JP2019220594A - ウエハ検査装置およびウエハ検査方法 - Google Patents

ウエハ検査装置およびウエハ検査方法 Download PDF

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宏信 西畠
Hironobu Nishibatake
宏信 西畠
井上 直樹
Naoki Inoue
直樹 井上
康之 福武
Yasuyuki Fukutake
康之 福武
昌隆 小嶋
Masataka Kojima
昌隆 小嶋
資晴 徳増
Sukeharu Tokumasu
資晴 徳増
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Kenichi Takayama
研一 高山
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Abstract

【課題】レーザ検査方式と画像検査方式との利点を併せ持つウエハ検査装置およびウエハ検査方法を実現する。【解決手段】本発明に係るウエハ検査装置(D)は、ウエハにレーザ光を照射する光源(11)、二次光を検出する検出器(12)、および、二次光の強度に基づいてウエハを検査するレーザ検査部(15)、を有するレーザ検査装置(1)と、ウエハの表面の観察画像を取得する画像取得装置(21)、画像取得装置を制御する画像取得制御部(23)、および、観察画像に基づいてウエハを検査する画像検査部(24)、を有する画像検査装置(2)と、を備えるウエハ検査装置(D)であって、レーザ検査装置(1)によるレーザ検査結果および画像検査装置(2)による画像検査結果に基づいて、ウエハが有する欠陥部を特定し、かつ、当該欠陥部の欠陥属性を判断することを特徴とする。【選択図】図1

Description

本発明は、ウエハ検査装置およびウエハ検査方法に関する。
従来、半導体素子の製造工程におけるウエハについて、傷、窪み、突起、表面粗さ、うねり、付着物、などの欠陥が存在するか否かを検査するための検査装置が汎用されている。半導体素子の製造工程においては、かかる検査装置により欠陥の存在およびその属性を特定することによって、製品の品質の保証および製造工程の不具合の発見が実現されている。
このような検査装置としては、たとえば、特開2008−241570号公報(特許文献1)に記載された、ウエハにレーザ光を照射した際に生じる散乱光や反射光などの二次光を検出することによって検査を行うレーザ検査方式を採用する装置が用いられている。レーザ検査方式を採用する装置は、ウエハの全面を一度に検査でき、ウエハの全面にわたる検査を迅速に行うことができる点で優れている。
また、このような検査装置の別の例としては、特開2007−134498号公報(特許文献2)に記載された、ウエハ表面を観察した観察画像に基づいて検査を行う画像検査方式を採用する装置が用いられている。画像検査方式を採用する装置は、欠陥部1つ1つを十分に観察しうる倍率で観察画像を取得することで、精密な検査結果を得ることができる点で優れている。
特開2008−241570号公報 特開2007−134498号公報
ところで、特許文献1のような技術では、ウエハの検査に適応できない場合があった。たとえば、SiCウエハ、GaNウエハなどの透明なウエハを検査する場合においては、レーザ検査方式を採用する装置によっては、ウエハの表面に存在する欠陥部と、ウエハの内部または裏面に存在する欠陥部とを区別できない場合があった。
一方、特許文献2のような技術では、検査に供する観察画像を取得するため高倍率で撮影しようとするとフォーカス調整に長い時間を要し、また、撮影範囲はウエハ形状に対して極小なものとなりウエハ全面を検査するには多くの撮影回数を要してしまうため、その結果として検査に要する時間が長くなる場合があった。
そこで、レーザ検査方式が有する検査速度の観点における利点と、画像検査方式が有する精度における利点と、を併せ持つウエハ検査装置およびウエハ検査方法を実現することが望まれる。
本発明に係るウエハ検査装置は、ウエハにレーザ光を照射する光源、前記レーザ光が前記ウエハにより散乱または反射された二次光を検出する検出器、ならびに、前記検出器が検出する前記二次光の強度に基づいて前記ウエハを検査するレーザ検査部、を有するレーザ検査装置と、前記ウエハの表面の観察画像を取得する画像取得装置、前記画像取得装置を制御する画像取得制御部、および、前記画像取得装置により取得された観察画像に基づいて前記ウエハを検査する画像検査部、を有する画像検査装置と、を備えるウエハ検査装置であって、前記レーザ検査装置によるレーザ検査結果および前記画像検査装置による画像検査結果に基づいて、前記ウエハが有する欠陥部を特定し、かつ、当該欠陥部の欠陥属性を判断することを特徴とする。
また、本発明に係るウエハ検査方法は、ウエハにレーザ光を照射し、前記レーザ光が前記ウエハにより散乱または反射された二次光を検出し、当該二次光の強度に基づいて前記ウエハを検査するレーザ検査ステップと、前記ウエハの表面の観察画像を撮影し、取得された観察画像に基づいて前記ウエハを検査する画像検査ステップと、を含むウエハ検査方法であって、前記レーザ検査ステップにおけるレーザ検査結果および前記画像検査ステップにおける画像検査結果に基づいて、前記ウエハが有する欠陥部を特定し、かつ、当該欠陥部の欠陥属性を判断することを特徴とする。
これらの構成によれば、2つの異なる検査方法による検査結果を組み合わせて複合的に欠陥属性を特定することによって、精度の高い検査結果が短時間で得られる。
以下、本発明の好適な態様について説明する。ただし、以下に記載する好適な態様例によって、本発明の範囲が限定されるわけではない。
本発明に係るウエハ検査装置の一態様として、前記画像取得制御部は、前記レーザ検査部が特定した前記欠陥部の座標情報に基づいて、前記観察画像に前記欠陥部が含まれるように、前記ウエハにおいて画像取得対象とする位置を特定することが好ましい。
この構成によれば、観察画像を取得するべき座標を、レーザ検査方式による検査結果に基づいて速やかに決定することができるため、検査に要する時間を短縮することができる。
本発明に係るウエハ検査装置の一態様として、前記画像取得制御部は、前記レーザ検査装置による検査において、使用者によりあらかじめ設定された抽出条件に合致する欠陥部を、前記ウエハにおいて画像取得対象とすることが好ましい。
この構成によれば、欠陥の有無に対する感度が高く数多くの欠陥を検出するレーザ検査装置の検査結果に対して、ある抽出条件に合う欠陥に基づいて画像検査を行うことで検査の効率を高めることができる。
本発明に係るウエハ検査装置の一態様として、前記レーザ検査装置は前記検出器を複数有し、前記抽出条件は、前記検出器の個々の検査結果の1つまたは複数の中から選択する選択条件を含むことが好ましい。
本発明に係るウエハ検査装置の一態様として、前記レーザ検査装置は前記検出器を複数有し、前記抽出条件は、複数の前記検出器の検査結果の組合せを選択する選択条件を含むことが好ましい。
本発明に係るウエハ検査装置の一態様として、前記抽出条件は、欠陥属性および寸法の少なくとも一方を含むことが好ましい。
本発明に係るウエハ検査装置の一態様として、前記画像取得制御部は、前記レーザ検査装置が特定した欠陥部のうち使用者により選択された欠陥部を、前記ウエハにおいて画像取得対象とすることが好ましい。
この構成によれば、レーザ検査で特定される欠陥部のうち、画像検査を行いたい欠陥部を使用者が任意に選択することができ、検査に要する時間を短縮することができる。
本発明に係るウエハ検査装置の一態様として、前記画像取得制御部は、前記レーザ検査装置による検査において、欠陥属性および寸法の少なくとも一方が使用者によりあらかじめ設定された特定条件に合致するものであると判断された欠陥部を、前記ウエハにおいて画像取得対象とする位置に含めることが好ましい。
この構成によれば、検査対象とするウエハにおいて生じる可能性が高い特定の態様の欠陥が存在する場合に、レーザ検査装置による検査において当該欠陥に係る欠陥属性および寸法の少なくとも一方に合致すると判断した欠陥部を画像検査方式による検査の対象とし、当該欠陥を漏らさず検査することができる。たとえば、検査工程の前工程の装置構成などの要因によって、ある特定の態様の欠陥が生じやすい場合などに好適である。
本発明のさらなる特徴と利点は、図面を参照して記述する以下の例示的かつ非限定的な実施形態の説明によってより明確になるであろう。
ウエハ検査装置の構成図。 ウエハ検査方法のフロー図。
本発明に係るウエハ検査装置および当該ウエハ検査装置を用いたウエハ検査方法の実施形態について、図1、2を参照して説明する。
〔ウエハ検査装置の構成〕
まず、本発明に係るウエハ検査装置の実施形態について、その構成を説明する。本実施形態に係るウエハ検査装置Dは、レーザ検査装置1と、画像検査装置2と、搬送部3と、制御部4と、ディスプレイ5と、を備える(図1)。レーザ検査装置1および画像検査装置2は、それぞれ検査対象であるウエハを受容可能であり、各装置においてウエハの検査を実行する。
ウエハ検査装置Dが検査対象とするウエハは、特に限定されないが、たとえば、Siウエハ、SiCウエハ、GaNウエハ、などであってよい。また、ウエハの形状は、一般的に市場に流通するものであれば特に限定されず、たとえば、直径2〜10インチ(5.1〜25.4cm)の円形状であってよい。ただし、ウエハの円形状の外周部の一部に、ノッチなどの位置決め基準点が設けられており、ウエハを支持する装置(後述する回転ステージ13など)によりウエハが回転した角度を、当該位置決め基準点を基準として特定できるようになっている。ウエハはその全面にわたって平坦であることが好ましいものであるが、傷、窪み、突起、表面粗さ、うねり、付着物、などの欠陥を有する場合がある。ウエハ検査装置Dは、ウエハが有するこれらの欠陥を特定することを目的として検査を行う装置である。
レーザ検査装置1は、光源11と、検出器12と、回転ステージ13と、レーザ制御部14と、レーザ検査部15と、を有する。
光源11は、回転ステージ13上に載置されたウエハに対してレーザ光を照射するように構成されたレーザ光源である。また、回転ステージ13は、水平移動可能に構成されており、この水平移動によってレーザ光を照射する対象位置を変更することができる。なお、光源11は、照射の角度や方向が異なる複数のレーザ光源であってもよい。
検出器12は、ウエハにより散乱された散乱光を検出する散乱光検出器121と、ウエハにより反射された反射光を検出する反射光検出器122と、を含む。散乱光検出器121および反射光検出器122は、それぞれ複数台の検出器であってよく、本実施形態では、散乱光検出器121として、低角度で照射されるレーザ光の散乱光を受光させて突起の検出感度を高くした散乱光検出器、高角度で照射されるレーザ光の散乱光を受光させて窪みの検出感度を高くした散乱光検出器、および、その他の欠陥に対応する散乱光検出器、を有する。また、反射光検出器122として、高角度で照射されるレーザ光の正反射光を受光させて表面粗さ、うねりの検出感度を高くした反射光検出器、および、低角度で照射されるレーザ光の正反射光を受光させて膜厚に関する欠陥の検出感度を高くした反射光検出器、を有する。なお、本明細書において、散乱光および反射光を総称して二次光という。
回転ステージ13は、ウエハを載置可能に構成されている。また、回転ステージ13は、ウエハを載置した状態で、ウエハと一体に、水平移動可能、軸心まわりに回転運動可能、かつ、軸心に沿って上下移動可能、であるように構成されている。
レーザ制御部14は、光源11、検出器12、および、回転ステージ13の運転を制御する演算装置である。光源11については、レーザ光の発光・停止および強度を制御する。検出器12についてはその起動および停止を制御する。回転ステージ13については、その水平移動、回転運動および上下移動を制御する。
レーザ検査部15は、散乱光検出器121および反射光検出器122が検出した二次光の強度に係る信号入力に基づいて、前記ウエハを検査するための演算処理を行う演算装置である。なお、具体的な検査方法は後述する。
画像検査装置2は、カメラ21(画像取得装置の例)と、画像検査ステージ22と、画像取得制御部23と、画像検査部24と、を有する。
カメラ21は、画像検査ステージ22上に載置されたウエハの観察画像を取得可能に構成されている。なお、カメラ21は、ウエハ全体の観察画像を取得することも、ウエハの一部を拡大した観察画像を取得することも、可能である。
画像検査ステージ22は、ウエハを載置可能であり、かつ、ウエハを載置した状態でウエハと一体に水平方向に平行移動可能に構成されている。画像検査ステージ22の水平移動によって、カメラ21が画像取得対象とする領域を制御する。
画像取得制御部23は、カメラ21および画像検査ステージ22の運転を制御する演算装置である。カメラ21については、倍率、絞り、感度、フォーカスなどの調整を制御し、画像検査ステージ22については、水平方向および上下方向の平行移動を制御する。
画像検査部24は、カメラ21が取得した観察画像に基づいて、前記ウエハを検査するための演算処理を行う演算装置である。なお、具体的な検査方法は後述する。
搬送部3は、レーザ検査装置1および画像検査装置2にウエハを配置し検査を実行できるようにする機能、および、レーザ検査装置1および画像検査装置2の相互間においてウエハを搬送する機能、を有する。制御部4は、ウエハ検査装置Dの全体の制御を行う演算装置である。特に、レーザ検査装置1(レーザ制御部14、レーザ検査部15)と画像検査装置2(画像取得制御部23、画像検査部24)との間の情報の授受を仲介する機能、および、レーザ検査装置1および画像検査装置2の双方の検査結果に基づいてウエハを複合的に検査する機能、を有する。ディスプレイ5は、レーザ検査装置1および画像検査装置2のそれぞれによる検査結果、ならびに、複合的な検査結果、を表示する。
〔ウエハ検査方法〕
次に、ウエハ検査装置Dを用いたウエハ検査方法について、図2を参照して説明する。
ウエハ検査装置Dによるウエハの検査においては、第一にレーザ検査装置1によるレーザ検査ステップS1が行われ、第二に画像検査装置2による画像検査ステップS2が行われる。
レーザ検査ステップS1においては、ウエハが回転ステージ13上に載置され(S11)、当該ウエハに対し、光源11からレーザ光が照射される(S12)。ウエハに照射されたレーザ光は散乱光および反射光を生じ、これらの二次光はそれぞれ対応する散乱光検出器121および反射光検出器122により検出される(S13)。このとき、レーザ光の照射および二次光の検出を行いながら、光源11の水平移動および回転ステージ13の回転運動を行うことで、ウエハの表面の全体にわたってレーザ光が走査され、ウエハの表面の全体にわたって検査が行われる(S14)。
一般に、走査対象の面が均一な平面であれば、その二次光は均一になる。しかし、走査対象の面に非連続な点、すなわち欠陥がある場合は、当該欠陥により生じる二次光は、当該欠陥の周囲の均一平面とは異なるものになる。これを利用して、レーザ検査部15は、検出される二次光の強度が周囲と異なる箇所を、欠陥を有する箇所、すなわち欠陥部であると特定する(S15)。
なお、このとき、欠陥の属性によって生じる二次光の種類および強度が変化しうる。したがって、散乱光および反射光の検出結果を組み合わせることで、欠陥の属性を判定することができる。レーザ検査部15は、各検出器による二次光の検出結果を組み合わせて、各欠陥の属性を判定する。具体的には、検出された散乱光の強度に基づく散乱光検査結果として突起および窪みの各欠陥部を特定し、検出された反射光の強度に基づく反射光検査結果として表面粗さ、うねり、および、膜厚、に関する各欠陥部を特定する。
ウエハの表面の全体にわたる検査の後、ディスプレイ5に検査結果が表示される。表示される検査結果は、欠陥を有すると特定された箇所の座標情報、欠陥の属性および寸法、欠陥が存在する箇所を示す欠陥マップ、ウエハ上の各点における二次光強度、などの情報を含む。ここで、座標情報は、ウエハに設けられた位置決め基準点に基づき、回転ステージ13によってウエハが回転した角度を特定することによって定められる。これらの検査結果は、レーザ検査部15から、制御部4を介して、画像取得制御部23および画像検査部24によって共有される。
次に、画像検査ステップS2が行われる。レーザ検査ステップS1による検査を終えたウエハは、搬送部3によって画像検査装置2の画像検査ステージ22に載置される(S21)。
画像取得制御部23は、レーザ検査ステップS1において特定した欠陥部の座標情報および寸法に基づき、レーザ検査ステップS1において特定した欠陥部がカメラ21の画像取得範囲に含まれるように、カメラ21の倍率を調整するとともに、画像検査ステージ22の水平方向の位置を定める(S22)。続いて、欠陥部の観察画像が明瞭になるように、カメラ21のフォーカスの調整を行う(S23)。ここで、「欠陥部の観察画像が明瞭になる」とは、具体的には、当該観察画像における輝度が最大の点における輝度の値と、輝度が最小の点における輝度の値と、の差(コントラスト値)が最大となることを意味する。すなわち、カメラ21の撮像素子が検出する輝度の値に基づいて、フォーカス調整を行う。
より詳細には、フォーカス調整は、画像取得制御部23の制御下においてオートフォーカス方式により行われる。当実施形態では、オートフォーカス方式としてコントラストオートフォーカス方式を採用しており、当該オートフォーカス方式では、観察画像全体のコントラストが最も高くなるときのカメラ21の焦点距離を、フォーカスが合う焦点距離として採用する。
フォーカス調整の後、カメラ21は欠陥部の観察画像を取得する(S24)。なお、上記のS22〜S24を複数の欠陥部について繰り返して行い、複数の観察画像を取得してもよい。複数の観察画像を取得する場合、必ずしもすべての欠陥部の観察画像を取得する必要はなく、画像検査ステップS2において検査対象とする欠陥部を、レーザ検査ステップS1における検査により特定した欠陥部のうち、画像検査ステップS2によるより精密な検査が必要と判断される欠陥部に限定することができる。
画像検査部24は、取得した欠陥部の観察画像に基づいて、当該欠陥部の属性および寸法を特定する(S25)。
ここで、画像検査部24は、当該観察画像におけるコントラスト値がある一定の閾値以上である場合に、当該観察画像に含まれる欠陥部が真に欠陥部であると特定する。一方、コントラスト値が閾値未満である場合は、当該観察画像に含まれる欠陥部は欠陥部ではないものであると特定する。かかる閾値は使用者が任意に定めることができ、あるいは、画像検査部24が定めることができる。閾値が高すぎる場合は欠陥部の認識漏れが生じるおそれがあり、閾値が低すぎる場合は欠陥部の誤検知が生じるおそれがあるので、検査目的に応じて適切な値を設定する必要がある。
後述するようにレーザ検査ステップS1における検査の精度は画像検査ステップS2における検査の精度に比べて劣るため、レーザ検査ステップS1における検査において欠陥部と特定された箇所であっても、実際には欠陥部ではない場合がある。また、レーザ検査ステップS1における検査において欠陥部と特定された箇所であっても、要求される最終製品の品質によっては、欠陥部として取り扱う必要がない場合がある。一方、画像検査では、欠陥部が表面部にあるか否かが判別でき、欠陥部の大きさ、形状、色合い等を正確に検査することができるとともに、ある一定の閾値以上のコントラスト値を持つ欠陥部が真に欠陥部であると特定できる。このように、レーザ検査ステップS1における検査において欠陥部と特定されたそれぞれの箇所について、観察画像に基づいて、真に欠陥部として取り扱うか否かを判断することができ、精度の高い検査結果を得ることができる。また、最終製品の要求品質などの基準と実際に取得された観察画像とに基づいて使用者が閾値を任意に設定すれば、画像検査部24が真に欠陥部であると特定するか否かの挙動を制御することができ、検査目的に合致した検査結果を得ることができる。あるいは、画像検査部24が、散乱光検出器121および反射光検出器122が検出した二次光の強度に基づいて閾値を自動的に設定するように構成すれば、使用者による判断を必要としないため、一連の検査を速やかに行うことができる。
レーザ検査ステップS1において特定した各欠陥部について、画像検査ステップS2における検査が行われた後、ディスプレイ5に検査結果が表示される。また、画像検査ステップS2の結果は画像検査部24から制御部4に受け渡され、制御部4は、レーザ検査ステップS1および画像検査ステップS2の双方の検査結果に基づいて、各欠陥部の欠陥属性を特定し、かかる複合検査結果をディスプレイ5に表示する(S3)。
〔当実施形態の効果〕
上記の実施形態により、レーザ検査方式が有する検査速度の観点における利点と、画像検査方式が有する精度における利点と、を併せ持つ検査を実現することができる。
画像検査方式においては、欠陥部1つ1つを十分に観察しうる倍率で観察画像を取得することで、精密な検査結果を得ることができる。ただし、その反面、ウエハの全面を一度に検査することは難しい。
また、前述したように、画像検査方式においてはフォーカス調整を行うことが必要であるが、ウエハの欠陥を含まない部分のように均一な平坦面を画像取得対象とする場合には、フォーカスを合わせにくいという特徴がある。そのため、少なくとも1つの欠陥部がカメラ21の画像取得範囲に含まれるように画像検査ステージ22の水平方向の位置を調整してから、当該欠陥部を手がかりとしてフォーカス調整を行うことが一般的である。しかし、画像検査装置2を単独で使用する場合においては、手がかりとして用いる欠陥部を発見することに時間を要し、その結果としてフォーカス調整に要する時間が長くなる場合があった。
これらの点により、一般的に、画像検査方式はレーザ検査方式に比べて検査に要する時間が長くなる傾向があった。
一方、レーザ検査方式においては、ウエハの全面をレーザで走査することで一度に検査できるため、画像検査方式に比べて検査に要する時間が短くなる傾向がある。しかし、その反面、レーザ検査方式における欠陥部の属性および寸法の特定は、観察画像に基づいて行われる属性および寸法の特定に比べて精度が落ちる傾向があった。また、SiCウエハ、GaNウエハなどの透明なウエハを検査する場合においては、ウエハの表面に存在する欠陥部と、ウエハ内部または裏面に存在する欠陥部とを区別できない場合があった。
当実施形態においては、あらかじめレーザ検査ステップS1において座標情報を特定した欠陥部を手がかりとして用いてフォーカス調整を行う。そのため、手がかりとして用いる欠陥部を発見するために要する時間を短くすることができ、結果として、フォーカス調整に要する時間を短くすることができる。また、画像検査ステップS2おいて検査対象とする欠陥部を、レーザ検査ステップS1における検査により特定した欠陥部のうち、より精密な検査が必要と判断される欠陥部に限定することができるため、画像検査ステップS2における検査点数を減らすことができる。この方法を採用することにより、画像検査方式における検査時間が長くなるという欠点を解消し、精度の高い検査を短時間で実現するに至った。
また、各欠陥部の欠陥属性の特定においては、レーザ検査ステップS1または画像検査ステップS2のいずれか一方の検査によっては、十分な精度が得られない場合がある。当実施形態においては、2つの異なる検査方法による検査結果を組み合わせて複合的に欠陥属性を特定するため、精度の高い検査結果が得られる。
〔その他の実施形態〕
本発明に係るウエハ検査装置および当該ウエハ検査装置を用いたウエハ検査方法のその他の実施形態について説明する。なお、以下のそれぞれの実施形態で開示される構成は、矛盾が生じない限り、他の実施形態で開示される構成と組み合わせて適用することも可能である。
上記の実施形態においては、レーザ検査装置1の各検出器による二次光の検出結果を組み合わせて特定した欠陥部について画像検査装置2で観察画像を取得する構成を例として説明した。しかし、そのような構成に限定されることなく、レーザ検査装置による検査において、使用者によりあらかじめ設定された抽出条件に合致する欠陥部を、画像検査装置2での画像取得対象とする構成であってもよい。
たとえば、レーザ検査部15は、各検出器の個々の検査結果から欠陥部を特定するように構成してもよい。そして、観察画像を取得する対象を抽出する条件として、各検出器の個々の検査結果の1つまたは複数の中から選択する選択条件を含むようにしてもよい。各検出器は、それぞれ欠陥の検出内容に特徴を有しているため、たとえば異物の付着を目的とした検査であれば、突起の検出感度を高くした散乱光検出器の検査結果を選択し(抽出条件の例)、その検査結果に基づいて画像検査を行うことで、検査効率を高めることができる。さらに表面粗さも検査する場合は、表面粗さ、うねりの検出感度を高くした反射光検出器の検査結果を選択すればよい(抽出条件の例)。また、抽出条件として、複数の検出器の検査結果の組合せを選択する選択条件を含むようにしてもよい。たとえば、突起の検出感度を高くした散乱光検出器の検査結果と、窪みの検出感度を高くした散乱光検出器の検査結果とを組み合わせた検査結果を選択する(抽出条件の例)ことで、突起や窪みなどの属性をより明確にした検査結果を得ることができる。
また、これらの選択条件で選択された検査結果に対して、欠陥属性および寸法の少なくとも一方を含む抽出条件を設定可能としてもよい。たとえば「欠陥属性が窪みであり、かつ、当該窪みの寸法があらかじめ設定した数値以上であること」という条件(抽出条件の例)を満たす欠陥部を画像取得対象とするように構成することで、使用者が検査対象を取捨選択できるので、検査の効率をより高めることができる。
また、レーザ検査方式による検査において特定した欠陥部のうち使用者により選択された欠陥部を、画像検査方式による検査における画像取得対象とする構成であってもよい。たとえば、ディスプレイにレーザ検査方式による検査において特定した各欠陥部が表示され、その欠陥部の中から使用者が選択した欠陥部について画像検査方式による検査を行うようにしてもよい。こうすることで画像検査を行いたい欠陥部を使用者が任意に選択することができ、検査に要する時間を短縮することができる。
上記の実施形態では、レーザ検査ステップS1において特定した欠陥部の座標情報に基づき、当該欠陥部がカメラ21の画像取得範囲に含まれるように、画像検査ステージ22の水平方向の位置を定める構成を例として説明した。しかし、そのような構成に限定されることなく、生じる可能性が高い特定の態様の欠陥が存在する場合は、レーザ検査装置による検査において当該欠陥に係る欠陥属性および寸法の少なくとも一方に合致すると判断した欠陥部を、画像取得対象とするように構成してもよい。たとえば、検査工程の前工程においてウエハを保持する治具が当接する箇所に窪みが生じやすい、という傾向があらかじめ判明している場合は、「欠陥の位置が外周縁にあり、欠陥属性が窪みであり、かつ、当該窪みの寸法があらかじめ設定した数値以上であること」という条件(特定条件の例)を満たす欠陥部を画像取得対象とするように構成すると、生じやすいことがあらかじめ判明している窪みに係る欠陥部を特定する精度が向上するため、好適である。かかる特定条件は、前工程の設計などに基づいて、使用者があらかじめ定めることができる。
上記の実施形態では、カメラ21を制御してフォーカス調整を行う構成を例として説明した。しかし、そのような構成に限定されることなく、フォーカス調整は画像検査ステージの上下移動など、ウエハを上下に移動させる方法により行ってもよい。
上記の実施形態では、フォーカス調整をコントラストオートフォーカス方式により行う構成を例として説明した。しかし、そのような構成に限定されることなく、公知のオートフォーカス方式を採用することができる。また、フォーカス調整を人為操作により行うように構成してもよい。
上記の実施形態では、第一にレーザ検査装置1によるレーザ検査ステップS1が行われ、第二に画像検査装置2による画像検査ステップS2が行われる構成を例として説明した。しかし、そのような構成に限定されることなく、レーザ検査方式または画像検査方式のいずれか一方のみによってウエハの検査が行われてもよい。
その他の構成に関しても、本明細書において開示された実施形態は全ての点で例示であって、本発明の範囲はそれらによって限定されることはないと理解されるべきである。当業者であれば、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜改変が可能であることを容易に理解できるであろう。したがって、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で改変された別の実施形態も、当然、本発明の範囲に含まれる。
本発明は、たとえば、半導体製造に供されるシリコンウエハ原料の検査に用いるウエハ検査装置に利用することができる。
D :ウエハ検査装置
1 :レーザ検査装置
11 :光源
12 :検出器
121 :散乱光検出器
122 :反射光検出器
13 :回転ステージ
14 :レーザ制御部
15 :レーザ検査部
2 :画像検査装置
21 :カメラ
22 :画像検査ステージ
23 :画像取得制御部
24 :画像検査部
3 :搬送部
4 :制御部
5 :ディスプレイ

Claims (9)

  1. ウエハにレーザ光を照射する光源、前記レーザ光が前記ウエハにより散乱または反射された二次光を検出する検出器、ならびに、前記検出器が検出する前記二次光の強度に基づいて前記ウエハを検査するレーザ検査部、を有するレーザ検査装置と、
    前記ウエハの表面の観察画像を取得する画像取得装置、前記画像取得装置を制御する画像取得制御部、および、前記画像取得装置により取得された観察画像に基づいて前記ウエハを検査する画像検査部、を有する画像検査装置と、を備えるウエハ検査装置であって、
    前記レーザ検査装置によるレーザ検査結果および前記画像検査装置による画像検査結果に基づいて、前記ウエハが有する欠陥部を特定し、かつ、当該欠陥部の欠陥属性を判断するウエハ検査装置。
  2. 前記画像取得制御部は、前記レーザ検査部が特定した前記欠陥部の座標情報に基づいて、前記観察画像に前記欠陥部が含まれるように、前記ウエハにおいて画像取得対象とする位置を特定する請求項1に記載のウエハ検査装置。
  3. 前記画像取得制御部は、前記レーザ検査装置による検査において、使用者によりあらかじめ設定された抽出条件に合致する欠陥部を、前記ウエハにおいて画像取得対象とする請求項1または2に記載のウエハ検査装置。
  4. 前記レーザ検査装置は前記検出器を複数有し、前記抽出条件は、前記検出器の個々の検査結果の1つまたは複数の中から選択する選択条件を含む請求項3に記載のウエハ検査装置。
  5. 前記レーザ検査装置は前記検出器を複数有し、前記抽出条件は、複数の前記検出器の検査結果の組合せを選択する選択条件を含む請求項3に記載のウエハ検査装置。
  6. 前記抽出条件は、欠陥属性および寸法の少なくとも一方を含む請求項3〜5のいずれか1項に記載のウエハ検査装置。
  7. 前記画像取得制御部は、前記レーザ検査装置が特定した欠陥部のうち使用者により選択された欠陥部を、前記ウエハにおいて画像取得対象とする請求項1または2に記載のウエハ検査装置。
  8. 前記画像取得制御部は、前記レーザ検査装置による検査において、欠陥属性および寸法の少なくとも一方が使用者によりあらかじめ設定された特定条件に合致するものであると判断された欠陥部を、前記ウエハにおいて画像取得対象に含める請求項1〜7のいずれか1項に記載のウエハ検査装置。
  9. ウエハにレーザ光を照射し、前記レーザ光が前記ウエハにより散乱または反射された二次光を検出し、当該二次光の強度に基づいて前記ウエハを検査するレーザ検査ステップと、
    前記ウエハの表面の観察画像を撮影し、取得された観察画像に基づいて前記ウエハを検査する画像検査ステップと、を含むウエハ検査方法であって、
    前記レーザ検査ステップにおけるレーザ検査結果および前記画像検査ステップにおける画像検査結果に基づいて、前記ウエハが有する欠陥部を特定し、かつ、当該欠陥部の欠陥属性を判断するウエハ検査方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009283633A (ja) * 2008-05-21 2009-12-03 Hitachi High-Technologies Corp 表面検査装置及び表面検査方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009283633A (ja) * 2008-05-21 2009-12-03 Hitachi High-Technologies Corp 表面検査装置及び表面検査方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022257618A1 (zh) * 2021-06-10 2022-12-15 广东奥普特科技股份有限公司 一种晶圆表面缺陷检测装置及晶圆表面缺陷检测方法

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