JP2019164351A - マイクロリソグラフィのための投影露光方法及び投影露光装置 - Google Patents
マイクロリソグラフィのための投影露光方法及び投影露光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019164351A JP2019164351A JP2019056218A JP2019056218A JP2019164351A JP 2019164351 A JP2019164351 A JP 2019164351A JP 2019056218 A JP2019056218 A JP 2019056218A JP 2019056218 A JP2019056218 A JP 2019056218A JP 2019164351 A JP2019164351 A JP 2019164351A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- quiver
- projection exposure
- projection
- plane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70133—Measurement of illumination distribution, in pupil plane or field plane
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Lenses (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Mounting And Adjusting Of Optical Elements (AREA)
Abstract
Description
LK 光クイバー
LKD 光クイバー検出デバイス
M マスク
PR 投影放射線
Claims (15)
- 投影露光装置の照明系と投影レンズの間にパターンが該投影レンズの物体平面の領域に配置されるようにマスクを保持する段階と、
基板を該基板の感放射線面が前記物体平面に対して光学的に共役である前記投影レンズの像平面の領域に配置されるように保持する段階と、
前記マスクの照明領域を前記照明系によって供給される照明放射線で照明する段階と、 前記投影レンズを用いて前記照明領域内に位置する前記パターンの一部を前記基板での像視野上に投影する段階と、
を含み、
前記像視野内の像発生に寄与する投影放射線の全ての光線が、前記投影レンズ内で光クイバーを形成する、
マスクのパターンの少なくとも1つの像で感放射線基板を露光するための投影露光方法であって、
前記光クイバーの特性を表す少なくとも1つの光クイバーパラメータを決定する段階と、
前記光クイバーパラメータを考慮して前記投影露光装置の動作を制御する段階と、
を特徴とする投影露光方法。 - 前記光クイバーの少なくとも1つの特性が、マニピュレータの駆動によって変更されることを特徴とする請求項1に記載の投影露光方法。
- 前記光クイバーを変更するためのマニピュレータの感受性が、動作制御系のメモリに格納され、
感受性が、マニピュレータでの定められた作動値変化と前記投影露光装置の結像品質に対する得られる効果との間の関係を表し、
前記投影露光装置の前記動作は、前記感受性を考慮して制御され、
マニピュレータの作動値変化が、好ましくは、前記感受性を考慮して作動値極限値よりも低い大きさに制限される、
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の投影露光方法。 - 前記光クイバーに対して横断方向に延びる測定面が、該光クイバーが形態、位置、及びサイズに関して定められた交差面の領域内で該測定面と交差するように選択され、
前記交差面内の前記投影放射線の強度に依存する少なくとも1つの交差面特性が、光クイバーパラメータを決定する目的で決定される、
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の投影露光方法。 - 前記交差面の前記形態が決定され、光クイバー形態パラメータが、そこから導出され、及び/又は
基準座標系に対する前記交差面の前記位置が決定され、光クイバー位置パラメータが、そこから導出され、及び/又は
前記交差面の前記サイズが決定され、光クイバーサイズパラメータが、そこから導出され、及び/又は
前記交差面内の強度分布の重心が決定され、光クイバー重心パラメータが、そこから導出される、
ことを特徴とする請求項4に記載の投影露光方法。 - 少なくとも2つの交差面特性が、時間的に近接して又は同時に決定され、対応する光クイバーパラメータが、互いに計算上で考慮されることを特徴とする請求項4及び請求項5のいずれか1項に記載の投影露光方法。
- 光クイバー特性が、交差面の重心の位置の決定を実施し、それに基づいて、該交差面の縁部曲線と該重心の間の距離を表す縁部曲線関数を方位角の関数として決定することによって決定され、
前記縁部曲線関数は、解析され、
前記縁部曲線関数のフーリエ解析が、好ましくは、前記解析中に実施される、
ことを特徴とする請求項4から請求項6のいずれか1項に記載の投影露光方法。 - 光学要素の光学面が、前記測定面として選択され、
光クイバーパラメータが、前記光学要素上に入射している投影放射線の結果として可変である前記光学面の少なくとも1つの特性を測定することによって決定され、
局所温度分布が、好ましくは、測定面として選択された前記光学面で測定され、少なくとも1つの交差面特性が、そこから決定される、
ことを特徴とする請求項4から請求項7のいずれか1項に記載の投影露光方法。 - 前記選択された測定面は、放射線伝達方向に第1のマニピュレータの下流に配置され、該第1のマニピュレータのアクチュエータの操作される様々な変化が、該測定面で決定された少なくとも1つの光クイバーパラメータに依存する方式で制御されることを特徴とする請求項4から請求項8のいずれか1項に記載の投影露光方法。
- 1次放射線源の1次放射線を受光し、かつ照明領域内でマスク(M)上に向けられる照明放射線(ILR)を発生させるための照明系(ILL)と、
投影放射線を用いて前記照明領域に位置するパターンの一部を基板での像視野上に投影するための投影レンズ(PO)であって、該像視野内の像発生に寄与する該投影放射線の全ての光線が、該投影レンズ内に光クイバー(LK)を形成する前記投影レンズ(PO)と、
前記パターンが前記投影レンズの物体平面(OS)の領域に配置されるように前記マスクを前記照明系と該投影レンズの間に保持するためのマスク保持デバイス(RST)と、 前記基板を該基板の感放射線面が前記物体平面に対して光学的に共役である前記投影レンズの像平面(IS)の領域に配置されるように保持するための基板保持デバイス(WST)と、
を含むマスクのパターンの少なくとも1つの像で感放射線基板を露光するための投影露光装置であって、
前記光クイバーの特性を表す少なくとも1つの光クイバーパラメータを決定するための光クイバー検出系と、
前記光クイバーパラメータを考慮して投影露光装置の動作を制御するように構成された動作制御系と、
を特徴とする投影露光装置。 - 前記動作制御系の制御記号によって駆動することができる少なくとも1つのマニピュレータを特徴とする請求項10に記載の投影露光装置。
- 前記光クイバーを変更するためのマニピュレータの感受性が、前記動作制御系のメモリに格納され、
感受性が、マニピュレータで定められた作動値変化と投影露光装置の結像品質に対する得られる効果との間の関係を表し、
前記動作制御系は、投影露光装置の前記動作を前記感受性を考慮して制御することができるように設計され、
好ましくは、マニピュレータの作動値変化を前記感受性を考慮して作動値極限値よりも低い大きさに制限することができる、
ことを特徴とする請求項11に記載の投影露光装置。 - 前記光クイバーは、形態、位置、及びサイズに関して定められた交差面の領域内で該光クイバーに対して横断方向に延びる測定面と交差し、
光クイバーパラメータを決定するためのデバイスが、前記交差面内の前記投影放射線の強度に依存する少なくとも1つの交差面特性を決定するように構成され、
交差面特性が、好ましくは
前記交差面の形態、
基準座標系に対する前記交差面の位置、
前記交差面のサイズ、
前記交差面内の強度分布の重心、
の群から選択される、
ことを特徴とする請求項11又は請求項12に記載の投影露光装置。 - 前記光クイバー検出系は、前記光クイバーを取り囲んで該光クイバーの円周の周りに配分された複数の感光検出器(DET)を含む配置を有する少なくとも1つの光クイバー検出デバイス(LKD)を有し、及び/又は
光クイバー検出デバイス(LKD)の感光検出器(DET)が、それらが前記光クイバー(LK)の外側でそれらの直近を伝播する外光を検出することができるように配置される、
ことを特徴とする請求項11及び請求項13のいずれか1項に記載の投影露光装置。 - 前記動作制御系は、請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の投影露光方法が実施されるように投影露光装置を制御するように構成されることを特徴とする請求項10から請求項14のいずれか1項に記載の投影露光装置。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102012202536A DE102012202536A1 (de) | 2012-02-20 | 2012-02-20 | Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie |
DE102012202536.7 | 2012-02-20 | ||
US201261601126P | 2012-02-21 | 2012-02-21 | |
US61/601,126 | 2012-02-21 | ||
JP2018025203A JP2018112746A (ja) | 2012-02-20 | 2018-02-15 | マイクロリソグラフィのための投影露光方法及び投影露光装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018025203A Division JP2018112746A (ja) | 2012-02-20 | 2018-02-15 | マイクロリソグラフィのための投影露光方法及び投影露光装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019164351A true JP2019164351A (ja) | 2019-09-26 |
JP6959952B2 JP6959952B2 (ja) | 2021-11-05 |
JP6959952B6 JP6959952B6 (ja) | 2022-03-22 |
Family
ID=48915203
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014558069A Active JP6322583B2 (ja) | 2012-02-20 | 2013-02-14 | マイクロリソグラフィのための投影露光方法及び投影露光装置 |
JP2018025203A Pending JP2018112746A (ja) | 2012-02-20 | 2018-02-15 | マイクロリソグラフィのための投影露光方法及び投影露光装置 |
JP2019056218D Active JP7090375B2 (ja) | 2012-02-20 | 2019-03-25 | マイクロリソグラフィのための投影露光方法及び投影露光装置 |
JP2019056218A Active JP6959952B2 (ja) | 2012-02-20 | 2019-03-25 | マイクロリソグラフィのための投影露光方法及び投影露光装置 |
Family Applications Before (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014558069A Active JP6322583B2 (ja) | 2012-02-20 | 2013-02-14 | マイクロリソグラフィのための投影露光方法及び投影露光装置 |
JP2018025203A Pending JP2018112746A (ja) | 2012-02-20 | 2018-02-15 | マイクロリソグラフィのための投影露光方法及び投影露光装置 |
JP2019056218D Active JP7090375B2 (ja) | 2012-02-20 | 2019-03-25 | マイクロリソグラフィのための投影露光方法及び投影露光装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9665006B2 (ja) |
JP (4) | JP6322583B2 (ja) |
DE (1) | DE102012202536A1 (ja) |
WO (1) | WO2013124205A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015036002A1 (en) * | 2013-09-14 | 2015-03-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method of operating a microlithographic projection apparatus |
DE102013219986A1 (de) * | 2013-10-02 | 2015-04-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie |
DE102017216458A1 (de) * | 2017-09-18 | 2019-03-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Spiegels als optischer Komponente für ein optisches System einer Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie |
WO2019072703A1 (en) | 2017-10-11 | 2019-04-18 | Asml Netherlands B.V. | FLOW OF OPTIMIZATION OF PROCESS OF FORMATION OF REASONS |
CN113009788A (zh) * | 2021-02-24 | 2021-06-22 | 上海华力微电子有限公司 | 光刻装置 |
CN113253415B (zh) * | 2021-06-01 | 2022-02-11 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 主镜侧向支撑结构及装调方法 |
DE102022208320A1 (de) | 2022-08-10 | 2024-02-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Betreiben eines Messsystems |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005328050A (ja) * | 2004-05-11 | 2005-11-24 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2009206274A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Nikon Corp | 光学特性調整方法、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2010502027A (ja) * | 2006-08-25 | 2010-01-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 画像変化を補正する方法及びシステム |
JP2010123790A (ja) * | 2008-11-20 | 2010-06-03 | Canon Inc | 投影露光装置、変位計測手段の計測基準の校正方法およびデバイス製造方法 |
JP2010141071A (ja) * | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Nikon Corp | 光学部材冷却装置、光学系、露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP2010541259A (ja) * | 2007-10-04 | 2010-12-24 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 電気伝導性領域を有する光学素子およびこのような光学素子を有する照明系 |
WO2011051069A1 (en) * | 2009-10-28 | 2011-05-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective comprising a reflective optical component and a measuring device |
JP2011192900A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Nikon Corp | 投影光学装置及び露光装置並びにデバイス製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1251402B1 (en) | 2001-03-30 | 2007-10-24 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4178862B2 (ja) | 2001-08-01 | 2008-11-12 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | Euvフォトリソグラフィ用の反射投影レンズ |
US6846086B2 (en) * | 2002-03-11 | 2005-01-25 | Intel Corporation | Mirror assembly with thermal contour control |
JP2006501660A (ja) | 2002-09-30 | 2006-01-12 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 照明の同定用のセンサを備える波長≦193nm用の照明システム |
CN100517569C (zh) * | 2004-08-09 | 2009-07-22 | 株式会社尼康 | 光学特性测量装置及方法、曝光装置及方法及组件制造方法 |
US7508489B2 (en) * | 2004-12-13 | 2009-03-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Method of manufacturing a miniaturized device |
DE102007005875A1 (de) * | 2007-02-06 | 2008-08-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Ausrichtung von Oberflächen von optischen Elementen |
CN103293665B (zh) | 2008-02-15 | 2016-07-06 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 微光刻的投射曝光设备使用的分面镜 |
DE102008030664A1 (de) * | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Abbildungseinrichtung mit Bestimmung von Abbildungsfehlern |
JP2010114266A (ja) * | 2008-11-06 | 2010-05-20 | Canon Inc | 露光装置およびその制御方法、ならびにデバイス製造方法 |
DE102009048553A1 (de) | 2009-09-29 | 2011-03-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Katadioptrisches Projektionsobjektiv mit Umlenkspiegeln und Projektionsbelichtungsverfahren |
DE102011004326A1 (de) * | 2011-02-17 | 2012-08-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische Baugruppe für eine Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie |
-
2012
- 2012-02-20 DE DE102012202536A patent/DE102012202536A1/de not_active Ceased
-
2013
- 2013-02-14 WO PCT/EP2013/052963 patent/WO2013124205A1/en active Application Filing
- 2013-02-14 JP JP2014558069A patent/JP6322583B2/ja active Active
-
2014
- 2014-08-11 US US14/456,819 patent/US9665006B2/en active Active
-
2018
- 2018-02-15 JP JP2018025203A patent/JP2018112746A/ja active Pending
-
2019
- 2019-03-25 JP JP2019056218D patent/JP7090375B2/ja active Active
- 2019-03-25 JP JP2019056218A patent/JP6959952B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005328050A (ja) * | 2004-05-11 | 2005-11-24 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2010502027A (ja) * | 2006-08-25 | 2010-01-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 画像変化を補正する方法及びシステム |
JP2010541259A (ja) * | 2007-10-04 | 2010-12-24 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 電気伝導性領域を有する光学素子およびこのような光学素子を有する照明系 |
JP2009206274A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Nikon Corp | 光学特性調整方法、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2010123790A (ja) * | 2008-11-20 | 2010-06-03 | Canon Inc | 投影露光装置、変位計測手段の計測基準の校正方法およびデバイス製造方法 |
JP2010141071A (ja) * | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Nikon Corp | 光学部材冷却装置、光学系、露光装置及びデバイスの製造方法 |
WO2011051069A1 (en) * | 2009-10-28 | 2011-05-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective comprising a reflective optical component and a measuring device |
JP2011192900A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Nikon Corp | 投影光学装置及び露光装置並びにデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6959952B6 (ja) | 2022-03-22 |
JP2015511405A (ja) | 2015-04-16 |
US20150029479A1 (en) | 2015-01-29 |
DE102012202536A1 (de) | 2013-08-22 |
WO2013124205A1 (en) | 2013-08-29 |
JP7090375B2 (ja) | 2022-06-24 |
JP6959952B2 (ja) | 2021-11-05 |
US9665006B2 (en) | 2017-05-30 |
JP6322583B2 (ja) | 2018-05-09 |
JP2018112746A (ja) | 2018-07-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6959952B2 (ja) | マイクロリソグラフィのための投影露光方法及び投影露光装置 | |
JP4373987B2 (ja) | リソグラフィ装置で使用するセンサ | |
US6142641A (en) | Four-mirror extreme ultraviolet (EUV) lithography projection system | |
JP6545644B2 (ja) | 絞りを有する投影対物系 | |
JP5404931B2 (ja) | 偏向ミラーを含む反射屈折投影対物系及び投影露光方法 | |
KR20030045817A (ko) | 8-거울 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈 | |
US6278514B1 (en) | Exposure apparatus | |
TW201908871A (zh) | 具有光瞳鏡(pupil mirror)之反射折射投影物鏡、投影曝光裝置、及投影曝光方法 | |
US20100227261A1 (en) | Flare-measuring mask, flare-measuring method, and exposure method | |
JP5686901B2 (ja) | 投影露光システム及び投影露光方法 | |
US7142284B2 (en) | Position detector, position detecting method, and exposure apparatus having the same | |
JP3874755B2 (ja) | 迷放射を決定する方法、リソグラフィ投影装置 | |
US20030086078A1 (en) | Projection exposure apparatus and aberration measurement method | |
JP5489849B2 (ja) | 位置計測装置及び方法、露光装置並びにデバイス製造方法 | |
KR101408483B1 (ko) | 투영 대물렌즈를 제조하는 방법 및 상기 방법으로 제조된 투영 대물렌즈 | |
JP6457754B2 (ja) | 投影リソグラフィのための照明光学ユニット | |
TW201312282A (zh) | 照射光學單元 | |
TWI841395B (zh) | 光學元件、和總成及其光學系統 | |
CN112484658A (zh) | 检测物体结构的方法和实行该方法的设备 | |
JP2010133980A (ja) | 検査装置、該検査装置を備えた露光装置、およびマイクロデバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190423 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190423 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200413 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20200713 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200911 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201124 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20210222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210413 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210810 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20210903 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211008 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6959952 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
AA91 | Notification that invitation to amend document was cancelled |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971091 Effective date: 20220301 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220411 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20220510 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220609 |