JP2019158508A - 磁気センサ - Google Patents

Abstract

【課題】複数の磁気センサをアレイ状に配列して使用する場合の磁気センサ間における干渉を低減する。【解決手段】センサ基板２０と、素子形成面２０ａ上において、感磁素子Ｒ１，Ｒ３と感磁素子Ｒ２，Ｒ４との間に設けられた外部磁性体３０と、第１の部分４１、第２の部分４２及び第３の部分４３を有する外部磁性体４０とを備える。外部磁性体４０の第３の部分４３は、ｘ方向における幅が裏面２３から離れるにしたがって狭くなる絞り形状部４３ａを含み、絞り形状部４３ａの幅を規定する端面は曲面である。本発明によれば、外部磁性体４０の第３の部分４３が絞り形状部４３ａを有していることから、複数の磁気センサをアレイ状に配列して使用する場合であっても、磁気センサ間における干渉を低減することが可能となる。しかも、絞り形状部が曲面によって構成されていることから、角部にて生じる磁界の漏洩を低減することができる。【選択図】図１

Description

本発明は磁気センサに関し、特に、感磁素子が形成されたセンサ基板と外部磁性体とを備えた磁気センサに関する。

磁気センサには、感磁素子が形成されたセンサ基板の他に、感磁素子に磁束を集めるための外部磁性体が用いられることがある。例えば、特許文献１には、センサ基板の素子形成面上に配置された第１の外部磁性体と、センサ基板の両側面及び裏面を覆う第２の外部磁性体を備えた磁気センサが開示されている。特許文献１に記載された磁気センサのように、センサ基板の素子形成面を覆う第１の外部磁性体だけでなく、センサ基板の両側面及び裏面を覆う第２の外部磁性体を用いることにより、垂直方向の磁界に対する検出感度を高めることが可能となる。

特開２０１７−１６１５１９号公報

しかしながら、複数の磁気センサをアレイ状に配列して使用する場合、外部磁性体の形状によっては磁気センサ間における干渉が大きくなり、これによって空間分解能が低下することがあった。

したがって、本発明は、複数の磁気センサをアレイ状に配列して使用する場合であっても、磁気センサ間における干渉を低減することが可能な磁気センサを提供することを目的とする。

本発明による磁気センサは、第１及び第２の感磁素子を含む複数の感磁素子が形成された素子形成面と、素子形成面とは反対側に位置する裏面と、素子形成面及び裏面と略直交し、互いに反対側に位置する第１及び第２の側面とを有するセンサ基板と、素子形成面上において、第１の感磁素子と第２の感磁素子との間に設けられた第１の外部磁性体と、第１の側面を覆う第１の部分、第２の側面を覆う第２の部分及び裏面を覆う第３の部分を有する第２の外部磁性体とを備え、第１の感磁素子は、平面視で、第１の外部磁性体と第２の外部磁性体の第１の部分との間に位置し、第２の感磁素子は、平面視で、第１の外部磁性体と第２の外部磁性体の第２の部分との間に位置し、第２の外部磁性体の第３の部分は、第１及び第２の感磁素子の配列方向である第１の方向における幅が、裏面から離れるにしたがって狭くなる絞り形状部を含み、絞り形状部の幅を規定する端面は、曲面であることを特徴とする。

本発明によれば、第２の外部磁性体の第３の部分が絞り形状部を有していることから、複数の磁気センサをアレイ状に配列して使用する場合であっても、磁気センサ間における干渉を低減することが可能となる。しかも、絞り形状部が曲面によって構成されていることから、角部にて生じる磁界の漏洩を低減することができる。

本発明において、絞り形状部の素子形成面と平行な断面は、面取りされた矩形状であっても構わない。これによれば、絞り形状部における磁界の漏洩がより低減される。

本発明において、第２の外部磁性体の第１及び第２の部分は、素子形成面を超えて突出していても構わない。これによれば、第１の外部磁性体と第２の外部磁性体との間の磁束の漏れが低減される。その結果、磁束が感磁素子により集中することから、磁界の検出感度を高めることが可能となる。

本発明において、第２の外部磁性体は、第１の部分から素子形成面側に折り曲げられた第１のオーバーハング部分と、第２の部分から素子形成面側に折り曲げられた第２のオーバーハング部分とをさらに有するものであっても構わない。これによれば、第１の外部磁性体と第２の外部磁性体との間の磁束の漏れがより低減され、磁束が感磁素子により集中する。その結果、磁界の検出感度をより高めることが可能となる。

本発明において、素子形成面と平行且つ第１の方向と直交する第２の方向から見て、第１のオーバーハング部分と第１の部分は曲線的に繋がり、第２のオーバーハング部分と第２の部分は曲線的に繋がるものであっても構わない。これによれば、第１及び第２のオーバーハング部分の角部にて生じる磁界の漏洩を低減することが可能となる。

本発明による磁気センサは、平面視でセンサ基板の素子形成面と重なる第１、第２及び第３の磁性体層をさらに備え、第１の感磁素子は、第１の磁性体層と第２の磁性体層との間の第１のギャップによって形成される磁路上に設けられ、第２の感磁素子は、第１の磁性体層と第３の磁性体層との間の第２のギャップによって形成される磁路上に設けられ、第１の外部磁性体は、第１の磁性体層上に設けられていても構わない。これによれば、第１〜第３の磁性体層がセンサ基板の素子形成面上における磁路となることから、磁気抵抗が大幅に低減する。これにより、検出感度をよりいっそう高めることが可能となる。

本発明において、第１のオーバーハング部分は第２の磁性体層の少なくとも一部を覆い、第２のオーバーハング部分は第３の磁性体層の少なくとも一部を覆っても構わない。これによれば、磁気抵抗をよりいっそう低減することが可能となる。

本発明において、素子形成面から最も離れた第１の外部磁性体の先端は、曲面によって構成されていても構わないし、裏面から最も離れた第２の外部磁性体の第３の部分の先端は、曲面によって構成されていても構わない。これらによれば、第１及び第２の外部磁性体の先端部で生じる磁界の集中を緩和することが可能となる。

このように、本発明によれば、複数の磁気センサをアレイ状に配列して使用する場合であっても、磁気センサ間における干渉が低減される。これにより、複数の磁気センサをアレイ状に配列して使用する場合の空間分解能を向上させることが可能となる。

図１は、本発明の第１の実施形態による磁気センサ１０Ａの外観を示す略斜視図である。 図２は、磁気センサ１０Ａの略上面図である。 図３は、図２に示すＡ−Ａ線に沿った略断面図である。 図４は、磁束φが均等に分配される様子を説明するための模式図である。 図５は、感磁素子Ｒ１〜Ｒ４と端子電極６１〜６４の接続関係を説明するための回路図である。 図６は、磁気センサ１０Ａをアレイ状に配列した状態を示す略斜視図である。 図７は、磁気センサ１０Ａをアレイ状に配列した場合における磁界強度のシミュレーション結果である。 図８は、比較例による磁気センサ１０ａをアレイ状に配列した場合における磁界強度のシミュレーション結果である。 図９は、比較例による磁気センサ１０ａの外観を示す略斜視図である。 図１０は、本発明の第２の実施形態による磁気センサ１０Ｂの外観を示す略斜視図である。 図１１は、図１０の断面Ｂにおける外部磁性体４０の形状を示す断面図である。

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。

＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の第１の実施形態による磁気センサ１０Ａの外観を示す略斜視図である。また、図２は磁気センサ１０Ａの略上面図であり、図３は図２に示すＡ−Ａ線に沿った略断面図である。

図１〜図３に示すように、本実施形態による磁気センサ１０Ａは、センサ基板２０と、センサ基板２０に付加された第１及び第２の外部磁性体３０，４０とを備えている。センサ基板２０はチップ部品であり、ｘｙ平面を構成する素子形成面２０ａ側には、感磁素子Ｒ１〜Ｒ４、磁性体層５１〜５３、端子電極６１〜６４が形成されている。センサ基板２０の作製方法としては、集合基板に多数のセンサ基板２０を同時に形成し、これらを分離することによって多数個取りする方法が一般的であるが、本発明がこれに限定されるものではなく、個々のセンサ基板２０を別個に作製しても構わない。

センサ基板２０は、ｙｚ平面を構成する第１及び第２の側面２１，２２と、素子形成面２０ａとは反対側に位置し、ｘｙ面を構成する裏面２３とを有している。第１及び第２の側面２１，２２は、素子形成面２０ａと実質的に直交する面であるが、完全に直交する必要はない。また、裏面２３は素子形成面２０ａと実質的に平行な面であるが、完全に平行である必要はない。

素子形成面２０ａのｘ方向における略中央部は、第１の外部磁性体３０で覆われている。また、センサ基板２０の第１の側面２１、第２の側面２２及び裏面２３は、第２の外部磁性体４０によって覆われている。外部磁性体３０，４０は、フェライトなど透磁率の高い軟磁性材料からなるブロックであり、接着剤などを用いてセンサ基板２０に接着されていても構わないし、センサ基板２０とともに図示しない他の基板に搭載され、センサ基板２０との相対的な位置関係が固定されているものであっても構わない。

外部磁性体３０は、センサ基板２０の素子形成面２０ａからｚ方向に延在する棒状体であり、ｚ方向から見て、感磁素子Ｒ１，Ｒ３と感磁素子Ｒ２，Ｒ４の間に配置される。

外部磁性体４０は、センサ基板２０の第１の側面２１を覆う第１の部分４１と、センサ基板２０の第２の側面２２を覆う第２の部分４２と、センサ基板２０の裏面２３を覆う第３の部分４３を有しており、これらが一体化された構造を有している。外部磁性体４０を一体化されたブロックとすれば、外部磁性体４０の磁気抵抗を最小限とすることができる。尚、外部磁性体４０の第１の部分４１、第２の部分４２及び第３の部分４３がセンサ基板２０の第１の側面２１、第２の側面２２及び裏面２３とそれぞれ接している必要はなく、両者間に空間が存在していても構わないし、両者間に接着剤などの他の部材が介在していても構わない。

図１に示すように、外部磁性体４０の第３の部分４３は、ｘ方向における幅がセンサ基板２０の裏面２３から離れるにしたがって狭くなる絞り形状部４３ａを有している。絞り形状部４３ａは、センサ基板２０の裏面２３と接する幅広部４３ｂと、ｚ方向に突出する幅狭部４３ｃを繋ぐ部分である。幅広部４３ｂのｘ方向における幅Ｗ１は、センサ基板２０のｘ方向における幅よりも広く、幅狭部４３ｃのｘ方向における幅Ｗ２は、センサ基板２０のｘ方向における幅よりも狭い。幅狭部４３ｃのｘ方向における幅Ｗ２は、第１の外部磁性体３０のｘ方向における幅Ｗ０と同じであることが好ましい。

さらに、外部磁性体４０の第１の部分４１は、ｚ方向における位置が素子形成面２０ａを超えるようｚ方向に延長され、さらにこの延長された部分から素子形成面２０ａ側に折り曲げられた第１のオーバーハング部分ＯＨ１を有している。同様に、外部磁性体４０の第２の部分４２は、ｚ方向における位置が素子形成面２０ａを超えるようｚ方向に延長され、さらにこの延長された部分から素子形成面２０ａ側に折り曲げられた第２のオーバーハング部分ＯＨ２を有している。

図２に示すように、センサ基板２０の素子形成面２０ａには、磁性体層５１〜５３が形成されている。磁性体層５１は、素子形成面２０ａの略中央に位置し、そのｘ方向における両側に磁性体層５２，５３が配置される。特に限定されるものではないが、磁性体層５１〜５３としては、樹脂材料に磁性フィラーが分散された複合磁性材料からなる膜であっても構わないし、ニッケル又はパーマロイなどの軟磁性材料からなる薄膜もしくは箔であっても構わないし、フェライトなどからなる薄膜又はバルクシートであっても構わない。

磁性体層５１は、中央に位置し、外部磁性体３０によって覆われる主領域Ｍ１と、主領域Ｍ１からｘ方向に離れるに従ってｙ方向における幅が狭くなる収束領域Ｓ１〜Ｓ４を含む。図２に示すように、収束領域Ｓ１，Ｓ３は主領域Ｍ１に対してｘ方向マイナス側（左側）に位置し、収束領域Ｓ２，Ｓ４は主領域Ｍ１に対してｘ方向プラス側（右側）に位置する。

一方、磁性体層５２は、外部磁性体４０のオーバーハング部分ＯＨ１によって覆われる主領域Ｍ２と、主領域Ｍ２からｘ方向（プラス側）に離れるに従ってｙ方向における幅が狭くなる収束領域Ｓ５，Ｓ７を含む。同様に、磁性体層５３は、外部磁性体４０のオーバーハング部分ＯＨ２によって覆われる主領域Ｍ３と、主領域Ｍ３からｘ方向（マイナス側）に離れるに従ってｙ方向における幅が狭くなる収束領域Ｓ６，Ｓ８を含む。

外部磁性体３０は、ｚ方向の磁束φを取り込む役割を果たす。外部磁性体３０を介して取り込まれた磁束φは、主領域Ｍ１に入射され、図４に示すように収束領域Ｓ１〜Ｓ４に対してほぼ均等に分配される。収束領域Ｓ１〜Ｓ４に達した磁束φは、それぞれｙ方向に延在するギャップＧ１〜Ｇ４を介して、収束領域Ｓ５〜Ｓ８に供給される。収束領域Ｓ５〜Ｓ８に到達した磁束は、主領域Ｍ２，Ｍ３を介して外部磁性体４０に回収される。

図２に示すように、ギャップＧ１〜Ｇ４によって形成される磁路上には、それぞれｙ方向を長手方向とする感磁素子Ｒ１〜Ｒ４が配置されている。感磁素子Ｒ１〜Ｒ４は、ギャップＧ１〜Ｇ４内に配置されていても構わないが、ギャップＧ１〜Ｇ４外であっても、当該ギャップによって形成される磁路上に配置されていれば足りる。また、ギャップＧ１〜Ｇ４の幅方向はｘ方向であっても構わないし、感磁素子Ｒ１〜Ｒ４にｘ方向成分を有する磁束φを印加可能である限り、ギャップＧ１〜Ｇ４の幅方向がｚ方向成分を有していても構わない。

感磁素子Ｒ１〜Ｒ４は、磁束密度によって物理特性の変化する素子であれば特に限定されないが、磁界の向きに応じて電気抵抗が変化する磁気抵抗素子であることが好ましい。本実施形態においては、感磁素子Ｒ１〜Ｒ４の感磁方向（固定磁化方向）は、図２の矢印Ｐが示す方向（ｘ方向におけるプラス側）に全て揃えられている。

かかる構成により、外部磁性体３０を介して主領域Ｍ１に集められた磁束φは、図４に示すように左右にほぼ均等に分配された後、第１及び第２のオーバーハング部分ＯＨ１，ＯＨ２を介して外部磁性体４０に吸い込まれる。この時、磁束φの一部が感磁素子Ｒ１〜Ｒ４を通過するため、感磁素子Ｒ１，Ｒ３と感磁素子Ｒ２，Ｒ４には、互いに逆方向の磁束が与えられることになる。上述の通り、感磁素子Ｒ１〜Ｒ４の磁化固定方向は、矢印Ｐが示すｘプラス方向に揃えられていることから、磁束のｘ方向における成分に対して感度を持つことになる

図５は、感磁素子Ｒ１〜Ｒ４と端子電極６１〜６４の接続関係を説明するための回路図である。

図５に示すように、端子電極６１，６４には、それぞれグランド電位Ｇｎｄ及び電源電位Ｖｄｄが供給される。また、端子電極６１，６４間には、感磁素子Ｒ１，Ｒ２が直列に接続されるとともに、感磁素子Ｒ４，Ｒ３が直列に接続される。そして、感磁素子Ｒ３，Ｒ４の接続点は端子電極６２に接続され、感磁素子Ｒ１，Ｒ２の接続点は端子電極６３に接続される。このようなフルブリッジ接続により、端子電極６３に現れる電位Ｖａと端子電極６２に現れる電位Ｖｂを参照することにより、磁束密度に応じた感磁素子Ｒ１〜Ｒ４の電気抵抗の変化を高感度に検出することが可能となる。

具体的には、感磁素子Ｒ１〜Ｒ４が全て同一の磁化固定方向を有していることから、外部磁性体３０とオーバーハング部分ＯＨ１の間に位置する感磁素子Ｒ１，Ｒ３の抵抗変化量と、外部磁性体３０とオーバーハング部分ＯＨ２との間に位置する感磁素子Ｒ２，Ｒ４の抵抗変化量との間には差が生じる。この差は、図５に示したフルブリッジ回路によって２倍に増幅され、端子電極６２，６３に現れる。したがって、端子電極６２，６３に現れる電位Ｖａ，Ｖｂの差を検出することによって、磁束密度を測定することが可能となる。

そして、本実施形態においては、外部磁性体４０の第３の部分４３が絞り形状部４３ａを有していることから、図６に示すように、複数の磁気センサ１０Ａをｘｙ方向にアレイ状に配列した場合であっても、隣接する磁気センサ１０Ａの幅狭部４３ｃ同士の間隔が十分に確保される。これにより、隣接する磁気センサ１０Ａ間における磁気的な干渉が低減される。しかも、絞り形状部４３ａのｘ方向における幅を規定する端面は曲面であり、ｙ方向から見た絞り形状部４３ａの形状は実質的に角部を有していない。これにより、角部において生じる磁界の漏洩が低減されることから、磁界の漏洩に起因する干渉も低減される。

また、ｙ方向から見て、第１のオーバーハング部分ＯＨ１と第１の部分４１は曲線的に繋がり、第２のオーバーハング部分ＯＨ２と第２の部分４２は曲線的に繋がっている。つまり、オーバーハング部分ＯＨ１，ＯＨ２の表面であるｘｙ面と、第１及び第２の部分４１，４２の表面であるｙｚ面が直角に接するのではなく、ｙ方向に延在する角部が面取りされて曲面を構成している。これにより、オーバーハング部分ＯＨ１，ＯＨ２の近傍における磁界の集中が緩和される。

さらに、外部磁性体３０，４０の先端部も曲面によって構成されており、ｙ方向から見て実質的に角部を有していない。このため、外部磁性体３０，４０の先端部における局所的な磁界の集中も生じにくく、磁界がよりスムーズに外部磁性体３０，４０に取り込まれる。

図７は、本実施形態による磁気センサ１０Ａをアレイ状に配列した場合における磁界強度のシミュレーション結果であり、図８は、比較例による磁気センサ１０ａをアレイ状に配列した場合における磁界強度のシミュレーション結果である。比較例による磁気センサ１０ａの構造は図９に示す通りであり、外部磁性体３０ａが矩形であるとともに、外部磁性体４０ａが絞り形状部４３ａ及び幅狭部４３ｃを有していない。また、比較例による磁気センサ１０ａにおいては、第１のオーバーハング部分ＯＨ１と第１の部分４１が直角に繋がり、第２のオーバーハング部分ＯＨ２と第２の部分４２が直角に繋がっている。

図７と図８を比較すれば明らかなように、比較例による磁気センサ１０ａにおいては、外部磁性体４０ａの幅広部４３ｂから磁束の漏洩が生じ、この漏洩磁束が隣接する磁気センサ１０ａ同士で結合している。また、比較例による磁気センサ１０ａにおいては、角部において磁界が集中するため漏洩磁束が発生し、ここを起点として隣接する磁気センサ１０ａ同士の干渉が発生している。これに対し、本実施形態による磁気センサ１０Ａは、外部磁性体４０が絞り形状部４３ａを有していることから、隣接する磁気センサ１０Ａとの磁気結合が低減されているだけでなく、絞り形状部４３ａやオーバーハング部分ＯＨ１，ＯＨ２などが曲面によって構成されていることから、磁界の集中が緩和されていることが分かる。

＜第２の実施形態＞
図１０は、本発明の第２の実施形態による磁気センサ１０Ｂの外観を示す略斜視図である。また、図１１は、図１０の断面Ｂにおける外部磁性体４０の形状を示す断面図である。

図１０及び図１１に示すように、本実施形態による磁気センサ１０Ｂは、外部磁性体３０，４０のｘｙ断面が面取りされている点において、第１の実施形態による磁気センサ１０Ａと相違している。その他の構成は、第１の実施形態による磁気センサ１０Ａと同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

外部磁性体３０，４０のｘｙ断面は、ｘｚ面によって構成される辺と、ｙｚ面によって構成される辺を有しており、本実施形態においては、これらの辺が接する角部が面取りされている。このため、例えば、外部磁性体４０の絞り形状部４３ａのｘｙ断面は、図１１に示すように面取りされた矩形状である。これにより、角部において生じる磁界の集中がより緩和されることから、複数の磁気センサ１０Ｂをアレイ状に配列した場合、隣接する磁気センサ１０Ｂ間における干渉をより低減することが可能となる。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。

１０Ａ，１０Ｂ，１０ａ 磁気センサ
２０ センサ基板
２０ａ 素子形成面
２１ 第１の側面
２２ 第２の側面
２３ 裏面
３０，３０ａ 第１の外部磁性体
４０，４０ａ 第２の外部磁性体
４１ 第１の部分
４２ 第２の部分
４３ 第３の部分
４３ａ 絞り形状部
４３ｂ 幅広部
４３ｃ 幅狭部
５１〜５３ 磁性体層
６１〜６４ 端子電極
Ｇ１〜Ｇ４ ギャップ
Ｍ１〜Ｍ３ 主領域
ＯＨ１ 第１のオーバーハング部分
ＯＨ２ 第２のオーバーハング部分
Ｒ１〜Ｒ４ 感磁素子
Ｓ１〜Ｓ８ 収束領域
φ 磁束

Claims (9)

1. 第１及び第２の感磁素子を含む複数の感磁素子が形成された素子形成面と、前記素子形成面とは反対側に位置する裏面と、前記素子形成面及び前記裏面と略直交し、互いに反対側に位置する第１及び第２の側面とを有するセンサ基板と、
   前記素子形成面上において、前記第１の感磁素子と前記第２の感磁素子との間に設けられた第１の外部磁性体と、
   前記第１の側面を覆う第１の部分、前記第２の側面を覆う第２の部分及び前記裏面を覆う第３の部分を有する第２の外部磁性体と、を備え、
   前記第１の感磁素子は、平面視で、前記第１の外部磁性体と前記第２の外部磁性体の前記第１の部分との間に位置し、
   前記第２の感磁素子は、平面視で、前記第１の外部磁性体と前記第２の外部磁性体の前記第２の部分との間に位置し、
   前記第２の外部磁性体の前記第３の部分は、前記第１及び第２の感磁素子の配列方向である第１の方向における幅が、前記裏面から離れるにしたがって狭くなる絞り形状部を含み、
   前記絞り形状部の前記幅を規定する端面は、曲面であることを特徴とする磁気センサ。
2. 前記絞り形状部の前記素子形成面と平行な断面は、面取りされた矩形状であることを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ。
3. 前記第２の外部磁性体の前記第１及び第２の部分は、前記素子形成面を超えて突出していることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気センサ。
4. 前記第２の外部磁性体は、前記第１の部分から前記素子形成面側に折り曲げられた第１のオーバーハング部分と、前記第２の部分から前記素子形成面側に折り曲げられた第２のオーバーハング部分とをさらに有することを特徴とする請求項３に記載の磁気センサ。
5. 前記素子形成面と平行且つ前記第１の方向と直交する第２の方向から見て、前記第１のオーバーハング部分と前記第１の部分は曲線的に繋がり、前記第２のオーバーハング部分と前記第２の部分は曲線的に繋がることを特徴とする請求項４に記載の磁気センサ。
6. 平面視で前記センサ基板の前記素子形成面と重なる第１、第２及び第３の磁性体層をさらに備え、
   前記第１の感磁素子は、前記第１の磁性体層と前記第２の磁性体層との間の第１のギャップによって形成される磁路上に設けられ、
   前記第２の感磁素子は、前記第１の磁性体層と前記第３の磁性体層との間の第２のギャップによって形成される磁路上に設けられ、
   前記第１の外部磁性体は、前記第１の磁性体層上に設けられていることを特徴とする請求項４又は５に記載の磁気センサ。
7. 前記第１のオーバーハング部分は前記第２の磁性体層の少なくとも一部を覆い、前記第２のオーバーハング部分は前記第３の磁性体層の少なくとも一部を覆うことを特徴とする請求項６に記載の磁気センサ。
8. 前記素子形成面から最も離れた前記第１の外部磁性体の先端は、曲面によって構成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の磁気センサ。
9. 前記裏面から最も離れた前記第２の外部磁性体の前記第３の部分の先端は、曲面によって構成されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の磁気センサ。