JP2019206013A - タブ群のレーザ溶接方法 - Google Patents

Abstract

【課題】溶接部の品質を一定に保つことができるタブ群のレーザ溶接方法を提供すること。【解決手段】タブ群１８のレーザ溶接方法では、タブ群１８の積層方向一端のタブ２６より外側に導電部材１７を配置した状態で、レーザ溶接装置４０から照射されたレーザＲをタブ群１８の積層方向他端に対し照射する。ウォブリング波形に基づいてレーザＲを溶接進行方向に対し交差する方向に振幅させてウォブリングさせ、ウォブリング波形の各周期の谷部で、レーザＲの照射位置の溶融池に形成されたキーホールの撮像を撮像装置４８によって行う。撮像装置４８によって撮像されたキーホールの画像から、キーホール径を推定し、キーホール径が所望する値となるようにレーザ発振器４１をフィードバック制御する。【選択図】図４

Description

本発明は、タブ群と接合部材を溶接するタブ群のレーザ溶接方法に関する。

従来から、ＥＶ（Electric Vehicle）やＰＨＶ（Plug in Hybrid Vehicle）などの車両には、電動機などへの供給電力を蓄える蓄電装置としてリチウムイオン二次電池などが搭載されている。二次電池は、複数のシート状の正極電極と負極電極とが絶縁された状態で交互に積層された電極組立体と、該電極組立体を収容するケースとを備える。

正極電極及び負極電極は、金属箔と、金属箔の両面又は片面に存在する活物質層と、活物質層が存在せず、金属箔が露出する未塗工部とを有する。未塗工部は、例えば、金属箔の一辺から突出したタブである。電極組立体は、各極性のタブが積層されたタブ群を備える。二次電池からの電力の取り出しは、電極組立体と電気的に接続された電極端子を通して行われる。電極組立体と電極端子とは、タブ群と電極端子に導電部材を溶接によって接合する、又はタブ群と電極端子を直接接合することで電気的に接続されている。

ところで、タブ群の溶接にレーザ溶接を採用する場合、タブ群と導電部材との溶接部の品質を一定に保つため、レーザ溶接の最中に溶接状態を監視し、溶接状態に応じたフィードバック制御をレーザ溶接装置に対して行う場合がある（例えば、特許文献１参照）。

特許文献１に開示の溶接方法は、レーザ発振器で生成されたレーザを回転させながら被照射物に照射し、被照射物に形成された溶融池の画像をカメラで取得し、画像処理により溶融池の幅と長さ、面積を取得する。さらに、光センサで反射光、プラズマ、熱放射光を取得する。そして、取得された各種の情報から溶け込み深さを予測し、溶接品質を判定するとともに、レーザ出力、焦点位置の予測も行い、レーザ出力、焦点位置のフィードバック制御を行う。フィードバック制御によってレーザ出力、焦点位置を適正な値に維持することにより、溶接品質を一定に保つようにしている。

特開２０１７−１６４８０３号公報

ところで、レーザ溶接においては、溶け込みを深くしやすく、安定した溶接を行うためにレーザの走査軌道を溶接進行方向に交差する方向に振るウォブリング（又はウィービング）を行う場合が多く、特許文献１では、レーザの走査軌道を溶接進行方向に対し円形状に振りながらウォブリングを行っている。しかし、ウォブリングでは、レーザの走査軌道上の位置によって、例えばレーザの走査速度が異なるなどレーザ溶接の条件が異なってくる。レーザ溶接の条件が異なる場所で、溶融池の画像や、反射光、プラズマ、熱放射光を取得すると、取得される情報も場所毎に異なってくる。その結果、取得された情報に基づいてフィードバック制御を行っても、形成される溶接部の品質にばらつきが生じ、一定の品質を保てなくなる虞がある。

本発明の目的は、溶接部の品質を一定に保つことができるタブ群のレーザ溶接方法を提供することにある。

上記問題点を解決するためのタブ群のレーザ溶接方法は、異なる極性の電極が互いに絶縁された状態で積層され、かつ前記電極の一辺から突出した形状のタブが同じ極性同士で積層されて構成されたタブ群を、接合部材とレーザ溶接するタブ群のレーザ溶接方法であって、前記タブ群の積層方向一端の前記タブより外側に前記接合部材を配置した状態で、レーザ照射装置から照射されたレーザを前記タブ群の積層方向他端に対し照射し、ウォブリング波形に基づいて前記レーザを溶接進行方向に対し交差する方向に振幅させてウォブリングさせ、前記ウォブリング波形の周期の整数倍おきに設定された各周期の特定時点で、前記レーザの照射位置の溶融池に形成されたキーホールの撮像を撮像装置によって行い、前記撮像装置によって撮像されたキーホールの画像から、キーホール径を推定し、前記キーホール径が所望する値となるように前記レーザ照射装置をフィードバック制御することを要旨とする。

これによれば、ウォブリング波形に設定された特定時点は、レーザ溶接における条件、例えば、走査速度が周期同士の間で同じであるため、レーザ照射装置によるレーザの出力条件が一定であれば、同じ条件下で形成されたキーホールが特定時点で撮像されることとなる。このため、撮像されたキーホールの形状のばらつきが小さくなり、推定されるキーホール径もばらつきが小さくなる。その結果、キーホール径を所望する形状にするレーザ照射装置のフィードバック制御を安定して行うことができ、得られる溶接部の品質が一定に保たれる。

また、タブ群のレーザ溶接方法について、前記ウォブリング波形は正弦波であり、前記ウォブリング波形の各周期における特定時点は、前記正弦波の谷部又は山部であってもよい。

これによれば、正弦波のウォブリング波形においては、山部又は谷部でのレーザの走査速度が、山部と谷部との間でのレーザの走査速度より遅くなり、形成されるキーホールが円形状になりやすく、しかも、キーホール径も大きくなりやすい。このため、撮像されるキーホールの形状が安定しやすく、より安定した条件下でのキーホールの撮像を行うことができる。

本発明によれば、溶接部の品質を一定に保つことができる。

実施形態の二次電池を示す分解斜視図。 実施形態の二次電池を示す部分側断面図。 （ａ）はレーザ溶接直後のタブ群を折り曲げる前の状態での溶接部を示す断面図、（ｂ）は同平面図、（ｃ）はレーザの走査軌道を示す図。 レーザ溶接装置、撮像装置、及び制御装置を示す模式図。 （ａ）はレーザの走査軌道を示す図、（ｂ）及び（ｃ）はキーホールの形状を示す模式図。 ウォブリング波形と撮像時点を示す図。

以下、タブ群のレーザ溶接方法を具体化した一実施形態を図１〜図６にしたがって説明する。
図１又は図２に示すように、蓄電装置としての二次電池１０は、ケース１１を備える。二次電池１０は、ケース１１に収容された電極組立体１２及び電解液（図示せず）を備える。ケース１１は、直方体状のケース本体１３と、ケース本体１３の開口部１３ａを閉塞する矩形平板状の蓋１４とを有する。ケース１１を構成するケース本体１３と蓋１４は、何れも金属製（例えば、ステンレスやアルミニウム）である。また、本実施形態の二次電池１０は、その外観が角型をなす角型電池である。また、本実施形態の二次電池１０は、リチウムイオン電池である。

二次電池１０は、電極組立体１２から電気を取り出すための一対の電極端子１５を備える。一対の電極端子１５のうち、一方の電極端子１５は正極の電極端子であり、他方の電極端子１５は負極の電極端子である。各電極端子１５は、蓋１４の孔１４ａを貫通してケース１１外に突出する。各電極端子１５には、蓋１４と絶縁するためのリング状の絶縁リング１６がそれぞれ取り付けられている。各電極端子１５は、ケース１１内に矩形板状の導電部材１７を有する。各電極端子１５は導電部材１７と接合され、導電部材１７を介して電極組立体１２と電極端子１５は電気的に接続されている。

電極組立体１２は、複数枚のシート状の正極の電極としての正極電極２１と、複数枚のシート状の負極の電極としての負極電極２２とを備える。電極組立体１２は、正極電極２１と負極電極２２との間にセパレータ２３を介在させて絶縁させた状態で交互に積層した層状構造を備える。

正極電極２１及び負極電極２２は、矩形シート状の金属箔２４を備える。正極電極２１の金属箔２４は、例えばアルミニウム箔であり、負極電極２２の金属箔２４は、例えば銅箔である。正極電極２１及び負極電極２２は、金属箔２４の両面に存在する活物質層２５を備える。活物質層２５は、極性に応じた活物質、導電材、及びバインダを含む。正極電極２１及び負極電極２２は、一対の長辺に沿う縁部のうち一方の縁部の一部から突出した矩形状のタブ２６を備える。本実施形態では、タブ２６の長手方向は、縁部からのタブ２６の突出方向と一致する。タブ２６は、活物質層２５が存在せず、金属箔２４が露出する未塗工部である。

電極組立体１２は、正極電極２１、負極電極２２、及びセパレータ２３が積層され、図示されないテープ等により固定されることで構成されている。電極組立体１２は、各正極電極２１及び各負極電極２２のタブ２６が積層され、集箔されたタブ群１８を備える。タブ２６が積層される方向を積層方向とする。各タブ群１８は、電極組立体１２において蓋１４と対向している端面１２ａに存在する。電極組立体１２は、タブ２６の突出方向におけるタブ群１８の基端部及び先端部が折り曲げられた状態でケース１１に収容される。

図２に示すように、二次電池１０は、同じ極性の電極端子１５とタブ群１８とを接続するための導電部材１７を備え、導電部材１７はタブ群１８と接合されている。よって、導電部材１７はタブ群１８と接合される接合部材である。

タブ群１８と、導電部材１７との位置関係について、さらに、製造工程における溶接直後の状態、すなわちタブ群１８を折り曲げる前の状態を図３（ａ）に示して説明する。正極電極２１、セパレータ２３、及び負極電極２２は、溶接ステージＳ上で積層され、積層体を形成している。各正極電極２１のタブ２６は、電極組立体１２の積層方向の一端、すなわち溶接ステージＳ上で集箔され、タブ群１８を形成している。タブ群１８は、溶接ステージＳ側で導電部材１７に溶接されている。なお、製造工程の具体的な内容は、後述する。

二次電池１０は、タブ群１８と導電部材１７とを接合した溶接部３１を備える。溶接部３１は、積層方向全てのタブ２６をレーザ溶接して形成されている。なお、タブ群１８の積層方向を上下方向とし、タブ群１８の積層方向一端を下端とするとともに、積層方向他端を上端とする。

図３（ｂ）に示すように、タブ群１８を積層方向他端側（上側）から見たとき、溶接部３１は直線的に延びる帯状である。溶接部３１の長手は、タブ２６の短手方向に延びる。溶接部３１の長手方向への長さは、タブ２６の短手方向への長さに応じて設定される。なお、溶接部３１の長手方向への長さは、タブ２６の短手方向への長さの範囲内であれば適宜変更してもよいし、溶接部３１の短手方向への長さは、タブ２６の長手方向への長さの範囲内であれば適宜変更してもよい。

図３（ｃ）に示すように、溶接部３１は、レーザＲを、タブ２６の短手方向を溶接進行方向Ｘとするとともに、その溶接進行方向Ｘに交差するタブ２６の長手方向へ振るように往復させるウォブリングによって形成されている。レーザＲが往復する方向を振幅方向Ｙとする。

本実施形態では、レーザＲのウォブリング波形は、正弦波である。図３（ｃ）では、レーザＲのスポットの中心における走査軌道を示し、溶接進行方向ＸにおいてレーザＲ同士の間に隙間が形成されているが、実際は、振幅方向Ｙに走査するレーザＲ、又はレーザＲによる溶融池が重なるように走査する。一度溶融した部分にレーザＲを重ねることでレーザＲの照射位置の温度を上昇させ、溶け込み深さを深くして溶接している。前述の如く、溶融池を重ねるために、正弦波であるウォブリング波形の波長は、ごく短く設定される。

ウォブリング波形に応じてレーザＲが走査されるとき、振幅方向Ｙに走査するときのレーザＲの走査速度は、ウォブリング波形の山部及び谷部に対応する部分、つまり、レーザＲが折り返すように走査されるときの走査速度よりも速くなっている。

そして、レーザＲが照射されたタブ群１８は瞬時に、溶融、蒸発するとともに、溶融池が形成される。蒸発による高い反力によって、溶融池は押し下げられ、図５（ｂ）及び図５（ｃ）に示すように、溶融池にはキーホールＫと呼ばれる空間が形成される。そして、キーホールＫを通じて、溶融池がタブ群１８から導電部材１７まで到達でき、溶け込みが深い溶接が達成される。

次に、レーザ溶接装置について説明する。
図４に示すように、レーザ溶接装置４０は、レーザ発振器４１と、レーザ発振器４１に接続されたレーザ用の光ファイバ４２と、光ファイバ４２に接続されたガルバノスキャナ４３と、を備える。ガルバノスキャナ４３は、光ファイバ４２から導出されたレーザのビーム幅を広げるコリメータレンズ４４と、コリメータレンズ４４を通過したレーザＲを反射させて９０°屈折させる反射ミラー４５を備える。ガルバノスキャナ４３は、反射ミラー４５を所定の振幅及び周波数で揺動させる駆動装置４６を備える。また、レーザ溶接装置４０は、制御装置５１を備え、制御装置５１にはレーザ発振器４１及び駆動装置４６が信号接続されている。

本実施形態では、制御装置５１は、上述した正弦波のウォブリング波形に応じたウォブリング波形信号を生成し、駆動装置４６に出力する。ウォブリング波形信号を入力した駆動装置４６は、ウォブリング波形信号に同期して反射ミラー４５を揺動させ、レーザＲをウォブリングさせる。

また、ガルバノスキャナ４３は、反射ミラー４５で反射されたレーザＲを集光させる対物レンズ４７を備える。レーザ溶接装置４０は、撮像装置４８を備える。撮像装置４８は、制御装置５１に信号接続されている。撮像装置４８は、制御装置５１の制御により、撮像を行うタイミングを制御可能である。制御装置５１は、撮像装置４８で撮像された画像を処理し、溶融池に形成されたキーホール径を推定する。なお、キーホール径の推定は、撮像されたキーホールＫの形状から演算してもよいし、予め設定されたテーブルを参照してキーホール径を推定してもよく、何れの方法であってもよい。

そして、レーザ溶接装置４０は、溶接部３１の品質を一定に保つため、レーザ溶接の最中に溶接状態を撮像装置４８によってリアルタイムで監視し、制御装置５１は、キーホール径を所望する値とするため、溶接状態に応じたフィードバック制御をレーザ発振器４１に対して行う。なお、所望するキーホール径の値とは、溶接部３１における電気的な抵抗を最小限に抑えるために予め設定された値である。

図５（ａ）に示すように、正弦波のウォブリング波形によってレーザＲが走査される場合において、正弦波の山部と谷部との間に位置する部分、すなわち、レーザＲが振幅方向Ｙに走査される部分の走査速度をｖ１とする。また、正弦波の山部又は谷部の走査速度をｖ２とする。前述の如く、少なくとも溶融池が重なるように、正弦波であるウォブリング波形の波長がごく短く設定されているため、走査速度ｖ２は、走査速度ｖ１より遅くなる。走査速度が遅くなると、溶け込み深さが深く、キーホール径が大きくなりやすい。その結果、図５（ｃ）に示すように、ウォブリング波形の谷部又は山部で形成されるキーホールＫの形状は円形状になりやすい。一方、図５（ｂ）に示すように、走査速度ｖ１の部分を撮像した場合、撮像されるキーホールＫの形状は、細長形状になりやすい。レーザの出力条件が同じであっても、撮像する場所によって、形成されるキーホールＫの形状が異なる。

キーホールＫの形状は、リアルタイムで撮像されるが、撮像するキーホールＫの形状のばらつきが小さくなるようにするため、撮像装置４８による撮像時点を一定にし、撮像装置４８による撮像時点をウォブリング波形の特定時点に同期させている。なお、「特定時点」とは、ウォブリング波形の１周期の間で１つだけ決まる時点のことであり、ウォブリング波形に形成される複数の周期において、常に同じタイミングで決まる時点のことである。

図６に示すように、本実施形態では、特定時点をウォブリング波形における各周期の谷部としており、レーザ走査軌道のうち、レーザＲが折り返される場所であり、走査速度ｖ２となる場所である。よって、撮像装置４８による溶融池の撮像は、キーホールＫが円形状に形成されやすい時点で行われる。

また、タブ群１８に向けたレーザ照射開始直後は、タブ群１８の溶融部での溶け込み深さが浅く、キーホールＫが成長し切っていない場合が多く、キーホールＫの形状が安定しない。このため、レーザ照射を開始してから、一定期間の間は、撮像装置４８による撮像は行わない。本実施形態では、レーザ照射開始直後から３周期経過するまで撮像装置４８による撮像は行わない。

また、溶接部３１の完成間近は、レーザ照射完了に向けてレーザ出力を徐々に下げていく。このため、キーホールＫの形状が安定しない。よって、レーザ照射完了よりも一定期間前からレーザ照射完了までの間は撮像装置４８による撮像は行わない。本実施形態では、レーザ照射完了よりも３周期前から撮像装置４８による撮像は行わない。したがって、キーホールＫの撮像期間は、レーザ照射開始後に３周期経過した時点から、レーザ照射完了よりも３周期前までであり、撮像期間中はキーホールＫの撮像が複数回行われる。

制御装置５１は、キーホール径が所望する値となるように、撮像されたキーホールＫから推定されたキーホール径に基づいてレーザ発振器４１をフィードバック制御する。キーホール径が所望する値より小さい場合は、レーザ発振器４１によってレーザ出力を上げ、キーホール径が所望する値より大きい場合は、レーザ発振器４１によってレーザ出力を下げる。また、その他の方法としては、キーホール径が所望する値より小さい場合は、駆動装置４６によってレーザの走査速度を遅くし、キーホール径が所望する値より大きい場合は、駆動装置４６によってレーザの走査速度を速くする。出力を下げる。

次に、本実施形態の作用についてタブ群１８の溶接方法とともに説明する。
まず、溶接前の前工程として、電極組立体１２を形成する。すなわち、積層ステージ上に、所定枚数の正極電極２１と負極電極２２とを、間にセパレータ２３を挟みながら積層する。このとき、各正極電極２１のタブ２６と各負極電極２２のタブ２６とが、積層体の同じ辺より突出し、かつ、辺の左右に分かれるように積層する。積層が完了した正極電極２１、セパレータ２３、及びセパレータ２３を図示しないテープ等で固定することで、電極組立体１２を形成する。その後、電極組立体１２は、積層ステージより、溶接ステージＳに搬送される。

次に、溶接を行う。
溶接方法は、集箔工程、加圧工程及び溶接工程を備える。
図４に示すように、集箔工程は、電極組立体１２が備える複数枚のタブ２６を集箔してタブ群１８を形成する工程である。集箔工程は、溶接ステージＳに載置された導電部材１７上に、電極組立体１２の全てのタブ２６を配置する。すなわち、積層方向一端のタブ２６より外側（下側）に導電部材１７を配置する。

なお、導電部材１７は、既に電極端子１５に接合されるとともに、その電極端子１５は蓋１４に締結されており、蓋１４に導電部材１７が一体化されている。次に、図示しない集箔装置によって、タブ２６を挟んだ導電部材１７の反対側（積層方向他端側）から全てのタブ２６を押圧して集箔し、タブ群１８を形成する。加圧工程は、タブ群１８を加圧治具（図示せず）を用いて積層方向他端から加圧する工程である。

溶接工程は、溶接部３１を形成する工程である。溶接工程はレーザ溶接によって行われる。レーザ溶接装置４０によって、加圧されたタブ群１８に対し、レーザＲを照射する。
レーザ発振器４１で生成されたレーザＲは光ファイバ４２を通じて、ガルバノスキャナ４３に送られる。レーザＲはコリメータレンズ４４でビーム幅が広げられ、反射ミラー４５で反射される。このとき、制御装置５１で生成されたウォブリング波形信号に応じて駆動装置４６により反射ミラー４５が駆動され、対物レンズ４７で集光されたレーザＲが正弦波に走査されながらタブ群１８に照射される。すると、タブ群１８が溶融する。

タブ群１８の溶融池から発せられた光は、撮像装置４８に入る。制御装置５１は、溶接開始直後から３周期経過した後、撮像装置４８をウォブリング波形信号の谷部に同期させ、溶融池に形成されたキーホールＫを撮像する。制御装置５１は、撮像装置４８によって撮像されたキーホールＫからキーホール径を推定し、キーホール径が所望する値となるように、レーザ発振器４１をフィードバック制御する。

上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）ウォブリング波形の各周期の中の特定時点で撮像装置４８によるキーホールＫの撮像を行うようにし、一定の条件下でキーホールＫの撮像を行うようにした。このため、撮像されたキーホールＫの形状のばらつきが小さくなり、推定されるキーホール径もばらつきが小さくなる。その結果、キーホール径を所望する形状にするレーザ発振器４１のフィードバック制御を安定して行うことができ、得られる溶接部３１の品質が一定に保たれる。

（２）撮像装置４８による撮像を、正弦波のウォブリング波形において、１周期の中の谷部で行うようにした。正弦波の谷部は、レーザＲの走査速度ｖ２が、山部と谷部との間での走査速度ｖ１より遅くなる位置であり、キーホールＫの形状が円形状で、かつ大きくなりやすい位置である。よって、正弦波の谷部となる位置でキーホールＫの撮像を行うことで、より安定した条件下でのキーホールＫの撮像を行うことができる。

（３）タブ群１８に対するレーザＲの照射開始直後から一定期間経過するまでは、キーホールＫの形状が安定しない。このため、タブ群１８に対するレーザＲの照射開始直後から一定期間経過するまでは撮像装置４８によるキーホールＫの撮像は行わないようにした。よって、安定した形状のキーホールＫを撮像装置４８によって撮像し、レーザ発振器４１に対するフィードバック制御を精度の高いものにでき、溶接部３１を所望する形状に制御しやすくなる。

（４）ウォブリング波形の１周期毎に撮像装置４８によるキーホールＫの撮像を行うようにした。このため、例えば、ウォブリング波形の２周期毎や３周期毎に撮像装置４８によるキーホールＫの撮像を行う場合と比べると、撮像数を多くして、レーザ発振器４１に対するフィードバック制御をより精度の高いものにでき、溶接部３１の品質を一定に保つことができる。

（５）タブ群１８に対するレーザＲの照射完了直前は、キーホールＫの形状が安定しない。このため、タブ群１８に対するレーザＲの照射完了よりも一定期間前から照射完了までの間は撮像装置４８によるキーホールＫの撮像は行わないようにした。よって、安定した形状のキーホールＫを撮像装置４８によって撮像し、レーザ発振器４１に対するフィードバック制御を精度の高いものにでき、溶接部３１を所望する形状に制御しやすくなる。

本実施形態は、以下のように変更して実施することができる。本実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
○ 撮像装置４８による撮像時点は、ウォブリング波形の各周期の山部であってもよい。

○ 撮像装置４８による撮像時点は、ウォブリング波形の各周期の谷部及び山部の両方であってもよい。
○ 撮像装置４８による撮像時点は、ウォブリング波形の山部又は谷部のうち、１周期の２以上の整数倍となる位置であってもよい。

○ 撮像装置４８による撮像時点は、ウォブリング波形の１周期の特定の時点、例えば、山部と谷部の中間点であってもよい。
○ ウォブリング波形は、正弦波でなくてもよく、三角波形や台形波形、円形や楕円を繰り返す波形であってもよい。

○ 撮像装置４８による撮像開始は、タブ群１８に対するレーザＲの照射開始直後であってもよい。
○ レーザＲの照射開始直後から撮像開始までの一定期間は、適宜変更してもよい。

○ 溶接部３１の長手がタブ２６の長手方向に延び、溶接部３１の短手がタブ２６の短手方向に延びていてもよい。
○ レーザ溶接によってタブ群１８と接合される接合部材は、電極端子１５であってもよい。

次に、上記実施形態及び別例から把握できる技術的思想について以下に追記する。
（１）前記レーザの照射開始直後から一定期間経過した後に、前記ウォブリング波形の前記特定時点で前記キーホールの撮像を行うタブ群のレーザ溶接方法。

（２）前記レーザの照射完了よりも一定期間前から照射完了までの間、前記ウォブリング波形の前記特定時点で前記キーホールの撮像を行わないタブ群のレーザ溶接方法。
（３）前記ウォブリング波形の１周期毎に撮像装置によるキーホールの撮像を行うタブ群のレーザ溶接方法。

Ｒ…レーザ、Ｘ…溶接進行方向、ｖ１，ｖ２…走査速度、１７…接合部材としての導電部材、１８…タブ群、２１…電極としての正極電極、２２…電極としての負極電極、２６…タブ、３１…溶接部、４１…レーザ発振器、４８…撮像装置。

Claims (2)

1. 異なる極性の電極が互いに絶縁された状態で積層され、かつ前記電極の一辺から突出した形状のタブが同じ極性同士で積層されて構成されたタブ群を、接合部材とレーザ溶接するタブ群のレーザ溶接方法であって、
   前記タブ群の積層方向一端の前記タブより外側に前記接合部材を配置した状態で、レーザ照射装置から照射されたレーザを前記タブ群の積層方向他端に対し照射し、
   ウォブリング波形に基づいて前記レーザを溶接進行方向に対し交差する方向に振幅させてウォブリングさせ、
   前記ウォブリング波形の周期の整数倍おきに設定された各周期の特定時点で、前記レーザの照射位置の溶融池に形成されたキーホールの撮像を撮像装置によって行い、
   前記撮像装置によって撮像されたキーホールの画像から、キーホール径を推定し、前記キーホール径が所望する値となるように前記レーザ照射装置をフィードバック制御するタブ群のレーザ溶接方法。
2. 前記ウォブリング波形は正弦波であり、前記ウォブリング波形の各周期における特定時点は、前記正弦波の谷部又は山部である請求項１に記載のタブ群のレーザ溶接方法。