JP2019145639A - 電磁波シールドフィルム - Google Patents
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Abstract
Description
所定の転写フィルムの表面に離型剤を塗布した。離型剤を塗布した転写フィルムの表面に、絶縁保護層用組成物を、ワイヤーバーを用いて塗布し、加熱乾燥することで、絶縁保護層を形成した。次に、絶縁保護層の上に導電性接着剤層用組成物をワイヤーバーにより塗布した後、100℃×3分の乾燥を行い、電磁波シールドフィルムを作製した。
表面性状に関するパラメータは、レーザーマイクロスコープ(VK-X210、キーエンス(株)社製」、レンズ倍率50倍)を用い、ISO25178に準拠して測定した。測定は、5.0cm×5.0cmに切り抜いた未使用の転写フィルムの絶縁保護層を形成する面に対して行った。面内の任意の10箇所に対して測定を行い、その算術平均値を測定値として採用した。また、標準偏差(SD)及び変動係数(CV)を算出した。
電磁波シールドフィルムに、プレス機を用いて、温度:170℃、時間:30分、圧力:2〜3MPaの条件でプレスを行った。電磁波シールドフィルムが常温に戻った後、表面の剥離フィルムを剥離強度テスター((株)パルメック製、PFT50S)を用い、転写フィルムの剥離強度を測定した。測定は常温で、引張速度1000mm/分、剥離角度170°の条件で行った。測定は、10回行い、最小値、最大値及び平均値を求めた。
転写フィルムとして厚さが50μmのPETフィルムを用いた。転写フィルムを剥離した後の絶縁保護層の表面は艶消し表面となっていた。転写フィルムの絶縁保護層形成面におけるSvは3.1μm、Szは8.0μm、Saは0.69μmであった。Svの変動係数は0.15、Szの変更係数は0.02であった。剥離強度の最小値は0.51N/50mm、最大値は0.75N/50mm、平均値は0.63N/50mmであった。
転写フィルムとして厚さが50μmのPETフィルムを用いた。転写フィルムを剥離した後の絶縁保護層の表面は艶消し表面となっていた。転写フィルムの絶縁保護層形成面におけるSvは2.5μm、Szは6.6μm、Saは0.41μmであった。Svの変動係数は0.12、Szの変更係数は0.08であった。剥離強度の最小値は0.60N/50mm、最大値は0.76N/50mm、平均値は0.68N/50mmであった。
転写フィルムとして厚さが50μmのPETフィルムを用いた。転写フィルムを剥離した後の絶縁保護層の表面は艶消し表面となっていた。転写フィルムの絶縁保護層形成面におけるSvは5.9μm、Szは9.6μm、Saは0.69μmであった。Svの変動係数は0.07、Szの変更係数は0.09であった。剥離強度の最小値は0.98N/50mm、最大値は1.50N/50mm、平均値は1.25N/50mmであった。
転写フィルムとして厚さが50μmのPETフィルムを用いた。転写フィルムを剥離した後の絶縁保護層の表面は艶消し表面となっていた。転写フィルムの絶縁保護層形成面におけるSvは6.8μm、Szは11.4μm、Saは0.48μmであった。Svの変動係数は0.43、Szの変更係数は0.40であった。剥離強度の最小値は7.0N/50mm、最大値は10N/50mmを越えており測定できなかった。
転写フィルムとして厚さが50μmのPETフィルムを用いた。転写フィルムを剥離した後の絶縁保護層の表面は光沢がある表面となっていた。転写フィルムの絶縁保護層形成面におけるSvは0.8μm、Szは1.3μm、Saは0.06μmであった。Svの変動係数は0.23、Szの変更係数は0.13であった。剥離強度の最小値は0.08N/50mm、最大値は0.15N/50mm、平均値は0.10N/50mmであった。
102 プリント配線基板
103 シールド配線基板
111 導電性接着剤層
112 絶縁保護層
113 シールド層
115 転写フィルム
121 絶縁フィルム
122 ベース部材
123 接着剤層
125 グランド回路
転写フィルムとして厚さが50μmのPETフィルムを用いた。転写フィルムを剥離した後の絶縁保護層の表面は艶消し表面となっていた。転写フィルムの絶縁保護層形成面におけるSvは5.9μm、Szは9.6μm、Saは0.69μmであった。Svの変動係数は0.07、Szの変更係数は0.09であった。剥離強度の最小値は0.98N/50mm、最大値は1.50N/50mm、平均値は1.25N/50mmであった。
Claims (2)
- 絶縁保護層と、
前記絶縁保護層の表面に設けられた転写フィルムと、
前記絶縁保護層の前記転写フィルムと反対側に設けられた導電性接着剤層とを備え、
前記転写フィルムの前記絶縁保護層側の面は、最大谷深さ(Sv)が1μm以上、6μm以下、最大高さ(Sz)が2μm以上、10μm以下である、電磁波シールドフィルム。 - 前記転写フィルムの前記絶縁保護層側の面における最大谷深さ(Sv)の変動係数及び最大高さ(Sz)の変動係数は、0.2以下である、請求項1に記載の電磁波シールドフィルム。
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