JP2019504033A - 選択的なs1p1受容体アゴニストの新規な結晶形及びその製造方法 - Google Patents

選択的なs1p1受容体アゴニストの新規な結晶形及びその製造方法 Download PDF

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Abstract

本発明は、選択的なS1P1受容体アゴニスト、すなわちPonesimodの結晶形1、2及び3及びその製造方法を開示する。そのうち、結晶形1は18.1°±0.2°、14.6°±0.2°、11.3°±0.2°の2θ値に、粉末X線回折パターンにおける特徴ピークを有し、結晶形2は3.8°±0.2°、10.8°±0.2°、6.1°±0.2°の2θ値に、粉末X線回折パターンにおける特徴ピークを有し、結晶形3は12.2°±0.2°、6.2°±0.2°、5.6°±0.2°の2θ値に、粉末X線回折パターンにおける特徴ピークを有する。本発明は従来の結晶形に比較して、良好な安定性を有するだけでなく、溶解性も大幅に改善され、Ponesimodを含む薬剤の開発により一層適する。【選択図】図1

Description

本発明は化学医薬分野に関し、特に選択的なS1P1受容体アゴニストPonesimodの新規な結晶形及びその製造方法に関する。
結晶形は、医薬品の質に影響を与える重要な要素として知られている。同じ薬物でも、結晶形によって、外観、溶解度、融点、溶解速度、生物的有効性等が著しく異なることがあり、薬物の安定性、生物学的利用能及び効能にも様々な影響を及ぼす。したがって、より応用に適する新たな結晶形を開発すことは、薬物を開発する上で非常に重要な意味を有する。
Ponesimod(式Iで表される化合物)は、Actelion会社により開発された選択的なS1P1受容体アゴニスト(selective S1P1 receptor modulator)である。この薬物は、中等度から重度の慢性尋常性乾癬を治療する第2相中期試験が成功し、乾癬を治療する第3相臨床試験が実施されるところである。
現在、特許CN100567275Cの実例85には式I化合物の製造方法が記載され、特許CN102177144Bには上記方法により得られたものが非晶質形態であるとの記載がある。また、特許CN102177144Bには式I化合物の結晶形A、結晶形C、結晶形III、結晶形IIが報告されている。研究によれば、結晶形IIIは結晶化度が悪く、室温下で結晶形IIへと転移する。結晶形IIは繰り返して製造することが困難であり、それに一定量のプロピオン酸を含有する。結晶形Aは結晶形Cよりも熱力学的安定性が低い。比較して言えば、結晶形Cが薬物開発に適する形態であるが、結晶形Cの溶解度は理想的ではない。
本発明が解決しようとする課題は、従来の技術の欠陥を解決すべく、従来の結晶形Cよりも優れた特性を有する、Ponesimod結晶形1、Ponesimod結晶形2、Ponesimod結晶形3と命名するPonesimodの新規な結晶形を提供することである。
本発明はさらに、前記Ponesimod結晶形1、Ponesimod結晶形2、Ponesimod結晶形3の製造方法及び用途を提供する。
本発明で提供するPonesimod結晶形1は、18.1°±0.2°、14.6°±0.2°、11.3°±0.2°の2θ値に、粉末X線回折パターンにおける特徴ピークを有する。
また、Ponesimod結晶形1は、10.8°±0.2°、16.3°±0.2°、22.7°±0.2°のうちの1つ以上の2θ値に、粉末X線回折パターンにおける回折ピークをさらに有する。好ましくは、結晶形1は10.8°±0.2°、16.3°±0.2°、22.7°±0.2°の2θ値のすべてに、粉末X線回折パターンにおける回折ピークを有する。
さらに、Ponesimod結晶形1は、26.0°±0.2°、6.8°±0.2°、13.1°±0.2°のうちの1つ以上の2θ値に、粉末X線回折パターンにおける回折ピークをさらに有する。好ましくは、結晶形1は、26.0°±0.2°、6.8°±0.2°、13.1°±0.2°の2θ値のすべてに、粉末X線回折パターンにおける回折ピークを有する。
本発明の好ましい具体的な形態において、結晶形1は図1に示されるような粉末X線回折パターンを有する。
好ましくは、本発明で提供するPonesimod結晶形1は、78℃付近に加熱した際に吸熱ピークが現れ、実質的に図2に示されるような示差走査熱量測定パターンを有する。
好ましくは、本発明で提供するPonesimod結晶形1は、100℃に加熱した際に、約7.1%の重量損失率を有し、実質的に図3に示されるような熱重量分析パターンを有する。
Ponesimod結晶形1は、Ponesimodを環状エーテル系溶媒に溶解して溶液とし、溶液にアルカン系溶媒を加え、固体を析出させることで、Ponesimod結晶形1を得る方法により製造される。
さらに、前記環状エーテル系溶媒としては、テトラヒドロフラン、1、4−ジオキサン等の1つ又は複数の組み合わせが挙げられるが、これらに限らず、中でも1、4−ジオキサンが好ましい。前記アルカン系溶媒としては、n−ヘキサン、n−ヘプタン等の1つ又は複数の組み合わせが挙げられるが、これらに限らず、中でもn−ヘプタンが好ましい。
本発明で提供するPonesimod結晶形2は、3.8°±0.2°、10.8°±0.2°、6.1°±0.2°の2θ値に、粉末X線回折パターンにおける特徴ピークを有する。
また、Ponesimod結晶形2は、5.4°±0.2°、10.2°±0.2°、7.0°±0.2°のうちの1つ以上の2θ値に、粉末X線回折パターンにおける回折ピークをさらに有する。好ましくは、結晶形2は5.4°±0.2°、10.2°±0.2°、7.0°±0.2°の2θ値のすべてに、粉末X線回折パターンにおける回折ピークを有する。
さらに、Ponesimod結晶形2は、13.7°±0.2°、7.6°±0.2°、11.4°±0.2°のうちの1つ以上の2θ値に、粉末X線回折パターンにおける回折ピークをさらに有する。好ましくは、結晶形1は13.7°±0.2°、7.6°±0.2°、11.4°±0.2°の2θ値のすべてに、粉末X線回折パターンにおける回折ピークを有する。
本発明の好ましい具体的な形態において、Ponesimod結晶形2は、図4に示されるような粉末X線回折パターンを有する。
好ましくは、本発明で提供するPonesimod結晶形2は、88℃付近に加熱した際に吸熱ピークが現れ、実質的に図5に示されるような示差走査熱量測定パターンを有する。
好ましくは、本発明で提供するPonesimod結晶形2は、80℃に加熱した際に、約1.4%の重量損失率を有し、実質的に図6に示されるような熱重量分析パターンを有する。
Ponesimod結晶形2は、Ponesimodをエステル系溶媒と混合し、0〜50℃の温度で懸濁撹拌し、固体を単離することで、Ponesimod結晶形2を得る方法により製造される。
さらに、前記エステル系溶媒としては、酢酸イソプロピル、酢酸エチル等の1つ又は複数の組み合わせが挙げられるが、これらに限らず、中でも酢酸イソプロピル、酢酸エチルが好ましい。
好ましくは、Ponesimod結晶形2を製造する際に、室温で懸濁撹拌する。
本発明で提供するPonesimod結晶形3は、12.2°±0.2°、6.2°±0.2°、5.6°±0.2°の2θ値に、粉末X線回折パターンにおける特徴ピークを有する。
また、Ponesimod結晶形3は、10.8°±0.2°、13.4°±0.2°、11.2°±0.2°のうちの1つ以上の2θ値に、粉末X線回折パターンにおける回折ピークをさらに有する。好ましくは、Ponesimod結晶形3は10.8°±0.2°、13.4°±0.2°、11.2°±0.2°の2θ値のすべてに、粉末X線回折パターンにおける回折ピークを有する。
さらに、Ponesimod結晶形3は、10.2°±0.2°、16.3°±0.2°、20.5°±0.2°のうちの1つ以上の2θ値に、粉末X線回折パターンにおける回折ピークをさらに有する。好ましくは、結晶形3は10.2°±0.2°、16.3°±0.2°、20.5°±0.2°の2θ値のすべてに、粉末X線回折パターンにおける回折ピークを有する。
本発明の好ましい具体的な形態において、Ponesimod結晶形3は図7に示されるような粉末X線回折パターンを有する。
好ましくは、本発明で提供するPonesimod結晶形3は、85℃付近に加熱した際に吸熱ピークが現れ、実質的に図8に示されるような示差走査熱量測定パターンを有する。
Ponesimod結晶形3は下記方法のいずれか1つにより製造できる。
1)Ponesimodをエステル系溶媒と混合し、固体が溶解して透明な溶液となるまで加熱し、固体が析出するまで降温し、固体を単離することで、Ponesimod結晶形3を得る。前記エステル系溶媒としては、酢酸イソプロピル、酢酸エチル等が挙げられるが、これらに限らず、中でも酢酸イソプロピル、酢酸エチルが好ましい。前記加熱は、好ましくは40〜80℃、より好ましくは約50℃〜80℃、最も好ましくは50℃〜60℃に加熱する。前記降温は、好ましくは−5〜5℃、より好ましくは約4℃に降温する。
2)Ponesimodをエーテル系溶媒と混合し、40〜60℃の温度で懸濁撹拌し、固体を単離することで、Ponesimod結晶形3を得る。前記エーテル系溶媒としては、メチル−t−ブチルエーテルが挙げられるが、これに限らない。
本発明のPonesimod結晶形1、結晶形2、結晶形3又はこれらの任意の割合による混合物は、選択的なS1P1受容体アゴニストとして、乾癬治療薬の製造に使用することができる。
本発明はさらに、本発明に記載のPonesimod結晶形1、結晶形2、結晶形3又はこれらの任意の割合による混合物を含む医薬組成物に関する。さらに、当該医薬組成物は、中等度から重度の慢性尋常性乾癬等の治療を含め、乾癬の治療に使用することができる。
以上の発明の実施により、本発明は従来の技術に比較して以下の利点を有する。
本発明は意外にもPonesimodの結晶形1、結晶形2、結晶形3を見出した。従来の結晶形Cと比較して、これらの結晶形は良好な安定性を有するだけでなく、溶解性も著しく向上したので、Ponesimod化合物を含む薬剤の製造に、より良い新たな選択肢を与え、薬物を開発する上で非常に重要な意味を有する。
図1はPonesimod結晶形1のXRPDパターンである。 図2はPonesimod結晶形1のDSCパターンである。 図3はPonesimod結晶形1のTGAパターンである。 図4はPonesimod結晶形2のXRPDパターンである。 図5はPonesimod結晶形2のDSCパターンである。 図6はPonesimod結晶形2のTGAパターンである。 図7はPonesimod結晶形3のXRPDパターンである。 図8はPonesimod結晶形3のDSCパターンである。 図9は保存前後のPonesimod結晶形2のXRPDパターンの比較を示すものである(Aは保存前、Bは25℃、RH60%相対湿度で6ヵ月保存後、Cは40℃、RH75%相対湿度で6ヵ月保存後、Dは80℃の環境で3ヵ月保存後である)。 図10は保存前後のPonesimod結晶形3のXRPDパターンの比較を示すものである(Aは保存前、Bは25℃、RH60%相対湿度で6ヵ月保存後、Cは40℃、RH75%相対湿度で6ヵ月保存後である)。
以下、本発明を具体的な実施例により更に詳細に説明するが、本発明は下記実施例に限定されるものではない。実施例に未記載の条件は一般的な条件である。製造方法において、原料であるPonesimodはアモルファス固体形態であり、例えばCN100567275C、CN102177144Bに記載の方法などの公知の方法により調製されたものである。
下記実施例において、かかる試験方法は通常、一般的な条件またはメーカーの推奨条件で実施する。
本発明において使用する略語の意味は下記のとおりである。
XRPD:粉末X線回折
DSC:示差走査熱量測定
TGA:熱重量分析
本発明における粉末X線回折パターンはPanalytical Empyrean粉末X線回折装置により取得する。本発明における粉末X線回折の測定条件は下記のとおりである。
X線回折条件: Cu,Kα
Kα1(Å)1.540598;Kα2(Å)1.544426
Kα2/Kα1 強度比:0.50
電圧:45千ボルト(kV)
電流:40ミリアンペア(mA)
走査範囲:3.0〜40.0度
本発明における示差走査熱量測定(DSC)パターンはTA Q2000により取得する。本発明における示差走査熱量測定(DSC)の測定条件は下記のとおりである。
走査速度:10℃/min
シールドガス:窒素ガス
本発明における熱重量分析(TGA)パターンはTA Q5000により取得する。本発明における熱重量分析(TGA)の測定条件は下記のとおりである。
走査速度:10℃/min
シールドガス:窒素ガス
実施例1
(Ponesimod結晶形1の製造方法)
Ponesimod48.1mgを1、4−ジオキサン0.40mLに加え、ろ過してろ液を得、室温で撹拌しながらn−ヘプタン1.20mLを滴下し、結晶が析出した後、さらに一晩懸濁撹拌し、遠心分離により上清を除去することで、Ponesimod結晶形1を得た。
本実施例で得られた結晶形1の粉末X線回折データは、表1に示されるピーク値を含む。そのXRPDパターンを図1に示し、DSCパターンを図2に示し、TGAパターンを図3に示す。
実施例2
(Ponesimod結晶形2の製造方法)
Ponesimod399.9mgを酢酸エチル4.0mLに加え、室温下で24時間撹拌し、遠心分離により上清を除去し、室温で3時間真空乾燥させることで、結晶形2である固体を得た。
本実施例で得られた結晶形2の粉末X線回折データは表2に示すピーク値を含む。そのXRPDパターンを図4に示し、DSCパターンを図5に示し、TGAパターンを図6に示す。
実施例3
(Ponesimod結晶形3の製造方法)
Ponesimod106.8mgをメチル−t−ブチルエーテル2.0mLに加え、50℃の温度で24時間撹拌し、遠心分離により上清を除去し、室温で3時間真空乾燥させることで、結晶形3である固体を得た。
本実施例で得られた結晶形3の粉末X線回折データは表3に示すピーク値を含む。そのXRPDパターンを図7に示し、DSCパターンを図8に示す。
実施例4
(Ponesimod結晶形3の製造方法)
Ponesimod149.5mgを酢酸エチル溶媒1.2mLに加え、50℃で溶液が透明になるまで加熱した後、4℃の温度下に移して冷却、晶析させ、遠心分離により上清を除去し、室温で3時間真空乾燥させることで、結晶形3である固体を得た。
本実施例で得られた結晶形3の粉末X線回折データは表4に示すピーク値を含む。
実施例5
(本発明の結晶形2の安定性研究)
本発明で作製した結晶形2を20mg量り取って、それぞれ25℃、RH60%相対湿度と40℃、RH75%相対湿度で6ヵ月間、80℃の環境で3ヵ月間保存して安定性を試験した。試験結果を表5に示し、保存前後のXRPDパターンの比較を図9に示す。結果によれば、本発明の結晶形2は25℃、60%相対湿度で6ヵ月保存後、40℃、RH75%相対湿度で6ヵ月保存後、及び80℃の温度で3ヵ月保存後、結晶形にはほぼ変わりがないことから、本発明の結晶形2が良好な安定性を有することが分かった。
実施例6
(本発明の結晶形3の安定性研究)
本発明で作製した結晶形3を20mg量り取って、それぞれ25℃、RH60%相対湿度と40℃、RH75%相対湿度で6ヵ月間保存して安定性を試験した。試験結果を表6に示し、保存前後のXRPDパターンの比較を図10に示す。結果によれば、本発明の結晶形3は25℃、RH60%相対湿度及び40℃、RH75%相対湿度で6ヵ月保存後、結晶形にはほぼ変わりがないことから、本発明の結晶形3が良好な安定性を有することが分かった。
実施例7
(Ponesimod結晶形2と従来の結晶形A及びCの溶解性研究)
CN102177144Bに記載の結晶形A、結晶形C及び本発明の結晶形2の試料をそれぞれpH6.5のFaSSIF、pH5.0のFeSSIF、pH1.8のSGF緩衝液及び水で飽和溶液を調製し、高速液体クロマトグラフィー(HPLC)により、1時間後及び24時間後の溶液における薬物の含有量をそれぞれ測定した。本発明の結晶形2と従来の結晶形A及びCの溶解度データを表7に示す。
*ND:装置の検出限界以下
表7から、本発明の結晶形2は、FaSSIF、FeSSIF及びSGFにおける溶解度が特許CN102177144Bの結晶形A及びCより顕著に高いことが分かる。特許CN102177144Bの結晶形A及びCに比較して、本発明の結晶形2はより高い生物学的利用能を有する。これは薬物の効能及び安全性を改善し、薬物負荷を低減する上で重要な意味を有する。
実施例8
(Ponesimod結晶形3と従来の結晶形A及びCの溶解性研究)
CN102177144Bに記載の結晶形A、結晶形C及び本発明の結晶形3の試料をそれぞれpH6.5のFaSSIF、pH5.0のFeSSIF緩衝液及び水で飽和溶液を調製し、高速液体クロマトグラフィー(HPLC)により、1時間後及び24時間後の溶液における薬物の含有量をそれぞれ測定した。本発明の結晶形3と従来の結晶形A及びCの溶解度データを表8に示す。
溶解度は薬物の重要な特性の1つであり、人体における薬物の吸収に直接影響する。一方、結晶形によって、薬物の溶解度が大きく異なる可能性があり、体内での吸収動態も変化し、生物学的利用能に差異をもたらし、結果的に薬物の臨床的安全性及び効能に影響を及ぼす可能性がある。
表8から、本発明の結晶形3は、FaSSIF及びFeSSIFにおける溶解度が特許CN102177144Bの結晶形A及びCより顕著に高いことが分かる。特許CN102177144Bの結晶形A及びCに比較して、本発明の結晶形3はより高い生物学的利用能を有する。これは薬物の効能及び安全性を改善し、薬物負荷を低減する上で重要な意味を有する。
以上の実施例は、当業者が本発明を理解して実施することができるように、本発明の技術的思想及び特徴を説明するためのものにすぎず、本発明を限定するものではない。本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で行われる同等の変形や改善はすべて、本発明の権利範囲に含まれる。

Claims (19)

  1. 3.8°±0.2°、10.8°±0.2°、6.1°±0.2°の2θ値に、粉末X線回折パターン(CuKα線)における特徴ピークを有することを特徴とするPonesimod結晶形2。
  2. 5.4°±0.2°、10.2°±0.2°、7.0°±0.2°のうちの1つ以上の2θ値に、粉末X線回折パターンにおける回折ピークをさらに有することを特徴とする請求項1に記載のPonesimod結晶形2。
  3. 13.7°±0.2°、7.6°±0.2°、11.4°±0.2°のうちの1つ以上の2θ値に、粉末X線回折パターンにおける回折ピークをさらに有することを特徴とする請求項1又は2に記載のPonesimod結晶形2。
  4. 実質的に図4に示されるような粉末X線回折パターンを有することを特徴とする請求項1に記載のPonesimod結晶形2。
  5. Ponesimodをエステル系溶媒と混合し、0〜50℃の温度で懸濁撹拌し、固体を単離することで、Ponesimod結晶形2を得ることを含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のPonesimod結晶形2の製造方法。
  6. 前記エステル系溶媒は、酢酸イソプロピル又は酢酸エチル又はこれらの組み合わせであることを特徴とする請求項5に記載の製造方法。
  7. 12.2°±0.2°、6.2°±0.2°、5.6°±0.2°の2θ値に、粉末X線回折パターン(CuKα線)における特徴ピークを有することを特徴とするPonesimod結晶形3。
  8. 10.8°±0.2°、13.4°±0.2°、11.2°±0.2°のうちの1つ以上の2θ値に、粉末X線回折パターンにおける回折ピークをさらに有することを特徴とする請求項7に記載のPonesimod結晶形3。
  9. 10.2°±0.2°、16.3°±0.2°、20.5°±0.2°のうちの1つ以上の2θ値に、粉末X線回折パターンにおける回折ピークをさらに有することを特徴とする請求項7又は8に記載のPonesimod結晶形3。
  10. 実質的に図7に示されるような粉末X線回折パターンを有することを特徴とする請求項7に記載のPonesimod結晶形3。
  11. 1)Ponesimodをエステル系溶媒と混合し、固体が溶解して透明な溶液となるまで加熱し、固体が析出するまで降温し、固体を単離することで、Ponesimod結晶形3を得る工程、または、2)Ponesimodをエーテル系溶媒と混合し、40〜60℃の温度で懸濁撹拌し、固体を単離することで、Ponesimod結晶形3を得る工程を含むことを特徴とする請求項7〜10のいずれか1項に記載のPonesimod結晶形3の製造方法。
  12. 工程1)において、前記エステル系溶媒は酢酸イソプロピル又は酢酸エチル又はこれらの組み合わせであり、工程2)において、前記エーテル系溶媒はメチル−t−ブチルエーテルであることを特徴とする請求項11に記載の製造方法。
  13. 工程1)において、前記加熱は40〜80℃に加熱し、前記降温は−5〜5℃に降温することを特徴とする請求項11に記載の製造方法。
  14. 18.1°±0.2°、14.6°±0.2°、11.3°±0.2°の2θ値に、粉末X線回折パターン(CuKα線)における特徴ピークを有することを特徴とするPonesimod結晶形1。
  15. 10.8°±0.2°、16.3°±0.2°、22.7°±0.2°、26.0°±0.2°、6.8°±0.2°、13.1°±0.2°のうちの1つ以上の2θ値に、粉末X線回折パターンにおける回折ピークをさらに有することを特徴とする請求項14に記載のPonesimod結晶形1。
  16. Ponesimodを環状エーテル系溶媒に溶解して溶液とし、そして溶液にアルカン系溶媒を加え、固体を析出させることで、Ponesimod結晶形1を得ることを含むことを特徴とする請求項14又は15に記載のPonesimod結晶形1の製造方法。
  17. 有効量のPonesimod及び薬学的に許容される賦形剤を含む医薬組成物において、前記Ponesimodは、請求項1〜4のいずれか1項に記載のPonesimod結晶形2、請求項7〜10のいずれか1項に記載のPonesimod結晶形3、請求項14〜15のいずれか1項に記載のPonesimod結晶形1のうちの1つ又は複数の組み合わせであることを特徴とする医薬組成物。
  18. 前記医薬組成物は、乾癬治療薬であることを特徴とする請求項17に記載の医薬組成物。
  19. 乾癬治療薬を製造するための請求項1〜4のいずれか1項に記載のPonesimod結晶形2、請求項7〜10のいずれか1項に記載のPonesimod結晶形3、請求項14〜15のいずれか1項に記載のPonesimod結晶形1のうちの1つ又は複数の組み合わせの使用。
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