TWI802688B - 液晶顯示元件 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種具有響應時間短、電壓保持率大、閾值電壓低、對比度大、壽命長之類的特性的液晶顯示元件。本發明的液晶顯示元件在第一基板與第二基板之間具有液晶層，在第一基板上具有第一電極部，第一電極部包括至少一個基本電極部，基本電極部包括第一基本電極部及第二基本電極部，第一基本電極部包括在沿基板面的第一方向上延伸且在與第一方向正交的第二方向上隔開的一對第一導電部，第二基本電極部包括自第一基本電極部的開口部的附近沿第一方向延伸的第三導電部，液晶層中所含的液晶組成物含有選自式（1）所表示的化合物中的至少一種化合物作為第一成分。

Description

液晶顯示元件
本發明是有關於一種液晶顯示元件。
在液晶顯示元件中，基於液晶分子的動作模式的分類為相變（phase change，PC）、扭轉向列（twisted nematic，TN）、超扭轉向列（super twisted nematic，STN）、電控雙折射（electrically controlled birefringence，ECB）、光學補償彎曲（optically compensated bend，OCB）、面內切換（in-plane switching，IPS）、垂直配向（vertical alignment，VA）、邊緣場切換（fringe field switching，FFS）、電場感應光反應配向（field-induced photo-reactive alignment，FPA）等模式。基於元件的驅動方式的分類為被動矩陣（passive matrix，PM）與主動矩陣（active matrix，AM）。PM被分類為靜態式（static）與多工式（multiplex）等，AM被分類為薄膜電晶體（thin film transistor，TFT）、金屬-絕緣體-金屬（metal insulator metal，MIM）等。TFT的分類為非晶矽（amorphous silicon）及多晶矽（polycrystal silicon）。後者根據製造步驟而分類為高溫型與低溫型。基於光源的分類為利用自然光的反射型、利用背光的透過型、以及利用自然光與背光兩者的半透過型。
液晶顯示元件含有具有向列相的液晶組成物。所述液晶組成物具有適當的特性。藉由提升所述液晶組成物的特性，可獲得具有良好的特性的AM元件。將這些特性中的關聯歸納於下述表1中。基於市售的AM元件來進一步說明液晶組成物的特性。向列相的溫度範圍與元件可使用的溫度範圍相關。向列相的較佳的上限溫度為約70℃以上，並且向列相的較佳的下限溫度為約-10℃以下。液晶組成物的黏度與元件的響應時間相關。為了在元件中顯示動態影像，較佳為響應時間短。理想為短於1毫秒的響應時間。因此，較佳為組成物的黏度小。更佳為低溫下的黏度小。
表1. 組成物的特性與AM元件的特性
Figure 108114744-A0304-0001
液晶組成物的光學各向異性與元件的對比度比相關。對應於元件的模式，需要大的光學各向異性或小的光學各向異性，即適當的光學各向異性。液晶組成物的光學各向異性（Δn）與元件的單元間隙（d）的乘積（Δn×d）是以使對比度比變成最大的方式設計。乘積的適當值依存於動作模式的種類。VA模式的元件中，所述值為約0.30 μm～約0.40 μm的範圍，IPS模式或FFS模式的元件中，所述值為約0.20 μm～約0.30 μm的範圍。在這些情況下，在單元間隙小的元件中，較佳為具有大的光學各向異性的液晶組成物。液晶組成物的介電常數各向異性大有助於元件的臨限電壓低、消耗電力小與對比度比大。因此，較佳為介電常數各向異性大。液晶組成物的比電阻大有助於元件的電壓保持率大與對比度比大。因此，較佳為在初始階段中具有大的比電阻的液晶組成物。較佳為在長時間使用後具有大的比電阻的液晶組成物。液晶組成物對紫外線或熱的穩定性與元件的壽命相關。當所述穩定性高時，元件的壽命長。此種特性對於液晶監視器、液晶電視機等中所使用的AM元件而言較佳。
在具有TN模式的AM元件中，可使用具有正的介電常數各向異性的組成物。在具有VA模式的AM元件中，可使用具有負的介電常數各向異性的組成物。在具有IPS模式或FFS模式的AM元件中，可使用具有正或負的介電常數各向異性的組成物。另外，在聚合物穩定配向（polymer sustained alignment，PSA）型AM元件中，可使用具有正或負的介電常數各向異性的組成物。
液晶顯示元件中，作為橫電場型，有IPS（In-Plane-Switching）模式（也稱為IPS方式）或FFS（Fringe Field Switching）模式（也稱為FFS方式）等，與縱電場型相比，橫電場型在視角的廣度或開口率（一畫素區域中對顯示有效的區域的面積率）等方面有利。
IPS方式及FFS方式均被分類為橫電場型，IPS方式中，通常將共通電極與畫素電極形成在相同的層而形成橫電場，與此相對，FFS方式中，將共通電極與畫素電極夾隔絕緣膜而設置在不同的層，成為上層側的電極呈狹縫狀，準確的說是包含橫電場與縱電場兩成分的斜向電場（邊緣電場）。
並且，FFS方式的液晶顯示元件中，存在電極結構複雜的問題，因此，專利文獻1中提出有一種實現開口率高且明亮的顯示但不會使構成複雜的FFS方式的液晶顯示元件。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2008-52161號公報
[發明所要解決的問題] 然而，關於液晶顯示元件的性能改善，不僅是電極結構，如上所述包含液晶層中使用的液晶組成物在內，仍有改善的餘地，依然要求具有響應時間短、電壓保持率大、臨限電壓低、對比度比大、壽命長之類的特性的液晶顯示元件。
本發明是鑒於所述情況而成，其目的在於提供一種具有響應時間短、電壓保持率大、臨限電壓低、對比度比大、壽命長之類的特性的液晶顯示元件。 [解決問題的技術手段]
本發明的液晶顯示元件 在相向的第一基板與第二基板之間具有液晶層， 在第一基板上具有第一電極部， 第一電極部包括至少一個基本電極部， 基本電極部包括第一基本電極部及第二基本電極部， 第一基本電極部包括在沿基板面的第一方向上延伸且在與第一方向正交的第二方向上隔開的一對第一導電部， 第二基本電極部包括自第一基本電極部的開口部的附近向第一方向延伸的第三導電部， 液晶層中所含的液晶組成物含有選自式（1）所表示的化合物中的至少一種化合物作為第一成分。
Figure 02_image001
式（1）中，R1 及R2 為碳數1～12的烷基、碳數1～12的烷氧基、碳數2～12的烯基、或至少一個氫經氟或氯取代的碳數2～12的烯基；環A及環B為1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基或2,5-二氟-1,4-伸苯基；Z1 為單鍵、伸乙基、伸乙烯基、亞甲氧基或羰氧基；a為1、2或3。
另外，本發明的另一液晶顯示元件包括： 液晶層，在相向的第一基板與第二基板之間； 第一電極部，設置在第一基板上，具有至少一個第一基本電極部；以及 第二電極部，設置在第一基板上，具有至少一個第二基本電極部；且 第一基本電極部包括在沿基板面的第一方向上延伸且在與第一方向正交的第二方向上隔開的一對第一導電部， 第二基本電極部包括自第一基本電極部的開口部的附近向第一方向延伸的第三導電部， 液晶層中所含的液晶組成物含有選自式（1）所表示的化合物中的至少一種化合物作為第一成分。
Figure 02_image001
式（1）中，R1 及R2 為碳數1～12的烷基、碳數1～12的烷氧基、碳數2～12的烯基、或至少一個氫經氟或氯取代的碳數2～12的烯基；環A及環B為1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基或2,5-二氟-1,4-伸苯基；Z1 為單鍵、伸乙基、伸乙烯基、亞甲氧基或羰氧基；a為1、2或3。 [發明的效果]
根據本發明，可提供一種具有響應時間短、電壓保持率大、臨限電壓低、對比度比大、壽命長之類的特性的液晶顯示元件。
以下，參照附圖來對本發明的實施形態進行詳細說明。 此外，貫穿整個實施形態的說明中，對相同的要素附註相同的編號或符號。
（液晶組成物） 對本發明的液晶顯示元件的液晶層中所含的液晶組成物進行說明。 此外，本說明書中的用語的使用方法如下所述。有時將「液晶組成物」及「液晶顯示元件」的用語分別簡稱為「組成物」及「元件」。「液晶顯示元件」是液晶顯示面板以及液晶顯示模組的總稱。「液晶性化合物」是具有向列相、層列相這樣的液晶相的化合物，以及不具有液晶相但出於調節像向列相的溫度範圍、黏度、介電常數各向異性那樣的特性的目的混合至組成物中的化合物的總稱。所述化合物例如具有像1,4-伸環己基或1,4-伸苯基那樣的六員環，其分子（液晶分子）為棒狀（rod like）。「聚合性化合物」是出於使組成物中生成聚合物的目的而添加的化合物。具有烯基的液晶性化合物就所述含義而言並不分類為聚合性化合物。
液晶組成物可藉由將多種液晶性化合物加以混合而製備。視需要向所述液晶組成物中添加光學活性化合物或聚合性化合物這樣的添加物。即使在添加有添加物的情況下，液晶性化合物的比例也由基於不含添加物的液晶組成物的質量的質量百分率（質量%）來表示。添加物的比例由基於不含添加物的液晶組成物的質量的質量百分率（質量%）來表示。即，液晶性化合物或添加物的比例是基於液晶性化合物的總質量而算出。
有時將「向列相的上限溫度」簡稱為「上限溫度」。有時將「向列相的下限溫度」簡稱為「下限溫度」。「提升介電常數各向異性」的表述是指當組成物的介電常數各向異性為正時其值正向地增加，當組成物的介電常數各向異性為負時其值負向地增加。「電壓保持率大」是指元件在初始階段中不僅在室溫下而且在接近上限溫度的溫度下也具有大的電壓保持率，並且在長時間使用後不僅在室溫下而且在接近上限溫度的溫度下也具有大的電壓保持率。有時藉由經時變化試驗來研究組成物或元件的特性。
Figure 02_image003
以所述化合物（1z）為例進行說明。式（1z）中，由六邊形包圍的α及β的記號分別對應於環α及環β，表示六員環、稠環之類的環。當下標‘x’為2時，存在兩個環α。兩個環α所表示的兩個基可相同或也可不同。當下標‘x’大於2時，所述規則也適用於任意的兩個環α。所述規則也適用於像鍵結基Z這樣的其他記號。將環β的一邊橫切的斜線表示環β上的任意的氫可經取代基（-Sp-P）取代。下標‘y’表示經取代的取代基的個數。當下標‘y’為0時，沒有此種取代。當下標‘y’為2以上時，在環β上存在多個取代基（-Sp-P）。所述情況下也適用「可相同或也可不同」的規則。此外，所述規則也適用於將Ra的記號用於多種化合物的情況。
式（1z）中，例如「Ra及Rb為烷基、烷氧基或烯基」這樣的表述是指Ra及Rb獨立地選自烷基、烷氧基及烯基的群組中。此處，Ra所表示的基與Rb所表示的基可相同或也可不同。所述規則也適用於將Ra的記號用於多種化合物的情況。所述規則也適用於將多個Ra用於一種化合物的情況。
有時將選自式（1z）所表示的化合物中的至少一種化合物簡稱為「化合物（1z）」。「化合物（1z）」是指式（1z）所表示的一種化合物、兩種化合物的混合物、或三種以上的化合物的混合物。由其他式所表示的化合物也同樣如此。「選自式（1z）及式（2z）所表示的化合物中的至少一種化合物」的表述是指選自化合物（1z）及化合物（2z）的群組中的至少一種化合物。
「至少一個‘A’」的表述是指‘A’的個數為任意。關於「至少一個‘A’可經‘B’取代」的表述，當‘A’的個數為一個時，‘A’的位置為任意，當‘A’的個數為兩個以上時，這些的位置也可無限制地選擇。有時使用「至少一個-CH2 -可由-O-取代」的表述。所述情況下，-CH2 -CH2 -CH2 -也可藉由由-O-來取代不鄰接的-CH2 -而轉變為-O-CH2 -O-。然而，鄰接的-CH2 -不會由-O-取代。其原因在於：所述取代中生成-O-O-CH2 -（過氧化物）。
液晶性化合物的烷基為直鏈狀或分支狀，不含環狀烷基。直鏈狀烷基優於分支狀烷基。這些情況對於烷氧基、烯基這樣的末端基而言也相同。對於與1,4-伸環己基有關的立體構型（configuration），為了提高上限溫度，反式優於順式。2-氟-1,4-伸苯基為左右非對稱，因此存在左向（L）及右向（R）。
Figure 02_image005
四氫吡喃-2,5-二基這樣的二價基中也同樣如此。此外，為了提高上限溫度，較佳的四氫吡喃-2,5-二基為右向（R）。羰氧基這樣的鍵結基（-COO-或-OCO-）中也同樣如此。
按以下順序對本發明的液晶組成物進行說明。第一，對組成物中的成分化合物的構成進行說明。第二，對成分化合物的主要特性、以及所述化合物對組成物及元件所帶來的主要效果進行說明。第三，對組成物中的成分的組合、成分的較佳的比例及其根據進行說明。第四，對成分化合物的較佳的形態進行說明。第五，示出較佳的成分化合物。第六，對可添加至組成物中的添加物進行說明。第七，對成分化合物的合成法進行說明。最後，對組成物的用途進行說明。
第一，對組成物的構成進行說明。所述組成物含有多種液晶性化合物。所述組成物也可含有添加物。添加物為光學活性化合物、抗氧化劑、紫外線吸收劑、消光劑、色素、消泡劑、聚合性化合物、聚合起始劑、聚合抑制劑、極性化合物等。就液晶性化合物的觀點而言，所述組成物被分類為組成物A與組成物B。組成物A除了含有選自化合物（1）、化合物（2）及化合物（3）中的液晶性化合物以外，也可進而含有其他液晶性化合物、添加物等。「其他液晶性化合物」是與化合物（1）、化合物（2）及化合物（3）不同的液晶性化合物。此種化合物是出於進一步調整特性的目的而混合至組成物中。
組成物B實質上僅包含選自化合物（1）、化合物（2）及化合物（3）中的液晶性化合物。「實質上」表示組成物B雖可含有添加物，但不含其他液晶性化合物。與組成物A相比，組成物B的成分的數量少。就降低成本這一觀點而言，組成物B優於組成物A。就可藉由混合其他液晶性化合物來進一步調整特性這一觀點而言，組成物A優於組成物B。
-第一成分- 首先，對組成物的第一成分進行說明。 本發明的液晶顯示元件的液晶層中所含的液晶組成物含有選自式（1）所表示的化合物中的至少一種化合物作為第一成分。
Figure 02_image001
式（1）中，R1 及R2 為碳數1～12的烷基、碳數1～12的烷氧基、碳數2～12的烯基、或至少一個氫經氟或氯取代的碳數2～12的烯基；環A及環B為1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基或2,5-二氟-1,4-伸苯基；Z1 為單鍵、伸乙基、伸乙烯基、亞甲氧基或羰氧基；a為1、2或3。
作為第一成分，較佳為含有選自式（1-1）～式（1-13）所表示的化合物中的至少一種化合物。
Figure 02_image007
式（1-1）～式（1-13）中，R1 及R2 為碳數1～12的烷基、碳數1～12的烷氧基、碳數2～12的烯基、或至少一個氫經氟或氯取代的碳數2～12的烯基。
液晶組成物中的第一成分的比例較佳為10質量%～90質量%的範圍。
-第二成分- 其次，對第二成分進行說明。 本發明的液晶組成物也可含有選自式（2）所表示的化合物的群組中的至少一種化合物作為第二成分。
Figure 02_image009
式（2）中，R3 為碳數1～12的烷基、碳數1～12的烷氧基或碳數2～12的烯基；環C為1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基、2,3-二氟-1,4-伸苯基、2,6-二氟-1,4-伸苯基、嘧啶-2,5-二基、1,3-二噁烷-2,5-二基或四氫吡喃-2,5-二基；Z2 為單鍵、伸乙基、伸乙烯基、亞甲氧基、羰氧基或二氟亞甲氧基；X1 及X2 獨立地為氫或氟；Y1 為氟、氯、至少一個氫經氟或氯取代的碳數1～12的烷基、至少一個氫經氟或氯取代的碳數1～12的烷氧基、或至少一個氫經氟或氯取代的碳數2～12的烯氧基；b為1、2、3或4。
作為第二成分，較佳為含有選自式（2-1）～式（2-35）所表示的化合物的群組中的至少一種化合物。
Figure 02_image011
Figure 02_image013
Figure 02_image015
Figure 02_image017
式（2-1）～式（2-35）中，R3 為碳數1～12的烷基、碳數1～12的烷氧基、或碳數2～12的烯基。
液晶組成物中的第二成分的比例較佳為10質量%～85質量%的範圍。
-第三成分- 其次，對第三成分進行說明。 本發明的液晶組成物也可含有選自式（3）所表示的化合物的群組中的至少一種化合物作為第三成分。
Figure 02_image019
式（3）中，R4 及R5 為氫、碳數1～12的烷基、碳數1～12的烷氧基、碳數2～12的烯基、或碳數2～12的烯氧基；環D及環F為1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基、四氫吡喃-2,5-二基、1,4-伸苯基、至少一個氫經氟或氯取代的1,4-伸苯基、萘-2,6-二基、至少一個氫經氟或氯取代的萘-2,6-二基、色原烷-2,6-二基、或至少一個氫經氟或氯取代的色原烷-2,6-二基；環E為2,3-二氟-1,4-伸苯基、2-氯-3-氟-1,4-伸苯基、2,3-二氟-5-甲基-1,4-伸苯基、3,4,5-三氟萘-2,6-二基、7,8-二氟色原烷-2,6-二基、3,4,5,6-四氟茀-2,7-二基、4,6-二氟二苯並呋喃-3,7-二基、4,6-二氟二苯並噻吩-3,7-二基或1,1,6,7-四氟茚烷-2,5-二基；Z3 及Z4 為單鍵、伸乙基、伸乙烯基、亞甲氧基或羰氧基；c為0、1、2或3，d為0或1，並且c及d的和為3以下。
作為第三成分，較佳為含有選自式（3-1）～式（3-35）所表示的化合物中的至少一種化合物。
Figure 02_image021
Figure 02_image023
Figure 02_image025
Figure 02_image027
式（3-1）～式（3-35）中，R4 及R5 為氫、碳數1～12的烷基、碳數1～12的烷氧基、碳數2～12的烯基、或碳數2～12的烯氧基。
第三成分的比例較佳為10質量%～90質量%的範圍。
第二，對成分化合物的主要特性、以及所述化合物對組成物或元件所帶來的主要效果進行說明。基於本發明的效果，將成分化合物的主要特性歸納於表2中。在表2的記號中，L表示大或高，M表示中等程度，S表示小或低。記號L、M、S是基於成分化合物之間的定性比較的分類，0（零）表示小於S。
表2. 化合物的特性
Figure 108114744-A0304-0002
 1）介電常數各向異性為正，記號表示絕對值的大小。 2）介電常數各向異性為負，記號表示絕對值的大小。
成分化合物的主要效果如下所述。化合物（1）降低黏度或提高上限溫度。化合物（2）提升介電常數各向異性。化合物（3）提升介電常數各向異性，並且降低下限溫度。
第三，對組成物中的成分的組合、成分化合物的較佳的比例及其根據進行說明。組成物中的成分的較佳組合為化合物（1）+化合物（2）、化合物（1）+化合物（3）、或化合物（1）+化合物（2）+化合物（3）。更佳的組合為化合物（1）+化合物（2）或化合物（1）+化合物（3）。
為了提高上限溫度、或為了降低黏度，化合物（1）的較佳的比例為約10質量%以上，為了提升介電常數各向異性，化合物（1）的較佳的比例為約90質量%以下。更佳的比例為約20質量%～約80質量%的範圍。特別較佳的比例為約30質量%～約70質量%的範圍。
為了提升介電常數各向異性，化合物（2）的較佳的比例為約10質量%以上，為了降低下限溫度、或為了降低黏度，化合物（2）的較佳的比例為約85質量%以下。更佳的比例為約20質量%～約80質量%的範圍。特別較佳的比例為約30質量%～約70質量%的範圍。
為了提升介電常數各向異性，化合物（3）的較佳的比例為約10質量%以上，為了降低下限溫度，化合物（3）的較佳的比例為約90質量%以下。更佳的比例為約20質量%～約80質量%的範圍。特別較佳的比例為約30質量%～約70質量%的範圍。
第四，對成分化合物的較佳的形態進行說明。
式（1）、式（2）及式（3）中，R1 及R2 為碳數1～12的烷基、碳數1～12的烷氧基、碳數2～12的烯基、或至少一個氫經氟或氯取代的碳數2～12的烯基。為了降低黏度，較佳的R1 或R2 為碳數2～12的烯基，為了提高穩定性，較佳的R1 或R2 為碳數1～12的烷基。R3 為碳數1～12的烷基、碳數1～12的烷氧基或碳數2～12的烯基。為了提高穩定性，較佳的R3 為碳數1～12的烷基。R4 及R5 為氫、碳數1～12的烷基、碳數1～12的烷氧基、碳數2～12的烯基或碳數2～12的烯氧基。為了提高穩定性，較佳的R4 或R5 為碳數1～12的烷基，為了提升介電常數各向異性，較佳的R4 或R5 為碳數1～12的烷氧基。
較佳的烷基為甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基或辛基。為了降低黏度，更佳的烷基為甲基、乙基、丙基、丁基或戊基。
較佳的烷氧基為甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基或庚氧基。為了降低黏度，更佳的烷氧基為甲氧基或乙氧基。
較佳的烯基為乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、1-己烯基、2-己烯基、3-己烯基、4-己烯基或5-己烯基。為了降低黏度，更佳的烯基為乙烯基、1-丙烯基、3-丁烯基或3-戊烯基。這些烯基中的-CH=CH-的較佳的立體構型依存於雙鍵的位置。就為了降低黏度等而言，在1-丙烯基、1-丁烯基、1-戊烯基、1-己烯基、3-戊烯基、3-己烯基這樣的烯基中較佳為反式。在2-丁烯基、2-戊烯基、2-己烯基這樣的烯基中較佳為順式。
較佳的烯氧基為乙烯基、烯丙氧基、3-丁烯氧基、3-戊烯氧基或4-戊烯氧基。為了降低黏度，更佳的烯氧基為烯丙氧基或3-丁烯氧基。
至少一個氫經氟或氯取代的烷基的較佳的例子為氟甲基、2-氟乙基、3-氟丙基、4-氟丁基、5-氟戊基、6-氟己基、7-氟庚基或8-氟辛基。為了提升介電常數各向異性，更佳的例子為2-氟乙基、3-氟丙基、4-氟丁基或5-氟戊基。
至少一個氫經氟或氯取代的烯基的較佳的例子為2,2-二氟乙烯基、3,3-二氟-2-丙烯基、4,4-二氟-3-丁烯基、5,5-二氟-4-戊烯基或6,6-二氟-5-己烯基。為了降低黏度，更佳的例子為2,2-二氟乙烯基或4,4-二氟-3-丁烯基。
環A及環B為1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基或2,5-二氟-1,4-伸苯基。為了降低黏度，或為了提高上限溫度，較佳的環A或環B為1,4-伸環己基，為了降低下限溫度，較佳的環A或環B為1,4-伸苯基。
環C為1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基、2,3-二氟-1,4-伸苯基、2,6-二氟-1,4-伸苯基、嘧啶-2,5-二基、1,3-二噁烷-2,5-二基或四氫吡喃-2,5-二基。為了提高上限溫度，較佳的環C為1,4-伸環己基，為了提升光學各向異性，較佳的環C為1,4-伸苯基，為了提升介電常數各向異性，較佳的環C為2,6-二氟-1,4-伸苯基。四氫吡喃-2,5-二基為
Figure 02_image029
或
Figure 02_image031
， 較佳為
Figure 02_image033
。
環D及F為1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基、四氫吡喃-2,5-二基、1,4-伸苯基、至少一個氫經氟或氯取代的1,4-伸苯基、萘-2,6-二基、至少一個氫經氟或氯取代的萘-2,6-二基、色原烷-2,6-二基、或至少一個氫經氟或氯取代的色原烷-2,6-二基。四氫吡喃-2,5-二基為
Figure 02_image034
或
Figure 02_image036
， 較佳為
Figure 02_image034
。
環E為2,3-二氟-1,4-伸苯基、2-氯-3-氟-1,4-伸苯基、2,3-二氟-5-甲基-1,4-伸苯基、3,4,5-三氟萘-2,6-二基、7,8-二氟色原烷-2,6-二基、3,4,5,6-四氟茀-2,7-二基（FLF4）、4,6-二氟二苯並呋喃-3,7-二基（DBFF2）、4,6-二氟二苯並噻吩-3,7-二基（DBTF2）或1,1,6,7-四氟茚烷-2,5-二基（InF4）。
Figure 02_image039
為了降低黏度，較佳的環E為2,3-二氟-1,4-伸苯基，為了降低光學各向異性，較佳的環E為2-氯-3-氟-1,4-伸苯基，為了提升介電常數各向異性，較佳的環E為7,8-二氟色原烷-2,6-二基。
Z1 為單鍵、伸乙基、伸乙烯基、亞甲氧基或羰氧基。為了降低黏度，較佳的Z1 為單鍵。Z2 為單鍵、伸乙基、伸乙烯基、亞甲氧基、羰氧基或二氟亞甲氧基。為了降低黏度，較佳的Z2 為單鍵，為了提升介電常數各向異性，較佳的Z2 為二氟亞甲氧基。Z3 及Z4 為單鍵、伸乙基、伸乙烯基、亞甲氧基或羰氧基。為了降低黏度，較佳的Z3 或Z4 為單鍵，為了降低下限溫度，較佳的Z3 或Z4 為伸乙基，為了提升介電常數各向異性，較佳的Z3 或Z4 為亞甲氧基。
a為1、2或3。為了降低黏度，較佳的a為1，為了提高上限溫度，較佳的a為2或3。b為1、2、3或4。為了提升介電常數各向異性，較佳的b為2或3。c為0、1、2或3，d為0或1，並且c及d的和為3以下。為了降低黏度，較佳的c為1，為了提高上限溫度，較佳的c為2或3。為了降低黏度，較佳的d為0，為了降低下限溫度，較佳的d為1。
第五，對較佳的成分化合物進行說明。 較佳的化合物（1）為所述化合物（1-1）～化合物（1-13）。這些化合物中，第一成分的至少一種較佳為化合物（1-1）、化合物（1-3）、化合物（1-5）、化合物（1-6）或化合物（1-8）。第一成分的至少兩種較佳為化合物（1-1）及化合物（1-3）、化合物（1-1）及化合物（1-5）、或化合物（1-1）及化合物（1-6）的組合。
較佳的化合物（2）為所述化合物（2-1）～化合物（2-35）。這些化合物中，第二成分的至少一種較佳為化合物（2-4）、化合物（2-12）、化合物（2-14）、化合物（2-15）、化合物（2-17）、化合物（2-18）、化合物（2-23）、化合物（2-24）、化合物（2-27）、化合物（2-29）或化合物（2-30）。第二成分的至少兩種較佳為化合物（2-12）及化合物（2-15）、化合物（2-14）及化合物（2-27）、化合物（2-18）及化合物（2-24）、化合物（2-18）及化合物（2-29）、化合物（2-24）及化合物（2-29）、或化合物（2-29）及化合物（2-30）的組合。
較佳的化合物（3）為所述化合物（3-1）～化合物（3-35）。這些化合物中，第三成分的至少一種較佳為化合物（3-1）、化合物（3-3）、化合物（3-6）、化合物（3-8）、化合物（3-10）、化合物（3-14）或化合物（3-16）。第三成分的至少兩種較佳為化合物（3-1）及化合物（3-8）、化合物（3-1）及化合物（3-14）、化合物（3-3）及化合物（3-8）、化合物（3-3）及化合物（3-14）、化合物（3-3）及化合物（3-16）、化合物（3-6）及化合物（3-8）、化合物（3-6）及化合物（3-10）、化合物（3-6）及化合物（3-16）、化合物（3-10）及化合物（3-16）的組合。
第六，對可添加至組成物中的添加物進行說明。此種添加物為光學活性化合物、抗氧化劑、紫外線吸收劑、消光劑、色素、消泡劑、聚合性化合物、聚合起始劑、聚合抑制劑、極性化合物等。出於誘發液晶分子的螺旋結構而賦予扭轉角的目的，將光學活性化合物添加至組成物中。此種化合物的例子為化合物（4-1）～化合物（4-5）。光學活性化合物的較佳的比例為約5質量%以下。更佳的比例為約0.01質量%～約2質量%的範圍。
Figure 02_image041
為了防止由大氣中的加熱所引起的比電阻的下降、或為了在長時間使用元件後不僅在室溫下而且在接近上限溫度的溫度下也維持大的電壓保持率，也可進而將化合物（5-1）～化合物（5-3）這樣的抗氧化劑添加至組成物中。
Figure 02_image043
化合物（5-2）由於揮發性小，因此對於在長時間使用元件後不僅在室溫下，而且在接近上限溫度的溫度下也維持大的電壓保持率而言有效。為了獲得所述效果，抗氧化劑的較佳的比例為約50 ppm以上，為了不降低上限溫度、或為了不提高下限溫度，抗氧化劑的較佳的比例為約600 ppm以下。更佳的比例為約100 ppm～約300 ppm的範圍。
紫外線吸收劑的較佳的例子為二苯甲酮衍生物、苯甲酸酯衍生物、三唑衍生物等。另外，像受阻胺那樣的光穩定劑也較佳。光穩定劑的較佳的例子為化合物（6-1）～化合物（6-16）等。為了獲得所述效果，這些吸收劑或穩定劑的較佳的比例為約50 ppm以上，為了不降低上限溫度、或為了不提高下限溫度，這些吸收劑或穩定劑的較佳的比例為約10000 ppm以下。更佳的比例為約100 ppm～約10000 ppm的範圍。
Figure 02_image045
Figure 02_image047
消光劑是接收液晶化合物所吸收的光能並轉換為熱能，由此而防止液晶化合物的分解的化合物。消光劑的較佳的例子為化合物（7-1）～化合物（7-7）等。為了獲得所述效果，這些消光劑劑的較佳的比例為約50 ppm以上，為了不提高下限溫度，這些消光劑的較佳的比例為約20000 ppm以下。更佳的比例為約100 ppm～約10000 ppm的範圍。
Figure 02_image049
為了適合於賓主（guest host）模式的元件，而將偶氮系色素、蒽醌系色素等這樣的二色性色素（dichroic dye）添加於組成物中。色素的較佳的比例為約0.01質量%～約10質量%的範圍。為了防止起泡，將二甲基矽酮油、甲基苯基矽酮油等消泡劑添加至組成物中。為了獲得所述效果，消泡劑的較佳的比例為約1 ppm以上，為了防止顯示不良，消泡劑的較佳的比例為約1000 ppm以下。更佳的比例為約1 ppm～約500 ppm的範圍。
為了適合於聚合物穩定配向（PSA）型元件而使用聚合性化合物。此種聚合性化合物的較佳的例子為丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、乙烯基化合物、乙烯氧基化合物、丙烯基醚、環氧化合物（氧雜環丙烷、氧雜環丁烷）、乙烯基酮等化合物。更佳的例子為丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯的衍生物。基於聚合性化合物的總質量，較佳的比例為10質量%以上。更佳的比例為50質量%以上。特佳的比例為80質量%以上。最佳的比例為100質量%。
聚合性化合物藉由紫外線照射而聚合。也可以在光聚合起始劑等適當的起始劑的存在下進行聚合。用來進行聚合的適當的條件、起始劑的適當的類型、及適當的量已為本領域技術人員所知，且在文獻中有記載。例如作為光起始劑的豔佳固（Irgacure）651（註冊商標；巴斯夫（BASF）製造）、豔佳固（Irgacure）184（註冊商標；巴斯夫（BASF）製造）或德牢固（Darocur）1173（註冊商標；巴斯夫（BASF）製造）適合於自由基聚合。基於聚合性化合物的總質量，光聚合起始劑的較佳的比例為約0.1質量%～約5質量%的範圍。更佳的比例為約1質量%～約3質量%的範圍。
當保管聚合性化合物時，為了防止聚合也可添加聚合抑制劑。聚合性化合物通常是以未去除聚合抑制劑的狀態添加於組成物中。聚合抑制劑的例子為對苯二酚、像甲基對苯二酚這樣的對苯二酚衍生物、4-叔丁基鄰苯二酚、4-甲氧基苯酚、啡噻嗪等。
極性化合物是具有極性的有機化合物。此處，不含具有離子鍵的化合物。氧、硫及氮這樣的原子更為電負性，且有具有部分負電荷的傾向。碳及氫為中性，或者有具有部分正電荷的傾向。極性是因在化合物中的不同種類的原子間部分電荷不均等地分佈而產生。例如，極性化合物具有-OH、-COOH、-SH、-NH2 、＞NH、＞N-這樣的部分結構的至少一種。
第七，對成分化合物的合成法進行說明。這些化合物可藉由已知的方法來合成。例示合成法。化合物（1-1）是利用日本專利特開昭59-176221號公報中記載的方法來合成。化合物（2-4）是利用日本專利特開平10-204016中記載的方法來合成。化合物（3-1）是利用日本專利特開2000-053602號公報中記載的方法來合成。抗氧化劑已有市售。化合物（5-1）可自西格瑪奧德里奇（Sigma-Aldrich Corporation）獲得。化合物（5-2）等是藉由美國專利3660505號說明書中記載的方法來合成。
未記載合成法的化合物可藉由《有機合成（Organic Syntheses）》（約翰威利父子公司（John Wiley & Sons, Inc.））、《有機反應（Organic Reactions）》（約翰威利父子公司（John Wiley & Sons, Inc.））、《綜合有機合成（Comprehensive Organic Synthesis）》（培格曼出版社（Pergamon Press））、《新實驗化學講座》（丸善）等成書中記載的方法來合成。組成物是藉由公知的方法自以所述方式獲得的化合物而製備。例如，將成分化合物混合，並且藉由加熱使其相互溶解。
最後，對組成物的用途進行說明。所述組成物主要具有約-10℃以下的下限溫度、約70℃以上的上限溫度，並且具有約0.07～約0.20的範圍的光學各向異性。也可藉由控制成分化合物的比例、或藉由混合其他液晶性化合物，而製備具有約0.08～約0.25的範圍的光學各向異性的組成物。也可藉由試錯法而製備具有約0.10～約0.30的範圍的光學各向異性的組成物。含有所述組成物的元件具有大的電壓保持率。所述組成物適合於AM元件。所述組成物特別適合於透過型AM元件。所述組成物可用作具有向列相的組成物，且可藉由添加光學活性化合物而用作光學活性組成物。
所述組成物可用於AM元件。進而也可以用於PM元件。所述組成物可用於具有PC、TN、STN、ECB、OCB、IPS、FFS、VA、FPA等模式的AM元件及PM元件。特佳用於具有TN模式、OCB模式、IPS模式或FFS模式的AM元件。在具有IPS模式或FFS模式的AM元件中，當未施加電壓時，相對於玻璃基板，液晶分子的排列可為平行或也可為垂直。這些元件可為反射型、透過型或半透過型。較佳用於透過型元件。還能夠用於非晶矽-TFT元件或多晶矽-TFT元件。還可用於將所述組成物加以微膠囊化而製作的向列型曲線排列相（nematic curvilinear aligned phase，NCAP）型元件、或使組成物中形成三維網眼狀高分子的聚合物分散（polymer dispersed，PD）型元件。
（製備例） 其次，對本發明的液晶組成物的製備例進行說明。此外，液晶組成物並不限定於以下製備例。所合成的化合物是藉由核磁共振（Nuclear Magnetic Resonance，NMR）分析等方法進行鑑定。化合物、組成物及元件的特性是藉由下述記載的方法進行測定。
NMR分析：測定時使用布魯克拜厄斯賓（Bruker BioSpin）公司製造的DRX-500。在1 H-NMR的測定中，使試樣溶解於CDCl3 等氘化溶劑中，在室溫下，以500 MHz、累計次數16次的條件來進行測定。使用四甲基矽烷作為內部標準。在19 F-NMR的測定中，使用CFCl3 作為內部標準，以累計次數24次來進行。核磁共振光譜的說明中，s是指單峰（singlet），d是指雙重峰（doublet），t是指三重峰（triplet），q是指四重峰（quartet），quin是指五重峰（quintet），sex是指六重峰（sextet），m是指多重峰（multiplet），br是指寬峰（broad）。
氣相層析分析：測定時使用島津製作所製造的GC-14B型氣相層析儀。載氣為氦氣（2 mL/min）。將試樣氣化室設定為280℃，將檢測器（火焰離子偵測器（Flame Ionization Detector，FID））設定為300℃。在成分化合物的分離中，使用安捷倫科技有限公司（Agilent Technologies Inc.）製造的毛細管柱DB-1（長度為30 m，內徑為0.32 mm，膜厚為0.25 μm；固定液相為二甲基聚矽氧烷；無極性）。將所述管柱在200℃下保持2分鐘後，以5℃/min的速度升溫至280℃為止。將試樣製備成丙酮溶液（0.1質量%）後，將其1 μL注入至試樣氣化室中。記錄計為島津製作所製造的C-R5A型層析儀元件（Chromatopac）或其同等品。所獲得的氣相層析圖顯示出與成分化合物相對應的峰值的保持時間及峰值的面積。
稀釋試樣用的溶劑可使用氯仿、己烷等。為了分離成分化合物，也可以使用以下的毛細管柱。安捷倫科技有限公司（Agilent Technologies Inc.）製造的HP-1（長度為30 m，內徑為0.32 mm，膜厚為0.25 μm），瑞斯泰克公司（Restek Corporation）製造的Rtx-1（長度為30 m，內徑為0.32 mm，膜厚為0.25 μm），SGE國際公司（SGE International Pty. Ltd）製造的BP-1（長度為30 m，內徑為0.32 mm，膜厚為0.25 μm）。也可出於防止化合物峰值的重疊的目的而使用島津製作所製造的毛細管柱CBP1-M50-025（長度為50 m，內徑為0.25 mm，膜厚為0.25 μm）。
組成物中所含有的液晶性化合物的比例可利用如下方法來算出。利用氣相層析法（火焰離子偵測器（Flame Ionization Detector，FID））來分析液晶性化合物的混合物。氣相層析圖中的峰值的面積比相當於液晶性化合物的比例。當使用以上所記載的毛細管柱時，可將各種液晶性化合物的修正係數視為1。因此，液晶性化合物的比例（質量%）可根據峰值的面積比來算出。
測定試樣：當測定組成物或元件的特性時，將組成物直接用作試樣。當測定化合物的特性時，藉由將所述化合物（15質量%）混合至母液晶（85質量%）中來製備測定用試樣。根據藉由測定所獲得的值，利用外推法來算出化合物的特性值。（外推值）＝{（試樣的測定值）-0.85×（母液晶的測定值）}/0.15。當在所述比例下，層列相（或結晶）在25℃下析出時，將化合物與母液晶的比例依次變更為10質量%：90質量%、5質量%：95質量%、1質量%：99質量%。利用所述外推法來求出與化合物相關的上限溫度、光學各向異性、黏度、及介電常數各向異性的值。
使用下述母液晶。成分化合物的比例以質量%表示。
Figure 02_image051
測定方法：利用下述方法來進行特性的測定。這些方法大多為由一般社團法人電子信息技術產業協會（Japan Electronics and Information Technology Industries Association；稱為JEITA）所審議制定的JEITA規格（JEITA ED-2521B）中所記載的方法、或對其加以修飾的方法。用於測定的TN元件中未安裝薄膜電晶體（TFT）。
對於具有正的介電常數各向異性的液晶組成物，使用以下所記載的（1）～（15）的測定方法。
（1）向列相的上限溫度（NI；℃）：將試樣置於具備偏光顯微鏡的熔點測定裝置的熱板上，以1℃/min的速度進行加熱。測定試樣的一部分自向列相變化為各向同性液體時的溫度。有時將向列相的上限溫度簡稱為「上限溫度」。
（2）向列相的下限溫度（TC ；℃）：將具有向列相的試樣放入玻璃瓶，在0℃、-10℃、-20℃、-30℃及-40℃的冷凍器中保管10天後，觀察液晶相。例如，當試樣在-20℃下保持向列相、且在-30℃下變化為結晶或層列相時，記載為TC ＜-20℃。有時將向列相的下限溫度簡稱為「下限溫度」。
（3）黏度（體積黏度（bulk viscosity）；η；在20℃下測定；mPa·s）：測定時使用東京計器股份有限公司製造的E型旋轉黏度計。
（4）黏度（旋轉黏度；γ1；在25℃下測定；mPa·s）：根據M.今井（M. Imai）等人的《分子晶體與液晶（Molecular Crystals and Liquid Crystals）》（Vol. 259, 37（1995））中所記載的方法進行測定。在扭轉角為0度，並且兩片玻璃基板的間隔（單元間隙）為5 μm的TN元件中放入試樣。對所述元件在16 V至19.5 V的範圍內以0.5 V為單位階段性地施加電壓。在未施加電壓0.2秒後，以僅施加1個矩形波（矩形脈衝；0.2秒）與未施加（2秒）的條件反復施加電壓。測定藉由所述施加而產生的暫態電流（transient current）的峰值電流（peak current）與峰值時間（peak time）。根據這些測定值與M.今井等人的論文中的第40頁所記載的計算式（10）而獲得旋轉黏度的值。所述計算中所需的介電常數各向異性的值是使用測定所述旋轉黏度的元件，利用以下所記載的方法來求出。
（5）光學各向異性（折射率各向異性；Δn；在25℃下測定）：使用波長589 nm的光，藉由在目鏡上安裝有偏振片的阿貝折射計來進行測定。對主棱鏡的表面朝一個方向進行摩擦後，將試樣滴加到主棱鏡上。當偏振光的方向與摩擦的方向平行時測定折射率n∥。當偏振光的方向與摩擦的方向垂直時測定折射率n⊥。光學各向異性的值是根據Δn＝n∥-n⊥的式子來計算。
（6）介電常數各向異性（Δε；在25℃下測定）：在兩片玻璃基板的間隔（單元間隙）為9 μm，並且扭轉角為80度的TN元件中放入試樣。對所述元件施加正弦波（10 V，1 kHz），2秒後測定液晶分子的長軸方向上的介電常數（ε∥）。對所述元件施加正弦波（0.5 V，1 kHz），2秒後測定液晶分子的短軸方向上的介電常數（ε⊥）。介電常數各向異性的值是根據Δε＝ε∥-ε⊥的式子來計算。
（7）臨限電壓（Vth；在25℃下測定；V）：測定時使用大塚電子股份有限公司製造的液晶顯示器（Liquid Crystal Display，LCD）5100型亮度計。光源為鹵素燈。在兩片玻璃基板的間隔（單元間隙）為0.45/Δn（μm）、扭轉角為80度的常白模式（normally white mode）的TN元件中放入試樣。對所述元件施加的電壓（32 Hz，矩形波）是自0 V起以0.02 V為單位階段性地增加至10 V為止。此時，對元件自垂直方向照射光，並測定透過元件的光量。製作所述光量達到最大時透過率為100%、所述光量達到最小時透過率為0%的電壓-透過率曲線。臨限電壓是以透過率達到90%時的電壓來表示。
（8）電壓保持率（VHR-1；在25℃下測定；%）：用於測定的TN元件具有聚醯亞胺配向膜，並且兩片玻璃基板的間隔（單元間隙）為5 μm。所述元件在加入試樣後利用藉由紫外線而硬化的黏接劑來密封。對所述TN元件施加脈衝電壓（1 V、60微秒）來充電。利用高速電壓計在166.7毫秒的期間內測定衰減的電壓，求出單位週期中的電壓曲線與橫軸之間的面積A。面積B為未衰減時的面積。電壓保持率由面積A相對於面積B的百分率表示。
（9）電壓保持率（VHR-2；在60℃下測定；%）：除了在60℃下進行測定來代替在25℃下進行測定以外，以與所述（8）相同的流程測定電壓保持率。以VHR-2來表示所獲得的值。
（10）電壓保持率（VHR-3；在60℃下測定；%）：在照射紫外線後測定電壓保持率，並評價對紫外線的穩定性。用於測定的TN元件具有聚醯亞胺配向膜，並且單元間隙為5 μm。在所述元件中注入試樣，照射5 mW/cm2 的紫外線167分鐘。光源為艾古非（Eyegraphics）股份有限公司製造的黑光（black light）、F40T10/BL（峰值波長369 nm），元件與光源的間隔為5 mm。在VHR-3的測定中，在166.7毫秒的期間內測定衰減的電壓。具有大的VHR-3的組成物對紫外線具有大的穩定性。
（11）電壓保持率（VHR-4；在60℃下測定；%）：將注入有試樣的TN元件在120℃的恆溫槽內加熱20小時後，測定電壓保持率，並評價對熱的穩定性。在VHR-4的測定中，在166.7毫秒的期間內測定衰減的電壓。具有大的VHR-4的組成物對熱具有大的穩定性。
（12）響應時間（τ；在25℃下測定；ms）：測定時使用大塚電子股份有限公司製造的LCD5100型亮度計。光源為鹵素燈。低通濾波器（Low-pass filter）設定為5 kHz。在本發明的元件中放入試樣。將電壓（32 Hz、矩形波）自0 V起以0.02 V為單位階段性地增加至10 V而施加至所述元件。此時，對元件自垂直方向照射光，並測定透過元件的光量。當將所述光量達到最大時的透過率設為100%時，將透過率達到90%時的電壓設為V90 。對所述元件施加矩形波（60 Hz，V90 ，0.5秒）。此時，對元件自垂直方向照射光，並測定透過元件的光量。當所述光量達到最大時視作透過率為100%，當所述光量最小時視作透過率為0%。上升時間（τr：rise time；毫秒）是透過率自10%變化為90%所需要的時間。下降時間（τf：fall time；毫秒）是透過率自90%變化為10%所需要的時間。響應時間是由以所述方式求出的上升時間與下降時間的和來表示。
（13）彈性常數（K；在25℃下測定；pN）：測定時使用橫河惠普（Yokogawa Hewlett-Packard）股份有限公司製造的HP4284A型LCR計。在兩片玻璃基板的間隔（單元間隙）為20 μm的水平配向元件中放入試樣。對所述元件施加0伏特至20伏特電荷，測定靜電電容及施加電壓。使用《液晶器件手冊（liquid crystal device handbook）》（日刊工業新聞社）第75頁記載的式（2.98）、式（2.101），將所測定的靜電電容（C）與施加電壓（V）的值進行擬合（fitting），由式（2.99）獲得K11及K33的值。繼而，將以前所求出的K11及K33的值用於《液晶器件手冊》第171頁中的式（3.18）中來算出K22。彈性常數由以所述方式求出的K11、K22、及K33的平均值來表示。
（14）比電阻（ρ；在25℃下測定；Ωcm）：在具備電極的容器中注入1.0 mL的試樣。對所述容器施加直流電壓（10 V），測定10秒後的直流電流。根據下式來算出比電阻。（比電阻）＝{（電壓）×（容器的電容）}/{（直流電流）×（真空的介電常數）}。
（15）短軸方向上的介電常數（ε⊥；在25℃下測定）：在兩片玻璃基板的間隔（單元間隙）為9 μm，並且扭轉角為80度的TN元件中放入試樣。對所述元件施加正弦波（0.5 V，1 kHz），2秒後測定液晶分子的短軸方向上的介電常數（ε⊥）。
對於具有負的介電常數各向異性的液晶組成物，使用以下所記載的（16）～（28）的測定方法。
（16）向列相的上限溫度（NI；℃）：將試樣置於具備偏光顯微鏡的熔點測定裝置的熱板上，以1℃/min的速度進行加熱。測定試樣的一部分自向列相變化為各向同性液體時的溫度。有時將向列相的上限溫度簡稱為「上限溫度」。
（17）向列相的下限溫度（TC ；℃）：將具有向列相的試樣放入玻璃瓶，在0℃、-10℃、-20℃、-30℃及-40℃的冷凍器中保管10天後，觀察液晶相。例如，當試樣在-20℃下保持向列相、且在-30℃下變化為結晶或層列相時，記載為TC ＜-20℃。有時將向列相的下限溫度簡稱為「下限溫度」。
（18）黏度（體積黏度；η；在20℃下測定；mPa·s）：測定時使用東京計器股份有限公司製造的E型旋轉黏度計。
（19）黏度（旋轉黏度；γ1；在25℃下測定；mPa·s）：測定時使用東陽特克尼卡（TOYO Corporation）股份有限公司的旋轉黏性率測定系統LCM-2型。在兩片玻璃基板的間隔（單元間隙）為10 μm的VA元件中注入試樣。對所述元件施加矩形波（55 Hz，1 ms）。測定藉由所述施加而產生的暫態電流（transient current）的峰值電流（peak current）與峰值時間（peak time）。使用這些測定值及介電常數各向異性而獲得旋轉黏度的值。介電常數各向異性是利用測定（6）中所記載的方法進行測定。
（20）光學各向異性（折射率各向異性；Δn；在25℃下測定）：使用波長589 nm的光，藉由在目鏡上安裝有偏振片的阿貝折射計來進行測定。對主棱鏡的表面朝一個方向進行摩擦後，將試樣滴加到主棱鏡上。當偏振光的方向與摩擦的方向平行時測定折射率n∥。當偏振光的方向與摩擦的方向垂直時測定折射率n⊥。光學各向異性的值是根據Δn＝n∥-n⊥的式子來計算。
（21）介電常數各向異性（Δε；在25℃下測定）：介電常數各向異性的值是根據Δε=ε∥-ε⊥的式子來計算。介電常數（ε∥及ε⊥）以如下方式進行測定。 1）介電常數（ε∥）的測定：在經充分清洗的玻璃基板上塗布十八烷基三乙氧基矽烷（0.16 mL）的乙醇（20 mL）溶液。利用旋轉器使玻璃基板旋轉後，在150℃下加熱1小時。在兩片玻璃基板的間隔（單元間隙）為4 μm的VA元件中放入試樣，利用藉由紫外線而硬化的黏接劑將所述元件密封。對所述元件施加正弦波（0.5 V、1 kHz），2秒後測定液晶分子的長軸方向上的介電常數（ε∥）。 2）介電常數（ε⊥）的測定：在經充分清洗的玻璃基板上塗布聚醯亞胺溶液。對所述玻璃基板進行煅燒後，對所得的配向膜進行摩擦處理。在兩片玻璃基板的間隔（單元間隙）為9 μm、扭轉角為80度的TN元件中放入試樣。對所述元件施加正弦波（0.5 V，1 kHz），2秒後測定液晶分子的短軸方向上的介電常數（ε⊥）。
（22）臨限電壓（Vth；在25℃下測定；V）：測定時使用大塚電子股份有限公司製造的LCD5100型亮度計。光源為鹵素燈。在兩片玻璃基板的間隔（單元間隙）為4 μm，且摩擦方向為反向平行的常黑模式（normally black mode）的VA元件中放入試樣，利用藉由紫外線而硬化的黏接劑將所述元件密封。對所述元件施加的電壓（60 Hz、矩形波）是自0 V起以0.02 V為單位階段性地增加至20 V為止。此時，對元件自垂直方向照射光，並測定透過元件的光量。製作所述光量達到最大時透過率為100%、所述光量達到最小時透過率為0%的電壓-透過率曲線。臨限電壓是以透過率達到10%時的電壓來表示。
（23）電壓保持率（VHR-9；在25℃下測定；%）：用於測定的TN元件具有聚醯亞胺配向膜，並且兩片玻璃基板的間隔（單元間隙）為5 μm。所述元件在放入試樣後利用藉由紫外線而硬化的黏接劑來密封。對所述TN元件施加脈衝電壓（1 V、60微秒）來充電。利用高速電壓計在166.7毫秒的期間內測定衰減的電壓，求出單位週期中的電壓曲線與橫軸之間的面積A。面積B為未衰減時的面積。電壓保持率由面積A相對於面積B的百分率表示。
（24）電壓保持率（VHR-10；在60℃下測定；%）：除了在60℃下進行測定來代替在25℃下進行測定以外，以與所述（23）相同的流程測定電壓保持率。以VHR-10來表示所獲得的值。
（25）電壓保持率（VHR-11；在60℃下測定；%）：在照射紫外線後測定電壓保持率，並評價對紫外線的穩定性。用於測定的TN元件具有聚醯亞胺配向膜，並且單元間隙為5 μm。在所述元件中注入試樣，照射5 mW/cm2 的紫外線167分鐘。光源為艾古非（Eyegraphics）股份有限公司製造的黑光、F40T10/BL（峰值波長369 nm），元件與光源的間隔為5 mm。在VHR-11的測定中，在166.7毫秒的期間內測定衰減的電壓。具有大的VHR-11的組成物對紫外線具有大的穩定性。
（26）電壓保持率（VHR-12；在60℃下測定；%）：將注入有試樣的TN元件在120℃的恆溫槽內加熱20小時後，測定電壓保持率，並評價對熱的穩定性。在VHR-12的測定中，在166.7毫秒的期間內測定衰減的電壓。具有大的VHR-12的組成物對熱具有大的穩定性。
（27）響應時間（τ；在25℃下測定；ms）：測定時使用大塚電子股份有限公司製造的LCD5100型亮度計。光源為鹵素燈。將低通濾波器（Low-pass filter）設定為5 kHz。在本發明的元件中放入試樣。將電壓（32 Hz、矩形波）自0 V起以0.02 V為單位階段性地增加至10 V而施加至所述元件。此時，對元件自垂直方向照射光，並測定透過元件的光量。當將所述光量達到最大時的透過率設為100%時，將透過率達到90%時的電壓設為V90 。對所述元件施加矩形波（60 Hz，V90，0.5秒）。此時，對元件自垂直方向照射光，並測定透過元件的光量。當所述光量達到最大時視作透過率為100%，當所述光量最小時視作透過率為0%。上升時間（τr：rise time；毫秒）是透過率自10%變化為90%所需要的時間。下降時間（τf：fall time；毫秒）是透過率自90%變化為10%所需要的時間。響應時間由以所述方式求出的上升時間與下降時間的和來表示。
（28）比電阻（ρ；在25℃下測定；Ωcm）：在具備電極的容器中注入1.0 mL的試樣。對所述容器施加直流電壓（10 V），測定10秒後的直流電流。根據下式來算出比電阻。（比電阻）＝{（電壓）×（容器的電容）}/{（直流電流）×（真空的介電常數）}
組成物中的液晶性化合物是基於下述表3的定義由記號來表示。表3中，與1,4-伸環己基有關的立體構型為反式構型。位於記號後的括號內的編號對應於化合物的編號。（-）的記號表示其他液晶性化合物。液晶性化合物的比例（百分率）是基於液晶組成物的質量的質量百分率（質量%）。最後，將組成物的特性值進行歸納。
Figure 108114744-A0304-0003
以下，示出組成物的製備例。 [組成物M1] 3-HH-V （1-1） 22% 3-HH-V1 （1-1） 10% 5-HB-O2 （1-2） 5% 3-HHEH-3 （1-4） 3% 3-HBB-2 （1-6） 7% 5-B(F)BB-3 （1-7） 3% 5-HXB(F,F)-F （2-1） 3% 3-HHXB(F,F)-F （2-4） 6% 3-HGB(F,F)-F （2-6） 3% 3-HB(F)B(F,F)-F （2-9） 5% 3-BB(F,F)XB(F,F)-F （2-18） 6% 3-HHBB(F,F)-F （2-19） 6% 5-BB(F)B(F,F)XB(F)B(F,F)-F （2-31） 2% 3-BB(2F,3F)XB(F,F)-F （2-32） 4% 3-HHB(F,F)XB(F,F)-F （2） 4% 3-HBB(2F,3F)XB(F,F)-F （2） 5% 3-HB-CL （2） 3% 3-HHB-OCF3 （2） 3% NI=77.2℃；Tc＜-20℃；Δn=0.101；Δε=5.8；Vth=1.88 V；η=13.7 mPa·s；γ1=61.3 mPa·s.
[組成物M2] 2-HH-5 （1-1） 8% 3-HH-V （1-1） 10% 3-HH-V1 （1-1） 7% 4-HH-V （1-1） 10% 4-HH-V1 （1-1） 8% 5-HB-O2 （1-2） 7% 4-HHEH-3 （1-4） 3% V2-BB(F)B-1 （1-8） 3% 5-HXB(F,F)-F （2-1） 6% 3-HHXB(F,F)-F （2-4） 6% V-HB(F)B(F,F)-F （2-9） 5% 3-HHB(F)B(F,F)-F （2-20） 7% 2-BB(F)B(F,F)XB(F)-F （2-28） 3% 3-BB(F)B(F,F)XB(F)-F （2-28） 3% 4-BB(F)B(F,F)XB(F)-F （2-28） 4% 5-HB-CL （2） 5% 1O1-HBBH-3 （-） 5% NI=78.5℃；Tc＜-20℃；Δn=0.095；Δε=3.4；Vth=1.50 V；η=8.4 mPa·s；γ1=54.2 mPa·s.
[組成物M3] 2-HH-3 （1-1） 8% 3-HH-V （1-1） 20% 3-HH-V1 （1-1） 7% 4-HH-V （1-1） 6% 5-HB-O2 （1-2） 5% V2-B2BB-1 （1-9） 3% 3-HHEBH-3 （1-11） 5% 3-HHEBH-5 （1-11） 5% 3-HHEB(F,F)-F （2-3） 5% 3-HHXB(F,F)-F （2-4） 7% 5-HBEB(F,F)-F （2-10） 5% 3-BB(F,F)XB(F,F)-F （2-18） 10% 2-HHB(F)B(F,F)-F （2-20） 3% 5-HHB(F,F)XB(F,F)-F （2） 6% 3-HBB(2F,3F)XB(F,F)-F （2） 5% NI=90.3℃；Tc＜-20℃；Δn=0.088；Δε=5.4；Vth=1.69 V；η=13.7 mPa·s；γ1=60.6 mPa·s.
[組成物M4] 2-HH-3 （1-1） 14% 2-HH-5 （1-1） 4% 3-HH-V （1-1） 26% 1V2-HH-3 （1-1） 5% 1V2-BB-1 （1-3） 3% 3-HB(F)HH-2 （1-10） 4% 5-HBB(F)B-2 （1-13） 6% 3-BB(2F,5F)B-3 （1） 3% 3-HGB(F,F)-F （2-6） 3% 5-GHB(F,F)-F （2-7） 4% 3-GB(F,F)XB(F,F)-F （2-14） 5% 3-BB(F)B(F,F)-CF3 （2-16） 2% 3-HHBB(F,F)-F （2-19） 4% 3-GBB(F)B(F,F)-F （2-22） 2% 2-dhBB(F,F)XB(F,F)-F （2-25） 4% 3-HGB(F,F)XB(F,F)-F （2） 5% 3-dhB(F,F)B(F,F)XB(F)B(F,F)-F （2） 3% 7-HB(F,F)-F （2） 3% NI=78.3℃；Tc＜-20℃；Δn=0.094；Δε=5.9；Vth=1.25 V；η=12.8 mPa·s；γ1=61.9 mPa·s.
[組成物M5] 3-HH-V （1-1） 30% 3-HH-V1 （1-1） 10% 1V2-HH-3 （1-1） 8% 3-HH-VFF （1-1） 8% V2-BB-1 （1-3） 2% 5-HB(F)BH-3 （1-12） 5% 5-HBBH-3 （1） 5% 3-HHB(F,F)-F （2-2） 8% 3-GB(F)B(F,F)-F （2-12） 3% 3-BB(F,F)XB(F,F)-F （2-18） 10% 3-GB(F)B(F,F)XB(F,F)-F （2-27） 6% 5-GB(F,F)XB(F)B(F,F)-F （2） 5% NI=76.6℃；Tc＜-20℃；Δn=0.088；Δε=5.5；Vth=1.81 V；η=12.1 mPa·s；γ1=60.2 mPa·s.
[組成物M6] 2-HH-5 （1-1） 5% 3-HH-V （1-1） 30% 3-HH-V1 （1-1） 3% 3-HH-VFF （1-1） 10% 3-HHB-1 （1-5） 4% 3-HHB-3 （1-5） 5% 3-HHB-O1 （1-5） 3% 3-HHEBH-3 （1-11） 3% 3-HHEBH-4 （1-11） 4% 3-HHEBH-5 （1-11） 3% 3-BB(2F,5F)B-3 （1） 3% 3-BB(F,F)XB(F,F)-F （2-18） 14% 3-dhB(F,F)B(F,F)XB(F)B(F,F)-F （2） 7% 7-HB(F,F)-F （2） 6% NI=82.7℃；Tc＜-20℃；Δn=0.085；Δε=5.1；Vth=1.70 V；η=8.0 mPa·s；γ1=53.9 mPa·s.
[組成物M7] 2-HH-5 （1-1） 8% 3-HH-V （1-1） 28% 4-HH-V1 （1-1） 7% 5-HB-O2 （1-2） 2% 7-HB-1 （1-2） 5% VFF-HHB-O1 （1-5） 8% VFF-HHB-1 （1-5） 3% 3-HBB(F,F)-F （2-8） 5% 5-HBB(F,F)-F （2-8） 4% 3-BB(F)B(F,F)-F （2-15） 3% 3-BB(F)B(F,F)XB(F,F)-F （2-29） 3% 4-BB(F)B(F,F)XB(F,F)-F （2-29） 5% 3-BB(F,F)XB(F)B(F,F)-F （2-30） 3% 5-BB(F)B(F,F)XB(F)B(F,F)-F （2-31） 4% 3-HH2BB(F,F)-F （2） 3% 4-HH2BB(F,F)-F （2） 3% 3-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 2% 2-BB(2F,3F)B-3 （3-19） 4% NI=81.9℃；Tc＜-20℃；Δn=0.109；Δε=4.8；Vth=1.75 V；η=13.3 mPa·s；γ1=57.4 mPa·s.
[組成物M8] 3-HH-5 （1-1） 4% 3-HH-V （1-1） 21% 3-HH-V1 （1-1） 3% 4-HH-V （1-1） 4% 1V2-HH-3 （1-1） 6% 5-B(F)BB-2 （1-7） 3% 5-B(F)BB-3 （1-7） 2% 3-HHEB(F,F)-F （2-3） 4% 3-HBEB(F,F)-F （2-10） 3% 5-HBEB(F,F)-F （2-10） 3% 3-BB(F)B(F,F)-F （2-15） 3% 3-HBBXB(F,F)-F （2-23） 6% 3-GB(F)B(F,F)XB(F,F)-F （2-27） 5% 4-GB(F)B(F,F)XB(F,F)-F （2-27） 5% 5-HHB(F,F)XB(F,F)-F （2） 3% 3-HGB(F,F)XB(F,F)-F （2） 4% 5-HEB(F,F)-F （2） 3% 5-HB-CL （2） 2% 3-HHB-OCF3 （2） 4% 3-HB(2F,3F)-O2 （3-1） 3% 3-BB(2F,3F)-O2 （3-6） 2% 3-HHB(2F,3F)-O2 （3-8） 4% F3-HH-V （-） 3% NI=78.1℃；Tc＜-20℃；Δn=0.100；Δε=6.6；Vth=1.50 V；η=16.2 mPa·s；γ1=61.8 mPa·s.
[組成物M9] V-HH-V （1-1） 10% V-HH-2V （1-1） 20% 1V-HH-V （1-1） 10% 3-HH-V （1-1） 15% V2-BB-1 （1-3） 4% 1-BB(F)B-2V （1-8） 7% 2-BB(F)B-2V （1-8） 8% 3-HHEB(F,F)-F （2-3） 3% 3-HBEB(F,F)-F （2-10） 3% 3-BB(F,F)XB(F,F)-F （2-18） 4% 3-HHB(F)B(F,F)-F （2-20） 3% 3-BB(F)B(F,F)XB(F,F)-F （2-29） 5% 4-BB(F)B(F,F)XB(F,F)-F （2-29） 5% 1O1-HBBH-5 （-） 3% NI=74.3℃；Tc≦-20℃；Δn=0.111；Δε=3.0；Vth=2.39 V；η=11.0 mPa·s；γ1=44.5 mPa·s.
[組成物M10] 3-HH-V （1-1） 11% 1-BB-3 （1-3） 6% 3-HHB-1 （1-5） 4% 3-HHB-O1 （1-5） 4% 3-HBB-2 （1-6） 4% 3-B(F)BB-2 （1-7） 4% 3-HB(2F,3F)-O4 （3-1） 6% 3-H2B(2F,3F)-O2 （3-2） 8% 3-H1OB(2F,3F)-O2 （3-3） 5% 3-BB(2F,3F)-O2 （3-6） 10% 2-HHB(2F,3F)-O2 （3-8） 7% 3-HHB(2F,3F)-O2 （3-8） 7% 5-HHB(2F,3F)-O2 （3-8） 7% 2-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 4% 3-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 7% 5-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 6% NI=87.6℃；Tc＜-20℃；Δn=0.126；Δε=-4.5；η=25.3 mPa·s.
[組成物M11] 3-HH-V （1-1） 27% 3-HH-V1 （1-1） 6% V-HHB-1 （1-5） 5% 3-HB(2F,3F)-O2 （3-1） 5% 5-HB(2F,3F)-O2 （3-1） 7% 3-BB(2F,3F)-O2 （3-6） 8% 3-HHB(2F,3F)-O2 （3-8） 5% 5-HHB(2F,3F)-O2 （3-8） 4% 3-HH1OB(2F,3F)-O2 （3-10） 5% 2-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 3% 3-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 9% 4-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 4% 5-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 8% 2-BB(2F,3F)B-3 （3-19） 4% NI=81.2℃；Tc＜-20℃；Δn=0.107；Δε=-3.2；η=15.5 mPa·s.
[組成物M12] 4-HH-V （1-1） 15% 3-HH-V1 （1-1） 6% 1-HH-2V1 （1-1） 6% 3-HH-2V1 （1-1） 4% V2-BB-1 （1-3） 5% 1V2-BB-1 （1-3） 5% 3-HHB-1 （1-5） 3% 3-HB(F)BH-3 （1-12） 4% 3-H2B(2F,3F)-O2 （3-2） 7% 3-HHB(2F,3F)-O2 （3-8） 8% 3-HH1OB(2F,3F)-O2 （3-10） 8% 2-HchB(2F,3F)-O2 （3-12） 8% 3-HDhB(2F,3F)-O2 （3-13） 3% 5-HDhB(2F,3F)-O2 （3-13） 4% 2-BB(2F,3F)B-3 （3-19） 7% 2-BB(2F,3F)B-4 （3-19） 7% NI=88.2℃；Tc＜-20℃；Δn=0.115；Δε=-2.1；η=18.3 mPa·s.
[組成物M13] 2-HH-3 （1-1） 12% 1-BB-5 （1-3） 12% 3-HHB-1 （1-5） 4% 3-HHB-O1 （1-5） 3% 3-HBB-2 （1-6） 3% V2-H2B(2F,3F)-O2 （3-2） 8% V2-H1OB(2F,3F)-O4 （3-3） 4% 3-BB(2F,3F)-O2 （3-6） 7% 2-HHB(2F,3F)-O2 （3-8） 7% 3-HHB(2F,3F)-O2 （3-8） 7% 3-HH2B(2F,3F)-O2 （3-9） 7% 5-HH2B(2F,3F)-O2 （3-9） 4% V-HH2B(2F,3F)-O2 （3-9） 6% V2-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 5% V-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 5% V-HBB(2F,3F)-O4 （3-14） 6% NI=89.9℃；Tc＜-20℃；Δn=0.122；Δε=-4.2；η=23.4 mPa·s.
[組成物M14] 3-HH-V （1-1） 27% 3-HH-V1 （1-1） 6% V-HHB-1 （1-5） 3% 3-HB(2F,3F)-O2 （3-1） 3% V-HB(2F,3F)-O2 （3-1） 3% V2-HB(2F,3F)-O2 （3-1） 5% 5-H2B(2F,3F)-O2 （3-2） 5% V2-BB(2F,3F)-O2 （3-6） 3% 1V2-BB(2F,3F)-O2 （3-6） 3% 3-HHB(2F,3F)-O2 （3-8） 6% V-HHB(2F,3F)-O2 （3-8） 6% V-HHB(2F,3F)-O4 （3-8） 5% V2-HHB(2F,3F)-O2 （3-8） 4% V-HHB(2F,3Cl)-O2 （3-11） 3% V2-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 5% V-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 4% V-HBB(2F,3F)-O4 （3-14） 5% V2-BB(2F,3F)B-1 （3-19） 4% NI=77.1℃；Tc＜-20℃；Δn=0.101；Δε=-3.0；η=13.9 mPa·s.
[組成物M15] 2-HH-3 （1-1） 12% 1-BB-3 （1-3） 6% 3-HHB-1 （1-5） 3% 3-HHB-O1 （1-5） 4% 3-HBB-2 （1-6） 6% 3-B(F)BB-2 （1-7） 3% 3-HB(2F,3F)-O4 （3-1） 6% 3-H2B(2F,3F)-O2 （3-2） 8% 3-H1OB(2F,3F)-O2 （3-3） 4% 3-BB(2F,3F)-O2 （3-6） 7% 2-HHB(2F,3F)-O2 （3-8） 6% 3-HHB(2F,3F)-O2 （3-8） 10% 5-HHB(2F,3F)-O2 （3-8） 8% 2-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 5% 3-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 7% 5-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 5% NI=93.0℃；Tc＜-20℃；Δn=0.124；Δε=-4.5；η=25.0 mPa·s.
[組成物M16] 3-HH-V （1-1） 15% 3-HH-V1 （1-1） 6% 2-HH-3 （1-1） 9% 3-HH-5 （1-1） 3% 1V2-HH-3 （1-1） 3% V-HB(2F,3F)-O2 （3-1） 7% V2-BB(2F,3F)-O2 （3-6） 10% V-HHB(2F,3F)-O1 （3-8） 7% V-HHB(2F,3F)-O2 （3-8） 9% V2-HHB(2F,3F)-O2 （3-8） 8% 3-HH2B(2F,3F)-O2 （3-9） 9% V-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 8% V-HBB(2F,3F)-O4 （3-14） 6% NI=87.5℃；Tc＜-20℃；Δn=0.100；Δε=-3.4；η=18.9 mPa·s.
[組成物M17] 3-HH-V （1-1） 33% V-HHB-1 （1-5） 3% 3-HB(2F,3F)-O2 （3-1） 7% 5-HB(2F,3F)-O2 （3-1） 7% 3-BB(2F,3F)-O2 （3-6） 8% 3-HHB(2F,3F)-O2 （3-8） 4% 5-HHB(2F,3F)-O2 （3-8） 5% 3-HH1OB(2F,3F)-O2 （3-10） 5% 2-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 3% 3-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 8% 4-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 5% 5-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 8% 2-BB(2F,3F)B-3 （3-19） 4% NI=76.4℃；Tc＜-20℃；Δn=0.104；Δε=-3.2；η=15.6 mPa·s.
[組成物M18] 2-HH-3 （1-1） 5% 3-HH-VFF （1-1） 30% 1-BB-3 （1-3） 5% 3-HHB-1 （1-5） 3% 3-HBB-2 （1-6） 3% 2-H1OB(2F,3F)-O2 （3-3） 6% 3-H1OB(2F,3F)-O2 （3-3） 4% 3-BB(2F,3F)-O2 （3-6） 3% 2-HH1OB(2F,3F)-O2 （3-10） 14% 2-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 7% 3-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 11% 5-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 9% NI=78.3℃；Tc＜-20℃；Δn=0.103；Δε=-3.2；η=17.7 mPa·s.
[組成物M19] 3-HH-4 （1-1） 14% V-HHB-1 （1-5） 10% 3-HBB-2 （1-6） 7% V-HB(2F,3F)-O2 （3-1） 10% V2-HB(2F,3F)-O2 （3-1） 10% 2-H1OB(2F,3F)-O2 （3-3） 3% 3-H1OB(2F,3F)-O2 （3-3） 3% 2O-BB(2F,3F)-O2 （3-6） 3% V2-BB(2F,3F)-O2 （3-6） 8% V2-HHB(2F,3F)-O2 （3-8） 5% V-HHB(2F,3Cl)-O2 （3-11） 7% 2-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 3% 3-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 3% V-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 6% V-HBB(2F,3F)-O4 （3-14） 8% NI=75.9℃；Tc＜-20℃；Δn=0.114；Δε=-3.9；η=24.7 mPa·s.
[組成物M20] 3-HH-V （1-1） 33% 3-HH-V1 （1-1） 5% 3-HB-O2 （1-2） 3% 1-BB-3 （1-3） 3% 3-HHB-1 （1-5） 6% 2-BB(F)B-3 （1-8） 2% 3-HB(2F,3F)-O2 （3-1） 3% 2O-B(2F)B(2F,3F)-O2 （3-7） 5% 2O-B(2F)B(2F,3F)-O4 （3-7） 12% 2-HHB(2F,3F)-O2 （3-8） 4% 3-HHB(2F,3F)-O2 （3-8） 8% 5-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 4% 3-dhBB(2F,3F)-O2 （3-16） 8% 3-HB(2F,3F)B-2 （3-17） 4% NI=72.6℃；Tc＜-20℃；Δn=0.105；Δε=-2.5；η=15.7 mPa·s.
[組成物M21] 2-HH-3 （1-1） 12% 1-BB-5 （1-3） 12% 3-HHB-1 （1-5） 4% 3-HHB-O1 （1-5） 3% 3-HBB-2 （1-6） 3% 3-HB(2F,3F)-O4 （3-1） 6% 3-H2B(2F,3F)-O2 （3-2） 8% 3-H1OB(2F,3F)-O2 （3-3） 4% 3-BB(2F,3F)-O2 （3-6） 7% 2-HHB(2F,3F)-O2 （3-8） 7% 3-HHB(2F,3F)-O2 （3-8） 7% 3-HH2B(2F,3F)-O2 （3-9） 7% 5-HH2B(2F,3F)-O2 （3-9） 4% 2-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 5% 3-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 5% 4-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 6% NI=82.8℃；Tc＜-20℃；Δn=0.118；Δε=-4.4；η=22.5 mPa·s.
[組成物M22] 3-HH-V （1-1） 27% 3-HH-V1 （1-1） 6% V-HHB-1 （1-5） 3% 3-HB(2F,3F)-O2 （3-1） 7% 5-HB(2F,3F)-O2 （3-1） 7% 3-BB(2F,3F)-O2 （3-6） 8% 3-HHB(2F,3F)-O2 （3-8） 5% 5-HHB(2F,3F)-O2 （3-8） 4% 3-HH1OB(2F,3F)-O2 （3-10） 4% 2-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 3% 3-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 8% 4-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 5% 5-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 8% 2-BB(2F,3F)B-3 （3-19） 5% NI=78.1℃；Tc＜-20℃；Δn=0.107；Δε=-3.2；η=15.9 mPa·s.
[組成物M23] 3-HH-4 （1-1） 14% V-HHB-1 （1-5） 10% 3-HBB-2 （1-6） 7% 3-HB(2F,3F)-O2 （3-1） 10% 5-HB(2F,3F)-O2 （3-1） 10% 3-H2B(2F,3F)-O2 （3-2） 8% 5-H2B(2F,3F)-O2 （3-2） 8% 3-HDhB(2F,3F)-O2 （3-13） 5% 2-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 6% 3-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 8% 4-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 7% 5-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 7% NI=88.5℃；Tc＜-20℃；Δn=0.108；Δε=-3.8；η=24.6 mPa·s.
[組成物M24] 3-HH-V （1-1） 42% 3-HH-V1 （1-1） 5% 1-BB-3 （1-3） 3% V-HHB-1 （1-5） 2% 2O-B(2F)B(2F,3F)-O2 （3-7） 6% 2O-B(2F)B(2F,3F)-O4 （3-7） 13% 2-HHB(2F,3F)-O2 （3-8） 4% 3-HHB(2F,3F)-O2 （3-8） 4% 3-HHB(2F,3F)-1 （3-8） 4% 3-dhBB(2F,3F)-O2 （3-16） 5% 3-HB(2F)B(2F,3F)-O2 （3-18） 7% V-H2BBB(2F,3F)-O2 （3-25） 5% NI=71.8℃；Tc＜-20℃；Δn=0.103；Δε=-2.5；η=14.2 mPa·s.
[組成物M25] 5-HH-V （1-1） 18% 7-HB-1 （1-2） 5% V-HHB-1 （1-5） 7% V2-HHB-1 （1-5） 7% 3-HBB(F)B-3 （1-13） 8% 3-HB(2F,3F)-O4 （3-1） 15% 3-chB(2F,3F)-O2 （3-5） 7% 2-HchB(2F,3F)-O2 （3-12） 8% 3-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 8% 4-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 5% 5-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 7% 3-dhBB(2F,3F)-O2 （3-16） 5% NI=98.8℃；Tc＜-20℃；Δn=0.111；Δε=-3.2；η=23.9 mPa·s.
[組成物M26] 3-HH-V （1-1） 11% 3-HH-VFF （1-1） 7% F3-HH-V （1-1） 10% 3-HHEH-3 （1-4） 4% 3-HB(F)HH-2 （1-10） 4% 3-HHEBH-3 （1-11） 4% 3-H2B(2F,3F)-O2 （3-2） 18% 5-H2B(2F,3F)-O2 （3-2） 17% 3-HHB(2F,3Cl)-O2 （3-11） 5% 3-HDhB(2F,3F)-O2 （3-13） 5% 3-HBB(2F,3Cl)-O2 （3-15） 8% 5-HBB(2F,3Cl)-O2 （3-15） 7% NI=77.5℃；Tc＜-20℃；Δn=0.084；Δε=-2.6；η=22.8 mPa·s.
[組成物M27] 3-HH-V （1-1） 11% 1-BB-5 （1-3） 5% 3-HB(2F,3F)-O2 （3-1） 8% 3-H2B(2F,3F)-O2 （3-2） 10% 3-BB(2F,3F)-O2 （3-6） 10% 2O-BB(2F,3F)-O2 （3-6） 3% 2-HHB(2F,3F)-O2 （3-8） 4% 3-HHB(2F,3F)-O2 （3-8） 7% 2-HHB(2F,3F)-1 （3-8） 5% 3-HDhB(2F,3F)-O2 （3-13） 6% 2-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 4% 3-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 7% 3-dhBB(2F,3F)-O2 （3-16） 4% 2-BB(2F,3F)B-3 （3-19） 6% 2-BB(2F,3F)B-4 （3-19） 6% 3-HH1OCro(7F,8F)-5 （3-27） 4% NI=70.6℃；Tc＜-20℃；Δn=0.129；Δε=-4.3；η=27.0 mPa·s.
[組成物M28] V-HH-V （1-1） 24% V-HH-V1 （1-1） 20% 3-HB(2F,3F)-O2 （3-1） 5% V2-BB(2F,3F)-O2 （3-6） 8% 3-HHB(2F,3F)-O2 （3-8） 6% V-HHB(2F,3F)-O2 （3-8） 7% V-HHB(2F,3F)-O4 （3-8） 4% 2-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 2% 3-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 6% V-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 7% V-HBB(2F,3F)-O4 （3-14） 6% 2-BB(2F,3F)B-3 （3-19） 5% NI=73.5℃；Tc＜-20℃；Δn=0.106；Δε=-2.7；η=17.0 mPa·s.
[組成物M29] 2-HH-3 （1-1） 19% 3-HHB-1 （1-5） 3% V-HHB-1 （1-5） 10% V2-HHB-1 （1-5） 10% 3-DhB(2F,3F)-O2 （3-4） 5% 2-BB(2F,3F)-O2 （3-6） 9% 3-BB(2F,3F)-O2 （3-6） 9% 3-HH2B(2F,3F)-O2 （3-9） 6% 3-HDhB(2F,3F)-O2 （3-13） 14% 2-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 2% 3-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 6% V-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 7% NI=86.0℃；Tc＜-20℃；Δn=0.110；Δε=-3.8；η=22.9 mPa·s.
[組成物M30] 3-HH-V （1-1） 40% 3-HH-V1 （1-1） 7% V-HHB-1 （1-5） 4% V2-HHB-1 （1-5） 9% 3-HHXB(F,F)-F （2-4） 3% 3-HBBXB(F,F)-F （2-23） 11% 4-BB(F)B(F,F)XB(F,F)-F （2-29） 7% 5-BB(F)B(F,F)XB(F,F)-F （2-29） 6% 3-BB(F,F)XB(F,F)-F （2-32） 13% NI=80.2℃；Tc＜-20℃；Δn=0.100；Δε=6.8；η=10.8 mPa·s.
[組成物M31] 3-HH-VFF （1-1） 13% 3-HHEBH-3 （1-11） 4% V-HB(2F,3F)-O2 （3-1） 8% V-HB(2F,3F)-O4 （3-1） 12% 3-HB(2F,3F)-O2 （3-1） 10% 5-HB(2F,3F)-O2 （3-1） 7% 3-HHB(2F,3F)-O2 （3-8） 6% 5-HHB(2F,3F)-O2 （3-8） 7% 3-HDhB(2F,3F)-O2 （3-13） 10% 3-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 5% 5-HBB(2F,3F)-O2 （3-14） 6% NI=74.4℃；Tc＜-20℃；Δn=0.101；Δε=5.3；η=25.3 mPa·s.
藉由將以上所說明的液晶組成物用於液晶顯示元件的液晶層，而可製成具有響應時間短、電壓保持率大、臨限電壓低、對比度比大、壽命長之類的特性的液晶顯示元件。
而且，也可藉由液晶顯示元件的電極結構來實現透過光量或響應時間的提升，因此，以下包括較佳的電極結構等在內，對液晶顯示元件的構成以第一實施形態～第三實施形態進行詳細說明。
其中，以下所示的實施形態是對較佳的液晶顯示元件的一例進行說明，將以上所說明的液晶組成物用於液晶層的液晶顯示元件並不限定於以下所說明的第一實施形態～第三實施形態的液晶顯示元件。
（第一實施形態） 圖1是本發明的第一實施形態的液晶顯示元件1的局部剖面圖，圖2是用於說明本發明的第一實施形態的液晶顯示元件1的電極結構的平面圖。
此外，圖1及圖2是與液晶顯示元件1的畫素RGB中的一個的一部分所對應的子畫素相對應的圖，圖1是圖2的A-A線所對應的位置的液晶顯示元件1的剖面圖。 另外，圖2中，僅以框線來表示第二電極部12的範圍，為便於理解構成，還圖示出位於第二電極部12的下側的部分。
並且，液晶顯示元件1在面內，在縱向及橫向上設置有多個稍後參照圖1及圖2進行說明的電極結構，在縱向或橫向上排列形成的三個電極結構對應於一個畫素。
如圖1所示，液晶顯示元件1包括：當用於液晶顯示裝置中時位於背光側的第一基板10、與第一基板10相向配置的第二基板20、以及設置在第一基板10與第二基板20之間的液晶層30。
第一基板10及第二基板20是由可透過來自背光的光的材料所形成，例如，第一基板10及第二基板20可使用玻璃基板。
另外，液晶顯示元件1包括：設置在遠離液晶層30一側的第一基板10上、作為偏振器的第一偏振片11；以及設置在遠離液晶層30一側的第二基板20上、作為檢偏器的第二偏振片21。
並且，第一偏振片11是沿透過軸（以下也稱為第一透過軸）沿著第一基板10及第二基板20的平面的圖1及圖2所示的X軸（以下也稱為第一方向X）而配置。 另外，第二偏振片21是沿透過軸（以下也稱為第二透過軸）沿著與X軸正交的第一基板10及第二基板20的平面的Y軸（以下也稱為第二方向Y）而配置。 即，第一偏振片11與第二偏振片21配置為正交尼科耳偏光（cross Nicol）。
其中，只要第一偏振片11與第二偏振片21配置為正交尼科耳偏光即可，也可以第一偏振片11的第一透過軸沿第二方向Y設置的方式來設置第一偏振片11，以第二偏振片21的第二透過軸沿第一方向X設置的方式來設置第二偏振片21。
進而，液晶顯示元件1包括設置在液晶層30側的第一基板10上、用於控制液晶層的液晶分子的配向方向的電極結構等（第一電極部40、第二電極部12、資料線13、薄膜電晶體14（參照圖2）、閘極線15（參照圖2）及共通電極線16（參照圖2）等）。
具體而言，如圖1所示，液晶顯示元件1包括：形成於第一基板10上的資料線13、薄膜電晶體14（參照圖2）、閘極線15（參照圖2）及共通電極線16（參照圖2）等的層；形成於其上的作為保護層及平坦化層發揮功能的絕緣層17；形成於絕緣層17上的作為整體電極的第二電極部12；以覆蓋第二電極部12的方式形成的絕緣層18；以及形成於絕緣層18上的第一電極部40。
本實施形態中為如下情況：第一電極部40為畫素電極，以介隔絕緣層18而與第一電極部40絕緣的方式較第一電極部40更靠第一基板10側設置的第二電極部12為共通電極。 其中，還能夠像稍後作為第二實施形態所說明那樣，將第一電極部40作為共通電極，將第二電極部12作為畫素電極。
此外，本實施形態中，示出在子畫素所對應的區域分別設置作為整體電極的第二電極部12的情況，但第二電極部12為共通電極，因此也可為在各單個畫素區域的單位、各多個畫素區域的單位及所有畫素區域的單位（此時第二電極部12為一個整體電極）等更廣範圍內所形成的整體電極。
因此，如圖2所示，作為畫素電極的第一電極部40經由通孔（via hole）VH而電連接於薄膜電晶體14的汲極電極，並且閘極線15電連接於薄膜電晶體14的閘極電極，資料線13電連接於薄膜電晶體14的源極電極。 另一方面，作為共通電極的第二電極部12電連接於共通電極線16。 此外，當將液晶顯示元件1用於液晶顯示裝置時，閘極線15連接於液晶顯示裝置的閘極驅動器，資料線13連接於資料驅動器。
第一電極部40及第二電極部12是由導電性且透過光的材料所形成。 例如，形成第一電極部40及第二電極部12的材料可較佳地使用氧化銦錫（indium tin oxide，ITO）或氧化銦氧化鋅（indium zinc oxide，IZO）等。
另外，如圖1所示，液晶顯示元件1包括以覆蓋第一電極部40的方式設置在絕緣層18上的第一配向膜19，對於所述第一配向膜19的液晶層30側的表面，以液晶層30的液晶的配向方向朝向規定的方向的方式實施摩擦處理。
此外，作為液晶層30的液晶，可使用具有正的介電常數各向異性的液晶組成物（以下也簡稱為正型液晶），也可使用具有負的介電常數各向異性的液晶組成物（以下也簡稱為負型液晶），並使用上文所說明的液晶組成物。然而，就電壓保持率的觀點而言，含有具有氰基的液晶性化合物的液晶組成物欠佳。
例如，在液晶層30的液晶為正型液晶的情況下，當呈在第一電極部40與第二電極部12之間未產生電位差的狀態（未產生邊緣電場的狀態）時，以對照後述第一電極部40的圖案而液晶分子沿第一方向X配向的方式實施摩擦處理。
此外，本實施形態中，液晶層30中使用正型液晶，圖1中示出未產生邊緣電場的狀態，因此圖示為自正面觀察液晶分子所得的圓形形狀的分子形狀，但若產生邊緣電場，則液晶分子在由X軸與Y軸所規定的平面內旋轉，而會觀察到沿Y軸的棒狀的形狀。
反之，在液晶層30的液晶為負型液晶的情況下，當呈未產生邊緣電場的狀態時，以對照後述第一電極部40的圖案而液晶分子沿第二方向Y配向的方式實施摩擦處理。
另一方面，液晶顯示元件1包括：直接設置在液晶層30側的第二基板20上的色層22（彩色層）及黑色矩陣（black matrix）23；以覆蓋色層22及黑色矩陣23的方式設置的平坦化膜24；以及設置在平坦化膜24上的第二配向膜25。
色層22是對應於RGB的彩色層，例如，在圖1及圖2所示的子畫素所對應的部分對應於RGB的R的情況下，色層22呈紅色，對應於G的情況下，色層22呈綠色，對應於B的情況下呈藍色。
此外，如上所述，液晶顯示元件1中設置有與多個子畫素相對應的構成，因此色層22以與各個子畫素相對應的方式在第二基板20上呈矩陣狀設置。
為了減少子畫素間的串擾（crosstalk），黑色矩陣23為對應於各子畫素的外周而設置的格子狀的框，是由遮光性的材料所形成。
並且，第二配向膜25與第一配向膜19同樣地，以液晶層30的液晶的配向方向朝向規定的方向的方式對液晶層30側的表面實施摩擦處理。
所述第二配向膜25的摩擦處理也與第一配向膜19的摩擦處理相同，在液晶層30的液晶為正型液晶的情況下，當呈未產生邊緣電場的狀態時，以對照後述第一電極部40的圖案而液晶分子沿第一方向X配向的方式實施摩擦處理。
反之，在液晶層30的液晶為負型液晶的情況下，當呈未產生邊緣電場的狀態時，以對照後述第一電極部40的圖案而液晶分子沿第二方向Y配向的方式實施摩擦處理。
其次，參照作為第一電極部40的平面圖的圖3來對第一電極部40進行更詳細的說明。 此外，圖3所示的X軸（第一方向X）、Y軸（第二方向Y）及Z軸與圖1及圖2中所示相同。
第一電極部40包括基本電極部41，所述基本電極部41為基本的電極圖案，包括第一基本電極部42及第二基本電極部43。
第一基本電極部42包括在沿第一基板10（參照圖1）的基板面的第一方向X上延伸且在與第一方向X正交的第二方向Y上隔開的一對第一導電部42A。
另外，第一基本電極部42包括＜字形狀的第二導電部42B，所述第二導電部42B具有與一對第一導電部42A的各自的其中一端42AA連接的一對另一端42BB，且在第一導電部42A的延伸方向的相反方向上具有作為＜字形狀的一端的彎曲部42BA。
另一方面，第二基本電極部43包括第三導電部43A，所述第三導電部43A自作為第一基本電極部42的開口側的開口部OP的附近向第一方向X延伸。 此外，圖3中，第三導電部43A以第三導電部43A的其中一端43AA在第一方向X上與開口部OP略微隔開的方式設置，第三導電部43A也可以第三導電部43A的其中一端43AA較開口部OP而略微位於開口部OP內（靠近第一基板電極部42）的方式設置。
本實施形態中，第一電極部40在第一方向X上包括多個基本電極部41，並且在第二方向Y上也包括多個基本電極部41。 具體而言，以在第一方向X及第二方向Y上，分別排列有兩個基本電極部41的方式設置。
並且，從第一方向X上任意的相鄰的基本電極部41彼此來看，基本電極部41在第三導電部43A的另一端43AB與第二導電部42B的彎曲部42BA連接（參照虛線的圓圈部分S）。
另外，從第二方向Y上任意的相鄰的基本電極部41彼此來看，基本電極部41共有一對第一導電部42A中位於基本電極部41之間的第一導電部42A（參照斜線陰影部分）。
進而，本實施形態中，配置於末端的第一基本電極部42（參照圖左側的基本電極部41）更包括自第二導電部42B的彎曲部42BA向第一方向X的相反方向延伸的第四導電部44。
除此之外，本實施形態中更包括：設置在配置於末端的第二基本電極部43（參照圖右側的基本電極部41）的第一方向X上，且使第二導電部42B的彎曲部42BA與配置於末端的第二基本電極部43（參照圖右側的基本電極部41）的第三導電部43A的另一端43AB連接的第一基本電極部42（參照二點劃線的包圍部分）。
並且，第一電極部40包括形成外周的矩形形狀的連接導電部45，所述連接導電部45將由第一導電部42A、第二導電部42B、第三導電部43A及第四導電部44所形成的導電圖案電連接。
另外，連接導電部45包括連接部45B，所述連接部45B自位於第一方向X的相反側的一端側、即第一邊45A向第一方向X的相反側延伸。 並且，像上文參照圖2所說明那樣，所述連接部45B經由通孔VH而電連接於薄膜電晶體14的汲極電極。
此外，第一電極部40只要具有至少一個基本電極部41即可，在第一方向X及第二方向Y上設置幾個基本電極部41只要根據子畫素所要求的面積來決定即可。
另外，圖3中示出連接導電部45形成矩形形狀的框的情況，連接導電部45只要可將由第一導電部42A、第二導電部42B、第三導電部43A及第四導電部44所形成的導電圖案電連接即可，因此也可像圖4（a）及圖4（b）所示的變形例那樣，未形成為框的形狀。
進而，連接導電部45的連接部45B是根據與薄膜電晶體14的汲極電極的位置的關係而設置，因此並非一定要以自作為一端側的第一邊45A向第一方向X的相反側延伸的方式設置，只要對應於薄膜電晶體14的汲極電極的位置來設置即可（參照圖4（b））。
其次，關於如上所述的第一電極部40，一邊說明表示模擬結果的圖7～圖12等，一邊對第一電極部40的各部的尺寸等進行更詳細的說明。 首先，最初對圖7～圖12中記載的L1、L2、L3、θ、響應時間及透過率進行簡單說明後，對第一電極部40的各部的尺寸等進行說明。 圖5是對應於圖3的第一電極部40的平面圖，且是用於說明表示模擬結果的圖7～圖12的圖表中所使用的參數等的圖。
圖7～圖12的圖表中記載的L1是指圖5所示的第三導電部43A及第四導電部44的沿第一方向X的長度，圖7～圖12的圖表中記載的L2是指第一導電部42A的沿第一方向X的長度。
另外，圖7～圖12的圖表中記載的L3是指自圖5所示的作為第二導電部42B的一端側的彎曲部42BA至位於第一方向X側的另一端42BB的長度，即，使＜字形狀的第二導電部42B成對的其中一邊及另一邊的長度。 此外，使第一導電部42A、第二導電部42B成對的其中一邊及另一邊、第三導電部43A及第四導電部44的寬度均設為2.50 μm。 其中，若使第一導電部42A、第二導電部42B成對的其中一邊及另一邊、第三導電部43A及第四導電部44的寬度變粗，則第一電極部40的未設置導電圖案的部分的比例變少，有透過率下降之虞，因此寬度較佳為1.00 μm～4.00 μm左右。
進而，圖7～圖12的圖表中記載的θ是指第二導電部42B的＜字形狀的打開角度的一半的角度。 即，在θ=30度的情況下，表示＜字形狀的打開角度為60度。
圖6是用於說明圖7～圖9的響應時間的定義的圖，縱軸表示透過液晶顯示元件1的光量（歸一化光量），橫軸表示經過時間。 此外，所謂歸一化光量，是以將透過液晶顯示元件1的光的光量穩定的狀態（參照平穩時光量QL的線）設為100%的方式歸一化的光量。
圖6所示的透過液晶顯示元件1的光量的變化中示出開始邊緣電場的施加，並在透過液晶顯示元件1的光量達到穩定的狀態（參照平穩時光量QL的線）後，停止邊緣電場的施加，直至所透過的光量變少的狀態。
並且，一般而言，響應時間多是以透過液晶顯示元件1的光量穩定的狀態（平穩時光量QL）為基準，由平穩時光量QL自10%變化為90%之間所需的時間來進行評價，因此圖7～圖9的響應時間也是據此進行評價。
具體而言，如圖6所示，電場施加時的響應時間T1是將開始邊緣電場的施加，而透過液晶顯示元件1的光量達到平穩時光量QL的10%（參照平穩時光量QL的10%線）時作為動作起始點，將達到平穩時光量QL的90%（參照平穩時光量QL的90%線）時作為動作結束點，動作起始點至動作結束點的經過時間。
另外，電場停止時的響應時間T2是將停止邊緣電場的施加，而透過液晶顯示元件1的光量達到平穩時光量QL的90%（參照平穩時光量QL的90%線）時作為動作起始點，將達到平穩時光量QL的10%（參照平穩時光量QL的10%線）時作為動作結束點，動作起始點至動作結束點的經過時間。
並且，如圖6所示，電場施加時的響應時間T1與電場停止時的響應時間T2不同，因此，圖7～圖9中記載的響應時間設為將所述響應時間T1與響應時間T2合計所得的響應時間（=響應時間T1+響應時間T2）。
另一方面，圖10～圖12的透過率表示自液晶顯示元件1出射的光的出射光強度相對於入射至液晶顯示元件1的光的入射光強度的百分比。
其次，參照表示模擬結果的圖7～圖9來對響應時間與第一電極部40的各部的尺寸等的關係進行說明。 圖7是表示與響應時間相關的模擬結果的第一圖表，將L1及L3固定為8.00 μm，將縱軸設為L2/L1比，將橫軸設為θ來表示響應時間。 此外，由於L1=8.00 μm，因此縱軸表示由L2變化而得出的L2/L1比，縱軸的最下方為0.75，最上方為1.25。
如圖7所示，可知不論L2/L1比如何變化，在任一L2/L1比的位置均有若θ變小則響應時間變短的傾向。 例如，圖13中示出比較用的現有FFS方式的畫素電極的一例，所述畫素電極中，在將＜字形狀的各導電部100的寬度W1設為2.50 μm，並且將導電部100間的隔開距離D1設為4.00 μm的情況下，響應時間為26.00 ms以上。
並且，如圖7所示，當L2/L1比為0.75～1.25的範圍且θ為60度以下時，響應時間大致處於20.50 ms以內，因此，可知與比較用的現有FFS方式的畫素電極的情況相比，響應時間改善了20%以上。
圖8是表示與響應時間相關的模擬結果的第二圖表，將L2/L1比固定為1.00，將縱軸設為L1及L3的長度，將橫軸設為θ來表示響應時間。 此外，L2/L1比為1.00，因此縱軸表示L1、L2及L3的長度。
如圖8所示，可知不論L1、L2及L3的長度如何變化，在任一L1、L2及L3的長度的位置均有若θ變小則響應時間變短的傾向。 另外，可知不論θ如何，在任一θ的位置均有若L1、L2及L3的長度變小則響應時間變短的傾向。
並且，當L1、L2及L3的長度為10.00 μm以下的範圍且θ為60度以下時，響應時間大致處於20.00 ms以內，因此，可知與比較用的現有FFS方式的畫素電極的情況相比，響應時間改善了20%以上。
圖9是表示與響應時間相關的模擬結果的第三圖表，將θ固定為45度，將縱軸設為L2/L1比，將橫軸設為L1及L3的長度來表示響應時間。 此外，縱軸的最下方為0.75，最上方為1.25。
如圖9所示，在θ為45度的情況下，當L2/L1比為0.75～1.25的範圍且L1及L3的長度為6.00 μm～10.00 μm的範圍時，響應時間大致處於19.75 ms以內，因此，可知與比較用的現有FFS方式的畫素電極的情況相比，響應時間改善了24%以上。
並且，如上文所見而可知，有若θ變小則響應時間變短的傾向，另外，有若L1、L2及L3的長度變小則響應時間變短的傾向。
因此，可知若L2/L1比為1.25以下，L1及L3的長度為10.00 μm以下及θ為45度以下，則與比較用的現有FFS方式的畫素電極的情況相比，可獲得24%以上的響應時間的改善。
根據以上所述，從響應時間的方面來看，L1、L2及L3分別較佳為10.00 μm以下，更佳為9.50 μm以下，進而更佳為9.00 μm以下。 另外，從響應時間的方面來看，L2/L1比較佳為1.25以下，更佳為1.20以下，進而更佳為1.10以下。 進而，從響應時間的方面來看，θ較佳為60度以下，更佳為45度以下，進而更佳為35度以下。
其次，參照表示模擬結果的圖10～圖12來對透過率與第一電極部40的各部的尺寸等的關係進行說明。 圖10是表示與透過率相關的模擬結果的第一圖表，將L1及L3固定為8.00 μm，將縱軸設為L2/L1比，將橫軸設為θ來表示透過率。 此外，由於L1=8.00 μm，因此縱軸表示由L2變化而得出的L2/L1比，縱軸的最下方為0.75，最上方為1.25。
如圖10所示，可知不論L2/L1比如何變化，在任一L2/L1比的位置均有若θ變小則透過率變高的傾向。
另一方面，將作為本實施形態的變形例的畫素電極的例子示於圖14。 根據圖14可知，所述變形例的畫素電極中，以下方面也相同，即，包括：與上文所說明的第一實施形態的第一基本電極部42所具有的、在沿第一基板10（參照圖1）的基板面的第一方向X上延伸且在與第一方向X正交的第二方向Y上隔開的一對第一導電部42A相對應的部分；以及與第一實施形態的第二基本電極部43所具有的、自作為第一基本電極部42的開口側的開口部OP的附近向第一方向X延伸的第三導電部43A相對應的部分。
例如，若作為具體的維度（dimension）的一例而將各導電部110的寬度W2（參照圖14）設為2.50 μm，並且將導電部110間的隔開距離D2（參照圖14）設為4.00 μm，則所述圖14所示的變形例的畫素電極中，就響應時間的方面而言也可獲得較圖13所示的比較用的現有FFS方式的畫素電極更短的響應時間。
其中，如圖14所示，在第一實施形態的第二導電部42B所對應的部分呈直線狀的情況下，透過率為20%以下，在像第一實施形態那樣包括＜字形狀的第二導電部42B的情況下，可獲得更高的透過率，因此，從透過率的觀點來看，更佳為像第一實施形態那樣包括＜字形狀的第二導電部42B。
以下，對第一實施形態的包括＜字形狀的第二導電部42B的情況下可獲得哪種程度的透過率等進行具體說明。 如圖10所示，可知當L2/L1比為0.75～1.25的範圍且θ為60度以下時，透過率為大致40%以上，可獲得高透過率。
另外，圖11是表示與透過率相關的模擬結果的第二圖表，將L2/L1比固定為1.00，將縱軸設為L1及L3的長度，將橫軸設為θ來表示透過率。 此外，L2/L1比為1.00，因此縱軸表示L1、L2及L3的長度。
如圖11所示，可知L1、L2及L3的長度長且θ小則有透過率變高的傾向。 另外，可知在圖11所示的L1、L2及L3的長度為6.00 μm～10.00 μm且θ為30度～60度的範圍內，透過率仍為大致40%以上，可獲得高透過率。
進而，圖12是表示與透過率相關的模擬結果的第三圖表，將θ固定為45度，將縱軸設為L2/L1比，將橫軸設為L1及L3的長度來表示透過率。 此外，縱軸的最下方為0.75，最上方為1.25。
根據圖12可知，在θ為45度的情況下，在L1及L3的長度為8.00 μm～9.50 μm的範圍，且L2/L1比為1.00～1.20的範圍內有透過率變高的範圍。
其中，若結合圖11所示的透過率的傾向來考慮，則認為若θ變小，則所述透過率變高的範圍在L1、L2及L3的長度變長的方向上發生位移。
另外，根據圖12可理解到：即使L1及L3短至6.00 μm且L2/L1比小至0.75，L2短至4.50 μm（=6.00 μm×0.75），透過率依然超過40%，可知可獲得高透過率。
根據以上所述，從透過率的方面來看，L1、L2及L3分別較佳為6.00 μm以上，更佳為7.00 μm以上，進而更佳為8.00 μm以上。 其中，根據圖12的傾向，認為若L1及L3為15.00 μm左右，則預測呈與L1及L3為6.00 μm的情況相同的狀態，因此宜將L1及L3設為15.00 μm以下。
另外，根據圖12的傾向，認為若L2/L1比超過1.40，則預測呈與L2/L1比為0.75以下的情況相同的狀態，因此宜將L2/L1比設為1.40以下。
此外，圖12的L2/L1比是以L1的長度為基準而使L2的長度變化時的比，首先，像根據圖12的傾向所說明那樣，認為若L2/L1比的範圍為0.75～1.40，則可獲得良好的結果。 並且，在L2/L1比為0.75的情況下，L2短於L1及L3的長度，在L2/L1比為1.40的情況下，L2長於L1及L3的長度，若考慮在所述情況下也可獲得良好的結果，則使L2至少為與L1及L3中良好的長度相同的範圍便無問題。 因此，認為將L2也設為15.00 μm以下便足夠。
另一方面，關於θ，呈與響應時間時相同的傾向，因此，從透過率的方面來看，θ較佳為60度以下，更佳為45度以下，進而更佳為35度以下。
若考慮如上的第一電極部40的各部的尺寸等與響應時間及透過率的關係，則就響應時間的觀點而言，L1、L2及L3的各自的長度的上限較佳為10.00 μm以下，更佳為9.50 μm以下，進而更佳為9.00 μm以下。
另一方面，就透過率的觀點而言，L1、L2及L3的各自的長度的下限較佳為6.00 μm以上，更佳為7.00 μm以上，進而更佳為8.00 μm以上。
另外，關於θ，就響應時間及透過率的兩觀點而言呈相同的傾向，較佳為60度以下，更佳為45度以下，進而更佳為35度以下。 其中，當θ過小時，若考慮一對第一導電部42A間的隔開距離消失，則作為下限，較佳為預先設為20度以上。
其次，當施加邊緣電場時，根據液晶層30的液晶分子以哪種方式旋轉等來對響應時間及透過率進行說明。 圖15是用於說明在第一電極部40與第二電極部12之間產生電位差，且產生邊緣電場時的液晶分子的狀態的圖。
圖15中，以細箭頭f1及細箭頭f2來表示產生邊緣電場時的電場的狀態，並以粗箭頭R來表示當產生邊緣電場時液晶層30的液晶分子沿由X軸及Y軸所規定的平面轉動的方向。 此外，箭頭f1、箭頭f及箭頭R僅在一部分圖示，其他部分也相同。
如圖15所示，由第二方向Y的一對第一導電部42A及與所述一對第一導電部42A相連的＜字形狀的第二導電部42B所包圍的區域中，以沿著穿過第二導電部42B的彎曲部42BA的第一方向X的直線（參照虛線Lx）為基準，第二方向Y側的區域及第二方向Y的相反側的區域的液晶分子如粗箭頭R所示，均以向沿著穿過第二導電部42B的彎曲部42BA的第一方向X的直線（參照虛線Lx）側轉動的方式活動。 因此，相對流動方向成為相同的方向，因而液晶分子間的摩擦電阻變小。
另外，從第二方向Y的一對第三導電部43A側來看，由第二方向Y的一對第三導電部43A、與位於第三導電部43A的第一方向X側且在第二方向Y上鄰接的第二導電部42B的其中一邊42B1及第二導電部42B的另一邊42B2所包圍的區域中，在第二方向Y側（下側）的區域及第二方向Y的相反側（上側）的區域，液晶分子仍然如粗箭頭R所示，相對流動方向成為相同的方向，因而液晶分子間的摩擦電阻變小。
如上所述，本實施形態中，主要從液晶分子轉動的各部分來看，液晶分子間的摩擦電阻變小，因而液晶分子可順利地旋轉，響應時間變短。
另一方面，箭頭f2所示的電場是藉由第二方向Y的一對第一導電部42A中產生的電場及與所述一對第一導電部42A相連的＜字形狀的第二導電部42B中產生的電場的合成來決定方向，如圖15所示，朝向使液晶分子更大幅旋轉的方向。 因此，可使液晶分子大幅旋轉，因而能夠提高透過率。 此外，藉由此種＜字形狀的第二導電部42B的作用，可使液晶分子的指向性的一致度也變佳，而能夠更進一步提高透過率。
另外，第二方向Y的一對第三導電部43A側的箭頭f2所示的電場也是藉由第二方向Y的一對第三導電部43A中產生的電場、與位於與其相連的第三導電部43A的第一方向X側且在第二方向Y上鄰接的第二導電部42B的其中一邊42B1及第二導電部42B的另一邊42B2中產生的電場的合成來決定方向，如圖15所示，朝向使液晶分子更大幅旋轉的方向。
因此，可使液晶分子大幅旋轉，因而能夠提高透過率。 另外，在第二方向Y上鄰接的第二導電部42B的其中一邊42B1及第二導電部42B的另一邊42B2構成與將第二方向Y上的一對第三導電部43A相連的第二導電部42B的朝向為反方向的反＜字形狀的導電部，藉由此種反＜字形狀的導電部的作用，可使液晶分子的指向性的一致度也變佳，而能夠更進一步提高透過率。
例如，在不僅利用＜字形狀的第二導電部42B，而且利用沿第二方向Y的直線來連結第二方向Y上的一對第一導電部42A的各自的其中一端42AA的情況下，箭頭f2所示的電場的方向相對於第一導電部42A的角度δ為45度左右。
但是，若像本實施形態這樣，利用＜字形狀的第二導電部42B來連結第二方向Y上的一對第一導電部42A的各自的其中一端42AA，則由箭頭f2所表示的電場的方向可具有大於45度的角度δ，因此可使液晶分子大幅旋轉，可獲得高透過率。 此外，關於第二方向Y上的一對第三導電部43A中的由箭頭f2所表示的電場，也同樣如此。
並且，＜字形狀的第二導電部42B的打開角度越小，所述角度δ便可越大，因此，像上文所述的模擬那樣，θ越小則可使透過率越高。
如上所述，若為本實施形態的第一電極部40，則可獲得較現有FFS方式的畫素電極更短的響應時間，並且可獲得高透過率。
[實施例] 其次，將上文所說明的組成物M30與組成物M31實際應用於液晶層30中來實測響應時間，並在下文中將所得的結果記載為第一實施例及第二實施例。 此外，像參照圖6所說明那樣，將電場施加時的響應時間設為響應時間T1，將電場停止時的響應時間設為響應時間T2，將它們的合計簡稱為響應時間（=響應時間T1+響應時間T2）。
[第一實施例] 在液晶層30使用組成物M30，且將第一電極部40（參照圖1～圖3）作為畫素電極的本實施形態的液晶顯示元件1的情況下，電場施加時的響應時間T1為4.25 ms，電場停止時的響應時間T2為3.46 ms，它們合計的響應時間（=響應時間T1+響應時間T2）為7.71 ms。
另一方面，在為了進行比較而將畫素電極變更為圖13所示的現有FFS方式的畫素電極，除此以外相同的液晶顯示元件的情況下，電場施加時的響應時間T1為10.84 ms，電場停止時的響應時間T2為9.53 ms，它們合計的響應時間（=響應時間T1+響應時間T2）為20.37 ms。
[第二實施例] 在液晶層30使用組成物M31，且將第一電極部40（參照圖1～圖3）作為畫素電極的本實施形態的液晶顯示元件1的情況下，電場施加時的響應時間T1為2.69 ms，電場停止時的響應時間T2為3.47 ms，它們合計的響應時間（=響應時間T1+響應時間T2）為6.16 ms。
另一方面，在為了進行比較而將畫素電極變更為圖13所示的現有FFS方式的畫素電極，除此以外相同的液晶顯示元件的情況下，電場施加時的響應時間T1為31.78 ms，電場停止時的響應時間T2為24.81 ms，它們合計的響應時間（=響應時間T1+響應時間T2）為56.59 ms。
並且，像根據第一實施例及第二實施例的結果可知那樣，在實際的實測值中同樣可知，若為本實施形態的液晶顯示元件1的電極結構，則與現有FFS方式的電極結構的情況相比，響應時間（電場施加時的響應時間T1、電場停止時的響應時間T2及它們合計的響應時間）大幅變短，性能提升。
（第二實施形態） 第一實施形態中，對第一電極部40為畫素電極，第二電極部12為共通電極的情況進行了說明，第二實施形態中，對第一電極部40為共通電極，第二電極部12為畫素電極的情況進行說明。
第二實施形態中，基本構成也與第一實施形態相同，因此省略對與第一實施形態相同的部分的說明，主要對不同的部分進行說明。
圖16是本發明的第二實施形態的液晶顯示元件1的局部剖面圖，是對應於圖1的圖。 圖17是用於說明本發明的第二實施形態的液晶顯示元件1的電極結構的平面圖，是對應於圖2的圖。
此外，圖16及圖17與圖1及圖2同樣地是與液晶顯示元件1的畫素RGB中的一個的一部分所對應的子畫素相對應的圖，圖16是圖17的A-A線所對應的位置的液晶顯示元件1的剖面圖。
第二實施形態中，如圖16所示，將位於靠近第一基板10側的第二電極部12作為畫素電極，因此，如圖17所示，第二電極部12電連接於薄膜電晶體14的汲極電極。
並且，所述情況下，即使不設置通孔VH（參照圖2），也能夠將第二電極部12電連接於薄膜電晶體14的汲極電極，因此省略通孔VH。
另一方面，第二實施形態中，如圖17所示，將第一電極部40作為共通電極且電連接於共通電極線16，在此情況下同樣地，不設置通孔VH而只要在進行電連接的位置設置共通電極線16即可，因此不需要通孔VH。
並且，像第二實施形態這樣，在將第一電極部40作為共通電極，將第二電極部12作為畫素電極的情況下，所產生的邊緣電場的狀態也與第一實施形態相同，因此可發揮與第一實施形態相同的效果。
而且，像第一實施形態中所述那樣，無需在每個子畫素設置共通電極。 因此，可將第一電極部40設置在各單個畫素區域的單位，或如圖18所示，設置在各多個畫素區域的單位或所有畫素區域的單位（此時第一電極部40為一個）。
如上所述，在第一電極部40與第二電極部12在自第一基板10向液晶層30側的Z軸方向、即液晶顯示元件1的厚度方向（以下也稱為厚度方向Z）上隔開而層疊的構成中，只要第一電極部40及第二電極部的其中一個為畫素電極，另一個為共通電極即可。
（第三實施形態） 所述第一實施形態及第二實施形態中，對第一電極部40與第二電極部12在厚度方向Z上隔開的情況進行了說明。 但是，無需限定為第一電極部40與第二電極部12在厚度方向Z上隔開，也可在第一方向X上隔開。
因此，第三實施形態中，對使第一電極部40與第二電極部12在第一方向X上隔開的情況進行說明。 此外，第三實施形態中，整體構成也與第一實施形態及第二實施形態相同，因此省略對與第一實施形態及第二實施形態相同的方面的說明，主要是僅對不同點進行說明。
第一實施形態及第二實施形態中，如圖1及圖16所示，在絕緣層17上設置第二電極部12，以覆蓋所述第二電極部12的方式設置絕緣層18，在所述絕緣層18上設置第一電極部40，進而以覆蓋第一電極部40的方式設置第一配向膜19。
但是，第三實施形態中，如上所述，使第一電極部40及第二電極部12在第一方向X上隔開而配置，因此無需在厚度方向Z上隔開來配置第一電極部40與第二電極部12。
因此，第三實施形態中為如下構成，即，在圖1及圖16所示的絕緣層17上設置第一電極部40及第二電極部12，並且以覆蓋所述第一電極部40及第二電極部12的方式設置第一配向膜19，省略了絕緣層18，從這點來看，在厚度方向Z上觀察時不同。
並且，若以在第一方向X上排列的方式配置第一電極部40及第二電極部12，則成為IPS方式的橫電場，而非FFS方式的橫電場（邊緣電場）。
但是，只要在第一電極部40與第二電極部12至少形成與第一實施形態及第二實施形態的基本電極部41類似的導電圖案，而不將第二電極部12設為整體電極，便可使對液晶層30的液晶分子施加的電場的狀態與第一實施形態及第二實施形態類似，因此可發揮與第一實施形態及第二實施形態相同的效果。 以下，對第一電極部40及第二電極部12進行具體說明。
圖19是用於說明本發明的第三實施形態的液晶顯示元件1的電極結構的平面圖。 如圖19所示，第一電極部40具有至少一個第一基本電極部42，第二電極部具有至少一個第二基本電極部43。
並且，第一基本電極部42與第一實施形態及第二實施形態同樣地，包括在沿第一基板10（參照圖1及圖16）的基板面的第一方向X上延伸且在與第一方向X正交的第二方向Y上隔開的一對第一導電部42A。 另外，第一基本電極部42與第一實施形態及第二實施形態同樣地，包括＜字形狀的第二導電部42B，所述第二導電部42B具有與一對第一導電部42A的各自的其中一端42AA連接的一對另一端42BB，且在第一導電部42A的延伸方向的相反方向上具有作為＜字形狀的一端的彎曲部42BA。 此外，與第一實施形態中所述同樣地，第二導電部42B較佳為＜字形狀，但並不限定於此。
另一方面，第二基本電極部43與第一實施形態及第二實施形態同樣地，包括第三導電部43A，所述第三導電部43A自作為第一基本電極部42的開口側的開口部OP的附近向第一方向X延伸。
此外，圖19中，第三導電部43A以第三導電部43A的其中一端43AA較開口部OP而略微位於開口部OP內（靠近第一基板電極部42）的方式設置，關於這一點，如第一實施形態中所述，第三導電部43A也可以第三導電部43A的其中一端43AA在第一方向X上與開口部OP略微隔開的方式設置。
另外，本實施形態中，第一電極部40在第二方向Y上包括多個第一基本電極部42（具體而言為三個第一基本電極部42），第二方向Y上任意的相鄰的第一基本電極部42共有一對第一導電部42A中位於第一基本電極部42之間的第一導電部42A（參照斜陰影部分），這一點也與第一實施形態及第二實施形態相同。
另一方面，從第二電極部12來看，本實施形態中，第二電極部12也在第二方向Y上包括與第一基本電極部42相對應的多個第二基本電極部43（具體而言為三個第二基本電極部43的第三導電部43A），與第一實施形態及第二實施形態的第二基本電極部43的第三導電部43A為相同的構成。
進而，第二基本電極部43包括與第一基本電極部42為相同構成的附加電極部43AD。
具體而言，附加電極部43AD包括一對第四導電部43B以及與第一基本電極部43的第二導電部42B相同的＜字形狀的第五導電部43C，所述一對第四導電部43B設置在第三導電部43A的第一方向X側，且與第一基本電極部42的第一導電部42A同樣在第二方向Y上隔開，所述第五導電部43C具有與一對第四導電部43B的各自的其中一端43BA連接的一對另一端43CB，且在第一方向X的相反方向上具有供第三導電部43A的另一端43AB連接的作為＜字形狀的一端的彎曲部43CA。 此外，第五導電部43C也較佳為＜字形狀，但並不限定於此。
並且，在附加電極部43AD在第二方向Y上存在多個的情況（圖19中為存在三個的情況）下，與第一基本電極部42同樣地，第二方向Y上任意的相鄰的附加電極部43AD共有一對第四導電部43B中位於附加電極部43AD之間的第四導電部43B（參照交叉線陰影部）。
另一方面，從第一電極部40來看，本實施形態中，第一基本電極部42包括第六導電部42C，所述第六導電部42C與自第二導電部42B的彎曲部42BA向第一方向X的相反方向延伸的第一實施形態及第二實施形態的第四導電部44相同。
並且，本實施形態中，以使第二基本電極部43位於其間的方式在第一方向X上重複設置第一基本電極部42。 此外，圖19中，示出第一基本電極部42重複一次的情況，所述重複數只要根據子畫素所要求的面積來決定即可。
另外，第一電極部40只要具有至少一個具有一對第一導電部42A及一個第二導電部42B的第一基本電極部42即可，且第二電極部12只要具有與第一基本電極部42相對應的第二基本電極部43的第三導電部43A即可，在第二方向Y上設置幾個只要根據子畫素所要求的面積來決定即可。 其中，當第二基本電極部43的第三導電部43A在第二方向Y上存在多個時，為了將這些第三導電部43A電連接，只要設置第五導電部43C即可。
並且，第一電極部40包括L字形狀的連接導電部45，所述連接導電部45將由第一導電部42A、第二導電部42B及第六導電部42C所形成的導電圖案電連接。 另外，連接導電部45包括自作為一端側的第一邊45A向第一方向X的相反側延伸的連接部45B，所述連接部45B電連接於薄膜電晶體14的汲極電極，由此第一電極部40為畫素電極。
另一方面，第二電極部12電連接於共通電極線16，由此第二電極部12為共通電極。
在為如上所述的構成的情況下，因第一電極部40與第二電極部12之間的電位差而產生的橫電場呈與參照圖15而說明的第一實施形態的電場類似的狀態，可發揮與第一實施形態及第二實施形態相同的效果。
此外，本實施形態中，示出第一電極部40為畫素電極且第二電極部12為共通電極的情況，將第一電極部40作為共通電極，將第二電極部12作為畫素電極時，所產生的橫電場的狀態也與本實施形態相同，因此可發揮與第一電極部40為畫素電極且第二電極部12為共通電極的情況相同的效果。
因此，只要使第一電極部40或第二電極部12的其中一個為畫素電極，且使第一電極部40或第二電極部12的另一個為共通電極即可。
以上基於具體的實施形態對本發明的液晶顯示元件1進行了說明，但本發明並不限定於具體的實施形態，適當實施變形或改良者也包含於本發明的技術範圍內，本領域技術人員可藉由申請專利範圍中的記載而明瞭所述情況。
1‧‧‧液晶顯示元件 10‧‧‧第一基板 11‧‧‧第一偏振片（偏振器） 12‧‧‧第二電極部 13‧‧‧數據線 14‧‧‧薄膜電晶體 15‧‧‧閘極線 16‧‧‧共通電極線 17、18‧‧‧絕緣層 19‧‧‧第一配向膜 20‧‧‧第二基板 21‧‧‧第二偏振片（檢偏器） 22‧‧‧色層 23‧‧‧黑色矩陣 24‧‧‧平坦化膜 25‧‧‧第二配向膜 30‧‧‧液晶層 40‧‧‧第一電極部 41‧‧‧基本電極部 42‧‧‧第一基本電極部 42A‧‧‧第一導電部 42AA‧‧‧其中一端 42B‧‧‧第二導電部 42B1、42B2‧‧‧邊 42BA‧‧‧彎曲部 42BB‧‧‧另一端 42C‧‧‧第六導電部 43‧‧‧第二基本電極部 43A‧‧‧第三導電部 43AA‧‧‧其中一端 43AB‧‧‧另一端 43AD‧‧‧附加電極部 43B‧‧‧第四導電部 43BA‧‧‧其中一端 43C‧‧‧第五導電部 43CA‧‧‧彎曲部 43CB‧‧‧另一端 44‧‧‧第四導電部 45‧‧‧連接導電部 45A‧‧‧第一邊 45B‧‧‧連接部 100‧‧‧導電部 110‧‧‧導電部 D1、D2‧‧‧距離 f1、f2‧‧‧細箭頭 L1、L2、L3‧‧‧長度 Lx‧‧‧虛線 W1、W2‧‧‧寬度 OP‧‧‧開口部 R‧‧‧粗箭頭 S‧‧‧虛線的圓圈部分 T1、T2‧‧‧響應時間 VH‧‧‧通孔 X‧‧‧第1方向 Y‧‧‧第2方向 Z‧‧‧厚度方向 θ、δ‧‧‧角度
圖1是本發明的第一實施形態的液晶顯示元件的局部剖面圖。 圖2是用於說明本發明的第一實施形態的液晶顯示元件的電極結構的平面圖。 圖3是表示本發明的第一實施形態的第一電極部的平面圖。 圖4（a）是表示本發明的第一實施形態的第一電極部的連接導電部的變形例的平面圖。 圖4（b）是表示本發明的第一實施形態的第一電極部的連接導電部的變形例的平面圖。 圖5是對應於圖3的第一電極部的平面圖，且是用於說明表示模擬結果的圖7～圖12的圖表中所使用的參數等的圖。 圖6是用於說明圖7～圖9的響應時間的定義的圖。 圖7是表示與本發明的第一實施形態的響應時間相關的模擬結果的第一圖表。 圖8是表示與本發明的第一實施形態的響應時間相關的模擬結果的第二圖表。 圖9是表示與本發明的第一實施形態的響應時間相關的模擬結果的第三圖表。 圖10是表示與本發明的第一實施形態的透過率相關的模擬結果的第一圖表。 圖11是表示與本發明的第一實施形態的透過率相關的模擬結果的第二圖表。 圖12是表示與本發明的第一實施形態的透過率相關的模擬結果的第三圖表。 圖13是表示比較用的現有FFS方式的畫素電極的一例的圖。 圖14是表示作為本發明的第一實施形態的變形例的畫素電極的例子的圖。 圖15是用於說明在本發明的第一實施形態的第一電極部與第二電極部之間產生電位差，且產生邊緣電場時的液晶分子的狀態的圖。 圖16是本發明的第二實施形態的液晶顯示元件的局部剖面圖。 圖17是用於說明本發明的第二實施形態的液晶顯示元件的電極結構的平面圖。 圖18是示意性表示在各多個畫素區域的單位或所有畫素區域的單位設置本發明的第二實施形態的第一電極部的情況的平面圖。 圖19是用於說明本發明的第三實施形態的液晶顯示元件的電極結構的平面圖。
Figure 108114744-A0101-11-0002-1
40‧‧‧第一電極部
41‧‧‧基本電極部
42‧‧‧第一基本電極部
42A‧‧‧第一導電部
42AA‧‧‧其中一端
42B‧‧‧第二導電部
42BA‧‧‧彎曲部
42BB‧‧‧另一端
43‧‧‧第二基本電極部
43A‧‧‧第三導電部
43AA‧‧‧其中一端
43AB‧‧‧另一端
44‧‧‧第四導電部
45‧‧‧連接導電部
45A‧‧‧第一邊
45B‧‧‧連接部
OP‧‧‧開口部
S‧‧‧虛線的圓圈部分
X‧‧‧第1方向
Y‧‧‧第2方向
Z‧‧‧厚度方向

Claims (14)

  1. 一種液晶顯示元件，其特徵在於：在相向的第一基板與第二基板之間具有液晶層，在所述第一基板上具有第一電極部及第二電極部，所述第二電極部是介隔絕緣層而較所述第一電極部更靠第一基板側設置的整體電極，且所述第一電極部及所述第二電極部的其中一個為畫素電極，另一個為共通電極，所述第一電極部包括至少一個基本電極部，所述基本電極部包括第一基本電極部及第二基本電極部，所述第一基本電極部包括在沿基板面的第一方向上延伸且在與第一方向正交的第二方向上隔開的一對第一導電部，以及直線狀、或在所述第一導電部的延伸方向的相反方向上具有彎曲部的<字形狀的第二導電部，所述第二導電部具有與所述一對第一導電部的各自的其中一端連接的一對另一端，所述第二基本電極部包括自所述第一基本電極部的開口部的附近向第一方向延伸的第三導電部，所述液晶層中所含的液晶組成物含有選自式(1)所表示的化合物中的至少一種化合物作為第一成分，
    Figure 108114744-A0305-02-0115-1
     式(1)中，R1及R2為碳數1~12的烷基、碳數1~12的烷氧基、碳數2~12的烯基、或至少一個氫經氟或氯取代的碳數2~12的烯基；環A及環B為1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基或2,5-二氟-1,4-伸苯基；Z1為單鍵、伸乙基、伸乙烯基、亞甲氧基或羰氧基；a為1、2或3。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的液晶顯示元件，其中所述第一基本電極部包括<字形狀的第二導電部，所述第二導電部具有與所述一對第一導電部的各自的其中一端連接的一對另一端，且在所述第一導電部的延伸方向的相反方向上具有彎曲部。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的液晶顯示元件，其中所述第一電極部在第一方向上包括多個所述基本電極部，第一方向上任意的相鄰的所述基本電極部在所述第三導電部的另一端與所述第二導電部的所述彎曲部連接。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的液晶顯示元件，其中所述第一電極部在第二方向上包括多個所述基本電極部，第二方向上任意的相鄰的所述基本電極部共有所述一對第一導電部中位於所述基本電極部之間的所述第一導電部。
  5. 如申請專利範圍第2項所述的液晶顯示元件，其中配置於末端的所述第一基本電極部更包括第四導電部，所述第四導電部自所述第二導電部的所述彎曲部向第一方向的相反方向延伸。
  6. 如申請專利範圍第2項所述的液晶顯示元件，其更包括：設置在配置於末端的所述第二基本電極部的第一方向上，且 使所述第二導電部的所述彎曲部與配置於末端的所述第二基本電極部的所述第三導電部的另一端連接的所述第一基本電極部。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的液晶顯示元件，其含有選自式(1-1)~式(1-13)所表示的化合物中的至少一種化合物作為第一成分，
    Figure 108114744-A0305-02-0118-2
    Figure 108114744-A0305-02-0118-3
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    Figure 108114744-A0305-02-0118-16
     式(1-1)~式(1-13)中，R1及R2為碳數1~12的烷基、碳數1~12的烷氧基、碳數2~12的烯基、或至少一個氫經氟或氯取代的碳數2~12的烯基。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的液晶顯示元件，其中第一成分的比例為10質量%~90質量%的範圍。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的液晶顯示元件，其含有選自式(2)所表示的化合物的群組中的至少一種化合物作為第二成分，
    Figure 108114744-A0305-02-0119-17
     式(2)中，R3為碳數1~12的烷基、碳數1~12的烷氧基或碳數2~12的烯基；環C為1,4-伸環己基、1,4-伸苯基、2-氟-1,4-伸苯基、2,3-二氟-1,4-伸苯基、2,6-二氟-1,4-伸苯基、嘧啶-2,5-二基、1,3-二噁烷-2,5-二基或四氫吡喃-2,5-二基；Z2為單鍵、伸乙基、伸乙烯基、亞甲氧基、羰氧基或二氟亞甲氧基；X1及X2獨立地為氫或氟；Y1為氟、氯、至少一個氫經氟或氯取代的碳數1~12的烷基、至少一個氫經氟或氯取代的碳數1~12的烷氧基、或至少一個氫經氟或氯取代的碳數2~12的烯氧基；b為1、2、3或4。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的液晶顯示元件，其含有選自式(2-1)~式(2-35)所表示的化合物的群組中的至少一種化合物作為第二成分，
    Figure 108114744-A0305-02-0121-18
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    Figure 108114744-A0305-02-0124-57
     式(2-1)~式(2-35)中，R3為碳數1~12的烷基、碳數1~12的烷氧基、或碳數2~12的烯基。
  11. 如申請專利範圍第9項所述的液晶顯示元件，其中第二成分的比例為10質量%~85質量%的範圍。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的液晶顯示元件，其含有選自式(3)所表示的化合物的群組中的至少一種化合物作為第三成分，
    Figure 108114744-A0305-02-0125-58
     式(3)中，R4及R5為氫、碳數1~12的烷基、碳數1~12的烷氧基、碳數2~12的烯基、或碳數2~12的烯氧基；環D及環F為1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基、四氫吡喃-2,5-二基、1,4-伸苯基、至少一個氫經氟或氯取代的1,4-伸苯基、萘-2,6-二基、至少一個氫經氟或氯取代的萘-2,6-二基、色原烷-2,6-二基、或至少一個氫經氟或氯取代的色原烷-2,6-二基；環E為2,3-二氟-1,4-伸苯基、2-氯-3-氟-1,4-伸苯基、2,3-二氟-5-甲基-1,4-伸苯基、3,4,5-三氟萘-2,6-二基、7,8-二氟色原烷-2,6-二基、3,4,5,6-四氟茀-2,7-二基、4,6-二氟二苯並呋喃-3,7-二基、4,6-二氟二苯並噻吩-3,7-二基或1,1,6,7-四氟茚烷-2,5-二基；Z3及Z4為單鍵、伸乙基、伸乙 烯基、亞甲氧基或羰氧基；c為0、1、2或3，d為0或1，並且c及d的和為3以下。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的液晶顯示元件，其含有選自式(3-1)~式(3-35)所表示的化合物中的至少一種化合物作為第三成分，
    Figure 108114744-A0305-02-0127-59
    Figure 108114744-A0305-02-0127-60
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    Figure 108114744-A0305-02-0130-94
     式(3-1)~式(3-35)中，R4及R5為氫、碳數1~12的烷基、碳數1~12的烷氧基、碳數2~12的烯基、或碳數2~12的烯氧基。
  14. 如申請專利範圍第12項所述的液晶顯示元件，其中第三成分的比例為10質量%~90質量%的範圍。
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