JP2019216067A - 点火プラグ - Google Patents

Abstract

【課題】ガラスを含むシールを有する点火プラグの不具合を抑制する。【解決手段】点火プラグの絶縁体の貫通孔内の中心電極と端子金具との間に、抵抗体を含む接続部と、中心電極と接続部とを接続する第１シール部と、端子金具と接続部とを接続する第２シール部と、が配置される。ここで、第１シール部は、セラミックを含む１種以上の第１結晶を有し、第２シール部は、セラミックを含む１種以上の第２結晶を有してよい。この場合、第２シール部の断面のＸ線回折により得られる１種以上の第２結晶のそれぞれの結晶比率の合計値は、第１シール部の断面のＸ線回折により得られる１種以上の第１結晶のそれぞれの結晶比率の合計値より、小さい。これに代えて、第１シール部は、セラミックを含む１種以上の第１結晶を有し、第２シール部に含まれるガラスは、非晶質ガラスであってよい。【選択図】 図１

Description

本明細書は、絶縁体の貫通孔内にガラスシールを有する点火プラグに関する。

従来から、燃料を燃焼させる装置（例えば、内燃機関）における点火に、点火プラグが用いられている。点火プラグとしては、絶縁体内に挿入された一電極側導電ガラスシール材と、抵抗ガラスシール材と、他電極側導電ガラスシール材と、を有する抵抗ガラスシール点火プラグが利用されている。ここで、各導電ガラスシール材と抵抗ガラスシール材とが相互に入り込むことを抑制するために、導電ガラスシール材に結晶化ガラスを使用し、抵抗ガラスシール材に非晶質ガラスを使用する技術が提案されている。

特開昭５１−１４１９３６号公報

ところで、点火プラグの昇温時には、抵抗ガラスシール材が熱膨張し得る。抵抗ガラスシール材が２つの導電ガラスシール材の間で膨張すると、絶縁体内の圧力が高くなる。このような圧力に起因して、絶縁体が破損するなどの不具合が生じ得た。

本明細書は、ガラスを含むシールを有する点火プラグの不具合を抑制する技術を開示する。

本明細書は、例えば、以下の適用例を開示する。

［適用例１］
軸線の方向に延びる貫通孔を有する絶縁体と、
前記貫通孔の先端側に少なくとも一部が挿入された中心電極と、
前記貫通孔の後端側に少なくとも一部が挿入された端子金具と、
前記貫通孔内の前記中心電極と前記端子金具との間に配置され、抵抗体を含む接続部と、
前記貫通孔内で前記中心電極と前記接続部とを接続する第１シール部と、
前記貫通孔内で前記端子金具と前記接続部とを接続する第２シール部と、
を備える点火プラグであって、
前記第１シール部は、珪素を含むガラスと導電性物質とを含み、
前記第２シール部は、珪素を含むガラスと導電性物質とを含み、
前記第１シール部は、セラミックを含む１種以上の第１結晶を有し、
前記第２シール部は、セラミックを含む１種以上の第２結晶を有し、
前記第１シール部の断面のＸ線回折により得られるピークのうち、前記１種以上の第１結晶のいずれかに由来する最大ピークの強度Ｉｂ１と、前記強度Ｉｂ１が由来する第１結晶が全体に亘って形成されている基準サンプルの断面のＸ線回折により得られるピークの強度Ｉａ１との比率（Ｉｂ１／Ｉａ１）を、第１の結晶比率とし、
前記第２シール部の断面のＸ線回折により得られるピークうち、前記１種以上の第２結晶のいずれかに由来する最大ピークの強度Ｉｂ２と、前記強度Ｉｂ２が由来する第２結晶が全体に亘って形成されている基準サンプルの断面のＸ線回折により得られるピークの強度Ｉａ２との比率（Ｉｂ２／Ｉａ２）を、第２の結晶比率とした場合に、
前記１種以上の第２結晶のそれぞれの前記第２の結晶比率の合計値は、前記１種以上の第１結晶のそれぞれの前記第１の結晶比率の合計値より、小さい、
点火プラグ。

この構成によれば、端子金具に近い第２シール部が、中心電極に近い第１シール部よりも変形し易いので、点火プラグの昇温によって貫通孔内の部材が熱膨張する場合に、第２シール部の変形によって、貫通孔内の昇圧が緩和される。これにより、絶縁体が破損するなどの不具合を抑制できる。

［適用例２］
適用例１に記載の点火プラグであって、
前記１種以上の第１結晶のうちの少なくとも１種は、前記セラミックとして珪素を含む結晶化ガラスであり、
前記１種以上の第２結晶のうちの少なくとも１種は、前記セラミックとして珪素を含む結晶化ガラスである、
点火プラグ。

この構成によれば、セラミックとして珪素を含む結晶化ガラスとその周囲の珪素を含むガラスとの接触を強化できる。従って、第１シール部内に隙間が形成されることを抑制できる。また、第２シール部内に隙間が形成されることを抑制できる。

［適用例３］
軸線の方向に延びる貫通孔を有する絶縁体と、
前記貫通孔の先端側に少なくとも一部が挿入された中心電極と、
前記貫通孔の後端側に少なくとも一部が挿入された端子金具と、
前記貫通孔内の前記中心電極と前記端子金具との間に配置され、抵抗体を含む接続部と、
前記貫通孔内で前記中心電極と前記接続部とを接続する第１シール部と、
前記貫通孔内で前記端子金具と前記接続部とを接続する第２シール部と、
を備える点火プラグであって、
前記第１シール部は、珪素を含むガラスと導電性物質とを含み、
前記第２シール部は、珪素を含むガラスと導電性物質とを含み、
前記第１シール部は、セラミックを含む１種以上の第１結晶を有し、
前記第２シール部に含まれる前記ガラスは、非晶質ガラスである、
点火プラグ。

この構成によれば、端子金具に近い第２シール部が、中心電極に近い第１シール部よりも変形し易いので、点火プラグの昇温によって貫通孔内の部材が熱膨張する場合に、第２シール部の変形によって、貫通孔内の昇圧が緩和される。これにより、絶縁体が破損するなどの不具合を抑制できる。

［適用例４］
適用例３に記載の点火プラグであって、
前記１種以上の第１結晶のうちの少なくとも１種は、前記セラミックとして珪素を含む結晶化ガラスである、
点火プラグ。

この構成によれば、セラミックとして珪素を含む結晶と珪素を含むガラスとの接触を強化できる。従って、第１シール部内に隙間が形成されることを抑制できる。

［適用例５］
適用例１から４のいずれかに記載の点火プラグであって、
前記抵抗体は、非晶質ガラスを含む、
点火プラグ。

この構成によれば、点火プラグの昇温によって貫通孔内の抵抗体が熱膨張する場合に、不具合を抑制できる。

［適用例６］
適用例５に記載の点火プラグであって、
前記第２シール部は、非晶質ガラスを含み、
前記第２シール部に含まれる前記非晶質ガラスのガラス転移温度は、前記抵抗体に含まれる前記非晶質ガラスのガラス転移温度よりも、低い、
点火プラグ。

この構成によれば、点火プラグの温度が抵抗体に含まれる非晶質ガラスのガラス転移温度を超える場合に、第２シール部が変形できるので、不具合を抑制できる。

［適用例７］
適用例１から６のいずれかに記載の点火プラグであって、
前記第１シール部は、非晶質ガラスを含み、
前記第２シール部は、非晶質ガラスを含み、
前記第２シール部に含まれる前記非晶質ガラスの軟化点は、前記第１シール部に含まれる前記非晶質ガラスの軟化点よりも、低い、
点火プラグ。

この構成によれば、点火プラグの昇温時、第２シール部は、第１シール部よりも先に、柔らかくなるので、不具合を適切に抑制できる。

［適用例８］
適用例１から７のいずれかに記載の点火プラグであって、
前記第１シール部は、結晶化ガラスと非晶質ガラスとを含み、
前記第１シール部に含まれる前記結晶化ガラスは、前記第１シール部に含まれる前記非晶質ガラスに含まれる成分で構成されている、
点火プラグ。

この構成によれば、第１シール部の結晶化ガラスと非晶質ガラスとの接触を強化できるので、結晶化ガラスと非晶質ガラスとの間に隙間が生じることが、抑制される。

［適用例９］
適用例１から８のいずれかに記載の点火プラグであって、
前記第１シール部は、結晶化ガラスを含み、
前記第１シール部に含まれる前記結晶化ガラスは、β−ユークリプタイト、コーディエライト、β−スポジュメン、アノーサイトのうちの少なくとも１つを含む結晶化ガラスを含む、
点火プラグ。

この構成によれば、第１シール部の熱膨張が抑制されるので、第１シール部が燃焼室内に漏れる等の不具合を抑制できる。

なお、本明細書に開示の技術は、種々の態様で実現することが可能であり、例えば、点火プラグや点火プラグを用いた点火装置、その点火プラグを搭載する内燃機関や、その点火プラグを用いた点火装置を搭載する内燃機関等の態様で実現することができる。

一実施形態としての点火プラグ１００の断面図である。 Ｘ線回折により得られる強度分布のグラフの例の模式図である。

Ａ．実施形態：
Ａ−１．点火プラグの構成：
図１は、一実施形態としての点火プラグ１００の断面図である。図中には、点火プラグ１００の中心軸ＣＬ（「軸線ＣＬ」とも呼ぶ）と、点火プラグ１００の中心軸ＣＬを含む平らな断面と、が示されている。以下、中心軸ＣＬに平行な方向を「軸線ＣＬの方向」、または、単に「軸線方向」または「前後方向」とも呼ぶ。軸線ＣＬを中心とする円の径方向を「径方向」とも呼ぶ。径方向は、軸線ＣＬに垂直な方向である。軸線ＣＬを中心とする円の円周方向を、「周方向」とも呼ぶ。中心軸ＣＬに平行な方向のうち、図１における下方向を先端方向Ｄｆ、または、前方向Ｄｆと呼び、上方向を後端方向Ｄｆｒ、または、後方向Ｄｆｒとも呼ぶ。先端方向Ｄｆは、後述する端子金具４０から中心電極２０に向かう方向である。また、図１における先端方向Ｄｆ側を点火プラグ１００の先端側と呼び、図１における後端方向Ｄｆｒ側を点火プラグ１００の後端側と呼ぶ。

点火プラグ１００は、軸線ＣＬに沿って延びる貫通孔１２（軸孔１２とも呼ぶ）を有する筒状の絶縁体１０と、貫通孔１２の先端側で保持される中心電極２０と、貫通孔１２の後端側で保持される端子金具４０と、貫通孔１２内で中心電極２０と端子金具４０との間に配置された接続部７５と、中心電極２０と接続部７５とに接触してこれらの部材２０、７５を電気的に接続する導電性の第１シール部７２と、接続部７５と端子金具４０とに接触してこれらの部材７５、４０を電気的に接続する導電性の第２シール部７４と、絶縁体１０の外周側に固定された筒状の主体金具５０と、一端が主体金具５０の環状の先端面５５に接合されるとともに他端が中心電極２０とギャップｇを介して対向するように配置された接地電極３０と、を有している。本実施形態では、接続部７５は、抵抗体７３で形成されている。

絶縁体１０の軸線方向の略中央には、外径が最も大きな大径部１４が形成されている。大径部１４より後端側には、後端側胴部１３が形成されている。大径部１４よりも先端側には、後端側胴部１３よりも外径の小さな先端側胴部１５が形成されている。先端側胴部１５よりもさらに先端側には、縮外径部１６と、脚部１９とが、先端側に向かってこの順に形成されている。縮外径部１６の外径は、前方向Ｄｆに向かって、徐々に小さくなっている。縮外径部１６の近傍（図１の例では、先端側胴部１５）には、前方向Ｄｆに向かって内径が徐々に小さくなる縮内径部１１が形成されている。絶縁体１０は、機械的強度と、熱的強度と、電気的強度とを考慮して形成されることが好ましく、例えば、アルミナを焼成して形成されている（他の絶縁材料も採用可能である）。

中心電極２０は、金属製の部材であり、絶縁体１０の貫通孔１２内の前方向Ｄｆ側の端部に配置されている。中心電極２０は、略円柱状の棒部２８と、棒部２８の先端に接合（例えば、レーザ溶接）された第１チップ２９と、を有している。棒部２８は、後方向Ｄｆｒ側の部分である頭部２４と、頭部２４の前方向Ｄｆ側に接続された軸部２７と、を有している。軸部２７は、軸線ＣＬに平行に前方向Ｄｆに向かって延びている。頭部２４のうちの前方向Ｄｆ側の部分は、軸部２７の外径よりも大きな外径を有する鍔部２３を形成している。鍔部２３の前方向Ｄｆ側の面は、絶縁体１０の縮内径部１１によって、支持されている。軸部２７は、鍔部２３の前方向Ｄｆ側に接続されている。第１チップ２９は、軸部２７の先端に接合されている。

棒部２８は、外層２１と、外層２１の内周側に配置された芯部２２と、を有している。外層２１は、芯部２２よりも耐酸化性に優れる材料（例えば、ニッケルを主成分として含む合金）で形成されている。ここで、主成分は、含有率（質量パーセント（ｗｔ％））が最も高い成分を意味している。芯部２２は、外層２１よりも熱伝導率が高い材料（例えば、純銅、銅を主成分として含む合金、等）で形成されている。第１チップ２９は、棒部２８の外層２１に接合されている。棒部２８（本実施形態では、外層２１）は、第１チップ２９が接合される母材の例である。第１チップ２９は、軸部２７よりも放電に対する耐久性に優れる材料（例えば、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）等の貴金属）を用いて形成されている。中心電極２０のうち第１チップ２９を含む前方向Ｄｆ側の一部分は、絶縁体１０の軸孔１２から前方向Ｄｆ側に露出している。中心電極２０のうち後方向Ｄｆｒ側の部分は、軸孔１２内に配置されている。このように、中心電極２０の一部は、貫通孔１２内に挿入されている。なお、第１チップ２９は、省略されてよい。また、芯部２２は、省略されてもよい。

端子金具４０は、軸線ＣＬに平行に延びる棒状の部材である。端子金具４０は、導電性材料を用いて形成されている（例えば、鉄を主成分として含む金属）。端子金具４０は、前方向Ｄｆに向かって順番で並ぶ、キャップ装着部４９と、鍔部４８と、軸部４１と、を有している。軸部４１は、絶縁体１０の軸孔１２の後方向Ｄｆｒ側の部分に挿入されている。キャップ装着部４９は、絶縁体１０の後端側で、軸孔１２の外に露出している。

絶縁体１０の軸孔１２内において、端子金具４０と中心電極２０との間には、接続部７５が配置されている。本実施形態では、接続部７５は、電気的なノイズを抑制するための抵抗体７３で形成されている。抵抗体７３は、例えば、ガラスと導電性材料（例えば、炭素粒子）とセラミック粒子との混合物を用いて形成されている。接続部７５と中心電極２０との間には、第１シール部７２が配置され、接続部７５と端子金具４０との間には、第２シール部７４が配置されている。これらのシール部７２、７４は、導電性材料（例えば、銅や鉄などの金属粒子）とガラスとの混合物を用いて形成されている。中心電極２０は、第１シール部７２、接続部７５（ここでは、抵抗体７３）、第２シール部７４によって、端子金具４０に電気的に接続されている。

主体金具５０は、軸線ＣＬに沿って延びる貫通孔５９を有する筒状の部材である。本実施形態では、主体金具５０の中心軸は、軸線ＣＬと同じである。主体金具５０の貫通孔５９には、絶縁体１０が挿入され、主体金具５０は、絶縁体１０の外周に固定されている。主体金具５０は、導電材料（例えば、主成分である鉄を含む炭素鋼等の金属）を用いて形成されている。絶縁体１０の前方向Ｄｆ側の一部は、貫通孔５９の外に露出している。また、絶縁体１０の後方向Ｄｆｒ側の一部は、貫通孔５９の外に露出している。

主体金具５０は、工具係合部５１と、先端側胴部５２と、を有している。工具係合部５１は、点火プラグ用のレンチ（図示せず）が嵌合する部分である。先端側胴部５２は、主体金具５０の先端面５５を含む部分である。先端側胴部５２の外周面には、図示しない内燃機関の取付孔に螺合するためのネジ部５７が形成されている。ネジ部５７は、軸線ＣＬの方向に延びる雄ねじが形成された部分である。

主体金具５０の工具係合部５１と先端側胴部５２との間には、径方向外側に張り出したフランジ状の中胴部５４が形成されている。中胴部５４の外径は、ネジ部５７の最大外径（すなわち、ネジ山の頂の外径）よりも、大きい。中胴部５４の前方向Ｄｆ側の面５４ｆは、座面であり、内燃機関のうちの取付孔を形成する部分である取り付け部（例えば、エンジンヘッド）とのシールを形成する（座面５４ｆと呼ぶ）。

先端側胴部５２のネジ部５７と中胴部５４の座面５４ｆとの間には、環状のガスケット９が配置されている。ガスケット９は、点火プラグ１００が内燃機関に取り付けられた際に押し潰されて変形し、主体金具５０の座面５４ｆと、図示しない内燃機関の取り付け部（例えば、エンジンヘッド）と、の隙間を封止する。なお、ガスケット９が省略されてもよい。この場合、主体金具５０の座面５４ｆは、直接に内燃機関の取り付け部に接触することによって、座面５４ｆと、内燃機関の取り付け部と、の隙間を封止する。

主体金具５０の先端側胴部５２には、径方向の内側に向かって張り出した張り出し部５６が形成されている。張り出し部５６は、少なくとも張り出し部５６の後方向Ｄｆｒ側の部分の内径と比べて内径が小さい部分である。本実施形態では、張り出し部５６の後方向Ｄｆｒ側の面５６ｒ（後面５６ｒとも呼ぶ）では、内径が、前方向Ｄｆに向かって、徐々に小さくなる。張り出し部５６の後面５６ｒと、絶縁体１０の縮外径部１６と、の間には、先端側パッキン８が挟まれている。先端側パッキン８は、例えば、鉄製の板状リングである（他の材料（例えば、銅等の金属材料）も採用可能である）。張り出し部５６（具体的には、張り出し部５６のうちの後面５６ｒを形成する部分）は、パッキン８を介して間接的に、絶縁体１０の縮外径部１６を前方向Ｄｆ側から支持している。なお、パッキン８は、省略されてもよい。この場合、張り出し部５６（具体的には、張り出し部５６の後面５６ｒ）は、絶縁体１０の縮外径部１６に接触してよい。すなわち、張り出し部５６は、直接的に、絶縁体１０を支持してよい。このように、張り出し部５６は、直接的、または、間接的に、絶縁体１０の縮外径部１６を支持する支持部に対応する。

主体金具５０の工具係合部５１より後端側には、主体金具５０の後端を形成するとともに工具係合部５１と比べて薄肉の部分である後端部５３が形成されている。また、中胴部５４と工具係合部５１との間には、中胴部５４と工具係合部５１とを接続する接続部５８が形成されている。接続部５８の肉厚は、中胴部５４と工具係合部５１とのそれぞれの肉厚と比べて、薄い。主体金具５０の工具係合部５１から後端部５３にかけての内周面と、絶縁体１０の後端側胴部１３の外周面との間には、円環状のリング部材６１、６２が挿入されている。さらに、これらのリング部材６１、６２の間には、タルク７０の粉末が充填されている。点火プラグ１００の製造工程において、後端部５３が内側に折り曲げられて加締められると、接続部５８が力の付加に伴って外向きに変形し、この結果、主体金具５０と絶縁体１０とが固定される。本実施形態では、接続部５８は、径方向の外側に向かって膨らむように湾曲している（以下、接続部５８を、湾曲部５８とも呼ぶ）。タルク７０は、この加締め工程の際に圧縮され、主体金具５０と絶縁体１０との間の気密性が高められる。また、パッキン８は、絶縁体１０の縮外径部１６と主体金具５０の張り出し部５６との間で押圧され、そして、主体金具５０と絶縁体１０との間をシールする。

接地電極３０は、金属製の部材であり、棒状の本体部３７を有している。本体部３７の端部３３（基端部３３とも呼ぶ）は、主体金具５０の先端面５５に接合されている（例えば、抵抗溶接）。本体部３７は、主体金具５０に接合された基端部３３から先端方向Ｄｆに向かって延び、中心軸ＣＬに向かって曲がり、軸線ＣＬに交差する方向に延びて、先端部３４に至る。先端部３４の後方向Ｄｆｒ側の面には、第２チップ３９が接合されている（例えば、抵抗溶接）。接地電極３０の第２チップ３９と、中心電極２０の第１チップ２９とは、ギャップｇを形成している。すなわち、接地電極３０の第２チップ３９は、中心電極２０の第１チップ２９の前方向Ｄｆ側に配置されており、第１チップ２９とギャップｇを介して対向している。

本体部３７は、外層３１と、外層３１の内周側に配置された内層３２と、を有している。外層３１は、内層３２よりも耐酸化性に優れる材料（例えば、ニッケルを主成分として含む合金）で形成されている。内層３２は、外層３１よりも熱伝導率が高い材料（例えば、純銅、銅を主成分として含む合金、等）で形成されている。第２チップ３９は、本体部３７の外層３１に接合されている。本体部３７（本実施形態では、外層３１）は、第２チップ３９が接合される母材の例である。なお、第２チップ３９は、省略されてよい。また、内層３２は、省略されてもよい。

Ａ−２．製造方法：
点火プラグ１００の製造方法としては、種々の方法を採用可能である。例えば、以下の製造方法を採用可能である。まず、絶縁体１０と、端子金具４０と、抵抗体７３の材料粉末と、シール部７２、７４のそれぞれの材料粉末と、主体金具５０と、中心電極２０と、直線状の接地電極３０と、を含む点火プラグ１００の部品を準備する。絶縁体１０は、例えば、アルミナなどの材料粉末を所定の形状に成形し、成形された部材を焼成することによって、製造される。端子金具４０、主体金具５０、中心電極２０、直線状の接地電極３０などの金属部材は、例えば、鍛造、切削、溶接などの方法によって、製造される。

次に、準備された部材を用いて、絶縁体１０と中心電極２０と端子金具４０とを有する組立体が準備される。例えば、絶縁体１０の後方向Ｄｆｒ側の開口から中心電極２０が挿入される。中心電極２０は、絶縁体１０の縮内径部１１に支持されることにより、貫通孔１２内の所定位置に配置される。次に、第１シール部７２、抵抗体７３、第２シール部７４のそれぞれの材料粉末の投入と投入された粉末材料の成形とが、部材７２、７３、７４の順番に、行われる。粉末材料は、絶縁体１０の後方向Ｄｆｒ側の開口から貫通孔１２内に投入される。次に、絶縁体１０を、部材７２、７３、７４の材料粉末に含まれるガラス成分の軟化点よりも高い所定温度まで加熱し、所定温度に加熱した状態で、絶縁体１０の後方向Ｄｆｒ側の開口から、端子金具４０の軸部４１を貫通孔１２に挿入する。この結果、部材７２、７３、７４の材料粉末が圧縮および焼結されて、部材７２、７３、７４が形成される。そして、端子金具４０が、絶縁体１０に固定される。

絶縁体１０を含む組立体の準備とは別に、主体金具５０には、接地電極３０が接合される（例えば、抵抗溶接）。そして、主体金具５０に絶縁体１０を含む上記の組立体が固定される。具体的には、主体金具５０の貫通孔５９内に、先端側パッキン８と、組立体と、リング部材６２と、タルク７０と、リング部材６１とが配置され、そして、主体金具５０の後端部５３を内側に折り曲げるように加締めることによって、主体金具５０に絶縁体１０が固定される。そして、棒状の接地電極３０を曲げることによって、ギャップｇの距離が調整される。以上により、点火プラグ１００が完成する。

Ｂ．シール部７２、７４と抵抗体７３の構成：
Ｂ−１．第１実施形態：
内燃機関の運転中のように、点火プラグ１００が、燃料に点火する動作を繰り返す場合、点火プラグ１００の温度は、燃料の燃焼によって、上昇する。これにより、絶縁体１０の貫通孔１２内の部材７２、７３、７４の温度も、上昇する。また、抵抗体７３の温度は、抵抗体７３を流れる電流によって、上昇し得る。温度上昇に起因して、部材７２、７３、７４は、熱膨張し得る。部材７２、７３、７４が熱膨張する場合、部材７２、７３、７４に作用する力（例えば、圧力）が、増大する。このような力の増大は、不具合を引き起こし得る。例えば、絶縁体１０が、破損し得る。また、昇温時に第１シール部７２が柔らかくなる場合、柔らかくなった第１シール部７２が、絶縁体１０の貫通孔１２の先端側から、漏れ得る。漏れた第１シール部７２が燃焼室内に入る場合、第１シール部７２は、燃焼室を破損し得る。部材７２、７３、７４は、点火プラグ１００のこのような不具合を抑制できるように、構成されていることが好ましい。以下、部材７２、７３、７４の好ましい実施形態について、説明する。

第１実施形態のシール部７２、７４は、以下の構成Ａ１〜Ａ５を備えている。
（構成Ａ１）第１シール部７２は、珪素を含むガラスと導電性物質とを含む。
（構成Ａ２）第２シール部７４は、珪素を含むガラスと導電性物質とを含む。
（構成Ａ３）第１シール部７２は、珪素を含む１種以上の第１結晶を有する。
（構成Ａ４）第２シール部７４は、珪素を含む１種以上の第２結晶を有する。
（構成Ａ５）第２シール部７４の１種以上の第２結晶のそれぞれの結晶比率の合計値は、第１シール部７２の１種以上の第１結晶のそれぞれの結晶比率の合計値よりも、小さい。

珪素を含むガラスとしては、例えば、ＳｉＯ_２を含むガラスが用いられる。ＳｉＯ_２を含むガラスの組成としては、種々の組成を採用可能である。例えば、以下のガラス組成Ｇ１〜Ｇ１０から任意に選択された１種以上の組成が、採用されてよい。
（Ｇ１）ＳｉＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｌｉ_２Ｏで構成される組成。
（Ｇ２）ＳｉＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｌｉ_２Ｏと、他の１以上の成分とで構成される組成。他の１以上の成分は、「ＭｇＯ」、「ＭｇＯ、ＺｎＯ」、「ＺｒＯ_２、ＳｎＯ_２」、「ＺｒＯ_２、Ｐ_２Ｏ_５、ＳｎＯ_２」、「ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、ＳｎＯ_２」のいずれか。
（Ｇ３）ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏ、ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｐ_２Ｏ_５、ＭｇＯで構成される組成。
（Ｇ４）ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｌｉ_２Ｏ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｓｂ_２Ｏ_３で構成される組成。
（Ｇ５）ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｌｉ_２Ｏ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｓｂ_２Ｏ_３と、他の１以上の成分とで構成される組成。他の１以上の成分は、「ＺｎＯ」、「ＭｇＯ、ＺｎＯ」のいずれか。
（Ｇ６）ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯと、他の１以上の成分とで構成される組成。他の１以上の成分は、「ＴｉＯ_２」、「ＭｏＯ_３」のいずれか。
（Ｇ７）ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｂ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、ＺｎＯ、Ｎａ_２Ｏで構成される組成。
（Ｇ８）ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｂ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、ＺｎＯ、Ｎａ_２Ｏと、他の１以上の成分とで構成される組成。他の１以上の成分は、「ＺｒＯ_２」、「ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２」、「Ｌｉ_２Ｏ、ＺｒＯ_２」、「Ｌｉ_２Ｏ」のいずれか。
（Ｇ９）ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＣａＯで構成される組成。
（Ｇ１０）ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＣａＯと、他の１以上の成分とで構成される組成。他の１以上の成分は、「ＦｅＳ」、「Ｎａ_２ＳＯ_４」、「Ｆｅ」、「Ｎａ_２ＣＯ_３」、「Ｃ」、「ＣａＣＯ_３」のいずれか。
なお、各要素（例えば、ＳｉＯ_２）のｗｔ％は、種々の値であってよい。また、ガラスの組成は、第１シール部７２と第２シール部７４との間で異なっていてもよく、同じであってもよい。

構成Ａ３、Ａ４の結晶は、珪素を含むガラスの結晶である。このような結晶は、シール部７２、７４のそれぞれのＸ線回折の強度分布（回折パターンとも呼ぶ）を用いて、特定可能である。第１シール部７２のＸ線回折は、第１シール部７２の中心軸ＣＬに垂直な断面を用いて、行われる。第１シール部７２の断面のおおよそ全体に、Ｘ線を照射することによって、第１シール部７２の強度分布が取得される。第２シール部７４のＸ線回折についても、同様に、行われる。取得されたＸ線回折の強度分布のピークは、サンプルに結晶が含まれていることを示している。測定された回折パターンを既知の物質の回折パターンと比較することにより、結晶の組成が特定される。

シール部７２、７４の材料に含まれるガラス材料は、点火プラグ１００の製造時に、結晶化し得る。例えば、上述したように、絶縁体１０に端子金具４０を固定する場合、絶縁体１０の貫通孔１２内に部材７２、７３、７４の材料が配置された状態で、絶縁体１０が加熱される。この加熱によって、部材７２、７３、７４の材料は、溶融する。そして、加熱の終了後、絶縁体１０は冷却され、絶縁体１０の温度は、低下する。この温度低下によって、部材７２、７３、７４内において、ガラスの結晶が、形成され得る（析出とも呼ばれる）。冷却時に、結晶が形成され易い温度に維持される時間を長くすることによって、ガラスの結晶の形成を促進できる。なお、結晶が形成され易い温度は、ガラスの組成に応じて、異なっている。

第１シール部７２は、珪素を含むＰ種類（Ｐは１以上の整数）のガラスの材料を用いて形成されてよい。この場合、第１シール部７２は、珪素を含むＰ種類の結晶を有し得る。第２シール部７４も、同様に、珪素を含むＱ種類（Ｑは１以上の整数）のガラスの材料を用いて形成されてよい。この場合、第２シール部７４は、珪素を含むＱ種類の結晶を有し得る。

上記構成Ａ５の注目しているシール部（注目サンプルとも呼ぶ）の注目している結晶（注目結晶とも呼ぶ）の結晶比率は、注目サンプルのＸ線回折により得られる注目結晶に由来する最大ピークを用いて算出される比率である。図２は、Ｘ線回折により得られる強度分布のグラフの例の模式図である。横軸は、回折角度２θ（単位は度）を示し、縦軸は、回折Ｘ線強度Ｉ（測定強度Ｉとも呼ぶ）を示している。

図２のグラフＩｘは、非晶質ガラスと結晶化ガラスとを含む部材の強度分布の例を示している（以下、強度分布Ｉｘとも呼ぶ）。この強度分布Ｉｘは、第１種の結晶化ガラスに由来するピークＰ１１〜Ｐ１７と、第２種の結晶化ガラスに由来するピークＰ２１〜Ｐ２２と、非晶質ガラスに由来する幅の広い強度分布Ｉｚと、を足し合わせた強度分布を示している。このような強度分布Ｉｘは、結晶化ガラスの各ピークＰ１１〜Ｐ１７、Ｐ２１〜Ｐ２２と、非晶質ガラスの強度分布Ｉｚ（非晶質強度分布Ｉｚとも呼ぶ）と、に分離される。複数のピークと非晶質強度との分離は、Ｘ線回折用のデータ処理プログラム（例えば、多重ピーク分離プログラム）を用いて、行われる。例えば、結晶化ガラスに由来するピークＰ１１〜Ｐ１７、Ｐ２１〜Ｐ２２は、ピーク形状を示す種々の関数（例えば、ガウス関数）によって、近似される。非晶質強度分布Ｉｚは、幅広い分布を示す種々の関数（例えば、スプライン関数）によって、近似される。これらの関数のパラメータ（例えば、係数など）は、例えば、最小二乗法を用いて、決定される。

上記構成Ａ５の結晶比率は、強度分布のうち、珪素を含む結晶（すなわち、珪素を含むガラスの結晶）に由来する最大ピークのピーク強度を用いて、算出される。１種類の注目結晶に由来して複数のピークが観測される場合、注目結晶の最大ピークは、最も大きい測定強度Ｉを有するピークである。最大ピークのピーク強度としては、最大ピークの測定強度Ｉから非晶質強度分布Ｉｚの強度である推定強度を減算して得られる強度、すなわち、結晶化ガラスに由来する正味の強度が、用いられる。非晶質強度分布Ｉｚの推定強度としては、上述した近似関数によって示される強度が用いられる。図２中のピークＰ１１は、第１種の結晶化ガラスの最大ピークの例である。ピーク強度ＰＩ１１は、最大ピークＰ１１のピーク強度を示しており、ピークＰ１１の測定強度Ｉ１１から、非晶質強度分布Ｉｚの推定強度Ｉｚ１１を、減算して得られる（ＰＩ１１＝Ｉ１１−Ｉｚ１１）。なお、ピークＰ１１を含む回折角度の部分範囲ＲＡ１１（ここでは、ピークＰ１１を示す回折角度の部分範囲ＲＡ１１）内において、正味の強度は、回折角度に応じて変化する。ピーク強度ＰＩ１１は、この範囲ＲＡ１１内の最大の正味の強度である。範囲ＲＡ１１内において、非晶質強度分布Ｉｚの推定強度が、回折角度に応じて大きく変化する場合、ピーク強度ＰＩ１１に対応する回折角度ＰＡ１１は、ピークＰ１１の最大の測定強度Ｉに対応する回折角度と異なり得る。他の結晶の最大ピークについても、同様に、ピーク強度が算出される。

最大ピークの結晶比率は、基準サンプルのピーク強度Ｉａに対する最大ピークのピーク強度Ｉｂの比率である（Ｉｂ／Ｉａ）。基準サンプルのピーク強度Ｉａは、後述する基準サンプルから得られる１以上のピークのうち、注目結晶の最大ピークの回折角度の範囲と同じ回折角度の範囲内のピークのピーク強度である。基準サンプルは、最大ピークが由来する結晶（すなわち、最大ピークによって示される注目結晶と同じ組成の結晶）が全体に亘って形成されているサンプルである。このような基準サンプルは、注目結晶の材料粉末の加熱と冷却とによって、製造可能である。材料粉末は、加熱によって、溶融する。加熱後の冷却時には、溶融した材料の温度が、結晶が形成され易い温度に、維持される。これにより、ガラスの結晶化が促進される。このような温度の維持は、結晶化がガラスの全体に亘って進行するまで、行われる。結晶化が十分に進行した後、ガラスは、更に、冷却される（例えば、ガラスは、常温まで、冷却される）。以上により、基準サンプルが、形成される。

基準サンプルの断面のＸ線回折によって、基準サンプルの回折パターンが特定される（基準回折パターン、または、基準強度分布とも呼ぶ）。基準回折パターンの１以上のピークから、注目サンプルの注目結晶の最大ピークの回折角度の範囲と同じ回折角度の範囲内のピークである注目基準ピークが、特定される。この注目基準ピークのピーク強度である注目基準ピーク強度が、最大ピークの結晶比率の算出に用いられる。注目基準ピーク強度の算出は、基準強度分布に基づいて、最大ピークのピーク強度の算出と同じ方法で、行われる。

このような結晶比率は、結晶が全体に亘って形成されている基準サンプルを基準とする、シール部における結晶部分の比率を示している。また、１つのシール部に珪素を含む１種以上の結晶化ガラスが含まれる場合、その１種以上の結晶化ガラスのそれぞれの結晶比率の合計値は、シール部における結晶部分の全体的な比率を示している。一般的に、結晶部分の比率が小さいほど、シール部は、柔らかい。従って、結晶比率の合計値が小さいほど、シール部は、柔らかい。

このような結晶比率の合計値が、第１シール部７２と第２シール部７４との間で、比較される。ここで、第１シール部７２の回折パターンのピークのうち、珪素を含む１種以上の結晶のいずれかに由来する最大ピークの結晶比率を、第１の結晶比率と呼ぶ。第２シール部７４の回折パターンのピークのうち、珪素を含む１種以上の結晶のいずれかに由来する最大ピークの結晶比率を、第２の結晶比率と呼ぶ。上記の構成Ａ５は、第１シール部７２の珪素を含む１種以上の結晶のそれぞれの第１の結晶比率の合計値が、第２シール部７４の珪素を含む１種以上の結晶のそれぞれの第２の結晶比率の合計値よりも小さいことを、示している。このような構成Ａ５は、第２シール部７４が、第１シール部７２よりも、柔らかいことを、示している。なお、本実施形態では、第１シール部７２の珪素を含む１種以上の結晶のそれぞれは、珪素を含む結晶化ガラスである。また、第２シール部７４の珪素を含む１種以上の結晶のそれぞれは、珪素を含む結晶化ガラスである。

シール部７２、７４が、上記構成Ａ１〜Ａ５（特に、構成Ａ５）を備える場合、以下に説明するように、点火プラグ１００の不具合が抑制される。上述したように、部材７２、７３、７４の温度は、種々の原因に起因して、上昇する。温度上昇に起因して、部材７２、７３、７４は熱膨張し得、そして、部材７２、７３、７４に作用する力（例えば、圧力）が、増大し得る。ここで、シール部７２、７４が構成Ａ５を備えるので、第２シール部７４は、第１シール部７２よりも、変形し易い。第２シール部７４が変形する場合、部材７２、７３、７４に作用する力は、緩和される。この結果、絶縁体１０の破損は抑制される。また、第２シール部７４が変形するので、第１シール部７２の変形が抑制される。従って、第１シール部７２が絶縁体１０の貫通孔１２の先端側から燃焼室内に漏れることが、抑制される。この結果、燃焼室の破損が抑制される。また、第２シール部７４が、仮に絶縁体１０の貫通孔１２の外に漏れる場合、第２シール部７４は、貫通孔１２の後端側から外に移動する。このように、貫通孔１２の外に移動した第２シール部７４は、燃焼室内には、入らない。従って、燃焼室の破損が抑制される。

なお、第２シール部７４に含まれる結晶の組成は、第１シール部７２に含まれる結晶の組成と、同じであってよく、異なっていてもよい。

構成Ａ１〜Ａ５（特に、構成Ａ５）を備えるシール部７２、７４を形成する方法としては、任意の方法を採用可能である。例えば、互いに異なるガラス材料を用いて、第１シール部７２と第２シール部７４とが形成されてよい。ここで、第１シール部７２のガラスの結晶が形成され易い温度である第１結晶温度が、第２シール部７４のガラスの結晶が形成され易い温度である第２結晶温度と異なるように、各シール部７２、７４のそれぞれのガラス材料が、選択される。そして、絶縁体１０に端子金具４０を固定するための加熱の後の冷却時に、絶縁体１０の温度は、第２結晶温度には比較的短い時間に亘って維持され、第１結晶温度には比較的長い時間に亘って維持される。これにより、第２シール部７４のガラスの結晶化が、第１シール部７２のガラスの結晶化と比べて、抑制されるので、構成Ａ５を備えるシール部７２、７４を、容易に、形成できる。

なお、ガラスの結晶が形成され易い温度は、実験的に、特定される。例えば、ＳｉＯ_２（６５．９）、Ａｌ_２Ｏ_３（２２．７）、Ｂ_２Ｏ_３（２．８）、Ｌｉ_２Ｏ（４．８）、ＺｒＯ_２（２．４）、ＳｎＯ_２（１．４）で構成される組成のガラスの結晶は、おおよそ摂氏８３０度で形成され得る（括弧内の数値は、ｗｔ％）。また、ＳｉＯ_２（４７．４）、Ａｌ_２Ｏ_３（３４．６）、Ｌｉ_２Ｏ（１１．０）、ＢａＯ（１．５）、ＳｒＯ（１．５）、ＺｎＯ（０．５）、ＺｒＯ_２（１．５）、ＴｉＯ_２（１．５）、Ｓｂ_２Ｏ_３（０．５）で構成される組成のガラスの結晶は、おおよそ摂氏７２０度で形成され得る（括弧内の数値は、ｗｔ％）。これら２つのガラスのうち、一方が、第１シール部７２の形成に利用され、他方が、第２シール部７４の形成に利用されてよい。

Ｂ−２．第２実施形態：
第２実施形態のシール部７２、７４は、以下の構成Ａ１〜Ａ３、Ｂ１を備えている。
（構成Ａ１）第１シール部７２は、珪素を含むガラスと導電性物質とを含む。
（構成Ａ２）第２シール部７４は、珪素を含むガラスと導電性物質とを含む。
（構成Ａ３）第１シール部７２は、珪素を含む１種以上の第１結晶を有する。
（構成Ｂ１）第２シール部７４に含まれるガラスは、非晶質ガラスである。

第１実施形態との差異は、第２実施形態では、上記構成Ａ４、Ａ５が、構成Ｂ１に置換された点だけである。構成Ａ３、Ｂ１は、第１シール部７２は、結晶化ガラスを含み、第２シール部７４は、結晶化ガラスを含まずに非晶質ガラスを含むことを、示している。一般的に、非晶質ガラスは、結晶化ガラスと比べて、容易に変形できる。従って、シール部７２、７４が上記構成Ａ１〜Ａ３、Ｂ１を備える場合、第２シール部７４は、第１シール部７２よりも、変形し易い。この結果、第２実施形態のシール部７２、７４を備える点火プラグ１００は、第１実施形態のシール部７２、７４を備える点火プラグ１００と同様に、不具合を抑制できる。

なお、構成Ａ１〜Ａ３、Ｂ１を備えるシール部７２、７４を形成する方法としては、任意の方法を採用可能である。例えば、上記の第１実施形態で説明した方法と同様に、互いに異なるガラス材料を用いて、第１シール部７２と第２シール部７４とが形成されてよい。

Ｂ−３．第３実施形態：
第３実施形態では、抵抗体７３は、以下の構成Ｃ１を備えている。
構成Ｃ１）抵抗体７３は、非晶質ガラスを含む。
本実施形態の抵抗体７３の構成Ｃ１は、上記の第１実施形態または第２実施形態と、組み合わされる。

抵抗体７３が非晶質ガラスを含む場合、抵抗体７３がガラスとして非晶質ガラスを含まずに結晶化ガラスのみを含む場合と比べて、抵抗体７３のガラス材料の選択肢が多くなる。例えば、点火プラグ１００の製造時における結晶化が難しいガラスを、抵抗体７３のガラスとして利用できる。従って、点火プラグ１００の動作条件（例えば、動作温度など）に適した抵抗体７３を備える点火プラグ１００を、容易に製造できる。また、抵抗体７３が非晶質ガラスを含む場合には、抵抗体７３がガラスとして非晶質ガラスを含まずに結晶化ガラスのみを含む場合と比べて、抵抗体７３の熱膨張率が高くなり得る。抵抗体７３の熱膨張率が高い場合、点火プラグ１００の昇温時に部材７２、７３、７４に作用する力が増大し得る。上述したように、第１実施形態または第２実施形態のシール部７２、７４は、第２シール部７４の変形によって、部材７２、７３、７４に作用する力を緩和できる。以上により、点火プラグ１００の不具合が抑制される。なお、抵抗体７３に含まれる非晶質ガラスとしては、種々のガラス（例えば、上記のガラス組成Ｇ１〜Ｇ１０から任意に選択された１種以上の組成のガラス）が、採用されてよい。

Ｂ−４．第４実施形態：
第４実施形態では、抵抗体７３と第２シール部７４とは、以下の構成Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３を備えている。
（構成Ｃ１）抵抗体７３は、非晶質ガラスを含む。
（構成Ｃ２）第２シール部７４は、非晶質ガラスを含む。
（構成Ｃ３）第２シール部７４に含まれる非晶質ガラスのガラス転移温度は、抵抗体７３に含まれる非晶質ガラスのガラス転移温度よりも、低い。
第３実施形態との差異は、構成Ｃ２、Ｃ３が追加されている点である。本実施形態の抵抗体７３と第２シール部７４との構成Ｃ１〜Ｃ３は、上記の第１実施形態または第２実施形態と、組み合わされる。

ガラスの特徴の１つとして、ガラス転移がある。高温の流動性が高い物質が冷却される場合に、特定の温度（ガラス転移温度とも呼ばれる）以下でその物質の流動性が低下し、その物質の状態は不規則な構造をもつガラス状態になる。このような状態の変化は、ガラス転移と呼ばれる。非晶質ガラスが加熱されてその温度がガラス転移温度を超えると、その流動性が増大する。また、非晶質ガラスの温度がガラス転移温度を超えると、熱膨張率が急激に増加し得る。仮に、第２シール部７４に含まれる非晶質ガラスのガラス転移温度が、抵抗体７３に含まれる非晶質ガラスのガラス転移温度よりも高いと仮定する。そして、点火プラグ１００の温度が、抵抗体７３の非晶質ガラスのガラス転移温度を超えたと仮定する。この場合、第２シール部７４が変形し難い状態で、抵抗体７３の体積が膨張し得る。従って、絶縁体１０の破損などの不具合が、生じ得る。

本実施形態では、抵抗体７３と第２シール部７４とは、上記構成Ｃ１〜Ｃ３（特に、構成Ｃ３）を備えている。点火プラグ１００の温度が上昇する場合に、第２シール部７４の非晶質ガラスが、抵抗体７３の非晶質ガラスよりも先に、柔らかくなる。点火プラグ１００の温度が抵抗体７３の非晶質ガラスのガラス転移温度を超える場合であっても、第２シール部７４の変形によって、部材７２、７３、７４に作用する力は、緩和される。以上により、点火プラグ１００の不具合が抑制される。

なお、抵抗体７３に含まれる非晶質ガラスのガラス転移温度の特定方法としては、示差熱分析法（differential thermal analysis : DTA）が採用される。示差熱分析法は、ＪＩＳ Ｋ ０１２９によって規定されており、試料及び基準物質の温度を一定のプログラムによって変化させながら、その試料と基準物質との温度差を温度の関数として測定する方法である。試料のガラス転移が生じる場合、温度差が変化する。このような温度差の変化を用いて、ガラス転移温度が特定される。抵抗体７３から非晶質ガラスが取り出され、取り出された非晶質ガラスのガラス転移温度が、示差熱分析法によって測定されてよい。抵抗体７３に含まれる非晶質ガラスの量が少ない場合、抵抗体７３に含まれる非晶質ガラスの組成と同じ組成の非晶質ガラスのサンプルが準備され、準備されたサンプルが、ガラス転移温度の測定に用いられてよい。抵抗体７３に含まれる非晶質ガラスの組成は、ICP発光分光分析法や原子吸光分析法などの化学分析によって、特定可能である。第２シール部７４に含まれる非晶質ガラスのガラス転移温度も、同じ方法によって、特定可能である。

なお、抵抗体７３は、Ｒ種類（Ｒは１以上の整数）の非晶質ガラスを含んでよい。この場合、構成Ｃ３で用いられる抵抗体７３に含まれる非晶質ガラスのガラス転移温度としては、Ｒ種類の非晶質ガラスのそれぞれのガラス転移温度のうちの、最も低い温度が採用されてよい。同様に、第２シール部７４は、Ｓ種類（Ｓは１以上の整数）の非晶質ガラスを含んでよい。この場合、構成Ｃ３で用いられる第２シール部７４に含まれる非晶質ガラスのガラス転移温度としては、Ｓ種類の非晶質ガラスのそれぞれのガラス転移温度のうちの、最も低い温度が採用されてよい。

なお、構成Ｃ１〜Ｃ３を備える抵抗体７３と第２シール部７４とを形成する方法としては、任意の方法を採用可能である。例えば、互いに異なるガラス材料を用いて、抵抗体７３と第２シール部７４とが形成されてよい。例えば、ＳｉＯ_２（６０．１）、Ａｌ_２Ｏ_３（１７．３）、Ｂ_２Ｏ_３（７．５０）、ＭｇＯ（４．０４）、ＺｎＯ（２．４１）、Ｎａ_２Ｏ（８．６０）で構成される組成の第１ガラスのガラス転移温度は、おおよそ摂氏６３５度である（括弧内の数値は、ｗｔ％）。また、ＳｉＯ_２（６１．０）、Ａｌ_２Ｏ_３（１５．９）、Ｂ_２Ｏ_３（７．６１）、ＭｇＯ（５．９８）、ＺｎＯ（６．３６）、Ｎａ_２Ｏ（２．９１）、Ｌｉ_２Ｏ（０．２３）で構成される組成の第２ガラスのガラス転移温度は、おおよそ摂氏６５３度である（括弧内の数値は、ｗｔ％）。ここで、第２シール部７４が、第１ガラスを用いて形成され、抵抗体７３が、第２ガラスを用いて形成されてよい。

Ｂ−５．第５実施形態：
第５実施形態では、シール部７２、７４は、以下の構成Ｄ１〜Ｄ３を備えている。
（構成Ｄ１）第１シール部７２は、非晶質ガラスを含む。
（構成Ｄ２）第２シール部７４は、非晶質ガラスを含む。
（構成Ｄ３）第２シール部７４に含まれる非晶質ガラスの軟化点は、第１シール部７２に含まれる非晶質ガラスの軟化点よりも、低い。
本実施形態のシール部７２、７４の構成Ｄ１〜Ｄ３は、上記の第１〜第４の実施形態のうちの任意の実施形態と、組み合わされる。

非晶質ガラスの温度が軟化点を超えると、流動性が増大し、そして、非晶質ガラスは、柔らかくなる。仮に、第２シール部７４に含まれる非晶質ガラスの軟化点が、第１シール部７２に含まれる非晶質ガラスの軟化点よりも高いと仮定する。そして、点火プラグ１００の温度が、第１シール部７２の非晶質ガラスの軟化点を超えたと仮定する。この場合、第２シール部７４が変形し難い状態で、第１シール部７２が柔らかくなる。ここで、部材７２、７３、７４の少なくとも１つが温度上昇によって熱膨張する場合、柔らかくなった第１シール部７２が、絶縁体１０の貫通孔１２の先端側から、漏れ得る。このように、燃焼室の破損などの不具合が、生じ得る。

本実施形態では、シール部７２、７４は、上記構成Ｄ１〜Ｄ３（特に、構成Ｄ３）を備えている。点火プラグ１００の温度が上昇する場合に、第２シール部７４の非晶質ガラスが、第１シール部７２の非晶質ガラスよりも先に、柔らかくなる。部材７２、７３、７４の少なくとも１つが温度上昇によって熱膨張する場合であっても、第２シール部７４の変形によって、部材７２、７３、７４に作用する力は、緩和される。以上により、点火プラグ１００の不具合が抑制される。

非晶質ガラスの軟化点としては、ＪＩＳ Ｒ ３１０３−１によって規定されている軟化点が、用いられる。ＪＩＳ Ｒ ３１０３−１によれば、寸法が一定の許容範囲にある直径０．６５ｍｍ、長さ２３５ｍｍの円形断面のガラス繊維が、上部の長さ１００ｍｍを規定した炉中で摂氏（５±１）度／ｍｉｎの速度で昇温したとき、自重で１ｍｍ／ｍｉｎの速度で伸びるような温度が、軟化点である。このような軟化点は、ＪＩＳ Ｒ ３１０３−１によって規定される方法に従って、測定される。なお、第１シール部７２に含まれる非晶質ガラスの量が少ない場合、第１シール部７２に含まれる非晶質ガラスの組成と同じ組成の非晶質ガラスのサンプルが準備され、準備されたサンプルが、軟化点の測定に用いられてよい。第１シール部７２に含まれる非晶質ガラスの組成は、ICP発光分光分析法や原子吸光分析法などの化学分析によって、特定可能である。第２シール部７４に含まれる非晶質ガラスの軟化点も、同じ方法によって、特定可能である。

なお、第１シール部７２は、Ｔ種類（Ｔは１以上の整数）の非晶質ガラスを含んでよい。この場合、構成Ｄ３で用いられる第１シール部７２に含まれる非晶質ガラスの軟化点としては、Ｔ種類の非晶質ガラスのそれぞれの軟化点のうちの、最も低い温度が採用されてよい。同様に、第２シール部７４は、Ｕ種類（Ｕは１以上の整数）の非晶質ガラスを含んでよい。この場合、構成Ｄ３で用いられる第２シール部７４に含まれる非晶質ガラスの軟化点としては、Ｕ種類の非晶質ガラスのそれぞれの軟化点のうちの、最も低い温度が採用されてよい。

なお、構成Ｄ１〜Ｄ３を備えるシール部７２、７４を形成する方法としては、任意の方法を採用可能である。例えば、互いに異なるガラス材料を用いて、第１シール部７２と第２シール部７４とが形成されてよい。例えば、ＳｉＯ_２（６０．１）、Ａｌ_２Ｏ_３（１７．３）、Ｂ_２Ｏ_３（７．５０）、ＭｇＯ（４．０４）、ＺｎＯ（２．４１）、Ｎａ_２Ｏ（８．６０）で構成される組成の第３ガラスの軟化点は、おおよそ摂氏８５１度である（括弧内の数値は、ｗｔ％）。また、ＳｉＯ_２（３２．４）、Ｂ_２Ｏ_３（３２．１）、Ａｌ_２Ｏ_３（２７．５）、ＬｉＯ_２（８．０）で構成される組成の第４ガラスの軟化点は、おおよそ摂氏６０１度である（括弧内の数値は、ｗｔ％）。ここで、第１シール部７２が、第３ガラスを用いて形成され、第２シール部７４が、第４ガラスを用いて形成されてよい。

Ｂ−６．第６実施形態：
第６実施形態では、第１シール部７２は、以下の構成Ｅ１、Ｅ２を備えている。
（構成Ｅ１）第１シール部７２は、結晶化ガラスと非晶質ガラスとを含む。
（構成Ｅ２）第１シール部７２に含まれる結晶化ガラスは、第１シール部７２に含まれる非晶質ガラスに含まれる成分で構成されている。
本実施形態のシール部７２の構成Ｅ１、Ｅ２は、上記の第１〜第５の実施形態のうちの任意の実施形態と、組み合わされる。

結晶化ガラスは、非晶質ガラスと比べて、流動性が低い。従って、第１シール部７２が結晶化ガラスを含む場合、第１シール部７２が結晶化ガラスを含まない場合と比べて、第１シール部７２の流動性が抑制される。この結果、第１シール部７２が、絶縁体１０の貫通孔１２の先端側から漏れることは、抑制される。

また、結晶化ガラスは、非晶質ガラスと比べて、熱膨張率が小さく、また、耐熱性が良好である。本実施形態では、第１シール部７２は、結晶化ガラスを含んでいるので、第１シール部７２の熱膨張率が抑制される。この結果、点火プラグ１００の温度が上昇する場合に、第１シール部７２の熱膨張に起因して部材７２、７３、７４に作用する力は、緩和される。また、第１シール部７２の耐熱性を、向上できる。

さらに、本実施形態では、第１シール部７２に含まれる結晶化ガラスは、第１シール部７２に含まれる非晶質ガラスに含まれる成分で構成されている（構成Ｅ２）。すなわち、非晶質ガラスは、結晶化ガラスの組成と同じ組成のガラスを、含んでいる。従って、第１シール部７２の結晶化ガラスと非晶質ガラスとの接触を強化できる。この結果、第１シール部７２の結晶化ガラスと非晶質ガラスとの間に隙間が生じることが、抑制される。また、非晶質ガラスと結晶化ガラスとに共通するガラス材料を用いて、第１シール部７２を形成できる。このように、第１シール部７２を、容易に形成できる。また、第１シール部７２は、結晶化ガラスと非晶質ガラスとの両方を含んでいる。従って、点火プラグ１００の製造時に、第１シール部７２に含まれるガラスの全てを結晶化する必要はなく、ガラスの一部が結晶化すればよい。この結果、第１シール部７２を、容易に形成できる。なお、第１シール部７２に含まれるガラスとしては、種々のガラス（例えば、上記のガラス組成Ｇ１〜Ｇ１０から任意に選択された１種以上の組成のガラス）が、採用されてよい。

Ｂ−７．第７実施形態：
第７実施形態では、第１シール部７２は、以下の構成Ｆ１、Ｆ２を備えている。
（構成Ｆ１）第１シール部７２は、結晶化ガラスを含む。
（構成Ｆ２）第１シール部７２に含まれる結晶化ガラスは、β−ユークリプタイト、コーディエライト、β−スポジュメン、アノーサイトのうちの少なくとも１つを含む結晶化ガラスを含む。
本実施形態のシール部７２の構成Ｆ１、Ｆ２は、上記の第１〜第６の実施形態のうちの任意の実施形態と、組み合わされる。

以下の結晶化ガラスＣＧ１〜ＣＧ４は、いずれも、上記構成Ｆ２を備える結晶化ガラスの例である。これらの結晶化ガラスＣＧ１〜ＣＧ４では、追加された成分（β−ユークリプタイト、コーディエライト、β−スポジュメン、アノーサイトのいずれか）によって、熱膨張が抑制されている。従って、第１シール部７２の熱膨張に起因する不具合が、抑制される。
（ＣＧ１）β−ユークリプタイト（Ｌｉ_２Ｏ・Ａｌ_２Ｏ_３・２ＳｉＯ_２）が析出している結晶化ガラス。
（ＣＧ２）コーディエライト（２ＭｇＯ・２Ａｌ_２Ｏ_３・５ＳｉＯ_２）が析出している結晶化ガラス。
（ＣＧ３）β−スポジュメン（Ｌｉ_２Ｏ−Ａｌ_２Ｏ_３−ｎＳｉＯ_２，ｎ≧４）の固溶体が析出している結晶化ガラス
（ＣＧ４）アノーサイト（ＣａＯ・Ａｌ_２Ｏ_３・２ＳｉＯ_２）が析出している結晶化ガラス。

β−ユークリプタイトを含む結晶化ガラスＣＧ１のガラス成分としては、種々の組成のガラスを採用可能である。例えば、上記のガラス組成Ｇ１、Ｇ２、Ｇ４、Ｇ５のいずれかのガラスが採用されてよい。ここで、β−ユークリプタイトは、固溶体を形成してもよい。

コーディエライトを含む結晶化ガラスＣＧ２のガラス成分としては、種々の組成のガラスを採用可能である。例えば、上記のガラス組成Ｇ６のガラスが採用されてよい。

β−スポジュメンを含む結晶化ガラスＣＧ３のガラス成分としては、種々の組成のガラスを採用可能である。例えば、上記のガラス組成Ｇ２、Ｇ３のいずれかのガラスが採用されてよい。

アノーサイトを含む結晶化ガラスＣＧ４のガラス成分としては、種々の組成のガラスを採用可能である。例えば、上記のガラス組成Ｇ１の「Ｌｉ_２Ｏ」を「ＣａＯ」に置換して得られる組成（すなわち、ＳｉＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、ＣａＯ）のガラスが採用されてもよい。

なお、各結晶化ガラスＣＧ１〜ＣＧ４において、ガラスの組成の各要素（例えば、ＳｉＯ_２）のｗｔ％は、種々の値であってよい。

Ｃ．変形例：
（１）第１シール部７２は、非晶質ガラスと結晶化ガラスとの少なくとも一方を含んでよい。すなわち、第１シール部７２は、非晶質ガラスを含まずに結晶化ガラスを含んでよく、結晶化ガラスを含まずに非晶質ガラスを含んでよく、非晶質ガラスと結晶化ガラスとの両方を含んでよい。同様に、第２シール部７４は、非晶質ガラスと結晶化ガラスとの少なくとも一方を含んでよい。すなわち、第２シール部７４は、非晶質ガラスを含まずに結晶化ガラスを含んでよく、結晶化ガラスを含まずに非晶質ガラスを含んでよく、非晶質ガラスと結晶化ガラスとの両方を含んでよい。例えば、以下の３つの組成のガラスは、いずれも、結晶化が困難なガラスである。「ＳｉＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３、Ｎａ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏ」、「ＳｉＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３、ＣａＯ」、「ＳｉＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３、ＣａＯ、Ｎａ_２Ｏ」。第１シール部７２に含まれるガラスは、このように結晶化が困難なガラスで構成されてよい（すなわち、第１シール部７２は、結晶化ガラスを含まずに非晶質ガラスを含んでよい）。同様に、第２シール部７４に含まれるガラスは、このように結晶化が困難なガラスで構成されてよい（すなわち、第２シール部７４は、結晶化ガラスを含まずに非晶質ガラスを含んでよい）。

シール部７２、７４に含まれる珪素を含むガラスは、種々のガラスであってよい。例えば、第１シール部７２が結晶化ガラスを含む場合に、その結晶化ガラスは、β−ユークリプタイト、コーディエライト、β−スポジュメン、アノーサイトのいずれも含まないガラスであってよい。また、第１シール部７２が結晶化ガラスと非晶質ガラスとを含む場合に、結晶化ガラスは、非晶質ガラスには含まれない成分で構成されてよい。すなわち、結晶化ガラスの組成と同じ組成のガラスが、非晶質ガラスには含まれていなくてもよい。例えば、第１シール部７２は、結晶化の容易なガラス材料と結晶化が困難なガラス材料との両方を用いて形成されてよい。そして、結晶化の容易なガラス材料が、結晶化ガラスを形成し、結晶化が困難なガラス材料が、非晶質ガラスを形成してよい。この場合、結晶化ガラスと非晶質ガラスとの間では、組成が異なっている。また、第１シール部７２は、非晶質ガラスを含まずに、結晶化ガラスを含んでもよい。第２シール部７４も、同様に、種々の結晶化ガラスを含んでよい。また、第２シール部７４の結晶化ガラスと非晶質ガラスとの間では、組成が異なっていてよい。

また、抵抗体７３が非晶質ガラスを含み、第２シール部７４が非晶質ガラスを含む場合に、第２シール部７４の非晶質ガラスの転移温度は、抵抗体７３の非晶質ガラスの転移温度以上であってもよい。この場合も、点火プラグ１００が利用される環境下で（例えば、点火プラグ１００が装着された内燃機関が運転される状態で）、点火プラグ１００の温度が第２シール部７４の非晶質ガラスの転移温度を超える場合には、第２シール部７４の変形によって不具合を抑制できる。

また、第１シール部７２が非晶質ガラスを含み、第２シール部７４が非晶質ガラスを含む場合に、第２シール部７４に含まれる非晶質ガラスの軟化点は、第１シール部７２に含まれる非晶質ガラスの軟化点以上であってもよい。この場合も、点火プラグ１００が利用される環境下で（例えば、点火プラグ１００が装着された内燃機関が運転される状態で）、点火プラグ１００の温度が第２シール部７４の非晶質ガラスの軟化点を超える場合には、第２シール部７４の変形によって不具合を抑制できる。

いずれの場合も、第１シール部７２に含まれるガラスの組成は、第２シール部７４に含まれるガラスの組成と、同じであってよく、異なっていてもよい。

また、第１シール部７２は、セラミックを含む１種以上の結晶を有してよい。例えば、第１シール部７２は、ジルコニア、アルミナ、炭化珪素、窒化珪素、のうちのいずれかをセラミックとして含む結晶を、有してよい。この場合、第１シール部７２は、上記の構成Ａ３に代えて、以下の構成Ａ３ａを備えてよい。
（構成Ａ３ａ）第１シール部７２は、セラミックを含む１種以上の第１結晶を有する。
第１シール部７２の材料は、このようなセラミックを含む結晶を、含んでよい。また、第１シール部７２に含まれるセラミックを含む１種以上の第１結晶のうちの少なくとも１種は、セラミックとして珪素を含む結晶化ガラスであることが好ましい。この構成によれば、珪素を含む結晶化ガラスと、その周囲に存在する珪素を含むガラス（例えば、非晶質ガラス）との接触を強化できるので、第１シール部７２内に隙間が形成されることを抑制できる。ここで、セラミックを含む１種以上の第１結晶の全てが、珪素を含む結晶化ガラスであってもよい。

第２シール部７４も、同様に、上記のセラミックを含む１種以上の結晶を有してよい。この場合、第２シール部７４は、上記の構成Ａ４に代えて、以下の構成Ａ４ａを備えてよい。
（構成Ａ４ａ）第２シール部７４は、セラミックを含む１種以上の第２結晶を有する。
第２シール部７４の材料は、このようなセラミックを含む結晶を、含んでよい。また、第２シール部７４に含まれるセラミックを含む１種以上の第２結晶のうちの少なくとも１種は、セラミックとして珪素を含む結晶化ガラスであることが好ましい。この構成によれば、第２シール部７４内に隙間が形成されることを抑制できる。ここで、セラミックを含む１種以上の第２結晶の全てが、珪素を含む結晶化ガラスであってもよい。

また、シール部７２、７４が、上記構成Ａ１、Ａ２、Ａ３ａ、Ａ４ａを備える場合、シール部７２、７４は、更に、上記の構成Ａ５を備えることが好ましい。ここで、構成Ａ５の「第１シール部７２の１種以上の第１結晶のそれぞれの結晶比率の合計値」は、珪素を含む結晶化ガラスの結晶比率に限らず、セラミックを含む１種以上の第１結晶のそれぞれの結晶比率の合計値である。また、構成Ａ５の「第２シール部７４の１種以上の第２結晶のそれぞれの結晶比率の合計値」は、珪素を含む結晶化ガラスの結晶比率に限らず、セラミックを含む１種以上の第２結晶のそれぞれの結晶比率の合計値である。

（２）抵抗体７３は、非晶質ガラスと結晶化ガラスとの少なくとも一方を含んでよい。すなわち、抵抗体７３は、非晶質ガラスを含まずに結晶化ガラスを含んでよく、結晶化ガラスを含まずに非晶質ガラスを含んでよく、非晶質ガラスと結晶化ガラスとの両方を含んでよい。抵抗体７３に含まれるガラスの組成は、第１シール部７２に含まれるガラスの組成と、同じであってよく、異なっていてもよい。抵抗体７３に含まれるガラスの組成は、第２シール部７４に含まれるガラスの組成と、同じであってよく、異なっていてもよい。

抵抗体７３は、種々のガラスを含んでよい。抵抗体７３は、例えば、珪素を含むガラスを含んでよい。また、抵抗体７３は、ガラスを含まずに、導電性物質（例えば、金属など）で形成されてもよい。

（３）第１シール部７２に含まれる導電性物質は、放電用の電流が流れ得る種々の物質であってよい。導電性物質は、例えば、金属（例えば、鉄、銅、グラファイトなど）であってよく、また、非晶質カーボン（例えば、カーボンブラック）であってよい。また、第１シール部７２は、複数種類の導電性物質を、含んでよい。抵抗体７３に含まれる導電性物質と、第２シール部７４に含まれる導電性物質と、についても、同様である。なお、導電性物質は、第１シール部７２と第２シール部７４との間で、異なっていてもよく、同じであってもよい。また、導電性物質は、第１シール部７２と抵抗体７３との間で、異なっていてもよく、同じであってもよい。また、導電性物質は、抵抗体７３と第２シール部７４との間で、異なっていてもよく、同じであってもよい。

（４）結晶化ガラスを含む部材（例えば、第１シール部７２と抵抗体７３と第２シール部７４とのうちの１以上の部材）を形成する方法としては、任意の方法を採用可能である。例えば、絶縁体１０に端子金具４０を固定するための加熱の後の冷却時に、絶縁体１０の温度が結晶化ガラスの形成されやすい温度に維持される時間を長くすることによって、結晶化ガラスの形成を促進できる。また、以下の文献には、種々のガラスの形成方法が、記載されている。特開２０１４−１８５０６０、特開２００６−１９３３９８、特開２００２−１０４８４１、特開２０１７−７１５４５、特開平７−１７２８６３、特開平１−２３４３４４。上記の結晶化ガラスＣＧ１〜ＣＧ４のいずれかを含む部材と、他のガラスを含む部材とは、これらの文献に記載の方法に基づいて、形成されてよい。

（５）接続部７５は、抵抗体７３に加えて他の部材を含んでよい。接続部７５は、例えば、抵抗体７３に直列に接続された磁性体を含んでよい。また、接続部７５は、抵抗体７３に並列に接続されたコイルを含んでよい。いずれの場合も、第１シール部７２は、接続部７５と中心電極２０とに接触し、第２シール部７４は、接続部７５と端子金具４０とに接触する。

（６）点火プラグ１００の構成は、図１に示す構成に代えて、他の種々の構成であってよい。例えば、先端側パッキン８が省略されてもよい。この場合、主体金具５０の張り出し部５６は、直接的に、絶縁体１０の縮外径部１６を、支持する。また、中心電極の先端面（例えば、図１の第１チップ２９の前方向Ｄｆ側の面）に代えて、中心電極の側面（点火プラグ１００の軸線ＣＬに垂直な方向側の面）と、接地電極とが、放電用のギャップを形成してもよい。また、放電用のギャップの総数が２以上であってもよい。また、接地電極３０が省略されてもよい。この場合、点火プラグの中心電極２０と、燃焼室内の他の部材と、の間で、放電が生じてよい。

以上、実施形態、変形例に基づき本発明について説明してきたが、上記した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に、本発明にはその等価物が含まれる。

８…先端側パッキン、９…ガスケット、１０…絶縁体、１１…縮内径部、１２…貫通孔（軸孔）、１３…後端側胴部、１４…大径部、１５…先端側胴部、１６…縮外径部、１９…脚部、２０…中心電極、２１…外層、２２…芯部、２３…鍔部、２４…頭部、２７…軸部、２８…棒部、２９…第１チップ、３０…接地電極、３１…外層、３２…内層、３３…基端部、３４…先端部、３７…本体部、３９…第２チップ、４０…端子金具、４１…軸部、４８…鍔部、４９…キャップ装着部、５０…主体金具、５１…工具係合部、５２…先端側胴部、５３…後端部、５４…中胴部、５４ｆ…座面、５５…先端面、５６…張り出し部、５６ｒ…後面、５７…ネジ部、５８…接続部（湾曲部）、５９…貫通孔、６１…リング部材、６２…リング部材、７０…タルク、７２…第１シール部、７３…抵抗体、７４…第２シール部、７５…接続部、１００…点火プラグ、ｇ…ギャップ、ＣＬ…中心軸（軸線）

Claims (9)

1. 軸線の方向に延びる貫通孔を有する絶縁体と、
   前記貫通孔の先端側に少なくとも一部が挿入された中心電極と、
   前記貫通孔の後端側に少なくとも一部が挿入された端子金具と、
   前記貫通孔内の前記中心電極と前記端子金具との間に配置され、抵抗体を含む接続部と、
   前記貫通孔内で前記中心電極と前記接続部とを接続する第１シール部と、
   前記貫通孔内で前記端子金具と前記接続部とを接続する第２シール部と、
   を備える点火プラグであって、
   前記第１シール部は、珪素を含むガラスと導電性物質とを含み、
   前記第２シール部は、珪素を含むガラスと導電性物質とを含み、
   前記第１シール部は、セラミックを含む１種以上の第１結晶を有し、
   前記第２シール部は、セラミックを含む１種以上の第２結晶を有し、
   前記第１シール部の断面のＸ線回折により得られるピークのうち、前記１種以上の第１結晶のいずれかに由来する最大ピークの強度Ｉｂ１と、前記強度Ｉｂ１が由来する第１結晶が全体に亘って形成されている基準サンプルの断面のＸ線回折により得られるピークの強度Ｉａ１との比率（Ｉｂ１／Ｉａ１）を、第１の結晶比率とし、
   前記第２シール部の断面のＸ線回折により得られるピークうち、前記１種以上の第２結晶のいずれかに由来する最大ピークの強度Ｉｂ２と、前記強度Ｉｂ２が由来する第２結晶が全体に亘って形成されている基準サンプルの断面のＸ線回折により得られるピークの強度Ｉａ２との比率（Ｉｂ２／Ｉａ２）を、第２の結晶比率とした場合に、
   前記１種以上の第２結晶のそれぞれの前記第２の結晶比率の合計値は、前記１種以上の第１結晶のそれぞれの前記第１の結晶比率の合計値より、小さい、
   点火プラグ。
2. 請求項１に記載の点火プラグであって、
   前記１種以上の第１結晶のうちの少なくとも１種は、前記セラミックとして珪素を含む結晶化ガラスであり、
   前記１種以上の第２結晶のうちの少なくとも１種は、前記セラミックとして珪素を含む結晶化ガラスである、
   点火プラグ。
3. 軸線の方向に延びる貫通孔を有する絶縁体と、
   前記貫通孔の先端側に少なくとも一部が挿入された中心電極と、
   前記貫通孔の後端側に少なくとも一部が挿入された端子金具と、
   前記貫通孔内の前記中心電極と前記端子金具との間に配置され、抵抗体を含む接続部と、
   前記貫通孔内で前記中心電極と前記接続部とを接続する第１シール部と、
   前記貫通孔内で前記端子金具と前記接続部とを接続する第２シール部と、
   を備える点火プラグであって、
   前記第１シール部は、珪素を含むガラスと導電性物質とを含み、
   前記第２シール部は、珪素を含むガラスと導電性物質とを含み、
   前記第１シール部は、セラミックを含む１種以上の第１結晶を有し、
   前記第２シール部に含まれる前記ガラスは、非晶質ガラスである、
   点火プラグ。
4. 請求項３に記載の点火プラグであって、
   前記１種以上の第１結晶のうちの少なくとも１種は、前記セラミックとして珪素を含む結晶化ガラスである、
   点火プラグ。
5. 請求項１から４のいずれかに記載の点火プラグであって、
   前記抵抗体は、非晶質ガラスを含む、
   点火プラグ。
6. 請求項５に記載の点火プラグであって、
   前記第２シール部は、非晶質ガラスを含み、
   前記第２シール部に含まれる前記非晶質ガラスのガラス転移温度は、前記抵抗体に含まれる前記非晶質ガラスのガラス転移温度よりも、低い、
   点火プラグ。
7. 請求項１から６のいずれかに記載の点火プラグであって、
   前記第１シール部は、非晶質ガラスを含み、
   前記第２シール部は、非晶質ガラスを含み、
   前記第２シール部に含まれる前記非晶質ガラスの軟化点は、前記第１シール部に含まれる前記非晶質ガラスの軟化点よりも、低い、
   点火プラグ。
8. 請求項１から７のいずれかに記載の点火プラグであって、
   前記第１シール部は、結晶化ガラスと非晶質ガラスとを含み、
   前記第１シール部に含まれる前記結晶化ガラスは、前記第１シール部に含まれる前記非晶質ガラスに含まれる成分で構成されている、
   点火プラグ。
9. 請求項１から８のいずれかに記載の点火プラグであって、
   前記第１シール部は、結晶化ガラスを含み、
   前記第１シール部に含まれる前記結晶化ガラスは、β−ユークリプタイト、コーディエライト、β−スポジュメン、アノーサイトのうちの少なくとも１つを含む結晶化ガラスを含む、
   点火プラグ。

Images