JP2019140340A - Liquid processing device and method for determining liquid film state - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板上に処理液の液膜を形成し、当該液膜により基板に対して所定の処理を行う液処理装置及び上記液膜の状態を判定する方法に関する。 The present invention relates to a liquid processing apparatus that forms a liquid film of a processing liquid on a substrate and performs a predetermined process on the substrate using the liquid film, and a method for determining the state of the liquid film.
例えば半導体デバイスの製造工程におけるフォトリソグラフィー工程では、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、所定のパターンに露光されたレジスト膜を現像する現像処理などの一連の処理が順次行われ、ウェハ上に所定のレジストパターンが形成される。これらの一連の処理は、ウェハを処理する各種処理部やウェハを搬送する搬送機構などを搭載した基板処理システムである塗布現像処理システムで行われている。 For example, in a photolithography process in a semiconductor device manufacturing process, for example, a resist coating process for applying a resist solution on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”) to form a resist film, and a resist film exposed to a predetermined pattern A series of processes such as a developing process for developing the film is sequentially performed, and a predetermined resist pattern is formed on the wafer. These series of processes are performed by a coating and developing system that is a substrate processing system equipped with various processing units for processing a wafer, a transfer mechanism for transferring a wafer, and the like.
この塗布現像処理システムにおいてレジスト液等の処理液を用いて行われるレジスト膜形成処理等の液処理は、通常、液処理装置で行われている。液処理装置は、ウェハを保持するチャックと、処理液をウェハに供給するノズルと、チャックに保持されるウェハを囲み得るようにチャックの外側に配置されるカップと、を備え、チャックに保持されたウェハに対して、上記ノズルからレジスト液等の処理液が供給されて当該ウェハ上に液膜が形成される。 In this coating and developing system, a liquid process such as a resist film forming process performed using a processing liquid such as a resist liquid is usually performed by a liquid processing apparatus. The liquid processing apparatus includes a chuck that holds a wafer, a nozzle that supplies a processing liquid to the wafer, and a cup that is disposed outside the chuck so as to surround the wafer held by the chuck, and is held by the chuck. A processing solution such as a resist solution is supplied to the wafer from the nozzle, and a liquid film is formed on the wafer.
液処理に際しては、ウェハ上の液膜の状態の監視を求められることがある。特許文献１の液処理装置では、カップの上部開口を塞ぎ上方に延出した形状を有する上部蓋部材内に、撮影時の照明として用いられるストロボと、ウェハの表面を撮影するＣＣＤカメラとを備えており、ウェハ上に供給されたレジスト液をＣＣＤカメラにより撮影している。また、特許文献１の液処理装置では、撮影画像において、レジスト液に覆われずにウェハの表面が露出した箇所が白画素となり、ウェハ上のレジスト液が塗布された箇所が黒画素となるものとして、撮影画像からウェハ上のレジスト液の形状を判断している。 During liquid processing, monitoring of the state of the liquid film on the wafer may be required. The liquid processing apparatus of Patent Document 1 includes a strobe used as illumination at the time of photographing and a CCD camera for photographing the surface of a wafer in an upper lid member having a shape that closes the upper opening of the cup and extends upward. The resist solution supplied on the wafer is photographed with a CCD camera. Further, in the liquid processing apparatus of Patent Document 1, in the photographed image, a portion where the surface of the wafer is exposed without being covered with the resist solution is a white pixel, and a portion where the resist solution is applied on the wafer is a black pixel. The shape of the resist solution on the wafer is determined from the photographed image.
しかし、ウェハを撮影すると、ウェハ表面に形成された回路パターンの影響により、ウェハのレジスト液に覆われてない部分と覆われた部分とで同様な撮影結果となってしまったり、照明の照射範囲によってはウェハ以外の他の構造物（例えばノズル）がウェハの表面に映り込んでしまったりする等、外乱の影響を受けることがある。したがって、撮影結果から、ウェハ上の液膜の状態を正確に判定するのは難しい場合がある。特に、人間の目視によらない自動の判定を行うのは困難な場合がある。
特許文献１には、この点に関し、何らの開示の示唆もしていない。
However, when the wafer is photographed, due to the influence of the circuit pattern formed on the wafer surface, similar photographing results may be obtained between the uncovered portion and the covered portion of the wafer, or the illumination range. Depending on the case, other structures (for example, nozzles) other than the wafer may be reflected on the surface of the wafer and may be affected by disturbance. Therefore, it may be difficult to accurately determine the state of the liquid film on the wafer from the imaging result. In particular, it may be difficult to perform automatic determination that does not depend on human eyes.
Patent Document 1 does not suggest any disclosure regarding this point.
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、基板上に形成された液膜の状態を正確に判定することができるようにすることをその目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to enable accurate determination of the state of a liquid film formed on a substrate.
上記課題を解決する本発明は、基板上に処理液の液膜を形成し、当該液膜により基板に対して所定の処理を行う液処理装置であって、基板を保持する基板保持部と、該基板保持部に保持された基板に対して処理液を供給する処理液供給部材と、該処理液供給部材から供給された処理液により基板上に形成された前記液膜に光を照射する照射部と、該照射部から光が照射されている前記液膜を撮像する撮像部と、を備え、前記照射部は、前記基板保持部に保持される基板の外側に設けられ、前記撮像部は、前記照射部から出射され前記液膜の当該撮像部とは反対側の側端面から当該液膜に入射し当該液膜中を導光され当該液膜の当該撮像部側の側面から出射された光を受光する位置に設けられていることを特徴としている。 The present invention that solves the above problems is a liquid processing apparatus that forms a liquid film of a processing liquid on a substrate and performs a predetermined process on the substrate with the liquid film, and a substrate holding unit that holds the substrate; A treatment liquid supply member that supplies a treatment liquid to the substrate held by the substrate holder, and irradiation that irradiates light onto the liquid film formed on the substrate by the treatment liquid supplied from the treatment liquid supply member And an imaging unit that images the liquid film irradiated with light from the irradiation unit, and the irradiation unit is provided outside the substrate held by the substrate holding unit, The liquid film is emitted from the side end surface of the liquid film opposite to the imaging unit, is incident on the liquid film, is guided through the liquid film, and is emitted from the side surface of the liquid film on the imaging unit side. It is provided at a position for receiving light.
前記撮像部による撮像結果に基づいて、基板上に形成された前記液膜の状態を判定する判定部を備えてもよい。 You may provide the determination part which determines the state of the said liquid film formed on the board | substrate based on the imaging result by the said imaging part.
前記判定部により、基板上に形成された前記液膜の状態が不良であると判定された場合に、警告を出力する出力部を備えてもよい。 The determination unit may include an output unit that outputs a warning when it is determined that the state of the liquid film formed on the substrate is defective.
前記照射部は、複数の領域に分割され、前記領域毎に独立して制御され、前記領域それぞれと、前記基板保持部を間に挟んで対向する位置に前記撮像部が配設されていてもよい。 The irradiation unit may be divided into a plurality of regions and controlled independently for each region, and the imaging unit may be disposed at a position facing each of the regions with the substrate holding unit interposed therebetween. Good.
前記基板保持部に保持される基板を囲み得るように、前記基板保持部の外側に配置されると共に、前記基板保持部に対する基板の受け渡しの際に当該基板が通過する開口を有するカップを備え、前記照射部は、前記カップの前記開口の縁部に沿って設けられていてもよい。 The cup is disposed outside the substrate holding unit so as to surround the substrate held by the substrate holding unit, and has a cup having an opening through which the substrate passes when the substrate is transferred to the substrate holding unit, The irradiation unit may be provided along an edge of the opening of the cup.
前記基板保持部に保持される基板を囲み得るように、前記基板保持部の外側に配置されたカップを備え、当該カップは、前記照射部からの光を透過する材料で形成され、前記照射部は、前記カップの外側に設けられていてもよい。 A cup disposed outside the substrate holding unit so as to surround the substrate held by the substrate holding unit; the cup is formed of a material that transmits light from the irradiation unit; May be provided outside the cup.
前記照射部は、照射する光の波長を切替可能に構成されていてもよい。 The said irradiation part may be comprised so that switching of the wavelength of the light to irradiate is possible.
前記照射部からの光の照射角を調整する調整機構を備えていてもよい。 You may provide the adjustment mechanism which adjusts the irradiation angle of the light from the said irradiation part.
前記撮像部の位置は、前記照射部から出射され前記基板保持部に保持された基板の上面で反射された光、及び、前記照射部から出射され前記液膜の上面で反射された光のいずれも受光しない位置であってもよい。 The position of the imaging unit is any of the light emitted from the irradiation unit and reflected by the upper surface of the substrate held by the substrate holding unit, and the light emitted from the irradiation unit and reflected by the upper surface of the liquid film Also, it may be a position where no light is received.
別な観点による本発明は、基板上に形成された処理液の液膜の状態を判定する判定方法であって、基板保持部に保持された基板に対して処理液を供給して当該基板上に液膜を形成する液膜形成工程と、前記基板保持部に保持された基板の外側に設けられた照射部から、基板上に形成された液膜に光を照射する工程と、前記照射部から出射され前記液膜の撮像装置側と反対側の側端面から当該液膜に入射し当該液膜中を導光され当該液膜の前記撮像装置側の側端面から出射された光を受光する位置に設けられた撮像部により、前記照射部から光が照射されている前記液膜を撮像する撮像工程と、該撮像工程での撮像結果に基づいて、前記液膜の状態を判定する判定工程とを含むことを特徴としている。 Another aspect of the present invention is a determination method for determining a state of a liquid film of a processing liquid formed on a substrate, the processing liquid being supplied to the substrate held by the substrate holding unit, A liquid film forming step of forming a liquid film on the substrate, a step of irradiating light on the liquid film formed on the substrate from an irradiation unit provided outside the substrate held by the substrate holding unit, and the irradiation unit Is incident on the liquid film from the side end surface opposite to the imaging device side of the liquid film, guided through the liquid film, and receives light emitted from the side end surface of the liquid film on the imaging device side. An imaging step of imaging the liquid film irradiated with light from the irradiation unit by an imaging unit provided at a position, and a determination step of determining the state of the liquid film based on an imaging result in the imaging step It is characterized by including.
本発明によれば、基板上に形成された液膜の状態を正確に判定することができる。 According to the present invention, the state of the liquid film formed on the substrate can be accurately determined.
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the present specification and drawings, elements having substantially the same functional configuration are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる液処理装置を備えた基板処理システム１の構成の概略を示す説明図である。図２及び図３は、各々基板処理システム１の内部構成の概略を模式的に示す、正面図と背面図である。なお、本実施の形態では、処理液がレジスト液であり、液処理装置が基板にレジスト液による液膜を形成するレジスト膜形成装置である場合を例にとって説明する。 Embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is an explanatory diagram showing an outline of a configuration of a substrate processing system 1 including a liquid processing apparatus according to the present embodiment. 2 and 3 are a front view and a rear view, respectively, schematically showing the outline of the internal configuration of the substrate processing system 1. In this embodiment, the case where the processing liquid is a resist liquid and the liquid processing apparatus is a resist film forming apparatus that forms a liquid film with a resist liquid on a substrate will be described as an example.
基板処理システム１は、図１に示すように複数枚のウェハＷを収容したカセットＣが搬入出されるカセットステーション１０と、ウェハＷに所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーション１１と、処理ステーション１１に隣接する露光装置１２との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション１３とを一体に接続した構成を有している。 As shown in FIG. 1, the substrate processing system 1 includes a cassette station 10 in which a cassette C containing a plurality of wafers W is loaded and unloaded, and a processing station 11 having a plurality of various processing apparatuses for performing predetermined processing on the wafers W. And an interface station 13 that transfers the wafer W to and from the exposure apparatus 12 adjacent to the processing station 11 is integrally connected.
カセットステーション１０には、カセット載置台２０が設けられている。カセット載置台２０には、基板処理システム１の外部に対してカセットＣを搬入出する際に、カセットＣを載置するカセット載置板２１が複数設けられている。 The cassette station 10 is provided with a cassette mounting table 20. The cassette mounting table 20 is provided with a plurality of cassette mounting plates 21 on which the cassette C is mounted when the cassette C is carried into and out of the substrate processing system 1.
カセットステーション１０には、図１に示すようにＸ方向に延びる搬送路２２上を移動自在なウェハ搬送装置２３が設けられている。ウェハ搬送装置２３は、上下方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各カセット載置板２１上のカセットＣと、後述する処理ステーション１１の第３のブロックＧ３の受け渡し装置との間でウェハＷを搬送できる。 As shown in FIG. 1, the cassette station 10 is provided with a wafer transfer device 23 that is movable on a transfer path 22 that extends in the X direction. The wafer transfer device 23 is also movable in the vertical direction and the vertical axis direction (θ direction), and includes a cassette C on each cassette mounting plate 21 and a delivery device for a third block G3 of the processing station 11 described later. The wafer W can be transferred between the two.
処理ステーション１１には、各種装置を備えた複数、例えば第１〜第４の４つのブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が設けられている。例えば処理ステーション１１の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、第１のブロックＧ１が設けられ、処理ステーション１１の背面側（図１のＸ方向正方向側）には、第２のブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション１１のカセットステーション１０側（図１のＹ方向負方向側）には、第３のブロックＧ３が設けられ、処理ステーション１１のインターフェイスステーション１３側（図１のＹ方向正方向側）には、第４のブロックＧ４が設けられている。 The processing station 11 is provided with a plurality of, for example, first to fourth blocks G1, G2, G3, and G4 having various devices. For example, the first block G1 is provided on the front side of the processing station 11 (X direction negative direction side in FIG. 1), and the second block is provided on the back side of the processing station 11 (X direction positive direction side in FIG. 1). Block G2 is provided. A third block G3 is provided on the cassette station 10 side (Y direction negative direction side in FIG. 1) of the processing station 11, and the interface station 13 side (Y direction positive direction side in FIG. 1) of the processing station 11 is provided. Is provided with a fourth block G4.
例えば第１のブロックＧ１には、図２に示すように複数の液処理装置、例えばウェハＷを現像処理する現像処理装置３０、ウェハＷのレジスト膜の下層に反射防止膜（以下「下部反射防止膜」という）を形成する下部反射防止膜形成装置３１、ウェハＷにレジスト液を供給してレジスト膜を形成するレジスト膜形成装置３２、ウェハＷのレジスト膜の上層に反射防止膜（以下「上部反射防止膜」という）を形成する上部反射防止膜形成装置３３が下からこの順に配置されている。 For example, in the first block G1, as shown in FIG. 2, a plurality of liquid processing apparatuses, for example, a development processing apparatus 30 that develops the wafer W, an antireflection film (hereinafter referred to as “lower antireflection”) under the resist film of the wafer W. A lower antireflection film forming apparatus 31 for forming a film), a resist film forming apparatus 32 for supplying a resist solution to the wafer W to form a resist film, and an antireflection film (hereinafter referred to as “upper part” on the resist film of the wafer W). An upper antireflection film forming device 33 for forming an “antireflection film” is arranged in this order from the bottom.
例えば現像処理装置３０、下部反射防止膜形成装置３１、レジスト膜形成装置３２、上部反射防止膜形成装置３３は、それぞれ水平方向に３つ並べて配置されている。なお、これら現像処理装置３０、下部反射防止膜形成装置３１、レジスト膜形成装置３２、上部反射防止膜形成装置３３の数や配置は、任意に選択できる。 For example, the development processing device 30, the lower antireflection film forming device 31, the resist film forming device 32, and the upper antireflection film forming device 33 are arranged in a horizontal direction. Note that the number and arrangement of the development processing device 30, the lower antireflection film forming device 31, the resist film forming device 32, and the upper antireflection film forming device 33 can be arbitrarily selected.
例えば第２のブロックＧ２には、図３に示すようにウェハＷの加熱や冷却といった熱処理を行う熱処理装置４０や、レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置４１、ウェハＷの外周部を露光する周辺露光装置４２が上下方向と水平方向に並べて設けられている。これら熱処理装置４０、アドヒージョン装置４１、周辺露光装置４２の数や配置についても、任意に選択できる。 For example, in the second block G2, as shown in FIG. 3, a heat treatment apparatus 40 for performing heat treatment such as heating and cooling of the wafer W, an adhesion apparatus 41 for improving the fixability between the resist solution and the wafer W, and the wafer W A peripheral exposure device 42 for exposing the outer peripheral portion is provided side by side in the vertical direction and the horizontal direction. The number and arrangement of the heat treatment apparatus 40, the adhesion apparatus 41, and the peripheral exposure apparatus 42 can be arbitrarily selected.
例えば第３のブロックＧ３には、複数の受け渡し装置５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６が下から順に設けられている。また、第４のブロックＧ４には、複数の受け渡し装置６０、６１、６２が下から順に設けられている。 For example, in the third block G3, a plurality of delivery devices 50, 51, 52, 53, 54, 55, and 56 are provided in order from the bottom. The fourth block G4 is provided with a plurality of delivery devices 60, 61, 62 in order from the bottom.
図１に示すように第１のブロックＧ１〜第４のブロックＧ４に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Ｄが形成されている。ウェハ搬送領域Ｄには、例えばＹ方向、Ｘ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム７０ａを有する、ウェハ搬送装置７０が複数配置されている。ウェハ搬送装置７０は、ウェハ搬送領域Ｄ内を移動し、周囲の第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、第３のブロックＧ３及び第４のブロックＧ４内の所定の装置にウェハＷを搬送できる。 As shown in FIG. 1, a wafer transfer region D is formed in a region surrounded by the first block G1 to the fourth block G4. In the wafer transfer region D, for example, a plurality of wafer transfer devices 70 having transfer arms 70a that are movable in the Y direction, the X direction, the θ direction, and the vertical direction are arranged. The wafer transfer device 70 moves in the wafer transfer area D and transfers the wafer W to a predetermined device in the surrounding first block G1, second block G2, third block G3, and fourth block G4. it can.
また、ウェハ搬送領域Ｄには、第３のブロックＧ３と第４のブロックＧ４との間で直線的にウェハＷを搬送するシャトル搬送装置８０が設けられている。 Further, in the wafer transfer region D, a shuttle transfer device 80 that transfers the wafer W linearly between the third block G3 and the fourth block G4 is provided.
シャトル搬送装置８０は、例えば図３のＹ方向に直線的に移動自在になっている。シャトル搬送装置８０は、ウェハＷを支持した状態でＹ方向に移動し、第３のブロックＧ３の受け渡し装置５２と第４のブロックＧ４の受け渡し装置６２との間でウェハＷを搬送できる。 The shuttle conveyance device 80 is linearly movable in the Y direction of FIG. 3, for example. The shuttle transfer device 80 moves in the Y direction while supporting the wafer W, and can transfer the wafer W between the transfer device 52 of the third block G3 and the transfer device 62 of the fourth block G4.
図１に示すように第３のブロックＧ３のＸ方向正方向側の隣には、ウェハ搬送装置１００が設けられている。ウェハ搬送装置１００は、例えばＸ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム１００ａを有している。ウェハ搬送装置１００は、搬送アーム１００ａによってウェハＷを支持した状態で上下に移動して、第３のブロックＧ３内の各受け渡し装置にウェハＷを搬送できる。 As shown in FIG. 1, a wafer transfer apparatus 100 is provided next to the third block G3 on the positive side in the X direction. The wafer transfer apparatus 100 includes a transfer arm 100a that is movable in the X direction, the θ direction, and the vertical direction, for example. The wafer transfer apparatus 100 can move up and down while supporting the wafer W by the transfer arm 100a, and can transfer the wafer W to each delivery apparatus in the third block G3.
インターフェイスステーション１３には、ウェハ搬送装置１１０と受け渡し装置１１１が設けられている。ウェハ搬送装置１１０は、例えばＹ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム１１０ａを有している。ウェハ搬送装置１１０は、例えば搬送アーム１１０ａにウェハＷを支持して、第４のブロックＧ４内の各受け渡し装置、受け渡し装置１１１及び露光装置１２との間でウェハＷを搬送できる。 The interface station 13 is provided with a wafer transfer device 110 and a delivery device 111. The wafer transfer device 110 includes a transfer arm 110a that is movable in the Y direction, the θ direction, and the vertical direction, for example. For example, the wafer transfer device 110 can support the wafer W on the transfer arm 110a and transfer the wafer W between each transfer device, the transfer device 111, and the exposure device 12 in the fourth block G4.
次に、上述したレジスト膜形成装置３２の構成について図４〜図８を用いて説明する。図４及び図５はそれぞれ、レジスト膜形成装置３２の構成の概略を示す縦断面図及び横断面図である。図６は、光源からの光が撮像装置に受光される様子を模式的に示す側面図である。図７は、光源の光軸を基板の表面と略平行にして、円板状の液膜に光を照射したときに、光源と対向する位置に設けられた撮像装置により取得される画像を説明する模式平面図である。図８は後述の照射部の一例を示す模式平面図である。 Next, the configuration of the resist film forming apparatus 32 described above will be described with reference to FIGS. 4 and 5 are a longitudinal sectional view and a transverse sectional view showing the outline of the configuration of the resist film forming apparatus 32, respectively. FIG. 6 is a side view schematically showing how the light from the light source is received by the imaging device. FIG. 7 illustrates an image acquired by an imaging device provided at a position facing the light source when the optical axis of the light source is substantially parallel to the surface of the substrate and light is irradiated onto the disk-shaped liquid film. It is a model top view to do. FIG. 8 is a schematic plan view showing an example of an irradiation unit described later.
レジスト膜形成装置３２は、図４、図５に示すように内部を密閉可能な処理容器１２０を有している。処理容器１２０の側面には、ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成されている。 As shown in FIGS. 4 and 5, the resist film forming apparatus 32 has a processing container 120 that can be hermetically sealed. A loading / unloading port (not shown) for the wafer W is formed on the side surface of the processing container 120.
処理容器１２０内には、ウェハＷを保持する基板保持部としてのスピンチャック１２１が設けられている。このスピンチャック１２１は、保持したウェハＷを回転させることもできる。スピンチャック１２１は、例えばモータなどのチャック駆動部１２２により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部１２２には、例えばシリンダなどの昇降駆動機構が設けられており、スピンチャック１２１は昇降自在になっている。ない、スピンチャック１２１の下方には、ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられている。 A spin chuck 121 as a substrate holding unit that holds the wafer W is provided in the processing container 120. The spin chuck 121 can also rotate the held wafer W. The spin chuck 121 can be rotated at a predetermined speed by a chuck driving unit 122 such as a motor. In addition, the chuck driving unit 122 is provided with an elevating drive mechanism such as a cylinder, and the spin chuck 121 can be moved up and down. On the lower side of the spin chuck 121, lifting pins (not shown) for supporting the wafer W from below and lifting it are provided.
また、処理容器１２０内には、スピンチャック１２１に保持されるウェハＷを囲み得るようにスピンチャック１２１の外側に配置されるカップ１２５が設けられている。カップ１２５は、ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するアウターカップ１３０と、アウターカップ１３０の内周側に位置するインナーカップ１４０と、を含む。アウターカップ１３０の上部には、スピンチャック１２１に対するウェハＷの受け渡しの前後にウェハＷが通過する開口１３１が形成されている。 A cup 125 disposed outside the spin chuck 121 is provided in the processing container 120 so as to surround the wafer W held by the spin chuck 121. The cup 125 includes an outer cup 130 that receives and collects liquid that scatters or falls from the wafer W, and an inner cup 140 that is positioned on the inner peripheral side of the outer cup 130. In the upper part of the outer cup 130, an opening 131 through which the wafer W passes is formed before and after the delivery of the wafer W to the spin chuck 121.
図５に示すようにアウターカップ１３０のＸ方向負方向（図５の下方向）側には、Ｙ方向（図５の左右方向）に沿って延伸するレール１５０が形成されている。レール１５０は、例えばアウターカップ１３０のＹ方向負方向（図５の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図５の右方向）側の外方まで形成されている。レール１５０には、２本のアーム１５１、１５２が設けられている。 As shown in FIG. 5, a rail 150 extending along the Y direction (left and right direction in FIG. 5) is formed on the negative X direction (downward direction in FIG. 5) side of the outer cup 130. The rail 150 is formed from, for example, the outer side of the outer cup 130 on the Y direction negative direction (left direction in FIG. 5) to the outer side on the Y direction positive direction (right direction in FIG. 5). The rail 150 is provided with two arms 151 and 152.
第１のアーム１５１には、処理液としてレジスト液をウェハＷ供給する、処理液供給部材であるレジスト液供給ノズル１５３が支持されている。第１のアーム１５１は、移動機構としてのノズル駆動部１５４により、レール１５０上を移動自在である。これにより、レジスト液供給ノズル１５３は、アウターカップ１３０のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部１５５からアウターカップ１３０内のウェハＷの中心部上方を通って、アウターカップ１３０のＹ方向負方向側の外側に設けられた待機部１５６まで移動できる。また、ノズル駆動部１５４によって、第１のアーム１５１は昇降自在であり、レジスト液供給ノズル１５３の高さを調節できる。 The first arm 151 supports a resist solution supply nozzle 153 that is a processing solution supply member that supplies a wafer W as a processing solution. The first arm 151 is movable on the rail 150 by a nozzle driving unit 154 as a moving mechanism. Thus, the resist solution supply nozzle 153 passes from the standby portion 155 installed on the outer side of the outer cup 130 on the positive side in the Y direction through the center portion of the wafer W in the outer cup 130 and passes through the Y of the outer cup 130. It is possible to move to a standby unit 156 provided outside the negative direction side. Further, the first arm 151 can be raised and lowered by the nozzle driving unit 154, and the height of the resist solution supply nozzle 153 can be adjusted.
第２のアーム１５２には、ウェハＷ上にシンナー等の有機溶剤を供給する溶剤供給ノズル１５７が支持されている。第２のアーム１５２は、移動機構としてのノズル駆動部１５８によってレール１５０上を移動自在となっている。これにより、溶剤供給ノズル１５７は、アウターカップ１３０のＹ方向正方向側の外側に設けられた待機部１５９から、アウターカップ１３０内のウェハＷの中心部上方まで移動できる。待機部１５９は、待機部１５５のＹ方向正方向側に設けられている。また、ノズル駆動部１５８によって、第２のアーム１５２は昇降自在であり、溶剤供給ノズル１５７の高さを調節できる。 A solvent supply nozzle 157 for supplying an organic solvent such as thinner onto the wafer W is supported on the second arm 152. The second arm 152 is movable on the rail 150 by a nozzle driving unit 158 as a moving mechanism. Thereby, the solvent supply nozzle 157 can move from the standby unit 159 provided on the outer side of the outer cup 130 on the Y direction positive direction side to above the center portion of the wafer W in the outer cup 130. The standby unit 159 is provided on the Y direction positive direction side of the standby unit 155. Further, the second arm 152 can be moved up and down by the nozzle driving unit 158, and the height of the solvent supply nozzle 157 can be adjusted.
溶剤供給ノズル１５７から供給される有機溶剤は、レジスト液がウェハＷ上で拡散し易くするためにレジスト液の塗布前に行われるプリウェット処理の際に、ウェハＷ上に供給されるプリウェット液として機能する。 The organic solvent supplied from the solvent supply nozzle 157 is a pre-wet liquid supplied onto the wafer W during a pre-wet process performed before the application of the resist liquid in order to facilitate the diffusion of the resist liquid on the wafer W. Function as.
また、処理容器１２０内には、スピンチャック１２１に保持されたウェハＷ上に形成されたレジスト液による液膜に光を照射する照射部１６０と、照射部１６０から光が照射されているウェハＷ上の液膜を撮像する撮像部１７０とが設けられている。照射部１６０による光のタイミング及び撮像部１７０による撮像のタイミングは後述の制御部２００により制御され、また、撮像部１７０での撮像結果は当該制御部２００に出力される。 Further, in the processing container 120, an irradiation unit 160 that irradiates light onto a liquid film made of a resist solution formed on the wafer W held on the spin chuck 121, and a wafer W that is irradiated with light from the irradiation unit 160. An imaging unit 170 that images the upper liquid film is provided. The timing of light by the irradiation unit 160 and the timing of imaging by the imaging unit 170 are controlled by the control unit 200 described later, and the imaging result of the imaging unit 170 is output to the control unit 200.
本発明者らの実験によれば、図６に示すように、光源Ｓと撮像装置ＩとをウェハＷを挟んで対向するように配置させ、光源Ｓの光軸を、ウェハＷに対して角度をつけずに例えばウェハＷの表面と略平行にし、円板状の液膜Ｆの光源Ｓ側の側端面Ｆ１に光を照射すると、撮像装置Ｉにより以下の画像が得られる。すなわち、図７に示すように、ウェハＷ上面及び液膜Ｆの上面Ｆ３は光らずに、上記側端面Ｆ１及び光源Ｓとは反対側の側端面Ｆ２が光り、その他の側端面Ｆ４が光らない画像が得られる。側端面Ｆ２が光る理由／明るくなる理由としては、図６に示すように、光源Ｓからの光をウェハＷに対して角度をつけずにおくと、光源Ｓから出射され液膜Ｆ中に光源Ｓ側の端面Ｆ１から入射した光が、ウェハＷによる反射と、液膜Ｆの上面での全反射を交互に繰り返し、液膜Ｆ中を効率良く伝播し、液膜Ｆの反対側の端面Ｆ２から出射され、撮像装置Ｉに受光されるため、と考えられる。なお、側端面Ｆ１が明るくなる理由は光源Ｓからの光が側端面Ｆ１により反射され撮像装置Ｉに受光されるため、と考えられる。 According to the experiments by the present inventors, as shown in FIG. 6, the light source S and the imaging device I are disposed so as to face each other with the wafer W interposed therebetween, and the optical axis of the light source S is angled with respect to the wafer W. For example, the imaging device I obtains the following image by irradiating the side end surface F1 on the light source S side of the disk-shaped liquid film F with light substantially without being attached. That is, as shown in FIG. 7, the upper surface F3 of the wafer W and the upper surface F3 of the liquid film F do not shine, the side end surface F2 opposite to the side end surface F1 and the light source S shines, and the other side end surfaces F4 do not shine. An image is obtained. The reason why the side end face F2 shines / becomes brighter is that, as shown in FIG. 6, if the light from the light source S is kept at an angle with respect to the wafer W, the light is emitted from the light source S and into the liquid film F. The light incident from the end surface F1 on the S side alternately repeats reflection by the wafer W and total reflection on the upper surface of the liquid film F, and efficiently propagates in the liquid film F. The end surface F2 on the opposite side of the liquid film F This is considered to be because the light is emitted from the light source and received by the imaging device I. Note that the reason why the side end face F1 becomes bright is that light from the light source S is reflected by the side end face F1 and received by the imaging device I.
この結果を踏まえると、液膜に光を照射する照射部と液膜を撮像する撮像部との位置関係などを調整することにより、液膜Ｆの側端面のみが全周にわたって明るい像を得ることができる。このような画像が得られれば、ウェハＷ上の液膜Ｆの外周形状を判定することができ、該液膜Ｆの状態を判定することができる。 Based on this result, by adjusting the positional relationship between the irradiation unit that irradiates the liquid film with light and the imaging unit that images the liquid film, a bright image is obtained only on the side end surface of the liquid film F over the entire circumference. Can do. If such an image is obtained, the outer peripheral shape of the liquid film F on the wafer W can be determined, and the state of the liquid film F can be determined.
上述の検討結果に基づき、本実施形態では、照射部１６０と撮像部１７０の構成や互いの位置関係等は、以下のようになっている。 Based on the above examination results, in the present embodiment, the configuration of the irradiation unit 160 and the imaging unit 170, the positional relationship between them, and the like are as follows.
照射部１６０は、図５に示すように、平面視環状に形成され、また、スピンチャック１２１に保持されるウェハＷの外側に設けられ、具体的には、アウターカップ１３０の開口１３１の縁部に沿って設けられている。この照射部１６０は、水平方向に幅のある側面視略線状の光を内側に向けて出射可能に構成されると共に、その光軸がウェハＷの表面と略平行になるように配設されている。なお、照射部１６０は、例えば図８に示すように、内側に向けて光を出射する複数の光源（例えばＬＥＤ）１６１が同一円周上に並べられて構成されている。 As shown in FIG. 5, the irradiation unit 160 is formed in an annular shape in plan view, and is provided outside the wafer W held by the spin chuck 121, specifically, the edge of the opening 131 of the outer cup 130. It is provided along. The irradiating unit 160 is configured to be able to emit light that is substantially linear in side view with a width in the horizontal direction, and is disposed so that its optical axis is substantially parallel to the surface of the wafer W. ing. As shown in FIG. 8, for example, the irradiation unit 160 is configured by arranging a plurality of light sources (for example, LEDs) 161 that emit light inwardly on the same circumference.
撮像部１７０の位置は以下の通りである。すなわち、照射部１６０から出射されレジスト液の液膜の撮像部１７０とは反対側の側端面（図７の符号Ｆ１参照）から当該液膜に入射し当該液膜中を導光され当該液膜の撮像部１７０側の側端面（図７の符号Ｆ２参照）から出射された光を受光する位置に、撮像部１７０は設けられている。また、本実施形態における撮像部１７０の位置は、照射部１６０が出射され液膜の撮像部１７０側の側端面以外の側端面（図７の符号Ｆ１、Ｆ４参照）で反射された光が当該撮像部１７０に受光される位置である。さらに、本実施形態における撮像部１７０の位置は、照射部１６０から出射されウェハＷの上面や液膜の上面（図７の符号Ｆ３）で反射された光が当該撮像部１７０に受光されない位置である。
したがって、本実施形態の撮像部１７０では、液膜のうち側端面のみが明るい画像を得ることができる。
なお、撮像部１７０には例えばＣＣＤカメラを用いることができる。
The position of the imaging unit 170 is as follows. That is, the liquid film of the resist solution emitted from the irradiation unit 160 is incident on the liquid film from the side end surface opposite to the imaging unit 170 (see reference numeral F1 in FIG. 7) and guided through the liquid film. The imaging unit 170 is provided at a position for receiving light emitted from the side end face (see reference numeral F2 in FIG. 7) on the imaging unit 170 side. In addition, the position of the imaging unit 170 in the present embodiment is such that the light reflected from the side end surface other than the side end surface on the imaging unit 170 side of the liquid film (see reference numerals F1 and F4 in FIG. 7) is emitted. This is the position received by the imaging unit 170. Furthermore, the position of the imaging unit 170 in the present embodiment is a position where the imaging unit 170 does not receive the light emitted from the irradiation unit 160 and reflected by the upper surface of the wafer W or the upper surface of the liquid film (reference numeral F3 in FIG. 7). is there.
Therefore, in the imaging unit 170 of the present embodiment, an image can be obtained in which only the side end surface of the liquid film is bright.
For example, a CCD camera can be used for the imaging unit 170.
以上の基板処理システム１には、図１に示すように制御部２００が設けられている。制御部２００は、例えばＣＰＵやメモリなどを備えたコンピュータにより構成され、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、撮像部１７０で撮像された画像に基づいて行われるウェハＷ上の液膜の状態の判定を制御するプログラムが格納されている。これに加えて、プログラム格納部には、上述した各種処理ユニットや搬送装置などの駆動系の動作を制御して、基板処理システム１の所定の作用、すなわちウェハＷへのレジスト液の塗布、現像、加熱処理、ウェハＷの受け渡し、各ユニットの制御などを実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばハードディスク（ＨＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部２００にインストールされたものであってもよい。 The substrate processing system 1 is provided with a control unit 200 as shown in FIG. The control unit 200 is configured by a computer including, for example, a CPU and a memory, and has a program storage unit (not shown). The program storage unit stores a program that controls determination of the state of the liquid film on the wafer W performed based on the image captured by the imaging unit 170. In addition, the program storage unit controls the operation of driving systems such as the above-described various processing units and transfer devices to perform predetermined operations of the substrate processing system 1, that is, application and development of a resist solution to the wafer W. Also stored are programs for realizing heat treatment, wafer W delivery, control of each unit, and the like. The program is recorded on a computer-readable storage medium H such as a hard disk (HD), a compact disk (CD), a magnetic optical disk (MO), a memory card, and the like. It may be installed in the control unit 200 from H.
図９は、制御部２００の構成の概略を模式的に示すブロック図である。
制御部２００は、図９に示すように、撮像部１７０で撮像された画像に基づいてウェハＷ上に形成されたレジスト液の液膜の状態を判定する判定部２１０と、判定部２１０の判定で用いられる基準画像や撮像部１７０で撮像された画像を記憶する記憶部２１１と、撮像部１７０で撮像された画像等を表示する表示部２１２とを有する。
FIG. 9 is a block diagram schematically illustrating the outline of the configuration of the control unit 200.
As shown in FIG. 9, the control unit 200 determines the state of the resist film formed on the wafer W based on the image captured by the image capturing unit 170, and the determination by the determination unit 210. A storage unit 211 that stores a reference image used in the above and an image captured by the imaging unit 170, and a display unit 212 that displays an image captured by the imaging unit 170 and the like.
判定部２１０は、撮像結果に基づいて、ウェハＷ上の液膜が所望の外周形状を有するかの判定を行う。この判定は、例えば、撮像部１７０で撮像された画像中の明るい部分すなわちレジスト液の液膜の外周形状を示す部分と基準画像とをパターンマッチングにより比較することで行われる。例えば、マッチング度が所定の範囲内であれば、上記液膜の外周形状を示す画像と基準画像とが一致し液膜が所望の外周形状を有すると判定し、マッチング度が所定の範囲内になければ上記液膜の外周形状を示す画像と基準画像とが一致せず液膜が所望の外周形状を有さないと判定する。なお、基準画像は、例えば、実際にスピンチャック１２１に保持されたウェハＷ上に所望の形状（例えば平面視略真円の平板形状）の液膜を形成し当該液膜を撮像部１７０で撮像した画像から事前に得ることができる。 The determination unit 210 determines whether the liquid film on the wafer W has a desired outer peripheral shape based on the imaging result. This determination is performed, for example, by comparing a bright portion in the image picked up by the image pickup unit 170, that is, a portion showing the outer peripheral shape of the liquid film of the resist solution, with a reference image by pattern matching. For example, if the matching degree is within a predetermined range, it is determined that the image showing the outer peripheral shape of the liquid film matches the reference image and the liquid film has a desired outer peripheral shape, and the matching degree is within the predetermined range. Otherwise, it is determined that the image indicating the outer peripheral shape of the liquid film does not match the reference image and the liquid film does not have the desired outer peripheral shape. The reference image is formed, for example, by forming a liquid film having a desired shape (for example, a substantially circular flat plate shape in plan view) on the wafer W actually held by the spin chuck 121 and picking up the liquid film by the imaging unit 170. Can be obtained in advance from the image.
また、判定部２１０は、撮像結果に基づいて、ウェハＷ上の液膜中のレジスト液の量すなわちレジスト液の塗布量が適切であるか否かの判定を行う。この判定は、例えば、撮像部１７０で撮像された画像中の明るい部分で囲まれた領域の面積を計算し、この計算結果に基づいて行う。例えば、計算された面積が基準値を基準とした所定の範囲内の値を示せば、レジスト液の塗布量が適切であると判定し、計算された面積が上記所定の範囲内の値を示さなければレジスト液の塗布量が不適切であると判定する。なお、上記基準値は、例えば、実際にスピンチャック１２１に保持されたウェハＷ上に、所望の量のレジスト液を供給し判定対象の液膜と同じ液膜形成条件（ウェハＷの回転数やウェハＷを回転させる時間等）で液膜を形成し当該液膜を撮像部１７０で撮像した画像から事前に得ることができる。 Further, the determination unit 210 determines whether or not the amount of the resist solution in the liquid film on the wafer W, that is, the coating amount of the resist solution, is appropriate based on the imaging result. For example, the determination is performed based on the calculation result by calculating the area of a region surrounded by a bright portion in the image captured by the imaging unit 170. For example, if the calculated area shows a value within a predetermined range based on the reference value, it is determined that the amount of the resist solution applied is appropriate, and the calculated area shows a value within the predetermined range. If not, it is determined that the coating amount of the resist solution is inappropriate. The reference value may be, for example, a condition in which a desired amount of resist solution is supplied onto the wafer W actually held on the spin chuck 121 and the same liquid film formation conditions as the determination target liquid film (the rotation speed of the wafer W and the like). The liquid film can be formed in advance from an image captured by the imaging unit 170 after the liquid film is formed in the time for rotating the wafer W or the like.
判定部２１０は、液膜が所望の外周形状を有さないと判定した場合、及び、レジスト液の塗布量が不適切であると判定した場合、ウェハＷ上に形成された液膜の状態が不良であると判定する。
表示部２１２は、ウェハＷ上に形成された液膜の状態が不良であると判定部２１０により判定された場合、警告を表示する。なお、表示部２１２は、警告を出力する出力部の一例であるが、警告の出力の形態はこの例に限られず、音声により出力してもよい。
When the determination unit 210 determines that the liquid film does not have a desired outer peripheral shape, and when the determination unit 210 determines that the coating amount of the resist liquid is inappropriate, the state of the liquid film formed on the wafer W is It is determined to be defective.
The display unit 212 displays a warning when the determination unit 210 determines that the state of the liquid film formed on the wafer W is defective. The display unit 212 is an example of an output unit that outputs a warning, but the form of warning output is not limited to this example, and may be output by voice.
次に、以上のように構成された基板処理システム１を用いて行われるウェハ処理について説明する。まず、複数のウェハＷを収納したカセットＣが、基板処理システム１のカセットステーション１０に搬入され、ウェハ搬送装置２３によりカセットＣ内の各ウェハＷが順次処理ステーション１１の受け渡し装置５３に搬送される。 Next, wafer processing performed using the substrate processing system 1 configured as described above will be described. First, a cassette C storing a plurality of wafers W is loaded into the cassette station 10 of the substrate processing system 1, and each wafer W in the cassette C is sequentially transferred to the transfer device 53 of the processing station 11 by the wafer transfer device 23. .
次にウェハＷは、第２のブロックＧ２の熱処理装置４０に搬送され温度調節処理される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって例えば第１のブロックＧ１の下部反射防止膜形成装置３１に搬送され、ウェハＷ上に下部反射防止膜が形成される。その後ウェハＷは、第２のブロックＧ２の熱処理装置４０に搬送され、加熱処理され、温度調節される。 Next, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 of the second block G2 and subjected to temperature adjustment processing. Thereafter, the wafer W is transferred to, for example, the lower antireflection film forming device 31 of the first block G1 by the wafer transfer device 70, and a lower antireflection film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is transported to the heat treatment apparatus 40 of the second block G2, subjected to heat treatment, and the temperature is adjusted.
次にウェハＷはアドヒージョン装置４１に搬送され、アドヒージョン処理される。その後ウェハＷは、第１のブロックＧ１のレジスト膜形成装置３２に搬送され、ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。その後ウェハＷは、熱処理装置４０に搬送され、プリベーク処理される。なお、プリベーク処理においても下部反射防止膜形成後の熱処理と同様な処理が行われ、また、後述の反射防止膜形成後の熱処理、露光後ベーク処理、ポストベーク処理においても同様な処理が行われる。ただし、各熱処理に供される熱処理装置４０は互いに異なる。 Next, the wafer W is transferred to the adhesion apparatus 41 and subjected to an adhesion process. Thereafter, the wafer W is transferred to the resist film forming apparatus 32 in the first block G1, and a resist film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 and pre-baked. In the pre-bake process, the same process as the heat treatment after the formation of the lower antireflection film is performed, and the same process is performed in the heat process after the formation of the antireflection film described later, the post-exposure bake process, and the post-bake process. . However, the heat treatment apparatuses 40 used for each heat treatment are different from each other.
次にウェハＷは、上部反射防止膜形成装置３３に搬送され、ウェハＷ上に上部反射防止膜が形成される。その後ウェハＷは、熱処理装置４０に搬送されて、加熱され、温度調節される。その後、ウェハＷは、周辺露光装置４２に搬送され、周辺露光処理される。 Next, the wafer W is transferred to the upper antireflection film forming apparatus 33, and an upper antireflection film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40, heated, and the temperature is adjusted. Thereafter, the wafer W is transferred to the peripheral exposure device 42 and subjected to peripheral exposure processing.
次にウェハＷは、露光装置１２に搬送され、所定のパターンで露光処理される。 Next, the wafer W is transferred to the exposure apparatus 12 and subjected to exposure processing with a predetermined pattern.
次いで、ウェハＷは、熱処理装置４０に搬送され、露光後ベーク処理される。その後ウェハＷは、たとえば現像処理装置３０に搬送されて現像処理される。現像処理終了後、ウェハＷは、熱処理装置４０に搬送され、ポストベーク処理される。そして、ウェハＷは、カセット載置板２１のカセットＣに搬送され、一連のフォトリソグラフィー工程が完了する。 Next, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 and subjected to post-exposure baking. Thereafter, the wafer W is transferred to, for example, the development processing apparatus 30 and developed. After completion of the development process, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 and subjected to a post-bake process. Then, the wafer W is transferred to the cassette C of the cassette mounting plate 21, and a series of photolithography steps is completed.
ここで、レジスト膜形成装置３２におけるレジスト膜処理について詳述する。レジスト膜形成処理にあたっては、先ずスピンチャック１２１の上面でウェハＷを吸着保持する。そして溶剤供給ノズル１５７をウェハＷの中心部の上方に移動させ、プリウェット処理を行う。プリウェット処理では、ウェハＷを高回転数（例えば３０００ｒｐｍ）で回転させながら、溶剤供給ノズル１５７からウェハＷ上に溶剤を供給する。 Here, the resist film processing in the resist film forming apparatus 32 will be described in detail. In the resist film forming process, first, the wafer W is sucked and held on the upper surface of the spin chuck 121. Then, the solvent supply nozzle 157 is moved above the center portion of the wafer W to perform pre-wet processing. In the pre-wet process, the solvent is supplied onto the wafer W from the solvent supply nozzle 157 while rotating the wafer W at a high rotation speed (for example, 3000 rpm).
その後溶剤供給ノズル１５７を退避させた後、ウェハＷの中心部上方にレジスト液供給ノズル１５３を移動させ、ウェハＷを低回転数（例えば３００ｒｐｍ）で回転させながら、レジスト液供給ノズル１５３からウェハＷ上にレジスト液を供給し液膜を形成する。 Thereafter, after the solvent supply nozzle 157 is retracted, the resist solution supply nozzle 153 is moved above the center of the wafer W, and the wafer W is rotated from the resist solution supply nozzle 153 to the wafer W while rotating the wafer W at a low rotational speed (for example, 300 rpm). A resist solution is supplied on top to form a liquid film.
そしてレジスト液供給ノズル１５３からのレジスト液の供給時間が所定の長さに達した時点で、ウェハＷの回転数を維持したまま、レジスト液の供給を停止し、次いでレジスト液供給ノズル１５３を退避させる。その後、照射部１６０を用いてウェハＷ上の液膜への光を照射させながら、撮像部１７０によりウェハ上の液膜を撮像する。そして、判定部２１０により、撮像部１７０で撮像された画像中で明るく示された液膜の外周形状に基づいて、液膜の状態を判定する。具体的には、前述のような基準画像を用いたパターンマッチングによる液膜の形状の判定と、撮像部１７０で撮像された画像中の明るい部分で囲まれた領域の面積に基づくレジスト液の量の判定とを行い、液膜の状態の良否を判定する。 When the supply time of the resist solution from the resist solution supply nozzle 153 reaches a predetermined length, the supply of the resist solution is stopped while maintaining the rotation speed of the wafer W, and then the resist solution supply nozzle 153 is retracted. Let Thereafter, the liquid film on the wafer is imaged by the imaging unit 170 while irradiating the liquid film on the wafer W with light using the irradiation unit 160. Then, the determination unit 210 determines the state of the liquid film based on the outer peripheral shape of the liquid film that is brightly shown in the image captured by the imaging unit 170. Specifically, the amount of the resist solution based on the determination of the shape of the liquid film by pattern matching using the reference image as described above, and the area of the region surrounded by the bright portion in the image captured by the imaging unit 170 And the quality of the liquid film is determined.
判定の結果、液膜が所望の外周形状を有し、且つ、液膜中のレジスト液の量が適切であり、ウェハＷ上に形成された液膜の状態が良好であると判定された場合、高回転数（例えば３０００ｒｐｍ）でウェハＷを回転させ、ウェハＷの中心部に供給されたレジスト液をウェハＷの全面に拡散させ所定の膜厚の塗布膜を形成する拡散処理を行う。次いで所定の回転数（例えば１５００ｒｐｍ）でウェハを回転させ、ウェハＷ上の塗布膜を乾燥させる乾燥処理を行う。その後、スピンチャック１２１に吸着保持されていたウェハＷがレジスト膜形成装置３２から搬出され、次のウェハＷが搬入される。以後、上述の処理が繰り返される。 As a result of the determination, the liquid film has a desired outer peripheral shape, the amount of the resist liquid in the liquid film is appropriate, and it is determined that the state of the liquid film formed on the wafer W is good Then, the wafer W is rotated at a high rotational speed (for example, 3000 rpm), and a diffusion process is performed in which the resist solution supplied to the center of the wafer W is diffused over the entire surface of the wafer W to form a coating film having a predetermined film thickness. Next, the wafer is rotated at a predetermined rotation speed (for example, 1500 rpm), and a drying process for drying the coating film on the wafer W is performed. Thereafter, the wafer W held by suction on the spin chuck 121 is unloaded from the resist film forming apparatus 32, and the next wafer W is loaded. Thereafter, the above process is repeated.
一方、判定の結果、液膜が所望の外周形状を有さず、及び／または、液膜中のレジスト膜の量が不適切であり、ウェハＷ上に形成された液膜の状態が不良であると判定された場合、以降の処理を中止し、表示部２１２により警告を出力する。この際、スピンチャック１２１に吸着保持されていたウェハＷはレジスト膜形成装置３２から搬出される。なお、液膜が所望の外周形状を有さない場合とは、例えば、ウェハＷ上の液膜が平面視において楕円形を有する場合である。レジスト液供給ノズル１５３からのレジスト液の吐出位置とウェハＷの回転中心とが一致していないときや、ウェハＷの中心とスピンチャック１２１の中心とが一致していないときに、ウェハＷ上の液膜が平面視において楕円形となる。 On the other hand, as a result of the determination, the liquid film does not have a desired outer peripheral shape and / or the amount of the resist film in the liquid film is inappropriate, and the state of the liquid film formed on the wafer W is poor. When it is determined that there is, the subsequent processing is stopped and a warning is output by the display unit 212. At this time, the wafer W held by suction on the spin chuck 121 is unloaded from the resist film forming apparatus 32. The case where the liquid film does not have a desired outer peripheral shape is, for example, a case where the liquid film on the wafer W has an elliptical shape in plan view. When the resist solution discharge position from the resist solution supply nozzle 153 does not coincide with the rotation center of the wafer W, or when the center of the wafer W and the center of the spin chuck 121 do not coincide, The liquid film is elliptical in plan view.
本実施形態では、前述のように、照射部１６０から出射されレジスト液の液膜の撮像部１７０とは反対側の側端面から当該液膜に入射し当該液膜中を導光され当該液膜の撮像部１７０側の側端面から出射された光を受光する位置に、撮像部１７０は設けられている。そのため、ウェハＷ上に形成された液膜のうち側端面のみが明るく示された画像すなわち外乱の影響がない液膜の撮像画像を取得することができる。したがって、ウェハＷ上に形成された液膜の状態を正確に判定することができる。 In the present embodiment, as described above, the liquid film emitted from the irradiation unit 160 is incident on the liquid film from the side end surface opposite to the imaging unit 170 of the liquid film of the resist solution, and is guided through the liquid film. The imaging unit 170 is provided at a position for receiving the light emitted from the side end surface on the imaging unit 170 side. Therefore, an image in which only the side end surface of the liquid film formed on the wafer W is brightly displayed, that is, a captured image of the liquid film without the influence of disturbance can be acquired. Therefore, the state of the liquid film formed on the wafer W can be accurately determined.
本発明者らの実験によれば、図４及び図８等のように照射部１６０と撮像部１７０を設けることにより、ウェハＷ上の液膜の側端面のみが明るく示された画像を撮像部１７０により実際に取得することができる。特に、液膜の厚さが０．１μｍ以上であれば、液膜の状態を判定できる程度にウェハＷ上の液膜の側端面のみが明るく示された画像を取得することができる。 According to the experiments by the present inventors, by providing the irradiation unit 160 and the imaging unit 170 as shown in FIGS. 4 and 8, etc., an image in which only the side end surface of the liquid film on the wafer W is shown brightly is displayed. 170 can be actually obtained. In particular, when the thickness of the liquid film is 0.1 μm or more, it is possible to obtain an image in which only the side end surface of the liquid film on the wafer W is brightly shown to the extent that the state of the liquid film can be determined.
以上の説明では、撮像結果に基づいて、ウェハＷ上の液膜の状態が良好であるか否かを判定し、判定結果に基づいて、ウェハ処理を中止し警告を出力していた。言い換えると、撮像結果に基づく判定をウェハ処理の中止や警告出力のトリガーに用いていた。これに代えて、撮像結果に基づく判定をウェハＷの回転速度の切り替えタイミングの決定に用いてもよい。例えば、所定の回転速度で回転するウェハＷ上に対してレジスト液供給ノズル１５３からのレジスト液の供給を開始してから、液膜への照射部１６０からの光の照射と撮像部１７０による撮像を所定間隔毎に行い、撮像結果に基づき、ウェハ上の液膜の平面視における大きさが所定値を超えたか否か判定し、超えた場合に、ウェハＷの回転速度を切り替えるようにしてもよい。 In the above description, it is determined whether the state of the liquid film on the wafer W is good based on the imaging result, and the wafer processing is stopped and a warning is output based on the determination result. In other words, the determination based on the imaging result is used to stop wafer processing or trigger a warning output. Instead, the determination based on the imaging result may be used for determining the switching timing of the rotation speed of the wafer W. For example, the supply of the resist solution from the resist solution supply nozzle 153 to the wafer W rotating at a predetermined rotation speed is started, and then light irradiation from the irradiation unit 160 to the liquid film and imaging by the imaging unit 170 are performed. Is performed at predetermined intervals, and based on the imaging result, it is determined whether or not the size of the liquid film on the wafer in plan view exceeds a predetermined value, and if it exceeds, the rotation speed of the wafer W is switched. Good.
また、ウェハＷ上の液膜の状態の良否の判断基準は上述の例に限られない。例えば、ウェハＷを高速で回転させ液膜を広げるタイミングでウェハＷを撮像するときは、撮像結果から液膜の中心の位置を算出し、算出結果に基づいて、液膜の状態の良否を判定してもよい。この例では、判定部２１０は、液膜の中心がウェハＷの中心と一致しない場合、ウェハＷ上の液膜の状態が不良であると判定する。 Further, the criteria for determining the quality of the state of the liquid film on the wafer W is not limited to the above example. For example, when the wafer W is imaged at a timing when the wafer W is rotated at a high speed to widen the liquid film, the center position of the liquid film is calculated from the imaging result, and the quality of the liquid film is determined based on the calculation result May be. In this example, the determination unit 210 determines that the state of the liquid film on the wafer W is defective when the center of the liquid film does not coincide with the center of the wafer W.
また、ウェハＷを高速で回転させる場合にレジスト液の吐出位置とウェハＷの回転中心が一致していないと、液膜の上面に畝状の隆起が形成される。照射部１６０からウェハＷ上の液膜の光を照射すると、上記畝状の隆起の側端面からの光が撮像部１７０に入射するため、撮像部１７０で撮像される画像において上記畝状の隆起の側端面が明るく示される。この畝状の隆起の側端面が撮像部１７０による撮像画像において明るく示される場合、判定部２１０は、液膜の状態が不良であると判定してもよい。撮像画像において明るく示される部分が、畝状の隆起の側端面に該当するか否かは、当該明るく示される部分の形状や、他の明るく示される部分（液膜の外周を形成する側端面による部分）との位置関係から判定することができる。 Further, when the wafer W is rotated at a high speed, if the resist solution discharge position and the rotation center of the wafer W do not coincide with each other, a bowl-shaped ridge is formed on the upper surface of the liquid film. When the light of the liquid film on the wafer W is irradiated from the irradiation unit 160, the light from the side end surface of the bowl-shaped ridge enters the imaging unit 170. Therefore, the bowl-shaped ridge in the image captured by the imaging unit 170 The side end face of is shown brightly. When the side end face of the ridge-like ridge is brightly shown in the image captured by the imaging unit 170, the determination unit 210 may determine that the state of the liquid film is defective. Whether or not the brightly shown part in the captured image corresponds to the side end face of the ridge-like ridge depends on the shape of the brightly shown part and the other brightly shown part (the side end face forming the outer periphery of the liquid film). It can be determined from the positional relationship with (part).
以上の説明では、撮像部１７０は１つであるとしたが、撮像部１７０を周方向に沿って等間隔で複数（例えば４つ）設け、円環状の照射部１６０の全周を点灯させてウェハＷ上の液膜に光を照射し、複数の撮像部１７０それぞれで撮像し、複数の撮像結果に基づいて当該液膜の状態を判定してもよい。これにより、ウェハＷ上の液膜の外周形状をより正確に把握することができる。なお、この場合、複数の撮像部１７０それぞれでの撮像タイミングは同時であってもよいし、異なってもよい。 In the above description, the number of the imaging units 170 is one. However, a plurality of (for example, four) imaging units 170 are provided at equal intervals along the circumferential direction, and the entire circumference of the annular irradiation unit 160 is turned on. The liquid film on the wafer W may be irradiated with light, captured by each of the plurality of imaging units 170, and the state of the liquid film may be determined based on a plurality of imaging results. Thereby, the outer periphery shape of the liquid film on the wafer W can be grasped more accurately. In this case, the imaging timings of the plurality of imaging units 170 may be the same or different.
図１０は、照射部の他の例を説明する平面図である。
本発明者らの実験によれば、図４等に示したように、ウェハＷ上の円板状の液膜を撮像する場合において、平面視円環状の照射部１６０全体から光を照射したときと、平面視円環状の照射部１６０の撮像部１７０側の半分を遮光部材で覆い当該照射部１６０の撮像部１７０とは反対側の部分のみから光を照射したときとで、撮像部１７０による液膜の撮像結果に大きな違いはなかった。
FIG. 10 is a plan view for explaining another example of the irradiation unit.
According to the experiments by the inventors, as shown in FIG. 4 and the like, when imaging a disk-like liquid film on the wafer W, light is irradiated from the entire irradiation unit 160 having an annular shape in plan view. The half of the imaging unit 170 side of the irradiation unit 160 having an annular shape in plan view is covered with a light shielding member, and light is irradiated only from the part opposite to the imaging unit 170 of the irradiation unit 160. There was no significant difference in the imaging results of the liquid film.
この実験結果によれば、図１０に示すように、ウェハＷすなわちスピンチャック１２１を間に挟んで撮像部１７０と対向する位置に平面視半円環状の照射部３００を設けるようにしてもよい。
このように構成することにより、コストを削減することができる。
According to this experimental result, as shown in FIG. 10, a semicircular irradiation unit 300 in plan view may be provided at a position facing the imaging unit 170 with the wafer W, that is, the spin chuck 121 interposed therebetween.
With this configuration, the cost can be reduced.
ただし、本発明者らの実験によれば、ウェハＷ上の液膜の形状が円板状ではなく複雑である場合、図１０の照射部３００では液膜の側端面全体が明るく示された画像を得ることができず、液膜の外周形状を判定することが難しい。そのため、本例の照射部３００は、液膜の外周形状を正確に把握する必要がなく、ウェハＷ上の液膜が円板状であるか否かのみの判定で足りる場合に好適に用いられる。
なお、照射部３００は、照射部１６０と同様に、内側に向けて光を出射する複数の光源（例えばＬＥＤ）を半円弧上に並べて構成することができる。
However, according to the experiments by the present inventors, when the shape of the liquid film on the wafer W is not a disk shape but complicated, the irradiation unit 300 in FIG. Cannot be obtained, and it is difficult to determine the outer peripheral shape of the liquid film. Therefore, the irradiation unit 300 of this example is preferably used when it is not necessary to accurately grasp the outer peripheral shape of the liquid film, and it is sufficient to determine whether or not the liquid film on the wafer W has a disk shape. .
Note that, similarly to the irradiation unit 160, the irradiation unit 300 can be configured by arranging a plurality of light sources (for example, LEDs) that emit light inward on a semicircular arc.
図１１は、照射部と撮像部の他の例を説明する平面図である。
図１１の照射部４００は、ウェハＷの周方向に沿って複数の領域（本例では４つの領域Ｒ１〜Ｒ４）に区分され、各領域Ｒ１〜Ｒ４の照射部４０１〜４０４はその点灯が領域毎に独立して制御される。また、本例では、平面視において、各領域Ｒ１〜Ｒ４の照射部４０１〜４０４それぞれとウェハＷすなわちスピンチャック１２１を間に挟んで対向する位置に、撮像部１７０１〜１７０４が設けられている。領域Ｒ１の照射部４０１から光を照射するときには照射部４０１と対向する位置に設けられた撮像部１７０１により撮像が行われ、領域Ｒ２の照射部１６０から光を照射するときには領域Ｒ２と対向する位置に設けられた撮像部１７０２により撮像が行われ、領域Ｒ３の照射部１６０から光を照射するときには領域Ｒ３と対向する位置に設けられた撮像部１７０３により撮像が行われ、領域Ｒ４の照射部１６０から光を照射するときには領域Ｒ４と対向する位置に設けられた撮像部１７０４により撮像が行われる。
判定部２１０では、撮像部１７０１〜１７０４での撮像結果に基づいて、ウェハＷ上の液膜の状態の判定を行う。これにより、ウェハＷ上の液膜の外周形状をより正確に把握することができる。
FIG. 11 is a plan view illustrating another example of the irradiation unit and the imaging unit.
The irradiation unit 400 in FIG. 11 is divided into a plurality of regions (four regions R1 to R4 in this example) along the circumferential direction of the wafer W, and the irradiation units 401 to 404 in the regions R1 to R4 are turned on. Each is controlled independently. Further, in this embodiment, in a plan view, in a position opposed to each other between each and the wafer W, or spinning chuck 121 irradiation unit 401 to 404 of the respective regions R1 to R4, and the imaging unit 170 1 to 170 4 is provided Yes. When the light is irradiated from the irradiation unit 401 of the region R1 imaging is performed by the imaging unit 170 1 provided at a position facing the irradiation unit 401, facing the area R2 when the light is irradiated from the irradiation unit 160 of the region R2 imaging is performed by the imaging unit 170 2 provided in a position, when the light is irradiated from the irradiation unit 160 of the region R3 is imaged performed by the imaging unit 170 3 provided at a position opposite to the region R3, a region R4 imaging is performed by the imaging unit 170 4 provided at a position facing the region R4 when the light is irradiated from the irradiation unit 160.
The decision unit 210, based on the imaging result of the imaging unit 170 1 to 170 4, a judgment of the state of the liquid film on the wafer W. Thereby, the outer periphery shape of the liquid film on the wafer W can be grasped more accurately.
本例では、各領域Ｒ１〜Ｒ４の照射部４０１〜４０４はそれぞれ平面視１／４円環状に形成され、具体的には、照射部１６０と同様に平面視１／４円環上に複数の光源を並べて構成されたものであり、４つの照射部４０１〜４０４により平面視において円環を形成するように構成されている。各領域Ｒ１〜Ｒ４の照射部４０１〜４０４の平面視における形状は、これに限られず例えばそれぞれ平面視直線状に形成され、具体的には、平面視における直線上に複数の光源（例えばＬＥＤ）を並べたものであってもよく、４つの照射部４０１〜４０４で平面視円環を形成しなくてもよい。 In this example, the irradiation parts 401 to 404 in each of the regions R1 to R4 are each formed in a ¼ annular shape in plan view, and specifically, a plurality of irradiating parts 160 on the ¼ circular ring in plan view as in the irradiation part 160. The light sources are arranged side by side, and are configured to form a ring in plan view by the four irradiation units 401 to 404. The shape of each of the regions R1 to R4 in the planar view of the irradiation units 401 to 404 is not limited to this, for example, each is formed in a straight line shape in the planar view. May be arranged, and the four irradiation units 401 to 404 may not form a ring in a plan view.
図１２は、照射部の別の例を説明する側面図である。
図４及び図５の例では、照射部１６０は、アウターカップ１３０の開口１３１の縁に沿って設けられていた。しかし、照射部５００の位置はこれに限られず、例えばアウターカップ５１０が照射部５００からの光を透過する材料で形成されている場合、図１２に示すようにアウターカップ５１０の外側に照射部５００を設けても良い。これにより、ウェハＷ上の液膜の側端面に対する照射部５００からの光の入射角を小さくすることができる。したがって、ウェハＷ上の液膜が薄くても、照射部５００からの光を、当該液膜中を導光させることができ、液膜の状態の判定を行うことができる。
FIG. 12 is a side view illustrating another example of the irradiation unit.
In the example of FIGS. 4 and 5, the irradiation unit 160 is provided along the edge of the opening 131 of the outer cup 130. However, the position of the irradiation unit 500 is not limited to this. For example, when the outer cup 510 is formed of a material that transmits light from the irradiation unit 500, the irradiation unit 500 is disposed outside the outer cup 510 as shown in FIG. May be provided. Thereby, the incident angle of the light from the irradiation part 500 with respect to the side end surface of the liquid film on the wafer W can be reduced. Therefore, even if the liquid film on the wafer W is thin, the light from the irradiation unit 500 can be guided through the liquid film, and the state of the liquid film can be determined.
なお、アウターカップ５１０は、その全体が透明材料で形成されている必要はなく、照射部５００からの光が通過する位置のみ透明材料で形成されていてもよい。
また、撮像部１７０もアウターカップ５１０越しにウェハＷ上の液膜を撮像するようにしてもよい。
The outer cup 510 does not need to be entirely formed of a transparent material, and may be formed of a transparent material only at a position where light from the irradiation unit 500 passes.
The imaging unit 170 may also image the liquid film on the wafer W through the outer cup 510.
図１３は、照射部のさらに別の例を説明する側面図である。
図１３の照射部６００は、当該照射部６００からの光の照射角を調整する調整機構６０１を有する。より具体的には、照射部６００は、ＬＥＤ等の光源６０２を有し、該光源６０２からの光の照射角を調整する調整機構６０１を備える。なお、光の照射角の調整は例えばピエゾ素子（図示せず）等を用いて行うことができる。
FIG. 13 is a side view illustrating still another example of the irradiation unit.
The irradiation unit 600 in FIG. 13 includes an adjustment mechanism 601 that adjusts the irradiation angle of light from the irradiation unit 600. More specifically, the irradiation unit 600 includes a light source 602 such as an LED, and includes an adjustment mechanism 601 that adjusts an irradiation angle of light from the light source 602. The light irradiation angle can be adjusted using, for example, a piezo element (not shown).
図１４は、図１３の照射部６００の効果を説明する図である。
図１４に示すように、液膜Ｆからの光の出射位置Ｐは、当該光の液膜Ｆに対する照射部６００からの光の入射角に依存するところ、図１３のように光の照射角を調整し当該光の液膜Ｆに対する入射角を調整することで、液膜Ｆからの光の出射位置を制御することができ、液膜Ｆの側端面の所望の位置を光らせることができる。
FIG. 14 is a diagram for explaining the effect of the irradiation unit 600 of FIG.
As shown in FIG. 14, the light emission position P from the liquid film F depends on the incident angle of the light from the irradiation unit 600 with respect to the liquid film F of the light. By adjusting and adjusting the incident angle of the light with respect to the liquid film F, the light emission position from the liquid film F can be controlled, and the desired position of the side end face of the liquid film F can be illuminated.
なお、上述の例の照射部からの光の波長は例えば可視光域の所定の波長である。ただし、照射部からの光の波長はこの例に限られず、当該光によってウェハＷ上の液膜が感光しなければよい。また、照射部は出射光の波長を選択可能に構成されていることが好ましい。例えば、それぞれ異なる波長を有する光源を照射部内に複数設け、照射に用いる光源を選択することにより波長を選択することができる。また、複数の波長を選択的に出射可能な光源を照射部に設けてもよいし、波長の幅が広い光を出射する光源と、それぞれ異なる波長を透過する複数の波長選択フィルタとを用いて波長選択可能としてもよい。 In addition, the wavelength of the light from the irradiation part of the above-mentioned example is a predetermined wavelength in the visible light region, for example. However, the wavelength of light from the irradiation unit is not limited to this example, and it is sufficient that the liquid film on the wafer W is not exposed to the light. Moreover, it is preferable that the irradiation part is comprised so that the wavelength of emitted light can be selected. For example, the wavelength can be selected by providing a plurality of light sources having different wavelengths in the irradiation unit and selecting the light source used for irradiation. In addition, a light source capable of selectively emitting a plurality of wavelengths may be provided in the irradiation unit, or a light source that emits light having a wide wavelength range and a plurality of wavelength selection filters that transmit different wavelengths respectively. The wavelength may be selectable.
このように照射部が出射光の波長を選択可能に構成されていることにより、以下の効果がある。ウェハＷに形成されたパターンや下地膜の反射率には波長依存性があるため、パターン等の反射の状態に応じて波長を切り替えることにより上記反射率を低減させることができる。 Thus, since the irradiation part is comprised so that selection of the wavelength of emitted light is possible, there exist the following effects. Since the reflectance of the pattern formed on the wafer W or the underlying film has wavelength dependence, the reflectance can be reduced by switching the wavelength according to the state of reflection of the pattern or the like.
以上の例では、液処理装置内において、ウェハＷを回転させて液膜を形成し、また、ウェハＷを回転させている状態で液膜を撮像し、撮像結果に基づいて、当該液膜の状態を判定していた。図４及び図５と同様な構成を採用することで、ウェハＷを回転させないで液膜の形成と液膜の撮像の両方を行う場合にも、撮像結果に基づいて、撮像対象の液膜の状態を判定することができる。なお、ウェハＷを回転させないで液膜の形成を行う場合とは、例えば、静止現像用の液膜として１ｍｍ程度の厚さの液膜を形成する場合である。この場合、撮像画像に基づいて、現像液の液盛り（パドル）すなわち液膜が所望の形状でないと判定されたときや、現像液の液膜の上面の面積が不適当であると判定されたとき、パドルの厚さが不適切なときに、液膜の状態が不良であると判定される。具体的には、静止現像では、プルバックという、静止したウェハの上面全体に液盛り（パドル）を形成した後、液盛り量が少ないと表面張力によってウェハ上の液同士が引っ張り合い、現像液で覆われていない領域がウェハに生じる現象が起こることがあり、プルバックが生じているか否かが、上述のような撮像対象の液膜の状態の判定に基づいて判定される。 In the above example, in the liquid processing apparatus, the wafer W is rotated to form a liquid film, and the liquid film is imaged in a state where the wafer W is rotated. The condition was being judged. By adopting the same configuration as in FIGS. 4 and 5, even when both the formation of the liquid film and the imaging of the liquid film are performed without rotating the wafer W, the liquid film to be imaged is picked up based on the imaging result. The state can be determined. The case where the liquid film is formed without rotating the wafer W is, for example, a case where a liquid film having a thickness of about 1 mm is formed as a liquid film for stationary development. In this case, based on the captured image, when it is determined that the developer liquid puddle, that is, the liquid film does not have the desired shape, or the upper surface area of the developer liquid film is determined to be inappropriate. When the paddle thickness is inappropriate, it is determined that the state of the liquid film is bad. Specifically, in static development, after a liquid puddle is formed on the entire upper surface of a stationary wafer, called pull back, the liquid on the wafer is pulled by surface tension when the liquid puddle amount is small. A phenomenon that an uncovered area occurs on the wafer may occur, and whether or not pullback occurs is determined based on the determination of the state of the liquid film to be imaged as described above.
なお、以上の液膜の状態の判定は、製品製造時に行ってもよいし、所定間隔毎に行われるメンテナンス時に行ってもよい。 The determination of the state of the above liquid film may be performed at the time of product manufacture, or may be performed at the time of maintenance performed at predetermined intervals.
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。 The preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such examples. It is obvious for those skilled in the art that various modifications or modifications can be conceived within the scope of the idea described in the claims, and these naturally belong to the technical scope of the present invention. It is understood. The present invention is not limited to this example and can take various forms. The present invention can also be applied to a case where the substrate is another substrate such as an FPD (flat panel display) other than a wafer or a mask reticle for a photomask.
本発明は、基板上に処理液の液膜を形成し基板を処理する技術に有用である。 The present invention is useful for a technique for processing a substrate by forming a liquid film of a processing solution on the substrate.
３２ レジスト膜形成装置
１２１ スピンチャック
１２５ カップ
１３０，５１０ アウターカップ
１３１ 開口
１５３ レジスト液供給ノズル
１６０，３００，４００，５００，６００ 照射部
１６１ 光源（ ＬＥＤ）
１７０ 撮像部
２００ 制御部
２１０ 判定部
２１１ 記憶部
２１２ 表示部
６０１ 調整機構
Ｆ 液膜
Ｗ ウェハ
32 Resist film forming apparatus 121 Spin chuck 125 Cup 130, 510 Outer cup 131 Opening 153 Resist liquid supply nozzle 160, 300, 400, 500, 600 Irradiation unit 161 Light source (LED)
170 Imaging unit 200 Control unit 210 Determination unit 211 Storage unit 212 Display unit 601 Adjustment mechanism F Liquid film W Wafer
Claims (10)
基板を保持する基板保持部と、
該基板保持部に保持された基板に対して処理液を供給する処理液供給部材と、
該処理液供給部材から供給された処理液により基板上に形成された前記液膜に光を照射する照射部と、
該照射部から光が照射されている前記液膜を撮像する撮像部と、を備え、
前記照射部は、前記基板保持部に保持される基板の外側に設けられ、
前記撮像部は、前記照射部から出射され前記液膜の当該撮像部とは反対側の側端面から当該液膜に入射し当該液膜中を導光され当該液膜の当該撮像部側の側面から出射された光を受光する位置に設けられていることを特徴とする液処理装置。 A liquid processing apparatus that forms a liquid film of a processing liquid on a substrate and performs predetermined processing on the substrate with the liquid film,
A substrate holder for holding the substrate;
A processing liquid supply member for supplying a processing liquid to the substrate held by the substrate holding unit;
An irradiating unit for irradiating the liquid film formed on the substrate with the processing liquid supplied from the processing liquid supply member;
An imaging unit that images the liquid film irradiated with light from the irradiation unit,
The irradiation unit is provided outside the substrate held by the substrate holding unit,
The imaging unit is emitted from the irradiation unit and incident on the liquid film from a side end surface of the liquid film opposite to the imaging unit, and is guided through the liquid film. A liquid processing apparatus, which is provided at a position for receiving light emitted from the liquid processing apparatus.
前記領域それぞれと、前記基板保持部を間に挟んで対向する位置に前記撮像部が配設されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の液処理装置。 The irradiation unit is divided into a plurality of regions, and is independently controlled for each region,
The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein the imaging unit is disposed at a position facing each of the regions with the substrate holding unit interposed therebetween.
前記照射部は、前記カップの前記開口の縁部に沿って設けられていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の液処理装置。 The cup is disposed outside the substrate holding unit so as to surround the substrate held by the substrate holding unit, and has a cup having an opening through which the substrate passes when the substrate is transferred to the substrate holding unit,
The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein the irradiation unit is provided along an edge of the opening of the cup.
当該カップは、前記照射部からの光を透過する材料で形成され、
前記照射部は、前記カップの外側に設けられていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の液処理装置。 A cup disposed outside the substrate holder so as to surround the substrate held by the substrate holder;
The cup is formed of a material that transmits light from the irradiation unit,
The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein the irradiation unit is provided outside the cup.
基板保持部に保持された基板に対して処理液を供給して当該基板上に液膜を形成する液膜形成工程と、
前記基板保持部に保持された基板の外側に設けられた照射部から、基板上に形成された液膜に光を照射する工程と、
前記照射部から出射され前記液膜の撮像装置側と反対側の側端面から当該液膜に入射し当該液膜中を導光され当該液膜の前記撮像装置側の側端面から出射された光を受光する位置に設けられた撮像部により、前記照射部から光が照射されている前記液膜を撮像する撮像工程と、
該撮像工程での撮像結果に基づいて、前記液膜の状態を判定する判定工程とを含むことを特徴とする液膜状態判定方法。
A determination method for determining a state of a liquid film of a processing liquid formed on a substrate,
A liquid film forming step of supplying a processing liquid to the substrate held by the substrate holding unit to form a liquid film on the substrate;
Irradiating light onto a liquid film formed on the substrate from an irradiation unit provided outside the substrate held by the substrate holding unit;
Light emitted from the irradiation unit, incident on the liquid film from a side end surface opposite to the imaging device side of the liquid film, guided through the liquid film, and emitted from a side end surface of the liquid film on the imaging device side An imaging step of imaging the liquid film irradiated with light from the irradiating unit by an imaging unit provided at a position for receiving light;
And a determination step of determining a state of the liquid film based on an imaging result in the imaging step.
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