JP2019512103A - 量子ドット材料を分配する方法 - Google Patents

Abstract

量子ドット含有材料をウェル内に分配させる方法であって、インクジェットを用いて量子ドット材料をウェル内に分配させるステップを含んでおり、インクジェットが、０．１〜１のオーネソルゲ（Ｏｈ）数および４〜５０１．６＊Ｏｈ０．４のウェーバー数で動作される方法。他の方法としては、量子ドット含有材料をウェル内に分配させる方法であって、インクジェットを用いて量子ドット材料をウェル内に分配させるステップ、分配された量子ドット材料を乾燥または硬化により固定化するステップ、および、所定の厚さが得られるまでこれらのステップを整数Ｎ回繰り返すステップを含む。

Description

関連出願の相互参照

本出願は、２０１６年１月２８日に出願された米国仮出願第６２／２８８１８７号の米国特許法第１１９条に基づく優先権の利益を主張するものであり、その内容が全体として参照により本明細書に援用され組み込まれる。

本開示は、概して、封止デバイス、より具体的には、量子ドット材料含む封止デバイス、ならびにそのような量子ドット材料を分配する方法に関する。

封止されたガラスパッケージおよびケーシングは、長期的動作ができる気密環境の恩恵を受け得るエレクトロニクスおよび他のデバイスへますます一般的に適用されてきている。気密パッケージングの恩恵を受け得る典型的なデバイスとしては、テレビ、センサ、光学デバイス、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイ、３Ｄインクジェットプリンタ、レーザプリンタ、固体光源および光起電性構造体が挙げられる。例えば、ＯＬＥＤまたは量子ドット（ＱＤ）を含むディスプレイは、大気条件下でのこれらの材料の分解の可能性を防止するための封止された気密パッケージを必要としている。

これらのパッケージは、従来、量子ドットなどの色変換材料を含むウェルまたはウェルのプレートを含む。従来、ウェルおよび／またはウェルプレートの充填は、空気圧で動作する機械弁によりまたは圧電スタックを用いて、材料をストリームとして針を通して分配させることによりまたは多くの大きな液滴（例えば、約０．３マイクロリットル、μＬ）を堆積させることにより行われている。これらの方法で分配させる際に、幾つかの問題が発生する。まず、針を通して分配させる場合、分配される材料は針の先端に留まる傾向があり、したがって、分配される材料の総量は、全分配材料のかなりの部分となり得る針先に残る量（上記の例では、典型的には総量３μＬの約５％）によって変化する。この変動は、送達ポンプによって提供される変動に追加される。したがって、封止デバイスのためのウェルまたはキャビティ内に量子ドット材料を分配させるより効率的かつ効果的な方法を提供する必要がある。

本開示は、種々の実施形態において、量子ドット含有材料をウェル内に分配させる方法に関し、該方法は、インクジェットを用いて量子ドット材料をウェル内に分配させることを含み、このインクジェットは、０．１〜１のオーネソルゲ（Ｏｈ）数および４〜５０^１．６＊Ｏｈ^０．４のウェーバー数で動作される。いくつかの実施形態において、本方法は、さらに、分配された量子ドット材料を乾燥または硬化によって固定化する工程を含んでよい。他の実施形態において、量子ドット材料は、樹脂に含まれる複数の量子ドットをさらに含んでよい。いくつかの実施形態において、量子ドット材料は、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＳｅ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＴｌＮ、ＴｌＰ、ＴｌＡｓ、ＴｌＳｂ、ＰｂＯ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅおよびそれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも１つの量子ドットを含んでよい。さらなる実施形態において、本方法は、さらに、分配された量子ドット材料の表面を粗面化または表面に条痕を提供するステップを含んでよい。

さらなる実施形態において、量子ドット含有材料をウェル内に分配させる方法が提供され、この方法は、インクジェットを用いて量子ドット材料をウェル内に分配させるステップ、分配された量子ドット材料を乾燥または硬化により固定化するステップ、および所定の厚さが得られるまでこれらのステップを整数Ｎ回繰り返すステップを含む。いくつかの実施形態において、インクジェットは、０．１〜１のオーネソルゲ（Ｏｈ）数および４〜５０^１．６＊Ｏｈ^０．４のウェーバー数で動作させることができる。整数Ｎは、１よりも大きくすることができる。いくつかの実施形態において、量子ドット材料は、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＳｅ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＴｌＮ、ＴｌＰ、ＴｌＡｓ、ＴｌＳｂ、ＰｂＯ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅおよびこれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも一つの量子ドットを含むことができる。さらなる実施形態において、本方法は、さらに、分配された量子ドット材料の表面を粗面化または表面に条痕を提供するステップを含んでよい。

さらなる実施形態において、ウェル配列を含む第１の基板を提供するステップと、１つ以上の配列のウェル内に量子ドット含有材料を分配させるステップと、配列における１つ以上のウェルを気密的に封止するステップと、１つ以上のウェルを配列から分離して封止デバイスを形成するステップとを含む、封止デバイスの製造方法が提供される。いくつかの実施形態において、ウェル配列を含む第１の基板を提供するステップは、ウェル配列を形成するために第１の基板をエッチングするステップをさらに含むことができる。他の実施形態において、量子ドット含有材料を分配させるステップは、インクジェットを用いて量子ドット材料をウェル内に分配させるステップ、分配された量子ドット材料を乾燥または硬化によって固定化するステップ、およびこれらのステップを所定の厚さが得られるまで整数Ｎ回（例えば、１回以上）繰り返すステップをさらに含むことができる。さらなる実施形態において、インクジェットは、０．１〜１のオーネソルゲ（Ｏｈ）数および４〜５０^１．６＊Ｏｈ^０．４のウェーバー数で動作することができる。いくつかの実施形態において、気密的に封止するステップは、さらに、第２の基板の第１の面を第１の基板の第２の面に接触させて封止界面を形成するステップ、および所定の波長で動作しているレーザビームを封止界面上に導いて第１の基板と第２の基板との間に封止を形成するステップを含んでよい。いくつかの実施形態において、量子ドット材料は、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＳｅ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＴｌＮ、ＴｌＰ、ＴｌＡｓ、ＴｌＳｂ、ＰｂＯ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅおよびそれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも１つの量子ドットを含むことができる。いくつかの実施形態において、第１の基板または第２の基板、あるいは第１および第２の両方の基板が、アルミノシリケート、アルカリアルミノシリケート、ボロシリケート、アルカリボロシリケート、アルミノボロシリケートおよびアルカリアルミノボロシリケートガラスから選択されるガラスを含むことができる。さらなる実施形態において、本方法は、さらに、第３の面を有すると共に少なくとも１つのＬＥＤ構成要素を含む少なくとも１つのキャビティを有している第３の基板の上に前記封止デバイスを配するステップ、および該封止デバイスを第３の基板に封止して、前記少なくとも１つのキャビティの回りに延びているもう一つの封止を形成するステップを含むことができる。さらなる実施形態において、本方法は、高屈折率材料と低屈折率材料との交互フィルムを含む１つ以上のフィルムを提供して、光の所定の波長をフィルタリングするステップを含むことができる。

本開示のさらなる特徴および利点が、以下の詳細な説明に記載され、一部は、その説明から当業者に容易に明らかである、または、以下の詳細な説明、特許請求の範囲および添付の図面を含むここに記載の方法を実施することによって理解される。

前述の一般的な説明および以下の詳細な説明の両方は、本開示の種々の実施形態を提示し、特許請求の範囲の性質および特徴を理解するための概要または枠組みを提供することを意図していることを理解されたい。添付図面は、本開示のさらなる理解を提供するために含まれ、本明細書に組み込まれ、その一部を構成する。図面は、本開示の種々の実施形態を例示し、その説明と一緒になって、本開示の原理および動作を説明するのに役立つ。

以下の詳細な説明は、可能な場合には、類似の数字を用いて同様の要素を指すために使用される以下の図面と併せて読むと、さらに理解することができる。
発光ダイオード（ＬＥＤ）を含むキャビティに隣接して配置された量子ドットフィルムの断面図である。 本開示の特定の実施形態に係る封止デバイスの断面図である。 本開示の特定の実施形態に係る封止デバイスの断面図である。 本開示の特定の実施形態に係る封止デバイスの断面図である。 いくつかの実施形態を示す図である。 例示的なインクジェットプロセスのための動作域のマップである。 ウェル内に分配されたパターンの画像である。 異なる堆積および硬化処理を成された３つのウェルにわたるＵＶ硬化樹脂の厚さのプロフィールである。

本明細書に開示されているのは、ガラス、ガラスセラミックおよび／またはセラミック基板から選択される少なくとも２枚の基板を含む封止デバイスである。例示的な封止デバイスとしては、例えば、量子ドット、ＬＥＤ、レーザダイオード（ＬＤ）および他の発光構造体を封入している封止デバイスを挙げることができる。そのような封止構成要素を含むディスプレイおよび光学デバイスも本明細書で開示されている。テレビ、コンピュータ、ハンドヘルドデバイス、時計などのディスプレイは、色変換器としての量子ドット（ＱＤ）を含むバックライトを備えることができる。典型的な光学デバイスとしては、バイオセンサーを含むセンサ、時計、および本明細書に記載の実施形態を含むように構成された他のデバイスを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。いくつかの実施形態において、ＱＤは、例えば、ガラス管、毛細管またはシート、例えば、量子ドット改善フィルム（ＱＤＥＦ）、またはチップレットのような封入デバイスの中に内包することができる。そのようなフィルムまたはデバイスは、量子ドット、例えば緑色および赤色発光量子ドットを充填することができ、フィルムまたはデバイスの両端および／または周囲において封止することができる。ＱＤの温度感受性のために、量子ドット材料を使用するバックライトは、量子ドット材料と光源、例えばＬＥＤとの間の直接接触を回避する。したがって、図１に示すように、複数のＱＤまたはＱＤ含有材料１０５を含む封止デバイス１０１は、多くの場合、バックライトスタックに別個の構成要素として組み込まれ、例えば、ＬＥＤ１０３に近接して配置されるが、過酷な条件（例えば、約１４０℃までの温度および約１００Ｗ／ｃｍ^２までの光束）がＱＤまたはＱＤ含有材料１０５を損傷させることを防止するために充分な距離をとって配置される。例えば、封止デバイス１０１は、ＬＥＤ１０３を備える１つ以上のキャビティ１０９を有する第１の基板１０７の近傍に配置することができる。いくつかの実施形態において、封止デバイス１０１は、下部基板に気密的に封止された上部基板を含むことができ、その両方がＱＤまたはＱＤ含有材料１０５を含むエンクロージャを形成している。このパッケージまたはチップレットは、次に、下にある第１の基板１０７に封止される。図示されていないが、そのような実施形態は、ＬＥＤ１０３を含む第１の基板１０７に形成されたウェルの壁に位置してもよい。さらなる実施形態において、１以上のレンズ（図示せず）を、チップレットまたは封止デバイス１０１上の、ＬＥＤ１０３と対向する側に配置してもよい。

以下の一般的な説明は、例示的な量子ドットデバイスおよびその製造方法の概要を提供することを意図しており、種々の実施形態が、非限定的実施例を参照しつつ、本開示の全体においてより具体的に説明され、これらの実施形態は本開示の文脈内で相互交換可能である。本開示の全体において、「第１の」基板、「ガラス」基板または「第１のガラス」基板と言及されているが、これらの表示は、同じ基板を指すために互換的に使用される。同様に、「第２の」基板、「無機」基板、「ドープされた無機」基板、または「第２の無機」基板と言及されているが、これらの表示は、同じ基板を指すために互換的に使用される。

（デバイス）
封止デバイス２００の２つの非限定的な実施形態の断面図を図２Ａ−Ｂに示す。封止デバイス２００は、第１のガラス基板２０１と、少なくとも１つのキャビティ２０９を含む第２の無機基板２０７とを含む。少なくとも一つのキャビティ２０９は、少なくとも一つの量子ドット２０５を含むことができる。少なくとも１つのキャビティ２０９は、少なくとも１つのＬＥＤ構成要素２０３も含むことができる。第１の基板２０７と第２の基板２０１とは少なくとも１つの封止２１１によって互いに接合することができ、この封止は、少なくとも１つのキャビティ２０９の周りに延在することができる。あるいは、封止は、２つ以上のキャビティの群（図示せず）のような２つ以上のキャビティの周りに延在することができる。さらなる実施形態において、第１のガラス基板２０１上の、ＬＥＤ２０３と対向する側に、１つ以上のレンズ（図示せず）を設けることができる。ＬＥＤ２０３は、直径または長さが任意の寸法であってよく、例えば、約１００マイクロメートル（μｍ）〜約１ミリメーター（ｍｍ）、約２００μｍ〜約９００μｍ、約３００μｍ〜約８００μｍ、約４００μｍ〜約７００μｍ、約３５０μｍ〜約４００μｍ、およびそれらの間の任意の下位範囲であってよい。ＬＥＤ２０３は、高いまたは低い光束を提供してもよく、例えば、高光束の目的で、ＬＥＤ２０３は２０Ｗ／ｃｍ^２以上を放出することができ、低光束の目的で、ＬＥＤ２０３は２０Ｗ／ｃｍ^２未満を放出することができる。

図２Ａに示す非限定的実施形態において、少なくとも一つのＬＥＤ構成要素２０３は、少なくとも一つの量子ドット２０５と直接接触することができる。本明細書で使用される場合、「接触」という用語は、２つの列挙された要素間の直接的な物理的接触または相互作用を示すことを意図しており、例えば、量子ドットおよびＬＥＤ構成要素は、キャビティ内で互いに物理的に相互作用することができる。図２Ｂに示す非限定的実施形態において、少なくとも１つのＬＥＤ構成要素２０３および少なくとも１つの量子ドット２０５は、同じキャビティ内に存在することができるが、例えば分離バリアまたはフィルム２１３によって分離される。比較として、別個の封止されたキャピラリーまたはシート内の量子ドット、例えば、図１に示されるようなＱＤＥＦは、ＬＥＤと直接に相互作用することができず、ＬＥＤを有するキャビティ内に配されない。

図２Ｃに示す非限定的実施形態において、封止デバイス２００は、少なくとも１つのＬＥＤ構成要素２０３、第１の基板２０１、第２の基板２０７、および第３の基板２１５を含んでよい。第１の基板２０１および第３の基板２１５が、少なくとも１つの量子ドット２０５を含む包囲され封入された領域２１９またはキャビティを形成する気密的に封止されたパッケージまたはデバイス２１６を形成することができる。いくつかの実施形態において、気密的に封止されたパッケージまたはデバイス２１６は、限定はされないが、ハイパスフィルタとして機能するフィルムおよびローパスフィルタとして機能するフィルムまたは光の所定の波長をフィルタするために提供されるフィルムのような１つ以上のフィルム２１７ａ、ｂも含む。このような気密的に封止されたパッケージまたはデバイス２１６を製造する方法、および量子ドット含有材料２０５を封入された領域２１９内に分配させる方法を、以下にさらに詳細に説明する。いくつかの実施形態において、少なくとも一つのＬＥＤ構成要素２０３は、所定の距離「ｄ」によって、少なくとも１つの量子ドット２０５から離間させることができる。いくつかの実施形態において、所定の距離は、約１００μｍ以下であり得る。他の実施形態において、所定の距離は、約５０μｍ〜約２ｍｍ、約７５μｍ〜約５００μｍ、約９０μｍ〜約３００μｍ、およびそれらの間のすべての範囲および下位範囲である。いくつかの実施形態において、所定の距離は、ＬＥＤ構成要素２０３の上面から、少なくとも１つの量子ドット２０５を含む包囲され封入された領域２１９の中心線までを測定される。もちろん、所定の距離は、少なくとも一つの量子ドット２０５を含む包囲され封入された領域２１９の任意の部分までを測定されてもよく、その部分の例として、限定はされないが、少なくとも１つの量子ドット２０５に面する第３の基板２１５の上面、少なくとも１つの量子ドット２０５に面する第１の基板２０１の下面、または、気密的に封止されたパッケージまたはデバイス２１６中に存在してよいフィルムまたはフィルタ２１７ａ，ｂのいずれか１つによって形成される面が挙げられる。いくつかの実施形態において、例示的なフィルムは、例示的ＬＥＤ構成要素２０３からの青色光が１方向においてデバイス２１６から逃げることを防止するフィルタ２１７ａ、および／または、赤色光（または励起量子ドット材料から発せられる別の光）が第２の方向においてデバイス２１６から逃げることを防止するもう一つのフィルタ２１７ｂを含む。例えば、いくつかの実施形態において、デバイス２００は、第２の基板２０７および／または他の基板によって形成されるウェルまたは他のエンクロージャに含まれる１つ以上のＬＥＤ構成要素２０３を備えることができる。１つ以上のＬＥＤ構成要素に近接（例えば、上で記載したような所定の距離）している気密的に封止されたパッケージまたはデバイス２１６は、第２の基板２０７に固定または封止されてよく、１つ以上のＬＥＤ構成要素２０３から発せられた光により励起されたときに赤外線波長、近赤外線波長または所定のスペクトル（例えば、赤色）の光を発する単一波長量子ドット材料２０５を含む封入領域２１９を形成する第３の基板２１５に気密的に封止されている第１の基板２０１を含んでよい。量子ドット材料２０５は、ＬＥＤ構成要素２０３から、所定距離だけ離間させることができる。そのような例示的な実施形態において、第１のフィルタ２１７ａを第１の基板２０１の底面（または上面）上に提供して、青色光がデバイス２００の上面を通って出ないようにフィルタリングすることができ、第２のフィルタ２１７ｂを第３の基板２１５の上面（または底面）上に提供して、量子ドット材料からの励起光が第３の基板２１５の底面から出ないようにフィルタリングすることができる。さらなる実施形態において、青色光をフィルタリングするために、第２の基板２１５の底面にフィルタ２１７ｃを設けることができる。これらのフィルタ２１７ａ、２１７ｂ、２１７ｃは、単独でまたは組み合わせて、いくつかの実施形態において、光学特性のために選択された複数の薄フィルム層を含むことができる。特に、例示的なフィルタ２１７ａ、２１７ｂ、２１７ｃは、青色ＬＥＤ光がデバイス２００に隣接する導光板から出現することを可能にするために、青色波長に対して高い透過率を有するように設計することができる。このようなフィルタはまた、赤色および緑色波長に対して高い反射率を有し、量子ドット材料２０５からの光の後方反射を低減して導光板に戻すことができる。１つの例示的なローパスフィルタ２１７ａ、２１７ｂ、２１７ｃは、高屈折率材料および低屈折率材料の多層からなる薄フィルムスタックを含む。一実施形態において、例示的なフィルタは、適切な高屈折率材料と適切な低屈折率材料の複数の交互層を含む。例示的な高屈折率材料には、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ｔａ_２Ｏ_５、ＴｉＯ_２、およびそれらの複合酸化物が含まれるが、これらに限定されない。例示的な低屈折率材料としては、ＳｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２、Ｂｉ_２Ｏ_３、Ｌａ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、およびそれらの複合酸化物が挙げられるが、これらに限定されない。

例示的なフィルタの実施形態は、側面照射型または直接照射型導光板と隣接するＱＤ材料との間、すなわち、ＱＤ材料と導光板の中間に、または図２Ｂおよび２Ｃを参照して先に説明したように用いることができる。例えば、図２Ｃを続けて参照すると、例示的なフィルタ２１７ｃは、パッケージから光を導き出す効率を改善することができる。他の実施形態において、ローパスフィルタの別の場所は、ＵＶ吸収材料が干渉フィルタにもなるようにカバーガラス（例えば、第２の基板２１５）の上とすることができる。具体的には、高屈折率材料として使用される材料は、本明細書に記載のレーザ溶接プロセスを可能にするのに十分なＵＶを吸収する。これらの例示的な材料の層は、スパッタリング、プラズマエンハンスト化学蒸着などのような当該技術分野において既知の任意の数の薄フィルム法によって堆積させることができる。フィルムまたは層は、導光板または基板上に直接堆積されるか、または別個の層として光学的に透明な接着剤によって付着される。そのようなフィルタを有するここに記載された実施形態は、（１）より高い前方光出力をもたらせて、デバイス２００または導光板の全体の明るさを増加させる、（２）量子ドットの変換効率を向上させて、より少ない量子ドット材料の使用を可能にする、および（３）従来の薄膜加工技術を利用できて、製造が容易になる、ことが発見された。

第１の基板２０１、第２の基板２０７および／または第３の基板２１５は、いくつかの実施形態において、ガラス基板から選択することができ、ディスプレイおよび他の電子デバイスで使用するために当該技術分野で知られている任意のガラスを含むことができる。好適なガラスとして、アルミノシリケート、アルカリアルミノシリケート、ボロシリケート、アルカリボロシリケート、アルミノボロシリケート、アルカリアルミノボロシリケートおよび他の適切なガラスが挙げられるが、これらに限定されない。これらの基板は、種々の実施形態において、化学的に強化され、および／または熱的に焼き戻されてもよい。適切な市販の基板の非限定的な例としては、いくつか例を挙げると、Ｃｏｒｎｉｎｇ社からのＥＡＧＬＥ ＸＧ（登録商標）、Ｌｏｔｕｓ（商標）、Ｉｒｉｓ（商標）、Ｗｉｌｌｏｗ（登録商標）およびＧｏｒｉｌｌａ（登録商標）ガラスが挙げられる。イオン交換によって化学的に強化されたガラスは、いくつかの非限定的な実施形態による基板として適切であり得る。

種々の実施形態によれば、第１、第２および／または第３のガラス基板２０１、２０７、２１５は、約１００ＭＰａより大きな圧縮応力および約１０μｍより大きな圧縮応力の層の深さ（ＤＯＬ）を有することができる。さらなる実施形態において、第１、第２および／または第３のガラス基板は、約５００メガパスカル（ＭＰａ）より大きな圧縮応力および約２０μｍより大きな圧縮層の深さ（ＤＯＬ）、または約７００ＭＰａより大きな圧縮応力および約４０μｍより大きなＤＯＬを有することができる。非限定的な実施形態において、第１、第２および／または第３のガラス基板は、約３ｍｍ以下の厚さを有することができ、例えば、約０．１ｍｍ〜約２．５ｍｍ、約０．３ｍｍ〜約２ｍｍ、約０．５ｍｍ〜約１．５ｍｍ、または約０．７ｍｍ〜約１ｍｍであり、それらの間の全ての範囲および下位範囲が含まれる。

また、第１、第２および／または第３のガラス基板は、種々の実施形態において、透明または実質的に透明とすることができる。本明細書で使用する「透明」という用語は、基板が、約１ｍｍの厚さにおいて、スペクトルの可視領域（例えば、４００〜７００ｎｍ）で約８０％より大きい光透過率を有することを意味する。例えば、例示的な透明基板は、可視光領域で約８５％を超える透過率を有することができ、例えば、約９０％を超える、または約９５％を超える透過率であり、その間のすべての範囲および下位範囲が含まれる。特定の実施形態において、例示的なガラス基板は、紫外線（ＵＶ）領域（２００〜４００ナノメートル、ｎｍ）において約５０％以上の透過率を有することができ、例えば、約５５％以上、約６０％以上、約６５％以上、約７０％以上、約７５％以上、約８０％以上、約８５％以上、約９０％以上、約９５％以上、または約９９％以上の透過率であり、それらの間の全ての範囲および下位範囲が含まれる。

種々の実施形態によれば、第２の基板２０７は、ガラスの熱伝導率よりも大きな熱伝導率を有する無機基板のような無機基板から選択することができる。例えば、適切な無機基板としては、約２．５Ｗ／ｍ−Ｋ以上の（例えば、約２．６、３、５、７．５、１０、１５、２０、２５、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０または１００Ｗ／ｍ−Ｋ以上）のような比較的高い熱伝導率を有するものが挙げられ、熱伝導率は、例えば、約２．５Ｗ／ｍ−Ｋ〜約１００Ｗ／ｍ−Ｋの範囲であり、それらの間の全ての範囲および下位範囲が含まれる。いくつかの実施形態において、無機基板の熱伝導率は、１００Ｗ／ｍ−Ｋ以上であり得、例えば、約１００Ｗ／ｍ−Ｋ〜約３００Ｗ／ｍ−Ｋの範囲（例えば、約１００、１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、１６０、１７０、１８０、１９０、２００、２１０、２２０、２３０、２４０、２５０、２６０、２７０、２８０、２９０または３００Ｗ／ｍＫ以上）であり、それらの間のすべての範囲および下位範囲が含まれる。

種々の実施形態によれば、無機基板は、セラミック基板またはガラスセラミック基板を含むことができるセラミック基板を含むことができる。非限定的な実施形態において、第２の基板２０７は、いくつか例を挙げると、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ベリリウム、窒化ホウ素、または炭化ケイ素を含むことができる。無機基板の厚さは、ある実施形態において、約０．１ｍｍ〜約３ｍｍ、例えば、約０．２ｍｍ〜約２．５ｍｍ、約０．３ｍｍ〜約２ｍｍ、約０．４ｍｍ〜約１．５ｍｍ、約０．５ｍｍ〜約１ｍｍ、約０．６ｍｍ〜約０．９ｍｍ、または約０．７ｍｍ〜約０．８ｍｍの範囲内であり、それらの間の全ての範囲および下位範囲が含まれる。さらなる実施形態において、無機基板は、所定のレーザ動作波長、例えば、ＵＶ波長（２００〜４００ｎｍ）または可視波長（４００〜７００ｎｍ）において、ほとんどまたは全く吸収を示さない場合がある。例えば、第２の無機基板は、レーザ動作波長において約１０％以下の吸収を示し、例えば、約５％以下、約３％以下、約２％以下、または約１％以下の吸収を示し、例えば約１％〜約１０％である。可視波長において、無機基板は、いくつかの実施形態において、透明または散乱性であってよい。

またさらなる実施形態において、第１、第２および第３の基板のいずれか１つまたは複数に、所定の波長で、例えば、レーザの所定の動作波長で光を吸収することができる少なくとも１つのドーパントをドープすることができる。ドーパントとしては、例えば、ＺｎＯ、ＳｎＯ、ＳｎＯ_２、ＴｉＯ_２などを挙げることができる。いくつかの実施形態において、ドーパントは、ＵＶ波長（２００〜４００ｎｍ）において吸収を示す化合物から選択することができる。ドーパントは、所定の波長において無機基板の吸収を誘導するのに十分な量で無機基板に組み込むことができる。例えば、ドーパントは、約０．０５重量％（ｗｔ％）（百万当たり５００部、５０ｐｐｍ）以上の濃度で、例えば、約５００ｐｐｍ〜約１０^６ｐｐｍで無機基板に組み込むことができる。いくつかの実施形態において、ドーパント濃度は、約０．５重量％以上、約１重量％以上、約２重量％以上、約３重量％以上、約４重量％以上、約５重量％以上、約６重量％以上、約７重量％以上、約８重量％以上、約９重量％以上、または約１０重量％以上の濃度とすることができ、それらの間の全ての範囲および下位範囲が含まれる。さらなる実施形態によれば、ドーパントは、約１０重量％を超える濃度、例えば、約２０重量％、３０重量％、４０重量％、５０重量％、６０重量％、７０重量％、８０重量％または９０重量％であってよく、それらの間の全ての範囲および下位範囲が含まれる。さらなる実施形態において、ドープされた無機基板は、例えばＺｎＯセラミック基板の場合、約１００％のドーパントを含むことができる。

また、種々の実施形態によれば、第１、第２および／または第３の基板は、基板の熱膨張係数（ＣＴＥ）が実質的に類似するように選択することができる。例えば、第３または第２の基板のＣＴＥは、第１の基板のＣＴＥの約５０％以内、例えば、第１の基板のＣＴＥの約４０％以内、約３０％以内、約２０％以内、約１５％以内、約１０以内％または約５％以内とすることができる。非限定的な例として、第１のガラス基板のＣＴＥ（約２５〜４００℃の範囲の温度で）は約３０×１０^−７／℃〜約９０×１０^−７／℃の範囲とすることができ、例えば、約４０×１０^−７／℃〜約８０×１０^−７／℃または約５０×１０^−７／℃〜約６０×１０^−７／℃（例えば、約３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、８５または９０×１０^−７／℃）であり、それらの間の全ての範囲および下位範囲が含まれる。非限定的実施態様によれば、ガラス基板は、約７５×１０^−７／℃〜約８５×１０^−７／℃の範囲のＣＴＥを有するＣｏｒｎｉｎｇ社「Ｇｏｒｉｌｌａ」ガラス、または約３０×１０^−７／℃〜約５０×１０^−７／℃の範囲のＣＴＥを有するＣｏｒｎｉｎｇ社「ＥＡＧＬＥ ＸＧ」、「Ｌｏｔｕｓ」または「Ｗｉｌｌｏｗ」ガラスとすることができる。第２の基板は、約２０×１０^−７／℃〜約１００×１０^−７／℃の範囲のＣＴＥ（約２５〜４００℃の範囲の温度で）を有する無機の、例えば、セラミックまたはガラスセラミックの基板を含むことができ、ＣＴＥは例えば、約３０×１０^−７／℃〜約８０×１０^−７／℃、約４０×１０^−７／℃〜約７０×１０^−７／℃、または約５０×１０^−７／℃〜約６０×１０^−７／℃（例えば、約２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、８５、９０、９５または１００×１０^−７／℃）であり、それらの間の全ての範囲および下位範囲が含まれる。

図１および図２Ａ〜Ｃは、台形断面を有するものとして少なくとも１つのキャビティ１０９、２０９を示しているが、キャビティは、所定の用途に望まれるように任意の形状または寸法を有し得ることを理解すべきである。例えば、キャビティは、正方形、円形、長方形、半円形、または半楕円形横断面、または不規則な横断面を有することができる。第１の基板２０１または第３の基板２１５の表面が少なくとも１つのキャビティ２０９を含む（例えば、図２Ｃ参照）、または、第１または第３の基板と第２の基板との両方がキャビティを含むことも可能である。それに代えて、またはそれに加えて、第１または第２の基板のキャビティを、可視波長またはＬＥＤ動作波長の一方または両方で透明な材料で充填することができる。

また、図２Ａ−Ｂは、単一のキャビティ２０９を含む封止デバイスを示しているが、複数のキャビティまたはキャビティ配列を含む封止デバイスも本開示の範囲内に入ることが意図される。例えば、封止デバイスは、任意の数のキャビティ２０９を備えることができ、キャビティは規則的なパターンおよび不規則なパターンを含む任意の所望の様式で配置および／または間隔を空けて配置することができる。さらに、図２Ａ−Ｂの単一キャビティ２０９は、量子ドットおよびＬＥＤ構成要素の両方を含むが、この状態は限定的ではないことを理解されたい。１つ以上のキャビティ２０９が量子ドットおよび／またはＬＥＤ構成要素を含まない実施形態も想定される（例えば、図２Ｃ参照）。１つ以上のキャビティが複数のＬＥＤ構成要素および／または量子ドットを含む実施形態も想定される。さらに、各キャビティが同じ数または量の量子ドットおよび／またはＬＥＤ構成要素を含む必要はなく、この量はキャビティごとに異なり、いくつかのキャビティには量子ドットおよび／またはＬＥＤ構成要素を含まないことが可能である。

少なくとも１つのキャビティ２０９は、任意の所定の深さを有することができ、例えば、キャビティに封入されるべき物品（例えば、ＱＤ、ＬＥＤ、および／またはＬＤ）の種類および／または形状および／または量に対して適切に選択することができる。非限定的実施形態として、少なくとも１つのキャビティ２０９は、第１および／または第２の基板の内部に約１ｍｍ以下の深さまで延びることができ、深さは例えば、約０．５ｍｍ以下、約０．４ｍｍ以下、約０．３ｍｍ以下、約０．２ｍｍ以下、約０．１ｍｍ以下、約０．０５ｍｍ以下、約０．０２ｍｍ以下、または約０．０１ｍｍ以下であり、約０．０１ｍｍ〜約１ｍｍのようにそれらの間の全ての範囲および下位範囲が含まれる。キャビティ配列であって、各キャビティが、配列内の他のキャビティと比較して同じまたは異なる深さ、同じまたは異なる形状および／または同じまたは異なる寸法を有するキャビティ配列を用いることができることも考えられる。引き続き図２Ｃを参照すると、封入された領域２１９は、任意の適切な寸法（長さ、幅および高さ）を有することができる。例えば、領域２１９またはウェルは、形状が実質的に四角形であり、任意の幅または長さ、例えば、５ｍｍ×５ｍｍ（例えば、図３参照）、２ｍｍ×２ｍｍ、１ｍｍ×１ｍｍ、０．５ｍｍ×０．５ｍｍ、０．５ｍｍ×０．５ｍｍ以下、または、５ｍｍ×５ｍｍ以上の寸法を含み、およびそれらの間の全ての下位範囲が含まれる。領域２１９は、異なる長さと幅、例えば、１ｍｍ×５ｍｍ、０．５ｍｍ×１ｍｍ、等を含むこともできる。例示的領域２１９またはウェルの高さは、約０．１ｍｍ以下、約０．１ｍｍ〜約０．２ｍｍ、約０．１ｍｍ〜約０．５ｍｍ、約０．２ｍｍ〜約０．３ｍｍ、約０．５ｍｍ以上の寸法を含み、それらの間の全ての下位範囲が含まれる。

量子ドットまたは量子ドット含有材料は、放出される光の所望の波長に応じて様々な形状および／または寸法を有することができる。例えば、放出される光の周波数は、量子ドットの寸法が減少するにつれて増加し、例えば、放出された光の色は、量子ドットの寸法が減少するにつれて赤から青にシフトすることができる。青色、ＵＶまたは近紫外光を照射すると、量子ドットは光をより長い赤色、黄色、緑色または青色の波長に変換することができる。種々の実施形態によれば、量子ドットは、青色、ＵＶ、または近紫外光で照射されたとき赤色および緑色波長で発光する赤色および緑色量子ドットから選択することができる。例えば、ＬＥＤ構成要素は、青色光（約４５０〜４９０ｎｍ）、ＵＶ光（約２００〜４００ｎｍ）または近ＵＶ光（約３００〜４５０ｎｍ）を発光することができる。

さらに、少なくとも一つのキャビティが、同一または異なるタイプの量子ドット、例えば、異なる波長を放出する量子ドットを含むことが可能である。例えば、いくつかの実施形態において、キャビティは、キャビティ内に赤−緑−青（ＲＧＢ）スペクトルを生成するために、緑と赤の両方の波長を発光する量子ドットを含むことができる。しかしながら、他の実施形態によれば、個々のキャビティは、緑色量子ドットのみを含むキャビティまたは赤色量子ドットのみを含むキャビティのように、同じ波長を放出する量子ドットのみを含むことが可能である。例えば、封止デバイスは、約３分の１のキャビティが緑色量子ドットで充填され、約３分の１のキャビティが赤色量子ドットで充填される一方でキャビティの約３分の１が空のままであってもよい（青色光を放射するように）キャビティ配列を含むことができる。このような構成を使用すると、配列全体でＲＧＢスペクトルが生成されると同時に、個々の色ごとにダイナミックな調光も提供される。

もちろん、任意のタイプ、色または量の量子ドットを任意の比で含むキャビティが可能であり本開示の範囲に入ると考えられると解すべきである。所望の効果を達成するようにキャビティの構造および各キャビティ内に配する量子ドットのタイプおよび量を選択することは当業者の能力の範囲内にある。さらに、本明細書のデバイスは、ディスプレイデバイス用の赤色および緑色の量子ドットについて論じられているが、限定はされないが、赤色、橙色、黄色、緑色、青色、または可視スペクトル（例えば、４００〜７００ｎｍ）内の任意の他の色を含む光の任意の波長を発することができる任意のタイプの量子ドットを用いることができると解すべきである。

例示的量子ドットは種々の形状を有することができる。量子ドットの形状の例として、球、ロッド、ディスク、テトラポッド、他の形状、および／またはそれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されない。例示的な量子ドットは、限定されないが、アクリレートまたは他の適切なポリマーまたはモノマーのようなポリマー樹脂に含まれていてもよい。このような例示的な樹脂はまた、限定されるものではないが、ＴｉＯ_２などを含む適切な散乱粒子を含み得る。

特定の実施形態において、量子ドットは、ポリマーの可溶性および加工性と無機半導体の高効率および安定性との組み合わせを可能にする無機半導体材料を含む。無機半導体量子ドットは、典型的には、有機半導体の対応物よりも水蒸気および酸素の存在下でより安定である。上述したように、それらの量子閉じ込め発光特性のために、その発光は極端に狭帯域であり、単一のガウススペクトルによって特徴づけられる高度に飽和した発光をもたらすことができる。ナノ結晶の直径が量子ドット光学バンドギャップを制御するので、吸収および発光波長の微調整は、合成および構造を変えることによって達成することができる。

特定の実施形態において、無機半導体ナノ結晶量子ドットは、ＩＶ族元素、ＩＩ−ＶＩ族化合物、ＩＩ−Ｖ族化合物、ＩＩＩ−ＶＩ族化合物、ＩＩＩ−Ｖ族化合物、ＩＶ−ＶＩ族化合物、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物、ＩＩ−ＩＶ−ＶＩ族化合物またはＩＩ−ＩＶ−Ｖ族化合物、それらの合金および／またはそれらの混合物を含み、三元および四元合金および／または混合物が包含されている。その例としては、限定はされないが、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＳｅ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＴｌＮ、ＴｌＰ、ＴｌＡｓ、ＴｌＳｂ、ＰｂＯ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、それらの合金および／またはそれらの混合物が挙げられ、三元および四元合金および／または混合物が包含されている。

特定の実施形態において、量子ドットは、量子ドットの表面の少なくとも一部の上にシェルを含むことができる。この構造はコア−シェル構造と呼ばれる。シェルは無機材料、より好ましくは無機半導体材料を含むことができる。無機シェルは、表面の電子状態を有機キャッピング基よりもはるかに不動態化することができる。シェルに使用する無機半導体材料の例として、限定はされないが、ＩＶ族元素、ＩＩ−ＶＩ族化合物、ＩＩ−Ｖ族化合物、ＩＩＩ−ＶＩ族化合物、ＩＩＩ−Ｖ族化合物、ＩＶ−ＶＩ族化合物、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物、ＩＩ−ＩＶ−ＶＩ族化合物、またはＩＩ−ＩＶ−Ｖ族化合物、それらの合金および／またはそれらの混合物が挙げられ、三元および四元合金および／または混合物が包含されている。その例として、限定はされないが、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＳｅ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＴｌＮ、ＴｌＰ、ＴｌＡｓ、ＴｌＳｂ、ＰｂＯ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、それらの合金および／またはそれらの混合物が挙げられ、三元および四元合金および／または混合物が包含されている。

いくつかの実施形態において、量子ドット材料としては、ＣｄＳｅ、ＣｄＳおよびＣｄＴｅを含むＩＩ−ＶＩ族半導体を挙げることができ、狭い寸法分布と高い発光量子効率で、全可視スペクトルにわたって放出するようにさせることができる。例えば、直径約２ｎｍのＣｄＳｅ量子ドットは青色波長で発光し、直径８ｎｍの粒子は赤色波長で発光する。異なるバンドギャップを有する他の半導体材料を合成に置換することによって量子ドット組成を変化させることにより、量子ドット放出が調整され得る電磁スペクトルの領域が変更される。他の実施形態において、量子ドット材料はカドミウムフリーである。カドミウムフリー量子ドット材料の例として、ＩｎＰおよびＩｎ_ｘＧａ_ｘ−１Ｐが挙げられる。Ｉｎ_ｘＧａ_ｘ−１Ｐを調製するための一つの手段の一例において、黄色／緑色の波長よりもわずかに青色側の波長にアクセスするためにバンドギャップをより高いエネルギー側に移動させるために、ＩｎＰに少量のＧａをドープさせることができる。この三元材料を調製するための別の手段の一例では、深青色波長よりも赤色側の波長にアクセスするためにＧａＰにＩｎをドープさせることができる。ＩｎＰは、１．２７ｅＶの直接バルクバンドギャップを有し、それはＧａドーピングにより２ｅＶを超えて調整できる。ＩｎＰのみを含む量子ドット材料は、黄色／緑色波長から深赤色波長への調節可能な発光を提供することができ、少量のＧａをＩｎＰに添加することにより、深い緑色／アクアグリーンの波長に落とした発光の調整を容易にすることができる。Ｉｎ_ｘＧａ_ｘ−１Ｐ（０＜ｘ＜１）を含む量子ドット材料は、可視波長スペクトル全体ではないにしても、少なくとも大部分にわたって調整可能な発光を提供することができる。ＩｎＰ／ＺｎＳｅＳコア−シェル量子ドットは、深赤色の波長から黄色の波長に７０％もの高い効率で調整することができる。高ＣＲＩ白色ＱＤ−ＬＥＤ発光体を作成するために、ＩｎＰ／ＺｎＳｅＳを利用して可視波長スペクトルの赤色波長から黄色／緑色波長部分に対処することができ、Ｉｎ_ｘＧａ_ｘ−１Ｐが深緑色波長からアクアグリーン波長の発光を提供する。

いくつかの実施形態において（例えば、図１、図２Ａ、図２Ｂおよび／または図２Ｃを参照）、量子ドット材料は、所定のスペクトルにおいて調節可能な発光を提供することができる。例えば、例示的な量子ドット材料は、そこからの発光が、限定はされないが例えば約６２０ｎｍ〜約７５０ｎｍの赤色波長スペクトルなどの単一波長スペクトル、すなわち、単一波長量子ドット材料のみであるように選択することができる。もちろん、例示的な単一波長量子ドット材料は、少なくとも１つのＬＥＤ構成要素２０３などの近くの光源によって励起されたときに他の波長スペクトル（例えば、紫色３０８−４５０ｎｍ、青色４５０−４９５ｎｍ、緑色４９５−５７０ｎｍ、黄色５７０−５９０ｎｍ、および橙色５９０−６２０ｎｍ）が放出されるように選択することができる。他の実施形態において、量子ドット材料は、限定はされないが、赤外波長スペクトル、例えば約７００ｎｍ〜約１ｍｍ、または紫外線波長スペクトル、例えば約１０ｎｍ〜約３８０ｎｍのような別の波長スペクトルにおいて調節可能な発光を提供することができる。

第１の基板２０１の第１の面と第２の基板２０７の第２の面とを、封止または溶接２１１により結合させることができる。封止２１１は、少なくとも１つのキャビティ２０９の回りに延びて、それによりキャビティ内の加工対象物または量子ドット材料を封止することができる。例えば、図２Ａ−Ｂに示すように、封止は、同じキャビティ内の少なくとも１つの量子ドット２０５および少なくとも１つのＬＥＤ構成要素２０３を封入することができる。同様に、第１の基板２０１の第１の面と第３の基板２１５の第２の面とを、封止または溶接２１１により結合させることができる。封止２１１は、少なくとも１つの封入された領域またはウェル２１９の周りに延在し、それにより、量子ドット材料を領域２１９内に封止する。例えば、図２Ｃに示すように、封止２１１は、封入領域２１９において少なくとも一つの量子ドット２０５を封入することができる。複数のキャビティの場合には、封止２１１が単一キャビティの回りに延びることができ、例えば、各キャビティを配列内の他のキャビティから分離して、１つ以上の別々の封止領域またはポケットを形成する、または封止が２つ以上のキャビティ、例えば、３、４、５、１０またはそれ以上のキャビティなどのように、２つ以上のキャビティの群の回りに延びることができる。例えば、ＬＥＤおよび／または量子ドットを含まないキャビティの場合、封止デバイスが、所望により、封止しなくてよい１つ以上のキャビティを含むことも可能である。したがって、様々なキャビティが空であってもよいし、そうでなければ量子ドットおよび／またはＬＥＤを含まなくてもよく、したがって、これらの空のキャビティは適切にまたは所望に応じて封止されるかまたは開封される。いくつかの実施形態において、封止２１１は、ガラス対ガラス封止、ガラス対ガラスセラミック封止またはガラス対セラミック封止を含むことができ、それらは、同時係属中の米国特許出願第１３／７７７，５８４号、第１３／８９１，２９１号、第１４／２７０，８２８号および第１４／２７１，７９７号の各明細書に記載されており、これらの全ては、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。

封止２１１を形成する材料は、例えば、所定のレーザ動作波長において約１０％を超える吸光度および／または比較的低いガラス転移温度（Ｔ_ｇ）を有するガラス組成物から選択することができる。種々の実施形態によれば、封止材料は、ホウ酸塩ガラス、リン酸塩ガラス、テルライトガラスおよびカルコゲニドガラス、例えば、リン酸錫、フルオロリン酸スズおよびフルオロホウ酸スズから選択することができる。

一般的に、適切な封止材料としては、低Ｔ_ｇガラスおよび適度の反応性の銅またはスズの酸化物が挙げられる。非限定的な例として、封止材料は、Ｔ_ｇが約４００℃以下のガラスを含むことができ、Ｔ_ｇは例えば、約３５０℃、約３００℃、約２５０℃または約２００℃以下であり、例えば約２００℃〜約４００℃のようにそれらの間の全ての範囲および下位範囲が含まれる。好適な封止材料および方法は、例えば、米国特許出願第１３／７７７，５８４号、第１３／８９１，２９１号、第１４／２７０，８２８号および第１４／２７１，７９７号の各明細書に記載されており、これらの全てが参照により全体として本明細書に組み込まれる。

封止の厚さ２１１は、用途に応じて変えることができ、特定の実施形態において、約０．１μｍ〜約１０μｍの範囲であることができ、例えば、約５μｍ以下、約３μｍ以下、約２μｍ以下、約１μｍ以下、約０．５μｍ以下、または約０．２μｍ以下であり、それらの間の全ての範囲および下位範囲が含まれる。封止２１１は、種々の実施形態において、レーザ動作波長（室温）で吸収を呈することができ、吸光度は、約１０％以上、約１５％以上、約２０％以上、約２５％以上、約３０％以上、約３５％以上、約４０％以上、約４５％以上、または約５０％以上の値であり、例えば約１０％〜約５０％のようにそれらの間の全ての範囲および下位範囲が含まれる。例えば、封止材料は、ＵＶ波長（２００〜４００ｎｍ）において吸収を示すことができ、例えば、約１０％を超える吸収度を有する。いくつかの実施形態において、封止材料は可視光に対して透明または実施的に透明であり、例えば、スペクトルの可視領域（例えば、４００〜７００ｎｍ）において約８０％以上の透過率を有する。

いくつかの実施形態において、封止２１１は、第１、第２および／または第３の基板２０１、２０７、２１５の間に連続シートまたは層を含むことができる。例えば、封止材料は、封止層が少なくとも１つのキャビティおよび／または封入領域を覆うように、それぞれの基板の第１の面または第２の面の上に乗せることができる。そのような実施形態において、封止２１１は、可視波長に実質的に透過性であり、ＵＶ波長（または任意の他の所定のレーザ動作波長）に吸収性である。あるいは、封止材料は、キャビティおよび／または封入領域の周りにフレームを形成するように提供することができる。封止材は、任意の所望の形状またはパターンで、第１の基板２０１、第２の基板２０７または第３の基板２１５に適用することができる。そのような実施形態において、封止２１１は、可視波長に実施的に透過性または吸収性である、および／または、ＵＶ波長（または、任意の他の所定のレーザ動作波長）に実質的に透過性または吸収性であることができる。例えば、レーザは、封止層が吸収性であり第１のガラス基板が非吸収性である任意の波長において動作するように選択することができる。もちろん、封止は、例えば基板および／またはキャビティの形状に応じて、特定の用途に望ましい任意の形状を有することができる。

図２Ａ−Ｃに示されるような第１、第２および／または第３の基板の間の封止２１１は、所定の波長で動作すると共に、封止材料（または封止界面）に導かれて２つの基板の間に封止または溶接を形成するレーザビームの使用により形成することができる。理論に束縛されることを望まないが、封止材料によるレーザビームからの光の吸収および第１、第２および／または第３の基板による誘発された一時的吸収が、局所的加熱（例えば、第１の基板のガラス転移温度Ｔ_ｇに近い温度）および封止材料および／またはガラス基板の溶融を引き起こして２つの基板の間に結合を形成することができると考えられている。種々の実施形態によれば、封止または溶接２１１は、約１０μｍ〜約３００μｍの範囲の幅を有することができ、それは例えば、約２５μｍ〜約２５０μｍ、約５０μｍ〜約２００μｍ、または約１００μｍ〜約１５０μｍであり、それらの間の全ての範囲および下位範囲が含まれる。

種々の実施形態において、第１、第２および／または第３の基板を本明細書に開示のように一緒に封止して、少なくとも１つのキャビティおよび／または封入された領域の回りに封止または溶接部を作ることができる。特定の実施形態において、封止または溶接部は、気密封止であってよく、例えば、デバイス内に１つ以上の気密および／または防水ポケットを形成する。例えば、キャビティまたは領域が水、湿分、空気および／または他の汚染物質に対して不浸透性または実質的に不浸透性であるように、少なくとも１つのキャビティを気密的に封止することができる。非限定的な例として、気密封止は、酸素の蒸散（拡散）を約１０^−２ｃｍ^３／ｍ^２／日未満（例えば、約１０^−３ｃｍ^３／ｍ^２／日未満）に制限し、水の蒸散を約１０^−２ｇ／ｍ^２／日（例えば、約１０^−３、１０^−４、１０^−５または１０^−６ｇ／ｍ^２／日未満）に制限するように設定することができる。種々の実施形態において、気密封止は、水、湿分および／または空気が、気密封止によって保護された構成要素または量子ドット材料と接触するのを実質的に防止することができる。

特定の局面によれば、封止デバイスの全厚さは約６ｍｍ以下にすることができ、例えば、約５ｍｍ以下、約４ｍｍ以下、約３ｍｍ以下、約２ｍｍ以下、約１．５ｍｍ以下、約１ｍｍ以下、または約０．５ｍｍ以下であり、それらの間の全ての範囲および下位範囲が含まれる。例えば、封止デバイスの厚さは、約０．３ｍｍ〜約３ｍｍの範囲とすることができ、例えば、約０．５ｍｍ〜約２．５ｍｍ、または約１ｍｍ〜約２ｍｍであり、それらの間の全ての範囲および下位範囲が含まれる。

本明細書に開示された封止デバイスは、様々なディスプレイデバイスまたはディスプレイ構成要素に使用することができ、限定はされないが、バックライトや、テレビのようなバックライト付きディスプレイ、コンピュータモニタ、ハンドヘルドデバイス等に用いられ、これらはさらなる種々の構成成分を含むことができる。本明細書に開示された封止デバイスは、照明器具や固体照明用途のような照明デバイスとして用いることもできる。例えば、少なくとも１つのＬＥＤダイと接触した量子ドットを含む封止デバイスは、一般的な照明、例えば太陽の広帯域出力を模倣するために使用することができる。そのような照明デバイスは、例えば、４００〜７００ｎｍの範囲の波長のような様々な波長で発光する様々な寸法の量子ドットを含むことができる。

（方法）
量子ドット材料を含む封止デバイスを製造する方法も本明細書で開示される。

図１、図２Ｃおよび図３を参照すると、封入領域またはウェル２１９は、ウェルプレート２６０と一般に呼ばれるガラスプレートの上の二次元配列２５０に配列することができる。いくつかの実施形態において、ウェル２１９は、機械加工または他の適切な機械的プロセスによって形成することができる。さらなる実施形態において、ウェル２１９を製造するための例示的な方法は、ウェル配列を化学的にエッチングしてプレート２６０とすることを含む。指定量の液体または量子ドット含有材料２０５が配列の各ウェルに分配されると、材料２０５は、例えばＵＶ硬化され、平坦なカバーガラス（例えば、第１の基板２０１）と対になる。封止プロセス（例えば、レーザー封止）の後、ウェル２１９は、分離またはダイシングプロセスに付される。したがって、ランド２２１の各々の中心において分離が生じるように、各ウェル２１９中の材料を完全に封入しなくてはならない。

いくつかの実施形態において、ピコドット弁のように、単一液滴を分配させるための弁を用いることができる。これらの実施形態において、量子ドット材料は送達システムにおいて加圧することができ、送達システムの出口において、圧電機構を用いて外されるプランジャで塞がれたオリフィスがある。したがって、量子ドット材料は、送達システムから放出され、ウェルの床に衝突する。このように送達される量子ドット材料の量は、弁が開いている圧力および時間、および分配される材料の粘度に依存し得る。各ショットの体積および１ウェルあたりのショット数を調整することによって、所望の量の量子ドット材料が分配される。このような方法を使用する場合は、量子ドット含有材料をウェル内に維持すること、およびウェルの端部を超えてランド上に量子ドット含有材料が這い出ることを最小化することに注意を払うべきである。各ウェルの床が完全に濡れるようにするには、ショットを特定のパターンで配置する必要がある。このパターンは、ウェルの床に沿って螺旋状に均等に散布することによって達成できる。このようなプロセスでは、量子ドット材料がランドに這い回るのを避けるために、液滴をウェルの壁にあまり近づけてはならず、また、床全体が確実に濡れるように、床の中心付近に液滴がいくらか必要になるかもしれない。プロセス中に、ショットの本体の軌道に従わない弁が閉じたときにショットから発せられる小さな（付随）液滴により、または、ショットがウェルの表面に衝突したときの飛散により、量子ドット材料がランド上に現れる場合、これは、（可能なら）量子ドット材料の粘度を上げることにより、または送達ラインの圧力および弁の中のプランジャがオリフィスから出入りする詳細を調節することにより矯正することができる。

これらの実施形態において、量子ドット材料またはフィルムは、数秒以内にその静水圧形状をとるのに充分に可動的であるには厚過ぎ、フィルムが壁端に固定されそこでウェルがプレートランドに接触するというもう一つの困難が発見された。ウェルは部分的にしか充填されないので、空の部分がウェル全体の体積のかなりの割合を占め、量子ドット材料の上側界面が非常に凹形になり、壁の近くのフィルムは非常に厚く、中心部では非常に薄くなる。そのような場合、単一噴射弁は、ウェル当たり適正量の量子ドット材料を分配させるために数秒を要すること、および１００ｍｍ角ウェルプレートがこのように充填されＵＶ硬化されるのに１時間のかなりの部分を要することが発見された。スプラッシュおよび液滴生成は、ショットが分配される速度を制限するので、いくつかの実施形態において、これらの弁分配方法を使用する工業的方法の容量を拡大するには、複数の弁および関連するツールが必要とされることがある。

好ましい実施形態において、量子ドット含有材料は、インクジェットによりウェル内に注入することができる。量子ドット含有材料がインクジェット法を用いて適切に分配できるようにするために、多くの条件を達成しなくてはならないことが分かった。図４は、例示的なインクジェットプロセスのための動作域のマップである。図４を参照すると、軸は、オーネソルゲ（Ｏｈ）とウェーバー（Ｗｅ）にちなんで名付けられた２つの無次元の数値を表す。これらは、以下の式によって与えられる物理的および幾何学的特性によって定義される。

ここでμ、ρおよびσはそれぞれ液体の粘度、密度および界面の表面張力を表し、ａは特徴的長さ（液滴直径とする）であり、Ｖは液滴速度である。図４の斜線で示した動作域の外側の点については、ある種の欠陥が生じる可能性がある。例えば、動作域の左側には、粘性減衰効果がないので、液滴の放出または形状を制御することはできない。動作域の下側では、表面張力が高すぎるので、液滴がノズルから排出されない。動作域の右側では、粘度が高すぎるので液滴が排出されない。動作域の上側では、表面張力が低すぎるので、液滴が破壊され飛散する傾向がある。したがって、本明細書に記載の例示的な実施形態は、以下の問題を解決するウェル内に量子含有マトリクス樹脂を分配させる方法を提供する。（１）各ウェルに分配される合計体積を正確に制御しなければならない。（２）ウェルの中以外ではプレート上に液体を堆積させることができない。（３）ウェル内の層の厚さは均一でなくてはならない、または条痕もしくは特定の粗さによりパターン化されなくてはならない。（４）４つの異なるインクを同時に操作することによって、色設定点が飛行中に変わる。（５）１日に充填されるウェルの数が工業レベル（例えば、１日１００万を超える）でなければならない。したがって、典型的な分配プロセス（例えば、インクジェットなど）は、約０．１〜約１のオーネソルゲ（Ｏｈ）数および約４〜約５０^１．６＊Ｏｈ^０．４のウェーバー数で動作できることが発見された。

いくつかの実施形態において、例示的なプロセスは、例示的インクジェット動作域（図４参照）内で操作されるインクジェットプリントヘッドを用いて、ウェル内のみに液滴を分配するように正確に制御されているスライドテーブル上において、量子ドット材料を含む樹脂を適用することを含み、それにより樹脂は迅速に分配されるが複数回の通過が必要である。いくつかの実施形態において、堆積された樹脂（例えば、量子ドット含有材料）は、選択された通過の間にＵＶ硬化され、その流出が緩和される。本主題の実施形態は、正確な位置決めテーブルの上に搭載されたインクジェットプリントヘッドを用いて、プリントヘッドを、ウェルプレートが乗せられている真空プラテンに向かって下向きに向けた状態で、体積および位置の両方で、精度良く迅速にインクを分配することができる。このような実施形態において、視覚システムを、ウェルプレートを正確に位置決めするために用いることができ、プレートの位置を決定するために使用してもよく、そこにウェルが配置されて、その中で液体がインクジェット印刷法を用いて分配される。

いくつかの例示的な方法は、基板またはウェルプレートを、第１の直線方向（すなわち、それぞれのプリントヘッド上のノズルオリフィスの列に垂直な方向）におよび第１の直線方向に直交する第２の方向に動かす適切な移動機構または搬送機構を有する位置決めテーブルを用いることができる。適当なプリントヘッドは、市販のプリントヘッドとすることができ、好ましくは、ウェルプレートの寸法と同じまたはそれより長いものであり、いくつかの実施形態において、ピエゾ電気動作式プリントヘッドである。他の実施形態において、プリントヘッドは、ウェルプレート全体の幅を覆うことができるより小さなプリントヘッドの集合とすることができる。そのような例示的なプリントヘッドを使用して、単一通過動作により、または同時に、例えば、各色に対応する２組のプリントヘッドを組み合わせることにより、量子ドット材料の１つ以上の色を堆積させることができる。ウェルプレート上のプリントヘッドの動きならびに量子ドット材料のそれぞれの滴の発射は、コンピュータまたはプロセッサを用いて制御され得る。送達システムを用いて、インクジェットの適切な発射を確保するのに充分な圧力に維持されているプリントヘッドに量子ドット含有材料を供給することができる。特定の実施形態において、量子ドット材料の特性（例えば、粘度、量子ドットの寸法、散乱材料の寸法、等）を、インクジェットプロセス動作域（図４参照）の中で材料の適切な分配機能を確保するように制御することができる。ウェルプレートがプリントヘッド（またはプリントヘッドの集合）よりも広い実施形態において、位置決めプラットフォームは、第１および第２の方向の両方に直交する第３の方向の動きを必要とすることがある。

さらなる実施形態において、堆積または分配された量子ドット材料は、赤外線ランプで乾燥することによりまたはＵＶランプ等で硬化させることにより固化させることができる。

上述したように、本明細書に開示の構造およびそれらに対応する構造またはそれらの１つ以上の組み合わせを含む、デジタル電子回路、コンピュータソフトウェア、ファームウェアまたはハードウェアにおいて、本明細書に記載の主題および機能的動作の実施形態を実行することができる。本明細書で説明される主題の実施形態は、１つ以上のコンピュータプログラム製品として、すなわちデータ処理装置によって実行される、またはデータ処理装置の動作を制御するための有形のプログラムキャリア上にエンコードされたコンピュータプログラム命令の１つ以上のモジュールとして実行され得る。有形のプログラムキャリアは、コンピュータ可読媒体であってもよい。コンピュータ可読媒体は、機械可読ストレージデバイス、機械可読ストレージ基板、メモリデバイス、またはそれらのうちの１つ以上の組み合わせであってもよい。

「プロセッサ」または「コントローラ」という用語は、例えばプログラマブルプロセッサ、コンピュータ、または複数のプロセッサまたはコンピュータを含む、データを処理するための全ての装置、デバイスおよび機械を包含することができる。プロセッサは、ハードウェアに加えて、目的のコンピュータプログラムの実行環境を作るコードを含み、例えばコードは、プロセッサファームウェア、プロトコルスタック、データベース管理システム、オペレーティングシステム、またはそれらの１つ以上の組み合わせを構成する。

コンピュータプログラム（プログラム、ソフトウェア、ソフトウェアアプリケーション、スクリプトまたはコードとしても知られる）は、コンパイルされたまたは解釈された言語、または宣言型または手続き型言語を含む任意の形態のプログラミング言語で書くことができ、それは、スタンドアローンプログラムとして、またはコンピューティング環境での使用に適したモジュール、構成要素、サブルーチンまたはその他のユニットとして、任意の形式で展開することができる。コンピュータプログラムは、必ずしもファイルシステム内のファイルに対応するとは限らない。プログラムは、他のプログラムまたはデータ（例えば、マークアップ言語文書に格納された１つ以上のスクリプト）を保持するファイルの一部、目的のプログラム専用の単一ファイル、または複数のコーディネートされたファイル（たとえば、１つ以上のモジュール、サブプログラムまたはコードの一部を格納するファイル）に保存することができる。コンピュータプログラムは、１つのコンピュータ上で、または１つのサイトに位置するか、または複数のサイトに分散され、通信ネットワークによって相互接続された複数のコンピュータ上で実行されるように配置することができる。

本明細書に記載されるプロセスおよび論理フローは、入力データ上で動作することによって、および出力を生成することによって機能を実行する１つ以上のコンピュータプログラムを実行する１つの以上のプログラマブルプロセッサによって実行することができる。プロセスおよび論理フローはまた、例えばＦＰＧＡ（フィールドプログラマブルゲート配列）またはＡＳＩＣ（特定用途向け集積回路）などの専用論理回路によっても実行することができ、装置をそのような専用論理回路として実行することもできる。

コンピュータプログラムの実行に適したプロセッサは、例えば、汎用および専用マイクロプロセッサ、および任意の種類のデジタルコンピュータの一つ以上のプロセッサの両方を含む。一般に、プロセッサは、読み出し専用メモリまたはランダムアクセスメモリまたはその両方から命令およびデータを受信する。コンピュータの必須要素は、命令を実行するためのプロセッサと、命令およびデータを格納するための１つ以上のデータメモリデバイスとである。一般に、コンピュータはまた、例えば磁気、光磁気ディスク、または光ディスクなど、データを格納するための１つ以上の大容量記憶デバイスを含む、または大容量記憶デバイスからデータを受信する、あるいは大容量記憶デバイスにデータを転送する、またはその両方を行うために、動作可能に結合されることがある。しかしながら、コンピュータはそのようなデバイスを有する必要はない。

コンピュータプログラム命令とデータを貯蔵するのに適したコンピュータ読み取り可能な媒体としては、不揮発性メモリ、メディア、メモリデバイス、例えば、半導体メモリデバイス、例えば、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、およびフラッシュメモリデバイス、磁気ディスク、例えば、内部ハードディスクまたはリムーバブルディスク、光磁気ディスク、およびＣＤ−ＲＯＭおよびＤＶＤ−ＲＯＭディスクを含む、あらゆる形態のデータメモリが挙げられる。プロセッサおよびメモリは、専用論理回路によって補完または組み込むことができる。

ユーザとの対話を提供するために、本明細書に記載される主題の実施形態は、ユーザに情報を表示するためのディプレーデバイス、例えば、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）モニタ、および、ユーザがコンピュータにインプットできる、キーボードとポインティングデバイス、例えば、マウスまたはトラックボールを備えるコンピュータ上で実現することができる。他の種類のデバイスを使用して、ユーザとのやりとりを提供することもでき、例えば、ユーザからの入力は、音響、音声、または触覚入力を含む任意の形態で受信することができる。

本明細書に記載の主題の実施形態は、コンピューティングシステムで実施することができ、そのシステムは、例えばデータサーバとしてバックエンド構成要素を含み、または、ミドルウェア構成要素、例えばアプリケーションサーバを含み、または、フロントエンド構成要素を含み、それは例えば、ユーザが本明細書に記載された主題の実施形態と交流することができるグラフィカルユーザーインターフェースまたはウェブブラウザを有するクライアントコンピュータ、または１つ以上のそのようなバックエンド、ミドルウェア、またはフロントエンド構成要素の組み合わせ含む。システムの構成要素は、任意の形式または媒体のデジタルデータ通信（例えば、通信ネットワーク）によって相互接続することができる。通信ネットワークの例には、ローカルエリアネットワーク（「ＬＡＮ」）およびワイドエリアネットワーク（「ＷＡＮ」）、例えばインターネットが含まれる。コンピューティングシステムは、クライアントおよびサーバを含むことができる。クライアントとサーバは、一般に、互いに遠隔であり、典型的には、通信ネットワークを介して相互作用する。クライアントとサーバとの関係は、それぞれのコンピュータ上で実行され、互いにクライアント−サーバ関係を有するコンピュータプログラムのおかげで生じる。

実験は、上記の方法を用いて行なった。いくつかの実験において、３６０ｄｐｉの液滴堆積と、６ｐＬ／３０ｋＨｚ、１４ｐＬ／１２．８ｋＨｚおよび４２ｐＬ／７．６ｋＨｚの最大周波数組合せとを提供する、コニカミノルタＫＭ１０２４を用いた。各ノズルからの最大流量ｑ_ｎは、以下の関係式により表すことができる。

式中、νは液滴体積を表し、ｆは吐出の頻度を表す。ＫＭ１０２４プリントヘッドファミリーについては、４２ピコリットル／７．６ｋＨｚの組み合わせにより最大流量が達成された。例えば、一回の通過により、２つの直交する方向にλ＝１／３６０ドット／インチ（ｄｐｉ）（＝７０．６μｍ）の間隔で配置された４２ピコリットル（ｐＬ）液滴の層を提供する。すなわち、液滴の単一層が癒合するので、平均厚さは、二次元配列において各々割り当てられた面積で割った液滴体積により表すことができる。したがって、これらの液滴の層の平均厚さδは、いったん癒合した場合、以下の関係式により表すことができる。

これは、この非限定的な実験において、８．４μｍと決められた。すなわち、例えば、いくつかの実施形態において、平均でｄ＝１２０μｍである層を分配する必要がある場合、これは、ｄ／δ＝１４．３の通過で、すなわち、１５回通過させて行うことができる。したがって、上述したこれらの関係を用いて、任意の適切な厚さのウェル内に量子ドット材料の層を提供することができ、その厚さは、約０．１μｍ〜約２００μｍ、約１μｍ〜約２００μｍ、約１０μｍ〜約１５０μｍ、約５０μｍ〜約１００μｍであり、それらの間の全ての範囲および下位範囲が含まれる。

ノズル列の長さがそれぞれのウェルプレートの作業領域の幅より小さな実施形態において、プリントヘッドはラスターであり、分配時間を長くすることができるものである。例えば、ウェルプレートの作業長さがＬであり幅がＷである場合、ウェルを所望の厚さまで充填するのにかかる時間は、層の所望の平均厚さと、プリントヘッド上のノズルの列の長さに依存する。この長さが、ウェルプレートの幅と同等またはそれより長いと、プレート中の全てのウェルを、同時に充填することができる。ウェル内の液体の平均総厚をｄ＝１２０μｍと仮定すると、各ノズルは、幅λ、長さＬおよび高さｄのストリップを充填する必要がある。したがって、例えば、長さＬ＝１００ｍｍと仮定すると、各オリフィスから放出される必要がある液滴の数Ｎは、以下のように表すことができる。

上記の実験において、オリフィスから吐出される液滴の数は約２０，２００である。これらの液滴の全てを送達するのに必要な最小時間Ｔは、以下の関係式を用いて頻度ｆに依存する。

これは、非限定的実験において合計で２．７秒となる。プリントヘッドが運ばなくてはならない速度Ｓは、以下の関係式を用いて、液滴間隔λおよび頻度ｆに依存する。

ここで、０．５３ｍ／ｓの速度が計算された。

さらなる実施形態において、量子ドット含有材料またはインクの物理的特性を図４の領域内に定めなくてはならない。例えば、成功したインクジェット印刷実験における液滴速度は６〜８ｍ／秒の範囲であることが分かった。水に近い液体密度（１ｇｍ／ｍＬ）および典型的に用いられる溶媒の表面張力特性（２４ダイン／ｃｍ）を仮定すると、Ｖ＝７ｍ／秒およびａ＝４３μｍ（４２ピコリットル球体の直径）である場合、Ｗｅ＝８８であり、動作域内であると分かった。適切なオーネソルゲ数を確保することにより、量子ドット含有材料またはインクの粘度を選択することができる。例えば、Ｏｈが０．３にほぼ等しい場合、与えられた数に対して、粘度の目標値は約９．６センチポアズ（ｃＰ）であるべきである。プロセス域が図４の範囲内に収まる、例えば、０．１〜１のオーネソルゲ（Ｏｈ）数および４〜５０^１．６＊Ｏｈ^０．４のウェーバー数でのプロセス動作である限り、量子ドット含有材料またはインクの物理的特性は任意の数値範囲内とすることができるので、これらの実施例および実験は添付の特許請求の範囲を限定するものではないことに留意すべきである。したがって、本明細書に記載の実施形態は、ランド上への液滴の飛散を最小化し、付随液滴の形成を最小化し、ウェル内の堆積材料のＵＶ硬化性薄層を通過するウェル内の材料の這うような流れを最小化すると共に、効率的で、制御されかつ繰り返し可能な分配プロセスを提供してウェル配列の各ウェル内において正確な全体積の堆積を導くような、量子ドット材料のためのインクジェットプロセスを提供することができる。

量子ドット含有材料をウェル内に分配させることは別として、乾燥または硬化により層を固定する必要がある。いくつかの実施形態において、１回または数回の通過直後に薄層を硬化させるのが有益であり得る。このステップは整数Ｎ回行うことができる。いくつかの実施形態において、Ｎ＝１である。他の実施形態において、Ｎは１より大きい。これにより、ＵＶ光が硬化を必要とする液体フィルムの厚さにのみ浸透する片面硬化が可能になる。そのような例示的なプロセスは、壁に沿って揺れ、不均一になる（例えば、上から見たときに凹状になる）とき、フィルムの流れを減少させることができる。さらなる実施形態において、好都合であると分かった場合に、堆積した材料の表面に対する異なる粗さまたは条痕さえ形成させることができる（例えば、図５を参照されたい。これは、ウェル内に分配された量子ドット材料上に提供されたパターンの画像である）。図６は、異なる堆積および硬化処理を施した３つのウェルにわたるＵＶ硬化樹脂の厚さのプロフィールである。図６を参照すると、３つの異なるウェルを横切って表面形状測定装置による走査が行われている。堆積およびＵＶ硬化手順は、これらのウェルごとに異なった。例えば、右側の表面形状測定装置走査により表されるウェルにおいて、リボン内に液体を分配し、非常に薄い層をＵＶ硬化させることによって、インクジェットリボンを癒合させなかった。中央の表面形状測定装置走査により表されるウェルにおいては、流れが完全に停止した後のみに硬化を行った場合の静水プロフィールが示されている。最後に、左側の表面形状測定装置走査により表されるウェルにおいては、分配された量子ドット材料の上のあらゆる表面状態を平坦化させるように堆積と硬化との間に時間を設けて堆積とＵＶ硬化の数サイクルを用いてフィルムを適用した。これは、孤立ラインまたは個々の液滴もしくは液滴群を印刷することにより達成することができ、それらはウェル内において癒合させられ、次に、速やかにまたは瞬間的にＵＶ硬化される。

例示的な実施形態およびプロセスは、したがって、４つまでの別個の材料を分配することにより「飛行中」の量子ドット樹脂材料の色設定を変化させる性能を提供し、各材料は量子ドット樹脂材料の成分の一つを多く含む（例えば、赤色量子ドット、緑色量子ドット、散乱剤、マトリックス樹脂、およびそれらの組み合わせ）。

種々の実施形態によれば、封止層を、任意に、ガラス基板の少なくとも一部に適用、または無機基板の少なくとも一部に適用してから、封止することができる。上述したように、第１、第２および／または第３の基板は、少なくとも一つのキャビティまたは封入領域含んでいてもよい。第１、第２または第３の基板には、例えばプレス、エッチング、成形、切断または他の適切な任意の方法によってキャビティを設けることができる。封止層は、存在する場合、そのような任意のキャビティの上に適用する、またはキャビティの周囲に形成することができる。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの量子ドットおよび／または少なくとも１つのＬＥＤ構成要素をキャビティ内に配置することができる。別の実施形態において、少なくとも１つのレーザダイオードをキャビティ内に配置することができる。さらなる実施形態において、工作物をキャビティ内に配置することができる。

種々の実施形態において、基板は、ドープされた無機基板であってもよい。ドーピングは、例えば、無機基板の形成中に行うことができ、例えば、少なくとも１つのドーパントまたはその前駆体を、無機基板を形成するために使用されるバッチ材料に添加することができる。好適なドーパントとしては、例えば、ＺｎＯ、ＳｎＯ、ＳｎＯ_２、ＴｉＯ_２などが挙げられる。例示的なドーパント濃度は、例えば、約０．０５重量％以上の濃度（例えば、約１、２、３、４、５、６、７、８、９または１０重量％を超える、など）である。

その後、第１の面および第２の面は、任意にそれらの間に位置する封止層を用いて、接触させて、封止界面を形成することができる。このようにして接触させた基板は、例えば少なくとも１つのキャビティの周囲で封止することができる。種々の非限定的な実施形態によれば、封止はレーザ溶接によって実施することができる。例えば、レーザは、封止層がレーザエネルギーを吸収し、界面をガラス基板のＴ_ｇ付近の温度に加熱するように、封止界面にまたはその上方に向けられ得る。したがって、封止層および／またはガラス基板の溶融は、第１の基板と第２の基板との間に結合を形成することができる。あるいは、封止層が存在しなくてもよく、第２の無機基板は、レーザエネルギーを吸収し、ガラス基板のＴ_ｇ付近の温度に界面を加熱するようにドープされてもよい。種々の実施形態において、レーザ封止は、室温またはその付近の温度で行うことができ、その温度は例えば、約２５℃〜約５０℃、または約３０℃〜約４０℃であり、それらの間の全ての範囲および下位範囲が含まれる。封止界面での加熱は、これらの温度を超える温度上昇を引き起こす可能性があるが、そのような加熱は封止領域に限局されているので、デバイス内に封入される任意の熱に敏感な加工対象物への損傷のリスクが減少される。

レーザは、ガラス基板溶接のための技術分野で公知の任意の適切なレーザから選択することができる。例えば、レーザは、ＵＶ（約２００〜約４００ｎｍ）、可視（約４００〜約７００ｎｍ）、または赤外線（約７００〜約１６００ｎｍ）波長で光を発することができる。種々の実施形態によれば、レーザは、約３５０ｎｍ〜約１４００ｎｍ、約４００ｎｍ〜約１０００ｎｍ、約４５０ｎｍ〜約７５０、約５００ｎｍ〜約７００ｎｍ、または約６００ｎｍ〜約６５０ｎｍなどの約３００ｎｍ〜約１６００ｎｍの範囲の所定の波長であり、それらの間のすべての範囲および下位範囲が含まれる。特定の実施形態において、レーザは、約３５５ｎｍで動作するＵＶレーザ、約５３２ｎｍで動作する可視光レーザ、または約８１０ｎｍで動作する近赤外線レーザ、または任意の他の適切なＮＩＲ波長であってもよい。さらなる実施形態によれば、レーザ動作波長は、第１のガラス基板が実質的に透過性であり、封止層および／または無機基板が吸収性である任意の波長として選択され得る。例示的なレーザには、例を挙げると、赤外線レーザ、アルゴンイオンビームレーザ、ヘリウム−カドミウムレーザ、および第３高調波生成レーザが含まれる。

特定の実施形態において、レーザビームは、約０．２Ｗ〜約５０Ｗの範囲の平均電力を有することができ、例えば、約０．５Ｗ〜約４０Ｗ、約１Ｗ〜約３０Ｗ、約２Ｗ〜約２５Ｗ、約３Ｗ〜約２０Ｗ、約４Ｗ〜約１５Ｗ、約５Ｗ〜約１２Ｗ、約６Ｗ〜約１０Ｗ、または約７Ｗ〜約８Ｗであり、それらの間の全ての範囲および下位範囲が含まれる。レーザは、任意の周波数で動作してもよく、特定の実施形態において、パルス状、変調状（準連続）または連続的に動作してもよい。いくつかの実施形態において、レーザはバーストモードで動作してよく、各バーストは複数の個別パルスを含む。いくつかの非限定的な実施形態において、レーザは、約１ｋＨｚ〜約１ＭＨｚの範囲の反復率を有することができ、例えば、約５ｋＨｚ〜約９００ｋＨｚ、約１０ｋＨｚ〜約８００ｋＨｚ、約２０ｋＨｚ〜約７００ｋＨｚ、約３０ｋＨｚ〜約６００ｋＨｚ、約４０ｋＨｚ〜約５００ｋＨｚ、約５０ｋＨｚ〜約４００ｋＨｚ、約６０ｋＨｚ〜約３００ｋＨｚ、約７０ｋＨｚ〜約２００ｋＨｚ、または約８０ｋＨｚ〜約１００ｋＨｚであり、それらの間の全ての範囲および下位範囲が含まれる。

種々の実施形態によれば、封止界面の上、封止界面の下方または封止界面の上方にビームを導き集中させてよい。いくつかの非限定的な実施形態において、界面上のビームスポット径は、約１ｍｍ未満であってよい。例えば、ビームスポット径は約５００μｍ未満であってよく、例えば、約４００μｍ以下、約３００μｍ以下、約２００μｍ以下、約１００μｍ以下、約５０μｍ以下、または約２０μｍ以下であり、それらの間の全ての範囲および下位範囲が含まれる。いくつかの実施形態において、ビームスポット径は約１０μｍ〜約５００μｍの範囲であってよく、例えば、約５０μｍ〜約２５０μｍ、約７５μｍ〜約２００μｍ、または約１００μｍ〜約１５０μｍであり、それらの間の全ての範囲および下位範囲が含まれる。

種々の実施形態によれば、基板を封止することは、正方形、長方形、円形、楕円形または任意の他の適切なパターンもしくは形状を作るように、例えば、デバイス内の少なくとも１つのキャビティを気密的に封止するように任意の所定の経路を用いて基板に沿ってレーバービームを走査または移動させる（または、基板をレーザに対して移動させることができる）ことを含み得る。界面に沿ってレーザビーム（または基板）が移動する移動速度は、用途によって異なり、例えば、第１および第２の基板の組成および／または焦点構成および／またはレーザ出力、周波数、および／または波長に依存する。特定の実施形態において、レーザは、約１ｍｍ／秒〜約１０００ｍｍ／秒の範囲の移動速度を有していてよく、例えば、約５ｍｍ／秒〜約７５０ｍｍ／秒、約１０ｍｍ／秒〜約５００ｍｍ／秒、または約５０ｍｍ／秒〜約２５０ｍｍ／秒であり、例えば、約１００ｍｍ／秒以上、約２００ｍｍ／秒以上、約３００ｍｍ／秒以上、約４００ｍｍ／秒以上、約５００ｍｍ／秒以上、または約６００ｍｍ／秒以上の移動速度であり、それらの間の全ての範囲および下位範囲が含まれる。

本明細書に開示される種々の実施形態によれば、封止層によって第１の基板と第２の基板とを互いに溶接させるのに充分なエネルギーを生み出すように、レーザ波長、パルス持続時間、反復率、平均電力、集束条件、および他の関連パラメータを変化させることができる。所望の用途のために必要に応じてこれらのパラメータを変更することは、当業者の能力の範囲内である。種々の実施形態において、レーザ流束量（すなわち強度）は、第１および／または第２の基板の損傷閾値よりも低く、例えば、基板を一緒に溶接するのに充分強い条件下で動作するが、基板を損傷するほど強くはない。特定の実施形態において、レーザビームは、封止界面でのレーザビームの直径とレーザビームの反復率との積以下の移動速度で動作することができる。

種々の開示された実施形態は、特定の実施形態に関連して記載された特定の特徴、要素またはステップを含むと解される。１つの特定の特徴、要素またはステップは、１つの特定の実施形態に関連して説明されているが、様々な図示されていない組み合わせまたは変更として、代替的実施形態と交換または組み合わせられてよいことも理解される。

本明細書で用いられる名詞は「少なくとも一つ」の対象を指し、特記されない限り「唯一」の対象に制限すべきでないことも理解すべきである。すなわち、例えば、「キャビティ」という場合、特記しない限り、そのような「キャビティ」を１つ有するまたは２つ以上のそのような「キャビティ」を有する例が含まれる。同様に、「複数の」または「配列」は２つ以上を意味し、「キャビティの配列」または「複数のキャビティ」は２つ以上のそのようなキャビティを示す。

本明細書において、範囲は、ある特定の「約」値から、および／または、別の特定の「約」値までと、表すことができる。そのような範囲が表される場合、例は、ある特定の値から、および／または、他の特定の値までを含む。同様に、値が近似値として表現される場合、先行する「約」の使用により、特定の値が別の態様を形成することが理解される。さらに、各範囲の終点は、他方の終点に関して重要であり、他方の終点と独立して重要であることがさらに理解される。

本明細書で表される全ての数値は、明示的に別段の指示がない限り、記載かどうかにかかわらず、「約」を含むように解釈されるべきである。しかしながら、列挙された各数値は、「約」値として表現されているかどうかにかかわらず、同様に正確に考慮されることがさらに理解される。したがって、「１０ｍｍ未満の寸法」および「約１０ｍｍ未満の寸法」の両方は、「約１０ｍｍ未満の寸法」および「１０ｍｍ未満の寸法」の実施形態を含む。

本明細書に記載の任意の方法は、特記されない限り、そのステップが特定の順序で実行されることを必要とすると解釈されることを意図するものでは決して無い。したがって、方法の請求項がそのステップに続く順序を実際には列挙していない場合、または請求項または明細書に、そのステップは特定の順序に限定されると、特に明記されていない場合、任意の特定の順序が推論されるべきことを意図するものでは決して無い。

特定実施形態の種々の特徴、要素またはステップを移行句「含む」を用いて開示してよいが、移行句「からなる」または「から本質的になる」を用いて記載が可能な実施形態を含む代替的実施形態が暗示されると解すべきである。したがって、例えば、Ａ＋Ｂ＋Ｃを含む方法の暗示された代替的実施形態は、方法がＡ＋Ｂ＋Ｃからなる実施形態および方法が本質的にＡ＋Ｂ＋Ｃからなる実施形態を含む。

また、様々な修正および変形が、本開示の精神および範囲から逸脱することなく本開示になされ得ることが当業者には明らかである。開示の趣旨および内容を含む開示された実施形態の修正組合せ、部分的組合せおよび変形が当業者には起こりうるので、開示は添付の特許請求の範囲およびその等価物の範囲内の全てを含むと解釈されるべきである。

以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。

実施形態１
量子ドット含有材料をウェル内に分配させる方法であって、
インクジェットを用いて量子ドット材料をウェル内に分配させるステップを含んでおり、
インクジェットが、約０．１〜約１のオーネソルゲ（Ｏｈ）数および４〜５０^１．６＊Ｏｈ^０．４のウェーバー数で動作される、方法。

実施形態２
分配された量子ドット材料を乾燥または硬化によって固定化するステップをさらに含む、実施形態１に記載の方法。

実施形態３
量子ドット材料が、さらに、樹脂中に含まれる複数の量子ドットを含む、実施形態１または２に記載の方法。

実施形態４
量子ドット材料が、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＳｅ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＴｌＮ、ＴｌＰ、ＴｌＡｓ、ＴｌＳb、ＰｂＯ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅおよびそれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも一つの量子ドットを含む、実施形態３に記載の方法。

実施形態５
分配された量子ドット材料の表面を粗面化または表面に条痕を提供するステップをさらに含む、実施形態１〜４のいずれか１つに記載の方法。

実施形態６
量子ドット含有材料をウェル内に分配させる方法であって、
（ａ）インクジェットを用いて量子ドット材料をウェル内に分配させるステップ、
（ｂ）分配された量子ドット材料を乾燥または硬化することにより分配された量子ドット材料を固定化するステップ、および
（ｃ）量子ドット材料の所定の厚さが得られるまでステップ（ａ）および（ｂ）を整数Ｎ回繰り返すステップ
を含む、方法。

実施形態７
インクジェットが、約０．１〜約１のオーネソルゲ（Ｏｈ）数および約４〜約５０^１．６＊Ｏｈ^０．４のウェーバー数で動作される、実施形態６に記載の方法。

実施形態８
Ｎが１より大きい、実施形態６または７に記載の方法。

実施形態９
量子ドット材料が、さらに、樹脂中に含まれる複数の量子ドットを含む、実施形態６〜８のいずれか１つに記載の方法。

実施形態１０
量子ドット材料が、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＳｅ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＴｌＮ、ＴｌＰ、ＴｌＡｓ、ＴｌＳb、ＰｂＯ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅおよびそれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも一つの量子ドットを含む、実施形態６〜９のいずれか１つに記載の方法。

実施形態１１
分配された量子ドット材料の表面を粗面化または表面に条痕を提供するステップをさらに含む、実施形態６〜１０のいずれか１つに記載の方法。

実施形態１２
封止デバイスを製造する方法であって、
ウェル配列を含む第１の基板を提供するステップ、
量子ドット含有材料をウェル配列の１つ以上のウェル内に分配させるステップ、
ウェル配列における１つ以上のウェルを気密的に封止するステップ、および
ウェル配列から１つ以上のウェルを分離して封止デバイスを形成するステップ
を含む方法。

実施形態１３
ウェル配列を含む第１の基板を提供するステップが、さらに、第１の基板をエッチングしてウェル配列を形成するステップを含む、実施形態１２に記載の方法。

実施形態１４
量子ドット含有材料を分配させるステップが、さらに、
（ａ）インクジェットを用いて量子ドット材料をウェル内に分配させるステップ、
（ｂ）分配された量子ドット材料を乾燥または硬化することにより分配された量子ドット材料を固定化するステップ、および
（ｃ）所定の厚さが得られるまでステップ（ａ）および（ｂ）を整数Ｎ回繰り返すステップ
を含む、実施形態１２または１３に記載の方法。

実施形態１５
インクジェットが、約０．１〜約１のオーネソルゲ（Ｏｈ）数および約４〜約５０^１．６＊Ｏｈ^０．４のウェーバー数で動作される、実施形態１２〜１４のいずれか１つに記載の方法。

実施形態１６
Ｎが１より大きい、実施形態１４に記載の方法。

実施形態１７
気密的に封止するステップが、さらに、
第２の基板の第１の面を第１の基板の第２の面に接触させて封止界面を形成するステップ、および
所定の波長で動作しているレーザビームを封止界面上に導いて第１の基板と第２の基板との間に封止を形成するステップ
を含む、実施形態１２〜１４のいずれか１つに記載の方法。

実施形態１８
量子ドット材料が、さらに、樹脂中に含まれる複数の量子ドットを含む、実施形態１２〜１７のいずれか１つに記載の方法。

実施形態１９
量子ドット材料が、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＳｅ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＴｌＮ、ＴｌＰ、ＴｌＡｓ、ＴｌＳb、ＰｂＯ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅおよびそれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも一つの量子ドットを含む、実施形態１２〜１８のいずれか１つに記載の方法。

実施形態２０
第１の基板または第２の基板、あるいは第１および第２の両方の基板が、アルミノシリケート、アルカリアルミノシリケート、ボロシリケート、アルカリボロシリケート、アルミノボロシリケートおよびアルカリアルミノボロシリケートガラスから選択されるガラスを含む、実施形態１７に記載の方法。

実施形態２１
第３の面を有すると共に少なくとも１つのＬＥＤ構成要素を含む少なくとも１つのキャビティを有している第３の基板の上に前記封止デバイスを配するステップ、および
該封止デバイスを第３の基板に封止して、前記少なくとも１つのキャビティの回りに延びているもう一つの封止を形成するステップ
をさらに含む、実施形態１２に記載の方法。

実施形態２２
高屈折率材料と低屈折率材料との交互フィルムを含む１つ以上のフィルムを提供して、光の所定の波長をフィルタリングするステップ
をさらに含む、実施形態２１に記載の方法。

１０１ 封止デバイス
１０３ ＬＥＤ
１０５ ＱＤ含有材料
１０７ 第１の基板
１０９ キャビティ
２００ 封止デバイス
２０１ 第１の基板
２０３ ＬＥＤ
２０５ 量子ドット材料
２０７ 第２の基板
２０９ キャビティ
２１１ 封止
２１３ フィルム
２１５ 第３の基板
２１６ デバイス
２１７ａ フィルタ
２１７ｂ フィルタ
２１７ｃ フィルタ
ｄ 所定の距離
２１９ 封入された領域
２１９ ウェル
２２１ ランド
２５０ 二次元配列
２６０ ウェルプレート

Claims (11)

1. 量子ドット含有材料をウェル内に分配させる方法であって、
   インクジェットを用いて量子ドット材料をウェル内に分配させるステップを含んでおり、
   該インクジェットが、約０．１〜約１のオーネソルゲ（Ｏｈ）数および４〜５０^１．６＊Ｏｈ^０．４のウェーバー数で動作される、方法。
2. 前記分配された量子ドット材料を乾燥または硬化によって固定化するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記量子ドット材料が、さらに、樹脂中に含まれる複数の量子ドットを含む、請求項１または２に記載の方法。
4. 前記量子ドット材料が、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＳｅ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＴｌＮ、ＴｌＰ、ＴｌＡｓ、ＴｌＳb、ＰｂＯ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅおよびそれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも一つの量子ドットを含む、請求項３に記載の方法。
5. 前記分配された量子ドット材料の表面を粗面化または表面に条痕を提供するステップをさらに含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
6. 量子ドット含有材料をウェル内に分配させる方法であって、
   （ａ）インクジェットを用いて量子ドット材料をウェル内に分配させるステップ、
   （ｂ）前記分配された量子ドット材料を乾燥または硬化することにより該分配された量子ドット材料を固定化するステップ、および
   （ｃ）前記量子ドット材料の所定の厚さが得られるまでステップ（ａ）および（ｂ）を整数Ｎ回繰り返すステップ
   を含む、方法。
7. 前記インクジェットが、約０．１〜約１のオーネソルゲ（Ｏｈ）数および約４〜約５０^１．６＊Ｏｈ^０．４のウェーバー数で動作される、請求項６に記載の方法。
8. Ｎが１より大きい、請求項６または７に記載の方法。
9. 前記量子ドット材料が、さらに、樹脂中に含まれる複数の量子ドットを含む、請求項６〜８のいずれか１項に記載の方法。
10. 前記量子ドット材料が、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＳｅ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＴｌＮ、ＴｌＰ、ＴｌＡｓ、ＴｌＳb、ＰｂＯ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅおよびそれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも一つの量子ドットを含む、請求項６〜９のいずれか１項に記載の方法。
11. 前記分配された量子ドット材料の表面を粗面化または表面に条痕を提供するステップをさらに含む、請求項６〜１０のいずれか１項に記載の方法。

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