JP2019186476A - 成膜装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】材料ガスを均一に混合することができる成膜装置を提供すること。【解決手段】成膜装置10は、キャリアガスを導入するキャリアガス配管11と、材料ガスを導入する複数の材料ガス配管12−1〜12−nと、中心から外周方向に向かう螺旋形状の溝と、螺旋形状の溝と接続する外周の溝とを有する混合部13と、を備え、混合部13は、混合部の中心でキャリアガス配管11が螺旋形状の溝に接続し、材料ガス配管12−1〜12−nが外周の溝に接続する。【選択図】図1
Description
本発明は成膜装置に関する。
半導体プロセスにおいて、成膜装置では、複数の種類の材料ガスを均一に混合して基板に供給することがある。
例えば、特許文献1の装置では、材料ガスを流入する配管を集合させ、チャンバ状の空間に材料ガスを導入し、拡散作用によりガスが混合される。
しかしながら、特許文献1の装置では、ガス同士をかきまわす作用がないので、配管の断面方向にも軸方向にもガス濃度のムラが発生するという問題があった。また、特許文献1の装置では、ガスの混合は、各材料ガスの拡散性に依存し、比重によるガス濃度のアンバランスが生じるという問題もあった。
一実施形態の成膜装置は、キャリアガスを導入するキャリアガス配管と、材料ガスを導入する複数の材料ガス配管と、中心から外周方向に向かう螺旋形状の溝と前記螺旋形状の溝と接続する外周の溝とを有する混合部と、を備え、前記混合部は、混合部の中心で前記キャリアガス配管が前記螺旋形状の溝に接続し、前記材料ガス配管が前記外周の溝に接続するようにした。
一実施形態の成膜装置によれば、複数の種類の材料ガスの混合部に螺旋形状の溝を設け、キャリアガスによるスワールを発生させ、そのスワールによる吸引力により、材料ガスを均一に混合することができる。
本発明の成膜装置は、材料ガスを均一に混合することができる。
(本実施の形態)
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図1は、本実施の形態にかかる成膜装置の断面図である。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図1は、本実施の形態にかかる成膜装置の断面図である。
図1において、成膜装置10は、キャリアガス配管11と、材料ガス配管12−1〜12−nと、混合部13と、ガス配管14と、チャンバ15とを備える。
キャリアガス配管11は、キャリアガスを導入する配管である。キャリアガス配管11は、一方をキャリアガスの供給源に接続し、他方を混合部13に接続する。
材料ガス配管12−1〜12−nは、材料ガスを導入する配管である。材料ガスの種類が複数である場合、材料ガス配管の本数nは、少なくとも材料ガスの種類の数と同じである。材料ガス配管12−1〜12−nは、一方を材料ガスの供給源に接続し、他方を混合部13に接続する。
混合部13は、キャリアガス配管11及び材料ガス配管12−1〜12−nに接続し、材料ガスをキャリアガスと共に混合する。そして、混合部13は、混合したガスをガス配管14に送出する。混合部13は、中心から外周方向に向かう螺旋形状の溝と、前記螺旋形状の溝と接続する外周の溝とを有する。混合部13の中心でキャリアガス配管11が螺旋形状の溝に接続する。なお、螺旋形状の溝は複数であることが望ましい。例えば、螺旋形状の溝の数は、材料ガス配管の数nと同じくしてもよい。そして、螺旋形状の溝が外周の溝と接続する位置の近傍で、材料ガス配管12−1〜12−nが外周の溝と接続する。
ガス配管14は、一方を混合部13と接続し、他方をチャンバ15に接続する配管である。そして、ガス配管14は、混合部13で混合されたガスをチャンバ15に送出する。
チャンバ15に関連する部分の構成については後述する。
チャンバ15に関連する部分の構成については後述する。
次に、混合部13の詳細について説明する。図2は、本実施の形態にかかる成膜装置の混合部の斜視図である。図2は、図1のII-IIの面近傍における混合部13を斜視したものである。また、図2では、混合部内に配置されるスワールコマを示している。ここで、スワールコマは、スワール(渦状の流れ)を作り出すコマ形状の構成を意味する。このスワールコマは、混合部内に配置され、キャリアガスによるスワールを発生させる。
スワールコマ20において、キャリアガスは中央部21に当たり、螺旋形状の溝22−1〜22−4に沿って流れる。キャリアガスは、螺旋形状の溝22−1〜22−4を流れることによりスワール流23−1〜23−4を発生する。
このスワール流23−1〜23−4は、スワールコマ20の外周で材料ガスと混合することになる。次に材料ガスとキャリアガスが混合する部分の構成について説明する。図3は、本実施の形態にかかる成膜装置の混合部の斜視図である。図2は、図1のIII-IIIの面近傍における混合部13を斜視したものである。図3では、材料ガスとキャリアガスが混合する部分の構成を示している。
図3に示すように、混合部13は、内部にスワールコマ20を配置し、スワールコマ20の外周に空間を形成する溝を有している。また、混合部13の中心にキャリアガスの導入口31があり、スワールコマ20の外周の近傍に材料ガスの導入口32−1〜32−4がある。そして、スワール流の流速により発生する負圧により、材料ガスが吸引され、キャリアガスに混合される。キャリアガスに混合されたガス同士がスワールコマ20の外周でさらに合流、混合される。
混合されたガスは、供給口33−1〜33−4を介してガス配管14に送出される。
混合されたガスは、供給口33−1〜33−4を介してガス配管14に送出される。
このように、本実施の形態の成膜装置によれば、複数の種類の材料ガスの混合部に螺旋形状の溝を設け、キャリアガスによるスワールを発生させ、そのスワールによる吸引力により、材料ガスを均一に混合することができる。
そして、混合された材料ガスは、成膜に供される。次に、本実施の形態の成膜装置を用いて材料ガスを導入し、成膜する例について説明する。図4は、本実施の形態にかかる成膜装置の概略図である。図4において、成膜装置40は、キャリアガス供給源41と、材料ガス供給源42−1〜42−3と、混合部13と、ガス配管43と、ガスガイド44と、ウェハテーブル45と、チャンバ46と、誘導加熱コイル47を備える。図4において、図1と同一の構成には、同一の番号を付して説明を省略する。
キャリアガス供給源41は、キャリアガスを供給する構成である。例えば、キャリアガス供給源41は、キャリアガスを充填したガスボンベ、PSA(Pressure Swing Adsorption)装置が好適である。
材料ガス供給源42−1〜42−3は、材料ガスを供給する構成である。例えば、材料ガス供給源42−1〜42−3は、材料ガスを充填したガスボンベが好適である。
ガス配管43は、混合部13において、材料ガスとキャリアガスが混合されたガスをチャンバ46内に導入する配管である。
ガスガイド44は、材料ガスとキャリアガスが混合されたガスを成膜に適したフローとするための構成である。ガスガイド44の形状は、このフローに合わせて決定される。
ウェハテーブル45は、成膜に用いるウェハ48を載置するためのテーブルである。
チャンバ46は、成膜を行うための閉じた空間を形成する容器である。
誘導加熱コイル47は、チャンバ46内を加熱するためのコイルである。
チャンバ46は、成膜を行うための閉じた空間を形成する容器である。
誘導加熱コイル47は、チャンバ46内を加熱するためのコイルである。
成膜装置40において、材料ガス供給源42−1〜42−3から送出された材料ガスと、キャリアガス供給源41から送出されたキャリアガスとが、混合部13において、混合される。この混合部13は、上述したように、複数の種類の材料ガスを均一に混合することができる。
均一に混合された材料ガスは、ガス配管43を介してチャンバ46内に導入される。そして、ガスガイド44により、材料ガスがウェハ48の一面全体に行き渡る。そして材料ガスは、誘導加熱コイル47の加熱により、分解反応または化学反応し、ウェハ48に成膜される。
このような複数の種類の材料ガスを用いて成膜を行う場合、複数の種類の材料ガスを均一に混合することが成膜品質を決める。例えば、半導体のSiCのエピタキシャル成膜を行うCVD装置において、複数の種類の材料ガスを均一に混合することが成膜品質を決める。
本実施の形態の成膜装置によれば、複数の種類の材料ガスの混合部に螺旋形状の溝を設け、キャリアガスによるスワールを発生させ、そのスワールによる吸引力により、材料ガスを均一に混合することができるので、品質の高い成膜を実現することができる。
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、混合部13の螺旋形状の溝は、曲線形状の溝でもよいし、直線形状の溝が所定の角度で折れ曲がる形状の溝であってもよい。また、スワールコマ20は混合部13内で回転可能としてもよい。
10 成膜装置
11 キャリアガス配管
12−1〜12−n 材料ガス配管
13 混合部
14 ガス配管
15、46 チャンバ
20 スワールコマ
40 成膜装置
41 キャリアガス供給源
42−1〜42−3 材料ガス供給源
43 ガス配管
44 ガスガイド
45 ウェハテーブル
46 チャンバ
47 誘導加熱コイル
48 ウェハ
11 キャリアガス配管
12−1〜12−n 材料ガス配管
13 混合部
14 ガス配管
15、46 チャンバ
20 スワールコマ
40 成膜装置
41 キャリアガス供給源
42−1〜42−3 材料ガス供給源
43 ガス配管
44 ガスガイド
45 ウェハテーブル
46 チャンバ
47 誘導加熱コイル
48 ウェハ
Claims (1)
- キャリアガスを導入するキャリアガス配管と、
材料ガスを導入する複数の材料ガス配管と、
中心から外周方向に向かう螺旋形状の溝と、前記螺旋形状の溝と接続する外周の溝とを有する混合部と、を備え、
前記混合部は、混合部の中心で前記キャリアガス配管が前記螺旋形状の溝に接続し、前記材料ガス配管が前記外周の溝に接続する成膜装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018078575A JP2019186476A (ja) | 2018-04-16 | 2018-04-16 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018078575A JP2019186476A (ja) | 2018-04-16 | 2018-04-16 | 成膜装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019186476A true JP2019186476A (ja) | 2019-10-24 |
Family
ID=68337586
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018078575A Pending JP2019186476A (ja) | 2018-04-16 | 2018-04-16 | 成膜装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2019186476A (ja) |
-
2018
- 2018-04-16 JP JP2018078575A patent/JP2019186476A/ja active Pending
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