JP2019140306A - 光モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】互いに異なる熱電素子モジュールの熱の影響を防止しつつ、小型化を実現することができる光モジュールを提供する。【解決手段】板状の下基板３１と、下基板３１の上面に所定の距離だけ空けて異なる領域に設けられた複数の熱電素子３２と、この異なる領域に設けられた複数の熱電素子３２の各々の上面に設けられた複数の上基板３３と、を有し、複数の上基板３３の各々の上面に設けられた波長可変レーザ素子６をペルチェ効果によって温度調節する温度調節器３と、を備える。【選択図】図２

Description

本発明は、光モジュールに関する。

従来、波長可変レーザモジュールにおいて、半導体レーザおよび波長ロッカーまたは変調器の各々を１つのパッケージ内に配置した２台の熱電素子（ＴＥＣ：Thermoelectric Cooler）モジュール上に接合することによって、半導体レーザおよび波長ロッカー（または変調器）それぞれの温度調整を行う技術が知られている（例えば特許文献１〜５参照）。

また、半導体レーザおよび波長ロッカーの各々を１台の熱電素子モジュール上に接合することによって、モジュールの小型化を行う技術が知られている（例えば特許文献６参照）。

国際公開第２０１３／１９１２１３号 特許第４１９０７４９号公報 特開２０１６−１２９２０７号公報 特開２０１６−１３４３９８号公報 特開２０１６−６６６７１号公報 特開２０１３−１４８８２５号公報

しかしながら、上述した特許文献１では、１つのパッケージ内に２台の熱電素子モジュールを並べて配置しているため、２台の熱電素子モジュールの間の部品公差や組み立て公差に基づくスペースおよび組み立て用ハンドチャックの把持スペース等を設ける必要があり、熱電素子モジュール２台分以上のスペースを確保しなければならず、パッケージの小型化を行うことができないという問題点があった。

これに対して、上述した特許文献２では、１台の熱電素子モジュールで温度調整を行っているため、半導体レーザおよび波長ロッカーそれぞれの温度調整を個別に行うことができないうえ、半導体レーザによる発熱が熱電素子モジュールの基板上を経由して波長ロッカーに伝熱することによって、高熱範囲が増大することで、熱電素子モジュールの消費電量が大きくなるという問題点があった。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、互いに異なる熱電素子モジュールの熱の影響を防止しつつ、小型化を実現することができる光モジュールを提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本開示に係る光モジュールは、少なくとも１つの発熱体を含む複数の部品と、板状の下基板と、該下基板の上面に所定の距離だけ空けて異なる領域に設けられた複数の熱電素子と、該異なる領域に設けられた複数の熱電素子の各々の上面に設けられた複数の上基板と、を有し、該複数の上基板の各々の上面に設けられた前記部品をペルチェ効果によって温度調節する温度調節器と、を備えることを特徴とする。

また、本開示に係る光モジュールは、上記開示において、前記温度調節器は、前記下基板および前記複数の上基板に形成された１対の電気配線と、前記下基板における上面に設けられ、前記下基板に形成された前記１対の電気配線と接続された１対の電極と、をさらに有し、前記複数の熱電素子は、前記１対の電極および前記１対の電気配線を介して温度調節を行うことができることを特徴とする。

また、本開示に係る光モジュールは、上記開示において、前記複数の上基板の各々の上面に設けられた温度検出素子をさらに備えることを特徴とする。

また、本開示に係る光モジュールは、上記開示において、前記複数の上基板の各々の上面に設けられ、前記温度検出素子を固定する固定部材または前記温度検出素子を支持する支持部材をさらに備え、前記温度検出素子は、少なくとも前記固定部材および前記支持部材のどちらか一方を介して前記複数の上基板の各々の上面に設けられていることを特徴とする。

また、本開示に係る光モジュールは、上記開示において、前記温度検出素子は、前記複数の上基板の数と同じ個数または少ない個数設けられていることを特徴とする。

また、本開示に係る光モジュールは、上記開示において、前記複数の上基板の各々は、前記下基板の上面からの高さが互いに異なることを特徴とする。

また、本開示に係る光モジュールは、上記開示において、前記発熱体は、半導体レーザ素子または半導体光増幅素子のいずれかであることを特徴とする。

本開示によれば、互いに異なる熱電素子モジュールの熱の影響を防止しつつ、小型化を実現することができるという効果を奏する。

図１は、実施形態１に係る光モジュールの構成を模式的に示す上面図である。 図２は、実施形態１に係る光モジュールの要部を模式的に示す側面図である。 図３は、実施形態１に係る温度調節器の斜視図である。 図４は、実施形態１に係る温度調節器の上面図である。 図５は、実施形態１の変形例に係る温度検出素子が波長検出部に設けられている場合の光モジュールの構成を模式的に示す上面図である。 図６は、実施形態２に係る光モジュールの構成を模式的に示す上面図である。 図７は、実施形態２に係る光モジュールの要部を模式的に示す側面図である。 図８は、その他の実施形態に係る発熱体と温度制御部品との組み合わせを示す図である。

以下、図面を参照して実施形態について説明する。なお、この実施形態により、この発明が限定されるものではない。また、図面の記載において、同一または対応する要素には、適宜同一の符号を付し、重複説明を適宜省略する。また、図面は、模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は、現実と異なる場合があることに留意する必要がある。さらに、図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。さらにまた、以下の実施形態１〜３に係る光モジュールは、パッケージ内に収容されるモジュールである。

（実施形態１）
〔光モジュールの構成〕
図１は、実施形態１に係る光モジュールの構成を模式的に示す上面図である。図２は、実施形態１に係る光モジュールの要部を模式的に示す側面図である。

図１および図２に示す光モジュール１は、パッケージ２と、温度調節器３と、１対の電極４と、レーザ支持部材５と、波長可変レーザ素子６と、コリメートレンズ７と、ベース８と、ビームスプリッタ９と、ビームスプリッタ９Ａと、光アイソレータ１０と、フォトダイオード１１（以下、単に「ＰＤ１１」という）と、フォトダイオードキャリア１２と、フォトダイオード１３（以下、単に「ＰＤ１３」という）と、フォトダイオードキャリア１４と、温度検出素子１５と、エタロンフィルタ１６と、集光レンズ１７と、フェルール１８と、光ファイバ１９と、波長検出部２０と、を備える。

パッケージ２は、矩形状をなす。パッケージ２は、温度調節器３と、レーザ支持部材５と、波長可変レーザ素子６と、コリメートレンズ７と、ベース８と、ビームスプリッタ９と、光アイソレータ１０と、ＰＤ１１と、フォトダイオードキャリア１２と、ＰＤ１３と、フォトダイオードキャリア１４と、温度検出素子１５と、エタロンフィルタ１６と、波長検出部２０と、を内部に収納する。なお、パッケージ２は、上蓋（図示せず）を備えているが、光モジュール１の内部構造の説明のため、上蓋を取り外した状態で図示されている。

温度調節器３は、１対の電極４を介して不図示の制御器から供給される駆動電流に応じて、接合された波長可変レーザ素子６および波長検出部２０の各々の温度を調節する。温度調節器３は、板状をなす下基板２１と、下基板２１における上面に、所定の距離Ｄ１だけ空けて異なる領域Ｒ１,Ｒ２に設けられた複数の熱電素子２２と、領域Ｒ１，Ｒ２の各々の複数の熱電素子２２の各々の上面に設けられた第１の上基板２３と、第２の上基板２４と、を備える。なお、温度調節器３の詳細な構成は、後述する。

レーザ支持部材５は、温度調節器３の上面に設けられる。レーザ支持部材５は、波長可変レーザ素子６、コリメートレンズ７および温度検出素子１５を上面に載置している。レーザ支持部材５は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、銅タングステン、炭化ケイ素、シリコン、銅およびダイヤモンド等の材料を用いて形成される。なお、レーザ支持部材５は、熱伝導率の高い材料を用いて形成することがより好ましい。

波長可変レーザ素子６は、不図示の制御器から供給される駆動電流に応じて、レーザ光Ｌ１を出力する。レーザ光Ｌ１は、図示されたとおり、波長検出部２０や光ファイバ１９がある前方側に出射される。なお、レーザ光Ｌ１は、前方側に出射される場合の他に、不図示であるが、光ファイバ１９とは逆側、つまり後方側に出射され、波長検出部２０が後方側に用意されている場合も考えられる。また、波長可変レーザ素子６は、発熱体として機能する。また、波長可変レーザ素子６に光増幅器が集積されている場合もあり、この場合には発熱量がさらに大きくなる。また、波長可変レーザ素子６は、一部が後述する第１の上基板２３からはみ出させて配置される場合もある。この場合は、パッケージ２の底面や下基板２１との反りの影響を小さくすることができる。なお、実施形態１では、波長可変レーザ素子６が半導体レーザとして機能する。

コリメートレンズ７は、波長可変レーザ素子６から出力されたレーザ光をコリメートしてビームスプリッタ９へ出力する。

ベース８は、温度調節器３の上面に設けられる。ベース８は、ビームスプリッタ９、９Ａ、光アイソレータ１０、エタロンフィルタ１６を上面に載置している。また、ＰＤ１１は、フォトダイオードキャリア１２に搭載された状態で、ベース８に搭載される。さらにまた、ＰＤ１３は、フォトダイオードキャリア１４に搭載された状態で、ベース８に搭載される。ベース８は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、銅タングステン、炭化ケイ素、シリコン、銅およびダイヤモンド等の材料を用いて形成される。なお、ベース８は、熱伝導率の高い材料を用いて形成することがより好ましい。

ビームスプリッタ９は、コリメートレンズ７によって平行光にされたレーザ光Ｌ１の一部をレーザ光Ｌ２として分岐してビームスプリッタ９Ａへ向けて反射する一方、残りのレーザ光Ｌ１を透過する。

ビームスプリッタ９Ａは、ビームスプリッタ９から反射されたレーザ光Ｌ２の一部をレーザ光Ｌ３として分岐してエタロンフィルタ１６へ向けて反射する一方、残りのレーザ光Ｌ２をＰＤ１３へ透過する。

光アイソレータ１０は、ビームスプリッタ９を透過したレーザ光Ｌ１を集光レンズ１７側に透過させる一方、集光レンズ１７側から入力された光を遮断する。

ＰＤ１１は、エタロンフィルタ１６が出力したレーザ光Ｌ３を受光し、その受光パワーに応じた電流信号を不図示の制御器へ出力する。

ＰＤ１３は、ビームスプリッタ９Ａが反射したレーザ光Ｌ２を受光し、その受光パワーに応じた電流信号を不図示の制御器へ出力する。

温度検出素子１５は、波長可変レーザ素子６の温度を検出し、この検出した温度を不図示の制御器へ出力する。温度検出素子１５は、例えばサーミスタ素子等を用いて構成される。

エタロンフィルタ１６は、波長に対して周期的な透過特性（透過波長特性）を有し、その透過波長特性に応じた透過率で、ビームスプリッタ９Ａが反射したレーザ光Ｌ３を選択的に透過してＰＤ１１へ出力する。

集光レンズ１７は、光アイソレータ１０の前方側に取り付けられている。集光レンズ１７は、光アイソレータ１０を透過したレーザ光Ｌ１を集光し、光ファイバ１９に結合させる。

光ファイバ１９は、集光レンズ１７の前方側に取り付けられている。光ファイバ１９は、先端周辺がフェルール１８によって保護された状態で固定されており、集光レンズ１７によって結合されたレーザ光Ｌ１を伝搬する。

波長検出部２０は、ビームスプリッタ９と、ビームスプリッタ９Ａと、光アイソレータ１０と、ＰＤ１１と、ＰＤ１３と、エタロンフィルタ１６と、を用いて構成される。波長検出部２０は、上述したＰＤ１１およびＰＤ１３の各々がレーザ光を受光し、その受光パワーに応じた電流信号を不図示の制御器へ出力する。不図示の制御器は、ＰＤ１１およびＰＤ１３の各々から受信した電流信号に基づいて、温度調節器３へ供給する駆動電流を制御することによって波長可変レーザ素子６の温度を調節し、波長可変レーザ素子６が出力するレーザ光Ｌ１の波長を制御する。例えば、不図示の制御器は、ＰＤ１３から受信した電流信号が一定値となるように波長可変レーザ素子６へ供給する駆動電流を制御する。これにより、不図示の制御器は、光出力を一定に制御することができる。このような制御は、波長ロックと呼ばれる公知の技術である。なお、波長検出部２０は、ＰＬＣ（Planar Lightwave Circuit）等の光導波路素子によっても実現できる。この場合、フィルタ部は、例えばリングフィルタによって実現できる。

このように構成された光モジュール１は、例えば幅７ｍｍ、長さ１２ｍｍという非常に小型のパッケージ２内に各光部品が収容される構成となっているため、光アイソレータ等がパッケージ２の外部に取り付けられている場合もある。光モジュール１は、パッケージ２内の各部品の面積を削減した結果、パッケージ２内の面積のうち波長可変レーザ素子６の面積（特には長手方向の長さ）によって占有される割合は大きくなる。しかしながら、光モジュール１は、波長可変レーザ素子６が小型のため、全体として小型を実現することができる。

〔温度調節器の構成〕
次に、上述した温度調節器３の詳細な構成について説明する。図３は、温度調節器３の斜視図である。図４は、温度調節器３の上面図である。

図３および図４に示す温度調節器３は、下基板２１と、熱電素子２２と、第１の上基板２３と、第２の上基板２４と、１対の電極４と、１対の電気配線４１と、を有する。

下基板２１は、矩形状をなし、窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウムを用いて１枚の板状に形成される。また、下基板２１上には、１対の電極４および１対の電気配線４１が形成されている。

熱電素子２２は、ペルチェ効果によって温度調節を行う、いわゆるペルチェ素子である。熱電素子２２は、第１の熱電素子２２１と、第２の熱電素子２２２と、を有する。第１の熱電素子２２１および第２の熱電素子２２２の各々は、下基板２１における上面に、所定の距離だけ分離させて異なる領域Ｒ１,Ｒ２に設けられる。具体的には、第１の熱電素子２２１は、下基板２１と後述する第１の上基板２３との基板間に設けられ、第２の熱電素子２２２は、下基板２１と後述する第２の上基板２４との基板間に設けられる。熱電素子２２は、基板間に２次元的に配列された複数の柱状の半導体素子（Ｎ型およびＰ型）が立設した構造を有する。また、熱電素子２２は、Ｎ型の半導体素子およびＰ型の半導体素子の各々の上端および下端が金属電極によって下基板３１と第１の上基板２３または下基板２１と第２の上基板２４とに接続され、かつ、Ｎ型の半導体素子およびＰ型の半導体素子が交互に直列に接続されている。半導体素子は、例えばＢｉＴｅを用いて形成される。

第１の上基板２３および第２の上基板２４の各々は、矩形状をなし、窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウムを用いて板状に形成される。第１の上基板２３および第２の上基板２４の各々は、互いに所定の距離Ｄ１だけ分離して第１の熱電素子２２１および第２の熱電素子２２２の上面に設けられる。また、第１の上基板２３における長手方向の長さは、レーザ支持部材５の長手方向の長さとほぼ同じに形成される。また、第２の上基板２４における長手方向の長さは、ベース８の長手方向の長さとほぼ同じに形成される（図１の領域Ｒ１とＲ２を参照）。

このように構成された温度調節器３は、１対の電極４および１対の電気配線４１を介して不図示の制御器から駆動電流が供給されることによって波長可変レーザ素子６および波長検出部２０を冷却または加熱し、波長可変レーザ素子６および波長検出部２０の温度を調節することができる。なお、温度調節器３は、全ての第１の熱電素子２２１、第２の熱電素子２２２が直列接続または、領域Ｒ１のある第１の熱電素子２２１のグループと領域Ｒ２にある第２の熱電素子２２２のグループとで並列接続された構成となる。

以上説明した実施形態１によれば、下基板２１の上面に第１の熱電素子２２１と第２の熱電素子２２２とを所定の距離Ｄ１だけ分離させて異なる領域に設け、第１の上基板２３および第２の上基板２４各々を互いに所定の距離Ｄ１だけ分離して第１の熱電素子２２１および第２の熱電素子２２２の上面に設けることによって、発熱体である波長可変レーザ素子６の熱が温度制御部品である波長検出部２０に流入することを防止したので、互いの熱の影響を防止しつつ、小型化を実現することができる。

また、実施形態１によれば、第１の上基板２３および第２の上基板２４の各々を互いに所定の距離Ｄ１だけ空けて設けることによって、発熱体である波長可変レーザ素子６の熱が温度制御部品である波長検出部２０に流入することを防止したので、消費電力を低く保つことができる。

また、実施形態１によれば、１つの下基板２１によって温度調節器３を形成することによって、従来の２台のＴＥＣの下基板のように間に距離を設けてパッケージ２内に配置する必要がなくなるので、光モジュール１のさらなる小型化を図ることができる。

また、実施形態１によれば、温度調節器３は、２台以上の熱電素子モジュールが実質的に一体化したものであり、１台の部品として扱うことができるので、組み立て時の工程、たとえば２台以上の熱電素子モジュールの互いの位置合わせための工程を減らすことができるうえ、歩留まりも改善することができる。

また、実施形態１の変形例として、図５に示す光モジュール１Ａのように、温度検出素子１５を波長検出部２０に配置することができる。この場合、温度検出素子１５は、エタロンフィルタ１６の温度を検出し、この検出した温度を不図示の制御器へ出力する。温度検出素子１５は、例えばサーミスタ素子等を用いて構成される。なお、温度検出素子１５は、レーザ支持部材５上と波長検出部２０の両方に配置してもよい。

（実施形態２）
次に、実施形態２について説明する。上述した実施形態１では、温度調節器が有する複数の上基板の各々の下基板の上面からの高さが同じであったが、実施形態２では、複数の上基板の各々の下基板の上面からの高さを互いに異ならせている。

〔光モジュールの構成〕
図６は、実施形態２に係る光モジュールの構成を模式的に示す上面図である。図７は、実施形態２に係る光モジュールの要部を模式的に示す側面図である。

図６および図７に示す光モジュール１Ｂは、上述した実施形態１に係る光モジュール１の温度調節器３に換えて、温度調節器３Ｂを備える。

〔温度調節器の構成〕
温度調節器３Ｂは、下基板２１と、熱電素子２２と、第１の上基板２３Ｂと、第２の上基板２４と、１対の電極４と、１対の電気配線４１と、を有する。

下基板２１は、矩形状をなし、窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウムを用いて１枚の板状に形成される。また、下基板２１上は、１対の電気配線４１および１対の電極４が一体的に形成される。

第１の上基板２３Ｂおよび第２の上基板２４の各々は、矩形状をなし、窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウムを用いて板状に形成される。第１の上基板２３Ｂおよび第２の上基板２４は、互いに所定の距離Ｄ１だけ離間して下基板２１上に設けられている。さらに、第１の上基板２３Ｂおよび第２の上基板２４の各々は、互いに厚みを変えて形成される。これにより、第１の上基板２３Ｂおよび第２の上基板２４は、互いの厚さが異なるので、下基板２１の上面からの高さが互いに異なる（Ｈ１＞Ｈ２）。

以上説明した実施形態２によれば、第１の上基板２３Ｂおよび第２の上基板２４の各々は、下基板２１の上面からの高さを互いに異ならせ、この高さの相違を、第１の上基板２３Ｂに搭載した光学部品と第２の上基板２４に搭載した光学部品との光軸合わせで利用できる。その結果、高さ調整のための土台やスペーサを挟む必要がなくなる、或いはスペーサが薄くてよいので、温度調節器３Ａの上面に接合される発熱体との熱伝導が良くなり、さらなる消費電力の低減を図ることができる。

なお、本実施形態２では、第１の上基板２３Ｂと第２の上基板２４の厚さが異なっていたが、厚さを同一にして、第１の上基板２３Ｂおよび第２の上基板２４に対応する第１の熱電素子２２１および第２の熱電素子２２２の各々の高さを異ならせても良いし、第１の上基板２３Ｂおよび第２の上基板２４の厚さと第１の熱電素子２２１および第２の熱電素子２２２の各々の高さの両方を異ならせても良い。

（その他の実施形態）
なお、上述した実施形態１、２の発熱体と温度制御部品との組み合わせ以外にも、図８の表Ｔ１の組み合わせが考えられる。また、温度制御部品の電極が２対やそれ以上ある場合、上基板が３枚以上ある場合なども考えられる。

半導体レーザとＳＯＡ（半導体光増幅素子）との組み合わせの場合、両方発熱体のため、双方の熱の回り込みを避けたい。ＳＯＡは、発熱が大きい。また、半導体レーザは、熱によって光出力が低下する。さらに、半導体レーザは、出力側にレンズを配置するので、支持部材や固定部材を介して鉛直方向の上方に持ち上げられている場合が多く、ＳＯＡと高さが異なる場合がある。このため、上述した実施形態１、２のいずれかの構成を用いることで、ＴＥＣ２台を用いる場合と比べて、高さ公差を小さくすることができる。

また、半導体レーザと波長ロッカーとの組み合わせの場合、波長ロッカーに用いるエタロンフィルタは、熱によって寸法が変わり、熱の影響を受けるので、発熱体である半導体レーザからの熱の回り込みを避けたい。また、波長ロッカーは、発熱体でないため、熱の周り込みさえ防ぐことができればよい。このため、上述した実施形態１、２のいずれかの構成を用いることで、半導体レーザのための温度調節のみで、波長ロッカーも一定温度に保つことができる。

また、半導体レーザと光変調器との組み合わせの場合、光変調器は、大きく、光変調器の導波路幅が小さいので、反りによって結合効率の低下が起こりやすい。このため、上述した実施形態１、２のいずれかの構成を用いることで、ＴＥＣ２台を使う場合と比べて、下基板が１枚のため、反りによる位置ズレを小さくすることができるので、光変調器への結合効率の低下を防止することができる。

また、光変調器とＰＬＣとの組み合わせの場合、温度の影響によって挿入損失が上がってしまうため、温度調整を行うことによって損失を低減させることができる。さらに、光変調器とＰＬＣとの組み合わせの場合、光変調器とＰＬＣとをレンズで結合させることで、高さが異なっているため、温度調整のためにＴＥＣを２台使用するか、高さ調整用の基板を挟む必要があった。さらにまた、光変調器とＰＬＣは、結合が精密である必要があり、反りや高さズレによって結合効率が非常に低下しやすいため、高さ公差が大きくなってしまうことで、ＴＥＣを２台使用したり、ＴＥＣ上に高さ調整基板を挟んだりすることが難しく、従来のＴＥＣを使用することができなかった。このため、上述した実施形態１、２のいずれかの構成を用いることで、高さ公差を小さくすることができる。

なお、上記実施形態では、発熱体として半導体レーザを例に説明していたが、これに限定されることなく、例えばＳＯＡ、ＶＯＡ（可変光減衰器）、駆動ドライバおよび制御ＩＣであっても適用することができる。さらに、温度制御しない部品として、例えば光変調器、エタロン、ＰＬＣ、波長ロッカーおよびアイソレータであっても適用することができる。

なお、上記実施形態により本発明が限定されるものではない。上述した各構成要素を適宜組み合わせて構成したものも本発明に含まれる。また、さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。よって、本発明のより広範な態様は、上記の実施形態に限定されるものではなく、様々な変更が可能である。

以上、本願の実施形態のいくつかを図面に基づいて詳細に説明したが、これらは例示であり、本発明の開示の欄に記載の態様を始めとして、当業者の知識に基づいて種々の変形、改良を施した他の形態で本発明を実施することが可能である。

１，１Ａ，１Ｂ 光モジュール
２ パッケージ
３，３Ｂ 温度調節器
４ 電極
５ レーザ支持部材
６ 波長可変レーザ素子
７ コリメートレンズ
８ ベース
９，９Ａ ビームスプリッタ
１０ 光アイソレータ
１１，１３ フォトダイオード
１２，１４ フォトダイオードキャリア
１５ 温度検出素子
１６ エタロンフィルタ
１７ 集光レンズ
１８ フェルール
１９ 光ファイバ
２０ 波長検出部
２１ 下基板
２２ 熱電素子
２３，２３Ｂ 第１の上基板
２４ 第２の上基板
３１ 下基板
４１ 電気配線
２２１ 第１の熱電素子
２２２ 第２の熱電素子

Claims (7)

1. 少なくとも１つの発熱体を含む複数の部品と、
   板状の下基板と、該下基板の上面に所定の距離だけ空けて異なる領域に設けられた複数の熱電素子と、該異なる領域に設けられた複数の熱電素子の各々の上面に設けられた複数の上基板と、を有し、該複数の上基板の各々の上面に設けられた前記部品をペルチェ効果によって温度調節する温度調節器と、
   を備えることを特徴とする光モジュール。
2. 前記温度調節器は、
   前記下基板および前記複数の上基板に形成された１対の電気配線と、
   前記下基板における上面に設けられ、前記下基板に形成された前記１対の電気配線と接続された１対の電極と、
   をさらに有し、
   前記複数の熱電素子は、前記１対の電極および前記１対の電気配線を介して温度調節を行うことができることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
3. 前記複数の上基板の各々の上面に設けられた温度検出素子をさらに備えることを特徴とする請求項１または２に記載の光モジュール。
4. 前記複数の上基板の各々の上面に設けられ、前記温度検出素子を固定する固定部材または前記温度検出素子を支持する支持部材をさらに備え、
   前記温度検出素子は、少なくとも前記固定部材および前記支持部材のどちらか一方を介して前記複数の上基板の各々の上面に設けられていることを特徴とする請求項３に記載の光モジュール。
5. 前記温度検出素子は、前記複数の上基板の数と同じ個数または少ない個数設けられていることを特徴とする請求項３または４に記載の光モジュール。
6. 前記複数の上基板の各々は、前記下基板の上面からの高さが互いに異なることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の光モジュール。
7. 前記発熱体は、半導体レーザ素子または半導体光増幅素子のいずれかであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の光モジュール。

Images