JP2019501532A - ガス放電光源におけるガス混合物制御 - Google Patents
ガス放電光源におけるガス混合物制御 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019501532A JP2019501532A JP2018533931A JP2018533931A JP2019501532A JP 2019501532 A JP2019501532 A JP 2019501532A JP 2018533931 A JP2018533931 A JP 2018533931A JP 2018533931 A JP2018533931 A JP 2018533931A JP 2019501532 A JP2019501532 A JP 2019501532A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- gas discharge
- scheme
- mixture
- discharge chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 194
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims abstract description 148
- 230000000153 supplemental effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 985
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 101
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 101
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 72
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 55
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 28
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 16
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 14
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 14
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 9
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 claims description 8
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 5
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 claims description 5
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 4
- 238000001802 infusion Methods 0.000 claims 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- MLLXYCBXEYMKBE-QNEKTZRTSA-F bismuth pentapotassium (4S,4aS,6S,12aR)-4-(dimethylamino)-1,6,10,11,12a-pentahydroxy-6-methyl-3,12-dioxo-4,4a,5,5a-tetrahydrotetracene-2-carboxamide 2-hydroxypropane-1,2,3-tricarboxylate 2-(2-methyl-5-nitroimidazol-1-yl)ethanol dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[K+].[K+].[K+].[K+].[K+].[Bi+3].Cc1ncc(n1CCO)[N+]([O-])=O.OC(CC([O-])=O)(CC([O-])=O)C([O-])=O.OC(CC([O-])=O)(CC([O-])=O)C([O-])=O.CN(C)[C@H]1[C@@H]2CC3C(=C(O)c4c(O)cccc4[C@@]3(C)O)C(=O)[C@]2(O)C(O)=C(C(N)=O)C1=O MLLXYCBXEYMKBE-QNEKTZRTSA-F 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 4
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 3
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N argon hydrofluoride Chemical compound F.[Ar] ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N [Kr]F Chemical compound [Kr]F VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000008713 feedback mechanism Effects 0.000 description 1
- -1 fluorine Chemical class 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- ZKVLEFBKBNUQHK-UHFFFAOYSA-N helium;molecular nitrogen;molecular oxygen Chemical compound [He].N#N.O=O ZKVLEFBKBNUQHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012821 model calculation Methods 0.000 description 1
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000005477 standard model Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/036—Means for obtaining or maintaining the desired gas pressure within the tube, e.g. by gettering, replenishing; Means for circulating the gas, e.g. for equalising the pressure within the tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/097—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/097—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
- H01S3/0971—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser transversely excited
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/102—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
- H01S3/104—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation in gas lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
- H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
- H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
- H01S3/2251—ArF, i.e. argon fluoride is comprised for lasing around 193 nm
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
- H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
- H01S3/2253—XeCl, i.e. xenon chloride is comprised for lasing around 308 nm
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
- H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
- H01S3/2255—XeF, i.e. xenon fluoride is comprised for lasing around 351 nm
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
- H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
- H01S3/2256—KrF, i.e. krypton fluoride is comprised for lasing around 248 nm
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
- H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
- H01S3/2258—F2, i.e. molecular fluoride is comprised for lasing around 157 nm
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/0014—Monitoring arrangements not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/10069—Memorized or pre-programmed characteristics, e.g. look-up table [LUT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
- H01S3/2308—Amplifier arrangements, e.g. MOPA
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
Description
本出願は、2016年1月8日に出願された、「GAS MIXTURE CONTROL IN A GAS DISCHARGE LIGHT SOURCE」と題する米国仮出願第62/276,522号の利益を主張し、参照により全体が本願に含まれる。
Claims (32)
- 1つ以上のガス放電チャンバを含むガス放電システムを備えるガス放電光源を動作させる方法であって、各ガス放電チャンバはエネルギ源を収容し、
前記ガス放電システムの前記ガス放電チャンバの各々に各ガス混合物を充填することと、
各ガス放電チャンバにおいて、そのエネルギ源を活性化することでパルス化エネルギを前記各ガス混合物に供給し、これによって前記ガス放電チャンバからパルス化増幅光ビームを生成することと、
前記ガス放電システムの1つ以上の特性を決定することと、
前記ガス放電システムの前記決定された1つ以上の特性に基づいて複数の実行可能なスキームからガス保守スキームを選択することと、
前記選択されたガス保守スキームを前記ガス放電システムに適用することと、を含み、
ガス保守スキームは、前記ガス放電システムの前記ガス放電チャンバに1つ以上の補足ガス混合物を追加することに関連した1つ以上のパラメータを含む、方法。 - 前記ガス放電システムの1つ以上の特性を決定することは、前記ガス放電システムにおける前記ガス放電チャンバの各々の1つ以上の特性を決定することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記選択されたガス保守スキームを前記ガス放電システムに適用することは、前記選択されたガス保守スキームを前記ガス放電システムの前記ガス放電チャンバの各々に適用することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ガス放電システムは、2つのガス放電チャンバを含む、請求項1に記載の方法。
- ガス放電チャンバに前記各ガス混合物を充填することは、前記ガス放電チャンバに利得媒質とバッファガスとの混合物を充填することを含む、請求項1に記載の方法。
- ガス放電チャンバに前記利得媒質と前記バッファガスとの前記混合物を充填することは、前記ガス放電チャンバに、貴ガス及びハロゲンを含む利得媒質と不活性ガスを含むバッファガスとを充填することを含む、請求項5に記載の方法。
- 前記貴ガスは、アルゴン、クリプトン、又はキセノンを含み、
前記ハロゲンは、フッ素を含み、
前記不活性ガスは、ヘリウム又はネオンを含む、請求項6に記載の方法。 - エネルギ源を活性化することで前記パルス化エネルギを各ガス混合物に供給することは、前記ガス混合物内のハロゲンに電気的刺激を与えるように、前記ガス放電チャンバ内の電極対にパルス化電圧を印加することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ガス放電システムの1つ以上の特性を決定することは、ガス放電チャンバに前記ガス混合物が充填された回数及びそのガス放電チャンバの前記エネルギ源が活性化された頻度のうち1つ以上に基づいて、前記ガス放電システムの前記ガス放電チャンバのうち少なくとも1つの使用年数を決定することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ガス放電システムの前記1つ以上の特性を決定すること、前記ガス保守スキームを選択すること、及び、前記選択されたガス保守スキームを前記ガス放電システムに適用することは、前記1つ以上のガス放電チャンバの前記ガス混合物にパルス化エネルギが供給されている間に実行される、請求項1に記載の方法。
- 前記ガス放電システムの前記1つ以上の特性を決定すること、前記ガス保守スキームを選択すること、及び、前記選択されたガス保守スキームを前記ガス放電システムに適用することは、前記ガス放電チャンバのいずれの前記ガス混合物にもパルス化エネルギが供給されていない間に実行される、請求項1に記載の方法。
- 前記複数の実行可能なガス保守スキームから前記ガス保守スキームを選択することは、前記ガス放電チャンバのうち少なくとも1つの使用年数が第1の範囲内であると判定された場合に標準的なガス注入スキームを選択することを含み、
前記選択されたガス注入スキームを前記ガス放電システムに適用することは、前記少なくとも1つのガス放電チャンバの前記ガス混合物に少なくとも第1の量のバッファガスを送り込むことを含み、
前記複数の実行可能なガス保守スキームから前記ガス保守スキームを選択することは、前記少なくとも1つのガス放電チャンバの使用年数が第2の範囲内であると判定された場合に節約ガス注入スキームを選択することを含み、
前記選択された節約ガス注入スキームを前記ガス放電システムに適用することは、前記少なくとも1つのガス放電チャンバの前記ガス混合物に、前記第1の量よりも少ない第2の量の前記バッファガスを送り込むことを含む、請求項1に記載の方法。 - 前記複数の実行可能なガス保守スキームから前記ガス保守スキームを選択することは、前記少なくとも1つのガス放電チャンバの使用年数が第3の範囲内であると判定された場合に別の節約ガス注入スキームを選択することを含み、
前記選択されたガス注入スキームを前記ガス放電システムに適用することは、前記少なくとも1つのガス放電チャンバの前記ガス混合物に、前記第1の量よりも少ないが前記第2の量よりも多い第3の量の前記バッファガスを送り込むことを含む、請求項12に記載の方法。 - 前記第1の範囲は、ある下限値以下の値であり、
前記第2の範囲は、前記下限値よりも大きい値であり、
前記第3の範囲は、ある上限値よりも大きい値である、請求項13に記載の方法。 - 前記第1の範囲は、前記使用年数の第1の値であり、
前記第2の範囲は、前記使用年数の第2の値であり、
前記第3の範囲は、前記使用年数の第3の値である、請求項13に記載の方法。 - 前記第1の範囲は、前記使用年数の第1の値であり、
前記第2の範囲は、前記使用年数の第2の値である、請求項12に記載の方法。 - 前記第2の範囲は、前記第1の範囲とは別個である、請求項12に記載の方法。
- 前記複数の実行可能なガス保守スキームから前記ガス保守スキームを選択することは、前記ガス放電チャンバのうち少なくとも1つの使用年数が第1の範囲内であると判定された場合に標準的なガス注入スキームを選択することを含み、
前記選択されたガス注入スキームを前記ガス放電システムに適用することは、第1の時間的頻度で前記少なくとも1つのガス放電チャンバの前記ガス混合物へのバッファガスの注入を実行することを含み、
前記複数の実行可能なガス保守スキームから前記ガス保守スキームを選択することは、前記少なくとも1つのガス放電チャンバの前記使用年数が第2の範囲内であると判定された場合に節約ガス注入スキームを選択することを含み、
前記選択された節約ガス注入スキームを前記ガス放電システムに適用することは、前記第1の時間的頻度とは異なる第2の時間的頻度で前記少なくとも1つのガス放電チャンバの前記ガス混合物への前記バッファガスの注入を実行することを含む、請求項1に記載の方法。 - 前記第2の時間的頻度は、前記第1の時間的頻度よりも低い、請求項18に記載の方法。
- 前記少なくとも1つのガス放電チャンバの前記ガス混合物への前記バッファガスの注入を実行することは、前記少なくとも1つのガス放電チャンバの前記ガス混合物に前記利得媒質の1つ以上の成分を注入することも含む、請求項18に記載の方法。
- 前記ガス放電光源の1つ以上の動作特性を監視することと、
前記1つ以上の監視された動作特性のいずれかが今後のある時点において許容可能範囲外になるか否かを判定することと、
前記1つ以上の監視された動作特性のいずれかが今後のある時点において許容可能範囲外になると判定された場合、回復ガス保守スキームを選択し、前記選択された回復ガス保守スキームを前記ガス放電システムに適用することと、
を更に含む、請求項1に記載の方法。 - 前記選択された回復ガス保守スキームを前記ガス放電システムに適用することは、回復注入スキーム及び再充填スキームのうち1つ以上を前記ガス放電システムに適用することを含む、請求項21に記載の方法。
- 前記選択された回復注入スキームを前記ガス放電システムに適用することは、前記ガス放電チャンバのうち少なくとも1つの前記ガス混合物にバッファガスの注入を実行し、前記少なくとも1つのガス放電チャンバの前記ガス混合物内の前記バッファガスの相対量を増大させることを含む、請求項22に記載の方法。
- 前記少なくとも1つのガス放電チャンバの前記ガス混合物に前記バッファガスの前記注入を実行し、前記少なくとも1つのガス放電チャンバの前記ガス混合物内の前記バッファガスの前記相対量を増大させることは、前記注入を実行する時間的頻度を変更すること、及び、前記1つ以上の監視された動作特性のいずれかが許容可能範囲外になるという判定の前に送り込まれた量とは異なる量のバッファガスを前記ガス混合物に送り込むこと、のうち1つ以上を含む、請求項23に記載の方法。
- 前記注入を実行する前記時間的頻度を変更することは、前記注入を実行する頻度を高くすることを含み、
前記1つ以上の監視された動作特性のいずれかが許容可能範囲外になるという判定の前に送り込まれた量とは異なる量のバッファガスを前記ガス混合物に送り込むことは、前記1つ以上の監視された動作特性のいずれかが許容可能範囲外になるという判定の前に送り込まれたものよりも少ないバッファガスを前記ガス混合物に送り込むことを含む、請求項24に記載の方法。 - 前記選択されたガス保守スキームを前記ガス放電システムに適用することは、前記ガス放電チャンバの各々に各ガス混合物を充填した後に実行される、請求項1に記載の方法。
- 前記選択されたガス保守スキームを前記ガス放電システムに適用した後、前記ガス放電チャンバに対して再充填スキームを実行することを更に含み、
前記再充填スキームは、
前記ガス放電システムの前記ガス放電チャンバの各々を空にすることと、
各ガス放電チャンバに新しいガス混合物を再充填することと、
を含む、請求項26に記載の方法。 - ガス保守スキームは、以下のパラメータ、すなわち
前記ガス混合物に送り込まれる成分ガスの量、及び
前記ガス混合物への前記成分ガスの注入を実行する時間的頻度、
のうち1つ以上を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記成分ガスは、前記ガス混合物のバッファガスであり、
前記ガス混合物は、利得媒質を含む、請求項28に記載の方法。 - 前記ガス保守スキームのうち1つは、前記ガス放電チャンバのうち少なくとも1つを空にすることと、空にしたガス放電チャンバに新しいガス混合物を再充填することと、を含む再充填スキームである、請求項1に記載の方法。
- 1つ以上のガス放電チャンバを含むガス放電光源を動作させる方法であって、
エネルギ源を収容しているガス放電チャンバにガス混合物を充填することと、
前記エネルギ源を活性化することでパルス化エネルギを前記ガス混合物に供給し、これによってパルス化増幅光ビームを生成することと、
前記ガス放電チャンバの1つ以上の特性を決定することと、
前記ガス放電チャンバの前記決定された1つ以上の特性に基づいて複数の実行可能な注入スキームから注入スキームを選択することと、
前記選択された注入スキームを前記ガス放電チャンバに適用することと、を含み、
注入スキームは、前記ガス放電チャンバに1つ以上の補足ガス混合物を追加することに関連した1つ以上のパラメータを含む、方法。 - 1つ以上のガス放電チャンバを含むガス放電システムであって、各ガス放電チャンバはエネルギ源を収容すると共に利得媒質を含むガス混合物を含む、ガス放電システムと、
ガス保守システムであって、
ガス供給システムと、
監視システムと、
前記ガス供給システム及び前記監視システムに結合された制御システムであって、
各エネルギ源を活性化し、それによってそのガス放電チャンバからパルス化増幅光ビームを生成するための信号を与え、
前記監視システムから情報を受信し、この受信した情報に基づいて前記ガス放電システムの1つ以上の特性を決定し、
前記ガス放電システムの前記決定された1つ以上の特性に基づいて複数の実行可能なスキームからガス保守スキームを選択し、
前記ガス供給システムに信号を与え、これによって前記選択されたガス保守スキームを前記ガス放電システムに適用する、
ように構成された制御システムと、を有するガス保守システムと、を備え、
ガス保守スキームは、前記ガス放電システムの前記ガス放電チャンバに1つ以上の補足ガス混合物を追加することに関連した1つ以上のパラメータを含む、
ガス放電光源。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201662276522P | 2016-01-08 | 2016-01-08 | |
US62/276,522 | 2016-01-08 | ||
US15/132,803 | 2016-04-19 | ||
US15/132,803 US9819136B2 (en) | 2016-01-08 | 2016-04-19 | Gas mixture control in a gas discharge light source |
PCT/US2016/060680 WO2017119946A1 (en) | 2016-01-08 | 2016-11-04 | Gas mixture control in a gas discharge light source |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019501532A true JP2019501532A (ja) | 2019-01-17 |
JP6721687B2 JP6721687B2 (ja) | 2020-07-15 |
Family
ID=59273861
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018533931A Active JP6721687B2 (ja) | 2016-01-08 | 2016-11-04 | ガス放電光源におけるガス混合物制御 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9819136B2 (ja) |
JP (1) | JP6721687B2 (ja) |
KR (2) | KR102343679B1 (ja) |
CN (2) | CN112234414B (ja) |
TW (2) | TWI670750B (ja) |
WO (1) | WO2017119946A1 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9819136B2 (en) * | 2016-01-08 | 2017-11-14 | Cymer, Llc | Gas mixture control in a gas discharge light source |
WO2019060164A1 (en) * | 2017-09-25 | 2019-03-28 | Cymer, Llc | FLUORINE DETECTION IN A GAS DISCHARGE LIGHT SOURCE |
WO2019160548A1 (en) | 2018-02-15 | 2019-08-22 | Cymer, Llc | Gas management system |
US11949203B2 (en) | 2018-02-15 | 2024-04-02 | Cymer, Llc | Gas management system |
US11354617B1 (en) | 2018-03-12 | 2022-06-07 | Amazon Technologies, Inc. | Managing shipments based on data from a sensor-based automatic replenishment device |
US11137479B1 (en) | 2018-03-20 | 2021-10-05 | Amazon Technologies, Inc. | Product specific correction for a sensor-based device |
US10909610B1 (en) | 2018-03-21 | 2021-02-02 | Amazon Technologies, Inc. | Method, system and computer-readable medium for automatic replenishment of items utilizing a sensor-based device |
US11023855B1 (en) | 2018-03-21 | 2021-06-01 | Amazon Technologies, Inc. | Managing electronic requests associated with items stored by automatic replenishment devices |
US10373118B1 (en) | 2018-03-21 | 2019-08-06 | Amazon Technologies, Inc. | Predictive consolidation system based on sensor data |
US10846780B2 (en) | 2018-03-21 | 2020-11-24 | Amazon Technologies, Inc. | Order quantity and product recommendations based on sensor data |
US10853870B2 (en) | 2018-03-22 | 2020-12-01 | Amazon Technologies, Inc. | Product and lid identification for sensor-based device |
US11010711B1 (en) * | 2018-03-23 | 2021-05-18 | Amazon Technologies, Inc. | Test-enabled measurements for a sensor-based device |
US11361011B1 (en) | 2018-04-26 | 2022-06-14 | Amazon Technologies, Inc. | Sensor-related improvements to automatic replenishment devices |
CN115931631A (zh) * | 2018-06-13 | 2023-04-07 | 西默有限公司 | 气体监测系统 |
TWI820776B (zh) * | 2019-08-29 | 2023-11-01 | 美商希瑪有限責任公司 | 氣體放電光源中之氟偵測 |
CN114616729A (zh) * | 2019-09-19 | 2022-06-10 | 西默有限公司 | 气体控制方法和相关用途 |
JP2024526151A (ja) * | 2021-07-01 | 2024-07-17 | サイマー リミテッド ライアビリティ カンパニー | ガス放電ステージ用のガス制御装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4977573A (en) * | 1989-03-09 | 1990-12-11 | Questek, Inc. | Excimer laser output control device |
JPH04120782A (ja) * | 1990-09-12 | 1992-04-21 | Hitachi Ltd | ハロゲンガス注入型エキシマレーザ装置のハロゲンガス注入方法 |
JPH07321389A (ja) * | 1994-05-24 | 1995-12-08 | Nec Corp | エキシマレーザ |
JP2000151002A (ja) * | 1998-10-05 | 2000-05-30 | Lambda Physik G Zur Herstellung Von Lasern Mbh | ガス放電レ―ザの性能制御方法 |
JP2000294857A (ja) * | 1999-03-17 | 2000-10-20 | Lambda Physik G Zur Herstellung Von Lasern Mbh | ガス放電レーザシステム及びその制御方法 |
JP2010519782A (ja) * | 2007-02-26 | 2010-06-03 | サイマー インコーポレイテッド | レーザガス注入システム |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3743258A1 (de) * | 1987-02-23 | 1988-09-01 | Messer Griesheim Gmbh | Verfahren zur elektrischen anregung eines lasergases |
JP2592085B2 (ja) * | 1988-02-09 | 1997-03-19 | マツダ株式会社 | アンチロック装置 |
DE69434100T2 (de) * | 1994-08-31 | 2006-02-02 | Cymer, Inc., San Diego | Verfahren und gerät zum wiederauffüllen von excimer-lasern mit gas |
US6331994B1 (en) * | 1996-07-19 | 2001-12-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Excimer laser oscillation apparatus and method, excimer laser exposure apparatus, and laser tube |
US6240117B1 (en) * | 1998-01-30 | 2001-05-29 | Cymer, Inc. | Fluorine control system with fluorine monitor |
US6160832A (en) * | 1998-06-01 | 2000-12-12 | Lambda Physik Gmbh | Method and apparatus for wavelength calibration |
US6212214B1 (en) * | 1998-10-05 | 2001-04-03 | Lambda Physik Ag | Performance control system and method for gas discharge lasers |
US6526085B2 (en) * | 1998-10-05 | 2003-02-25 | Lambda Physik Ag | Performance control system and method for gas discharge lasers |
US6618421B2 (en) * | 1998-07-18 | 2003-09-09 | Cymer, Inc. | High repetition rate gas discharge laser with precise pulse timing control |
US6965624B2 (en) * | 1999-03-17 | 2005-11-15 | Lambda Physik Ag | Laser gas replenishment method |
US6389052B2 (en) * | 1999-03-17 | 2002-05-14 | Lambda Physik Ag | Laser gas replenishment method |
US6727731B1 (en) * | 1999-03-12 | 2004-04-27 | Lambda Physik Ag | Energy control for an excimer or molecular fluorine laser |
US6865210B2 (en) * | 2001-05-03 | 2005-03-08 | Cymer, Inc. | Timing control for two-chamber gas discharge laser system |
US6721345B2 (en) * | 2000-07-14 | 2004-04-13 | Lambda Physik Ag | Electrostatic precipitator corona discharge ignition voltage probe for gas status detection and control system for gas discharge lasers |
US6963595B2 (en) * | 2001-08-29 | 2005-11-08 | Cymer, Inc. | Automatic gas control system for a gas discharge laser |
US8492994B2 (en) * | 2008-10-22 | 2013-07-23 | Osram Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Method and circuit arrangement for making a lamp wattage available for operating at least one gas discharge lamp |
CN101499606B (zh) * | 2009-02-27 | 2010-08-04 | 山东科技大学 | THz光纤激光器 |
US8295316B2 (en) * | 2010-03-24 | 2012-10-23 | Cymer, Inc. | Method and system for managing light source operation |
US8411720B2 (en) * | 2011-06-30 | 2013-04-02 | Cymer, Inc. | System and method for automatic gas optimization in a two-chamber gas discharge laser system |
US8873600B2 (en) * | 2011-06-30 | 2014-10-28 | Cymer, Llc | System and method for high accuracy gas refill in a two chamber gas discharge laser system |
WO2013078456A2 (en) * | 2011-11-23 | 2013-05-30 | Ipg Microsystems Llc | Continuous mass flow gas replenishment for gas lasing devices |
CN102631846B (zh) * | 2012-04-16 | 2015-02-04 | 江苏大学 | 一种用于多种气体按规定比例混合的方法和装置 |
CN102969649A (zh) * | 2012-12-20 | 2013-03-13 | 中国科学院光电研究院 | 准分子激光器复合腔 |
US9209595B2 (en) * | 2014-01-31 | 2015-12-08 | Asml Netherlands B.V. | Catalytic conversion of an optical amplifier gas medium |
US9130337B1 (en) | 2014-09-10 | 2015-09-08 | Cymer, Llc | System and method for automatic gas optimization in a two-chamber gas discharge laser system |
US9615439B2 (en) * | 2015-01-09 | 2017-04-04 | Kla-Tencor Corporation | System and method for inhibiting radiative emission of a laser-sustained plasma source |
CN104810708B (zh) * | 2015-04-29 | 2018-03-06 | 东莞市鼎先激光科技股份有限公司 | 一种高功率气体激光器用阳极进气喷嘴 |
US9819136B2 (en) * | 2016-01-08 | 2017-11-14 | Cymer, Llc | Gas mixture control in a gas discharge light source |
-
2016
- 2016-04-19 US US15/132,803 patent/US9819136B2/en active Active
- 2016-11-04 CN CN202011111824.8A patent/CN112234414B/zh active Active
- 2016-11-04 JP JP2018533931A patent/JP6721687B2/ja active Active
- 2016-11-04 CN CN201680081010.XA patent/CN108604763B/zh active Active
- 2016-11-04 KR KR1020217004882A patent/KR102343679B1/ko active IP Right Grant
- 2016-11-04 KR KR1020187022786A patent/KR102219779B1/ko active IP Right Grant
- 2016-11-04 WO PCT/US2016/060680 patent/WO2017119946A1/en active Application Filing
- 2016-12-08 TW TW107112097A patent/TWI670750B/zh active
- 2016-12-08 TW TW105140607A patent/TWI629705B/zh active
-
2017
- 2017-04-24 US US15/495,455 patent/US10090629B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4977573A (en) * | 1989-03-09 | 1990-12-11 | Questek, Inc. | Excimer laser output control device |
JPH04120782A (ja) * | 1990-09-12 | 1992-04-21 | Hitachi Ltd | ハロゲンガス注入型エキシマレーザ装置のハロゲンガス注入方法 |
JPH07321389A (ja) * | 1994-05-24 | 1995-12-08 | Nec Corp | エキシマレーザ |
JP2000151002A (ja) * | 1998-10-05 | 2000-05-30 | Lambda Physik G Zur Herstellung Von Lasern Mbh | ガス放電レ―ザの性能制御方法 |
JP2000294857A (ja) * | 1999-03-17 | 2000-10-20 | Lambda Physik G Zur Herstellung Von Lasern Mbh | ガス放電レーザシステム及びその制御方法 |
JP2010519782A (ja) * | 2007-02-26 | 2010-06-03 | サイマー インコーポレイテッド | レーザガス注入システム |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
AGGARWAL, TANUJ AND O'BRIEN, KEVIN: "DUV ArF light source automated gas optimization for enhanced repeatability and availability", PROCEEDINGS OF SPIE, vol. 9426, JPN7019001972, 18 March 2015 (2015-03-18), US, pages 942624 - 1, ISSN: 0004220204 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20170201057A1 (en) | 2017-07-13 |
KR102219779B1 (ko) | 2021-02-23 |
JP6721687B2 (ja) | 2020-07-15 |
KR20180100215A (ko) | 2018-09-07 |
CN108604763A (zh) | 2018-09-28 |
CN112234414A (zh) | 2021-01-15 |
US10090629B2 (en) | 2018-10-02 |
KR102343679B1 (ko) | 2021-12-24 |
CN108604763B (zh) | 2020-11-06 |
WO2017119946A1 (en) | 2017-07-13 |
CN112234414B (zh) | 2024-08-27 |
US20170229832A1 (en) | 2017-08-10 |
TW201730914A (zh) | 2017-09-01 |
TWI670750B (zh) | 2019-09-01 |
US9819136B2 (en) | 2017-11-14 |
TW201826319A (zh) | 2018-07-16 |
KR20210021150A (ko) | 2021-02-24 |
TWI629705B (zh) | 2018-07-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6721687B2 (ja) | ガス放電光源におけるガス混合物制御 | |
JP3672449B2 (ja) | 自動フッ素制御システム | |
KR101930894B1 (ko) | 투챔버 가스방전 레이저 시스템 내의 가스 농도를 제어하는 시스템 및 방법 | |
JP6807933B2 (ja) | ガス放電光源におけるガス最適化 | |
KR101940163B1 (ko) | 투 챔버 가스방전 레이저 시스템에서의 자동 가스 최적화 시스템 및 방법 | |
JP5972384B2 (ja) | 2チャンバガス放電レーザシステムにおける高精度ガス注入のためのシステム及び方法 | |
TWI542099B (zh) | 雙腔室氣體放電雷射光源、在一雙腔室氣體放電雷射光源中補充氣體的方法、及非暫態電腦可讀取媒體 | |
KR20220100699A (ko) | 가스 방전 광원 내의 예측 장치 | |
JP2003511865A (ja) | エキシマ又は分子フッ素レーザのエネルギー制御 | |
JPH10505949A (ja) | エキシマレーザ用のガス補充の方法と装置 | |
JP2002198603A (ja) | エキシマレーザ用のガス補充の方法と装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180823 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180823 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190619 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190619 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20190917 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191211 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200226 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200521 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200610 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200618 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6721687 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |