JP2019221007A - 電力変換装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】直流コンデンサを有する電力変換装置において、直流コンデンサ部を初期充電するときの突入電流を、簡便な構成で抑制する電力変換装置を提供する。【解決手段】直流コンデンサ5と、スイッチング素子にダイオードが逆並列に接続されたスイッチ部が直列に接続され、前記直流コンデンサの正側端子に一端が接続され、負側端子に他端が接続される直列回路と、前記スイッチ部同士の接続点に一端が接続され、他端が変圧器を介して電力系統に接続される出力端子と、を含む電力変換部4と、前記スイッチング素子をオンまたはオフさせるためのゲート電圧を出力する駆動部と、前記スイッチング素子に前記ゲート電圧を出力させるためのオン指令またはオフ指令を前記駆動部に出力する制御部と、を備える。前記制御部は、前記直流コンデンサを電力系統の電力を用いて初期充電する際、前記駆動部にオフ指令を出力することを特徴とする電力変換装置。【選択図】図1

Description

本発明は、直流コンデンサを備える電力変換装置、特に電力系統に連系され、直流コンデンサを初期充電する電力変換装置に関する。
電力変換装置の一例として、無効電力補償装置がある。無効電力補償装置は、連系インピーダンスを介して電力系統と同位相で振幅制御された電圧を出力する装置であり、系統電圧の変動を抑制するために設置される。
図7に示す一般的な電力変換装置を含むインバータシステム100は、遮断器2、変圧器3、電力変換部4、直流コンデンサ部5、スイッチ部6、充電回路部7、制御部8を備える。
電力変換部4は、変圧器3を介して電力系統1と接続されている。遮断器2は、変圧器3と電力系統1との間に介挿されている。また、スイッチ部6は変圧器3と電力変換部4との間に介挿されている。充電回路部7は、スイッチ部6に並列に接続されている。直流コンデンサ部5は、一端が電力変換部4のP端子(高電圧入力端子)に、他端がN端子(低電圧入力端子)に接続されている。充電回路7は、突入電流抑制抵抗部7aとスイッチ部7bが直列に接続されている直列回路を含む。制御部8は、電力変換部4が直流電力を交流電力に変換するための制御を行い、さらにスイッチ部6及び充電回路部7のスイッチ部7b、遮断器2のオンオフを制御するための指令を出力する。
<初期充電動作>
インバータシステム100の起動前には、直流コンデンサ部5は、電力系統1の電力を用いて初期充電される。具体的には以下の通りである。インバータシステム100は、はじめ電力系統から切り離されているため、スイッチ部6、スイッチ部7b、遮断器2はオフ状態である。
まず、制御部8は、遮断器2をオンするための指令を出力し、次にスイッチ部7bをオンするための指令を出力する。遮断器2とスイッチ部7bがオン状態となると、電力系統1から遮断器2を介して変圧器3の2次側に交流電力が供給される。変圧器3は、電力系統1から供給された交流電力を昇圧または降圧して電力変換部4に供給する。電力変換部4は、変圧器によって昇圧または降圧された交流電力を直流電力に変換するとともに、直流コンデンサ部5に直流電力を供給する。
制御部8は、直流コンデンサの電圧を検出する図示しない電圧検出部、または直流コンデンサの電流を検出する図示しない電流検出部によって、直流コンデンサ部5の充電完了を検知する。制御部8は、充電完了を検知後、スイッチ部7bをオフする指令を出力する。
特開平9−185423号公報
従来技術において、電力系統から電力変換装置の直流コンデンサ部を充電する場合、過大な突入電流による装置の故障を防ぐため、前述のとおり突入電流抑制抵抗部と、通常運転時に突入電流抑制抵抗部を短絡するスイッチ部が必要となる。また、低圧電源から直流コンデンサを充電する方式もあるが、専用の充電回路を付加するため、装置の大型化、コスト増となる。
したがって、この発明の課題は、直流コンデンサを初期充電するときの突入電流を抑制する電力変換装置を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明は以下の技術的特徴を有する。

直流コンデンサと、スイッチング素子にダイオードが逆並列に接続されたスイッチ部が直列に接続され、前記直流コンデンサの正側端子に一端が接続され、負側端子に他端が接続される直列回路と、前記スイッチ部同士の接続点に一端が接続され、電力系統に変圧器を介して他端が接続される出力端子と、を含む電力変換部と、前記スイッチング素子をオンまたはオフさせるためのゲート電圧を出力する駆動部と、前記スイッチング素子に前記ゲート電圧を出力させるためのオン指令またはオフ指令を前記駆動部に出力する制御部と、を備え、前記制御部は、
前記直流コンデンサを電力系統の電力を用いて初期充電する際、前記駆動部にオフ指令を出力することを特徴とする電力変換装置である。
上記のような構成とすることで、電力系統から変圧器と電力変換部を介して直流コンデンサの充電を行う際の突入電流の抑制を実現できる。
本発明の実施形態を説明するためのインバータ装置200の概略構成である。 本発明の実施形態を説明するための電力変換部4の回路構成である。 本発明の第2の実施形態を説明するための電力変換部4の1相分の回路構成である。 本発明の第2の実施形態を説明するためのスイッチング素子の特性例である。 本発明の第3の実施形態を説明するための電力変換部4の1相分の回路構成である。 本発明の第4の実施形態を説明するための電力変換部4の1相分の回路構成である。 従来のインバータシステム100の概略構成である。
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
図1〜図6を参照して、本発明の実施形態によるゲート駆動装置の構成について説明する。図7に示した従来のインバータシステム100と同様の機能、略相当する箇所は、同じ番号を付与し、説明を省略する。
<第1の実施例>
図1は、本発明の実施形態によるインバータシステム200の概略構成を示している。図1に示す一般的な電力変換装置を含むインバータシステム200は、遮断器2、変圧器3、電力変換部4、直流コンデンサ部5、制御部8を備える。
電力変換部4は、変圧器3を介して電力系統1と接続されている。遮断器2は、変圧器3と電力系統1との間に介挿されている。直流コンデンサ部5は、一端が電力変換部4のP端子(高電圧入力端子)に、他端がN端子(低電圧入力端子)に接続されている。制御部8は、電力変換部4が直流電力を交流電力に変換するための制御を行い、遮断器2のオンオフを制御するための指令を出力する。
図2は、図1に示した電力変換部4の回路構成である。電力変換部4は、スイッチング素子41a〜41f(図2では、スイッチング素子としてMOSFET(Metal Oxide SemiConductor Field Effect Transistor)を使用している)と、スイッチング素子と逆並列に接続されたダイオード42a〜42f、スイッチング素子41a〜41fのオンオフを制御するためのゲート電圧を供給する駆動部43a〜43fを備える。
本実施例では、ダイオード42a〜42fは、通電時の電圧、すなわちオン電圧Vfが高い素子である。突入電流抑制抵抗部は一般的に数十ohmから数百ohmであるため、この値を考慮してVfを決定してもよい。また、MOSFETに含まれる寄生ダイオードであってもよい。また、スイッチング素子41a〜41f、ダイオード42a〜42fはシリコンを基材とした半導体素子、またはSiC、GaN等を基材としたワイドバンドギャップ半導体素子であってもよい。
スイッチング素子41a〜41fは、それぞれ2素子が直列に接続され、上アームと下アームを構成し、P電源線とN電源線に接続されている。2素子の接続点からは出力電源線であるU電源線、V電源線、W電源線が接続されている。
<初期充電>
インバータシステム200は、はじめ電力系統から切り離されているため、遮断器2はオフ状態である。
まず、制御部8は、遮断器2をオンするための指令を出力する。遮断器2がオン状態となると、電力系統1から遮断器2を介して変圧器3の2次側に交流電力が供給される。変圧器3は、電力系統1から供給された交流電力を昇圧または降圧して電力変換部4に供給する。電力変換部4は、変圧器によって昇圧または降圧された交流電力を直流電力に変換するとともに、直流コンデンサ部5に直流電力を供給する。
このとき、制御部8は、スイッチング素子41a〜41fのオフ指令を出力し、駆動部43a〜43fは、スイッチング素子41a〜41fを全てオフ状態に制御している。電力変換部4は電力系統1側からみるとダイオード42a〜42fによってフルブリッジ整流回路の構成となっている。このため、電力系統1から変圧器3、ダイオード42a〜42fを介して直流コンデンサ部5が充電される。
本実施形態において、ダイオード42a〜42fは、通電時の電圧、すなわちオン電圧Vfが高い素子であるため、突入電流抑制抵抗部7aがなくとも、ダイオード42a〜42fによって突入電流が抑制される。
制御部8は、直流コンデンサの電圧を検出する図示しない電圧検出部、または直流コンデンサの電流を検出する図示しない電流検出部によって、直流コンデンサ部5の充電完了を検知する。
<第2の実施例>
図3は、本発明の第2の実施形態を説明するための電力変換部4の1相分の回路構成を示している。
第1の実施例の電力変換部4の構成に加えて、電力変換部4は、電流検出部20、判定部21を備える。
電流検出部20は、スイッチング素子41のドレイン端子側に接続されている。判定部21は、電流検出部20からの電流値を受信し、電流値が所定の値を超えたとき、駆動部43にスイッチング素子41をオンさせるための指令(第1のオン指令)を出力する。電流は、ダイオード42の順方向に通電する向きを正であるものとする。駆動部43は、判別部21から第1のオン指令が入力されると、スイッチング素子41をオン制御するための第1のゲート電圧を出力する。本実施例において、電流検出部20は、スイッチング素子41のドレイン端子側に接続されているが、ソース端子側に接続されていてもよい。
電流検出部20は、スイッチング素子41とダイオード42に通電する電流の総和を検出している。ダイオード42に通電する電流値は、例えば図示しないスイッチング素子41の電流センスの値を電流検出部20の検出値から差し引いた値を用いてもよい。または、電流検出部20の検出値に対してスイッチング素子41とダイオード42の電流分担を予め取得したデータベースを使用してもよい。データベースは、判定部21の図示しない記憶部に保存され、判定部21は、受信した電流値に応じてスイッチング素子41に通電する電流値を算出する。
なお、判定部21が第1のオン指令を出力するための所定の値は、ダイオード42の通電時の温度等を考慮して決定してもよい。また、ダイオード42が寄生ダイオードであって、スイッチング素子41がワイドバンドギャップ半導体素子であるとき、寄生ダイオードの劣化が生じる場合があるため、寄生ダイオードの劣化を考慮して所定の値を決定してもよい。加えて、判定部21は、電流検出部20の電流の極性に応じて、スイッチング素子41に対して第1のオン指令を出力してもよい。
駆動部43は、通常のインバータ動作におけるゲート電圧VGSよりも低い電圧(第1のゲート電圧)でスイッチング素子41をオンしてもよい。図4は、スイッチング素子の特性例を示している。図4(a)は、図4(b)に示したスイッチング素子の電流電圧特性である。スイッチング素子に与えるゲート電圧VGSの値によって、同じ電流を流したときのオン電圧が変化することがわかる。なお、通常のインバータ動作におけるゲート電圧VGSは、例えば15〜20V程度である。
GSを低い値でスイッチング素子41をオンすることで、電流がスイッチング素子41とダイオード42に分流するため、ダイオード42の温度上昇を抑制することができる。
このような構成とすることで、突入電流を抑制するとともに、ダイオード42の温度上昇を抑制することができる。
また、スイッチング素子41をオンした後、電流検出部20で検出した電流値が、再度所定の値を超える場合は、判別部21はVGSの値をそれまでスイッチング素子41に与えていた電圧値よりも大きな電圧値(第2のゲート電圧)となるように駆動部43に第2のオン指令を出力する。VGSの値は、第2のオン指令出力後でも電流値が所定の値を超える場合は、再度変更してもよい。
また、電流値が所定の値を下回ったとき、または電流がゼロ近傍となったときは、判別部21は、スイッチング素子41への第1および第2のオン指令の出力を停止する。
駆動部43は、第1のオン指令と第2のオン指令がハイレベルまたはローレベルであるかに応じたゲート電圧を出力してもよい。例えば、駆動部43は、受信した第1のオン指令がローレベルあり、第2のオン指令がローレベルである場合は、ゲート電圧を出力しない。第1のオン指令がハイレベルあり、第2のオン指令がローレベルである場合は、駆動部43は第1のゲート電圧を出力し、第1のオン指令がハイレベルあり、第2のオン指令がハイレベルである場合は、駆動部43は第2のゲート電圧を出力する。
このような構成とすることで、突入電流を抑制するとともに、電流がスイッチング素子41とダイオード42に分流するため、ダイオード42の温度上昇を抑制することができる。
<第3の実施例>
図5は、本実施形態の第3の実施例を示している。電流検出部20は、出力線に接続されており、検出した値は、上下アームの判定部43に出力される。
電流検出部20で検出した電流の極性が、図中矢印の向きであれば、上アームに電流が通電しているということであり、判定部21aは、駆動部43aに第1のオン指令を出力する。一方、検出した電流の極性が、図中矢印と逆向きであれば、下アームに電流が通電しているということであるため、判定部21bは、駆動部43bに第1のオン指令を出力する。
なお、第3の実施例においても、検出した電流値が所定の値を超えないように、VGSを同様に調整する。
<第4の実施例>
図6は、本実施形態の第4の実施例を示している。電力変換部4は、電流検出部20に替えて、電圧検出部24、判定部23を含む。電圧検出部24は、スイッチング素子41のドレインとソース間に接続され、VDSを検出する。判定部23は、検出されたVDSを受信し、VDSの極性に基づいて、スイッチング素子41をオンさせるためのオン指令を駆動部43に出力する。
なお、第4の実施例においても、検出した電流が所定の値を超えないように、VGSを同様に調整する。
以上、本発明を実施形態に沿って説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施形態に、変更または改良を加えることが可能であることは当業者には明らかである。
1 電力系統
2 遮断器
3 変圧器
4 電力変換部
5 直流コンデンサ部
6 スイッチ部
7 充電回路
7a 突入電流抑制抵抗部
7b スイッチ部
8 制御部
41 スイッチング素子
42 ダイオード
43 駆動部
20 電流検出部
21 判別部
23 判別部
24 電圧検出部

Claims (12)

  1. 直流コンデンサと、
    スイッチング素子にダイオードが逆並列に接続されたスイッチ部が直列に接続され、前記直流コンデンサの正側端子に一端が接続され、負側端子に他端が接続される直列回路と、
    前記スイッチ部同士の接続点に一端が接続され、他端が変圧器を介して電力系統に接続される出力端子と、
    を含む電力変換部と、
    前記スイッチング素子をオンまたはオフさせるためのゲート電圧を出力する駆動部と、
    前記スイッチング素子に前記ゲート電圧を出力させるためのオン指令またはオフ指令を前記駆動部に出力する制御部と、
    を備え、
    前記制御部は、
    前記直流コンデンサを電力系統の電力を用いて初期充電する際、前記駆動部にオフ指令を出力すること
    を特徴とする電力変換装置。
  2. 請求項1記載の電力変換装置であって、
    前記スイッチ部に通電する電流を検出する電流検出部と、
    前記初期充電の際、
    検出した前記電流値に基づいて、前記駆動部に第1のオン指令を出力する判定部と、
    を更に備えること
    を特徴とする電力変換装置。
  3. 請求項1記載の電力変換装置であって、
    前記スイッチ部に通電する電流を検出する電流検出部と、
    前記初期充電の際、
    検出した前記電流値の極性に基づいて、前記駆動部に第1のオン指令を出力する判定部と、
    を更に備えること
    を特徴とする電力変換装置。
  4. 前記判定部は、
    前記初期充電の際、
    前記電流値が所定の値を超えたことに応じて、前記駆動部に第1のオン指令を出力すること
    を特徴とする請求項2に記載の電力変換装置。
  5. 前記判定部は、
    前記初期充電の際、
    前記電流値の極性に加えて、前記電流値が所定の値を超えたことに基づいて、前記駆動部に第1のオン指令を出力すること
    を特徴とする請求項3に記載の電力変換装置。
  6. 前記判定部は、
    前記初期充電の際、
    前記駆動部に第1のオン指令を出力した後、さらに前記電流値が前記所定の値を超える場合には、前記駆動部に第2のオン指令を出力すること
    を特徴とする請求項2または4に記載の電力変換装置。
  7. 請求項1記載の電力変換装置であって、
    前記スイッチ部の電圧を検出する電圧検出部と、
    前記初期充電の際、
    検出した前記電圧値に基づいて、前記駆動部に第1のオン指令を出力する判定部と、
    を更に備えること
    を特徴とする電力変換装置。
  8. 前記ダイオードは、
    前記スイッチング素子に含まれる寄生ダイオードであること
    を特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載の電力変換装置。
  9. 前記ダイオードは、
    オン電圧が所定値よりも高いこと
    を特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載の電力変換装置。
  10. 前記駆動部は、
    前記第1のオン指令を受信した場合、第1のゲート電圧を前記スイッチング素子に出力し、前記第2のオン指令を受信した場合第2のゲート電圧を前記スイッチング素子に出力すること
    を特徴とする請求項2から8のいずれか一項に記載の電力変換装置。
  11. 前記スイッチ部は、
    ワイドバンドギャップ半導体素子を含むこと、
    を特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載の電力変換装置。
  12. 前記請求項1から10に記載の電力変換装置は、
    前記電力系統と電力変換器装置の間に介挿される遮断器と、
    前記遮断器と電力変換装置との間に介挿される変圧器と、
    をさらに備え、
    前記制御部は、遮断器をオンオフするための制御をすること
    を特徴とするインバータシステム。
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