JP2019211666A - 電気光学装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 シールによる光の吸収を抑制し、画像の輝度を高めることが可能な電気光学装置を提供する。【解決手段】 一実施形態に係る電気光学装置は、パネルと、シールと、液晶層と、光源と、第１反射層とを備えている。パネルは、第１透明基材と、第１透明基材に対向する第２透明基材と、電気光学領域と、電気光学領域の周辺の周辺領域とを備えている。シールは、平面視において周辺領域に設けられ、第１透明基材と第２透明基材を接着する。液晶層は、高分子液晶組成物を含み、第１透明基材と第２透明基材の間においてシールで封止されている。光源は、第１透明基材または第２透明基材の側面に対向する。第１反射層は、第１透明基材と第２透明基材の間にある。さらに、平面視において、パネルは第１辺を有し、第１反射層はシールの第１辺に沿う部分と重畳する。【選択図】 図７

Description

本発明の実施形態は、電気光学装置に関する。

電気的に光学特性を変化させる電気光学装置の一例として、表示装置が知られている。近年、光を散乱する散乱状態と光を透過させる透過状態とを切り替え可能な高分子分散型の液晶層を有する表示装置が開発されている。この種の表示装置においては、例えば光源からの光がパネルの側面に入射して、パネルの内部を伝播する。この光が散乱状態の画素において散乱されることで、画像が表示される。

高分子分散型の液晶層は、シールで貼り合わされた一対の基板の間に配置される。光源からの光は、パネルの両面の間で全反射されながら伝播するが、一部がシールによって吸収される。これにより、画像の輝度が低下し得る。

特開２０１７−１６７５２７号公報

本開示の目的の一つは、シールによる光の吸収を抑制し、画像の輝度を高めることが可能な電気光学装置を提供することである。

一実施形態に係る電気光学装置は、パネルと、シールと、液晶層と、光源と、第１反射層とを備えている。前記パネルは、第１透明基材と、前記第１透明基材に対向する第２透明基材と、電気光学領域と、前記電気光学領域の周辺の周辺領域とを備えている。前記シールは、平面視において前記周辺領域に設けられ、前記第１透明基材と前記第２透明基材を接着する。前記液晶層は、高分子液晶組成物を含み、前記第１透明基材と前記第２透明基材の間において前記シールで封止されている。前記光源は、前記第１透明基材または前記第２透明基材の側面に対向する。前記第１反射層は、前記第１透明基材と前記第２透明基材の間にある。さらに、平面視において、前記パネルは第１辺を有し、前記第１反射層は前記シールの前記第１辺に沿う部分と重畳する。

図１は、第１実施形態における表示装置（電気光学装置）の構成例を示す平面図である。 図２は、第１実施形態における表示装置の概略的な断面図である。 図３Ａは、第１実施形態における液晶層に適用し得る構成の一例を示す断面図である。 図３Ｂは、第１実施形態における液晶層に適用し得る構成の一例を示す断面図である。 図４は、第１実施形態における表示パネルの画像表示を説明するための断面図である。 図５は、第１実施形態における表示パネルの表示領域における概略的な断面図である。 図６は、図５に示した要素の一部の概略的な平面図である。 図７は、第１実施形態における表示パネルが備えるシールおよび第１反射層の形状を示す概略的な平面図である。 図８は、第１反射層の幅が部分的に異なる構成の一例を示す平面図である。 図９は、図７におけるＩＸ−ＩＸ線に沿う表示装置の概略的な断面図である。 図１０は、第２実施形態における表示装置の概略的な平面図である。 図１１は、図１０におけるＸＩ−ＸＩ線に沿う表示装置の概略的な断面図である。 図１２は、第３実施形態における表示装置の概略的な断面図である。 図１３は、第４実施形態における表示装置の概略的な平面図である。 図１４は、第５実施形態における表示装置の概略的な平面図である。 図１５は、図１４におけるＸＶ−ＸＶ線に沿う表示装置の概略的な断面図である。 図１６は、第６実施形態における表示装置の概略的な平面図である。

一実施形態につき、図面を参照しながら説明する。
なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有される。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。各図において、連続して配置される同一又は類似の要素については符号を省略することがある。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を省略することがある。

本明細書において「αはＡ，Ｂ又はＣを含む」、「αはＡ，Ｂ及びＣのいずれかを含む」、「αはＡ，Ｂ及びＣからなる群から選択される一つを含む」といった表現は、特に明示がない限り、αがＡ〜Ｃの複数の組み合わせを含む場合を排除しない。さらに、これらの表現は、αが他の要素を含む場合も排除しない。

本明細書における「第１α、第２α、第３α」という表現の「第１、第２、第３」は、要素を説明のために用いる便宜的な数字に過ぎない。つまり、特に明示が無い限り、「Ａが第３αを備える」という表現は、第３αの他の第１α及び第２αを、Ａが備えていない場合も含む。

本明細書において、「部材αの上の部材β」や「部材αの下の部材β」という表現は、部材αと部材βが接触している場合だけでなく、部材αと部材βの間に他の部材が介在している場合を含み得る。

各実施形態においては、電気光学装置の一例として液晶表示装置を開示する。ただし、各実施形態は、他種の電気光学装置に対する、各実施形態にて開示される個々の技術的思想の適用を妨げるものではない。他種の電気光学装置としては、例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）または有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示素子を有する自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）を応用した表示装置、エレクトロクロミズムを応用した表示装置等が想定される。また、電気光学装置は、パネルの背景が透けて見える状態と見えない状態とを電気的な制御で切り替え可能なスクリーン装置など、表示装置以外の装置であってもよい。

［第１実施形態］
図１は、第１実施形態における液晶表示装置ＤＳＰ（以下、表示装置ＤＳＰと呼ぶ）の構成例を示す平面図である。図中において、第１方向Ｘ、第２方向Ｙおよび第３方向Ｚは互いに交差する方向である。一例では、第１方向Ｘ、第２方向Ｙおよび第３方向Ｚは互いに直交するが、９０度以外の角度で交差してもよい。

表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、光源ＬＳと、フレキシブル配線基板ＦＰＣ１と、コントローラＣＴとを備えている。表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１（対向基板）と、第２基板ＳＵＢ２（アレイ基板）と、これら基板の間に封入された液晶層ＬＣとを備えている。

図１の例において、表示パネルＰＮＬは、第１辺Ｅ１１と、第２辺Ｅ１２と、第３辺Ｅ１３と、第４辺Ｅ１４とを有している。例えば、第１辺Ｅ１１および第２辺Ｅ１２は第１方向Ｘと平行であり、第３辺Ｅ１３および第４辺Ｅ１４は第２方向Ｙと平行である。本実施形態において、辺Ｅ１１〜Ｅ１４は、矩形状の第１基板ＳＵＢ１の４辺に相当する。第２基板ＳＵＢ２も矩形状であり、３つの辺がそれぞれ辺Ｅ１２〜Ｅ１４と重なっている。第２基板ＳＵＢ２の図中下方の辺は、第１辺Ｅ１１に対して突出している。第２基板ＳＵＢ２の第１基板ＳＵＢ１から突出した部分は、端子領域ＴＡであり、外部接続用の端子Ｔを含む。第１フレキシブル配線基板ＦＰＣ１は、端子Ｔに接続されている。なお、第１基板ＳＵＢ１および第２基板ＳＵＢ２の形状は矩形状に限られない。

表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＰＡとを備えている。表示領域ＤＡは、電気光学領域の一例である。周辺領域ＰＡは、端子領域ＴＡを含む。表示領域ＤＡにおいて、第２基板ＳＵＢ２は、複数の走査信号線Ｇと、複数の映像信号線Ｓとを備えている。複数の走査信号線Ｇは、第１方向Ｘに延びるとともに第２方向Ｙに並んでいる。複数の映像信号線Ｓは、第２方向Ｙに延びるとともに第１方向Ｘに並んでいる。

表示領域ＤＡは、マトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを含む。第２基板ＳＵＢ２は、各画素ＰＸに配置された画素電極ＰＥおよびスイッチング素子ＳＷを備えている。第１基板ＳＵＢ１は、複数の画素ＰＸにわたって延在する共通電極ＣＥを備えている。共通電極ＣＥには、コモン電圧が供給される。

表示パネルＰＮＬは、周辺領域ＰＡにおいて、第１走査線ドライバＧＤ１と、第２走査線ドライバＧＤ２とを備えている。図１の例においては、第１走査線ドライバＧＤ１が表示領域ＤＡと第３辺Ｅ１３の間に配置され、第２走査線ドライバＧＤ２が表示領域ＤＡと第４辺Ｅ１４の間に配置されている。走査信号線Ｇは、周辺領域ＰＡに延出して第１走査線ドライバＧＤ１または第２走査線ドライバＧＤ２に接続されている。映像信号線Ｓは、周辺領域ＰＡに設けられた配線ＶＬを介して端子Ｔに接続されている。

光源ＬＳは、端子領域ＴＡに配置されている。光源ＬＳは、第１辺Ｅ１１と対向する複数の発光素子ＬＤを備えている。本実施形態において、複数の発光素子ＬＤは、赤色の光を発する発光素子ＬＤｒと、緑色の光を発する発光素子ＬＤｇと、青色の光を発する発光素子ＬＤｂとを含む。ただし、光源ＬＳは、赤色、緑色および青色以外の発光素子ＬＤを備えてもよい。図１においては、便宜的にこれら発光素子ＬＤｒ，ＬＤｇ，ＬＤｂを第１方向Ｘに並べて示しているが、発光素子ＬＤｒ，ＬＤｇ，ＬＤｂは第３方向Ｚに並んでもよい。

コントローラＣＴは、第１走査線ドライバＧＤ１、第２走査線ドライバＧＤ２および光源ＬＳを制御するとともに、各映像信号線Ｓに映像信号を供給する。図１の例においては、コントローラＣＴが第１フレキシブル配線基板ＦＰＣ１に実装されているが、コントローラＣＴは他の部材に実装されてもよい。

図２は、図１に示した表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。ここでは、第２方向Ｙおよび第３方向Ｚによって規定されるＹ−Ｚ平面における表示装置ＤＳＰの断面において、主要部のみを説明する。

光源ＬＳ（発光素子ＬＤ）は、第１辺Ｅ１１において、第１基板ＳＵＢ１の側面に対向している。例えば、光源ＬＳには第２フレキシブル配線基板ＦＰＣ２が接続されている。例えば、第２フレキシブル配線基板ＦＰＣ２は、上述のコントローラＣＴにも接続されている。

第１基板ＳＵＢ１および第２基板ＳＵＢ２は、ガラスや樹脂材料で形成された透明基材を備えている。本実施形態においては、光源ＬＳが対向する第１基板ＳＵＢ１の透明基材を第１透明基材ＢＳ１１と呼び、第２基板ＳＵＢ２の透明基材を第２透明基材ＢＳ１２と呼ぶ。

第２基板ＳＵＢ２は、画素電極ＰＥと、画素電極ＰＥを覆う第１配向膜１１とをさらに備えている。第１基板ＳＵＢ１は、共通電極ＣＥと、共通電極ＣＥを覆う第２配向膜２１とをさらに備えている。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２は、透明なシールＳＥによって貼り合わされている。液晶層ＬＣは、シールＳＥ、第１配向膜１１および第２配向膜２１で囲われた空間に配置されている。

画素電極ＰＥおよび共通電極ＣＥは、例えばインジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）などの透明導電材料によって形成することができる。第１配向膜１１および第２配向膜２１は、例えばポリイミドで形成することができる。第１配向膜１１および第２配向膜２１は、液晶層ＬＣに含まれる液晶分子を初期配向方向に配向する配向規制力を有している。この配向規制力は、例えばラビング処理によって付与することができるが、光配向処理など他の方法で付与されてもよい。

図３Ａおよび図３Ｂは、液晶層ＬＣに適用し得る構成の一例を示す断面図である。液晶層ＬＣは、高分子液晶組成物の一例である液晶ポリマー３１および液晶分子３２を含む。液晶ポリマー３１は、例えば、液晶モノマーが第１配向膜１１および第２配向膜２１の配向規制力によって初期配向方向に配向した状態で高分子化されることにより得られる。液晶分子３２は、液晶モノマー内に分散されており、液晶モノマーが高分子化された際に、液晶モノマーの配向方向に依存して所定の方向に配向される。

液晶分子３２は、正の誘電率異方性を有するポジ型であってもよいし、負の誘電率異方性を有するネガ型であってもよい。液晶ポリマー３１および液晶分子３２は、それぞれ同等の光学異方性を有している。あるいは、液晶ポリマー３１および液晶分子３２は、それぞれ略同等の屈折率異方性を有している。また、液晶ポリマー３１および液晶分子３２の各々の電界に対する応答性は異なる。すなわち、液晶ポリマー３１の電界に対する応答性は、液晶分子３２の電界に対する応答性より低い。

図３Ａに示した例は、例えば、液晶層ＬＣに電圧が印加されていない透明状態（画素電極ＰＥと共通電極ＣＥの間の電位差がゼロである状態）に相当する。この状態においては、液晶ポリマー３１の光軸Ａｘ１および液晶分子３２の光軸Ａｘ２は、互いに平行となる。

上記の通り、液晶ポリマー３１および液晶分子３２は略同等の屈折率異方性を有しており、しかも光軸Ａｘ１およびＡｘ２は互いに平行である。そのため、第１方向Ｘ、第２方向Ｙおよび第３方向Ｚを含むあらゆる方向において、液晶ポリマー３１と液晶分子３２の間にほとんど屈折率差がない。これにより、第３方向Ｚと平行な光Ｌ１や、第３方向Ｚに対して傾斜した光Ｌ２，Ｌ３は、ほとんど散乱されることなく液晶層ＬＣを透過する。

図３Ｂに示した例は、液晶層ＬＣに電圧が印加されている散乱状態（画素電極ＰＥと共通電極ＣＥの間に電位差が形成された状態）に相当する。上記の通り、液晶ポリマー３１の電界に対する応答性は、液晶分子３２の電界に対する応答性より低い。そのため、液晶層ＬＣに電圧が印加された状態では、液晶ポリマー３１の配向方向がほとんど変化しないのに対して、液晶分子３２の配向方向は電界に応じて変化する。そのため、光軸Ａｘ２が光軸Ａｘ１に対して傾斜する。これにより、第１方向Ｘ、第２方向Ｙおよび第３方向Ｚを含むあらゆる方向において、液晶ポリマー３１と液晶分子３２の間に大きな屈折率差が生ずる。この状態においては、液晶層ＬＣに入射する光Ｌ１〜Ｌ３が液晶層ＬＣ内で散乱される。

なお、液晶層ＬＣの構成は、以上説明した例に限られない。例えば、液晶層ＬＣは、配向規制力を有する断面線状のポリマーと、このポリマーにより配向する液晶分子とを含み、液晶層ＬＣに電圧を印加することで散乱状態となる構成であってもよい。つまり、本実施形態における液晶層ＬＣは、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥの間に形成される電界によって透過状態と散乱状態とを切り替え可能な高分子液晶組成物を用いた構成であれば、どのような構成であってもよい。

図４は、光源ＬＳからの光を用いた画像表示を説明するための表示パネルＰＮＬの断面図である。光源ＬＳが発する光Ｌ１０は、第１透明基材ＢＳ１１の側面ＳＦ１１から入射し、第１透明基材ＢＳ１１、液晶層ＬＣおよび第２透明基材ＢＳ１２などを伝播する。電圧が印加されていない画素電極ＰＥ（図中のＯＦＦ）の近傍においては、光Ｌ１０が液晶層ＬＣでほとんど散乱されない。そのため、光Ｌ１０は、表示パネルＰＮＬの第１面Ｆ１（第１透明基材ＢＳ１１の上面）および第２面Ｆ２（第２透明基材ＢＳ１２の下面）からほとんど漏れ出すことはない。

一方、電圧が印加されている画素電極ＰＥ（図中のＯＮ）の近傍においては、光Ｌ１０が液晶層ＬＣで散乱される。この散乱光は、第１面Ｆ１および第２面Ｆ２から出射し、表示画像として視認される。

なお、電圧が印加されていない画素電極ＰＥ（図中のＯＦＦ）の近傍において、第１面Ｆ１または第２面Ｆ２に入射する外光Ｌ２０は、ほとんど散乱されることなく表示パネルＰＮＬを透過する。すなわち、第２面Ｆ２側から表示パネルＰＮＬを見た場合には第１面Ｆ１側の背景が視認可能であり、第１面Ｆ１側から表示パネルＰＮＬを見た場合には第２面Ｆ２側の背景が視認可能である。光源ＬＳからの光Ｌ１０を用いた画像は、このような背景に浮かび上がるように表示される。

以上のような構成の表示装置ＤＳＰは、例えばフィールドシーケンシャル方式にて駆動することができる。この方式においては、１つのフレーム期間が複数のサブフレーム期間（フィールド）を含む。例えば、本実施形態のように赤色、緑色および青色の発光素子ＬＤｒ，ＬＤｇ，ＬＤｂを含む場合、１つのフレーム期間には、赤色、緑色および青色のサブフレーム期間が含まれる。

赤色のサブフレーム期間においては、発光素子ＬＤｒが点灯するとともに、赤色の画像データに応じて各画素ＰＸが制御される。これにより、赤色の画像が表示される。緑色および青色のサブフレーム期間においても同様に、それぞれ発光素子ＬＤｇ，ＬＤｂが点灯するとともに、それぞれ緑色および青色の画像データに応じて各画素ＰＸが制御される。これにより、緑色および青色の画像が表示される。このように時分割で表示される赤色、緑色および青色の画像は、互いに合成されて多色表示の画像としてユーザに視認される。

図５は、表示領域ＤＡにおける表示パネルＰＮＬの概略的な断面図である。第２基板ＳＵＢ２は、上述の第２透明基材ＢＳ１２、映像信号線Ｓ、走査信号線Ｇ、画素電極ＰＥおよび第１配向膜１１に加え、絶縁層１２〜１４と、金属層ＭＬとをさらに備えている。絶縁層１２は、第２透明基材ＢＳ１２の上面を覆っている。映像信号線Ｓは、絶縁層１２の上に配置されている。なお、絶縁層１２は、走査信号線Ｇ、スイッチング素子ＳＷの半導体層、および映像信号線Ｓを隔てる複数の層を含んでもよい。絶縁層１３は、映像信号線Ｓおよび絶縁層１２を覆っている。金属層ＭＬは、絶縁層１３の上に配置されている。絶縁層１４は、金属層ＭＬおよび絶縁層１３を覆っている。画素電極ＰＥは、絶縁層１４の上に配置されている。第１配向膜１１は、画素電極ＰＥおよび絶縁層１４を覆っている。

第１基板ＳＵＢ１は、上述の第１透明基材ＢＳ１１、共通電極ＣＥおよび第２配向膜２１に加え、遮光層２２と、絶縁層２３とを備えている。遮光層２２は、第１透明基材ＢＳ１１の下面に配置されている。絶縁層２３は、遮光層２２および第１透明基材ＢＳ１１の下面を覆っている。共通電極ＣＥは、絶縁層２３を覆っている。第２配向膜２１は、共通電極ＣＥを覆っている。

図６は、図５に示した要素の一部の概略的な平面図である。ここでは、３つの画素ＰＸに対応する領域を示している。例えば図示したように、金属層ＭＬは、第１方向Ｘに隣り合う画素ＰＸの境界および第２方向Ｙに隣り合う画素ＰＸの境界に配置されている。金属層ＭＬは、走査信号線Ｇおよび映像信号線Ｓと重畳している。金属層ＭＬは、例えば周辺領域ＰＡにおいて、共通電極ＣＥと電気的に接続されている。

スイッチング素子ＳＷは、半導体層ＳＣを備えている。半導体層ＳＣは、画素電極ＰＥと、この画素電極ＰＥに対応する映像信号線Ｓとに接続されている。金属層ＭＬは、半導体層ＳＣの走査信号線Ｇと対向するチャネル領域ＣＡを平面視で覆っている。これにより、側面から伝播する光がチャネル領域ＣＡに入射してスイッチング素子ＳＷの特性に影響を及ぼす不具合を抑制できる。

共通電極ＣＥは、複数の画素電極ＰＥと対向している。共通電極ＣＥは、例えば表示領域ＤＡの全体に連続的に設けられてもよい。また、表示領域ＤＡに複数の共通電極ＣＥが隙間を空けて配置されてもよい。

例えば図示したように、遮光層２２は、第１方向Ｘに隣り合う画素ＰＸの境界および第２方向Ｙに隣り合う画素ＰＸの境界に配置されている。遮光層２２は、走査信号線Ｇ、映像信号線Ｓおよび金属層ＭＬと重畳している。遮光層２２は、画素ＰＸにおいて開口しており、この領域に画素電極ＰＥが配置されている。画素電極ＰＥは、例えば矩形状であるが、この例に限られない。遮光層２２は、例えば金属材料で形成することができる。これにより、遮光層２２を樹脂材料で形成する場合に比べて光源ＬＳからの光が遮光層２２で吸収され難くなり、光の利用効率が向上する。

図７は、シールＳＥの形状を示す表示パネルＰＮＬの概略的な平面図である。シールＳＥは、周辺領域ＰＡに配置され、表示領域ＤＡを囲っている。シールＳＥの幅は、例えば全体にわたってＷ１で一定であるが、部分的に異なってもよい。

光源ＬＳからの光の一部は、表示パネルＰＮＬの内部を伝播する間に、シールＳＥによって吸収される。これにより、表示領域ＤＡに表示される画像の輝度が低下し得る。光源ＬＳからの光は、例えば表示領域ＤＡと光源ＬＳの間に延在するシールＳＥによって吸収されやすい。そこで、本実施形態においては、シールＳＥによる光の吸収を抑制するための第１反射層ＲＬ１１が、表示領域ＤＡと光源ＬＳの間に配置されている。

図７の例において、第１反射層ＲＬ１１は、シールＳＥの第１辺Ｅ１１に沿う部分と連続的に重畳する長尺な形状を有している。ただし、第１反射層ＲＬ１１は、シールＳＥの少なくとも一部と重畳するものであれば、他の形状であってもよい。例えば、第１反射層ＲＬ１１は、第２方向Ｙにおける幅が全長にわたってＷ２で一定である。幅Ｗ２は、シールＳＥの幅Ｗ１より大きいことが好ましい（Ｗ２＞Ｗ１）。

第１反射層ＲＬ１１は、第２方向Ｙにおいて、光源ＬＳ側の第１端部ＥＤ１１と、表示領域ＤＡ側の第２端部ＥＤ１２とを有している。図７の例において、第１端部ＥＤ１１は第１辺Ｅ１１とシールＳＥの間に位置し、第２端部ＥＤ１２は表示領域ＤＡとシールＳＥの間に位置している。他の例として、第１端部ＥＤ１１と第２端部ＥＤ１２の少なくとも一方がシールＳＥと重畳してもよい。また、第１端部ＥＤ１１が第１辺Ｅ１１と重畳してもよい。

なお、第１反射層ＲＬ１１の幅が部分的に異なってもよい。図８は、第１反射層ＲＬ１１の幅が部分的に異なる構成の一例を示す平面図である。ここでは、第１辺Ｅ１１と第３辺Ｅ１３で構成される角部の近傍を示している。第１反射層ＲＬ１１は、当該角部の近傍の端部において、拡大部分ＥＸを有している。

拡大部分ＥＸは、例えば図示したように第１辺Ｅ１１に向けて第１端部ＥＤ１１が突出した形状であってもよいし、これとは反対の方向に第２端部ＥＤ１２が突出した形状であってもよい。また、各端部ＥＤ１１，ＥＤ１２の双方が突出した形状であってもよい。拡大部分ＥＸの第２方向Ｙにおける幅は、Ｗ２よりも大きいＷ２ａである（Ｗ２ａ＞Ｗ２）。

シールＳＥは、第１辺Ｅ１１と第３辺Ｅ１３で構成される角部に沿って曲がる屈曲部分ＢＰを有している。屈曲部分ＢＰにおいては、シールＳＥの幅が大きくなり得る。拡大部分ＥＸを設けることで、シールＳＥの屈曲部分ＢＰに入射する光を好適に反射し、シールＳＥにて吸収される光の量を低減することができる。拡大部分ＥＸは、第１辺Ｅ１１と第４辺Ｅ１４で構成される角部に沿うシールＳＥの屈曲部分に対し、さらに配置されてもよい。

図９は、図７におけるＩＸ−ＩＸ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。本実施形態においては、光源ＬＳの中心軸ＡＸが第１透明基材ＢＳ１１の側面ＳＦ１１に対向している。中心軸ＡＸは、発光素子ＬＤが発する光（拡散光）の強度が最も大きくなる光軸であり、例えば第２方向Ｙと平行である。上述の発光素子ＬＤｒ，ＬＤｇ，ＬＤｂが第３方向Ｚに積まれる例のように、発光素子ＬＤｒ，ＬＤｇ，ＬＤｂの第３方向Ｚにおける位置がずれている場合、中心軸ＡＸは、これら発光素子ＬＤｒ，ＬＤｇ，ＬＤｂの光軸の第３方向Ｚにおける平均位置であってもよいし、中央の発光素子の光軸であってもよい。

第１反射層ＲＬ１１は、第１透明基材ＢＳ１１とシールＳＥの間に位置している。他の観点から言えば、第１反射層ＲＬ１１は、中心軸ＡＸとシールＳＥの間に位置している。このような位置に第１反射層ＲＬ１１を配置すれば、光源ＬＳからシールＳＥに向かう光を効率的に反射することができる。

例えば、第１反射層ＲＬ１１は、遮光層２２と同層において、遮光層２２と同じ金属材料で形成することができる。この場合、遮光層２２と第１反射層ＲＬ１１を同一の製造工程において一括形成することができる。

第１反射層ＲＬ１１の光の反射率は、シールＳＥの光の吸収率よりも大きい。例えば、第１反射層ＲＬ１１がアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む場合、良好な反射率を得ることができる。第１反射層ＲＬ１１は、単層構造である必要はなく、積層構造を有してもよい。この場合、第１反射層ＲＬ１１は、例えばＴＡＴ（チタン／アルミニウム／チタン）やＭＡＭ（モリブデン／アルミニウム／モリブデン）の構造を有してもよい。その他にも、第１反射層ＲＬ１１には、無機膜を含む積層構造など種々の構造を適用できる。

図９の例においては、遮光層２２と第１反射層ＲＬ１１が第１透明基材ＢＳ１１の下面に形成されているが、この例に限られない。例えば、遮光層２２および第１反射層ＲＬ１１と第１透明基材ＢＳ１１との間に絶縁層や導電層が介在してもよい。また、第１反射層ＲＬ１１は、遮光層２２と異なる層に配置されてもよい。

図９の例においては、第１反射層ＲＬ１１が絶縁層２３で覆われている。さらに、各配向膜１１，２１がシールＳＥの付近には存在せず、シールＳＥが絶縁層１４，２３に接している。この構成においては、第１反射層ＲＬ１１とシールＳＥが絶縁層２３を介して対向する。他の例として、第１反射層ＲＬ１１は、シールＳＥと接してもよい。また、第１反射層ＲＬ１１とシールＳＥの間に第２配向膜２１が介在してもよい。

第１反射層ＲＬ１１と共通電極ＣＥの間や、第１反射層ＲＬ１１と遮光層２２の間に電界が形成されると、当該電界が液晶層ＬＣに作用して表示に影響を与える可能性がある。そこで、第１反射層ＲＬ１１と遮光層２２には、共通電極ＣＥと同じくコモン電圧が印加されることが好ましい。コモン電圧は、直流電圧であってもよいし、交流電圧であってもよい。なお、第１反射層ＲＬ１１の電圧はコモン電圧に限定されず、例えば走査信号が供給されていないときの走査信号線Ｇと同じ低電圧（ＶＧＬ電圧）やグラウンド電圧であってもよい。

第１反射層ＲＬ１１は、シールＳＥと対向する第１領域Ａ１を有している。上述のように第１端部ＥＤ１１がシールＳＥと第１辺Ｅ１１の間にある場合、第１反射層ＲＬ１１は、第１領域Ａ１と第１端部ＥＤ１１の間の第２領域Ａ２を有している。さらに、上述のように第２端部ＥＤ１２がシールＳＥと表示領域ＤＡの間にある場合、第１反射層ＲＬ１１は、第１領域Ａ１と第２端部ＥＤ１２の間の第３領域Ａ３を有している。

一例として、第２領域Ａ２および第３領域Ａ３の第２方向Ｙにおける幅は、第１領域Ａ１の第２方向Ｙにおける幅よりも小さい。第２領域Ａ２および第３領域Ａ３を設けることで、第１反射層ＲＬ１１に対するシールＳＥの形成位置がずれた場合であっても、シールＳＥの幅方向における略全域を第１反射層ＲＬ１１と対向させることができる。

シールＳＥは透明であるが、入射した光の一部を吸収する。本実施形態においては、光源ＬＳからシールＳＥに直接向かう光や、第１面Ｆ１で反射されてシールＳＥに向かう光は、主に第１領域Ａ１により反射される。したがって、シールＳＥに吸収される光の量を低減し、結果として表示領域ＤＡに表示される画像の輝度を高めることができる。

さらに、第２領域Ａ２を設ける場合には、シールＳＥの幅にバラつきがあったとしても、適切に第１反射層ＲＬ１１をシールＳＥと重畳させることができる。

本実施形態においては、光源ＬＳ側の第１辺Ｅ１１の近傍に第１反射層ＲＬ１１を配置し、他の辺Ｅ１２〜Ｅ１４の近傍には第１反射層ＲＬ１１を配置していない。これにより、各辺Ｅ１２〜Ｅ１４の近傍においては、表示パネルＰＮＬの透過率を高めることができる。

なお、本実施形態では端子領域ＴＡ側の辺に沿って光源ＬＳおよび第１反射層ＲＬ１１が配置される構成を例示した。しかしながら、光源ＬＳおよび第１反射層ＲＬ１１は、他の辺に沿って配置されてもよい。

なお、表示装置のシールとしては、紫外線硬化型樹脂を用いることが一般的である。この場合、硬化前のシールにて２つの基板を貼り合せた後、いずれかの基板側から紫外光を照射してシールを硬化させる。本実施形態のように第１基板ＳＵＢ１に第１反射層ＲＬ１１を設ける場合、第１基板ＳＵＢ１側からシールＳＥに紫外光を照射しにくい。よって、第２基板ＳＵＢ２側から光を照射すると好ましい。また、第２基板ＳＵＢ２のシールＳＥと重畳する領域に金属配線が複数形成されている場合、金属配線に開口を形成して、紫外光を透過させるようにすると好ましい。また、シールＳＥを熱硬化型樹脂で形成し、紫外光の照射に代えて、あるいは紫外光の照射とともに、加熱によりシールＳＥを硬化させてもよい。この場合においては、シールＳＥに熱硬化剤を添加して硬化を促進してもよい。

［第２実施形態］
第２実施形態について説明する。特に言及しない構成については、第１実施形態と同様の構成を適用し得る。図１０は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの概略的な平面図である。本実施形態においては、光源ＬＳが端子領域ＴＡの反対側に配置されている。さらに、図示したように表示パネルＰＮＬの第１辺Ｅ２１、第２辺Ｅ２２、第３辺Ｅ２３および第４辺Ｅ２４を定義する。第１辺Ｅ２１は、光源ＬＳと表示領域ＤＡの間における各基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２の辺に相当する。第２辺Ｅ２２は、端子領域ＴＡ側における第１基板ＳＵＢ１の辺に相当する。第３辺Ｅ２３および第４辺Ｅ２４は、各基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２の第２方向Ｙと平行な辺に相当する。

表示領域ＤＡと光源ＬＳの間には、第１反射層ＲＬ２１が配置されている。第１反射層ＲＬ２１の平面形状やシールＳＥとの位置関係は、第１実施形態における第１反射層ＲＬ１１と同様のものを適用できる。

図１１は、図１０におけるＸＩ−ＸＩ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。本実施形態においては、光源ＬＳの中心軸ＡＸが第２基板ＳＵＢ２に対向している。以下、第２基板ＳＵＢ２の透明基材を第１透明基材ＢＳ２１と呼び、第１基板ＳＵＢ１の透明基材を第２透明基材ＢＳ２２と呼ぶ。図１１の例においては、中心軸ＡＸが第１透明基材ＢＳ２１の側面Ｆ２１に対向するが、中心軸ＡＸは絶縁層１２，１３などと対向してもよい。

第１反射層ＲＬ２１は、第１透明基材ＢＳ２１とシールＳＥの間に位置している。他の観点から言えば、第１反射層ＲＬ２１は、中心軸ＡＸとシールＳＥの間に位置している。例えば、第１反射層ＲＬ２１は、金属層ＭＬと同層において、金属層ＭＬと同じ金属材料で形成することができる。この場合、金属層ＭＬと第１反射層ＲＬ２１を同一の製造工程において一括形成することができる。第１反射層ＲＬ２１およびシールＳＥの断面形状の関係は、第１実施形態における第１反射層ＲＬ１１およびシールＳＥと同様である。

第１反射層ＲＬ２１の光の反射率は、シールＳＥの光の吸収率よりも大きい。第１反射層ＲＬ２１には、例えば第１実施形態における第１反射層ＲＬ１１と同様の材料および構造を適用できる。第１実施形態における第１反射層ＲＬ１１と同じく、第１反射層ＲＬ２１にはコモン電圧が印加されることが好ましいが、他の電圧が印加されてもよい。

図１１の例においては、金属層ＭＬと第１反射層ＲＬ２１が絶縁層１３の上に形成されているが、この例に限られない。例えば、金属層ＭＬおよび第１反射層ＲＬ２１が絶縁層１３の下方に配置されてもよい。また、第１反射層ＲＬ２１は、金属層ＭＬと異なる層に配置されてもよい。

図１１の例においては第１反射層ＲＬ２１とシールＳＥの間に絶縁層１４が介在するが、第１反射層ＲＬ２１はシールＳＥと接してもよい。また、第１反射層ＲＬ２１とシールＳＥの間に第１配向膜１１が介在してもよい。

光源ＬＳの中心軸ＡＸが第２基板ＳＵＢ２と対向する場合において、本実施形態のように第１反射層ＲＬ２１を設ければ、光源ＬＳの光のシールＳＥへの入射を好適に抑制できる。その他、本実施形態からは第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

なお、本実施形態では端子領域ＴＡの反対側の辺に沿って光源ＬＳおよび第１反射層ＲＬ２１が配置される構成を例示した。しかしながら、光源ＬＳおよび第１反射層ＲＬ２１は、他の辺に沿って配置されてもよい。

なお、本実施形態のように第２基板ＳＵＢ２に第１反射層ＲＬ２１を設ける場合、第２基板ＳＵＢ２側からシールＳＥに紫外光を照射しにくい。一方で、第１基板ＳＵＢ１のシールＳＥと重畳する領域に遮光層が形成されていないことから、第１基板ＳＵＢ１側からシールＳＥを硬化させるための紫外光を照射することが好ましい。

［第３実施形態］
第３実施形態について説明する。特に言及しない構成については、上述の各実施形態と同様の構成を適用し得る。図１２は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。本実施形態においては、光源ＬＳが第１基板ＳＵＢ１および第２基板ＳＵＢ２の双方に対向している。

以下第１基板ＳＵＢ１の透明基材を第１透明基材ＢＳ３１と呼び、第２基板ＳＵＢ２の透明基材を第２透明基材ＢＳ３２と呼ぶ。光源ＬＳの中心軸は、第１透明基材ＢＳ３１の側面ＳＦ３１に対向してもよいし、第２透明基材ＢＳ３２の側面ＳＦ３２に対向してもよいし、各透明基材ＢＳ３１，ＢＳ３２の間の領域と対向してもよい。

光源ＬＳは、表示パネルＰＮＬの第１辺Ｅ３１に沿って配置される。第１辺Ｅ３１は、例えば図１０の第１辺Ｅ２１と同じく端子領域ＴＡの反対側の辺であってもよいし、他の辺であってもよい。

光源ＬＳと表示領域ＤＡの間には、第１反射層ＲＬ３１および第２反射層ＲＬ３２が配置されている。第１反射層ＲＬ３１および第２反射層ＲＬ３２は、シールＳＥを挟んで対向している。各反射層ＲＬ３１，ＲＬ３２の平面形状やシールＳＥとの位置関係は、第１実施形態における第１反射層ＲＬ１１や第２実施形態における第１反射層ＲＬ２１と同様のものを適用できる。

第１反射層ＲＬ３１は、第１透明基材ＢＳ３１とシールＳＥの間に位置している。第１反射層ＲＬ３１は、第１実施形態における第１反射層ＲＬ１１と同じく遮光層２２と同層において遮光層２２と同じ金属材料で形成することができる。その他、第１反射層ＲＬ３１の配置位置や構造には、第１実施形態において第１反射層ＲＬ１１について述べた各種の例を適用できる。

第２反射層ＲＬ３２は、第２透明基材ＢＳ３２とシールＳＥの間に位置している。第２反射層ＲＬ３２は、第２実施形態における第１反射層ＲＬ２１と同じく金属層ＭＬと同層において金属層ＭＬと同じ金属材料で形成することができる。その他、第２反射層ＲＬ３２の配置位置や構造には、第２実施形態において第１反射層ＲＬ２１について述べた各種の例を適用できる。

第１反射層ＲＬ３１および第２反射層ＲＬ３２には、同じ電圧が印加されることが好ましい。仮に反射層ＲＬ３１，ＲＬ３２の電圧が異なれば両者の間に電界が形成され、この電界が液晶層ＬＣに作用して表示に影響し得る。一方で反射層ＲＬ３１，ＲＬ３２の電圧が同じであれば、両者の間に電界が形成されないので、表示への影響を抑制できる。反射層ＲＬ３１，ＲＬ３２に印加される電圧は、第１実施形態における第１反射層ＲＬ１１と同じくコモン電圧であることが好ましいが、他の電圧であってもよい。

本実施形態のように第１反射層ＲＬ３１および第２反射層ＲＬ３２を設ける場合、第１透明基材ＢＳ３１側からシールＳＥに向かう光源ＬＳの光と、第２透明基材ＢＳ３２側からシールＳＥに向かう光源ＬＳの光の双方をシールＳＥに入射しないように反射することができる。

本実施形態のようにシールＳＥの両側に反射層ＲＬ３１，ＲＬ３２を設ける場合、シールＳＥに紫外光を照射しにくい。そこで、紫外光を反射層ＲＬ３１，ＲＬ３２の間を伝播させてシールＳＥに照射してもよい。また、シールＳＥを熱硬化型樹脂で形成し、紫外光の照射に代えて、あるいは紫外光の照射とともに、加熱によりシールＳＥを硬化させてもよい。この場合においては、シールＳＥに熱硬化剤を添加して硬化を促進してもよい。

［第４実施形態］
第４実施形態について説明する。特に言及しない構成については、上述の各実施形態と同様の構成を適用し得る。図１３は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの概略的な平面図である。本実施形態においては、光源ＬＳが第１実施形態と同じく端子領域ＴＡに配置されている。さらに、図示したように表示パネルＰＮＬの第１辺Ｅ４１、第２辺Ｅ４２、第３辺Ｅ４３および第４辺Ｅ４４を定義する。第１辺Ｅ４１は、光源ＬＳと表示領域ＤＡの間における第１基板ＳＵＢ１の辺に相当する。第２辺Ｅ４２は、端子領域ＴＡの反対側における各基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２の辺に相当する。第３辺Ｅ４３および第４辺Ｅ４４は、各基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２の第２方向Ｙと平行な辺に相当する。

シールＳＥは、第１辺Ｅ４１に沿う第１部分Ｐ１および第２部分Ｐ２を有している。第１部分Ｐ１は、第１辺Ｅ４１と第２部分Ｐ２の間にある。第２部分Ｐ２は、第１部分Ｐ１と表示領域ＤＡの間にある。第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２は、第２方向Ｙにおいて同じ幅を有している。ただし、これらの幅が異なってもよい。一例として、光源ＬＳに近い第１部分Ｐ１の幅を、第２部分Ｐ２の幅より大きくしてもよい。

表示領域ＤＡと光源ＬＳの間には、第１部分Ｐ１、第２部分Ｐ２、第１基板ＳＵＢ１および第２基板ＳＵＢ２で囲われた空気層ＡＬ（大気層）が形成されている。このように空気層ＡＬを設けることで、シールＳＥと空気層ＡＬの界面が増え、両者の間で全反射が起きやすくなる。これによって、外光が第２基板ＳＵＢ２の周辺領域ＰＡにおける各種配線にて吸収または反射される不具合が防止され、光の利用効率が向上する。

表示パネルＰＮＬは、第１部分Ｐ１と重畳する第１反射層ＲＬ４１を備えている。第１反射層ＲＬ４１の平面形状、シールＳＥ（各部分Ｐ１，Ｐ２）との位置関係、および断面構造等は、第１実施形態における第１反射層ＲＬ１１または第２実施形態における第１反射層ＲＬ２１と同様のものを適用できる。第３実施形態の第２反射層ＲＬ３２のように、第１反射層ＲＬ４１に対向する第２反射層ＲＬ４２が設けられてもよい。

図１３の例においては、第２部分Ｐ２と重畳する反射層が設けられていない。このように、表示領域ＤＡに近い第２部分Ｐ２に対して反射層を設けないことで、表示領域ＤＡの周辺の透過領域を広げることができる。ただし、第２部分Ｐ２と重畳する反射層を設けてもよい。この場合には、第２部分Ｐ２による光の吸収を低減することができる。

なお、本実施形態では端子領域ＴＡ側の辺に沿って光源ＬＳ、第１部分Ｐ１、第２部分Ｐ２および第１反射層ＲＬ４１が配置される構成を例示した。しかしながら、これらの要素は、他の辺に沿って配置されてもよい。

［第５実施形態］
第５実施形態について説明する。特に言及しない構成については、上述の各実施形態と同様の構成を適用し得る。図１４は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの概略的な平面図である。本実施形態においては、第１光源ＬＳ１が端子領域ＴＡに配置され、第２光源ＬＳ２が端子領域ＴＡの反対側に配置されている。

さらに、図示したように表示パネルＰＮＬの第１辺Ｅ５１、第２辺Ｅ５２、第３辺Ｅ５３および第４辺Ｅ５４を定義する。第１辺Ｅ５１は、第１光源ＬＳ１と表示領域ＤＡの間における第１基板ＳＵＢ１の辺に相当する。第２辺Ｅ５２は、端子領域ＴＡの反対側における各基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２の辺に相当する。第３辺Ｅ５３および第４辺Ｅ５４は、各基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２の第２方向Ｙと平行な辺に相当する。

表示領域ＤＡと第１光源ＬＳ１の間には、第１反射層ＲＬ５１ａが配置されている。表示領域ＤＡと第２光源ＬＳ２の間には、第１反射層ＲＬ５１ｂが配置されている。第１反射層ＲＬ５１ａは、シールＳＥの第１辺Ｅ５１に沿う部分と重畳している。第１反射層ＲＬ５１ｂは、シールＳＥの第２辺Ｅ５２に沿う部分と重畳している。第１反射層ＲＬ５１ａ，ＲＬ５１ｂの平面形状、シールＳＥとの位置関係、および断面構造等は、第１実施形態における第１反射層ＲＬ１１または第２実施形態における第１反射層ＲＬ２１と同様のものを適用できる。第３実施形態の第２反射層ＲＬ３２のように、第１反射層ＲＬ５１ａ，ＲＬ５１ｂに対向する第２反射層ＲＬ５２ａ，ＲＬ５２ｂが設けられてもよい。

図１５は、図１４におけるＸＶ−ＸＶ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。なお、図１５においては、第１実施形態における第１反射層ＲＬ１１と同じく第１基板ＳＵＢ１に第１反射層ＲＬ５１ａ，ＲＬ５１ｂが設けられ、第２反射層ＲＬ５２ａ，ＲＬ５２ｂが設けられていない場合の断面を例示する。第１光源ＬＳ１の中心軸ＡＸ１および第２光源ＬＳ２の中心軸ＡＸ２は、いずれも第１基板ＳＵＢ１に対向している。以下、第１基板ＳＵＢ１の透明基材を第１透明基材ＢＳ５１と呼び、第２基板ＳＵＢ２の透明基材を第２透明基材ＢＳ５２と呼ぶ。

第１反射層ＲＬ５１ａ，ＲＬ５１ｂは、第１透明基材ＢＳ５１とシールＳＥの間に位置している。第１反射層ＲＬ５１ａ，ＲＬ５１ｂは、第１実施形態における第１反射層ＲＬ１１と同じく遮光層２２（図９参照）と同層において遮光層２２と同じ金属材料で形成することができる。その他、第１反射層ＲＬ５１ａ，ＲＬ５１ｂの配置位置や構造には、第１実施形態において第１反射層ＲＬ１１について述べた各種の例を適用できる。

図１５の例のように、第１基板ＳＵＢ１に第１反射層ＲＬ５１ａ，ＲＬ５１ｂを設ける場合、シールＳＥを硬化させるための紫外光を第２基板ＳＵＢ２側から照射すれば、容易にシールＳＥを硬化させることができる。

本実施形態のように、表示パネルＰＮＬの対向する２辺に沿って光源ＬＳ１，ＬＳ２を設ければ、表示領域ＤＡの輝度を均一化することができる。また、第１反射層ＲＬ５１ａ，ＲＬ５１ｂを設けることで、光源ＬＳ１，ＬＳ２の近傍のシールＳＥによる光の吸収を低減することができる。

なお、本実施形態では端子領域ＴＡ側の辺とその反対側の辺に沿って第１光源ＬＳ１、第２光源ＬＳ２、第１反射層ＲＬ５１ａおよび第１反射層ＲＬ５１ｂが配置される構成を例示した。しかしながら、これらの要素は、他の辺に沿って配置されてもよい。

［第６実施形態］
第６実施形態について説明する。特に言及しない構成については、上述の各実施形態と同様の構成を適用し得る。図１６は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの概略的な平面図である。本実施形態においては、第１光源ＬＳ１が端子領域ＴＡに配置されている。破線で示すように、第２光源ＬＳ２が端子領域ＴＡの反対側に配置されてもよい。

さらに、図示したように表示パネルＰＮＬの第１辺Ｅ６１、第２辺Ｅ６２、第３辺Ｅ６３および第４辺Ｅ６４を定義する。第１辺Ｅ６１は、第１光源ＬＳ１と表示領域ＤＡの間における第１基板ＳＵＢ１の辺に相当する。第２辺Ｅ６２は、端子領域ＴＡの反対側における各基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２の辺に相当する。第３辺Ｅ５３および第４辺Ｅ５４は、各基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２の第２方向Ｙと平行な辺に相当する。

表示領域ＤＡと第１辺Ｅ６１の間には、シールＳＥの第１辺Ｅ６１に沿う部分と重畳する第１反射層ＲＬ６１ａが配置されている。表示領域ＤＡと第２辺Ｅ６２の間には、シールＳＥの第２辺Ｅ６２に沿う部分と重畳する第１反射層ＲＬ６１ｂが配置されている。表示領域ＤＡと第３辺Ｅ６３の間には、シールＳＥの第３辺Ｅ６３に沿う部分と重畳する第１反射層ＲＬ６１ｃが配置されている。表示領域ＤＡと第４辺Ｅ６４の間には、シールＳＥの第４辺Ｅ６４に沿う部分と重畳する第１反射層ＲＬ６１ｄが配置されている。第１反射層ＲＬ６１ａ〜ＲＬ６１ｄの平面形状、シールＳＥとの位置関係、および断面構造等は、第１実施形態における第１反射層ＲＬ１１または第２実施形態における第１反射層ＲＬ２１と同様のものを適用できる。

図１６の例においては、第１反射層ＲＬ６１ａ〜ＲＬ６１ｄが互いに接続されている。ただし、第１反射層ＲＬ６１ａ〜ＲＬ６１ｄは、例えばシールＳＥの屈曲部分において互いに離れていてもよい。

第３実施形態の第２反射層ＲＬ３２のように、第１反射層ＲＬ６１ａ〜ＲＬ６１ｄにそれぞれ対向する第２反射層ＲＬ６２ａ，ＲＬ６２ｂ，ＲＬ６２ｃ，ＲＬ６２ｄが設けられてもよい。この場合、第１反射層ＲＬ６１ａ〜ＲＬ６１ｄと同様に、第２反射層ＲＬ６２ａ〜ＲＬ６２ｄが互いに接続されてもよいし、互いに離れていてもよい。

本実施形態のように、シールＳＥの各部分と重畳する第１反射層ＲＬ６１ａ〜ＲＬ６１ｄや第２反射層ＲＬ６２ａ〜ＲＬ６２ｄを設けることで、第１光源ＬＳ１からの光のシールＳＥによる吸収を抑制することができる。第２光源ＬＳ２を設ける場合も同様に、第２光源ＬＳ２からの光のシールＳＥによる吸収を抑制することができる。

なお、本実施形態では端子領域ＴＡ側の辺に沿って第１光源ＬＳ１が配置される構成を例示した。しかしながら、第１光源ＬＳ１は他の辺に沿って配置されてもよい。第２光源ＬＳ２についても同様に、端子領域ＴＡの反対側の辺に沿って配置される必要はなく、他の辺に沿って配置されてもよい。

本発明の実施形態として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置や電気光学装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

また、各実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

ＤＳＰ…表示装置、ＰＮＬ…表示パネル、ＳＵＢ１…第１基板、ＳＵＢ２…第２基板、ＬＣ…液晶層、ＢＳ１１，ＢＳ２１，ＢＳ３１…第１透明基材、ＢＳ１２，ＢＳ２２，ＢＳ３２…第２透明基材、ＬＳ…光源、ＬＤ…発光素子、ＤＡ…表示領域、ＰＡ…周辺領域、ＴＡ…端子領域、２２…遮光層、ＭＬ…金属層、ＰＥ…画素電極、ＣＥ…共通電極、Ｇ…走査信号線、Ｓ…映像信号線、ＳＥ…シール、ＲＬ１１，ＲＬ２１，ＲＬ３１，ＲＬ４１，ＲＬ５１，ＲＬ６１…第１反射層、ＲＬ３２，ＲＬ４２，ＲＬ５２，ＲＬ６２…第２反射層。

Claims (11)

1. 第１透明基材と、前記第１透明基材に対向する第２透明基材と、電気光学領域と、前記電気光学領域の周辺の周辺領域とを備えるパネルと、
   平面視において前記周辺領域に設けられ、前記第１透明基材と前記第２透明基材を接着するシールと、
   高分子液晶組成物を含み、前記第１透明基材と前記第２透明基材の間において前記シールで封止された液晶層と、
   前記第１透明基材または前記第２透明基材の側面に対向する光源と、
   前記第１透明基材と前記第２透明基材の間にある第１反射層と、を備え、
   平面視において、前記パネルは第１辺を有し、
   平面視において、前記第１反射層は、前記シールの前記第１辺に沿う部分と重畳する、
   電気光学装置。
2. 前記光源は、前記第１透明基材または前記第２透明基材の前記第１辺における側面と対向する、
   請求項１に記載の電気光学装置。
3. 断面視において、前記光源の中心軸は、前記第１透明基材の側面と対向し、
   前記第１反射層は、前記第１透明基材と前記シールの間にある、
   請求項１または２に記載の電気光学装置。
4. 前記第２透明基材と前記シールの間にある第２反射層をさらに備える、
   請求項３に記載の電気光学装置。
5. 前記電気光学領域は、複数の画素を含み、
   前記パネルは、前記複数の画素の各々に設けられた画素電極と、前記画素電極に対向しコモン電圧が印加される共通電極とを備え、
   前記第１反射層は、導電性を有し、前記コモン電圧が印加される、
   請求項１ないし４のうちいずれか１項に記載の電気光学装置。
6. 前記電気光学領域は、複数の画素を含み、
   前記パネルは、前記複数の画素の境界に設けられた遮光層を備え、
   前記第１反射層は、前記遮光層と同層に設けられている、
   請求項１ないし５のうちいずれか１項に記載の電気光学装置。
7. 前記電気光学領域は、複数の画素を含み、
   前記パネルは、前記複数の画素の各々に設けられた画素電極と、前記画素電極に対向しコモン電圧が印加される共通電極と、前記複数の画素の境界に設けられ前記共通電極と電気的に接続された金属層とを備え、
   前記第１反射層は、前記金属層と同層に設けられている、
   請求項１ないし５のうちいずれか１項に記載の電気光学装置。
8. 前記第１反射層は、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含む、
   請求項１ないし７のうちいずれか１項に記載の電気光学装置。
9. 前記第１反射層の前記第１辺に近い端部は、前記シールと前記第１辺の間にある、
   請求項１ないし８のうちいずれか１項に記載の電気光学装置。
10. 前記シールは、前記第１辺に沿う第１部分および第２部分を有し、
    前記第１部分は、前記第１辺と第２部分の間にあり、
    前記第２部分は、前記第１部分と前記電気光学領域の間にあり、
    前記第１反射層は、前記第２部分と重畳せず、前記第１部分と重畳している、
    請求項１ないし９のうちいずれか１項に記載の電気光学装置。
11. 前記パネルは、前記第１辺の反対側の第２辺と、前記第１辺と前記第２辺を繋ぐ第３辺とを有し、
    前記シールは、前記第１辺と前記第３辺で構成される角部に沿って曲がる屈曲部分を有し、
    前記第１反射層の前記屈曲部分と重畳する部分の幅は、他の部分における幅よりも大きい、
    請求項１ないし１０のうちいずれか１項に記載の電気光学装置。

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