JP2019195903A - マイクロニードルの作製方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】マイクロニードルの作製方法を提供する。【解決手段】マイクロニードルの作製方法は、モールドピラー110を作製することと、導電性ポリマー層を含む1以上のコーティング層114を前記モールドピラー110上に形成することと、前記導電性ポリマー層114上に金属層を堆積させて第1のマイクロニードルを得ることと、を含む。前記モールドピラー110上に前記1つ以上のコーティング層114を形成した後、前記モールドピラー110をコーティングする前記1つ以上のコーティング層の厚さは、基材に近い領域では比較的厚く、前記基材から遠い領域では比較的薄い。【選択図】図1D
Description
本発明は、機械的ミクロ構造体を作製する方法に関する。特に、本発明は、マイクロニードルの作製方法に関する。
マイクロニードルの各種作製方法が公知である。公知技術の例としては、以下の文献(特許文献1及び非特許文献1〜4)に記載されるものが挙げられる。
ディー・ヴィー・マカリスターら(D.V.McAllister et al.)、「Microfabricated needles for transdermal delivery of macromolecules and nanoparticles:Fabrication methods and transport studies」、Proc.Nat.Acad.Sci.USA、第100(24)巻、13755〜13760ページ(2003年)
ビー・シュトゥーバー(B.Stoeber)、ディー・リープマン(D.Liepmann)、「Arrays of Hollow out−of−Plane Microneedles for Drug Delivery」、J.Microelectromech.Syst.、第14巻、第3号、472〜479ページ(2005年)
I・マンスールら(I.Mansoorr et al.)、「Hollow Out−of−Plane Polymer Microneedles Made by Solvent Casting for Transdermal Drug Delivery」、J.Microelectromech.Syst.、第21巻、44〜52ページ(2012年)
エス・ピー・デービスら(S.P.Davis et al.)、「Hollow metal microneedles for insulin delivery to diabetic rats」、IEEE Trans.Biomed.Eng.、第52巻、909〜915ページ(2005年)
本発明の課題は明細書に開示される。
以下の実施形態およびその態様は、範囲を限定するものではなく代表的かつ例示的であることが意図される方法および装置とともに記述され、示される。
本発明の一態様は、有孔マイクロニードルを作製する方法を提供する。本方法は、モールドピラーを準備することと、有孔導電層をモールドピラー上に形成することと、有孔導電層上に金属層を堆積させて有孔マイクロニードルを得ることとを含む。
本発明の一態様は、有孔マイクロニードルを作製する方法を提供する。本方法は、モールドピラーを準備することと、有孔導電層をモールドピラー上に形成することと、有孔導電層上に金属層を堆積させて有孔マイクロニードルを得ることとを含む。
いくつかの実施形態では、モールドピラーは基材表面から離れるように延びる。モールドピラーは基材表面に略垂直な方向に、基材表面から離れるように延びてもよい。モールドピラーはフォトレジストを含んでよく、モールドピラーを準備することは、フォトレジストをマスクを通して化学線に露光させることを含んでもよい。マスクは、化学線に対して透過性である円形状領域を含んでもよい。モールドピラーは、底部および先端を有する円錐形モールドピラーを含んでもよい。モールドピラーを準備することは、エッチングプロセスを使用してモールドピラーの先端を鋭利にすることを含んでもよい。いくつかの実施形態では、モールドピラーは、モールドピラーを後のプロセスから保護し、複数のマイクロニードルを作製するためにモールドピラーを使用可能にするための保護層を含む。本方法は、溶液流延プロセスを使用して保護層を形成することを含んでもよい。
いくつかの実施形態では、モールドピラー上に有孔導電層を形成することは、溶液流延プロセスを使用することを含む。導電層を溶液流延することは、ポリマーおよび導電性粒子を溶媒に添加することを含んでもよい。ポリマーはポリ(メチルメタクリレート)(PMMA)を含んでよく、導電性粒子はカーボンブラック粒子を含んでもよい。本方法は、界面活性剤を溶媒に添加することを含んでもよい。有孔導電層は、ポリマー中に均一に分布した導電性粒子を含んでもよい。有孔導電層をモールドピラー上に形成することは、モールドピラーに導電層をコーティングすることと、その後導電層を一部除去して孔を形成することとを含んでもよい。本方法は、ドライエッチングによって導電層の一部を除去することを含んでもよい。本方法は、フォトリソグラフィによって導電層の一部を除去することを含んでもよい。本方法は、機械的研削によって導電層の一部を除去することを含んでもよい。本方法は、局所加熱によって導電層の一部を除去することを含んでもよい。本方法は、モールドピラーの領域にコーティングを塗布することと、コーティングされる領域に位置する孔を有して導電層が形成されるように、コーティングによってはじかれる溶媒を使用してモールドピラーに導電層を溶液流延することによって、有孔導電層を形成することをさらに含んでもよい。コーティングは極性コーティングを含んでよく、かつ溶媒は非極性溶媒を含んでもよいか、またはコーティングは非極性コーティングであり、かつ溶媒は極性溶媒である。本方法は、モールドピラーの第1の領域がモールドピラーの第2の領域よりも縦方向に高くなるように、モールドピラーを配向させることと、重力によって導電層が第1の領域に孔を有して形成されるように、モールドピラー上に導電層を溶液流延することとによって、有孔導電層を形成することをさらに含んでもよい。
いくつかの実施形態において、金属層を有孔導電層上に堆積させることは、金属層を有孔導電層上に電気めっきすることと、電気めっきプロセスにおいて有孔導電層を電極として使用することとを含む。金属層は、導電層に隣接する金属製の第1の副層と、金属製の第1の層に隣接する金属製の第2の副層とを含んでもよい。金属製の第1の副層は構造的金属を含んでよく、金属製の第2の副層は生体適合性金属を含んでよく、または、第1の金属副層は生体適合性金属を含んでよく、第2の金属副層は構造的金属を含んでもよい。
いくつかの実施形態では、本方法はモールドピラーからマイクロニードルを除去することを含んでもよい。モールドピラーからマイクロニードルを除去することは、少なくとも部分的に有孔導電層を溶解させることを含んでもよい。モールドピラーからマイクロニードルを除去することは、モールドピラー上に形成された犠牲層を少なくとも部分的に溶解させることを含んでもよい。犠牲層は、モールドピラーと有孔導電層との間に形成されてもよい。モールドピラーからマイクロニードルを除去することにより、モールドピラーが実質的に無傷のまま残される。本方法は、再びモールドピラーを使用して第2のマイクロニードルを作製することをさらに含んでもよい。再びモールドピラーを使用して第2のマイクロニードルを作製することは、第2の有孔導電層をモールドピラー上に形成することと、第2の有孔導電層上に第2の金属層を堆積させて第2のマイクロニードルを得ることとを含んでもよい。再びモールドピラーを使用して第2のマイクロニードルを作製することは、第2の金属層を有孔導電層上に堆積させて第2のマイクロニードルを得ることを含んでもよい。
いくつかの実施形態では、本方法は、マイクロニードルにコーティングを塗布することをさらに含む。コーティングは生体適合性コーティングを含んでもよい。コーティングは、電気絶縁性コーティングを含んでもよい。本方法は、モールドピラーからマイクロニードルを除去することと、マイクロニードルの内部表面にコーティングを塗布することとを含む。マイクロニードルの内部表面は、マイクロニードルがモールドピラーから除去される前にモールドピラーによって隠されている。本方法は、モールドピラー上に犠牲層を形成することを含んでもよい。第1の金属層をモールドピラー上に堆積させることは、第1の金属層を犠牲層上にスパッタリングすることを含む。モールドピラーから第1のマイクロニードルを除去することは、少なくとも部分的に犠牲層を溶解させることを含んでもよい。コーティングは金属を含んでもよい。金属コーティングをマイクロニードルの内部表面に塗布することは、金属コーティングをマイクロニードルの内部表面に電気めっきすることと、電気めっきプロセスにおいてマイクロニードルを電極として使用することとを含んでもよい。コーティングは生体適合性コーティングを含んでもよい。
本発明の別の態様は、第1のマイクロニードルおよび第2のマイクロニードルを作製する方法を提供する。本方法は、モールドピラーを準備することと、第1の金属層をモールドピラー上に堆積させて、第1のマイクロニードルを得ることと、モールドピラーから第1のマイクロニードルを除去することと、第2の金属層をモールドピラー上に堆積させて、第2のマイクロニードルを得ることとを含む。
いくつかの実施形態では、モールドピラーは基材表面から離れるように延びる。モールドピラーは基材表面に略垂直な方向に、基材表面から離れるように延びてもよい。モールドピラーはフォトレジストを含んでよく、モールドピラーを準備することは、フォトレジストをマスクを通して化学線に露光させることを含んでもよい。マスクは、化学線に対して透過性である円形状領域を含んでもよい。モールドピラーは、底部および先端を有する円錐形モールドピラーを含んでもよい。モールドピラーを準備することは、エッチングプロセスを使用してモールドピラーの先端を鋭利にすることを含んでもよい。いくつかの実施形態では、モールドピラーは、モールドピラーを後のプロセスから保護し、複数のマイクロニードルを作製するためにモールドピラーを使用可能にするための保護層を含む。本方法は、溶液流延プロセスを使用して保護層を形成することを含んでもよい。
いくつかの実施形態において、第1の金属層をモールドピラー上に堆積させて、第1のマイクロニードルを得ることは、導電層をモールドピラー上に形成することと、第1の金属層を導電層上に堆積させることとを含む。導電層をモールドピラー上に形成することは、溶液流延プロセスを使用することを含んでもよい。導電層を溶液流延することは、ポリマーおよび導電性粒子を溶媒に添加することを含んでもよい。ポリマーはポリ(メチルメタクリレート)(PMMA)を含んでよく、導電性粒子はカーボンブラック粒子を含んでもよい。本方法は、界面活性剤を溶媒に添加することを含んでもよい。導電層は、ポリマー中に均一に分布した導電性粒子を含んでもよい。導電層は有孔導電層を含んでもよい。本方法は、モールドピラーを導電層でコーティングすることと、その後導電層の一部を除去して孔を形成することとによって有孔導電層を形成することをさらに含んでもよい。本方法は、ドライエッチングによって導電層の一部を除去することを含んでもよい。本方法は、フォトリソグラフィによって導電層の一部を除去することを含んでもよい。本方法は、機械的研削によって導電層の一部を除去することを含んでもよい。本方法は、局所加熱によって導電層の一部を除去することを含んでもよい。導電層をモールドピラー上に形成することは、モールドピラーの領域にコーティングを塗布することと、コーティングされる領域に位置する孔を有して導電層が形成されるように、コーティングによってはじかれる溶媒を使用してモールドピラーに導電層を溶液流延することとを含んでもよい。コーティングは極性コーティングを含んでよく、かつ溶媒は非極性溶媒を含んでよく、またはコーティングは非極性コーティングを含んでよく、かつ溶媒は極性溶媒を含んでもよい。有孔導電層をモールドピラー上に形成することは、モールドピラーの第1の領域がモールドピラーの第2の領域よりも縦方向に高くなるように、モールドピラーを配向させることと、重力によって導電層が第1の領域に孔を有して形成されるように、モールドピラー上に導電層を溶液流延することとを含んでもよい。
いくつかの実施形態において、第1の金属層を導電層上に堆積させることは、電極として導電層を使用することと、第1の金属層を導電層上に電気めっきすることとを含む。第1の金属層は、導電層上に適用された第1の金属副層と、第1の金属副層に適用された第2の金属副層とを含んでもよい。第1の金属副層は構造的金属を含んでよく、第2の金属副層は生体適合性金属を含んでもよい。
いくつかの実施形態において、モールドピラーから第1のマイクロニードルを除去することは、少なくとも部分的に導電層を溶解させることを含む。モールドピラーから第1のマイクロニードルを除去することは、モールドピラー上に形成された犠牲層を少なくとも部分的に溶解させることを含んでもよい。本方法は、モールドピラーと導電層との間に犠牲層を形成することを含んでよく、モールドピラーから第1のマイクロニードルを除去することは、少なくとも部分的に犠牲層を溶解させることを含んでもよい。モールドピラーから第1のマイクロニードルを除去することにより、モールドピラーが実質的に無傷のまま残されてもよい。本方法は、コーティングを第1のマイクロニードルに塗布することをさらに含んでもよい。コーティングは生体適合性コーティングを含んでもよい。コーティングは、電気絶縁性コーティングを含んでもよい。本方法は、モールドピラーから第1のマイクロニードルを除去した後に、第1のマイクロニードルの内部表面にコーティングを塗布することを含んでもよい。第1のマイクロニードルの内部表面は、第1のマイクロニードルがモールドピラーから除去される前にモールドピラーによって隠されている。コーティングは金属を含んでもよい。金属コーティングを第1のマイクロニードルの内部表面に塗布することは、電気めっきプロセスにおいて第1のマイクロニードルを電極として使用して、金属コーティングを第1のマイクロニードルの内部表面に電気めっきすることを含んでもよい。コーティングは生体適合性コーティングを含んでもよい。第2の金属層をモールドピラー上に堆積させて、第2のマイクロニードルを得ることは、導電層上に第2の金属層を堆積させて第2のマイクロニードルを得ることを含んでもよい。
第2の金属層をモールドピラー上に堆積させて、第2のマイクロニードルを得ることは、第2の導電層をモールドピラー上に形成することと、第2の導電層上に第2の金属層を堆積させて第2のマイクロニードルを得ることとを含んでもよい。
本発明の別の態様は、マイクロニードルを作製する方法を提供する。本方法は、モールドピラーを準備することと、導電性ポリマー層をモールドピラー上に形成することと、導電性ポリマー層上に金属層を堆積させてマイクロニードルを得ることとを含む。
いくつかの実施形態では、モールドピラーは基材表面から離れるように延びる。モールドピラーは基材表面に略垂直な方向に、基材表面から離れるように延びてもよい。モールドピラーはフォトレジストを含んでよく、モールドピラーを準備することは、フォトレジストをマスクを通して化学線に露光させることを含んでもよい。マスクは、化学線に対して透過性を備える円形状領域を含んでもよい。モールドピラーは、底部および先端を有する円錐形モールドピラーを含んでもよい。モールドピラーを準備することは、エッチングプロセスを使用してモールドピラーの先端を鋭利にすることを含んでもよい。いくつかの実施形態では、モールドピラーは、モールドピラーを後のプロセスから保護し、複数のマイクロニードルを作製するためにモールドピラーを使用可能にするための保護層を含む。本方法は、溶液流延プロセスを使用して保護層を形成することを含んでもよい。
いくつかの実施形態では、モールドピラー上に導電性ポリマー層を形成することは、溶液流延プロセスを使用することを含む。導電性ポリマー層を溶液流延することは、ポリマーおよび導電性粒子を溶媒に添加することを含んでもよい。ポリマーはポリ(メチルメタクリレート)(PMMA)を含んでよく、導電性粒子はカーボンブラック粒子を含んでもよい。本方法は、界面活性剤を溶媒に添加することを含んでもよい。導電性ポリマー層は、ポリマー中に均一に分布した導電性粒子を含んでもよい。導電性ポリマー層は有孔導電性ポリマー層を含んでもよい。本方法は、モールドピラーを導電性ポリマー層でコーティングすることと、その後導電性ポリマー層の一部を除去して孔を形成することとによって有孔導電性ポリマー層を形成することをさらに含んでもよい。本方法は、ドライエッチングによって導電性ポリマー層の一部を除去することを含んでもよい。本方法は、フォトリソグラフィによって導電性ポリマー層の一部を除去することを含んでもよい。本方法は、機械的研削によって導電性ポリマー層の一部を除去することを含んでもよい。本方法は、局所加熱によって導電性ポリマー層の一部を除去することを含んでもよい。本方法は、モールドピラーの領域にコーティングを塗布することと、コーティングされる領域に位置する孔を有して導電性ポリマー層が形成されるように、コーティングによってはじかれる溶媒を使用してモールドピラーに導電性ポリマー層を溶液流延することとによって、有孔導電性ポリマー層を形成することを含んでもよい。コーティングは極性コーティングを含んでよく、かつ溶媒は非極性溶媒を含んでよく、またはコーティングは非極性コーティングを含んでよく、かつ溶媒は極性溶媒を含んでもよい。本方法は、モールドピラーの第1の領域がモールドピラーの第2の領域よりも縦方向に高くなるように、モールドピラーを配向させることと、重力によって導電性ポリマー層が第1の領域に孔を有して形成されるように、モールドピラー上に導電性ポリマー層を溶液流延することとによって、有孔導電性ポリマー層をモールドピラー上に形成することをさらに含んでもよい。
いくつかの実施形態において、金属層を導電層上に堆積させることは、金属層を導電性ポリマー層上に電気めっきすることと、電気めっきプロセスにおいて導電性ポリマー層を電極として使用することとを含む。金属層を導電性ポリマー層上に堆積させることは、金属層を導電性ポリマー層上にスパッタリングすることを含んでもよい。金属層は、導電性ポリマー層に隣接する金属製の第1の副層と、金属製の第1の層に隣接する金属製の第2の副層とを含んでもよい。金属製の第1の副層は構造的金属を含んでよく、金属製の第2の副層は生体適合性金属を含んでよく、または、第1の金属副層は生体適合性金属を含んでよく、第2の金属副層は構造的金属を含んでもよい。
いくつかの実施形態では、本方法はモールドピラーからマイクロニードルを除去することを含む。モールドピラーからマイクロニードルを除去することは、少なくとも部分的に導電性ポリマー層を溶解させることを含んでもよい。モールドピラーからマイクロニードルを除去することは、モールドピラー上に形成された犠牲層を少なくとも部分的に溶解させることを含んでもよい。犠牲層は、モールドピラーと導電性ポリマー層との間に形成されてもよい。モールドピラーからマイクロニードルを除去することにより、モールドピラーが実質的に無傷のまま残される。本方法は、再びモールドピラーを使用して第2のマイクロニードルを作製することをさらに含んでもよい。再びモールドピラーを使用して第2のマイクロニードルを作製することは、第2の導電性ポリマー層をモールドピラー上に形成することと、第2の導電性ポリマー層上に第2の金属層を堆積させて第2のマイクロニードルを得ることとを含んでもよい。再びモールドピラーを使用して第2のマイクロニードルを作製することは、第2の金属層を導電性ポリマー層上に堆積させて第2のマイクロニードルを得ることを含んでもよい。
いくつかの実施形態では、本方法は、マイクロニードルにコーティングを塗布することをさらに含む。コーティングは生体適合性コーティングを含んでもよい。コーティングは、電気絶縁性コーティングを含んでもよい。本方法は、モールドピラーからマイクロニードルを除去することと、マイクロニードルの内部表面にコーティングを塗布することとをさらに含んでもよい。マイクロニードルの内部表面は、マイクロニードルがモールドピラーから除去される前にモールドピラーによって隠されている。コーティングは金属を含んでもよい。金属コーティングをマイクロニードルの内部表面に塗布することは、金属コーティングをマイクロニードルの内部表面に電気めっきすることと、電気めっきプロセスにおいてマイクロニードルを電極として使用することとを含んでもよい。コーティングは生体適合性コーティングを含んでもよい。
上述の例示的な態様および実施形態に加えて、さらなる態様および実施形態が、図面を参照し、また以下の発明を実施するための形態を研究することによって明らかになるであろう。
例示的な実施形態が、図面の参照図に図示される。本明細書に開示される実施形態および図は、限定的なものではなく例示的なものとして考慮されるべきであることを意図する。
以下の記述を通して、当業者がより完全に理解できるように具体的な詳細が記述される。しかし、不必要に本開示を不明瞭にすることを回避するために、公知の要素は示されないか、または詳細に記述されない場合がある。したがって、本明細書および図面は、限定するものではなく例示としてみなされるべきである。
本発明の一実施形態は、金属マイクロニードルを作製する方法を提供する。本方法は、モールドピラーを準備することと、導電層をモールドピラー上に形成することと、導電層上に金属層を堆積させてマイクロニードルを得ることと、モールドピラーからマイクロニードルを除去することとを含んでもよい。導電層は導電層を堆積する前に孔が開けられて、有孔金属層、したがって有孔マイクロニードルが形成されてもよい。モールドピラーはさらなる金属マイクロニードルを作製するために再使用されてもよい。
(モールドピラーの作製または別の方法による提供)
モールドピラーはマイクロマシニング(例えば、シリコンマイクロマシニング)、エンボス加工(例えば、熱エンボス加工)、リソグラフィ(例えば、ソフトリソグラフィおよび任意のリソグラフィ)、3Dプリント、および同等の方法、あるいはマイクロマシニング(例えば、シリコンマイクロマシニング)、エンボス加工(例えば、熱エンボス加工)、リソグラフィ(例えば、ソフトリソグラフィおよび任意のリソグラフィ)、3Dプリント、または同等の方法を含む任意の好適な方法によって作製されてもよい。モールドピラーは任意の好適な材料を含んでもよい。いくつかの実施形態では、あらかじめ作製されたマイクロニードルをモールドピラーとして使用してもよい。
モールドピラーはマイクロマシニング(例えば、シリコンマイクロマシニング)、エンボス加工(例えば、熱エンボス加工)、リソグラフィ(例えば、ソフトリソグラフィおよび任意のリソグラフィ)、3Dプリント、および同等の方法、あるいはマイクロマシニング(例えば、シリコンマイクロマシニング)、エンボス加工(例えば、熱エンボス加工)、リソグラフィ(例えば、ソフトリソグラフィおよび任意のリソグラフィ)、3Dプリント、または同等の方法を含む任意の好適な方法によって作製されてもよい。モールドピラーは任意の好適な材料を含んでもよい。いくつかの実施形態では、あらかじめ作製されたマイクロニードルをモールドピラーとして使用してもよい。
モールドピラーは任意の好適な形状を有してもよく、円柱、支柱、円錐、壁等を含んでもよい。モールドピラーは、基材から離れるように延びるように作製されてもよい(または、基材から離れるように別様に延びてもよい)。基材はケイ素、ガラス、Pyrex(登録商標)、石英、ポリマー、金属、セラミック、およびこれらの任意の組み合わせを含む任意の好適な材料を含んでもよい。モールドピラーは、基材が略平面状である場合、面外方向(例えば、基材の略平面状の表面に垂直な成分を少なくとも有する方向)を含む任意の方向に基材表面から延びてもよい。基材が非平面状の実施形態では、モールドピラーは、モールドピラーの位置で、基材表面に垂直な成分を少なくとも有する方向に延びてもよい。基材表面に複数のモールドピラーを含むアレイが作製されても、または別の方法で提供されてもよい。以下の記述から明らかになるように、モールドピラーのアレイの間隔および配置は、モールドピラーのアレイを使用して作製されたマイクロニードルのアレイの間隔および配置を規定してもよい。
図1Aおよび図1Bは、例示的な実施形態に従うモールドピラー110のアレイを作製する方法を示す。フォトレジスト102は基材104の第1の表面104Aに適用されてよく、マスク106は基材104の反対面104Bに適用されてもよい。基材104のマスクされた表面104Bは、化学線108に露光されてもよい。化学線108への露光後、フォトレジスト102を現像液浴に浸漬させることによって、フォトレジスト102の一部を溶解させ、モールドピラー110を残すことができる(図1B)。図1Aおよび図1Bの図示した実施形態は、(露光されたフォトレジストが露光後も維持されてモールドピラー110を提供する場合)ネガ型フォトレジスト102を使用することを伴う。いくつかの実施形態において、(露光されたフォトレジストが溶解され、露光されないフォトレジストが露光後も維持されてモールドピラー110を提供する場合)ポジ型フォトレジストを使用してもよい。
いくつかの例示的実施形態では、SU−8 2150エポキシ系ネガ型フォトレジスト(マサチューセッツ州ニュートンのMicroChem(登録商標)より入手)の厚さが200μm〜1200μm(例えば、700μm)の範囲の層は、100μm〜500μmの範囲内の厚さ(例えば、300μm)を有するPyrex(登録商標)ウェハを含む基材104の表面104Aにスピンコーティングされて(または別の方法でコーティングされて)もよい。基材104およびフォトレジスト102は、65℃で10分間、また95℃で2.5時間ソフトベークされてもよい。化学線に対して透過性の円形状領域(例えば、孔)106Aのアレイを規定するように成形された暗視野マスク106を使用して、マスクされる表面104Bを覆う。いくつかの実施形態では、円形状透過性領域106Aは、20〜120μmの直径(例えば、40μm)を有する。いくつかの実施形態では、透過性領域106Aは異なる形状(例えば、多角形)を有してもよい。いくつかの実施形態では、このような多角形状に成形された領域の縁部は、20〜120μmの範囲内のサイズ(例えば、40μm)を有してもよい。
基材104のマスクされる表面104Bは、SU−8フォトレジストの露光される部分に架橋を形成させる化学線に露光されてもよい。いくつかの実施形態では、化学線は、紫外線を含む。特定の一例示的実施形態では、化学線は9200mJ/cm2の紫外線である。露光後、基材104およびフォトレジスト102は、65℃で5分間、また95℃で35分間ベークされ、次に現像液浴に50分間入れられ、露光されてないフォトレジスト104を除去し、その後175℃で1時間ベークされてもよい。
マスク106の透過性領域106Aを通してのフォトレジスト102の露光により、フォトレジスト102の円錐形部分を化学線に露光でき、それによって現像後、円錐形のモールドピラー110を形成でき、このような円錐形モールドピラー110は底部110Bおよび先端110Aを含む。この形状は、例えば、基材104を通ってフォトレジスト102を露光させることによって設けられる(マスク106とフォトレジスト102の間の)空間のため得ることができる。円錐形モールドピラー110の底部110Bは、モールドピラー110の先端110Aよりも大きい断面寸法を有してもよい。しかしながら、このことは必須ではない。いくつかの実施形態において、モールドピラー110は、モールドピラー110がその少なくとも一部(例えば、底部110Bに近い部分)が基材104の表面から略直角に(または法線ベクトルの方向に)延びる側壁を有し、所望により先端110Aに近付くほど鋭くなってもよいように成形されてもよい。いくつかの実施形態では、モールドピラー110は、基材104の表面に対して75〜90度の範囲の角度を有する側壁を有してもよい。いくつかの実施形態において、モールドピラー110は、3:1〜12:1の範囲のアスペクト比(すなわち、高さ(例えば、底部110Bと先端110Aとの間の距離)対底部寸法(例えば、底部直径、底部110Bの最大寸法、および同等のもの、あるいは底部直径、底部110Bの最大寸法、または同等のものの比)を有してもよい。その他の実施形態では、モールドピラー110は、その他の側壁角度およびその他のアスペクト比を有してもよい。
以下でさらに詳しく説明するように、図示した実施形態の円錐形モールドピラー110を使用して、(例えば、モールドピラー110の底部110B付近の)比較的広いチャネル開口部および(例えば、円錐形モールドピラー110の先端110A付近の)鋭利な先端を有するマイクロニードルを作製してもよい。円錐形モールドピラー110の底部110Bの直径/縁部の長さ(およびモールドピラー110を使用して作製されたマイクロニードルのチャネル開口部の対応する直径/縁部の長さ)は、マスク106の透過性領域106Aの直径/縁部の長さにほぼ等しくてもよい。
いくつかの実施形態において、上にモールドピラー110が形成される基材104は、小さな片(例えば1cm×1cmの片)に切断されて(または別の方法で分割されて)もよく、各片はモールドピラー110および複数のモールドピラー110のアレイ、あるいはモールドピラー110または複数のモールドピラー110のアレイを含む。
いくつかの実施形態では、モールドピラー110はさらに任意の好適な方法によって成形されてもよい。例えば、モールドピラー110の先端110Aは、エッチングプロセス(例えば、ドライエッチング)を使用して(例えば、等方的に)鋭利にされてもよい。いくつかの実施形態において、モールドピラー110の先端110Aは、例えば、図4Aに示されるモールドピラーの先端110Aの形状110Cに類似の非対称な先端形状を有するように、非対称に鋭利にされてもよい。
図1Cの例示的実施形態を含むいくつかの実施形態では、保護層112は、昇華、噴霧堆積、凝結、鋳込み、スパッタリング、回転成形、溶液流延、および同等の方法、あるいは昇華、噴霧堆積、凝結、鋳込み、スパッタリング、回転成形、溶液流延、または同等の方法を含む任意の好適な方法によってモールドピラー110の表面および基材104、あるいはモールドピラー110の表面または基材104に塗布されてもよい。このような保護層112は、モールドピラー110の強度および基材104へのモールドピラー110の結合、あるいはモールドピラー110の強度または基材104へのモールドピラー110の結合を強化できる。保護層112は、複数のセットのマイクロニードルを作成するために複数回使用されるのに十分な耐久性があるモールドピラー110を製造する手助けができる。保護層112は任意であり必須ではない。いくつかの実施形態において、モールドピラー110は、保護層112なしでもマイクロニードルを作成するために複数回使用されるのに十分耐久性があってもよい。保護層112は任意の好適な材料を含んでもよい。保護層112は、モールドピラー110と同一材料または異なる材料を含んでもよい。
図1Cは、モールドピラー110および基材104に保護層112をコーティングする例示的方法を示す。保護層112は、保護層112の材料を溶媒中で溶解させて溶液を形成し、その後その溶液をモールドピラー110および基材104にキャスト(例えば、溶液流延および回転成形、あるいは溶液流延または回転成形)することによって塗布されてもよい。溶媒は蒸発し、保護層112を残すことができる。保護層112は光、熱、および同等のもの、あるいは光、熱、または同等のものにより硬化されてもよい。
非限定的な特定の一実施形態において、SU−8 3025(マサチューセッツ州ニュートンのMicroChem(登録商標)より入手)はシクロペンタノンで希釈され、6.7重量%溶液を作る。この溶液は、95℃で20分間、モールドピラー110および基材104、あるいはモールドピラー110または基材104にキャスト(例えば、溶液流延および回転成形、あるいは溶液流延または回転成形)され、30μmの保護層112を残すことができる。この保護層112は、900mJ/cm2の紫外線で硬化され、95℃で5分間、190℃で1時間ベークされてもよい。
(導電層のモールドピラー上における形成)
モールドピラー110を作製または別の方法で提供した後に、モールドピラー110の露光される表面は、非限定例として、昇華、噴霧堆積、凝結、鋳込み、回転成形、溶液流延、スパッタリング、および同等の方法、あるいは昇華、噴霧堆積、凝結、鋳込み、回転成形、溶液流延、スパッタリング、または同等の方法を含む任意の好適な方法によって導電層114でコーティングしてもよい。モールドピラー110が保護層112を有する場合、保護層112の露光される表面は、導電層114でコーティングされてもよい。いくつかの実施形態において、モールドピラー110または保護層112は、まず犠牲層(すなわち、後に溶解、融解、または別の方法で破壊されてもよい層)でコーティングされてよく、その後犠牲層の露光される表面は導電層114でコーティングされてもよい。いくつかの実施形態では、導電層114それ自体が犠牲層を提供してもよい(以下で詳述される)。
モールドピラー110を作製または別の方法で提供した後に、モールドピラー110の露光される表面は、非限定例として、昇華、噴霧堆積、凝結、鋳込み、回転成形、溶液流延、スパッタリング、および同等の方法、あるいは昇華、噴霧堆積、凝結、鋳込み、回転成形、溶液流延、スパッタリング、または同等の方法を含む任意の好適な方法によって導電層114でコーティングしてもよい。モールドピラー110が保護層112を有する場合、保護層112の露光される表面は、導電層114でコーティングされてもよい。いくつかの実施形態において、モールドピラー110または保護層112は、まず犠牲層(すなわち、後に溶解、融解、または別の方法で破壊されてもよい層)でコーティングされてよく、その後犠牲層の露光される表面は導電層114でコーティングされてもよい。いくつかの実施形態では、導電層114それ自体が犠牲層を提供してもよい(以下で詳述される)。
導電層114は任意の好適な材料を含んでもよい。いくつかの実施形態において、導電層114は、1種以上の導電性ポリマーを含む。導電性ポリマーを含む導電層114は、1種以上の元々または自然状態で導電性のポリマー類(例えば、ポリ(3,4−エチレン−ジオキシチオフェン))、導電性コポリマー類(例えば、ポリ(3,4−エチレン−ジオキシチオフェン)とポリ(スチレン−スルホネート)のコポリマー)、および導電性複合ポリマーマトリックスを形成する導電性粒子を含有するポリマー類を含んでもよい。非限定例として、導電性複合ポリマーマトリックスに使用してもよいポリマー類としては、以下が挙げられる。
・ポリ(メチルメタクリレート)(PMMA)、
・ポリ(酢酸ビニル)、
・ポリアクリロニトリル、
・ポリ(塩化ビニル)、
・ポリ(塩化ビニリデン)、
・ポリエチレン(LDPE、HDPE)、
・ポリプロピレン、
・ポリスチレン、
・ポリテトラフルオロエチレン、
・生分解性のポリマーおよびコポリマー(例えば、ポリ(乳酸)、ポリ(乳酸−コ−グリコール酸)、ポリ(カプロラクトン)、ポリホスファゼン、およびポリ無水物)、
・バイオポリマー(例えば、多糖類(例えば、キトサンおよびセルロース)、ポリペプチド、およびポリヌクレオチド)、および/または
・同等のもの
導電性複合ポリマーマトリックスに使用してもよい導電性粒子としては、カーボンブラック(CB)粒子、金属粒子(例えば、銀ナノ粒子)、金属酸化物粒子、導電性ポリマーを含む粒子、および同等のもの、あるいはカーボンブラック(CB)粒子、金属粒子(例えば、銀ナノ粒子)、金属酸化物粒子、導電性ポリマーを含む粒子、または同等のものが挙げられる。いくつかの実施形態では、導電層114は1種以上の好適な金属またはそれらの合金を含んでもよい。
・ポリ(酢酸ビニル)、
・ポリアクリロニトリル、
・ポリ(塩化ビニル)、
・ポリ(塩化ビニリデン)、
・ポリエチレン(LDPE、HDPE)、
・ポリプロピレン、
・ポリスチレン、
・ポリテトラフルオロエチレン、
・生分解性のポリマーおよびコポリマー(例えば、ポリ(乳酸)、ポリ(乳酸−コ−グリコール酸)、ポリ(カプロラクトン)、ポリホスファゼン、およびポリ無水物)、
・バイオポリマー(例えば、多糖類(例えば、キトサンおよびセルロース)、ポリペプチド、およびポリヌクレオチド)、および/または
・同等のもの
導電性複合ポリマーマトリックスに使用してもよい導電性粒子としては、カーボンブラック(CB)粒子、金属粒子(例えば、銀ナノ粒子)、金属酸化物粒子、導電性ポリマーを含む粒子、および同等のもの、あるいはカーボンブラック(CB)粒子、金属粒子(例えば、銀ナノ粒子)、金属酸化物粒子、導電性ポリマーを含む粒子、または同等のものが挙げられる。いくつかの実施形態では、導電層114は1種以上の好適な金属またはそれらの合金を含んでもよい。
図1Dは、1つまたは複数のモールドピラー110を導電層114でコーティングする例示的方法を示す。図示した実施形態では、モールドピラー110は保護層112を含み、(上述のように)これは必須ではないが、導電層114は、保護層112なしのモールドピラー110に形成されてもよい。いくつかの実施形態では、導電層114は溶液流延される。導電層114は、最初に導電層114の材料を溶媒に溶解させて溶液を作り、その後その溶液をモールドピラー110に(例えば、図示した実施形態の場合には保護層112に)キャストすることによって塗布されてもよい。溶媒は蒸発されて、導電層114をモールドピラー110に残すことができる。図1Dの実施形態では、モールドピラー110は、モールドピラー110が基材104から離れるように、重力とは反対の方向に延びるように配向され、すなわち、モールドピラー110の先端110Aは基材104上方に位置する。重力によって、導電層溶液は、先端110Aでは比較的薄い膜を、底部110B付近では比較的厚い層を形成する。したがって、いくつかの実施形態では、導電層114は先端110Aでは比較的薄いかまたはなくてもよい。溶液流延パラメーター(例えば、濃度、温度、露点、蒸発速度、湿度等)を調節して、導電層114の厚さ(例えば、モールドピラー110の先端110Aと底部110Bとの間の導電層114の厚さ)を制御できる。
いくつかの例示的実施形態では、導電層114は、主な粒径が約150nmのカーボンブラック(CB、マサチューセッツ州ボストンのCabot(登録商標)コーポレーションより入手したVULCAN(登録商標) XC72R)が入った、分子量25kDaのPMMA(ペンシルベニア州ウォリントンのPolysciences(登録商標)より入手)を含んでもよい。PMMA/CB溶液/懸濁液は、PMMA0.3グラムおよびCB0.135グラムを、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)を含むキャリア流体に添加することによって調製されてもよい。いくつかの実施形態では、その他の好適なキャリア流体を使用してもよい。非限定例として、好適なキャリア流体としては、ジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチルスルホキシド(DMSO)、1−オクタノールを含むより長鎖のアルコール類、および同等のもの、あるいはジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチルスルホキシド(DMSO)、1−オクタノールを含むより長鎖のアルコール類、または同等のものを挙げてもよい。
0.015グラムのドデシル硫酸ナトリウム(SDS、オンタリオ州オークビルのSigma−Aldrich(登録商標)より入手)を含む界面活性剤を、導電性ポリマー溶液/懸濁液に添加してもよい。溶液/懸濁液を30分間超音波浴内に入れてもよい。得られた流体は、9重量%の固体濃度を有してよく、その全固形分含有量のうち30%をCBが占める。この流体はモールドピラー110(例えば、図示した実施形態の場合、保護層112に)および基材104に塗布されて、蒸発させられ、PMMAおよびCBのポリマーマトリックスを含む導電層を残すことができる。
界面活性剤は、CB粒子クラスタの形成を防止するのを補助することができ、したがって、溶液/懸濁液中のCB粒子の比較的均一な分布がもたらされ得る。溶液/懸濁液中のCB粒子が均一な懸濁液により、材料がモールドピラー110および基材104にキャストされると、PMMAポリマーマトリックス中のCB粒子の均一な分布がもたらされ得る。PMMAポリマーマトリックス中のCB粒子の均一な分布により、均一な導電性を有する導電層114を得ることができる。以下により詳細に説明するように、この導電層114の均一な電導率により、今度は電気めっきによる導電層114への均一な金属層118の堆積を容易にすることができる。
任意の好適な界面活性剤が導電性ポリマー溶液/懸濁液に使用されてもよい。非限定例として、好適な界面活性剤は以下を含んでもよい。
・以下を含む非イオン性界面活性剤:
○ポリオキシエチレングリコールオクチルフェノールエーテル(Triton X−100)、
○グルコシドアリルエーテル(ラウリルグルコシド)、
○ソルビタンアルキルエステル(span)、
○ポリエチレングリコールのコポリマー類、
○ポリプロピレングリコール(ポロキサマー)、および/もしくは
○同等のもの
・以下を含むアニオン性界面活性剤:
○ドデシル硫酸ナトリウム、
○ラウリル硫酸アンモニウム、
○ラウリル硫酸ナトリウム、
○アルキル−アリールエーテルホスフェート、
○アルキルエーテルホスフェート、
○ジオクチルナトリウムスルホスクシネート
○パーフルオロオクタンスルホネート、および/もしくは
○同等のもの
・以下を含むカチオン性界面活性剤:
○セチルトリメチルアンモニウムブロミド、
○塩化セチルピリジニウム、および
○ジメチルジオクタデシルアンモニウムクロリド、および/もしくは
○同等のもの、ならびに
・以下を含む双極性界面活性剤:
○レシチン(ホスファチジルコリン)、
○CHAPS(3−[(3−コラミドプロピル)ジメチルアンモニオ]−1−プ○ロパンスルホネート)、および/もしくは
○同等のもの、ならびに/または
・同等のもの
いくつかの実施形態において、導電層114を塗布する前に、物質をモールドピラー110および基材104、あるいはモールドピラー110または基材104(または、存在する場合、保護層112または犠牲層)に塗布して、表面付着性を改善してもよい。例えば、特定の一例示的実施形態において、20μlのヘキサメチルジシラザン(HMDS、オンタリオ州オークビルSigma−Aldrich(登録商標)より入手)をモールドピラー110(例えば、図示した実施形態の場合、保護層112に)および基材104に室温で塗布してもよい。次いで、40μlの9重量%PMMA/CB混合物をモールドピラー110および基材104に堆積させて、その後80℃で3時間ベークし、NMPを蒸発させ、PMMA/CB混合物を完全に乾燥させてもよい。PMMA/CBの得られた層は基材104において100μm厚であってよく、モールドピラー110の先端110Aに向かうにつれて厚さが徐々に減少してもよい。
・以下を含む非イオン性界面活性剤:
○ポリオキシエチレングリコールオクチルフェノールエーテル(Triton X−100)、
○グルコシドアリルエーテル(ラウリルグルコシド)、
○ソルビタンアルキルエステル(span)、
○ポリエチレングリコールのコポリマー類、
○ポリプロピレングリコール(ポロキサマー)、および/もしくは
○同等のもの
・以下を含むアニオン性界面活性剤:
○ドデシル硫酸ナトリウム、
○ラウリル硫酸アンモニウム、
○ラウリル硫酸ナトリウム、
○アルキル−アリールエーテルホスフェート、
○アルキルエーテルホスフェート、
○ジオクチルナトリウムスルホスクシネート
○パーフルオロオクタンスルホネート、および/もしくは
○同等のもの
・以下を含むカチオン性界面活性剤:
○セチルトリメチルアンモニウムブロミド、
○塩化セチルピリジニウム、および
○ジメチルジオクタデシルアンモニウムクロリド、および/もしくは
○同等のもの、ならびに
・以下を含む双極性界面活性剤:
○レシチン(ホスファチジルコリン)、
○CHAPS(3−[(3−コラミドプロピル)ジメチルアンモニオ]−1−プ○ロパンスルホネート)、および/もしくは
○同等のもの、ならびに/または
・同等のもの
いくつかの実施形態において、導電層114を塗布する前に、物質をモールドピラー110および基材104、あるいはモールドピラー110または基材104(または、存在する場合、保護層112または犠牲層)に塗布して、表面付着性を改善してもよい。例えば、特定の一例示的実施形態において、20μlのヘキサメチルジシラザン(HMDS、オンタリオ州オークビルSigma−Aldrich(登録商標)より入手)をモールドピラー110(例えば、図示した実施形態の場合、保護層112に)および基材104に室温で塗布してもよい。次いで、40μlの9重量%PMMA/CB混合物をモールドピラー110および基材104に堆積させて、その後80℃で3時間ベークし、NMPを蒸発させ、PMMA/CB混合物を完全に乾燥させてもよい。PMMA/CBの得られた層は基材104において100μm厚であってよく、モールドピラー110の先端110Aに向かうにつれて厚さが徐々に減少してもよい。
いくつかの実施形態では、導電層114は孔を開けられて、有孔導電層114Aを提供してもよい。本明細書においては、用語「導電層114」の使用は、その文脈が指示する場合、有孔導電層114Aを含んでもよい(が、必ずしも含まなくてもよい)。有孔導電層114Aを使用して、中空マイクロニードル(すなわち、マイクロニードルを通る孔を有するマイクロニードル)を作製することができる。中実の(すなわち、孔が開いてない)導電層114を使用して、中実の(すなわち、孔が開いてない)マイクロニードルを作製してもよい。
任意の好適な方法を使用して、有孔導電層114Aを通る1つまたは複数の孔117を有するかまたは規定する有孔導電層114Aを形成してもよい。任意の好適な方法を使用して、有孔導電層114Aを提供するために既に形成されている導電層114に1つまたは複数の孔117を作成または形成してもよい。
有孔導電層114Aを通る孔117は、有孔導電層114Aのどの位置にあってもよい。いくつかの実施形態では、孔117は、有孔導電層114Aのモールドピラー110に対応する領域に位置する。例えば、孔117は有孔導電層114Aを通って延び、モールドピラー110の表面を露出させてもよく、または、モールドピラー110間の領域とは対照的な、有孔導電層114Aのモールドピラー110に対応する(例えば、覆う)領域を通って延びてもよい。いくつかの実施形態では、孔117はモールドピラー110の先端110Aに位置してもよい。いくつかの実施形態では、孔117はモールドピラー110の先端110Aで対称に成形されてもよい。いくつかの実施形態では、孔117は、図4Bに示す方法と同様にしてモールドピラー110の先端110Aにて非対称に成形されてもよい。
いくつかの実施形態において、好適なエッチング技術を使用して既に形成されている導電層114に孔117を形成して、有孔導電層114Aを提供してもよい。好適なエッチング技術は、化学エッチング、物理エッチング、プラズマエッチング、反応性イオンエッチング、および同等のもの、あるいは化学エッチング、物理エッチング、プラズマエッチング、反応性イオンエッチング、または同等のものを含んでもよい。いくつかの実施形態において、レーザーアブレーションを使用して既に形成されている導電層114に孔117を形成して、有孔導電層114Aを提供してもよい。
図1Eは、モールドピラー110の先端110Aから導電層114を除去して、導電層114のモールドピラー110に(より詳細には、モールドピラー110の先端110Aに)対応する領域を通って延びる孔117を形成することにより、有孔導電層114Aを提供する、例示的方法を示す。導電層114は、図1Eの矢印により示されるおよその方向でイオン116で衝突されてもよい。孔117が形成されて、モールドピラー110の先端110A(または先端110Aを覆う保護層112の部分)が露出されることにより有孔導電層114Aが提供されるまで、イオン116によって導電層114を摩滅させてもよい。エッチングプロセスによって先端110Aは、モールドピラー110の他の部分よりも高い温度を有してもよい。モールドピラー110は不十分な熱伝導率を有してよく、これが温度差の一因となり得る。先端110Aの温度が高いほど、モールドピラー110の他の部分と比較して先端110Aにおけるエッチング速度は大きくなり得る。
いくつかの実施形態において、導電層114の、モールドピラー110の先端110Aを覆う部分(または導電層114のモールドピラー110を覆う他の部分)を、プラズマエッチングによって除去して孔117を作ることによって、有孔導電層114Aを提供してもよい。非限定例として、プラズマは、O2/CF4を含んでもよい(O2流量:80sccm、CF4流量:20sccm、圧力:500mTorr(約66.6Pa)、温度:25℃、出力:200W)。プラズマは、適切な時間(例えば、200秒)、または導電層114がモールドピラー110の先端110Aから除去されて孔117を開けることによって有孔導電層114Aを提供するまで、適用されてもよい。
いくつかの実施形態において、機械的研削、レーザーマイクロマシニング、または局所加熱によって、導電層114の一部を除去して孔117を開けて(したがって、有孔導電層114Aを提供して)よい。
いくつかの実施形態において、導電層114は、光パターン化可能ポリマーを含んでよく、フォトリソグラフィによって導電層114の一部を除去して孔117を形成することによって、有孔導電層114Aを提供してもよい。
いくつかの実施形態において、導電層114は、溶液流延を使用して塗布されてよく、溶液が蒸発したときにモールドピラー110の一部が導電層114でコーティングされないように、すなわち、導電層114がモールドピラー110に塗布されるときに導電層114を通る孔117が形成されることによって、有孔導電層114Aを提供するように、さまざまな溶液流延パラメーター(例えば、濃度、温度、露点、蒸発速度、湿度等)が調節されてもよい。例えば、導電層114がモールドピラー110の先端110Aに対応する領域に形成されず、したがって、先端110A近傍の導電層114を通る孔117を提供することによって有孔導電層114Aを提供するように、導電層114を塗布するために使用される導電性ポリマー溶液中のポリマーまたは界面活性剤の濃度が調節されてもよい。
いくつかの実施形態において、モールドピラー110の表面の一部は、その濡れ挙動を変化させるように化学的または物理的に改質されてもよいため、溶液流延される導電層114は孔117を有して形成され、それによって有孔導電層114Aを提供してもよい。例えば、導電層114が極性溶媒を使用して溶液流延される場合、非極性コーティング(図示せず)がモールドピラー110の先端110A(または、孔117を提供することが望まれるモールドピラー110の他の領域)に塗布されてもよいため、導電層114は、非極性コーティングでコーティングされるモールドピラー110の領域(例えば、先端110A)を濡らさない(またはこれに付着しない)。例えば、導電層114が非極性溶媒を使用して溶液流延される場合、極性コーティング(図示せず)がモールドピラー110の先端110A(または、孔117を提供することが望まれるモールドピラー110の他の領域)に塗布されてもよいため、導電層114は、極性コーティングでコーティングされるモールドピラー110の領域(例えば、先端110A)を濡らさない(またはこれに付着しない)。
導電層114が水性溶媒を使用して溶液流延により塗布されるいくつかの実施形態では、疎水性ナノ粒子がモールドピラー110の先端110A(または、孔117を提供することが望まれるモールドピラー110の他の領域)に堆積されてよく、その後導電層114をモールドピラー110に塗布する。非限定的な例として、ポリ(エチレン−コ−テトラフルオロエチレン)、ポリ(クロロトリフルオロ−エチレン)、ポリ(フッ化ビニリデン)、ポリ(フッ化ビニリデン−コ−ヘキサフルオロプロピレン)、および同等のもの、あるいはポリ(エチレン−コ−テトラフルオロエチレン)、ポリ(クロロトリフルオロ−エチレン)、ポリ(フッ化ビニリデン)、ポリ(フッ化ビニリデン−コ−ヘキサフルオロプロピレン)、または同等のものを含む好適な任意の種類の疎水性物質を使用してもよい。疎水性ナノ粒子を堆積する前に、モールドピラー110の先端110Aは、SU−8の薄膜でコーティングされてよく、これによって疎水性ナノ粒子が先端110Aに付着するのを補助してもよい。SU−8は例えば、スタンピングにより塗布されてもよい。
例示的な一実施形態において、乾燥した300nm直径のポリテトラフルオロエチレン(PTFE)ナノ粒子粉末を、1:50の重量比でエタノールと混合して、懸濁液を形成してもよい。懸濁液はエアブラシを使用してスタンプに堆積されてもよい。スタンプは、標準的なソフトリソグラフィを使用して作製される、柔らかいポリジメチルシロキサン(PDMS)の片を備えてもよい。エアブラシの懸濁液および空気流量およびエアブラシとスタンプとの間の距離を調節することによって、確実にエアブラシにより排出される霧化された液滴がスタンプに到達したときに蒸発できる。コーティングされたモールドピラー110は100℃で2分間ベークされ、その後、スタンプとモールドピラーの先端との間を10秒間均一に接触させてもよい。
導電層114が非極性溶媒を使用して溶液流延により塗布されるいくつかの実施形態では、疎油性ナノ粒子がモールドピラー110の先端110A(または、孔117を提供することが望まれるモールドピラー110の他の領域)に堆積されてよく、その後導電層114がモールドピラー110に塗布されることにより、類似のプロセスで有孔導電層114の形成を促すことができると理解されよう。
(マイクロニードルを提供するための導電層への金属層の堆積)
1つまたは複数の金属層118を、電気めっき、スパッタリングおよび同等の方法、あるいは電気めっき、スパッタリングまたは同等の方法を含む任意の好適な方法を使用して導電層114に堆積させてもよい。現在好ましい実施形態では、1つまたは複数の金属層118は、電気めっき技術を使用して有孔導電層114Aに塗布され、これにより1つまたは複数の対応する有孔金属層118Aを形成する。本明細書においては、用語「金属層118」の使用は、その文脈が指示する場合、有孔金属層118Aを含んでもよい(が、必ずしも含まなくてもよい)。金属層118は、非限定的な例として、コバルト、ニッケル、クロム、マンガン、鉄、金、銅、鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、水銀、レニウム、チタン、ニオビウム、タンタル、オスミウム、イリジウム、プラチナ、これらの組み合わせ、および同等のもの、あるいはコバルト、ニッケル、クロム、マンガン、鉄、金、銅、鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、水銀、レニウム、チタン、ニオビウム、タンタル、オスミウム、イリジウム、プラチナ、これらの組み合わせ、または同等のものを含む任意の好適な金属を含んでもよい。金属層118は、これから作製されるマイクロニードル120に望ましい構造強度を付与することができる。
1つまたは複数の金属層118を、電気めっき、スパッタリングおよび同等の方法、あるいは電気めっき、スパッタリングまたは同等の方法を含む任意の好適な方法を使用して導電層114に堆積させてもよい。現在好ましい実施形態では、1つまたは複数の金属層118は、電気めっき技術を使用して有孔導電層114Aに塗布され、これにより1つまたは複数の対応する有孔金属層118Aを形成する。本明細書においては、用語「金属層118」の使用は、その文脈が指示する場合、有孔金属層118Aを含んでもよい(が、必ずしも含まなくてもよい)。金属層118は、非限定的な例として、コバルト、ニッケル、クロム、マンガン、鉄、金、銅、鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、水銀、レニウム、チタン、ニオビウム、タンタル、オスミウム、イリジウム、プラチナ、これらの組み合わせ、および同等のもの、あるいはコバルト、ニッケル、クロム、マンガン、鉄、金、銅、鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、水銀、レニウム、チタン、ニオビウム、タンタル、オスミウム、イリジウム、プラチナ、これらの組み合わせ、または同等のものを含む任意の好適な金属を含んでもよい。金属層118は、これから作製されるマイクロニードル120に望ましい構造強度を付与することができる。
いくつかの実施形態では、複数の金属層118は導電層114に堆積されてもよい。いくつかの実施形態において、金属A、B、およびCは順次堆積されてもよいため、金属AおよびCだけが完成したマイクロニードルでは露出することになる(マイクロニードルがモールドピラー110から除去されるときに、導電層114が部分的にまたは完全に除去される場合)。被覆された金属Bは構造的金属であってよく、例えば、ニッケルを含んでもよい。露出される金属AおよびCは生体適合性金属を含んでもよい。露出される金属AおよびCは、互いに同じであっても、または異なっていてもよい。生体適合性金属の非限定的な例としては、金、プラチナ、チタン、CoCr、316Lステンレス鋼、コバルト−クロム、チタン、酸化物薄膜による不動態化に頼るチタンベースのインプラント用合金、これらの合金、および同等のもの、あるいは金、プラチナ、チタン、CoCr、316Lステンレス鋼、コバルト−クロム、チタン、酸化物薄膜による不動態化に頼るチタンベースのインプラント用合金、これらの合金、または同等のものが挙げられる。
図1Fは、電気めっきによって導電層114を金属層118でコーティングする例示的方法を示す。より詳細には、図1Fは、金属層118を有孔導電層114Aに電気めっきして、有孔金属層118Aを得る方法を示す。導電層114は、金属イオンを含有する溶液116に入れてもよい。導電層114は溶液116中の2つの電極のうちの1つとして接続されてもよい。電極間に電圧を印加してよく、溶液116中の金属イオンを導電層114に電気めっきしてよく、これにより金属層118を形成する。導電層114が孔117を有する場合(図示した実施形態の有孔導電層114Aの場合のように)、金属イオンは孔117またはその中に堆積されず、それにより孔117を有する有孔金属層118Aを形成する。前述のように、図1Fの実施形態では、有孔導電層114Aがモールドピラー110の先端110Aにて孔117を有し、したがって、図1Fの電気めっきプロセスにより、有孔金属層118Aを形成し、有孔金属層118Aはモールドピラー110の先端110Aにて孔117を有して形成される。金属層118はマイクロニードル120のアレイを提供してもよい。
一実施形態では、導電層114を電気めっき溶液に入れてもよい。電気めっき溶液は、塩化ニッケル、硫酸ニッケル、およびホウ酸を含んでもよい。導電層114は、純ニッケルアノードに平行かつ2.5cm離して位置付けられてもよい。導電層114はカソードとして作用してよく、好適な電気結線(例えば、ワイヤ)によって電源に接続されてもよい。導電層114は電気結線よりも低い電導率を有してよく、電気結線は、電気結線にニッケルが蓄積するのを防止するために大部分が溶液から出されたままでもよい。電源は、150分間2mAの定電流を提供してもよい。このことにより、ニッケルの金属層118が導電層114上に形成されてもよい。いくつかの実施形態では、金属層118は、10〜200μmの範囲内の厚さ(例えば、70μm)を有する。その他の実施形態では、金属層118は、より広い厚さ範囲を有してもよい。
一実施形態では、0.2mm直径の白金線(マサチューセッツ州ワードヒルのAlfa Aesar(登録商標)より入手)をアノードとして使用してもよい。その他の実施形態では、その他の好適な材料から作製されたワイヤをアノードとして使用してもよい。Kenwood(登録商標)PR18−1.2A電源(メリーランド州ボルチモアのDavis Instruments(登録商標)より入手)を使用して、第1の金属層を導電層上に電気めっきしてもよい。次いで、pH7のリン酸緩衝液、0.17MのH3PO4、0.07MのKH2PO4、および0.07MのKAu(CN)2を含む溶液を使用して、金の層を第1の金属層上に電気めっきしてもよい。金は5分間、102A/m2の電流密度で電気めっきされてもよい。金の層の最終的厚さは0.05〜10μmの範囲内(例えば、3μm)であってもよい。
(マイクロニードルのモールドピラーからの除去)
金属層118により提供されるマイクロニードル120は任意の好適な方法によってモールドピラー110から除去されてもよい。非限定例としては、
・モールドピラー110は、金属層118(およびマイクロニードル120)がモールドピラー110から除去できるまで、少なくとも部分的に溶解されるか、または別の方法で消耗されてもよい。
金属層118により提供されるマイクロニードル120は任意の好適な方法によってモールドピラー110から除去されてもよい。非限定例としては、
・モールドピラー110は、金属層118(およびマイクロニードル120)がモールドピラー110から除去できるまで、少なくとも部分的に溶解されるか、または別の方法で消耗されてもよい。
・導電層114は、金属層118(およびマイクロニードル120)がモールドピラー110から除去できるまで、少なくとも部分的に溶解されるか、または別の方法で消耗されてもよい。
・導電層114は金属層118との表面結合が弱くてもよいことにより、金属層118(およびマイクロニードル120)がモールドピラー110から機械的に除去できる。
・導電層114は、金属層118(およびマイクロニードル120)が機械的に除去できるまで、熱処理によって軟化されるか、または融解されてもよい。
・導電層114は、金属層118(およびマイクロニードル120)が機械的に除去できるまで、熱処理によって軟化されるか、または融解されてもよい。
・犠牲層はモールドピラー110と導電層114との間に形成されてもよい:
○マイクロニードル120(金属層118と、導電層114の可能であれば一部またはすべてを含む)をモールドピラー110から除去できるように、犠牲層は少なくとも部分的に溶解され、消耗され、または破壊されてもよい。
○マイクロニードル120(金属層118と、導電層114の可能であれば一部またはすべてを含む)をモールドピラー110から除去できるように、犠牲層は少なくとも部分的に溶解され、消耗され、または破壊されてもよい。
○マイクロニードル120(金属層118と、導電層114の可能であれば一部またはすべてを含む)のモールドピラー110からの機械的除去が可能なように、犠牲層は導電層144と弱く表面結合してもよい。
○マイクロニードル120(金属層118と、導電層114の可能であれば一部またはすべてを含む)をモールドピラー110から除去するために、犠牲層は熱処理によって少なくとも軟化されるか、または融解されてもよい、および/または
・同等の方法
犠牲層は導電性であっても非導電性であってもよい。犠牲層は二酸化ケイ素、窒化ケイ素、シリコンゲルマニウム、およびポリシリコンを含む任意の好適な材料から作成されてもよい。昇華、噴霧堆積、化学気相成長、凝結、鋳込み、溶液流延、スパッタリング、および同等の方法、あるいは昇華、噴霧堆積、化学気相成長、凝結、鋳込み、溶液流延、スパッタリング、または同等の方法を含む任意の好適な方法によって犠牲層が堆積されてもよい。
・同等の方法
犠牲層は導電性であっても非導電性であってもよい。犠牲層は二酸化ケイ素、窒化ケイ素、シリコンゲルマニウム、およびポリシリコンを含む任意の好適な材料から作成されてもよい。昇華、噴霧堆積、化学気相成長、凝結、鋳込み、溶液流延、スパッタリング、および同等の方法、あるいは昇華、噴霧堆積、化学気相成長、凝結、鋳込み、溶液流延、スパッタリング、または同等の方法を含む任意の好適な方法によって犠牲層が堆積されてもよい。
マイクロニードル120が除去された後にモールドピラー110が無傷(または実質的に無傷)のまま残される実施形態では、モールドピラー110はさらなるマイクロニードルを作製するために再使用されてもよい。
有孔導電層114Aが使用され、対応する有孔金属層118Aがこの有孔導電層の上に形成される場合、除去されたマイクロニードル120は、中空の(または有孔)マイクロニードル120(例えば、マイクロニードル120を通って流体が移動できるマイクロニードル120)を含んでもよい。孔のない導電層114が使用された場合は、除去されるマイクロニードル120が孔のないマイクロニードルを含んでもよい。いくつかの実施形態では、孔のないマイクロニードル120はモールドピラー110に付着したままでよく、使用前にモールドピラー110から除去しなくてもよい。
図1Gは、マイクロニードル120のアレイをモールドピラー110から除去する例示的方法を示す。図1Gでは、導電層114は、マイクロニードル120をモールドピラー110から除去するために少なくとも部分的に破壊される犠牲層を含む。導電層114は、好適な溶媒(例えば、図1Dのステップで導電層114を溶液流延するために使用されたものと同じ溶媒)を使用して少なくとも部分的に溶解されてもよい。導電層114が部分的に溶解されると、マイクロニードル120のアレイはモールドピラー110から除去できる。マイクロニードル120は有孔(または、いわゆる中空)マイクロニードル120を含んでもよい。図1Gに示すように、マイクロニードル120はルーメン120A(モールドピラー110の底部110Bに形成される)、孔/ノズル120B(モールドピラー110の先端110Aに形成される)、外部表面120C、および内部表面120Dを含んでもよい。
いくつかの実施形態において、マイクロニードル120のアレイは、60分間、または導電層114が十分に溶解してマイクロニードル120のアレイが除去されるまで、NMPの超音波浴に導電層114を入れることによって、モールドピラー110から除去されてもよい。
マイクロニードル120は、(例えば、いかなる残存する導電層114をも除去するために)その外部表面120Cおよび内部表面120D、あるいはその外部表面120Cまたは内部表面120Dが清浄にされてもよい。マイクロニードル120は、ポリマーコーティングおよび金属コーティング、あるいはポリマーコーティングまたは金属コーティングを含む任意の好適なコーティングでその外部表面120Cおよび内部表面120D、あるいはその外部表面120Cまたは内部表面120Dがコーティングされてもよい。このようなコーティングは、非限定的な例として、電気めっき、スパッタリング、蒸着、化学気相成長、および同等の方法、あるいは電気めっき、スパッタリング、蒸着、化学気相成長、または同等の方法を含む任意の好適な方法によって塗布されてもよい。このようなコーティングは、マイクロニードル120がモールドピラー110から除去される前または後において塗布されてもよい。このようなコーティングにより、マイクロニードル120の表面特性を変化させてもよい。例えば、このようなコーティングによって、マイクロニードル120の表面を、疎水性、親水性、生体適合性、電気絶縁性、および同等の性質、あるいは疎水性、親水性、生体適合性、電気絶縁性、または同等の性質にしてもよい。生体適合性コーティングは、マイクロニードル120が皮膚を穿刺するかまたは別の方法でヒトもしくはその他の動物の体内で使用される用途で有用であり得る。生体適合性金属の非限定的な例としては、金、プラチナ、チタン、COCR、316Lステンレス鋼、コバルト−クロム、チタン、酸化物薄膜による不動態化に頼るチタンベースのインプラント用合金、これらの合金、および同等のもの、あるいは金、プラチナ、チタン、COCR、316Lステンレス鋼、コバルト−クロム、チタン、酸化物薄膜による不動態化に頼るチタンベースのインプラント用合金、これらの合金、または同等のものが挙げられる。ポリ(メチルメタクリレート)等の非金属生体適合性コーティングもまた使用され得る。例えば、マイクロニードル120が電気化学的センサの一部として使用される場合は、電気絶縁性コーティングが有益であり得る。電気絶縁性コーティングは、ポリエチレンテレフタレート、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレン、ポリ(メチルメタクリレート)、ポリラクチド、ポリグリコリド、ポリ(ラクチド−コ−グリコリド)、および同等のもの、あるいはポリエチレンテレフタレート、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレン、ポリ(メチルメタクリレート)、ポリラクチド、ポリグリコリド、ポリ(ラクチド−コ−グリコリド)、または同等のものを含む任意の好適な材料を含んでもよい。
上述のように、金属層118により、金属層118から作製されるマイクロニードル120に構造強度を提供する。いくつかの実施形態では、マイクロニードル120はヒトの皮膚を穿孔するのに十分なほど強くてもよい。プロトタイプのマイクロニードル120のアレイは、図1A〜図1Gに図示される例示的な方法を用いて作製された。プロトタイプのマイクロニードル120のアレイは、一連の機械的圧縮試験を受け、これらの試験の結果は文献データと比較された。垂直圧縮荷重が、5μm/秒の一定速度でプロトタイプのマイクロニードル120のアレイに加えられた。破壊荷重の分析のために力対変位のデータを得た。各圧縮試験の後に、マイクロニードル120は目視検査され、マイクロニードルのシャフトが座屈しているかどうか、またはマイクロニードルの先端がつぶれているかどうか調べた。
5回の圧縮試験が行われ、平均破壊荷重は4.2プラスマイナス0.61Nであった。(機械的圧縮試験を受けるプロトタイプのマイクロニードル120と同様に)先端直径が50μm未満のマイクロニードル120では、マイクロニードル120のヒトの皮膚への貫入に伴う典型的な力は十分に1Nを下回る。プロトタイプのマイクロニードルの破壊荷重は十分に1Nを上回るため、プロトタイプのマイクロニードルは破損することなくヒトの皮膚に挿入されるだけの十分な強度がある。
図2は、例示的な実施形態に従って金属マイクロニードル120を作製する方法200の概略図である。方法200は、モールドピラー110を作製するかまたは別の方法で提供することを含むブロック202から始まる。ブロック202のモールドピラー110は、(例えば、図1A、図1B、および図1C、あるいは図1A、図1B、または図1Cの記述を含む)モールドピラー110の提供に関連して上述される特徴のいずれか、特徴の組み合わせ、または特徴の部分的な組み合わせを用いて作製または別の方法で提供されてもよい。ブロック202のモールドピラー110は保護層112を含んでよく、保護層112はモールドピラー110の一部と考えてもよい。
方法200は次いで、有孔導電層114Aをブロック202のモールドピラー110上に形成することを含むブロック204に進む。有孔導電層114Aの形成は、(例えば、図1Dおよび図1E、あるいは図1Dまたは図1Eの記述を含む)有孔導電層114Aの形成に関連して上述される特徴のいずれか、特徴の組み合わせ、または特徴の部分的な組み合わせを用いることを含んでもよい。いくつかの例示的実施形態では、有孔導電層114Aは、導電性ポリマーを含み、ブロック204において導電性ポリマーは溶液流延により塗布されてもよい。上述したように、導電層114がブロック202のモールドピラー110に塗布されて有孔導電層114Aを提供するとき、または導電層114がブロック202のモールドピラー110に塗布されて有孔導電層114Aを提供した後に、孔117が導電層114に形成されてもよい。
方法200は次いで、金属層118をブロック204の有孔導電層114A上に堆積させることを含むブロック206に進む。ブロック206において金属層118を堆積させることは、(例えば、図1Fの記述を含む)金属層118の堆積に関連して上述される特徴のいずれか、特徴の組み合わせ、または特徴の部分的な組み合わせを用いることを含んでもよい。いくつかの例示的実施形態では、金属層118は電気めっき技術を用いて導電層114に塗布される。導電層114が有孔導電層114Aを含む場合、電気めっきにより、対応する有孔金属層118Aを堆積させる。いくつかの実施形態では、ブロック206は複数の金属層118を堆積させることを含む。
方法200は、マイクロニードル120をモールドピラー110から除去することを伴う任意のブロック208を含んでもよい。任意のブロック208のマイクロニードル120の除去は、(例えば、図1Gの記述を含む)マイクロニードル120のモールドピラー110からの除去に関連して上述される特徴のいずれか、特徴の組み合わせ、または特徴の部分的な組み合わせを含んでもよい。いくつかの例示的実施形態では、有孔導電層114Aを提供するために使用される導電性ポリマーは少なくとも部分的に溶解されて、ブロック208にてマイクロニードル120をモールドピラー110から除去できる。
図3は、例示的な実施形態に従って金属マイクロニードル120を作製する方法300を示す概略図である。方法300は、モールドピラー110を作製するかまたは別の方法で提供することを含むブロック302から始まる。ブロック302は、上述の方法200のブロック202と類似していてもよい。ブロック302のモールドピラー110は導電層114を含んでよく、ブロック302は、(例えば、図1Dおよび図1E、あるいは図1Dまたは図1Eの記述を含む)導電層114の形成に関連して上述される特徴のいずれか、特徴の組み合わせ、または特徴の部分的な組み合わせに従って、モールドピラー110に導電層114を形成することを含んでもよい。
いくつかの実施形態において、方法300は、導電層114をブロック302のモールドピラー110上に形成することを含む任意のブロック303を含む。ブロック303における導電層114の形成は、(例えば、図1Dおよび図1E、あるいは図1Dまたは図1Eの記述を含む)導電層114の形成に関連して上述される特徴のいずれか、特徴の組み合わせ、または特徴の部分的な組み合わせを用いることを含んでもよい。いくつかの例示的実施形態では、導電層114は、導電性ポリマーを含み、ブロック303において導電性ポリマーは溶液流延により塗布されてもよい。上述したように、導電層114がブロック302のモールドピラー110に塗布されて有孔導電層114Aを提供するとき、または導電層114がブロック302のモールドピラー110に塗布されて有孔導電層114Aを提供した後に、孔117が導電層114に形成されてもよい。
方法300は次いで、金属層118をブロック302のモールドピラー110およびブロック303の導電層114上、あるいはブロック302のモールドピラー110またはブロック303の導電層114上に堆積させることを含むブロック304に進む。ブロック304において金属層118を堆積させることは、(例えば、図1Fの記述を含む)金属層118の堆積に関連して上述される特徴のいずれか、特徴の組み合わせ、または特徴の部分的な組み合わせを用いることを含んでもよい。ブロック302のモールドピラーが導電層114を含むいくつかの例示的実施形態では、金属層118は電気めっき技術を使用してブロック302のモールドピラーに塗布されてもよい。ブロック302のモールドピラー110が有孔導電層114Aを含む場合、電気めっきにより、対応する有孔金属層118Aを堆積させる。いくつかの実施形態では、ブロック304は複数の金属層118を堆積させることを含む。
方法300は次いで、マイクロニードル120をモールドピラー110から除去することを含むブロック306に進む。ブロック306におけるマイクロニードル120の除去は、(例えば、図1Gの記述を含む)マイクロニードル120のモールドピラー110からの除去に関連して上述される特徴のいずれか、特徴の組み合わせ、または特徴の部分的な組み合わせを含んでもよい。いくつかの例示的実施形態では、導電層114をブロック110のモールドピラーに提供するために使用される導電性ポリマーは少なくとも部分的に溶解されて、ブロック306でマイクロニードル120をモールドピラー110から除去できる。
方法300は次いで、第2の金属層118をブロック302のモールドピラー上に堆積させて第2のマイクロニードルを提供することを含むブロック308に進む。ブロック308は、ブロック302のモールドの少なくとも一部を使用することを含んでもよい。ブロック308は任意で、導電層114をブロック302のモールドピラー110(および可能であればブロック303の導電層114のいかなる残留物)上に形成することを含んでもよい。このような導電層の形成は、(例えば、図1Dおよび図1E、あるいは図1Dまたは図1Eの記述を含む)導電層114の形成に関連して上述される特徴のいずれか、特徴の組み合わせ、または特徴の部分的な組み合わせを用いることを含んでもよい。ブロック308において第2の金属層をモールドピラー上に塗布することは、(例えば、図1Fの記述を含む)金属層118の堆積に関連して上述される特徴のいずれか、特徴の組み合わせ、または特徴の部分的な組み合わせを用いることを含んでもよい。
図5は、例示的な実施形態に従って金属マイクロニードル120を作製する方法400を示す概略図である。方法400は、モールドピラー110を作製するかまたは別の方法で提供することを含むブロック402から始まる。ブロック402は、上述の方法200のブロック202と類似していてもよい。
方法400は次いで、導電性ポリマーを含む導電層114をブロック402のモールドピラー110上に形成することを含むブロック404に進む。ブロック404における導電層114の形成は、(例えば、図1Dおよび図1E、あるいは図1Dまたは図1Eの記述を含む)導電層114が導電性ポリマーを含む導電層114の形成に関連して上述される特徴のいずれか、特徴の組み合わせ、または特徴の部分的な組み合わせを用いることを含んでもよい。いくつかの例示的実施形態では、導電層114はブロック404において溶液流延によって塗布されてもよい。上述したように、導電層114がブロック402のモールドピラー110に塗布されて有孔導電層114Aを提供するとき、または導電層114がブロック402のモールドピラー110に塗布されて有孔導電層114Aを提供した後に、孔117が導電層114に形成されてもよい。
方法400は次いで、金属層118をブロック404の導電性ポリマー層114上に堆積させることを含むブロック406に進む。ブロック406において金属層118を堆積させることは、(例えば、図1Fの記述を含む)金属層118の堆積に関連して上述される特徴のいずれか、特徴の組み合わせ、または特徴の部分的な組み合わせを用いることを含んでもよい。いくつかの例示的実施形態では、金属層118は電気めっき技術を使用してブロック404の導電性ポリマー層114に塗布されてもよい。ブロック404の導電性ポリマー層114が有孔導電性ポリマー層114Aを含む場合、電気めっきにより、対応する有孔金属層118Aを堆積させる。いくつかの実施形態では、ブロック406は複数の金属層118を堆積させることを含む。
いくつかの実施形態において、方法400は、マイクロニードル120をモールドピラー110から除去することを含む任意のブロック408を含む。ブロック408におけるマイクロニードル120の除去は、(例えば、図1Gの記述を含む)マイクロニードル120のモールドピラー110からの除去に関連して上述される特徴のいずれか、特徴の組み合わせ、または特徴の部分的な組み合わせを含んでもよい。いくつかの例示的実施形態では、導電層114をブロック110のモールドピラーに提供するために使用される導電性ポリマーは少なくとも部分的に溶解されて、ブロック408でマイクロニードル120をモールドピラー110から除去できる。
(用途1:送達デバイス)
マイクロニードル120は、ヒトもしくは動物の組織、または植物もしくは土壌へと作用物質を送達するために使用されてもよい。マイクロニードル120を使用して、薬物、化合物、粒子、および懸濁液を含む任意の好適な作用物質を送達してもよい。マイクロニードル120を使用して、ワクチン、Botox(登録商標)のような神経毒、およびアレルギー検査のための作用物質を送達してもよい。
マイクロニードル120は、ヒトもしくは動物の組織、または植物もしくは土壌へと作用物質を送達するために使用されてもよい。マイクロニードル120を使用して、薬物、化合物、粒子、および懸濁液を含む任意の好適な作用物質を送達してもよい。マイクロニードル120を使用して、ワクチン、Botox(登録商標)のような神経毒、およびアレルギー検査のための作用物質を送達してもよい。
中空(すなわち、有孔)マイクロニードル120は作用物質を直接注入するために使用されてもよい。経皮的注入の場合、中空マイクロニードル120(または中空マイクロニードル120のアレイ)は、皮膚の最外層(角質層)を穿孔し、作用物質を皮膚の真皮組織または表皮組織へと放出できる。いくつかの実施形態において、マイクロニードル120は、神経を損傷させたりまたは神経に触れたりすることなく皮膚に挿入できるため、この挿入は痛みがないか、または従来の皮下針の挿入ほど痛くない。いくつかの実施形態では、マイクロニードル120は、真皮において血管に触れずに挿入され得る。
マイクロニードル120のアレイ(または1つのマイクロニードル120)は、作用物質が入った、従来のシリンジまたはマイクロリザーバのような容器に取り付けられてもよい。膜を動かすかまたは変形させて作用物質に圧力をかけることによって、マイクロニードル120のルーメンを通して作用物質を外に出すことができる。
図1A〜図1Gに示される方法を使用して作製される高さ500μmのプロトタイプのマイクロニードル120を使用して、蛍光ビーズを豚の皮に注入した。マイクロニードル120は、従来の1mlシリンジの先端に結合された。シリンジには、2.28μm蛍光ビーズ/水の0.01重量%懸濁液が充填された。マイクロニードル120が皮膚に押し当てられ、約2Nの力が5分間シリンジプランジャに印加された。注射部位近傍の皮膚表面を水で洗浄してワイプで乾燥させた。Nikon(登録商標)のEclipse(登録商標)C1共焦点顕微鏡(ニューヨーク州メルヴィル)を使用して、皮膚内の蛍光ビーズの分布をスキャンした。注射部位の共焦点スキャンによって、蛍光ビーズの送達は皮膚の250μmの深さにまで及んでいることが示された。蛍光ビーズ溶液を豚の皮の表面に10分間適用し、皮膚を洗浄し、その後皮膚の共焦点スキャンを行うことによって対照試験を行った。対照試験では皮膚表面下にいかなる蛍光微粒子も見られなかった。このことにより、豚の皮は蛍光ビーズに対して透過性ではなく、またプロトタイプのマイクロニードル120は、懸濁液を含む薬物の経皮的送達に有用であり得ることが示唆される。
図1A〜図1Gに示される方法を使用して作製される高さ500μmのプロトタイプのニッケル製マイクロニードル120を使用して、蛍光化学療法薬(ドキソルビシン)を豚の皮に注入した。マイクロニードルの受け板は、可撓性プラスチック毛細管を介して従来のシリンジに接続された薬物容器に結合された。シリンジには、174μmのドキソルビシン水溶液が充填された。シリンジは市販のシリンジポンプシステム(マサチューセッツ州ホリストンのKD Scientific(商標)より入手)に配置された。マイクロニードル120を剃毛された豚の皮サンプルに当てた。ポンプは、プランジャを押圧して3分間0.2μm/分の一定流量になるように設定された。この流量は、シリコンマイクロニードルを使用した経皮的薬物注入の効率を調査した研究(ユー・オー・ハフェリら(U.O.HAFELI et al.)、Biomed.Microdevices、第11巻、943〜950ページ(2009年))に基づいて選択され、その流量はこの研究により注入試験において各ニードルを通して0.2μm/分の平均送達量であると分かった。注入後、皮膚を清浄にし、その後共焦点顕微鏡を使用してスキャンした。共焦点スキャンにより、ドキソルビシンは約130μmの深さまで浸透したことが示された。
いくつかの実施形態において、作用物質はマイクロニードル120の構造内に埋め込まれるおよびマイクロニードル120の表面に塗布される、あるいはマイクロニードル120の構造内に埋め込まれるかまたはマイクロニードル120の表面に塗布され、マイクロニードル120の皮膚内への挿入により作用物質が皮膚に移動する。マイクロニードル120は中実または中空のマイクロニードル120であってもよい。マイクロニードル120は、それによって形成されたモールドピラーから除去される必要がなくてもよい。
(用途2:穿孔デバイス)
マイクロニードル120は、皮膚(例えば、角質層)に穿孔する(例えば、孔を形成する、引っかく、傷をつける)穿孔デバイスとして使用してもよい。中実または中空のマイクロニードル120を使用してもよい。マイクロニードル120は、スタンピングおよびロール(例えば、マイクロニードル120のアレイをローラーに取り付け、ローラーを皮膚領域全体に転がす)を含む任意の好適な方法によって皮膚に当ててもよい。
マイクロニードル120は、皮膚(例えば、角質層)に穿孔する(例えば、孔を形成する、引っかく、傷をつける)穿孔デバイスとして使用してもよい。中実または中空のマイクロニードル120を使用してもよい。マイクロニードル120は、スタンピングおよびロール(例えば、マイクロニードル120のアレイをローラーに取り付け、ローラーを皮膚領域全体に転がす)を含む任意の好適な方法によって皮膚に当ててもよい。
作用物質は、皮膚の領域が穿孔される前および後、あるいは皮膚の領域が穿孔される前または後にその皮膚領域へと適用してもよい。皮膚への穿孔により、皮膚の透過性を増加させることができ、また皮膚を通る作用物質の吸収量を向上させることができる。
真空吸引デバイスを使用して、生体液(例えば、間質液および血液)を穿孔した皮膚から抜いてもよい。
(用途3:センシング)
マイクロニードル120を使用して、1種以上の作用物質を吸い上げることができる。例えば、中空マイクロニードル120のアレイを使用して、皮膚に貫入し、生体液(例えば、抗がん剤を含有する間質液)を吸い上げることができる。流体は、圧力、電界、毛細管力、およびマイクロニードル120内のキャリア液体による拡散を含む任意の好適な方法によって能動的にマイクロニードル120に引き込まれ得る。流体はその後、1つまたは複数のセンシング領域へと向けられてもよい。流体はチャネルを介してセンシング領域へと移送されてもよい。センシング領域は、マイクロニードルアレイの、流体がマイクロニードルアレイに入る側とは反対側に位置付けられてもよい。センシング領域は、光学センサおよび電気化学センサを含む任意の好適なセンサを備えてもよい。
(用途3:センシング)
マイクロニードル120を使用して、1種以上の作用物質を吸い上げることができる。例えば、中空マイクロニードル120のアレイを使用して、皮膚に貫入し、生体液(例えば、抗がん剤を含有する間質液)を吸い上げることができる。流体は、圧力、電界、毛細管力、およびマイクロニードル120内のキャリア液体による拡散を含む任意の好適な方法によって能動的にマイクロニードル120に引き込まれ得る。流体はその後、1つまたは複数のセンシング領域へと向けられてもよい。流体はチャネルを介してセンシング領域へと移送されてもよい。センシング領域は、マイクロニードルアレイの、流体がマイクロニードルアレイに入る側とは反対側に位置付けられてもよい。センシング領域は、光学センサおよび電気化学センサを含む任意の好適なセンサを備えてもよい。
(用途4:材料堆積)
マイクロニードル129を使用して、材料(例えば、流体、粉末等)を堆積させることができる。マイクロニードル120はノズルとして機能してもよい。流体の液滴が個々のマイクロニードル開口部から排出され得る(インクジェット式印刷と同様の方法で)。あるいは、流体の噴流が個々のマイクロニードル開口部から排出されてもよい。比較的粘稠な流体の場合、この排出によって比較的粘稠な噴流を形成できる。材料は、圧力および電界の印加を含む任意の好適な方法を使用して排出されてもよい。
マイクロニードル129を使用して、材料(例えば、流体、粉末等)を堆積させることができる。マイクロニードル120はノズルとして機能してもよい。流体の液滴が個々のマイクロニードル開口部から排出され得る(インクジェット式印刷と同様の方法で)。あるいは、流体の噴流が個々のマイクロニードル開口部から排出されてもよい。比較的粘稠な流体の場合、この排出によって比較的粘稠な噴流を形成できる。材料は、圧力および電界の印加を含む任意の好適な方法を使用して排出されてもよい。
材料はマイクロニードル120のアレイから排出できる。材料はアレイのマイクロニードル120すべてから同時に排出できる。マイクロニードル120は、個々に作動されて、個々のマイクロニードル120各々からの材料の排出を制御できる。マイクロニードル120は、集団で作動されて、マイクロニードル120の各群からの材料の排出を制御できる。各マイクロニードル120から排出される材料は、他のマイクロニードル120から排出される材料と同じであっても異なっていてもよい。各マイクロニードル120から排出される材料は、時間の経過とともに変化してもよい。マイクロニードル120から排出される材料は、基材に堆積されてもよく、パターン化された構造を形成してもよい。
(用途5:電着)
マイクロニードル120を使用して、電界紡糸またはエレクトロスプレー堆積によって材料を堆積させてもよい。電界が、排出される材料と、標的基材(または標的基材の下の電極)との間に印加されてもよい。材料が電極に接触してから材料がマイクロニードル120を出てもよく、またはマイクロニードル120を電極として使用してもよい。材料はさらに、容積移送式ポンプによって駆動されてもよい。材料がマイクロニードル120を出るときに材料は液滴へと分裂してもよく、または材料は噴流を形成してもよい。電界によって、この噴流はホイッピングモーションを受け、噴流を引き延ばす。材料がポリマー溶液である場合、溶媒は蒸発して、非常に薄い繊維を残すことができる。
マイクロニードル120を使用して、電界紡糸またはエレクトロスプレー堆積によって材料を堆積させてもよい。電界が、排出される材料と、標的基材(または標的基材の下の電極)との間に印加されてもよい。材料が電極に接触してから材料がマイクロニードル120を出てもよく、またはマイクロニードル120を電極として使用してもよい。材料はさらに、容積移送式ポンプによって駆動されてもよい。材料がマイクロニードル120を出るときに材料は液滴へと分裂してもよく、または材料は噴流を形成してもよい。電界によって、この噴流はホイッピングモーションを受け、噴流を引き延ばす。材料がポリマー溶液である場合、溶媒は蒸発して、非常に薄い繊維を残すことができる。
(用途6:燃焼)
マイクロニードル120は液体または気体燃料用の燃料噴射器として使用できる。燃料はマイクロニードル120を通って排出されてもよい。燃料は、互いに反応可能な材料の混合物を含んでもよい。燃料は周りの空気または他のマイクロニードル120を出る物質と反応してもよい。燃料は点火されてもよい。
マイクロニードル120は液体または気体燃料用の燃料噴射器として使用できる。燃料はマイクロニードル120を通って排出されてもよい。燃料は、互いに反応可能な材料の混合物を含んでもよい。燃料は周りの空気または他のマイクロニードル120を出る物質と反応してもよい。燃料は点火されてもよい。
(用途7:入れ墨)
マイクロニードル120を使用して、入れ墨を形成することができる。比較的短いマイクロニードル120を使用して、一時的な入れ墨を形成することができる。比較的長いマイクロニードル120を使用して、永久的な入れ墨を形成することができる。
マイクロニードル120を使用して、入れ墨を形成することができる。比較的短いマイクロニードル120を使用して、一時的な入れ墨を形成することができる。比較的長いマイクロニードル120を使用して、永久的な入れ墨を形成することができる。
(用途8:画像化)
マイクロニードル120は材料または組織に埋め込まれて、画像化することができる。例えば、マイクロニードルアレイは器械またはインプラントのような医療デバイスの一部を形成することができ、このデバイスは組織に挿入または埋め込まれ得る。マイクロニードルアレイは、放射線イメージング、X線イメージング、コンピュータ断層撮影イメージング、蛍光透視/血管造影イメージング、およびこれらの任意の組み合わせを含む任意の好適な画像化プロセスによって画像化され得る。金属マイクロニードル120は、良好なX線造影特性を有してもよい。
マイクロニードル120は材料または組織に埋め込まれて、画像化することができる。例えば、マイクロニードルアレイは器械またはインプラントのような医療デバイスの一部を形成することができ、このデバイスは組織に挿入または埋め込まれ得る。マイクロニードルアレイは、放射線イメージング、X線イメージング、コンピュータ断層撮影イメージング、蛍光透視/血管造影イメージング、およびこれらの任意の組み合わせを含む任意の好適な画像化プロセスによって画像化され得る。金属マイクロニードル120は、良好なX線造影特性を有してもよい。
以上、複数の例示的な態様および実施形態が論じられたが、当業者は、特定の変更、変形、追加、およびこれらの部分的な組み合わせを認識するであろう。したがって、以下の添付の特許請求の範囲およびその後に紹介された特許請求の範囲は、それらの真の趣旨および範囲内にあるので、そのような変更、変形、追加およびそれらの部分的な組み合わせを含むと解釈されるものとする。
Claims (34)
- マイクロニードルの作製方法であって、
モールドピラーを作製することと、
導電性ポリマー層を含む1以上のコーティング層を前記モールドピラー上に形成することと、
前記導電性ポリマー層上に金属層を堆積させて第1のマイクロニードルを得ることと、
を含み、
前記モールドピラー上に前記1つ以上のコーティング層を形成した後、前記モールドピラーをコーティングする前記1つ以上のコーティング層の厚さは、基材に近い領域では比較的厚く、前記基材から遠い領域では比較的薄い、
マイクロニードルの作製方法。 - 前記モールドピラー上に前記1つ以上のコーティング層を形成することは、
前記モールドピラーの上に保護層を堆積させることによって前記モールドピラーを前記保護層でコーティングすることと、
前記保護層の上に前記導電性ポリマー層を形成することによって前記保護層をコーティングすることと、
を含む、
請求項1に記載のマイクロニードルの作製方法。 - 前記保護層をコーティングする前記導電性ポリマー層を形成した後、前記モールドピラーをコーティングする前記保護層と前記保護層をコーティングする前記導電性ポリマー層とを合わせた厚さは、前記基材に近い領域では比較的厚く、前記基材から遠い領域では比較的薄い、
請求項2に記載のマイクロニードルの作製方法。 - 前記保護層をコーティングする前記導電性ポリマー層の厚さが、前記基材に近い領域では比較的厚く、前記基材から遠い領域では比較的薄い、
請求項2に記載のマイクロニードルの作製方法。 - 前記モールドピラーを作製することは、
フォトレジスト層を前記基材に塗布することと、
前記フォトレジスト層の一部をマスクを通して化学線に露光させることと、
前記露光後に、前記フォトレジスト層の少なくとも一部を溶解して、前記基材から前記フォトレジスト層の少なくとも一部を除去して前記モールドピラーを残すことと、
を含む、
請求項1に記載のマイクロニードルの作製方法。 - 前記モールドピラー及び前記保護層から、少なくとも前記金属層を分離することによって、前記モールドピラーから前記第1のマイクロニードルを除去することと、
前記保護層上に第2の導電層を形成して前記保護層をコーティングすることによって第2のマイクロニードルを得ることと、
を含む、
請求項2に記載のマイクロニードルの作製方法。 - 前記保護層上に前記第2の導電層を形成して前記保護層をコーティングすることによって前記第2のマイクロニードルを得ることは、
前記保護層をコーティングする第2の導電性ポリマー層を形成することと、
前記第2のマイクロニードルを得るために、前記第2の導電性ポリマー層上に第2の金属層を堆積させることと、
を含む、
請求項6に記載のマイクロニードルの作製方法。 - 前記保護層をコーティングする前記第2の導電性ポリマー層を形成した後、前記モールドピラーをコーティングする層の厚さは、前記基材に近い領域では比較的厚く、前記基材から遠い領域では比較的薄く、前記第2のマイクロニードルは対応する形状を示す、
請求項7に記載のマイクロニードルの作製方法。 - 前記モールドピラー及び前記保護層から、少なくとも前記金属層を分離することによって、前記モールドピラーから前記第1のマイクロニードルを除去することは、少なくとも第1の導電性ポリマー層を部分的に溶解することによって前記金属層を前記保護層から分離することを含む、
請求項6に記載のマイクロニードルの作製方法。 - 前記モールドピラー上に前記1つ以上のコーティング層を形成することは、
前記モールドピラーの上に保護層を堆積させることによって前記モールドピラーを前記保護層でコーティングすることと、
前記保護層の上に前記導電性ポリマー層を形成することによって前記保護層をコーティングすることと、
を含む、
請求項5に記載のマイクロニードルの作製方法。 - 前記モールドピラー及び前記保護層から、少なくとも前記金属層を分離することによって、前記モールドピラーから前記第1のマイクロニードルを除去することと、
前記保護層上に第2の導電層を形成して前記保護層をコーティングすることによって第2のマイクロニードルを得ることと、
を含む、請求項10に記載のマイクロニードルの作製方法。 - 前記保護層上に前記第2の導電層を形成して前記保護層をコーティングすることによって前記第2のマイクロニードルを得ることは、
前記保護層をコーティングする第2の導電性ポリマー層を形成することと、
前記第2のマイクロニードルを得るために、前記第2の導電性ポリマー層上に第2の金属層を堆積させることと、
を含む、
請求項11に記載のマイクロニードルの作製方法。 - 前記保護層をコーティングする前記第2の導電性ポリマー層を形成した後、前記モールドピラーをコーティングする層の厚さは、前記基材に近い領域では比較的厚く、前記基材から遠い領域では比較的薄く、前記第2のマイクロニードルは対応する形状を示す、
請求項12に記載のマイクロニードルの作製方法。 - 前記モールドピラー及び前記保護層から、少なくとも前記金属層を分離することによって、前記モールドピラーから前記第1のマイクロニードルを除去することは、少なくとも第1の導電性ポリマー層を部分的に溶解することによって前記金属層を前記保護層から分離することを含む、
請求項11に記載のマイクロニードルの作製方法。 - 前記モールドピラー、及び、前記1以上のコーティング層のうちの少なくとも1つから、少なくとも前記金属層を分離することによって、前記モールドピラーから前記第1のマイクロニードルを除去することと、
前記1以上のコーティング層のうちの少なくとも1つの上に第2の導電層を形成することによって第2のマイクロニードルを得ることと、
を含む、
請求項1に記載のマイクロニードルの作製方法。 - 前記1以上のコーティング層のうちの少なくとも1つの上に前記第2の導電層を形成することによって前記第2のマイクロニードルを得ることは、
前記1以上のコーティング層のうちの少なくとも1つをコーティングする第2の導電性ポリマー層を形成することと、
前記第2のマイクロニードルを得るために、前記第2の導電性ポリマー層上に第2の金属層を堆積させることと、
を含む、
請求項15に記載のマイクロニードルの作製方法。 - 前記1以上のコーティング層のうちの少なくとも1つをコーティングする前記第2の導電性ポリマー層を形成した後、前記モールドピラーをコーティングする層の厚さは、前記基材に近い領域では比較的厚く、前記基材から遠い領域では比較的薄く、前記第2のマイクロニードルは対応する形状を示す、
請求項16に記載のマイクロニードルの作製方法。 - 前記モールドピラー、及び、前記1以上のコーティング層のうちの少なくとも1つから、少なくとも前記金属層を分離することによって、前記モールドピラーから前記第1のマイクロニードルを除去することは、少なくとも第1の導電性ポリマー層を部分的に溶解することによって前記金属層を前記1以上のコーティング層のうちの少なくとも1つから分離することを含む、
請求項15に記載のマイクロニードルの作製方法。 - 前記保護層をコーティングする導電性ポリマー層を形成することは、
前記保護層をコーティングするために、溶媒に溶解されたポリマーおよび導電性粒子を含む溶液を塗布することと、
前記モールドピラーから前記溶媒を蒸発させて前記モールドピラー上に前記導電性ポリマー層を残すことと、
を含む、
請求項2に記載のマイクロニードルの作製方法。 - 前記保護層をコーティングする導電性ポリマー層を形成することは、前記導電性ポリマー層を前記保護層上に溶液流延することを含む、
請求項2に記載のマイクロニードルの作製方法。 - 前記第1のマイクロニードルを得るために前記1以上のコーティング層の上に前記金属層を堆積させることは、
前記金属層を前記導電性ポリマー層上に電気めっきすることと、
前記電気めっきプロセスにおいて前記導電性ポリマー層を電極として使用することと、
を含む、
請求項1に記載のマイクロニードルの作製方法。 - 前記第1のマイクロニードルを得るために前記1以上のコーティング層の上に前記金属層を堆積させることは、
前記金属層を前記導電性ポリマー層上に電気めっきすることと、
前記電気めっきプロセスにおいて前記導電性ポリマー層を電極として使用することと、
を含む、
請求項19に記載のマイクロニードルの作製方法。 - 前記モールドピラー上に前記1つ以上のコーティング層を形成した後、前記モールドピラーをコーティングする前記1つ以上のコーティング層の前記厚さは、前記基材に近い領域では比較的厚く、前記基材から遠い領域では比較的薄く、前記第1のマイクロニードルは対応する形状を示す、
請求項1〜22のうち何れか一項に記載のマイクロニードルの作製方法。 - 前記導電性ポリマー層を含む前記1以上のコーティング層を前記モールドピラー上に形成することは、
前記モールドピラーをコーティングするために、溶媒に溶解されたポリマーおよび導電性粒子を含む溶液を塗布することと、
前記モールドピラーから前記溶媒を蒸発させて前記モールドピラー上に前記導電性ポリマー層を残すことと、
を含む、
請求項1に記載のマイクロニードルの作製方法。 - 前記導電性ポリマー層を含む前記1以上のコーティング層を前記モールドピラー上に形成することは、前記導電性ポリマー層を前記モールドピラー上に溶液流延することを含む、
請求項1に記載のマイクロニードルの作製方法。 - 前記モールドピラー上に前記保護層を堆積することによって前記モールドピラーを前記保護層でコーティングすることは、
ポリマーを溶媒に溶解して保護層溶液を得ることと、
前記保護層溶液を前記モールドピラーに塗布して前記モールドピラーをコーティングすることと、
前記ポリマーを硬化させて当該硬化したポリマーから前記保護層を形成することと、
を含む、
請求項2,3,6〜9,19,20,22のうち何れか一項に記載のマイクロニードルの作製方法。 - 前記保護層溶液を前記モールドピラーに塗布することは、前記保護層溶液を回転成形することを含む、
請求項26に記載のマイクロニードルの作製方法。 - 前記モールドピラーに前記保護層溶液を塗布することは、前記保護層溶液を溶液流延することを含む、
請求項26に記載のマイクロニードルの作製方法。 - 前記ポリマーを硬化させて当該硬化したポリマーから前記保護層を形成することは、前記ポリマーに電磁放射線を照射することを含む、
請求項26に記載のマイクロニードルの作製方法。 - 前記ポリマーを硬化させて当該硬化したポリマーから前記保護層を形成することは、前記ポリマーに熱を加えることを含む、
請求項26に記載のマイクロニードルの作製方法。 - 前記モールドピラー上に前記保護層を堆積させて前記モールドピラーを前記保護層でコーティングすることは、硬化に先だって、前記保護層溶液から前記溶媒を蒸発させて前記ポリマーを残すことにより、前記モールドピラーを前記ポリマーでコーティングすることをさらに含む、
請求項26に記載のマイクロニードルの作製方法。 - 前記モールドピラー上に前記保護層を堆積させて前記モールドピラーを前記保護層でコーティングすることは、前記保護層から前記溶媒を蒸発させた後に、複数の別々のベーキング工程を用いて前記モールドピラーと前記ポリマーとの組み合わせをベークすることを含み、一連のベーキング工程における連続するベーキング工程の各々は、より長い継続時間及びより高い温度を伴う、
請求項31に記載のマイクロニードルの作製方法。 - 前記モールドピラー上に前記保護層を堆積させて前記モールドピラーを前記保護層でコーティングすることは、前記硬化したポリマーから前記保護層を形成するために前記ポリマーを硬化させることに先だって、複数の別々のベーキング工程を使用して前記モールドピラーと前記ポリマーとの組み合わせをベークすることを含み、一連のベーキング工程における連続するベーキング工程の各々は、異なる継続時間及び異なる温度を伴う、
請求項26に記載のマイクロニードルの作製方法。 - 前記フォトレジスト層の一部を前記マスクを通して化学線に露光させた後、前記フォトレジスト層の少なくとも一部を溶解する前に、複数の別々のベーキング工程を使用して前記基材と前記フォトレジスト層の組み合わせをベークすることを含み、一連のベーキング工程における連続するベーキング工程の各々は、より長い継続時間及びより高い温度を伴う、
請求項5に記載のマイクロニードルの作製方法。
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