JP2019211542A

JP2019211542A - 液晶表示素子

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Publication number: JP2019211542A
Application number: JP2018105512A
Authority: JP
Inventors: 将之齋藤; Masayuki Saito
Original assignee: JNC Corp; JNC Petrochemical Corp
Current assignee: JNC Corp; JNC Petrochemical Corp
Priority date: 2018-05-31
Filing date: 2018-05-31
Publication date: 2019-12-12
Anticipated expiration: 2038-05-31
Also published as: TW202003805A; CN110554540B; CN110554540A; KR20190136919A; JP7124462B2; TWI802688B

Abstract

【課題】短い応答時間、大きな電圧保持率、低いしきい値電圧、大きなコントラスト比、長い寿命のような特性を有する液晶表示素子を提供する。【解決手段】本発明の液晶表示素子１は、第１基板と第２基板の間に液晶層を備え、第１基板上に第１電極部４０を備え、第１電極部は、少なくとも１つの基本電極部４１を備え、基本電極部は、第１基本電極部４２と第２基本電極部４３を備え、第１基本電極部は、基板面に沿った第１方向Ｘに延在し、第１方向Ｘに直交する第２方向Ｙに離間した一対の第１導電部４２Ａを備え、第２基本電極部は、第１基本電極部の開口部ＯＰの近傍から第１方向Ｘに延在する第３導電部４３Ａを備え、液晶層に含まれる液晶組成物は、第一成分として式（１）で表される化合物から選択された少なくとも１つの化合物を含有する。【選択図】図３

Description

本発明は液晶表示素子に関する。

液晶表示素子において、液晶分子の動作モードに基づいた分類は、ＰＣ（phase change）、ＴＮ（twisted nematic）、ＳＴＮ（super twisted nematic）、ＥＣＢ（electrically controlled birefringence）、ＯＣＢ（optically compensated bend）、ＩＰＳ（in-plane switching）、ＶＡ（vertical alignment）、ＦＦＳ（fringe field switching）、ＦＰＡ（field-induced photo-reactive alignment）などのモードである。素子の駆動方式に基づいた分類は、ＰＭ（passive matrix）とＡＭ（active matrix）である。ＰＭは、スタティック（static）、マルチプレックス（multiplex）などに分類され、ＡＭは、ＴＦＴ（thin film transistor）、ＭＩＭ（metal insulator metal）などに分類される。ＴＦＴの分類は非晶質シリコン（amorphous silicon）及び多結晶シリコン（polycrystal silicon）である。後者は製造工程によって高温型と低温型とに分類される。光源に基づいた分類は、自然光を利用する反射型、バックライトを利用する透過型、そして自然光とバックライトの両方を利用する半透過型である。

液晶表示素子はネマチック相を有する液晶組成物を含有する。この液晶組成物は適切な特性を有する。この液晶組成物の特性を向上させることによって、良好な特性を有するＡＭ素子を得ることができる。これらの特性における関連を下記の表１にまとめる。液晶組成物の特性を市販されているＡＭ素子に基づいて更に説明する。ネマチック相の温度範囲は、素子の使用できる温度範囲に関連する。ネマチック相の好ましい上限温度は約７０℃以上であり、そしてネマチック相の好ましい下限温度は約−１０℃以下である。液晶組成物の粘度は素子の応答時間に関連する。素子で動画を表示するためには短い応答時間が好ましい。１ミリ秒でもより短い応答時間が望ましい。したがって、組成物における小さな粘度が好ましい。低い温度における小さな粘度はより好ましい。

液晶組成物の光学異方性は、素子のコントラスト比に関連する。素子のモードに応じて、大きな光学異方性又は小さな光学異方性、すなわち適切な光学異方性が必要である。液晶組成物の光学異方性（Δｎ）と素子のセルギャップ（ｄ）との積（Δｎ×ｄ）は、コントラスト比を最大にするように設計される。積の適切な値は動作モードの種類に依存する。この値は、ＶＡモードの素子では約０．３０μｍから約０．４０μｍの範囲であり、ＩＰＳモード又はＦＦＳモードの素子では約０．２０μｍから約０．３０μｍの範囲である。これらの場合、小さなセルギャップの素子には大きな光学異方性を有する液晶組成物が好ましい。液晶組成物における大きな誘電率異方性は、素子における低いしきい値電圧、小さな消費電力と大きなコントラスト比に寄与する。したがって、大きな誘電率異方性が好ましい。液晶組成物における大きな比抵抗は、素子における大きな電圧保持率と大きなコントラスト比とに寄与する。したがって、初期段階において大きな比抵抗を有する液晶組成物が好ましい。長時間使用したあと、大きな比抵抗を有する液晶組成物が好ましい。紫外線や熱に対する液晶組成物の安定性は、素子の寿命に関連する。この安定性が高いとき、素子の寿命は長い。このような特性は、液晶モニター、液晶テレビなどに用いるＡＭ素子に好ましい。

ＴＮモードを有するＡＭ素子においては正の誘電率異方性を有する組成物が用いられる。ＶＡモードを有するＡＭ素子においては負の誘電率異方性を有する組成物が用いられる。ＩＰＳモード又はＦＦＳモードを有するＡＭ素子においては正又は負の誘電率異方性を有する組成物が用いられる。また、高分子支持配向（ＰＳＡ；polymer sustained alignment）型のＡＭ素子においては正又は負の誘電率異方性を有する組成物が用いられる。

液晶表示素子において、横電界型としては、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード（ＩＰＳ方式ともいう）やＦＦＳ（ＦｒｉｎｇｅＦｉｅｌｄＳｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード（ＦＦＳ方式ともいう）等があり、横電界型は、縦電界型に比べ、視野角の広さや開口率（１画素領域のうち表示に有効な領域の面積率）等の点で有利である。

ＩＰＳ方式及びＦＦＳ方式は、どちらも横電界型に分類されるが、ＩＰＳ方式では、一般に共通電極と画素電極が同じ層に形成されて横電界が形成されるのに対し、ＦＦＳ方式では、共通電極と画素電極が絶縁膜を挟んで別の層に設けられ、上層側になる電極がスリット状とされ、正確には横電界と縦電界の両成分を含む斜め電界（フリンジ電界）になっている。

そして、ＦＦＳ方式の液晶表示素子では、電極構造が複雑であるという問題があったため、特許文献１では、構成を複雑にすることなく開口率の高い明るい表示を実現するＦＦＳ方式の液晶表示素子が提案されている。

特開２００８−５２１６１号公報

ところで、液晶表示素子の性能改善は、電極構造だけでなく、上述のように液晶層に用いる液晶組成物を含め、改善の余地があり、依然として、短い応答時間、大きな電圧保持率、低いしきい値電圧、大きなコントラスト比、長い寿命のような特性を有する液晶表示素子が求められている。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、短い応答時間、大きな電圧保持率、低いしきい値電圧、大きなコントラスト比、長い寿命のような特性を有する液晶表示素子を提供することを目的とする。

本発明の液晶表示素子は、
対向する第１基板と第２基板の間に液晶層を備え、
第１基板上に第１電極部を備え、
第１電極部は、少なくとも１つの基本電極部を備え、
基本電極部は、第１基本電極部と第２基本電極部を備え、
第１基本電極部は、
基板面に沿った第１方向に延在し、第１方向に直交する第２方向に離間した一対の第１導電部を備え、
第２基本電極部は、第１基本電極部の開口部の近傍から第１方向に延在する第３導電部を備え、
液晶層に含まれる液晶組成物は、第一成分として式（１）で表される化合物から選択された少なくとも１つの化合物を含有する。

式（１）において、Ｒ^１及びＲ^２は、炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、炭素数２から１２のアルケニル、又は少なくとも１つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられた炭素数２から１２のアルケニルであり；環Ａ及び環Ｂは、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、又は２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレンであり；Ｚ^１は、単結合、エチレン、ビニレン、メチレンオキシ、又はカルボニルオキシであり；ａは、１、２、又は３である。

また、本発明の別の液晶表示素子は、
対向する第１基板と第２基板の間に液晶層と、
第１基板上に設けられ、少なくとも１つの第１基本電極部を有する第１電極部と、
第１基板上に設けられ、少なくとも１つの第２基本電極部を有する第２電極部と、を備え、
第１基本電極部は、
基板面に沿った第１方向に延在し、第１方向に直交する第２方向に離間した一対の第１導電部を備え、
第２基本電極部は、第１基本電極部の開口部の近傍から第１方向に延在する第３導電部を備え、
液晶層に含まれる液晶組成物は、第一成分として式（１）で表される化合物から選択された少なくとも１つの化合物を含有する。

本発明によれば、短い応答時間、大きな電圧保持率、低いしきい値電圧、大きなコントラスト比、長い寿命のような特性を有する液晶表示素子を提供することができる。

本発明に係る第１実施形態の液晶表示素子の一部断面図である。本発明に係る第１実施形態の液晶表示素子の電極構造を説明するための平面図である。本発明に係る第１実施形態の第１電極部を示す平面図である。本発明に係る第１実施形態の第１電極部の接続導電部の変形例を示す平面図である。図３に対応する第１電極部の平面図であり、シミュレーションの結果を示す図７から図１２のグラフに用いられているパラメータ等を説明するための図である。図７から図９の応答時間の定義を説明するための図である。本発明に係る第１実施形態の応答時間に関するシミュレーションの結果を示す第１グラフである。本発明に係る第１実施形態の応答時間に関するシミュレーションの結果を示す第２グラフである。本発明に係る第１実施形態の応答時間に関するシミュレーションの結果を示す第３グラフである。本発明に係る第１実施形態の透過率に関するシミュレーションの結果を示す第１グラフである。本発明に係る第１実施形態の透過率に関するシミュレーションの結果を示す第２グラフである。本発明に係る第１実施形態の透過率に関するシミュレーションの結果を示す第３グラフである。比較用の従来のＦＦＳ方式の画素電極の一例を示す図である。本発明に係る第１実施形態の変形例である画素電極の例を示す図である。本発明に係る第１実施形態の第１電極部と第２電極部の間に電位差を発生させ、フリンジ電界を発生させたときの液晶分子の状態を説明するための図である。本発明に係る第２実施形態の液晶表示素子の一部断面図である。本発明に係る第２実施形態の液晶表示素子の電極構造を説明するための平面図である。本発明に係る第２実施形態の第１電極部を複数の画素領域ごとの単位又は全画素領域の単位で設けた場合を模式的に示す平面図である。本発明に係る第３実施形態の液晶表示素子の電極構造を説明するための平面図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。
なお、実施形態の説明の全体を通して同じ要素には同じ番号又は符号を付している。

（液晶組成物）
本発明の液晶表示素子の液晶層に含まれる液晶組成物について説明する。
なお、この明細書における用語の使い方は次のとおりである。「液晶組成物」及び「液晶表示素子」の用語をそれぞれ「組成物」及び「素子」と略すことがある。「液晶表示素子」は液晶表示パネル及び液晶表示モジュールの総称である。「液晶性化合物」は、ネマチック相、スメクチック相のような液晶相を有する化合物及び液晶相を有しないが、ネマチック相の温度範囲、粘度、誘電率異方性のような特性を調節する目的で組成物に混合される化合物の総称である。この化合物は、例えば１，４−シクロヘキシレンや１，４−フェニレンのような六員環を有し、その分子（液晶分子）は棒状（rod like）である。「重合性化合物」は、組成物中に重合体を生成させる目的で添加する化合物である。アルケニルを有する液晶性化合物は、その意味では重合性化合物に分類されない。

液晶組成物は、複数の液晶性化合物を混合することによって調製される。この液晶組成物に、光学活性化合物や重合性化合物のような添加物が必要に応じて添加される。液晶性化合物の割合は、添加物を添加した場合であっても、添加物を含まない液晶組成物の質量に基づいた質量百分率（質量％）で表される。添加物の割合は、添加物を含まない液晶組成物の質量に基づいた質量百分率（質量％）で表される。すなわち、液晶性化合物や添加物の割合は、液晶性化合物の全質量に基づいて算出される。

「ネマチック相の上限温度」を「上限温度」と略すことがある。「ネマチック相の下限温度」を「下限温度」と略すことがある。「誘電率異方性を上げる」の表現は、誘電率異方性が正である組成物のときは、その値が正に増加することを意味し、誘電率異方性が負である組成物のときは、その値が負に増加することを意味する。「電圧保持率が大きい」は、素子が初期段階において室温だけでなく上限温度に近い温度でも大きな電圧保持率を有し、そして長時間使用したあと室温だけでなく上限温度に近い温度でも大きな電圧保持率を有することを意味する。組成物や素子の特性が経時変化試験によって検討されることがある。

上記の化合物（１ｚ）を例にして説明する。式（１ｚ）において、六角形で囲んだαおよびβの記号はそれぞれ環αおよび環βに対応し、六員環、縮合環のような環を表す。添え字‘ｘ’が２のとき、２つの環αが存在する。２つの環αが表す２つの基は、同一であってもよく、または異なってもよい。このルールは、添え字‘ｘ’が２より大きいとき、任意の２つの環αに適用される。このルールは、結合基Ｚのような、他の記号にも適用される。環βの一辺を横切る斜線は、環β上の任意の水素が置換基（−Ｓｐ−Ｐ）で置き換えられてもよいことを表す。添え字‘ｙ’は置き換えられた置換基の数を示す。添え字‘ｙ’が０のとき、そのような置き換えはない。添え字‘ｙ’が２以上のとき、環β上には複数の置換基（−Ｓｐ−Ｐ）が存在する。この場合にも、「同一であってもよく、または異なってもよい」のルールが適用される。なお、このルールは、Ｒａの記号を複数の化合物に用いた場合にも適用される。

式（１ｚ）において、例えば、「ＲａおよびＲｂは、アルキル、アルコキシ、またはアルケニルである」のような表現は、ＲａおよびＲｂが独立して、アルキル、アルコキシ、およびアルケニルの群から選択されることを意味する。ここで、Ｒａによって表される基とＲｂによって表される基が同一であってもよく、または異なってもよい。このルールは、Ｒａの記号を複数の化合物に用いた場合にも適用される。このルールは、複数のＲａを１つの化合物に用いた場合にも適用される。

式（１ｚ）で表される化合物から選択された少なくとも１つの化合物を「化合物（１ｚ）」と略すことがある。「化合物（１ｚ）」は、式（１ｚ）で表される１つの化合物、２つの化合物の混合物、または３つ以上の化合物の混合物を意味する。他の式で表される化合物についても同様である。「式（１ｚ）および式（２ｚ）で表される化合物から選択された少なくとも１つの化合物」の表現は、化合物（１ｚ）および化合物（２ｚ）の群から選択された少なくとも１つの化合物を意味する。

「少なくとも１つの‘Ａ’」の表現は、‘Ａ’の数は任意であることを意味する。「少なくとも１つの‘Ａ’は、‘Ｂ’で置き換えられてもよい」の表現は、‘Ａ’の数が１つのとき、‘Ａ’の位置は任意であり、‘Ａ’の数が２つ以上のときも、それらの位置は制限なく選択できる。「少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよい」の表現が使われることがある。この場合、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ_２−は、隣接しない−ＣＨ_２−が−Ｏ−で置き換えられることによって−Ｏ−ＣＨ_２−Ｏ−に変換されてもよい。しかしながら、隣接した−ＣＨ_２−が−Ｏ−で置き換えられることはない。この置き換えでは−Ｏ−Ｏ−ＣＨ_２−（ペルオキシド）が生成するからである。

液晶性化合物のアルキルは、直鎖状または分岐状であり、環状アルキルを含まない。直鎖状アルキルは、分岐状アルキルよりも好ましい。これらのことは、アルコキシ、アルケニルのような末端基についても同様である。１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置は、上限温度を上げるためにシスよりもトランスが好ましい。２−フルオロ−１，４−フェニレンは左右非対称であるから、左向き（Ｌ）および右向き（Ｒ）が存在する。

テトラヒドロピラン−２，５−ジイルのような二価基においても同様である。なお、好ましいテトラヒドロピラン−２，５−ジイルは、上限温度を上げるために右向き（Ｒ）である。カルボニルオキシのような結合基（−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−）も同様である。

本発明における液晶組成物を次の順で説明する。第一に、組成物における成分化合物の構成を説明する。第二に、成分化合物の主要な特性、及びこの化合物が組成物及び素子に及ぼす主要な効果を説明する。第三に、組成物における成分の組合せ、成分の好ましい割合及びその根拠を説明する。第四に、成分化合物の好ましい形態を説明する。第五に、好ましい成分化合物を示す。第六に、組成物に添加してもよい添加物を説明する。第七に、成分化合物の合成法を説明する。最後に、組成物の用途を説明する。

第一に、組成物の構成を説明する。この組成物は、複数の液晶性化合物を含有する。この組成物は、添加物を含有してもよい。添加物は、光学活性化合物、酸化防止剤、紫外線吸収剤、消光剤、色素、消泡剤、重合性化合物、重合開始剤、重合禁止剤、極性化合物などである。この組成物は、液晶性化合物の観点から組成物Ａと組成物Ｂに分類される。組成物Ａは、化合物（１）、化合物（２）及び化合物（３）から選択された液晶性化合物の他に、その他の液晶性化合物、添加物などを更に含有してもよい。「その他の液晶性化合物」は、化合物（１）、化合物（２）及び化合物（３）とは異なる液晶性化合物である。このような化合物は、特性を更に調整する目的で組成物に混合される。

組成物Ｂは、実質的に化合物（１）、化合物（２）及び化合物（３）から選択された液晶性化合物のみからなる。「実質的に」は、組成物Ｂが添加物を含有してもよいが、その他の液晶性化合物を含有しないことを意味する。組成物Ｂは組成物Ａに比較して成分の数が少ない。コストを下げるという観点から、組成物Ｂは組成物Ａよりも好ましい。その他の液晶性化合物を混合することによって特性を更に調整できるという観点から、組成物Ａは組成物Ｂよりも好ましい。

−第一成分−
まず、組成物の第一成分について説明する。
本発明の液晶表示素子の液晶層に含まれる液晶組成物は、第一成分として式（１）で表される化合物から選択された少なくとも１つの化合物を含有するものである。

第一成分として、式（１−１）から式（１−１３）で表される化合物から選択された少なくとも１つの化合物を含有することが好ましい。

式（１−１）から式（１−１３）において、Ｒ^１及びＲ^２は、炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、炭素数２から１２のアルケニル、又は少なくとも１つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられた炭素数２から１２のアルケニルである。

液晶組成物中の第一成分の割合は、１０質量％から９０質量％の範囲であることが好ましい。

−第二成分−
次に、第二成分について説明する。
本発明における液晶組成物は、第二成分として式（２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有してもよい。

式（２）において、Ｒ^３は炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、又は炭素数２から１２のアルケニルであり；環Ｃは、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン、ピリミジン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、又はテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであり；Ｚ^２は、単結合、エチレン、メチレンオキシ、カルボニルオキシ、又はジフルオロメチレンオキシであり；Ｘ^１及びＸ^２は独立して、水素又はフッ素であり；Ｙ^１は、フッ素、塩素、少なくとも１つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられた炭素数１から１２のアルキル、少なくとも１つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられた炭素数１から１２のアルコキシ、又は少なくとも１つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられた炭素数２から１２のアルケニルオキシであり；ｂは、１、２、３、又は４である。

第二成分として式（２−１）から式（２−３５）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有することが好ましい。

式（２−１）から式（２−３５）において、Ｒ^３は、炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、又は炭素数２から１２のアルケニルである。

液晶組成物中の第二成分の割合は、１０重量％から８５重量％の範囲であることが好ましい。

−第三成分−
次に、第三成分について説明する。
本発明における液晶組成物は、第三成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有してもよい。

式（３）において、Ｒ^４及びＲ^５は、水素、炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、炭素数２から１２のアルケニル、又は炭素数２から１２のアルケニルオキシであり；環Ｄ及び環Ｆは、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、少なくとも１つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられた１，４−フェニレン、ナフタレン−２，６−ジイル、少なくとも１つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられたナフタレン−２，６−ジイル、クロマン−２，６−ジイル、又は少なくとも１つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられたクロマン−２，６−ジイルであり；環Ｅは、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２−クロロ−３−フルオロ−１，４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−５−メチル−１，４−フェニレン、３，４，５−トリフルオロナフタレン−２，６−ジイル、７，８−ジフルオロクロマン−２，６−ジイル、３，４，５，６−テトラフルオロフルオレン−２，７−ジイル、４，６−ジフルオロジベンゾフラン−３，７−ジイル、４，６−ジフルオロジベンゾチオフェン−３，７−ジイル、又は１，１，６，７−テトラフルオロインダン−２，５−ジイルであり；Ｚ^３及びＺ^４は、単結合、エチレン、メチレンオキシ、又はカルボニルオキシであり；ｃは、０、１、２、又は３であり、ｄは、０又は１であり、そしてｃ及びｄの和は、３以下である。

第三成分として式（３−１）から式（３−３５）で表される化合物から選択された少なくとも１つの化合物を含有することが好ましい。

式（３−１）から式（３−３５）において、Ｒ^４及びＲ^５は、水素、炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、炭素数２から１２のアルケニル、又は炭素数２から１２のアルケニルオキシである。

第三成分の割合は１０質量％から９０質量％の範囲であることが好ましい。

第二に、成分化合物の主要な特性、及びこの化合物が組成物や素子に及ぼす主要な効果を説明する。成分化合物の主要な特性を本発明の効果に基づいて表２にまとめる。表２の記号において、Ｌは大きい又は高い、Ｍは中程度の、Ｓは小さい又は低い、を意味する。記号Ｌ、Ｍ、Ｓは、成分化合物の間の定性的な比較に基づいた分類であり、０（ゼロ）は、Ｓよりも小さいことを意味する。

成分化合物の主要な効果は次のとおりである。化合物（１）は、粘度を下げる、又は上限温度を上げる。化合物（２）は誘電率異方性を上げる。化合物（３）は誘電率異方性を上げ、そして下限温度を下げる。

第三に、組成物における成分の組合せ、成分化合物の好ましい割合及びその根拠を説明する。組成物における成分の好ましい組合せは、化合物（１）＋化合物（２）、化合物（１）＋化合物（３）、又は化合物（１）＋化合物（２）＋化合物（３）である。更に好ましい組合せは、化合物（１）＋化合物（２）又は化合物（１）＋化合物（３）である。

化合物（１）の好ましい割合は、上限温度を上げるために、又は粘度を下げるために約１０質量％以上であり、誘電率異方性を上げるために約９０質量％以下である。更に好ましい割合は約２０質量％から約８０質量％の範囲である。特に好ましい割合は約３０質量％から約７０質量％の範囲である。

化合物（２）の好ましい割合は、誘電率異方性を上げるために約１０質量％以上であり、下限温度を下げるために、又は粘度を下げるために約８５質量％以下である。更に好ましい割合は約２０質量％から約８０質量％の範囲である。特に好ましい割合は約３０質量％から約７０質量％の範囲である。

化合物（３）の好ましい割合は、誘電率異方性を上げるために約１０質量％以上であり、下限温度を下げるために約９０質量％以下である。更に好ましい割合は約２０質量％から約８０質量％の範囲である。特に好ましい割合は約３０質量％から約７０質量％の範囲である。

第四に、成分化合物の好ましい形態を説明する。

式（１）、式（２）、及び式（３）において、Ｒ^１及びＲ^２は、炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、炭素数２から１２のアルケニル、又は少なくとも１つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられた炭素数２から１２のアルケニルである。好ましいＲ^１又はＲ^２は、粘度を下げるために、炭素数２から１２のアルケニルであり、安定性を上げるために炭素数１から１２のアルキルである。Ｒ^３は、炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、又は炭素数２から１２のアルケニルである。好ましいＲ^３は、安定性を上げるために炭素数１から１２のアルキルである。Ｒ^４及びＲ^５は、水素、炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、炭素数２から１２のアルケニル、又は炭素数２から１２のアルケニルオキシである。好ましいＲ^４又はＲ^５は、安定性を上げるために炭素数１から１２のアルキルであり、誘電率異方性を上げるために炭素数１から１２のアルコキシである。

好ましいアルキルは、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、又はオクチルである。更に好ましいアルキルは、粘度を下げるためにメチル、エチル、プロピル、ブチル、又はペンチルである。

好ましいアルコキシは、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、又はヘプチルオキシである。粘度を下げるために、更に好ましいアルコキシは、メトキシ又はエトキシである。

好ましいアルケニルは、ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、１−ヘキセニル、２−ヘキセニル、３−ヘキセニル、４−ヘキセニル、又は５−ヘキセニルである。更に好ましいアルケニルは、粘度を下げるためにビニル、１−プロペニル、３−ブテニル、又は３−ペンテニルである。これらのアルケニルにおける−ＣＨ＝ＣＨ−の好ましい立体配置は、二重結合の位置に依存する。粘度を下げるためなどから１−プロペニル、１−ブテニル、１−ペンテニル、１−ヘキセニル、３−ペンテニル、３−ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはトランスが好ましい。２−ブテニル、２−ペンテニル、２−ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはシスが好ましい。

好ましいアルケニルオキシは、ビニルオキシ、アリルオキシ、３−ブテニルオキシ、３−ペンテニルオキシ、又は４−ペンテニルオキシである。粘度を下げるために、更に好ましいアルケニルオキシは、アリルオキシ又は３−ブテニルオキシである。

少なくとも１つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられたアルキルの好ましい例は、フルオロメチル、２−フルオロエチル、３−フルオロプロピル、４−フルオロブチル、５−フルオロペンチル、６−フルオロヘキシル、７−フルオロヘプチル、又は８−フルオロオクチルである。更に好ましい例は、誘電率異方性を上げるために２−フルオロエチル、３−フルオロプロピル、４−フルオロブチル、又は５−フルオロペンチルである。

少なくとも１つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられたアルケニルの好ましい例は、２，２−ジフルオロビニル、３，３−ジフルオロ−２−プロペニル、４，４−ジフルオロ−３−ブテニル、５，５−ジフルオロ−４−ペンテニル、又は６，６−ジフルオロ−５−ヘキセニルである。更に好ましい例は、粘度を下げるために２，２−ジフルオロビニル又は４，４−ジフルオロ−３−ブテニルである。

環Ａ及び環Ｂは、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、又は２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレンである。好ましい環Ａ又は環Ｂは、粘度を下げるために、又は上限温度を上げるために、１，４-シクロヘキシレンであり、下限温度を下げるために１，４−フェニレンである。

環Ｃは、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン、ピリミジン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、又はテトラヒドロピラン−２，５−ジイルである。好ましい環Ｃは、上限温度を上げるために１，４−シクロヘキシレンであり、光学異方性を上げるために１，４−フェニレンであり、誘電率異方性を上げるために２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレンである。テトラヒドロピラン−２，５−ジイルは、

又は

であり、好ましくは

である。

環Ｄ及び環Ｆは、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、少なくとも１つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられた１，４−フェニレン、ナフタレン−２，６−ジイル、少なくとも１つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられたナフタレン−２，６−ジイル、クロマン−２，６−ジイル、又は少なくとも１つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられたクロマン−２，６−ジイルである。テトラヒドロピラン−２，５−ジイルは、

又は

であり、好ましくは

である。

環Ｅは、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２−クロロ−３−フルオロ−１，４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−５−メチル−１，４−フェニレン、３，４，５−トリフルオロナフタレン−２，６−ジイル、７，８−ジフルオロクロマン−２，６−ジイル、３，４，５，６−テトラフルオロフルオレン−２，７−ジイル（ＦＬＦ４）、４，６−ジフルオロジベンゾフラン−３，７−ジイル（ＤＢＦＦ２）、４，６−ジフルオロジベンゾチオフェン−３，７−ジイル（ＤＢＴＦ２）、又は１，１，６，７−テトラフルオロインダン−２，５−ジイル（ＩｎＦ４）である。

好ましい環Ｅは、粘度を下げるために２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレンであり、光学異方性を下げるために２−クロロ−３−フルオロ−１，４−フェニレンであり、誘電率異方性を上げるために７，８−ジフルオロクロマン−２，６−ジイルである。

Ｚ^１は、単結合、エチレン、ビニレン、メチレンオキシ、又はカルボニルオキシである。好ましいＺ^１は、粘度を下げるために単結合である。Ｚ^２は、単結合、エチレン、ビニレン、メチレンオキシ、カルボニルオキシ、又はジフルオロメチレンオキシである。好ましいＺ^２は、粘度を下げるために単結合であり、誘電率異方性を上げるために、ジフルオロメチレンオキシである。Ｚ^３及びＺ^４は、単結合、エチレン、ビニレン、メチレンオキシ、又はカルボニルオキシである。好ましいＺ^３又はＺ^４は、粘度を下げるために単結合であり、下限温度を下げるためにエチレンであり、誘電率異方性を上げるためにメチレンオキシである。

ａは、１、２、又は３である。好ましいａは粘度を下げるために１であり、上限温度を上げるために２又は３である。ｂは、１、２、３、又は４である。好ましいｂは、誘電率異方性を上げるために２又は３である。ｃは、０、１、２、又は３であり、ｄは、０又は１であり、そしてｃ及びｄの和は、３以下である。好ましいｃは粘度を下げるために１であり、上限温度を上げるために２又は３である。好ましいｄは粘度を下げるために０であり、下限温度を下げるために１である。

第五に、好ましい成分化合物を説明する。
好ましい化合物（１）は、上記化合物（１−１）から化合物（１−１３）である。これらの化合物において、第一成分の少なくとも１つが、化合物（１−１）、化合物（１−３）、化合物（１−５）、化合物（１−６）、又は化合物（１−８）であることが好ましい。第一成分の少なくとも２つが、化合物（１−１）及び化合物（１−３）、化合物（１−１）及び化合物（１−５）、又は化合物（１−１）及び化合物（１−６）の組合せであることが好ましい。

好ましい化合物（２）は、上記化合物（２−１）から化合物（２−３５）である。これらの化合物において、第二成分の少なくとも１つが、化合物（２−４）、化合物（２−１２）、化合物（２−１４）、化合物（２−１５）、化合物（２−１７）、化合物（２−１８）、化合物（２−２３）、化合物（２−２４）、化合物（２−２７）、化合物（２−２９）、又は化合物（２−３０）であることが好ましい。第二成分の少なくとも２つが、化合物（２−１２）及び化合物（２−１５）、化合物（２−１４）及び化合物（２−２７）、化合物（２−１８）及び化合物（２−２４）、化合物（２−１８）及び化合物（２−２９）、化合物（２−２４）及び化合物（２−２９）、又は化合物（２−２９）及び化合物（２−３０）の組合せであることが好ましい。

好ましい化合物（３）は、上記化合物（３−１）から化合物（３−３５）である。これらの化合物において、第三成分の少なくとも１つが、化合物（３−１）、化合物（３−３）、化合物（３−６）、化合物（３−８）、化合物（３−１０）、化合物（３−１４）、又は化合物（３−１６）であることが好ましい。第三成分の少なくとも２つが、化合物（３−１）及び化合物（３−８）、化合物（３−１）及び化合物（３−１４）、化合物（３−３）及び化合物（３−８）、化合物（３−３）及び化合物（３−１４）、化合物（３−３）及び化合物（３−１６）、化合物（３−６）及び化合物（３−８）、化合物（３−６）及び化合物（３−１０）、化合物（３−６）及び化合物（３−１６）、化合物（３−１０）及び化合物（３−１６）の組合せであることが好ましい。

第六に、組成物に添加してもよい添加物を説明する。このような添加物は、光学活性化合物、酸化防止剤、紫外線吸収剤、消光剤、色素、消泡剤、重合性化合物、重合開始剤、重合禁止剤、極性化合物などである。液晶分子のらせん構造を誘起してねじれ角を与える目的で光学活性化合物が組成物に添加される。このような化合物の例は、化合物（４−１）から化合物（４−５）である。光学活性化合物の好ましい割合は約５質量％以下である。更に好ましい割合は約０．０１質量％から約２質量％の範囲である。

大気中での加熱による比抵抗の低下を防止するために、又は素子を長時間使用したあと、室温だけではなく上限温度に近い温度でも大きな電圧保持率を維持するために、化合物（５−１）から化合物（５−３）のような酸化防止剤を組成物に更に添加してもよい。

化合物（５−２）は、揮発性が小さいので、素子を長時間使用したあと、室温だけではなく上限温度に近い温度でも大きな電圧保持率を維持するのに有効である。酸化防止剤の好ましい割合は、その効果を得るために約５０ｐｐｍ以上であり、上限温度を下げないように、又は下限温度を上げないように約６００ｐｐｍ以下である。更に好ましい割合は、約１００ｐｐｍから約３００ｐｐｍの範囲である。

紫外線吸収剤の好ましい例は、ベンゾフェノン誘導体、ベンゾエート誘導体、トリアゾール誘導体などである。立体障害のあるアミンのような光安定剤もまた好ましい。光安定剤の好ましい例は、化合物（６−１）から化合物（６−１６）などである。これらの吸収剤や安定剤における好ましい割合は、その効果を得るために約５０ｐｐｍ以上であり、上限温度を下げないように、又は下限温度を上げないために約１００００ｐｐｍ以下である。更に好ましい割合は約１００ｐｐｍから約１００００ｐｐｍの範囲である。

消光剤は、液晶化合物が吸収した光エネルギーを受容し、熱エネルギーに変換することにより、液晶化合物の分解を防止する化合物である。消光剤の好ましい例は、化合物（７−１）から化合物（７−７）などである。これらの消光剤における好ましい割合は、その効果を得るために約５０ｐｐｍ以上であり、下限温度を上げないために約２００００ｐｐｍ以下である。更に好ましい割合は約１００ｐｐｍから約１００００ｐｐｍの範囲である。

ＧＨ（guest host）モードの素子に適合させるために、アゾ系色素、アントラキノン系色素などのような二色性色素（dichroic dye）が組成物に添加される。色素の好ましい割合は、約０．０１質量％から約１０質量％の範囲である。泡立ちを防ぐために、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイルなどの消泡剤が組成物に添加される。消泡剤の好ましい割合は、その効果を得るために約１ｐｐｍ以上であり、表示不良を防ぐために約１０００ｐｐｍ以下である。更に好ましい割合は、約１ｐｐｍから約５００ｐｐｍの範囲である。

高分子支持配向（ＰＳＡ）型の素子に適合させるために重合性化合物が用いられるこのような重合性化合物の好ましい例は、アクリレート、メタクリレート、ビニル化合物、ビニルオキシ化合物、プロペニルエーテル、エポキシ化合物（オキシラン、オキセタン）、ビニルケトンなどの化合物である。更に好ましい例は、アクリレート又はメタクリレートの誘導体である。化合物（４）の好ましい割合は、重合性化合物の全質量に基づいて１０質量％以上である。更に好ましい割合は、５０質量％以上である。特に好ましい割合は、８０質量％以上である。最も好ましい割合は、１００質量％である。

重合性化合物は紫外線照射により重合する。光重合開始剤などの適切な開始剤存在下で重合させてもよい。重合のための適切な条件、開始剤の適切なタイプ、及び適切な量は、当業者には既知であり、文献に記載されている。例えば光開始剤であるＩｒｇａｃｕｒｅ６５１（登録商標、ＢＡＳＦ製）、Ｉｒｇａｃｕｒｅ１８４（登録商標、ＢＡＳＦ製）、又はＤａｒｏｃｕｒ１１７３（登録商標、ＢＡＳＦ製）がラジカル重合に対して適切である。光重合開始剤の好ましい割合は、重合性化合物の全質量に基づいて約０．１質量％から約５質量％の範囲である。更に好ましい割合は約１質量％から約３質量％の範囲である。

重合性化合物を保管するとき、重合を防止するために重合禁止剤を添加してもよい。重合性化合物は、通常は重合禁止剤を除去しないまま組成物に添加される。重合禁止剤の例は、ヒドロキノン、メチルヒドロキノンのようなヒドロキノン誘導体、４−ｔ−ブチルカテコール、４-メトキシフェノール、フェノチアジンなどである。

極性化合物は、極性をもつ有機化合物である。ここでは、イオン結合を有する化合物は含まれない。酸素、硫黄、及び窒素のような原子は、より電気的に陰性であり、部分的な負電荷をもつ傾向にある。炭素及び水素は中性であるか、又は部分的な正電荷をもつ傾向がある。極性は、化合物中の別種の原子間で部分電荷が均等に分布しないことから生じる。例えば、極性化合物は、−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＳＨ、−ＮＨ_２、＞ＮＨ、＞Ｎ−のような部分構造の少なくとも１つを有する。

第七に、成分化合物の合成法を説明する。これらの化合物は既知の方法によって合成できる。合成法を例示する。化合物（１−１）は、特開昭５９−１７６２２１号公報に記載された方法で合成する。化合物（２−４）は、特開平１０−２０４０１６に記載された方法で合成する。化合物（３−１）は、特開２０００−０５３６０２号公報に記載された方法で合成する。酸化防止剤は市販されている。化合物（５−１）は、アルドリッチ（Sigma-Aldrich Corporation）から入手できる。化合物（５−２）などは、米国特許３６６０５０５号明細書に記載された方法によって合成する。

合成法を記載しなかった化合物は、オーガニック・シンセシス（Organic Syntheses, John Wiley & Sons, Inc.）、オーガニック・リアクションズ（Organic Reactions, John Wiley & Sons, Inc）、コンプリヘンシブ・オーガニック・シンセシス（Comprehensive Organic Synthesis, Pergamon Press）、新実験化学講座（丸善）などの成書に記載された方法によって合成できる。組成物は、このようにして得た化合物から公知の方法によって調製される。例えば、成分化合物を混合し、そして加熱によって互いに溶解させる。

最後に、組成物の用途を説明する。この組成物は主として、約−１０℃以下の下限温度、約７０℃以上の上限温度、そして約０．０７から約０．２０の範囲の光学異方性を有する。成分化合物の割合を制御することによって、またはその他の液晶性化合物を混合することによって、約０．０８から約０．２５の範囲の光学異方性を有する組成物を調製してもよい。試行錯誤によって、約０．１０から約０．３０の範囲の光学異方性を有する組成物を調製してもよい。この組成物を含有する素子は大きな電圧保持率を有する。この組成物はＡＭ素子に適する。この組成物は透過型のＡＭ素子に特に適する。この組成物は、ネマチック相を有する組成物としての使用、光学活性化合物を添加することによって光学活性な組成物としての使用が可能である。

この組成物はＡＭ素子への使用が可能である。さらにＰＭ素子への使用も可能である。この組成物は、ＰＣ、ＴＮ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、ＩＰＳ、ＦＦＳ、ＶＡ、ＦＰＡなどのモードを有するＡＭ素子およびＰＭ素子への使用が可能である。ＴＮ、ＯＣＢ、ＩＰＳモードまたはＦＦＳモードを有するＡＭ素子への使用は特に好ましい。ＩＰＳモードまたはＦＦＳモードを有するＡＭ素子において、電圧が無印加のとき、液晶分子の配列がガラス基板に対して並行であってもよく、または垂直であってもよい。これらの素子が反射型、透過型または半透過型であってもよい。透過型の素子への使用は好ましい。非結晶シリコン−ＴＦＴ素子または多結晶シリコン−ＴＦＴ素子への使用も可能である。この組成物をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰ（nematic curvilinear aligned phase）型の素子や、組成物中に三次元の網目状高分子を形成させたＰＤ（polymer dispersed）型の素子にも使用できる。

（調製例）
次に、本発明の液晶組成物の調製例について説明する。なお、液晶組成物は、以下の調製例に限定されるものではない。合成した化合物は、ＮＭＲ分析などの方法により同定した。化合物、組成物、及び素子の特性は、下記に記載した方法により測定した。

ＮＭＲ分析：測定には、ブルカーバイオスピン社製のＤＲＸ−５００を用いた。^１Ｈ−ＮＭＲの測定では、試料をＣＤＣｌ_３などの重水素化溶媒に溶解させ、測定は、室温で、５００ＭＨｚ、積算回数１６回の条件で行った。テトラメチルシランを内部標準として用いた。^１９Ｆ−ＮＭＲの測定では、ＣＦＣｌ_３を内部標準として用い、積算回数２４回で行った。核磁気共鳴スペクトルの説明において、ｓはシングレット、ｄはダブレット、ｔはトリプレット、ｑはカルテット、ｑｕｉｎはクインテット、ｓｅｘはセクステット、ｍはマルチプレット、ｂｒはブロードであることを意味する。

ガスクロマト分析：測定には島津製作所製のＧＣ−１４Ｂ型ガスクロマトグラフを用いた。キャリアーガスはヘリウム（２ｍＬ／分）である。試料気化室を２８０℃に、検出器（ＦＩＤ）を３００℃に設定した。成分化合物の分離には、Agilent Technologies Inc.製のキャピラリカラムＤＢ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ；固定液相はジメチルポリシロキサン；無極性）を用いた。このカラムは、２００℃で２分間保持したあと、５℃／分の割合で２８０℃まで昇温した。試料はアセトン溶液（０．１質量％）に調製したあと、その１μＬを試料気化室に注入した。記録計は島津製作所製のＣ−Ｒ５Ａ型Chromatopac、又はその同等品である。得られたガスクロマトグラムは、成分化合物に対応するピークの保持時間及びピークの面積を示した。

試料を希釈するための溶媒は、クロロホルム、ヘキサンなどを用いてもよい。成分化合物を分離するために、次のキャピラリカラムを用いてもよい。Agilent Technologies Inc.製のＨＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、Restek Corporation製のＲｔｘ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、SGE International Pty. Ltd.製のＢＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）。化合物ピークの重なりを防ぐ目的で島津製作所製のキャピラリカラムＣＢＰ１−Ｍ５０−０２５（長さ５０ｍ、内径０．２５ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）を用いてもよい。

組成物に含有される液晶性化合物の割合は、次のような方法で算出してよい。液晶性化合物の混合物をガスクロマトグラフィー（ＦＩＤ）で分析する。ガスクロマトグラムにおけるピークの面積比は液晶性化合物の割合に相当する。上に記載したキャピラリカラムを用いたときは、各々の液晶性化合物の補正係数を１とみなしてよい。したがって、液晶性化合物の割合（質量％）は、ピークの面積比から算出することができる。

測定試料：組成物又は素子の特性を測定するときは、組成物をそのまま試料として用いた。化合物の特性を測定するときは、この化合物（１５質量％）を母液晶（８５質量％）に混合することによって測定用の試料を調製した。測定によって得られた値から外挿法によって化合物の特性値を算出した。（外挿値）＝｛（試料の測定値）−０．８５×（母液晶の測定値）｝／０．１５。この割合でスメクチック相（又は結晶）が２５℃で析出するときは、化合物と母液晶の割合を１０質量％：９０質量％、５質量％：９５質量％、１質量％：９９質量％の順に変更した。この外挿法によって化合物に関する上限温度、光学異方性、粘度、及び誘電率異方性の値を求めた。

下記の母液晶を用いた。成分化合物の割合は重量％で示した。

測定方法：特性の測定は下記の方法で行った。これらの多くは、一般社団法人電子情報技術産業協会（Japan Electronics and Information Technology Industries Association；ＪＥＩＴＡという）で審議制定されるＪＥＩＴＡ規格（ＪＥＩＴＡ・ＥＤ−２５２１Ｂ）に記載された方法、又はこれを修飾した方法であった。測定に用いたＴＮ素子には、薄膜トランジスター（ＴＦＴ）を取り付けなかった。

正の誘電率異方性を有する液晶組成物においては、以下に記載する（１）から（１５）の測定方法を用いた。

（１）ネマチック相の上限温度（ＮＩ；℃）：偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、１℃／分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。

（２）ネマチック相の下限温度（Ｔ_Ｃ；℃）：ネマチック相を有する試料をガラス瓶に入れ、０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、及び−４０℃のフリーザー中に１０日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、試料が−２０℃ではネマチック相のままであり、−３０℃では結晶又はスメクチック相に変化したとき、Ｔ_Ｃを＜−２０℃と記載した。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。

（３）粘度（バルク粘度；η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）：測定には東京計器株式会社製のＥ型回転粘度計を用いた。

（４）粘度（回転粘度；γ１；２５℃で測定；ｍＰａ・ｓ）：測定は、M. Imai et al., Molecular Crystals and Liquid Crystals, Vol. 259, 37 (1995)に記載された方法に従った。ツイスト角が０度であり、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が５μｍであるＴＮ素子に試料を入れた。この素子に１６Ｖから１９．５Ｖの範囲で０．５Ｖ毎に段階的に印加した。０．２秒の無印加のあと、ただ１つの矩形波（矩形パルス；０．２秒）と無印加（２秒）の条件で印加を繰り返した。この印加によって発生した過渡電流（transient current）のピーク電流（peak current）とピーク時間（peak time）を測定した。これらの測定値とM. Imaiらの論文中の４０頁に記載の計算式（１０）とから回転粘度の値を得た。この計算で必要な誘電率異方性の値は、この回転粘度を測定した素子を用い、下に記載した方法で求めた。

（５）光学異方性（屈折率異方性；Δｎ；２５℃で測定）：測定は、波長５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行った。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料を主プリズムに滴下した。屈折率ｎ‖は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率ｎ⊥は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学異方性の値は、Δｎ＝ｎ‖−ｎ⊥、の式から計算した。

（６）誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）：２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が９μｍであり、そしてツイスト角が８０度であるＴＮ素子に試料を入れた。この素子にサイン波（１０Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。この素子にサイン波（０．５Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥、の式から計算した。

（７）しきい値電圧（Ｖｔｈ；２５℃で測定；Ｖ）：測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプであった。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が０．４５／Δｎ（μｍ）であり、ツイスト角が８０度であるノーマリーホワイトモード（normally white mode）のＴＮ素子に試料を入れた。この素子に印加する電圧（３２Ｈｚ、矩形波）は０Ｖから１０Ｖまで０．０２Ｖずつ段階的に増加させた。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％である電圧−透過率曲線を作成した。しきい値電圧は透過率が９０％になったときの電圧で表した。

（８）電圧保持率（ＶＨＲ−１；２５℃で測定；％）：測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）は５μｍであった。この素子は試料を入れたあと紫外線で硬化する接着剤で密閉した。このＴＮ素子にパルス電圧（１Ｖで６０マイクロ秒）を印加して充電した。減衰する電圧を高速電圧計で１６６．７ミリ秒のあいだ測定し、単位周期における電圧曲線と横軸との間の面積Ａを求めた。面積Ｂは減衰しなかったときの面積であった。電圧保持率は面積Ｂに対する面積Ａの百分率で表した。

（９）電圧保持率（ＶＨＲ−２；６０℃で測定；％）：２５℃の代わりに、６０℃で測定した以外は、上記（８）と同じ手順で電圧保持率を測定した。得られた値をＶＨＲ−２で表した。

（１０）電圧保持率（ＶＨＲ−３；６０℃で測定；％）：紫外線を照射したあと、電圧保持率を測定し、紫外線に対する安定性を評価した。測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そしてセルギャップは５μｍであった。この素子に試料を注入し、５ｍＷ／ｃｍ^２の紫外線を１６７分間照射した。光源はアイグラフィックス株式会社製ブラックライト、Ｆ４０Ｔ１０／ＢＬ（ピーク波長３６９ｎｍ）であり、素子と光源の間隔は５ｍｍであった。ＶＨＲ−３の測定では、１６６．７ミリ秒のあいだ、減衰する電圧を測定した。大きなＶＨＲ−３を有する組成物は紫外線に対して大きな安定性を有する。

（１１）電圧保持率（ＶＨＲ−４；６０℃で測定；％）：試料を注入したＴＮ素子を１２０℃の恒温槽内で２０時間加熱したあと、電圧保持率を測定し、熱に対する安定性を評価した。ＶＨＲ−４の測定では、１６６．７ミリ秒のあいだ減衰する電圧を測定した。大きなＶＨＲ−４を有する組成物は熱に対して大きな安定性を有する。

（１２）応答時間（τ；２５℃で測定；ｍｓ）：測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプであった。ローパス・フィルター（Low-pass filter）は５ｋＨｚに設定した。本発明の素子に試料を入れた。電圧（３２Ｈｚ、矩形波）を０Ｖから１０Ｖまで０．０２Ｖずつ段階的に増加させながら、この素子に印加した。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときの透過率を１００％としたとき、透過率が９０％になったときの電圧をＶ_９０とした。この素子に矩形波（６０Ｈｚ、Ｖ_９０Ｖ、０．５秒）を印加した。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％であるとみなした。立ち上がり時間（τｒ：rise time；ミリ秒）は、透過率が１０％から９０％に変化するのに要した時間である。立ち下がり時間（τｆ：fall time；ミリ秒）は、透過率が９０％から１０％に変化するのに要した時間である。応答時間は、このようにして求めた立ち上がり時間と立ち下がり時間との和で表した。

（１３）弾性定数（Ｋ；２５℃で測定；ｐＮ）：測定には横河・ヒューレットパッカード株式会社製のＨＰ４２８４Ａ型ＬＣＲメータを用いた。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が２０μｍである水平配向素子に試料を入れた。この素子に０ボルトから２０ボルト電荷を印加し、静電容量及び印加電圧を測定した。測定した静電容量（Ｃ）と印加電圧（Ｖ）の値を「液晶デバイスハンドブック」（日刊工業新聞社）、７５頁にある式（２．９８）、式（２．１０１）を用いてフィッティングし、式（２．９９）からＫ１１及びＫ３３の値を得た。次に同１７１頁にある式（３．１８）に、先ほど求めたＫ１１及びＫ３３の値を用いてＫ２２を算出した。弾性定数は、このようにして求めたＫ１１、Ｋ２２、及びＫ３３の平均値で表した。

（１４）比抵抗（ρ；２５℃で測定；Ωｃｍ）：電極を備えた容器に試料１．０ｍＬを注入した。この容器に直流電圧（１０Ｖ）を印加し、１０秒後の直流電流を測定した。比抵抗は次の式から算出した。（比抵抗）＝｛（電圧）×（容器の電気容量）｝／｛（直流電流）×（真空の誘電率）｝。

（１５）短軸方向における誘電率（ε⊥；２５℃で測定）：２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が９μｍであり、そしてツイスト角が８０度であるＴＮ素子に試料を入れた。この素子にサイン波（０．５Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。

負の誘電率異方性を有する液晶組成物においては、以下に記載する（１６）から（２８）の測定方法を用いた。

（１６）ネマチック相の上限温度（ＮＩ；℃）：偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、１℃／分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。

（１７）ネマチック相の下限温度（Ｔ_Ｃ；℃）：ネマチック相を有する試料をガラス瓶に入れ、０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、及び−４０℃のフリーザー中に１０日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、試料が−２０℃ではネマチック相のままであり、−３０℃では結晶又はスメクチック相に変化したとき、Ｔ_Ｃを＜−２０℃と記載した。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。

（１８）粘度（バルク粘度；η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）：測定には東京計器株式会社製のＥ型回転粘度計を用いた。

（１９）粘度（回転粘度；γ１；２５℃で測定；ｍＰａ・ｓ）：測定には、株式会社東陽テクニカの回転粘性率測定システムＬＣＭ−２型を用いた。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が１０μｍのＶＡ素子に試料を注入した。この素子に矩形波（５５Ｖ、１ｍｓ）を印加した。この印加によって発生した過渡電流（transient current）のピーク電流（peak current）とピーク時間（peak time）を測定した。これらの測定値及び誘電率異方性を用いて、回転粘度の値を得た。誘電率異方性は、測定（６）に記載された方法で測定した。

（２０）光学異方性（屈折率異方性；Δｎ；２５℃で測定）：測定は、波長５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行った。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料を主プリズムに滴下した。屈折率ｎ‖は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率ｎ⊥は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学異方性の値は、Δｎ＝ｎ‖−ｎ⊥、の式から計算した。

（２１）誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）：誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥、の式から計算した。誘電率（ε‖及びε⊥）は次のように測定した。
１）誘電率（ε‖）の測定：よく洗浄したガラス基板にオクタデシルトリエトキシシラン（０．１６ｍＬ）のエタノール（２０ｍＬ）溶液を塗布した。ガラス基板をスピンナーで回転させたあと、１５０℃で１時間加熱した。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が４μｍであるＶＡ素子に試料を入れ、この素子を紫外線で硬化する接着剤で密閉した。この素子にサイン波（０．５Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。
２）誘電率（ε⊥）の測定：よく洗浄したガラス基板にポリイミド溶液を塗布した。このガラス基板を焼成した後、得られた配向膜にラビング処理をした。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が９μｍであり、ツイスト角が８０度であるＴＮ素子に試料を入れた。この素子にサイン波（０．５Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。

（２２）しきい値電圧（Ｖｔｈ；２５℃で測定；Ｖ）：測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプであった。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が４μｍであり、ラビング方向がアンチパラレルであるノーマリーブラックモード（normally black mode）のＶＡ素子に試料を入れ、この素子を紫外線で硬化する接着剤を用いて密閉した。この素子に印加する電圧（６０Ｈｚ、矩形波）は０Ｖから２０Ｖまで０．０２Ｖずつ段階的に増加させた。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％である電圧−透過率曲線を作成した。しきい値電圧は透過率が１０％になったときの電圧で表した。

（２３）電圧保持率（ＶＨＲ−９；２５℃で測定；％）：測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）は５μｍであった。この素子は試料を入れたあと紫外線で硬化する接着剤で密閉した。このＴＮ素子にパルス電圧（１Ｖで６０マイクロ秒）を印加して充電した。減衰する電圧を高速電圧計で１６６．７ミリ秒のあいだ測定し、単位周期における電圧曲線と横軸との間の面積Ａを求めた。面積Ｂは減衰しなかったときの面積であった。電圧保持率は面積Ｂに対する面積Ａの百分率で表した。

（２４）電圧保持率（ＶＨＲ−１０；６０℃で測定；％）：２５℃の代わりに、６０℃で測定した以外は、上記（２３）と同じ手順で電圧保持率を測定した。得られた値をＶＨＲ−１０で表した。

（２５）電圧保持率（ＶＨＲ−１１；６０℃で測定；％）：紫外線を照射したあと、電圧保持率を測定し、紫外線に対する安定性を評価した。測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そしてセルギャップは５μｍであった。この素子に試料を注入し、５ｍＷ／ｃｍ^２の紫外線を１６７分間照射した。光源はアイグラフィックス株式会社製ブラックライト、Ｆ４０Ｔ１０／ＢＬ（ピーク波長３６９ｎｍ）であり、素子と光源の間隔は５ｍｍであった。ＶＨＲ−１１の測定では、１６６．７ミリ秒のあいだ、減衰する電圧を測定した。大きなＶＨＲ−１１を有する組成物は紫外線に対して大きな安定性を有する。

（２６）電圧保持率（ＶＨＲ−１２；６０℃で測定；％）：試料を注入したＴＮ素子を１２０℃の恒温槽内で２０時間加熱したあと、電圧保持率を測定し、熱に対する安定性を評価した。ＶＨＲ−１２の測定では、１６６．７ミリ秒のあいだ減衰する電圧を測定した。大きなＶＨＲ−１２を有する組成物は熱に対して大きな安定性を有する。

（２７）応答時間（τ；２５℃で測定；ｍｓ）：測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプであった。ローパス・フィルター（Low-pass filter）は５ｋＨｚに設定した。本発明の素子に試料を入れた。電圧（３２Ｈｚ、矩形波）を０Ｖから１０Ｖまで０．０２Ｖずつ段階的に増加させながら、この素子に印加した。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときの透過率を１００％としたとき、透過率が９０％になったときの電圧をＶ_９０とした。この素子に矩形波（６０Ｈｚ、Ｖ_９０Ｖ、０．５秒）を印加した。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％であるとみなした。立ち上がり時間（τｒ：rise time；ミリ秒）は、透過率が１０％から９０％に変化するのに要した時間である。立ち下がり時間（τｆ：fall time；ミリ秒）は、透過率が９０％から１０％に変化するのに要した時間である。応答時間は、このようにして求めた立ち上がり時間と立ち下がり時間との和で表した。

（２８）比抵抗（ρ；２５℃で測定；Ωｃｍ）：電極を備えた容器に試料１．０ｍＬを注入した。この容器に直流電圧（１０Ｖ）を印加し、１０秒後の直流電流を測定した。比抵抗は次の式から算出した。（比抵抗）＝｛（電圧）×（容器の電気容量）｝／｛（直流電流）×（真空の誘電率）｝。

組成物における液晶性化合物は、下記の表３の定義に基づいて記号により表した。表３において、１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置はトランスである。記号のあとにあるかっこ内の番号は化合物の番号に対応する。（−）の記号はその他の液晶性化合物を意味する。液晶性化合物の割合（百分率）は、液晶組成物の質量に基づいた質量百分率（質量％）である。最後に、組成物の特性値をまとめた。

以下に、組成物の調製例を示す。
［組成物Ｍ１］
３−ＨＨ−Ｖ（１−１）２２％
３−ＨＨ−Ｖ１（１−１）１０％
５−ＨＢ−Ｏ２（１−２）５％
３−ＨＨＥＨ−３（１−４）３％
３−ＨＢＢ−２（１−６）７％
５−Ｂ（Ｆ）ＢＢ−３（１−７）３％
５−ＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１）３％
３−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−４）６％
３−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−６）３％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−９）５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１８）６％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１９）６％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−３１）２％
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−３２）４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２）４％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２）５％
３−ＨＢ−ＣＬ（２）３％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３（２）３％
ＮＩ＝７７．２℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．１０１；Δε＝５．８；Ｖｔｈ＝１．８８Ｖ；η＝１３．７ｍＰａ・ｓ；γ１＝６１．３ｍＰａ・ｓ．

［組成物Ｍ２］
２−ＨＨ−５（１−１）８％
３−ＨＨ−Ｖ（１−１）１０％
３−ＨＨ−Ｖ１（１−１）７％
４−ＨＨ−Ｖ（１−１）１０％
４−ＨＨ−Ｖ１（１−１）８％
５−ＨＢ−Ｏ２（１−２）７％
４−ＨＨＥＨ−３（１−４）３％
Ｖ２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−１（１−８）３％
５−ＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１）６％
３−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−４）６％
Ｖ−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−９）５％
３−ＨＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−２０）７％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−Ｆ（２−２８）３％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−Ｆ（２−２８）３％
４−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−Ｆ（２−２８）４％
５−ＨＢ−ＣＬ（２）５％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−３（−）５％
ＮＩ＝７８．５℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．０９５；Δε＝３．４；Ｖｔｈ＝１．５０Ｖ；η＝８．４ｍＰａ・ｓ；γ１＝５４．２ｍＰａ・ｓ．

［組成物Ｍ３］
２−ＨＨ−３（１−１）８％
３−ＨＨ−Ｖ（１−１）２０％
３−ＨＨ−Ｖ１（１−１）７％
４−ＨＨ−Ｖ（１−１）６％
５−ＨＢ−Ｏ２（１−２）５％
Ｖ２−Ｂ２ＢＢ−１（１−９）３％
３−ＨＨＥＢＨ−３（１−１１）５％
３−ＨＨＥＢＨ−５（１−１１）５％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−３）５％
３−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−４）７％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１０）５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１８）１０％
２−ＨＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−２０）３％
５−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２）６％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２）５％
ＮＩ＝９０．３℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．０８８；Δε＝５．４；Ｖｔｈ＝１．６９Ｖ；η＝１３．７ｍＰａ・ｓ；γ１＝６０．６ｍＰａ・ｓ．

［組成物Ｍ４］
２−ＨＨ−３（１−１）１４％
２−ＨＨ−５（１−１）４％
３−ＨＨ−Ｖ（１−１）２６％
１Ｖ２−ＨＨ−３（１−１）５％
１Ｖ２−ＢＢ−１（１−３）３％
３−ＨＢ（Ｆ）ＨＨ−２（１−１０）４％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２（１−１３）６％
３−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−３（１）３％
３−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−６）３％
５−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−７）４％
３−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１４）５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−１６）２％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１９）４％
３−ＧＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−２２）２％
２−ｄｈＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−２５）４％
３−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２）５％
３−ｄｈＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２）３％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２）３％
ＮＩ＝７８．３℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．０９４；Δε＝５．９；Ｖｔｈ＝１．２５Ｖ；η＝１２．８ｍＰａ・ｓ；γ１＝６１．９ｍＰａ・ｓ．

［組成物Ｍ５］
３−ＨＨ−Ｖ（１−１）３０％
３−ＨＨ−Ｖ１（１−１）１０％
１Ｖ２−ＨＨ−３（１−１）８％
３−ＨＨ−ＶＦＦ（１−１）８％
Ｖ２−ＢＢ−１（１−３）２％
５−ＨＢ（Ｆ）ＢＨ−３（１−１２）５％
５−ＨＢＢＨ−３（１）５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−２）８％
３−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１２）３％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１８）１０％
３−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−２７）６％
５−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２）５％
ＮＩ＝７６．６℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．０８８；Δε＝５．５；Ｖｔｈ＝１．８１Ｖ；η＝１２．１ｍＰａ・ｓ；γ１＝６０．２ｍＰａ・ｓ．

［組成物Ｍ６］
２−ＨＨ−５（１−１）５％
３−ＨＨ−Ｖ（１−１）３０％
３−ＨＨ−Ｖ１（１−１）３％
３−ＨＨ−ＶＦＦ（１−１）１０％
３−ＨＨＢ−１（１−５）４％
３−ＨＨＢ−３（１−５）５％
３−ＨＨＢ−Ｏ１（１−５）３％
３−ＨＨＥＢＨ−３（１−１１）３％
３−ＨＨＥＢＨ−４（１−１１）４％
３−ＨＨＥＢＨ−５（１−１１）３％
３−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−３（１）３％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１８）１４％
３−ｄｈＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２）７％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２）６％
ＮＩ＝８２．７℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．０８５；Δε＝５．１；Ｖｔｈ＝１．７０Ｖ；η＝８．０ｍＰａ・ｓ；γ１＝５３．９ｍＰａ・ｓ．

［組成物Ｍ７］
２−ＨＨ−５（１−１）８％
３−ＨＨ−Ｖ（１−１）２８％
４−ＨＨ−Ｖ１（１−１）７％
５−ＨＢ−Ｏ２（１−２）２％
７−ＨＢ−１（１−２）５％
ＶＦＦ−ＨＨＢ−Ｏ１（１−５）８％
ＶＦＦ−ＨＨＢ−１（１−５）３％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−８）５％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−８）４％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１５）３％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−２９）３％
４−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−２９）５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−３０）３％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−３１）４％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２）３％
４−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２）３％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）２％
２−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ−３（３−１９）４％
ＮＩ＝８１．９℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．１０９；Δε＝４．８；Ｖｔｈ＝１．７５Ｖ；η＝１３．３ｍＰａ・ｓ；γ１＝５７．４ｍＰａ・ｓ．

［組成物Ｍ８］
３−ＨＨ−５（１−１）４％
３−ＨＨ−Ｖ（１−１）２１％
３−ＨＨ−Ｖ１（１−１）３％
４−ＨＨ−Ｖ（１−１）４％
１Ｖ２−ＨＨ−３（１−１）６％
５−Ｂ（Ｆ）ＢＢ−２（１−７）３％
５−Ｂ（Ｆ）ＢＢ−３（１−７）２％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−３）４％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１０）３％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１０）３％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１５）３％
３−ＨＢＢＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−２３）６％
３−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−２７）５％
４−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−２７）５％
５−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２）３％
３−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２）４％
５−ＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２）３％
５−ＨＢ−ＣＬ（２）２％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３（２）４％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１）３％
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−６）２％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−８）４％
Ｆ３−ＨＨ−Ｖ（−）３％
ＮＩ＝７８．１℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．１００；Δε＝６．６；Ｖｔｈ＝１．５０Ｖ；η＝１６．２ｍＰａ・ｓ；γ１＝６１．８ｍＰａ・ｓ．

［組成物Ｍ９］
Ｖ−ＨＨ−Ｖ（１−１）１０％
Ｖ−ＨＨ−２Ｖ（１−１）２０％
１Ｖ−ＨＨ−Ｖ（１−１）１０％
３−ＨＨ−Ｖ（１−１）１５％
Ｖ２−ＢＢ−１（１−３）４％
１−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−２Ｖ（１−８）７％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−２Ｖ（１−８）８％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−３）３％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１０）３％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１８）４％
３−ＨＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−２０）３％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−２９）５％
４−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−２９）５％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５（−）３％
ＮＩ=７４．３℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．１１１；Δε＝３．０；Ｖｔｈ＝２．３９Ｖ；η＝１１．０ｍＰａ・ｓ；γ１＝４４．５ｍＰａ・ｓ．

［組成物Ｍ１０］
３−ＨＨ−Ｖ（１−１）１１％
１−ＢＢ−３（１−３）６％
３−ＨＨＢ−１（１−５）４％
３−ＨＨＢ−Ｏ１（１−５）４％
３−ＨＢＢ−２（１−６）４％
３−Ｂ（Ｆ）ＢＢ−２（１−７）４％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ４（３−１）６％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−２）８％
３−Ｈ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３）５％
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−６）１０％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−８）７％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−８）７％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−８）７％
２−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）４％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）７％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）６％
ＮＩ＝８７．６℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．１２６；Δε＝−４．５；η＝２５．３ｍＰａ・ｓ．

［組成物Ｍ１１］
３−ＨＨ−Ｖ（１−１）２７％
３−ＨＨ−Ｖ１（１−１）６％
Ｖ−ＨＨＢ−１（１−５）５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１）５％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１）７％
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−６）８％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−８）５％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−８）４％
３−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１０）５％
２−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）３％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）９％
４−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）４％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）８％
２−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ−３（３−１９）４％
ＮＩ＝８１．２℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．１０７；Δε＝−３．２；η＝１５．５ｍＰａ・ｓ．

［組成物Ｍ１２］
４−ＨＨ−Ｖ（１−１）１５％
３−ＨＨ−Ｖ１（１−１）６％
１−ＨＨ−２Ｖ１（１−１）６％
３−ＨＨ−２Ｖ１（１−１）４％
Ｖ２−ＢＢ−１（１−３）５％
１Ｖ２−ＢＢ−１（１−３）５％
３−ＨＨＢ−１（１−５）３％
３−ＨＢ（Ｆ）ＢＨ−３（１−１２）４％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−２）７％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−８）８％
３−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１０）８％
２−ＨｃｈＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１２）８％
３−ＨＤｈＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１３）３％
５−ＨＤｈＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１３）４％
２−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ−３（３−１９）７％
２−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ−４（３−１９）７％
ＮＩ＝８８．２℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．１１５；Δε＝−２．１；η＝１８．３ｍＰａ・ｓ．

［組成物Ｍ１３］
２−ＨＨ−３（１−１）１２％
１−ＢＢ−５（１−３）１２％
３−ＨＨＢ−１（１−５）４％
３−ＨＨＢ−Ｏ１（１−５）３％
３−ＨＢＢ−２（１−６）３％
Ｖ２−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−２）８％
Ｖ２−Ｈ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ４（３−３）４％
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−６）７％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−８）７％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−８）７％
３−ＨＨ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−９）７％
５−ＨＨ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−９）４％
Ｖ−ＨＨ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−９）６％
Ｖ２−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）５％
Ｖ−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）５％
Ｖ−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ４（３−１４）６％
ＮＩ＝８９．９℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．１２２；Δε＝−４．２；η＝２３．４ｍＰａ・ｓ．

［組成物Ｍ１４］
３−ＨＨ−Ｖ（１−１）２７％
３−ＨＨ−Ｖ１（１−１）６％
Ｖ−ＨＨＢ−１（１−５）３％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１）３％
Ｖ−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１）３％
Ｖ２−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１）５％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−２）５％
Ｖ２−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−６）３％
１Ｖ２−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−６）３％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−８）６％
Ｖ−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−８）６％
Ｖ−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ４（３−８）５％
Ｖ２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−８）４％
Ｖ−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２（３−１１）３％
Ｖ２−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）５％
Ｖ−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）４％
Ｖ−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ４（３−１４）５％
Ｖ２−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ−１（３−１９）４％
ＮＩ＝７７．１℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．１０１；Δε＝−３．０；η＝１３．９ｍＰａ・ｓ．

［組成物Ｍ１５］
２−ＨＨ−３（１−１）１２％
１−ＢＢ−３（１−３）６％
３−ＨＨＢ−１（１−５）３％
３−ＨＨＢ−Ｏ１（１−５）４％
３−ＨＢＢ−２（１−６）６％
３−Ｂ（Ｆ）ＢＢ−２（１−７）３％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ４（３−１）６％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−２）８％
３−Ｈ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３）４％
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−６）７％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−８）６％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−８）１０％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−８）８％
２−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）５％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）７％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）５％
ＮＩ＝９３．０℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．１２４；Δε＝−４．５；η＝２５．０ｍＰａ・ｓ．

［組成物Ｍ１６］
３−ＨＨ−Ｖ（１−１）１５％
３−ＨＨ−Ｖ１（１−１）６％
２−ＨＨ−３（１−１）９％
３−ＨＨ−５（１−１）３％
１Ｖ２−ＨＨ−３（１−１）３％
Ｖ−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１）７％
Ｖ２−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−６）１０％
Ｖ−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ１（３−８）７％
Ｖ−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−８）９％
Ｖ２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−８）８％
３−ＨＨ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−９）９％
Ｖ−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）８％
Ｖ−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ４（３−１４）６％
ＮＩ＝８７．５℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．１００；Δε＝−３．４；η＝１８．９ｍＰａ・ｓ．

［組成物Ｍ１７］
３−ＨＨ−Ｖ（１−１）３３％
Ｖ−ＨＨＢ−１（１−５）３％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１）７％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１）７％
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−６）８％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−８）４％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−８）５％
３−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１０）５％
２−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）３％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）８％
４−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）５％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）８％
２−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ−３（３−１９）４％
ＮＩ＝７６．４℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．１０４；Δε＝−３．２；η＝１５．６ｍＰａ・ｓ．

［組成物Ｍ１８］
２−ＨＨ−３（１−１）５％
３−ＨＨ−ＶＦＦ（１−１）３０％
１−ＢＢ−３（１−３）５％
３−ＨＨＢ−１（１−５）３％
３−ＨＢＢ−２（１−６）３％
２−Ｈ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３）６％
３−Ｈ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３）４％
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−６）３％
２−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１０）１４％
２−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）７％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）１１％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）９％
ＮＩ＝７８．３℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．１０３；Δε＝−３．２；η＝１７．７ｍＰａ・ｓ．

［組成物Ｍ１９］
３−ＨＨ−４（１−１）１４％
Ｖ−ＨＨＢ−１（１−５）１０％
３−ＨＢＢ−２（１−６）７％
Ｖ−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１）１０％
Ｖ２−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１）１０％
２−Ｈ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３）３％
３−Ｈ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３）３％
２Ｏ−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−６）３％
Ｖ２−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−６）８％
Ｖ２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−８）５％
Ｖ−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２（３−１１）７％
２−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）３％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）３％
Ｖ−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）６％
Ｖ−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ４（３−１４）８％
ＮＩ＝７５．９℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．１１４；Δε＝−３．９；η＝２４．７ｍＰａ・ｓ．

［組成物Ｍ２０］
３−ＨＨ−Ｖ（１−１）３３％
３−ＨＨ−Ｖ１（１−１）５％
３−ＨＢ−Ｏ２（１−２）３％
１−ＢＢ−３（１−３）３％
３−ＨＨＢ−１（１−５）６％
２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（１−８）２％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１）３％
２Ｏ−Ｂ（２Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−７）５％
２Ｏ−Ｂ（２Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ４（３−７）１２％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−８）４％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−８）８％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）４％
３−ｄｈＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１６）８％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ−２（３−１７）４％
ＮＩ＝７２．６℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．１０５；Δε＝−２．５；η＝１５．７ｍＰａ・ｓ．

［組成物Ｍ２１］
２−ＨＨ−３（１−１）１２％
１−ＢＢ−５（１−３）１２％
３−ＨＨＢ−１（１−５）４％
３−ＨＨＢ−Ｏ１（１−５）３％
３−ＨＢＢ−２（１−６）３％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ４（３−１）６％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−２）８％
３−Ｈ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−３）４％
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−６）７％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−８）７％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−８）７％
３−ＨＨ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−９）７％
５−ＨＨ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−９）４％
２−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）５％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）５％
４−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）６％
ＮＩ＝８２．８℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．１１８；Δε＝−４．４；η＝２２．５ｍＰａ・ｓ．

［組成物Ｍ２２］
３−ＨＨ−Ｖ（１−１）２７％
３−ＨＨ−Ｖ１（１−１）６％
Ｖ−ＨＨＢ−１（１−５）３％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１）７％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１）７％
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−６）８％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−８）５％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−８）４％
３−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１０）４％
２−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）３％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）８％
４−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）５％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）８％
２−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ−３（３−１９）５％
ＮＩ＝７８．１℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．１０７；Δε＝−３．２；η＝１５．９ｍＰａ・ｓ．

［組成物Ｍ２３］
３−ＨＨ−４（１−１）１４％
Ｖ−ＨＨＢ−１（１−５）１０％
３−ＨＢＢ−２（１−６）７％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１）１０％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１）１０％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−２）８％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−２）８％
３−ＨＤｈＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１３）５％
２−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）６％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）８％
４−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）７％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）７％
ＮＩ＝８８．５℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．１０８；Δε＝−３．８；η＝２４．６ｍＰａ・ｓ．

［組成物Ｍ２４］
３−ＨＨ−Ｖ（１−１）４２％
３−ＨＨ−Ｖ１（１−１）５％
１−ＢＢ−３（１−３）３％
Ｖ−ＨＨＢ−１（１−５）２％
２Ｏ−Ｂ（２Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−７）６％
２Ｏ−Ｂ（２Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ４（３−７）１３％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−８）４％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−８）４％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−８）４％
３−ｄｈＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１６）５％
３−ＨＢ（２Ｆ）Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１８）７％
Ｖ−Ｈ２ＢＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−２５）５％
ＮＩ＝７１．８℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．１０３；Δε＝−２．５；η＝１４．２ｍＰａ・ｓ．

［組成物Ｍ２５］
５−ＨＨ−Ｖ（１−１）１８％
７−ＨＢ−１（１−２）５％
Ｖ−ＨＨＢ−１（１−５）７％
Ｖ２−ＨＨＢ−１（１−５）７％
３−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（１−１３）８％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ４（３−１）１５％
３−ｃｈＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−５）７％
２−ＨｃｈＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１２）８％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）８％
４−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）５％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）７％
３−ｄｈＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１６）５％
ＮＩ＝９８．８℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．１１１；Δε＝−３．２；η＝２３．９ｍＰａ・ｓ．

［組成物Ｍ２６］
３−ＨＨ−Ｖ（１−１）１１％
３−ＨＨ−ＶＦＦ（１−１）７％
Ｆ３−ＨＨ−Ｖ（１−１）１０％
３−ＨＨＥＨ−３（１−４）４％
３−ＨＢ（Ｆ）ＨＨ−２（１−１０）４％
３−ＨＨＥＢＨ−３（１−１１）４％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−２）１８％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−２）１７％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２（３−１１）５％
３−ＨＤｈＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１３）５％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２（３−１５）８％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｃｌ）−Ｏ２（３−１５）７％
ＮＩ＝７７．５℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．０８４；Δε＝−２．６；η＝２２．８ｍＰａ・ｓ．

［組成物Ｍ２７］
３−ＨＨ−Ｖ（１−１）１１％
１−ＢＢ−５（１−３）５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１）８％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−２）１０％
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−６）１０％
２Ｏ−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−６）３％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−８）４％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−８）７％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（３−８）５％
３−ＨＤｈＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１３）６％
２−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）４％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）７％
３−ｄｈＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１６）４％
２−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ−３（３−１９）６％
２−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ−４（３−１９）６％
３−ＨＨ１ＯＣｒｏ（７Ｆ，８Ｆ）−５（３−２７）４％
ＮＩ＝７０．６℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．１２９；Δε＝−４．３；η＝２７．０ｍＰａ・ｓ．

［組成物Ｍ２８］
Ｖ−ＨＨ−Ｖ（１−１）２４％
Ｖ−ＨＨ−Ｖ１（１−１）２０％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１）５％
Ｖ２−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−６）８％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−８）６％
Ｖ−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−８）７％
Ｖ−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ４（３−８）４％
２−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）２％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）６％
Ｖ−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）７％
Ｖ−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ４（３−１４）６％
２−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ−３（３−１９）５％
ＮＩ＝７３．５℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．１０６；Δε＝−２．７；η＝１７．０ｍＰａ・ｓ．

［組成物Ｍ２９］
２−ＨＨ−３（１−１）１９％
３−ＨＨＢ−１（１−５）３％
Ｖ−ＨＨＢ−１（１−５）１０％
Ｖ２−ＨＨＢ−１（１−５）１０％
３−ＤｈＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−４）５％
２−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−６）９％
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−６）９％
３−ＨＨ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−９）６％
３−ＨＤｈＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１３）１４％
２−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）２％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）６％
Ｖ−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）７％
ＮＩ＝８６．０℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．１１０；Δε＝−３．８；η＝２２．９ｍＰａ・ｓ．

［組成物Ｍ３０］
３−ＨＨ−Ｖ（１−１）４０％
３−ＨＨ−Ｖ１（１−１）７％
Ｖ−ＨＨＢ−１（１−５）４％
Ｖ２−ＨＨＢ−１（１−５）９％３−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−４）３％
３−ＨＢＢＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−２３）１１％
４−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−２９）７％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−２９）６％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−３２）１３％
ＮＩ＝８０．２℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．１００；Δε＝６．８；η＝１０．８ｍＰａ・ｓ．

［組成物Ｍ３１］
３−ＨＨ−ＶＦＦ（１−１）１３％
３−ＨＨＥＢＨ−３（１−１１）４％
Ｖ−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１）８％
Ｖ−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ４（３−１）１２％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１）１０％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１）７％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−８）６％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−８）７％
３−ＨＤｈＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１３）１０％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）５％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（３−１４）６％
ＮＩ＝７４．４℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．１０１；Δε＝５．３；η＝２５．３ｍＰａ・ｓ．

上記で説明した液晶組成物を液晶表示素子の液晶層に用いることで、短い応答時間、大きな電圧保持率、低いしきい値電圧、大きなコントラスト比、長い寿命のような特性を有する液晶表示素子とすることができる。

ところで、液晶表示素子の電極構造でも透過光量や応答時間の向上が行えるため、好適な電極構造等を含め液晶表示素子の構成について、以下、第１実施形態から第３実施形態として詳細に説明する。

ただし、以下で示す実施形態は、好適な液晶表示素子の一例について説明するものであり、上記で説明した液晶組成物を液晶層に用いた液晶表示素子が以下で説明する第１実施形態から第３実施形態の液晶表示素子に限定されるものではない。

（第１実施形態）
図１は本発明に係る第１実施形態の液晶表示素子１の一部断面図であり、図２は本発明に係る第１実施形態の液晶表示素子１の電極構造を説明するための平面図である。

なお、図１及び図２は液晶表示素子１の画素のＲＧＢの１つの部分に対応するサブ画素に対応する図になっており、図１は図２のＡ−Ａ線に対応する位置の液晶表示素子１の断面図になっている。
また、図２では、枠線で第２電極部１２の範囲を示すに留め、構成がわかるように、第２電極部１２の下側に位置する部分も図示するようにしている。

そして、液晶表示素子１は、面内に図１及び図２を参照して後ほど説明する電極構造が縦方向及び横方向に多数設けられたものになっており、縦方向又は横方向に並んで形成される３つの電極構造が１つの画素に対応するものになっている。

図１に示すように、液晶表示素子１は、液晶表示装置で用いられるときに、バックライト側に位置することになる第１基板１０と、第１基板１０と対向して配置される第２基板２０と、第１基板１０と第２基板２０の間に設けられる液晶層３０と、を備えている。

第１基板１０及び第２基板２０は、バックライトからの光を透過することができる材料で形成されており、例えば、第１基板１０及び第２基板２０にはガラス基板を用いることができる。

また、液晶表示素子１は、液晶層３０から離れた側の第１基板１０上に設けられた偏光子となる第１偏光板１１と、液晶層３０から離れた側の第２基板２０上に設けられた検光子となる第２偏光板２１と、を備えている。

そして、第１編光板１１は、透過軸（以下、第１透過軸ともいう。）が第１基板１０及び第２基板２０の平面に沿った図１及び図２に示すＸ軸（以下、第１方向Ｘともいう。）に沿って配置されている。
また、第２編光板２１は、透過軸（以下、第２透過軸ともいう。）がＸ軸に直交する第１基板１０及び第２基板２０の平面に沿ったＹ軸（以下、第２方向Ｙともいう。）に沿って配置されている。
つまり、第１編光板１１と第２編光板２１はクロスニコルに配置されている。

ただし、第１編光板１１と第２編光板２１がクロスニコルに配置になっていればよく、第１編光板１１の第１透過軸が第２方向Ｙに沿って設けられるように第１偏光板１１が設けられ、第２編光板２１の第２透過軸が第１方向Ｘに沿って設けられるように第２編光板２１が設けられていてもよい。

更に、液晶表示素子１は、液晶層３０側の第１基板１０上に設けられた液晶層の液晶分子の配向方向を制御するための電極構造等（第１電極部４０、第２電極部１２、データ線１３、薄膜トランジスタ１４（図２参照）、ゲート線１５（図２参照）及び共通電極線１６（図２参照）等）を備えている。

具体的には、図１に示すように、液晶表示素子１は、第１基板１０上に形成されたデータ線１３、薄膜トランジスタ１４（図２参照）、ゲート線１５（図２参照）及び共通電極線１６（図２参照）等の層と、その上に形成された保護層及び平坦化層として機能する絶縁層１７と、絶縁層１７上に形成されたベタ電極の第２電極部１２と、第２電極部１２を覆うように形成された絶縁層１８と、絶縁層１８上に形成された第１電極部４０と、を備えている。

本実施形態では、第１電極部４０が画素電極であり、絶縁層１８を介して第１電極部４０と絶縁するように、第１電極部４０よりも第１基板１０側に設けられた第２電極部１２が共通電極である場合になっている。
ただし、後ほど第２実施形態として説明するように第１電極部４０を共通電極として第２電極部１２を画素電極とすることも可能である。

なお、本実施形態では、サブ画素に対応する領域にそれぞれベタ電極の第２電極部１２を設けた場合について示しているが、第２電極部１２は共通電極であるため、１画素領域ごとの単位、複数の画素領域の単位及び全画素領域の単位（この場合、第２電極部１２は１つのベタ電極となる。）といったより広い範囲に形成されたベタ電極であってもよい。

このため、図２に示すように、画素電極となる第１電極部４０はビアホールＶＨを通じて薄膜トランジスタ１４のドレイン電極に電気的に接続されるとともに、ゲート線１５が薄膜トランジスタ１４のゲート電極に電気的に接続され、データ線１３が薄膜トランジスタ１４のソース電極に電気的に接続されている。
一方、共通電極となる第２電極部１２は共通電極線１６に電気的に接続されている。
なお、液晶表示素子１が液晶表示装置に用いられるときに、ゲート線１５は液晶表示装置のゲートドライバに接続され、データ線１３はデータドライバに接続される。

第１電極部４０及び第２電極部１２は、導電性で、かつ、光を透過する材料で形成されている。
例えば、第１電極部４０及び第２電極部１２を形成する材料には、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）やＩＺＯ（酸化インジウム酸化亜鉛）等を好適に用いることができる。

また、図１に示すように、液晶表示素子１は、絶縁層１８上に第１電極部４０を覆うように設けられた第１配向膜１９を備えており、この第１配向膜１９の液晶層３０側の表面には、液晶層３０の液晶の配向方向が所定の方向に向くようにラビング処理が施されている。

なお、液晶層３０の液晶としては、正の誘電率異方性を有する液晶組成物（以下、単にポジ型液晶ともいう。）を用いてもよく、負の誘電率異方性を有する液晶組成物（以下、単にネガ型液晶ともいう。）を用いてもよく、先に説明した液晶組成物が用いられる。しかしながら、電圧保持率の観点から、シアノ基を有する液晶性化合物を含有する液晶組成物は好ましくない。

例えば、液晶層３０の液晶がポジ型液晶である場合、第１電極部４０と第２電極部１２の間に電位差が発生していない状態（フリンジ電界が発生していない状態）のときに、後述する第１電極部４０のパターンに合わせて第１方向Ｘに沿って液晶分子が配向するように、ラビング処理が施される。

なお、本実施形態では、ポジ型液晶を液晶層３０に用いており、図１はフリンジ電界を発生させていない状態を示しているため、液晶分子を正面から見た円形状の分子形状に図示しているが、フリンジ電界を発生させると、液晶分子がＸ軸とＹ軸で規定される平面内で回転し、Ｙ軸に沿った棒状の形状に見えるようになる。

逆に、液晶層３０の液晶がネガ型液晶である場合、フリンジ電界が発生していない状態のときに、後述する第１電極部４０のパターンに合わせて第２方向Ｙに沿って液晶分子が配向するように、ラビング処理が施される。

一方、液晶表示素子１は、液晶層３０側の第２基板２０上に直接設けられた色層２２（カラー層）及びブラックマトリックス２３と、色層２２及びブラックマトリックス２３を覆うように設けられた平坦化膜２４と、平坦化膜２４上に設けられた第２配向膜２５と、を備えている。

色層２２は、ＲＧＢに対応したカラー層であり、例えば、図１及び図２に示すサブ画素に対応する部分がＲＧＢのＲに対応する場合には色層２２は赤とされ、Ｇに対応する場合には色層２２は緑とされ、Ｂに対応する場合には青とされる。

なお、上述したように、液晶表示素子１には、多数のサブ画素に対応する構成が設けられているので、色層２２は、それぞれのサブ画素に対応するように第２基板２０上にマトリックス状に設けられている。

ブラックマトリックス２３は、サブ画素間のクロストークを低減するために、各サブ画素の外周に対応して設けられる格子状の枠であり、遮光性の材料で形成されている。

そして、第２配向膜２５は、第１配向膜１９と同様に、液晶層３０側の表面に液晶層３０の液晶の配向方向が所定の方向に向くようにラビング処理が施されている。

この第２配向膜２５のラビング処理も第１配向膜１９のラビング処理と同様であり、液晶層３０の液晶がポジ型液晶である場合、フリンジ電界が発生していない状態のときに、後述する第１電極部４０のパターンに合わせて第１方向Ｘに沿って液晶分子が配向するように、ラビング処理が施される。

逆に、液晶層３０の液晶がネガ型液晶である場合には、フリンジ電界が発生していない状態のときに、後述する第１電極部４０のパターンに合わせて第２方向Ｙに沿って液晶分子が配向するように、ラビング処理が施される。

次に、第１電極部４０の平面図である図３を参照しながら、第１電極部４０についてより詳細に説明する。
なお、図３に示すＸ軸（第１方向Ｘ）、Ｙ軸（第２方向Ｙ）及びＺ軸は、図１及び図２に示されるものと同じである。

第１電極部４０は、第１基本電極部４２と第２基本電極部４３を備えた基本となる電極パターンである基本電極部４１を備えている。

第１基本電極部４２は、第１基板１０（図１参照）の基板面に沿った第１方向Ｘに延在し、第１方向Ｘに直交する第２方向Ｙに離間した一対の第１導電部４２Ａを備えている。

また、第１基本電極部４２は、一対の第１導電部４２Ａのそれぞれの一端４２ＡＡに対して接続された一対の他端４２ＢＢを有し、第１導電部４２Ａの延在方向とは反対方向にくの字形状の一端となる屈曲部４２ＢＡを有するくの字形状の第２導電部４２Ｂを備えている。

一方、第２基本電極部４３は、第１基本電極部４２の開き側となる開口部ＯＰの近傍から第１方向Ｘに延在する第３導電部４３Ａを備えている。
なお、図３では、第３導電部４３Ａは、第３導電部４３Ａの一端４３ＡＡが開口部ＯＰよりも第１方向Ｘに、若干、離間するように設けられているが、第３導電部４３Ａは、第３導電部４３Ａの一端４３ＡＡが開口部ＯＰよりも、若干、開口部ＯＰ内（第１基本電極部４２寄り）に位置するように設けられていてもよい。

本実施形態では、第１電極部４０が、第１方向Ｘに複数の基本電極部４１を備えるとともに、第２方向Ｙにも複数の基本電極部４１を備えるものになっている。
具体的には、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに、それぞれ２つの基本電極部４１が並ぶように設けられている。

そして、第１方向Ｘの任意の隣り合う基本電極部４１同士について見れば、基本電極部４１は、第２導電部４２Ｂの屈曲部４２ＢＡと第３導電部４３Ａの他端４３ＡＢで接続されている（点線の丸囲み部分Ｓ参照）。

また、第２方向Ｙの任意の隣り合う基本電極部４１同士について見れば、基本電極部４１は、一対の第１導電部４２Ａのうち基本電極部４１の間に位置することになる第１導電部４２Ａを共有している（斜めハッチング部分参照）。

更に、本実施形態では、末端に配置された第１基本電極部４２（図左側の基本電極部４１参照）が、第２導電部４２Ｂの屈曲部４２ＢＡから第１方向Ｘとは反対方向に延在する第４導電部４４を更に備えている。

加えて、本実施形態では、末端に配置された第２基本電極部４３（図右側の基本電極部４１参照）の第１方向Ｘに設けられ、第２導電部４２Ｂの屈曲部４２ＢＡが末端に配置された第２基本電極部４３（図右側の基本電極部４１参照）の第３導電部４３Ａの他端４３ＡＢに接続された第１基本電極部４２（二点鎖線の囲み部分参照）を更に備えている。

そして、第１電極部４０は、外周を形成する矩形状の接続導電部４５を備え、その接続導電部４５が第１導電部４２Ａ、第２導電部４２Ｂ、第３導電部４３Ａ及び第４導電部４４で形成される導電パターンを電気的に接続している。

また、接続導電部４５は、第１方向Ｘとは反対側に位置する一端側となる第１辺４５Ａから第１方向Ｘとは反対側に延在する接続部４５Ｂを備えている。
そして、この接続部４５Ｂが、先に図２を参照して説明した通り、ビアホールＶＨを通じて薄膜トランジスタ１４のドレイン電極に電気的に接続される。

なお、第１電極部４０は、少なくとも１つの基本電極部４１を有していればよく、基本電極部４１を第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにいくつ設けるのかは、サブ画素に求められる面積に応じて決めればよい。

また、図３では、接続導電部４５が矩形状の枠を形成している場合について示しているが、接続導電部４５は、第１導電部４２Ａ、第２導電部４２Ｂ、第３導電部４３Ａ及び第４導電部４４で形成される導電パターンを電気的に接続できればよいため、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示す変形例のように、枠の形状になっていなくてもよい。

更に、接続導電部４５の接続部４５Ｂは、薄膜トランジスタ１４のドレイン電極の位置との関係で設けられるものであるから、必ずしも、一端側となる第１辺４５Ａから第１方向Ｘとは反対側に延在するように設けられるものではなく、薄膜トランジスタ１４のドレイン電極の位置に対応して設けられていればよい（図４（ｂ）参照）。

次に、上記のような第１電極部４０に関してシミュレーションの結果を示す図７から図１２等を説明しながら第１電極部４０の各部の寸法等についてより詳細に説明する。
まず、最初に、図７から図１２に記載のＬ１、Ｌ２、Ｌ３、θ、応答時間及び透過率について、簡単な説明を行ってから、第１電極部４０の各部の寸法等についての説明を行う。
図５は図３に対応する第１電極部４０の平面図であり、シミュレーションの結果を示す図７から図１２のグラフに用いられているパラメータ等を説明するための図である。

図７から図１２のグラフに記載のＬ１は、図５に示す第３導電部４３Ａ及び第４導電部４４の第１方向Ｘに沿った長さを意味し、図７から図１２のグラフに記載のＬ２は、第１導電部４２Ａの第１方向Ｘに沿った長さを意味する。

また、図７から図１２のグラフに記載のＬ３は、図５に示す第２導電部４２Ｂの一端側となる屈曲部４２ＢＡから第１方向Ｘ側に位置する他端４２ＢＢまでの長さ、つまり、くの字形状の第２導電部４２Ｂの対をなす一方の辺及び他方の辺の長さを意味する。
なお、第１導電部４２Ａ、第２導電部４２Ｂの対をなす一方の辺及び他方の辺、第３導電部４３Ａ及び第４導電部４４の幅は、いずれも２．５０μｍとしている。
ただし、第１導電部４２Ａ、第２導電部４２Ｂの対をなす一方の辺及び他方の辺、第３導電部４３Ａ及び第４導電部４４の幅が太くなると、第１電極部４０の導電パターンが設けられていない部分の割合が少なくなり、透過率が低下するおそれがあることから、幅は１．００μｍから４．００μｍ程度が好ましい。

更に、図７から図１２のグラフに記載のθは、第２導電部４２Ｂのくの字形状の開き角度の半分の角度を意味している。
つまり、θ＝３０度である場合、くの字形状の開き角度が６０度になっていることを意味している。

図６は、図７から図９の応答時間の定義を説明するための図であり、縦軸は液晶表示素子１を透過する光量（正規化光量）を表し、横軸は経過時間を表している。
なお、正規化光量とは、液晶表示素子１を透過する光の光量が安定した状態（定常時光量ＱＬのライン参照）を１００％とするように正規化した光量のことである。

図６に示す液晶表示素子１を透過する光量の変化は、フリンジ電界の印加を開始して、液晶表示素子１を透過する光量が安定した状態（定常時光量ＱＬのライン参照）に到達した後、フリンジ電界の印加を停止し、透過する光量がなくなるまでの状態を示したものになっている。

そして、一般的に応答時間は、液晶表示素子１を透過する光量が安定した状態（定常時光量ＱＬ）を基準に定常時光量ＱＬの１０％から９０％の間の変化に要する時間として評価されることが多いため、図７から図９の応答時間もそれに従ったものとしている。

具体的には、図６に示すように、電界印加時の応答時間Ｔ１は、フリンジ電界の印加を開始して、液晶表示素子１を透過する光量が定常時光量ＱＬの１０％（定常時光量ＱＬの１０％ライン参照）に到達したときを動作開始点とし、定常時光量ＱＬの９０％（定常時光量ＱＬの９０％ライン参照）に到達したときを動作終了点として、動作開始点から動作終了点までの経過時間としている。

また、電界停止時の応答時間Ｔ２は、フリンジ電界の印加を停止して、液晶表示素子１を透過する光量が定常時光量ＱＬの９０％（定常時光量ＱＬの９０％ライン参照）に到達したときを動作開始点とし、定常時光量ＱＬの１０％（定常時光量ＱＬの１０％ライン参照）に到達したときを動作終了点として、動作開始点から動作終了点までの経過時間としている。

そして、図６に示すように、電界印加時の応答時間Ｔ１と電界停止時の応答時間Ｔ２は異なることから、図７から図９に記載の応答時間は、この応答時間Ｔ１と応答時間Ｔ２を合わせた応答時間（＝応答時間Ｔ１＋応答時間Ｔ２）としている。

一方、図１０から図１２の透過率は、液晶表示素子１から出射する光の出射光強度が液晶表示素子１に入射する光の入射光強度に対して何％であるのかを表している。

次に、シミュレーションの結果を示す図７から図９を参照しながら、応答時間と第１電極部４０の各部の寸法等との関係について説明する。
図７は応答時間に関するシミュレーションの結果を示す第１グラフであり、Ｌ１及びＬ３を８.００μｍに固定し、縦軸をＬ２／Ｌ１比とし、横軸をθとして応答時間を示したものになっている。
なお、Ｌ１＝８.００μであることから縦軸はＬ２が変化することによるＬ２／Ｌ１比を示したものになっており、縦軸の一番下は０．７５であり、一番上は１．２５である。

図７に示すように、Ｌ２／Ｌ１比の変化にかかわらず、どのＬ２／Ｌ１比の位置でも、θが小さくなると応答時間が短くなる傾向があることがわかる。
例えば、図１３に比較用の従来のＦＦＳ方式の画素電極の一例を示しているが、この画素電極において、くの字形状の各導電部１００の幅Ｗ１を２．５０μｍとするとともに、導電部１００間の離間距離Ｄ１を４．００μｍとした場合、応答時間は２６.００ｍｓ以上である。

そして、図７に示すように、Ｌ２／Ｌ１比が０．７５から１．２５の範囲で、θが６０度以下のときには、応答時間がほぼ２０．５０ｍｓ以内に収まっていることから、比較用の従来のＦＦＳ方式の画素電極の場合に比べ、２０％以上応答時間が改善していることがわかる。

図８は応答時間に関するシミュレーションの結果を示す第２グラフであり、Ｌ２／Ｌ１比を１．００に固定し、縦軸をＬ１及びＬ３の長さとし、横軸をθとして応答時間を示したものになっている。
なお、Ｌ２／Ｌ１比が１．００であるので、縦軸はＬ１、Ｌ２及びＬ３の長さを示しているものになっている。

図８に示すように、Ｌ１、Ｌ２及びＬ３の長さの変化にかかわらず、どのＬ１、Ｌ２及びＬ３の長さの位置でも、θが小さくなると応答時間が短くなる傾向があることがわかる。
また、θにかかわらず、どのθの位置でも、Ｌ１、Ｌ２及びＬ３の長さが小さくなると、応答時間が短くなる傾向があることが伺える。

そして、Ｌ１、Ｌ２及びＬ３の長さが１０．００μｍ以下の範囲で、θが６０度以下のときには、応答時間がほぼ２０．００ｍｓ以内に収まっていることから、比較用の従来のＦＦＳ方式の画素電極の場合に比べ、２０％以上応答時間が改善していることがわかる。

図９は応答時間に関するシミュレーションの結果を示す第３グラフであり、θを４５度に固定し、縦軸をＬ２／Ｌ１比とし、横軸をＬ１及びＬ３の長さとして応答時間を示したものになっている。
なお、縦軸の一番下は０．７５であり、一番上は１．２５である。

図９に示すように、θが４５度である場合、Ｌ２／Ｌ１比が０．７５から１．２５の範囲で、Ｌ１及びＬ３の長さが６．００μｍから１０．００μｍの範囲のときには、応答時間がほぼ１９．７５ｍｓ以内に収まっていることから、比較用の従来のＦＦＳ方式の画素電極の場合に比べ、２４％以上応答時間が改善していることがわかる。

そして、θが小さくなると応答時間が短くなる傾向があり、また、Ｌ１、Ｌ２及びＬ３の長さが小さくなると、応答時間が短くなる傾向があることが伺えることは、先に見たとおりである。

したがって、Ｌ２／Ｌ１比が１．２５以下、Ｌ１及びＬ３の長さが１０．００μｍ以下及びθが４５度以下であれば、比較用の従来のＦＦＳ方式の画素電極の場合に比べ、２４％以上の応答時間の改善が得られることがわかる。

これらのことから、応答時間の面で見ると、Ｌ１、Ｌ２及びＬ３はそれぞれ１０．００μｍ以下が好ましく、９．５０μｍ以下がより好ましく、更に９．００μｍ以下が好ましい。
また、応答時間の面で見ると、Ｌ２／Ｌ１比は、１．２５以下が好ましく、１．２０以下がより好ましく、更に１．１０以下が好ましい。
更に、応答時間の面で見ると、θは、６０度以下が好ましく、４５度以下がより好ましく、更に３５度以下が好ましい。

次に、シミュレーションの結果を示す図１０から図１２を参照しながら、透過率と第１電極部４０の各部の寸法等との関係について説明する。
図１０は透過率に関するシミュレーションの結果を示す第１グラフであり、Ｌ１及びＬ３を８.００μｍに固定し、縦軸をＬ２／Ｌ１比とし、横軸をθとして透過率を示したものになっている。
なお、Ｌ１＝８.００μｍであることから縦軸はＬ２が変化することによるＬ２／Ｌ１比を示したものになっており、縦軸の一番下は０．７５であり、一番上は１．２５である。

図１０に示すように、Ｌ２／Ｌ１比の変化にかかわらず、どのＬ２／Ｌ１比の位置でも、θが小さくなると透過率が高くなる傾向があることがわかる。

一方、本実施形態の変形例である画素電極の例を図１４に示す。
図１４を見るとわかるように、この変形例の画素電極においても、先に説明した第１実施形態の第１基本電極部４２が備える、第１基板１０（図１参照）の基板面に沿った第１方向Ｘに延在し、第１方向Ｘに直交する第２方向Ｙに離間した一対の第１導電部４２Ａに対応する部分と、第１実施形態の第２基本電極部４３が備える、第１基本電極部４２の開き側となる開口部ＯＰの近傍から第１方向Ｘに延在する第３導電部４３Ａに対応する部分と、を備えている点が同じになっている。

例えば、具体的なディメンジョンの一例として、各導電部１１０の幅Ｗ２（図１４参照）を２．５０μｍとするとともに、導電部１１０間の離間距離Ｄ２（図１４参照）を４．００μｍとすると、この図１４に示す変形例の画素電極においても、応答時間の面では、図１３に示した比較用の従来のＦＦＳ方式の画素電極よりも短い応答時間が得られる。

ただし、図１４に示すように、第１実施形態の第２導電部４２Ｂに対応する部分が直線状になっている場合は、透過率が２０％以下となるが、第１実施形態のように、くの字形状の第２導電部４２Ｂを備えている場合には、より高い透過率が得られるため、透過率の観点からすれば、第１実施形態のように、くの字形状の第２導電部４２Ｂを備えている方がより好ましい。

以下、具体的に第１実施形態のくの字形状の第２導電部４２Ｂを備えている場合に、どの程度の透過率が得られるか等について説明する。
図１０に示すように、Ｌ２／Ｌ１比が０．７５から１．２５の範囲で、θが６０度以下のときには、透過率がほぼ４０％以上になっており、高い透過率が得られることがわかる。

また、図１１は透過率に関するシミュレーションの結果を示す第２グラフであり、Ｌ２／Ｌ１比を１．００に固定し、縦軸をＬ１及びＬ３の長さとし、横軸をθとして透過率を示したものになっている。
なお、Ｌ２／Ｌ１比が１．００であるので、縦軸はＬ１、Ｌ２及びＬ３の長さを示しているものになっている。

図１１に示すように、Ｌ１、Ｌ２及びＬ３の長さが長く、θが小さいほうが、透過率は高くなる傾向であることがわかる。
また、図１１に示されるＬ１、Ｌ２及びＬ３の長さが６.００μｍから１０．００μｍで、θが３０度から６０度の範囲では、やはり、透過率がほぼ４０％以上になっており、高い透過率が得られることがわかる。

さらに、図１２は透過率に関するシミュレーションの結果を示す第３グラフであり、θを４５度に固定し、縦軸をＬ２／Ｌ１比とし、横軸をＬ１及びＬ３の長さとして透過率を示したものになっている。
なお、縦軸の一番下は０．７５であり、一番上は１．２５である。

図１２を見ると、θが４５度の場合、Ｌ１及びＬ３の長さが８．００μｍから９．５０μｍの範囲で、Ｌ２／Ｌ１比が１．００から１．２０の範囲に透過率の高くなる範囲があることがわかる。

ただし、図１１に示される透過率の傾向と合わせて考えると、θが小さくなると、この透過率の高くなる範囲がＬ１、Ｌ２及びＬ３の長さが長くなる方向にシフトするものと考えられる。

また、図１２を見れば、Ｌ１及びＬ３が６．００μｍと短く、かつ、Ｌ２／Ｌ１比が０．７５と小さく、Ｌ２が４．５０μｍ（＝６．００μｍ×０．７５）まで短くなっても、依然として、透過率が４０％を超えていることが理解でき、高い透過率が得られることがわかる。

これらのことから、透過率の面で見ると、Ｌ１、Ｌ２及びＬ３はそれぞれ６．００μｍ以上が好ましく、７．００μｍ以上がより好ましく、更に８．００μｍ以上が好ましい。
ただし、図１２の傾向からすると、Ｌ１及びＬ３が１５.００μｍ程度になると、Ｌ１及びＬ３が６．００μｍである場合と同様の状態になることが予想されることから、Ｌ１及びＬ３は１５.００μｍ以下にするのがよいと考えられる。

また、図１２の傾向からすると、Ｌ２／Ｌ１比が１．４０を超えると、Ｌ２／Ｌ１比が０．７５以下である場合と同様の状態になることが予想されることから、Ｌ２／Ｌ１比は１．４０以下にするのがよいと考えられる。

なお、図１２のＬ２／Ｌ１比は、Ｌ１の長さを基準にＬ２の長さを変化させた場合の比であり、先に図１２の傾向から説明したように、Ｌ２／Ｌ１比の範囲が０．７５から１．４０であれば良好な結果が得られると考えられる。
そして、Ｌ２／Ｌ１比が０．７５である場合、Ｌ２はＬ１及びＬ３の長さより短く、Ｌ２／Ｌ１比が１．４０の場合、Ｌ２はＬ１及びＬ３の長さより長くなるが、この場合でも良好な結果が得られることを考えれば、Ｌ２は、少なくともＬ１及びＬ３で良好である長さと同じ範囲にしておけば、問題ないといえる。
したがって、Ｌ２も１５.００μｍ以下にしておけば、十分と考えられる。

一方、θに関しては、応答時間のときと同様の傾向となっていることから、透過率の面で見ても、θは、６０度以下が好ましく、４５度以下がより好ましく、更に３５度以下が好ましい。

以上のような第１電極部４０の各部の寸法等と応答時間及び透過率との関係を考慮すると、Ｌ１、Ｌ２及びＬ３のそれぞれ長さの上限は、応答時間の観点で、１０．００μｍ以下が好ましく、９．５０μｍ以下がより好ましく、更に９．００μｍ以下が好ましいと考えられる。

一方、Ｌ１、Ｌ２及びＬ３のそれぞれ長さの下限は、透過率の観点で、６．００μｍ以上が好ましく、７．００μｍ以上がより好ましく、更に８．００μｍ以上が好ましいと考えられる。

また、θに関しては、応答時間及び透過率の観点の双方で同じ傾向となっており、６０度以下が好ましく、４５度以下がより好ましく、更に３５度以下が好ましいと考えられる。
ただし、θが小さくなりすぎると、一対の第１導電部４２Ａ間の離間距離がなくなることを考えれば、下限としては、２０度以上としておくのが好ましいと考えられる。

次に、フリンジ電界を印加したときに、液晶層３０の液晶分子がどのように回転するのか等を踏まえて応答時間と透過率に関する説明を行う。
図１５は、第１電極部４０と第２電極部１２の間に電位差を発生させ、フリンジ電界を発生させたときの液晶分子の状態を説明するための図である。

図１５では、フリンジ電界を発生させたときの電界の状態を細い矢印ｆ１及びｆ２で示しており、フリンジ電界を発生させたときに液晶層３０の液晶分子がＸ軸及びＹ軸で規定される平面に沿って回転する方向を太い矢印Ｒで示している。
なお、矢印ｆ１、ｆ２及び矢印Ｒは一部だけに図示しているが他の部分も同様となる。

図１５に示すように、第２方向Ｙの一対の第１導電部４２Ａとそれら一対の第１導電部４２Ａに繋がるくの字形状の第２導電部４２Ｂで囲まれる領域では、第２導電部４２Ｂの屈曲部４２ＢＡを通る第１方向Ｘに沿った直線（点線Ｌ１参照）を基準に、第２方向Ｙ側の領域と第２方向Ｙと反対側の領域の液晶分子は、太い矢印Ｒで示すように、どちらも第２導電部４２Ｂの屈曲部４２ＢＡを通る第１方向Ｘに沿った直線（点線Ｌ１参照）側に回転するように動く。
このため、相対流動方向が同じ方向となるため、液晶分子間での摩擦抵抗が小さくなっている。

また、第２方向Ｙの一対の第３導電部４３Ａ側について見ると、第２方向Ｙの一対の第３導電部４３Ａと、第３導電部４３Ａの第１方向Ｘ側に位置し、第２方向Ｙに隣接する第２導電部４２Ｂの一方の辺４２Ｂ１と第２導電部４２Ｂの他方の辺４２Ｂ２によって、囲まれる領域では、第２方向Ｙ側（下側）の領域と、第２方向Ｙと反対側（上側）の領域で液晶分子は、やはり、太い矢印Ｒで示すように、相対流動方向が同じ方向となるため、液晶分子間での摩擦抵抗が小さくなっている。

このように、本実施形態では、主に液晶分子が回転する部分ごとに見ると、液晶分子間での摩擦抵抗が小さくなっているため、スムーズに液晶分子が回転でき、応答時間が短くなる。

一方、矢印ｆ２で示す電界は、第２方向Ｙの一対の第１導電部４２Ａで発生する電界とそれら一対の第１導電部４２Ａに繋がるくの字形状の第２導電部４２Ｂで発生する電界との合成によって方向が決まっており、図１５に示すように、より大きく液晶分子を回転させる方向に向いている。
このため、液晶分子を大きく回転させることができるため、透過率を高くすることが可能となる。
なお、このようなくの字形状の第２導電部４２Ｂの作用によって、液晶分子の指向性の一致度もよくすることができ、より一層透過率を高くすることが可能である。

また、第２方向Ｙの一対の第３導電部４３Ａ側の矢印ｆ２で示す電界も、第２方向Ｙの一対の第３導電部４３Ａで発生する電界と、それらに繋がっている第３導電部４３Ａの第１方向Ｘ側に位置し、第２方向Ｙに隣接する第２導電部４２Ｂの一方の辺４２Ｂ１と第２導電部４２Ｂの他方の辺４２Ｂ２で発生する電界との合成によって方向が決まっており、図１５に示すように、より大きく液晶分子を回転させる方向に向いている。

このため、液晶分子を大きく回転させることができるため、透過率を高くすることが可能となる。
また、第２方向Ｙに隣接する第２導電部４２Ｂの一方の辺４２Ｂ１と第２導電部４２Ｂの他方の辺４２Ｂ２は、第２方向Ｙの一対の第３導電部４３Ａを繋ぐ第２導電部４２Ｂと向きが逆方向の逆くの字形状の導電部を構成するものになっており、このような逆くの字形状の導電部の作用によって、液晶分子の指向性の一致度もよくすることができ、より一層透過率を高くすることが可能である。

例えば、第２方向Ｙの一対の第１導電部４２Ａのそれぞれの一端４２ＡＡをくの字形状の第２導電部４２Ｂではなく、第２方向Ｙに沿った直線で繋げた場合、矢印ｆ２で示す電界の方向は、第１導電部４２Ａに対する角度δが４５度程度となる。

しかし、本実施形態のように、第２方向Ｙの一対の第１導電部４２Ａのそれぞれの一端４２ＡＡをくの字形状の第２導電部４２Ｂで繋ぐようにすると、矢印ｆ２で示す電界の方向が４５度よりも大きな角度δを有するようにできるため、大きく液晶分子を回転させることができ、高い透過率を得ることができるようになる。
なお、このことは、第２方向Ｙの一対の第３導電部４３Ａでの矢印ｆ２で示す電界においても同じである。

そして、この角度δは、くの字形状の第２導電部４２Ｂの開き角度が小さいほど大きくできるため、先に見たシミュレーションのようにθが小さいほど透過率を高くできるようになる。

このように、本実施形態の第１電極部４０であれば、従来のＦＦＳ方式の画素電極よりも短い応答時間が得られるとともに、高い透過率を得ることができる。

［実施例］
次に、先に説明した組成物Ｍ３０と組成物Ｍ３１を実際に液晶層３０に適用して応答時間を実測した結果を、以下、第１実施例及び第２実施例として記載する。
なお、図６を参照して説明したように、電界印加時の応答時間を応答時間Ｔ１とし、電界停止時の応答時間を応答時間Ｔ２とし、それらを合わせたものを、単に、応答時間（＝応答時間Ｔ１＋応答時間Ｔ２）としている。

［第１実施例］
液晶層３０に組成物Ｍ３０を用い、第１電極部４０（図１から図３参照）を画素電極とした本実施形態の液晶表示素子１の場合、電界印加時の応答時間Ｔ１が４．２５ｍｓであり、電界停止時の応答時間Ｔ２が３．４６ｍｓであり、それらを合わせた応答時間（＝応答時間Ｔ１＋応答時間Ｔ２）が７．７１ｍｓであった。

一方、比較のために、画素電極を図１３に示した従来のＦＦＳ方式の画素電極に変更した以外は同様の液晶表示素子の場合、電界印加時の応答時間Ｔ１が１０．８４ｍｓであり、電界停止時の応答時間Ｔ２が９．５３ｍｓであり、それらを合わせた応答時間（＝応答時間Ｔ１＋応答時間Ｔ２）が２０．３７ｍｓであった。

［第２実施例］
液晶層３０に組成物Ｍ３１を用い、第１電極部４０（図１から図３参照）を画素電極とした本実施形態の液晶表示素子１の場合、電界印加時の応答時間Ｔ１が２．６９ｍｓであり、電界停止時の応答時間Ｔ２が３．４７ｍｓであり、それらを合わせた応答時間（＝応答時間Ｔ１＋応答時間Ｔ２）が６．１６ｍｓであった。

一方、比較のために、画素電極を図１３に示した従来のＦＦＳ方式の画素電極に変更した以外は同様の液晶表示素子の場合、電界印加時の応答時間Ｔ１が３１．７８ｍｓであり、電界停止時の応答時間Ｔ２が２４．８１ｍｓであり、それらを合わせた応答時間（＝応答時間Ｔ１＋応答時間Ｔ２）が５６．５９ｍｓであった。

そして、第１実施例及び第２実施例の結果からもわかるように、実際の実測値においても、本実施形態の液晶表示素子１の電極構造であれば、従来のＦＦＳ方式の電極構造の場合に比べ応答時間（電界印加時の応答時間Ｔ１、電界停止時の応答時間Ｔ２及びそれらを合わせた応答時間）が大幅に短くなり、性能が向上していることがわかる。

（第２実施形態）
第１実施形態では、第１電極部４０が画素電極であり、第２電極部１２が共通電極である場合について説明したが、第２実施形態では、第１電極部４０が共通電極であり、第２電極部１２が画素電極である場合について説明する。

第２実施形態においても基本的な構成は第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と同様である部分については説明を省略し、主に異なる部分について説明を行う。

図１６は本発明に係る第２実施形態の液晶表示素子１の一部断面図であり、図１に対応する図である。
図１７は本発明に係る第２実施形態の液晶表示素子１の電極構造を説明するための平面図であり、図２に対応する図である。

なお、図１及び図２と同様に、図１６及び図１７は液晶表示素子１の画素のＲＧＢの１つの部分に対応するサブ画素に対応する図になっており、図１６は図１７のＡ−Ａ線に対応する位置の液晶表示素子１の断面図になっている。

第２実施形態では、図１６に示すように、第１基板１０に近い側に位置する第２電極部１２が画素電極とされているため、図１７に示すように、第２電極部１２が薄膜トランジスタ１４のドレイン電極に電気的に接続されている。

そして、この場合、ビアホールＶＨ（図２参照）を設けなくても、第２電極部１２が薄膜トランジスタ１４のドレイン電極に電気的に接続することが可能であるため、ビアホールＶＨが省略されている。

一方、第２実施形態では、図１７に示すように、第１電極部４０が共通電極とされ、共通電極線１６に電気的に接続されるが、この場合もビアホールＶＨを設けることなく、電気的な接続が行える位置に共通電極線１６を設ければよいため、ビアホールＶＨが不要である。

そして、第２実施形態のように、第１電極部４０を共通電極とし、第２電極部１２を画素電極とした場合でも、発生するフリンジ電界の状態は第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。

ところで、第１実施形態でも述べたように、共通電極はサブ画素ごとに設ける必要はない。
したがって、第１電極部４０を１画素領域ごとの単位や、図１８に示すように、複数の画素領域ごとの単位又は全画素領域の単位（この場合、第１電極部４０は１つとなる。）で設けるようにしてもよい。

以上のように、第１電極部４０と第２電極部１２が第１基板１０から液晶層３０側に向かうＺ軸方向、つまり、液晶表示素子１の厚み方向（以下、厚み方向Ｚともいう。）で離間して積層されている構成においては、第１電極部４０及び第２電極部の一方が画素電極であり、もう一方が共通電極であればよい。

（第３実施形態）
上記第１実施形態及び第２実施形態では、厚み方向Ｚに第１電極部４０と第２電極部１２が離間している場合について説明した。
しかし、第１電極部４０と第２電極部１２は厚み方向Ｚに離間させることに限定される必要はなく、第１方向Ｘに離間させるようにしてもよい。

したがって、第３実施形態では、第１電極部４０と第２電極部１２を第１方向Ｘに離間させるようにした場合について説明を行う。
なお、第３実施形態でも、全体的な構成は、第１実施形態及び第２実施形態と同様であるため、第１実施形態及び第２実施形態と同様の点に関しては説明を省略し、主に異なる点についてのみ説明を行う。

第１実施形態及び第２実施形態では、図１及び図１６に示したように、絶縁層１７上に第２電極部１２が設けられ、その第２電極部１２を覆うように絶縁層１８が設けられ、その絶縁層１８上に第１電極部４０が設けられ、更に、第１電極部４０を覆うように第１配向膜１９が設けられていた。

しかし、第３実施形態では、上述のように、第１電極部４０及び第２電極部１２を第１方向Ｘに離間させて配置するため、厚み方向Ｚに離間させて第１電極部４０と第２電極部１２を配置する必要はない。

したがって、第３実施形態では、図１及び図１６に示した絶縁層１７上に第１電極部４０及び第２電極部１２が設けられるとともに、それら第１電極部４０及び第２電極部１２を覆うように第１配向膜１９が設けられ、絶縁層１８が省略された構成になる点が、厚み方向Ｚで見たときの違いとなる。

そして、第１電極部４０及び第２電極部１２を第１方向Ｘに並べるように配置すると、ＦＦＳ方式の横電界（フリンジ電界）ではなく、ＩＰＳ方式の横電界となる。

しかし、第２電極部１２をベタ電極とするのではなく、第１電極部４０と第２電極部１２とで、少なくとも第１実施形態及び第２実施形態の基本電極部４１と類似の導電パターンを形成するようにすれば、液晶層３０の液晶分子にかかる電界の状態を第１実施形態及び第２実施形態と類似するものとできるため、第１実施形態及び第２実施形態と同様の効果を奏することができる。
以下、具体的に第１電極部４０及び第２電極部１２について説明する。

図１９は、本発明に係る第３実施形態の液晶表示素子１の電極構造を説明するための平面図である。
図１９に示すように、第１電極部４０は、少なくとも１つの第１基本電極部４２を有しており、第２電極部１２は、少なくとも１つの第２基本電極部４３を有している。

そして、第１基本電極部４２は、第１実施形態及び第２実施形態と同様に、第１基板１０（図１及び図１６参照）の基板面に沿った第１方向Ｘに延在し、第１方向Ｘに直交する第２方向Ｙに離間した一対の第１導電部４２Ａを備えている。
また、第１基本電極部４２は、第１実施形態及び第２実施形態と同様に、一対の第１導電部４２Ａのそれぞれの一端４２ＡＡに対して接続された一対の他端４２ＢＢを有し、第１導電部４２Ａの延在方向とは反対方向にくの字形状の一端となる屈曲部４２ＢＡを有するくの字形状の第２導電部４２Ｂを備えている。
なお、第１実施形態で述べたのと同様に第２導電部４２Ｂは、くの字形状の方が好ましいがこれに限定されるものではない。

一方、第２基本電極部４３は、第１実施形態及び第２実施形態と同様に、第１基本電極部４２の開き側となる開口部ＯＰの近傍から第１方向Ｘに延在する第３導電部４３Ａを備えている。

なお、図１９では、第３導電部４３Ａは、第３導電部４３Ａの一端４３ＡＡが開口部ＯＰよりも、若干、開口部ＯＰ内（第１基本電極部４２寄り）に位置するように設けられているが、この点に関しては、第１実施形態で述べたように、第３導電部４３Ａは、第３導電部４３Ａの一端４３ＡＡが開口部ＯＰよりも第１方向Ｘに、若干、離間するように設けられていてもよい。

また、本実施形態では、第１電極部４０は、第２方向Ｙに複数の第１基本電極部４２（具体的には３つの第１基本電極部４２）を備えており、第２方向Ｙの任意の隣り合う第１基本電極部４２は、一対の第１導電部４２Ａのうち第１基本電極部４２の間に位置することになる第１導電部４２Ａを共有しており（斜めハッチング部分参照）、この点も第１実施形態及び第２実施形態と同様である。

一方、第２電極部１２について見ても、本実施形態では、第２電極部１２は、第２方向Ｙに第１基本電極部４２に対応する複数の第２基本電極部４３（具体的には３つの第２基本電極部４３の第３導電部４３Ａ）を備えており、第１実施形態及び第２実施形態の第２基本電極部４３の第３導電部４３Ａと同様の構成になっている。

更に、第２基本電極部４３は、第１基本電極部４２と同様の構成の付加電極部４３ＡＤを備えている。

具体的には、付加電極部４３ＡＤは、第３導電部４３Ａの第１方向Ｘ側に設けられた第１基本電極部４２の第１導電部４２Ａと同様の第２方向Ｙに離間した一対の第４導電部４３Ｂと、一対の第４導電部４３Ｂのそれぞれの一端４３ＢＡに対して接続された一対の他端４３ＣＢを有し、第１方向Ｘとは反対方向に第３導電部４３Ａの他端４３ＡＢが接続されるくの字形状の一端となる屈曲部４３ＣＡを有する第１基本電極部４２の第２導電部４２Ｂと同様のくの字形状の第５導電部４３Ｃと、を備えている。
なお、第５導電部４３Ｃも、くの字形状の方が好ましいがこれに限定されるものではない。

そして、付加電極部４３ＡＤが、第２方向Ｙに複数ある場合（図１９は３つある場合である。）、第１基本電極部４２と同様に、第２方向Ｙの任意の隣り合う付加電極部４３ＡＤは、一対の第４導電部４３Ｂのうち付加電極部４３ＡＤの間に位置することになる第４導電部４３Ｂを共有している（クロスハッチング部参照）。

一方、第１電極部４０について見ると、本実施形態では、第１基本電極部４２が第２導電部４２Ｂの屈曲部４２ＢＡから第１方向Ｘとは反対方向に延在する第１実施形態及び第２実施形態の第４導電部４４と同様の第６導電部４２Ｃを備えている。

そして、本実施形態では、第２基本電極部４３が間に位置するように第１基本電極部４２が第１方向Ｘに繰り返されるように設けられている。
なお、図１９では、第１基本電極部４２が１回繰り返されている場合を示しているが、この繰り返し数は、サブ画素に求められる面積に応じて決めればよい。

また、第１電極部４０は、一対の第１導電部４２Ａと１つの第２導電部４２Ｂを有する少なくとも１つの第１基本電極部４２を有していればよく、第２電極部１２は第１基本電極部４２に対応した第２基本電極部４３の第３導電部４３Ａを有していればよく、第２方向Ｙにいくつ設けるのかは、サブ画素に求められる面積に応じて決めればよい。
ただし、第２基本電極部４３の第３導電部４３Ａが第２方向Ｙに複数ある場合には、それらの第３導電部４３Ａを電気的に接続するために、第５導電部４３Ｃを設けるようにすればよい。

そして、第１電極部４０は、Ｌ字形状の接続導電部４５を備え、その接続導電部４５が第１導電部４２Ａ、第２導電部４２Ｂ及び第６導電部４２Ｃで形成される導電パターンを電気的に接続している。
また、接続導電部４５は一端側となる第１辺４５Ａから第１方向Ｘとは反対側に延在する接続部４５Ｂを備え、この接続部４５Ｂが薄膜トランジスタ１４のドレイン電極に電気的に接続されることで、第１電極部４０が画素電極であるものとされている。

一方、第２電極部１２が共通電極線１６に電気的に接続されることで、第２電極部１２が共通電極であるものとされている。

上記のような構成の場合、第１電極部４０と第２電極部１２との間の電位差によって発生する横電界は、図１５を参照して説明した第１実施形態の電界と類似した状態になり、第１実施形態及び第２実施形態と同様の効果を奏することができる。

なお、本実施形態では、第１電極部４０が画素電極で第２電極部１２が共通電極である場合について示してきたが、第１電極部４０を共通電極とし、第２電極部１２を画素電極としても、発生する横電界の状態は本実施形態と同様であるため、第１電極部４０が画素電極で第２電極部１２が共通電極である場合と同様の効果を奏することができる。

したがって、第１電極部４０又は第２電極部１２の一方が画素電極であり、第１電極部４０又は第２電極部１２の残る他方が共通電極であるものとされていればよい。

以上、具体的な実施形態に基づいて、本発明の液晶表示素子１について説明してきたが、本発明は、具体的な実施形態に限定されるものではなく、適宜、変形や改良を施したものも本発明の技術的範囲に含まれるものであり、そのことは、当業者にとって特許請求の範囲の記載から明らかである。

１…液晶表示素子、１０…第１基板、１１…第１偏光板、１２…第２電極部、１３…データ線、１４…薄膜トランジスタ、１５…ゲート線、１６…共通電極線、１７…絶縁層、１８…絶縁層、１９…第１配向膜、２０…第２基板、２１…第２偏光板、２２…色層、２３…ブラックマトリックス、２４…平坦化膜、２５…第２配向膜、３０…液晶層、４０…第１電極部、４１…基本電極部、４２…第１基本電極部、４２Ａ…第１導電部、４２ＡＡ…一端、４２Ｂ…第２導電部、４２Ｂ１，４２Ｂ２…辺、４２ＢＡ…屈曲部、４２ＢＢ…他端、４２Ｃ…第６導電部、４３…第２基本電極部、４３Ａ…第３導電部、４３ＡＡ…一端、４３ＡＢ…他端、４３ＡＤ…付加電極部、４３Ｂ…第４導電部、４３Ｃ…第５導電部、４３ＢＡ…一端、４３ＣＡ…屈曲部、４３ＣＢ…他端、４４…第４導電部、４５…接続導電部、４５Ａ…第１辺、４５Ｂ…接続部、１００…導電部、１１０…導電部、ＯＰ…開口部、Ｄ１，Ｄ２…距離、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３…長さ、Ｔ１，Ｔ２…応答時間、ＶＨ…ビアホール、θ，δ…角度

Claims

対向する第１基板と第２基板の間に液晶層を備え、
前記第１基板上に第１電極部を備え、
前記第１電極部は、少なくとも１つの基本電極部を備え、
前記基本電極部は、第１基本電極部と第２基本電極部を備え、
前記第１基本電極部は、
基板面に沿った第１方向に延在し、第１方向に直交する第２方向に離間した一対の第１導電部を備え、
前記第２基本電極部は、前記第１基本電極部の開口部の近傍から第１方向に延在する第３導電部を備え、
前記液晶層に含まれる液晶組成物は、第一成分として式（１）で表される化合物から選択された少なくとも１つの化合物を含有する液晶表示素子。

式（１）において、Ｒ^１及びＲ^２は、炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、炭素数２から１２のアルケニル、又は少なくとも１つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられた炭素数２から１２のアルケニルであり；環Ａ及び環Ｂは、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、又は２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレンであり；Ｚ^１は、単結合、エチレン、ビニレン、メチレンオキシ、又はカルボニルオキシであり；ａは、１、２、又は３である。
前記第１基本電極部は、前記一対の第１導電部のそれぞれの一端に対して接続された一対の他端を有し、前記第１導電部の延在方向とは反対方向に屈曲部を有するくの字形状の第２導電部を備えている請求項１に記載の液晶表示素子。
前記第１電極部は、第１方向に複数の前記基本電極部を備え、
第１方向の任意の隣り合う前記基本電極部は、前記第２導電部の前記屈曲部と前記第３導電部の他端で接続されている請求項２に記載の液晶表示素子。
前記第１電極部は、第２方向に複数の前記基本電極部を備え、
第２方向の任意の隣り合う前記基本電極部は、前記一対の第１導電部のうち前記基本電極部の間に位置することになる前記第１導電部を共有している請求項２又は請求項３に記載の液晶表示素子。
末端に配置された前記第１基本電極部が、前記第２導電部の前記屈曲部から第１方向とは反対方向に延在する第４導電部を更に備えている請求項２から請求項４のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
末端に配置された前記第２基本電極部の第１方向に設けられ、前記第２導電部の前記屈曲部が、末端に配置された前記第２基本電極部の前記第３導電部の他端に接続された前記第１基本電極部を更に備えている請求項２から請求項５のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
絶縁層を介して前記第１電極部よりも第１基板側に設けられたベタ電極の第２電極部を備え、
前記第１電極部及び前記第２電極部の一方が画素電極であり、もう一方が共通電極である請求項２から請求項６のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
対向する第１基板と第２基板の間に液晶層と、
前記第１基板上に設けられ、少なくとも１つの第１基本電極部を有する第１電極部と、
前記第１基板上に設けられ、少なくとも１つの第２基本電極部を有する第２電極部と、を備え、
前記第１基本電極部は、
基板面に沿った第１方向に延在し、第１方向に直交する第２方向に離間した一対の第１導電部を備え、
前記第２基本電極部は、前記第１基本電極部の開口部の近傍から第１方向に延在する第３導電部を備え、
前記液晶層に含まれる液晶組成物は、第一成分として式（１）で表される化合物から選択された少なくとも１つの化合物を含有する液晶表示素子。

式（１）において、Ｒ^１及びＲ^２は、炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、炭素数２から１２のアルケニル、又は少なくとも１つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられた炭素数２から１２のアルケニルであり；環Ａ及び環Ｂは、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、又は２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレンであり；Ｚ^１は、単結合、エチレン、ビニレン、メチレンオキシ、又はカルボニルオキシであり；ａは、１、２、又は３である。
前記第１基本電極部は、前記一対の第１導電部のそれぞれの一端に対して接続された一対の他端を有し、第１方向とは反対方向に屈曲部を有するくの字形状の第２導電部を備えている請求項８に記載の液晶表示素子。
前記第１電極部は、第２方向に複数の前記第１基本電極部を備え、
前記第２電極部は、第２方向に前記第１基本電極部に対応する複数の前記第２基本電極部を備え、
第２方向の任意の隣り合う前記第１基本電極部は、前記一対の第１導電部のうち前記第１基本電極部の間に位置することになる前記第１導電部を共有している請求項９に記載の液晶表示素子。
前記第２基本電極部は、付加電極部を備え、
前記付加電極部は、
前記第３導電部の第１方向側に設けられ、第２方向に離間した一対の第４導電部と、
前記一対の第４導電部のそれぞれの一端に対して接続された一対の他端を有し、第１方向とは反対方向に前記第３導電部の他端が接続される屈曲部を有するくの字形状の第５導電部と、を備え、
前記付加電極部が、第２方向に複数ある場合、第２方向の任意の隣り合う前記付加電極部は、前記一対の第４導電部のうち前記付加電極部の間に位置することになる前記第４導電部を共有している請求項９又は請求項１０に記載の液晶表示素子。
前記第１基本電極部は、前記第２導電部の前記屈曲部から第１方向とは反対方向に延在する第６導電部を備えている請求項１１に記載の液晶表示素子。
前記第２基本電極部が間に位置するように前記第１基本電極部が第１方向に繰り返し設けられている請求項１２に記載の液晶表示素子。
前記第１電極部又は前記第２電極部の一方が画素電極であり、
前記第１電極部又は前記第２電極部の残る他方が共通電極である請求項１０から請求項１３のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
第一成分として式（１−１）から式（１−１３）で表される化合物から選択された少なくとも１つの化合物を含有する請求項１から請求項１４のいずれか１項に記載の液晶表示素子。

式（１−１）から式（１−１３）において、Ｒ^１及びＲ^２は、炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、炭素数２から１２のアルケニル、又は少なくとも１つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられた炭素数２から１２のアルケニルである。
第一成分の割合が１０質量％から９０質量％の範囲である請求項１から請求項１５のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
第二成分として式（２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有する請求項１から請求項１６のいずれか１項に記載の液晶表示素子。

式（２）において、Ｒ^３は炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、又は炭素数２から１２のアルケニルであり；環Ｃは、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン、ピリミジン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、又はテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであり；Ｚ^２は、単結合、エチレン、ビニレン、メチレンオキシ、カルボニルオキシ、又はジフルオロメチレンオキシであり；Ｘ^１及びＸ^２は独立して、水素又はフッ素であり；Ｙ^１は、フッ素、塩素、少なくとも１つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられた炭素数１から１２のアルキル、少なくとも１つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられた炭素数１から１２のアルコキシ、又は少なくとも１つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられた炭素数２から１２のアルケニルオキシであり；ｂは、１、２、３、又は４である。
第二成分として式（２−１）から式（２−３５）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有する請求項１から請求項１７のいずれか１項に記載の液晶表示素子。

式（２−１）から式（２−３５）において、Ｒ^３は、炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、又は炭素数２から１２のアルケニルである。
第二成分の割合が１０重量％から８５重量％の範囲である請求項１７又は請求項１８に記載の液晶表示素子。
第三成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有する請求項１から請求項１９のいずれか１項に記載の液晶表示素子。

式（３）において、Ｒ^４及びＲ^５は、水素、炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、炭素数２から１２のアルケニル、又は炭素数２から１２のアルケニルオキシであり；環Ｄ及び環Ｆは、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、少なくとも１つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられた１，４−フェニレン、ナフタレン−２，６−ジイル、少なくとも１つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられたナフタレン−２，６−ジイル、クロマン−２，６−ジイル、又は少なくとも１つの水素がフッ素又は塩素で置き換えられたクロマン−２，６−ジイルであり；環Ｅは、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２−クロロ−３−フルオロ−１，４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−５−メチル−１，４−フェニレン、３，４，５−トリフルオロナフタレン−２，６−ジイル、７，８−ジフルオロクロマン−２，６−ジイル、３，４，５，６−テトラフルオロフルオレン−２，７−ジイル、４，６−ジフルオロジベンゾフラン−３，７−ジイル、４，６−ジフルオロジベンゾチオフェン−３，７−ジイル、又は１，１，６，７−テトラフルオロインダン−２，５−ジイルであり；Ｚ^３及びＺ^４は、単結合、エチレン、ビニレン、メチレンオキシ、又はカルボニルオキシであり；ｃは、０、１、２、又は３であり、ｄは、０又は１であり、そしてｃ及びｄの和は、３以下である。
第三成分として式（３−１）から式（３−３５）で表される化合物から選択された少なくとも１つの化合物を含有する請求項１から請求項２０のいずれか１項に記載の液晶表示素子。

式（３−１）から式（３−３５）において、Ｒ^４及びＲ^５は、水素、炭素数１から１２のアルキル、炭素数１から１２のアルコキシ、炭素数２から１２のアルケニル、又は炭素数２から１２のアルケニルオキシである。
第三成分の割合が１０質量％から９０質量％の範囲である請求項２０又は請求項２１に記載の液晶表示素子。