JP2011036019A - 電力変換装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】200V系の交流電源(1)に接続され、該交流電源(1)からの電流を倍電圧整流するように構成されたコンバータ回路(20)と、6つのスイッチング素子(31)を有してコンバータ回路(20)により倍電圧整流された直流を交流に変換するインバータ回路(30)を備えている。スイッチング素子(31)は、ワイドバンドギャップ半導体が用いられたユニポーラ素子であるSiC-MOSFETからなっている。
【選択図】図1
Description
・本実施形態
(式1)Ron×Irms 2
・従来構成
(式2)Vf×(2√2/π)Irms …ただし、Vf=const.
(式3)αIrms 2+β(2(√2)/π)Irms …ただし、Vf(i)=αi+β
Irmsは電流実効値,RonはSiC-MOSFET(31)のオン抵抗値、VfはSiC-SBDの端子電圧である。(式2)はVfを一定値で近似したものであり、(式3)はVfを一次近似したものである。
(式4)Irms1<(2(√2)/π)Vf/Ron …ただし、Vf=const.
(式5)Irms1<(2(√2)/π)β/(Ron−α) …ただし、Vf(i)=αi+β
(式6)Irms1<0.9/Ron
10 電力変換装置
20 コンバータ回路
30 インバータ回路
31 スイッチング素子
40 制御部
Claims (7)
- 200V系の交流電源(1)に接続され、該交流電源(1)からの電流を倍電圧整流するように構成されたコンバータ回路(20)と、
ユニポーラ素子からなる複数のスイッチング素子(31)を有し、該スイッチング素子(31)のオンオフ動作により、上記コンバータ回路(20)で倍電圧整流された直流を交流に変換するインバータ回路(30)とを備えている
ことを特徴とする電力変換装置。 - 請求項1において、
上記スイッチング素子(31)の少なくとも1つは、ワイドバンドギャップ半導体が用いられたユニポーラ素子からなる
ことを特徴とする電力変換装置。 - 請求項1または2において、
上記スイッチング素子(31)の少なくとも1つは、ノーマリオン型のものである
ことを特徴とする電力変換装置。 - 請求項3において、
上記インバータ回路(30)は、それぞれ上記スイッチング素子(31)を有する上アームおよび下アームから構成され、該上アームおよび下アームの何れか一方のスイッチング素子(31)がノーマリオン型のものである
ことを特徴とする電力変換装置。 - 請求項1または2において、
上記スイッチング素子(31)の内部に逆方向電流が流れる所定のタイミングで該スイッチング素子(31)をオンにして上記インバータ回路(30)の同期整流を行う制御部(40)を備えている
ことを特徴とする電力変換装置。 - 請求項1または2において、
空気調和機に使用されるものである
ことを特徴とする電力変換装置。 - 請求項6において、
上記空気調和機の暖房中間負荷条件における上記スイッチング素子(31)の電流実効値(Irms)とオン抵抗(Ron)との関係が、Irms<0.9/Ronになるように構成されている
ことを特徴とする電力変換装置。
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