JP2019197882A - フレキシブルプリント回路基板を適用した携帯用薄膜太陽電池パネルおよびその製造方法 - Google Patents

フレキシブルプリント回路基板を適用した携帯用薄膜太陽電池パネルおよびその製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】複数の太陽電池との間を接続する接続端子、または、太陽電池の一側に形成された電極の途切れの発生を防止する、フレキシブルプリント回路基板を適用した携帯用薄膜太陽電池パネルおよびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、フレキシブルプリント回路基板を適用した携帯用薄膜太陽電池パネルおよびその製造方法を開示する。即ち、本発明は、フレキシブル太陽電池パネルとフレキシブルプリント回路基板を一体型で形成し、前記フレキシブル太陽電池パネルから発生する熱を外部へ放出するために、外部ヒートシンクと接続する前記フレキシブルプリント回路基板の一面に金属パターンの放熱部を形成することによって、複数の太陽電池との間を接続する接続端子、または、太陽電池の一側に形成された電極の途切れの発生を防止し、電極配線の利便性を高め、放熱構造を選択的に結合することができて、応用範囲を拡大することができる。【選択図】図１

Description

本発明は、フレキシブルプリント回路基板を適用した携帯用薄膜太陽電池パネルおよびその製造方法に関する。特に、フレキシブル太陽電池パネルとフレキシブルプリント回路基板とを一体型で形成して、前記フレキシブル太陽電池パネルから発生する熱を外部へ放出するために、外部ヒートシンクと接続する前記フレキシブルプリント回路基板の一面に金属パターンの放熱部を形成するフレキシブルプリント回路基板を適用した携帯用薄膜太陽電池パネルおよびその製造方法に関する。
＜課題情報＞
課題固有番号:20163030013760
部処名：産業通商資源部
研究管理専門機関：韓国エネルギー技術評価院
研究事業名：エネルギー技術開発事業
研究課題名：フレキシブルCIGS薄膜太陽電池を利用した生活密着型電源の開発(Development of daily-life oriented power sources by using flexible CIGS thin-film solar cells)
寄与率：1/1
主管機関：クァンミョン エレクトリック エンジニアリング カンパニーリミテッド
研究期間：2016.05.01〜2019.04.30
太陽電池は、太陽の光エネルギーを電気エネルギーに変換する装置であって、太陽電池からなる一つのセルを最小単位として複数のセルが組み立てられたモジュールを形成し、複数のモジュールが組み立てられたアレイを構成するように設置されて、太陽光発電システムで形成される。また、前記太陽電池は、必要によって直列、または、並列に接続されることができる。
前記太陽電池を用いる太陽光発電システムは、大気汚染および騒音が発生せず、環境にやさしくて、太陽の光エネルギーを用いるため、エネルギー源が無限で、枯渇のおそれがないというメリットがあって、系統連系型発電システムを含めて、住宅、ビルディングなどの独立型発電システムで用いられていて、人工衛星、車、電気製品、軍用などの様々な分野で適用されている。
また、複数の太陽電池が直列、または、並列に接続されて用いられる場合、複数の太陽電池との間を接続する接続端子、または、太陽電池の一側に形成された電極の途切れが発生する問題がある。
韓国登録特許第１０−１２５６６４８号公報［名称：太陽電池モジュールを備えるパネルおよびそれを用いる建築物外装材］
本発明の目的は、フレキシブル太陽電池パネルとフレキシブルプリント回路基板を一体型で形成し、前記フレキシブル太陽電池パネルから発生する熱を外部へ放出するために、外部ヒートシンクと接続する前記フレキシブルプリント回路基板の一面に金属パターンの放熱部を形成するフレキシブルプリント回路基板を適用した携帯用薄膜太陽電池パネルおよびその製造方法を提供することにある。
本発明の実施例によるフレキシブルプリント回路基板を適用した携帯用薄膜太陽電池パネルは、フレキシブルプリント回路基板を適用した携帯用薄膜太陽電池パネルにおいて、複数の第１電極を含む薄膜太陽電池モジュールと；複数の第２電極を含み、前記薄膜太陽電池モジュールの他面に配置されて、前記第２電極を介して前記第１電極と電気的に接続されるフレキシブルプリント回路基板と;前記薄膜太陽電池モジュールの一面に配置される第１ラミネート層と；前記第１ラミネート層の一面に配置される第１防水層と；前記フレキシブルプリント回路基板の他面に配置される第２ラミネート層；および前記第２ラミネート層の他面に配置される第２防水層とを含むことができる。
本発明に関する一例として、前記フレキシブルプリント回路基板は、絶縁材で構成されて、一面が前記薄膜太陽電池モジュールに対向するベース層と；前記ベース層の他面に配置される前記複数の第２電極と；前記ベース層の他面に配置されて、他のフレキシブルプリント回路基板と接続するための接続端子と；前記ベース層の他面の中央領域に配置される放熱部と；前記放熱部の一側に配置される締結部；および前記ベース層の他面の外郭領域に配置されて、前記第２電極と電気的に接続されるパターン部とを含むことができる。
本発明に関する一例として、前記締結部は、外部のヒートシンクと前記フレキシブルプリント回路基板を固定し、前記放熱部は、前記薄膜太陽電池モジュールの動作に従って前記薄膜太陽電池モジュールから発生する熱を前記ヒートシンクで放出することができる。
本発明に関する一例として、前記パターン部は、前記薄膜太陽電池モジュールが他の薄膜太陽電池モジュールに接続される結線方式による電極特性を根拠に相異なるパターンで構成されることができる。
本発明に関する一例として、前記第２ラミネート層は、前記フレキシブルプリント回路基板に含まれた放熱部が外部に形成されるヒートシンクに接続することができるように前記放熱部の大きさに対応する第１切断線を含み、前記第２防水生地は、前記第１切断線に対応する第２切断線を含むことができる。
本発明の実施例によるフレキシブルプリント回路基板を適用した携帯用薄膜太陽電池パネルの製造方法は、フレキシブルプリント回路基板を適用した携帯用薄膜太陽電池パネルの製造方法において、薄膜太陽電池モジュールに含まれた複数の第１電極とフレキシブルプリント回路基板に含まれた複数の第２電極を接合して、電気的に接続する段階と；前記薄膜太陽電池モジュールの一面に第１ラミネート層を配置する段階と；前記第１ラミネート層の一面に第１防水層を配置する段階と；前記フレキシブルプリント回路基板の他面に第１切断線を含む第２ラミネート層を配置する段階；および前記第２ラミネート層の他面に第２切断線を含む第２防水層を配置する段階とを含むことができる。
本発明に関する一例として、前記フレキシブルプリント回路基板は、一面が前記薄膜太陽電池モジュールに対向するベース層の他面に前記複数の第２電極を配置するプロセスと；前記ベース層の他面に他のフレキシブルプリント回路基板と接続するための接続端子を配置するプロセスと；前記ベース層の他面の中央領域に放熱部を配置するプロセスと；前記放熱部の一側に締結部を配置するプロセス；および前記ベース層の他面の外郭領域に前記第２電極と電気的に接続されるパターン部を配置するプロセスによって形成されることができる。
本発明は、フレキシブル太陽電池パネルとフレキシブルプリント回路基板を一体型で形成し、前記フレキシブル太陽電池パネルから発生する熱を外部へ放出するために、外部ヒートシンクと接続する前記フレキシブルプリント回路基板の一面に金属パターンの放熱部を形成することによって、複数の太陽電池との間を接続する接続端子、または、太陽電池の一側に形成された電極の途切れの発生を防止し、電極配線の利便性を高め、放熱構造を選択的に結合することができて、応用範囲を拡大できる効果がある。
本発明の実施例によるフレキシブルプリント回路基板を適用した携帯用薄膜太陽電池パネルの斜視図である。 本発明の実施例によるフレキシブルプリント回路基板を適用した携帯用薄膜太陽電池パネルのＡ−Ａ´ラインに沿って取った断面図である。 本発明の実施例によるフレキシブルプリント回路基板を適用した携帯用薄膜太陽電池パネルの分解斜視図である。 本発明の実施例によるフレキシブルプリント回路基板の下面図である。 本発明の実施例による薄膜太陽電池モジュールの電極特性による様々な形態のパターンで構成されるパターン部の例を示した図である。 本発明の実施例による薄膜太陽電池モジュールの電極特性による様々な形態のパターンで構成されるパターン部の例を示した図である。 本発明の実施例による薄膜太陽電池モジュールの電極特性による様々な形態のパターンで構成されるパターン部の例を示した図である。 本発明の実施例による薄膜太陽電池モジュールの電極特性による様々な形態のパターンで構成されるパターン部の例を示した図である。 本発明の実施例によるフレキシブルプリント回路基板を適用した携帯用薄膜太陽電池パネルの製造方法を示した流れ図である。
本発明で使われる技術的用語は、ただの特定の実施例を説明するために使われたものであって、本発明を限定する意図ではないことを注意すべきである。また、本発明で使われる技術的用語は、本発明で特に異なる意味と定義されない限り、本発明の属する技術分野で通常の知識を有するものによって、一般的に理解される意味と解釈するべきであり、過度に包括的な意味と解釈したり、過度に縮小した意味と解釈したりされるべきではない。
また、本発明で使われる技術的用語が本発明の事象を正確に表現できない間違った技術的用語である時には、当業者が正しく理解できる技術的用語と代わって理解されるべきである。また、本発明で使われる一般的用語は、辞書に定義されるところによって、または、前後の文脈によって解釈するべきであり、過度に縮小した意味と解釈するべきではない。
また、本発明で使われる単数の表現は、文脈上、明らかに異なる意味ではない限り、複数の表現を含む。本発明で、「構成される」、または、「含む」などの用語は、発明に記載の様々な構成要素等、または、色々な段階を必ず全部含むことと解釈されるべきではなく、そのうちの一部の構成要素等、または、一部の段階等は含まれないこともあり、または、追加的な構成要素、または、段階等をさらに含むことができると解釈するべきである。
また、本発明で使われる第１、第２などのように序数を含む用語は、構成要素等を説明するに使われることができるが、構成要素等は、用語等によって限定されてはいけない。用語等は、一つの構成要素を異なる構成要素から区別する目的のみで使われる。例えば、本発明の権利範囲を外れないで第１構成要素は、第２構成要素と命名されることがあり、類似に第２構成要素も、第１構成要素と命名されることがある。
以下、添付の図面を参照して本発明による好ましい実施例を詳しく説明し、図面符号に関係なく同一であるか、類似の構成要素は、同一の参照番号を付与し、これにおける重複する説明は省略する。
また、本発明を説明する上で、関連の公知技術における具体的説明が本発明の要旨を濁らすと判断する場合、その詳しい説明を省略する。また、添付の図面は、本発明の事象を容易く理解できるようにするためだけであって、添付の図面によって本発明の事象が制限されることと解釈されてはいけないというべきであることを注意すべきである。
図１ないし図３に図示のように、本発明の実施例によるフレキシブルプリント回路基板を適用した携帯用薄膜太陽電池パネル１０は、薄膜太陽電池モジュール１００と、フレキシブルプリント回路基板２００と、第１ラミネート層３００と、第１防水生地４００と、第２ラミネート層５００および第２防水生地６００とで構成される。
図１ないし図３に図示の前記携帯用薄膜太陽電池パネル１０の構成要素全てが必須の構成要素であることがなく、図１ないし図３に図示の構成要素より多くの構成要素によって前記携帯用薄膜太陽電池パネル１０が具現されることができて、それより少ない構成要素によっても前記携帯用薄膜太陽電池パネル１０が具現されることもできる。
前記太陽電池モジュール（または、太陽電池板）１００は、太陽電池セル（不図示）と、電極（不図示）と、電線（不図示）などで構成する。
また、前記太陽電池モジュール１００は、透過型携帯用フレキシブル薄膜の形態で構成することができる。
即ち、前記太陽電池モジュール１００は、複数のＣＩＧＳ（Ｃｏｐｐｅｒ（銅） ｉｎｄｉｕｍ（インジウム） ｇａｌｌｉｕｍ（ガリウム） ｓｅｌｅｎｉｄｅ（セレニド））太陽電池セルがグリッドの形態で構成されて、柔軟性（または、フレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ））を有する薄膜の形態で構成することができて、これを通じて、前記太陽電池モジュール１００は、曲面からなる様々な対象に適用されて、前記複数の太陽電池セルを介して太陽光を通じた発電電力を生成することができる。
また、前記太陽電池モジュール１００は、適用対象がビニールハウスやサンルーフ、または、窓戸型製品などのように光の透過（または、透光）が要求される対象である場合、光を透過できるように構成することができる。
このために、前記太陽電池モジュール１００は、レーザー（ｌａｓｅｒ）加工やパンチング（ｐｕｎｃｈｉｎｇ）のような器具的加工を介して予め設定されたパターンを有する複数の開口部が形成されることができて、前記開口部は、前記太陽電池モジュール１００に照射される太陽光を透過させて、前記適用対象の内部へ光が到達されるにすることができる。
また、前記複数の開口部は、ユーザーによって予め設定された開口率を有するように前記太陽電池モジュール１００に形成されることができる。
前記電極は、複数で形成され、各々陽極（＋）と陰極（−）とで構成する。この時、前記太陽電池モジュール１００が長さ方向に一列に配置される場合、前記電極も長さ方向に一列に配置されることができる。
また、前記電極は、前記フレキシブルプリント回路基板２００に構成された電極２２０と電気的に接続する。
即ち、前記太陽電池モジュール１００の一側に各々形成された電極は、フレキシブルの形態で形成し、該電極を曲げて前記フレキシブルプリント回路基板２００に構成された電極２２０に接触させた後、接合（または、接続／半田付け）する。
前記電線は、ワイヤーメッシュの形態などで形成する。ここで、前記電線の材料としては、銅（ｃｏｐｐｅｒ）、ステンレススチール（ｓｔａｉｎｌｅｓｓ ｓｔｅｅｌ）などを含むことができる。
また、前記電線は、前記太陽電池セルとの間の接続、前記太陽電池セルと電極との間の接続などを提供し、陽極が接続される陽極電線、陰極が接続される陰極電線などを含むことができる。
図４に図示のように、本発明の実施例による前記フレキシブルプリント回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）２００は、ベース層２１０と、電極２２０と、接続端子２３０と、放熱部２４０と、締結部２５０およびパターン部２６０とで構成される。
図４に図示の前記フレキシブルプリント回路基板２００の構成要素全てが必須の構成要素であることはなく、図４に図示の構成要素より多くの構成要素によって前記フレキシブルプリント回路基板２００が具現されることもあり、それより少ない構成要素によっても前記フレキシブルプリント回路基板２００が具現されることもある。
前記ベース層（または、軟性基板）２１０は、フェノール樹脂絶縁板と、エポキシ樹脂絶縁板などの絶縁材とで構成する。
また、前記ベース層２１０は、フレキシブルの形態で構成する。
前記電極２２０は、前記ベース層２１０の他面に形成する。
また、前記電極２２０は、複数で形成され、各々陽極（＋）と陰極（−）とで構成する。この時、前記フレキシブルプリント回路基板２００が長さ方向に一列に配置される場合、前記電極２２０も長さ方向に一列に配置されることができる。
また、前記電極２２０は、前記薄膜太陽電池モジュール１００に構成された電極と電気的に接続する。
即ち、前記フレキシブルプリント回路基板２００の一側に形成された電極２２０は、フレキシブルの形態で構成された前記太陽電池モジュール１００の一側に構成された電極と接触された後、接合（または、接続／半田付け）して固定する。
このように、前記フレキシブルプリント回路基板２００の電極２２０と前記太陽電池モジュール１００の電極とが接合されることによって、前記フレキシブルプリント回路基板２００と前記太陽電池モジュール１００（または、前記フレキシブルプリント回路基板２００の他面と前記太陽電池モジュール１００の一面）は、互いに密着して（または、一体型で）形成されることができる。
前記接続端子２３０は、前記フレキシブルプリント回路基板２００の他面の一側に形成する。この時、前記フレキシブルプリント回路基板２００が長さ方向に一列に配置される場合、前記接続端子２３０も長さ方向に一列に配置されることができる。
また、前記接続端子２３０は、前記フレキシブルプリント回路基板２００（または、前記薄膜太陽電池モジュール１００が適用されたフレキシブルプリント回路基板２００と他のフレキシブルプリント回路基板との間の接続のために用いられることができる。
前記放熱部２４０は、前記ベース層２１０の他面に形成する。
また、前記放熱部２４０は、前記ベース層２１０の中央領域（または、前記ベース層２１０の中央領域の一部）に金属パターンで形成する。
また、前記放熱部２４０は、前記フレキシブルプリント回路基板２００が前記薄膜太陽電池モジュール１００と電気的に接続された状態で、前記薄膜太陽電池モジュール１００の動作に従って前記薄膜太陽電池モジュール１００から発生する熱を吸収して、前記薄膜太陽電池モジュール１００の安定的な動作ができるようにすることができる。
また、前記放熱部２４０は、外部に形成されるヒートシンク（または、放熱手段）（不図示）と接続されて、前記薄膜太陽電池モジュール１００の動作に従って前記薄膜太陽電池モジュール１００から発生する熱を前記ヒートシンクで放出することもできる。
前記締結部（または、金属パターン半田付け部／接続端子）２５０は、前記放熱部２４０の一側に形成する。
また、前記締結部２５０は、前記放熱部２４０と前記ヒートシンクとが接続した状態（または、固定した状態）を保持できるように構成することができる。
前記パターン部２６０は、前記ベース層２１０の他面の外郭領域（または、前記放熱部２４０の外郭領域）に形成する。
また、前記パターン部２６０は、前記電極２２０と電気的に接続する。
また、前記パターン部２６０は、前記薄膜太陽電池モジュール１００が他の薄膜太陽電池モジュール１００に接続される電極特性を考えて、様々な結線方式によって相異なるパターンを有するように形成する。
即ち、図５ないし図８に図示のように、前記パターン部２６０は、前記薄膜太陽電池モジュール１００が他の薄膜太陽電池モジュール１００に接続される電極特性によって様々な形態のパターンで構成されることができる。
本発明の実施例では、前記薄膜太陽電池モジュール１００と前記フレキシブルプリント回路基板２００とが互いに１：１で構成されることを説明しているが、これに限定されることはなく、設計者の設計によって様々に構成することもできる。
即ち、複数の電極を含む一つの前記フレキシブルプリント回路基板２００の一面に複数の薄膜太陽電池モジュール１００を直列および／または、並列で結合した状態で構成することもできる。
前記第１ラミネート層３００は、前記薄膜太陽電池モジュール１００の一面に配置（または、形成／構成）する。この時、前記図３に図示のように、前記第１ラミネート層３００に配置される前記薄膜太陽電池モジュール１００は、複数で構成され、前記複数の薄膜太陽電池モジュール１００は、予め設定された間隔で離隔されて長さ方向に一列に配置されることができる。
また、前記複数の薄膜太陽電池モジュール１００の個数に応じて、複数のフレキシブルプリント回路基板２００もともに、前記予め設定された間隔で離隔されて長さ方向に一列に配置されることができる。
また、前記第１ラミネート層３００は、フレキシブルに形成し、ＰＥＴフィルム、ＰＥフィルムなどで構成される。
また、前記第１ラミネート層３００は、前記薄膜太陽電池モジュール１００と接着（または、粘着）されるように構成することができる。
このように、前記薄膜太陽電池モジュール１００の一面に前記第１ラミネート層３００が形成され、従って、前記薄膜太陽電池モジュール１００が前記第１ラミネート層３００を介してその形を保持して固定されることができる。
前記第１防水生地４００は、前記第１ラミネート層３００の上（または、前記第１ラミネート層３００の一面）に配置（または、形成／構成）する。
また、前記第１防水生地４００は、外部の水、異物などが前記第１防水生地４００の下部に形成された構成要素等（例えば、前記第１ラミネート層３００、前記薄膜太陽電池モジュール１００、前記フレキシブルプリント回路基板２００などを含む）に浸透できないように構成する。
前記第２ラミネート層５００は、前記フレキシブルプリント回路基板２００の他面に配置（または、形成／構成）する。
また、前記第２ラミネート層５００は、フレキシブルに形成し、ＰＥＴフィルム、ＰＥフィルムなどで構成する。
また、前記図３に図示のように、前記第２ラミネート層５００は、前記フレキシブルプリント回路基板２００の他面に形成された放熱部２４０が外部に形成される前記ヒートシンクに接続することができるように前記フレキシブルプリント回路基板２００の他面に形成された放熱部２４０の大きさに合わせて、第１切断線５１０が形成された状態であることがある。
この時、前記第１切断線５１０の形態は、前記図３に図示のように、コの字の形態か、または、他の形態であることがある。また、前記第１切断線５１０によって形成される断面積（例えば、前記図３の四角形の形態の断面積）は、前記フレキシブルプリント回路基板２００の他面に形成された放熱部２４０の断面積より大きいか、同じに形成することができる。
また、前記第２ラミネート層５００は、前記フレキシブルプリント回路基板２００と接着（または、粘着）されるように構成することができる。
このように、前記フレキシブルプリント回路基板２００の他面に前記第２ラミネート層５００が形成され、従って、前記フレキシブルプリント回路基板２００が前記第２ラミネート層５００を介してその形を保持して固定されることができる。
前記第２防水生地６００は、前記第２ラミネート層５００の上（または、前記第２ラミネート層５００の他面）に配置（または、形成／構成）する。
また、前記図３に図示のように、前記第２防水生地６００は、前記フレキシブルプリント回路基板２００の他面に形成された放熱部２４０が外部に形成される前記ヒートシンクに接続することができるように、前記フレキシブルプリント回路基板２００の他面に形成された放熱部２４０の大きさに合わせて（または、前記第２ラミネート層５００に形成された第１切断線５１０に応じて）、第２切断線６１０が形成された状態であることがある。この時、前記第２切断線６１０の形態は、前記図３に図示のように、コの字の形態か、または、他の形態であることがある。
また、前記第２防水生地６００は、外部の水、異物などが前記第２防水生地６００の下部に形成された構成要素等（例えば、前記第２ラミネート層５００、前記フレキシブルプリント回路基板２００、前記薄膜太陽電池モジュール１００などを含む）に浸透できないように構成する。
また、前記第１防水生地４００と前記第２防水生地６００との間に前記第１ラミネート層３００、前記薄膜太陽電池モジュール１００、前記フレキシブルプリント回路基板２００および前記第２ラミネート層５００が積層された状態で、該積層された状態が固定できるように前記第１防水生地４００と前記第２防水生地６００の外郭および／または、内郭の一部を、ミシン糸（または、普通の糸）６２０を用いて、縫製作業を介して接合構成する。
即ち、前記図１に図示のように、前記薄膜太陽電池モジュール１００と前記フレキシブルプリント回路基板２００が形成された外郭領域６２１を、前記ミシン糸６２０を用いて、縫製作業を介して接合し、複数の薄膜太陽電池モジュール１００／フレキシブルプリント回路基板２００との間の間領域６２２を、前記ミシン糸６２０を用いて、縫製作業を介して接合する。
前記ヒートシンク（ｈｅａｔ ｓｉｎｋ、放熱手段）は、前記フレキシブルプリント回路基板２００と接続する。
即ち、前記ヒートシンクは、前記フレキシブルプリント回路基板２００の放熱部２４０と前記締結部２５０を介して固定されることができる。
また、前記ヒートシンクは、前記フレキシブルプリント回路基板２００の放熱部２４０から放出される熱を吸収する。
また、前記ヒートシンクは、熱を吸収し、フレキシブルな特性を保持することができるようにアルミニウムなどで構成されることができる。
また、前記ヒートシンクは、内部に空気、水などを満たすことができる構造で形成して、前記ヒートシンクが水上に浮いている状態を保持することによって、前記携帯用薄膜太陽電池パネル１０が水上でも動作することができるように構成することもできる。
このように、フレキシブル太陽電池パネルとフレキシブルプリント回路基板を一体型で形成し、前記フレキシブル太陽電池パネルから発生する熱を外部へ放出するために、外部ヒートシンクと接続する前記フレキシブルプリント回路基板の一面に金属パターンの放熱部を形成することができる。
以下では、本発明によるフレキシブルプリント回路基板を適用した携帯用薄膜太陽電池パネルの製造方法を図１ないし図９を詳しく説明する。
図９は、本発明の実施例によるフレキシブルプリント回路基板を適用した携帯用薄膜太陽電池パネルの製造方法を示した流れ図である。
まず、薄膜太陽電池モジュール１００の電極をフレキシブルプリント回路基板２００の電極２２０に接合（または、接続／半田付け）する。
即ち、前記薄膜太陽電池モジュール１００に形成されたフレキシブルな複数の電極の各々をフレキシブルプリント回路基板２００に形成された複数の電極２２０に各々接合する。
この時、様々な結線方式による相異なるパターンを有する複数のフレキシブルなプリント回路基板２００のうち、前記薄膜太陽電池モジュール１００が他の薄膜太陽電池モジュール１００に接続される電極特性を考えて、該薄膜太陽電池モジュール１００に対応する特定フレキシブルプリント回路基板２００を選択することができる。
また、前記薄膜太陽電池モジュール１００の電極と前記フレキシブルプリント回路基板２００の電極２２０が接合されることによって、前記薄膜太陽電池モジュール１００の他面（または、下面）と前記フレキシブルプリント回路基板２００の一面（または、上面）が互いに向い合って一体型で形成されることができる（Ｓ９１０）。
以後、前記薄膜太陽電池モジュール１００の一面に第１ラミネート層３００を配置（または、形成／構成）する。ここで、前記第１ラミネート層３００は、フレキシブルなＰＥＴフィルム、ＰＥフィルムなどで構成されることができる（Ｓ９２０）。
以後、前記第１ラミネート層３００の上に（または、前記第１ラミネート層３００の一面に）第１防水生地４００を配置（または、形成／構成）する（Ｓ９３０）。
以後、前記フレキシブルプリント回路基板２００の他面に第２ラミネート層５００を配置（または、形成／構成）する。
この時、図３に図示のように、前記第２ラミネート層５００の一部領域は、前記フレキシブルプリント回路基板２００の他面に形成された放熱部２４０の大きさに合わせて、第１切断線５１０が形成された状態であることがある（Ｓ９４０）。
以後、前記第２ラミネート層５００の上に（または、前記第２ラミネート層５００の他面に）第２防水生地６００を配置（または、形成／構成）する。
この時、図３に図示のように、前記第２防水生地６００の一部領域は、前記第２ラミネート層５００の第１切断線５１０に応じて第２切断線６１０が形成された状態であることがある（Ｓ９５０）。
以後、前記第１防水生地４００と前記第２防水生地６００とをミシン糸６２０を用いて、縫製作業を介して接合構成する。
即ち、前記第１防水生地４００と前記第２防水生地６００との間に前記第１ラミネート層３００と、前記薄膜太陽電池モジュール１００と、前記フレキシブルプリント回路基板２００および前記第２ラミネート層５００とが積層された状態で、該積層された状態が固定できるように前記第１防水生地４００と前記第２防水生地６００との外郭および／または、内郭の一部を、ミシン糸６２０を用いて、縫製作業を介して接合構成する（Ｓ９６０）。
本発明の実施例は、先に説明したように、フレキシブル太陽電池パネルとフレキシブルプリント回路基板を一体型で形成し、前記フレキシブル太陽電池パネルから発生する熱を外部へ放出するために、外部ヒートシンクと接続する前記フレキシブルプリント回路基板の一面に金属パターンの放熱部を形成して、複数の太陽電池との間を接続する接続端子、または、太陽電池の一側に形成された電極の途切れの発生を防止し、電極配線の利便性を高め、放熱構造を選択的に結合することができて、応用範囲を拡大することができる。
前述の内容は、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者であるならば、本発明の本質的な特性から外れない範囲で修正および変形が可能なはずである。従って、本発明に開示された実施例らは、本発明の技術事象を限定するためのものではなく、説明するためのものであり、このような実施例によって本発明の技術事象の範囲が限定されることはない。本発明の保護範囲は、次の特許請求の範囲によって解釈されるべきであって、それと同等な範囲内にある全ての技術事象は、本発明の権利範囲に含まれると解釈されるべきである。
本発明は、フレキシブル太陽電池パネルとフレキシブルプリント回路基板を一体型で形成し、前記フレキシブル太陽電池パネルから発生する熱を外部へ放出するために、外部ヒートシンクと接続する前記フレキシブルプリント回路基板の一面に金属パターンの放熱部を形成することによって、複数の太陽電池との間を接続する接続端子、または、太陽電池の一側に形成された電極の途切れの発生を防止し、電極配線の利便性を高め、放熱構造を選択的に結合することができて、応用範囲を拡大することができて、軍需分野、電子産業、バイオ産業、一般機械産業、農業分野、畜産業、水産業、一般培養産業、乾燥産業、自動車産業、一般家庭用暖房分野、商業用分野、医療産業分野などで広範囲で利用することができる。
１０：携帯用薄膜太陽電池パネル
１００：薄膜太陽電池モジュール
２００：フレキシブルプリント回路基板
２１０：ベース層
２２０：電極
２３０：接続端子
２４０：放熱部
２５０：締結部
２６０：パターン部
３００：第１ラミネート層
４００：第１防水生地
５００：第２ラミネート層
５１０：第１切断線
６００：第２防水生地
６１０：第２切断線
６２０：ミシン糸
６２１：外郭領域
６２２：間領域

Claims (5)

  1. フレキシブルプリント回路基板を適用した携帯用薄膜太陽電池パネルにおいて、
    長さ方向に配置された複数の第１電極を含む薄膜太陽電池モジュールと；
    前記第１電極と同一の長さ方向に配置された複数の第２電極を含み、前記薄膜太陽電池モジュールの他面に配置されて、前記薄膜太陽電池モジュールの単独使用による前記第１電極の途切れを防ぐために、前記第２電極を介して前記第１電極と電気的に接続されるフレキシブルプリント回路基板と；
    前記薄膜太陽電池モジュールの一面に配置される第１ラミネート層と；
    前記第１ラミネート層の一面に配置される第１防水層と；
    前記フレキシブルプリント回路基板の他面に配置される第２ラミネート層；および
    前記第２ラミネート層の他面に配置される第２防水層とを含み、
    前記フレキシブルプリント回路基板は、
    絶縁材で構成されて、一面が前記薄膜太陽電池モジュールに対向するベース層と；
    前記ベース層の他面に配置される前記複数の第２電極と；
    前記ベース層の他面に配置されて、他のフレキシブルプリント回路基板と接続するための接続端子と；
    前記ベース層の他面の中央領域に配置される放熱部と；
    前記放熱部の一側に配置される締結部；および
    前記ベース層の他面の外郭領域に配置されて、前記第２電極と電気的に接続されるパターン部とを含む
    ことを特徴とするフレキシブルプリント回路基板を適用した携帯用薄膜太陽電池パネル。
  2. 前記締結部は、
    外部のヒートシンクと前記フレキシブルプリント回路基板を固定し、
    前記放熱部は、
    前記薄膜太陽電池モジュールの動作に従って前記薄膜太陽電池モジュールから発生する熱を前記ヒートシンクで放出する
    ことを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルプリント回路基板を適用した携帯用薄膜太陽電池パネル。
  3. 前記パターン部は、
    前記薄膜太陽電池モジュールが他の薄膜太陽電池モジュールに接続される結線方式による電極特性を根拠に相異なるパターンで構成する
    ことを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルプリント回路基板を適用した携帯用薄膜太陽電池パネル。
  4. 前記第２ラミネート層は、
    前記フレキシブルプリント回路基板に含まれた放熱部が外部に形成されるヒートシンクに接続することができるように前記放熱部の大きさに対応する第１切断線を含み、
    前記第２防水層は、
    前記第１切断線に対応する第２切断線を含む
    ことを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルプリント回路基板を適用した携帯用薄膜太陽電池パネル。
  5. フレキシブルプリント回路基板を適用した携帯用薄膜太陽電池パネルの製造方法において、
    薄膜太陽電池モジュールに含まれた複数の第１電極とフレキシブルプリント回路基板に含まれた複数の第２電極を接合して、電気的に接続する段階と；
    前記薄膜太陽電池モジュールの一面に第１ラミネート層を配置する段階と；
    前記第１ラミネート層の一面に第１防水層を配置する段階と；
    前記フレキシブルプリント回路基板の他面に第１切断線を含む第２ラミネート層を配置する段階；および
    前記第２ラミネート層の他面に第２切断線を含む第２防水層を配置する段階とを含み、
    前記複数の第１電極と前記複数の第２電極を接合して、電気的に接続する段階は、
    前記薄膜太陽電池モジュールの単独使用による前記第１電極の途切れを防ぐために、前記薄膜太陽電池モジュールの長さ方向に配置された複数の第１電極を前記第１電極と同一の長さ方向に配置された前記複数の第２電極と電気的に接続し、
    前記フレキシブルプリント回路基板は、
    一面が前記薄膜太陽電池モジュールに対向するベース層の他面に前記複数の第２電極を配置するプロセスと；
    前記ベース層の他面に他のフレキシブルプリント回路基板と接続するための接続端子を配置するプロセスと；
    前記ベース層の他面の中央領域に放熱部を配置するプロセスと；
    前記放熱部の一側に締結部を配置するプロセス；および
    前記ベース層の他面の外郭領域に前記第２電極と電気的に接続されるパターン部を配置するプロセスによって形成された
    ことを特徴とするフレキシブルプリント回路基板を適用した携帯用薄膜太陽電池パネルの製造方法。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62140760U (ja) * 1986-02-27 1987-09-05
JP2011096989A (ja) * 2009-11-02 2011-05-12 Keiwa Inc 太陽電池モジュール裏面用放熱シート及びこれを用いた太陽電池モジュール
KR20110066307A (ko) * 2009-12-11 2011-06-17 심포니에너지주식회사 펠티어소자를 이용한 집광형 플렉시블 씨아이지에스 모듈 형성 방법
JP2011187818A (ja) * 2010-03-10 2011-09-22 Dainippon Printing Co Ltd 超電導シートを用いた太陽電池モジュール
JP2012033812A (ja) * 2010-08-02 2012-02-16 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 太陽電池モジュール
JP2014078668A (ja) * 2012-10-12 2014-05-01 Sharp Corp 太陽電池モジュール
JP2015170699A (ja) * 2014-03-06 2015-09-28 住友電気工業株式会社 フレキシブルプリント基板および太陽光発電モジュール
CN205428962U (zh) * 2016-03-24 2016-08-03 中物院成都科学技术发展中心 一种基于cigs柔性光伏电池薄片的建筑光伏光热一体化构件

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000012875A (ja) 1998-06-23 2000-01-14 Canon Inc 光電変換装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62140760U (ja) * 1986-02-27 1987-09-05
JP2011096989A (ja) * 2009-11-02 2011-05-12 Keiwa Inc 太陽電池モジュール裏面用放熱シート及びこれを用いた太陽電池モジュール
KR20110066307A (ko) * 2009-12-11 2011-06-17 심포니에너지주식회사 펠티어소자를 이용한 집광형 플렉시블 씨아이지에스 모듈 형성 방법
JP2011187818A (ja) * 2010-03-10 2011-09-22 Dainippon Printing Co Ltd 超電導シートを用いた太陽電池モジュール
JP2012033812A (ja) * 2010-08-02 2012-02-16 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 太陽電池モジュール
JP2014078668A (ja) * 2012-10-12 2014-05-01 Sharp Corp 太陽電池モジュール
JP2015170699A (ja) * 2014-03-06 2015-09-28 住友電気工業株式会社 フレキシブルプリント基板および太陽光発電モジュール
CN205428962U (zh) * 2016-03-24 2016-08-03 中物院成都科学技术发展中心 一种基于cigs柔性光伏电池薄片的建筑光伏光热一体化构件

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