JP2019501532A - ガス放電光源におけるガス混合物制御 - Google Patents

ガス放電光源におけるガス混合物制御 Download PDF

Info

Publication number
JP2019501532A
JP2019501532A JP2018533931A JP2018533931A JP2019501532A JP 2019501532 A JP2019501532 A JP 2019501532A JP 2018533931 A JP2018533931 A JP 2018533931A JP 2018533931 A JP2018533931 A JP 2018533931A JP 2019501532 A JP2019501532 A JP 2019501532A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
gas discharge
scheme
mixture
discharge chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018533931A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6721687B2 (ja
Inventor
アラワット,ラーフル
アガーウォル,タヌジ
Original Assignee
サイマー リミテッド ライアビリティ カンパニー
サイマー リミテッド ライアビリティ カンパニー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by サイマー リミテッド ライアビリティ カンパニー, サイマー リミテッド ライアビリティ カンパニー filed Critical サイマー リミテッド ライアビリティ カンパニー
Publication of JP2019501532A publication Critical patent/JP2019501532A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6721687B2 publication Critical patent/JP6721687B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/03Constructional details of gas laser discharge tubes
    • H01S3/036Means for obtaining or maintaining the desired gas pressure within the tube, e.g. by gettering, replenishing; Means for circulating the gas, e.g. for equalising the pressure within the tube
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/097Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/097Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
    • H01S3/0971Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser transversely excited
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/102Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
    • H01S3/104Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation in gas lasers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22Gases
    • H01S3/223Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22Gases
    • H01S3/223Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
    • H01S3/2251ArF, i.e. argon fluoride is comprised for lasing around 193 nm
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22Gases
    • H01S3/223Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
    • H01S3/2253XeCl, i.e. xenon chloride is comprised for lasing around 308 nm
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22Gases
    • H01S3/223Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
    • H01S3/2255XeF, i.e. xenon fluoride is comprised for lasing around 351 nm
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22Gases
    • H01S3/223Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
    • H01S3/2256KrF, i.e. krypton fluoride is comprised for lasing around 248 nm
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22Gases
    • H01S3/223Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
    • H01S3/2258F2, i.e. molecular fluoride is comprised for lasing around 157 nm
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/0014Monitoring arrangements not otherwise provided for
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/10069Memorized or pre-programmed characteristics, e.g. look-up table [LUT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2308Amplifier arrangements, e.g. MOPA

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

ガス放電光源は、1つ以上のガス放電チャンバを含むガス放電システムを含む。ガス放電システムにおけるガス放電チャンバの各々に各ガス混合物を充填する。各ガス放電チャンバにおいて、関連付けられたエネルギ源を活性化することでパルス化エネルギを各ガス混合物に供給し、これによってガス放電チャンバからパルス化増幅光ビームを生成する。ガス放電システムの1つ以上の特性を決定する。ガス放電システムの決定された1つ以上の特性に基づいて、複数の実行可能なスキームからガス保守スキームを選択する。選択されたガス保守スキームをガス放電システムに適用する。ガス保守スキームは、ガス放電システムのガス放電チャンバに1つ以上の補足ガス混合物を追加することに関連した1つ以上のパラメータを含む。【選択図】図1

Description

(関連出願の相互参照)
本出願は、2016年1月8日に出願された、「GAS MIXTURE CONTROL IN A GAS DISCHARGE LIGHT SOURCE」と題する米国仮出願第62/276,522号の利益を主張し、参照により全体が本願に含まれる。
開示される主題は、パルス化光ビームを生成するガス放電光源においてガス混合物を制御することに関する。
フォトリソグラフィにおいて使用されるガス放電光源の1つのタイプは、エキシマ光源又はレーザとして知られている。エキシマレーザは典型的に、アルゴン、クリプトン、又はキセノン等の貴ガス(noble gas)と、フッ素又は塩素等の反応物(reactive)との組み合わせを使用する。エキシマレーザの名前は、電気的刺激(供給されるエネルギ)及び(ガス混合物の)高い圧力の適切な条件下でエキシマと呼ばれる擬似分子(pseudo−molecule)が生成されるという事実に由来する。エキシマは、励起状態でのみ存在し、紫外線範囲の増幅光を生じる。
エキシマ光源はフォトリソグラフィ機械において使用されている。エキシマ光源は深紫外線(DUV)光を生成する。エキシマ光源は、単一のガス放電チャンバを用いて又は複数のガス放電チャンバを用いて構築することができる。
いくつかの一般的な態様において、ガス放電光源は、1つ以上のガス放電チャンバを含むガス放電システムを含み、各ガス放電チャンバはエネルギ源を収容している。ガス放電光源を動作させる。ガス放電システムのガス放電チャンバの各々に各ガス混合物を充填する。各ガス放電チャンバにおいて、そのエネルギ源を活性化することでパルス化エネルギを各ガス混合物に供給し、これによってガス放電チャンバからパルス化増幅光ビームを生成する。ガス放電システムの1つ以上の特性を決定する。ガス放電システムの決定された1つ以上の特性に基づいて、複数の実行可能なスキームからガス保守スキームを選択する。選択されたガス保守スキームをガス放電システムに適用する。ガス保守スキームは、ガス放電システムのガス放電チャンバに1つ以上の補足ガス混合物を追加することに関連した1つ以上のパラメータを含む。
実装は以下の特徴のうち1つ以上を含むことができる。例えば、ガス放電システムの1つ以上の特性を決定することは、ガス放電システムにおけるガス放電チャンバの各々の1つ以上の特性を決定することによって可能となる。
選択されたガス保守スキームをガス放電システムに適用することは、選択されたガス保守スキームをガス放電システムのガス放電チャンバの各々に適用することによって可能となる。
ガス放電システムは2つのガス放電チャンバを含むことができる。
ガス放電チャンバに各ガス混合物を充填することは、ガス放電チャンバに利得媒質とバッファガスとの混合物を充填することによって可能となる。ガス放電チャンバに利得媒質とバッファガスとの混合物を充填することは、ガス放電チャンバに、貴ガス及びハロゲンを含む利得媒質と不活性ガスを含むバッファガスとを充填することによって可能となる。貴ガスはアルゴン、クリプトン、又はキセノンを含み、ハロゲンはフッ素を含み、不活性ガスはヘリウム又はネオンを含み得る。
エネルギ源を活性化することでパルス化エネルギを各ガス混合物に供給することは、ガス混合物内のハロゲンに電気的刺激を与えるように、ガス放電チャンバ内の電極対にパルス化電圧を印加することによって可能となる。
ガス放電システムの1つ以上の特性を決定することは、ガス放電チャンバにガス混合物が充填された回数及びそのガス放電チャンバのエネルギ源が活性化された頻度のうち1つ以上に基づいて、ガス放電システムのガス放電チャンバのうち少なくとも1つの使用年数(age)を決定することによって可能となる。
ガス放電システムの1つ以上の特性を決定すること、ガス保守スキームを選択すること、及び選択されたガス保守スキームをガス放電システムに適用することは、1つ以上のガス放電チャンバのガス混合物にパルス化エネルギが供給されている間に実行できる。ガス放電システムの1つ以上の特性を決定すること、ガス保守スキームを選択すること、及び選択されたガス保守スキームをガス放電システムに適用することは、ガス放電チャンバのいずれのガス混合物にもパルス化エネルギが供給されていない間に実行できる。
複数の実行可能なガス保守スキームからガス保守スキームを選択することは、ガス放電チャンバのうち少なくとも1つの使用年数が第1の範囲内であると判定された場合に標準的なガス注入スキームを選択することによって可能となり、選択されたガス注入スキームをガス放電システムに適用することは、少なくとも1つのガス放電チャンバのガス混合物に少なくとも第1の量のバッファガスを送り込むことによって可能となる。複数の実行可能なガス保守スキームからガス保守スキームを選択することは、少なくとも1つのガス放電チャンバの使用年数が第2の範囲内であると判定された場合に節約ガス注入スキームを選択することによって可能となる。選択された節約ガス注入スキームをガス放電システムに適用することは、少なくとも1つのガス放電チャンバのガス混合物に、第1の量よりも少ない第2の量のバッファガスを送り込むことによって可能となる。複数の実行可能なガス保守スキームからガス保守スキームを選択することは、少なくとも1つのガス放電チャンバの使用年数が第3の範囲内であると判定された場合に別の節約ガス注入スキームを選択することによって可能となる。選択されたガス注入スキームをガス放電システムに適用することは、少なくとも1つのガス放電チャンバのガス混合物に、第1の量よりも少ないが第2の量よりも多い第3の量のバッファガスを送り込むことによって可能となる。
第1の範囲はある下限値(lower value)以下の値であり、第2の範囲はその下限値よりも大きい値であり、第3の範囲はある上限値(upper value)よりも大きい値であり得る。第1の範囲は使用年数の第1の値であり、第2の範囲は使用年数の第2の値であり、第3の範囲は使用年数の第3の値であり得る。
第1の範囲は使用年数の第1の値であり、第2の範囲は使用年数の第2の値であり得る。第2の範囲は第1の範囲とは別個であり得る。
複数の実行可能なガス保守スキームからガス保守スキームを選択することは、ガス放電チャンバのうち少なくとも1つの使用年数が第1の範囲内であると判定された場合に標準的なガス注入スキームを選択することによって可能となる。選択されたガス注入スキームをガス放電システムに適用することは、第1の時間的頻度で少なくとも1つのガス放電チャンバのガス混合物へのバッファガスの注入を実行することによって可能となる。また、複数の実行可能なガス保守スキームからガス保守スキームを選択することは、少なくとも1つのガス放電チャンバの使用年数が第2の範囲内であると判定された場合に節約ガス注入スキームを選択することによって可能となる。選択された節約ガス注入スキームをガス放電システムに適用することは、第1の時間的頻度とは異なる第2の時間的頻度で少なくとも1つのガス放電チャンバのガス混合物へのバッファガスの注入を実行することによって可能となる。
第2の時間的頻度は第1の時間的頻度よりも低くすることができる。少なくとも1つのガス放電チャンバのガス混合物へのバッファガスの注入を実行することは、少なくとも1つのガス放電チャンバのガス混合物に利得媒質の1つ以上の成分を注入することによっても可能となる。
また、方法は、ガス放電光源の1つ以上の動作特性を監視することと、1つ以上の監視された動作特性のいずれかが今後のある時点において許容可能範囲外になるか否かを判定することと、1つ以上の監視された動作特性のいずれかが今後のある時点において許容可能範囲外になると判定された場合、回復ガス保守スキームを選択し、選択された回復ガス保守スキームをガス放電システムに適用することと、を含むことができる。
選択された回復ガス保守スキームをガス放電システムに適用することは、回復注入スキーム及び再充填(refill)スキームのうち1つ以上をガス放電システムに適用することによって可能となる。選択された回復注入スキームをガス放電システムに適用することは、ガス放電チャンバのうち少なくとも1つのガス混合物にバッファガスの注入を実行し、少なくとも1つのガス放電チャンバのガス混合物内のバッファガスの相対量を増大させることによって可能となる。ガス混合物へのバッファガスの注入の実行は、注入を実行する時間的頻度を変更すること、及び、1つ以上の監視された動作特性のいずれかが許容可能範囲外になるという判定の前に送り込まれた量とは異なる量のバッファガスをガス混合物に送り込むことのうち1つ以上によって可能となる。
注入を実行する時間的頻度を変更することは、注入を実行する頻度を高くすることによって可能となる。異なる量のバッファガスをガス混合物に送り込むことは、1つ以上の監視された動作特性のいずれかが許容可能範囲外になるという判定の前に送り込まれたものよりも少ないバッファガスをガス混合物に送り込むことによって可能となる。
選択されたガス保守スキームをガス放電システムに適用することは、ガス放電チャンバの各々に各ガス混合物を充填した後に選択されたガス保守スキームを適用することによって可能となる。また、方法は、選択されたガス保守スキームをガス放電システムに適用した後、ガス放電チャンバに対して再充填スキームを実行することを含むことができる。再充填スキームは、ガス放電システムのガス放電チャンバの各々を空にすることと、各ガス放電チャンバに新しいガス混合物を再充填することと、を含むことができる。
ガス保守スキームは、以下のパラメータ、すなわち、ガス混合物に送り込まれる成分ガスの量、及びガス混合物への成分ガスの注入を実行する時間的頻度のうち1つ以上を含むことができる。成分ガスはガス混合物のバッファガス(不活性ガス等)とすることができ、ガス混合物は利得媒質を含むことができる。
ガス保守スキームのうち1つは、ガス放電チャンバのうち少なくとも1つを空にすることと、空にしたガス放電チャンバに新しいガス混合物を再充填することと、を含む再充填スキームとすることができる。
他の一般的な態様において、1つ以上のガス放電チャンバを含むガス放電光源を動作させる。エネルギ源を収容しているガス放電チャンバにガス混合物を充填する。エネルギ源を活性化することでパルス化エネルギをガス混合物に供給し、これによってパルス化増幅光ビームを生成する。ガス放電チャンバの1つ以上の特性を決定し、ガス放電チャンバの決定された1つ以上の特性に基づいて複数の実行可能な注入スキームから注入スキームを選択する。選択された注入スキームをガス放電チャンバに適用する。注入スキームは、ガス放電チャンバに1つ以上の補足ガス混合物を追加することに関連した1つ以上のパラメータを含む。
他の一般的な態様において、ガス放電光源は、1つ以上のガス放電チャンバを含むガス放電システムであって、各ガス放電チャンバはエネルギ源を収容すると共に利得媒質を含むガス混合物を含む、ガス放電システムと、ガス保守システムと、を含む。ガス保守システムは、ガス供給システムと、監視システムと、ガス供給システム及び監視システムに結合された制御システムと、を含む。制御システムは、各エネルギ源を活性化し、それによってそのガス放電チャンバからパルス化増幅光ビームを生成するための信号を与え、監視システムから情報を受信し、この受信した情報に基づいてガス放電システムの1つ以上の特性を決定し、ガス放電システムの決定された1つ以上の特性に基づいて複数の実行可能なスキームからガス保守スキームを選択し、ガス供給システムに信号を与え、これによって選択されたガス保守スキームをガス放電システムに適用するように構成されている。ガス保守スキームは、ガス放電システムのガス放電チャンバに1つ以上の補足ガス混合物を追加することに関連した1つ以上のパラメータを含む。
他の一般的な態様において、方法を用いてガス放電光源を動作させる。ガス放電光源は、1つ以上のガス放電チャンバを含むガス放電システムを含み、各ガス放電チャンバはエネルギ源を収容している。方法は、ガス放電システムのガス放電チャンバの各々に各ガス混合物を充填することと、各ガス放電チャンバにおいて、そのエネルギ源を活性化することでパルス化エネルギを各ガス混合物に供給し、これによってガス放電チャンバからパルス化増幅光ビームを生成することと、ガス放電光源の1つ以上の動作特性を監視することと、1つ以上の監視された動作特性のいずれかが今後のある時点において許容可能範囲外になるか否かを判定することと、1つ以上の監視された動作特性のいずれかが今後のある時点において許容可能範囲外になると判定された場合、回復ガス保守スキームを選択し、ガス放電チャンバのうち少なくとも1つのガス混合物内の成分ガスの相対量を増大させることによって、選択された回復ガス保守スキームをガス放電システムに適用することと、を含む。
実装は以下の特徴のうち1つ以上を含むことができる。例えば、成分ガスは、ネオン等の不活性ガスのようなバッファガスを含み得る。
ガス放電チャンバのうち少なくとも1つのガス混合物内の成分ガスの相対量を増大させることは、少なくとも1つのガス放電チャンバに回復ガス注入スキームを適用することによって可能となる。回復注入スキームを適用することは、成分ガスの注入を実行する時間的頻度を高くすることによって可能となる。回復注入スキームを適用することは、1つ以上の監視された動作特性のいずれかが許容可能範囲外になるという判定の前に送り込まれたよりも多い成分ガスを少なくとも1つのガス放電チャンバのガス混合物に送り込むことによって可能となる。あるいは、回復注入スキームを適用することは、成分ガスの注入を実行する時間的頻度を高くすること、及び、1つ以上の監視された動作特性のいずれかが許容可能範囲外になるという判定の前に送り込まれたよりも多い成分ガスを少なくとも1つのガス放電チャンバのガス混合物に送り込むことの双方によって可能となる。
ガス放電光源の1つ以上の動作特性を監視することは、ガス放電チャンバのうち少なくとも1つのガス混合物に供給されるパルス化エネルギ、及び、ガス放電チャンバのうち少なくとも1つから出力されるパルス化増幅光ビームのエネルギのうち1つ以上を監視することによって可能となる。1つ以上の動作特性を監視することは、ガス放電光源の以下の特性、すなわち、ガス放電チャンバのうち少なくとも1つのガス混合物に供給されるパルス化エネルギの経時的な変化、及び、ガス放電チャンバのうち少なくとも1つから出力されるパルス化増幅光ビームのエネルギの経時的な変化のうち1つ以上を測定することによって可能となる。
ガス放電光源の1つ以上の動作特性を監視することは、動作特性の値を計算することによって可能となる。1つ以上の監視された動作特性のいずれかが今後のある時点において許容可能範囲外になるか否かを判定することは、動作特性の計算値のいずれかが今後のある時点において許容可能範囲外になるか否かを判定することを含む。動作特性の値は、動作特性の平均値を計算することによって計算できる。
ガス放電チャンバのうち少なくとも1つのガス混合物内の成分ガスの相対量を増大させることは、少なくとも1つのガス放電チャンバに再充填スキームを適用することによって可能となる。再充填スキームは、少なくとも1つのガス放電チャンバからガス混合物をパージすることと、少なくとも1つのガス放電チャンバに成分ガスを含む新しいガス混合物を充填することと、を含む。
1つ以上の監視された動作特性のいずれかが今後のある時点において許容可能範囲外になるか否かを判定することは、1つ以上の監視された動作特性のいずれかが今後のある時点で許容可能範囲外になる可能性があるか否か判定することを含み得る。
1つ以上の監視された動作特性のいずれかが今後のある時点において許容可能範囲外になるか否かを判定することは、1つ以上の監視された動作特性の各々の変化率を決定すること、及び、1つ以上の監視された動作特性の各々の変化率が、監視された動作特性が今後のある時点で許容可能範囲外になる可能性があることを示すか否か判定することを含み得る。
方法は、1つ以上の監視された動作特性のいずれかが今後のある時点において別の許容可能範囲外になるか否か判定すること、及び、1つ以上の監視された動作特性のいずれかが今後のある時点においてその別の許容可能範囲外になると判定された場合、少なくとも1つのガス放電チャンバに再充填スキームを適用することを含み得る。再充填スキームは、ガス放電チャンバの少なくとも1つからガス混合物をパージすることと、パージされたガス放電チャンバに成分ガスを含む新しいガス混合物を充填することと、を含む。
ガス放電光源の1つ以上の動作特性は、パルス化増幅光ビームが生成されている間に監視することができる。
ガス放電システムは、第1のエネルギ源を収容している第1のガス放電チャンバ及び第2のエネルギ源を収容している第2のガス放電チャンバを含むことができる。ガス放電チャンバの各々に各ガス混合物を充填することは、第1のガス放電チャンバに第1のガス混合物を充填すると共に第2のガス放電チャンバに第2のガス混合物を充填することによって可能となる。選択された回復ガス保守スキームをガス放電システムに適用することは、第1のガス放電チャンバの第1のガス混合物内の成分ガスの相対量を増大させると共に第2のガス放電チャンバの第2のガス混合物内の成分ガスの相対量を増大させることによって可能となる。
ガス放電チャンバに各ガス混合物を充填することは、ガス放電チャンバに利得媒質とバッファガスとの混合物を充填することによって可能となる。ガス放電チャンバに利得媒質とバッファガスとの混合物を充填することは、ガス放電チャンバに、貴ガス及びハロゲンを含む利得媒質と不活性ガスを含むバッファガスとを充填することによって可能となる。不活性ガスはヘリウム又はネオンを含み、成分ガスは不活性ガスを含み得る。
他の一般的な態様において、ガス放電光源は、1つ以上のガス放電チャンバを含むガス放電システムであって、各ガス放電チャンバはエネルギ源を収容すると共に利得媒質を含むガス混合物を含む、ガス放電システムと、ガス保守システムと、を含む。ガス保守システムは、ガス供給システムと、監視システムと、ガス供給システム及び監視システムに結合された制御システムと、を含む。制御システムは、各エネルギ源を活性化し、それによってそのガス放電チャンバからパルス化増幅光ビームを生成するための信号を与え、監視システムから情報を受信し、この受信した情報に基づいてガス放電システムの1つ以上の動作特性を決定し、動作特性のいずれかが今後のある時点において許容可能範囲外になるか否かを判定し、動作特性のいずれかが今後のある時点において許容可能範囲外になると判定された場合、回復ガス保守スキームを選択し、ガス供給システムに信号を与え、これによって選択された回復ガス保守スキームをガス放電システムに適用するように構成されている。回復ガス保守スキームは、ガス放電チャンバのうち少なくとも1つのガス混合物内の成分ガスの相対量を増大させる。
本明細書に記載される方法及びシステムは、ガス放電チャンバの使用年数に基づいて、所与の時点でガス成分を節約できるか否かを効果的にかつ連続的に決定する。この方法及びシステムの実装では、ガス節約スキームが存在しない方法及びシステムに比べ、少なくとも50%、潜在的には75%ものガス成分(ネオン等)の直接的な低減が得られる。ガス節約スキームが今後のある時点で許容できないガス放電チャンバ出力の品質低下を引き起こすか否かを監視する回復ガス保守システムが使用されているとわかっているので、安心してガス成分の節約を実行できる。従って、本明細書に記載される方法及びシステムでは、ガス成分の量に関する要求が軽減し、システム(及び方法)を購入するカスタマにとって各ガス放電光源100当たり数十万ドルの節約が可能となる。
出力装置へ誘導されるパルス化光ビームを生成するガス放電光源のブロック図である。 例示的な出力装置のブロック図である。 例示的なガス放電光源のブロック図である。 ガス保守及び回復ガス保守スキームを実行するための例示的な制御システムのブロック図である。 図1及び図2のガス放電光源によって実行されるガス保守スキームのための手順のフローチャートであり、この手順は回復ガス保守スキームのためのサブ手順(sub−procedure)も含むことができる。 図1及び図2の光源の制御システムによって実行される、監視された動作特性が今後のある時点で許容可能範囲外になるかを判定するため及び回復ガス保守スキームを選択するための例示的な手順のフローチャートである。 図1及び図2の光源の制御システムによって順次実行される、動作特性が光源の使用量によってどのように変化するかを判定するための例示的な手順のフローチャートである。 図7の手順のうち1つの間に生じる様々な出力のグラフである。
図1を参照すると、ガス放電光源100は、ガス放電システム105及びガス保守システム110を含む。光源100は、出力装置125(図2に示すように、ウェーハ上にマイクロエレクトロニクスフィーチャをパターン形成するフォトリソグラフィ露光装置等)へ誘導されるパルス化光ビーム120を供給する光学システム115の一部として構成されている。パルス化光ビーム120は、ガス放電光源100と出力装置125との間に配置されたビーム調製システム130を介して誘導することができる。
ガス放電システム105は1つ以上のガス放電チャンバ135を含む。各ガス放電チャンバ135は、エネルギ源140を収容すると共に、数あるガスの中で特に利得媒質を含むガス混合物145を含んでいる。例えばガス混合物は、利得媒質とバッファガスとの混合物を含む。利得媒質は、ガス混合物内のレーザ活性要素(laser−active entity)であり、単一の原子又は分子又は擬似分子とすることができる。従って、ガス混合物(従って利得媒質)をエネルギ源140からの放電で励起することにより、誘導放出を介して利得媒質において反転分布が発生する。利得媒質は典型的に貴ガス及びハロゲンを含み、バッファガスは典型的に不活性ガスを含む。貴ガスは、例えばアルゴン、クリプトン、又はキセノンを含み、ハロゲンは例えばフッ素を含み、不活性ガスは例えばヘリウム又はネオンを含む。
ガス保守システム110は、ガス供給システム150、監視システム155、及び制御システム160を含む。ガス供給システム150は、1つ以上のガス制御弁及び1つ以上のガス源を含む。
制御システム160は、ガス供給システム150及び監視システム155に結合されている。制御システム160は、(有線又は無線のいずれかで)接続されている場合に制御システム160の外部のデバイス(ガス供給システム150又は監視システム155等)に結合されて、制御システム160とその特定のデバイスとの間で自由に情報を受け渡しできるようになっている。制御システム160は更に、ガス放電光源100の他のデバイス、ビーム調製システム130のデバイス、及び/又は出力装置125内のデバイスのうち1つ以上に結合することも可能である。例えば制御システム160は、例えばパルス化光ビーム120のスペクトル特性の監視、又はパルス化光ビーム120のスペクトル特性の制御等、ガス放電光源100の他の特性(aspect)を監視及び制御するサブシステムを含むことができる。
更に、制御システム160は、全てのコンポーネントが同一の場所に配置されているように見えるボックスとして表現されているが、制御システム160は、相互に物理的に遠隔のコンポーネントから構成することも可能である。
制御システム160は、各ガス放電チャンバ135の各エネルギ源140を活性化するための信号を与えるように構成されている。従ってガス放電チャンバ135は、追加の光学フィードバックを含む場合、パルス化増幅光ビーム(パルス化光ビーム120又は中間光ビーム等)を生成することができる。
制御システム160は、監視システム155から情報を受信し、この受信した情報に基づいてガス放電システム105の1つ以上の特性を決定する。制御システム160は、ガス放電システム105の決定された1つ以上の特性に基づいて、複数の実行可能なスキームの中からガス保守スキームを選択する。制御システム160は、ガス供給システム150に信号を与えて、ガス供給システム150に選択したガス保守スキームをガス放電システム105に適用させる。例えばガス供給システム150は、ガス源から提供される相対ガス量を調整するため1つ以上のバルブの特性を作動又は制御することができる。
ガス保守スキームは、ガス放電システム105のガス放電チャンバ135に1つ以上の補足ガス混合物を追加することに関連した1つ以上のパラメータを含む。
ガス保守システム110は、ガス放電システム105のため、特にガス放電チャンバ135のためのガス管理システムである。ガス保守システム110は、ガス放電システム105の適切な性能を維持しながら、ガス放電チャンバ135内で使用されるガス混合物の少なくとも1つの成分ガス(ネオン等の不活性ガスであり得るバッファガス等)を節約するため、その成分ガスの消費又は使用を低減するように構成されている。ガス保守システム110は、ガス放電システムに関する情報(例えばガス放電チャンバ135の使用年数等)を用いて、適切なガス保守スキームを決定する。例えば制御システム160は、ガス放電システム105が大量のガス混合物を必要とし消費する傾向のある若い(young)システムであると判定する可能性がある。この場合、制御システム160は、成分ガスを節約しない標準的なガス保守スキームを選択することができる。別の例として、制御システム160は、ガス放電システムが比較的少量のガス混合物を必要とし消費する傾向のある中年期の(middle−aged)システムであると判定する可能性がある。この場合、制御システム160は、パルス化光ビーム120に適した出力パラメータを維持しながらできる限り成分ガスを節約する節約ガス保守スキームを選択することができる。更に別の例として、制御システム160は、ガス放電システムが、若いシステムが必要とする量よりも少ないが中年期のシステムが必要とする量よりも多いガス混合物量を必要とし消費する傾向のある古い(older)システムであると判定する可能性がある。この場合、制御システム160は、パルス化光ビーム120に適した出力パラメータを維持しながら成分ガスの一部を節約する中間レベル節約ガス保守スキームを選択することができる。
ガス保守スキームをガス放電チャンバ135の使用年数に合わせて調整することにより、カスタマは、ガス放電光源100のダウンタイム量を抑えながら成分ガスの節約を達成することができる。同時に、ガス保守スキームは、出力装置125に与えられるパルス化光ビーム120のエネルギ量及びパワーが低減する可能性のある利得媒質の大幅な減少を容認するように設計され得るにもかかわらず、ガス放電光源100の性能を許容可能レベルに維持することができる。ガス放電光源100のダウンタイムは、出力装置125にパルス化光ビーム120が与えられない時間期間である。
他の実装において、制御システム160は、監視システム155からガス放電光源105の1つ以上の動作特性を受信する。制御システム160は、1つ以上の監視された動作特性のいずれかが今後のある時点で許容可能範囲外になるか否かを判定する。制御システム160が、1つ以上の監視された動作特性のいずれかが今後のある時点で許容可能範囲外になると判定した場合、制御システム160は回復ガス保守スキームを選択する。次いで制御システム160は、ガス供給システム150に信号を送信して、ガス放電チャンバ135のうち少なくとも1つのガス混合物145内の成分ガスの相対量を増大させることにより、選択された回復ガス保守スキームをガス放電システム105に適用する。
回復ガス保守スキームは、ガス保守システム110が節約ガス保守スキームで動作している場合のフォールトトレランスシステムとして使用できる。例えば制御システム160は、監視システム155から、今後のある時点でガス放電チャンバ135のガス混合物145に供給する必要があるパルス化エネルギの予測を受信できる。別の例として制御システム160は、監視システム155から、今後のある時点でガス放電チャンバ135から出力されるパルス化光ビームのエネルギの予測を受信できる。これらの予測のいずれかが許容可能値の範囲外である場合、その理由は、(節約ガス保守スキームの実装によって)ガス混合物145内に充分な成分ガスが存在しないことである可能性がある。従って、これらの予測の一方又は双方が許容可能値の範囲外である場合、制御システム160は、ガス混合物145内の成分ガス量を増大させるスキームである回復ガス保守スキームに切り換えることによって、節約ガス保守スキームを中断できる。更に、これらの予測の一方又は双方が許容可能値の範囲外であるか否かに関する判定は、(手作業の又は人の介入を必要としないので)自動的な判定である。この追加のフォールトトレランスシステムを提供することによって、いつ節約ガス保守スキームを実行するかの選択をより積極的に行うことが可能となる。
図3を参照して、例示的なガス放電光源300についての詳細が提供される。図5を参照して、節約ガス保守スキームについての詳細が提供され、更に、フォールトトレランスシステム手順の記載も図5で見ることができる。
図3を参照すると、例示的なガス放電光源300は、2チャンバパルス化出力設計であるガス放電システム305及びガス供給システム350を含む。
ガス放電システム305は、MOガス放電チャンバ335Aを有する主発振器(MO:master oscillator)と、PAガス放電チャンバ335Bを有する出力増幅器(PA:power amplifier)と、を含む。MOガス放電チャンバ335Aは、MOガス放電チャンバ335A内のガス混合物にパルス化エネルギ源を提供する2つの細長い電極340Aを含む。PAガス放電チャンバ335Bは、PAガス放電チャンバ335B内のガス混合物にパルス化エネルギ源を提供する2つの細長い電極340Bを含む。
主発振器(MO)は、パルス化増幅光ビーム(シード光ビームと呼ばれる)370を出力増幅器(PA)に与える。MOガス放電チャンバ335Aは、増幅が発生する利得媒質を含むガス混合物を収容し、MOは、光共振器のような光学フィードバック機構を含む。PAガス放電チャンバ335Bは、MOからのシードレーザビーム370でシードされた場合に増幅が発生する利得媒質を含むガス混合物を収容する。PAは、再生リング共振器(regenerative ring resonator)として設計されている場合、パワーリング増幅器(PRA:power ring amplifier)として記述され、この場合はリング設計から充分な光学フィードバックが得られる。MOによって、(PAの出力と比べて)比較的低い出力パルスエネルギにおける中心波長及び帯域幅のようなスペクトルパラメータの微調整が可能となる。PAはMOからの出力(シード光ビーム370)を受信し、この出力を増幅して、出力装置125で使用する出力のため(例えばフォトリソグラフィ用)に必要なパワーを達成する。
また、MOガス放電チャンバ335Aは、電極340A間でガスを循環させるためのファンも含む。MOガス放電チャンバ335Aの一方側のスペクトル特性選択システム375とMOガス放電チャンバ335Aの第2の側の出力カプラ380との間に、レーザ共振器が形成されている。
放電チャンバ内で使用されるガス混合物(例えば145、345A、345B)は、必要な波長及び帯域幅付近の増幅光ビームを生成するのに適したガスの組み合わせとすることができる。例えばガス混合物は、約193nmの波長の光を発するフッ化アルゴン(ArF)、又は約248nmの波長の光を発するフッ化クリプトン(KrF)を含み得る。
また、PAは、光ビームを(例えば反射によって)PAガス放電チャンバ335Bに戻すビームリターン(リフレクタ等)385を含んで、循環しループする経路を形成することができる(この経路内で、リング増幅器に対する入力はリング増幅器からの出力と交差する)。PAガス放電チャンバ335Bは、電極340B間でガス混合物345Bを循環させるためのファンを含む。シード光ビーム370は、PAを繰り返し通過することによって増幅される。シード光ビーム370のスペクトル特性はMOの構成によって決定され、これらのスペクトル特性はMO内で生成される光ビームを調整することによって調整できる。
ガス供給システム350は、1つ以上のガス源351A、351B、351C(密閉ガスビン又はキャニスタ)、及びバルブシステム352を含む。上述のように、ガス放電チャンバ335A、335Bの各々はガスの混合物(ガス混合物145)を収容している。一例としてガス混合物145は、例えばフッ素のようなハロゲンを含むと共に、例えばアルゴン、ネオン、及び、合計が全圧Pになる様々な分圧の他のガスも含むことができる。このため、1つ以上のガス源351A、351B、351C等は、バルブシステム352内のバルブセットを介してMOガス放電チャンバ335A及びPAガス放電チャンバ335Bに接続されている。このように、ガス混合物の成分を特定の相対量として、ガスをガス放電チャンバ335A、335Bに注入することができる。例えば、ガス放電チャンバ335A、335Bにおいて使用される利得媒質がフッ化アルゴン(ArF)である場合、ガス源の1つ351Aは、ハロゲンのフッ素と、貴ガスのアルゴンと、バッファガスのような1つ以上の他の希ガス(ネオン等の不活性ガス)と、を含むガスの混合物を含み得る。この種の混合物をトライミックス(tri−mix)と呼ぶことができる。この例では、ガス源の別のもの351Bは、アルゴン及び1つ以上の他のガスを含むがフッ素を全く含まないガスの混合物を含み得る。この種の混合物をバイミックス(bi−mix)と呼ぶことができる。
制御システム160は、バルブシステム352に1つ以上の信号を送信して、再充填スキーム又は注入スキームでバルブシステム352に特定のガス源351A、351B、351Cからのガスをガス放電チャンバ335A、335B内へ移送させることができる。この代わりに又はこれに加えて、制御システム160は、バルブシステム352に1つ以上の信号を送信して、必要な場合にバルブシステム352にガス放電チャンバ335A、335Bからガスを放出させることができる。そのような放出は、390で表されているようなガスダンプ(gas dump)に排出することができる。
ガス放電光源300の動作中に、ガス放電チャンバ335A、335B内のフッ化アルゴン分子のフッ素(光増幅のための利得媒質を与える)は消費される。これにより、時間が経つにつれて、各ガス放電チャンバ335A、335Bが生成する光増幅の量(従って増幅光ビーム370、320のエネルギ)は低減する。更に、ガス放電光源300の動作中に、汚染物質がガス放電チャンバ335A、335Bに侵入する可能性がある。従って、ガス放電チャンバ335A、335Bから汚染物質を洗い流すため、ガス源351A、351B、351C等の1つ以上からガス放電チャンバ335A、335Bへガスを注入する必要がある。例えば、ガス源351Bからのバイミックスを用いてガス放電チャンバを洗い流すことができる。しかしながら、各洗い流しは、バイミックス内の無視できない量のガス成分(ネオン等の不活性ガスであり得るバッファガス等)を使用する。従って、本明細書に記載されるガス保守手順及びシステムは、バイミックス注入の頻度及び規模のうち1つ以上を低減することを目指している。このようにバイミックス注入の頻度及び/又は規模を低減させるので、ガス放電チャンバ335A、335Bは、より長い時間期間にわたってハロゲン(フッ素等)の注入がないことに耐える必要があり、このため、より多量の汚染がある状態で動作する。しかしながら、ガス注入の頻度、タイミング、又は規模(ガス保守スキーム)を選択又は選ぶ場合にガス保守手順及びシステムがガス放電チャンバ335A、335Bの使用年数を考慮しなかった場合、ガス放電光源は、ガス放電チャンバ335A、335Bの使用年数に応じて効率及びパワー出力が大きく損なわれる恐れがある。このため、本明細書に記載されるガス保守手順及びシステムは、ガス放電システム105、305の1つ以上の特性(使用年数等)に基づいてガス注入の頻度及び規模のうち1つ以上を選択的に選ぶ。従って、本明細書に記載されるガス保守手順及びシステムは、ガス放電チャンバ135、335A、335Bの使用年数に応じて、ガス混合物145で用いられるガス成分の使用を異なるレベルで低減させることを可能とする。
更に、本明細書に記載されるガス保守手順及びシステムは、セーフティネットサブプロセス(本明細書に記載される回復保守スキーム)も含む。このサブプロセスは、ガス放電光源105、305の動作特性を監視して、ガス注入がないことが今後のある時点で許容できないイベントを引き起こすか否かを判定する(例えば、パルス化光ビーム320、370内の特定の出力エネルギを得るためガス混合物145に入力する必要があるエネルギの許容できない上昇、又はパルス化光ビーム320、370の出力エネルギの許容できない低下)。これらのガス保守及び回復スキームは、自動的に、すなわちフィールドサービス技術者等の人による支援なしに実行することができる。回復保守スキームを用いて、ガス注入の頻度及び規模を最初のレベルに回復させるか、又は再充填を要求することができる(本明細書に記載されている)。
複数のガス源351A、351B、351C等が必要である理由は、ガス源351Aのフッ素が、典型的にレーザ動作にとって望ましいよりも高い特定の分圧であるからである。より低い望ましい分圧でフッ素をMOガス放電チャンバ335A又はPAガス放電チャンバ335Bに追加するため、ガス源351Aのガスを希釈することができ、ガス源351Bのハロゲンを含まないガスをこの目的のために使用できる。
図示しないが、バルブシステム352のバルブは、ガス放電チャンバ335A、335Bの各々に割り当てられた複数のバルブを含むことができる。例えば、第1の速度でガスを各ガス放電チャンバ335A、335B内に送出すると共に各ガス放電チャンバ335A、335B外へ放出する注入バルブ、及び、第1の速度とは別個の(例えば第1の速度よりも高速の)第2の速度でガスを各ガス放電チャンバ335A、335B内に送出すると共に各ガス放電チャンバ335A、335B外へ放出するチャンバ充填バルブがある。
ガス放電チャンバ335A、335Bで再充填スキームが実行される場合、例えば、(ガス混合物をガスダンプ390に放出することで)ガス放電チャンバ335A、335Bを空にして、次にガス放電チャンバ335A、335Bに新しいガス混合物を再充填することにより、ガス放電チャンバ335A、335Bの各々におけるガスを全て入れ替える。再充填は、各ガス放電チャンバ335A、335Bにおいてフッ素の特定の圧力及び濃度を得ることを目的として実行される。
ガス放電チャンバ335A、335Bで注入スキームが実行される場合、ガス放電チャンバ335A、335Bを空にするのではなく少量を放出させるだけであり、その後、ガス放電チャンバ335A、335Bにガス混合物を注入する。
再充填スキーム及び注入スキームは、ガス放電システム(105又は305)に適用されるガス保守スキームと見なされる。
図5を参照すると、ガス混合物145内のガス成分(ネオン等の不活性ガスであり得るバッファガス等)の量を管理するための手順500は、ガス放電光源100、300によって実行される。手順500は、エネルギ源140を介してエネルギがガス混合物145に供給されると共に増幅光ビーム120が出力装置125に提供されている間に実行できる。あるいは、手順500は、エネルギ源140を介してエネルギがガス混合物145に供給されず、従って増幅光ビーム120が生成されていない間に実行できる。
手順500は、ガス放電システム105、305におけるガス放電チャンバ135、335A、335Bの各々に各ガス混合物145、345A、345Bを充填することを含む(505)。各ガス放電チャンバ135、335A、335Bでは、そのエネルギ源140を活性化することでパルス化エネルギが各ガス混合物145に供給され、これによって、ガス放電チャンバ135、335A、335Bからパルス化増幅光ビーム120、370、320を生成する(510)。
制御システムは、監視システム115から情報を受信し、ガス放電システム105、305の1つ以上の特性を決定する(515)。ガス放電システム105、305の1つ以上の特性は、例えばガス放電チャンバ135、335、335Bの使用年数を含み得る。ガス放電チャンバ135、335A、335Bの使用年数は、その特定のチャンバ135、335A、335Bに関連付けられたショット数(shot count)を調べることによって決定できる。このショット数は、新しいチャンバが設置された場合、制御システム160において手作業で新しい(例えばゼロ)値にリセットされる。ショット数は、ガス放電チャンバ135、335A、335Bにおいてガス混合物145に供給されたエネルギパルス数の整数倍に相当する数である。
制御システム160は、ガス放電システムの決定された1つ以上の特性に基づいて、複数の実行可能なガス保守スキームからガス保守スキームを選択する(520)。次いで、選択したガス保守スキームをガス放電システム105、305に適用する(525)。例えば制御システム160は、ガス供給システム150、350に信号を送信して、バルブシステム352内のバルブの1つ以上を開放又は閉鎖させることにより、ガス混合物145の成分の相対量を制御する。
各ガス保守スキームは、ガス放電システム105、305のガス放電チャンバ135、335A、335Bに1つ以上の補足ガス混合物を追加することに関連した1つ以上のパラメータを含む。
上述のように、ガス放電チャンバ135は、ガス混合物を構成する利得媒質とバッファガスとの混合物を充填することにより、ガス混合物で充填される(505)。利得媒質は、アルゴン、クリプトン、又はキセノン等の貴ガス、及びフッ素等のハロゲンを含み得る。バッファガスは、ヘリウム又はネオン等の不活性ガスを含み得る。
ガス放電チャンバ135、335A、335B内の電極対にパルス化電圧を印加してエネルギ源140、340A、340Bを活性化することにより、パルス化エネルギを各ガス混合物145に供給して(510)、ガス混合物145内のハロゲン(例えばフッ素)に電気的刺激を与えることができる。
決定されるガス放電システムの特性の1つは、ガス放電システム105、305のガス放電チャンバ135、335A、335Bのうち少なくとも1つの使用年数である。使用年数は、ガス放電チャンバにガス混合物が充填された回数及びそのガス放電チャンバのエネルギ源が活性化された頻度のうち1つ以上に基づいて決定することができる。
制御システム160は、ガス放電チャンバ135、335A、335Bのうち少なくとも1つの使用年数が第1の範囲内であると判定し得る。この場合、制御システム160は標準的なガス注入スキームを選択し、ガス供給システム150、350に信号を送信して、ガス放電チャンバ135、335A、335Bのガス混合物145に少なくとも第1の量のバッファガス(例えばネオン)を送り込むことにより、選択されたガス注入スキームをガス放電システム105、305に適用する。第1の範囲は、寿命の初期であるガス放電チャンバ135、335A、335Bの使用年数を表し得る。これは、ガス放電チャンバ135、335A、335Bが、寿命全体に比べて極めて小さい時間量にわたって動作状態であったことを意味する。第1の量のバッファガスは、ガス混合物のどのガス成分も節約を試みることなく適用される標準的な量とすることができる(ガス供給システム150、350からのガス注入の頻度及び規模に基づく)。
制御システム160は、ガス放電チャンバ135、335A、335Bのうち少なくとも1つの使用年数が第2の範囲内であると判定し得る。この場合、制御システム160は節約ガス注入スキームを選択し、ガス供給システム150、350に信号を送信して、ガス放電チャンバ135、335A、335Bのガス混合物145に第2の量のバッファガス(例えばネオン)を送り込むことにより、節約ガス注入スキームをガス放電システム135、335A、335Bに適用する。第2の量のバッファガスは第1の標準的な量よりも少ない。これは、節約ガス注入スキームではガス注入の頻度及び規模の一方又は双方を低減させることを意味する。第2の範囲は、中年期であるガス放電チャンバ135、335A、335Bの使用年数を表す。これは、ガス放電チャンバ135、335A、335Bが寿命全体の中間点に近い時間量にわたって動作状態であったことを意味する。
制御システム160は、ガス放電チャンバ135、335A、335Bのうち少なくとも1つの使用年数が第3の範囲内であると判定し得る。この場合、制御システム160は、別の節約ガス注入スキーム(上述の節約ガス保守スキームとは別個のものであり得る)を選択し、制御システム160は、ガス供給システム150、350に信号を送信して、ガス放電チャンバ135、335A、335Bのガス混合物145に第3の量のバッファガス(例えばネオン)を送り込むことにより、この別の節約ガス注入スキームをガス放電システム135、335A、335Bに適用する。第3の量のバッファガスは、第1の(標準的な)量よりも少ないが第2の量よりは多い。これは、この別の節約ガス注入スキームにおけるガス注入の頻度及び規模の一方又は双方が、標準的なガス注入スキームに比べると低減されるが、上述の節約ガス保守スキームで使用されるガス注入の頻度及び/又は規模よりは大きいことを意味する。第3の範囲は、寿命の後期であるガス放電チャンバ135、335A、335Bの使用年数を表す。これは、ガス放電チャンバ135、335A、335Bが寿命全体の中間点を過ぎた時間量にわたって動作状態であったことを意味する。
第1の使用年数範囲はある下限値以下の値とすることができ、第2の使用年数範囲はその下限値よりも大きい値とすることができ、第3の使用年数範囲はある上限値よりも大きい値とすることができる。例えば、第1の範囲はエネルギ源140の0〜10億パルスであり、第2の範囲はエネルギ源140の10〜250億パルスであり、第3の範囲はエネルギ源140の250億よりも多い(例えば250〜300億)パルスとすることができる。従って、この例では、若いガス放電システム105は10億以下のパルス数動作したシステム105であり、中年期のガス放電システム105は10〜250億パルス数動作したシステム105であり、古いガス放電システム105は250億を超えるパルス数動作したシステム105である。
第1の範囲は使用年数の第1の値であり、第2の範囲は使用年数の第2の値であり得る。第3の範囲は使用年数の第3の値であり得る。
第2の範囲は第1の範囲とは別個のものであり得る。
他の実装では、この代わりに又はこれに加えて、標準的なガス注入スキームは、第1の時間的頻度でガス放電チャンバのガス混合物にバッファガスを送り込むこと又はバッファガスの注入を実行することを含み、節約ガス保守スキームは、第1の時間的頻度とは異なる第2の時間的頻度でガス放電チャンバのガス混合物にバッファガスを送り込むこと又はバッファガスの注入を実行することを含む。第2の時間的頻度は第1の時間的頻度よりも低い。
いくつかの実装では、時間的頻度はパルス又はショットで測定される。例えば標準的なガス注入スキームは、特定の数のパルスがエネルギ源140に供給されるたびに、ガス放電チャンバのガス混合物へのバッファガスの注入を実行することを含み得る。例えば、100万パルスのパルス化光ビーム120が生成されるたびに(すなわち100万パルスのエネルギがエネルギ源140に供給された後に)、標準的なガス注入スキームのもとで注入が実行される。別の例として、節約ガス保守スキームでは、200万パルスのパルス化光ビーム120が生成されるたびに、ガス混合物へのバッファガスの注入が行われる。この例では、バッファガスの注入はパルスとパルスとの間に実行され得る。
他の実装では、時間的頻度は、パルス又はショットの数を考慮することなく時間で測定される。例えば標準的なガス注入スキームは、X分ごとにガス混合物へのバッファガスの注入を実行することを含み、節約ガス保守スキームは、Y分ごとにガス混合物へのバッファガスの注入を実行することを含み得る。ここでYはXよりも小さい。この例では、バッファガスの注入は、エネルギ源140に対するエネルギの供給が停止した後に実行され得る。
上述のように、ガス放電チャンバのガス混合物にバッファガスが注入されるが、上述のようにバッファガスは他のガス成分と混合されているので、これは、少なくとも1つのガス放電チャンバのガス混合物に利得媒質の1つ以上の成分を注入することも含む。
また、制御システム160は、ガス放電光源105、305の1つ以上の動作特性を与える情報を監視システム155から受信することができる。制御システム160は、1つ以上の監視された動作特性のいずれかが許容可能範囲外であるか否かを判定する。また、制御システム160が、1つ以上の監視された動作特性のいずれかが許容可能範囲外であると判定した場合、制御システム160は回復ガス保守スキームを選択し、ガス供給システム150、350に信号を送信して、選択した回復ガス保守スキームをガス放電システム105、305に適用する。
ガス供給システム150、350は、回復注入スキーム及び再充填スキームのうち1つ以上をガス放電システム105、305に適用することにより、選択した回復ガス保守スキームをガス放電システム105、305に適用する。
回復注入スキームでは、ガス供給システム150、350は、ガス放電チャンバ135、335A、335Bのうち少なくとも1つのガス混合物145に対するバッファガスの注入を実行し、ガス放電チャンバ135、335A、335Bのガス混合物145内のバッファガスの相対量を増大させる。例えば、回復注入スキームにおいてガス供給システム150、350は、ガス注入を実行する時間的頻度を変更するか、又は、1つ以上の監視された動作特性のいずれかが許容可能範囲外であるという判定の前に送り込まれた量とは異なる量のバッファガスをガス混合物145に送り込むことができる。
ガス供給システム150、350は、ガス注入を実行する頻度を高くすることにより、ガス注入を実行する時間的頻度を変更できる。
ガス供給システム150、350は、1つ以上の監視された動作特性のいずれかが許容可能範囲外であるという判定の前に送り込まれたものよりも少ないバッファガスをガス混合物145に送り込むことによって、1つ以上の監視された動作特性のいずれかが許容可能範囲外であるという判定の前に送り込まれた量とは異なる量のバッファガスをガス混合物145に送り込むことができる。
ガス放電チャンバ135、335A、335Bの各々に各ガス混合物145が充填された後、ガス供給システム150、350は、選択されたガス保守スキームをガス放電システム105、305に適用する。更に、ガス供給システム150、350が選択されたガス保守スキームをガス放電システム105、305に適用した後、制御システム160は、ガス放電チャンバ135、335A、335Bに対して再充填スキームを実行するようガス供給システム150、350に命令することができる。再充填スキームは、ガス放電システム105、305のガス放電チャンバ135、335A、335Bの各々を空にすることと、ガス源351A、351B、351C等のうち1つ以上からの新しいガス混合物を各ガス放電チャンバ135、335A、335Bに再充填することと、を含む。例えば、ガス源351A及び351Bを再充填に使用することができ、バルブシステム352を用いて各ガス源351A、351Bから流れるガス混合物間の相対流量を調整することができる。
従って、上述のように、ガス放電システム105、305に適用されるガス保守スキームは、ガス混合物145に送り込まれる成分ガス(バッファガス等)の量、及びガス混合物145への成分ガス(バッファガス等)の注入を実行する時間的頻度のパラメータのうち1つ以上を含む。
また、ガス保守スキームのうち少なくとも1つは、ガス放電チャンバ135、335A、335Bのうち少なくとも1つを空にすることと、空になったガス放電チャンバ135、335A、335Bに新しいガス混合物145を再充填することと、を含む再充填スキームとすることができる。
先に検討したように、上述のガス保守スキームに加えて、ガス放電光源100、300が出力装置125において許容可能なレベルで動作を継続することを保証するため、回復保守スキームを実行することができる。
再び図5を参照すると、回復保守サブ手順530は、ガス保守スキーム500の動作中又はその後で以下のように実行され、ガス放電光源100、300によって実行される。制御システム160は、監視システム155によって測定又は監視されるガス放電光源100、300の1つ以上の動作特性を受信する(535)。制御システム160は、ガス放電光源100、300のそれらの動作特性を解析し(540)、この解析に基づいて、1つ以上の監視された動作特性のいずれかが今後のある時点で許容可能範囲外になるか否か判定する(545)。制御システム160が、1つ以上の監視された動作特性のいずれかが今後のある時点で許容可能範囲外になると判定した場合(545)、制御システム160は、実行可能な回復ガス保守スキームセットから特定の回復ガス保守スキームを選択し(550)、ガス供給システム150、350に信号を送信して、ガス放電チャンバ135、335A、335Bのうち少なくとも1つのガス混合物145の成分ガス(ネオンのバッファガス等)の相対量を増大させることにより、選択された回復ガス保守スキームをガス放電システム105、305に適用する(555)。少なくとも1つのガス放電チャンバ135、335A、335Bに回復ガス注入スキームを適用することによって、ガス混合物145の成分ガスの相対量を増大させることができる。
回復注入スキームは、上述のように成分ガスの注入を実行する時間的頻度を高くすることにより、ガス放電チャンバ135、335A、335Bに適用することができる。この代わりに又はこれに加えて、1つ以上の監視された動作特性のいずれかが今後のある時点で許容可能範囲外になるという判定の前に送り込まれた量よりも多くの成分ガスをガス放電チャンバ135、335A、335Bのガス混合物145に送り込むことによって、ガス放電チャンバ135、335A、335Bに回復注入スキームを適用することができる。
監視され得るガス放電光源100、300の例示的な動作特性は、ガス放電チャンバ135、335A、335Bのうち少なくとも1つのガス混合物145に供給する必要のあるパルス化エネルギである。監視され得るガス放電光源100、300の別の例示的な動作特性は、ガス放電チャンバ135、335A、335Bのうち少なくとも1つから出力されるパルス化増幅光ビーム120、320、370のエネルギである。
これらの動作特性は、ガス放電光源100、300の1つ以上の特性を測定することによって監視できる。この測定特性には、ガス放電チャンバのうち少なくとも1つのガス混合物に供給されるパルス化エネルギ、ガス放電チャンバのうち少なくとも1つから出力されるパルス化増幅光ビームのエネルギ、ガス放電チャンバのうち少なくとも1つのガス混合物に供給されるパルス化エネルギの経時的な変化、及び、ガス放電チャンバのうち少なくとも1つから出力されるパルス化増幅光ビームのエネルギの経時的な変化が含まれる。ガス混合物145に供給されるパルス化エネルギは、ガス放電チャンバ135、335A、335B内のエネルギ源140、340A、340Bに印加される電圧に直接相関している。
動作特性(ガス放電チャンバのうち少なくとも1つから出力されるパルス化増幅光ビームのエネルギ、又は1つ以上のガス放電チャンバ内のガス混合物に供給されるパルス化エネルギ等)の経時的な変化を監視することによって、動作特性が経時的にどのように変化しているかを調べることができ、また、その瞬時勾配を大まかに観察することで、特性が一方向に急激に上昇していて今後のある時点で許容可能範囲外になり得るかどうか調べることができる。
測定特性は、測定特性の平均値とすることができる。例えば、ガス混合物145に供給されたあるパルス数(例えば数百又は数千)のエネルギにおける測定特性の平均値である。このようにして、計算から誤った値又は外れ値を排除し、回復ガス保守スキームを必要でない時に強要することを回避できる。
測定特性の値は、再帰的最小二乗(RLS:recursive least squares)フィルタ等の適応フィルタを用いて平均することができる。そのようなフィルタは、測定特性の平均値を用いて、時系列を予測する線形モデルのための瞬時勾配及びオフセット値を計算することができ、従って勾配の値を用いて予測を決定できる。例えば、制御システム160が、〔ガス放電チャンバ135、335A、335Bのうち少なくとも1つのガス混合物145に供給する必要がある〕パルス化エネルギ、及び、〔ガス放電チャンバ135、335A、335Bのうち少なくとも1つから出力された〕パルス化増幅光ビーム120、320、370のエネルギのうち1つ以上が、1000万パルス(これが今後のある時点である)内で所定の各閾値と交差すると予測する場合、制御システム160は、監視された各動作特性が今後のある時点で許容可能範囲外になると判定することができ、制御システム160は、この判定に障害(fault)状態2を割り当てる。別の例として、制御システム160が、〔ガス放電チャンバ135、335A、335Bのうち少なくとも1つのガス混合物145に供給する必要がある〕パルス化エネルギ、及び、〔ガス放電チャンバ135、335A、335Bのうち少なくとも1つから出力された〕パルス化増幅光ビーム120、320、370のエネルギのうち1つ以上が、2000万パルス(これが今後のある時点である)内で所定の各閾値と交差すると予測する場合、制御システム160は、監視された各動作特性が今後のある時点で許容可能範囲外になるリスクがあると判定することができ、制御システム160は、この判定に障害状態1を割り当てる。制御システム160が判定に障害状態1を割り当てた場合、制御システム160は、ガス放電システム105、305に標準的なガス注入スキームを適用する(これによって、リスクが生じる前の値である基準値にガス注入レベルを回復させる)回復ガス保守スキームを選択することができる。制御システム160が判定に障害状態2を割り当てた場合は、障害に対するリスクがはるかに高く、より即時的かつ積極的なアクションセットを実行するべきであるので、制御システム160は回復ガス保守スキームに加えて再充填スキームを含み得る。
適応フィルタは、その線形モデルが予測に適合しない場合、リセットする必要があり得る。これは、ガス放電光源100、300の動作条件が変化した場合に起こる可能性がある。また、適応フィルタは忘却係数(forgetting factor)を含むことがあり、勾配の大きさが制限されており有限記憶を有し得る(従ってあまり高速に変化できない)ので、全ての変数は再充填の際に初期化され得る。
制御システム160は、ガス放電光源100、300の1つ以上の動作特性の値を計算することによってこれらの動作特性を監視できる。制御システム160は、動作特性の計算値のいずれかが今後のある時点において許容可能範囲外になるか否か判定することによって、1つ以上の監視された動作特性のいずれかが今後のある時点において許容可能範囲外になるか否か判定できる。制御システム160は、動作特性の平均値を計算することによって動作特性の値を計算できる。
ガス放電チャンバ135、335A、335Bに再充填スキームを適用することによって、ガス放電チャンバ135、335A、335Bのガス混合物145内の成分ガスの相対量を増大させることができる。再充填スキームは、ガス放電チャンバ135、335A、335Bからガス混合物145をパージすることと、ガス放電チャンバ135、335A、335Bに成分ガスを含む新しいガス混合物を充填することと、を含む。
制御システム160は、1つ以上の監視された動作特性のいずれかが今後のある時点で許容可能範囲外になる可能性があるか否か判定することによって、1つ以上の監視された動作特性のいずれかが今後のある時点で許容可能範囲外になるか否か判定できる。
制御システム160は、例えば、1つ以上の監視された動作特性の各々の変化率を決定すること、及び/又は、1つ以上の監視された動作特性の各々の変化率が、監視された動作特性が今後のある時点で許容可能範囲外になる可能性があることを示すか否か判定することによって、1つ以上の監視された動作特性のいずれかが今後のある時点で許容可能範囲外になるか否か判定できる。
また、制御システム160は、1つ以上の監視された動作特性のいずれかが今後のある時点において別の許容可能範囲外になるか否か判定することができる。更に、制御システム160が、1つ以上の監視された動作特性のいずれかが今後のある時点においてその別の許容可能範囲外になると判定した場合、制御システム160は、ガス供給システム150、350に信号を送信して、少なくとも1つのガス放電チャンバ135、335A、335Bに再充填スキームを適用することができる。再充填スキームは、ガス放電チャンバ135、335A、335Bからガス混合物145をパージすることと、パージされたガス放電チャンバに成分ガスを含む新しいガス混合物145を充填することと、を含む。
図6を参照すると、動作特性を解析し(540)、その解析に基づいて監視された動作特性が今後のある時点で許容可能範囲外になるか否か判定し(545)、回復ガス保守スキームを選択する(550)ための例示的な手順640、645、650が、制御システム160によって実行される。
手順640において、制御システムは、監視されている動作特性の各々について(535)解析を実行する(640−1、640−2、・・・、640−N)。これらの各解析(640−1、640−2、・・・、640−N)からの出力は手順645に送出され、これらの出力に基づいて各判定(645−1、645−2、・・・、645−N)が実行される。動作特性1に関する判定によって、動作特性1が今後のある時点で範囲外になることがわかった場合、制御システム160はこの判定に関連付けられた回復ガス保守スキームを選択する(650−1)。同様に、動作特性2に関する判定によって、動作特性2が今後のある時点で範囲外になることがわかった場合、制御システム160はこの判定に関連付けられた回復ガス保守スキームを選択する(650−2)。次いで制御システム160は、各動作特性について選択された回復ガス保守スキーム1、2、・・・Nの各々を検討し、最終的な回復ガス保守スキームを出力するため選択する。従って、例えば制御システム160は、動作特性の1つが第1の今後の時点で範囲外になると判定し、更に、残りの動作特性の全てが第1の今後の時点よりも後の第2の今後の時点で範囲外になると判定する可能性がある。この場合、制御システム160は、ガス放電システム105、305の全てのチャンバ内の全てのガス混合物の完全な再充填を必要とする光源100全体の回復ガス保守スキームを選択することができる。
図7を参照すると、第1の動作特性について例示的な手順740−1、745−1、750−1が順次実行される。これらの例示的な手順740−1、745−1、750−1は他の動作特性にも適用できる。
手順740−1は全体として、動作特性OCが光源100の使用量(UM)によってどのように変化するかを決定する。光源の使用量(UM)は、任意の有用な単位で測定され、光源チャンバ135で最後に再充填が行われた後の経過時間で測定することができる(例えば秒単位、分単位、時間単位等)。他の実装では、光源チャンバ135で最後に再充填が行われた時点からのパルス化増幅光ビーム120のパルス又はショット数をカウントすることによって、使用量が測定される。
更に、手順740−1は全体として、長期間の傾向を監視すると共に短い時間尺度で発生する値の変化を切り捨てるため、動作特性OC及び使用量UMの値を平均化することによって動作する。
手順740−1において、最初に制御システム160は、光源使用量UM(ショット又はパルスの平均数で測定できる)に対する動作特性OCの前処理平均化を実行する(700−1)。平均化によって、長期間の傾向を監視することが保証される。次に制御システム160は、次のモデル計算から性質上一時的である値を間引くため、平均化された動作特性が許容可能範囲外の値であるか否かを判定する(705−1)。
次の値が間引かれていないと仮定して(705−1)、制御システム160は、使用量UM及び動作特性OCの間の適合モデルを、動作特性OC及び使用量UMの平均値によって更新する(710−1)。光源100のガス放電チャンバ135内のガス混合物の再充填の後、モデルは標準的なモデルにセットして開始することができ、次いで(再帰的最小二乗プロセスを用いて)モデルは各平均値で再帰的に更新されることに留意すべきである。いくつかの実装において、モデルは使用量UM及び動作特性OCの間の線形適合とすることができる。この場合、制御システム160は710−1において、動作特性OCにおける局所勾配の値(動作特性OCが特定の使用量UMに対してどのように変化するかの測定値)及びオフセットを出力する。他の実装において、モデルは使用量UM及び動作特性OCの間の非線形適合であり、制御システム160は710−1においてモデルの係数セットを出力する。
次に制御システム160は、更新したモデル(710−1)からの出力に基づく第1の経過使用量UMに対する動作特性の値(715−1)と、更新したモデル(710−1)からの出力に基づく第2の経過使用量UMに対する動作特性の値(720−1)と、を予測する。例えば、モデルが線形適合であると共に、更新したモデル(710−1)の出力が、動作特性OCが使用量UMによってどのように変化するかを表す局所勾配である場合、予測によって、第1の経過使用量UMに対応する動作特性OC(715−1)及び第2の経過使用量UMに対応する動作特性OC(720−1)を測定することができる。例えば、第1の経過使用量UMに対する動作特性OCの値(715−1)は、更に1000万パルスが経過した後の動作特性OCの値であり得る(この動作特性OCの値を故障(fail)OCと呼ぶことができる)。別の例として、第1の経過使用量UMに対する動作特性OCの値(715−1)は、更に2000万パルスが経過した後の動作特性OCの値であり得る(この動作特性OCの値をリスクOCと呼ぶことができる)。
一度これらの予測値が計算されたら(715−1、720−1)、各予測値が所定の1又は複数の閾値を超えているか否かについて判定が行われる(それぞれ730−1、735−1)。
図8を参照すると、手順740−1の間の様々な出力のグラフ800、805、810が示されている。グラフ800は、経過使用量UMに対する710−1の更新モデルにおける局所勾配の値(経過使用量UMに対する動作特性OCの変化)を示す。グラフ805は、720−1で出力された第2の経過使用量UMの後の動作特性OCの予測値を示す。グラフ810は、715−1で出力された第1の経過使用量UMの後の動作特性OCの予測値を示す。この例では動作特性OCが上昇する傾向があるので、高い閾値レベル815が示されている。リスク信号805が高い閾値レベル815と交差する場合、制御システム160は、障害が発生するリスクがあると判断し、第1の警告が出される。リスク信号805が高い閾値レベル815と交差し、かつ、故障信号810が高い閾値レベル815と交差する場合、制御システム160は、障害が差し迫っていると判断し、第2の警告が出される。制御システム160は、出された警告に応じて適切な回復ガス保守スキームを選択する。
一例として、監視されている動作特性OC(535)がガス放電チャンバ内のガス混合物145に供給する必要のあるパルス化エネルギである場合、これは、エネルギ源140に供給された電圧を監視することによって監視できる。高い閾値レベル815は1150ボルトとすることができ、低い閾値レベル(図8には示されていない)は870ボルトとすることができる。別の例として、監視されている動作特性OC(535)がガス放電チャンバのうち少なくとも1つから出力されたパルス化増幅光ビームの出力エネルギである場合、パルス化増幅光ビームの出力エネルギを直接監視することができる。高い閾値レベル815は4ミリジュール(mJ)とすることができ、低い閾値レベルは0.2mJとすることができる。
図4を参照すると、概ね制御システム160は、デジタル電子回路、コンピュータハードウェア、ファームウェア、及びソフトウェアのうち1つ以上を含む。制御システム160は、読み取り専用メモリ及び/又はランダムアクセスメモリであり得るメモリ400を含む。コンピュータプログラム命令及びデータを有形に(tangibly)具現化するのに適したストレージデバイスは、不揮発性メモリの全ての形態を含み、一例として、EPROM、EEPROM、及びフラッシュメモリデバイス等の半導体メモリデバイス、内部ハードディスク及び着脱可能ディスク等の磁気ディスク、光磁気ディスク、及びCD−ROMディスクが挙げられる。また、制御システム160は、1つ以上の入力デバイス405(キーボード、タッチスクリーン、マイクロホン、マウス、ハンドヘルド型入力デバイス等)、及び1つ以上の出力デバイス410(スピーカ又はモニタ等)も含むことができる。
制御システム160は、1つ以上のプログラマブルプロセッサ415、及び、プログラマブルプロセッサ(プロセッサ415等)によって実行するため機械読み取り可能ストレージデバイスにおいて有形に具現化された1つ以上のコンピュータプログラム製品420を含む。1つ以上のプログラマブルプロセッサ415の各々は、入力データに対して動作すると共に適切な出力を発生することにより、命令のプログラムを実行して所望の機能を遂行できる。概して、プロセッサ415はメモリ400から命令及びデータを受信する。前述したもののうちいずれも、特別に設計されたASIC(特定用途向け集積回路)によって補足するか又はASIC内に組み込むことができる。
制御システム160は例えば、監視システム155からデータを受信するためのシステム425、このデータを解析してどの種類のアクションを発生するべきか決定するためのシステム430、及び、システム430から出力された決定に基づいてガス供給システム150に信号を出力するためのシステム435のような、様々な処理システムを含む。これらの処理システムの各々は、複数のプロセッサのような1つ以上のプロセッサによって実行されるコンピュータプログラム製品セットとすることができる。制御システム160は、ガス保守に関連しない他のタスクを実行するための他の処理システム(包括的にボックス440で表されている)を含むことができる。
他の実装も以下の特許請求の範囲内である。
例えば、制御システム160によって決定できるガス放電システム105の1つ以上の特性は、ガス放電システム105から出力されたパルス化光ビーム120の特性を含み得る。決定できる例示的な特性には、パルス化光ビーム120のエネルギ、パルス化光ビーム120の光学発散、及びパルス化光ビーム120の帯域幅が含まれる。別の例として、制御システム160によって決定できるガス放電システム105の1つ以上の特性は、ガス放電システム105の動作効率を含むことができ、この効率は、パルス化光ビーム120の様々な特性及びエネルギ源140に供給されるエネルギを測定することによって決定できる。

Claims (32)

  1. 1つ以上のガス放電チャンバを含むガス放電システムを備えるガス放電光源を動作させる方法であって、各ガス放電チャンバはエネルギ源を収容し、
    前記ガス放電システムの前記ガス放電チャンバの各々に各ガス混合物を充填することと、
    各ガス放電チャンバにおいて、そのエネルギ源を活性化することでパルス化エネルギを前記各ガス混合物に供給し、これによって前記ガス放電チャンバからパルス化増幅光ビームを生成することと、
    前記ガス放電システムの1つ以上の特性を決定することと、
    前記ガス放電システムの前記決定された1つ以上の特性に基づいて複数の実行可能なスキームからガス保守スキームを選択することと、
    前記選択されたガス保守スキームを前記ガス放電システムに適用することと、を含み、
    ガス保守スキームは、前記ガス放電システムの前記ガス放電チャンバに1つ以上の補足ガス混合物を追加することに関連した1つ以上のパラメータを含む、方法。
  2. 前記ガス放電システムの1つ以上の特性を決定することは、前記ガス放電システムにおける前記ガス放電チャンバの各々の1つ以上の特性を決定することを含む、請求項1に記載の方法。
  3. 前記選択されたガス保守スキームを前記ガス放電システムに適用することは、前記選択されたガス保守スキームを前記ガス放電システムの前記ガス放電チャンバの各々に適用することを含む、請求項1に記載の方法。
  4. 前記ガス放電システムは、2つのガス放電チャンバを含む、請求項1に記載の方法。
  5. ガス放電チャンバに前記各ガス混合物を充填することは、前記ガス放電チャンバに利得媒質とバッファガスとの混合物を充填することを含む、請求項1に記載の方法。
  6. ガス放電チャンバに前記利得媒質と前記バッファガスとの前記混合物を充填することは、前記ガス放電チャンバに、貴ガス及びハロゲンを含む利得媒質と不活性ガスを含むバッファガスとを充填することを含む、請求項5に記載の方法。
  7. 前記貴ガスは、アルゴン、クリプトン、又はキセノンを含み、
    前記ハロゲンは、フッ素を含み、
    前記不活性ガスは、ヘリウム又はネオンを含む、請求項6に記載の方法。
  8. エネルギ源を活性化することで前記パルス化エネルギを各ガス混合物に供給することは、前記ガス混合物内のハロゲンに電気的刺激を与えるように、前記ガス放電チャンバ内の電極対にパルス化電圧を印加することを含む、請求項1に記載の方法。
  9. 前記ガス放電システムの1つ以上の特性を決定することは、ガス放電チャンバに前記ガス混合物が充填された回数及びそのガス放電チャンバの前記エネルギ源が活性化された頻度のうち1つ以上に基づいて、前記ガス放電システムの前記ガス放電チャンバのうち少なくとも1つの使用年数を決定することを含む、請求項1に記載の方法。
  10. 前記ガス放電システムの前記1つ以上の特性を決定すること、前記ガス保守スキームを選択すること、及び、前記選択されたガス保守スキームを前記ガス放電システムに適用することは、前記1つ以上のガス放電チャンバの前記ガス混合物にパルス化エネルギが供給されている間に実行される、請求項1に記載の方法。
  11. 前記ガス放電システムの前記1つ以上の特性を決定すること、前記ガス保守スキームを選択すること、及び、前記選択されたガス保守スキームを前記ガス放電システムに適用することは、前記ガス放電チャンバのいずれの前記ガス混合物にもパルス化エネルギが供給されていない間に実行される、請求項1に記載の方法。
  12. 前記複数の実行可能なガス保守スキームから前記ガス保守スキームを選択することは、前記ガス放電チャンバのうち少なくとも1つの使用年数が第1の範囲内であると判定された場合に標準的なガス注入スキームを選択することを含み、
    前記選択されたガス注入スキームを前記ガス放電システムに適用することは、前記少なくとも1つのガス放電チャンバの前記ガス混合物に少なくとも第1の量のバッファガスを送り込むことを含み、
    前記複数の実行可能なガス保守スキームから前記ガス保守スキームを選択することは、前記少なくとも1つのガス放電チャンバの使用年数が第2の範囲内であると判定された場合に節約ガス注入スキームを選択することを含み、
    前記選択された節約ガス注入スキームを前記ガス放電システムに適用することは、前記少なくとも1つのガス放電チャンバの前記ガス混合物に、前記第1の量よりも少ない第2の量の前記バッファガスを送り込むことを含む、請求項1に記載の方法。
  13. 前記複数の実行可能なガス保守スキームから前記ガス保守スキームを選択することは、前記少なくとも1つのガス放電チャンバの使用年数が第3の範囲内であると判定された場合に別の節約ガス注入スキームを選択することを含み、
    前記選択されたガス注入スキームを前記ガス放電システムに適用することは、前記少なくとも1つのガス放電チャンバの前記ガス混合物に、前記第1の量よりも少ないが前記第2の量よりも多い第3の量の前記バッファガスを送り込むことを含む、請求項12に記載の方法。
  14. 前記第1の範囲は、ある下限値以下の値であり、
    前記第2の範囲は、前記下限値よりも大きい値であり、
    前記第3の範囲は、ある上限値よりも大きい値である、請求項13に記載の方法。
  15. 前記第1の範囲は、前記使用年数の第1の値であり、
    前記第2の範囲は、前記使用年数の第2の値であり、
    前記第3の範囲は、前記使用年数の第3の値である、請求項13に記載の方法。
  16. 前記第1の範囲は、前記使用年数の第1の値であり、
    前記第2の範囲は、前記使用年数の第2の値である、請求項12に記載の方法。
  17. 前記第2の範囲は、前記第1の範囲とは別個である、請求項12に記載の方法。
  18. 前記複数の実行可能なガス保守スキームから前記ガス保守スキームを選択することは、前記ガス放電チャンバのうち少なくとも1つの使用年数が第1の範囲内であると判定された場合に標準的なガス注入スキームを選択することを含み、
    前記選択されたガス注入スキームを前記ガス放電システムに適用することは、第1の時間的頻度で前記少なくとも1つのガス放電チャンバの前記ガス混合物へのバッファガスの注入を実行することを含み、
    前記複数の実行可能なガス保守スキームから前記ガス保守スキームを選択することは、前記少なくとも1つのガス放電チャンバの前記使用年数が第2の範囲内であると判定された場合に節約ガス注入スキームを選択することを含み、
    前記選択された節約ガス注入スキームを前記ガス放電システムに適用することは、前記第1の時間的頻度とは異なる第2の時間的頻度で前記少なくとも1つのガス放電チャンバの前記ガス混合物への前記バッファガスの注入を実行することを含む、請求項1に記載の方法。
  19. 前記第2の時間的頻度は、前記第1の時間的頻度よりも低い、請求項18に記載の方法。
  20. 前記少なくとも1つのガス放電チャンバの前記ガス混合物への前記バッファガスの注入を実行することは、前記少なくとも1つのガス放電チャンバの前記ガス混合物に前記利得媒質の1つ以上の成分を注入することも含む、請求項18に記載の方法。
  21. 前記ガス放電光源の1つ以上の動作特性を監視することと、
    前記1つ以上の監視された動作特性のいずれかが今後のある時点において許容可能範囲外になるか否かを判定することと、
    前記1つ以上の監視された動作特性のいずれかが今後のある時点において許容可能範囲外になると判定された場合、回復ガス保守スキームを選択し、前記選択された回復ガス保守スキームを前記ガス放電システムに適用することと、
    を更に含む、請求項1に記載の方法。
  22. 前記選択された回復ガス保守スキームを前記ガス放電システムに適用することは、回復注入スキーム及び再充填スキームのうち1つ以上を前記ガス放電システムに適用することを含む、請求項21に記載の方法。
  23. 前記選択された回復注入スキームを前記ガス放電システムに適用することは、前記ガス放電チャンバのうち少なくとも1つの前記ガス混合物にバッファガスの注入を実行し、前記少なくとも1つのガス放電チャンバの前記ガス混合物内の前記バッファガスの相対量を増大させることを含む、請求項22に記載の方法。
  24. 前記少なくとも1つのガス放電チャンバの前記ガス混合物に前記バッファガスの前記注入を実行し、前記少なくとも1つのガス放電チャンバの前記ガス混合物内の前記バッファガスの前記相対量を増大させることは、前記注入を実行する時間的頻度を変更すること、及び、前記1つ以上の監視された動作特性のいずれかが許容可能範囲外になるという判定の前に送り込まれた量とは異なる量のバッファガスを前記ガス混合物に送り込むこと、のうち1つ以上を含む、請求項23に記載の方法。
  25. 前記注入を実行する前記時間的頻度を変更することは、前記注入を実行する頻度を高くすることを含み、
    前記1つ以上の監視された動作特性のいずれかが許容可能範囲外になるという判定の前に送り込まれた量とは異なる量のバッファガスを前記ガス混合物に送り込むことは、前記1つ以上の監視された動作特性のいずれかが許容可能範囲外になるという判定の前に送り込まれたものよりも少ないバッファガスを前記ガス混合物に送り込むことを含む、請求項24に記載の方法。
  26. 前記選択されたガス保守スキームを前記ガス放電システムに適用することは、前記ガス放電チャンバの各々に各ガス混合物を充填した後に実行される、請求項1に記載の方法。
  27. 前記選択されたガス保守スキームを前記ガス放電システムに適用した後、前記ガス放電チャンバに対して再充填スキームを実行することを更に含み、
    前記再充填スキームは、
    前記ガス放電システムの前記ガス放電チャンバの各々を空にすることと、
    各ガス放電チャンバに新しいガス混合物を再充填することと、
    を含む、請求項26に記載の方法。
  28. ガス保守スキームは、以下のパラメータ、すなわち
    前記ガス混合物に送り込まれる成分ガスの量、及び
    前記ガス混合物への前記成分ガスの注入を実行する時間的頻度、
    のうち1つ以上を含む、請求項1に記載の方法。
  29. 前記成分ガスは、前記ガス混合物のバッファガスであり、
    前記ガス混合物は、利得媒質を含む、請求項28に記載の方法。
  30. 前記ガス保守スキームのうち1つは、前記ガス放電チャンバのうち少なくとも1つを空にすることと、空にしたガス放電チャンバに新しいガス混合物を再充填することと、を含む再充填スキームである、請求項1に記載の方法。
  31. 1つ以上のガス放電チャンバを含むガス放電光源を動作させる方法であって、
    エネルギ源を収容しているガス放電チャンバにガス混合物を充填することと、
    前記エネルギ源を活性化することでパルス化エネルギを前記ガス混合物に供給し、これによってパルス化増幅光ビームを生成することと、
    前記ガス放電チャンバの1つ以上の特性を決定することと、
    前記ガス放電チャンバの前記決定された1つ以上の特性に基づいて複数の実行可能な注入スキームから注入スキームを選択することと、
    前記選択された注入スキームを前記ガス放電チャンバに適用することと、を含み、
    注入スキームは、前記ガス放電チャンバに1つ以上の補足ガス混合物を追加することに関連した1つ以上のパラメータを含む、方法。
  32. 1つ以上のガス放電チャンバを含むガス放電システムであって、各ガス放電チャンバはエネルギ源を収容すると共に利得媒質を含むガス混合物を含む、ガス放電システムと、
    ガス保守システムであって、
    ガス供給システムと、
    監視システムと、
    前記ガス供給システム及び前記監視システムに結合された制御システムであって、
    各エネルギ源を活性化し、それによってそのガス放電チャンバからパルス化増幅光ビームを生成するための信号を与え、
    前記監視システムから情報を受信し、この受信した情報に基づいて前記ガス放電システムの1つ以上の特性を決定し、
    前記ガス放電システムの前記決定された1つ以上の特性に基づいて複数の実行可能なスキームからガス保守スキームを選択し、
    前記ガス供給システムに信号を与え、これによって前記選択されたガス保守スキームを前記ガス放電システムに適用する、
    ように構成された制御システムと、を有するガス保守システムと、を備え、
    ガス保守スキームは、前記ガス放電システムの前記ガス放電チャンバに1つ以上の補足ガス混合物を追加することに関連した1つ以上のパラメータを含む、
    ガス放電光源。
JP2018533931A 2016-01-08 2016-11-04 ガス放電光源におけるガス混合物制御 Active JP6721687B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662276522P 2016-01-08 2016-01-08
US62/276,522 2016-01-08
US15/132,803 2016-04-19
US15/132,803 US9819136B2 (en) 2016-01-08 2016-04-19 Gas mixture control in a gas discharge light source
PCT/US2016/060680 WO2017119946A1 (en) 2016-01-08 2016-11-04 Gas mixture control in a gas discharge light source

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019501532A true JP2019501532A (ja) 2019-01-17
JP6721687B2 JP6721687B2 (ja) 2020-07-15

Family

ID=59273861

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018533931A Active JP6721687B2 (ja) 2016-01-08 2016-11-04 ガス放電光源におけるガス混合物制御

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9819136B2 (ja)
JP (1) JP6721687B2 (ja)
KR (2) KR102343679B1 (ja)
CN (2) CN112234414B (ja)
TW (2) TWI670750B (ja)
WO (1) WO2017119946A1 (ja)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9819136B2 (en) * 2016-01-08 2017-11-14 Cymer, Llc Gas mixture control in a gas discharge light source
WO2019060164A1 (en) * 2017-09-25 2019-03-28 Cymer, Llc FLUORINE DETECTION IN A GAS DISCHARGE LIGHT SOURCE
WO2019160548A1 (en) 2018-02-15 2019-08-22 Cymer, Llc Gas management system
US11949203B2 (en) 2018-02-15 2024-04-02 Cymer, Llc Gas management system
US11354617B1 (en) 2018-03-12 2022-06-07 Amazon Technologies, Inc. Managing shipments based on data from a sensor-based automatic replenishment device
US11137479B1 (en) 2018-03-20 2021-10-05 Amazon Technologies, Inc. Product specific correction for a sensor-based device
US10909610B1 (en) 2018-03-21 2021-02-02 Amazon Technologies, Inc. Method, system and computer-readable medium for automatic replenishment of items utilizing a sensor-based device
US11023855B1 (en) 2018-03-21 2021-06-01 Amazon Technologies, Inc. Managing electronic requests associated with items stored by automatic replenishment devices
US10373118B1 (en) 2018-03-21 2019-08-06 Amazon Technologies, Inc. Predictive consolidation system based on sensor data
US10846780B2 (en) 2018-03-21 2020-11-24 Amazon Technologies, Inc. Order quantity and product recommendations based on sensor data
US10853870B2 (en) 2018-03-22 2020-12-01 Amazon Technologies, Inc. Product and lid identification for sensor-based device
US11010711B1 (en) * 2018-03-23 2021-05-18 Amazon Technologies, Inc. Test-enabled measurements for a sensor-based device
US11361011B1 (en) 2018-04-26 2022-06-14 Amazon Technologies, Inc. Sensor-related improvements to automatic replenishment devices
CN115931631A (zh) * 2018-06-13 2023-04-07 西默有限公司 气体监测系统
TWI820776B (zh) * 2019-08-29 2023-11-01 美商希瑪有限責任公司 氣體放電光源中之氟偵測
CN114616729A (zh) * 2019-09-19 2022-06-10 西默有限公司 气体控制方法和相关用途
JP2024526151A (ja) * 2021-07-01 2024-07-17 サイマー リミテッド ライアビリティ カンパニー ガス放電ステージ用のガス制御装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4977573A (en) * 1989-03-09 1990-12-11 Questek, Inc. Excimer laser output control device
JPH04120782A (ja) * 1990-09-12 1992-04-21 Hitachi Ltd ハロゲンガス注入型エキシマレーザ装置のハロゲンガス注入方法
JPH07321389A (ja) * 1994-05-24 1995-12-08 Nec Corp エキシマレーザ
JP2000151002A (ja) * 1998-10-05 2000-05-30 Lambda Physik G Zur Herstellung Von Lasern Mbh ガス放電レ―ザの性能制御方法
JP2000294857A (ja) * 1999-03-17 2000-10-20 Lambda Physik G Zur Herstellung Von Lasern Mbh ガス放電レーザシステム及びその制御方法
JP2010519782A (ja) * 2007-02-26 2010-06-03 サイマー インコーポレイテッド レーザガス注入システム

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3743258A1 (de) * 1987-02-23 1988-09-01 Messer Griesheim Gmbh Verfahren zur elektrischen anregung eines lasergases
JP2592085B2 (ja) * 1988-02-09 1997-03-19 マツダ株式会社 アンチロック装置
DE69434100T2 (de) * 1994-08-31 2006-02-02 Cymer, Inc., San Diego Verfahren und gerät zum wiederauffüllen von excimer-lasern mit gas
US6331994B1 (en) * 1996-07-19 2001-12-18 Canon Kabushiki Kaisha Excimer laser oscillation apparatus and method, excimer laser exposure apparatus, and laser tube
US6240117B1 (en) * 1998-01-30 2001-05-29 Cymer, Inc. Fluorine control system with fluorine monitor
US6160832A (en) * 1998-06-01 2000-12-12 Lambda Physik Gmbh Method and apparatus for wavelength calibration
US6212214B1 (en) * 1998-10-05 2001-04-03 Lambda Physik Ag Performance control system and method for gas discharge lasers
US6526085B2 (en) * 1998-10-05 2003-02-25 Lambda Physik Ag Performance control system and method for gas discharge lasers
US6618421B2 (en) * 1998-07-18 2003-09-09 Cymer, Inc. High repetition rate gas discharge laser with precise pulse timing control
US6965624B2 (en) * 1999-03-17 2005-11-15 Lambda Physik Ag Laser gas replenishment method
US6389052B2 (en) * 1999-03-17 2002-05-14 Lambda Physik Ag Laser gas replenishment method
US6727731B1 (en) * 1999-03-12 2004-04-27 Lambda Physik Ag Energy control for an excimer or molecular fluorine laser
US6865210B2 (en) * 2001-05-03 2005-03-08 Cymer, Inc. Timing control for two-chamber gas discharge laser system
US6721345B2 (en) * 2000-07-14 2004-04-13 Lambda Physik Ag Electrostatic precipitator corona discharge ignition voltage probe for gas status detection and control system for gas discharge lasers
US6963595B2 (en) * 2001-08-29 2005-11-08 Cymer, Inc. Automatic gas control system for a gas discharge laser
US8492994B2 (en) * 2008-10-22 2013-07-23 Osram Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung Method and circuit arrangement for making a lamp wattage available for operating at least one gas discharge lamp
CN101499606B (zh) * 2009-02-27 2010-08-04 山东科技大学 THz光纤激光器
US8295316B2 (en) * 2010-03-24 2012-10-23 Cymer, Inc. Method and system for managing light source operation
US8411720B2 (en) * 2011-06-30 2013-04-02 Cymer, Inc. System and method for automatic gas optimization in a two-chamber gas discharge laser system
US8873600B2 (en) * 2011-06-30 2014-10-28 Cymer, Llc System and method for high accuracy gas refill in a two chamber gas discharge laser system
WO2013078456A2 (en) * 2011-11-23 2013-05-30 Ipg Microsystems Llc Continuous mass flow gas replenishment for gas lasing devices
CN102631846B (zh) * 2012-04-16 2015-02-04 江苏大学 一种用于多种气体按规定比例混合的方法和装置
CN102969649A (zh) * 2012-12-20 2013-03-13 中国科学院光电研究院 准分子激光器复合腔
US9209595B2 (en) * 2014-01-31 2015-12-08 Asml Netherlands B.V. Catalytic conversion of an optical amplifier gas medium
US9130337B1 (en) 2014-09-10 2015-09-08 Cymer, Llc System and method for automatic gas optimization in a two-chamber gas discharge laser system
US9615439B2 (en) * 2015-01-09 2017-04-04 Kla-Tencor Corporation System and method for inhibiting radiative emission of a laser-sustained plasma source
CN104810708B (zh) * 2015-04-29 2018-03-06 东莞市鼎先激光科技股份有限公司 一种高功率气体激光器用阳极进气喷嘴
US9819136B2 (en) * 2016-01-08 2017-11-14 Cymer, Llc Gas mixture control in a gas discharge light source

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4977573A (en) * 1989-03-09 1990-12-11 Questek, Inc. Excimer laser output control device
JPH04120782A (ja) * 1990-09-12 1992-04-21 Hitachi Ltd ハロゲンガス注入型エキシマレーザ装置のハロゲンガス注入方法
JPH07321389A (ja) * 1994-05-24 1995-12-08 Nec Corp エキシマレーザ
JP2000151002A (ja) * 1998-10-05 2000-05-30 Lambda Physik G Zur Herstellung Von Lasern Mbh ガス放電レ―ザの性能制御方法
JP2000294857A (ja) * 1999-03-17 2000-10-20 Lambda Physik G Zur Herstellung Von Lasern Mbh ガス放電レーザシステム及びその制御方法
JP2010519782A (ja) * 2007-02-26 2010-06-03 サイマー インコーポレイテッド レーザガス注入システム

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
AGGARWAL, TANUJ AND O'BRIEN, KEVIN: "DUV ArF light source automated gas optimization for enhanced repeatability and availability", PROCEEDINGS OF SPIE, vol. 9426, JPN7019001972, 18 March 2015 (2015-03-18), US, pages 942624 - 1, ISSN: 0004220204 *

Also Published As

Publication number Publication date
US20170201057A1 (en) 2017-07-13
KR102219779B1 (ko) 2021-02-23
JP6721687B2 (ja) 2020-07-15
KR20180100215A (ko) 2018-09-07
CN108604763A (zh) 2018-09-28
CN112234414A (zh) 2021-01-15
US10090629B2 (en) 2018-10-02
KR102343679B1 (ko) 2021-12-24
CN108604763B (zh) 2020-11-06
WO2017119946A1 (en) 2017-07-13
CN112234414B (zh) 2024-08-27
US20170229832A1 (en) 2017-08-10
TW201730914A (zh) 2017-09-01
TWI670750B (zh) 2019-09-01
US9819136B2 (en) 2017-11-14
TW201826319A (zh) 2018-07-16
KR20210021150A (ko) 2021-02-24
TWI629705B (zh) 2018-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6721687B2 (ja) ガス放電光源におけるガス混合物制御
JP3672449B2 (ja) 自動フッ素制御システム
KR101930894B1 (ko) 투챔버 가스방전 레이저 시스템 내의 가스 농도를 제어하는 시스템 및 방법
JP6807933B2 (ja) ガス放電光源におけるガス最適化
KR101940163B1 (ko) 투 챔버 가스방전 레이저 시스템에서의 자동 가스 최적화 시스템 및 방법
JP5972384B2 (ja) 2チャンバガス放電レーザシステムにおける高精度ガス注入のためのシステム及び方法
TWI542099B (zh) 雙腔室氣體放電雷射光源、在一雙腔室氣體放電雷射光源中補充氣體的方法、及非暫態電腦可讀取媒體
KR20220100699A (ko) 가스 방전 광원 내의 예측 장치
JP2003511865A (ja) エキシマ又は分子フッ素レーザのエネルギー制御
JPH10505949A (ja) エキシマレーザ用のガス補充の方法と装置
JP2002198603A (ja) エキシマレーザ用のガス補充の方法と装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180823

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180823

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190619

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190619

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20190917

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191211

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200226

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200521

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200610

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200618

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6721687

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250