fourth transistor 124 is off, the drain of the driving transistor 121 is not electrically connected to the OLED 130. Similarly to the initialization period, when the fifth transistor 125 is turned on, the anode 130a of the OLED 130 and the power supply line 16 are electrically connected, and the potential of the anode 130a is initialized to the reset potential Vorst.

ところで、m行目の書込期間において、制御回路3は、n番目のグループでいえば、データ信号Vd(n)を順番に、m行(3n−2)列、m行(3n−1)列、m行(3n)列の画素の階調レベルに応じた電位に切り替える。一方、制御回路3は、データ信号の電位の切り替えに合わせて制御信号Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)を順番に排他的にHレベルとする。制御回路3は、図示は省略しているが、制御信号Sel(1)、Sel(2)、Sel(3)とは論理反転の関係にある制御信号/Sel(1)、/Sel(2)、/Sel(3)についても出力している。これによって、デマルチプレクサDMでは、各グループにおいてトランスミッションゲート34がそれぞれ左端列、中央列、右端列の順番でオンする。   By the way, in the m-th writing period, in the n-th group, the control circuit 3 sequentially receives the data signal Vd (n) in m rows (3n-2) columns and m rows (3n-1). The potential is switched to the potential corresponding to the gradation level of the pixels in the column and m rows (3n) columns. On the other hand, the control circuit 3 exclusively sets the control signals Sel (1), Sel (2), and Sel (3) to the H level sequentially in accordance with the switching of the potential of the data signal. Although not shown, the control circuit 3 has control signals / Sel (1), / Sel (2) that are in a logically inverted relationship with the control signals Sel (1), Sel (2), and Sel (3). , / Sel (3) is also output. Accordingly, in the demultiplexer DM, the transmission gates 34 are turned on in the order of the left end column, the center column, and the right end column in each group.

ここで、左端列のトランスミッションゲート34が制御信号Sel(1)、/Sel(1)によってオンしたとき、データ転送容量133の第1電極133−1及びデータ転送線14の電位の変化量をΔVとすると、ゲートgの電位Vgの変化量ΔVgは、下記(式1)で表せる。

Figure 0006492447

Figure 0006492447

つまり、書込期間におけるゲートgの電位Vgは、補償期間における電位Vgから、データ転送容量133の第1電極133−1及びゲート線14の電位の変化量ΔVに対して、容量比Rを乗じた値だけシフトした値となる。この書込期間を終えると、上述した(a)の発光期間が開始する。
以上説明したように、本発明の一実施形態によれば、発光強度の調節に用いるトランジスターの閾値電圧のばらつきを補償する補償動作の高速化を実現することで電気光学装置、電子機器、及び、電気光学装置の駆動方法を提供することができる。 Here, when the transmission gate 34 in the leftmost column is turned on by the control signals Sel (1), / Sel (1), the amount of change in potential of the first electrode 133-1 and the data transfer line 14 of the data transfer capacitor 133 is ΔV. Then, the change amount ΔVg of the potential Vg of the gate g can be expressed by the following (formula 1).
Figure 0006492447

Figure 0006492447

That is, the potential Vg of the gate g in the writing period is multiplied by the capacitance ratio R to the potential change amount ΔV of the first electrode 133-1 and the gate line 14 of the data transfer capacitor 133 from the potential Vg in the compensation period. The value is shifted by that value. When this writing period ends, the above-described light emission period (a) starts.
As described above, according to an embodiment of the present invention, an electro-optical device, an electronic apparatus, and an electronic device can be realized by speeding up a compensation operation that compensates for variations in threshold voltage of a transistor used to adjust light emission intensity. A driving method of the electro-optical device can be provided.

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば次に述べるような各種の変形が可能である。また、次に述べる変形の態様は、任意に選択された一または複数を、適宜に組み合わせることもできる。
<変形例1>
上述した実施形態では、補償期間において、一定の変化率αで経時的に低下するランプ波形の初期電位Viniをデータ転送容量133の第1電極133−1に印加する構成であるが、このような初期電位Viniを印加する構成ではなく、トランスミッションゲート45がONしたときにデータ転送容量133の第1電極133−1から定電流を引き込む定電流源を設ける構成としてもよい。
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications as described below are possible, for example. Moreover, the aspect of the deformation | transformation described below can also combine suitably arbitrarily selected 1 or several.
<Modification 1>
In the above-described embodiment, the initial potential Vini having a ramp waveform that decreases with time at a constant change rate α is applied to the first electrode 133-1 of the data transfer capacitor 133 in the compensation period. Instead of applying the initial potential Vini, a constant current source that draws a constant current from the first electrode 133-1 of the data transfer capacitor 133 when the transmission gate 45 is turned on may be provided.

<変形例2>
上述した実施形態では、データ転送線14を3列毎にグループ化するとともに、各グループにおいてデータ転送線14を順番に選択して、データ信号を供給する構成としたが、グループを構成するデータ転送線数は、「2」以上「3n」以下の所定数であればよい。例えば、グループを構成するデータ転送線数は、「2」であっても良いし、「4」以上であっても良い。
また、グループ化せずに、すなわちデマルチプレクサDMを用いないで各列のデータ転送線14にデータ信号を一斉に線順次で供給する構成でも良い。
<Modification 2>
In the above-described embodiment, the data transfer lines 14 are grouped every three columns, and the data transfer lines 14 are sequentially selected in each group to supply the data signal. The number of lines may be a predetermined number of “2” or more and “3n” or less. For example, the number of data transfer lines constituting the group may be “2”, or may be “4” or more.
Further, a configuration may be adopted in which data signals are supplied to the data transfer lines 14 of each column all at once without grouping, that is, without using the demultiplexer DM.

<変形例3>
上述した実施形態では、各画素回路110において第3トランジスター123は、駆動トランジスター121のドレインとデータ転送容量133の第2電極133−2との間に接続されているが、図11に示すように駆動トランジスター121のドレインとゲートとの間に接続されていてもよい。
<変形例4>
上述した実施形態の各画素回路110において、第5トランジスター125は設けなくてもよい。
<Modification 3>
In the above-described embodiment, in each pixel circuit 110, the third transistor 123 is connected between the drain of the drive transistor 121 and the second electrode 133-2 of the data transfer capacitor 133. As shown in FIG. The drive transistor 121 may be connected between the drain and the gate.
<Modification 4>
In each pixel circuit 110 of the above-described embodiment, the fifth transistor 125 may not be provided.

<変形例5>
上述した実施形態では、画素回路110におけるトランジスター121〜126をPチャネル型で統一したが、Nチャネル型で統一しても良い。また、Pチャネル型及びNチャネル型を適宜組み合わせても良い。
例えば、トランジスター121〜126をNチャネル型で統一する場合、上述した実施形態における、データ信号Vd(j)とは、正負が逆転した電位を、各画素回路110に供給すればよい。また、この場合、トランジスター121〜126のソース及びドレインは、上述した実施形態及び変形例とは逆転した関係となる。また、この場合、補償期間においてデータ転送容量133の第1電極133−1に印加する初期電位Viniを、一定の変化率で経時的に上昇するランプ波形の電位としてもよい。
<変形例6>
上述した実施形態及び変形例では、電気光学素子として発光素子であるOLEDを例示したが、例えば無機発光ダイオードやLED(Light Emitting Diode)など、電流に応じた輝度で発光するものであれば良い。
<Modification 5>
In the above-described embodiment, the transistors 121 to 126 in the pixel circuit 110 are unified with the P-channel type, but may be unified with the N-channel type. Further, a P-channel type and an N-channel type may be appropriately combined.
For example, in the case where the transistors 121 to 126 are unified with an N-channel type, the data signal Vd (j) in the above-described embodiment may be supplied to each pixel circuit 110 with a positive / negative potential reversed. In this case, the sources and drains of the transistors 121 to 126 are in a relationship reversed to that of the above-described embodiment and modification. In this case, the initial potential Vini applied to the first electrode 133-1 of the data transfer capacitor 133 in the compensation period may be a ramp waveform potential that increases with time at a constant rate of change.
<Modification 6>
In the above-described embodiment and modification, an OLED that is a light-emitting element is illustrated as an electro-optical element. However, any light-emitting element that emits light with luminance according to current, such as an inorganic light-emitting diode or LED (Light Emitting Diode), may be used.

<応用例>
次に、実施形態等や応用例に係る電気光学装置1を適用した電子機器について説明する。電気光学装置1は、画素が小サイズで高精細な表示な用途に向いている。そこで、電子機器として、ヘッドマウント・ディスプレイを例に挙げて説明する。
<Application example>
Next, an electronic apparatus to which the electro-optical device 1 according to the embodiment and the application example is applied will be described. The electro-optical device 1 is suitable for high-definition display with small pixels. Therefore, a head mounted display will be described as an example of an electronic device.

図12は、ヘッドマウント・ディスプレイの外観を示す図であり、図13は、その光学的な構成を示す図である。
まず、図12に示されるように、ヘッドマウント・ディスプレイ300は、外観的には、一般的な眼鏡と同様にテンプル310や、ブリッジ320、レンズ301L、301Rを有する。また、ヘッドマウント・ディスプレイ300は、図13に示されるように、ブリッジ320近傍であってレンズ301L、301Rの奥側(図において下側)には、左眼用の電気光学装置1Lと右眼用の電気光学装置1Rとが設けられる。
電気光学装置1Lの画像表示面は、図13において左側となるように配置している。これによって電気光学装置1Lによる表示画像は、光学レンズ302Lを介して図において9時の方向に出射する。ハーフミラー303Lは、電気光学装置1Lによる表示画像を6時の方向に反射させる一方で、12時の方向から入射した光を透過させる。
電気光学装置1Rの画像表示面は、電気光学装置1Lとは反対の右側となるように配置している。これによって電気光学装置1Rによる表示画像は、光学レンズ302Rを介して図において3時の方向に出射する。ハーフミラー303Rは、電気光学装置1Rによる表示画像を6時方向に反射させる一方で、12時の方向から入射した光を透過させる。
FIG. 12 is a diagram showing the external appearance of the head-mounted display, and FIG. 13 is a diagram showing its optical configuration.
First, as shown in FIG. 12, the head mounted display 300 has a temple 310, a bridge 320, and lenses 301L and 301R in the same manner as general glasses. Further, as shown in FIG. 13, the head mounted display 300 is in the vicinity of the bridge 320 and on the back side (lower side in the drawing) of the lenses 301 </ b> L and 301 </ b> R, Electro-optical device 1R.
The image display surface of the electro-optical device 1L is disposed on the left side in FIG. Accordingly, the display image by the electro-optical device 1L is emitted in the direction of 9 o'clock in the drawing through the optical lens 302L. The half mirror 303L reflects the display image by the electro-optical device 1L in the 6 o'clock direction, and transmits light incident from the 12 o'clock direction.
The image display surface of the electro-optical device 1R is disposed on the right side opposite to the electro-optical device 1L. As a result, the display image by the electro-optical device 1R is emitted in the direction of 3 o'clock in the drawing through the optical lens 302R. The half mirror 303R reflects the display image by the electro-optical device 1R in the 6 o'clock direction, and transmits light incident from the 12 o'clock direction.

この構成において、ヘッドマウント・ディスプレイ300の装着者は、電気光学装置1L、1Rによる表示画像を、外の様子と重ね合わせたシースルー状態で観察することができる。
また、このヘッドマウント・ディスプレイ300において、視差を伴う両眼画像のうち、左眼用画像を電気光学装置1Lに表示させ、右眼用画像を電気光学装置1Rに表示させると、装着者に対し、表示された画像があたかも奥行きや立体感を持つかのように知覚させることができる(3D表示)。
In this configuration, the wearer of the head mounted display 300 can observe the display image by the electro-optical devices 1L and 1R in a see-through state superimposed on the outside.
Further, in the head-mounted display 300, when the left-eye image is displayed on the electro-optical device 1L and the right-eye image is displayed on the electro-optical device 1R among the binocular images with parallax, the wearer is notified. The displayed image can be perceived as if it had a depth or a stereoscopic effect (3D display).

なお、電気光学装置1については、ヘッドマウント・ディスプレイ300のほかにも、ビデオカメラやレンズ交換式のデジタルカメラなどにおける電子式ビューファインダーにも適用可能である。   In addition to the head mounted display 300, the electro-optical device 1 can be applied to an electronic viewfinder in a video camera, an interchangeable lens digital camera, or the like.

1、1L、1R…電気光学装置、2…表示パネル、3…制御回路、10…データ転送線駆動回路、12…走査線、14…データ転送線、16…給電線、20…走査線駆動回路、31…電圧生成回路、34…トランスミッションゲート、41…保持容量、42…トランスミッションゲート、45…トランスミッションゲート、70…データ信号供給回路、100…表示部、110…画素回路、116…給電線、118…共通電極、121、122,123,124,125,126…トランジスター、130…OLED、130a…アノード、132…画素容量、133…データ転送容量、143、144、145、146…制御線、300…ディスプレイ、301L、301R…レンズ、302L、302R…光学レンズ、303L、303R…ハーフミラー、310…テンプル、320…ブリッジ、DM…デマルチプレクサ、LS…レベルシフト回路。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 1L, 1R ... Electro-optical device, 2 ... Display panel, 3 ... Control circuit, 10 ... Data transfer line drive circuit, 12 ... Scan line, 14 ... Data transfer line, 16 ... Feed line, 20 ... Scan line drive circuit , 31 ... Voltage generation circuit, 34 ... Transmission gate, 41 ... Holding capacity, 42 ... Transmission gate, 45 ... Transmission gate, 70 ... Data signal supply circuit, 100 ... Display unit, 110 ... Pixel circuit, 116 ... Feed line, 118 ... Common electrode, 121, 122, 123, 124, 125, 126 ... Transistor, 130 ... OLED, 130a ... Anode, 132 ... Pixel capacity, 133 ... Data transfer capacity, 143, 144, 145, 146 ... Control line, 300 ... Display, 301L, 301R ... lens, 302L, 302R ... optical lens, 303L, 303 ... half mirror, 310 ... Temple, 320 ... bridge, DM ... demultiplexer, LS ... level shift circuit.

Claims (6)

走査線と、
前記走査線と交差するデータ転送線と、
前記走査線と前記データ転送線との交差に対応して設けられた画素回路と、
前記画素回路にリセット電位を供給するリセット電位供給線と、
前記画素回路を駆動する駆動回路と、
を有し、
前記画素回路は、
前記データ転送線に接続された第1電極と、第2電極とを含む第1容量と、
前記第2電極と、前記リセット電位供給線との間に接続された第1トランジスターと、
ゲート電極、第1電流端、及び第2電流端を備える駆動トランジスターと、
前記第1容量の前記第2電極と、前記駆動トランジスターの前記ゲート電極との間に接続された第2トランジスターと、
前記駆動トランジスターの前記第1電流端と、前記駆動トランジスターの前記ゲート電極とを導通させるための第3トランジスターと、
前記駆動トランジスターを介して供給される電流の大きさに応じた輝度で発光する発光素子と、
前記駆動トランジスターの前記第1電流端と、前記発光素子との間に接続された第4トランジスターと、
を含み、
前記駆動回路は、
第1期間に、前記第1トランジスターをオンさせると共に、前記第3トランジスター及び前記第4トランジスターをオフさせ、前記データ転送線に初期電位を供給し、
前記第1期間に続く第2期間に、前記第1トランジスターをオフさせるとともに、前記第2トランジスター及び前記第3トランジスターをオンさせて、前記駆動トランジスターの前記第1電流端と、前記駆動トランジスターの前記ゲート電極とを導通させると共に、前記第1容量の前記第1電極の電位を一定の変化率で経時的に低下又は上昇させる、
ことを特徴とする電気光学装置。
Scanning lines;
A data transfer line intersecting the scan line;
A pixel circuit provided corresponding to the intersection of the scanning line and the data transfer line;
A reset potential supply line for supplying a reset potential to the pixel circuit;
A drive circuit for driving the pixel circuit;
Have
The pixel circuit includes:
A first capacitor including a first electrode and a second electrode connected to the data transfer line;
A first transistor connected between the second electrode and the reset potential supply line;
A drive transistor comprising a gate electrode, a first current end, and a second current end;
A second transistor connected between the second electrode of the first capacitor and the gate electrode of the driving transistor;
A third transistor for conducting the first current terminal of the driving transistor and the gate electrode of the driving transistor;
A light emitting element that emits light with a luminance corresponding to the magnitude of current supplied through the driving transistor;
A fourth transistor connected between the first current terminal of the driving transistor and the light emitting element;
Including
The drive circuit is
In the first period, the first transistor is turned on, the third transistor and the fourth transistor are turned off, and an initial potential is supplied to the data transfer line,
In a second period following the first period, the first transistor is turned off, the second transistor and the third transistor are turned on, the first current terminal of the driving transistor, and the driving transistor Conducting the gate electrode and decreasing or increasing the potential of the first electrode of the first capacitor over time at a constant rate of change;
An electro-optical device.
前記駆動回路は、前記第2期間に、一定の変化率で低下する電圧を生成し、前記データ
転送線を介して前記第1容量の前記第1電極に印加する電圧生成回路を含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
The drive circuit includes a voltage generation circuit that generates a voltage that decreases at a constant rate of change during the second period and applies the voltage to the first electrode of the first capacitor via the data transfer line.
The electro-optical device according to claim 1.
前記駆動回路は、前記第2期間に、前記データ転送線を介して、前記第1容量の前記第
1電極から定電流を引き込む定電流源を含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
The drive circuit includes a constant current source that draws a constant current from the first electrode of the first capacitor via the data transfer line in the second period.
The electro-optical device according to claim 1.
前記リセット電位供給線と、前記発光素子との間に接続された第5トランジスターを含む、
ことを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか一項に記載の電気光学装置。
A fifth transistor connected between the reset potential supply line and the light emitting element;
The electro-optical device according to any one of claims 1 to 3 .
前記駆動回路は、
前記第2期間に続く第3期間において、前記第1トランジスター及び第3トランジスターをオフさせ、且つ、第2トランジスターをオンさせると共に、指定階調に応じたデータ信号を保持する第2容量を、前記データ転送線に接続する、
ことを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか一項に記載の電気光学装置。
The drive circuit is
In a third period following the second period, the second capacitor that turns off the first transistor and the third transistor, turns on the second transistor, and holds a data signal in accordance with a specified gradation, Connect to data transfer line,
5. The electro-optical device according to claim 1 , wherein the electro-optical device is provided.
走査線と、
前記走査線と交差するデータ転送線と、
前記走査線と前記データ転送線との交差に対応して設けられた画素回路と、
前記画素回路にリセット電位を供給するリセット電位供給線と、
を有し、
前記画素回路は、
前記データ転送線に接続された第1電極と、第2電極とを含む第1容量と、
前記第2電極と、前記リセット電位供給線との間に接続された第1トランジスターと、
ゲート電極、第1電流端、及び第2電流端を備える駆動トランジスターと、
前記第1容量の前記第2電極と、前記駆動トランジスターの前記ゲート電極との間に接続された第2トランジスターと、
前記駆動トランジスターの前記第1電流端と、前記駆動トランジスターの前記ゲート電極とを導通させるための第3トランジスターと、
前記駆動トランジスターを介して供給される電流の大きさに応じた輝度で発光する発光素子と、
前記駆動トランジスターの前記第1電流端と、前記発光素子との間に接続された第4トランジスターと、
を含む電気光学装置の駆動方法であって、
第1期間に、前記第1トランジスターをオンさせるとともに、前記第3トランジスター及び前記第4トランジスターをオフさせ、前記データ転送線に初期電位を供給し、
前記第1期間に続く第2期間に、前記第1トランジスターをオフさせるとともに、前記第2トランジスター及び前記第3トランジスターをオンさせて、前記駆動トランジスターの前記第1電流端と、前記駆動トランジスターの前記ゲート電極とを導通させると共に、前記第1容量の前記第1電極の電位を一定の変化率で経時的に低下又は上昇させる、
ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
Scanning lines;
A data transfer line intersecting the scan line;
A pixel circuit provided corresponding to the intersection of the scanning line and the data transfer line;
A reset potential supply line for supplying a reset potential to the pixel circuit;
Have
The pixel circuit includes:
A first capacitor including a first electrode and a second electrode connected to the data transfer line;
A first transistor connected between the second electrode and the reset potential supply line;
A drive transistor comprising a gate electrode, a first current end, and a second current end;
A second transistor connected between the second electrode of the first capacitor and the gate electrode of the driving transistor;
A third transistor for conducting the first current terminal of the driving transistor and the gate electrode of the driving transistor;
A light emitting element that emits light with a luminance corresponding to the magnitude of current supplied through the driving transistor;
A fourth transistor connected between the first current terminal of the driving transistor and the light emitting element;
An electro-optical device driving method including:
In the first period, the first transistor is turned on, the third transistor and the fourth transistor are turned off, and an initial potential is supplied to the data transfer line,
In a second period following the first period, the first transistor is turned off, the second transistor and the third transistor are turned on, the first current terminal of the driving transistor, and the driving transistor Conducting the gate electrode and decreasing or increasing the potential of the first electrode of the first capacitor over time at a constant rate of change;
A driving method for an electro-optical device.
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