JP2019519308A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 光硬化装置を点入および／または切断し、特に一稼働モードから別の稼働モードに点入あるいは逆に回帰させることができる制御回路と前記点入および／または切断を付勢するためのセンサとを含む光硬化装置であり、前記センサを１ｐＦ未満の感度を有する静電容量式の近接センサ（３６）として形成し、使用者の手が光硬化装置（１０）に接近することと光硬化装置が基台に接近することを制御回路（４０）が識別することを特徴とする光硬化装置。
2. 制御回路（４０）が光硬化装置（１０）に交流電界を形成することを特徴とする請求項１記載の光硬化装置。
3. 光硬化装置が基台上に載置された状態においてセンサ（３６）が容量を有し、制御装置が前記容量からの容量変化を１ｐＦ未満の領域、特に１００ｆＦ未満の領域で検出することを特徴とする請求項１または２記載の光硬化装置。
4. センサ（３６）はキャパシタンスブリッジ回路の一部であり制御回路（４０）がブリッジの非平衡を検出することを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の光硬化装置。
5. センサ（３６）ならびに特にブリッジ回路の他の構成要素がそれぞれ電極（３４）と結合されるかその電極を具備し、さらにその電極が光硬化装置（１０）から見てそれぞれ外方向を指向することを特徴とする請求項４に記載の光硬化装置。
6. 制御回路（４０）が切換閾値を有していてその閾値以降に静電容量変化を使用者の手の接近として判定して光硬化装置（１０）を点入することを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の光硬化装置。
7. 所与の数値、特に５ないし１０ｃｍへの手の接近による光硬化装置（１０）の周囲の静電容量変化をセンサが光硬化装置の点入のために捕捉することを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の光硬化装置。
8. 光硬化装置（１０）は遮蔽された導線を介してセンサ（３６）の電極（３４）と結合することを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の光硬化装置。
9. 遮蔽された導線は周囲環境の影響を補償するアクティブシールドの原理に従って作用することを特徴とする請求項８記載の光硬化装置。
10. 電極（３４）がキャパシタンスブリッジの一部であって各構成要素が遮蔽された導線、特にアクティブシールドによって遮蔽された導線を介して制御回路（４０）と結合されることを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の光硬化装置。
11. 第１の静電容量式近接センサ（３６）を光硬化装置（１０）の表面あるいは上壁部（１８）上に配置することを特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記載の光硬化装置。
12. 追加近接センサ（３６）を光硬化装置（１０）の下面に配置して制御回路（４０）に結合し、追加近接センサ（電極４６および４８）が基台の接近を発信した際に制御回路（４０）が光硬化装置を切断することを特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記載の光硬化装置。
13. 静電容量式近接センサをアクティブシールド（３８）によって遮蔽し、そのアクティブシールドが前記静電容量式近接センサ（３６）に対する周囲環境の影響を低減することを特徴とする請求項１ないし１２のいずれかに記載の光硬化装置。
14. 光硬化装置が複数の電極を備えていて、静電容量式のセンサの電極上の信号検出の順序に従って光硬化装置（１０）の制御回路（４０）が対応する稼働モードを決定することを特徴とする請求項１ないし１３のいずれかに記載の光硬化装置。