JP2019186575A - 太陽電池ウェハ接続システム - Google Patents

太陽電池ウェハ接続システム Download PDF

Info

Publication number
JP2019186575A
JP2019186575A JP2019132798A JP2019132798A JP2019186575A JP 2019186575 A JP2019186575 A JP 2019186575A JP 2019132798 A JP2019132798 A JP 2019132798A JP 2019132798 A JP2019132798 A JP 2019132798A JP 2019186575 A JP2019186575 A JP 2019186575A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
nanotube
nanotubes
solar cell
cell structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2019132798A
Other languages
English (en)
Inventor
スコット・ベンジャミン・シンガー
Benjamin Singer Scott
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Boeing Co
Original Assignee
Boeing Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Boeing Co filed Critical Boeing Co
Publication of JP2019186575A publication Critical patent/JP2019186575A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/02002Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02008Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035209Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures
    • H01L31/035227Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures the quantum structure being quantum wires, or nanorods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/043Mechanically stacked PV cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0725Multiple junction or tandem solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/078Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers including different types of potential barriers provided for in two or more of groups H01L31/062 - H01L31/075
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1892Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof methods involving the use of temporary, removable substrates
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/544Solar cells from Group III-V materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

【課題】太陽電池構造体を形成するための方法および装置を提供すると。【解決手段】第1のウェハおよび第2のウェハが、第1のウェハ上の第1のナノチューブが第2のウェハ上の第2のナノチューブと対向するように、互いに対して位置づけられる。第1のナノチューブは、第2のナノチューブに接続される。第1のウェハは、第2のウェハに接続され、太陽電池構造体を形成する。【選択図】図1

Description

本開示は、一般に、太陽電池に関し、特に、複数の接合部を有する太陽電池を形成することに関する。さらにより詳しくは、本開示は、ウェハを互いに接続して、太陽電池構造体を形成するための方法および装置に関する。
太陽電池は、光のエネルギーを、光起電力効果を用いて、電気に変換するデバイスである。太陽電池を製造する際、太陽電池が光から電気を生成する効率を高めることが望ましい。従来の単一接合セルは、最大理論効率が約34パーセントであった。
複数の接合部を有する場合、太陽電池の効率が高まる場合がある。複数の接合部は、複数のサブセルを接合部で接続して太陽電池を製造することにより形成することができ、各接合部は、サブセルが通す光の特定の波長または波長の範囲から電気を生成する。
多接合型太陽電池は、互いの上部に異なる材料を層状に重ねることによって製造することができる。その材料は、太陽電池における異なる層で異なる波長を通過させるよう選択することができる。
多接合型太陽電池の製造は、1つまたは複数のウェハ上に異なる層を製造する段階を含むことができる。これらのウェハは、互いに接続され、多接合型太陽電池を形成する。特に、ウェハは、互いにボンディングされる。
ウェハを互いにボンディングすることを含むことができる多接合型太陽電池の一例は、反転変成多接合(IMM)太陽電池である。この種類のセルを用いて、異種のウェハを互いにボンディングする。異種のウェハは、互いに異なる材料を有するウェハである。その結果、原子の格子は、これらの違いのため、互いに引っ張り合う場合がある。
しかしながら、これらの種類のウェハを直接ボンディングすることは、望ましくない不整合性を引き起こす場合がある。例えば、亀裂、剥離、または他の望ましくない問題が、直接ボンディングが生じる温度および圧力で発生する場合がある。
したがって、上記した問題、および他の起こり得る問題の少なくともいくつかを考慮する方法および装置を有することが望ましいだろう。例えば、ウェハに、亀裂、剥離、または他の望ましくない不整合性を引き起こす可能性がある高温と関連した問題を避けるように、互いに異なるウェハをボンディングする方法を有することが望ましいだろう。
提供する本開示の一態様によれば、太陽電池構造体を形成する方法が提供される。第1のウェハおよび第2のウェハが、第1のウェハ上の第1のナノチューブが第2のウェハ上の第2のナノチューブと対向するように、互いに対して位置づけられる。第1のナノチューブは、第2のナノチューブに接続される。第1のウェハは、第2のウェハに接続され、太陽電池構造体を形成する。
提供する本開示の別の態様によれば、太陽電池構造体は、第1のウェハ、第2のウェハ、第1のウェハ上に形成される第1のナノチューブ、および第2のウェハ上に形成される第2のナノチューブを備える。
提供する本開示のさらなる態様によれば、構造を形成する方法が提示される。第1のウェハおよび第2のウェハが、第1のウェハ上の第1のナノチューブが第2のウェハ上の第2のナノチューブと対向するように、互いに対して位置づけられる。第1のナノチューブは、第2のナノチューブに接続される。第1のウェハは、第2のウェハに接続され、構造を形成する。
形状および機能は、本開示のさまざまな実施形態において独立して実現することができ、または以下の説明および図面を参照してさらなる詳細を見ることができるさらなる他の実施形態に組み合わせてもよい。
例示的な実施形態の特徴と考えられる新規の形状が、添付の特許請求の範囲に記載される。しかしながら、例示的な実施形態、および使用する好ましいモード、さらなる目的、ならびにその形状は、添付図面と共に読む場合、本開示の例示的実施形態の以下の詳細な説明を参照することによって、最もよく理解されるであろう。
例示的な実施形態による、ブロック図の形式での太陽電池製造環境の図である。 例示的な実施形態による、太陽電池構造体のためのウェハの図である。 例示的な実施形態による、太陽電池構造体の図である。 例示的な実施形態による、太陽電池構造体のための2つのウェハの一部の断面を示す図である。 例示的な実施形態による、太陽電池構造体の断面を示す図である。 例示的な実施形態による、ファンデルワールス力によるボンディング部を形成するナノチューブの図である。 例示的な実施形態による、機械的接続部によるボンディング部を形成するナノチューブの図である。 例示的な実施形態による、太陽電池構造体の図である。 例示的な実施形態による、太陽電池構造体の別の図である。 例示的な実施形態による、太陽電池構造体を形成する処理のフローチャートを示す図である。 例示的な実施形態による、ウェハ上にナノチューブを形成する処理のフローチャートを示す図である。 例示的な実施形態による、太陽電池構造体を形成するより詳細な処理のフローチャートを示す図である。
例示的な実施形態は、直接ボンディングの代わりに用いることができる、ウェハを互いにボンディングする他の種類の技術が存在することを認識および考慮する。例えば、金属共晶ボンディングなどの他の種類のボンディングを、異種材料を有するウェハと共に使用してもよい。この種類のボンディングを用いると、中間材料が、互いにボンディングされるウェハの一方の表面または両面に堆積する。この材料は、例えば、半田または金属とすることができる。この種類のボンディングは、温度および熱を必要とする。別の代替は、接着剤を用いてボンディングする。接着剤を使用して、金属共晶ボンディングより低い温度を用いてウェハをボンディングすることができる。
例示的な実施形態は、異種のウェハを互いに接続して太陽電池構造体を形成する場合に、光を通過させるための所望のレベルの透過性および伝導性をもたらす接続を有することが望ましいことが多いことを認識および考慮する。透過性により、光が、1つのウェハにおける1つのサブセルから、他のウェハにおける他のサブセルに通過することを可能にする。伝導性により、接合部により生成される場合のある電流が、ウェハの間を通ることを可能にする。
例示的な実施形態は、金属共晶ボンディングが接続性、半田、または金属を提供するが、所望の量の光を通過するのに必要な透過性を有さないことを認識および考慮する。例示的な実施形態はまた、接着剤が光を通過させることができるが、伝導させないことを認識および考慮する。
したがって、例示的な実施形態は、太陽電池接続システムのための方法および装置を提供する。例示的な実施形態の1つにおいて、太陽電池構造体を形成する方法を提示する。第1のウェハおよび第2のウェハが、第1のウェハ上の第1のナノチューブが第2のウェハ上の第2のナノチューブと対向するように、互いに対して位置づけられる。第1のナノチューブは、第2のナノチューブに接続される。第1のウェハは、第2のウェハに接続され、太陽電池構造体を形成する。
ここで図を参照して、および図1を参照して、例示的な実施形態による、ブロック図の形式の太陽電池製造環境の図を示す。示されているように、太陽電池構造体製造環境100は、ウェハ接続システム102を用いて、太陽電池構造体101を製造する。この例において、ウェハ接続システム102を使用して、ウェハ104を接続し、太陽電池構造体101を形成する。
示されているように、太陽電池構造体101は、太陽電池108とすることができ、または太陽電池108の一部とすることができる。特に、太陽電池108は、本例において、反転変成多接合太陽電池とすることができる。
この例において、太陽電池108は、サブセルのグループ110の間に接合部112のグループを有するサブセルのグループ110を有する。本明細書で使用する場合、「グループ」という用語は、複数の項目を参照して使用する場合、1つまたは複数の項目を意味する。例えば、接合部112のグループは、1つまたは複数の接合部112である。
この例では、接続処理114を使用して、ウェハ104における第1のウェハ116およびウェハ104における第2のウェハ118を、ウェハ接続システム102を用いて、互いに接続する。示されているように、第1のウェハ116は、第2のウェハ118と同様のウェハおよび異種のウェハの一方から選択することができる。さらに、第1のウェハ116は、サブセルの第1のグループを有することができ、第2のウェハ118は、サブセルの第2のグループまたはハンドルの少なくとも一方を有することができる。
この例では、ウェハ接続システム102は、ナノチューブ120を備える。特に、ナノチューブ120は、垂直配向カーボンナノチューブ(VACNT)121である。示されているように、ナノチューブ120における1つのナノチューブは、円筒状の炭素構造体である。
例えば、ナノチューブは、縁部で結合する六角形のグラファイト分子から形成されてもよい。ナノチューブは、約1原子の厚みである壁を有する中空ストランドを形成するグラフェンのシートを巻いてもよい。ナノチューブは、単一の壁を有してよく、または複数の壁を有してもよい。
本例において、ナノチューブ120における第1のナノチューブ122は、第1のウェハ116の第1の表面124上に形成される。ナノチューブ120における第2のナノチューブ126は、第2のウェハ118の第2の表面128上に形成される。この例において、第1のナノチューブ122および第2のナノチューブ126は、それぞれ、直径が約2ナノメートルから約50ナノメートルであり、長さが約2ミクロンから約10ミクロンであってよい。
示されているように、第1のナノチューブ122は、第1のウェハ116の第1の表面124に実質的に垂直な方向に延びる。第2のナノチューブ126は、第2のウェハ118の第2の表面128に実質的に垂直な方向に延びる。このように、第1のナノチューブ122および第2のナノチューブ126は、垂直配向カーボンナノチューブ121である。
示されているように、第1のウェハ116と第2のウェハ118との間の接続部132は、第1のナノチューブ122と第2のナノチューブ126とを用いて形成される。これらの例では、第1のウェハ116および第2のウェハ118が、第1のウェハ116上の第1のナノチューブ122が第2のウェハ118上の第2のナノチューブ126と対向するように、互いに対して位置づけられる。第1のウェハ116および第2のウェハ118は、互いに向けて動かされ、第1のナノチューブ122と第2のナノチューブ126との間に接続部132を形成するよう圧力を加えてよい。
示されているように、接続部132は、直接ボンディングのために用いられる温度で作られる必要はない。代わりに、第1のナノチューブ122と第2のナノチューブ126との間の接続部132は、太陽電池構造体製造環境100における周囲温度で作ることができる。言い換えると、接続部132は、室温か、または他の所望の温度を用いて行うことができる。
この例では、接続部132は、1つまたは複数の異なる形態をとることができる。例えば、接続部132は、ボンディング部134または機械的接続部136の少なくとも一方とすることができる。本明細書で使用する場合、「少なくとも1つ」というフレーズは、項目のリストと共に使用される場合、リストにある項目の1つまたは複数の異なる組み合わせを使用してもよく、およびリスト内の各項目の1つのみを必要としてもよいという意味である。言い換えると、「少なくとも1つ」は、任意の組み合わせの項目および任意の数の項目をリストから使用することができるが、リストにあるすべての項目が必要なわけではないことを意味する。項目は、特定の物体、事項、または分類とすることができる。
例えば、これらに限定されるものではないが、「項目A、項目B、または項目Cの少なくとも1つ」は、項目A、項目Aおよび項目B、または項目Bを含むことができる。この例はまた、項目A、項目B、および項目Cまたは項目Bおよび項目Cを含むことができる。当然、これらの項目の任意の組み合わせが存在してよい。いくつかの例では、「少なくとも1つ」は、例えば、これらに限定されるものではないが、項目Aが2、項目Bが1、および項目Cが10、項目Bが4および項目Cが7、または他の適切な組み合わせとすることができる。
例えば、ボンディング部134は、第1のナノチューブ122と第2のナノチューブ126との間のファンデルワールス力に基づく。ボンディング部134は、一例では、第1のウェハ116が第2のウェハ118に向かって動かされると、または第1のウェハ116と第2のウェハ118の両方が互いに向かって動かされるとき、第1のナノチューブ122と第2のナノチューブ126とが互いに係合する場合に生じる場合がある。
示されているように、機械的接続部136は、第1のナノチューブ122と第2のナノチューブ126との間にある。機械的接続部136は、第1のナノチューブ122および第2のナノチューブ126上の係合形状138の使用を介して行うことができる。係合形状は、例えば、第1のナノチューブ122の端と、第2のナノチューブ126の端とに対して異なる形をしていてもよい。その形は、例えば、フック形、ループ形、らせん形、またはテーパ形の少なくとも1つを含むことができる。
このように、ウェハ接続システム102は、機械的接続部136を形成する第1のナノチューブ122と第2のナノチューブ126との間の係合形状138を介して所望のレベルの機械的相互作用をもたらす。さらに、ボンディング部134を、機械的接続部136に加えて、または機械的接続部136の代わりに形成してもよい。さらに、ナノチューブ120のためにカーボンナノチューブを使用することは、所望のレベルの透過性および電気伝導性をもたらす。これらの例において、ウェハ104上のナノチューブ120の垂直配向により、ナノチューブ120を通って延びる軸に沿って入射する光に対して、所望のレベルの光透過性をもたらす。さらに、ナノチューブ120の透過性を高めるためにナノチューブ120を形成する間に、ナノチューブ120に対して、キラリティーを制御することができる。
さらに、第1のナノチューブ122と第2のナノチューブ126との間に接続部132を形成することは、太陽電池構造体101を形成する際、第1のウェハ116および第2のウェハ118において望まない不整合を引き起こさない温度で実行することができる。ウェハの直接ボンディングで使用される温度などのより高い温度を必要とすることなく、設備および維持のためのコストを削減することもできる。さらに、処理温度を下げることで、太陽電池構造体の歩留まりは、再処理または交換の必要無く、接続処理114を通じて使用されるウェハ104の数に対して高めることができる。
図1における太陽電池構造体製造環境100の図は、例示的な実施形態を実現することができる方法を、物理的または構造的に限定することを意味しない。図示した構成要素に加えて、または図示した構成要素の代わりに、他の構成要素を使用してもよい。いくつかの構成要素は、不要である場合がある。さらに、ブロックは、何らかの機能部品を示すために存在する。例示的な実施形態で実施する場合、これらのブロックの1つまたは複数を組み合わせる、分割する、または異なるブロックに組み合わせ、分割することができる。
ここで図2を参照すると、例示的な実施形態による、太陽電池構造体のためのウェハの図が示される。この例では、第1のウェハ202と、第2のウェハ204との透視図が示される。第1のウェハ202は、図1においてブロック形式で示した第1のウェハ116の物理的な実装態様の一例であり、第2のウェハ204は、図1においてブロック形式で示した第2のウェハ118の物理的な実装態様の一例である。
第1のウェハ202および第2のウェハ204は、太陽電池構造体を形成するよう接続するために、互いに対して配置される。この例において、第1のナノチューブ206は、第1のウェハ202上にあり、第2のナノチューブ208は、第2のウェハ204上にある。
示されているように、第1のウェハ202を、第2のウェハ204に向けて矢印210の方向に動かしてよく、第1のナノチューブ206が、第2のナノチューブ208に係合するようにする。別の例では、第2のウェハ204を、矢印212の方向に動かしてよく、第2のナノチューブ208が、第1のナノチューブ206に係合するようにする。別の例では、第1のウェハ202と、第2のウェハ204との両方が、互いに向けて動かされる。
次に図3を参照すると、例示的な実施形態による、太陽電池構造体の図が示される。示されているように、太陽電池構造体300の透視図が、この図で見られる。本例において、太陽電池構造体300は、図1においてブロック形式で示した太陽電池構造体101の物理的実装態様の一例である。
示されているように、太陽電池構造体300は、第1のウェハ202と、第2のウェハ204とを含む。示されているように、第1のウェハ202および第2のウェハ204は、接続システムを使用して、互いに接続される。本例において、接続システムは、第1のウェハ202と第2のウェハ204との間の界面302で第1のナノチューブ206と第2のナノチューブ208とを含む。
次に図4では、例示的な実施形態による、太陽電池構造体のための2つのウェハの一部の断面図を示す。示されているように、第1のウェハ202および第2のウェハ204の一部が、図2における線4−4に沿った断面図で示される。
この断面図で理解し得るように、第1のナノチューブ206は、第1のウェハ202の第1の表面400に実質的に垂直に配置される。第2のナノチューブ208は、第2のウェハ204の第2の表面402に実質的に垂直な方向であるとして示される。第1のナノチューブ206および第2のナノチューブ208は、この例では、垂直配向カーボンナノチューブである。
ここで図5を参照すると、例示的な実施形態による、太陽電池構造体の断面図が示される。この例では、太陽電池構造体300の一部が、図3における線5−5に沿った断面図で示される。この図では、第1のナノチューブ206および第2のナノチューブ208は、互いに係合し、第1のウェハ202と第2のウェハ204との間の界面302で接続部を形成する。この例では、接続部は、第1のナノチューブ206と第2のナノチューブ208との間のファンデルワールス力に基づくボンディング部か、または第1のナノチューブ206と第2のナノチューブ208との間の機械的接続部の少なくとも一方とすることができる。
図6を参照すると、例示的な実施形態による、ファンデルワールス力によるボンディング部を形成するナノチューブの図を示す。この例では、第1のナノチューブ600および第2のナノチューブ602が、ボンディング部により互いに接続されて示される。第1のナノチューブ600は、図2から図5における第1のウェハ202上の第1のナノチューブ206におけるナノチューブとすることができる。第2のナノチューブ602は、図2から図5における第2のウェハ204上の第2のナノチューブ208におけるナノチューブとすることができる。
示されているように、接合部は、ファンデルワールス力によって形成されるボンディング部を用いて作られる。言い換えると、第1のナノチューブ600と第2のナノチューブ602における分子の間の引力により、これら2つのナノチューブの間にボンディング部が形成される。
図7を参照すると、例示的な実施形態による、機械的接続部でボンディング部を形成するナノチューブの図を示す。第1のナノチューブ700および第2のナノチューブ702が、係合形状により互いに接続されて示される。第1のナノチューブ700は、図2から図5における第1のウェハ202上の第1のナノチューブ206におけるナノチューブとすることができる。第2のナノチューブ702は、図2から図5における第2のウェハ204上の第2のナノチューブ208におけるナノチューブとすることができる。
示されているように、第1のナノチューブ700は、第1のナノチューブ700の端部706で第1の係合形状704を有する。第2のナノチューブ702は、第2のナノチューブ702の端部710で第2の係合形状708を有する。この例では、第1の係合形状704および第2の係合形状708は、第1のナノチューブ700および第2のナノチューブ702が互いに機械的に契合することを可能にするフック形を有する。
ここで図8を参照すると、例示的な実施形態による、太陽電池構造体の図が示される。ここに示す例では、太陽電池構造体800は、太陽電池802の形式である。理解されるように、太陽電池802は、第1のウェハ804と第2のウェハ806とを備える。
この例では、第1のウェハ804は、サブセル1 808、サブセル2 810、およびサブセル3 812を含む。接合部814は、サブセル1 808とサブセル2 810との間に位置し、接合部816は、サブセル2 810とサブセル3 812との間に位置する。トレースライン818は、この例では、サブセル1 808上に位置する。
第2のウェハ806は、サブセル4 820とサブセル5 822とを含む。第2のウェハ806はまた、InP基板824を含む。接合部826は、サブセル4 820とサブセル5 822との間に設けられる。
各サブセルは、異なる波長または波長の範囲の光を通す。接合部は、サブセルを通って接合部に到達した光から電気を生成する。第1のウェハ804と第2のウェハ806との間で直接ボンディングを用いる代わりに、本例では、第1のナノチューブ828および第2のナノチューブ830を用いて、第1のウェハ804に第2のウェハ806を接続する。
次に図9を参照すると、例示的な実施形態による、太陽電池構造体の他の図が示される。この例では、セル構造900は、反転変成多接合(IMM)太陽電池902の形式である。示されているように、太陽電池902は、第1のウェハ904と、第2のウェハ906とを含む。
第1のウェハ904は、サブセル1 908、サブセル2 910、サブセル3 912、およびサブセル4 914を含む。接合部916は、サブセル1 908とサブセル2 910との間に設けられる。段階的変成多接合(MM)層918がサブセル2 910とサブセル3 912との間に設けられ、段階的変成多接合(MM)層920がサブセル3 912とサブセル4 914との間に設けられる。第1のウェハ904はまた、サブセル1 908上に形成されるトレースライン921を有する。
この例では、第2のウェハ906は、ハンドル922の形式である。示されているように、ハンドル922は、ケイ素(Si)、ゲルマニウム(Ge)、または何らかの他の適切な材料などのさまざまな材料を備えることができる。ハンドル922は、搬送されるか、または扱われる反転変成多接合(IMM)太陽電池902の一部である。電気生成部品またはデバイスは、このウェハ上に形成されない。
図示されるように、第1のウェハ904上の第1のナノチューブ924は、第2のウェハ906上の第2のナノチューブ926に接続することができる。この接続は、ウェハの間の接続を形成する。この例では、第1のウェハ904と第2のウェハ906との間で光を伝えるための透過性は、必要ではない場合がある。この種類の用途では、第1のウェハ904と第2のウェハ906との間の第1のナノチューブ924と第2のナノチューブ926に加えて、ウェハの間のボンディング強度を高めるために、接着剤も使用してよい。
図8での太陽電池802および図9での反転変成多接合(IMM)太陽電池902の図は、接続システムを使用することができる一部の例示的用途としてのみ提供される。ウェハを互いに接続するナノチューブを備える接続システムは、他の用途で使用することができる。これらの用途は、太陽電池以外の用途を含むことができる。例えば、他の用途には、ウェハを互いに接続することが望ましい他の用途に対してセンサチップアセンブリを形成するよう互いに接続することができる、さまざまなウェハ上の光検出器および回路を含むことができる。
図2から図9に示すさまざまな構成要素は、図1における構成要素と組み合わせてもよく、図1における構成要素と共に使用してもよく、または、その2つの組み合わせでもよい。さらに、図2から図9における構成要素のいくつかは、図1においてブロック形式で示した構成要素が物理的構造としてどのように実現することができるかの例とすることができる。
ここで図10を参照すると、例示的な実施形態による、太陽電池構造体を形成する処理のフローチャートが図示される。図10で示す処理は、図1での太陽電池構造体製造環境100において実施することができる。特に、本処理は、ウェハ104を互いに接続するよう接続処理114で実施することができる。
本処理は、第1のウェハ上の第1のナノチューブが第2のウェハ上の第2のナノチューブと対向するように第1のウェハと第2のウェハとを互いに対して位置づけることによって開始する(操作1000)。言い換えると、第1のナノチューブと第2のナノチューブが配置される表面は、第1のウェハおよび第2のウェハが位置づけられた場合に、互いに向かい合う。
次いで、本処理は、第1のナノチューブを第2のナノチューブに接続し(操作1002)、本処理は、その後、終了する。第2のウェハに接続された第1のウェハは、太陽電池構造体を形成する。
操作1002では、第1のナノチューブおよび第2のナノチューブによって、第1のナノチューブおよび第2のナノチューブの間のファンデルワールス力に基づくボンディング部が形成される。接続部はまた、第1のナノチューブおよび第2のナノチューブの間の機械的接続部として形成してもよい。ボンディング部および機械的接続部の一方または両方を形成してもよい。
次に図11を参照すると、例示的な実施形態による、ウェハ上にナノチューブを形成する処理のフローチャートが図示される。図11に示す処理は、第1のウェハ116上に第1のナノチューブ122を、第2のウェハ118上に第2のナノチューブ126を形成するよう実施されてよい。
本処理は、炭素の化学気相成長を実行し、第1のナノチューブを形成する前に、触媒を用いてウェハの表面を処理することによって開始する(操作1100)。操作1100での触媒堆積は、例えば、ウェハ上のナノ粒子溶液の堆積とすることができる。触媒の他の例は、金属蒸着または金属スパッタリングにより堆積したナノ粒子を含むことができる。さらに他の例では、触媒は、ナノチューブ成長に最適化されたナノスケール粒子サイズの金属フィルムの蒸着により堆積されたナノ粒子を含むことができる。ナノ粒子溶液は、スピンコーティング処理を用いて堆積させてもよい。この例において、ナノ粒子溶液は、例えば、ニッケルナノ粒子溶液とすることができる。ナノ粒子溶液の他の例には、銅ナノ粒子溶液または鉄ナノ粒子溶液を含むことができる。
次いで、本処理は、炭素の化学気相成長を用いて、ウェハ上にナノチューブを形成し(操作1102)、本処理は、その後、終了する。この操作では、ウェハは、炭素含有ガスに曝される。操作1102は、経時的な温度変化を用いて行ってよく、その端部にフック形状を持たせてよい。
次に図12を参照すると、例示的な実施形態による、太陽電池構造体を形成するためのより詳細な処理のフローチャートが図示される。図12で示す処理は、図8で示したような太陽電池構造体800を形成するのに使用することができる。図11で示す処理は、図1における太陽電池構造体101を形成するために実施することができる。
この例では、本処理は、ブロック1200でガリウム砒素(GaAs)基板ウェハ、ブロック1202で燐化インジウム(InP)基板ウェハ、およびブロック1204でニッケル(Ni)触媒溶液を用いて開始する。ニッケル触媒溶液は、1重量パーセントである。ニッケル(Ni)触媒溶液は、イソプロパノールなどの溶媒でのニッケルナノ粒子の希釈によって準備される。ニッケルナノ粒子は、直径が約2ナノメートルから約50ナノメートルである。ナノ粒子溶液の他の例には、イソプロパノールなどの溶媒に溶解された鉄またはニッケルナノ粒子を含むことができる。
次いで、本処理は、有機金属化学気相成長(MOCVD)を用いて、ブロック1200から、GaAs基板上に反転された太陽電池のトップ3サブセルを成長させる(操作1206)。本処理はまた、有機金属化学気相成長を用いて、InP基板上に垂直な太陽電池のボトム2サブセルを成長させる(操作1208)。本処理はまた、ニッケル触媒溶液を遠心分離して、サイズにより粒子を分離する(操作1210)。操作1210中、約20ナノメートル未満の直径のナノ粒子を含有する溶液の上部は、その溶液の残りから分離される。操作1206、操作1208、および操作1210は、ほぼ同じ時点で、または異なる時点で実行することができる。
次に、本処理は、ウェハ上に、ニッケル触媒溶液を堆積する(操作1212)。操作1212中、触媒は、ニッケル触媒溶液をスピンコーティングすることによって堆積され、操作1210で処理されたような触媒溶液を使用して、操作1206および操作1202から、ウェハ上に堆積される。
次いで、本処理は、ウェハを加熱する(操作1214)。操作1214では、ウェハは、化学気相成長(CVD)炉に装填され、アルゴン(Ar)ガス内で約600℃の成長温度に加熱されたウェハとすることができる。次いで、本処理は、エタノール蒸気の流れを、炉内に導入し、Ni触媒粒子上でカーボンナノチューブを成長させる(操作1216)。エタノール蒸気の流れは、約5分から約10分間、約1torrから約10torrの圧力で、ニッケル触媒溶液内のニッケル触媒粒子にカーボンナノチューブを成長させる。
次いで、本処理は、ウェハを冷却する(操作1218)。操作1218中、ウェハは、炉内のArガス中で室温まで下げられ、次いで、炉から取り出される。ウェハは、互いに接続される(操作1220)。この操作では、2つのウェハが、付属設備内で整列され、ナノチューブを有する2つの表面が、重みにより接触させられる。接触により、接続部が形成され、その接続部は、本例ではボンディング部である。
ボンディングされたウェハペアを検査する(操作1222)。検査は、赤外線(IR)透過イメージングを用いて行い、表面が十分にボンディングされることを確実にする。ウェハが、十分にボンディングされたかどうかという判断がなされる(操作1224)。ウェハが十分にボンディングされたかどうかの判断は、例えば、ウェハ領域にわたる指定された閾値より高い赤外線透過率の測定値を介して、または赤外線透過イメージの可視検査を介して行われ、局所的低透過領域によって示されるような、捕捉粒子もしくはボンディング空隙が存在しないことを検証することができる。
ウェハのボンディングが不十分である場合、本処理は、ウェハのボンディングを解く(操作1226)。ウェハは、剥離シムを用いることで分離されてよい。ウェハは、洗浄され(操作1228)、次いで、本処理は、操作1220に戻る。
再び操作1224を参照すると、ウェハが十分にボンディングされた場合、本処理は、GaAs基板をエッチングし(操作1230)、処理は、その後、終了する。エッチングは、GaAs基板を取り除くために実行する。この時点で、太陽電池構造体が処理され、太陽電池を形成することができる。
さまざまな示した実施形態におけるフローチャートおよびブロック図は、例示的な実施形態における装置および方法のいくつかの可能な実装態様のアーキテクチャ、機能、および操作を示す。この点に関して、フローチャートまたはブロック図における各ブロックは、モジュール、セグメント、機能、または操作もしくはステップの一部の少なくとも1つを表すことができる。
例示的な実施形態のいくつかの代替実装態様において、ブロックに記載した1つまたは複数の機能は、図に記載した順序でなくても実行することができる。例えば、場合によっては、連続的に示された2つのブロックを、実質的に同時に実行してもよく、またはブロックは、時には、関係する機能により、逆の順序で実行してもよい。さらに、他のブロックを、フローチャートまたはブロック図において示したブロックに追加してもよい。
例えば、第1のナノチューブを第2のナノチューブに接続する前に、第1のウェハおよび第2のウェハの少なくとも一方に、接着剤を塗布してもよい。接着剤は、ナノチューブに加えて接続部にさらなる強度を追加することができる。接着剤は、所望の量の光を通過させる透過性のレベルを有するよう選択される。伝導性は、第1のナノチューブと第2のナノチューブとの間の接続により提供され得る。
別の例として、触媒が、ニッケルとして示される。触媒はまた、ニッケル、コバルト、鉄、または何らかの他の適切な触媒の少なくとも1つから選択された金属触媒であってよい。
このように、例示的な実施形態は、ウェハを接続する方法および装置を提供する。さまざまな例における接続システムを用いることで、ウェハを、互いにより簡単に接続することができる。本例により、ウェハを互いにボンディングしてソーラ構造を形成するために現在用いられている温度よりも低い温度で接続することを可能にする。
さらに、ウェハは、互いに接続され、不整合の少ないソーラ構造を形成することができる。例えば、亀裂、剥離、または他の望まない不整合の形成を減らすことができる。さらに、接続部を形成するためにナノチューブを使用することで、ウェハは、直接ボンディングまたは接着剤を使用した場合より容易に互いから切り離すことができる。ウェハを切り離すこの性能により、不整合性が太陽電池構造体の製造中に見つかった場合に、ウェハの再処理または交換を可能にすることができる。
さらに、本開示は、以下の項目による実施形態を備える。
項目1.太陽電池構造体を形成する方法であって、第1のウェハと第2のウェハとを、第1のウェハ上の第1のナノチューブが第2のウェハ上の第2のナノチューブと対向するように、互いに対して配置する段階と、第1のナノチューブを第2のナノチューブに接続する段階とを備え、第1のウェハが第2のウェハに接続されて太陽電池構造体を形成する、方法。
項目2.第1のナノチューブを第2のナノチューブに接続する段階が、第1のナノチューブと第2のナノチューブとの間のファンデルワールス力に基づくボンディング部を形成する段階を含む、方法。
項目3.第1のナノチューブを第2のナノチューブに接続する段階が、第1のナノチューブと第2のナノチューブとの間に機械的接続部を形成する段階を含む、方法。
項目4.第1のナノチューブを第2のナノチューブに接続する前に、接着剤を、第1のウェハまたは第2のウェハの少なくとも一方に塗布する段階をさらに備える、方法。
項目5.第1のナノチューブを第1のウェハ上に形成する段階と、第2のナノチューブを第2のウェハ上に形成する段階とをさらに含む、方法。
項目6.第1のナノチューブを形成する段階が、第1のナノチューブを形成するために炭素の化学気相成長を行う段階を含む、方法。
項目7.第1のナノチューブを形成するために炭素の化学気相成長を行う段階が、第1のウェハを炭素含有ガスに曝す段階を含む、方法。
項目8.第1のナノチューブを形成する段階が、第1のナノチューブを形成するために炭素の化学気相成長を行う前に、触媒で第1のウェハの表面を処理する段階をさらに含む、方法。
項目9.触媒で第1のウェハの表面を処理する段階が、第1のウェハ上にナノ粒子溶液を堆積させる段階を含む、方法。
項目10.触媒が、ニッケル、コバルト、または鉄の少なくとも1つから選択される金属触媒である、方法。
項目11.第1のウェハが、サブセルのグループを有し、第2のウェハが、サブセルの第2のグループまたはハンドルの少なくとも一方を有する、方法。
項目12.第1のウェハが、第2のウェハと同様のウェハおよび異なるウェハの一方から選択される、方法。
項目13.第1のナノチューブが、第1のウェハの第1の表面に実質的に垂直な方向に延び、第2のナノチューブが、第2のウェハの第2の表面に実質的に垂直な方向に延びる、方法。
項目14.第1のナノチューブおよび第2のナノチューブが、それぞれ、直径が約2ナノメートルから約50ナノメートルであり、長さが約2ミクロンから約10ミクロンである、方法。
項目15.第1のウェハと、第2のウェハと、第1のウェハ上に形成される第1のナノチューブと、第2のウェハ上に形成される第2のナノチューブとを備える、太陽電池構造体。
項目16.第1のナノチューブが、第1のウェハの第1の表面に実質的に垂直な方向に延び、第2のナノチューブが、第2のウェハの第2の表面に実質的に垂直な方向に延びる、太陽電池。
項目17.第1のウェハが、サブセルのグループを有し、第2のウェハが、サブセルの第2のグループまたはハンドルの少なくとも一方を有する、太陽電池構造体。
項目18.第1のウェハが、第2のウェハと同様のウェハおよび異なるウェハの一方から選択される、太陽電池構造体。
項目19.第1のナノチューブおよび第2のナノチューブが、それぞれ、直径が約2ナノメートルから約50ナノメートルであり、長さが約2ミクロンから約10ミクロンである、太陽電池構造体。
項目20.第1のウェハと第2のウェハとを、第1のウェハ上の第1のナノチューブが第2のウェハ上の第2のナノチューブと対向するように、互いに対して配置する段階と、第1のナノチューブを第2のナノチューブに接続する段階とを備え、第1のウェハが第2のウェハに接続されて構造体を形成する、構造体を形成する方法。
さまざまな例示的な実施形態の説明は、例示および説明のために提示したものであり、開示する形式での実施形態を網羅または限定することを意図していない。多くの変更および変形が、当業者には明らかであろう。さらに、さまざまな例示的な実施形態が、他の望ましい実施形態と比較して、異なる形態を提供することができる。選択された1つまたは複数の実施形態は、実施形態の原理、実際の用途を最もよく説明し、予期される特定の用途に適合するようなさまざまな変更に対して本開示を他の当業者が理解することを可能にするために、選択および説明される。
100 太陽電池構造体製造環境
101 太陽電池構造体
102 ウェハ接続システム
104 ウェハ
108 太陽電池
110 サブセルのグループ
112 接合部
114 接続処理
116 第1のウェハ
118 第2のウェハ
120 ナノチューブ
121 垂直配向カーボンナノチューブ(VACNT)
122 第1のナノチューブ
124 第1の表面
126 第2のナノチューブ
128 第2の表面
132 接続部
134 ボンディング部
136 機械的接続部
138 係合形状
202 第1のウェハ
204 第2のウェハ
206 第1のナノチューブ
208 第2のナノチューブ
210 矢印
212 矢印
300 太陽電池構造体
302 界面
400 第1の表面
402 第2の表面
600 第1のナノチューブ
602 第2のナノチューブ
700 第1のナノチューブ
702 第2のナノチューブ
704 第1の係合形状
706 端部
708 第2の係合形状
710 端部
800 太陽電池構造体
802 太陽電池
804 第1のウェハ
806 第2のウェハ
808 サブセル1
810 サブセル2
812 サブセル3
814 接合部
816 接合部
818 トレースライン
820 サブセル4
822 サブセル5
824 InP基板
826 接合部
828 第1のナノチューブ
830 第2のナノチューブ
900 セル構造
902 反転変成多接合(IMM)太陽電池
904 第1のウェハ
906 第2のウェハ
908 サブセル1
910 サブセル2
912 サブセル3
914 およびサブセル4
916 接合部
918 段階的変成多接合(MM)層
920 段階的変成多接合(MM)層
921 トレースライン
922 ハンドル
924 第1のナノチューブ
926 第2のナノチューブ
1000 操作
1002 操作
1100 操作
1102 操作
1200 ブロック
1202 ブロック
1204 ブロック
1206 操作
1208 操作
1210 操作
1212 操作
1214 操作
1216 操作
1218 操作
1220 操作
1222 操作
1224 操作
1226 操作
1228 操作
1230 操作

Claims (19)

  1. 太陽電池構造体(101、300)を形成する方法であって、
    第1のウェハ(116、202)と第2のウェハ(118、204)とを、前記第1のウェハ(116、202)上の第1のナノチューブ(122、206)が前記第2のウェハ(118、204)上の第2のナノチューブ(126、208)と対向するように、互いに対して配置する段階と、
    前記第1のナノチューブ(122、206)を前記第2のナノチューブ(126、208)に接続する段階とを含み、
    前記第1のウェハ(116、202)が前記第2のウェハ(118、204)に接続されて、前記太陽電池構造体(101、300)を形成する、方法。
  2. 前記第1のナノチューブ(122、206)を前記第2のナノチューブ(126、208)に接続する前記段階は、前記第1のナノチューブ(122、206)と前記第2のナノチューブ(126、208)との間のファンデルワールス力に基づくボンディング部(134)を形成する段階を含む、請求項1に記載の方法。
  3. 前記第1のナノチューブ(122、206)を前記第2のナノチューブ(126、208)に接続する前記段階は、前記第1のナノチューブ(122、206)と前記第2のナノチューブ(126、208)との間に機械的接続部(136)を形成する段階を含む、請求項1に記載の方法。
  4. 前記第1のナノチューブ(122、206)を前記第2のナノチューブ(126、208)に接続する前に、接着剤を、前記第1のウェハ(116、202)または前記第2のウェハ(118、204)の少なくとも一方に塗布する段階をさらに含む、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
  5. 前記第1のナノチューブ(122、206)を前記第1のウェハ(116、202)上に形成する段階と、
    前記第2のナノチューブ(126、208)を前記第2のウェハ(118、204)上に形成する段階と
    をさらに含む、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。
  6. 前記第1のナノチューブ(122、206)を形成する前記段階は、前記第1のナノチューブ(122、206)を形成するために炭素の化学気相成長を行う段階を含む、請求項5に記載の方法。
  7. 前記第1のナノチューブ(122、206)を形成するために炭素の化学気相成長を行う前記段階は、前記第1のウェハ(116、202)を炭素含有ガスに曝す段階を含む、請求項6に記載の方法。
  8. 前記第1のナノチューブ(122、206)を形成する前記段階は、前記第1のナノチューブ(122、206)を形成するために炭素の前記化学気相成長を行う前に、触媒で前記第1のウェハ(116、202)の表面を処理する段階をさらに含む、請求項6に記載の方法。
  9. 前記触媒で前記第1のウェハ(116、202)の前記表面を処理する前記段階は、前記第1のウェハ(116、202)上にナノ粒子溶液を堆積させる段階を含む、請求項8に記載の方法。
  10. 触媒が、ニッケル、コバルト、または鉄の少なくとも1つから選択される金属触媒である、請求項7に記載の方法。
  11. 前記第1のウェハ(116、202)は、サブセルのグループ(110)を有し、前記第2のウェハ(118、204)は、サブセルの第2のグループまたはハンドル(922)の少なくとも一方を有する、請求項1に記載の方法。
  12. 前記第1のウェハ(116、202)は、前記第2のウェハ(118、204)と同様のウェハおよび異なるウェハの一方から選択される、請求項1に記載の方法。
  13. 前記第1のナノチューブ(122、206)は、前記第1のウェハ(116、202)の第1の表面(124)に実質的に垂直な方向に延び、前記第2のナノチューブ(126、208)は、前記第2のウェハ(118、204)の第2の表面(128)に実質的に垂直な方向に延びる、請求項1に記載の方法。
  14. 前記第1のナノチューブ(122、206)および前記第2のナノチューブ(126、208)は、それぞれ、直径が2ナノメートルから約50ナノメートルであり、長さが2ミクロンから約10ミクロンである、請求項1に記載の方法。
  15. 第1のウェハ(116、202)と、
    第2のウェハ(118、204)と、
    前記第1のウェハ(116、202)上に形成される第1のナノチューブ(122、206)と、
    前記第2のウェハ(118、204)上に形成される第2のナノチューブ(126、208)と
    を含む、太陽電池構造体(101、300)。
  16. 前記第1のナノチューブ(122、206)は、前記第1のウェハ(116、202)の第1の表面(124)に実質的に垂直な方向に延び、前記第2のナノチューブ(126、208)は、前記第2のウェハ(118、204)の第2の表面(128)に実質的に垂直な方向に延びる、請求項15に記載の太陽電池構造体(101、300)。
  17. 前記第1のウェハ(116、202)は、サブセルのグループ(110)を有し、前記第2のウェハ(118、204)は、サブセルの第2のグループまたはハンドル(922)の少なくとも一方を有する、請求項15に記載の太陽電池構造体(101、300)。
  18. 前記第1のウェハ(116、202)は、前記第2のウェハ(118、204)と同様のウェハおよび異なるウェハの一方から選択される、請求項15に記載の太陽電池構造体(101、300)。
  19. 前記第1のナノチューブ(122、206)および前記第2のナノチューブ(126、208)は、それぞれ、直径が2ナノメートルから50ナノメートルであり、長さが2ミクロンから10ミクロンである、請求項15に記載の太陽電池構造体(101、300)。
JP2019132798A 2014-08-06 2019-07-18 太陽電池ウェハ接続システム Pending JP2019186575A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/452,934 US9425331B2 (en) 2014-08-06 2014-08-06 Solar cell wafer connecting system
US14/452,934 2014-08-06

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015125395A Division JP2016039367A (ja) 2014-08-06 2015-06-23 太陽電池ウェハ接続システム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2019186575A true JP2019186575A (ja) 2019-10-24

Family

ID=53433127

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015125395A Pending JP2016039367A (ja) 2014-08-06 2015-06-23 太陽電池ウェハ接続システム
JP2019132798A Pending JP2019186575A (ja) 2014-08-06 2019-07-18 太陽電池ウェハ接続システム

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015125395A Pending JP2016039367A (ja) 2014-08-06 2015-06-23 太陽電池ウェハ接続システム

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9425331B2 (ja)
EP (1) EP2983220B1 (ja)
JP (2) JP2016039367A (ja)
CA (1) CA2897252C (ja)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060068195A1 (en) * 2004-05-19 2006-03-30 Arun Majumdar Electrically and thermally conductive carbon nanotube or nanofiber array dry adhesive
JP2009253281A (ja) * 2008-04-03 2009-10-29 Qinghua Univ 太陽電池
US20110316173A1 (en) * 2010-06-29 2011-12-29 Stmicroelectronics S.R.L. Electronic device comprising a nanotube-based interface connection layer, and manufacturing method thereof
WO2013006243A2 (en) * 2011-07-05 2013-01-10 The Boeing Company Inverted metamorphic multi-junction (imm) solar cell and associated fabrication method
JP2013531893A (ja) * 2010-06-14 2013-08-08 ザ・ボーイング・カンパニー 太陽電池セル構造、及び同太陽電池セル構造を形成する組成物及び方法
WO2014011755A1 (en) * 2012-07-11 2014-01-16 Carbice Nanotechnologies, Inc. Vertically aligned arrays of carbon nanotubes formed on multilayer substrates
JP2014049510A (ja) * 2012-08-30 2014-03-17 Hitachi Zosen Corp Cnt太陽電池

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5783477A (en) 1996-09-20 1998-07-21 Hewlett-Packard Company Method for bonding compounds semiconductor wafers to create an ohmic interface
TWI420628B (zh) 2005-03-28 2013-12-21 奈米碳管結合墊結構及其方法
CA2644629A1 (en) * 2006-03-23 2008-05-08 Solexant Corporation Photovoltaic device containing nanoparticle sensitized carbon nanotubes
DE102006037198A1 (de) 2006-08-09 2008-02-14 Waag, Andreas, Dr. Verbindungsschicht mit anisotroper Leitfähigkeit
US20080178924A1 (en) * 2007-01-30 2008-07-31 Solasta, Inc. Photovoltaic cell and method of making thereof
US8262835B2 (en) 2007-12-19 2012-09-11 Purdue Research Foundation Method of bonding carbon nanotubes
US7785989B2 (en) 2008-12-17 2010-08-31 Emcore Solar Power, Inc. Growth substrates for inverted metamorphic multijunction solar cells
KR20110113822A (ko) 2010-04-12 2011-10-19 서울옵토디바이스주식회사 결정 성장용 기판 어셈블리 및 이를 이용한 발광소자의 제조방법
US9394165B2 (en) 2011-06-15 2016-07-19 Georgia Tech Research Corporation Carbon nanotube array bonding

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060068195A1 (en) * 2004-05-19 2006-03-30 Arun Majumdar Electrically and thermally conductive carbon nanotube or nanofiber array dry adhesive
JP2009253281A (ja) * 2008-04-03 2009-10-29 Qinghua Univ 太陽電池
JP2013531893A (ja) * 2010-06-14 2013-08-08 ザ・ボーイング・カンパニー 太陽電池セル構造、及び同太陽電池セル構造を形成する組成物及び方法
US20110316173A1 (en) * 2010-06-29 2011-12-29 Stmicroelectronics S.R.L. Electronic device comprising a nanotube-based interface connection layer, and manufacturing method thereof
WO2013006243A2 (en) * 2011-07-05 2013-01-10 The Boeing Company Inverted metamorphic multi-junction (imm) solar cell and associated fabrication method
WO2014011755A1 (en) * 2012-07-11 2014-01-16 Carbice Nanotechnologies, Inc. Vertically aligned arrays of carbon nanotubes formed on multilayer substrates
JP2014049510A (ja) * 2012-08-30 2014-03-17 Hitachi Zosen Corp Cnt太陽電池

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
BOCA, A. ET AL.: "CARBON NANOTUBE-COMPOSITE WAFER BONDING FOR ULTRA-HIGH EFFICIENCY III-V MULTIJUNCTION SOLAR CELLS", 2010 35TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE, JPN6020023800, June 2010 (2010-06-01), US, pages 003310 - 003315, ISSN: 0004299484 *

Also Published As

Publication number Publication date
US20160043241A1 (en) 2016-02-11
CA2897252A1 (en) 2016-02-06
JP2016039367A (ja) 2016-03-22
EP2983220B1 (en) 2023-03-22
EP2983220A2 (en) 2016-02-10
US9425331B2 (en) 2016-08-23
CA2897252C (en) 2018-01-02
EP2983220A3 (en) 2016-03-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Kim et al. Remote epitaxy through graphene enables two-dimensional material-based layer transfer
Lee et al. Non‐destructive wafer recycling for low‐cost thin‐film flexible optoelectronics
Park et al. Germanium-on-nothing for epitaxial liftoff of GaAs solar cells
JP6199323B2 (ja) 効率的化合物の半導体太陽電池のための構造及び方法
Mazid Munshi et al. Advances in semiconductor nanowire growth on graphene
Matsumoto et al. Growth of GaInAs/InP MQW using MOVPE on directly-bonded InP/Si substrate
US20090038678A1 (en) Thin film iii-v compound solar cell
CN102110594B (zh) 一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法
US20110240099A1 (en) Photovoltaic nanowire device
KR102533932B1 (ko) 사전 패터닝된 메사들을 통한 스트레인 경감 에피택셜 리프트-오프
JP2020500424A (ja) 層転写のための転位フィルタ処理のためのシステムおよび方法
TWI643265B (zh) 奈米異質結構及奈米電晶體的製備方法
Tamboli et al. III-V/Si wafer bonding using transparent, conductive oxide interlayers
TW201802907A (zh) 奈米異質結構
Hong et al. Flexible GaAs photodetector arrays hetero-epitaxially grown on GaP/Si for a low-cost III-V wearable photonics platform
Kim et al. Internal stress-assisted epitaxial lift-off process for flexible thin film (In) GaAs solar cells on metal foil
Jam et al. Embedded sacrificial AlAs segments in GaAs nanowires for substrate reuse
Jain et al. III–V solar cells grown on unpolished and reusable spalled Ge substrates
JP2008028118A (ja) 多接合型太陽電池の製造方法
CN104952988B (zh) 发光二极管的制备方法
Pan Epitaxial lift-off of large-area GaAs multi-junction solar cells for high efficiency clean and portable energy power generation
JP2019186575A (ja) 太陽電池ウェハ接続システム
JP6434313B2 (ja) 直接に接着される格子不整合半導体デバイス
JP5469145B2 (ja) タンデム太陽電池セルおよびその製造方法
García et al. Back reflectors based on buried Al2O3 for enhancement of photon recycling in monolithic, on-substrate III-V solar cells

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190726

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190726

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200706

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201002

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20210118