JP2019172987A - 組成物及び偏光膜 - Google Patents

Abstract

【課題】二色性が高く、かつ、耐久性に優れる偏光膜を製造できる組成物の提供。【解決手段】スメクチック相を示す重合性液晶化合物、及び式（２）で表される液晶化合物を含む組成物。［式（２）中、ｍは、整数を表す。Ａ１〜Ａ３は、二価の芳香族基を表す。Ｌ１〜Ｌ２は、単結合やエステル基等を表す。Ｒｃ〜Ｒｄは、水素原子又はアルキル基を表す。Ｚ１は、重合性基を表す。Ｚ２は、水素原子又は重合性基を表す。Ｑ１〜Ｑ２は、アルキレン基等の基を表す。Ｔ１は、単結合又はエステル基等を表す。Ｒｆ及びＲｇは、水素原子又はアルキル基を表す。］【選択図】図１

Description

本発明は偏光膜を製造するために用いられる組成物等に関する。

フラットパネル表示装置（ＦＰＤ）には、偏光板や位相差板等の光学フィルムが用いられている。このような偏光板としては、ポリビニルアルコール系樹脂フィルムにヨウ素等の二色性色素が配向吸着された偏光層と保護フィルムからなるヨウ素ＰＶＡ偏光板が広く用いられている。近年薄型の偏光板が求められており、下記特許文献１にはスメクチック相を有する重合性液晶と二色性色素からなる薄型偏光板が開示されている。また、下記特許文献２には、経時安定性に優れる偏光膜を製造することができる組成物が記載されている。さらに、下記特許文献３には、二色比の高い偏光膜を製造するための組成物が記載されている。

特許第４７１９１５６号公報 特開２０１１−２４６６９６号公報 特開２０１３−１０１３２８号広報

特許文献２の組成物によって製造される偏光膜は二色性が低いという課題があった。また、特許文献３の組成物によって製造される偏光膜は、二色性は高いが耐久性が十分でないという課題があった。
本発明は、二色性が高く、かつ、耐久性に優れる偏光膜を製造できる組成物を提供するものである。

即ち、本発明は、スメクチック相を示す重合性液晶化合物、及び
式（２）：

［式（２）中、ｍは、０〜３の整数を表す。
Ａ^１、Ａ^２及びＡ^３は、互いに独立して、置換基を有していてもよい二価の芳香族基を表す。
Ｌ^１及びＬ^２は、互いに独立して、単結合、−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−Ｏ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＣＲ^ｃ＝ＣＲ^ｄ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＲ^ｃ＝Ｎ−、−ＣＯＮＲ^ｃ−、−ＮＲ^ｃＣＯ−、又は、−Ｎ＝Ｎ−を表す。
Ｒ^ｃ及びＲ^ｄは、互いに独立して、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
Ｚ^１は、重合性基を表す。
Ｚ^２は、水素原子又は重合性基を表す。
Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立して、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分枝アルキレン基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルケニレン基、又は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキニレン基を表し、これらのアルキレン基、アルケニレン基、又は、アルキニレン基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＮＲ^ｅ−に置き換わっていてもよい。
Ｒ^ｅは水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
Ｔ^１は、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、又は、−ＣＯＮＲ^ｆ−、又は、−ＮＲ^ｆＣＯ−を表し、
Ｔ^２は、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＣＯＮＲ^ｆ−、−ＮＲ^ｆＣＯ−、又は、Ｚ^２が水素原子の場合のみ−ＮＲ^ｇ−を表す。
Ｒ^ｆ及びＲ^ｇは、互いに独立して、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表すが、Ｒ^ｇで表されるアルキル基はＱ^１又はＱ^２と環を形成していてもよい。
但し、Ａ^１−（Ｌ^１−Ａ^２）_ｍ−Ｌ^２−Ａ^３は少なくとも一つの−Ａ^X1−Ｎ＝Ｎ−Ａ^X2−（Ａ^X1及びＡ^X2は、それぞれ２価の芳香族基を表す。）を表される構造を含み、Ｔ^２が−ＮＲ^ｇ−である場合にはＺ^２は水素原子を表す。］
で表される液晶化合物を含む組成物を提供する。

本発明は、また、以下の態様を提供する。：
前記スメクチック相を示す重合性液晶化合物が、式（１）：

［式（１）中、
Ｘ^１、Ｘ^２は、互いに独立して、２価の芳香族基又は２価の脂環式炭化水素基を表し、ここで、該２価の芳香族基又は２価の脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のフルオロアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、シアノ基又はニトロ基に置換されていてもよく、該２価の芳香族基又は２価の脂環式炭化水素基を構成する炭素原子が、酸素原子、硫黄原子又は窒素原子に置換されていてもよい。ただし、Ｘ^１、Ｘ^２のうち少なくとも１つは、置換基を有していてもよい１，４−フェニレン基又は置換基を有していてもよいシクロヘキサン−１，４−ジイル基である。
ｎは１〜３であり、ｎが２以上の場合はＸ^１、Ｘ^２はそれぞれ異なっていても良い。
Ｙ^１は、互いに独立して、単結合又は二価の連結基である。
Ｕ^１は、水素原子又は重合性基を表わす。
Ｕ^２は、重合性基を表わす。
Ｗ^１及びＷ^２は、互いに独立して、単結合又は二価の連結基である。
Ｖ^１及びＶ^２は、互いに独立して、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基を構成する−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−又はＮＨ−に置き換わっていてもよい。］
で表される、上記の組成物。
前記Ｕ^１が重合性基であって該重合性基と連結するＶ^１の主鎖の原子数又はＶ^２の主鎖の原子数と、Ｑ^１の主鎖の原子数又はＺ^２が重合性基であって該重合性基と連結するＱ^２の主鎖の原子数との差が３以下である、上記の組成物。
前記Ｕ^１及びＺ^１並びに、Ｕ^２及びＺ^２が全て同一の重合性基であって、該重合性基がアクリロイル基又はメタクリロイル基である上記の組成物。
前記式（２）の化合物が可視光域に二色性光吸収を示す化合物である上記の組成物。
前記式（１）の化合物がサーモトロピック性液晶であって、かつスメクチック液晶相を有する化合物である上記の組成物。
上記の組成物中の式（１）で表される化合物と式（２）で表される化合物とを分子配向した状態で重合させた偏光膜。
上記の組成物中の式（１）で表される化合物と式（２）で表される化合物とを分子配向した状態で重合させた偏光膜であって、Ｘ線回折測定においてブラッグピークが得られる偏光膜。
上記の偏光膜と１／４波長板とを有し、前記偏光膜の吸収軸と前記１／４波長板の遅相軸との為す角が４５±１０°であって、１／４波長板が下記式（Ｉ）を満たす円偏光板。
１００ｎｍ＜Ｒｅ（５５０）＜１６０ｎｍ …（Ｉ）
（式中、Ｒｅ（５５０）は波長５５０ｎｍの光に対する面内位相差値を表す。）
上記の偏光膜と１／４波長板とを有し、前記偏光膜の吸収軸と前記１／４波長板の遅相軸との為す角が４５±１０°であって、さらに１／４波長板が下記式（Ｉ）、式（ＩＩ）及び式（ＩＩＩ）を全て満たす円偏光板。
１００ｎｍ＜Ｒｅ（５５０）＜１６０ｎｍ …（Ｉ）
Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）≦１．０ …（ＩＩ）
１．００≦Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０） …（ＩＩＩ）
（式中、Ｒｅ（４５０）は波長４５０ｎｍの光に対する面内位相差値を、Ｒｅ（５５０）は波長５５０ｎｍの光に対する面内位相差値を、Ｒｅ（６５０）は波長６５０ｎｍの光に対する面内位相差値を表す。）
上記の円偏光板を含む有機ＥＬ表示装置。

本発明の組成物によれば、二色性が高く、かつ、耐久性に優れる偏光膜を得ることができる。

本発明の組成物からなる偏光膜４を含む積層体１を表す概略図である。 本発明の表示装置の一つである液晶表示装置１０を表す概略図である。 本発明の表示装置の一つである液晶表示装置２４を表す概略図である。 本発明の表示装置の一つであるＥＬ表示装置３０を表す概略図である。 本発明の表示装置の一つであるＥＬ表示装置４４を表す概略図である。 本発明の表示装置の一つである投射型液晶表示装置を表す概略図である。

本発明の組成物は、スメクチック相を示す重合性液晶化合物、及び
式（２）：

［式（２）中、ｍは、０〜３の整数を表す。
Ａ^１、Ａ^２及びＡ^３は、互いに独立して、置換基を有していてもよい二価の芳香族基を表す。
Ｌ^１及びＬ^２は、互いに独立して、単結合、−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−Ｏ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＣＲ^ｃ＝ＣＲ^ｄ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＲ^ｃ＝Ｎ−、−ＣＯＮＲ^ｃ−、−ＮＲ^ｃＣＯ−、又は、−Ｎ＝Ｎ−を表す。
Ｒ^ｃ及びＲ^ｄは、互いに独立して、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
Ｚ^１は、重合性基を表す。
Ｚ^２は、水素原子又は重合性基を表す。
Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立して、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分枝アルキレン基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルケニレン基、又は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキニレン基を表し、これらのアルキレン基、アルケニレン基、又は、アルキニレン基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＮＲ^ｅ−に置き換わっていてもよい。
Ｒ^ｅは水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
Ｔ^１は、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、又は、−ＣＯＮＲ^ｆ−、又は、−ＮＲ^ｆＣＯ−を表し、
Ｔ^２は、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＣＯＮＲ^ｆ−、−ＮＲ^ｆＣＯ−、又は、Ｚ^２が水素原子の場合のみ−ＮＲ^ｇ−を表す。
Ｒ^ｆ及びＲ^ｇは、互いに独立して、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表すが、Ｒ^ｇで表されるアルキル基はＱ^１又はＱ^２と環を形成していてもよい。
但し、Ａ^１−（Ｌ^１−Ａ^２）_ｍ−Ｌ^２−Ａ^３は少なくとも一つの−Ａ^X1−Ｎ＝Ｎ−Ａ^X2−（Ａ^X1及びＡ^X2は、それぞれ２価の芳香族基を表す。）を表される構造を含み、Ｔ^２が−ＮＲ^ｇ−である場合にはＺ^２は水素原子を表す。］
で表される液晶化合物を含む組成物を提供する。この組成物は、必要に応じて溶剤を含む。

本発明において、上記スメクチック相を示す重合性液晶化合物は、重合性の液晶化合物であればよいが、好ましくは式（１）：

［式（１）中、
Ｘ^１、Ｘ^２は、互いに独立して、２価の芳香族基又は２価の脂環式炭化水素基を表し、ここで、該２価の芳香族基又は２価の脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のフルオロアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、シアノ基又はニトロ基に置換されていてもよく、該２価の芳香族基又は２価の脂環式炭化水素基を構成する炭素原子が、酸素原子、硫黄原子又は窒素原子に置換されていてもよい。ただし、Ｘ^１、Ｘ^２のうち少なくとも１つは、置換基を有していてもよい１，４−フェニレン基又は置換基を有していてもよいシクロヘキサン−１，４−ジイル基である。
ｎは１〜３であり、ｎが２以上の場合はＸ^１、Ｘ^２はそれぞれ異なっていても良い。
Ｙ^１は、互いに独立して、単結合又は二価の連結基である。
Ｕ^１は、水素原子又は重合性基を表わす。
Ｕ^２は、重合性基を表わす。
Ｗ^１及びＷ^２は、互いに独立して、単結合又は二価の連結基である。
Ｖ^１及びＶ^２は、互いに独立して、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基を構成する−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−又はＮＨ−に置き換わっていてもよい。］
で表される化合物である。
以下、式（１）で表される化合物を説明する。

式（１）で表され得る化合物
本発明の組成物は、式（１）で表される化合物（以下、「化合物（１）」と言う場合がある。）を含む。

［式（１）中、
Ｘ^１、Ｘ^２は、互いに独立して、２価の芳香族基又は２価の脂環式炭化水素基を表し、ここで、該２価の芳香族基又は２価の脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のフルオロアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、シアノ基又はニトロ基に置換されていてもよく、該２価の芳香族基又は２価の脂環式炭化水素基を構成する炭素原子が、酸素原子又は硫黄原子又は窒素原子に置換されていてもよい。ただし、Ｘ^１、Ｘ^２のうち少なくとも１つは、置換基を有していてもよい１，４−フェニレン基又は置換基を有していてもよいシクロヘキサン−１，４−ジイル基である。
ｎは１〜３であり、ｎが２以上の場合はＸ^１、Ｘ^２はそれぞれ異なっていても良い。液晶性の観点からｎは２以上が好ましい。
Ｙ^１は、互いに独立して、単結合又は二価の連結基である。
Ｕ^１は、水素原子又は重合性基を表わす。
Ｕ^２は、重合性基を表わす。
Ｗ^１及びＷ^２は、互いに独立して、単結合又は二価の連結基である。
Ｖ^１及びＶ^２は、互いに独立して、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基を構成する−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−又はＮＨ−に置き換わっていてもよい。］
化合物（１）は、通常、Ｗ^１−（Ｘ^１−Ｙ^１）_n−Ｘ^２−Ｗ^３は、−Ａ^X1−Ｎ＝Ｎ−Ａ^X2−（Ａ^X1及びＡ^X2は、それぞれ２価の芳香族基を表す。）を表される構造を有しない。

化合物（１）において、Ｘ^１、Ｘ^２は、互いに独立して、好ましくは、置換基を有していてもよい１，４−フェニレン基、又は、置換基を有していてもよいシクロヘキサン−１，４−ジイル基であり、Ｘ^１、Ｘ^２のうち少なくとも１つは、置換基を有していてもよい１，４−フェニレン基、又は、置換基を有していてもよいシクロヘキサン−１，４−ジイル基であり、トランス−シクロへキサン−１，４−ジイル基であることが好ましい。置換基を有していてもよい１，４−フェニレン基、又は、置換基を有していてもよいシクロへキサン−１，４−ジイル基が任意に有する置換基としては、メチル基、エチル基及びブチル基などの炭素数１〜４のアルキル基、シアノ基及び塩素原子、フッ素原子などのハロゲン原子が挙げられる。好ましくは無置換である。式（１）において、ｎが２以上であって且つＹ^１が同一構造である場合、Ｘ^１、Ｘ^２のうち少なくとも１つが異なる構造であることが好ましい。ｎが２以上であって且つＸ^１、Ｘ^２のうち少なくとも１つが異なる構造である場合には、スメクチック液晶性が発現しやすい傾向にある。

Ｙ^１は、互いに独立して、単結合又は二価の連結基である。二価の連結基は、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯＯ−、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＲ^ａ＝ＣＲ^ｂ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＲ^ａ＝Ｎ−又はＣＯ−ＮＲ^ａ−が好ましい。Ｒ^ａ及びＲ^ｂは、互いに独立して、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表わす。Ｙ^１は、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−又は単結合であることがより好ましく、Ｙ^１は、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又はＣＨ_２Ｏ−であることがより好ましい。式（１）において、ｎが２以上であって且つＸ^１、Ｘ^２が全て同一構造である場合、Ｙ^１が互いに異なる結合方式であることが好ましい。ｎが２以上であって且つＹ^１が互いに異なる結合方式である場合には、スメクチック液晶性が発現しやすい傾向にある。

Ｕ^２は、重合性基である。Ｕ^１は、水素原子又は重合性基であり、好ましくは重合性基である。Ｕ^１及びＵ^２がともに重合性基であることが好ましく、ともにラジカル重合性基であることが好ましい。重合性基としては、ビニル基、ビニルオキシ基、１−クロロビニル基、イソプロペニル基、４−ビニルフェニル基、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、オキシラニル基、オキセタニル基等が挙げられる。中でも、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、ビニルオキシ基、オキシラニル基及びオキセタニル基が好ましく、アクリロイルオキシ基がより好ましい。Ｕ^１で示される重合性基とＵ^２で示される重合性基とは、互いに異なっていてもよいが、同じ種類の基であることが好ましい。また、重合性基は重合している状態であってもよいし、未重合の状態であってもよいが、好ましくは未重合の状態である。

Ｗ^１及びＷ^２は、互いに独立して、単結合又は二価の連結基である。Ｗ^１及びＷ^２は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−又はＯＣＯＯ−が好ましく、単結合又は−Ｏ−がより好ましい。

Ｖ^１及びＶ^２は、互いに独立して置換基を有してもよい炭素数１〜２０のアンカンジイル基を表し、該アルカンジイル基を構成する−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−又はＮＨ−に置き換わっていても良い。アルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，３−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ヘプタン−１，７−ジイル基、オクタン−１，８−ジイル基、デカン−１，１０−ジイル基、テトラデカン−１，１４−ジイル基及びイコサン−１，２０−ジイル基等が挙げられる。Ｖ^１及びＶ^２は、好ましくは炭素数２〜１２のアルカンジイル基であり、より好ましくは炭素数６〜１２のアルカンジイル基である。

該アルカンジイル基が任意に有する置換基としては、シアノ基及びハロゲン原子等が挙げられるが、該アルカンジイル基は、無置換であることが好ましく、無置換の直鎖状アルカンジイル基であることがより好ましい。

化合物（１）としては、例えば、式（１−１）〜式（１−２５）で表される化合物が挙げられる。化合物（１）がシクロヘキサン−１，４−ジイル基を有する場合、そのシクロヘキサン−１，４−ジイル基は、トランス体であることが好ましい。

これらの中でも、式（１−２）、式（１−３）、式（１−４）、式（１−５）、式（１−６）、式（１−７）、式（１−８）、式（１−１３）、式（１−１４）、式（１−１５）、式（１−１６）及び式（１−１７）で表される化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種が好ましい。化合物（１）として、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

化合物（１）は、例えば、Ｌｕｂ等、Ｒｅｃｌ．Ｔｒａｖ．Ｃｈｉｍ．Ｐａｙｓ−Ｂａｓ、１１５、３２１−３２８（１９９６）、又は特許第４７１９１５６号などに記載の公知の方法で製造できる。

化合物（１）の含有量は、組成物の固形分に対して、７０〜９９．９９質量％が好ましく、９０〜９９．９質量％がより好ましい。上記範囲内であれば、化合物（１）の配向性が高くなる傾向がある。ここで、固形分とは、組成物から溶剤を除いた成分の合計量のことをいう。

式（２）で表される化合物
本発明の組成物は、式（２）で表される液晶化合物（以下、「化合物（２）」という場合がある）を含む。化合物（２）は、好ましくは、可視光域に二色性を示す液晶化合物である。二色性とは、分子の長軸方向における吸光度と、短軸方向における吸光度とが異なる性質をいう。

式（２）：

［式（２）中、ｍは、０〜３の整数を表す。
Ａ^１、Ａ^２及びＡ^３は、互いに独立して、置換基を有していてもよい二価の芳香族基を表す。
Ｌ^１及びＬ^２は、互いに独立して、単結合、−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−Ｏ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＣＲ^ｃ＝ＣＲ^ｄ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＲ^ｃ＝Ｎ−、−ＣＯＮＲ^ｃ−、−ＮＲ^ｃＣＯ−、又は、−Ｎ＝Ｎ−を表す。
Ｒ^ｃ及びＲ^ｄは、互いに独立して、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
Ｚ^１は、重合性基を表す。
Ｚ^２は、水素原子又は重合性基を表す。
Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立して、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分枝アルキレン基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルケニレン基、又は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキニレン基を表し、これらのアルキレン基、アルケニレン基、又は、アルキニレン基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＮＲ^ｅ−に置き換わっていてもよい。
Ｒ^ｅは水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
Ｔ^１は、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、又は、−ＣＯＮＲ^ｆ−、又は、−ＮＲ^ｆＣＯ−を表し、
Ｔ^２は、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＣＯＮＲ^ｆ−、−ＮＲ^ｆＣＯ−、又は、Ｚ^２が水素原子の場合のみ−ＮＲ^ｇ−を表す。
Ｒ^ｆ及びＲ^ｇは、互いに独立して、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表すが、Ｒ^ｇで表されるアルキル基はＱ^１又はＱ^２と環を形成していてもよい。
但し、Ａ^１−（Ｌ^１−Ａ^２）_ｍ−Ｌ^２−Ａ^３は−Ａ^X1−Ｎ＝Ｎ−Ａ^X2−（Ａ^X1及びＡ^X2は、それぞれ２価の芳香族基を表す。）を表される構造を含み、Ｔ^２が−ＮＲ^ｇ−である場合にはＺ^２は水素原子を表す。］

ｍは、０〜３の整数を表す。好ましくは、ｍは１〜３である。

Ａ^１、Ａ^２及びＡ^３は、互いに独立して、置換基を有していてもよい二価の芳香族基を表す。

二価の芳香族基としては、例えば、１，４−フェニレン基、ナフタレン−１，４−ジイル基、及び置換基を有していてもよい二価の複素環基が挙げられる。二価の複素環基としては、キノリン、チアゾール、ベンゾチアゾール、チエノチアゾール、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、オキサゾール及びベンゾオキサゾールから２個の水素原子を除いた基が挙げられる。Ａ^２が二価の複素環基の場合には、分子結合角度が実質的に１８０°となる構造が好ましく、具体的には、二つの５員環が縮合したチエノチアゾール構造がより好ましい。

二価の芳香族基が有していてもよい置換基としては、メチル基、エチル基及びブチル基などの炭素数１〜４のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基及びブトキシ基などの炭素数１〜４のアルコキシ基；トリフルオロメチル基などの炭素数１〜４のフッ化アルキル基；シアノ基；ニトロ基；塩素原子、フッ素原子などのハロゲン原子；アミノ基、ジエチルアミノ基及びピロリジノ基などの置換又は無置換アミノ基（置換アミノ基とは、炭素数１〜６のアルキル基を１つ又は２つ有するアミノ基、あるいは炭素数２〜８のアルカンジイル基を有する環状アミノ基を意味する。無置換アミノ基は、−ＮＨ_２である。）が挙げられる。なお、炭素数１〜６のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基及びヘキシル基などが挙げられる。炭素数２〜８のアルカンジイル基としては、エタン-１，２−ジイル基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，３−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ヘプタン−１，７−ジイル基、オクタン−１，８−ジイル基などが挙げられる。

置換基を有していてもよい二価の芳香族基としては、具体的には、無置換又は水素がメチル基又はメトキシ基で置換された１，４−フェニレン基、又は前述の二価の複素環基が好ましい。

Ｌ^１及びＬ^２は、互いに独立して、単結合、−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−Ｏ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＣＲ^ｃ＝ＣＲ^ｄ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＲ^ｃ＝Ｎ−、−ＣＯＮＲ^ｃ−、−ＮＲ^ｃＣＯ−、又は、−Ｎ＝Ｎ−を表す。上記Ｒ^ｃ及びＲ^ｄは、互いに独立して、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。炭素数１〜４のアルキル基とは、前述と同様、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられる。Ｌ^１及びＬ^２は、−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＮＨ−、又は、−Ｎ＝Ｎ−であることが好ましく、中でも、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、又は−Ｎ＝Ｎ−であることが特に好ましい。

Ｚ^１は、重合性基であり、Ｚ^２は、水素原子又は重合性基である。ここで、重合性基とは、重合開始剤から発生した活性ラジカル、酸等によって重合反応に関与しうる基を意味し、光重合性基とは、光重合開始剤から発生した活性ラジカル、酸等によって重合に関与しうる基のことをいう。Ｚ^１及びＺ^２がともに重合性基であるとき、Ｚ^１及びＺ^２は、同じ種類の重合性基であることが好ましく、同一の重合性基であることがより好ましい。重合性基は重合している状態であってもよいし、未重合の状態であってもよいが、好ましくは未重合の状態である。

重合性基としては、ビニル基、ビニルオキシ基、１−クロロビニル基、イソプロペニル基、４−ビニルフェニル基、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、オキシラニル基、オキセタニル基等が挙げられる。中でも、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、ビニルオキシ基、オキシラニル基及びオキセタニル基が好ましく、アクリロイルオキシ基がより好ましい。

Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立して、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分枝アルキレン基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルケニレン基、又は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキニレン基を表し、これらのアルキレン基、アルケニレン基、又は、アルキニレン基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＮＲ^ｅ−に置き換わっていてもよい。

炭素数１〜２０のアルキレン基としては、炭素数１〜２０のポリメチレン基、即ち、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基、ウンデシレン基、ドデシレン基、トリデシレン基、テトラデシレン基、ペンタデシレン基、ヘキサデシレン基、ヘプタデシレン基、オクタデシレン基、ノナデシレン基、エイコシレン基が挙げられ、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基、ウンデシレン基、ドデシレン基、トリデシレン基、テトラデシレン基が好ましく、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基、ウンデシレン基、ドデシレン基、トリデシレン基が特に好ましい。

炭素数１〜２０のアルケニレン基としては、エテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、ペンテニレン基、へキセニレン基、ヘプテニレン基、オクテニレン基、ノネニレン基、デセニレン基、ウンデセニレン基、ドデセニレン基、トリデセニレン基、テトラデセニレン基、ペンタデセニレン基、ヘキサデセニレン基、ヘプタデセニレン基、オクタデセニレン基、ノナデセニレン基及びエイコセニレン基が挙げられ、プロペニレン基、ブテニレン基、ペンテニレン基、へキセニレン基、ヘプテニレン基、オクテニレン基、ノネニレン基、デセニレン基、ウンデセニレン基、ドデセニレン基、トリデセニレン基、テトラデセニレン基が好ましく、ブテニレン基、ペンテニレン基、へキセニレン基、ヘプテニレン基、オクテニレン基、ノネニレン基、デセニレン基、ウンデセニレン基、ドデセニレン基、トリデセニレン基が特に好ましい。

炭素数１〜２０のアルキニレン基としては、エチニレン基、プロピニレン基、ブチニレン基、ペンチニレン基、へキシニレン基、ヘプチニレン基、オクチニレン基、ノニニレン基、デシニレン基、ウンデシニレン基、ドデシニレン基、トリデシニレン基、テトラデシニレン基、ペンタデシニレン基、ヘキサデシニレン基、ヘプタデシニレン基、オクタデシニレン基、ノナデシニレン基及びエイコシニレン基が挙げられ、プロピニレン基、ブチニレン基、ペンチニレン基、へキシニレン基、ヘプチニレン基、オクチニレン基、ノニニレン基、デシニレン基、ウンデシニレン基、ドデシニレン基、トリデシニレン基、テトラデシニレン基が好ましく、ブチニレン基、ペンチニレン基、へキシニレン基、ヘプチニレン基、オクチニレン基、ノニニレン基、デシニレン基、ウンデシニレン基、ドデシニレン基、トリデシニレン基が特に好ましい。

上記アルキレン基、アルケニレン基又はアルキニレン基が有していてもよい置換基としては、シアノ基；フルオロ基、クロロ基、ブロモ基等のハロゲノ基等が挙げられる。
上記アルキレン基、アルケニレン基又はアルキニレン基としては、無置換のアルキレン基、アルケニレン基又はアルキニレン基であることが好ましく、無置換の直鎖状アルキレン基、アルケニレン基又はアルキニレン基であることがより好ましい。

上記Ｒ^ｅは水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。炭素数１〜４のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ブチル基等が挙げられる。

Ｔ^１は、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、又は、−ＣＯＮＲ^ｆ−、又は、−ＮＲ^ｆＣＯ−を表し、
Ｔ^２は、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＣＯＮＲ^ｆ−、−ＮＲ^ｆＣＯ−、又は、Ｚ^２が水素原子の場合のみ−ＮＲ^ｇ−を表す。
Ｔ^１、及びＴ^２は、それぞれの末端基であるＺ^１、Ｚ^２が重合性基であるときは、化合物の長軸方向に対して平行に結合する官能基が好ましい。そのような場合、好ましくは単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、である。
Ｒ^ｆ及びＲ^Ｇは、互いに独立して、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表すが、Ｒ^ｇで表されるアルキル基はＱ^１又はＱ^２と環を形成していてもよい。
式（２）において、Ａ^１−（Ｌ^１−Ａ^２）_ｍ−Ｌ^２−Ａ^３は少なくとも一つの−Ａ^X1−Ｎ＝Ｎ−Ａ^X2−（Ａ^X1及びＡ^X2は、それぞれ２価の芳香族基を表す。）を表される構造を含み、Ｔ^２が−ＮＲ^ｇ−である場合にはＺ^２は水素原子を表す。Ａ^X1及びＡ^X2により表される２価の芳香族基としては、上述のＡ^１及びＡ^２により表される２価の芳香族基と同じ基が挙げられる。

化合物（２）としては、式（２−１）〜式（２−１１５）で表される化合物等が挙げられる。化合物（２）は、好ましくは、−Ａ^X1−Ｎ＝Ｎ−Ａ^X2−Ｎ＝Ｎ−Ａ^X3−（Ａ^X1及びＡ^X2は、それぞれ上記定義と同じ。Ａ^X3は、２価の芳香族基を表す。）を表される構造を含むことが好ましい。なお、Ａ^X3で示される２価の芳香族基としては、Ａ^X1及びＡ^X2と同様の基が挙げられる。Ａ^X1、Ａ^X2及びＡ^X3としては、２価の炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基、又は硫黄原子若しくは窒素原子を有する２価の炭素数６〜１２の芳香族複素環基が好ましい。より好ましくは、Ａ^X1、Ａ^X2及びＡ^X3の少なくとも１つは、フェニレン基、ナフレレチレン基等の２価の炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基である。

化合物（２）は、Ｍｅｔｈｏｄｅｎ ｄｅｒ Ｏｒｇａｎｉｓｃｈｅｎ Ｃｈｅｍｉｅ、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ、Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ、新実験化学講座等に記載されている公知の有機合成反応（縮合反応、エステル化反応、ウイリアムソン反応、ウルマン反応、ウイッティヒ反応、シッフ塩基生成反応、ベンジル化反応、薗頭反応、鈴木−宮浦反応、根岸反応、熊田反応、檜山反応、ブッフバルト−ハートウィッグ反応、フリーデルクラフト反応、ヘック反応、アルドール反応など）を、その構造に応じて、適宜組み合わせることにより、製造することができる。

本発明では、化合物（１）と化合物（２）とが、次のような要件を満足するのが好ましい。即ち、前記Ｕ^１が重合性基であって該重合性基と連結するＶ^１の主鎖の原子数又はＶ^２の主鎖の原子数と、Ｑ^１の主鎖の原子数又はＺ^２が重合性基であって該重合性基と連結するＱ^２の主鎖の原子数との差が３以下であるのが好ましい。Ｕ^１−Ｖ^１−、Ｕ^２−Ｖ^２−、Ｚ^１−Ｑ^１−及びＺ^２−Ｑ^２−の何れもがアクリロイルアルキルあるいはメタクリロイルアルキルであって、アルキル基の炭素数の差が３以下であることが好ましい。

化合物（２）の含有量は、組成物の固形分に対して、０．０１〜３０質量％が好ましく、０．１〜１０質量％がより好ましい。上記範囲内であれば、化合物（１）の配向を乱すことなく、化合物（１）と化合物（２）とを重合することができるため、偏光膜の二色比が高くなる傾向がある。化合物（２）は、単独で用いても、複数種を併用してもよい。

二色比とは、偏光膜に入射した光の、互いに垂直に振動する２つの直線偏光の吸収強度比のことをいう。透過軸に沿った吸光度（ＡＨ）に対する消光軸に沿った（垂直入射で測定された）吸光度（ＡＶ）の比（ＡＶ／ＡＨ）として定義される。透過軸（偏光軸）とは、偏光膜への入射光のうち、偏光膜を透過する成分の偏光方向のことをいい、消光軸（吸収軸）とは、偏光膜への入射光のうち、偏光膜で吸収される成分の偏光方向のことをいう。

通常、重合性基を有する液晶化合物は、配向させてから重合させる際に、配向を乱しやすい傾向があるが、化合物（２）自体が液晶性を示すため、化合物（１）と化合物（２）とを混合した場合でも、得られる組成物は安定して液晶相を示す傾向がある。また、これらの配向を乱すことなく、化合物（１）と化合物（２）とを重合させることができるため、得られる偏光膜は二色比が高い傾向がある。

重合開始剤
本発明の組成物は、さらに重合開始剤を含有する組成物であることが好ましい。重合開始剤は、化合物（１）及び化合物（２）の重合を開始する化合物であり、光照射により酸やラジカルを発生する光重合開始剤であることが好ましく、光照射によりラジカルを発生する光重合開始剤がより好ましい。

光重合開始剤としては、ベンゾイン化合物、ベンゾフェノン化合物、アセトフェノン化合物、アシルホスフィンオキサイド化合物、トリアジン化合物、ヨードニウム塩又はスルホニウム塩等が挙げられる。

ベンゾイン化合物としては、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテルなどが挙げられる。
ベンゾフェノン化合物としては、ベンゾフェノン、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、４−フェニルベンゾフェノン、４−ベンゾイル−４’−メチルジフェニルサルファイド、３，３’，４，４’−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、２，４，６−トリメチルベンゾフェノンなどが挙げられる。

アセトフェノン化合物としては、ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−２−モルホリノ−１−（４−メチルチオフェニル）プロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）ブタン−１−オン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１，２−ジフェニル−２，２−ジメトキシエタン−１−オン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−〔４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル〕プロパン−１−オン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−〔４−（１−メチルビニル）フェニル〕プロパン−１−オンのオリゴマーなどが挙げられる。

アシルホスフィンオキサイド化合物としては、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキサイド等が挙げられる。

トリアジン化合物としては、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−（４−メトキシフェニル）−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−（４−メトキシナフチル）−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−（４−メトキシスチリル）−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−〔２−（５−メチルフラン−２−イル）エテニル〕−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−〔２−（フラン−２−イル）エテニル〕−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−〔２−（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）エテニル〕−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−〔２−（３，４−ジメトキシフェニル）エテニル〕−１，３，５−トリアジンなどが挙げられる。

光重合開始剤としては、イルガキュア（Ｉｒｇａｃｕｒｅ）９０７、イルガキュア１８４、イルガキュア６５１、イルガキュア８１９、イルガキュア２５０、イルガキュア３６９（以上、全てチバ・ジャパン（株）製）、セイクオールＢＺ、セイクオールＺ、セイクオールＢＥＥ（以上、全て精工化学（株）製）、カヤキュアー（ｋａｙａｃｕｒｅ）ＢＰ１００（日本化薬（株）製）、カヤキュアーＵＶＩ−６９９２（ダウ社製）、アデカオプトマーＳＰ−１５２又はアデカオプトマーＳＰ−１７０（以上、全て（株）ＡＤＥＫＡ製）、ＴＡＺ−Ａ、ＴＡＺ−ＰＰ（以上、日本シイベルヘグナー社製）、ＴＡＺ−１０４（三和ケミカル社製）、Ｅｓａｃｕｒｅ Ｏｎｅ、Ｅｓａｃｕｒｅ ＫＩＰ １５０（以上、全てＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ社製）など、市販の光重合開始剤も用いることができる。

重合開始剤の含有量は、化合物（１）と化合物（２）との合計量１００質量部に対して、０．１質量部〜３０質量部が好ましく、０．５質量部〜１０質量部がより好ましい。上記範囲内であれば、化合物（１）及び化合物（２）の配向を乱すことなくこれらを重合させることができる。

他の添加剤
本発明の組成物は、光増感剤を含有してもよい。光増感剤としては、例えばキサントン又はチオキサントン等のキサントン化合物（例えば、２，４−ジエチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン等）、アントラセン又はアルキルエーテルなどの置換基を有するアントラセン化合物(例えば、ジブトキシアントラセン等)、フェノチアジン或いはルブレンを挙げることができる。

光増感剤を用いることにより、化合物（１）や化合物（２）の重合を高感度化したり、重合により得られる偏光膜の耐久性、特に耐熱性を向上させることができる。また光増感剤の含有量としては、化合物（１）と化合物（２）との合計量１００質量部に対して、０．１〜３０質量部が好ましく、０．５〜１０質量部がより好ましい。上記範囲内であれば、化合物（１）及び化合物（２）の配向を乱すことなく重合させることができる。

本発明の組成物は、重合禁止剤を含有してもよい。重合禁止剤としては、ハイドロキノン又はアルキルエーテル等の置換基を有するハイドロキノン系化合物、ブチルカテコール等のアルキルエーテル等の置換基を有するカテコール系化合物、ピロガロール系化合物、２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジニルオキシラジカル等のラジカル補足剤、チオフェノール系化合物、β−ナフチルアミン系化合物、β−ナフトール系化合物等を挙げることができる。

重合禁止剤を用いることにより、化合物（１）や化合物（２）の重合を制御することができ、本発明の組成物の安定性を向上させることができる。また重合禁止剤の含有量は、例えば化合物（１）と化合物（２）との合計量１００質量部に対して、０．１〜３０質量部が好ましく、０．５〜１０質量部がより好ましい。上記範囲内であれば、化合物（１）及び化合物（２）の配向を乱すことなく重合させることができる。

本発明の組成物は、レベリング剤を含有してもよい。レベリング剤としては、例えば放射線硬化塗料用添加剤（ビックケミージャパン製：ＢＹＫ−３５２、ＢＹＫ−３５３、ＢＹＫ−３６１Ｎ）、塗料添加剤（東レ・ダウコーニング（株）製：ＳＨ２８ＰＡ、ＤＣ１１ＰＡ、ＳＴ８０ＰＡ）、塗料添加剤（信越化学工業（株）製：ＫＰ３２１、ＫＰ３２３、Ｘ２２−１６１Ａ、ＫＦ６００１）又はフッ素系添加剤（ＤＩＣ（株）製：Ｆ−４４５、Ｆ−４７０、Ｆ−４７７、Ｆ−４７９）などを挙げることができる。

レベリング剤を用いることにより、偏光膜の表面を平滑にすることができる。さらに偏光膜の製造過程で、本発明の組成物の流動性を制御したり、化合物（１）や化合物（２）を重合して得られる偏光膜の架橋密度を調整したりすることができる。レベリング剤の含有量は、化合物（１）と化合物（２）との合計量１００質量部に対して、０．０１〜３０質量部が好ましく、０．０５〜１０質量部がより好ましい。上記範囲内であれば、組成物の配向を乱すことなく重合することができる。

本発明の組成物は、通常、溶剤を含む。溶剤としては、本発明の組成物に含まれる成分を溶解し、重合反応に不活性な有機溶剤がより好ましい。溶剤は、具体的には、メタノール、エタノール、エチレングリコール、イソプロピルアルコール、プロピレングリコール、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ又はプロピレングリコールモノメチルエーテルなどのアルコール溶剤；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチレングリコールメチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート又は乳酸エチルなどのエステル溶剤；アセトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルアミルケトン又はメチルイソブチルケトンなどのケトン溶剤；ペンタン、ヘキサン又はヘプタンなどの非塩素系脂肪族炭化水素溶剤；トルエン、キシレン又はフェノールなどの非塩素系芳香族溶剤；アセトニトリルなどのニトリル溶媒；テトラヒドロフラン又はジメトキシエタンなどのエーテル溶媒；クロロホルム又はクロロベンゼンなどの塩素系脂肪族炭化水素溶媒；などが挙げられる。中でも、ケトン溶剤が好ましい。これら溶剤は、単独で用いてもよいし、複数を組み合わせて用いてもよい。

溶剤の使用量は、本発明の組成物の重量の５０〜９８質量％が好ましい。言い換えると、本発明の組成物における固形分は、２〜５０質量％が好ましい。固形分が２質量％以上であると、膜厚が薄くなりすぎず、偏光膜に必要な二色性が得られる。また５０質量％以下であると、組成物の粘度が低いことから、塗膜の膜厚にムラが生じにくくなる傾向がある。

本発明の組成物の粘度は、０．１〜１０ｍＰａ・ｓが好ましく、０．１〜７ｍＰａ・ｓがより好ましい。上記粘度が上記範囲内であれば、偏光膜の膜厚にムラが生じにくくなる傾向がある。

偏光膜
本発明の偏光膜は、本発明の組成物に含まれる化合物（１）と化合物（２）とを重合することにより得られる。偏光膜とは、偏光していない入射光を直交する２つの偏光成分に分解し、一方の偏光成分を透過させ、もう一方の偏光成分を吸収する膜である。透過する偏光成分の軸方向は透過軸、吸収する偏光成分の軸方向は吸収軸という。

本発明の組成物に含まれる化合物（１）と化合物（２）とを重合することにより得られる偏光膜は、化合物（１）と化合物（２）とが配向した状態で固定された重合体であることが好ましい。このような重合体を製造しやすいという点で、組成物中の化合物（１）と化合物（２）とを、該組成物が液晶相に配向する温度で、重合させることが好ましい。

本発明の偏光膜の製造方法について、以下に説明する。
本発明の組成物を支持基材に塗布し、乾燥し、本発明の組成物に含まれる化合物（１）と化合物（２）とを重合させることにより、支持基材上に本発明の偏光膜を得ることができる。そのため、生産コストを低減でき、さらに偏光膜の連続的な生産が可能となり、ロール状での偏光膜の生産が可能である。

支持基材、又は配向膜等を形成した支持基材の上に、本発明の組成物を塗布し、乾燥することにより、未重合の組成物膜を得ることができる。未重合の組成物膜がネマチック相やスメクチック相などの液晶相を示す場合、得られる偏光膜は二色性を示す。より好ましい液晶相としては、スメクチック相が挙げられ、特に好ましくは、スメクチックＢ相が挙げられる。

支持基材への本発明の組成物の塗布方法としては、押し出しコーティング法、ダイレクトグラビアコーティング法、リバースグラビアコーティング法、ＣＡＰコーティング法又はダイコーティング法などが挙げられる。またディップコーター、バーコーター又はスピンコーターなどのコーターを用いて塗布する方法などが挙げられる。

上記支持基材としては、例えばガラス、プラスチックシート、プラスチックフィルム及び透光性フィルムを挙げることができる。なお上記透光性フィルムとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ノルボルネン系ポリマーなどのポリオレフィンフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリメタクリル酸エステルフィルム、ポリアクリル酸エステルフィルム、セルロースエステルフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリスルフォンフィルム、ポリエーテルスルホンフィルム、ポリエーテルケトンフィルム、ポリフェニレンスルフィドフィルム及びポリフェニレンオキシドフィルムなどが挙げられる。支持基材を用いると、偏光膜を製造したり、運搬したり、保管したりする際に破れなどなく容易に取り扱うことができる。

本発明の偏光膜においては、好ましくは支持基材上に配向膜を形成させた後、配向膜の上に本発明の組成物を塗布することが好ましい。配向膜は、本発明の組成物の塗布等により溶解しない溶剤耐性を有することが好ましい。また、溶剤の除去や液晶化合物の配向のための加熱処理における耐熱性を有することが好ましい。さらに、ラビングによる摩擦等による剥がれ等が生じない配向膜であることが好ましい。かかる配向膜としては、配向性ポリマー又は配向性ポリマーを含有する組成物からなることが好ましい。

上記配向性ポリマーとしては、分子内にアミド結合を有するポリアミドやゼラチン、分子内にイミド結合を有するポリイミド及びその加水分解物であるポリアミック酸、ポリビニルアルコール、アルキル変性ポリビニルアルコール、ポリアクリルアミド、ポリオキサゾール、ポリエチレンイミン、ポリスチレン、ポリビニルピロリドン、ポリアクリル酸エステル化合物、ポリアクリル酸エステル化合物等のポリマーを挙げることができる。これらのポリマーは、単独で用いてもよいし、２種類以上混ぜたり、共重合体したりしてもよい。これらのポリマーは、脱水や脱アミンなどによる重縮合や、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合等の連鎖重合、配位重合や開環重合等で容易に得ることができる。

配向性ポリマーは、溶剤に溶解して、塗布することができる。溶剤は、特に制限はないが、具体的には、水；メタノール、エタノール、エチレングリコール、イソプロピルアルコール、プロピレングリコール、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ又はプロピレングリコールモノメチルエーテルなどのアルコール溶剤；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチレングリコールメチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート又は乳酸エチルなどのエステル溶剤；アセトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルアミルケトン又はメチルイソブチルケトンなどのケトン溶剤；ペンタン、ヘキサン又はヘプタンなどの非塩素系脂肪族炭化水素溶剤；トルエン又はキシレンなどの非塩素系芳香族炭化水素溶剤、アセトニトリルなどのニトリル溶媒；テトラヒドロフラン又はジメトキシエタンなどのエーテル溶媒；クロロホルム又はクロロベンゼンなどの塩素系脂肪族炭化水素溶媒；などが挙げられる。これら有機溶剤は、単独で用いてもよいし、複数を組み合わせて用いてもよい。

配向膜を形成するために、市販の配向膜材料をそのまま使用してもよい。市販の配向膜材料としては、サンエバー（登録商標、日産化学工業（株）製）又はオプトマー（登録商標、ＪＳＲ（株）製）などが挙げられる。このような配向膜を用いれば、ムラが低減されるため、環境耐性や機械耐性がより向上した偏光膜を提供できる。

上記支持基材上に配向膜を形成する方法としては、例えば上記支持基材上に、市販の配向膜材料や配向膜の材料となる化合物を溶液にして塗布し、その後、アニールすることにより、上記支持基材上に配向膜を形成することができる。

このようにして得られる配向膜の厚さは、例えば１０ｎｍ〜１００００ｎｍであり、好ましくは１０ｎｍ〜１０００ｎｍである。上記範囲とすれば、化合物（１）や化合物（２）を該配向膜上で所望の角度に配向させることができる。

配向膜は、必要に応じてラビングもしくは偏光ＵＶ照射を行うことにより化合物（１）や化合物（２）を所望の方向に配向させることができる。すなわち、製造した偏光膜の吸収軸方向を所望の方向に調整することができる。

配向膜をラビングする方法としては、例えばラビング布が巻きつけられ、回転しているラビングロールを、ステージに載せられて搬送されている配向膜に接触させる方法を用いることができる。ラビングもしくは偏光ＵＶ照射を行う時に、マスキングを行えば、得られる偏光膜に遅相軸の方向が異なる複数の領域（パターン）を形成することもできる。

溶剤の乾燥方法としては、自然乾燥、通風乾燥、減圧乾燥などの方法が挙げられる。未重合フィルムを加熱乾燥する場合、具体的な乾燥温度としては、０〜２５０℃が好ましく、５０〜２２０℃がより好ましく、８０〜１７０℃がさらに好ましい。また乾燥時間としては、１０秒間〜６０分間であることが好ましく、３０秒間〜３０分間であることがより好ましい。乾燥温度及び乾燥時間が上記範囲内であれば、上記支持基材として、耐熱性が必ずしも十分ではない支持基材を用いることができる。
溶剤の乾燥は、重合を進行させるとともに行ってもよいが、重合前にほとんどの溶剤を乾燥させることが、成膜性の点から好ましい。

上記未重合の組成物膜に含まれる化合物（１）及び化合物（２）を重合させ、硬化させる。化合物（１）及び化合物（２）は、配向を保持したまま重合体となり、その配向が固定された重合体が得られる。このことにより、得られる重合体は、熱による配向性への影響を受けにくくなり、耐久性（特に、耐熱性）に優れた偏光膜を得ることが可能となる。

未重合の組成物膜に含まれる化合物（１）及び化合物（２）を重合させる方法は、化合物（１）及び化合物（２）の有する重合性基の種類に応じて、選択すればよい。該重合性基が光重合性であれば光重合法により、該重合性基が熱重合性であれば熱重合法により、上記未重合の組成物膜を重合させることができる。本発明の偏光膜では、光重合法により未重合の組成物膜を重合させることが好ましい。光重合法によれば低温で未重合フィルムを重合させることができるため、耐熱性の低い支持基材をも用いることができる。また工業的にも製造が容易である。光重合法は、未重合の組成物膜に可視光、紫外光又はレーザー光を照射することにより行われる。取り扱いやすいという点で、紫外光が好ましい。光照射は、化合物（１）及び化合物（２）が液晶相で配向する温度で行うことが好ましく、これらがスメクチック相で配向する温度で行うことがより好ましく、これらがスメクチックＢ相で配向する温度で行うことが特に好ましい。この際、マスキングなどによって偏光膜をパターニングすることもできる。

未重合の組成物膜の上面にさらに配向膜を積層して重合させてもよい。
２枚の支持基材にそれぞれ配向膜を塗布し、その塗布した面を対向させて、セルを形成し、当該セルに本発明の組成物を充填したのち、本発明の組成物に含まれる化合物（１）及び化合物（２）を重合させる方法も挙げられる。

重合後に、支持基材を剥離することにより、配向膜と本発明の偏光膜との積層体を得てもよいし、さらに、配向膜を剥離して、本発明の偏光膜を単層で得てもよい。本発明の偏光膜の膜厚は、０．５〜２０μｍであることが好ましい。

本発明の偏光膜は、さまざまな表示装置に用いることができる。さらに本発明の偏光膜は、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）にヨウ素や二色性色素を添加して延伸することによって得られる偏光膜と比較して、薄膜である。

円偏光板
上記偏光膜は、１／４波長板と組み合わせることで、偏光膜と１／４波長板とを備える円偏光板を得ることができる。その際、偏光膜の吸収軸と、前記１／４波長板の遅相軸とのなす角が４５±１０°であって、１／４波長板が下記式（Ｉ）を満たす：
１００ｎｍ＜Ｒｅ（５５０）＜１６０ｎｍ …（Ｉ）
（式中、Ｒｅ（５５０）は波長５５０ｎｍの光に対する面内位相差値を表す。）

円偏光板は、さらに１／４波長板が式（Ｉ）、式（ＩＩ）及び式（ＩＩＩ）を全て満たす円偏光板であってもよい：
１００ｎｍ＜Ｒｅ（５５０）＜１６０ｎｍ …（Ｉ）
Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）≦１．０ …（ＩＩ）
１．００≦Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０） …（ＩＩＩ）
（式中、Ｒｅ（４５０）は波長４５０ｎｍの光に対する面内位相差値を、Ｒｅ（５５０）は波長５５０ｎｍの光に対する面内位相差値を、Ｒｅ（６５０）は波長６５０ｎｍの光に対する面内位相差値を表す。）

図１は、本発明の一例である偏光膜４を含む積層体１を表す図である。
積層体１は、支持基材２の上に、配向膜３が積層され、配向膜３の上に、本発明の偏光膜４が積層された積層体である。偏光膜４は、化合物（１）と化合物（２）とが配向した重合体で構成されている。

本発明の表示装置は、偏光膜４と発光源とを含む。このような表示装置としてはＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置、電界放出（フィールドエミッション）表示装置（ＦＥＤ）、表面伝導型電子放出表示装置（ＳＥＤ；Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌｙ）、液晶表示装置（透過型液晶表示装置、半透過型液晶表示装置、反射型液晶表示装置、直視型液晶表示装置、投写型液晶表示装置）、電子ペーパーが挙げられる。また、３Ｄ表示装置やホログラム等の立体表示装置等も挙げられる。

図２は、本発明の表示装置の一つである液晶表示装置１０を表す概略図である。液晶層１７を２枚の基板１４ａ及び基板１４ｂで挟んでいる。液晶表示装置に本発明の偏光膜を用いることにより、液晶表示装置の薄型化が可能になる。
液晶層１７に用いられる液晶としては、ネマチック液晶、コレステリック液晶、スメクチック液晶、ディスコチック液晶、サーモトロピック液晶、ライオトロピック液晶、リオトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、強誘電液晶、反強誘電液晶、主鎖型液晶、側鎖型高分子液晶、プラズマアドレス液晶（ＰＤＬＣ）、バナナ型液晶等が挙げられる。また、本発明の液晶表示装置に用いられる液晶モードとしてはＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｕｐｅｒ Ｖｉｅｗ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＰＤＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ゲストホストモード等が挙げられる。

一方の基板１４ａの片側には、カラーフィルタ１５が配置されている。カラーフィルタ１５が、液晶層１７をはさんで画素電極２２に対向する位置に配置され、ブラックマトリクス２０が画素電極間の境界に対向する位置に配置されている。透明電極１６がこれらを覆っている。カラーフィルタ１５と透明電極１６の間にオーバーコート層を有する場合もある。
もう一方の基板１４ｂの片側には、薄膜トランジスタ２１と画素電極２２とが規則正しく配列されている。画素電極２２は、液晶層１７をはさんでカラーフィルタ１５に対向する位置に配置されている。薄膜トランジスタ２１と画素電極２２との間には、層間絶縁膜１８が配置されている。

薄膜トランジスタ２１を形成する基板１４ｂは、薄膜トランジスタ２１を製造する際の高温に耐えるようにガラス基板が用いられている。また、低温で薄膜トランジスタ２１を形成する場合には、プラスチック基板を用いてもよい。

薄膜トランジスタ２１としては、石英基板上に形成する高温ポリシリコントランジスタ、ガラス基板上に形成する低温ポリシリコントランジスタ、ガラス基板又はプラスチック基板上に形成するアモルファスシリコントランジスタが挙げられる。液晶表示装置の薄型化のため、ドライバＩＣをガラス基板上に形成してもよい。

透明電極１６と、画素電極２２との間には、液晶層１７が配置されている。液晶層１７は、２枚の基板等を挟持して隙間を一定に保つために、スペーサ２３が形成されている。
液晶層１７と接する面には、液晶層１７に含まれる液晶化合物を所望の方向へ配向させるための配向膜が各々形成されていてもよい。
各部材は、基板１４ａ、ブラックマトリクス２０及びカラーフィルタ１５、透明電極１６、液晶層１７、層間絶縁膜１８、薄膜トランジスタ２１及び画素電極２２、並びに基板１４ｂの順番で積層されている。

このような液晶層１７を挟んだ基板１４ａ及び基板１４ｂの外側には、様々な光学機能を持つフィルムが積層されている。基板１４ａの外側には、位相差フィルム１３ａ（例えば１／４波長板）、本発明の偏光膜１２ａ（例えば直線偏光膜）が、この順番で積層され、基板１４ｂの外側には、位相差フィルム１３ｂ（例えば１／４波長板）、本発明の偏光膜１２ｂ（例えば直線偏光膜）が、この順番で積層されている。偏光膜１２ａの外側に、外光の反射を防ぐための反射防止膜１１が積層されている。

本発明の偏光膜１２ｂの外側には、発光源であるバックライトユニット１９が形成されている。バックライトユニット１９は、光源、導光体、反射板、拡散シート及び視野角調整シートを含む。光源としては、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）、冷陰極管、熱陰極管、ＬＥＤ、レーザー光源、水銀ランプなど、様々な光源を用いることができる。光源の特性に合わせて本発明の偏光膜を選択すればよい。表示装置を薄型化するため、発光源であるバックライトを側面や上下面に配置してもよい。

液晶表示装置１０が透過型液晶表示装置である場合、光源から発せられた白色光は導光体に入射し、反射板によって進路を変えられて拡散シートで拡散されている。拡散光は視野角調整シートによって所望の指向性を持つように調整されたのちにバックライトユニット１９から本発明の偏光膜１２ｂに入射する。

無偏光である入射光のうち、ある一方の直線偏光のみが本発明の偏光膜１２ｂを透過する。この直線偏光は位相差フィルム１３ｂ（例えば１／４波長板）によって円偏光になり、基板１４ｂ、画素電極２２、等を順次透過して液晶層１７に到る。

画素電極２２と対向する透明電極（対向電極）１６との間の電位差により、液晶層１７の液晶分子の配向状態が制御される。液晶層１７に入射した円偏光がそのままの状態で液晶層１７及び透明電極１６を透過し、カラーフィルタ１５及び位相差フィルム１３ａを透過し、本発明の偏光膜１２ａを透過する場合、この画素はカラーフィルタで決まる色を最も明るく表示する。
また、液晶層１７を通過する光の偏光状態が変化して、カラーフィルタ１５を透過した光を位相差フィルム１３ａと本発明の偏光膜１２ａとがほぼ完全に吸収する場合、この画素は黒を表示する。液晶層１７の液晶分子が、これら２つの状態の中間の配向状態である場合、光が部分的に透過し、部分的に吸収されるため、この画素は中間色を表示することになる。

液晶表示装置１０が半透過型液晶表示装置である場合、画素電極２２は透明な材料で形成された透過部と、光を反射する材料で形成された反射部を有し、透過部では、前述の透過型液晶表示装置と同様にして画像が表示される。一方反射部では、外光が反射防止膜１１の方向から液晶表示装置に入射し、偏光膜１２ａと位相差フィルム１３ａとを透過した円偏光が液晶層１７を通過し、画素電極２２によって反射されて表示に利用される。

図３は、本発明の表示装置の一つである液晶表示装置２４を表す概略図である。液晶表示装置２４では、各部材は、反射防止膜１１、位相差フィルム１３ａ、基板１４ａ、本発明の偏光膜１２ａ、カラーフィルタ１５及びブラックマトリクス２０、透明電極１６、液晶層１７、層間絶縁膜１８、薄膜トランジスタ２１及び画素電極２２、本発明の偏光膜１２ｂ、基板１４ｂ、位相差フィルム１３ｂ、バックライトユニット１９の順番で積層されている。
液晶表示装置２４では、本発明の偏光膜１２ａ及び１２ｂは、それぞれ基板１４ａ及び１４ｂと液晶層１７との間に配置されている。

図４は、本発明の表示装置の一つであるＥＬ表示装置３０を表す概略図である。本発明のＥＬ表示装置３０は、画素電極３５が形成された基板３３上に、発光源である発光層３６、及びカソード電極３７が積層されたものである。画素電極３５にプラス、カソード電極３７にマイナスの電圧を加え、画素電極３５及びカソード電極３７間に直流を印加することにより、発光層３６が発光する。

ＥＬ表示装置３０を製造するには、まず、基板３３上に薄膜トランジスタ４０を所望の形状に形成する。そして層間絶縁膜３４を成膜し、次いで画素電極３５をスパッタ法で成膜し、パターニングする。その後、発光層３６を積層する。

基板３３としては、サファイアガラス基板、石英ガラス基板、ソーダガラス基板、アルミナなどのセラミック基板、銅などの金属基板、プラスチック基板等が挙げられる。基板上に熱伝導性膜を形成してもよい。熱伝導性膜としては、ダイヤモンド薄膜（ＤＬＣなど）が挙げられる。画素電極３５として光を反射する材料を用いる場合は、基板３３とは反対方向へ光が出射する。従って、透明材料だけでなく、ステンレスなどの非透過材料を用いることができる。基板は単一の材料であっても、複数の基板を接着剤で貼り合わせた積層基板であってもよい。これらの基板は、板状でも、フィルム状でもよい。

薄膜トランジスタ４０としては、前述の薄膜トランジスタ２１と同様のものが挙げられる。
層間絶縁膜３４上に、リブ４１を形成する。リブ４１は、画素電極３５の周辺部（隣接画素間）に配置されている。リブ４１の材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などが挙げられる。リブ４１の厚みは、好ましくは１．０μｍ以上３．５μｍ以下であり、より好ましくは１．５μｍ以上２．５μｍ以下である。

次に、透明電極である画素電極３５と、発光層３６と、カソード電極３７とからなるＥＬ素子について説明する。有機ＥＬ表示装置の場合、発光層３６は、それぞれ少なくとも１層のホール輸送層と積層され、例えば、電子注入輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層が順次積層されて発光源となる。

画素電極３５としては、ＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）、ＩＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジウム）、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３等が挙げられるが、特にＩＴＯ、ＩＺＯが好ましい。画素電極３５の厚さは、ホール注入を十分行える一定以上の厚さを有すれば良く、１０〜５００ｎｍ程度とすることが好ましい。
画素電極３５は、蒸着法等によっても形成できるが、スパッタ法により形成することが好ましい。スパッタガスとしては、特に制限するものではなく、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅ等の不活性ガス、あるいはこれらの混合ガスを用いればよい。

カソード電極３７の構成材料としては例えば、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｚｒ等の金属元素単体、又は安定性を向上させるためにそれらを含む２成分、３成分の合金系を用いることが好ましい。合金系としては、例えばＡｇ・Ｍｇ（Ａｇ：１〜２０ａｔ％）、Ａｌ・Ｌｉ（Ｌｉ：０．３〜１４ａｔ％）、Ｉｎ・Ｍｇ（Ｍｇ：５０〜８０ａｔ％）、Ａｌ・Ｃａ（Ｃａ：５〜２０ａｔ％）等が好ましい。
カソード電極３７は、蒸着、スパッタ法等、好ましくは蒸着法により形成される。カソード電極３７の厚さは、０．１ｎｍ以上、好ましくは１〜５００ｎｍであることが好ましい。

正孔注入層は、画素電極３５からの正孔の注入を容易にする機能を有し、正孔輸送層は、正孔を輸送する機能及び電子を妨げる機能を有する。

発光層の厚さ、正孔注入層と正孔輸送層とを併せた厚さ及び電子注入輸送層の厚さは特に限定されず、形成方法によっても異なるが、５〜１００ｎｍとすることが好ましい。
正孔注入層・正孔輸送層には、各種有機化合物を用いることができる。正孔注入輸送層、発光層及び電子注入輸送層の形成には、均質な薄膜が形成できることから真空蒸着法を用いることが好ましい。

発光層３６としては、１重項励起子からの発光（蛍光）を利用するもの、３重項励起子からの発光（燐光）を利用するもの、１重項励起子からの発光（蛍光）を利用するものと３重項励起子からの発光（燐光）を利用するものとを含むもの、有機物によって形成されたもの、無機物によって形成されたもの、有機物によって形成されたものと無機物によって形成されたものとを含むもの、高分子の材料、低分子の材料、高分子の材料と低分子の材料とを含むものなどを用いることができる。ただし、これに限定されず、ＥＬ素子として様々なものを用いたＥＬ表示装置を用いることができる。

カソード電極３７と封止フタ３９との空間には乾燥剤３８を配置する。乾燥剤３８により水分を吸収し発光層３６の劣化を防止する。

ＥＬ表示装置３０の光入射面あるいは光出射面に形成する本発明の偏光膜３１は、直線偏光膜に限定されるものではなく、楕円偏光膜であってもよい。また、本発明の偏光膜３１は前記の積層体１であってもよく、複数の本発明の偏光膜４や位相差フィルムをはり合わせたものでもよい。

図５は、本発明の表示装置の一つであるＥＬ表示装置４４を表す概略図である。本発明のＥＬ表示装置４４は、薄膜封止膜４２を用いた封止構造を有し、アレイ基板（カソード電極３７、発光層３６、画素電極３５、層間絶縁膜３４及び基板３３）を本発明の偏光膜３１側に設けることもできる。
薄膜封止膜４２としては、防湿性が高いため、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）を蒸着した膜を用いることが好ましい。ＤＬＣを蒸着した膜は、カソード電極３７の表面に直接蒸着して形成してもよい。また、樹脂薄膜と金属薄膜とを多層に積層して、薄膜封止膜４２を形成してもよい。

図６は、本発明の表示装置の一つである投射型液晶表示装置を示す概略図である。
本発明の偏光膜１４２及び偏光膜１４３は、例えば、投射型液晶表示装置（プロジェクター）に用いられる。
発光源である光源（例えば、高圧水銀ランプ）１１１から出射された光線束は、まずは第１のレンズアレイ１１２、第２のレンズアレイ１１３、偏光変換素子１１４、重畳レンズ１１５を通過することにより、反光線束断面での輝度の均一化と偏光化が行われる。

具体的には光源１１１から出射された光線束は、微小なレンズ１１２ａがマトリクス状に形成された第１のレンズアレイ１１２によって多数の微小な光線束に分割される。第２のレンズアレイ１１３及び重畳レンズ１１５は、分割された光線束のそれぞれが、照明対象である３つの液晶パネル１４０Ｒ，１４０Ｇ，１４０Ｂの全体を照射するように備えられており、このため、各液晶パネル入射側表面は全体がほぼ均一な照度となる。

偏光変換素子１１４は、入射した光をその偏光成分に分離する機能を有し、第２のレンズアレイ１１３と重畳レンズ１１５との間に配置される。これにより光源からのランダム偏光をあらかじめ特定の偏光方向を有する偏光に変換し、後述する入射側偏光膜での光量損失を低減して、画面の輝度を向上させる。

輝度が均一化及び偏光成分に分離された光は反射ミラー１２２を経由してＲＧＢの３原色に分離するためのダイクロイックミラー１２１，１２３，１３２により順次、レッドチャンネル（図６中のＲ、実線矢印）、グリーンチャンネル（図６中のＧ、一点鎖線矢印）、ブルーチャンネル（図６中のＢ、破線矢印）に分離され、それぞれ液晶パネル１４０Ｒ，１４０Ｇ，１４０Ｂに入射する。

液晶パネル１４０Ｒ，１４０Ｇ，１４０Ｂには、その入射側に本発明の偏光膜１４２及び出射側に本発明の偏光膜１４３が配置されている。
ＲＧＢそれぞれの光路に液晶パネルを挟んで、入射側と出射側に配置される２枚の偏光膜について説明する。各光路に配置される本発明の偏光膜１４２及び偏光膜１４３は、それらの吸収軸が直交するように配置され、各光路に配置される各液晶パネル１４０Ｒ，１４０Ｇ，１４０Ｂで画像信号により各画素ごとに制御された偏光状態を光量に変換する。

本発明の偏光膜は、ブルーチャンネル、グリーンチャンネル、レッドチャンネルのいずれの光路においても耐久性の優れた偏光膜として有用である。

液晶パネル１４０Ｒ，１４０Ｇ，１４０Ｂの画像データに応じて、画素毎に異なる透過率で入射光を透過させることによって作成された光学像は、クロスダイクロイックプリズム１５０により合成され、投写レンズ１７０によって、スクリーン１８０に拡大投写される。

本発明の偏光膜は、電子ペーパーの偏光膜としても使用でき、それらの厚みを薄くすることができる。電子ペーパーとしては、光学異方性と染料分子配向のような分子により表示されるもの、電気泳動、粒子移動、粒子回転、相変化のような粒子により表示されるもの、フィルムの一端が移動することにより表示されるもの、分子の発色／相変化により表示されるもの、分子の光吸収により表示されるもの、電子とホールが結合して自発光により表示されるものなどのことをいう。例えば、電子ペーパーとして、表示方式は特に限定されず、マイクロカプセル型電気泳動、水平移動型電気泳動、垂直移動型電気泳動、球状ツイストボール、磁気ツイストボール、円柱ツイストボール方式、帯電トナー、電子粉流体、磁気泳動型、磁気感熱式、エレクトロウェッテイング、光散乱（透明／白濁変化）、コレステリック液晶／光導電層、コレステリック液晶、双安定性ネマチック液晶、強誘電性液晶、２色性色素・液晶分散型、可動フィルム、ロイコ染料による発消色、フォトクロミック、エレクトロクロミック、エレクトロデポジション、フレキシブル有機ＥＬなどを用いることができる。

電子ペーパーは、テキストや画像を個人的に利用するものだけでなく、広告表示（サイネージ）等に利用されるものであってもよい。本発明の偏光膜によれば、電子ペーパーの厚みを薄くすることができる。

立体表示装置には、遅相軸の方向が異なる複数の領域を有する偏光膜が用いられる（例えば、特開２００２−１８５９８３号公報）。本発明の偏光膜は、配向膜の一部をマスキングして、ラビングもしくは偏光ＵＶ照射を行うことにより、該偏光膜上に、遅相軸の方向が異なる複数の領域を容易に形成できるため、立体表示装置用の偏光膜としても有用である。

以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。実施例中の「％」及び「部」は、特記ない限り、質量％及び質量部である。

〔式（１）で示される化合物の合成例〕
合成例１
化合物（１−６）は、Ｌｕｂ eｔ aｌ. Ｒｅｃｌ．Ｔｒａｖ．Ｃｈｉｍ．Ｐａｙｓ−Ｂａｓ，１１５, ３２１−３２８（１９９６）記載の方法で合成した。
化合物（１−６）：

合成例２
化合物（１−８）は、合成例１記載の方法と同様にして合成した。
化合物（１−８）：

〔式（２）で示される化合物の合成例〕
合成例３
式（２−１）で示される化合物（以下、該化合物を「化合物（２−１）」と称する。）は下記のスキームに従って合成した。

（ステップ１）
亜硫酸水素ナトリウム１６．８部と水３０．０部を混合して７０℃に昇温し、そこへ３７％ホルマリン水溶液１０．５部を１時間かけて滴下した。その後４０℃に冷却しアニリン１０部を１時間かけて滴下し、４０℃を保ちながら３時間撹拌した。その後常温まで冷却し析出した結晶を濾別、乾燥して、Ｎ−スルホメチルアニリンナトリウム塩１８．６部を得た。

（ステップ２）
４−ブチルアニリン５．０部、３５％塩酸７．０部及び水２０．０部を混合して０〜５℃に冷却し、そこへ３０％亜硝酸水溶液８．５部を３０分かけて滴下した。その後、０〜５℃を保ちながら３０分撹拌し、さらにアミド硫酸０．３部を添加して、４−ブチルアニリンのジアゾ液を調製した。一方、Ｎ−スルホメチルアニリンナトリウム塩７．７部、酢酸ナトリウム１１．０部及び水１００部を混合して０〜５℃に冷却し、先ほど調製した４−ブチルアニリンのジアゾ液全量を１時間かけて滴下した。滴下終了後常温まで昇温し、析出した固体を濾別して、式（２−１−ｂ）で示される化合物（以下、該化合物を「化合物（２−１−ｂ）」と称する。）を得た。化合物（２−１−ｂ）は乾燥せずにステップ３で全量使用した。

（ステップ３）
ステップ２で得られた化合物（２−１−ｂ）の全量、水６１．８部及び２０％苛性ソーダ水溶液１６．７部を混合して９０℃に昇温し、２時間撹拌した。常温まで冷却してから酢酸エチル１００部を混合して分液し、得られた油層を硫酸マグネシウムで乾燥後、溶剤を留去して、式（２−１−ｃ）で示される化合物（以下、該化合物を「化合物（２−１−ｃ）」と称する。）７．６部を得た。

（ステップ４）
化合物（２−１−ｃ）５．０部、３５％塩酸４．１部及び水１００部を混合して０〜５℃に冷却し、そこへ３０％亜硝酸水溶液５．０部を３０分かけて滴下した。その後、０〜５℃を保ちながら３０分撹拌し、さらにアミド硫酸０．２部を添加して、化合物（２−１−ｃ）のジアゾ液を調製した。一方、フェノール２．０部、酢酸ナトリウム６．５部、水２０部及びメタノール４０部を混合して０〜５℃に冷却し、先ほど調製した化合物（２−１−ｃ）のジアゾ液全量を１時間かけて滴下した。滴下終了後常温まで昇温し、析出した固体を濾別し、メタノールで洗浄した後に乾燥して、式（２−１−ｄ）で示される化合物（以下、該化合物を「化合物（２−１−ｄ）」と称する。）６．１部を得た。

（ステップ５）
化合物（２−１−ｄ）２．０部、１１−ブロモウンデカノール２．８部、炭酸カリウム２．３部及びジメチルアセトアミド２０部を混合して１００℃へ昇温し、５時間撹拌した。その後常温まで冷却し、氷水１００ｇに注いで析出した固体を濾別し、水で洗浄した後に乾燥して、式（２−１−ｅ）で示される化合物（以下、該化合物を「化合物（２−１−ｅ）」と称する。）２．４部を得た。

（ステップ６）
化合物（２−１−ｅ）２．３部、ジメチルアニリン０．８部、ジブチルヒドロキシトルエン０．０５部及びジメチルアセトアミド２５部を混合して０〜１０℃に冷却し、そこへアクリル酸クロリド６．２部を１時間かけて滴下した。その後常温まで昇温して終夜撹拌し、反応終了後に水５０部を加えて固体を析出させた。析出した固体を濾別し、メタノールで洗浄した後に乾燥し、カラムクロマトグラフィーにより精製して、化合物（２−１）２．０部を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ：０．９０−０．９６（ｔ、３Ｈ）、１．２５−１．５１（ｍ、１６Ｈ）、１．６０−１．６９（ｍ、４Ｈ）、１．７８−１．８６（ｍ、２Ｈ）、２．６６−２．７２（ｔ、２Ｈ）、４．０１−４．０７（ｔ、２Ｈ）、４．１１−４．１７（ｔ、２Ｈ）、５．７７−５．８２（ｄ、１Ｈ）、６．０５−６．１４（ｄｄ、１Ｈ）、６．３５−６．４０（ｄ、１Ｈ）、６．９７−７．０１（ｄ、２Ｈ）、７．３０−７．３３（ｄ、２Ｈ）７．８４−８．０５（ｍ、８Ｈ）

合成例４
式（２−２）で示される化合物（以下、該化合物を「化合物（２−２）」と称する。）は下記のスキームに従って合成した。

（ステップ１）
特開２０１７−０８２２１７号公報に記載の方法に従って合成した式（２−２−ａ）で示される化合物（以下、該化合物を「化合物（２−２−ａ）」と称する。）５．０部、エタノール７５部及び１０％苛性ソーダ水溶液１１．６部を混合して８０℃へ昇温し、２時間撹拌した。その後常温まで冷却し、析出した固体を濾別し、メタノールで洗浄した後に乾燥して、式（２−２−ｂ）で示される化合物（以下、該化合物を「化合物（２−２−ｂ）」と称する。）４．５部を得た。

（ステップ２）
化合物（２−２−ｂ）２．０部、１，１０−デカンジオール１．９部、４−（Ｎ，Ｎ−ジメチル）アミノピリジン０．１３部及びクロロホルム１５０部を混合して０〜５℃に冷却し、そこへジイソプロピルカルボジイミド６．８部を３０分かけて滴下した。その後常温まで昇温して終夜撹拌し、反応終了後に水１００部と混合して分液した。得られた油層を硫酸マグネシウムで乾燥後、溶剤を留去し、カラムクロマトグラフィーにより精製して、式（２−２−ｃ）で示される化合物（以下、該化合物を「化合物（２−２−ｃ）」と称する。）１．２部を得た。

（ステップ３）
化合物（２−２−ｃ）１．０部、ジメチルアニリン０．３部、ジブチルヒドロキシトルエン０．０２部及びジメチルアセトアミド１０部を混合して０〜１０℃に冷却し、そこへアクリル酸クロリド０．２部を１５分かけて滴下した。その後常温まで昇温して終夜撹拌し、反応終了後に水５０部及びクロロホルム５０部を入れて分液した。得られた油層を硫酸マグネシウムで乾燥後、溶剤を留去し、カラムクロマトグラフィーにより精製して、化合物（２−２）０．７部を得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ：１．２５−１．５１（ｍ、１２Ｈ）、１．６０−１．６９（ｍ、２Ｈ）、１．７３−１．８１（ｍ、２Ｈ）、３．０９（ｓ、６Ｈ）、４．１０−４．１６（ｔ、２Ｈ）、４．３１−４．３７（ｔ、２Ｈ）、５．７８−５．８０（ｄ、１Ｈ）、６．０７−６．１４（ｄｄ、１Ｈ）、６．３５−６．４０（ｄ、１Ｈ）６．７４−６．７７（ｄ、２Ｈ）、７．７８−７．９９（ｍ、６Ｈ）８．０３−８．０７（ｄ、２Ｈ）、８．１４−８．１８（ｄ、２Ｈ）

合成例５
化合物（２−３）、化合物（２−４）、化合物（２−５）及び化合物（２−１１６）は合成例３又は合成例４に記載の方法、及び、特開２０１１−２４６６９６号公報等に記載の公知の方法を参考に合成した。

化合物（２−３）：

化合物（２−４）：

化合物（２−５）：

化合物（２−１１３）：

〔相転移温度の測定〕
化合物（１−６）の相転移温度は、化合物（１−６）からなる膜の相転移温度を求めることで確認した。その操作は以下のとおりである。
配向膜を形成したガラス基板上に、化合物（１−６）からなる膜を形成し、加熱しながら、偏光顕微鏡（ＢＸ−５１、オリンパス社製）によるテクスチャー観察によって相転移温度を確認した。化合物（１−６）は、１２０℃まで昇温後、降温時において、１１２℃でネマチック相に相転移し、１１０℃でスメクチックＡ相に相転移し、９４℃でスメクチックＢ相へ相転移した。
化合物（１−６）の相転移温度測定と同様にして、化合物（１−８）の相転移温度を確認した。化合物（１−８）は、１４０℃まで昇温後、降温時において、１３１℃でネマチック相に相転移し８０℃でスメクチックＡ相に相転移し、６８℃でスメクチックＢ相へ相転移した。

実施例１
〔組成物の調製〕
下記成分を混合し、８０℃で１時間攪拌することで、組成物（Ａ）を得た。
化合物（１−６）：７５部
化合物（１−８）：２５部
化合物（２−１）：４．０部
重合開始剤；２−ジメチルアミノ−２−ベンジル−１−（４−モルホリノフェニル）ブタン−１−オン（イルガキュア３６９；チバ スペシャルティケミカルズ社製）：６部
レベリング剤；ポリアクリレート化合物（ＢＹＫ−３６１Ｎ；ＢＹＫ−Ｃｈｅｍｉｅ社製）：１．２部
溶剤；キシレン：４５０部程度

〔偏光膜の製造及び評価〕
１．配向層の形成
透明基材としてガラス基板を用いた。
該ガラス基板上に、ポリビニルアルコール（ポリビニルアルコール１０００完全ケン化型、和光純薬工業株式会社製）の２質量％水溶液（配向層形成用組成物）をスピンコート法により塗布し、乾燥後、厚さ１００ｎｍの膜を形成した。続いて、得られた膜の表面にラビング処理を施すことにより配向層を形成した。ラビング処理は、半自動ラビング装置（商品名：ＬＱ−００８型、常陽工学株式会社製）を用いて、布（商品名：ＹＡ−２０−ＲＷ、吉川化工株式会社製）によって、押し込み量０．１５ｍｍ、回転数５００ｒｐｍ、１６．７ｍｍ／ｓの条件で行った。かかるラビング処理により、ガラス基板上に配向層が形成された積層体１を得た。

２．偏光膜の形成
積層体１の配向層上に、前記組成物（Ａ）をスピンコート法により塗布し、１２０℃のホットプレート上で３分間加熱乾燥した後、速やかに室温まで冷却して、前記配向層上に乾燥被膜を形成した。かかる乾燥被膜において、含まれる重合性液晶組成物（重合性液晶化合物）の液晶状態は、スメクチックＢ相であった。次いで、ＵＶ照射装置（ＳＰＯＴ ＣＵＲＥ ＳＰ−７；ウシオ電機株式会社製）を用い、紫外線を、露光量２４００ｍＪ／ｃｍ^２（３６５ｎｍ基準）で乾燥被膜に照射することにより、該乾燥被膜に含まれる重合性液晶化合物を、前記重合性液晶組成物の液晶状態を保持したまま重合させ、該乾燥被膜から偏光膜を形成した。この際の偏光膜の厚みをレーザー顕微鏡（オリンパス株式会社社製 ＯＬＳ３０００）により測定したところ、１．７μｍであった。

３．Ｘ線回折測定
得られた積層体２の偏光層に対して、Ｘ線回折装置Ｘ’Ｐｅｒｔ ＰＲＯ ＭＰＤ（スペクトリス株式会社製）を用いてＸ線回折測定を行った。ターゲットとしてＣｕを用いてＸ線管電流４０ｍＡ、Ｘ線管電圧４５ｋＶの条件で発生したＸ線を固定発散スリット１／２°を介してラビング方向（予め、偏光層下にある配向層のラビング方向を求めておく。
）から入射させ、走査範囲２θ＝４．０〜４０．０°の範囲で２θ＝０．０１６７１°ステップで走査して測定を行った結果、２θ＝２０．０８°付近にピーク半価幅（ＦＷＨＭ）＝約０．３１２°のシャープな回折ピークが得られた。また、ラビング垂直方向からの入射でも同等な結果を得た。ピーク位置から求めた秩序周期（ｄ）は約４．４２Åであり、高次スメクチック相を反映した構造を形成していることがわかった。

４．偏光膜積層体の作製
さらに上記での通り得られた偏光子の偏光膜表面にコロナ処理を施した後に、コロナ処理を施した表面に、水１００部にカルボキシル基変性ポリビニルアルコール〔（株）クラレ製「クラレポバール ＫＬ３１８」〕７部と、熱架橋剤として水溶性ポリアミドエポキシ樹脂〔住化ケムテックス（株）から入手した「スミレーズレジン６５０」（固形分濃度３０質量％の水溶液）〕３.５部を添加した水溶液（粘度：９２ｃＰ）をスピンコーター法により塗布し、８０℃で５分間乾燥することで、前記水溶液を乾燥させて保護層を形成し、保護層付き偏光子を製造した。さらに、保護層上に、感圧式粘着剤（リンテック株式会社製、膜厚２５μｍ）から形成される粘着層を介して、トリアセチルセルロースフィルム（ＫＣ４ＵＹ、コニカミノルタ（株）製）を貼合した。このようにして偏光膜積層体を得た。

５．二色比の測定
本偏光膜の有用性を確認するため、以下のようにして二色比を測定した。
吸収軸方向の極大吸収波長における透過軸方向の吸光度（Ａ^１）及び吸収軸方向の吸光度（Ａ^２）を、分光光度計（島津製作所株式会社製 ＵＶ−３１５０）に偏光膜付フォルダーをセットした装置を用いてダブルビーム法で測定した。該フォルダーは、リファレンス側は光量を５０％カットするメッシュを設置した。測定された透過軸方向の吸光度（Ａ^１）及び吸収軸方向の吸光度（Ａ^２）の値から、比（Ａ^２／Ａ^１）を算出し、二色比とした。結果を表に示す。二色比が高いほど、偏光フィルムとして有用であるといえる。
吸収軸方向の吸光度（Ａ^２）の極大吸収波長ならびに、その波長での二色比の測定結果を表１に示す。

６．耐湿熱性の評価
実施例１の積層体について、以下の方法に従い耐湿熱性を評価した。結果を表１に示す。
実施例１記載の積層体を６０℃９０％ＲＨのオーブンへ投入し、５００時間経過後、改めて積層体の極大吸収波長における吸収軸方向の吸光度（Ａ^３）を測定して耐湿熱試験前後における吸収軸方向の吸光度の変化率量を算出した。耐湿熱性は以下の式で計算した。

耐湿熱性 ＝ 試験投入前の極大吸収波長における吸収軸方向の吸光度（Ａ^２）／試験投入後の極大吸収波長における吸収軸方向の吸光度（Ａ^３）×１００

実施例２〜６、比較例１〜２及び参考例１
実施例２〜６、比較例１〜２及び参考例１についても、化合物（２）の種類を表１に記載するものに変えた以外は実施例１と同様にして偏光膜を作製し、吸収軸方向の吸光度（Ａ^２）の極大吸収波長ならびに、その波長での二色比を測定した。比較例では、化合物（２）には属さない重合性のジアゾ系液晶化合物を用いた例であり、参考例は重合性基を有さない二色性を有する液晶化合物を用いた例である。また、実施例１と同様にして耐湿熱性を評価した。その結果を表１に示す。尚、表１に記載の比較例及び参考例の化合物は、合成例１〜５と同様の方法で合成した。

本発明の組成物によれば、二色性が高く、かつ、耐久性（特に、耐熱性）に優れる偏光膜を提供することができる。

１ 積層体
２ 支持基材
３ 配向膜
４ 本発明の偏光膜
１０ 液晶表示装置
１１ 反射防止膜
１２ａ、１２ｂ 本発明の偏光膜
１３ａ、１３ｂ 位相差フィルム
１４ａ、１４ｂ 基板
１５ カラーフィルタ
１６ 透明電極
１７ 液晶層
１８ 層間絶縁膜
１９ バックライトユニット
２０ ブラックマトリクス
２１ 薄膜トランジスタ
２２ 画素電極
２３ スペーサ
２４ 液晶表示装置
３０ ＥＬ表示装置
３１ 本発明の偏光膜
３２ 位相差フィルム
３３ 基板
３４ 層間絶縁膜
３５ 画素電極
３６ 発光層
３７ カソード電極
３８ 乾燥剤
３９ 封止フタ
４０ 薄膜トランジスタ
４１ リブ
４２ 薄膜封止膜
４４ ＥＬ表示装置
１１１ 光源
１１２ 第１のレンズアレイ
１１２ａ レンズ
１１３ 第２のレンズアレイ
１１４ 偏光変換素子
１１５ 重畳レンズ
１２１，１２３，１３２ ダイクロイックミラー
１２２ 反射ミラー
１４０Ｒ、１４０Ｇ，１４０Ｂ 液晶パネル
１４２，１４３ 本発明の偏光膜
１５０ クロスダイクロイックプリズム
１７０ 投写レンズ
１８０ スクリーン

Claims (11)

1. スメクチック相を示す重合性液晶化合物、及び
   式（２）：
   

   

   ［式（２）中、ｍは、０〜３の整数を表す。
   Ａ^１、Ａ^２及びＡ^３は、互いに独立して、置換基を有していてもよい二価の芳香族基を表す。
   Ｌ^１及びＬ^２は、互いに独立して、単結合、−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−Ｏ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＣＲ^ｃ＝ＣＲ^ｄ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＲ^ｃ＝Ｎ−、−ＣＯＮＲ^ｃ−、−ＮＲ^ｃＣＯ−、又は、−Ｎ＝Ｎ−を表す。
   Ｒ^ｃ及びＲ^ｄは、互いに独立して、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
   Ｚ^１は、重合性基を表す。
   Ｚ^２は、水素原子又は重合性基を表す。
   Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立して、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の直鎖又は分枝アルキレン基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルケニレン基、又は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキニレン基を表し、これらのアルキレン基、アルケニレン基、又は、アルキニレン基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＮＲ^ｅ−に置き換わっていてもよい。
   Ｒ^ｅは水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
   Ｔ^１は、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、又は、−ＣＯＮＲ^ｆ−、又は、−ＮＲ^ｆＣＯ−を表し、
   Ｔ^２は、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＣＯＮＲ^ｆ−、−ＮＲ^ｆＣＯ−、又は、Ｚ^２が水素原子の場合のみ−ＮＲ^ｇ−を表す。
   Ｒ^ｆ及びＲ^ｇは、互いに独立して、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表すが、Ｒ^ｇで表されるアルキル基はＱ^１又はＱ^２と環を形成していてもよい。
   但し、Ａ^１−（Ｌ^１−Ａ^２）_ｍ−Ｌ^２−Ａ^３は少なくとも一つの−Ａ^X1−Ｎ＝Ｎ−Ａ^X2−（Ａ^X1及びＡ^X2は、それぞれ２価の芳香族基を表す。）を表される構造を含み、Ｔ^２が−ＮＲ^ｇ−である場合にはＺ^２は水素原子を表す。］
   で表される液晶化合物を含む組成物。
2. スメクチック相を示す重合性液晶化合物が、式（１）：
   

   

   ［式（１）中、
   Ｘ^１、Ｘ^２は、互いに独立して、２価の芳香族基又は２価の脂環式炭化水素基を表し、ここで、該２価の芳香族基又は２価の脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のフルオロアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、シアノ基又はニトロ基に置換されていてもよく、該２価の芳香族基又は２価の脂環式炭化水素基を構成する炭素原子が、酸素原子、硫黄原子又は窒素原子に置換されていてもよい。ただし、Ｘ^１、Ｘ^２のうち少なくとも１つは、置換基を有していてもよい１，４−フェニレン基又は置換基を有していてもよいシクロヘキサン−１，４−ジイル基である。
   ｎは１〜３であり、ｎが２以上の場合はＸ^１、Ｘ^２はそれぞれ異なっていても良い。
   Ｙ^１は、互いに独立して、単結合又は二価の連結基である。
   Ｕ^１は、水素原子又は重合性基を表わす。
   Ｕ^２は、重合性基を表わす。
   Ｗ^１及びＷ^２は、互いに独立して、単結合又は二価の連結基である。
   Ｖ^１及びＶ^２は、互いに独立して、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基を構成する−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−ＣＯ−、−Ｓ−又はＮＨ−に置き換わっていてもよい。］
   で表される、請求項１記載の組成物。
3. 前記Ｕ^１が重合性基であって該重合性基と連結するＶ^１の主鎖の原子数又はＶ^２の主鎖の原子数と、Ｑ^１の主鎖の原子数又はＺ^２が重合性基であって該重合性基と連結するＱ^２の主鎖の原子数との差が３以下である、請求項１又は２記載の組成物。
4. 前記Ｕ^１及びＺ^１並びに、Ｕ^２及びＺ^２が全て同一の重合性基であって、該重合性基がアクリロイル基又はメタクリロイル基である請求項１〜３のいずれかに記載の組成物。
5. 前記式（２）の液晶化合物が可視光域に二色性光吸収を示す化合物である請求項１〜４のいずれかに記載の組成物。
6. 前記式（１）の液晶化合物（１）がサーモトロピック性液晶であって、かつスメクチック液晶相を有する化合物である請求項１〜５のいずれかに記載の組成物。
7. 請求項１〜６のいずれかに記載の組成物中の式（１）で表される化合物と式（２）で表される化合物とを分子配向した状態で重合させた偏光膜。
8. 請求項１〜６のいずれかに記載の組成物中の式（１）で表される化合物と式（２）で表される化合物とを分子配向した状態で重合させた偏光膜であって、Ｘ線回折測定においてブラッグピークが得られる偏光膜。
9. 請求項７又は８に記載の偏光膜と１／４波長板とを有し、前記偏光膜の吸収軸と前記１／４波長板の遅相軸との為す角が４５±１０°であって、１／４波長板が下記式（Ｉ）を満たす円偏光板。
   １００ｎｍ＜Ｒｅ（５５０）＜１６０ｎｍ …（Ｉ）
   （式中、Ｒｅ（５５０）は波長５５０ｎｍの光に対する面内位相差値を表す。）
10. 請求項７又は８に記載の偏光膜と１／４波長板とを有し、前記偏光膜の吸収軸と前記１／４波長板の遅相軸との為す角が４５±１０°であって、さらに１／４波長板が下記式（Ｉ）、式（ＩＩ）及び式（ＩＩＩ）を全て満たす円偏光板。
    １００ｎｍ＜Ｒｅ（５５０）＜１６０ｎｍ …（Ｉ）
    Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）≦１．０ …（ＩＩ）
    １．００≦Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０） …（ＩＩＩ）
    （式中、Ｒｅ（４５０）は波長４５０ｎｍの光に対する面内位相差値を、Ｒｅ（５５０）は波長５５０ｎｍの光に対する面内位相差値を、Ｒｅ（６５０）は波長６５０ｎｍの光に対する面内位相差値を表す。）
11. 請求項９又は１０に記載の円偏光板を含む有機ＥＬ表示装置。

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