JP2019508007A - Dc−dc電圧コンバータの診断システム - Google Patents
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Abstract
【選択図】 図1
Description
Claims (8)
- DC−DC電圧コンバータの診断システムであって、
第1電気ノードと第2電気ノードとの間に電気的に連結される高電圧スイッチ;第3電気ノードと第4電気ノードとの間に電気的に連結される低電圧スイッチ;前記第2電気ノードと前記第3電気ノードとの間に電気的に連結され、内部に複数の第1FETスイッチを備えるハイサイドFET IC及び内部に複数の第2FETスイッチを備えるローサイドFET ICを備えるDC−DC電圧コンバータ制御回路;を備えてなり、前記複数の第1FETスイッチのそれぞれのFETスイッチは前記複数の第2FETスイッチのそれぞれのFETスイッチと電気的に連結されてなり、
第1ピン及び第2ピンを備える第1三相バッファIC;
第1ピン及び第2ピンを備える第2三相バッファIC;並びに
前記第1三相バッファIC及び前記第2三相バッファICと電気的に連結されるマイクロコントローラ;を備えてなり、
前記第1三相バッファICは、
前記ハイサイドFET IC内の前記複数の第1FETスイッチ及び前記ローサイドFET IC内の前記複数の第2FETスイッチが開放動作状態に切り換えられたことを示す第1シャットダウン指標電圧を前記DC−DC電圧コンバータ制御回路から前記第1ピンによって受信し、前記第1シャットダウン指標電圧の受信に応答して、前記マイクロコントローラによって受信され、前記ハイサイドFET IC内の前記複数の第1FETスイッチ及び前記ローサイドFET IC内の前記複数の第2FETスイッチが前記開放動作状態に切り換えられたことを示す第2シャットダウン指標電圧を前記第2ピンから出力し、
前記第2三相バッファICは、
前記ハイサイドFET IC内の前記複数の第1FETスイッチ及び前記ローサイドFET IC内の前記複数の第2FETスイッチが前記開放動作状態に切り換えられたことを示す第3シャットダウン指標電圧を前記DC−DC電圧コンバータ制御回路から前記第1ピンによって受信し、前記第3シャットダウン指標電圧の受信に応答して、前記マイクロコントローラによって受信され、前記ハイサイドFET IC内の前記複数の第1FETスイッチ及び前記ローサイドFET IC内の前記複数の第2FETスイッチが前記開放動作状態に切り換えられたことを示す第4シャットダウン指標電圧を前記第2ピンから出力し、
前記マイクロコントローラは、
前記第2シャットダウン指標電圧及び前記第4シャットダウン指標電圧のうちの1つ以上の受信に応答して、前記ハイサイドFET IC内の前記複数の第1FETスイッチ及び前記ローサイドFET IC内の前記複数の第2FETスイッチが前記開放動作状態に切り換えられたことを示すシャットダウン指標フラグをメモリ装置に貯蔵する、診断システム。 - 前記第4シャットダウン指標電圧は、前記第2シャットダウン指標電圧より大きい、請求項1に記載の診断システム。
- 前記第1三相バッファICは、第3ピン及び第4ピンをさらに備え、
前記第2三相バッファICは、第3ピン及び第4ピンをさらに備え、
前記マイクロコントローラは、前記第1三相バッファICの前記第3ピンで受信され、前記DC−DC電圧コンバータ内の前記低電圧スイッチを前記開放動作状態に切り換えるように命令する前記第1制御電圧を発生させ、
前記第1三相バッファICは、前記第1制御電圧の受信に応答して、前記低電圧スイッチによって受信されて前記低電圧スイッチが前記開放動作状態に切り換えられるように誘導する第2制御電圧を前記第4ピンから出力し、
前記マイクロコントローラは、前記第2三相バッファICの前記第3ピンで受信され、前記DC−DC電圧コンバータ内の前記高電圧スイッチを前記開放動作状態に切り換えるように命令する前記第3制御電圧を発生させ、
前記第2三相バッファICは、前記第3制御電圧の受信に応答して、前記高電圧スイッチによって受信されて前記高電圧スイッチが前記開放動作状態に切り換えられるように誘導する第4制御電圧を前記第4ピンから出力する、請求項1に記載の診断システム。 - 前記第4制御電圧は、前記第2制御電圧より大きい、請求項3に記載の診断システム。
- DC−DC電圧コンバータの診断システムであって、
第1電気ノードと第2電気ノードとの間に電気的に連結される高電圧スイッチ;第3電気ノードと第4電気ノードとの間に電気的に連結される低電圧スイッチ;前記第2電気ノードと前記第3電気ノードとの間に電気的に連結され、内部に複数の第1FETスイッチを備えるハイサイドFET IC及び内部に複数の第2FETスイッチを備えるローサイドFET ICを備えるDC−DC電圧コンバータ制御回路;を備えてなり、前記複数の第1FETスイッチのそれぞれのFETスイッチは前記複数の第2FETスイッチのそれぞれのFETスイッチと電気的に連結されてなり、
第1ピン及び第2ピンを備える第1三相バッファIC;
第1ピン及び第2ピンを備える第2三相バッファIC;並びに
前記第1三相バッファIC及び前記第2三相バッファICと電気的に連結されるマイクロコントローラ;を備えてなり、
前記第1三相バッファICは、
前記ハイサイドFET IC内の前記複数の第1FETスイッチ及び前記ローサイドFET IC内の前記複数の第2FETスイッチのうちいずれか1つのFETスイッチが短絡回路条件であることを示す第1電気短絡回路指標電圧を前記DC−DC電圧コンバータ制御回路から前記第1ピンによって受信し、前記第1電気短絡回路指標電圧の受信に応答して、前記マイクロコントローラによって受信され、前記ハイサイドFET IC内の前記複数の第1FETスイッチ及び前記ローサイドFET IC内の前記複数の第2FETスイッチのうちいずれか1つの前記FETスイッチが前記短絡回路条件であることを示す第2電気短絡回路指標電圧を前記第2ピンから出力し、
前記第2三相バッファICは、
前記ハイサイドFET IC内の前記複数の第1FETスイッチ及び前記ローサイドFET IC内の前記複数の第2FETスイッチのうちいずれか1つの前記FETスイッチが前記短絡回路条件であることを示す第3電気短絡回路指標電圧を前記DC−DC電圧コンバータ制御回路から前記第1ピンによって受信し、前記第3電気短絡回路指標電圧の受信に応答して、前記マイクロコントローラによって受信され、前記ハイサイドFET IC内の前記複数の第1FETスイッチ及び前記ローサイドFET IC内の前記複数の第2FETスイッチのうちいずれか1つの前記FETスイッチが前記短絡回路条件であることを示す第4電気短絡回路指標電圧を前記第2ピンから出力し、
前記マイクロコントローラは、
前記第2電気短絡回路指標電圧及び前記第4電気短絡回路指標電圧のうちの1つ以上の受信に応答して、前記ハイサイドFET IC内の前記複数の第1FETスイッチ及び前記ローサイドFET IC内の前記複数の第2FETスイッチのうちいずれか1つの前記FETスイッチが前記短絡回路条件であることを示す電気短絡回路指標フラグをメモリ装置に貯蔵する、診断システム。 - 前記第4電気短絡回路指標電圧は、前記第2電気短絡回路指標電圧より大きい、請求項5に記載の診断システム。
- DC−DC電圧コンバータの診断システムであって、
第1電気ノードと第2電気ノードとの間に電気的に連結される高電圧スイッチ、第3電気ノードと第4電気ノードとの間に電気的に連結される低電圧スイッチ、前記第2電気ノードと前記第3電気ノードとの間に電気的に連結されるブーストモードIC、及びバックモードICを備えるDC−DC電圧コンバータ制御回路を備えてなり、
第1ピン及び第2ピンを備える第1三相バッファIC;
第1ピン及び第2ピンを備える第2三相バッファIC;及び
前記第1三相バッファIC及び前記第2三相バッファICと電気的に連結されるマイクロコントローラ;を備えてなり、
前記マイクロコントローラは、前記第1三相バッファICの前記第1ピンで受信されて、前記DC−DC電圧コンバータ内の前記ブーストモードICの活性化を命令する前記第1制御電圧を発生させ、
前記第1三相バッファICは、前記第1制御電圧の受信に応答して、前記ブーストモードICによって受信され、前記バックモードICが非活性化した第1時間に前記ブーストモードICが活性化するように誘導する第2制御電圧を前記第2ピンから出力し、
前記マイクロコントローラは、前記第2三相バッファICの前記第1ピンで受信されて、前記DC−DC電圧コンバータ内の前記バックモードICの活性化を命令する前記第3制御電圧を発生させ、
前記第2三相バッファICは、前記第3制御電圧の受信に応答して、前記バックモードICによって受信され、前記ブーストモードICが非活性化した第2時間に前記バックモードICが活性化するように誘導する第4制御電圧を前記第2ピンから出力する、診断システム。 - 前記第4電気制御電圧は、前記第2電気制御電圧より大きい、請求項7に記載の診断システム。
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