JP2020015091A5 - - Google Patents

Description

本発明の他の好適な実施形態によると、回折光学素子（ＤＯＥ）は、ドナー基板又は固体内へのレーザ放射の透過の上流のレーザ放射路内に設置される。レーザ放射は、複数の焦点を生成するために、ＤＯＥで複数の光路に分割される。ＤＯＥは、５０μｍ以下、特に、３０μｍ以下、１０μｍ以下、５μｍ以下、３μｍ以下、好ましくは２００μｍを超える長さの像面湾曲を生成し、ＤＯＥは、ドナー基板の材料特性を変更するために、少なくとも２個、好ましくは、少なくとも又はちょうど３個、少なくとも又はちょうど４個、少なくとも又はちょうど５個、少なくとも又はちょうど又は最大１０個、少なくとも又はちょうど又は最大２０個、少なくとも又はちょうど又は最大５０個、又は１００個までの焦点を同時に生成する。本実施形態は、このプロセスが著しくスピードアップ可能であるため、有利な実施形態である。

Claims (15)

1. 複合構造（８３）の内部に改質（９）を生成する方法であって、
   前記方法は、前記複合構造（８３）を提供又は生成するステップを少なくとも含み、
   前記複合構造（８３）は、固体（１）と、前記固体（１）の一方側に設置又は提供された少なくとも１つの金属被膜及び／又は電気部品（８２）と、を有し、他方側に平坦面（８）を形成し、
   前記固体（１）は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を含有するか又は炭化ケイ素（ＳｉＣ）で形成され、
   前記方法は、前記平坦面（８）を介して、レーザ放射（１４）を前記固体（１）に導入することにより、前記固体（１）の内部に複数の改質（９）を生成し、複数の線形形状（１０３）を形成するステップを少なくとも含み、
   前記レーザ放射（１４）は、多光子励起を生じ、
   前記多光子励起は、プラズマ生成を引き起こし、
   前記複数の改質（９）は、前記プラズマによって有効となり、
   前記固体（１）内に圧縮応力が生成され、
   前記固体（１）は、特定の改質（９）の周囲領域に未臨界クラックを成長させ、
   前記複数の改質（９）は、前記金属被膜及び／又は前記電気部品（８２）から１５０μｍ未満の距離に生成され、
   前記レーザ放射（１４）は、パルスで前記固体（１）内に導入され、
   パルスのパルス強度は、特定パルスの開始後１０ｎｓ以内に、最大パルス強度に達し、
   ２つの直接隣接する線形形状（１０３）は、間隔をあけて形成される、
   方法。
2. 各パルスは、前記固体（１）内にエネルギー（Ｅ）を導入し、
   特定パルスの前記エネルギー（Ｅ）の最大２０％が、前記固体を通じて前記金属被膜及び／又は前記電気部品まで進入する、
   請求項１に記載の方法。
3. 各パルスの前記プラズマは、前記パルスの開始後、時間ｘ内に生成され、
   ｘは、パルス持続時間ｙより短く、ｘは、１０ｎｓ未満であり、ｘ＜０．５×ｙである、
   請求項１又は２に記載の方法。
4. ビーム品質（Ｍ２）は、１．４未満である、
   請求項１～３の一項に記載の方法。
5. 前記レーザ放射（１４）は、９ｎｓ未満のパルス持続時間で生成される、
   請求項３に記載の方法。
6. 前記最大パルス強度に到達した後のパルスの放射強度は、加熱プロセスを生成するためには、１０ｐｓの持続時間を有する、
   請求項１～５の一項に記載の方法。
7. 前記レーザ放射（１４）は、直線偏光で偏光され、
   前記レーザ放射の偏光方向は、前記固体の結晶軸に対して、０°又は９０°の固定角度、又は、－２０°～２０°の角度範囲に配向される、
   請求項１～６の一項に記載の方法。
8. 前記レーザ放射（１４）によって前記固体（１）の内部に生成された前記複数の改質（９）の長手延在方向（Ｒ）は、前記複数の改質（９）が生成された面（生成面）と結晶格子面（６）と間の交線（１０）に対して、０°又は９０°の固定角度、又は、－２０°～２０°の角度範囲で配向される、
   請求項１～７の一項に記載の方法。
9. 前記レーザ放射（１４）は、少なくとも１つの光学要素を介して、前記固体（１）内に導入され、
   前記光学要素は、０．４超の開口数（ＮＡ）を有し、
   前記固体（１）への進入に先立って、前記レーザ放射（１４）は、浸漬流体を通じて導かれ、
   浸漬流体使用時の前記ＮＡは、１超である、
   請求項１～８の一項に記載の方法。
10. 個々の改質（９）は、前記固体の長手方向（Ｚ）に最大広がりを有し、
    前記改質（９）の前記最大広がりは、各場合において、１００μｍ未満である、
    請求項１～９の一項に記載の方法。
11. 前記複数の線形形状（１０３）は、複数のスクライブラインであり、
    前記未臨界クラックは、前記特定の線形形状（１０３）の長手延在方向に対して垂直に、１５０μｍ未満の平均クラック長を有する、
    請求項１～１０の一項に記載の方法。
12. ２つの直接隣接する線形形状（１０３）間の距離は、４００μｍ未満である、
    請求項１～１１の一項に記載の方法。
13. 回折光学素子（ＤＯＥ）は、前記レーザ放射（１４）の前記固体（１）への透過の上流の前記レーザ放射（１４）の進路内に設置され、前記レーザ放射（１４）は、複数の焦点を生成するために、前記ＤＯＥにより、複数の光路に分割され、
    前記ＤＯＥは、５０μｍ以下の像面湾曲を生成し、
    前記ＤＯＥは、前記固体（１）の材料特性を変更するために、少なくとも２個の焦点を同時に生成する、
    請求項１～１２の一項に記載の方法。
14. 複合構造（８３）の内部に改質（９）を生成する方法であって、
    前記方法は、前記複合構造（８３）を提供するステップを少なくとも含み、
    前記複合構造（８３）は、固体（１）と、前記固体（１）の一方側に設置又は提供された少なくとも１つの金属被膜及び／又は電気部品（８２）と、を有し、他方側に平坦面（８）を形成し、
    前記固体（１）は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を含有するか又は炭化ケイ素（ＳｉＣ）で形成され、
    前記方法は、前記平坦面（８）を介して、レーザ放射（１４）を前記固体（１）に導入することにより、前記固体（１）の内部に複数の改質（９）を生成し、複数の線形形状（１０３）を形成するステップを少なくとも含み、
    前記レーザ放射（１４）は、多光子励起を生じ、
    前記多光子励起は、プラズマ生成を引き起こし、
    前記複数の改質（９）は、前記プラズマによって有効となり、
    前記固体（１）内に圧縮応力が生成され、
    前記固体（１）は、特定の改質（９）の周囲領域に未臨界クラックを成長させ、
    前記複数の改質（９）は、前記金属被膜及び／又は前記電気部品（８２）から１５０μｍ未満の距離に生成され、
    前記レーザ放射（１４）は、パルスで前記固体（１）内に導入され、
    前記各パルスは、前記固体（１）内にエネルギー（Ｅ）を導入し、特定パルスの前記エネルギー（Ｅ）の最大２０％が、前記固体（１）を通じて前記金属被膜及び／又は前記電気部品（８２）まで進入し、
    ２つの直接隣接する線形形状（１０３）は、間隔をあけて形成される、
    方法。
15. 複合構造（８３）から少なくとも１つの固体層（２）を分離する方法であって、前記方法は、
    請求項１～１４の一項に記載の方法を実施するステップと、
    前記固体（１）内に応力を生成するため、前記複合構造に外的な力を導入し、及び／又は、前記固体（１）内に内的な力を生成するステップと、
    を少なくとも含み、
    前記外的な力及び／又は前記内的な力は、前記未臨界クラックのクラック伝搬又は接合が、結果として、分離領域（８）に沿って生じるのに十分な強さである、
    方法。