JP2019525476A - デュアル側面接触キャパシタを形成するための裏面シリサイド化の利用 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 131
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 title description 22
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims abstract description 114
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 73
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 48
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 26
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 14
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 51
- 238000013461 design Methods 0.000 description 30
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 230000006870 function Effects 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 10
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 10
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100154785 Mus musculus Tulp2 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000007787 long-term memory Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000006403 short-term memory Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/5222—Capacitive arrangements or effects of, or between wiring layers
- H01L23/5223—Capacitor integral with wiring layers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/528—Geometry or layout of the interconnection structure
- H01L23/5283—Cross-sectional geometry
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
- H01L23/53204—Conductive materials
- H01L23/53209—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1203—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body the substrate comprising an insulating body on a semiconductor body, e.g. SOI
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
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- H—ELECTRICITY
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0642—Isolation within the component, i.e. internal isolation
- H01L29/0649—Dielectric regions, e.g. SiO2 regions, air gaps
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
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- H01L29/66181—Conductor-insulator-semiconductor capacitors, e.g. trench capacitors
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Abstract
Description
102 電力増幅器
104 デュプレクサ/フィルタ
106 RFスイッチモジュール
108 受動コンバイナ
112 チューナー回路
112A 第1のチューナー回路
112B 第2のチューナー回路
114 アンテナ
115 接地端子
116 キャパシタ
118 インダクタ
120 ワイヤレストランシーバ(WTR)
122 キャパシタ
130 モデム
132 キャパシタ
140 アプリケーションプロセッサ
150 RFフロントエンドモジュール
152 電源
154 クロック
156 電力管理集積回路(PMIC)
158 キャパシタ
160 チップセット
162 キャパシタ
164 キャパシタ
166 インダクタ
170 WiFiモジュール
172 WLANモジュール
174 キャパシタ
180 デュプレクサ
192 アンテナ
194 アンテナ
200 ダイプレクサ
200−1 第1のダイプレクサ
200−2 第2のダイプレクサ
201 システムボード
202 基板
210 アンテナスイッチ(ASW)
210−1 ハイバンドアンテナスイッチ
210−2 ローバンドアンテナスイッチ
212 ハイバンド(HB)入力ポート
214 ローバンド(LB)入力ポート
216 アンテナ
218 電力増幅器
220 RFスイッチ
230 フィルタ
250 RFフロントエンドモジュール
300 RF回路構造
301 犠牲基板
302 ハンドル基板
306 第1の誘電体層
310 デバイス
320 埋込み酸化物(BOX)層
350 相互接続
400 RF回路構造
402 ハンドル基板
404 前面誘電体層
406 前面金属被覆
408 ゲート層
410 受動デバイス
412 半導体層
414 裏面金属被覆
416 裏面誘電体層
418 前面金属被覆プラグ
420 絶縁層
422 シャロートレンチ分離(STI)領域
424 裏面金属被覆プラグ
426 キャパシタ誘電体層
430 前面接触層
432 裏面接触層
600 ワイヤレス通信システム
620 リモートユニット
625A ICデバイス
625B ICデバイス
625C ICデバイス
630 リモートユニット
640 基地局
650 リモートユニット
680 順方向リンク信号
690 逆方向リンク信号
700 設計用ワークステーション
701 ハードディスク
702 ディスプレイ
703 ドライブ装置
704 記憶媒体
710 回路設計
712 半導体構成要素
Claims (25)
- キャパシタ誘電体層によって分離される、第1のプレートとしての半導体層と第2のプレートとしてのゲート層とを含むキャパシタと、
前記キャパシタの前記第1のプレートに結合された裏面金属被覆と、
前記キャパシタの前記第2のプレートに結合された前面金属被覆であって、前記裏面金属被覆から遠位に配置される前面金属被覆とを備える、集積回路構造。 - 前記裏面金属被覆が、裏面誘電体層内に配置された層転写後の金属被覆層を備える、請求項1に記載の集積回路構造。
- 前記前面金属被覆が前面誘電体層内部にあり、前記キャパシタの前記ゲート層に近接する、請求項1に記載の集積回路構造。
- 裏面シリサイド層をさらに備え、前記裏面シリサイド層を介して前記裏面金属被覆が前記キャパシタの前記第1のプレートに結合される、請求項1に記載の集積回路構造。
- 前面シリサイド層をさらに備え、前記前面シリサイド層を介して前記前面金属被覆が前記キャパシタの前記第2のプレートに結合される、請求項1に記載の集積回路構造。
- 前記キャパシタ誘電体層が高K誘電体を含み、前記半導体層がシリコンオンインシュレータ(SOI)層を備える、請求項1に記載の集積回路構造。
- 前記前面金属被覆および前記裏面金属被覆が、互いに正反対に配置される、請求項1に記載の集積回路構造。
- RFフロントエンドモジュールに統合され、前記RFフロントエンドモジュールが、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定ロケーションデータユニット、モバイル電話、およびポータブルコンピュータのうちの少なくとも1つに組み込まれる、請求項1に記載の集積回路構造。
- 集積回路構造を構築する方法であって、
絶縁層によって支持され、犠牲基板上に配設されるデバイスを製作するステップと、
前記デバイスのゲート層上に前面接触層を堆積させるステップと、
前記デバイス上であり、前記前面接触層に結合される前面誘電体層内の前面金属被覆を製作するステップと、
前記デバイス上の前記前面誘電体層にハンドル基板を接合するステップと、
前記犠牲基板を除去するステップと、
前記デバイスの半導体層上に裏面接触層を堆積させるステップと、
前記絶縁層を支持する裏面誘電体層内に裏面金属被覆を製作するステップであって、前記裏面金属被覆が前記裏面接触層に結合され、前記前面金属被覆から遠位に配置される、裏面金属被覆を製作するステップとを含む方法。 - 前記裏面金属被覆を作製するステップが、
前記裏面接触層の所定の部分を露出させるために前記デバイスの前記半導体層に従って前記絶縁層をパターニングするステップと、
前記裏面金属被覆を形成するために、前記パターニングされた絶縁層内部でかつ前記裏面接触層の前記露出された所定の部分の上に裏面金属被覆材料を堆積させるステップと、
前記絶縁層および前記裏面金属被覆の上に前記裏面誘電体層を堆積させるステップとを含む、請求項9に記載の方法。 - 前記裏面金属被覆材料を堆積させるステップが、
複数の裏面金属被覆プラグを形成するために、前記裏面接触層の前記露出された所定の部分の上に第1の裏面金属被覆材料を堆積させるステップと、
前記複数の裏面金属被覆プラグ上に第2の裏面金属被覆材料を堆積させるステップとを含む、請求項10に記載の方法。 - 前記前面金属被覆を作製するステップが、
前記裏面接触層の所定の部分を露出させるために前記デバイスの前記ゲート層に従って前記前面誘電体層をパターニングするステップと、
複数の前面金属被覆プラグを形成するために、前記パターニングされた前面誘電体層内部でかつ前記裏面接触層の前記露出された所定の部分の上に第1の裏面金属被覆材料を堆積させるステップと、
前記裏面金属被覆を形成するために前記複数の前面金属被覆プラグ上に第2の前面金属被覆材料を堆積させるステップとを含む、請求項9に記載の方法。 - 前記ハンドル基板を接合するステップが、
前記前面誘電体層上にトラップリッチ層を堆積させるステップと、
前記ハンドル基板を前記トラップリッチ層に接合するステップとをさらに含む、請求項9に記載の方法。 - 前記集積RF回路構造をRFフロントエンドモジュールに統合するステップをさらに含み、前記RFフロントエンドモジュールが、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定ロケーションデータユニット、モバイル電話、およびポータブルコンピュータのうちの少なくとも1つに組み込まれる、請求項9に記載の方法。
- 絶縁層および裏面誘電体層によって支持される電荷を蓄積するための手段と、
前記裏面誘電体層内に配置され、前記電荷蓄積手段に結合された裏面金属被覆と、
前記電荷蓄積手段上で前面誘電体層内に配置された前面金属被覆であって、前記電荷蓄積手段に結合され、前記裏面金属被覆から遠位に配置される前面金属被覆とを含む、集積回路構造。 - 前記裏面金属被覆が、裏面シリサイド層を介して前記電荷蓄積手段に結合される、請求項15に記載の集積回路構造。
- 前記前面金属被覆が、前面シリサイド化層を介して前記電荷蓄積手段に結合される、請求項15に記載の集積回路構造。
- 前記電荷蓄積手段上の前記前面誘電体層上のトラップリッチ層と、
前記トラップリッチ層上のハンドル基板とをさらに備える、請求項15に記載の集積回路構造。 - 前記ハンドル基板が、少なくとも1つの他の能動/受動デバイスを含む、請求項18に記載の集積回路構造。
- RFフロントエンドモジュールに統合され、前記RFフロントエンドモジュールが、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定ロケーションデータユニット、モバイル電話、およびポータブルコンピュータのうちの少なくとも1つに組み込まれる、請求項15に記載の集積回路構造。
- キャパシタ誘電体層によって分離される、第1のプレートとしての半導体層と第2のプレートとしてのゲート層とを含むキャパシタを備える集積無線周波数(RF)回路構造であって、裏面金属被覆が前記キャパシタの前記第1のプレートに結合され、前面金属被覆が前記キャパシタの前記第2のプレートに結合され、前記前面金属被覆が前記裏面金属被覆から遠位に配置される、集積RF回路構造と、
前記キャパシタに結合されたスイッチトランジスタと、
前記スイッチトランジスタの出力に結合されたアンテナとを備える、無線周波数(RF)フロントエンドモジュール。 - 前記前面金属被覆が、前記ゲート層上の前面接触層の所定の部分に結合された複数の前面金属被覆プラグと、前記複数の前面金属被覆プラグに結合された前面金属被覆層とを備える、請求項21に記載のRFフロントエンドモジュール。
- 前記裏面金属被覆が、前記半導体層上の裏面接触層の所定の部分に結合された複数の裏面金属被覆プラグと、前記複数の裏面金属被覆プラグに結合された裏面金属被覆層とを備える、請求項21に記載のRFフロントエンドモジュール。
- 前記キャパシタ誘電体層が高K誘電体を含み、前記半導体層がシリコンオンインシュレータ(SOI)層を備える、請求項21に記載のRFフロントエンドモジュール。
- 音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定ロケーションデータユニット、モバイル電話、およびポータブルコンピュータのうちの少なくとも1つの中に組み込まれる、請求項21に記載のRFフロントエンドモジュール。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/240,952 US9847293B1 (en) | 2016-08-18 | 2016-08-18 | Utilization of backside silicidation to form dual side contacted capacitor |
US15/240,952 | 2016-08-18 | ||
PCT/US2017/042213 WO2018034756A1 (en) | 2016-08-18 | 2017-07-14 | Utilization of backside silicidation to form dual side contacted capacitor |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019525476A true JP2019525476A (ja) | 2019-09-05 |
JP2019525476A5 JP2019525476A5 (ja) | 2020-08-13 |
JP6921180B2 JP6921180B2 (ja) | 2021-08-18 |
Family
ID=59416818
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019505480A Active JP6921180B2 (ja) | 2016-08-18 | 2017-07-14 | デュアル側面接触キャパシタを形成するための裏面シリサイド化の利用 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9847293B1 (ja) |
EP (1) | EP3501045A1 (ja) |
JP (1) | JP6921180B2 (ja) |
KR (1) | KR20190039714A (ja) |
CN (1) | CN109690788A (ja) |
BR (1) | BR112019002750B1 (ja) |
WO (1) | WO2018034756A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9847293B1 (en) | 2016-08-18 | 2017-12-19 | Qualcomm Incorporated | Utilization of backside silicidation to form dual side contacted capacitor |
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2016
- 2016-08-18 US US15/240,952 patent/US9847293B1/en active Active
-
2017
- 2017-07-14 WO PCT/US2017/042213 patent/WO2018034756A1/en active Search and Examination
- 2017-07-14 JP JP2019505480A patent/JP6921180B2/ja active Active
- 2017-07-14 BR BR112019002750-5A patent/BR112019002750B1/pt active IP Right Grant
- 2017-07-14 CN CN201780049975.5A patent/CN109690788A/zh active Pending
- 2017-07-14 KR KR1020197004314A patent/KR20190039714A/ko not_active Application Discontinuation
- 2017-07-14 EP EP17745583.9A patent/EP3501045A1/en not_active Withdrawn
- 2017-11-08 US US15/807,169 patent/US10290579B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9847293B1 (en) | 2017-12-19 |
US10290579B2 (en) | 2019-05-14 |
US20180076137A1 (en) | 2018-03-15 |
CN109690788A (zh) | 2019-04-26 |
KR20190039714A (ko) | 2019-04-15 |
WO2018034756A1 (en) | 2018-02-22 |
BR112019002750B1 (pt) | 2023-04-11 |
EP3501045A1 (en) | 2019-06-26 |
BR112019002750A2 (pt) | 2019-05-14 |
JP6921180B2 (ja) | 2021-08-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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